JP2003315187A - 力学量検出装置の製造方法 - Google Patents
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Abstract
体チップが接合層を介して台座に接合された力学量検出
装置の製造方法において、検出部が検出した値を処理す
る処理回路部を半導体チップに設けたとしても、処理回
路部に形成された素子の特性が変動してしまうのを抑制
すること。 【解決手段】 ガラス層40に熱を加えて焼成させるこ
とにより半導体チップ30を金属ステム20に接合する
接合工程を実行した後に、水素を含むガスが導入された
チャンバー90及びヒーターパネル91を用いて圧力検
出装置100に熱処理を施すアニール工程を実行してい
る。その結果、接合工程前後において、シリコン酸化膜
86に含まれる水素量の変動を抑制することができるた
め、処理回路部70に形成されたトランジスタTr1、
Tr2の注入効率の変動を抑制することができ、トラン
ジスタTr1、Tr2のベース電流の変動、電流増幅率
の変動を抑制することができる。
Description
出する検出部を有した半導体チップが接合層を介して台
座に接合された力学量検出装置の製造方法に関する。
000−241273号公報に記載の圧力検出装置が開
示されている。図8は、この圧力検出装置を示してい
る。
100は、円形のダイヤフラム面10を有する金属ステ
ム20を有し、他面32側にゲージ(ピエゾ抵抗素子)
51〜54が設けられた半導体チップ30の一面31側
を、低融点ガラス等よりなるガラス層40を介して、ダ
イヤフラム面10の一面11側に接合したものである。
に圧力媒体を導入したときに、ダイヤフラム面10及び
半導体チップ30の変形に基づき、ゲージ51〜54の
抵抗値変化を検出し、この検出した値をトランジスタや
トリミング抵抗などから構成される処理回路部(図示せ
ず)で所要の処理を行うことにより、圧力検出が行われ
る。
術では、ゲージ51〜54が検出した値を処理する処理
回路部は半導体チップ30とは別チップに設けられてい
るため、装置が大型化してしまうという課題があった。
に、ゲージ51〜54が設けられた半導体チップ30に
処理回路部70を設ければ、圧力検出装置100を小型
化できると考えた。
結果、ゲージ51〜54が設けられた半導体チップ30
に処理回路部70を設けたことにより、次のような問題
が生じることがわかった。
ることにより半導体チップ30を金属ステム20に接合
させているが、上述のように、ゲージ51〜54が設け
られた半導体チップ30に処理回路部70を設けると、
この工程の際に、ガラス層40に加わる熱が半導体チッ
プ30に設けられた処理回路部70に伝達されてしま
い、例えば、処理回路部70に設けられたトランジスタ
の特性が変動してしまう。
まう原因としては、以下のようなことが考えられる。
おいて、シリコン等から構成される半導体チップ30の
表面には、半導体チップ30に形成された素子間を接続
する配線とこの配線の絶縁を確保する酸化膜とこれら配
線及び酸化膜を保護する保護膜が形成されるが、この酸
化膜及び保護膜の形成方法としては、水素が含まれた雰
囲気中にて形成する方法が用いられている。
半導体チップ30の表面に形成された酸化膜や保護膜に
おいては、各膜中に水素イオンとして含まれ、半導体チ
ップ30と酸化膜との界面においては、半導体チップ3
0のシリコン原子にターミネイト(終端)される。
膜や保護膜を形成した後に、半導体ウェハに水素を含む
高温熱処理を施すが、この工程の際に、酸化膜や保護膜
に水素が取り込まれて各膜中の水素イオンが増加した
り、半導体チップ30と酸化膜との界面においては、高
温熱処理によりシリコン原子とターミネイトされた水素
の結合が切れる。
体チップ30を形成するが、この工程の際には、半導体
チップ30に熱が加わることはないので、上記半導体ウ
ェハ工程における水素を含む高温熱処理を施した後の水
素イオンの量により、トランジスタの電流増幅率等の特
性が決定される。
導体チップ30を金属ステム20に接合させるためにガ
ラス層40に熱を加えるが、この工程の際に、処理回路
部70に熱が伝達されることで、半導体チップ30と酸
化膜との界面においてシリコン原子と結合していた水素
がシリコン原子から脱離してしまい、酸化膜に含まれる
水素イオンは保護膜や外気中へ移動してしまう。
たトランジスタの表面領域において、酸化膜に含まれる
