JP2003303874A

JP2003303874A - 半導体ウエーハの搬送装置

Info

Publication number: JP2003303874A
Application number: JP2002109993A
Authority: JP
Inventors: Shinichi Fujisawa; 晋一藤澤
Original assignee: Disco Abrasive Systems Ltd
Current assignee: Disco Corp
Priority date: 2002-04-12
Filing date: 2002-04-12
Publication date: 2003-10-24
Anticipated expiration: 2022-04-12
Also published as: JP4253160B2

Abstract

(57)【要約】【課題】半導体ウエーハの外周部に皺を発生させるこ
となく吸引保持することができるとともに、その厚さを
薄く構成しても剛性を確保することができる吸着パッド
を備えた半導体ウエーハの搬送装置を提供する。【解決手段】半導体ウエーハを吸引保持する吸着保持
面を備えた吸着パッドと、該吸着パッドに負圧を作用せ
しめる吸引手段と、吸着パッドを所定位置に搬送する搬
送移動機構とを具備する半導体ウエーハの搬送装置であ
って、吸着パッドは吸着保持面に連続的に形成された環
状の吸引領域を備えている。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、半導体ウエーハの
裏面を研削する研削装置等に装備され半導体ウエーハを
吸引保持して搬送する半導体ウエーハの搬送装置に関す
る。

【０００２】

【従来の技術】当業者には周知の如く、半導体デバイス
製造工程においては、略円板形状である半導体ウエーハ
の表面に格子状に配列された多数の領域にＩＣ、ＬＳＩ
等の回路を形成し、該回路が形成された各領域を所定の
ストリート（切断ライン）に沿ってダイシングすること
により個々の半導体チップを製造している。半導体チッ
プの放熱性を良好にするためは、半導体チップの厚さを
できるだけ薄く形成することが望ましい。また、半導体
素子を多数用いる携帯電話、スマートカード、パソコン
等の小型化を可能にするためにも、半導体素子の厚さを
できるだけ薄く形成することが望ましい。そのため、半
導体ウエーハを個々の半導体チップに分割する前に、そ
の裏面を研削して所定の厚さ（例えば、１００〜５０μ
ｍ）に加工している。このように、薄く加工された半導
体ウエーハは剛性が低下して撓みが生じ、研削装置等の
装置内における搬送が難しくなる。

【０００３】半導体ウエーハの裏面を研削する研削装置
においては、薄く研削加工された半導体ウエーハを洗浄
部に搬送し、ここで洗浄された半導体ウエーハをカセッ
ト内に搬送する。研削加工された半導体ウエーハを洗浄
部に搬送装置は、一般に半導体ウエーハの上面を全面的
に吸着保持する吸引保持部材を備えているので、薄く研
削加工された半導体ウエーハでも撓みを発生することな
く搬送することができる。しかしながら、洗浄された半
導体ウエーハをカセット内に搬送する搬送装置は、半導
体ウエーハをカセットの複数段の棚に順次搬送するため
に、半導体ウエーハを保持する保持部材の厚さは極力薄
く構成することが要求される。従って、洗浄された半導
体ウエーハをカセット内に搬送する搬送装置は、一般に
Ｕ字状の搬送ハンドの上面に半導体ウエーハを吸着保持
して搬送している。しかしながら、Ｕ字状の搬送ハンド
の上面に薄く研削加工された半導体ウエーハを吸着保持
して搬送すると、撓みにより外周部が垂れ下がり、カセ
ットの棚に搬送する際に棚と干渉して半導体ウエーハが
破損するという問題がある。

【０００４】また、半導体デバイス製造工程において
は、半導体ウエーハの裏面を研削することによって生じ
た研削歪みを除去するために、半導体ウエーハの裏面を
エッチング処理することも一般に行われている。このエ
ッチング処理を実施する際にも、搬送装置による半導体
ウエーハのカセットへの出し入れが行われ、上述した問
題が発生する。この問題を解消するために、半導体ウエ
ーハの上面を全面的に吸引保持するようにした厚さが２
ｍｍ程度の吸着パッドが特開２０００−３４０６３６号
公報に開示されている。

