JP2024053341A - SUBSTRATE PROCESSING APPARATUS AND SUBSTRATE PROCESSING METHOD - Google Patents
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Abstract
【課題】基板の表面処理の均一性を維持することができる基板処理装置および基板処理方法を提供する。【解決手段】処理槽１０に貯留されている純水中に基板Ｗを浸漬して水洗を行う浸漬処理が終了した後、処理槽１０よりも上方の引き上げ位置に基板Ｗを引き上げた状態で上部シャワーノズル６０および下部シャワーノズル５０から基板Ｗに純水をシャワー状に吹き付けてシャワーリンス処理を行う。処理槽１０の外側に基板Ｗを移動させてからシャワーリンス処理を行っているため、基板Ｗの上側部分のみならず、下側部分にも純水の液滴を吹き付けて洗浄することができる。すなわち、処理槽１０から引き上げた状態の基板Ｗに純水を吹き付けることにより、基板Ｗの全面に純水の液滴を供給することができるため、基板Ｗの表面処理の均一性を維持することができる。【選択図】図３[Problem] To provide a substrate processing apparatus and a substrate processing method capable of maintaining uniformity of substrate surface processing. [Solution] After completing an immersion process in which a substrate W is immersed in pure water stored in a processing tank 10 and rinsed, the substrate W is raised to a raised position above the processing tank 10, and then a shower rinse process is performed by spraying pure water from an upper shower nozzle 60 and a lower shower nozzle 50 onto the substrate W in a shower-like manner. Since the shower rinse process is performed after the substrate W is moved outside the processing tank 10, not only the upper portion of the substrate W but also the lower portion can be cleaned by spraying droplets of pure water onto the substrate W. In other words, by spraying pure water onto the substrate W raised from the processing tank 10, droplets of pure water can be supplied to the entire surface of the substrate W, and uniformity of the substrate W surface processing can be maintained. [Selected Figure] Figure 3
Description
本発明は、基板を処理液中に浸漬して洗浄処理等の表面処理を行う基板処理装置および基板処理方法に関する。処理対象となる基板には、例えば、半導体基板、液晶表示装置用基板、flat panel display（ＦＰＤ）用基板、光ディスク用基板、磁気ディスク用基板、または、太陽電池用基板などが含まれる。 The present invention relates to a substrate processing apparatus and a substrate processing method in which a substrate is immersed in a processing solution to perform a surface treatment such as cleaning. Substrates to be processed include, for example, semiconductor substrates, substrates for liquid crystal display devices, substrates for flat panel displays (FPDs), substrates for optical disks, substrates for magnetic disks, and substrates for solar cells.
従来より、半導体装置の製造工程では、半導体基板等の基板に対して種々の処理を行う基板処理装置が用いられている。そのような基板処理装置の１つに、処理槽内に処理液を貯留し、その処理液中に複数の基板を一括して浸漬してエッチング処理等を行うバッチ式の基板処理装置が知られている。典型的なバッチ式の基板処理装置は、薬液を貯留した薬液槽および純水を貯留した水洗槽を備え、薬液槽にて基板にエッチング処理等を行った後、水洗槽にてその基板のリンス処理を行う。 Conventionally, substrate processing apparatuses that perform various processes on substrates such as semiconductor substrates have been used in the manufacturing process of semiconductor devices. One such substrate processing apparatus is a batch-type substrate processing apparatus that stores a processing liquid in a processing tank and immerses multiple substrates in the processing liquid all at once to perform etching and other processes. A typical batch-type substrate processing apparatus includes a chemical tank that stores a chemical liquid and a water washing tank that stores pure water, and after performing etching and other processes on the substrates in the chemical tank, the substrates are rinsed in the water washing tank.
バッチ式基板処理装置における一般的なリンス処理では、水洗槽内に貯留した純水中に基板全体を浸漬して水洗を行う浸漬処理と、水洗槽から純水を排出した状態でシャワーノズルから基板に純水をシャワー状に吹き付けるシャワーリンス処理との２種類の洗浄処理を組み合わせて実施することが多い。特許文献１～３には、処理槽の上方に設けたシャワーノズルから処理槽内に保持されている基板に処理液をシャワー状に吹き付ける技術が開示されている。 In a typical rinse process in a batch-type substrate processing apparatus, two types of cleaning processes are often combined: an immersion process in which the entire substrate is immersed in pure water stored in a rinse tank to rinse it, and a shower rinse process in which the pure water is discharged from the rinse tank and sprayed onto the substrate in a shower-like manner from a shower nozzle. Patent documents 1 to 3 disclose techniques in which a shower of processing liquid is sprayed onto substrates held in a processing tank from a shower nozzle installed above the processing tank.
しかしながら、処理槽内に保持されている基板に処理液を上方からシャワー状に吹き付けると、液滴が着液する基板上のエリアが限定的となり、十分なシャワーによる効果を得ることができなかった。すなわち、基板の上部には液滴が接触するものの、基板の下部には液滴が供給されにくいため、処理の面内均一性が損なわれるという問題が生じていた。また、処理槽で跳ね返った液滴が基板に付着して却って基板を汚染するおそれもあった。 However, when the processing liquid is sprayed from above in a shower-like manner onto a substrate held in a processing tank, the area on the substrate where the droplets land is limited, and the full effect of the shower cannot be obtained. In other words, although the droplets come into contact with the upper part of the substrate, they are not easily supplied to the lower part of the substrate, resulting in a problem of impaired in-plane processing uniformity. There is also a risk that the droplets that bounce off the processing tank will adhere to the substrate and contaminate it.
本発明は、上記課題に鑑みてなされたものであり、基板の表面処理の均一性を維持することができる基板処理装置および基板処理方法を提供することを目的とする。 The present invention has been made in consideration of the above problems, and aims to provide a substrate processing apparatus and a substrate processing method that can maintain uniformity in the surface processing of substrates.
上記課題を解決するため、請求項１の発明は、基板を処理液中に浸漬して表面処理を行う基板処理装置において、処理液を貯留する処理槽と、前記処理槽内に処理液を供給する処理液供給部と、起立姿勢の基板を下方から保持するリフターと、保持する前記基板を前記処理槽の上方の引き上げ位置と、処理液中に浸漬する浸漬位置との間で移動させるように前記リフターを昇降させる昇降部と、前記基板に向けて処理液をシャワー状に吹き付ける処理液噴出部と、を備え、前記処理液噴出部は、前記処理槽から引き上げた状態の前記基板に処理液を吹き付けることを特徴とする。 In order to solve the above problem, the invention of claim 1 is a substrate processing apparatus for performing surface processing by immersing a substrate in a processing liquid, the apparatus comprising: a processing tank for storing the processing liquid; a processing liquid supply unit for supplying the processing liquid into the processing tank; a lifter for holding the substrate in an upright position from below; a lifting unit for raising and lowering the lifter so as to move the held substrate between a lifting position above the processing tank and an immersion position where the substrate is immersed in the processing liquid; and a processing liquid spraying unit for spraying the processing liquid in a shower-like manner toward the substrate, the processing liquid spraying unit being characterized in that the processing liquid is sprayed toward the substrate in a state where the substrate has been lifted from the processing tank.
また、請求項２の発明は、請求項１の発明に係る基板処理装置において、前記処理液噴出部は、前記リフターによって前記引き上げ位置に保持された前記基板の上方から処理液をシャワー状に吹き付ける上部シャワーノズルと、前記引き上げ位置に保持された前記基板の下方から処理液をシャワー状に吹き付ける下部シャワーノズルと、を有することを特徴とする。 The invention of claim 2 is characterized in that in the substrate processing apparatus according to the invention of claim 1, the processing liquid ejection section has an upper shower nozzle that sprays the processing liquid in a shower-like manner from above the substrate held in the lifted position by the lifter, and a lower shower nozzle that sprays the processing liquid in a shower-like manner from below the substrate held in the lifted position.
また、請求項３の発明は、請求項２の発明に係る基板処理装置において、前記上部シャワーノズルと前記下部シャワーノズルとは交互に前記基板に処理液を吹き付けることを特徴とする。 The invention of claim 3 is characterized in that in the substrate processing apparatus of the invention of claim 2, the upper shower nozzle and the lower shower nozzle alternately spray the processing liquid onto the substrate.
また、請求項４の発明は、請求項３の発明に係る基板処理装置において、最終の処理液吹き付けは前記上部シャワーノズルから行うことを特徴とする。 The invention of claim 4 is characterized in that in the substrate processing apparatus according to the invention of claim 3, the final spraying of processing liquid is performed from the upper shower nozzle.
また、請求項５の発明は、請求項２から請求項４のいずれかの発明に係る基板処理装置において、前記下部シャワーノズルは前記引き上げ位置に保持された前記基板の下端よりも下方に配置されることを特徴とする。 The invention of claim 5 is characterized in that in the substrate processing apparatus according to any one of the inventions of claims 2 to 4, the lower shower nozzle is positioned below the lower end of the substrate held in the lifted position.
また、請求項６の発明は、請求項１の発明に係る基板処理装置において、前記処理液噴出部からシャワー状に吹き付けられる処理液中を前記基板が上下に往復移動するように、前記昇降部が前記リフターを昇降させることを特徴とする。 The invention of claim 6 is characterized in that in the substrate processing apparatus according to the invention of claim 1, the lifting unit raises and lowers the lifter so that the substrate moves up and down reciprocally through the processing liquid sprayed in a shower-like manner from the processing liquid spraying unit.
また、請求項７の発明は、請求項１の発明に係る基板処理装置において、前記処理液噴出部は、前記リフターに保持された前記基板に向けて処理液をシャワー状に吹き付けるシャワーノズルを備え、前記シャワーノズルからの処理液の噴出方向が変動するように前記シャワーノズルを水平軸まわりで回動させる回動部をさらに備えることを特徴とする。 The invention of claim 7 is characterized in that in the substrate processing apparatus according to the invention of claim 1, the processing liquid ejection unit includes a shower nozzle that sprays the processing liquid in a shower-like manner toward the substrate held by the lifter, and further includes a rotation unit that rotates the shower nozzle around a horizontal axis so that the ejection direction of the processing liquid from the shower nozzle changes.