水素によって拘束されていた電子が開放されるため、ト
ランジスタの注入効率が大きくなる。
タ・コレクタ間を流れる電流におけるベース電流が大き
くなることよりコレクタ電流が大きくなるため、トラン
ジスタの電流増幅率が大きくなり、トランジスタの特性
が変動してしまう。
み、力学量の印加を検出する検出部を有した半導体チッ
プが接合層を介して台座に接合された力学量検出装置の
製造方法において、検出部が検出した値を処理する処理
回路部を半導体チップに設けたとしても、処理回路部に
形成された素子の特性が変動してしまうのを抑制するこ
とにある。
検出装置の製造方法は、力学量の印加を検出する検出部
を有した半導体チップが接合層を介して台座に接合され
た力学量検出装置において、検出部と検出部が検出した
値を処理する処理回路部を有した半導体チップを準備す
る準備工程と、台座上に接合層を配設し接合層上に半導
体チップを配設する配設工程と、接合層に熱処理を施し
半導体チップを台座に接合する接合工程とを備え、接合
工程を実行した後に少なくとも水素を含む雰囲気中にて
半導体チップに熱処理を施すアニール工程とを備えたこ
とを特徴としている。尚、上記処理回路部は、請求項3
に記載のように、トランジスタまたはトリミング抵抗の
少なくともどちらか一方を有している。
接合層に熱処理を施し半導体チップを台座に接合する接
合工程を実行した後に、少なくとも水素を含む雰囲気中
にて半導体チップに熱処理を施すアニール工程を実行し
ているため、接合工程の際に、半導体チップの表面に存
在する水素が外気中等に移動したとしても、その後に実
行するアニール工程により、半導体チップの表面に水素
を補充することができる。
素量の変動を抑制することができるため、処理回路部に
形成されたトランジスタの注入効率の変動を抑制するこ
とができ、トランジスタのベース電流の変動、電流増幅
率の変動を抑制することができる。
に検出部が検出した値を処理する処理回路部を設けたと
しても、処理回路部に形成された素子の特性が変動して
しまうのを抑制することができる。
法は、力学量の印加を検出する検出部を有した半導体チ
ップが接合層を介して台座に接合された力学量検出装置
において、検出部と検出部が検出した値を処理する処理
回路部を有した半導体チップを準備する準備工程と、台
座上に接合層を配設し接合層上に半導体チップを配設す
る配設工程と、接合層に熱処理を施し半導体チップを台
座に接合する接合工程と、接合工程を実行した後に半導
体チップの特性を調整するトリミング工程とを備えたこ
とを特徴としている。尚、上記処理回路部は、請求項3
に記載のように、トランジスタまたはトリミング抵抗の
少なくともどちらか一方を有しており、上記トリミング
工程は、請求項4に記載のように、処理回路部に設けら
れたトリミング抵抗の抵抗値を可変させることにより半
導体チップの特性を調整している。
よれば、接合層に熱処理を施し半導体チップを台座に接
合する接合工程を実行した後に、処理回路部に設けられ
たトリミング抵抗の抵抗値を可変させることにより半導
体チップの特性を調整するトリミング工程を実行してい
るため、接合工程の際に、半導体チップの表面に存在す
る水素が外気中等に移動してトランジスタの特性が変動
したとしても、その後に実行するトリミング工程によ
り、トランジスタの特性を調整することができる。
に検出部が検出した値を処理する処理回路部を設けたと
しても、処理回路部に形成された素子の特性が変動して
しまうのを抑制することができる。
法は、接合層は低融点ガラスよりなるガラス層であるこ
とを特徴としている。それにより、クリープ現象による
装置の特性変動を抑制することができる。
圧力検出装置に適用した実施形態を、図面に従って説明
する。
出装置100は、例えば車輌におけるエンジンの燃料噴
射圧制御やブレーキ圧制御等に用いられる。
置100における半導体チップ30の平面方向から見た
図を示し、図1(b)には、図1(a)におけるA−A
断面図を示す。
検出装置100は、円形のダイヤフラム面10を有する
金属ステム20と、一面31側がダイヤフラム面10の
一面11側に接着された半導体チップ30とを備え、ダ
イヤフラム面10の他面12側に、例えばエンジンの燃
料噴射圧力等に応じた圧力媒体(気体、液体等)を導入
し、ダイヤフラム面10及び半導体チップ30の変形に
基づき圧力検出を行うようにしたものである。
中空円筒形状を成し、例えば、ガラスと熱膨張率が同程
