JP2003344037A - 膜厚測定装置および方法並びに基板処理ユニットおよび方法 - Google Patents
膜厚測定装置および方法並びに基板処理ユニットおよび方法Info
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 カメラや画像解析を行うための高価なハード
ウェアを利用することなく、膜厚測定を行うための基板
の領域を特定することを課題とする。 【解決手段】 保持手段により回転保持される基板の周
縁部と、保持手段の回転軸との距離（エッジ距離）がラ
インセンサ２６により検出される。距離取得手段１０１
は、１回転する基板のエッジ距離を複数回取得し、算出
手段１０２が、その複数のエッジ距離から保持手段に保
持されている基板の中心位置を算出する。このとき、基
板の周縁部に設けられているオリフラ、ノッチなどの特
異周縁部も検出されることにより、基板の結晶方向が検
出される。算出手段１０２の算出結果に基づいて、領域
特定手段１０３が基板の周縁部近傍の膜厚測定領域を特
定し、これによって膜厚測定装置２４により膜厚測定が
行われる。また、基板の周縁部近傍の露光領域が特定さ
れ、露光装置２３によりエッジ露光が行われる。
ウェアを利用することなく、膜厚測定を行うための基板
の領域を特定することを課題とする。 【解決手段】 保持手段により回転保持される基板の周
縁部と、保持手段の回転軸との距離（エッジ距離）がラ
インセンサ２６により検出される。距離取得手段１０１
は、１回転する基板のエッジ距離を複数回取得し、算出
手段１０２が、その複数のエッジ距離から保持手段に保
持されている基板の中心位置を算出する。このとき、基
板の周縁部に設けられているオリフラ、ノッチなどの特
異周縁部も検出されることにより、基板の結晶方向が検
出される。算出手段１０２の算出結果に基づいて、領域
特定手段１０３が基板の周縁部近傍の膜厚測定領域を特
定し、これによって膜厚測定装置２４により膜厚測定が
行われる。また、基板の周縁部近傍の露光領域が特定さ
れ、露光装置２３によりエッジ露光が行われる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体基板、液晶
表示装置用ガラス基板、フォトマスク用ガラス基板、光
ディスク用基板等（以下、単に「基板」と称する）に対
して膜厚測定やエッジ露光を行う処理装置に関する。
表示装置用ガラス基板、フォトマスク用ガラス基板、光
ディスク用基板等（以下、単に「基板」と称する）に対
して膜厚測定やエッジ露光を行う処理装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】半導体や液晶ディスプレイなどの製品
は、上記基板に対して洗浄、レジスト塗布、露光、現
像、エッチング、層間絶縁膜の形成、熱処理、ダイシン
グなどの一連の処理を施すことによって製造される。そ
して、かかる半導体製品の品質維持のため、レジスト塗
布処理後などにおいて、基板の膜厚測定が行われる。
は、上記基板に対して洗浄、レジスト塗布、露光、現
像、エッチング、層間絶縁膜の形成、熱処理、ダイシン
グなどの一連の処理を施すことによって製造される。そ
して、かかる半導体製品の品質維持のため、レジスト塗
布処理後などにおいて、基板の膜厚測定が行われる。
【０００３】基板の膜厚測定を行う測定位置は様々であ
るが、パターンの形成されない膜厚の平坦な領域を測定
位置とする場合がある。膜厚測定時、基板は搬送ロボッ
ト等により搬送されて膜厚測定を行うための所定位置に
保持されるわけであるが、装置の動作精度にも限界があ
り、保持位置にわずかなズレが生じることがある。した
がって、所望の位置の膜厚測定を行うためには、膜厚測
定の処理に先立って、保持された基板の正確な位置を知
る必要がある。
るが、パターンの形成されない膜厚の平坦な領域を測定
位置とする場合がある。膜厚測定時、基板は搬送ロボッ
ト等により搬送されて膜厚測定を行うための所定位置に
保持されるわけであるが、装置の動作精度にも限界があ
り、保持位置にわずかなズレが生じることがある。した
がって、所望の位置の膜厚測定を行うためには、膜厚測
定の処理に先立って、保持された基板の正確な位置を知
る必要がある。
【０００４】従来、基板の位置測定、および、膜厚測定
は以下の方法で行われていた。まず、カメラを使用して
所定位置に保持された膜厚測定対象の基板を撮影する。
そして、撮影した画像を解析することにより、基板上に
パターンとして形成されたアライメントマークやダイの
位置を抽出し、これにより基板の保持状態やパターンの
位置を把握するのである。そして、測定した基板の保持
状態から基板の測定領域を算出し、当該測定位置に光学
ヘッドを移動させて膜厚測定を行う、という方法であ
る。
は以下の方法で行われていた。まず、カメラを使用して
所定位置に保持された膜厚測定対象の基板を撮影する。
そして、撮影した画像を解析することにより、基板上に
パターンとして形成されたアライメントマークやダイの
位置を抽出し、これにより基板の保持状態やパターンの
位置を把握するのである。そして、測定した基板の保持
状態から基板の測定領域を算出し、当該測定位置に光学
ヘッドを移動させて膜厚測定を行う、という方法であ
る。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】上述した画像解析を利
用した膜厚測定位置の決定方法は、実際に基板上に形成
されたパターンを基準として測定位置を算出しているた
め、精度が高いというメリットがある。しかしながら、
当該方法は、画像の取り込み処理に高価なハードウェア
が必要となり、また、画像解析を行うために非常に演算
処理能力の高いハードウェアを必要とする。
用した膜厚測定位置の決定方法は、実際に基板上に形成
されたパターンを基準として測定位置を算出しているた
め、精度が高いというメリットがある。しかしながら、
当該方法は、画像の取り込み処理に高価なハードウェア
が必要となり、また、画像解析を行うために非常に演算
処理能力の高いハードウェアを必要とする。
【０００６】また、カメラや画像処理関連の制御部を設
置するスペースが必要となる。さらに、予め登録された
パターンと撮影された基板上のパターンとの間で画像の
照合処理を行うため、処理の条件によってはパターン照
合でエラーが発生し、測定対象のロット全てを検出不能
とする可能性がある。
置するスペースが必要となる。さらに、予め登録された
パターンと撮影された基板上のパターンとの間で画像の
照合処理を行うため、処理の条件によってはパターン照
合でエラーが発生し、測定対象のロット全てを検出不能
とする可能性がある。
【０００７】そこで、本発明は前記問題点に鑑み、低コ
スト且つ省スペースな装置構成により、基板の膜厚測定
を精度よく行うことを課題とする。
スト且つ省スペースな装置構成により、基板の膜厚測定
を精度よく行うことを課題とする。
【０００８】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するた
め、請求項１記載の発明は、a)基板を保持する保持手段
と、b)前記保持手段に保持された基板の周縁部を検出す
る検出手段と、c)前記検出手段の検出結果に基づいて測
定領域を特定する領域特定手段と、d)前記基板が前記保
持手段に保持された状態で、前記測定領域における前記
基板の膜厚を測定する膜厚測定手段と、を備えることを
特徴とする。
め、請求項１記載の発明は、a)基板を保持する保持手段
と、b)前記保持手段に保持された基板の周縁部を検出す
る検出手段と、c)前記検出手段の検出結果に基づいて測
定領域を特定する領域特定手段と、d)前記基板が前記保
持手段に保持された状態で、前記測定領域における前記
基板の膜厚を測定する膜厚測定手段と、を備えることを
特徴とする。
【０００９】請求項２記載の発明は、請求項１に記載の
膜厚測定装置において、前記領域特定手段は、c-1)前記
測定領域が前記基板のパターンが形成されない領域に含
まれるように前記測定領域を特定する手段、を含むこと
を特徴とする。
膜厚測定装置において、前記領域特定手段は、c-1)前記
測定領域が前記基板のパターンが形成されない領域に含
まれるように前記測定領域を特定する手段、を含むこと
を特徴とする。
【００１０】請求項３記載の発明は、請求項１または請
求項２に記載の膜厚測定装置において、前記保持手段
は、a-1)基板を回転保持する手段、を備え、前記検出手
段は、b-1)前記保持手段の回転中心に対して略半径方向
に沿ってラインセンサを配置する手段と、b-2)前記保持
手段によって前記基板を回転させつつ、前記ラインセン
サを用いて前記保持手段の回転中心から前記基板の周縁
部までの距離情報を複数回取得する距離取得手段と、b-
3)前記距離取得手段により取得した複数の距離情報から
前記保持手段に保持された状態における前記基板の基板
中心位置を算出する算出手段と、を備えることを特徴と
する。
求項２に記載の膜厚測定装置において、前記保持手段
は、a-1)基板を回転保持する手段、を備え、前記検出手
段は、b-1)前記保持手段の回転中心に対して略半径方向
に沿ってラインセンサを配置する手段と、b-2)前記保持