また、請求項８の発明は、請求項７の発明に係る基板処理装置において、前記回動部は、前記シャワーノズルからの処理液の噴出方向が前記リフターによって昇降される前記基板に向かうように前記シャワーノズルを回動させることを特徴とする。
The invention of
また、請求項９の発明は、請求項１から請求項８のいずれかの発明に係る基板処理装置において、前記リフターとは異なる箇所に接触して前記基板を保持する保持部をさらに備え、前記処理液噴出部から処理液を吹き付けている間に、前記リフターによって前記基板を保持する状態と前記保持部によって前記基板を保持する状態とを切り替えることを特徴とする。 The invention of claim 9 is characterized in that, in the substrate processing apparatus according to any one of the inventions of claims 1 to 8, it further comprises a holding part that holds the substrate by contacting a position different from the lifter, and while the processing liquid is being sprayed from the processing liquid ejection part, it switches between a state in which the substrate is held by the lifter and a state in which the substrate is held by the holding part.
また、請求項１０の発明は、請求項１から請求項９のいずれかの発明に係る基板処理装置において、前記処理液噴出部から処理液をシャワー状に吹き付けることによって生じるミストの飛散を防止する仕切板をさらに備えることを特徴とする。
The invention of
また、請求項１１の発明は、基板を処理液中に浸漬して表面処理を行う基板処理方法において、処理槽内に貯留した処理液中に基板を浸漬して前記基板に表面処理を行う浸漬工程と、前記処理槽からリフターによって前記基板を引き上げる引き上げ工程と、前記処理槽から引き上げた状態の前記基板に処理液をシャワー状に吹き付ける噴出工程と、を備えることを特徴とする。
The invention of
また、請求項１２の発明は、請求項１１の発明に係る基板処理方法において、前記噴出工程では、前記リフターによって前記処理槽の上方の引き上げ位置に保持された前記基板に対して、上部シャワーノズルが前記基板の上方から処理液をシャワー状に吹き付け、下部シャワーノズルが前記基板の下方から処理液をシャワー状に吹き付けることを特徴とする。
The invention of
また、請求項１３の発明は、請求項１２の発明に係る基板処理方法において、前記上部シャワーノズルと前記下部シャワーノズルとは交互に前記基板に処理液を吹き付けることを特徴とする。
The invention of claim 13 is characterized in that in the substrate processing method according to the invention of
また、請求項１４の発明は、請求項１３の発明に係る基板処理方法において、最終の処理液吹き付けは前記上部シャワーノズルから行うことを特徴とする。 The invention of claim 14 is characterized in that in the substrate processing method according to the invention of claim 13, the final spraying of the processing liquid is performed from the upper shower nozzle.
また、請求項１５の発明は、請求項１１の発明に係る基板処理方法において、前記噴出工程では、シャワー状に吹き付けられる処理液中を前記基板が上下に往復移動するように前記リフターを昇降させることを特徴とする。
The invention of claim 15 is the substrate processing method according to the invention of
また、請求項１６の発明は、請求項１１の発明に係る基板処理方法において、前記噴出工程では、前記リフターに保持された前記基板に向けて処理液をシャワー状に吹き付けるシャワーノズルからの処理液の噴出方向が変動するように前記シャワーノズルを水平軸まわりで回動させることを特徴とする。
The invention of claim 16 is a substrate processing method according to the invention of
また、請求項１７の発明は、請求項１６の発明に係る基板処理方法において、前記シャワーノズルからの処理液の噴出方向が前記リフターによって昇降される前記基板に向かうように前記シャワーノズルを回動させることを特徴とする。 The invention of claim 17 is characterized in that in the substrate processing method according to the invention of claim 16, the shower nozzle is rotated so that the direction of the processing liquid sprayed from the shower nozzle is toward the substrate being raised and lowered by the lifter.
また、請求項１８の発明は、請求項１１から請求項１７のいずれかの発明に係る基板処理方法において、前記噴出工程では、前記リフターによって前記基板を保持する状態と、前記リフターとは異なる箇所にて前記基板を保持する保持部によって前記基板を保持する状態とを切り替えることを特徴とする。
The invention of claim 18 is a substrate processing method according to any one of
請求項１から請求項１０の発明によれば、処理槽から引き上げた状態の基板に処理液を吹き付けるため、基板の全面に処理液の液滴を供給することができ、基板の表面処理の均一性を維持することができる。 According to the inventions of claims 1 to 10, the processing liquid is sprayed onto the substrate after it has been lifted from the processing tank, so droplets of the processing liquid can be supplied to the entire surface of the substrate, and uniformity in the surface processing of the substrate can be maintained.
特に、請求項９の発明によれば、処理液噴出部から処理液を吹き付けている間に、リフターによって基板を保持する状態と保持部によって基板を保持する状態とを切り替えるため、リフターおよび保持部と基板との接触箇所にも処理液を供給することができ、基板の表面処理の均一性をより高めることができる。 In particular, according to the invention of claim 9, while the processing liquid is being sprayed from the processing liquid ejection section, the state in which the substrate is held by the lifter and the state in which the substrate is held by the holding section are switched, so that processing liquid can be supplied to the contact points between the lifter and the holding section and the substrate, thereby further improving the uniformity of the surface treatment of the substrate.
特に、請求項１０の発明によれば、処理液噴出部から処理液をシャワー状に吹き付けることによって生じるミストの飛散を防止する仕切板を備えるため、処理槽の周辺環境を汚染するのを防止することができる。
In particular, according to the invention of
請求項１１から請求項１８の発明によれば、処理槽から引き上げた状態の基板に処理液をシャワー状に吹き付けるため、基板の全面に処理液の液滴を供給することができ、基板の表面処理の均一性を維持することができる。
According to the inventions of
特に、請求項１８の発明によれば、基板に処理液を吹き付けるときに、リフターによって基板を保持する状態と、リフターとは異なる箇所にて基板を保持する保持部によって基板を保持する状態とを切り替えるため、リフターおよび保持部と基板との接触箇所にも処理液を供給することができ、基板の表面処理の均一性をより高めることができる。 In particular, according to the invention of claim 18, when spraying the processing liquid onto the substrate, the substrate is switched between being held by the lifter and being held by a holder that holds the substrate at a location different from the lifter, so that the processing liquid can be supplied to the contact points between the lifter and the holder and the substrate, thereby further improving the uniformity of the substrate surface processing.
以下、図面を参照しつつ本発明の実施の形態について詳細に説明する。以下において、相対的または絶対的な位置関係を示す表現（例えば、「一方向に」、「一方向に沿って」、「平行」、「直交」、「中心」、「同心」、「同軸」、など）は、特に断らない限り、その位置関係を厳密に表すのみならず、公差もしくは同程度の機能が得られる範囲で相対的に角度または距離に関して変位された状態も表すものとする。また、等しい状態であることを示す表現（例えば、「同一」、「等しい」、「均質」、など）は、特に断らない限り、定量的に厳密に等しい状態を表すのみならず、公差もしくは同程度の機能が得られる差が存在する状態も表すものとする。また、形状を示す表現（例えば、「円形状」、「四角形状」、「円筒形状」、など）は、特に断らない限り、幾何学的に厳密にその形状を表すのみならず、同程度の効果が得られる範囲の形状を表すものとし、例えば凹凸または面取りなどを有していてもよい。また、構成要素を「備える」、「具える」、「具備する」、「含む」、「有する」、といった各表現は、他の構成要素の存在を除外する排他的表現ではない。また、「Ａ、ＢおよびＣのうちの少なくとも一つ」という表現には、「Ａのみ」、「Ｂのみ」、「Ｃのみ」、「Ａ、ＢおよびＣのうち任意の２つ」、「Ａ、ＢおよびＣの全て」が含まれる。 Hereinafter, the embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the drawings. In the following, expressions indicating relative or absolute positional relationships (e.g., "in one direction," "along one direction," "parallel," "orthogonal," "center," "concentric," "coaxial," etc.) not only strictly indicate the positional relationship, but also indicate a state in which the angle or distance is relatively displaced within a range in which a tolerance or similar function is obtained, unless otherwise specified. Furthermore, expressions indicating an equal state (e.g., "same," "equal," "homogeneous," etc.) not only indicate a state in which the two are quantitatively strictly equal, but also indicate a state in which there is a difference in which a tolerance or similar function is obtained, unless otherwise specified. Furthermore, expressions indicating a shape (e.g., "circular," "square," "cylindrical," etc.) not only strictly indicate the shape geometrically, but also indicate a shape within a range in which a similar effect is obtained, and may have, for example, unevenness or chamfering. Furthermore, each expression such as "comprises," "has," "equips," "includes," and "has" is not an exclusive expression that excludes the existence of other components. Additionally, the expression "at least one of A, B, and C" includes "only A," "only B," "only C," "any two of A, B, and C," and "all of A, B, and C."