度であるFi−Ni−Co系合金であるコバール等によ
り構成されている。
ダイヤフラム面10が形成され、図示しない他端側か
ら、図1(b)中の白抜き矢印に示す様に、圧力媒体が
導入され、ダイヤフラム面10の他面12に圧力が印加
されるようになっている。
すと、円筒の外径は6.5mm、円筒の内径は2.5m
m、ダイヤフラム面10の肉厚は、例えば20MPaの
測定に際しては0.65mm、200MPaの測定に際
しては1.40mmである。
接着された半導体チップ30は、面方位が(100)面
であり且つ全体が均一な肉厚の平面形状を成す単結晶シ
リコン基板よりなり、その一面31が低融点ガラス等よ
りなるガラス層40により、ダイヤフラム面10の一面
11に固定されている。
示すと、4.0mm×4.0mmの正方形状で、肉厚は
0.2mmである。また、ガラス層40の厚さは0.0
6mmである。
は、図1(a)に示されるように、ダイヤフラム面10
と対応する領域には、4個のピエゾ抵抗素子である長方
形状のゲージ51〜54が配設されている。尚、(10
0)面方位を有する半導体チップ30には、その構造
上、<110>結晶軸が相直交して存在する。ここで、
図1(a)に示されるように、一方(A―A断面線と一
致する方)の<110>結晶軸方向をX方向、他方の<
110>結晶軸方向をY方向とする。
辺方向をX方向に沿って位置されており、一対のゲージ
53、54がその短辺方向をY方向に沿って位置されて
いる。さらに、これら4個のゲージ51〜54はそれぞ
れ配線(図示せず)で接続されてブリッジ回路を構成し
ている。
0の他面32側の周縁部には、トランジスタやトリミン
グ抵抗などから構成される処理回路部70が設けられて
いる。この処理回路部70は、図示しないが、配線を介
してゲージ51〜54と接続されており、ゲージ51〜
54が検出した値を処理している。
51〜54と処理回路部70の配置領域の詳細図を示す
図2を参照して、本実施形態の半導体チップ30の構造
を説明する。
30はP型の半導体基板80を有し、この半導体基板8
0の表面部には、P+分離領域81により互いに絶縁分
離された複数のN-エピタキシャル層領域82a、82
b、82c、82d、82eが形成されている。
は、上記した2対のゲージ51〜54が形成されてい
る。
面部には、トランジスタTr1、Tr2が形成されてお
り、これらトランジスタTr1、Tr2によりオペアン
プが構成されている。
は、特性調整用のトリミング抵抗83が形成されてい
る。尚、このトリミング抵抗83は、例えばクロムシリ
コン(CrSi)により形成されている。
は、半導体チップ30を外部と電気的に接続するための
電極パッド84が形成されている。尚、この電極パッド
84は、例えばアルミにより形成されている。
c、82d、82eに形成されたトランジスタTr1、
Tr2、トリミング抵抗83、電極パッド84によっ
て、上記処理回路部70を構成している。
離領域81により互いに絶縁分離されたその他のエピタ
キシャル層領域(図示せず)が形成されており、これら
のエピタキシャル層領域に抵抗やその他のトランジスタ
などが形成されている。
ージ51〜54、トランジスタTr1、Tr2、トリミ
ング抵抗83、電極パッド84を接続するアルミ配線8
5とこのアルミ配線85の絶縁を確保するシリコン酸化
膜(SiO2)86が形成されている。
ン酸化膜86の上には保護膜であるパッシベーション膜
87が形成されており、このパッシベーション膜87に
は、ワイヤボンド用の開口部87aが設けられている。
尚、このパッシベーション膜87は、例えばプラズマ窒
化シリコン膜(P−SiN)により構成されている。
の製造方法を、図3を用いて説明する。
1、Tr2等で構成された処理回路部70とゲージ51
〜54とが設けられた半導体チップ30と金属ステム2
0を準備する(準備工程)。
融点ガラス等からなるガラス層40を配設し、このガラ
ス層40上に上記半導体チップ30を配設する(配設工
程)。
ず)に搬送して、ガラス層40に約400℃の熱を加え
て焼成させることにより、半導体チップ30を金属ステ
ム20に接合する(接合工程)。
装置100をチャンバー90内に搬送しヒーターパネル
91上に載置して、このチャンバー90内に水素を含む
ガスを導入しつつ、ヒーターパネル91により圧力検出
装置100に熱処理を施す(アニール工程)。これによ
り、図1に示す圧力検出装置100が出来上がる。
の検出原理を説明する。
