JP2003297803A - Chemical treatment device and method for semiconductor wafer - Google Patents
Chemical treatment device and method for semiconductor waferInfo
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Abstract
Description
【０００１】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は、例えば太陽電池な
どの製造工程において使用される半導体ウエハの化学処
理装置及び化学処理方法に関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a chemical processing apparatus and a chemical processing method for semiconductor wafers used in the manufacturing process of, for example, solar cells.
【０００２】[0002]
【従来の技術】従来の一般的な太陽電池の製造工程につ
いて、図１１（ａ）〜（ｅ）を参照して説明する。な
お、図示は省略しているが、図１１（ａ）〜（ｅ）の各
工程において、通常、板状のシリコン半導体ウエハは、
ウエハキャリアに複数枚まとめて収納され、自動搬送シ
ステムによって各工程間を搬送される。2. Description of the Related Art A conventional manufacturing process of a general solar cell will be described with reference to FIGS. Although illustration is omitted, in each step of FIGS. 11A to 11E, a plate-shaped silicon semiconductor wafer is
A plurality of wafers are collectively stored in a wafer carrier, and are transferred between processes by an automatic transfer system.
【０００３】Ｐ型多結晶のシリコン半導体ウエハの入荷
工程（図１１（ａ）参照）では、シリコン半導体ウエハ
２０１の表面には、シリコンインゴット（図示省略）か
らスライス加工した際の欠陥層２０２が残留している。In the step of receiving a P-type polycrystalline silicon semiconductor wafer (see FIG. 11A), a defect layer 202 remains when the silicon ingot (not shown) is sliced on the surface of the silicon semiconductor wafer 201. is doing.
【０００４】シリコンエッチング工程（図１１（ｂ）参
照）では、シリコン半導体ウエハ２０１をアルカリ性の
水溶液が満たされた薬液槽（図示省略）に浸漬してエッ
チング処理し、欠陥層２０２を除去する。ただし、シリ
コンエッチング工程では、複数枚のシリコンウエハを収
納したウエハキャリアごと薬液槽に浸漬するのが通常で
ある。In the silicon etching step (see FIG. 11B), the silicon semiconductor wafer 201 is immersed in a chemical bath (not shown) filled with an alkaline aqueous solution for etching to remove the defective layer 202. However, in the silicon etching step, it is normal to immerse the wafer carrier containing a plurality of silicon wafers in a chemical bath.
【０００５】Ｎ＋拡散工程（図１１（ｃ）参照）では、
シリコン半導体ウエハ２０１の受光面になる表側に熱処
理等にてＮ＋拡散層２０３を形成する。In the N + diffusion process (see FIG. 11C),
An N + diffusion layer 203 is formed on the front side of the silicon semiconductor wafer 201, which is the light receiving surface, by heat treatment or the like.
【０００６】反射防止膜形成工程（図１１（ｄ）参照）
では、ＣＶＤ法などの成膜方法にてシリコン半導体ウエ
ハ２０１の表側に光の吸収を向上させる反射防止膜２０
４を形成する。Antireflection film forming step (see FIG. 11D)
Then, the antireflection film 20 for improving light absorption on the front side of the silicon semiconductor wafer 201 by a film forming method such as a CVD method.
4 is formed.
【０００７】電極形成工程（図１１（ｅ）参照）では、
印刷法などのパターニング方法にてシリコン半導体ウエ
ハ２０１の裏側に全面電極２０５及びコンタクト電極２
０６を形成し、さらにシリコン半導体ウエハ２０１の表
側にコンタクト電極２０７を形成する。In the electrode forming step (see FIG. 11 (e)),
The whole surface electrode 205 and the contact electrode 2 are formed on the back side of the silicon semiconductor wafer 201 by a patterning method such as a printing method.
06, and a contact electrode 207 is formed on the front side of the silicon semiconductor wafer 201.
【０００８】以上のような太陽電池の製造工程におい
て、従来は、図８ないし図１０に示すシリコンエッチン
グ化学処理装置が一般に採用されていた。ただし、図８
は、化学処理装置の全体構成図、図９は、搬送ロボット
によって浮き上がり押さえ治具をキャリアにセットする
様子を示す説明図、図１０は、アルカリエッチ槽と純水
洗浄槽との間を移動する搬送ロボットの様子を示す説明
図である。In the solar cell manufacturing process as described above, conventionally, the silicon etching chemical treatment apparatus shown in FIGS. 8 to 10 has been generally adopted. However, FIG.
9 is an overall configuration diagram of the chemical processing apparatus, FIG. 9 is an explanatory diagram showing how a lifting robot is set on a carrier by a transfer robot, and FIG. 10 is a diagram showing movement between an alkali etching tank and a pure water cleaning tank. It is explanatory drawing which shows the mode of a conveyance robot.
【０００９】この化学処理装置は、全体が筐体１０１内
に組み付けられており、筐体１０１内には、２台の搬送
ロボットＡ２，Ｂ２が備えられている。処理槽は、アル
カリエッチ槽１０３、純水洗浄槽１０４、酸中和処理槽
１０５、純水洗浄槽１０６、乾燥槽１０７の５槽からな
る。また、投入ベルト部１０２と排出ベルト部１０８と
で前工程と次工程とのインターフェイスをとっている。This chemical processing apparatus is entirely assembled in a housing 101, and the housing 101 is provided with two transfer robots A2 and B2. The treatment tank comprises five tanks, an alkali etching tank 103, a pure water cleaning tank 104, an acid neutralization processing tank 105, a pure water cleaning tank 106, and a drying tank 107. Further, the input belt unit 102 and the discharge belt unit 108 serve as an interface between the previous process and the next process.
【００１０】搬送ロボットＡ２，Ｂ２は、図９及び図１
０に詳細に示すように、筐体１０１の天面部１０１ａに
設けられた図示しないレール部材に支持される形で、搬
送方向Ｘに沿って往復移動可能に設けられており、図示
しない駆動機構部により上下動可能な支持杆１１０によ
って支持されている。この支持杆１１０の下部にはロボ
ット本体部１１１が取り付けられており、このロボット
本体部１１１に、一対のキャリアアーム１１２，１１２
及び治具用アーム１１５，１１５が設けられている。The transfer robots A2 and B2 are shown in FIGS.
As shown in detail in FIG. 0, the drive mechanism portion (not shown) is provided so as to be reciprocally movable along the transport direction X while being supported by a rail member (not shown) provided on the top surface portion 101a of the housing 101. Is supported by a support rod 110 which can be moved up and down. A robot main body 111 is attached to a lower portion of the support rod 110, and a pair of carrier arms 112, 112 is attached to the robot main body 111.
Also, jig arms 115, 115 are provided.
