JP2003297573A - 有機ｅｌ素子を含む表示装置及びその製造方法 - Google Patents
有機ｅｌ素子を含む表示装置及びその製造方法Info
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Landscapes
- Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 限られた面積の画素に、大なる静電容量を設
け、且つ画素の開口率が高い有機ＥＬ表示装置を提供す
る。 【解決手段】 本発明による画像表示装置は、複数の有
機ＥＬ素子を含む画像表示装置であって、前記有機ＥＬ
素子の各々と積層された複数のコンデンサ素子を含み、
前記コンデンサの各々が１対の透明電極と前記１対の透
明電極の間に挟まれる透明な誘電体層とからなり、前記
有機ＥＬ素子の一方の電極を前記透明電極の１つが兼ね
ている。大なる面積を必要とするコンデンサを有機エレ
クトロルミネッセンス素子と重ねることにより、有機エ
レクトロルミネッセンス素子に割り当てられる面積が限
定されないので、開口率が向上する。
け、且つ画素の開口率が高い有機ＥＬ表示装置を提供す
る。 【解決手段】 本発明による画像表示装置は、複数の有
機ＥＬ素子を含む画像表示装置であって、前記有機ＥＬ
素子の各々と積層された複数のコンデンサ素子を含み、
前記コンデンサの各々が１対の透明電極と前記１対の透
明電極の間に挟まれる透明な誘電体層とからなり、前記
有機ＥＬ素子の一方の電極を前記透明電極の１つが兼ね
ている。大なる面積を必要とするコンデンサを有機エレ
クトロルミネッセンス素子と重ねることにより、有機エ
レクトロルミネッセンス素子に割り当てられる面積が限
定されないので、開口率が向上する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、有機エレクトロル
ミネッセンス（有機ＥＬと称する）素子表示装置及びそ
の製造方法に関する。
ミネッセンス（有機ＥＬと称する）素子表示装置及びそ
の製造方法に関する。
【０００２】
【従来技術】マトリックス状に配置された複数の有機Ｅ
Ｌ素子を含む表示装置の駆動回路中に、駆動データを保
持するためのデータ保持コンデンサを含むものが知られ
ている（特開２００１−１４２４２７号等）。かかるデ
ータ保持コンデンサは、通常大なる静電容量を必要とす
る。また、当該データ保持コンデンサは有機ＥＬ素子毎
に設ける必要がある。
Ｌ素子を含む表示装置の駆動回路中に、駆動データを保
持するためのデータ保持コンデンサを含むものが知られ
ている（特開２００１−１４２４２７号等）。かかるデ
ータ保持コンデンサは、通常大なる静電容量を必要とす
る。また、当該データ保持コンデンサは有機ＥＬ素子毎
に設ける必要がある。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、画像表
示装置のパネルの面積が限られているので、大なる静電
容量のデータ保持コンデンサを有機ＥＬ素子に隣接して
設けると、当該データ保持コンデンサの占有面積によっ
て有機ＥＬ素子に割り当てられる面積が限られる故、表
示装置の開口率が低下するという問題がある。
示装置のパネルの面積が限られているので、大なる静電
容量のデータ保持コンデンサを有機ＥＬ素子に隣接して
設けると、当該データ保持コンデンサの占有面積によっ
て有機ＥＬ素子に割り当てられる面積が限られる故、表
示装置の開口率が低下するという問題がある。
【０００４】
【課題を解決するための手段】本発明による画像表示装
置は、複数の有機ＥＬ素子を含む画像表示装置であっ
て、前記有機ＥＬ素子の各々と積層された複数のコンデ
ンサ素子を含み、前記コンデンサの各々が１対の透明電
極と前記１対の透明電極の間に挟まれる透明な誘電体層