圧力が印加されると、ダイヤフラム面10及び半導体チ
ップ30がひずみ変形し、半導体チップ30に応力が発
生する。それに伴い、各ゲージ51〜54には、<11
0>結晶軸に応じて図1(a)に示す矢印X方向と矢印
Y方向とに応力が発生する。ここで、X方向の発生応力
をσXX、Y方向の発生応力をσYY、とする。
10に位置する領域での発生応力の分布を図5に示す。
図5は、発生応力σXX(実線図示)とσYY(破線図示)
の大きさを、半導体チップ30の前記領域におけるダイ
ヤフラム面10の中心Kからの距離に応じて示したもの
である。
及びσYYは、共に該中心Kから離れるに従って小さくな
っているが、発生応力σYYの方が減少度合が大きい。
に沿って配置された各ゲージ51〜54における出力e
は、両発生応力σXXとσYYの差Dを検出して出力するこ
とができる。即ち、該出力eは、σXXとσYYの差の絶対
値に比例(e|σXX−σYY|)し、上記ブリッジ回路に
より圧力検出が成される。
チップ30においては、その構造上、高い応力感度を有
する結晶軸<110>が相直交して存在し、ゲージ1個
に対して2種類の応力σXX及びσYYが発生するため、上
記の検出原理によって圧力検出ができる。
示されるように、ゲージ51〜54が設けられた半導体
チップ30に処理回路部70を設けているが、このよう
な構成にしたことにより、圧力検出装置100を小型化
することができるが、それに伴い以下のような問題が発
生する。
ることにより半導体チップ30を金属ステム20に接合
させているが、本実施形態のように、ゲージ51〜54
が設けられた半導体チップ30に処理回路部70を設け
ると、この工程の際に、ガラス層40に加わる熱が半導
体チップ30に設けられた処理回路部70に伝達されて
しまい、例えば、処理回路部70の内部に設けられたト
ランジスタTr1、Tr2の特性が変動してしまう。
まう原因としては、以下のようなことが考えられる。
シリコンで構成される半導体チップ30の表面には、上
述のように、アルミ配線85及びシリコン酸化膜86及
びパッシベーション膜87が形成されるが、このシリコ
ン酸化膜86及びパッシベーション膜87の形成方法と
しては、水素が含まれた雰囲気中にて形成する方法が用
いられている。
半導体チップ30の表面に形成されたシリコン酸化膜8
6やパッシベーション膜87においては、各膜中に水素
イオンとして含まれて、半導体チップ30とシリコン酸
化膜86との界面においては、半導体チップ30のシリ
コン原子にターミネイト(終端)される。
コン酸化膜86やパッシベーション膜87を形成した後
に、半導体ウェハに水素を含む高温熱処理を施すが、こ
の工程の際に、シリコン酸化膜86やパッシベーション
膜87に水素が取り込まれて各膜中の水素イオンが増加
したり、半導体チップ30とシリコン酸化膜86との界
面においては、高温熱処理によりシリコン原子とターミ
ネイトされた水素の結合が切れる。
導体チップ30を金属ステム20に接合させるためにガ
ラス層40に熱を加えるが、この工程の際に、処理回路
部70に熱が伝達されることで、半導体チップ30とシ
リコン酸化膜86との界面においてシリコン原子と結合
していた水素イオンがシリコン原子から脱離しまい、シ
リコン酸化膜86に含まれる水素イオンはパッシベーシ
ョン膜87や外気中へ移動してしまう。
たトランジスタTr1、Tr2の表面領域において、シ
リコン酸化膜86に含まれる水素イオンによって拘束さ
れていた電子が開放されるため、トランジスタTr1、
Tr2の注入効率が大きくなる。
ベース・エミッタ・コレクタ間を流れる電流においてベ
ース電流が大きくなることによりコレクタ電流が大きく
なり、トランジスタTr1、Tr2の電流増幅率が大き
くなり、トランジスタTr1、Tr2の特性が変動して
しまう。
特性が変動してしまうことにより、例えば、トランジス
タTr1とトランジスタTr2との配置位置が離れてい
た場合等には、トランジスタTr1、Tr2の特性がそ
れぞれ異なってしまうため、これらトランジスタTr
1、Tr2により構成されるオペアンプのペア性が崩
れ、オペアンプの特性が悪化してしまう。
示されるように、ガラス層40に熱を加えて焼成させる
ことにより半導体チップ30を金属ステム20に接合す
る接合工程を実行した後に、水素を含むガスが導入され
たチャンバー90及びヒーターパネル91を用いて圧力
検出装置100に熱処理を施すアニール工程を実行した
ことを特徴としている。