＜第１実施形態＞
図１は、本発明に係る基板処理装置１００の全体構成を示す図解的な平面図である。基板処理装置１００は、複数枚の基板Ｗに対して一括して処理液による表面処理を行うバッチ式の基板処理装置である。処理対象となる基板は、シリコンの円形の半導体基板である。なお、図１および以降の各図においては、理解容易のため、必要に応じて各部の寸法や数を誇張または簡略化して描いている。また、図１および以降の各図には、それらの方向関係を明確にするためＺ軸方向を鉛直方向とし、ＸＹ平面を水平面とするＸＹＺ直交座標系を適宜付している。
First Embodiment
FIG. 1 is a schematic plan view showing the overall configuration of a
基板処理装置１００は、主として、ロードポート１１０と、搬出入ロボット１４０と、姿勢変換機構１５０と、プッシャ１６０と、主搬送ロボット１８０と、基板処理部群１２０と、受け渡しカセット１７０と、制御部７０と、を備える。
The
ロードポート１１０は、平面視でほぼ長方形に形成された基板処理装置１００の端部に設けられている。ロードポート１１０には、基板処理装置１００で処理される複数枚の基板（以下、単に「基板」とも称する）Ｗを収容するキャリアＣが載置される。未処理の基板Ｗを収容したキャリアＣは無人搬送車（ＡＧＶ、ＯＨＴ）等によって搬送されてロードポート１１０に載置される。また、処理済みの基板Ｗを収容したキャリアＣも無人搬送車によってロードポート１１０から持ち去られる。
The
キャリアＣは、典型的には、基板Ｗを密閉空間に収納するＦＯＵＰ(front opening unified pod)である。キャリアＣは、その内部に形設された複数の保持棚によって複数の基板Ｗを水平姿勢（法線が鉛直方向に沿う姿勢）で鉛直方向（Ｚ方向）に一定間隔で積層配列した状態で保持する。キャリアＣの最大収容枚数は、２５枚または５０枚である。なお、キャリアＣの形態としては、ＦＯＵＰの他に、ＳＭＩＦ(Standard Mechanical Inter Face)ポッドや収納した基板Ｗを外気に曝すＯＣ(open cassette)であっても良い。 Carrier C is typically a front opening unified pod (FOUP) that stores substrates W in an enclosed space. Carrier C holds multiple substrates W in a horizontal position (with the normal line along the vertical direction) and stacked at regular intervals in the vertical direction (Z direction) using multiple holding shelves formed inside. The maximum number of substrates that can be stored in carrier C is 25 or 50. In addition to FOUP, carrier C may take the form of a standard mechanical interface (SMIF) pod or an open cassette (OC) that exposes stored substrates W to the outside air.
基板処理装置１００の本体部とロードポート１１０との境界部分には、ポッドオープナー（図示省略）等が設けられている。ポッドオープナーは、ロードポート１１０に載置されたキャリアＣの前面の蓋を開閉する。
A pod opener (not shown) and the like are provided at the boundary between the main body of the
搬出入ロボット１４０は、ロードポート１１０に載置されたキャリアＣの蓋が開放された状態で、当該キャリアＣから基板処理装置１００の本体部に未処理の基板Ｗを搬入するとともに、基板処理装置１００の本体部からキャリアＣに処理済みの基板Ｗを搬出する。より具体的には、搬出入ロボット１４０は、キャリアＣと姿勢変換機構１５０との間で複数枚の基板Ｗの搬送を行う。搬出入ロボット１４０は、水平面内で旋回可能に構成されるとともに、それぞれが１枚の基板Ｗを保持可能なハンド要素を多段に積層してなるバッチハンド（図示省略）を進退移動可能に備える。
When the lid of the carrier C placed on the
姿勢変換機構１５０は、搬出入ロボット１４０から受け取った複数枚の基板ＷをＸ軸周りに９０°回動させて、当該基板Ｗの姿勢を水平姿勢から起立姿勢（法線が水平方向に沿う姿勢）に変換する。また、姿勢変換機構１５０は、搬出入ロボット１４０に基板Ｗを渡す前に、当該基板Ｗの姿勢を起立姿勢から水平姿勢に変換する。
The
プッシャ１６０は、姿勢変換機構１５０と受け渡しカセット１７０との間に配置される。プッシャ１６０は、姿勢変換機構１５０と受け渡しカセット１７０に設けられた昇降ステージ（図示省略）との間で起立姿勢の基板Ｗの受け渡しを行う。
The
受け渡しカセット１７０と基板処理部群１２０とはＸ方向に沿って一列に配置されている。基板処理部群１２０は、５つの処理部１２１，１２２，１２３，１２４，１２５を備える。処理部１２１～１２５は、基板Ｗに対して種々の表面処理を行う基板処理装置１００の主要部である。図１に示すように、基板処理装置１００内において、処理部１２１，１２２，１２３，１２４，１２５の順に（＋Ｘ）側から配置される。処理部１２１，１２２，１２３，１２４のそれぞれは処理液を貯留する処理槽１０を備える。
The
本明細書において、「処理液」とは各種の薬液、有機溶剤および純水を含む概念の用語である。薬液としては、例えば、エッチング処理を行うための液、または、パーティクルを除去するための液などが含まれ、具体的には、ＴＭＡＨ（水酸化テトラメチルアンモニウム）、ＳＣ－１液（水酸化アンモニウムと過酸化水素水と純水との混合溶液）、ＳＣ－２液（塩酸と過酸化水素水と純水との混合溶液）、または、リン酸などが用いられる。薬液は、純水によって希釈されたものも含む。 In this specification, the term "treatment liquid" is a concept that includes various chemical liquids, organic solvents, and pure water. Chemical liquids include, for example, liquids for etching processes or liquids for removing particles, and specifically, TMAH (tetramethylammonium hydroxide), SC-1 liquid (a mixed solution of ammonium hydroxide, hydrogen peroxide, and pure water), SC-2 liquid (a mixed solution of hydrochloric acid, hydrogen peroxide, and pure water), phosphoric acid, etc. Chemical liquids also include those diluted with pure water.
処理部１２１および処理部１２３は、それぞれ、同種または異種の薬液を貯留し、その薬液中に複数の基板Ｗを一括して浸漬させてエッチング処理等の薬液処理を行う。また、処理部１２２および処理部１２４は、それぞれ、リンス液（典型的には純水）を貯留し、そのリンス液中に複数の基板Ｗを一括して浸漬させてリンス処理を行う。
基板処理部群１２０において、処理部１２１と処理部１２２とが対になっており、処理部１２３と処理部１２４とが対になっている。そして、処理部１２１と処理部１２２との対に専用の搬送機構である１つのリフター２０が設けられている。リフター２０は、処理部１２１と処理部１２２との間でＸ方向に沿って移動可能とされている。また、リフター２０は、昇降駆動機構２４によって処理部１２１および処理部１２２のそれぞれにおいて昇降可能とされている。同様に、処理部１２３と処理部１２４との対に専用の搬送機構である１つのリフター２０が設けられている。
In the
リフター２０は、主搬送ロボット１８０から受け取った複数の基板Ｗを保持し、その基板Ｗを処理部１２１の処理槽１０に貯留された薬液中に浸漬させる。薬液処理の終了後、リフター２０は、処理部１２１から基板Ｗを引き上げて処理部１２２に移送し、処理部１２２の処理槽１０に貯留されたリンス液中に基板Ｗを浸漬させる。リンス処理終了後、リフター２０は、処理部１２２から基板Ｗを引き上げて主搬送ロボット１８０に渡す。処理部１２３および処理部１２４においても、同様のリフター２０の動作が行われる。
The
処理部１２５は、密閉された乾燥チャンバー内を大気圧未満に減圧する機構と、当該乾燥チャンバー内に有機溶剤（例えば、イソプロピルアルコール（ＩＰＡ））を供給する機構と、リフター２０と、を備える。処理部１２５は、リフター２０によって主搬送ロボット１８０から受け取った基板Ｗを乾燥チャンバー内に収容し、その乾燥チャンバー内を減圧雰囲気としつつ、基板Ｗに有機溶剤を供給して基板Ｗを乾燥させる。乾燥処理後の基板Ｗはリフター２０を介して主搬送ロボット１８０に受け渡される。
The
受け渡しカセット１７０は、待機位置（図１の主搬送ロボット１８０の位置）にある主搬送ロボット１８０の下方に配置される。受け渡しカセット１７０は、図示省略の昇降ステージを備える。当該昇降ステージは、プッシャ１６０から受け取った基板Ｗを起立姿勢のまま上昇させて主搬送ロボット１８０に渡す。また、昇降ステージは、主搬送ロボット１８０から受け取った基板Ｗを下降させてプッシャ１６０に渡す。
The
主搬送ロボット１８０は、図１の矢印ＡＲ１に示すように、Ｘ方向に沿ってスライド移動に構成されている。主搬送ロボット１８０は、受け渡しカセット１７０の上方の待機位置と処理部１２１，１２２，１２３，１２４，１２５のいずれかの上方の処理位置との間で基板Ｗを搬送する。
The
主搬送ロボット１８０は、複数の基板Ｗを一括して把持する一対の基板チャック１８１を備えている。主搬送ロボット１８０は、一対の基板チャック１８１の間隔を狭めることにより複数の基板Ｗを一括して把持することができ、基板チャック１８１の間隔を拡げることにより把持状態を解除することができる。このような構成により、主搬送ロボット１８０は、受け渡しカセット１７０の昇降ステージに対して基板Ｗの受け渡しを行うことができるとともに、基板処理部群１２０に設けられた各リフター２０とも基板Ｗの受け渡しを行うことができる。
The
次に、基板処理装置１００に設けられた処理部１２２の構成について説明する。ここでは、処理部１２２について説明するが、処理部１２４も同様の構成を備える。図２は、処理部１２２の要部構成を示す図である。処理部１２２は、処理部１２１にて薬液処理が行われた基板Ｗから薬液を洗い流すリンス処理を行う水洗槽である。図２に示すように、処理部１２２は、主として、処理液を貯留する処理槽１０と、複数枚の基板Ｗを保持して上下に昇降するリフター２０と、処理槽１０内に処理液を供給する処理液供給部３０と、上部シャワーノズル６０と、下部シャワーノズル５０と、を備える。