とからなり、前記有機ＥＬ素子の一方の電極を前記透明
電極の１つが兼ねている、ことを特徴とする。
置は、複数の有機ＥＬ素子を含む画像表示装置であっ
て、前記有機ＥＬ素子の各々と積層された複数のコンデ
ンサ素子を含み、前記コンデンサの各々が１対の透明電
極と前記１対の透明電極の間に挟まれる透明な誘電体層
とからなり、前記有機ＥＬ素子の一方の電極を前記透明
電極の１つが兼ねている、ことを特徴とする。
【０００５】また、本発明による画像表示装置の製造方
法は、透明基板上に複数の有機ＥＬ素子と複数のコンデ
ンサ素子とが形成された画像表示装置の製造方法であっ
て、前記透明基板上に第１透明電極層を形成する第１工
程と、前記第１透明電極層上に誘電体層を形成する第２
工程と、前記誘電体層上に第２透明電極層を形成する第
３工程と、前記第２透明電極層上に有機ＥＬ発光素子層
を形成する第４工程と、前記有機ＥＬ発光素子層上に発
光素子陰極層を形成する第５工程と、を含むことを特徴
とする。
法は、透明基板上に複数の有機ＥＬ素子と複数のコンデ
ンサ素子とが形成された画像表示装置の製造方法であっ
て、前記透明基板上に第１透明電極層を形成する第１工
程と、前記第１透明電極層上に誘電体層を形成する第２
工程と、前記誘電体層上に第２透明電極層を形成する第
３工程と、前記第２透明電極層上に有機ＥＬ発光素子層
を形成する第４工程と、前記有機ＥＬ発光素子層上に発
光素子陰極層を形成する第５工程と、を含むことを特徴
とする。
【０００６】上記した本発明による画像表示装置におい
ては、データ保持コンデンサを有機ＥＬ素子に重ねて配
置する故、データ保持コンデンサの占有面積によって有
機ＥＬ素子に割り当てられる面積が限定されることがな
いので、開口率を向上せしめることが可能となる。
ては、データ保持コンデンサを有機ＥＬ素子に重ねて配
置する故、データ保持コンデンサの占有面積によって有
機ＥＬ素子に割り当てられる面積が限定されることがな
いので、開口率を向上せしめることが可能となる。
【０００７】
【発明の実施の形態】本発明の実施例を、添付図面を参
照しつつ詳細に説明する。図１に示す如く、本発明によ
る有機ＥＬ表示装置の１つの画素に対応する発光部１
は、データ保持用コンデンサ１０及び有機ＥＬ素子１１
を含んでいる。コンデンサ１０及び有機ＥＬ素子１１
は、透明基板２の上にコンデンサ１０、有機ＥＬ素子１
１の順に配置されている。
照しつつ詳細に説明する。図１に示す如く、本発明によ
る有機ＥＬ表示装置の１つの画素に対応する発光部１
は、データ保持用コンデンサ１０及び有機ＥＬ素子１１
を含んでいる。コンデンサ１０及び有機ＥＬ素子１１
は、透明基板２の上にコンデンサ１０、有機ＥＬ素子１
１の順に配置されている。
【０００８】コンデンサ１０は、透明基板２の上に設け
られた第１透明電極層３と、第１透明電極層３の上に設
けられた透明な誘電体層４と、誘電体層４の上に設けら
れた第２透明電極層５とからなっている。第１透明電極
層３及び第２透明電極層５は、例えばＩＴＯ、酸化ス
ズ、ＩＺＯ等の金属酸化物又はＡｕ、Ｐｔ、Ｐｄ等の金
属の半透明膜からなる透明電極材料である。誘電体層４
は、例えばＡｌ2Ｏ3等の金属酸化物、ＳｉＮ等の金属窒
化物、金属弗化物、若しくは絶縁性のポリマー等からな
る。第１透明電極層３、第２透明電極層５及び誘電体層
４は、可視光に対して高透過率であることが好ましく、
当該透過率は１０％以上、より好ましくは５０％以上で
ある。なぜならば、有機ＥＬ素子１１から発した光を透
過させるためである。
られた第１透明電極層３と、第１透明電極層３の上に設
けられた透明な誘電体層４と、誘電体層４の上に設けら
れた第２透明電極層５とからなっている。第１透明電極
層３及び第２透明電極層５は、例えばＩＴＯ、酸化ス
ズ、ＩＺＯ等の金属酸化物又はＡｕ、Ｐｔ、Ｐｄ等の金
属の半透明膜からなる透明電極材料である。誘電体層４