【００１１】また、キャリアアーム１１２には、一定の
間隔を存して３個のキャリア用チャック１１３が設けら
れており、各キャリアアーム１１２，１１２に設けられ
た３個のキャリア用チャック１１３同士がそれぞれ対向
するように配置されている。Further, the carrier arm 112 is provided with three carrier chucks 113 with a certain space therebetween, and the three carrier chucks 113 provided on the carrier arms 112, 112 are mutually attached. They are arranged so as to face each other.
【００１２】同様に、治具用アーム１１５には、一定の
間隔を存して３個の治具用チャック１１６が設けられて
おり、各治具用アーム１１５，１１５に設けられた３個
の治具用チャック１１６，１１６同士がそれぞれ対向す
るように配置されている。Similarly, the jig arm 115 is provided with three jig chucks 116 at regular intervals, and three jig chucks 115, 115 are provided with three jig chucks 116. The jig chucks 116, 116 are arranged so as to face each other.
【００１３】これらキャリア用チャック１１３及び治具
用チャック１１６は、キャリアアーム１１２及び治具用
アーム１１５を回転駆動することにより、開閉可能な構
造となっている。The carrier chuck 113 and the jig chuck 116 have a structure that can be opened and closed by rotationally driving the carrier arm 112 and the jig arm 115.
【００１４】一方、シリコン半導体ウエハ２０１を収納
するキャリア３０１は、側面視上向きコ字状に形成され
ており、このキャリア３０１の上面開口部３０２から、
一定の間隔を存して複数枚のシリコン半導体ウエハ２０
１が収納されるようになっている。キャリア３０１の左
右側壁の上端部には、係止部３０３が設けられており、
この係止部３０３を搬送ロボットＡ２，Ｂ２のキャリア
用チャック１１３で掴むことによってキャリア３０１を
搬送するようになっている。On the other hand, the carrier 301 for accommodating the silicon semiconductor wafer 201 is formed in a U shape facing upward in a side view.
A plurality of silicon semiconductor wafers 20 with a fixed interval
1 is to be stored. Locking portions 303 are provided on the upper end portions of the left and right side walls of the carrier 301,
The carrier 301 is transported by gripping the locking portion 303 with the carrier chuck 113 of the transport robots A2 and B2.
【００１５】シリコンエッチングのような激しい化学反
応が起こる処理では、液中で反応により発生したガスが
シリコン半導体ウエハ（以下、単に「ウエハ」ともい
う）２０１の表面に付着し、ウエハ２０１の浮き上がり
を発生させる。従って、従来の化学処理装置では、ウエ
ハ２０１の浮き上がりを避けるために、ウエハ２０１を
収納して搬送するキャリア３０１の上面開口部３０２
に、浮き上がり押さえ治具４０１を載せて、アルカリエ
ッチ処理槽１０５でのウエハ２０１の浮き上がりを防止
している。そのため、筐体１０１の投入側（図８では左
側）には、この浮き上がり押さえ治具４０１を収納して
おく治具収納部１０９が設けられている。In a process in which a vigorous chemical reaction such as silicon etching occurs, the gas generated by the reaction in the liquid adheres to the surface of a silicon semiconductor wafer (hereinafter, also simply referred to as “wafer”) 201, and the wafer 201 is lifted up. generate. Therefore, in the conventional chemical processing apparatus, in order to avoid the floating of the wafer 201, the upper surface opening 302 of the carrier 301 that stores and conveys the wafer 201.
A floating holding jig 401 is placed on the surface of the wafer to prevent the wafer 201 from floating in the alkali etching treatment tank 105. Therefore, on the loading side (left side in FIG. 8) of the housing 101, a jig housing section 109 for housing the lifting holding jig 401 is provided.
【００１６】次に、上記構成の化学処理装置を使用した
シリコンエッチング処理工程について説明する。Next, a silicon etching process using the chemical processing apparatus having the above structure will be described.
【００１７】まず、前工程よりキャリア３０１に複数枚
収納されたウエハ２０１が投入ベルト部１０２により搬
送されて待機位置５００で止まる。First, a plurality of wafers 201 stored in the carrier 301 from the previous step are carried by the loading belt section 102 and stopped at the standby position 500.
【００１８】次に、搬送ロボットＡ２が、治具用チャッ
ク１１６により、治具収納部１０９に収納されている浮
き上がり押さえ治具４０１の中から１個の浮き上がり押
さえ治具４０１を掴み、待機位置５００まで排出する。
そして、待機位置５００にあるキャリア３０１の上面開
口部３０２に浮き上がり押さえ治具４０１を載置（セッ
ト）する。Next, the transfer robot A2 uses the jig chuck 116 to grab one of the lifting holding jigs 401 stored in the jig housing portion 109, and wait position 500. Discharge up to.
Then, the lifting and holding jig 401 is placed (set) on the upper surface opening 302 of the carrier 301 at the standby position 500.
【００１９】次に、搬送ロボットＡ２は、キャリア用チ
ャック１１３により、浮き上がり押さえ治具４０１のセ
ットされたキャリア３０１を掴み、アルカリエッチ槽１
０３に浸漬させる。この後、搬送ロボットＡ２をアルカ
リエッチ槽１０３から退避させてエッチング処理を行
う。Next, the transfer robot A2 grips the carrier 301 on which the lifting and holding jig 401 is set by the carrier chuck 113, and the alkali etching tank 1
Soak in 03. After that, the transport robot A2 is retracted from the alkali etching bath 103 to perform etching processing.
【００２０】このとき、液中で反応により発生したガス
がウエハ２０１の表面に付着し、ウエハ２０１の浮き上
がりを発生させるが、キャリア３０１の上には浮き上が
り押さえ治具４０１がセットされているため、ウエハ２
０１の浮き上がりは防止される。At this time, the gas generated by the reaction in the liquid adheres to the surface of the wafer 201 and causes the wafer 201 to float. However, since the float holding jig 401 is set on the carrier 301, Wafer 2
Lifting of 01 is prevented.
【００２１】一定時間エッチング処理されたウエハ２０
１は、搬送ロボットＡ２により次の純水洗浄槽１０４に
搬送され、浸漬される。このとき、浮き上がり押さえ治
具４０１は、治具用チャック１１６によりチャックした
まま純水洗浄槽１０４から搬送ロボットＡ２を退避さ
せ、治具収納部１０９まで搬送して、浮き上がり押さえ
治具４０１を治具収納部１０９に戻す。Wafer 20 that has been etched for a certain period of time
1 is transported to and immersed in the next pure water cleaning tank 104 by the transport robot A2. At this time, the lifting hold jig 401 retracts the transfer robot A2 from the pure water cleaning tank 104 while being chucked by the jig chuck 116, and carries it to the jig housing section 109 to move the lifting hold jig 401 to the jig. Return to the storage section 109.