Next, the configuration of the
処理槽１０は、石英等の耐薬性の材料により構成された貯留容器である。処理槽１０は、処理液を貯留してその内部に基板Ｗを浸漬させる内槽１１と、内槽１１の上端外周部に形成された外槽１２とを含む二重槽構造を有する。内槽１１および外槽１２はそれぞれ上向きに開いた上部開口を有する。外槽１２の上縁の高さは、内槽１１の上縁の高さよりも僅かに高い。内槽１１の上端まで処理液が貯留されている状態で処理液供給部３０から処理液がさらに供給されると、内槽１１の上部から処理液が溢れて外槽１２へとオーバーフローする。本実施形態の処理部１２２は、リンス処理を行う水洗槽であるため、処理槽１０には処理液として純水が供給されて貯留される。
The
リフター２０は、複数の基板Ｗを一括して保持し、それら複数の基板Ｗを上下に搬送するための機構である。リフター２０は、鉛直方向（Ｚ方向）に延びる背板２２と、背板２２の下端から水平方向（Ｙ方向）に延びる３本の保持棒２１とを有する。背板２２の下端はＶ字型に形成されている。背板２２の下端から延びる３本の保持棒２１のそれぞれには複数（例えば、５０個）の保持溝が所定のピッチで刻設されている。複数の基板Ｗは、それぞれの周縁部を上記保持溝に嵌合させた状態で３本の保持棒２１上に互いに所定間隔を隔てて平行に起立姿勢で保持される。すなわち、リフター２０は、起立姿勢の基板Ｗを下方から保持する。
The
また、リフター２０は、図２において概念的に示した昇降駆動機構２４と接続されて昇降移動される。昇降駆動機構２４は、図２の矢印ＡＲ２にて示すように、リフター２０を鉛直方向（Ｚ方向）に沿って上下に昇降移動させる。より詳細には、昇降駆動機構２４は、リフター２０が保持する基板Ｗを処理槽１０の上方の引き上げ位置（図３に示す基板Ｗの位置）と、処理槽１０に貯留された処理液中に浸漬する浸漬位置（図２に示す基板Ｗの位置）との間で移動させるようにリフター２０を昇降移動させる。
The
処理液供給部３０は、一対のノズル管３１，３１およびそれらに処理液を送給する配管系を備える。一対のノズル管３１，３１（以下、これらを特に区別する必要の無いときは単にノズル管３１と総称する）は、処理槽１０の内槽１１の底部に配置される。ノズル管３１は、Ｙ方向に沿って延びる長尺円筒形状の管状部材である。ノズル管３１には、長手方向に沿って等間隔で複数の吐出口（図示省略）が形設されている。ノズル管３１に供給された処理液は、それら複数の吐出口から内槽１１内に吐出されて内槽１１の内部に貯留される。ノズル管３１は、処理槽１０内に保持される基板Ｗに向けて、つまり斜め上方に向けて処理液を吐出する。内槽１１の内部に処理液が貯留されている状態でノズル管３１から処理液が吐出されると、内槽１１内に上方へと向かう処理液の流れ（アップフロー）が形成される。また、内槽１１の上端まで処理液が貯留されている状態でノズル管３１から処理液が吐出されると、内槽１１の上部から処理液が溢れて外槽１２へとオーバーフローする。
The processing
ノズル管３１に処理液を送給する配管系は、配管３２に純水供給源３３、ポンプ３４、流量調整バルブ３５および供給バルブ３６を備えて構成される。配管３２の基端側は純水供給源３３に接続されるとともに、配管３２の先端側は二叉に分岐されてそれぞれノズル管３１に接続される。配管３２の経路途中に、ポンプ３４、流量調整バルブ３５および供給バルブ３６が設けられる。ポンプ３４、流量調整バルブ３５および供給バルブ３６は、この順番で配管３２の上流から下流に向かって（ノズル管３１に向かって）配置される。
The piping system that supplies the processing liquid to the
ポンプ３４は、純水供給源３３からノズル管３１に向けて純水を送り出す。流量調整バルブ３５は、配管３２を流れる純水の流量を調整する。供給バルブ３６は、配管３２の流路を開閉する。ポンプ３４を作動させつつ供給バルブ３６を開放することにより、純水供給源３３から送給された純水が配管３２を流れてノズル管３１に送り出され、その流量は流量調整バルブ３５によって規定される。
The
ノズル管３１に供給された純水は、ノズル管３１から吐出されて処理槽１０内に純水のアップフローを形成する。流量調整バルブ３５によってノズル管３１に供給される純水の流量が増減したときには、ノズル管３１から処理槽１０内に吐出される純水の流速が加速または減速される。すなわち、処理槽１０内における純水の流速は流量調整バルブ３５によって調整される。
The pure water supplied to the
処理槽１０の外槽１２には排液管４３が接続され、その排液管４３には排液バルブ４４が設けられている。排液バルブ４４が開くことにより、内槽１１から外槽１２へとオーバーフローした純水は排液管４３から排出される。
A
また、処理槽１０の内槽１１の底壁には排液管４８が接続され、その排液管４８には排液バルブ４９が設けられている。排液バルブ４９が開くことにより、内槽１１に貯留されていた純水が内槽１１の底部から急速排出される。
A
第１実施形態においては、処理槽１０の上方に４本のシャワーノズルを設けている。すなわち、処理槽１０の上方の比較的低い位置に一対の下部シャワーノズル５０，５０（以下、これらを特に区別する必要の無いときは単に下部シャワーノズル５０と総称する）が設けられるとともに、それよりも高い位置に一対の上部シャワーノズル６０，６０（以下、これらを特に区別する必要の無いときは単に上部シャワーノズル６０と総称する）が設けられる。第１実施形態では、これら４本のシャワーノズル（下部シャワーノズル５０，５０および上部シャワーノズル６０，６０）によって基板Ｗに処理液をシャワー状に吹き付ける処理液噴出部が構成される。
In the first embodiment, four shower nozzles are provided above the
下部シャワーノズル５０は、処理槽１０の上方であって処理槽１０に比較的近い位置に設けられる。下部シャワーノズル５０は、リフター２０によって引き上げ位置に保持された基板Ｗの下端よりも下方に設置される。下部シャワーノズル５０は、Ｙ方向に沿って延びる長尺円筒形状の管状部材である。一対の下部シャワーノズル５０，５０間の間隔は少なくとも基板Ｗの直径よりも大きい。下部シャワーノズル５０には、長手方向に沿って等間隔で複数の噴出孔（図示省略）が形設されている。下部シャワーノズル５０に供給された処理液は、それら複数の噴出孔から斜め上方に向けてシャワー状に噴出される。
The
下部シャワーノズル５０に処理液を送給する配管系は、配管５２に純水供給源５３、ポンプ５４、流量調整バルブ５５および供給バルブ５６を備えて構成される。配管５２の基端側は純水供給源５３に接続されるとともに、配管５２の先端側は二叉に分岐されてそれぞれ下部シャワーノズル５０に接続される。配管５２の経路途中に、ポンプ５４、流量調整バルブ５５および供給バルブ５６が設けられる。ポンプ５４、流量調整バルブ５５および供給バルブ５６は、この順番で配管５２の上流から下流に向かって（下部シャワーノズル５０に向かって）配置される。
The piping system that supplies the processing liquid to the
ポンプ５４は、純水供給源５３から下部シャワーノズル５０に向けて純水を送り出す。流量調整バルブ５５は、配管５２を流れる純水の流量を調整する。供給バルブ５６は、配管５２の流路を開閉する。ポンプ５４を作動させつつ供給バルブ５６を開放することにより、純水供給源５３から送給された純水が配管５２を流れて下部シャワーノズル５０に送り出され、その流量は流量調整バルブ５５によって規定される。下部シャワーノズル５０に送給された純水は、下部シャワーノズル５０からリフター２０によって引き上げ位置に保持された基板Ｗに向けて斜め上方にシャワー状に噴出される。
The
一方、上部シャワーノズル６０は、処理槽１０の上方であって下部シャワーノズル５０よりもさらに上方に設けられる。上部シャワーノズル６０は、リフター２０によって引き上げ位置に保持された基板Ｗの上端よりも上方に設置される。下部シャワーノズル５０と同様に、上部シャワーノズル６０もＹ方向に沿って延びる長尺円筒形状の管状部材である。一対の上部シャワーノズル６０，６０間の間隔は少なくとも基板Ｗの直径よりも大きい。上部シャワーノズル６０には、長手方向に沿って等間隔で複数の噴出孔（図示省略）が形設されている。上部シャワーノズル６０に供給された処理液は、それら複数の噴出孔から斜め下方に向けてシャワー状に噴出される。
On the other hand, the
上部シャワーノズル６０に処理液を送給する配管系は、配管６２に純水供給源６３、ポンプ６４、流量調整バルブ６５および供給バルブ６６を備えて構成される。配管６２の基端側は純水供給源６３に接続されるとともに、配管６２の先端側は二叉に分岐されてそれぞれ上部シャワーノズル６０に接続される。配管６２の経路途中に、ポンプ６４、流量調整バルブ６５および供給バルブ６６が設けられる。ポンプ６４、流量調整バルブ６５および供給バルブ６６は、この順番で配管６２の上流から下流に向かって（上部シャワーノズル６０に向かって）配置される。
The piping system that supplies the processing liquid to the
ポンプ６４は、純水供給源６３から上部シャワーノズル６０に向けて純水を送り出す。流量調整バルブ６５は、配管６２を流れる純水の流量を調整する。供給バルブ６６は、配管６２の流路を開閉する。ポンプ６４を作動させつつ供給バルブ６６を開放することにより、純水供給源６３から送給された純水が配管６２を流れて上部シャワーノズル６０に送り出され、その流量は流量調整バルブ６５によって規定される。上部シャワーノズル６０に送給された純水は、上部シャワーノズル６０からリフター２０によって引き上げ位置に保持された基板Ｗに向けて斜め下方にシャワー状に噴出される。
The
図３は、引き上げ位置に保持された基板Ｗと上部シャワーノズル６０および下部シャワーノズル５０との位置関係を示す図である。リフター２０によって引き上げ位置に保持された基板Ｗの下端よりも下方に下部シャワーノズル５０が設けられるとともに、当該基板Ｗの上端よりも上方に上部シャワーノズル６０が設けられる。従って、上部シャワーノズル６０から斜め下方に向けて処理液をシャワー状に噴出するとともに、下部シャワーノズル５０から斜め上方に向けて処理液をシャワー状に噴出することにより、引き上げ位置に保持された基板Ｗの上端および下端を含む四方から処理液が吹き付けられる。その結果、基板Ｗの全面に均一に処理液が吹き付けられることとなる。
Figure 3 shows the positional relationship between the substrate W held in the lifted position and the upper and
図２に戻り、上部シャワーノズル６０は、図２に概念的に示した駆動機構６９と接続されて昇降移動される。処理槽１０よりも相当に上方に設けられた上部シャワーノズル６０は、Ｘ方向に沿ってスライド移動する主搬送ロボット１８０と干渉するおそれがある。すなわち、主搬送ロボット１８０がリフター２０と基板Ｗの授受を行うために処理槽１０の上方にスライド移動したときに上部シャワーノズル６０と衝突するおそれがある。このため、主搬送ロボット１８０が処理槽１０の上方にスライド移動する際には、駆動機構６９が上部シャワーノズル６０を下方に向けて退避移動させるのである。これにより、主搬送ロボット１８０と上部シャワーノズル６０との干渉を防ぐことができる。