【０００５】上記公報に開示された吸着パッドは、内部
に円形状の吸引室を形成し、該吸引室と吸着保持面とを
連通する複数個の吸引孔を設けたものである。しかる
に、上記吸引室は吸着領域に相当する大きさを確保する
必要があり、厚さが２ｍｍ程度の吸着パッドに吸着領域
に相当する大きさの吸引室を形成すると、吸着領域に必
要な剛性を確保することが困難となる。

【０００６】そこで本出願人は、円形状の吸着板の外周
部に数個の室を形成し、該室と吸着保持面とを複数の吸
引孔によって連通するとともに、各室を吸引通路に連通
した吸着パッドを備えた半導体ウエーハの搬送装置を特
願２００１−３３０３８２号として提案した。この提案
した吸着パッドによれば、吸着板には数個の室と各室を
連通する吸引通路を設ければよいので剛性を確保するこ
とができる。

【０００７】

【発明が解決しようとする課題】而して、特願２００１
−３３０３８２号として提案した吸着パッドは、吸引領
域が円形状の吸着板の外周に沿って点在する構成である
ため、各吸引領域間には吸引保持しない領域が存在す
る。このため、吸着パッドに吸引保持された半導体ウエ
ーハにおいては、各吸引領域間で外周部に皺が発生して
割れ易くなるという問題がある。

【０００８】本発明は上記事実に鑑みてなされたもので
あり、その主たる技術課題は、半導体ウエーハの外周部
に皺を発生させることなく吸引保持することができると
ともに、その厚さを薄く構成しても剛性を確保すること
ができる吸着パッドを備えた半導体ウエーハの搬送装置
を提供することにある。

【０００９】

【課題を解決するための手段】上記主たる技術課題を解
決するため、本発明によれば、半導体ウエーハを吸引保
持する吸着保持面を備えた吸着パッドと、該吸着パッド
に負圧を作用せしめる吸引手段と、該吸着パッドを所定
位置に搬送する搬送移動機構と、を具備する半導体ウエ
ーハの搬送装置において、該吸着パッドは、該吸着保持
面に連続的に形成された環状の吸引領域を備えている、
ことを特徴とする半導体ウエーハの搬送装置が提供され
る。

【００１０】上記吸着パッドは、薄板材によって形成さ
れたパッド本体と、該パッド本体の該吸着保持面と反対
側の接合面に接合される薄板材によって形成されたパッ
ド蓋とからなり、該パッド本体の該接合面には環状の吸
引通路と該吸引通路を該吸引手段に連通する連通路が形
成されており、該吸引通路と連通する複数個の連通孔を
該吸着保持面に開口することにより、該吸着保持面に該
環状の吸引領域を形成する。上記吸引通路は２本の通路
よって形成されており、該２本の通路のそれぞれ中間部
が該連通路と連通していることが望ましい。また、上記
吸着保持面には、フッ素樹脂によるコーティング層が形
成されていることが望ましい。

【００１１】

【発明の実施の形態】以下、本発明による半導体ウエー
ハの搬送装置の好適な実施形態について、添付図面を参
照して詳細に説明する。

【００１２】図１には本発明に従って構成された半導体
ウエーハの搬送装置を装備した研削装置の斜視図が示さ
れている。図示の実施形態における研削装置は、略直方
体状の装置ハウジング２を具備している。装置ハウジン
グ２の図１において右上端には、静止支持板４が立設さ
れている。この静止支持板４の内側面には、上下方向に
延びる２対の案内レール６、６および８、８が設けられ
ている。一方の案内レール６、６には荒研削手段として
の荒研削ユニット１０が上下方向に移動可能に装着され
ており、他方の案内レール８、８には仕上げ研削手段と
しての仕上げ研削ユニット１２が上下方向に移動可能に
装着されている。

