JP2003332276A - 半導体装置の製造法 - Google Patents
半導体装置の製造法Info
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Abstract
し、尚且つ機械的な研削によるウエハ表面の酸化(面焼
け)を防止する手段を提供する。 【解決手段】 半導体ウエハを研削する2軸工程に於い
て、研削に使用する砥石に砥石を構成する砥粒の粒度が
細かく(#4,000)かつ砥石の刃巾(セグメント
巾)が短い(2mm)材料を用いたことを特徴とする半
導体装置の製造法。
Description
工程において用いられる半導体装置の製造方法に関する
もので,特に後工程にてウエハ上に形成されたパターン
の裏面を研削し、チップ状に切断・分離するのに使用さ
れるものである。
は,半導体ウエハ内に半導体チップ(素子パターン)を
作る工程、いわゆる前工程(ウエハ形成工程)と,チッ
プをパッケージングして製品に組み立てる工程、いわゆ
る後工程とに大別される。
5μm,外形が6インチ(150mm)程度のものが多
く用いられており、1枚の半導体ウエハ上には,数10
0〜数1,000個の半導体チップが形成されるように
なっている。上記半導体チップは、製品の外形厚さに応
じて,半導体ウエハの裏面側が研削されて厚さが50μ
mから300μm程度と加工された後、スクライブ線
(ダイシングライン)に沿って個々に切り出される。す
なわち、半導体ウエハより分割(切断/分離)された半
導体チップのそれぞれは,リードフレームのアイランド
上にエポキシ樹脂などにより接着(ダイボンディング)
される。その後、半導体チップの内部電極(ボンディン
グパッド)とリードフレームのインナリードとが、25
〜30μm長程度の金線により接続(リードボンディン
グ)される。そして、この金線を含んで,上記半導体チ
ップの周囲がモールド樹脂により射出成形(封止)され
た後、さらに上記リードフレームのアウターリードが曲
げ形成されて最終製品が完成される。
を、薄く研削し、個別の半導体チップに分割する工程
は,図5(a)に示すように、表面に半導体チップが形
成された半導体ウエハ101をワークプレート201上
に載せ,その後,半導体ウエハ101の表面に,半導体
チップを保護する為の保護テープ202を貼り付け,次
に図5(b)に示すように,上記保護テープ202を下
にして半導体ウエハを上記ワークプレート上に固定す
る。そして、砥石203により半導体ウエハの裏面を研
削し、所定の厚さにし,次に図5(c)に示すように半
導体ウエハの表面より上記保護テープを剥離し、次に図
5(d)に示すように,半導体ウエハ101を薬液20
4内に浸し、保護テープ202を剥離した際に半導体ウ
エハ101の表面に残る接着剤の糊や研削時に発生した
シリコン屑を除去し,更に図5(e)に示すように、半
導体ウエハ101の裏面にダイシングテープ205を貼
り付け、次に図5(f)に示すように,上記ダイシング
テープ205を下にして半導体ウエハ101をワークプ
レート201上に固定し,ブレード(ダイシング・ソ
ー)206によりダイシングラインに沿って半導体ウエ
ハ202を切断し、個々の半導体チップに分離し、そし
て図5(g)に示すように、良品の半導体チップ102
のみをダイシングテープ205よりピックアップし、リ
ードフレーム103のアイランド103a上にエポキシ
樹脂104などにより接着する。又,上記の加工方法の
他、先ダイシング(半導体ウエハのデバイス面のスクラ