Returning to FIG. 2, the
制御部７０は、基板処理装置１００に設けられた種々の動作機構を制御する。制御部７０は、処理部１２２の動作も制御する。制御部７０のハードウェアとしての構成は一般的なコンピュータと同様である。すなわち、制御部７０は、各種演算処理を行う回路であるＣＰＵ、基本プログラムを記憶する読み出し専用のメモリであるＲＯＭ、各種情報を記憶する読み書き自在のメモリであるＲＡＭおよび制御用ソフトウェアやデータなどを記憶しておく記憶部（例えば、磁気ディスクまたはＳＳＤ）を備えている。制御部７０は、供給バルブ５６、供給バルブ６６および昇降駆動機構２４等と電気的に接続されており、これらの動作を制御する。
The
また、制御部７０の記憶部には、基板Ｗを処理する手順および条件を定めたレシピ（以下「処理レシピ」という）が記憶されている。処理レシピは、例えば、装置のオペレータが、ＧＵＩを介して入力して記憶部に記憶させることによって、基板処理装置１００に取得される。或いは、複数の基板処理装置１００を管理するホストコンピュータから基板処理装置１００に処理レシピが通信により引き渡されて記憶部に記憶されても良い。制御部７０は、記憶部に格納されている処理レシピの記述に基づいて、昇降駆動機構２４等の動作を制御することにより、処理レシピに記述された通りに基板Ｗの表面処理を進行させる。
The
次に、上記の構成を有する処理部１２２における処理動作について説明する。処理部１２２では、処理部１２１にて薬液処理が行われた基板Ｗから薬液を洗い流すリンス処理を行う。ノズル管３１から処理槽１０内に処理液としての純水が供給され、内槽１１には純水が貯留されている。内槽１１に純水が貯留されている状態でノズル管３１から純水をさらに供給し続けると、内槽１１の上端から外槽１２へと純水がオーバーフローする。また、ノズル管３１から純水を吐出することによって、処理部１０内には純水のアップフローが形成されている。
Next, the processing operation in the
処理槽１０内に純水のアップフローが形成されている状態で薬液処理後の基板Ｗが純水中に浸漬される。具体的には、薬液処理後の基板Ｗを保持するリフター２０が処理槽１０の上方の引き上げ位置にまで移動し、そのリフター２０が昇降駆動機構２４によって引き上げ位置から浸漬位置にまで下降する。なお、リフター２０が処理部１２１から処理部１２２に移動するとき、および、主搬送ロボット１８０がリフター２０に基板Ｗを渡すためにスライド移動するときに、上部シャワーノズル６０がそれらの移動の障害となる場合には駆動機構６９が上部シャワーノズル６０を退避させる。
With an upflow of pure water formed in the
リフター２０が保持する基板Ｗを処理槽１０内の浸漬位置にまで下降させると、基板Ｗの全体が処理槽１０に貯留された純水中に浸漬する。処理槽１０内に純水のアップフローが形成されている状態で基板Ｗが浸漬位置に保持されると、基板Ｗの表面に沿って純水の水流が流れ、基板Ｗの表面に付着していた薬液が洗い流されて純水に置換される。
When the substrate W held by the
処理槽１０に貯留された純水中に基板Ｗを浸漬して水洗を行う浸漬処理を開始してから所定時間が経過した時点にて、制御部７０の制御により昇降駆動機構２４がリフター２０を浸漬位置から引き上げ位置に上昇させる。なお、このときには、上部シャワーノズル６０の退避は解除されて上部シャワーノズル６０は定位置に停止されている。
When a predetermined time has elapsed since the start of the immersion process in which the substrate W is immersed in the pure water stored in the
リフター２０が浸漬位置から上昇する過程で基板Ｗは上端から順に徐々に処理槽１０に貯留された純水の液面から露出する。そして、リフター２０によって保持された基板Ｗは一対の下部シャワーノズル５０，５０の間を通り抜けて引き上げ位置に到達する。基板Ｗが引き上げ位置に到達すると、昇降駆動機構２４がリフター２０の上昇を停止させる。これにより、基板Ｗはリフター２０によって引き上げ位置に保持される。
As the
基板Ｗが引き上げ位置に上昇されて保持された後、下部シャワーノズル５０および上部シャワーノズル６０を用いたシャワーリンス処理が開始される。なお、シャワーリンス処理を行う際には、排液バルブ４９を開放して処理槽１０に貯留されていた純水を排出しても良い。また、シャワーリンス処理を行っているときには、上部シャワーノズル６０が定位置にまで上昇しているため、処理槽１０の上方を主搬送ロボット１８０が通ることはできない。
After the substrate W is raised to and held at the lifting position, a shower rinse process is started using the
第１実施形態では、まず上部シャワーノズル６０がリフター２０によって引き上げ位置に保持されている基板Ｗの斜め上方から純水をシャワー状に吹き付ける。図４は、上部シャワーノズル６０から引き上げ位置の基板Ｗに処理液を吹き付ける様子を示す図である。上部シャワーノズル６０から基板Ｗに純水を吹き付けるときには、下部シャワーノズル５０からの純水噴出は停止されている。上部シャワーノズル６０からシャワー状に噴出された純水の液滴は、主に基板ＷのＸ方向に沿った径（以下、基板ＷのＸ方向に沿った径を「赤道」とも称する）よりも上側部分（北半球）に着液する。そして、基板Ｗの赤道よりも上側部分に着液した純水は基板Ｗの表面に沿って下方に流れ、基板Ｗの下端から処理槽１０の内槽１１に落下する。
In the first embodiment, the
次に、上部シャワーノズル６０からの純水噴出を停止するとともに、下部シャワーノズル５０が引き上げ位置に保持されている基板Ｗの斜め下方から純水をシャワー状に吹き付ける。図５は、下部シャワーノズル５０から引き上げ位置の基板Ｗに処理液を吹き付ける様子を示す図である。下部シャワーノズル５０から基板Ｗに純水を吹き付けるときには、上部シャワーノズル６０からの純水噴出は停止されている。下部シャワーノズル５０からシャワー状に噴出された純水の液滴は、主に基板Ｗの赤道よりも下側部分（南半球）に着液する。そして、基板Ｗの赤道よりも下側部分に着液した純水は基板Ｗの表面に沿って下方に流れ、基板Ｗの下端から処理槽１０の内槽１１に落下する。
Next, the pure water jet from the
さらにその後、下部シャワーノズル５０からの純水噴出を停止するとともに、上部シャワーノズル６０が再び基板Ｗの斜め上方から純水をシャワー状に吹き付ける。すなわち、第１実施形態では、上部シャワーノズル６０と下部シャワーノズル５０とが交互に上下から基板Ｗに純水をシャワー状に吹き付けるのである。但し、上部シャワーノズル６０からの純水吹き付けと下部シャワーノズル５０からの純水吹き付けとを所定回数繰り返した後、最終の純水吹き付けは上部シャワーノズル６０から行う。
Furthermore, after that, the spraying of pure water from the
上部シャワーノズル６０による最終の純水吹き付けが終了した後、主搬送ロボット１８０がリフター２０から処理後の基板Ｗを受け取る。これにより、処理部１２２における一連の処理は完了する。その後、基板Ｗは主搬送ロボット１８０によって処理部１２３に搬送されて基板Ｗに新たな薬液処理が行われる。或いは、基板Ｗは主搬送ロボット１８０によって処理部１２５に搬送されて基板Ｗに乾燥処理が行われる。なお、主搬送ロボット１８０がリフター２０から基板Ｗを受け取るときには、駆動機構６９が上部シャワーノズル６０を退避させて主搬送ロボット１８０と上部シャワーノズル６０との干渉を防いでいる。
After the final spraying of pure water by the
第１実施形態においては、処理槽１０に貯留されている純水中に基板Ｗを浸漬して水洗を行う浸漬処理が終了した後、処理槽１０よりも上方の引き上げ位置に基板Ｗを引き上げた状態で上部シャワーノズル６０および下部シャワーノズル５０から基板Ｗに純水をシャワー状に吹き付けてシャワーリンス処理を行っている。処理槽１０の外側に基板Ｗを移動させてからシャワーリンス処理を行っているため、基板Ｗの赤道よりも上側部分のみならず、赤道よりも下側部分にも純水の液滴を吹き付けて洗浄することができる。すなわち、処理槽１０から引き上げた状態の基板Ｗに純水を吹き付けることにより、基板Ｗの全面に純水の液滴を供給することができるため、基板Ｗの表面処理の均一性を維持することができる。その結果、シャワーリンス処理を短時間で完了することが可能となり、スループットを向上させるとともに、純水の消費量を削減することが可能となる。
In the first embodiment, after the immersion process in which the substrate W is immersed in the pure water stored in the
また、第１実施形態においては、処理槽１０の上方に２本の上部シャワーノズル６０，６０および２本の下部シャワーノズル５０，５０の計４本のシャワーノズルを設け、それらによってシャワーリンス処理を行っている。下部シャワーノズル５０は、リフター２０によって引き上げ位置に保持された基板Ｗの下端よりも下方に設置される。このため、下部シャワーノズル５０から基板Ｗの下端（南極）にも純水の液滴を吹き付けることが可能であり、当該下端も十分に洗浄することができる。一方、上部シャワーノズル６０は、引き上げ位置に保持された基板Ｗの上端よりも上方に設置される。これにより、上部シャワーノズル６０から基板Ｗの上端（北極）にも純水の液滴を吹き付けることが可能であり、当該上端も十分に洗浄することができる。
In the first embodiment, a total of four shower nozzles, two
第１実施形態では、上部シャワーノズル６０と下部シャワーノズル５０とが交互に基板Ｗに純水をシャワー状に吹き付けているが、これを上部シャワーノズル６０と下部シャワーノズル５０とが同時に基板Ｗに純水を吹き付けるようにしても良い。上部シャワーノズル６０と下部シャワーノズル５０とが同時に基板Ｗに純水を吹き付けるようにすれば、シャワーリンス処理に要する時間をさらに短くすることができる一方で上下から吹き付けられる純水の液滴が相互に干渉するおそれがある。第１実施形態のように、上部シャワーノズル６０と下部シャワーノズル５０とが交互に基板Ｗに純水を吹き付けるようにすれば、常に基板Ｗの一方側から（上側からまたは下側から）純水が吹き付けられることとなり、液滴の相互干渉を防いで洗浄効率が低下するのを防止することができる。
In the first embodiment, the
特に、第１実施形態では、基板Ｗの上下から交互に純水を吹き付ける際の最終の純水吹き付けは上部シャワーノズル６０から行うようにしている。下部シャワーノズル５０から純水を吹き付けたときには、基板Ｗの下方から吹き付けられた純水が基板Ｗの表面に着液してから下方に向かって逆向きに流れる。これに対して、上部シャワーノズル６０から純水を吹き付けたときには、基板Ｗの上方から吹き付けられた純水が基板Ｗの表面に着液してからも下方に向かって一方向に流れるため、基板Ｗの清浄度をより高めることができる。従って、最終の純水吹き付けを上部シャワーノズル６０から行うことにより、基板Ｗの清浄度をより高く維持することができる。