【００１３】荒研削ユニット１０は、ユニットハウジン
グ１０１と、該ユニットハウジング１０１の下端に回転
自在に装着された研削ホイール１０２と、該ユニットハ
ウジング１０１の上端に装着され研削ホイール１０２を
矢印で示す方向に回転せしめる回転駆動機構１０３と、
ユニットハウジング１０１を装着した移動基台１０４と
を具備している。移動基台１０４には被案内レール１０
５、１０５が設けられており、この被案内レール１０
５、１０５を上記静止支持板４に設けられた案内レール
６、６に移動可能に嵌合することにより、荒研削ユニッ
ト１０が上下方向に移動可能に支持される。図示の形態
における荒研削ユニット１０は、上記移動基台１０４を
案内レール６、６に沿って移動させ研削ホイール１０２
の切り込み深さを調整する送り機構１１を具備してい
る。送り機構１１は、上記静止支持板４に案内レール
６、６と平行に上下方向に配設され回転可能に支持され
た雄ねじロッド１１１と、該雄ねじロッド１１１を回転
駆動するためのパルスモータ１１２と、上記移動基台１
０４に装着され雄ねじロッド１１１と螺合する図示しな
い雌ねじブロックを具備しており、パルスモータ１１２
によって雄ねじロッド１１１を正転および逆転駆動する
ことにより、荒研削ユニット１０を上下方向に移動せし
める。

【００１４】上記仕上げ研削ユニット１２も荒研削ユニ
ット１０と同様に構成されており、ユニットハウジング
１２１と、該ユニットハウジング１２１の下端に回転自
在に装着された研削ホイール１２２と、該ユニットハウ
ジング１２１の上端に装着され研削ホイール１２２を矢
印で示す方向に回転せしめる回転駆動機構１２３と、ユ
ニットハウジング１２１を装着した移動基台１２４とを
具備している。移動基台１２４には被案内レール１２
５、１２５が設けられており、この被案内レール１２
５、１２５を上記静止支持板４に設けられた案内レール
８、８に移動可能に嵌合することにより、仕上げ研削ユ
ニット１２が上下方向に移動可能に支持される。図示の
形態における仕上げ研削ユニット１２は、上記移動基台
１２４を案内レール８、８に沿って移動させ研削ホイー
ル１２２の切り込み深さを調整する送り機構１３を具備
している。この送り機構１３は、上記送り手段１１と実
質的に同じ構成である。即ち、送り機構１３は、上記静
止支持板４に案内レール８、８と平行に上下方向に配設
され回転可能に支持された雄ねじロッド１３１と、該雄
ねじロッド１３１を回転駆動するためのパルスモータ１
３２と、上記移動基台１２４に装着され雄ねじロッド１
３１と螺合する図示しない雌ねじブロックを具備してお
り、パルスモータ１３２によって雄ねじロッド１３１を
正転および逆転駆動することにより、仕上げ研削ユニッ
ト１２を上下方向に移動せしめる。

【００１５】図示の実施形態における研削装置は、上記
静止支持板４の前側において装置ハウジング２の上面と
略面一となるように配設されたターンテーブル１５を具
備している。このターンテーブル１５は、比較的大径の
円盤状に形成されており、図示しない回転駆動機構によ
って矢印１５ａで示す方向に適宜回転せしめられる。タ
ーンテーブル１５には、図示の実施形態の場合それぞれ
１２０度の位相角をもって半導体ウエーハ載置部材とし
ての３個のチャックテーブル２０が水平面内で回転可能
に配置されている。このチャックテーブル２０は、上方
が開放された円形状の凹部を備えた円盤状の基台２１
と、該基台２１に形成された凹部に嵌合されるポーラス
セラミック盤によって形成された吸着保持チャック２２
とからなっており、図示しない回転駆動機構によって矢
印で示す方向に回転せしめられるように構成されてい
る。なお、チャックテーブル２０は図示しない吸引手段
に接続されている。以上のように構成されたターンテー
ブル１５に配設された３個のチャックテーブル２０は、
ターンテーブル１５が適宜回転することにより被加工物
搬入・搬出域Ａ、荒研削加工域Ｂ、および仕上げ研削加
工域Ｃおよび被加工物搬入・搬出域Ａに順次移動せしめ
られる。

【００１６】図示の研削装置における被加工物搬入・搬
出域Ａに対して一方側には、研削加工前の半導体ウエー
ハを収容する研削前ウエーハ用カセット３１と、該研削
前ウエーハ用カセット３１と被加工物搬入・搬出域Ａと
の間に設けられた半導体ウエーハ載置部材としての仮り
置きテーブル３２が配設されている。研削前ウエーハ用
カセット３１には、表面にテープＴが貼着された半導体
ウエーハＷが収納される。