【００２２】純水洗浄槽１０４での洗浄以降は、もう１
台の搬送ロボットＢ２にて、酸中和処理槽１０５、純水
洗浄槽１０６、乾燥槽１０７と順次搬送されてそれぞれ
の処理が行われ、最後に排出ベルト部１０８に排出され
て、次の工程に搬送されることになる。After cleaning in the pure water cleaning tank 104, another
The carrier robot B2 is sequentially carried by the acid neutralization treatment tank 105, the pure water cleaning tank 106, and the drying tank 107 to perform the respective treatments, and finally is discharged to the discharge belt unit 108, and the next process is performed. Will be transported to.
【００２３】[0023]
【発明が解決しようとする課題】このように、従来の化
学処理装置では、浮き上がり押さえ治具４０１の搬送、
キャリア３０１へのセットといった工程が必要である
が、浮き上がり押さえ治具４０１をキャリア３０１にセ
ットすることが非常に難しく、搬送トラブルを引き起こ
す一因となっていた。そして、一旦搬送トラブルが起こ
ると、アルカリエッチ槽１０３でウエハ２０１が全部浮
き上がり、全て不良品になってしまうといった問題があ
った。As described above, in the conventional chemical processing apparatus, the lifting and holding jig 401 is conveyed,
Although a step of setting on the carrier 301 is required, it is very difficult to set the lifting and holding jig 401 on the carrier 301, which is one of the causes of the transport trouble. Then, once a transfer trouble occurs, there is a problem that all the wafers 201 are lifted up in the alkali etching tank 103 and all of them become defective products.
【００２４】また、安定した品質のシリコンエッチング
処理を行うには非常に処理時間がかかり、他の洗浄工程
と比較しても数倍時間がかかるため、通常は１つのアル
カリエッチ槽１０３内にキャリア３０１を数列（従来例
では３列）配置して設備効率を上げている。すなわち、
大きなアルカリエッチ槽１０３を形成し、その中に３つ
のキャリア３０１を同時に浸漬してエッチング処理する
構成としている。この場合、シリコンエッチングのよう
な激しい化学反応が起こる処理では、液中での反応によ
りウエハ２０１のみならずキャリア３０１自体にも浮力
を及ぼすため、液中でキャリア３０１が移動して位置ず
れを起こし、搬送ロボットＡ２による搬送ミスを招くと
いった問題があった。Further, it takes a very long processing time to carry out a silicon etching process of stable quality, and it takes several times as long as other cleaning processes. Therefore, it is usually carried in one alkali etching tank 103. A plurality of 301 (three rows in the conventional example) are arranged to improve the equipment efficiency. That is,
A large alkaline etching bath 103 is formed, and three carriers 301 are simultaneously immersed in the alkaline etching bath 103 for etching treatment. In this case, in a process in which a vigorous chemical reaction such as silicon etching occurs, buoyancy is exerted not only on the wafer 201 but also on the carrier 301 itself due to the reaction in the liquid, so that the carrier 301 moves in the liquid and a positional shift occurs. However, there is a problem in that the transport robot A2 causes a transport error.
【００２５】さらに、従来の化学処理装置では、浮き上
がり押さえ治具４０１とキャリア３０１との搬送を同じ
搬送ロボットＡ２で行っているため、搬送量が多くな
り、タクトタイムを遅くする要因にもなっている。ま
た、浮き上がり押さえ治具４０１のみを個別に搬送する
ロボットを設けた場合には、設備コストのアップにな
り、動作的にも複雑になるといった問題がある。Further, in the conventional chemical processing apparatus, since the lifting holding jig 401 and the carrier 301 are carried by the same carrying robot A2, the carrying amount becomes large, which causes a delay in the takt time. There is. Further, when a robot that individually conveys only the lifting and holding jig 401 is provided, there is a problem that the equipment cost increases and operation becomes complicated.
【００２６】本発明はかかる問題点を解決すべく創案さ
れたもので、その目的は、従来の浮き上がり押さえ治具
を用いることなく、エッチング処理槽での安定した処理
動作を実現することのできる半導体ウエハの化学処理装
置及び化学処理方法を提供することにある。The present invention was devised to solve such a problem, and an object thereof is a semiconductor capable of realizing a stable processing operation in an etching processing tank without using a conventional lifting and holding jig. A chemical processing apparatus and a chemical processing method for a wafer are provided.
【００２７】[0027]
【課題を解決するための手段】本発明の半導体ウエハの
化学処理装置は、半導体ウエハを収納したキャリアを保
持して化学処理槽の液内に浸漬させる搬送ロボットを有
する半導体ウエハの化学処理装置であって、前記搬送ロ
ボットに、前記キャリアに収納された半導体ウエハの液
内での浮き上がりを押さえる第１押さえ手段が設けられ
るとともに、前記化学処理槽内に、前記キャリアに収納
された半導体ウエハの液内での浮き上がりを前記第１押
さえ手段に代わって押さえる第２押さえ手段が設けられ
たことを特徴としている。A chemical treatment apparatus for a semiconductor wafer according to the present invention is a chemical treatment apparatus for a semiconductor wafer having a carrier robot for holding a carrier containing a semiconductor wafer and immersing the carrier in a liquid of a chemical treatment tank. Therefore, the transfer robot is provided with a first holding means for holding the semiconductor wafer stored in the carrier from rising in the liquid, and the liquid of the semiconductor wafer stored in the carrier is provided in the chemical treatment tank. It is characterized in that a second holding means is provided for holding up inside of the body instead of the first holding means.
【００２８】このような特徴を有する本発明によれば、
キャリアを化学処理槽に浸漬させる過程では、搬送ロボ
ットに設けられた第１押さえ手段によって半導体ウエハ
の浮き上がりが確実に押さえられ、化学処理中は化学処
理槽内に設けられた第２押さえ手段によって半導体ウエ
ハの浮き上がりが確実に押さえられるので、高速で安定
した処理動作を実現することができる。According to the present invention having such characteristics,
In the process of immersing the carrier in the chemical treatment tank, the lifting of the semiconductor wafer is surely suppressed by the first holding means provided in the transfer robot, and the semiconductor is held by the second holding means provided in the chemical processing tank during the chemical treatment. Since the floating of the wafer is surely suppressed, a high-speed and stable processing operation can be realized.
【００２９】また、本発明の半導体ウエハの化学処理装
置によれば、前記第２押さえ手段は、前記化学処理槽の
液内にて前記半導体ウエハが前記キャリアから若干浮き
上がった状態で半導体ウエハの浮き上がりを押さえるよ
うに設けられている。これにより、半導体ウエハの全体
に化学処理であるエッチング処理が施されることにな
る。Further, according to the semiconductor wafer chemical processing apparatus of the present invention, the second pressing means lifts the semiconductor wafer while the semiconductor wafer is slightly lifted from the carrier in the liquid of the chemical processing tank. It is provided to hold down. As a result, the etching process, which is a chemical process, is performed on the entire semiconductor wafer.