In particular, in the first embodiment, when pure water is sprayed alternately from above and below the substrate W, the final spray of pure water is performed from the
また、第１実施形態では、基板Ｗが引き上げ位置に上昇されて保持された後にシャワーリンス処理を開始していたが、これに限定されるものではなく、少なくとも基板Ｗの一部が処理槽１０に貯留されている処理液から露出した時点以降にシャワーリンス処理を開始すれば良い。
In addition, in the first embodiment, the shower rinse process is started after the substrate W is raised to and held at the lifting position, but this is not limited to this, and the shower rinse process may be started after at least a portion of the substrate W is exposed from the processing liquid stored in the
＜第２実施形態＞
次に、本発明の第２実施形態について説明する。第２実施形態の基板処理装置の構成は第１実施形態と同じである。また、第２実施形態における基板Ｗの処理手順も概ね第１実施形態と同様である。第２実施形態が第１実施形態と相違するのは、シャワーリンス処理を行うときに基板Ｗを引き上げ位置に固定保持するのではなく、基板Ｗを上下に揺動させている点である。
Second Embodiment
Next, a second embodiment of the present invention will be described. The configuration of the substrate processing apparatus of the second embodiment is the same as that of the first embodiment. Furthermore, the processing procedure of the substrate W in the second embodiment is generally the same as that of the first embodiment. The second embodiment differs from the first embodiment in that the substrate W is not fixed and held at a lifted position during the shower rinse process, but is instead swung up and down.
図６は、第２実施形態における基板Ｗのシャワーリンス処理を示す図である。同図において、第１実施形態と同一の要素については同一の符号を付している。 Figure 6 is a diagram showing the shower rinse process for a substrate W in the second embodiment. In this figure, the same elements as in the first embodiment are denoted by the same reference numerals.
第２実施形態においては、基板Ｗのシャワーリンス処理を行うときに、上部シャワーノズル６０および下部シャワーノズル５０からシャワー状に吹き付けられる純水の液滴中を基板Ｗが矢印ＡＲ６に示すように上下に往復移動するように、昇降駆動機構２４がリフター２０を昇降させている。シャワー状に吹き付けられる純水の液滴中を基板Ｗが往復移動するため、基板Ｗの全面に純水の液滴が均一に供給されることなり、基板Ｗの表面処理の均一性をより高めることができる。
In the second embodiment, when performing shower rinsing processing on the substrate W, the lifting
第２実施形態のように、基板Ｗを上下に揺動させる場合には、その揺動範囲の下端に基板Ｗが位置しているときの基板Ｗの下端は下部シャワーノズル５０よりも下方であっても良い。同様に、揺動範囲の上端に基板Ｗが位置しているときの基板Ｗの上端は上部シャワーノズル６０よりも上方であっても良い。
When the substrate W is oscillated up and down as in the second embodiment, the lower end of the substrate W may be lower than the
また、基板Ｗを上下に揺動させる場合には、上部シャワーノズル６０と下部シャワーノズル５０とが同時に純水を噴出するようにしても良いし、上部シャワーノズル６０と下部シャワーノズル５０とが交互に純水を噴出するようにしても良い。特に、基板Ｗが下方に向けて移動するときに下部シャワーノズル５０が斜め上方に純水を吹き付け、基板Ｗが上方に向けて移動するときに上部シャワーノズル６０が斜め下方に純水を吹き付けるようにすれば、基板Ｗの洗浄効率をより高めることができる。基板Ｗを上下に揺動させている点以外の第２実施形態の残余の構成は第１実施形態と同じである。
When the substrate W is swung up and down, the
＜第３実施形態＞
次に、本発明の第３実施形態について説明する。図７は、第３実施形態の処理部の要部構成を示す図である。第３実施形態においては、上部シャワーノズル６０および下部シャワーノズル５０に代えて２本の回動式シャワーノズル８０，８０（以下、これらを特に区別する必要の無いときは単に回動式シャワーノズル８０と総称する）を設けている。すなわち、第１実施形態では４本のシャワーノズルを設けていたのに対して、第３実施形態ではシャワーノズルを２本としている。
Third Embodiment
Next, a third embodiment of the present invention will be described. Figure 7 is a diagram showing the essential configuration of the treatment section of the third embodiment. In the third embodiment, two
回動式シャワーノズル８０は、第１実施形態の下部シャワーノズル５０と概ね同じ高さ位置、すなわち処理槽１０の上方であって処理槽１０に比較的近い位置に設けられる。回動式シャワーノズル８０は、リフター２０によって引き上げ位置に保持された基板Ｗの下端よりも下方に設置される。回動式シャワーノズル８０は、Ｙ方向に沿って延びる長尺円筒形状の管状部材である。一対の回動式シャワーノズル８０，８０間の間隔は少なくとも基板Ｗの直径よりも大きい。回動式シャワーノズル８０には、長手方向に沿って等間隔で複数の噴出孔（図示省略）が形設されている。すなわち、回動式シャワーノズル８０の形状は第１実施形態の下部シャワーノズル５０および上部シャワーノズル６０とほぼ同じである。回動式シャワーノズル８０には、第１実施形態の下部シャワーノズル５０についてと同様の純水供給機構から純水が供給される。
The
回動式シャワーノズル８０は、図７に概念的に示した回動駆動機構８４によって、矢印ＡＲ７に示すように、水平方向に沿ったＹ軸周りで回動可能とされている。回動駆動機構８４としては、例えばパルスモータを用いることができる。回動式シャワーノズル８０から処理液を噴出しつつ、回動駆動機構８４が回動式シャワーノズル８０を回動させることによって、処理液の噴出方向がＸＺ平面内で旋回移動することとなる。
The
第３実施形態においては、回動式シャワーノズル８０からの純水の噴出方向がリフター２０によって昇降される基板Ｗに向かうように回動駆動機構８４が回動式シャワーノズル８０を回動させる。具体的には、基板Ｗの浸漬処理が終了した後、リフター２０が上昇するにつれて基板Ｗは上端から順に徐々に処理槽１０に貯留された純水の液面から露出する。基板Ｗの上端が純水の液面から露出した時点で回動式シャワーノズル８０からの純水噴出を開始する。回動式シャワーノズル８０は、リフター２０に保持された基板Ｗに向けて純水をシャワー状に吹き付ける。リフター２０によって基板Ｗがさらに上昇すると、その基板Ｗの上昇移動に噴出方向が追随するように回動式シャワーノズル８０が回動する。すなわち、リフター２０によって基板Ｗが上昇するにつれて、純水の噴出方向も上昇するように回動式シャワーノズル８０が回動する。これにより、リフター２０によって上昇する基板Ｗには、回動する回動式シャワーノズル８０から絶えず純水の液滴が吹き付けられることとなる。基板Ｗが上昇して引き上げ位置に到達するまで回動式シャワーノズル８０は回動を継続することとなる。
In the third embodiment, the
第３実施形態においても、処理槽１０から引き上げた状態の基板Ｗに回動式シャワーノズル８０から純水を吹き付けることとなる。それに加えて、純水の噴出方向が昇降移動する基板Ｗに向かうように回動式シャワーノズル８０が回動するため、基板Ｗの全面に純水の液滴を供給することができ、基板Ｗの表面処理の均一性を維持することができる。
In the third embodiment, pure water is sprayed from the
第３実施形態においては、シャワーノズルを２本とし、第１実施形態の上部シャワーノズル６０に相当する要素が設けられていない。このため、装置構成を簡易なものとすることができる。また、主搬送ロボット１８０と上部シャワーノズル６０との干渉が生じる懸念は皆無である。さらに、上部シャワーノズル６０を下方に退避させるための駆動機構６９を設ける必要もない。
In the third embodiment, there are two shower nozzles, and no element equivalent to the
＜第４実施形態＞
次に、本発明の第４実施形態について説明する。図８は、第４実施形態の処理部の要部構成を示す図である。第４実施形態においては、第１実施形態の構成に加えて一対の基板保持部９１，９１（以下、これらを特に区別する必要の無いときは単に基板保持部９１と総称する）を設けている。なお、基板保持部９１以外の第４実施形態の残余の構成は第１実施形態と同じである。
Fourth Embodiment
Next, a fourth embodiment of the present invention will be described. Fig. 8 is a diagram showing the main configuration of a processing section of the fourth embodiment. In the fourth embodiment, in addition to the configuration of the first embodiment, a pair of