【００１７】一方、研削装置における被加工物搬入・搬
出域Ａに対して他方側には、研削加工後の該半導体ウエ
ーハを洗浄する洗浄装置３３が配設されている。この洗
浄装置３３は、研削加工後の半導体ウエーハを吸引保持
するするとともに回転せしめる半導体ウエーハ載置部材
としてのスピンナーテーブル３３１を備えている。ま
た、被加工物搬入・搬出域Ａに対して他方側には、上記
洗浄装置３３によって洗浄された研削加工後の半導体ウ
エーハＷを収容する研削後ウエーハ用カセット３４が配
設されている。

【００１８】図示の実施形態における研削装置は、研削
前ウエーハ用カセット３１内に収納された半導体ウエー
ハＷを仮り置きテーブル３２に搬出するとともに洗浄装
置３３で洗浄された半導体ウエーハＷを研削後ウエーハ
用カセット３４に搬送する被加工物搬送機構３５を備え
ている。また、図示の実施形態における研削装置は、上
記仮り置きテーブル３２上に載置された半導体ウエーハ
Ｗを被加工物搬入・搬出域Ａに位置付けられたチャック
テーブル２０上に搬送する被加工物搬入機構３６と、被
加工物搬入・搬出域Ａに位置付けられたチャックテーブ
ル２０上に載置されている研削加工後の半導体ウエーハ
Ｗを洗浄装置３３に搬送する被加工物搬出機構３７を具
備している。

【００１９】次に、上記研削装置の研削動作について簡
単に説明する。表面にテープＴを貼着した半導体ウエー
ハＷは、テープＴを下側に即ち裏面を上側にして研削前
ウエーハ用カセット３１に収容される。研削前ウエーハ
用カセット３１に収容された研削加工前の半導体ウエー
ハＷは被加工物搬送手段３５の上下動作および旋回動作
により搬送され、仮り置きテーブル３２に載置される。
仮り置きテーブル３２に載置された研削前の半導体ウエ
ーハＷは、例えば６本のピンの中心に向かう径方向運動
により中心合わせされる。仮り置きテーブル３２に載置
され中心合わせされた半導体ウエーハＷは、被加工物搬
入手段３６の上下動作および旋回動作によって被加工物
搬入・搬出域Ａに位置付けられたチャックテーブル２０
上にテープＴを下側即ち裏面を上側にして載置される。
チャックテーブル２０上に研削前の半導体ウエーハＷが
載置されたならば、図示しない吸引手段を作動すること
により、研削前の半導体ウエーハＷを吸着保持チャック
２２上に吸引保持することができる。そして、ターンテ
ーブル１５を図示しない回転駆動機構によって矢印１５
ａで示す方向に１２０度回動せしめて、研削前の半導体
ウエーハＷを載置したチャックテーブル２０を荒研削加
工域Ｂに位置付ける。

【００２０】研削前の半導体ウエーハＷを載置したチャ
ックテーブル２０は荒研削加工域Ｂに位置付けられると
図示しない回転駆動機構によって矢印で示す方向に回転
せしめられ、一方、荒研削ユニット１０の研削ホイール
１０２が矢印で示す方向に回転せしめられつつ送り機構
１１によって所定量下降することにより、チャックテー
ブル２０上の研削前半導体ウエーハＷの裏面に荒研削加
工が施される。なお、この間に被加工物搬入・搬出域Ａ
に位置付けられた次のチャックテーブル２０上には、上
述したように研削前の半導体ウエーハＷが載置される。
次に、ターンテーブル１５を矢印１５ａで示す方向に１
２０度回動せしめて、荒研削加工した半導体ウエーハＷ
を載置したチャックテーブル２０を仕上げ研削加工域Ｃ
に位置付ける。なお、このとき被加工物搬入・搬出域Ａ
において研削前の半導体ウエーハＷが載置された次のチ
ャックテーブル２０は荒研削加工域Ｂに位置付けられ、
次の次のチャックテーブル２０が被加工物搬入・搬出域
Ａに位置付けられる。