手段によって前記基板を回転させつつ、前記ラインセン
サを用いて前記保持手段の回転中心から前記基板の周縁
部までの距離情報を複数回取得する距離取得手段と、b-
3)前記距離取得手段により取得した複数の距離情報から
前記保持手段に保持された状態における前記基板の基板
中心位置を算出する算出手段と、を備えることを特徴と
する。
【００１１】請求項４記載の発明は、請求項３に記載の
膜厚測定装置において、前記基板の周縁部には、当該基
板の結晶方向を示すために、その円周状の周縁部の一部
が変形した特異周縁部が形成されており、前記検出手段
は、b-4)前記保持手段の回転位置を取得する手段、を備
え、前記算出手段は、b-3-1)前記距離取得手段により取
得した複数の距離情報に含まれる前記特異周縁部におけ
る距離情報と、当該特異周縁部における距離情報を取得
した際の前記保持手段の回転位置とから前記保持手段に
保持された状態における前記基板の特異周縁部の位置を
算出する手段、を含むことを特徴とする。
膜厚測定装置において、前記基板の周縁部には、当該基
板の結晶方向を示すために、その円周状の周縁部の一部
が変形した特異周縁部が形成されており、前記検出手段
は、b-4)前記保持手段の回転位置を取得する手段、を備
え、前記算出手段は、b-3-1)前記距離取得手段により取
得した複数の距離情報に含まれる前記特異周縁部におけ
る距離情報と、当該特異周縁部における距離情報を取得
した際の前記保持手段の回転位置とから前記保持手段に
保持された状態における前記基板の特異周縁部の位置を
算出する手段、を含むことを特徴とする。
【００１２】請求項５記載の発明は、請求項１ないし請
求項４のいずれかに記載の膜厚測定装置が搭載された処
理ユニットであって、前記処理ユニットは、前記基板の
周縁部を露光する露光手段、を備え、前記露光手段は、
前記算出手段より算出した前記基板中心位置および前記
特異周縁部の位置をもとに、露光領域を特定する手段、
を備えることを特徴とする。
求項４のいずれかに記載の膜厚測定装置が搭載された処
理ユニットであって、前記処理ユニットは、前記基板の
周縁部を露光する露光手段、を備え、前記露光手段は、
前記算出手段より算出した前記基板中心位置および前記
特異周縁部の位置をもとに、露光領域を特定する手段、
を備えることを特徴とする。
【００１３】請求項６記載の発明は、請求項５に記載の
基板処理ユニットにおいて、前記膜厚測定手段および前
記露光手段は同一の駆動機構によって制御されることに
より、それぞれ前記測定領域および前記露光領域におい
て膜厚測定および露光処理を行うことを特徴とする。
基板処理ユニットにおいて、前記膜厚測定手段および前
記露光手段は同一の駆動機構によって制御されることに
より、それぞれ前記測定領域および前記露光領域におい
て膜厚測定および露光処理を行うことを特徴とする。
【００１４】請求項７記載の発明は、基板の膜厚を測定
する方法であって、a)基板を保持手段に保持させる工程
と、b)前記保持手段の回転中心に対して略半径方向に沿
ってラインセンサを配置する工程と、c)前記保持手段に
より前記基板を１回転させるとともに、前記ラインセン
サを用いて前記保持手段の回転中心から前記基板の周縁
部までの距離情報を複数回取得する距離情報取得工程
と、d)前記距離情報取得工程により取得した複数の距離
情報から前記保持手段に保持された状態における前記基
板の基板中心位置を算出する算出工程と、e)前記算出工
程において算出された基板中心位置に基づいて測定領域
を特定する工程と、f)前記基板が前記保持手段に保持さ
れた状態で、前記測定領域における前記基板の膜厚を測
定する工程と、を備えることを特徴とする。
する方法であって、a)基板を保持手段に保持させる工程
と、b)前記保持手段の回転中心に対して略半径方向に沿
ってラインセンサを配置する工程と、c)前記保持手段に
より前記基板を１回転させるとともに、前記ラインセン
サを用いて前記保持手段の回転中心から前記基板の周縁
部までの距離情報を複数回取得する距離情報取得工程
と、d)前記距離情報取得工程により取得した複数の距離
情報から前記保持手段に保持された状態における前記基
板の基板中心位置を算出する算出工程と、e)前記算出工
程において算出された基板中心位置に基づいて測定領域
を特定する工程と、f)前記基板が前記保持手段に保持さ
れた状態で、前記測定領域における前記基板の膜厚を測
定する工程と、を備えることを特徴とする。
【００１５】請求項８記載の発明は、請求項７に記載の
膜厚測定方法において、前記基板の周縁部には、当該基
板の結晶方向を示すために、その円周状の周縁部の一部
が変形した特異周縁部が形成されており、前記算出工程
は、d-1)前記距離情報取得工程により取得した複数の距
離情報に含まれる前記特異周縁部における距離情報と、
当該特異周縁部における距離情報を取得した際の前記保
持手段の回転位置とから前記保持手段に保持された状態
における前記基板の特異周縁部の位置を算出する工程、
を含むことを特徴とする。
膜厚測定方法において、前記基板の周縁部には、当該基
板の結晶方向を示すために、その円周状の周縁部の一部
が変形した特異周縁部が形成されており、前記算出工程
は、d-1)前記距離情報取得工程により取得した複数の距
離情報に含まれる前記特異周縁部における距離情報と、
当該特異周縁部における距離情報を取得した際の前記保
持手段の回転位置とから前記保持手段に保持された状態
における前記基板の特異周縁部の位置を算出する工程、
を含むことを特徴とする。
【００１６】請求項９記載の発明は、請求項７または請
求項８に記載の膜厚測定方法を利用した基板処理方法で
あって、g)前記算出工程において算出された基板中心位
置に基づいて、前記基板の露光領域を特定する工程と、
h)前記基板が前記保持手段に保持された状態で、前記露
光領域を露光する工程と、を備えることを特徴とする。
求項８に記載の膜厚測定方法を利用した基板処理方法で
あって、g)前記算出工程において算出された基板中心位
置に基づいて、前記基板の露光領域を特定する工程と、
h)前記基板が前記保持手段に保持された状態で、前記露
光領域を露光する工程と、を備えることを特徴とする。
【００１７】
【発明の実施の形態】＜１．装置の全体的な構成＞図１
は本発明の実施の形態に係る基板処理装置１の全体概略
を示す斜視図であり、図２はその基板処理装置１の概略
構成を示す平面図である。この基板処理装置１は、基板
Ｗにレジスト塗布処理及び現像処理を行う基板処理装置
（いわゆるコータ＆デベロッパ）であり、大別してイン
デクサＩＤとユニット配置部ＭＰとを備えて構成されて
いる。
は本発明の実施の形態に係る基板処理装置１の全体概略
を示す斜視図であり、図２はその基板処理装置１の概略
構成を示す平面図である。この基板処理装置１は、基板
Ｗにレジスト塗布処理及び現像処理を行う基板処理装置
（いわゆるコータ＆デベロッパ）であり、大別してイン
デクサＩＤとユニット配置部ＭＰとを備えて構成されて
いる。
【００１８】インデクサＩＤは、移載ロボットＴＦ及び
載置ステージ１５を備えている。載置ステージ１５に
は、４つのキャリアＣを水平方向に沿って配列して載置
することができる。それぞれのキャリアＣには、多段の
収納溝が刻設されており、それぞれの溝には１枚の基板
Ｗを水平姿勢にて（主面を水平面に沿わせて）収容する
ことができる。従って、各キャリアＣには、複数の基板
Ｗ（例えば２５枚）を水平姿勢かつ多段に所定の間隔を
隔てて積層した状態にて収納することができる。
載置ステージ１５を備えている。載置ステージ１５に
は、４つのキャリアＣを水平方向に沿って配列して載置
することができる。それぞれのキャリアＣには、多段の
収納溝が刻設されており、それぞれの溝には１枚の基板
Ｗを水平姿勢にて（主面を水平面に沿わせて）収容する
ことができる。従って、各キャリアＣには、複数の基板
Ｗ（例えば２５枚）を水平姿勢かつ多段に所定の間隔を
隔てて積層した状態にて収納することができる。
【００１９】移載ロボットＴＦは、１本の移載アームを
備えており、その移載アームを高さ方向に昇降動作させ
ること、回転動作させること、及び、水平方向に進退移
動させることができる。また、移載ロボットＴＦ自身が
キャリアＣの配列方向に沿って移動することにより、移
載アームをキャリアＣの配列方向に沿って水平移動させ
ることができる。つまり、移載ロボットＴＦは、移載ア
ームを３次元的に移動させることができるのである。
備えており、その移載アームを高さ方向に昇降動作させ
ること、回転動作させること、及び、水平方向に進退移
動させることができる。また、移載ロボットＴＦ自身が
キャリアＣの配列方向に沿って移動することにより、移
載アームをキャリアＣの配列方向に沿って水平移動させ
ることができる。つまり、移載ロボットＴＦは、移載ア
ームを３次元的に移動させることができるのである。
【００２０】このような移載ロボットＴＦの動作によ
り、インデクサＩＤは、複数の基板Ｗを収納可能なキャ
リアＣから未処理の基板Ｗを取り出してユニット配置部
ＭＰに渡すとともに、ユニット配置部ＭＰから処理済の
基板Ｗを受け取ってキャリアＣに収納することができ
る。