は、例えばＡｌ2Ｏ3等の金属酸化物、ＳｉＮ等の金属窒
化物、金属弗化物、若しくは絶縁性のポリマー等からな
る。第１透明電極層３、第２透明電極層５及び誘電体層
４は、可視光に対して高透過率であることが好ましく、
当該透過率は１０％以上、より好ましくは５０％以上で
ある。なぜならば、有機ＥＬ素子１１から発した光を透
過させるためである。
【０００９】有機ＥＬ素子１１は、第２透明電極層５の
上に、積層されている。有機ＥＬ素子１１は、ホール注
入機能層６、発光機能層７、電子注入機能層８、発光素
子陰極層９の順に積層されて形成されている。コンデン
サ１０の一方の第２透明電極層５が有機ＥＬ素子１１の
陽極となっている。ホール注入機能層６及び電子注入機
能層８は、発光機能層７の発光効率を向上せしめる機能
を有する材料からなる単層又は複数層である。ホール注
入機能層６は、例えば、第２透明電極層５からホール注
入層、ホール輸送層を積層してなる。電子注入機能層８
は、例えば、発光機能層７から電子輸送層、電子注入層
を積層してなる。なお、発光機能層７の発光効率が高い
場合は、ホール注入機能層６及び電子注入機能層８を必
ずしも設ける必要はない。
上に、積層されている。有機ＥＬ素子１１は、ホール注
入機能層６、発光機能層７、電子注入機能層８、発光素
子陰極層９の順に積層されて形成されている。コンデン
サ１０の一方の第２透明電極層５が有機ＥＬ素子１１の
陽極となっている。ホール注入機能層６及び電子注入機
能層８は、発光機能層７の発光効率を向上せしめる機能
を有する材料からなる単層又は複数層である。ホール注
入機能層６は、例えば、第２透明電極層５からホール注
入層、ホール輸送層を積層してなる。電子注入機能層８
は、例えば、発光機能層７から電子輸送層、電子注入層
を積層してなる。なお、発光機能層７の発光効率が高い
場合は、ホール注入機能層６及び電子注入機能層８を必
ずしも設ける必要はない。
【００１０】図２は、本出願人による特願第２００２−
２５６４５号において開示された有機ＥＬ表示装置の回
路構成を示している。この回路においては、１つの画素
に対応する発光部１に、コンデンサ１０、有機ＥＬ素子
１１及びダイオード１２が設けられている。かかる有機
ＥＬ表示装置は、発光後の有機ＥＬ素子に逆バイアスを
印加することが可能であり、これによって有機ＥＬ素子
の劣化を制御する。ダイオード１２のアノード電極は電
源及びスイッチＳ1を備えた駆動ライン１３に接続さ
れ、カソード電極は有機ＥＬ素子１１の陽極及びコンデ
ンサ１０の一端に接続されている。有機ＥＬ素子の陰極
はスイッチＳ２を備えた走査ライン１４に接続され、コ
ンデンサの他端はスイッチＳ３を備えた逆バイアスライ
ン１５に接続されている。有機ＥＬ素子の駆動は、上記
スイッチＳ１〜３の切替操作を行うことによる。
２５６４５号において開示された有機ＥＬ表示装置の回
路構成を示している。この回路においては、１つの画素
に対応する発光部１に、コンデンサ１０、有機ＥＬ素子
１１及びダイオード１２が設けられている。かかる有機
ＥＬ表示装置は、発光後の有機ＥＬ素子に逆バイアスを
印加することが可能であり、これによって有機ＥＬ素子
の劣化を制御する。ダイオード１２のアノード電極は電
源及びスイッチＳ1を備えた駆動ライン１３に接続さ
れ、カソード電極は有機ＥＬ素子１１の陽極及びコンデ
ンサ１０の一端に接続されている。有機ＥＬ素子の陰極
はスイッチＳ２を備えた走査ライン１４に接続され、コ
ンデンサの他端はスイッチＳ３を備えた逆バイアスライ
ン１５に接続されている。有機ＥＬ素子の駆動は、上記
スイッチＳ１〜３の切替操作を行うことによる。
【００１１】有機ＥＬ素子の発光は、スイッチＳ１をオ
フ、スイッチＳ２をアース電位側、スイッチＳ３をアー
ス電位側に切り替ることにより実施される。有機ＥＬ素
