JP2003329894A - カードエッジ型光通信モジュール及び光通信装置 - Google Patents
カードエッジ型光通信モジュール及び光通信装置Info
- Publication number
- JP2003329894A JP2003329894A JP2002137708A JP2002137708A JP2003329894A JP 2003329894 A JP2003329894 A JP 2003329894A JP 2002137708 A JP2002137708 A JP 2002137708A JP 2002137708 A JP2002137708 A JP 2002137708A JP 2003329894 A JP2003329894 A JP 2003329894A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- optical communication
- card edge
- communication module
- edge portion
- optical
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/44—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
- H01L2224/45—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/45001—Core members of the connector
- H01L2224/45099—Material
- H01L2224/451—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof
- H01L2224/45138—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
- H01L2224/45144—Gold (Au) as principal constituent
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/4805—Shape
- H01L2224/4809—Loop shape
- H01L2224/48091—Arched
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/481—Disposition
- H01L2224/48135—Connecting between different semiconductor or solid-state bodies, i.e. chip-to-chip
- H01L2224/48137—Connecting between different semiconductor or solid-state bodies, i.e. chip-to-chip the bodies being arranged next to each other, e.g. on a common substrate
Landscapes
- Optical Couplings Of Light Guides (AREA)
- Semiconductor Lasers (AREA)
- Light Receiving Elements (AREA)
- Optical Communication System (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 カードエッジ部を持つ安価な光通信モジュー
ルを提供する。 【解決手段】 発光素子及び受光素子の少なくとも一方
と、この素子と光結合される光学的結合手段と、前記素
子に接続される電気回路部品とを有する。これら素子、
光学的結合手段及び電気回路部品は多層の導電性媒体に
実装される。この導電性媒体の一部と、前記素子、光学
的結合手段および電気回路部品はパッケージ120に収納
される。このパッケージ120からはカードエッジ部150が
突出している。そして、このカードエッジ部150は、パ
ッケージ120から露出する導電性媒体に形成される接続
部（リード43）と、各層の接続部を保持する絶縁部44と
を有する。
ルを提供する。 【解決手段】 発光素子及び受光素子の少なくとも一方
と、この素子と光結合される光学的結合手段と、前記素
子に接続される電気回路部品とを有する。これら素子、
光学的結合手段及び電気回路部品は多層の導電性媒体に
実装される。この導電性媒体の一部と、前記素子、光学
的結合手段および電気回路部品はパッケージ120に収納
される。このパッケージ120からはカードエッジ部150が
突出している。そして、このカードエッジ部150は、パ
ッケージ120から露出する導電性媒体に形成される接続
部（リード43）と、各層の接続部を保持する絶縁部44と
を有する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、光通信に用いる光
通信モジュールと、同モジュールを用いた光通信装置に
関するものである。特に、後段回路と半田付けにより接
続を行う必要がなく、安価にカードエッジ部を構成でき
る光通信モジュールに関するものである。
通信モジュールと、同モジュールを用いた光通信装置に
関するものである。特に、後段回路と半田付けにより接
続を行う必要がなく、安価にカードエッジ部を構成でき
る光通信モジュールに関するものである。
【０００２】
【従来の技術】光通信モジュールに関しては、特開2001
-77455号公報に記載のものが知られている。これは、一
端部に光素子駆動用の接続端子を備えた基板上に、この
接続端子に接続された光素子と、この光素子に光結合さ
れる光導波体の一端部とを配設し、コネクタに接続可能
な光通信モジュールを開示している。この構成によれ
ば、光通信モジュールをソケットに挿入することで機械
的な接触を実現することができる。
-77455号公報に記載のものが知られている。これは、一
端部に光素子駆動用の接続端子を備えた基板上に、この
接続端子に接続された光素子と、この光素子に光結合さ
れる光導波体の一端部とを配設し、コネクタに接続可能
な光通信モジュールを開示している。この構成によれ
ば、光通信モジュールをソケットに挿入することで機械
的な接触を実現することができる。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかし、この光通信モ
ジュールでは、用いられるリードフレームが1層のみで
あり、物理的に接続ピン数が限られ、多機能化すること
が難しい。特に、IC自体も集積化され、例えばLD(レー
ザダイオード)をドライブするだけでなく発光パワーを
制御する機能を追加したICもあり、更に必要となる接続
リード数に十分対応することが困難である。
ジュールでは、用いられるリードフレームが1層のみで
あり、物理的に接続ピン数が限られ、多機能化すること
が難しい。特に、IC自体も集積化され、例えばLD(レー
ザダイオード)をドライブするだけでなく発光パワーを