【００２１】このようにして、荒研削加工域Ｂに位置付
けられたチャックテーブル２０上に載置された荒研削加
工前の半導体ウエーハＷには荒研削ユニット１０によっ
て荒研削加工が施され、仕上げ研削加工域Ｃに位置付け
られたチャックテーブル２０上に載置され荒研削加工さ
れた半導体ウエーハＷには仕上げ研削ユニット１２によ
って仕上げ研削加工が施される。次に、ターンテーブル
１５を矢印１５ａで示す方向に１２０度回動せしめて、
仕上げ研削加工した研削後の半導体ウエーハＷを載置し
たチャックテーブル２０を被加工物搬入・搬出域Ａに位
置付ける。なお、荒研削加工域Ｂにおいて荒研削加工さ
れた半導体ウエーハＷを載置したチャックテーブル２０
は仕上げ研削加工域Ｃに、被加工物搬入・搬出域Ａにお
いて研削前の半導体ウエーハＷが載置されたチャックテ
ーブル２０は荒研削加工域Ｂにそれぞれ移動せしめられ
る。

【００２２】なお、荒研削加工域Ｂおよび仕上げ研削加
工域Ｃを経由して被加工物搬入・搬出域Ａに戻ったチャ
ックテーブル２０は、ここで研削後の半導体ウエーハＷ
の吸着保持を解除する。次に、被加工物搬出手段３７の
上下動作および旋回動作によって被加工物搬入・搬出域
Ａに戻ったチャックテーブル２０上で吸着保持が解除さ
れた研削後の半導体ウエーハＷをチャックテーブル２０
から搬出し、洗浄装置３３の半導体ウエーハ載置部材と
してのスピンナーテーブル３３１上に載置する。スピン
ナーテーブル３３１上に載置された研削後の半導体ウエ
ーハＷはスピンナーテーブル３３１上に吸着保持され、
ここで研削時に付着したコンタミが洗浄され、更にスピ
ン乾燥される。半導体ウエーハＷが洗浄・乾燥されたな
らば、半導体ウエーハＷの吸着保持を解除する。次に、
スピンナーテーブル３３１上で吸着保持が解除された半
導体ウエーハＷは、被加工物搬送手段３５の上下動作お
よび旋回動作により研削後ウエーハ用カセット３４に搬
送され収納される。

【００２３】上述した研削装置に装備された上記被加工
物搬送機構３５は、上述したように研削加工されて薄く
形成された半導体ウエーハＷを研削後ウエーハ用カセッ
ト３４に搬送するために、半導体ウエーハＷに撓みを発
生させることなく保持することができるとともに、厚さ
の薄い吸着パッドを装備することが要求されている。図
示の実施形態における被加工物搬送機構３５は上記要求
を満足する吸着パッドを装備しており、以下図２乃至図
６を参照して説明する。

【００２４】図２に示す被加工物搬送機構３５は、上述
したように半導体ウエーハＷの上面を吸引保持する吸着
パッド４０と、該吸着パッド４０を所定位置に搬送する
搬送移動機構５０とを具備している。吸着パッド４０
は、パッド本体４０ａとパッド蓋４０ｂとから構成され
ており、図２および図３に示すように該パッド本体４０
ａの上面にパッド蓋４０ｂが接合されている。以下、吸
着パッド４０を構成するパッド本体４０ａおよびパッド
蓋４０ｂについて図４乃至図６を参照して説明する。