【００３０】また、本発明の半導体ウエハの化学処理装
置によれば、前記化学処理槽内に、前記キャリアの位置
を固定するキャリアガイド手段が設けられていることを
特徴としている。このように、キャリアガイド手段によ
ってキャリアの位置を固定することで、キャリアの転倒
や移動が防止されるので、搬送ロボットで搬出するとき
の搬出ミスも発生しない。According to the semiconductor wafer chemical treatment apparatus of the present invention, carrier guide means for fixing the position of the carrier is provided in the chemical treatment tank. In this way, by fixing the position of the carrier by the carrier guide means, the carrier is prevented from tipping over or moving, so that a carry-out error does not occur when the carrier robot carries out the carrier.
【００３１】また、本発明の半導体ウエハの化学処理装
置によれば、前記搬送ロボットは、保持したキャリアに
収納されている半導体ウエハに対して散水する散水手段
を備えていることを特徴としている。このように、半導
体ウエハが空中にあるときに散水手段により散水するこ
とで、空中での異常エッチング反応を静止させることが
できる。Further, according to the semiconductor wafer chemical treatment apparatus of the present invention, the transfer robot is provided with a sprinkling means for sprinkling the semiconductor wafers stored in the held carrier. As described above, by sprinkling the semiconductor wafer with water while the semiconductor wafer is in the air, the abnormal etching reaction in the air can be stopped.
【００３２】また、本発明の半導体ウエハの化学処理方
法は、半導体ウエハを収納したキャリアを保持して化学
処理槽の液内に浸漬させる搬送ロボットを用いた半導体
ウエハの化学処理方法であって、前記搬送ロボットに設
けられた第１押さえ手段により、前記キャリアに収納さ
れた半導体ウエハを押さえながら化学処理槽に浸漬させ
る工程と、化学処理槽に設けられた第２押さえ手段によ
り、化学処理槽に浸漬された半導体ウエハの浮き上がり
を前記第１押さえ手段に代わって押さえる工程と、前記
搬送ロボットを化学処理槽から退避させる工程と、前記
第２押さえ手段にて半導体ウエハの浮き上がりを押さえ
た状態で化学処理を行う工程と、化学処理後に前記搬送
ロボットを化学処理槽内に進入させて前記キャリアを保
持するとともに、前記搬送ロボットの第１押さえ手段に
より、半導体ウエハの浮き上がりを前記第２押さえ手段
に代わって押さえる工程と、第１押さえ手段にて押さえ
た状態で前記搬送ロボットを化学処理槽から退避させる
工程とを備えたことを特徴としている。Further, the semiconductor wafer chemical treatment method of the present invention is a semiconductor wafer chemical treatment method using a carrier robot for holding a carrier containing a semiconductor wafer and immersing the carrier in a liquid of a chemical treatment tank. A step of immersing the semiconductor wafer stored in the carrier into the chemical treatment tank while holding it by the first holding means provided in the transfer robot, and a step of immersing the semiconductor wafer in the chemical treatment tank by the second holding means provided in the chemical processing tank. A step of suppressing the floating of the immersed semiconductor wafer in place of the first pressing means, a step of retracting the transfer robot from the chemical processing tank, and a step of chemically suppressing the floating of the semiconductor wafer by the second pressing means. A step of performing a treatment, and after the chemical treatment, the carrier robot is advanced into a chemical treatment tank to hold the carrier, The step of holding the semiconductor wafer upright by the first holding means of the transfer robot instead of the second holding means, and the step of retracting the transfer robot from the chemical treatment tank while being held by the first holding means. It is characterized by having.
【００３３】このような特徴を有する本発明によれば、
キャリアを化学処理槽に浸漬させる工程では、搬送ロボ
ットに設けられた第１押さえ手段によって半導体ウエハ
の浮き上がりが確実に押さえられ、化学処理中は化学処
理槽内に設けられた第２押さえ手段によって半導体ウエ
ハの浮き上がりが確実に押さえられるので、高速で安定
したエッチング処理を行うことができる。According to the present invention having such characteristics,
In the step of immersing the carrier in the chemical processing tank, the lifting of the semiconductor wafer is surely suppressed by the first pressing means provided in the transfer robot, and the semiconductor is held by the second pressing means provided in the chemical processing tank during the chemical processing. Since the floating of the wafer is surely suppressed, it is possible to perform stable etching processing at high speed.
【００３４】また、本発明の半導体ウエハの化学処理方
法によれば、前記搬送ロボットによる次の化学処理槽ま
での搬送途中において、搬送ロボットに設けられた散水
手段により半導体ウエハに散水する工程をさらに備えた
ことを特徴としている。このように、半導体ウエハが空
中にあるときに散水することで、空中での異常エッチン
グ反応を静止させることができる。Further, according to the chemical processing method of the semiconductor wafer of the present invention, the step of spraying water on the semiconductor wafer by the spraying means provided in the transfer robot is further provided during the transfer to the next chemical processing tank by the transfer robot. It is characterized by having. By sprinkling water while the semiconductor wafer is in the air, the abnormal etching reaction in the air can be stopped.
【００３５】[0035]
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態につい
て、図面を参照して説明する。BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION Embodiments of the present invention will be described below with reference to the drawings.
【００３６】図１ないし図７は、本発明の半導体ウエハ
の化学処理装置の一実施の形態を示しており、図１は装
置全体の構成図、図２は搬送ロボットの外観斜視図、図
３はアルカリエッチ槽内での押さえ機構部とキャリアと
の関係を示す斜視図、図４はエッチング処理工程から洗
浄工程に移る状態を示す部分拡大斜視図、図５ないし図
７は、アルカリエッチ槽内での搬送ロボットと押さえ機
構部の動作を説明するための概略正面図である。1 to 7 show an embodiment of a chemical processing apparatus for semiconductor wafers according to the present invention. FIG. 1 is a block diagram of the entire apparatus, FIG. 2 is an external perspective view of a transfer robot, and FIG. Is a perspective view showing the relationship between the pressing mechanism and the carrier in the alkali etching tank, FIG. 4 is a partially enlarged perspective view showing a state in which the etching process moves to the cleaning process, and FIGS. 5 to 7 show the inside of the alkali etching tank. 4 is a schematic front view for explaining the operation of the transfer robot and the pressing mechanism section in FIG.