制御する機能を追加したICもあり、更に必要となる接続
リード数に十分対応することが困難である。
【０００４】また、光通信モジュールのリードフレーム
とは独立に接続端子を形成してボンディングワイヤで接
続しなければならず、コネクタに挿入されるカードエッ
ジ部を構成するには高価な基板や別部品が必要とされ
る。
とは独立に接続端子を形成してボンディングワイヤで接
続しなければならず、コネクタに挿入されるカードエッ
ジ部を構成するには高価な基板や別部品が必要とされ
る。
【０００５】従って、本発明の主目的は、カードエッジ
部を持つ安価な光通信モジュールを提供することにあ
る。
部を持つ安価な光通信モジュールを提供することにあ
る。
【０００６】本発明の他の目的は、半田付けすることな
く後段回路基板と接続でき、後段回路基板に対して容易
に交換可能な光通信モジュールを提供することにある。
く後段回路基板と接続でき、後段回路基板に対して容易
に交換可能な光通信モジュールを提供することにある。
【０００７】本発明の別の目的は、放熱性に優れた光通
信モジュールを提供することにある。さらに、本発明の
別の目的は、カードエッジ部を持つ安価な光通信モジュ
ールを用いた光通信装置を提供することにある。
信モジュールを提供することにある。さらに、本発明の
別の目的は、カードエッジ部を持つ安価な光通信モジュ
ールを用いた光通信装置を提供することにある。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本発明は多層の導電性媒
体を用い、これら導電性媒体の一部にカードエッジ部を
構成することで上記の目的を達成する。
体を用い、これら導電性媒体の一部にカードエッジ部を
構成することで上記の目的を達成する。
【０００９】すなわち、本発明光通信モジュールは、発
光素子及び受光素子の少なくとも一方と、この素子と光
結合される光学的結合手段と、前記素子に接続される電
気回路部品と、これら素子、光学的結合手段及び電気回
路部品が実装される多層の導電性媒体と、この導電性媒
体の一部と、前記素子、光学的結合手段および電気回路
部品とを収納するパッケージと、前記パッケージから突
出するカードエッジ部とを具える。そして、このカード
エッジ部は、前記パッケージから露出する導電性媒体に
形成される接続部と、各層の接続部を保持する絶縁部と
を有することを特徴とする。
光素子及び受光素子の少なくとも一方と、この素子と光
結合される光学的結合手段と、前記素子に接続される電
気回路部品と、これら素子、光学的結合手段及び電気回
路部品が実装される多層の導電性媒体と、この導電性媒
体の一部と、前記素子、光学的結合手段および電気回路
部品とを収納するパッケージと、前記パッケージから突
出するカードエッジ部とを具える。そして、このカード
エッジ部は、前記パッケージから露出する導電性媒体に
形成される接続部と、各層の接続部を保持する絶縁部と
を有することを特徴とする。
【００１０】導電性媒体を多層にすることで、同一平面
上では実装の制約が大きかった多数の素子・電気回路部
品を実装することができる。発光素子、受光素子および
電気回路部品は、同一の導電性媒体上に複数実装されて
いても良いし、異なる導電性媒体にそれぞれ発光素子、
受光素子または電気回路部品が実装されていても良い。
上では実装の制約が大きかった多数の素子・電気回路部
品を実装することができる。発光素子、受光素子および
電気回路部品は、同一の導電性媒体上に複数実装されて
いても良いし、異なる導電性媒体にそれぞれ発光素子、
受光素子または電気回路部品が実装されていても良い。
【００１１】これらの多層の導電性媒体を利用してカー
ドエッジ部を構成する。従って、カードエッジ部の構成
に別の基板を用意する必要がなく、安価にカードエッジ
部を構成することができる。
ドエッジ部を構成する。従って、カードエッジ部の構成
に別の基板を用意する必要がなく、安価にカードエッジ
部を構成することができる。
【００１２】また、このカードエッジ部を後段回路基板
のコネクタに差し込むことで、半田付けを用いることな
く容易に光通信モジュールと後段回路基板との接続を行
うことができる。従って、光通信モジュールが損傷した
場合の交換や、搭載されている発光・受光素子または電
気回路部品の種類が異なる別の光通信モジュールに差し
替えることが容易に行うことなうことができる。
のコネクタに差し込むことで、半田付けを用いることな
く容易に光通信モジュールと後段回路基板との接続を行
うことができる。従って、光通信モジュールが損傷した
場合の交換や、搭載されている発光・受光素子または電
気回路部品の種類が異なる別の光通信モジュールに差し
替えることが容易に行うことなうことができる。
【００１３】以下、本発明をより詳しく説明する。本発
明に用いる発光素子にはLDが好適で、受光素子にはフォ
トダイオード（PD）が好適である。また、これらの素子
に接続される電子回路部品としては、LDのドライバICや
PDの信号を増幅するアンプ（AMP）が挙げられる。さら
に、光学的結合手段としては、光ファイバが挙げられ
る。通常、フェルール付き光ファイバが用いられる。
明に用いる発光素子にはLDが好適で、受光素子にはフォ
トダイオード（PD）が好適である。また、これらの素子
に接続される電子回路部品としては、LDのドライバICや
PDの信号を増幅するアンプ（AMP）が挙げられる。さら
に、光学的結合手段としては、光ファイバが挙げられ
る。通常、フェルール付き光ファイバが用いられる。
【００１４】導電性媒体としては、金属製のリードフレ
ームが好適である。このリードフレームの層数は、２層
でも３層以上でも構わない。また、各導電性媒体に設置
される受発光素子や電気回路部品も複数であっても良
い。
ームが好適である。このリードフレームの層数は、２層
でも３層以上でも構わない。また、各導電性媒体に設置
される受発光素子や電気回路部品も複数であっても良
い。
【００１５】カードエッジ部は、この導電性媒体の一部
を用いて構成する。一般に、光通信モジュールは、発光
素子と受光素子の少なくとも一方、電子回路部品および
光伝送媒体を樹脂モールドのパッケージで一体化してお
り、このパッケージから光ファイバフェルールの一部や
リードフレームの一部であるリードが突出されている。
本発明では、パッケージの外部に露出した導電性媒体を
後段基板回路のコネクタに接続される接続部とし、各層
の接続部を絶縁部で保持してカードエッジ部を構成す
る。
を用いて構成する。一般に、光通信モジュールは、発光
素子と受光素子の少なくとも一方、電子回路部品および
光伝送媒体を樹脂モールドのパッケージで一体化してお
り、このパッケージから光ファイバフェルールの一部や
リードフレームの一部であるリードが突出されている。
本発明では、パッケージの外部に露出した導電性媒体を
後段基板回路のコネクタに接続される接続部とし、各層
の接続部を絶縁部で保持してカードエッジ部を構成す
る。
【００１６】カードエッジ部は、後段回路基板が有する
コネクタ部に嵌合するように構成されることが好まし
い。これにより、カードエッジ部をコネクタに差し込む
だけで光通信モジュールと後段回路基板との接続を、半