部70に熱が伝達されることで、半導体チップ30とシ
リコン酸化膜86との界面においてシリコン原子と結合
していた水素イオンがシリコン原子から脱離しまい、シ
リコン酸化膜86に含まれる水素イオンがパッシベーシ
ョン膜87や外気中へ移動してたとしても、その後に実
行するアニール工程により、シリコン酸化膜86に水素
イオンを補充することができる。
ン酸化膜86に含まれる水素量の変動を抑制することが
できるため、処理回路部70に形成されたトランジスタ
Tr1、Tr2の注入効率の変動を抑制することがで
き、トランジスタTr1、Tr2のベース電流の変動、
電流増幅率の変動を抑制することができる。
導体チップ30にゲージ51〜54が検出した値を処理
する処理回路部70を設けたとしても、処理回路部70
に形成されたトランジスタTr1、Tr2等の素子の特
性が変動してしまうのを抑制することができる。
54が設けられた半導体チップ30に処理回路部70を
設けると、半導体チップ30に圧力が印加された際に
は、この印加圧力がゲージ51〜54だけでなく処理回
路部70にも伝達してしまう。
形成されたトランジスタTr1、Tr2の電界が局所的
に大きくなってしまい、この電界によって加速されたキ
ャリアが半導体チップ30の表面に形成されたシリコン
酸化膜86に飛び込んでトラップされることにより、ト
ランジスタTr1、Tr2のしきい値電圧が変動するホ
ットキャリア現象が発生してしまう。
されるように、半導体チップ30に配設された処理回路
部70は、半導体チップ30の周縁部に配置したことを
特徴としている。具体的には、半導体チップ30におけ
る金属ステム20に形成されたダイヤフラム面10に対
応する領域を除く領域に処理回路部70を配置してい
る。
印加された際には、ダイヤフラム面10に対応する領域
に配置されたゲージ51〜54に印加される圧力より
も、処理回路部70に印加される圧力を小さくすること
ができるため、処理回路部70に発生するホットキャリ
ア現象を抑制することができる。
導体チップ30にゲージ51〜54が検出した値を処理
する処理回路部70を設けたとしても、処理回路部70
に形成されたトランジスタTr1、Tr2等の素子の特
性が変動してしまうのを抑制することができる。
70の配置位置は、半導体チップ30に圧力が印加され
た際に伝達される応力が0.01kgf/mm2以下に
なるように規定すると好ましい。
0>結晶軸が存在する(100)面方位を有する半導体
チップ30を用いているが、<110>結晶軸方向に発
生する圧力の感度は非常に大きいため、図6に示される
ように、処理回路部70を<110>結晶軸から略45
°傾いた状態で配置するとよい。
力を小さくすることができるため、処理回路部70に発
生するホットキャリア現象をより抑制することができ
る。
を金属ステム20に接合させるための接合層としてガラ
ス層40を用いているため、例えば樹脂からなる接着剤
を用いた場合と比較して、クリープ現象の発生を抑制す
ることができ、装置の特性変動を抑制することができ
る。
装置の構成は、上記第1実施形態と同様であるため、第
1実施形態と異なる部分である製造方法についてのみ説
明する。尚、図7には第2実施形態の圧力検出装置10
0の製造方法を示す。以下、この図7を用いて本実施形
態の製造方法を説明する。
成された処理回路部70とゲージ51〜54とが設けら
れた半導体チップ30と金属ステム20を準備する(準
備工程)。
融点ガラス等からなるガラス層40を配設し、このガラ
ス層40上に上記半導体チップ30を配設する(配設工
程)。
ず)に搬送して、ガラス層40に約400℃の熱を加え
て焼成させることにより、半導体チップ30を金属ステ
ム20に接合する(接合工程)。
の製造方法と同様であるが、この接合工程の後、本実施
形態では、例えば、処理回路部70に形成されたトリミ
ング抵抗83をパターニングしてトリミング抵抗83の
抵抗値を可変させることにより、トランジスタTr1、
Tr2の特性を調整している(トリミング工程)。これ
により、圧力検出装置100が出来上がる。
0に熱を加えて焼成させることにより半導体チップ30
を金属ステム20に接合する接合工程を実行した後に、
処理回路部70に形成されたトリミング抵抗83をパタ
ーニングしてトリミング抵抗83の抵抗値を可変させる
ことにより、トランジスタTr1、Tr2の特性を調整
したことを特徴としている。
部70に熱が伝達されることで、半導体チップ30とシ