【００３７】本実施の形態の化学処理装置は、全体が筐
体１内に組み付けられており、筐体１内には、２台の搬
送ロボットＡ１，Ｂ１が備えられている。処理槽は、ア
ルカリエッチ槽３、純水洗浄槽４、酸中和処理槽５、純
水洗浄槽６、乾燥槽７の５槽からなる。また、投入ベル
ト部２と排出ベルト部８とで前工程と次工程とのインタ
ーフェイスをとっている。The chemical treatment apparatus of this embodiment is entirely assembled in a housing 1, and the housing 1 is provided with two transfer robots A1 and B1. The treatment tank is composed of an alkali etching tank 3, a pure water cleaning tank 4, an acid neutralization processing tank 5, a pure water cleaning tank 6, and a drying tank 7. Further, the input belt unit 2 and the discharge belt unit 8 serve as an interface between the previous process and the next process.
【００３８】搬送ロボットＡ１，Ｂ１は、筐体１の天面
部１ａに設けられた図示しないレール部材に支持される
形で、搬送方向Ｘに沿って往復移動可能に設けられてお
り、図示しない駆動機構部により上下動可能な支持杆１
０によって支持されている。この支持杆１０の下部には
ロボット本体部１１が取り付けられており、このロボッ
ト本体部１１に、一対のキャリアアーム１２，１２が設
けられている。The transfer robots A1 and B1 are supported by a rail member (not shown) provided on the top surface 1a of the housing 1 so as to be capable of reciprocating along the transfer direction X, and a drive (not shown). Support rod 1 that can be moved up and down by the mechanism
Supported by 0. A robot body 11 is attached to a lower portion of the support rod 10, and the robot body 11 is provided with a pair of carrier arms 12 and 12.
【００３９】また、キャリアアーム１２には、一定の間
隔を存して３個のキャリア用チャック１３が設けられて
おり、各キャリアアーム１２，１２に設けられた３個の
キャリア用チャック１３同士がそれぞれ対向するように
配置されている。Further, the carrier arm 12 is provided with three carrier chucks 13 at regular intervals, and the three carrier chucks 13 provided on each of the carrier arms 12 and 12 are connected to each other. They are arranged so as to face each other.
【００４０】このキャリア用チャック１３は、キャリア
アーム１２を回転駆動することにより、開閉可能な構造
となっている。The carrier chuck 13 has a structure that can be opened and closed by rotating the carrier arm 12.
【００４１】また、各キャリアアーム１２，１２には、
３個のキャリア用チャック１３の間に取り付けるように
して、シャワーノズル１５（ただし、図２及び図４では
直方体形状の箱体として図示している）が設けられてい
るとともに、半導体ウエハ２１の浮き上がりを防止する
ための第１浮き上がり押さえ部（第１押さえ手段）１４
が設けられている。Further, each carrier arm 12, 12 has
A shower nozzle 15 (shown as a rectangular parallelepiped box in FIGS. 2 and 4) is provided so as to be mounted between the three carrier chucks 13, and the semiconductor wafer 21 is lifted up. First lifting holding portion (first holding means) 14 for preventing
Is provided.
【００４２】この第１浮き上がり押さえ部１４は、キャ
リア用チャック１３とは連動せず、シャワーノズル１５
とともに常に下方に垂下した状態で固定されている。ま
た、第１浮き上がり押さえ部１４単独で上下動可能な構
成としてもよい。なお、第１浮き上がり押さえ部１４の
シリコン半導体ウエハ（以下、単に「半導体ウエハ」と
いう）２１との接触部１４ａには、テフロン（登録商
標）のような耐薬品性に優れたやわらかい緩衝材を施し
ておく。The first lifting holding portion 14 does not interlock with the carrier chuck 13, and the shower nozzle 15
It is fixed in a state where it always hangs downward. Further, the first lifting holding portion 14 may be configured to be vertically movable alone. In addition, a soft cushioning material such as Teflon (registered trademark) having excellent chemical resistance is applied to a contact portion 14a of the first lifting presser portion 14 with a silicon semiconductor wafer (hereinafter, simply referred to as “semiconductor wafer”) 21. Keep it.
【００４３】また、シャワーノズル１５は、アルカリエ
ッチ槽３から搬出した半導体ウエハ２１の空中での化学
反応を防止するために、純水ミストシャワーを噴射する
ノズルである。The shower nozzle 15 is a nozzle for injecting a pure water mist shower in order to prevent a chemical reaction in the air of the semiconductor wafer 21 carried out from the alkali etching bath 3.
【００４４】一方、半導体ウエハ２１を収納するキャリ
ア３１は、側面視上向きコ字状に形成されており、この
キャリア３１の上面開口部３２から、一定の間隔を存し
て複数枚の半導体ウエハ２１が収納されるようになって
いる。キャリア３１の左右側壁の上端部には、係止部３
３が設けられており、この係止部３３を搬送ロボットＡ
１，Ｂ１のキャリア用チャック１３で掴むことによって
キャリア３１を搬送するようになっている。On the other hand, the carrier 31 for accommodating the semiconductor wafer 21 is formed in a U shape facing upward in a side view. Is to be stored. At the upper ends of the left and right side walls of the carrier 31, the locking portions 3
3 is provided, and the locking portion 33 is used for the transfer robot A.
The carrier 31 is conveyed by being gripped by the carrier chucks 1 and B1.
【００４５】また、アルカリエッチ槽３は、３つのキャ
リア３１を並列に配置可能となっており、各配置位置に
は、キャリア３１の各下角の４隅部を固定するための横
断面Ｌ字状のキャリア固定ガイド４１が設けられてい
る。このキャリア固定ガイド４１は、キャリア３１の開
口部以外の部分とのみ接触する形状に形成されている。
すなわち、液の循環を妨げない形状となっている。ま
た、キャリア３１が傾くことのないように、ある程度の
高さをもって形成されている。In addition, the alkali etching bath 3 is capable of arranging three carriers 31 in parallel, and at each arranging position, an L-shaped cross section for fixing the four lower corners of the carrier 31. The carrier fixing guide 41 is provided. The carrier fixing guide 41 is formed in a shape that contacts only the portion of the carrier 31 other than the opening.
That is, it has a shape that does not hinder the circulation of the liquid. Further, the carrier 31 is formed with a certain height so as not to tilt.
【００４６】また、アルカリエッチ槽３内の各キャリア
３１の配置位置のロボット駆動部の反対側面上部には、
エッチング処理時の半導体ウエハ２１の浮き上がりを押
さえるための押さえ機構部５１がそれぞれ設けられてい
る。In addition, in the upper portion of the side opposite to the robot drive unit at the position where each carrier 31 is arranged in the alkali etching tank 3,
Retaining mechanism portions 51 for suppressing the lifting of the semiconductor wafer 21 during the etching process are provided.