田付けをすることなく行うことができる。また、半田付
けを行わないため、差し替えが自由であり、損傷した光
通信モジュールの取り替えや別機能の光通信モジュール
への差し替えが容易に行える。コネクタ部は、カードエ
ッジ部がはめ込まれ、接続部に接触する接点を具えるも
のであれば、どのようなものでも利用できる。
コネクタ部に嵌合するように構成されることが好まし
い。これにより、カードエッジ部をコネクタに差し込む
だけで光通信モジュールと後段回路基板との接続を、半
田付けをすることなく行うことができる。また、半田付
けを行わないため、差し替えが自由であり、損傷した光
通信モジュールの取り替えや別機能の光通信モジュール
への差し替えが容易に行える。コネクタ部は、カードエ
ッジ部がはめ込まれ、接続部に接触する接点を具えるも
のであれば、どのようなものでも利用できる。
【００１７】カードエッジ部の接続部は、複数のリード
が並列された構成が好適である。この接続部は、カード
エッジ部の表裏の少なくとも一方に設けられていること
が好ましい。例えば、２段の接続部を有する場合、両
接続部の間に絶縁部を介在して、表裏に接続部を有する
単一のカードエッジ部を構成することや、各接続部の
表面又は裏面にそれぞれ絶縁部を一体化して、一対のカ
ードエッジ部を構成することが挙げられる。このよう
に、カードエッジ部の少なくとも一方に接続部を構成す
ることで、導電性媒体の組み合わせ配置が自由になり、
光通信モジュールの設計が容易になる。
が並列された構成が好適である。この接続部は、カード
エッジ部の表裏の少なくとも一方に設けられていること
が好ましい。例えば、２段の接続部を有する場合、両
接続部の間に絶縁部を介在して、表裏に接続部を有する
単一のカードエッジ部を構成することや、各接続部の
表面又は裏面にそれぞれ絶縁部を一体化して、一対のカ
ードエッジ部を構成することが挙げられる。このよう
に、カードエッジ部の少なくとも一方に接続部を構成す
ることで、導電性媒体の組み合わせ配置が自由になり、
光通信モジュールの設計が容易になる。
【００１８】接続部の一部は、後段回路基板の有するコ
ネクタ部と接続せずに、放熱性媒体と接続されるように
構成することが好ましい。発光素子や受光素子および電
気回路部品は多層の導電性媒体に支持されているため、
各々十分な数のリードを確保することができる。従っ
て、一部のリードを放熱用に利用することができる。
ネクタ部と接続せずに、放熱性媒体と接続されるように
構成することが好ましい。発光素子や受光素子および電
気回路部品は多層の導電性媒体に支持されているため、
各々十分な数のリードを確保することができる。従っ
て、一部のリードを放熱用に利用することができる。
【００１９】接続部に接続する放熱性媒体は、熱伝導率
の高い種々の材料が利用できる。例えば、サーコン（マ
イカやポリアミド樹脂で構成される熱伝導シート）や金
属が好適である。接続部は直接放熱性媒体に接触させて
も良いし、放熱用プレートを介在して接触させても良
い。放熱用プレートも放熱性媒体と同様の材料が利用で
きる。
の高い種々の材料が利用できる。例えば、サーコン（マ
イカやポリアミド樹脂で構成される熱伝導シート）や金
属が好適である。接続部は直接放熱性媒体に接触させて
も良いし、放熱用プレートを介在して接触させても良
い。放熱用プレートも放熱性媒体と同様の材料が利用で
きる。
【００２０】また、絶縁部は電気絶縁性と熱絶縁性を有
する材料で構成することが好ましい。これにより、カー
ドエッジ部からの放熱は接続部から集中的に行うことが
でき、効率的な放熱を行うことができる。
する材料で構成することが好ましい。これにより、カー
ドエッジ部からの放熱は接続部から集中的に行うことが
でき、効率的な放熱を行うことができる。
【００２１】光通信モジュールの形態には、光送信モジ
ュール、光受信モジュールおよび光送受信モジュールが
ある。光送信モジュールには、発光素子としてLDを、電
気回路部品としてLDのドライバICを用いたものが挙げら
れる。さらにLDの光強度を検知するモニタフォトダイオ
ード(M-PD)を用いた光送信モジュールでも良い。光受信
モジュールには、受信素子としてPDを、電気回路部品と
してPDの信号を増幅するAMPを用いたものが挙げられ
る。光送受信モジュールには、少なくとも一組の発光素
子とドライバICとを具えると共に、少なくとも一組の受
光素子と増幅器とを具えるものが挙げられる。
ュール、光受信モジュールおよび光送受信モジュールが
ある。光送信モジュールには、発光素子としてLDを、電
気回路部品としてLDのドライバICを用いたものが挙げら
れる。さらにLDの光強度を検知するモニタフォトダイオ
ード(M-PD)を用いた光送信モジュールでも良い。光受信
モジュールには、受信素子としてPDを、電気回路部品と
してPDの信号を増幅するAMPを用いたものが挙げられ
る。光送受信モジュールには、少なくとも一組の発光素
子とドライバICとを具えると共に、少なくとも一組の受
光素子と増幅器とを具えるものが挙げられる。
【００２２】本発明において、導電性媒体に対する発光
素子および受光素子の少なくとも一方や電気回路部品の
支持は、直接導電性媒体上に支持する場合と、Siベンチ
など、何らかの材料を介在させて間接的に支持する場合
の両方を含む。
素子および受光素子の少なくとも一方や電気回路部品の
支持は、直接導電性媒体上に支持する場合と、Siベンチ
など、何らかの材料を介在させて間接的に支持する場合
の両方を含む。
【００２３】発光素子および受光素子の少なくとも一方
はSiベンチを介して導電性媒体上に支持されることが好
ましい。Siは熱伝導性に優れ、発光素子および受光素子
の発熱は、Siベンチを介して導電性媒体から効果的に放
熱できる。また、Siベンチはエッチングにより光ファイ
バを保持するV溝などの形成が容易に可能である。
はSiベンチを介して導電性媒体上に支持されることが好
ましい。Siは熱伝導性に優れ、発光素子および受光素子
の発熱は、Siベンチを介して導電性媒体から効果的に放
熱できる。また、Siベンチはエッチングにより光ファイ
バを保持するV溝などの形成が容易に可能である。
【００２４】一方、ドライバICや増幅器などの電気回路
部品は発光素子および受光素子の少なくとも一方を支持
する導電性媒体とは別の導電性媒体上に支持されること
が好ましい。電気回路部品は発（受）光素子とは別の導
電性媒体上に直接設けることで、電気回路部品の発熱は
別の導電性媒体を通して速やかに放散させることができ
る。
部品は発光素子および受光素子の少なくとも一方を支持
する導電性媒体とは別の導電性媒体上に支持されること
が好ましい。電気回路部品は発（受）光素子とは別の導
電性媒体上に直接設けることで、電気回路部品の発熱は
別の導電性媒体を通して速やかに放散させることができ
る。
【００２５】そして、本発明光通信装置は、上記の光通
信モジュールを共通する後段回路基板に直角で多段に接
続したことを特徴とする。この構成によれば、複数の光
通信モジュールに対して後段回路基板を共通化すること
ができ、光通信モジュールと後段回路基板とを有する光
通信装置を安価でコンパクトにすることができる。