基板保持部９１は、Ｙ方向に沿って延びる棒状部材である。基板保持部９１は、処理槽１０の上方であって、上部シャワーノズル６０と下部シャワーノズル５０との間の高さ位置に設けられる。リフター２０によって引き上げ位置に保持される基板Ｗの両側を挟み込むように２本の基板保持部９１が設けられる。それぞれの基板保持部９１には、複数（例えば、５０個）の保持溝が所定のピッチでＹ方向に沿って刻設されている。基板保持部９１に刻設される保持溝のピッチはリフター２０の保持棒２１に刻まれる保持溝のピッチと同じである。
The
基板保持部９１は、図示省略の駆動機構によって、矢印ＡＲ８にて示すように、Ｘ方向に沿ってスライド移動される。すなわち、一対の基板保持部９１，９１は、それらの間隔を拡縮するような開閉動作を行う。一対の基板保持部９１，９１が間隔を拡げているときには、それらの間をリフター２０に保持された基板Ｗが通過可能である。一方、一対の基板保持部９１，９１が間隔を狭めているときには、リフター２０に保持された複数の基板Ｗのそれぞれの周縁部を基板保持部９１の保持溝に嵌合させることにより、基板保持部９１は複数の基板Ｗを受け取って保持することが可能である。
The
リフター２０によって引き上げ位置に基板Ｗが保持されている状態で一対の基板保持部９１，９１が間隔を狭めるようにスライド移動してリフター２０が下降することにより、リフター２０から基板保持部９１に基板Ｗが受け渡される。また、基板保持部９１によって基板Ｗが保持されている状態でリフター２０が上昇することにより、基板保持部９１からリフター２０に基板Ｗが受け渡される。リフター２０が基板Ｗを保持しているときに３本の保持棒２１が基板Ｗに接触する接触箇所と、基板保持部９１が基板Ｗを保持しているときに基板Ｗに接触する接触箇所とは異なる。
When the
第４実施形態においてシャワーリンス処理を行うときには、まずリフター２０によって引き上げ位置に保持している基板Ｗに向けて上部シャワーノズル６０および下部シャワーノズル５０から純水をシャワー状に吹き付ける。処理槽１０よりも上方の引き上げ位置に基板Ｗを引き上げた状態で上部シャワーノズル６０および下部シャワーノズル５０から基板Ｗに純水をシャワー状に吹き付けることにより、基板Ｗの全面に液滴を供給して洗浄できるのであるが、基板Ｗと３本の保持棒２１との接触箇所には液滴が供給されにくい。よって、当該接触箇所が十分に洗浄されなくなる。
When performing the shower rinse process in the fourth embodiment, first, pure water is sprayed in a shower from the
このため、上部シャワーノズル６０および下部シャワーノズル５０から純水を吹き付けつつ、リフター２０が下降して基板保持部９１に基板Ｗを保持させる。これにより、基板Ｗと３本の保持棒２１との接触箇所が開放され、当該接触箇所にも十分に純水の液滴が供給されて洗浄されることとなる。なお、基板Ｗが基板保持部９１に保持されているときには、基板Ｗと基板保持部９１との接触箇所に純水の液滴が供給されにくくなるが、当該接触箇所には基板Ｗがリフター２０によって保持されているときに十分に純水の液滴が供給されている。
For this reason, while pure water is sprayed from the
第４実施形態においては、上部シャワーノズル６０および下部シャワーノズル５０から純水を吹き付けている間に、リフター２０によって基板Ｗを保持する状態と基板保持部９１によって基板Ｗを保持する状態とを切り替えている。基板Ｗがリフター２０によって保持されているときに洗浄効率が低下する３本の保持棒２１による基板Ｗへの接触箇所は、基板Ｗが基板保持部９１に保持されているときには開放されて効率良く洗浄される。逆に、基板Ｗが基板保持部９１に保持されているときに洗浄効率が低下する基板保持部９１による基板Ｗへの接触箇所は、基板Ｗがリフター２０に保持されているときには開放されて効率良く洗浄される。これにより、接触に起因して洗浄効率が低下する特異点を無くして基板Ｗの全面を均一に洗浄することができる。
In the fourth embodiment, while pure water is being sprayed from the
＜第５実施形態＞
次に、本発明の第５実施形態について説明する。図９は、第５実施形態の処理部の要部構成を示す図である。第５実施形態においては、第１実施形態の構成に加えて仕切板９５をさらに設けている。なお、仕切板９５以外の第５実施形態の残余の構成は第１実施形態と同じである。
Fifth Embodiment
Next, a fifth embodiment of the present invention will be described. Fig. 9 is a diagram showing the main configuration of a processing unit of the fifth embodiment. In the fifth embodiment, a
仕切板９５は、隣接する処理部との間を遮蔽する板状部材である。仕切板９５は、図示を省略する駆動機構によって上下方向（Ｚ方向）に移動する。仕切板９５が上昇した状態では、処理槽１０の上方空間と隣接する処理部との間が当該仕切板９５によって遮蔽される。図９の紙面左側の仕切板９５が上昇した状態では処理部１２２の処理槽１０の上方空間と処理部１２３との間が遮断される。一方、図９の紙面右側の仕切板９５が上昇した状態では処理部１２２の処理槽１０の上方空間と処理部１２１との間が遮断される。また、仕切板９５が下降した状態では、処理槽１０の上方空間と隣接する処理部との間が開放される。
The
第５実施形態においてシャワーリンス処理を行うときには、リフター２０によって引き上げ位置に保持している基板Ｗに向けて上部シャワーノズル６０および下部シャワーノズル５０から純水をシャワー状に吹き付ける。リフター２０に保持された基板Ｗに純水をシャワー状に吹き付けることによって多数の微少な水滴で構成されたミストが生じる。処理槽１０よりも上方空間でミストが発生するため、そのようなミストは隣接する処理部に流れ込んで当該処理部の雰囲気を汚染するおそれがある。このため、第５実施形態においてシャワーリンス処理を行うときには、仕切板９５を上昇させて処理槽１０の上方空間と隣接する処理部との間を当該仕切板９５によって遮蔽している。これにより、基板Ｗに純水をシャワー状に吹き付けることによって生じるミストの飛散を仕切板９５によって防止し、そのようなミストが隣接する処理部に流れ込むのを防いでいる。
When performing shower rinse processing in the fifth embodiment, pure water is sprayed in a shower from the
第５実施形態においては、処理槽１０から引き上げた状態の基板Ｗに純水をシャワー状に吹き付けることによって生じたミストが拡散するおそれのあるところ、仕切板９５を設けることによってミストの飛散を防止しているのである。これにより、処理槽１０の周辺環境を汚染するのを防止することができる。
In the fifth embodiment, there is a risk of mist being generated by spraying a shower of pure water onto the substrate W after it has been lifted out of the
＜変形例＞
以上、本発明の実施の形態について説明したが、この発明はその趣旨を逸脱しない限りにおいて上述したもの以外に種々の変更を行うことが可能である。例えば、上記各実施形態においては、薬液処理が行われた基板Ｗにリンス処理を行う水洗槽である処理部１２２に本発明に係る技術を適用していたが、これに限定されるものではない。１つの処理槽内にて薬液と純水とを順次に入れ替え、その処理槽にて薬液処理とリンス処理との双方を行う処理部に上記各実施形態と同様の構成を設けるようにしても良い。このようにしても、基板Ｗの全面に処理液の液滴を供給して基板Ｗの表面処理の均一性を維持することができる。
<Modification>
Although the embodiment of the present invention has been described above, various modifications of the present invention are possible without departing from the spirit of the present invention. For example, in each of the above-mentioned embodiments, the technology according to the present invention is applied to the
また、上記各実施形態においては、処理液として純水をシャワー状に基板Ｗに吹き付けていたが、これに限定されるものではなく、例えば処理液として乾燥媒体であるＩＰＡ（イソプロピルアルコール）をシャワー状に基板Ｗに吹き付けるようにしても良い。処理液として純水以外の液体を使用する場合であっても、上記各実施形態と同様の構成を採用することにより、基板Ｗの全面に処理液の液滴を供給することができ、基板Ｗの表面処理の均一性を維持することができる。 In addition, in each of the above embodiments, pure water is sprayed onto the substrate W in a shower-like manner as the processing liquid, but this is not limited thereto, and for example, IPA (isopropyl alcohol), which is a drying medium, may be sprayed onto the substrate W in a shower-like manner as the processing liquid. Even when a liquid other than pure water is used as the processing liquid, by adopting a configuration similar to each of the above embodiments, droplets of the processing liquid can be supplied to the entire surface of the substrate W, and uniformity of the surface processing of the substrate W can be maintained.
また、第１実施形態では、４本のシャワーノズルを設けていたが、さらに多数のシャワーノズル（例えば、６本または８本）を設けるようにしても良い。 In addition, in the first embodiment, four shower nozzles are provided, but a larger number of shower nozzles (e.g., six or eight) may be provided.