【００２５】図４には吸着パッド４０を構成するパッド
本体４０ａの平面図が示されており、図５にはパッド本
体４０ａの底面図が示されている。図４および図５に示
すパッド本体４０ａは、厚さが１ｍｍのステンレス鋼板
またはアルミ合金板等の薄板材によって構成されてお
り、半導体ウエーハＷの径と同等または僅かに小さい径
を有する円形状の保持部４１と、該保持部４１の外周の
一部から径方向に突出して形成された装着部４２とから
なっている。パッド本体４０ａを構成する保持部４１の
上面即ち接合面４１ａには、図４に示すように外周に沿
って環状の吸引通路４１１が形成されている。この環状
の吸引通路４１１は２本の凹溝からなる通路４１１ａお
よび４１１ｂによって形成されており、互いに対向する
両端が閉鎖されている。この２本の通路４１１ａおよび
４１１ｂは、図示の実施形態においては幅が５ｍｍで深
さが０．５ｍｍに形成されている。また、パッド本体４
０ａを構成する保持部４１および装着部４２の上面に
は、上記環状の吸引通路４１１を形成する２本の通路４
１１ａおよび４１１ｂと図示しない吸引手段とをそれぞ
れ連通する２本の凹溝からなる通路４１２ａおよび４１
２ｂによって形成された連通路４１２が設けられてい
る。この連通路４１２を構成する２本の通路４１２ａお
よび４１２ｂは、図示の実施形態においては幅が３ｍｍ
で深さが０．５ｍｍに形成されており、上記吸引通路４
１１を形成する２本の通路４１１ａおよび４１１ｂとの
連通部がそれぞれ通路４１１ａおよび４１１ｂの略中間
位置に位置している。従って、吸引通路４１１を形成す
る２本の通路４１１ａおよび４１１ｂは、吸引手段と接
続した連通路４１２との連通部から端部までの距離が略
等しくなるため、図示しない吸引手段によって負圧が作
用せしめられると吸引通路４１１内は略同時に負圧とな
る。なお、図示の実施形態においては、環状の吸引通路
４１１および連通路４１２はパッド本体４０ａを構成す
る保持部４１および装着部４２の上面に凹溝として形成
するので、容易に加工することができる。

【００２６】吸着パッド４０のパッド本体４０ａを構成
する保持部４１の下面即ち吸着保持面４１ｂには、図
２、図４および図５に示すように上記連通路４１２を構
成する２本の通路４１１ａおよび４１２ｂにそれぞれ連
通する複数個の吸引孔４１３ａおよび４１３ｂが開口し
て設けられている。この吸引孔４１３ａおよび４１３ｂ
は、図示の実施形態においては直径が０．５ｍｍに形成
されており、２本の通路４１２ａおよび４１２ｂと対応
する部分に３列に設けられている。従って、上記吸引通
路４１１が負圧となると、数個の吸引孔４１３ａおよび
４１３ｂを通して保持部４１の吸着保持面４１ｂには環
状の吸引領域が形成される。なお、パッド本体４０ａを
構成する保持部４１の吸着保持面４１ｂには、４塩化フ
ッ素等のフッ素樹脂によるコーティッグ層を形成するこ
とが望ましい。即ち、保持部４１の下面即ち吸着保持面
に低摩擦性および低粘着性部材である４塩化フッ素等の
フッ素樹脂によるコーティッグ層を形成することによ
り、吸引保持した半導体ウエーハの吸引を解除した際に
吸着保持面に張りつき難くなり、容易に分離することが
できる。また、パッド本体４０ａを構成する装着部４２
には、後述するアーム機構に装着するための複数個の取
付け孔４２１が設けられている。

【００２７】吸着パッド４０を構成するパッド蓋４０ｂ
は、図６に示すように厚さが０．５ｍｍのステンレス鋼
板またはアルミ合金板等の薄板材によって上記パッド本
体４０ａと略同一の輪郭で形成されており、上記パッド
本体４０ａを構成する保持部４１と対応する蓋部４３と
パッド本体４０ａを構成する装着部４２と対応する装着
部４４とからなっている。なお、装着部４４には、上記
パッド本体４０ａの装着部４２と同様に後述するアーム
機構に装着するための複数個の取付け穴４４１が設けら
れている。このように形成されたパッド蓋４０ｂの下面
を上記パッド本体４０ａの上面に両面接着テープによっ
て接合することによって、吸着パッド４０が構成され
る。以上のように構成された吸着パッド４０は、吸引通
路４１１が環状に形成されているので、従来の吸着パッ
ドのように円形の負圧室を設けないため、吸着パッド４
０の剛性を確保することができる。