子を所定時間発光させた後、スイッチＳ１をオン、スイ
ッチＳ２を電位Ｖｃｃ側、スイッチＳ３を電位Ｖｃｃ側
に切り替ることにより、有機ＥＬ素子の容量成分及びコ
ンデンサの蓄電電荷により発光維持が維持される。
フ、スイッチＳ２をアース電位側、スイッチＳ３をアー
ス電位側に切り替ることにより実施される。有機ＥＬ素
子を所定時間発光させた後、スイッチＳ１をオン、スイ
ッチＳ２を電位Ｖｃｃ側、スイッチＳ３を電位Ｖｃｃ側
に切り替ることにより、有機ＥＬ素子の容量成分及びコ
ンデンサの蓄電電荷により発光維持が維持される。
【００１２】またスイッチＳ１をオン、スイッチＳ２を
電位Ｖｃｃ側、スイッチＳ３をアース電位側に切り替る
ことにより、有機ＥＬ素子に逆バイアスを印加すること
が可能となる。このような逆バイアス印加状態により、
有機ＥＬ素子１１にはリフレシュ作用が与えられる。図
２に示す有機ＥＬ表示装置に本発明を適用した場合の構
成例が、図３に示されている。
電位Ｖｃｃ側、スイッチＳ３をアース電位側に切り替る
ことにより、有機ＥＬ素子に逆バイアスを印加すること
が可能となる。このような逆バイアス印加状態により、
有機ＥＬ素子１１にはリフレシュ作用が与えられる。図
２に示す有機ＥＬ表示装置に本発明を適用した場合の構
成例が、図３に示されている。
【００１３】図３から明らかなように、有機ＥＬ表示装
置の１つの画素に対応する発光部は、透明基板２の上に
並置された発光素子部１０２、ダイオード部１０４、及
び接続部１０６からなっている。上記構成の発光部が、
透明基板上に所望の数だけ、例えばマトリックス状に配
置されて、有機ＥＬ表示装置の表示部を構成している。
置の１つの画素に対応する発光部は、透明基板２の上に
並置された発光素子部１０２、ダイオード部１０４、及
び接続部１０６からなっている。上記構成の発光部が、
透明基板上に所望の数だけ、例えばマトリックス状に配
置されて、有機ＥＬ表示装置の表示部を構成している。
【００１４】発光素子部１０２において、第１透明電極
層３と第２透明電極層５が誘電体層４を介して対向して
データ保持用コンデンサを形成している。第１透明電極
３は、透明基板２上に設けられた逆バイアスライン１５
に接続されている。第２透明電極層５の上に、ホール注
入機能層６、発光機能層７、電子注入機能層８、発光素
子陰極層９が順に積層されて有機ＥＬ素子を形成してい
る。従って、有機ＥＬ素子の陽極とコンデンサの一方の
電極は共通であり、第２透明電極層５が共通電極とな
る。なお、発光機能層７の発光効率が高い場合は、ホー
ル注入機能層６及び電子注入機能層８を設ける必要はな
い。
層３と第２透明電極層５が誘電体層４を介して対向して
データ保持用コンデンサを形成している。第１透明電極
３は、透明基板２上に設けられた逆バイアスライン１５
に接続されている。第２透明電極層５の上に、ホール注
入機能層６、発光機能層７、電子注入機能層８、発光素
子陰極層９が順に積層されて有機ＥＬ素子を形成してい
る。従って、有機ＥＬ素子の陽極とコンデンサの一方の
電極は共通であり、第２透明電極層５が共通電極とな
る。なお、発光機能層７の発光効率が高い場合は、ホー
ル注入機能層６及び電子注入機能層８を設ける必要はな
い。
【００１５】ダイオード部１０４においては、誘電体層
４の上に、駆動ライン１３に接続されたアノード電極層
１９、Ｐ型半導体層２１、Ｎ型半導体層２２、カソード
電極層２３が順に積層されてダイオードを形成してい
る。アノード電極層１９は、第２透明電極層５と同じ材
料から形成され得る。駆動ライン１３は、低抵抗の材料
であって、Ａｌ、Ａｇ、Ａｕ等の金属単体若しくはそれ
らを含む合金からなる。なお、Ｐ型半導体層２１、Ｎ型
半導体層２２は、有機材料によって形成しても良い。こ
の場合、Ｐ型半導体層２１をホール注入機能層６と同一
の材料とし、Ｎ型半導体層２２を電子注入機能層８と同