り、インデクサＩＤは、複数の基板Ｗを収納可能なキャ
リアＣから未処理の基板Ｗを取り出してユニット配置部
ＭＰに渡すとともに、ユニット配置部ＭＰから処理済の
基板Ｗを受け取ってキャリアＣに収納することができ
る。
【００２１】ユニット配置部ＭＰには、基板Ｗに所定の
処理を行う処理ユニットが２列構成で複数配置されてい
る。すなわち、ユニット配置部ＭＰの図１における手前
側の列には、２つの塗布処理ユニットＳＣが配置されて
いる。塗布処理ユニットＳＣは、基板Ｗを回転させつつ
その基板主面にフォトレジストを滴下することによって
均一なレジスト塗布を行う、いわゆるスピンコータであ
る。
処理を行う処理ユニットが２列構成で複数配置されてい
る。すなわち、ユニット配置部ＭＰの図１における手前
側の列には、２つの塗布処理ユニットＳＣが配置されて
いる。塗布処理ユニットＳＣは、基板Ｗを回転させつつ
その基板主面にフォトレジストを滴下することによって
均一なレジスト塗布を行う、いわゆるスピンコータであ
る。
【００２２】また、ユニット配置部ＭＰの図１における
奥側の列であって、塗布処理ユニットＳＣと同じ高さ位
置には２つの現像処理ユニットＳＤが配置されている。
現像処理ユニットＳＤは、露光後の基板Ｗ上に現像液を
供給することによって現像処理を行う、いわゆるスピン
デベロッパである。塗布処理ユニットＳＣと現像処理ユ
ニットＳＤとは搬送路１４を挟んで対向配置されてい
る。
奥側の列であって、塗布処理ユニットＳＣと同じ高さ位
置には２つの現像処理ユニットＳＤが配置されている。
現像処理ユニットＳＤは、露光後の基板Ｗ上に現像液を
供給することによって現像処理を行う、いわゆるスピン
デベロッパである。塗布処理ユニットＳＣと現像処理ユ
ニットＳＤとは搬送路１４を挟んで対向配置されてい
る。
【００２３】２つの塗布処理ユニットＳＣ及び２つの現
像処理ユニットＳＤのそれぞれの上方には、図示を省略
するファンフィルタユニットを挟んで熱処理ユニット群
１３が配置されている（図示の便宜上、図２では熱処理
ユニット群１３及び後述する基板処理ユニット１１等を
省略）。熱処理ユニット群１３には、基板Ｗを加熱して
所定の温度にまで昇温させるいわゆるホットプレート及
び基板Ｗを冷却して所定の温度にまで降温させるととも
に該基板Ｗを当該所定の温度に維持するいわゆるクール
プレートが組み込まれている。なお、ホットプレートに
は、レジスト塗布処理前の基板Ｗに密着強化処理を行う
密着強化ユニットや露光後の基板のベーク処理を行う露
光後ベークユニットが含まれる。
像処理ユニットＳＤのそれぞれの上方には、図示を省略
するファンフィルタユニットを挟んで熱処理ユニット群
１３が配置されている（図示の便宜上、図２では熱処理
ユニット群１３及び後述する基板処理ユニット１１等を
省略）。熱処理ユニット群１３には、基板Ｗを加熱して
所定の温度にまで昇温させるいわゆるホットプレート及
び基板Ｗを冷却して所定の温度にまで降温させるととも
に該基板Ｗを当該所定の温度に維持するいわゆるクール
プレートが組み込まれている。なお、ホットプレートに
は、レジスト塗布処理前の基板Ｗに密着強化処理を行う
密着強化ユニットや露光後の基板のベーク処理を行う露
光後ベークユニットが含まれる。
【００２４】そして、図１に示すように、熱処理ユニッ
ト群１３の一角には、基板Ｗのエッジ部分を検出してエ
ッジ露光および膜厚測定を行う基板処理ユニット１１が
配置されている。基板処理ユニット１１の詳細について
は後述するが、基板Wのエッジを検出するための装置群
や、レジストが塗布された基板Ｗに対してその周辺領域
の露光を行う周辺露光機能と、基板Ｗに塗布された塗布
膜であるレジスト膜の膜厚を測定する膜厚測定機能とを
有している。なお、この基板処理ユニット１１の配置位
置については、図１に図示された位置に限定されるもの
ではない。
ト群１３の一角には、基板Ｗのエッジ部分を検出してエ
ッジ露光および膜厚測定を行う基板処理ユニット１１が
配置されている。基板処理ユニット１１の詳細について
は後述するが、基板Wのエッジを検出するための装置群
や、レジストが塗布された基板Ｗに対してその周辺領域
の露光を行う周辺露光機能と、基板Ｗに塗布された塗布
膜であるレジスト膜の膜厚を測定する膜厚測定機能とを
有している。なお、この基板処理ユニット１１の配置位
置については、図１に図示された位置に限定されるもの
ではない。
【００２５】塗布処理ユニットＳＣと現像処理ユニット
ＳＤとの間に挟まれた搬送路１４には搬送ロボットＴＲ
が配置されている。搬送ロボットＴＲは、２つの搬送ア
ームを備えており、その搬送アームを鉛直方向に沿って
昇降させることと、水平面内で回転させることと、水平
面内にて進退移動を行わせることができる。これによ
り、搬送ロボットＴＲは、インデクサＩＤの移載ロボッ
トＴＦとの間で基板Ｗの受け渡しを行いつつ、ユニット
配置部ＭＰに配置された各処理ユニットの間で基板Ｗを
所定の処理手順にしたがって循環搬送することができ
る。また、搬送ロボットＴＲは、レジスト塗布後の基板
Ｗを基板処理ユニット１１に搬送するとともに、基板処
理ユニット１１から露光又は膜厚測定後の基板Ｗを受け
取って所定の位置に搬送する役割も担っている。
ＳＤとの間に挟まれた搬送路１４には搬送ロボットＴＲ
が配置されている。搬送ロボットＴＲは、２つの搬送ア
ームを備えており、その搬送アームを鉛直方向に沿って
昇降させることと、水平面内で回転させることと、水平
面内にて進退移動を行わせることができる。これによ
り、搬送ロボットＴＲは、インデクサＩＤの移載ロボッ
トＴＦとの間で基板Ｗの受け渡しを行いつつ、ユニット
配置部ＭＰに配置された各処理ユニットの間で基板Ｗを
所定の処理手順にしたがって循環搬送することができ
る。また、搬送ロボットＴＲは、レジスト塗布後の基板
Ｗを基板処理ユニット１１に搬送するとともに、基板処
理ユニット１１から露光又は膜厚測定後の基板Ｗを受け
取って所定の位置に搬送する役割も担っている。
【００２６】図３は、本実施形態に係る基板処理装置１
及びその制御システムのブロック構成図である。基板処
理装置１は、コントローラ１０の制御下において、塗
布、現像、膜厚測定等の検査処理を実行する。また、コ
ントローラ１０では、基板Wのエッジを検出するための
様々な演算処理が行われる。
及びその制御システムのブロック構成図である。基板処
理装置１は、コントローラ１０の制御下において、塗
布、現像、膜厚測定等の検査処理を実行する。また、コ
ントローラ１０では、基板Wのエッジを検出するための
様々な演算処理が行われる。
【００２７】コントローラ１０は、その本体部であって
演算処理を行うＣＰＵと、ＲＯＭ、ＲＡＭ、ハードディ
スクなどを備えており、ＲＯＭ若しくはハードウェアに
は制御用ソフトウェアが記憶されている。
演算処理を行うＣＰＵと、ＲＯＭ、ＲＡＭ、ハードディ
スクなどを備えており、ＲＯＭ若しくはハードウェアに
は制御用ソフトウェアが記憶されている。
【００２８】また、基板処理装置１の側面には、オペレ
ータ操作用の操作部１６と、操作ガイダンスやメニュー
を表示するためのモニタ１７が設けられている。コント
ローラ１０は、ハードディスク等に記録されたレシピデ
ータに基づく処理手順に従って、基板処理装置１を制御
する。
ータ操作用の操作部１６と、操作ガイダンスやメニュー
を表示するためのモニタ１７が設けられている。コント
ローラ１０は、ハードディスク等に記録されたレシピデ
ータに基づく処理手順に従って、基板処理装置１を制御
する。
【００２９】＜２．基板処置ユニットの構成＞図４は基
板処理ユニット１１を上方から見たときの構成を模式的
に示す図であり、図５は基板処理ユニット１１を側面か
ら見たときの構成を模式的に示す図である。この基板処
理ユニット１１は、図４又は図５に示すように、基板Ｗ
を保持する保持手段であるスピンチャック２１と、スピ
ンチャック２１の回転駆動手段である回転駆動部２２
と、露光手段である露光装置２３と、膜厚測定手段であ
る膜厚測定装置２４と、駆動手段であるＸＹ駆動機構２
５と、エッジ検出手段であるラインセンサ２６とを備え
ている。
板処理ユニット１１を上方から見たときの構成を模式的
に示す図であり、図５は基板処理ユニット１１を側面か
ら見たときの構成を模式的に示す図である。この基板処
理ユニット１１は、図４又は図５に示すように、基板Ｗ
を保持する保持手段であるスピンチャック２１と、スピ
ンチャック２１の回転駆動手段である回転駆動部２２
と、露光手段である露光装置２３と、膜厚測定手段であ
る膜厚測定装置２４と、駆動手段であるＸＹ駆動機構２
５と、エッジ検出手段であるラインセンサ２６とを備え
ている。
【００３０】図５に示すように、スピンチャック２１
は、回転軸２１ｃの上端に設けられており、回転軸２１
ｃは、回転駆動部２２によって駆動されることにより、
略鉛直方向の回転中心軸Rの回りに回転可能としてい
る。これにより、スピンチャック２１の上面において基
板Ｗを吸着した状態で回転駆動部２２を駆動させること
によって、基板Ｗが回転中心軸Rを中心に回転駆動され
る。基板Ｗの吸着は、エアの通流路２１ａ，２１ｂを介
して図示しない吸引ポンプにより与えられる真空吸引力
を用いて行われる。スピンチャック２１上への基板Ｗの