【００４７】この押さえ機構部５１は、主に図３及び図
４に示すように、筐体１の上部に取り付けられたシリン
ダを含む駆動機構部５２と、この駆動機構部５２から垂
下されたシリンダロッド５３とを備えており、このシリ
ンダロッド５３の下端部に、第２浮き上がり押さえ部
（第２押さえ手段）５４が取り付けられている。As shown mainly in FIGS. 3 and 4, the holding mechanism section 51 includes a drive mechanism section 52 including a cylinder attached to the upper part of the housing 1, and a cylinder suspended from the drive mechanism section 52. A rod 53 is provided, and a second lifting holding portion (second holding means) 54 is attached to the lower end portion of the cylinder rod 53.
【００４８】第２浮き上がり押さえ部５４は、全体が棒
状部材で形成されており、キャリア３１に収納された複
数枚の半導体ウエハ２１の浮き上がりを押さえるための
押さえ杆５５と、この押さえ杆５５を上下方向に回動さ
せるための階段状に屈曲形成された回動杆５６とからな
っている。また、回動杆５６は、その端部５６ａがアル
カリエッチ槽３の内壁面に設けられた２枚の支持板５
７，５７によって挟持される形で回動可能に軸支されて
いる。そして、この回動杆５６の中程の屈曲部が、シリ
ンダロッド５３の下端部に回動可能に軸支された構造と
なっている。The second lifting holding portion 54 is entirely formed of a rod-shaped member, and holds the holding rod 55 for holding the plurality of semiconductor wafers 21 housed in the carrier 31 from rising, and the holding rod 55 is moved up and down. And a turning rod 56 that is bent and formed in a step-like shape for turning in the direction. Further, the rotary rod 56 has two end plates 56 a provided on the inner wall surface of the alkali etching bath 3 and the two support plates 5 are provided.
It is pivotally supported so as to be sandwiched by 7, 57. The middle bent portion of the rotary rod 56 is rotatably supported by the lower end of the cylinder rod 53.
【００４９】すなわち、駆動機構部５２を駆動して、シ
リンダロッド５３を上方に引き上げると、第２浮き上が
り押さえ部５４の押さえ杆５５が上方に回動して、図４
に示す垂直状態となる。一方、この状態から駆動機構部
５２を駆動して、シリンダロッド５３を下方に押し下げ
ると、第２浮き上がり押さえ部５４の押さえ杆５５が下
方に回動して、図３に示す水平状態となる。That is, when the drive mechanism portion 52 is driven to pull up the cylinder rod 53, the holding rod 55 of the second lifting holding portion 54 is turned upward, and FIG.
The vertical state is shown in. On the other hand, when the drive mechanism portion 52 is driven from this state to push the cylinder rod 53 downward, the pressing rod 55 of the second lifting pressing portion 54 rotates downward, and the horizontal state shown in FIG. 3 is obtained.
【００５０】次に、上記構成の化学処理装置を使用した
シリコンエッチング処理工程について説明する。Next, the silicon etching process using the chemical processing apparatus having the above structure will be described.
【００５１】まず、前工程よりキャリア３１に複数枚収
納された半導体ウエハ２１が投入ベルト部２により搬送
されて待機位置６０で止まる。First, a plurality of semiconductor wafers 21 stored in the carrier 31 from the previous step are conveyed by the loading belt unit 2 and stop at the standby position 60.
【００５２】次に、搬送ロボットＡ１が、キャリア用チ
ャック１３によりキャリア３１を掴み、アルカリエッチ
槽３に浸漬させて、キャリア固定ガイド４１に嵌め合わ
せるように載置する。このとき、第１浮き上がり押さえ
部１４は、図５に示すように、液中で浮き上がってきた
半導体ウエハ２１を液中で受け止めている。一方、押さ
え機構部５１の第２浮き上がり押さえ部５４は、図４に
示すように垂直状態となっている。従って、キャリア３
１をキャリア固定ガイド４１に嵌め合わせるとき、第２
浮き上がり押さえ部５４が邪魔になることはない。Next, the carrier robot A1 holds the carrier 31 by the carrier chuck 13, immerses it in the alkali etching bath 3, and mounts it so that it fits into the carrier fixing guide 41. At this time, as shown in FIG. 5, the first floating presser 14 receives the semiconductor wafer 21 floating in the liquid in the liquid. On the other hand, the second floating pressing portion 54 of the pressing mechanism portion 51 is in the vertical state as shown in FIG. Therefore, carrier 3
When fitting 1 to the carrier fixing guide 41,
The floating presser 54 does not get in the way.
【００５３】次に、搬送ロボットＡ１の第１浮き上がり
押さえ部１４で半導体ウエハ２１を押さえた状態で、押
さえ機構部５１の駆動機構部５２を駆動して、シリンダ
ロッド５３を下方に押し下げる。これにより、第２浮き
上がり押さえ部５４の押さえ杆５５が下方に回動し、図
６に示すように、キャリア用チャック１３，１３の間を
降下して、図３に示す水平状態となる。この状態では、
図６に示すように、押さえ杆５５の下面と浮き上がって
いる半導体ウエハ２１との間に、若干の隙間が存在して
いる。Next, while the semiconductor wafer 21 is being held by the first lifting and holding section 14 of the transfer robot A1, the driving mechanism section 52 of the holding mechanism section 51 is driven to push the cylinder rod 53 downward. As a result, the pressing rod 55 of the second lifting pressing portion 54 pivots downward, descends between the carrier chucks 13, 13 as shown in FIG. 6, and becomes the horizontal state shown in FIG. In this state,
As shown in FIG. 6, a slight gap exists between the lower surface of the pressing rod 55 and the floating semiconductor wafer 21.
【００５４】この後、搬送ロボットＡ１のキャリア用チ
ャック１３，１３を開き、アルカリエッチ槽３から完全
に退避させてから、エッチング処理を開始する。After that, the carrier chucks 13 of the transfer robot A1 are opened to completely withdraw from the alkali etching bath 3, and then the etching process is started.
【００５５】エッチング処理では、液中で反応により発
生したガスが半導体ウエハ２１の表面に付着し、半導体
ウエハ２１の浮き上がりを発生させるが、半導体ウエハ
２１の上には押さえ杆５５がセットされているため、図
７に示すように、半導体ウエハ２１の浮き上がりが防止
される。またこのとき、キャリア３１自体にも浮力が及
び、キャリア３１ががたつく場合があるが、このがたつ
きは、キャリア固定ガイド４１にて確実に防止されるこ
とになる。In the etching process, the gas generated by the reaction in the liquid adheres to the surface of the semiconductor wafer 21 to cause the semiconductor wafer 21 to rise, and the pressing rod 55 is set on the semiconductor wafer 21. Therefore, as shown in FIG. 7, the semiconductor wafer 21 is prevented from rising. At this time, buoyancy may also be applied to the carrier 31 itself and the carrier 31 may rattle, but this rattling is surely prevented by the carrier fixing guide 41.