信モジュールを共通する後段回路基板に直角で多段に接
続したことを特徴とする。この構成によれば、複数の光
通信モジュールに対して後段回路基板を共通化すること
ができ、光通信モジュールと後段回路基板とを有する光
通信装置を安価でコンパクトにすることができる。
【００２６】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態を説明
する。 （実施例１）図１(A)は本発明光通信モジュールの平面
図、(B)は同正面図、図２は同斜視図である。
する。 （実施例１）図１(A)は本発明光通信モジュールの平面
図、(B)は同正面図、図２は同斜視図である。
【００２７】このモジュール100は、エポキシ樹脂など
でモールドされた薄いブロック状のパッケージ120の一
端にカードエッジ部150が、他端に光ファイバフェルー
ル62が突設されたものである。このカードエッジ部150
は、パッケージ120の外部に突出する２段のリード43の
間に絶縁部44を介在させて構成されている。
でモールドされた薄いブロック状のパッケージ120の一
端にカードエッジ部150が、他端に光ファイバフェルー
ル62が突設されたものである。このカードエッジ部150
は、パッケージ120の外部に突出する２段のリード43の
間に絶縁部44を介在させて構成されている。
【００２８】このモジュールの内部構造を図３に基づい
て説明する。図３は本発明モジュールの縦断面図であ
る。
て説明する。図３は本発明モジュールの縦断面図であ
る。
【００２９】この光送信モジュールは、発光素子である
LD10と、電気回路部品となるLD10のドライバIC20とを具
える。LD10はSiベンチ30を介して第１リードフレーム41
に支持され、ドライバIC20は第１リードフレーム41の一
部に重複して積層される第２リードフレーム42上に直接
支持されている。また、第１・第２リードフレーム間
は、絶縁スペーサ50が介在されている。そして、Siベン
チ30には、浅いV溝と深いV溝とが連続して形成され、浅
いV溝に光ファイバ61が、深いV溝に光ファイバフェルー
ル62がはめ込まれている。
LD10と、電気回路部品となるLD10のドライバIC20とを具
える。LD10はSiベンチ30を介して第１リードフレーム41
に支持され、ドライバIC20は第１リードフレーム41の一
部に重複して積層される第２リードフレーム42上に直接
支持されている。また、第１・第２リードフレーム間
は、絶縁スペーサ50が介在されている。そして、Siベン
チ30には、浅いV溝と深いV溝とが連続して形成され、浅
いV溝に光ファイバ61が、深いV溝に光ファイバフェルー
ル62がはめ込まれている。
【００３０】LD10（例えばInP上に成長されたInGaAsPを
活性層とするLD）の特性は温度に対して敏感であり、ド
ライバIC20（例えばSiやGaAsのIC）からの熱をできるだ
け避けたい。一方、LD10とドライバIC20の距離を短くす
ることにより、より高速での動作が可能となる。そこ
で、図３のように、LDチップを第１リードフレーム41上
に配置し、ドライバIC20を第２リードフレーム42上に配
置する。
活性層とするLD）の特性は温度に対して敏感であり、ド
ライバIC20（例えばSiやGaAsのIC）からの熱をできるだ
け避けたい。一方、LD10とドライバIC20の距離を短くす
ることにより、より高速での動作が可能となる。そこ
で、図３のように、LDチップを第１リードフレーム41上
に配置し、ドライバIC20を第２リードフレーム42上に配
置する。
【００３１】一方、モジュール100における光ファイバ
フェルール62と反対側の端面には各リードフレーム41,4
2の一部であるリード43が突出されている。これら２段
のリードの間には、絶縁部44が充填されてカードエッジ
部150を構成する。各リード43は、カードエッジ部150の
うち、コネクタに差し込まれた際に接点となる接触部を
構成する。ここでは、複数の帯状リードを並列して接触
部としている。各接触部は絶縁部44の表面側と裏面側の
両方に設けられ、絶縁部表面または裏面よりも突出され
ている。
フェルール62と反対側の端面には各リードフレーム41,4
2の一部であるリード43が突出されている。これら２段
のリードの間には、絶縁部44が充填されてカードエッジ
部150を構成する。各リード43は、カードエッジ部150の
うち、コネクタに差し込まれた際に接点となる接触部を
構成する。ここでは、複数の帯状リードを並列して接触
部としている。各接触部は絶縁部44の表面側と裏面側の
両方に設けられ、絶縁部表面または裏面よりも突出され
ている。
【００３２】以上の説明は、光送信モジュールについて
説明したが、上記のLDをPDに、ドライバICを前置増幅器
に置換することで、光受信モジュールを構成することが
できる。そして、この光送信モジュールと光受信モジュ
ールとを並列して一つのパッケージに封入することで光
送受信モジュールを構成することができる。
説明したが、上記のLDをPDに、ドライバICを前置増幅器
に置換することで、光受信モジュールを構成することが
できる。そして、この光送信モジュールと光受信モジュ
ールとを並列して一つのパッケージに封入することで光
送受信モジュールを構成することができる。
【００３３】このような光送信モジュールは、次のよう
にして得ることができる。まず、熱伝導率が低く電気絶
縁性も良い高分子絶縁材料の絶縁スペーサ50で、2枚の
リードフレーム41、42を所定の間隔（ここでは約１mm）
を空けて配置する。絶縁スペーサ50には液晶ポリマー
が、リードフレーム41、42はFeやCu、Al等が好ましい。
にして得ることができる。まず、熱伝導率が低く電気絶
縁性も良い高分子絶縁材料の絶縁スペーサ50で、2枚の
リードフレーム41、42を所定の間隔（ここでは約１mm）
を空けて配置する。絶縁スペーサ50には液晶ポリマー
が、リードフレーム41、42はFeやCu、Al等が好ましい。
【００３４】LD10はヒートシンク兼サブマウントのSiベ
ンチ30上に搭載する。Siベンチ30は半導体であり、電気
を流すので、その表裏面に熱酸化やCVD法によってSiO2
の絶縁層31を形成する。また、フォトリソグラフィーに
より、光ファイバ61とこれを保持するフェルール62（ジ
ルコニアやアルミナ製）を固定するためのV溝およびLD1
0をボンディングするためのメタライズパターンをSiベ
ンチ30に形成する。
ンチ30上に搭載する。Siベンチ30は半導体であり、電気
を流すので、その表裏面に熱酸化やCVD法によってSiO2
の絶縁層31を形成する。また、フォトリソグラフィーに
より、光ファイバ61とこれを保持するフェルール62（ジ
ルコニアやアルミナ製）を固定するためのV溝およびLD1
0をボンディングするためのメタライズパターンをSiベ
ンチ30に形成する。
【００３５】続いて、LD10とドライバIC20間、ドライバ
IC20とリードフレーム41、42間はAuワイヤ70のボンディ
ングにより接続する。その後、LD10、ドライバIC20及び
光ファイバ端を含む空間は、例えば透光性のシリコーン
系樹脂でポッティングする。これにより、光ファイバ61