搬入、及びスピンチャック２１上からの基板Ｗの排出
は、搬送ロボットＴＲによって行われる。
は、回転軸２１ｃの上端に設けられており、回転軸２１
ｃは、回転駆動部２２によって駆動されることにより、
略鉛直方向の回転中心軸Rの回りに回転可能としてい
る。これにより、スピンチャック２１の上面において基
板Ｗを吸着した状態で回転駆動部２２を駆動させること
によって、基板Ｗが回転中心軸Rを中心に回転駆動され
る。基板Ｗの吸着は、エアの通流路２１ａ，２１ｂを介
して図示しない吸引ポンプにより与えられる真空吸引力
を用いて行われる。スピンチャック２１上への基板Ｗの
搬入、及びスピンチャック２１上からの基板Ｗの排出
は、搬送ロボットＴＲによって行われる。
【００３１】露光装置２３は、図示しない第１の光源ユ
ニットと、露光ヘッド部２３ａと、照度センサ２３ｂを
備えている。第１の光源ユニットとしては、例えば水銀
ランプユニットが用いられる。露光ヘッド部２３ａは、
第１の光源ユニットから与えられる露光用の光を、内蔵
した図示しないレンズを介してスピンチャック２１の基
板Ｗの表面に選択的に照射し、レジストが塗布された基
板Ｗのエッジ領域の露光を行う。照度センサ２３ｂは、
露光ヘッド部２３ａから基板Ｗに照射される光量を測定
するために用いられる。
ニットと、露光ヘッド部２３ａと、照度センサ２３ｂを
備えている。第１の光源ユニットとしては、例えば水銀
ランプユニットが用いられる。露光ヘッド部２３ａは、
第１の光源ユニットから与えられる露光用の光を、内蔵
した図示しないレンズを介してスピンチャック２１の基
板Ｗの表面に選択的に照射し、レジストが塗布された基
板Ｗのエッジ領域の露光を行う。照度センサ２３ｂは、
露光ヘッド部２３ａから基板Ｗに照射される光量を測定
するために用いられる。
【００３２】なお、本実施形態では、第１の光源ユニッ
トは基板処理ユニット１１内に固定的に設けられてお
り、露光ヘッド部２３ａは後述するＸＹ駆動機構２５に
よりＸＹ移動可能に設けられている。このため、第１の
光源ユニットによって与えられる露光用の光は、図示し
ない第１の光ファイバを介して第１の光源ユニットから
露光ヘッド部２３ａに与えられる。また、照度センサ２
３ｂも基板処理ユニット１１内に固定的に設けられてい
る。
トは基板処理ユニット１１内に固定的に設けられてお
り、露光ヘッド部２３ａは後述するＸＹ駆動機構２５に
よりＸＹ移動可能に設けられている。このため、第１の
光源ユニットによって与えられる露光用の光は、図示し
ない第１の光ファイバを介して第１の光源ユニットから
露光ヘッド部２３ａに与えられる。また、照度センサ２
３ｂも基板処理ユニット１１内に固定的に設けられてい
る。
【００３３】以上の如く、基板処理ユニット１１におい
て、基板Wのエッジ領域の露光を行う。本実施の形態に
おいては、エッジ領域の露光処理を行い、後の工程で現
像処理を行うことによって、エッジ領域をベアの状態と
するのである。これにより、その他の処理工程におい
て、エッジ部分からパーティクルが発生するのを防止す
るようにしている。
て、基板Wのエッジ領域の露光を行う。本実施の形態に
おいては、エッジ領域の露光処理を行い、後の工程で現
像処理を行うことによって、エッジ領域をベアの状態と
するのである。これにより、その他の処理工程におい
て、エッジ部分からパーティクルが発生するのを防止す
るようにしている。
【００３４】膜厚測定装置２４は、図示しない第２の光
源ユニットと、光学ヘッド部２４ａと、図示しない測定
処理部とを備えている。第２の光源ユニットとしては、
例えばハロゲンランプユニットが用いられる。光学ヘッ
ド部２４ａは、第２の光源ユニットから与えられる膜厚
測定用の光をスピンチャック２１に保持された基板Ｗの
表面に選択的に照射するとともに、その膜厚測定用の光
の基板Ｗからの反射光を受光する。測定処理部は、光学
ヘッド部２４ａが受光した前記反射光に基づいて基板Ｗ
表面に設けられたレジスト膜の膜厚測定を行う。
源ユニットと、光学ヘッド部２４ａと、図示しない測定
処理部とを備えている。第２の光源ユニットとしては、
例えばハロゲンランプユニットが用いられる。光学ヘッ
ド部２４ａは、第２の光源ユニットから与えられる膜厚
測定用の光をスピンチャック２１に保持された基板Ｗの
表面に選択的に照射するとともに、その膜厚測定用の光
の基板Ｗからの反射光を受光する。測定処理部は、光学
ヘッド部２４ａが受光した前記反射光に基づいて基板Ｗ
表面に設けられたレジスト膜の膜厚測定を行う。
【００３５】なお、本実施形態では、第２の光源ユニッ
トおよび測定処理部は基板処理ユニット１１内に固定的
に設けられており、光学ヘッド部２４ａは、後述するＸ
Ｙ駆動機構２５によりＸＹ移動可能に設けられている。
このため、第２の光源ユニットによって与えられる膜厚
測定用の光は、図示しない第２の光ファイバを介して第
２の光源ユニットから光学ヘッド部２４ａに与えられ、
光学ヘッド部２４ａによって受光された反射光は、図示
しない第３の光ファイバを介して光学ヘッド部２４ａか
ら測定処理部に与えられる。或いは、変形例として、測
定処理部を光ヘッド部２４ａと一体的に設け、ＸＹ駆動
機構２５にＸＹ移動されるようにしてもよい。この場
合、第３の光ファイバは省略可能である。
トおよび測定処理部は基板処理ユニット１１内に固定的
に設けられており、光学ヘッド部２４ａは、後述するＸ
Ｙ駆動機構２５によりＸＹ移動可能に設けられている。
このため、第２の光源ユニットによって与えられる膜厚
測定用の光は、図示しない第２の光ファイバを介して第
２の光源ユニットから光学ヘッド部２４ａに与えられ、
光学ヘッド部２４ａによって受光された反射光は、図示
しない第３の光ファイバを介して光学ヘッド部２４ａか
ら測定処理部に与えられる。或いは、変形例として、測
定処理部を光ヘッド部２４ａと一体的に設け、ＸＹ駆動
機構２５にＸＹ移動されるようにしてもよい。この場
合、第３の光ファイバは省略可能である。
【００３６】以上の如く構成された膜厚測定装置２４に
よって、本実施形態においては、測定領域の一例として
基板Ｗのエッジ領域の膜厚測定を行う。基板Ｗのエッジ
領域には、全くパターンの形成されない領域が存在す
る。したがって、このパターンの形成されないエッジ部
分において膜厚を測定することとしている。
よって、本実施形態においては、測定領域の一例として
基板Ｗのエッジ領域の膜厚測定を行う。基板Ｗのエッジ
領域には、全くパターンの形成されない領域が存在す
る。したがって、このパターンの形成されないエッジ部
分において膜厚を測定することとしている。
【００３７】ＸＹ駆動機構２５は、Ｘネジ軸２５ａと、
Ｘネジ軸２５ａを回転駆動するＸ回転駆動部２５ｂと、
Ｙネジ軸２５ｃと、Ｙネジ軸２５ｃを回転駆動するＹ回
転駆動部２５ｄと、第１および第２の可動台２５ｅ，２
５ｆとを備えている。
Ｘネジ軸２５ａを回転駆動するＸ回転駆動部２５ｂと、
Ｙネジ軸２５ｃと、Ｙネジ軸２５ｃを回転駆動するＹ回
転駆動部２５ｄと、第１および第２の可動台２５ｅ，２
５ｆとを備えている。
【００３８】Ｘネジ軸２５ａとＹネジ軸２５ｂとは、ス
ピンチャック２１に保持された基板Ｗと平行な方向であ
って、かつ互いに直交するＸ，Ｙ方向に沿って設けられ
ている。第１の可動台２５ｅは、Ｘネジ軸２５ａに螺合
されており、Ｘネジ軸２５ａが正逆転されるのに伴って
Ｘ方向に進退移動される。第２の可動台２５ｆは、Ｙネ
ジ軸２５ｃに螺合されており、Ｘネジ軸２５ｃが正逆転
されるのに伴ってＹ方向に進退移動される。
ピンチャック２１に保持された基板Ｗと平行な方向であ
って、かつ互いに直交するＸ，Ｙ方向に沿って設けられ
ている。第１の可動台２５ｅは、Ｘネジ軸２５ａに螺合
されており、Ｘネジ軸２５ａが正逆転されるのに伴って
Ｘ方向に進退移動される。第２の可動台２５ｆは、Ｙネ
ジ軸２５ｃに螺合されており、Ｘネジ軸２５ｃが正逆転
されるのに伴ってＹ方向に進退移動される。
【００３９】また、Ｘネジ軸２５ａ、Ｘ回転駆動部２５
ｂ及び第１の可動台２５ｅは、第２の可動台２５ｅがＹ
方向に進退移動されるのに伴って、第２の可動台２５ｅ
と一体にＹ方向に移動される。従って、Ｘ回転駆動部２
５ｂ及びＹ回転駆動部２５ｄによりＸネジ軸２５ａ及び
Ｙネジ軸２５ｃを正逆転駆動することにより、第１の可
動台２５ｅが基板Ｗと平行なＸＹ平面内において２次元
的に移動される。
ｂ及び第１の可動台２５ｅは、第２の可動台２５ｅがＹ
方向に進退移動されるのに伴って、第２の可動台２５ｅ
と一体にＹ方向に移動される。従って、Ｘ回転駆動部２
５ｂ及びＹ回転駆動部２５ｄによりＸネジ軸２５ａ及び
Ｙネジ軸２５ｃを正逆転駆動することにより、第１の可
動台２５ｅが基板Ｗと平行なＸＹ平面内において２次元
的に移動される。
【００４０】第１の可動台２５ｅには、露光装置２３の
露光ヘッド部２３ａ及び膜厚測定装置２４の光学ヘッド
部２４ａが保持されている。このため、ＸＹ駆動機構２
５によって、露光ヘッド部２３ａ及び光学ヘッド部２４
ａを２次元的に駆動することにより、基板Ｗ上における
露光用の光の照射位置及び膜厚測定位置を２次元的に移
動することができる。
露光ヘッド部２３ａ及び膜厚測定装置２４の光学ヘッド
部２４ａが保持されている。このため、ＸＹ駆動機構２