【００５６】エッチング処理が完了すると、搬送ロボッ
トＡ１を再びアルカリエッチ槽３に浸漬させ、キャリア
用チャック１３によりキャリア３１を掴むとともに、第
１浮き上がり押さえ部１４により半導体ウエハ２１の浮
き上がりを押さえる。When the etching process is completed, the transfer robot A1 is again immersed in the alkali etching bath 3, the carrier 31 is gripped by the carrier chuck 13, and the semiconductor wafer 21 is suppressed from being lifted by the first lifting / holding unit 14.
【００５７】次に、押さえ機構部５１の駆動機構部５２
を駆動して、シリンダロッド５３を上方に引き上げる。
これにより、第２浮き上がり押さえ部５４の押さえ杆５
５が上方に回動し、キャリア用チャック１３，１３の間
を上昇して、図４に示す垂直状態となる。Next, the drive mechanism section 52 of the pressing mechanism section 51.
Is driven to pull the cylinder rod 53 upward.
As a result, the pressing rod 5 of the second lifting pressing portion 54 is
5 rotates upward and rises between the carrier chucks 13 and 13 to be in the vertical state shown in FIG.
【００５８】この後、搬送ロボットＡ１を上昇させてキ
ャリア３１をアルカリエッチ槽３から取り出し、隣の純
水洗浄槽４まで搬送するのであるが、本実施の形態で
は、この搬送途中における半導体ウエハ２１の空中での
化学反応を防止するために、シャワーノズル１５から純
水ミストシャワーを噴射しながら搬送する。これによ
り、半導体ウエハ２１の空中での異常エッチング反応を
静止させることができる。After that, the carrier robot A1 is raised to take out the carrier 31 from the alkali etching tank 3 and carry it to the adjacent pure water cleaning tank 4. In the present embodiment, the semiconductor wafer 21 in the middle of this carrying operation is carried out. In order to prevent the chemical reaction in the air, the pure water mist shower is jetted and conveyed from the shower nozzle 15. Thereby, the abnormal etching reaction of the semiconductor wafer 21 in the air can be stopped.
【００５９】そして、キャリア３１を純水洗浄槽４に浸
漬すると、搬送ロボットＡ１のキャリア用チャック１
３，１３を開き、純水洗浄槽４から搬送ロボットＡ１を
完全に退避させる。Then, when the carrier 31 is dipped in the pure water cleaning tank 4, the carrier chuck 1 of the carrier robot A1.
3, 3 are opened, and the transfer robot A1 is completely retracted from the pure water cleaning tank 4.
【００６０】この純水洗浄槽４による洗浄以降の工程
は、もう１台の搬送ロボットＢ１にて行う。すなわち、
搬送ロボットＡ１の搬送と同様にして、キャリア３１を
酸中和処理槽５、純水洗浄槽６、乾燥槽７と順次搬送
し、それぞれの工程での処理が終了すると、最後に排出
ベルト部８に排出して、次の工程に搬送することにな
る。The steps after the cleaning by the pure water cleaning tank 4 are performed by the other transfer robot B1. That is,
In the same manner as the transfer of the transfer robot A1, the carrier 31 is sequentially transferred to the acid neutralization processing tank 5, the pure water cleaning tank 6, and the drying tank 7, and when the processing in each step is completed, finally the discharge belt unit 8 It is discharged to the next step and conveyed to the next step.
【００６１】[0061]
【発明の効果】本発明の半導体ウエハの化学処理装置及
び化学処理方法によれば、キャリアを化学処理槽に浸漬
させる過程では、搬送ロボットに設けられた第１押さえ
手段によって半導体ウエハの浮き上がりが確実に押さえ
られ、化学処理中は化学処理槽内に設けられた第２押さ
え手段によって半導体ウエハの浮き上がりが確実に押さ
えられるので、高速で安定した処理動作を実現すること
ができる。According to the chemical treatment apparatus and the chemical treatment method for a semiconductor wafer of the present invention, the semiconductor wafer is surely lifted by the first holding means provided in the transfer robot in the process of immersing the carrier in the chemical treatment tank. Since the semiconductor wafer is reliably prevented from being lifted up by the second pressing means provided in the chemical treatment tank during the chemical treatment, a high-speed and stable treatment operation can be realized.
【００６２】また、前記第２押さえ手段は、前記化学処
理槽の液内にて前記半導体ウエハが前記キャリアから若
干浮き上がった状態で半導体ウエハの浮き上がりを押さ
えるように設けられているので、半導体ウエハの全体に
化学処理であるエッチング処理を施すことができる。Further, since the second holding means is provided so as to hold the semiconductor wafer up in the liquid in the chemical treatment tank while the semiconductor wafer is slightly floating above the carrier, An etching process which is a chemical process can be applied to the whole.
【００６３】また、前記化学処理槽内に前記キャリアの
位置を固定するキャリアガイド手段が設けられており、
このキャリアガイド手段によってキャリアの位置を固定
することで、キャリアの転倒や移動が防止される。これ
により、搬送ロボットで搬出するときの搬出ミスの発生
も防止することができる。Further, carrier guide means for fixing the position of the carrier is provided in the chemical treatment tank,
By fixing the position of the carrier by the carrier guide means, the carrier is prevented from falling or moving. As a result, it is possible to prevent the occurrence of a delivery error when the delivery is performed by the transport robot.
【００６４】また、半導体ウエハが空中にあるときに散
水手段により散水することで、空中での異常エッチング
反応を静止させることができる。Further, by sprinkling water with the water sprinkling means when the semiconductor wafer is in the air, the abnormal etching reaction in the air can be stopped.
【図１】本発明の半導体ウエハの化学処理装置の一実施
の形態を示す全体構成図である。FIG. 1 is an overall configuration diagram showing an embodiment of a chemical processing apparatus for semiconductor wafers of the present invention.
【図２】搬送ロボットの外観斜視図である。FIG. 2 is an external perspective view of a transfer robot.
【図３】アルカリエッチ槽内での押さえ機構部とキャリ
アとの関係を示す斜視図である。FIG. 3 is a perspective view showing a relationship between a pressing mechanism section and a carrier in an alkali etching tank.
【図４】エッチング処理工程から洗浄工程に移る状態を
示す部分拡大斜視図である。FIG. 4 is a partially enlarged perspective view showing a state where the etching process and the cleaning process are performed.
【図５】アルカリエッチ槽内での搬送ロボットの動作を
説明するための概略正面図である。FIG. 5 is a schematic front view for explaining the operation of the transfer robot in the alkali etching tank.
【図６】アルカリエッチ槽内での搬送ロボットの動作を
説明するための概略正面図である。FIG. 6 is a schematic front view for explaining the operation of the transfer robot in the alkali etching tank.
【図７】アルカリエッチ槽内での搬送ロボットの動作を
説明するための概略正面図である。FIG. 7 is a schematic front view for explaining the operation of the transfer robot in the alkali etching tank.