リコン酸化膜86との界面においてシリコン原子と結合
していた水素イオンがシリコン原子から脱離しまい、シ
リコン酸化膜86に含まれる水素イオンがパッシベーシ
ョン膜87や外気中へ移動して、トランジスタTr1、
Tr2の特性が変動したとしても、その後に実行するト
リミング工程により、トランジスタTr1、Tr2の特
性を調整することができる。
導体チップ30にゲージ51〜54が検出した値を処理
する処理回路部70を設けたとしても、処理回路部70
に形成されたトランジスタTr1、Tr2等の素子の特
性が変動してしまうのを抑制することができる。
ものではなく、様々な態様に適用可能である。
装置として圧力検出装置について説明したが、これに限
られるものではなく、加速度センサなどのような他の力
学量検出装置にも適用可能である。
プ30の<110>結晶軸から略45°傾いた状態で処
理回路部70を形成する方法としては、処理回路部70
のパターンが記憶されたデータ自体を略45°回転させ
て形成してもよいが、例えば、半導体チップ30が複数
形成されたウェハ状態において、ウェハのオリフラ面を
<110>結晶軸から略45°傾けて処理回路部70を
形成してもよい。この場合、処理回路部70のパターン
が記憶されたデータ自体を回転させる必要がないため、
工程の簡略化を図ることができる。
30の面方位は、相直交する<110>結晶軸を有した
(100)面であり、図6に示されるように、処理回路
部70は<110>結晶軸から略45°傾いた状態で配
置されているが、これに限られるものではなく、例え
ば、半導体チップ30の面方位は、互いに直交する<1
10>結晶軸と<100>結晶軸とを有した(100)
面であってもよい。この場合、処理回路部70は、<1
10>結晶軸と比較して感度の小さい<100>結晶軸
と略平行した状態で配置するとよい。
化膜86に水素イオンの補充する方法として、チャンバ
ー90内に水素のみを導入する方法について説明した
が、これに限られるものではなく、例えば、水素を含ん
だガスを熱分解する方法やプラズマ処理、紫外線照射
(UV)処理等により水素を含んだガスを分解する方法
を用いることにより、シリコン酸化膜86に水素イオン
の補充してもよい。
置における半導体チップの平面方向から見た図であり、
(b)は(a)におけるA―A断面図である。
ある。
応力分布を示す図である。
て配置した状態を示す図である。
図である。
ある。
検出装置の断面構造を示す図である。
Claims (5)
- 【請求項1】 力学量の印加を検出する検出部を有した
半導体チップが接合層を介して台座に接合された力学量
検出装置において、 前記検出部と該検出部が検出した値を処理する処理回路
部を有した前記半導体チップを準備する準備工程と、 前記台座上に前記接合層を配設し、前記接合層上に前記
半導体チップを配設する配設工程と、 前記接合層に熱処理を施し、前記半導体チップを前記台
座に接合する接合工程と、 前記接合工程を実行した後に、少なくとも水素を含む雰
囲気中にて前記半導体チップに熱処理を施すアニール工
程とを備えたことを特徴とする力学量検出装置の製造方
法。 - 【請求項2】 力学量の印加を検出する検出部を有した
半導体チップが接合層を介して台座に接合された力学量
検出装置において、 前記検出部と該検出部が検出した値を処理する処理回路
部を有した前記半導体チップを準備する準備工程と、 前記台座上に前記接合層を配設し、前記接合層上に前記
半導体チップを配設する配設工程と、 前記接合層に熱処理を施し、前記半導体チップを前記台
座に接合する接合工程と、 前記接合工程を実行した後に、前記半導体チップの特性
を調整するトリミング工程とを備えたことを特徴とする
力学量検出装置の製造方法。 - 【請求項3】 前記処理回路部は、トランジスタまたは
トリミング抵抗の少なくともどちらか一方を有している
ことを特徴とする請求項1または2に記載の力学量検出
装置の製造方法。 - 【請求項4】 前記トリミング工程は、前記処理回路部
に設けられた前記トリミング抵抗の抵抗値を可変させる
ことにより前記半導体チップの特性を調整したことを特
徴とする請求項2または3に記載の力学量検出装置の製
造方法。 - 【請求項5】 前記接合層は、低融点ガラスよりなるガ
ラス層であることを特徴とする請求項1乃至4の何れか
1つに記載の力学量検出装置の製造方法。
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