５によって、露光ヘッド部２３ａ及び光学ヘッド部２４
ａを２次元的に駆動することにより、基板Ｗ上における
露光用の光の照射位置及び膜厚測定位置を２次元的に移
動することができる。
【００４１】ラインセンサ２６は、スピンチャック２１
に保持された基板Ｗの周縁部を部分的に上下から挟み込
むようにして設けられており、挟み込んだ基板Ｗの周縁
部の位置を検出する。より詳細には、ラインセンサ２６
には、矢視Ｌ方向（図４）に沿ってライン状に配設され
た複数の光センサ（図示省略）を備えている。矢視Ｌ方
向は、回転中心軸Ｒと略垂直な平面上において回転中心
軸Ｒを通る方向、つまり、回転中心軸Ｒに対する半径方
向である。そして、複数の光センサのうちの回転中心軸
Ｒ側から何番目までの光センサが基板Ｗを検出している
かを検出することにより、基板Ｗの周縁部の回転中心軸
Ｒからの距離が検出される。
に保持された基板Ｗの周縁部を部分的に上下から挟み込
むようにして設けられており、挟み込んだ基板Ｗの周縁
部の位置を検出する。より詳細には、ラインセンサ２６
には、矢視Ｌ方向（図４）に沿ってライン状に配設され
た複数の光センサ（図示省略）を備えている。矢視Ｌ方
向は、回転中心軸Ｒと略垂直な平面上において回転中心
軸Ｒを通る方向、つまり、回転中心軸Ｒに対する半径方
向である。そして、複数の光センサのうちの回転中心軸
Ｒ側から何番目までの光センサが基板Ｗを検出している
かを検出することにより、基板Ｗの周縁部の回転中心軸
Ｒからの距離が検出される。
【００４２】このため、ラインセンサ２６で基板Ｗの周
縁部を検出しつつ、回転駆動部２２により基板Ｗを回転
させることによりスピンチャック２１の回転軸と基板Ｗ
の中心との位置関係、例えば回転中心軸Ｒに対する基板
Ｗの中心の偏心位置を検知することができ、さらにはそ
の位置関係に基づいてスピンチャック２１に保持された
基板Ｗの位置を検出することができる。
縁部を検出しつつ、回転駆動部２２により基板Ｗを回転
させることによりスピンチャック２１の回転軸と基板Ｗ
の中心との位置関係、例えば回転中心軸Ｒに対する基板
Ｗの中心の偏心位置を検知することができ、さらにはそ
の位置関係に基づいてスピンチャック２１に保持された
基板Ｗの位置を検出することができる。
【００４３】＜３．基板中心および特異周縁部の検出＞
次に、上述したラインセンサ２６の検出情報に基づい
て、スピンチャック２１に保持されている基板Wの中心
位置等を算出する処理について説明する。図６は、コン
トローラ１０の機能ブロックであり、特に、基板Wの中
心位置算出処理に関わる機能を図示したものである。図
中、距離取得手段１０１、算出手段１０２、領域特定手
段１０３、露光領域特定手段１０４は、コントローラ１
０の制御ソフトウェアが実行されることにより、各種ハ
ードウェア資源を利用して実現される機能である。
次に、上述したラインセンサ２６の検出情報に基づい
て、スピンチャック２１に保持されている基板Wの中心
位置等を算出する処理について説明する。図６は、コン
トローラ１０の機能ブロックであり、特に、基板Wの中
心位置算出処理に関わる機能を図示したものである。図
中、距離取得手段１０１、算出手段１０２、領域特定手
段１０３、露光領域特定手段１０４は、コントローラ１
０の制御ソフトウェアが実行されることにより、各種ハ
ードウェア資源を利用して実現される機能である。
【００４４】前述の如く、ラインセンサ２６により、基
板Ｗの周縁部の回転中心軸Ｒからの距離（この距離を以
下、エッジ距離と呼ぶ）が検出される。そして、距離取
得手段１０１は、スピンチャック２１により基板Wが１
回転される間、所定の間隔でラインセンサ２６からエッ
ジ距離を取得する。つまり、基板Wが１回転する間に複
数回のエッジ距離を取得する。
板Ｗの周縁部の回転中心軸Ｒからの距離（この距離を以
下、エッジ距離と呼ぶ）が検出される。そして、距離取
得手段１０１は、スピンチャック２１により基板Wが１
回転される間、所定の間隔でラインセンサ２６からエッ
ジ距離を取得する。つまり、基板Wが１回転する間に複
数回のエッジ距離を取得する。
【００４５】仮に、スピンチャック２１上に保持された
基板Wの基板中心が、スピンチャック２１の回転中心軸
Ｒと全く同じ位置である場合には、距離取得手段１０１
が複数回取得するエッジ距離は、特異周縁部（特異周縁
部については後述する）を除いて一定となる。しかし、
前述の如く、基板Wのスピンチャック２１に対する保持
位置は、わずかなズレが生じている場合があるため、こ
の場合には、複数回取得されたエッジ距離はばらつきが
生じていることになる。
基板Wの基板中心が、スピンチャック２１の回転中心軸
Ｒと全く同じ位置である場合には、距離取得手段１０１
が複数回取得するエッジ距離は、特異周縁部（特異周縁
部については後述する）を除いて一定となる。しかし、
前述の如く、基板Wのスピンチャック２１に対する保持
位置は、わずかなズレが生じている場合があるため、こ
の場合には、複数回取得されたエッジ距離はばらつきが
生じていることになる。
【００４６】したがって、距離取得手段１０１は、複数
回取得したエッジ距離のデータを算出手段１０２に送出
する。算出手段１０２では、複数のエッジ距離データか
ら偏心して配置された基板Wの偏心距離を算出するので
ある。この算出方法は、特に、限定されないが、たとえ
ば、エッジ距離の最大値もしくは最小値における基板W
の半径との差分で求められる。もしくは、これら最大値
と最小値から求められた差分の平均をとるようにしても
よい。
回取得したエッジ距離のデータを算出手段１０２に送出
する。算出手段１０２では、複数のエッジ距離データか
ら偏心して配置された基板Wの偏心距離を算出するので
ある。この算出方法は、特に、限定されないが、たとえ
ば、エッジ距離の最大値もしくは最小値における基板W
の半径との差分で求められる。もしくは、これら最大値
と最小値から求められた差分の平均をとるようにしても
よい。
【００４７】また、算出手段１０２は、回転駆動部２２
からスピンチャック２１の回転角度（この回転角度は、
たとえば、スピンチャック２１上の特定点について、装
置内の基準点に対する相対回転角度として決定され
る。）を入力可能としている。したがって、算出手段１
０２は、ラインセンサ２６によってエッジ距離を検出す
る間、各検出時点における基板Wの回転角度を入力する
ことができるので、基板Wの回転位置とエッジ距離との
関係を持たせた上でデータを取得させることが可能であ
る。これにより、算出手段１０２は、算出した偏心距離
と、取得した回転角度のデータから、スピンチャック２
１に保持されている基板Wの中心位置を把握することが
できるのである。
からスピンチャック２１の回転角度（この回転角度は、
たとえば、スピンチャック２１上の特定点について、装
置内の基準点に対する相対回転角度として決定され
る。）を入力可能としている。したがって、算出手段１
０２は、ラインセンサ２６によってエッジ距離を検出す
る間、各検出時点における基板Wの回転角度を入力する
ことができるので、基板Wの回転位置とエッジ距離との
関係を持たせた上でデータを取得させることが可能であ
る。これにより、算出手段１０２は、算出した偏心距離
と、取得した回転角度のデータから、スピンチャック２
１に保持されている基板Wの中心位置を把握することが
できるのである。
【００４８】さらに、算出手段１０２は、特異周縁部を
検出することによって、基板Wの結晶方向を検出するこ
とが可能である。図７は、特異周縁部としてオリフラ３
１が形成された基板Wの平面図、図８は、特異周縁部と
してノッチ３２が形成された基板Wの平面図である。
検出することによって、基板Wの結晶方向を検出するこ
とが可能である。図７は、特異周縁部としてオリフラ３
１が形成された基板Wの平面図、図８は、特異周縁部と
してノッチ３２が形成された基板Wの平面図である。
【００４９】これらオリフラ３１、ノッチ３２は、基板
Wの結晶方向と特定の関係を持たせて形成されているた
め、基板処理装置１の各処理部は、これら特異周縁部を
検出することにより、基板Wの結晶方向を考慮した処理
を行うことができるのである。
Wの結晶方向と特定の関係を持たせて形成されているた
め、基板処理装置１の各処理部は、これら特異周縁部を
検出することにより、基板Wの結晶方向を考慮した処理
を行うことができるのである。
【００５０】そして、基板Wに特異周縁部が形成されて
いるため、距離取得手段１０１が取得する複数のエッジ
距離の中には、特異周縁部におけるエッジ距離が含まれ
ることになる。つまり、中心位置のずれによりわずかな
ばらつきが生じているものの特異周縁部以外の部分はエ
ッジ距離データは、略基板Ｗの半径に近い値であるが、
その中に、大きく値の異なる部分が特異周縁部として検
出されるのである。そこで、算出手段１０２は、この特
異周縁部が検出された回転角度を取得することにより、
基板Wのオリフラ形成位置もしくはノッチ形成位置を検
出可能としているのである。オリフラ位置とノッチ位置
は、連続した時間の間検出されることになるが、たとえ
ば、それらの時間の中央の時間をとるという方法でオリ
フラもしくはノッチの中央位置を把握することが可能で