【図８】従来の化学処理装置の全体構成図である。FIG. 8 is an overall configuration diagram of a conventional chemical processing apparatus.
【図９】従来の化学処理装置において、搬送ロボットに
よって浮き上がり押さえ治具をキャリアにセットする様
子を示す説明図である。FIG. 9 is an explanatory diagram showing how a lifting robot is set on a carrier by a transfer robot in a conventional chemical processing apparatus.
【図１０】従来の化学処理装置において、アルカリエッ
チ槽と純水洗浄槽との間を移動する搬送ロボットの様子
を示す説明図である。FIG. 10 is an explanatory diagram showing a state of a transfer robot that moves between an alkali etching tank and a pure water cleaning tank in a conventional chemical processing apparatus.
【図１１】従来の一般的な太陽電池の製造工程を示す説
明図である。FIG. 11 is an explanatory view showing a manufacturing process of a conventional general solar cell.
１ 筐体 ２ 投入ベルト部 ３ アルカリエッチ槽 ４ 純水洗浄槽 ５ 酸中和処理槽 ６ 純水洗浄槽 ７ 乾燥槽 ８ 排出ベルト部 １０ 支持杆 １１ ロボット本体部 １２ キャリアアーム １３ キャリア用チャック １４ 第１浮き上がり押さえ部 １５ シャワーノズル ２１ 半導体ウエハ ３１ キャリア ３２ 上面開口部 ３３ 係止部 ４１ キャリア固定ガイド ５１ 押さえ機構部 ５２ 駆動機構部 ５３ シリンダロッド ５４ 第２浮き上がり押さえ部 ５５ 押さえ杆 ５６ 回動杆 Ａ１，Ｂ１ 搬送ロボット 1 case 2 Input belt 3 Alkaline etch tank 4 Pure water cleaning tank 5 Acid neutralization tank 6 Pure water cleaning tank 7 drying tank 8 Discharge belt section 10 Support rod 11 Robot body 12 carrier arms 13 Carrier chuck 14 First lifting control part 15 shower nozzle 21 Semiconductor wafer 31 career 32 Top opening 33 Locking part 41 Carrier fixing guide 51 Pressing mechanism 52 Drive mechanism section 53 Cylinder rod 54 Second lifting control section 55 Holding rod 56 rotating rod A1, B1 transfer robot
Claims (6)
して化学処理槽の液内に浸漬させる搬送ロボットを有す
る半導体ウエハの化学処理装置であって、 前記搬送ロボットに、前記キャリアに収納された半導体
ウエハの液内での浮き上がりを押さえる第１押さえ手段
が設けられるとともに、前記化学処理槽内に、前記キャ
リアに収納された半導体ウエハの液内での浮き上がりを
前記第１押さえ手段に代わって押さえる第２押さえ手段
が設けられたことを特徴とする半導体ウエハの化学処理
装置。1. A chemical processing apparatus for a semiconductor wafer, comprising a carrier robot for holding a carrier containing a semiconductor wafer and immersing the carrier in a liquid of a chemical processing tank, wherein the carrier robot stores the semiconductor contained in the carrier. First holding means for holding the floating of the wafer in the liquid is provided, and a first holding means for holding the floating of the semiconductor wafer housed in the carrier in the liquid in the chemical treatment tank instead of the first holding means. 2. A chemical processing apparatus for semiconductor wafers, characterized in that a pressing means is provided.
の液内にて前記半導体ウエハが前記キャリアから若干浮
き上がった状態で半導体ウエハの浮き上がりを押さえる
ように設けられている請求項１に記載の半導体ウエハの
化学処理装置。2. The second holding means is provided so as to hold up the semiconductor wafer in a state where the semiconductor wafer is slightly lifted from the carrier in the liquid of the chemical treatment tank. Semiconductor wafer chemical processing equipment.
置を固定するキャリアガイド手段が設けられていること
を特徴とする請求項１または請求項２に記載の半導体ウ
エハの化学処理装置。3. The chemical processing apparatus for a semiconductor wafer according to claim 1, wherein carrier guide means for fixing the position of the carrier is provided in the chemical processing bath.
に収納されている半導体ウエハに対して散水する散水手
段を備えていることを特徴とする請求項１に記載の半導
体ウエハの化学処理装置。4. The chemical processing apparatus for a semiconductor wafer according to claim 1, wherein the transfer robot is provided with a water sprinkling means for watering the semiconductor wafer stored in the held carrier.
して化学処理槽の液内に浸漬させる搬送ロボットを用い
た半導体ウエハの化学処理方法であって、 前記搬送ロボットに設けられた第１押さえ手段により、
前記キャリアに収納された半導体ウエハを押さえながら
化学処理槽に浸漬させる工程と、 化学処理槽に設けられた第２押さえ手段により、化学処
理槽に浸漬された半導体ウエハの浮き上がりを前記第１
押さえ手段に代わって押さえる工程と、 前記搬送ロボットを化学処理槽から退避させる工程と、 前記第２押さえ手段にて半導体ウエハの浮き上がりを押
さえた状態で化学処理を行う工程と、 化学処理後に前記搬送ロボットを化学処理槽内に進入さ
せて前記キャリアを保持するとともに、前記搬送ロボッ
トの第１押さえ手段により、半導体ウエハの浮き上がり
を前記第２押さえ手段に代わって押さえる工程と、 第１押さえ手段にて押さえた状態で前記搬送ロボットを
化学処理槽から退避させる工程とを備えたことを特徴と
する半導体ウエハの化学処理方法。5. A chemical processing method for a semiconductor wafer using a transfer robot for holding a carrier containing a semiconductor wafer and immersing the carrier in a liquid of a chemical processing tank, the first pressing means being provided in the transfer robot. Due to
The step of immersing the semiconductor wafer stored in the carrier into the chemical treatment tank while holding it down, and the second holding means provided in the chemical treatment tank to prevent the semiconductor wafer from being lifted up in the chemical treatment tank
A step of pressing instead of the pressing means; a step of retracting the transfer robot from the chemical processing tank; a step of performing a chemical process while suppressing the floating of the semiconductor wafer by the second pressing means; A step of holding the carrier by advancing a robot into a chemical treatment tank, and pressing the lifting of the semiconductor wafer by the first holding means of the transfer robot instead of the second holding means; And a step of retracting the transfer robot from the chemical treatment tank in a pressed state.
までの搬送途中において、搬送ロボットに設けられた散
水手段により半導体ウエハに散水する工程をさらに備え
たことを特徴とする請求項５に記載の半導体ウエハの化
学処理方法。6. The method according to claim 5, further comprising a step of spraying water on the semiconductor wafer by a spraying means provided in the transfer robot during the transfer to the next chemical treatment tank by the transfer robot. Method for chemical treatment of semiconductor wafer.
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2002
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