との屈折率整合や、LD10やドライバIC20の端面保護、Au
ワイヤ70の保護などの機能が確保できる。そして、フェ
ルール62の先端部を除いて、全体をエポキシ樹脂でモー
ルドすることでパッケージ120を形成する。その際、２
枚のリード43の間に絶縁部44も充填することでカードエ
ッジ部150も構成する。図３における矩形の破線は樹脂
モールドによるパッケージの輪郭を示し、LDやドライバ
ICを覆う曲線の破線は透光性樹脂でのポッティングの輪
郭を示している。
IC20とリードフレーム41、42間はAuワイヤ70のボンディ
ングにより接続する。その後、LD10、ドライバIC20及び
光ファイバ端を含む空間は、例えば透光性のシリコーン
系樹脂でポッティングする。これにより、光ファイバ61
との屈折率整合や、LD10やドライバIC20の端面保護、Au
ワイヤ70の保護などの機能が確保できる。そして、フェ
ルール62の先端部を除いて、全体をエポキシ樹脂でモー
ルドすることでパッケージ120を形成する。その際、２
枚のリード43の間に絶縁部44も充填することでカードエ
ッジ部150も構成する。図３における矩形の破線は樹脂
モールドによるパッケージの輪郭を示し、LDやドライバ
ICを覆う曲線の破線は透光性樹脂でのポッティングの輪
郭を示している。
【００３６】このような光通信モジュールは、図４に示
すコネクタに差し込むことで後段回路基板200に接続す
ることができる。この後段回路基板200は、その一端に
基板210と平行なコネクタ220を具えている。このコネク
タ220は、丁度カードエッジ部が適合する嵌合孔を具え
た矩形板状のものである。嵌合孔の内部には、接触部に
面接触する接点が多数並列されている。このようにカー
ドエッジ部150を設けた光通信モジュールを用いること
で、容易に後段回路基板200との接続・離脱が行え、光
通信モジュールの取り替え作業を簡単に行うことができ
る。
すコネクタに差し込むことで後段回路基板200に接続す
ることができる。この後段回路基板200は、その一端に
基板210と平行なコネクタ220を具えている。このコネク
タ220は、丁度カードエッジ部が適合する嵌合孔を具え
た矩形板状のものである。嵌合孔の内部には、接触部に
面接触する接点が多数並列されている。このようにカー
ドエッジ部150を設けた光通信モジュールを用いること
で、容易に後段回路基板200との接続・離脱が行え、光
通信モジュールの取り替え作業を簡単に行うことができ
る。
【００３７】（実施例２）次に、カードエッジ部を２段
に構成した本発明モジュールを説明する。図５は２段の
カードエッジ部を具える光通信モジュールの正面図、図
６はその斜視図である。
に構成した本発明モジュールを説明する。図５は２段の
カードエッジ部を具える光通信モジュールの正面図、図
６はその斜視図である。
【００３８】図５、６に示すように、薄いブロック状の
パッケージ120の一端に一対の光ファイバフェルール62
が突出している点は実施例１と共通であるが、このパッ
ケージの他端側に２段にカードエッジ部150を構成して
いる点が実施例１とは異なっている。つまり、図７に示
すように、４層のリードフレームを用い、各リード一対
ごとの間に絶縁部44を充填してカードエッジ部150を構
成している。
パッケージ120の一端に一対の光ファイバフェルール62
が突出している点は実施例１と共通であるが、このパッ
ケージの他端側に２段にカードエッジ部150を構成して
いる点が実施例１とは異なっている。つまり、図７に示
すように、４層のリードフレームを用い、各リード一対
ごとの間に絶縁部44を充填してカードエッジ部150を構
成している。
【００３９】このモジュールの内部構造を図８に示す。
このモジュールは２段のカードエッジ部を具えている
が、上段のカードエッジ部の内部構造は、図３と同様で
ある。本例ではさらに下段のカードエッジ部に、より高
度な電気信号処理を行うための電子回路を実装した。つ
まり、下段のカードエッジ部における一方のリードには
高度な電気信号処理を行うための集積回路素子21が実装
され、他方のリードには抵抗やコンデンサなど、その他
の電子部品22が実装される。この構成により、上段のカ
ードエッジ部で主として発（受）光素子の電気的接続を
行い、下段のカードエッジ部でより高度な電気信号処理
を行って、後段回路基板と接続することができる。
このモジュールは２段のカードエッジ部を具えている
が、上段のカードエッジ部の内部構造は、図３と同様で
ある。本例ではさらに下段のカードエッジ部に、より高
度な電気信号処理を行うための電子回路を実装した。つ
まり、下段のカードエッジ部における一方のリードには
高度な電気信号処理を行うための集積回路素子21が実装
され、他方のリードには抵抗やコンデンサなど、その他
の電子部品22が実装される。この構成により、上段のカ
ードエッジ部で主として発（受）光素子の電気的接続を
行い、下段のカードエッジ部でより高度な電気信号処理
を行って、後段回路基板と接続することができる。
【００４０】このモジュール100と後段回路基板200との
接続は、図９に示すように、２枚の後段回路基板200の
各々に設けられたコネクタに差し込むことで行えば良
い。例えば、２段のカードエッジ部150のうち、上段を
光送信モジュールのカードエッジ部とし、下段を光受信
モジュールのカードエッジ部として利用することが好ま
しい。このようにカードエッジ部150を送信用と受信用
とに分けることで、接続される後段回路基板200も各々
送信用基板と受信用基板を用いることができ、後段回路
基板の回路配置に高い自由度を持たせることができる。
接続は、図９に示すように、２枚の後段回路基板200の
各々に設けられたコネクタに差し込むことで行えば良
い。例えば、２段のカードエッジ部150のうち、上段を
光送信モジュールのカードエッジ部とし、下段を光受信
モジュールのカードエッジ部として利用することが好ま
しい。このようにカードエッジ部150を送信用と受信用
とに分けることで、接続される後段回路基板200も各々
送信用基板と受信用基板を用いることができ、後段回路
基板の回路配置に高い自由度を持たせることができる。
【００４１】さらに、２段のカードエッジ部を持つ光通
信モジュールの変形例を図10、図11に示す。
信モジュールの変形例を図10、図11に示す。
【００４２】図10は３層のリードフレームを用いた光通
信モジュールの部分平面図である。上段リード43の上面
に絶縁部44が形成されて１段目のカードエッジ部150が
形成され、中段と下段のリード43の間に絶縁部44が形成
されて２段目のカードエッジ部150が形成されている。
たとえば、ピン数の多い複雑な回路には中段と下段のリ
ードを持つ２段目のカードエッジ部を用い、簡単な回路
には上段のリードを持つ１段目のカードエッジ部を使う
とよい。また、上段のリードを製造工程の途中での検査
用の端子として利用すると便利である。
信モジュールの部分平面図である。上段リード43の上面
に絶縁部44が形成されて１段目のカードエッジ部150が
形成され、中段と下段のリード43の間に絶縁部44が形成
されて２段目のカードエッジ部150が形成されている。