イブラインに予め所定の切り込みを入れる)後、半導体
ウエハの裏面を2〜3ステップで所定の厚さまで研削
し、そのあと、個々の半導体チップに分離し、良品の半
導体チップのみをピックアップする方法もある。
た従来の製造方法において、所定の厚さに研削する2軸
研削プロセスにおいてチップの抗折強度を確保する為砥
石の粒度#4,000にて連続して7〜8枚、デバイス
付きウエハの研削を行った場合、研削の2軸最終仕上げ
工程にてウエハの表面が酸化(面焼け)現象が頻繁に発
生していた。又、前記の面焼けしたウエハをチップ化
し、これをカードに実装し、チップ内部のメモリR/W
繰り返し試験を行った結果、メモリ異常が確認されてい
る。
4,000の砥石を用いた場合でも、IC(チップ)の
抗折強度を確保し、かつウエハ研削面の酸化(面焼け)
を防止する手段を提供することを目的とするものであ
る。
徴とする。 (1)半導体ウエハを研削する2軸工程に於いて、研削
に使用する砥石に砥石を構成する砥粒の粒度が細かく
(#4,000)かつ砥石の刃巾が短い(2mm)材料
を用いたことを特徴とする半導体装置の製造法。 (2)半導体ウエハを研削する2軸工程に於いて、研削
に使用する砥石に砥石を構成するボンドが硬い(従来比
約2倍)材料を用いたことを特徴とする上記項1に記載
の半導体装置の製造法。 (3)半導体ウエハを研削する2軸工程に於いて、研削
に使用する砥石の回転数を6,000r.p.mとした
ことを特徴とする上記(1)に記載の半導体装置の製造
法。 (4)半導体ウエハを研削する2軸工程に於いて、研削
ステップを3段階に分けて加工することを特徴とする上
記(1)に記載の半導体装置の製造方法。 (5)半導体ウエハを研削する2軸工程に於いて、研削
時の半導体ウエハ上に噴射する水量を標準より増量
(4.5L/分)としたことを特徴とする上記(1)に
記載の半導体装置の製造方法。
て図面を用いて説明する。図1は、本発明の実施の一形
態にかかる,製造プロセスの要部の概略を示すものであ
る。
載された半導体チップ(素子パターン)102を例えば
図1に示すように半導体ウエハ101を,半導体チップ
102が形成されている表面を上にして、ワークプレー
ト上201に固定し、半導体ウエハ101上の全スクラ
イブラインに刃先の幅が30μm幅、粒径#4,500
のブレード206にて回転数:20,000r.p.
m,送り速度20mm/sにてウエハ深さ288μmま
で切り込み溝303を入れる。
01のデバイス面に保護テープ202を貼り、デバイス
面を下側にし、研削装置のワークプレート201に半導
体ウエハ101をセットする。まず、1次研削(1軸)
として、砥石203の粒度は#360, スピンドル回
転数3、000r.p.mにて粗研削を3ステップに分
けて実施する。1stで送り速度8μm/sec, C
T回転数200r.p.m,研削量312μm、2nd
で送り速度3μm/sec, CT回転数100r.
p.m,研削量15μm,3rdで送り速度3μm/s
ec, CT回転数100r.p.m,研削量0μmに
て研削する。次に2次研削(2軸)では、図3に示す通
り、砥石203の粒度#4,000、刃巾2mm、スピ
ンドル回転数6,000r.p.m,研削水量4.5L
にて仕上げ研削を3ステップに分けて実施した。この時
の研削条件は、1stで送り速度0.5μm/sec,
CT回転数40r.p.m,研削量22μm、2nd
で送り速度0.5μm/sec, CT回転数40r.