【００２８】次に図２に戻って、上述した吸着パッド４
０を搬送する搬送移動機構５０について説明する。図示
の実施形態における搬送移動機構５０は、吸着パッド４
０を支持するアーム機構５１と該アーム機構５１を上下
方向に移動する昇降手段５２およびアーム機構５１を旋
回せしめる旋回手段５３を具備している。アーム機構５
１は、第１のアーム５１１と第２アーム５１２とからな
っており、第２アーム５１２に上記吸着パッド４０を構
成するパッド本体４０ａの装着部４２およびパッド蓋４
０ｂを構成する装着部４４が取付けられる。即ち、吸着
パッド４０は、装着部４２、４４に設けられた取付け穴
４２１、４２１を挿通して配設されたビスを第２アーム
５１２に設けられた取付けネジ穴に螺合することによっ
て取り付けられる。一方、アーム機構５１を構成する第
１のアーム５１１は、ケース５４に回転可能でかつ上下
方向に移動可能に支持された作動軸５５に取り付けられ
る。この作動軸５５は、昇降手段５２および旋回手段５
３によって上下方向に作動せしめられるとともに、旋回
動せしめられる。昇降手段５２は、正転・逆転可能な電
動モータおよび該電動モータによって駆動されるスクリ
ュー機構を含んでおり、電動モータを正転駆動すると作
動軸５５を上昇せしめ、電動モータを逆転駆動すると作
動軸５５を下降せしめる。旋回手段５３は、正転・逆転
可能な電動モータおよび該電動モータによって駆動され
る駆動機構を含んでおり、電動モータを正転駆動すると
作動軸５５を一方向に回動せしめ、電動モータを逆転駆
動すると作動軸５５を他方向に回動せしめる。

【００２９】図示の実施形態における被加工物搬送機構
３５は以上のように構成されており、以下図１に示す洗
浄装置３３で洗浄・乾燥された研削後の半導体ウエーハ
Ｗを研削後ウエーハ用カセット３４に搬送する作動につ
いて説明する。図１に示す洗浄装置３３で洗浄・乾燥さ
れた研削後の半導体ウエーハＷを研削後ウエーハ用カセ
ット３４に搬送するに際しては、図１に示すホームポジ
ションに位置付けられている吸着パッド４０を洗浄装置
３３のスピンナーテーブル３３１に載置されている半導
体ウエーハＷの上方位置に位置付ける。即ち、被加工物
搬送機構３５の昇降手段５２を所定量上昇作動するとと
もに、旋回手段５３を旋回作動して吸着パッド４０をス
ピンナーテーブル３３１に載置されている半導体ウエー
ハＷの上方位置に位置付ける。そして、昇降手段５２を
所定量下降作動して、吸着パッド４０のパッド本体４０
ａを構成する保持部４１の下面即ち吸引保持面をスピン
ナーテーブル３３１に載置されている半導体ウエーハＷ
の上面に接触せしめる。

【００３０】次に、図示しない吸引手段を作動し吸着パ
ッド４０に形成された連通路４１２を通して環状の吸引
通路４１１内を負圧にする。吸引通路４１１内が負圧に
なると、吸引通路４１１に連通された数個の吸引孔４１
３ａおよび４１３ｂが開口している吸着パッド４０を構
成する保持部４１の環状の吸引領域に負圧が作用する。
この結果、保持部４１の環状の吸引領域に半導体ウエー
ハＷの上面が吸着される。なお、吸引領域は環状に形成
されているため、保持部４１の吸引領域より内側も負圧
となるので、保持部４１の吸引保持面の略全面で半導体
ウエーハＷを吸引保持することになる。従って、半導体
ウエーハＷが薄く形成されていても撓みにより外周部が
垂れ下がることはない。また、吸引領域は環状に連続的
に形成されているので、上記特願２００１−３３０３８
２号として提案した吸着パッドのように、吸引領域間で
半導体ウエーハの外周部に皺が発生することもない。

【００３１】以上のようにして、吸着パッド４０の吸引
保持面に半導体ウエーハＷを吸引保持したならば、昇降
手段５２をおよび旋回手段５３を作動して吸着パッド４
０に吸引保持されている半導体ウエーハＷを研削後ウエ
ーハ用カセット３４の所定の収納位置に搬送する。この
とき、吸着パッド４０の厚さは図示の実施形態において
は１．５ｍｍに構成されているので、研削後ウエーハ用
カセット３４の狭い間に搬送することが可能となる。