ある。また、オリフラもしくはノッチが図７、図８に示
したような形状である場合には、エッジ距離の最も大き
くズレた位置をオリフラもしくはノッチの中央位置とし
て把握することも可能である。
いるため、距離取得手段１０１が取得する複数のエッジ
距離の中には、特異周縁部におけるエッジ距離が含まれ
ることになる。つまり、中心位置のずれによりわずかな
ばらつきが生じているものの特異周縁部以外の部分はエ
ッジ距離データは、略基板Ｗの半径に近い値であるが、
その中に、大きく値の異なる部分が特異周縁部として検
出されるのである。そこで、算出手段１０２は、この特
異周縁部が検出された回転角度を取得することにより、
基板Wのオリフラ形成位置もしくはノッチ形成位置を検
出可能としているのである。オリフラ位置とノッチ位置
は、連続した時間の間検出されることになるが、たとえ
ば、それらの時間の中央の時間をとるという方法でオリ
フラもしくはノッチの中央位置を把握することが可能で
ある。また、オリフラもしくはノッチが図７、図８に示
したような形状である場合には、エッジ距離の最も大き
くズレた位置をオリフラもしくはノッチの中央位置とし
て把握することも可能である。
【００５１】このようにして、オリフラ位置やノッチ位
置を検出すると、前述の如く、これら特異周縁部は、基
板結晶方向と特定の関係を持たせて形成されているの
で、算出手段１０２は、この検出位置を基準として基板
の結晶方向を算出することが可能である。
置を検出すると、前述の如く、これら特異周縁部は、基
板結晶方向と特定の関係を持たせて形成されているの
で、算出手段１０２は、この検出位置を基準として基板
の結晶方向を算出することが可能である。
【００５２】算出手段１０２が、基板Wの中心位置およ
び特異周縁部位置を算出すると、この情報をもとに、領
域特定手段１０３が、膜厚測定領域を特定する。前述の
如く、本実施の形態においては、エッジ部分の膜厚を測
定するため、膜厚測定領域は、基板Wの周縁部近傍の領
域である。具体的には、基板Wの周縁部から所定の距離
だけ基板中心に向かう幅を持った領域である。この所定
の距離は、たとえば、膜厚測定領域が基板Ｗに形成され
るパターンとは重複しない領域として選択されるような
距離であればよい。もしくは、より確実な測定を行うた
めに、基板エッジ近傍、および、パターン形成領域との
境界近傍とを除いた領域を選択するようにしてもよい。
また、領域特定手段１０３は、基板の結晶方向も考慮し
て膜厚測定に適した領域を選択するようにしている。
び特異周縁部位置を算出すると、この情報をもとに、領
域特定手段１０３が、膜厚測定領域を特定する。前述の
如く、本実施の形態においては、エッジ部分の膜厚を測
定するため、膜厚測定領域は、基板Wの周縁部近傍の領
域である。具体的には、基板Wの周縁部から所定の距離
だけ基板中心に向かう幅を持った領域である。この所定
の距離は、たとえば、膜厚測定領域が基板Ｗに形成され
るパターンとは重複しない領域として選択されるような
距離であればよい。もしくは、より確実な測定を行うた
めに、基板エッジ近傍、および、パターン形成領域との
境界近傍とを除いた領域を選択するようにしてもよい。
また、領域特定手段１０３は、基板の結晶方向も考慮し
て膜厚測定に適した領域を選択するようにしている。
【００５３】領域特定手段１０３が、膜厚測定領域を特
定すると、この特定情報が膜厚測定装置２３、および、
ＸＹ駆動機構２５に送出される。これによって、ＸＹ駆
動機構部２５が膜厚測定装置２３を目的位置に移動さ
せ、膜厚測定装置２３が、膜厚測定領域である基板Ｗの
エッジ部において膜厚測定を行うのである。
定すると、この特定情報が膜厚測定装置２３、および、
ＸＹ駆動機構２５に送出される。これによって、ＸＹ駆
動機構部２５が膜厚測定装置２３を目的位置に移動さ
せ、膜厚測定装置２３が、膜厚測定領域である基板Ｗの
エッジ部において膜厚測定を行うのである。
【００５４】また、算出手段１０２が、基板Wの中心位
置および特異周縁部位置を算出すると、この情報をもと
に、露光領域特定手段１０３が、露光領域を特定する。
前述の如く、本実施の形態においては、エッジ領域の露
光を行うため、露光領域は、基板Wの周縁部近傍の領域
である。具体的には、基板Wの周縁部から所定の距離だ
け基板中心に向かう幅を持った領域であり、膜厚測定領
域と同様に、所定の距離とは、露光領域が基板に形成さ
れたパターンの領域と重複しないように選択される。ま
た、より確実な測定を行うために、基板エッジ近傍、お
よび、パターン形成領域との境界近傍とを除いた領域を
選択するようにしてもよい。
置および特異周縁部位置を算出すると、この情報をもと
に、露光領域特定手段１０３が、露光領域を特定する。
前述の如く、本実施の形態においては、エッジ領域の露
光を行うため、露光領域は、基板Wの周縁部近傍の領域
である。具体的には、基板Wの周縁部から所定の距離だ
け基板中心に向かう幅を持った領域であり、膜厚測定領
域と同様に、所定の距離とは、露光領域が基板に形成さ
れたパターンの領域と重複しないように選択される。ま
た、より確実な測定を行うために、基板エッジ近傍、お
よび、パターン形成領域との境界近傍とを除いた領域を
選択するようにしてもよい。
【００５５】露光位置特定手段１０４が、露光領域を特
定すると、この特定情報が露光装置２４、および、ＸＹ
駆動機構２５に送出される。これによって、ＸＹ駆動機
構部２５が露光装置２４を目的位置に移動させ、露光装
置２４が、露光領域である基板Ｗのエッジ部において露
光処理を行うのである。
定すると、この特定情報が露光装置２４、および、ＸＹ
駆動機構２５に送出される。これによって、ＸＹ駆動機
構部２５が露光装置２４を目的位置に移動させ、露光装
置２４が、露光領域である基板Ｗのエッジ部において露
光処理を行うのである。
【００５６】＜４．処理の流れ＞次に、図９のフローチ
ャートを参照しながら基板処理ユニット１１の動作につ
いて説明する。搬送ロボットＴＲによって、基板処理ユ
ニット１１内に基板Ｗが搬送され、基板Wがスピンチャ
ック２１に吸引保持される（ステップＳ１）。
ャートを参照しながら基板処理ユニット１１の動作につ
いて説明する。搬送ロボットＴＲによって、基板処理ユ
ニット１１内に基板Ｗが搬送され、基板Wがスピンチャ
ック２１に吸引保持される（ステップＳ１）。
【００５７】次に、コントローラ１０からの指示に応じ
てスピンチャック２１が１回転する。これにより、スピ
ンチャック２１に保持された基板Wも１回転し、ライン
センサ２６により複数のエッジ距離が検出される（ステ
ップＳ２）。ラインセンサ２６により複数回検出された
エッジ距離のデータは、算出手段１０２に送出される。
てスピンチャック２１が１回転する。これにより、スピ
ンチャック２１に保持された基板Wも１回転し、ライン
センサ２６により複数のエッジ距離が検出される（ステ
ップＳ２）。ラインセンサ２６により複数回検出された
エッジ距離のデータは、算出手段１０２に送出される。
【００５８】次に、算出手段１０２が、複数のエッジ距
離データから、上述した処理を行い基板Wの中心位置と
特異周縁部の位置を算出する。つまり、基板Wの偏心位
置と、結晶方向を計算によって求める（ステップＳ
３）。
離データから、上述した処理を行い基板Wの中心位置と
特異周縁部の位置を算出する。つまり、基板Wの偏心位
置と、結晶方向を計算によって求める（ステップＳ
３）。
【００５９】ステップＳ３において、特異周縁部の位
置、つまり、オリフラ位置もしくはノッチ位置が検出さ
れなかった場合（ステップＳ４の判定でＮＯ）には、ス
テップＳ８に移行し、警報を発報して、測定を中止す
る。
置、つまり、オリフラ位置もしくはノッチ位置が検出さ
れなかった場合（ステップＳ４の判定でＮＯ）には、ス
テップＳ８に移行し、警報を発報して、測定を中止す
る。
【００６０】ステップＳ３において、特異周縁部の位置
が検出された場合（ステップＳ４の判定でＹＥＳ）に
は、さらに、基板中心および結晶方向が算出されたかど
うかの判定を行う（ステップＳ５）。
が検出された場合（ステップＳ４の判定でＹＥＳ）に
は、さらに、基板中心および結晶方向が算出されたかど
うかの判定を行う（ステップＳ５）。
【００６１】基板中心および結晶方向が算出されなかっ
た場合（ステップＳ５でＮＯ）には、ステップＳ８に移
行し、警報を発報して、測定を中止する。
た場合（ステップＳ５でＮＯ）には、ステップＳ８に移
行し、警報を発報して、測定を中止する。
【００６２】基板中心および結晶方向が算出された場合
（ステップＳ５でＹＥＳ）には、算出手段１０３は、算
出された基板中心および結晶方向に関する情報を領域特
定手段１０３に送出し、領域特定手段１０３により、膜
厚測定領域が特定される。そして、膜厚測定領域に関す
る情報がＸＹ駆動部２５および膜厚測定装置２４に送出
され、エッジ領域の膜厚測定が行われる（ステップＳ
６）。
（ステップＳ５でＹＥＳ）には、算出手段１０３は、算
出された基板中心および結晶方向に関する情報を領域特
定手段１０３に送出し、領域特定手段１０３により、膜
厚測定領域が特定される。そして、膜厚測定領域に関す
る情報がＸＹ駆動部２５および膜厚測定装置２４に送出
され、エッジ領域の膜厚測定が行われる（ステップＳ