p.m,研削量4μm,3rdで送り速度0.5μm/
sec, CT回転数40r.p.m,研削量4μmに
て研削した。前記の研削条件にてウエハを10枚連続で
加工した結果、加工面には面焼けなく、又この時の、2
軸研削量に対する砥石を装着したスピンドル負荷電流に
ついてもN=2で測定した結果、図4に示す如く、最大
8A以下であり、比較的安定していた。
デバイス面に貼られた保護テープ202を剥がし、半導
体ウエハ101をソーティング装置にセットし、図8に
示すウエハアドレスに基づき、チップをピックアップし
た。また、10枚のウエハの各々ピックアップされた1
1個のチップについてチップの抗折強度を測定した結
果、ウエハ毎の抗折強度平均値とバラツキは図7に示す
分布となった。
バイス付きウエハを9枚連続して加工した結果、4枚目
で面焼けが発生した。又、この時の270μm厚さまで
研削した2軸研削量に対するスピンドル負荷電流の推移
を図6に示す。これより、2軸3rdカット研削工程に
おいて電流値が8.7Aを超えた時点で面焼けが発生し
ている。
エハを連続して研削を行った場合でも研削面の表面が酸
化することなく、安定した加工が行え、かつチップの強
度に対しても比較的抗折強度の高いチップに加工するこ
とができる。(抗折強度:従来比約2倍)。また、チッ
プを搭載後は、カードでの曲げ応力に対して、チップ割
れを極力低減できるため、信頼性の高いICカードに作
りこむことが可能となる。
グ加工プロセスの要部を示す概略図。
プロセスの要部を示す概略図。
プロセスの2軸研削でのフロー図。
ンドル負荷電流との関係
電流との関係
抗折強度とバラツキ。
Claims (5)
- 【請求項1】 半導体ウエハを研削する2軸工程に於い
て、研削に使用する砥石に砥石を構成する砥粒の粒度が
細かく(#4,000)かつ砥石の刃巾が短い(2m
m)材料を用いたことを特徴とする半導体装置の製造
法。 - 【請求項2】 半導体ウエハを研削する2軸工程に於い
て、研削に使用する砥石に砥石を構成するボンドが硬い
(従来比約2倍)材料を用いたことを特徴とする上記項
1に記載の半導体装置の製造法。 - 【請求項3】 半導体ウエハを研削する2軸工程に於い
て、研削に使用する砥石の回転数を6,000r.p.
mとしたことを特徴とする上記項1に記載の半導体装置
の製造法。 - 【請求項4】 半導体ウエハを研削する2軸工程に於い
て、研削ステップを3段階に分けて加工することを特徴
とする上記項1に記載の半導体装置の製造方法。 - 【請求項5】 半導体ウエハを研削する2軸工程に於い
て、研削時の半導体ウエハ上に噴射する水量を標準より
増量(4.5L/分)させたことを特徴とする上記1項
に記載の半導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2002137416A JP2003332276A (ja) | 2002-05-13 | 2002-05-13 | 半導体装置の製造法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2002137416A JP2003332276A (ja) | 2002-05-13 | 2002-05-13 | 半導体装置の製造法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2003332276A true JP2003332276A (ja) | 2003-11-21 |
Family
ID=29699178
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2002137416A Pending JP2003332276A (ja) | 2002-05-13 | 2002-05-13 | 半導体装置の製造法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2003332276A (ja) |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2006008824A1 (ja) * | 2004-07-16 | 2006-01-26 | Renesas Technology Corp. | 半導体集積回路装置の製造方法 |
JP2007012810A (ja) * | 2005-06-29 | 2007-01-18 | Renesas Technology Corp | 半導体集積回路装置の製造方法 |
JP2008053421A (ja) * | 2006-08-24 | 2008-03-06 | Micro Materials Japan:Kk | ウェーハ再生用ウェーハパターン研削機及び研削方法 |
JP2009094326A (ja) * | 2007-10-10 | 2009-04-30 | Disco Abrasive Syst Ltd | ウェーハの研削方法 |
-
2002
- 2002-05-13 JP JP2002137416A patent/JP2003332276A/ja active Pending
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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WO2006008824A1 (ja) * | 2004-07-16 | 2006-01-26 | Renesas Technology Corp. | 半導体集積回路装置の製造方法 |
JPWO2006008824A1 (ja) * | 2004-07-16 | 2008-05-01 | 株式会社ルネサステクノロジ | 半導体集積回路装置の製造方法 |
JP2007012810A (ja) * | 2005-06-29 | 2007-01-18 | Renesas Technology Corp | 半導体集積回路装置の製造方法 |
JP2008053421A (ja) * | 2006-08-24 | 2008-03-06 | Micro Materials Japan:Kk | ウェーハ再生用ウェーハパターン研削機及び研削方法 |
JP2009094326A (ja) * | 2007-10-10 | 2009-04-30 | Disco Abrasive Syst Ltd | ウェーハの研削方法 |
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