また、４本のシャワーノズルのうち２本を第１実施形態の下部シャワーノズル５０と概ね同じ高さ位置に設け、残りの２本をその直上に設けるようにしても良い。下側の２本のシャワーノズルの噴出方向は基板Ｗの赤道よりも下側部分であり、上側の２本シャワーノズルの噴出方向は基板Ｗの赤道よりも上側部分である。このようにしても、基板Ｗの全面に純水の液滴を供給することができるため、基板Ｗの表面処理の均一性を維持することができる。
Alternatively, two of the four shower nozzles may be provided at approximately the same height as the
また、第４実施形態において、基板保持部９１の代わりに主搬送ロボット１８０の基板チャック１８１（図１）によって基板Ｗを保持するようにしても良い。このようすれば、基板保持部９１を設けることなく、既存の構成である主搬送ロボット１８０によって基板Ｗを保持することができる。もっとも、シャワーリンス処理のために主搬送ロボット１８０が基板Ｗを保持している間は、主搬送ロボット１８０が他のジョブを実行できないため、基板処理装置１００全体での処理効率は低下するおそれがある。
In addition, in the fourth embodiment, the substrate W may be held by the substrate chuck 181 (FIG. 1) of the
また、第５実施形態において、仕切板９５に向けて洗浄液を吹き付けるシャワーノズルを設け、仕切板９５に付着したミストを洗い流すようにしても良い。
In addition, in the fifth embodiment, a shower nozzle may be provided to spray cleaning liquid toward the
１０ 処理槽
１１ 内槽
１２ 外槽
２０ リフター
２１ 保持棒
２４ 昇降駆動機構
３０ 処理液供給部
３１ ノズル管
５０ 下部シャワーノズル
６０ 上部シャワーノズル
７０ 制御部
８０ 回動式シャワーノズル
８４ 回動駆動機構
９１ 基板保持部
９５ 仕切板
１００ 基板処理装置
１２１，１２２，１２３，１２４，１２５ 処理部
１８０ 主搬送ロボット
Ｗ 基板
REFERENCE SIGNS
Claims (18)
処理液を貯留する処理槽と、
前記処理槽内に処理液を供給する処理液供給部と、
起立姿勢の基板を下方から保持するリフターと、
保持する前記基板を前記処理槽の上方の引き上げ位置と、処理液中に浸漬する浸漬位置との間で移動させるように前記リフターを昇降させる昇降部と、
前記基板に向けて処理液をシャワー状に吹き付ける処理液噴出部と、
を備え、
前記処理液噴出部は、前記処理槽から引き上げた状態の前記基板に処理液を吹き付けることを特徴とする基板処理装置。 A substrate processing apparatus for performing surface processing by immersing a substrate in a processing liquid,
a processing tank for storing a processing liquid;
a processing liquid supply unit for supplying a processing liquid into the processing tank;
a lifter that holds the substrate in an upright position from below;
a lifting unit that raises and lowers the lifter so as to move the held substrate between a lifting position above the processing bath and an immersion position where the substrate is immersed in the processing solution;
a treatment liquid jetting unit that sprays the treatment liquid toward the substrate in a shower-like manner;
Equipped with
The substrate processing apparatus, wherein the processing liquid jetting section jets the processing liquid onto the substrate in a state where the substrate is lifted from the processing bath.
前記処理液噴出部は、
前記リフターによって前記引き上げ位置に保持された前記基板の上方から処理液をシャワー状に吹き付ける上部シャワーノズルと、
前記引き上げ位置に保持された前記基板の下方から処理液をシャワー状に吹き付ける下部シャワーノズルと、
を有することを特徴とする基板処理装置。 2. The substrate processing apparatus according to claim 1,
The treatment liquid ejection unit includes:
an upper shower nozzle that sprays a shower of a processing liquid from above the substrate held at the lifted position by the lifter;
a lower shower nozzle that sprays a treatment liquid in a shower-like manner from below the substrate held at the lifted position;
A substrate processing apparatus comprising:
前記上部シャワーノズルと前記下部シャワーノズルとは交互に前記基板に処理液を吹き付けることを特徴とする基板処理装置。 3. The substrate processing apparatus according to claim 2,
a lower shower nozzle and an upper shower nozzle arranged to alternately spray a processing solution onto the substrate;
最終の処理液吹き付けは前記上部シャワーノズルから行うことを特徴とする基板処理装置。 4. The substrate processing apparatus according to claim 3,
2. A substrate processing apparatus according to claim 1, wherein the final spraying of the processing solution is performed from said upper shower nozzle.
前記下部シャワーノズルは前記引き上げ位置に保持された前記基板の下端よりも下方に配置されることを特徴とする基板処理装置。 3. The substrate processing apparatus according to claim 2,
a lower shower nozzle disposed below a lower end of the substrate held at the raised position;
前記処理液噴出部からシャワー状に吹き付けられる処理液中を前記基板が上下に往復移動するように、前記昇降部が前記リフターを昇降させることを特徴とする基板処理装置。 2. The substrate processing apparatus according to claim 1,
a processing unit configured to raise and lower the lifter so that the substrate moves up and down in the processing liquid sprayed in a shower-like manner from the processing liquid spraying unit.
前記処理液噴出部は、前記リフターに保持された前記基板に向けて処理液をシャワー状に吹き付けるシャワーノズルを備え、
前記シャワーノズルからの処理液の噴出方向が変動するように前記シャワーノズルを水平軸まわりで回動させる回動部をさらに備えることを特徴とする基板処理装置。 2. The substrate processing apparatus according to claim 1,
the processing liquid jetting unit includes a shower nozzle that sprays the processing liquid in a shower-like manner toward the substrate held by the lifter,
13. The substrate processing apparatus according to claim 12, further comprising a rotation unit which rotates the shower nozzle about a horizontal axis so as to vary a spray direction of the processing liquid from the shower nozzle.
前記回動部は、前記シャワーノズルからの処理液の噴出方向が前記リフターによって昇降される前記基板に向かうように前記シャワーノズルを回動させることを特徴とする基板処理装置。 8. The substrate processing apparatus according to claim 7,
2. The substrate processing apparatus according to claim 1, wherein the rotation unit rotates the shower nozzle so that a spray direction of the processing liquid from the shower nozzle is directed toward the substrate being lifted and lowered by the lifter.
前記リフターとは異なる箇所に接触して前記基板を保持する保持部をさらに備え、
前記処理液噴出部から処理液を吹き付けている間に、前記リフターによって前記基板を保持する状態と前記保持部によって前記基板を保持する状態とを切り替えることを特徴とする基板処理装置。 2. The substrate processing apparatus according to claim 1,
a holding part that holds the substrate by contacting a part different from the lifter,
2. A substrate processing apparatus comprising: a substrate holder that holds the substrate while the processing liquid is being sprayed from the processing liquid spraying portion; a substrate holder that holds the substrate while the processing liquid is being sprayed from the processing liquid spraying portion;
前記処理液噴出部から処理液をシャワー状に吹き付けることによって生じるミストの飛散を防止する仕切板をさらに備えることを特徴とする基板処理装置。 2. The substrate processing apparatus according to claim 1,
2. The substrate processing apparatus according to claim 1, further comprising a partition plate for preventing scattering of mist generated by spraying the processing liquid from the processing liquid jetting portion in a shower-like manner.
処理槽内に貯留した処理液中に基板を浸漬して前記基板に表面処理を行う浸漬工程と、
前記処理槽からリフターによって前記基板を引き上げる引き上げ工程と、
前記処理槽から引き上げた状態の前記基板に処理液をシャワー状に吹き付ける噴出工程と、
を備えることを特徴とする基板処理方法。 A substrate processing method for performing surface treatment by immersing a substrate in a processing solution, comprising the steps of:
an immersion step of immersing a substrate in a treatment liquid stored in a treatment tank to perform a surface treatment on the substrate;
a lifting step of lifting the substrate from the processing bath by a lifter;
a spraying step of spraying the treatment liquid in a shower-like manner onto the substrate in a state where the substrate is pulled out of the treatment bath;
A substrate processing method comprising:
前記噴出工程では、前記リフターによって前記処理槽の上方の引き上げ位置に保持された前記基板に対して、上部シャワーノズルが前記基板の上方から処理液をシャワー状に吹き付け、下部シャワーノズルが前記基板の下方から処理液をシャワー状に吹き付けることを特徴とする基板処理方法。 12. The method of claim 11, further comprising:
The spraying step is a substrate processing method characterized in that an upper shower nozzle sprays the processing liquid in a shower-like manner from above the substrate, which is held in a raised position above the processing tank by the lifter, and a lower shower nozzle sprays the processing liquid in a shower-like manner from below the substrate.
前記上部シャワーノズルと前記下部シャワーノズルとは交互に前記基板に処理液を吹き付けることを特徴とする基板処理方法。 13. The method of claim 12, further comprising:
a lower shower nozzle and a upper shower nozzle arranged to alternately spray a processing liquid onto the substrate;
最終の処理液吹き付けは前記上部シャワーノズルから行うことを特徴とする基板処理方法。 14. The method of claim 13, further comprising:
A substrate processing method, characterized in that the final spraying of the processing solution is performed from the upper shower nozzle.
前記噴出工程では、シャワー状に吹き付けられる処理液中を前記基板が上下に往復移動するように前記リフターを昇降させることを特徴とする基板処理方法。 12. The method of claim 11, further comprising:
The method for processing a substrate, wherein in the spraying step, the lifter is raised and lowered so that the substrate reciprocates up and down in the processing liquid sprayed in a shower-like manner.
前記噴出工程では、前記リフターに保持された前記基板に向けて処理液をシャワー状に吹き付けるシャワーノズルからの処理液の噴出方向が変動するように前記シャワーノズルを水平軸まわりで回動させることを特徴とする基板処理方法。 12. The method of claim 11, further comprising:
The substrate processing method is characterized in that, in the spraying step, a shower nozzle that sprays the processing liquid in a shower-like manner toward the substrate held by the lifter is rotated about a horizontal axis so that the spray direction of the processing liquid from the shower nozzle varies.
前記シャワーノズルからの処理液の噴出方向が前記リフターによって昇降される前記基板に向かうように前記シャワーノズルを回動させることを特徴とする基板処理方法。 17. The method of claim 16, further comprising:
a shower nozzle for rotating said shower nozzle so that a direction of spraying of processing liquid from said shower nozzle is toward said substrate being lifted or lowered by said lifter.
前記噴出工程では、前記リフターによって前記基板を保持する状態と、前記リフターとは異なる箇所にて前記基板を保持する保持部によって前記基板を保持する状態とを切り替えることを特徴とする基板処理方法。 12. The method of claim 11, further comprising:
A substrate processing method, characterized in that in the ejection step, a state in which the substrate is held by the lifter and a state in which the substrate is held by a holder that holds the substrate at a location different from the lifter are switched.
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