たとえば、ピン数の多い複雑な回路には中段と下段のリ
ードを持つ２段目のカードエッジ部を用い、簡単な回路
には上段のリードを持つ１段目のカードエッジ部を使う
とよい。また、上段のリードを製造工程の途中での検査
用の端子として利用すると便利である。
【００４３】図11は２層のリードフレームを用いた光通
信モジュールの部分平面図である。上段リード43の下面
に絶縁部44が形成されて１段目のカードエッジ部150が
形成され、下段のリード43の上面に絶縁部44が形成され
て２段目のカードエッジ部150が形成されている。この
構成は、たとえば、送信側の熱が受信側に伝わらないよ
うにカードエッジ部の間隔を広くとりたいときに特に有
効である。
信モジュールの部分平面図である。上段リード43の下面
に絶縁部44が形成されて１段目のカードエッジ部150が
形成され、下段のリード43の上面に絶縁部44が形成され
て２段目のカードエッジ部150が形成されている。この
構成は、たとえば、送信側の熱が受信側に伝わらないよ
うにカードエッジ部の間隔を広くとりたいときに特に有
効である。
【００４４】図６、図10、図11に示したように、用いる
リードフレームの総数により、種々の構成のカードエッ
ジ部を形成することができる。
リードフレームの総数により、種々の構成のカードエッ
ジ部を形成することができる。
【００４５】（実施例３）次に、一対のカードエッジ部
が同一面上に並列された本発明モジュールを図12に示
す。図12は一対のカードエッジ部が同一面上に並列され
た本発明モジュールの平面図、図13はその斜視図であ
る。
が同一面上に並列された本発明モジュールを図12に示
す。図12は一対のカードエッジ部が同一面上に並列され
た本発明モジュールの平面図、図13はその斜視図であ
る。
【００４６】図１では幅方向に連続する単一のカードエ
ッジ部を持つ光通信モジュールを示したが、本例では一
対のカードエッジ部とし、一方が送信用、他方が受信用
となっている。
ッジ部を持つ光通信モジュールを示したが、本例では一
対のカードエッジ部とし、一方が送信用、他方が受信用
となっている。
【００４７】このモジュールの内部構造を図14に示す。
図14はモールドによりパッケージを形成する前の段階に
おける本発明モジュールの内部構造を示す斜視図であ
る。
図14はモールドによりパッケージを形成する前の段階に
おける本発明モジュールの内部構造を示す斜視図であ
る。
【００４８】図14に示すように、一方の光ファイバフェ
ルール62に対してはLD10が対面され、他方の光ファイバ
フェルール62に対してはPD80が対面されている。このLD
10にはドライバIC20が、PD80には前置増幅器90が接続さ
れている。そして、各リードフレームの一部であるリー
ドの間に絶縁部を介在させることでカードエッジ部を構
成することができる。
ルール62に対してはLD10が対面され、他方の光ファイバ
フェルール62に対してはPD80が対面されている。このLD
10にはドライバIC20が、PD80には前置増幅器90が接続さ
れている。そして、各リードフレームの一部であるリー
ドの間に絶縁部を介在させることでカードエッジ部を構
成することができる。
【００４９】（実施例４）次に、カードエッジにおける
一部の接続部を放熱用に用いた本発明光通信モジュール
を図15に示す。図15は本発明モジュールを放熱ハウジン
グに搭載した状態を示す説明図である。
一部の接続部を放熱用に用いた本発明光通信モジュール
を図15に示す。図15は本発明モジュールを放熱ハウジン
グに搭載した状態を示す説明図である。
【００５０】ここでは、４枚のリードフレームを用い、
２段のカードエッジ部を持つ光通信モジュールを例とし
て示している。２段のカードエッジ部のうち、上段のカ
ードエッジ部150は後段回路基板200のコネクタ220に嵌
め込まれている。一方、下段のカードエッジ部150は後
段回路基板に接続されることなく、接続部を放熱性媒体
170に接触させている。放熱性媒体170は熱伝導率の高い
ものであれば種々の材料を利用することができる。例え
ば、サーコンや金属が好適である。ここではブロック状
の放熱性媒体を示しているが、放熱性媒体170に放熱用
のフィンを設けて一層放熱性を向上させることもでき
る。この放熱性媒体自体は、放熱性の良い放熱ハウジン
グ190に搭載されている。
２段のカードエッジ部を持つ光通信モジュールを例とし
て示している。２段のカードエッジ部のうち、上段のカ
ードエッジ部150は後段回路基板200のコネクタ220に嵌
め込まれている。一方、下段のカードエッジ部150は後
段回路基板に接続されることなく、接続部を放熱性媒体
170に接触させている。放熱性媒体170は熱伝導率の高い
ものであれば種々の材料を利用することができる。例え
ば、サーコンや金属が好適である。ここではブロック状
の放熱性媒体を示しているが、放熱性媒体170に放熱用
のフィンを設けて一層放熱性を向上させることもでき
る。この放熱性媒体自体は、放熱性の良い放熱ハウジン
グ190に搭載されている。
【００５１】多層のリードフレームを用いることで、リ
ード数を十分に増やすことができるため、一部のリード
を放熱用に利用することができる。つまり、パッケージ
の蓋部に突出したリードを放熱性媒体に接触させること
で、リードおよび放熱性媒体を介して効率的な放熱を行
うことができる。
ード数を十分に増やすことができるため、一部のリード
を放熱用に利用することができる。つまり、パッケージ
の蓋部に突出したリードを放熱性媒体に接触させること
で、リードおよび放熱性媒体を介して効率的な放熱を行
うことができる。
【００５２】（実施例５）次に、本発明光通信モジュー
ルを用いた光通信装置を説明する。上述した光通信モジ
ュールは、図16に示すように、多段に配列して後段回路
基板200に接続することが好ましい。この後段回路基板2
00は、基板210に対して直角方向にコネクタ220を多段に
具えている。各コネクタ220に実施例１から４に示す光
通信モジュール100のカードエッジ部を差し込むこと
で、単一の基板に複数の光通信モジュールを接続するこ
とができる。すなわち、複数の光通信モジュール100に
対して後段回路基板200を共通化することができ、光通
信モジュールと後段回路基板との組み合わせ全体をコン
パクトかつ安価にすることができる。
ルを用いた光通信装置を説明する。上述した光通信モジ
ュールは、図16に示すように、多段に配列して後段回路
基板200に接続することが好ましい。この後段回路基板2
00は、基板210に対して直角方向にコネクタ220を多段に
具えている。各コネクタ220に実施例１から４に示す光
通信モジュール100のカードエッジ部を差し込むこと
で、単一の基板に複数の光通信モジュールを接続するこ
とができる。すなわち、複数の光通信モジュール100に
対して後段回路基板200を共通化することができ、光通
信モジュールと後段回路基板との組み合わせ全体をコン
パクトかつ安価にすることができる。
【００５３】
【発明の効果】以上説明したように、本発明光通信モジ
ュールによれば、次の効果を奏することができる。
ュールによれば、次の効果を奏することができる。