６）。
【００６３】膜厚測定領域における所定ポイントにおい
て膜厚測定が終了するまで、ステップＳ６の処理を繰り
返し、全てのポイントで測定が終了すると（ステップＳ
７でＹＥＳ）、処理が終了する。
て膜厚測定が終了するまで、ステップＳ６の処理を繰り
返し、全てのポイントで測定が終了すると（ステップＳ
７でＹＥＳ）、処理が終了する。
【００６４】以上の処理により、基板Ｗに対して膜厚測
定処理が行われるが、このエッジ領域の検出のために用
いられたデータは、膜厚測定処理のみに使用されるもの
ではなく、前述したように、エッジ露光処理を行う際
に、露光領域を特定するためにも利用されるものであ
る。
定処理が行われるが、このエッジ領域の検出のために用
いられたデータは、膜厚測定処理のみに使用されるもの
ではなく、前述したように、エッジ露光処理を行う際
に、露光領域を特定するためにも利用されるものであ
る。
【００６５】したがって、本実施の形態の基板処理装置
１は、エッジ露光を行う露光装置２３と膜厚測定を行う
膜厚測定装置２４を同一のユニット内に収容して装置の
コンパクト化を図るだけでなく、基板Wのエッジ部分を
検出するための装置として同一の装置を利用しているの
で、さらなる装置のコンパクト化を図ることが可能であ
る。
１は、エッジ露光を行う露光装置２３と膜厚測定を行う
膜厚測定装置２４を同一のユニット内に収容して装置の
コンパクト化を図るだけでなく、基板Wのエッジ部分を
検出するための装置として同一の装置を利用しているの
で、さらなる装置のコンパクト化を図ることが可能であ
る。
【００６６】しかも、共通の測定処理および算出処理に
よって得られた基板中心および特異周縁部の情報を利用
して、エッジ露光および膜厚測定を行うことにより、処
理工程の短縮を図ることも可能である。
よって得られた基板中心および特異周縁部の情報を利用
して、エッジ露光および膜厚測定を行うことにより、処
理工程の短縮を図ることも可能である。
【００６７】また、本実施の形態においては、露光装置
２３および膜厚測定装置２４を同一のＸＹ駆動機構２５
によって制御しているので、この点からも装置のコンパ
クト化とコストダウンを図ることを可能としている。
２３および膜厚測定装置２４を同一のＸＹ駆動機構２５
によって制御しているので、この点からも装置のコンパ
クト化とコストダウンを図ることを可能としている。
【００６８】以上の処理により膜厚測定が行われると、
コントローラ１０は、その測定値が予め設定された要求
水準、例えば規定値の範囲内にあるか否かを判定する。
そして、レジスト膜の膜厚が予め設定された要求水準の
範囲内にないと判定した場合には、基板Ｗにレジスト膜
を形成する際の処理条件を変更する。
コントローラ１０は、その測定値が予め設定された要求
水準、例えば規定値の範囲内にあるか否かを判定する。
そして、レジスト膜の膜厚が予め設定された要求水準の
範囲内にないと判定した場合には、基板Ｗにレジスト膜
を形成する際の処理条件を変更する。
【００６９】処理条件を変更する際のコントローラ１０
の制御モードとしては、自動変更モードと、手動変更モ
ードとが備えられている。自動変更モードは、基板処理
ユニット１１によるレジスト膜の測定値に基づいて、コ
ントローラ１０が自動的に処理条件の変更処理を行うモ
ードである。
の制御モードとしては、自動変更モードと、手動変更モ
ードとが備えられている。自動変更モードは、基板処理
ユニット１１によるレジスト膜の測定値に基づいて、コ
ントローラ１０が自動的に処理条件の変更処理を行うモ
ードである。
【００７０】一方、手動変更モードは、基板処理ユニッ
ト１１により測定したレジスト膜の膜厚値をコントロー
ラ１０にモニタ１７等を介して出力させ、その出力され
た膜厚値に基づいて、ユーザの判断で処理条件の変更内
容を決定し、その変更内容を装置１に対して入力するモ
ードである。その変更内容の入力は、操作部１６等を介
して行われ、変更内容が入力されると、コントローラ１
０がその変更内容を処理条件に反映させる。自動変更モ
ードと、手動変更モードとの間のモード切り替えは、操
作部１６を介して行われる。
ト１１により測定したレジスト膜の膜厚値をコントロー
ラ１０にモニタ１７等を介して出力させ、その出力され
た膜厚値に基づいて、ユーザの判断で処理条件の変更内
容を決定し、その変更内容を装置１に対して入力するモ
ードである。その変更内容の入力は、操作部１６等を介
して行われ、変更内容が入力されると、コントローラ１
０がその変更内容を処理条件に反映させる。自動変更モ
ードと、手動変更モードとの間のモード切り替えは、操
作部１６を介して行われる。
【００７１】このように、コントローラ１０は、レジス
ト膜の膜厚値の測定結果に基づいて処理条件の変更の要
否、及び変更が必要な場合の変更内容を決定する。そし
て、処理条件の変更が必要な場合には、変更した処理条
件に従ってレジスト膜を形成し、そのレジスト膜の膜厚
を測定し、処理条件の変更の要否を再検討するというサ
イクルを、レジスト膜の膜厚値が所定の要求水準を満た
すまで繰り返す。
ト膜の膜厚値の測定結果に基づいて処理条件の変更の要
否、及び変更が必要な場合の変更内容を決定する。そし
て、処理条件の変更が必要な場合には、変更した処理条
件に従ってレジスト膜を形成し、そのレジスト膜の膜厚
を測定し、処理条件の変更の要否を再検討するというサ
イクルを、レジスト膜の膜厚値が所定の要求水準を満た
すまで繰り返す。
【００７２】レジスト膜の膜厚の測定結果に基づいて変
更される処理条件としては、レジストを基板Ｗに回転塗
布する際のスピン回転数を想定しているが、これはあく
までも一例であり、変更される処理条件に後述するプリ
ベークの温度等の他の条件を含めるようにしてもよい。
また、上記の実施の形態においては、基板Ｗの膜厚測定
を基板Ｗのエッジ領域で行っていたが、本発明はこれに
限定されるものではなく、例えば、基板中心と結晶方向
性を基準として基板Ｗ中におけるアライメントマーク等
の形成される回路パターンの形成されない領域を領域特
定手段により膜厚の測定領域として特定し、かかる領域
の膜厚を測定するようにしてもよい。
更される処理条件としては、レジストを基板Ｗに回転塗
布する際のスピン回転数を想定しているが、これはあく
までも一例であり、変更される処理条件に後述するプリ
ベークの温度等の他の条件を含めるようにしてもよい。
また、上記の実施の形態においては、基板Ｗの膜厚測定
を基板Ｗのエッジ領域で行っていたが、本発明はこれに
限定されるものではなく、例えば、基板中心と結晶方向
性を基準として基板Ｗ中におけるアライメントマーク等
の形成される回路パターンの形成されない領域を領域特
定手段により膜厚の測定領域として特定し、かかる領域
の膜厚を測定するようにしてもよい。
【００７３】
【発明の効果】以上説明したように、請求項１記載の発
明では、基板の周縁部を検出し、基板の膜厚測定を行う
ので、測定領域の検出、特定処理が容易である。これに
より、膜厚測定工程を簡素化させることが可能である。
明では、基板の周縁部を検出し、基板の膜厚測定を行う
ので、測定領域の検出、特定処理が容易である。これに
より、膜厚測定工程を簡素化させることが可能である。
【００７４】請求項２記載の発明では、パターンの形成
されていない領域において精度の高い膜厚測定処理が可
能である。
されていない領域において精度の高い膜厚測定処理が可
能である。
【００７５】請求項３記載の発明では、ラインセンサを
用いて基板の周縁部と基板の回転保持手段との距離を測
定することにより、基板中心位置を測定するので、画像
解析などの処理を行うことなく基板の周縁部を検出可能
である。これにより、カメラや画像解析を行うための高
価なハードウェアを不要とすることが可能である。
用いて基板の周縁部と基板の回転保持手段との距離を測
定することにより、基板中心位置を測定するので、画像
解析などの処理を行うことなく基板の周縁部を検出可能
である。これにより、カメラや画像解析を行うための高
価なハードウェアを不要とすることが可能である。
【００７６】請求項４記載の発明では、基板の周縁部に
形成されている特異周縁部を検出するので、基板の結晶
方向を検出することが可能である。
形成されている特異周縁部を検出するので、基板の結晶
方向を検出することが可能である。
【００７７】請求項５記載の発明では、検出した基板の
周縁部に関する情報をもとに、エッジ露光と膜厚測定を
行うので、装置のコンパクト化とコストダウンを図るこ
とが可能である。
周縁部に関する情報をもとに、エッジ露光と膜厚測定を
行うので、装置のコンパクト化とコストダウンを図るこ
とが可能である。
【００７８】請求項６記載の発明では、膜厚測定装置と
露光装置とは、同一の駆動機構により制御されるので、
さらなる装置のコンパクト化とコストダウンを図ること
が可能である。
露光装置とは、同一の駆動機構により制御されるので、
さらなる装置のコンパクト化とコストダウンを図ること
が可能である。
【００７９】請求項７記載の発明は、ラインセンサを利
用して基板の周縁部を検出し、基板の膜厚測定を行う方
法であり、画像解析処理を行うことなく基板周縁部を検
出するとともに、パターンの形成されない領域において