一材料としても良い。
４の上に、駆動ライン１３に接続されたアノード電極層
１９、Ｐ型半導体層２１、Ｎ型半導体層２２、カソード
電極層２３が順に積層されてダイオードを形成してい
る。アノード電極層１９は、第２透明電極層５と同じ材
料から形成され得る。駆動ライン１３は、低抵抗の材料
であって、Ａｌ、Ａｇ、Ａｕ等の金属単体若しくはそれ
らを含む合金からなる。なお、Ｐ型半導体層２１、Ｎ型
半導体層２２は、有機材料によって形成しても良い。こ
の場合、Ｐ型半導体層２１をホール注入機能層６と同一
の材料とし、Ｎ型半導体層２２を電子注入機能層８と同
一材料としても良い。
【００１６】接続部１０６において、カソード電極層２
３と第２透明電極層５とが、絶縁層２０に設けられた接
続開口１１２を介して接続導電層１７に共に電気的に接
続されている。第２透明電極層５がインジウム錫酸化物
（ＩＴＯ）でありカソード電極層２３がＡｌである場
合、両者を直接接触させた場合に電気化学反応を生じて
電気的接続が断たれるおそれがある。しかしながら、上
記の接続形態を取ることにより当該反応は生じない故、
電気的接続の信頼性が向上する。なお、第２透明電極層
５とカソード電極層２３が反応を生じない場合は、接続
導電層１７を設ける必要は無く、これらを直接接続して
も良い。
３と第２透明電極層５とが、絶縁層２０に設けられた接
続開口１１２を介して接続導電層１７に共に電気的に接
続されている。第２透明電極層５がインジウム錫酸化物
（ＩＴＯ）でありカソード電極層２３がＡｌである場
合、両者を直接接触させた場合に電気化学反応を生じて
電気的接続が断たれるおそれがある。しかしながら、上
記の接続形態を取ることにより当該反応は生じない故、
電気的接続の信頼性が向上する。なお、第２透明電極層
５とカソード電極層２３が反応を生じない場合は、接続
導電層１７を設ける必要は無く、これらを直接接続して
も良い。
【００１７】発光素子部１０２、ダイオード部１０４及
び接続部１０６は、絶縁層２４に埋設されている。絶縁
層２４には発光素子陰極層９上に開口２５が設けられ、
この開口２５を介して走査ライン１４が発光素子陰極層
９に接続しつつ絶縁層２４の上に伸びている。図４に示
す本発明の有機ＥＬ表示装置は、絶縁層２０上に突出す
る逆テーパ状の隔壁２６を有する他は、図３の装置と同
様な構成である。隔壁２６は、感光性樹脂、特にネガタ
イプのフォトポリマが好ましい。陰極形成の前に予め当
該隔壁を作成しておくことにより、この陰極隔壁がシャ
ドーマスクとして作用する故、陰極の形成が容易とな
る。
び接続部１０６は、絶縁層２４に埋設されている。絶縁
層２４には発光素子陰極層９上に開口２５が設けられ、
この開口２５を介して走査ライン１４が発光素子陰極層
９に接続しつつ絶縁層２４の上に伸びている。図４に示
す本発明の有機ＥＬ表示装置は、絶縁層２０上に突出す
る逆テーパ状の隔壁２６を有する他は、図３の装置と同
様な構成である。隔壁２６は、感光性樹脂、特にネガタ
イプのフォトポリマが好ましい。陰極形成の前に予め当
該隔壁を作成しておくことにより、この陰極隔壁がシャ
ドーマスクとして作用する故、陰極の形成が容易とな
る。
【００１８】図５は、図３の有機ＥＬ表示装置を基板上
に実装した場合の構成例を示している。すなわち、有機
ＥＬ表示装置の１つの画素に対応する部分において、駆
動ライン１３及び走査ライン１４が交差している。走査
ライン１４の下方には発光素子部１０２が設けられれお
り、発光素子陰極層９が開口２５を介して走査ライン１
４と接続している。
に実装した場合の構成例を示している。すなわち、有機
ＥＬ表示装置の１つの画素に対応する部分において、駆
動ライン１３及び走査ライン１４が交差している。走査
ライン１４の下方には発光素子部１０２が設けられれお
り、発光素子陰極層９が開口２５を介して走査ライン１