【００５４】多層の導電性媒体の一部を利用すること
で、カードエッジ部を安価に製造することができ、小型
で多機能の光通信モジュールを得ることができる。
で、カードエッジ部を安価に製造することができ、小型
で多機能の光通信モジュールを得ることができる。
【００５５】カードエッジ部を持つ光通信モジュール
により、後段回路基板に対して半田付けして接続する必
要がなくなる。
により、後段回路基板に対して半田付けして接続する必
要がなくなる。
【００５６】光通信モジュール自体を後段回路基板と
半田付けする必要がなく、容易にコネクタに着脱できる
ため、光通信モジュール単体の検査が容易になる。
半田付けする必要がなく、容易にコネクタに着脱できる
ため、光通信モジュール単体の検査が容易になる。
【００５７】カードエッジ部を具えるため、光通信モ
ジュールが故障した場合の交換が容易になる。
ジュールが故障した場合の交換が容易になる。
【００５８】カードエッジ部を具えるため、光通信モ
ジュールに搭載されている発光・受光素子または電気回
路部品の種類が異なる別の光通信モジュールに置き換え
る作業が容易になる。
ジュールに搭載されている発光・受光素子または電気回
路部品の種類が異なる別の光通信モジュールに置き換え
る作業が容易になる。
【００５９】多層の導電性媒体を自由に組み合わせて
カードエッジ部を構成できるため、光通信モジュールの
設計が容易になる。
カードエッジ部を構成できるため、光通信モジュールの
設計が容易になる。
【００６０】多層の導電性媒体を利用することで、十
分な数のリードを確保でき、リードの一部を放熱用に利
用することで、光通信モジュールの放熱性を高めること
ができる。
分な数のリードを確保でき、リードの一部を放熱用に利
用することで、光通信モジュールの放熱性を高めること
ができる。
【図１】(A)は本発明光通信モジュールの平面図、(B)は
同正面図である。
同正面図である。
【図２】本発明光通信モジュールの斜視図である。
【図３】図１の光通信モジュールの縦断面図である。
【図４】(A)は本発明光通信モジュールのコネクタへの
差し込み状態を示す斜視図、(B)は同正面図である。
差し込み状態を示す斜視図、(B)は同正面図である。
【図５】２段のカードエッジ部を具える光通信モジュー
ルの正面図である。
ルの正面図である。
【図６】図５に示すモジュールの斜視図である。
【図７】図６のモジュールにおけるカードエッジ部を示
す斜視図である。
す斜視図である。
【図８】図６のモジュールの内部構造を示す断面図であ
る。
る。
【図９】(A)は図６の光通信モジュールをコネクタへの
差し込む状態を示す斜視図、(B)は同正面図である。
差し込む状態を示す斜視図、(B)は同正面図である。
【図１０】３層のリードフレームを用いた光通信モジュ
ールの部分平面図である。
ールの部分平面図である。
【図１１】２層のリードフレームを用いた光通信モジュ
ールの部分平面図である。
ールの部分平面図である。
【図１２】一対のカードエッジ部が同一面上に並列され
た本発明モジュールの平面図である。
た本発明モジュールの平面図である。
【図１３】図１２に示すモジュールの斜視図である。
【図１４】図１２に示すモジュールの内部構成図であ
る。
る。
【図１５】カードエッジ部の一部を放熱用に用いた本発
明モジュールの利用形態を示す説明図である。
明モジュールの利用形態を示す説明図である。
【図１６】(A)は図１２の光通信モジュールをコネクタ
への差し込む状態を示す斜視図、(B)は同正面図であ
る。
への差し込む状態を示す斜視図、(B)は同正面図であ
る。
10 LD
20 ドライバIC
21 集積回路素子
22 その他の電子部品
30 ベンチ
31 絶縁層
41 リードフレーム
42 リードフレーム
43 リード
44 絶縁部
50 絶縁スペーサ
61 光ファイバ
62 フェルール
70 ボンディングワイヤ
80 PD
90 前置増幅器
100 モジュール
120 パッケージ
150 カードエッジ部
170 放熱性媒体
190 放熱ハウジング
200 後段回路基板
210 基板
220 コネクタ
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
(51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考）
Ｈ０４Ｂ 10/135
10/14
Ｆターム(参考） 2H037 AA01 BA02 BA11 BA31 DA03
DA04
5F073 AB15 AB28 BA02 FA02 FA13
FA27 FA28 FA29 FA30 GA02
5F088 AA01 BA15 BA16 BB01 EA07
EA16 JA03 JA06 JA10 JA14
JA20
5K102 AA11 PB02 PH32
Claims (6)
- 【請求項１】 発光素子及び受光素子の少なくとも一方
と、 この素子と光結合される光学的結合手段と、 前記素子に接続される電気回路部品と、 これら素子、光学的結合手段及び電気回路部品が実装さ
れる多層の導電性媒体と、 この導電性媒体の一部と、前記素子、光学的結合手段お
よび電気回路部品とを収納するパッケージと、 前記パッケージから突出するカードエッジ部とを具え、 このカードエッジ部は、 前記パッケージから露出する導電性媒体に形成される接
続部と、 各層の接続部を保持する絶縁部とを有することを特徴と
する光通信モジュール。 - 【請求項２】 前記カードエッジ部は、後段回路基板が
有するコネクタ部に嵌合するように構成されたことを特
徴とする請求項1に記載の光通信モジュール。 - 【請求項３】 前記接続部がカードエッジ部の表裏の少
なくとも一方に設けられていることを特徴とする請求項
1に記載の光通信モジュール。 - 【請求項４】 前記接続部の一部が、後段回路基板が有
するコネクタ部と接続せずに、放熱性媒体と接続される
ことを特徴とする請求項1に記載の光通信モジュール。 - 【請求項５】 前記絶縁部は電気絶縁性と熱絶縁性を有
する材料で構成されることを特徴とする請求項1に記載
の光通信モジュール。 - 【請求項６】 請求項1〜5のいずれかに記載の光通信モ
ジュールを共通する後段回路基板に直角方向で、かつ多
段に接続したことを特徴とする光通信装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2002137708A JP2003329894A (ja) | 2002-05-13 | 2002-05-13 | カードエッジ型光通信モジュール及び光通信装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2002137708A JP2003329894A (ja) | 2002-05-13 | 2002-05-13 | カードエッジ型光通信モジュール及び光通信装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2003329894A true JP2003329894A (ja) | 2003-11-19 |
Family
ID=29699385