精度の高い膜厚測定処理を可能とする。
用して基板の周縁部を検出し、基板の膜厚測定を行う方
法であり、画像解析処理を行うことなく基板周縁部を検
出するとともに、パターンの形成されない領域において
精度の高い膜厚測定処理を可能とする。
【００８０】請求項８記載の発明では、基板の周縁部に
形成されている特異周縁部を検出するので、基板の結晶
方向を検出することが可能である。
形成されている特異周縁部を検出するので、基板の結晶
方向を検出することが可能である。
【００８１】請求項９記載の発明では、検出した基板の
周縁部に関する情報をもとに、エッジ露光と膜厚測定を
行うので、装置のコンパクト化とコストダウンを図るこ
とが可能である。
周縁部に関する情報をもとに、エッジ露光と膜厚測定を
行うので、装置のコンパクト化とコストダウンを図るこ
とが可能である。
【図１】本発明の一実施形態に係る基板処理装置の全体
概略を示す斜視図である。
概略を示す斜視図である。
【図２】図１の基板処理装置の概略構成を示す平面図で
ある。
ある。
【図３】図１の基板処理装置及びその制御システムのブ
ロック構成図である。
ロック構成図である。
【図４】基板処理ユニットを上方から見たときの構成を
模式的に示す図である。
模式的に示す図である。
【図５】基板処理ユニットを側面から見たときの構成を
模式的に示す図である。
模式的に示す図である。
【図６】コントローラの機能ブロック図である。
【図７】基板Wに設けられたオリフラを示す図である。
【図８】基板Wに設けられたノッチを示す図である。
【図９】図１の基板処理装置を用いた処理手順を示すフ
ローチャートである。
ローチャートである。
１ 基板処理装置
１０ コントローラ
１１ 基板処理ユニット
２１ スピンチャック
２２ 回転駆動部
２３ 周辺露光装置
２３ａ 露光ヘッド部
２３ｂ 照度センサ
２４ 膜厚測定装置
２５ 光学ヘッド部
２６ ラインセンサ
Ｗ 基板
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
(51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考）
// Ｇ０１Ｂ 11/06 Ｈ０１Ｌ 21/30 ５７７
５６２
(72)発明者 亀井 謙治
京都市上京区堀川通寺之内上る４丁目天神
北町１番地の１ 大日本スクリーン製造株
式会社内
Ｆターム(参考） 2F065 AA12 AA17 AA22 AA30 BB03
BB16 BB17 CC19 FF44 GG03
JJ02 JJ25 MM03 MM04 SS09
2F069 AA46 BB15 CC06 GG04 GG07
JJ07 JJ17
5F031 CA01 CA02 CA05 JA03 JA05
JA15 JA29 JA34 JA35 JA36
MA26 MA27 PA30
5F046 JA21 JA22
Claims (9)
- 【請求項１】 a)基板を保持する保持手段と、 b)前記保持手段に保持された基板の周縁部を検出する検
出手段と、 c)前記検出手段の検出結果に基づいて測定領域を特定す
る領域特定手段と、 d)前記基板が前記保持手段に保持された状態で、前記測
定領域における前記基板の膜厚を測定する膜厚測定手段
と、を備えることを特徴とする膜厚測定装置。 - 【請求項２】 請求項１に記載の膜厚測定装置におい
て、 前記領域特定手段は、 c-1)前記測定領域が前記基板のパターンが形成されない
領域に含まれるように前記測定領域を特定する手段、を
含むことを特徴とする膜厚測定装置。 - 【請求項３】 請求項１または請求項２に記載の膜厚測
定装置において、 前記保持手段は、 a-1)基板を回転保持する手段、を備え、 前記検出手段は、 b-1)前記保持手段の回転中心に対して略半径方向に沿っ
てラインセンサを配置する手段と、 b-2)前記保持手段によって前記基板を回転させつつ、前
記ラインセンサを用いて前記保持手段の回転中心から前
記基板の周縁部までの距離情報を複数回取得する距離取
得手段と、 b-3)前記距離取得手段により取得した複数の距離情報か
ら前記保持手段に保持された状態における前記基板の基
板中心位置を算出する算出手段と、を備えることを特徴
とする膜厚測定装置。 - 【請求項４】 請求項３に記載の膜厚測定装置におい
て、 前記基板の周縁部には、当該基板の結晶方向を示すため
に、その円周状の周縁部の一部が変形した特異周縁部が
形成されており、 前記検出手段は、 b-4)前記保持手段の回転位置を取得する手段、を備え、 前記算出手段は、 b-3-1)前記距離取得手段により取得した複数の距離情報
に含まれる前記特異周縁部における距離情報と、当該特
異周縁部における距離情報を取得した際の前記保持手段
の回転位置とから前記保持手段に保持された状態におけ
る前記基板の特異周縁部の位置を算出する手段、を含む
ことを特徴とする膜厚測定装置。 - 【請求項５】 請求項１ないし請求項４のいずれかに記
載の膜厚測定装置が搭載された処理ユニットであって、 前記処理ユニットは、 前記基板の周縁部を露光する露光手段、を備え、 前記露光手段は、 前記算出手段より算出した前記基板中心位置および前記
特異周縁部の位置をもとに、露光領域を特定する手段、
を備えることを特徴とする基板処理ユニット。 - 【請求項６】 請求項５に記載の基板処理ユニットにお
いて、 前記膜厚測定手段および前記露光手段は同一の駆動機構
によって制御されることにより、それぞれ前記測定領域
および前記露光領域において膜厚測定および露光処理を
行うことを特徴とする基板処理ユニット。 - 【請求項７】 基板の膜厚を測定する方法であって、 a)基板を保持手段に保持させる工程と、 b)前記保持手段の回転中心に対して略半径方向に沿って
ラインセンサを配置する工程と、 c)前記保持手段により前記基板を１回転させるととも
に、前記ラインセンサを用いて前記保持手段の回転中心
から前記基板の周縁部までの距離情報を複数回取得する
距離情報取得工程と、 d)前記距離情報取得工程により取得した複数の距離情報
から前記保持手段に保持された状態における前記基板の
基板中心位置を算出する算出工程と、 e)前記算出工程において算出された基板中心位置に基づ
いて測定領域を特定する工程と、 f)前記基板が前記保持手段に保持された状態で、前記測
定領域における前記基板の膜厚を測定する工程と、を備
えることを特徴とする膜厚測定方法。 - 【請求項８】 請求項７に記載の膜厚測定方法におい
て、 前記基板の周縁部には、当該基板の結晶方向を示すため
に、その円周状の周縁部の一部が変形した特異周縁部が
形成されており、 前記算出工程は、 d-1)前記距離情報取得工程により取得した複数の距離情
報に含まれる前記特異周縁部における距離情報と、当該
特異周縁部における距離情報を取得した際の前記保持手
段の回転位置とから前記保持手段に保持された状態にお
ける前記基板の特異周縁部の位置を算出する工程、を含
むことを特徴とする膜厚測定方法。 - 【請求項９】 請求項７または請求項８に記載の膜厚測
定方法を利用した基板処理方法であって、 g)前記算出工程において算出された基板中心位置に基づ
いて、前記基板の露光領域を特定する工程と、 h)前記基板が前記保持手段に保持された状態で、前記露
光領域を露光する工程と、を備えることを特徴とする基
板処理方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2002150269A JP4326751B2 (ja) | 2002-05-24 | 2002-05-24 | 基板処理ユニット |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2002150269A JP4326751B2 (ja) | 2002-05-24 | 2002-05-24 | 基板処理ユニット |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2003344037A true JP2003344037A (ja) | 2003-12-03 |
| JP4326751B2 JP4326751B2 (ja) | 2009-09-09 |
Family
ID=29768164
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2002150269A Expired - Fee Related JP4326751B2 (ja) | 2002-05-24 | 2002-05-24 | 基板処理ユニット |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP4326751B2 (ja) |
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- 2002-05-24 JP JP2002150269A patent/JP4326751B2/ja not_active Expired - Fee Related
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