【００３２】以上、図示の研削装置における被加工物搬
送機構３５に本発明を適用した例について説明したが、
半導体ウエーハを搬送する他の加工装置の搬送装置に広
く適用することができる。

【００３３】

【発明の効果】本発明に係る半導体ウエーハの搬送装置
は以上のように構成され、吸着パッドが吸着保持面に連
続的に形成された環状の吸引領域を備えているので、環
状の吸引領域に半導体ウエーハの上面が吸着される。こ
の吸引領域は環状に形成されているため吸引領域より内
側も負圧となるので、吸引保持面の略全面で半導体ウエ
ーハＷを吸引保持することになり、半導体ウエーハが薄
く形成されていても撓みにより外周部が垂れ下がること
はない。また、吸引領域は環状に連続的に形成されてい
るので、吸引領域間で半導体ウエーハの外周部に皺が発
生することもない。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明に従って構成された半導体ウエーハの搬
送装置を適用する研削装置の斜視図。

【図２】本発明に従って構成された半導体ウエーハの搬
送装置の斜視図。

【図３】図２におけるＡ−Ａ断面拡大図。

【図４】図２に示す吸着パッドを構成するパッド本体の
平面図。

【図５】図２に示す吸着パッドを構成するパッド本体の
底面図。

【図６】図２に示す吸着パッドを構成するパッド蓋の平
面図。

【符号の説明】

２：装置ハウジング４：静止支持板４６：案内レール８：案内レール１０：荒研削ユニット１２：仕上げ研削ユニット１３：送り機構１５：ターンテーブル２０：チャックテーブル３１：研削前ウエーハ用カセット３２：仮り置きテーブル３３：洗浄装置３４：研削後ウエーハ用カセット３５：被加工物搬送手段３６：被加工物搬入手段３７：被加工物搬出手段４０：吸着パッド４０ａ：パッド本体４０ｂ：パッド蓋４１：吸着パッドの保持部４１１：吸引通路４１２：連通路４１３ａ、４１３ｂ：吸引孔４２：吸着パッドの装着部４３：パッド蓋の蓋部４４：パッド蓋の装着部５０：搬送移動機構５１：アーム機構５１１：第１のアーム５１２：第２のアーム５２：昇降手段５３：旋回手段５４：ケース５５：作動軸

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続きＦターム(参考） 3C033 BB04 BB10 HH05 HH16 HH27 5F031 CA02 DA01 DA15 FA01 FA07 FA11 FA12 FA15 FA20 GA24 GA26 GA32 GA43 GA47 GA49 HA13 HA58 HA59 HA78 LA09 LA12 MA22 MA23 PA20

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】半導体ウエーハを吸引保持する吸着保持
面を備えた吸着パッドと、該吸着パッドに負圧を作用せ
しめる吸引手段と、該吸着パッドを所定位置に搬送する
搬送移動機構と、を具備する半導体ウエーハの搬送装置
において、該吸着パッドは、該吸着保持面に連続的に形成された環
状の吸引領域を備えている、ことを特徴とする半導体ウエーハの搬送装置。
【請求項２】該吸着パッドは、薄板材によって形成さ
れたパッド本体と、該パッド本体の該吸着保持面と反対
側の接合面に接合される薄板材によって形成されたパッ
ド蓋とからなり、該パッド本体の該接合面には環状の吸
引通路と該吸引通路を該吸引手段に連通する連通路が形
成されており、該吸引通路と連通する複数個の連通孔を
該吸着保持面に開口することにより、該吸着保持面に該
環状の吸引領域を形成する、請求項１記載の半導体ウエ
ーハの搬送装置。
【請求項３】該吸引通路は２本の通路によって形成さ
れており、該２本の通路のそれぞれ中間部が該連通路と
連通している、請求項２記載の半導体ウエーハの搬送装
置。
【請求項４】該吸着保持面には、フッ素樹脂によるコ
ーティング層が形成されている、請求項１記載の半導体
ウエーハの搬送装置。