４と接続している。
【００１９】発光素子部１０２に隣接してダイオード部
１０４と接続部１０６とが並置されている。次に、図６
（ａ）〜（ｉ）に示す工程に従って、図５に示した有機
ＥＬ素子表示装置の発光部の製造工程を説明する。図６
（ａ）に示す如く、透明基板上に、低抵抗材料からなる
逆バイアスライン１５を形成する。
１０４と接続部１０６とが並置されている。次に、図６
（ａ）〜（ｉ）に示す工程に従って、図５に示した有機
ＥＬ素子表示装置の発光部の製造工程を説明する。図６
（ａ）に示す如く、透明基板上に、低抵抗材料からなる
逆バイアスライン１５を形成する。
【００２０】続いて、図６（ｂ）に示す如く、ＩＴＯ等
の金属酸化物又はＡｕ等の金属の透明電極材料を用いた
第１透明電極層３が、逆バイアスライン１５に接続され
るように所定のパターンに形成される。第１透明電極層
３は、可視光の透過率が高いことが好ましい。なお、第
１透明電極層３の抵抗率が十分に低い場合、逆バイアス
ライン１５の形成は省略しても良い。この場合におい
て、第１透明電極層３は、逆バイアスライン１５のパタ
ーンを含む形状にパターンされる。
の金属酸化物又はＡｕ等の金属の透明電極材料を用いた
第１透明電極層３が、逆バイアスライン１５に接続され
るように所定のパターンに形成される。第１透明電極層
３は、可視光の透過率が高いことが好ましい。なお、第
１透明電極層３の抵抗率が十分に低い場合、逆バイアス
ライン１５の形成は省略しても良い。この場合におい
て、第１透明電極層３は、逆バイアスライン１５のパタ
ーンを含む形状にパターンされる。
【００２１】図６（ｃ）に示す如く、逆バイアスライン
１５及び第１透明電極層３を覆うように、誘電体層４が
形成される。図６（ｄ）に示す如く、低抵抗材料からな
る駆動ライン１３がダイオード部を含む所定の位置に作
成される。このとき、接続部に有機ＥＬ素子及びコンデ
ンサとダイオードとを接続する接続導電層１７も同時に
作成する。
１５及び第１透明電極層３を覆うように、誘電体層４が
形成される。図６（ｄ）に示す如く、低抵抗材料からな
る駆動ライン１３がダイオード部を含む所定の位置に作
成される。このとき、接続部に有機ＥＬ素子及びコンデ
ンサとダイオードとを接続する接続導電層１７も同時に
作成する。
【００２２】図６（ｅ）に示す如く、第２透明電極層５
が接続導電層１７に接続されるように発光素子部に作成
され、同時にアノード電極層１９が、ダイオード部に形
成される。なお、ダイオード部にアノード電極層１９は
必ずしも設ける必要はない。この場合において、図６
（ｅ）に示す如き上記工程は、第２透明電極層５のみを
形成する。
が接続導電層１７に接続されるように発光素子部に作成
され、同時にアノード電極層１９が、ダイオード部に形
成される。なお、ダイオード部にアノード電極層１９は
必ずしも設ける必要はない。この場合において、図６
（ｅ）に示す如き上記工程は、第２透明電極層５のみを
形成する。
【００２３】また、アノード電極層１９の抵抗率が十分
に低い場合、前述の駆動ライン１３の形成は省略しても
よい。この場合において、図６（ｄ）に示す如き上述の
工程において接続導電層１７のみを形成し、図６（ｅ）
に示す如き工程において、駆動ライン１３に対応するパ
ターンと第２透明電極層５に対応するパターンを形成す
る。
に低い場合、前述の駆動ライン１３の形成は省略しても
よい。この場合において、図６（ｄ）に示す如き上述の
工程において接続導電層１７のみを形成し、図６（ｅ）
に示す如き工程において、駆動ライン１３に対応するパ
ターンと第２透明電極層５に対応するパターンを形成す
る。
【００２４】図６（ｆ）に示す如く、第２透明電極層、
アノード電極層及び接続導電層の端部におけるショート
を防止するように、絶縁層２０が形成される。絶縁層２
０は、発光素子部１０２、ダイオード部１０４及び接続