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2002137708A Pending JP2003329894A (ja) | 2002-05-13 | 2002-05-13 | カードエッジ型光通信モジュール及び光通信装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2003329894A (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2005078807A1 (ja) * | 2004-02-17 | 2005-08-25 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | 光電変換プラグとそれを用いた光電変換モジュール、及びその光電変換プラグの製造方法 |
| JP2009141166A (ja) * | 2007-12-07 | 2009-06-25 | Nec Corp | 光トランシーバ及び光トランシーバが接続されるホスト基板 |
| JP2011215547A (ja) * | 2010-04-02 | 2011-10-27 | Hitachi Cable Ltd | 送受信モジュール |
| JP2013157986A (ja) * | 2012-01-31 | 2013-08-15 | Samsung Electronics Co Ltd | テレビ |
| JP2014514781A (ja) * | 2011-05-09 | 2014-06-19 | マイクロソフト コーポレーション | 低インダクタンスの光源モジュール |
| WO2020066053A1 (ja) * | 2018-09-27 | 2020-04-02 | 株式会社ケーヒン | 電子制御装置 |
-
2002
- 2002-05-13 JP JP2002137708A patent/JP2003329894A/ja active Pending
Cited By (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2005078807A1 (ja) * | 2004-02-17 | 2005-08-25 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | 光電変換プラグとそれを用いた光電変換モジュール、及びその光電変換プラグの製造方法 |
| JP2009141166A (ja) * | 2007-12-07 | 2009-06-25 | Nec Corp | 光トランシーバ及び光トランシーバが接続されるホスト基板 |
| JP2011215547A (ja) * | 2010-04-02 | 2011-10-27 | Hitachi Cable Ltd | 送受信モジュール |
| JP2014514781A (ja) * | 2011-05-09 | 2014-06-19 | マイクロソフト コーポレーション | 低インダクタンスの光源モジュール |
| JP2013157986A (ja) * | 2012-01-31 | 2013-08-15 | Samsung Electronics Co Ltd | テレビ |
| WO2020066053A1 (ja) * | 2018-09-27 | 2020-04-02 | 株式会社ケーヒン | 電子制御装置 |
| CN112369129A (zh) * | 2018-09-27 | 2021-02-12 | 株式会社京滨 | 电子控制装置 |
| JPWO2020066053A1 (ja) * | 2018-09-27 | 2021-12-09 | 日立Astemo株式会社 | 電子制御装置 |
| JP7233434B2 (ja) | 2018-09-27 | 2023-03-06 | 日立Astemo株式会社 | 電子制御装置 |
| CN112369129B (zh) * | 2018-09-27 | 2024-05-24 | 日立安斯泰莫株式会社 | 电子控制装置 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US6976795B2 (en) | Optical device and optical module | |
| JP5943372B2 (ja) | 小型高速光モジュール | |
| JP3780769B2 (ja) | 光通信装置 | |
| JP4479875B2 (ja) | 光学的サブアセンブリ | |
| JP2002261265A (ja) | 光通信装置 | |
| US20060110110A1 (en) | Optical turn system for optoelectronic modules | |
| JPWO2009128413A1 (ja) | 光モジュール取付ユニット及び光モジュール | |
| JP2009260227A (ja) | 光電気変換装置 | |
| JP2004200399A (ja) | 光モジュール及びその製造方法 | |
| US20030015718A1 (en) | Laminated lead frame, and optical communication module and method of manufacturing the same | |
| JP4718135B2 (ja) | 光モジュール | |
| JP3890999B2 (ja) | 光送信モジュール | |
| JP2004085756A (ja) | 光送受信モジュール | |
| CN107658691B (zh) | 光半导体装置 | |
| JP2003329894A (ja) | カードエッジ型光通信モジュール及び光通信装置 | |
| TW200412737A (en) | Optical module and method of fabricating the same | |
| US6646291B2 (en) | Advanced optical module which enables a surface mount configuration | |
| JP3888525B2 (ja) | 光通信モジュール | |
| JP4816397B2 (ja) | 光電変換モジュール | |
| US7226216B2 (en) | Optoelectronic transmission and/or reception arrangement | |
| CN114815087A (zh) | 光收发模块及光收发器 | |
| US7206518B2 (en) | High speed optoelectronic subassembly and package for optical devices | |
| JP2003014990A (ja) | 光通信モジュール | |
| JP2003318419A (ja) | 光通信モジュールとその接続構造 | |
| US6430326B1 (en) | Module for parallel optical data transmission |