部１０６に各々開口１０８、１１０、１１２を有するよ
うに形成される。開口１０８の大きさは、有機ＥＬ素子
の大きさに対応する。開口１１０の大きさは、ダイオー
ドの大きさに対応する。接続開口１１２は、接続導電層
１７に接続する為のスルーホールとして作用する。絶縁
層は、Ａｌ2Ｏ3、ＳｉＯ2等の金属酸化物、ＳｉＮ等の
金属窒化物、金属弗化物、若しくは絶縁性のポリマー等
からなる。
アノード電極層及び接続導電層の端部におけるショート
を防止するように、絶縁層２０が形成される。絶縁層２
０は、発光素子部１０２、ダイオード部１０４及び接続
部１０６に各々開口１０８、１１０、１１２を有するよ
うに形成される。開口１０８の大きさは、有機ＥＬ素子
の大きさに対応する。開口１１０の大きさは、ダイオー
ドの大きさに対応する。接続開口１１２は、接続導電層
１７に接続する為のスルーホールとして作用する。絶縁
層は、Ａｌ2Ｏ3、ＳｉＯ2等の金属酸化物、ＳｉＮ等の
金属窒化物、金属弗化物、若しくは絶縁性のポリマー等
からなる。
【００２５】図６（ｇ）に示す如く、少なくとも電子又
は正孔の注入により発光する有機ＥＬ発光素子層５０
が、発光素子部１０２において形成される。有機ＥＬ発
光素子層５０は、発光機能層７のみとしても良いが、ホ
ール注入機能層６、発光機能層７、電子注入機能層８の
順に積層して設けても良い。図６（ｈ）に示す如く、ダ
イオード層６０が、ダイオード部においてＰ型半導体層
２１、Ｎ型半導体層２２の順に積層されて形成される。
は正孔の注入により発光する有機ＥＬ発光素子層５０
が、発光素子部１０２において形成される。有機ＥＬ発
光素子層５０は、発光機能層７のみとしても良いが、ホ
ール注入機能層６、発光機能層７、電子注入機能層８の
順に積層して設けても良い。図６（ｈ）に示す如く、ダ
イオード層６０が、ダイオード部においてＰ型半導体層
２１、Ｎ型半導体層２２の順に積層されて形成される。
【００２６】なお、Ｐ型半導体層２１、Ｎ型半導体層２
２からなるダイオード層６０は、有機材料からなること
としても良い。Ｐ型半導体層２１をホール注入機能層６
と同一の材料とし、Ｎ型半導体層２２を電子注入機能層
８と同一材料とした場合、有機ＥＬ発光素子層５０の積
層工程とダイオード層６０の積層工程を共通にすること
ができる。つまり、Ｐ型半導体層２１及びホール注入機
能層６を各々アノード電極層１９及び第２透明電極層５
の上に同一工程で設けることができる。また発光機能層
７をホール注入機能層６上に設けた後に、Ｎ型半導体層
２２及び電子注入機能層８を各々Ｐ型半導体層２１及び
発光機能層７上に設けることができる。
２からなるダイオード層６０は、有機材料からなること
としても良い。Ｐ型半導体層２１をホール注入機能層６
と同一の材料とし、Ｎ型半導体層２２を電子注入機能層
８と同一材料とした場合、有機ＥＬ発光素子層５０の積
層工程とダイオード層６０の積層工程を共通にすること
ができる。つまり、Ｐ型半導体層２１及びホール注入機
能層６を各々アノード電極層１９及び第２透明電極層５
の上に同一工程で設けることができる。また発光機能層
７をホール注入機能層６上に設けた後に、Ｎ型半導体層
２２及び電子注入機能層８を各々Ｐ型半導体層２１及び
発光機能層７上に設けることができる。
【００２７】図６（ｉ）に示す如く、接続部に設けられ
た接続開口１１２とダイオード層６０を接続するカソー
ド電極層２３が形成され、同時に発光素子陰極層９が形
成される。最後に、発光素子陰極層9上に開口２５が設
けられた絶縁層２４を形成し、この開口２５を介して発
光素子陰極層９に接続される走査ライン１４が設けられ
る。
た接続開口１１２とダイオード層６０を接続するカソー
ド電極層２３が形成され、同時に発光素子陰極層９が形
成される。最後に、発光素子陰極層9上に開口２５が設
けられた絶縁層２４を形成し、この開口２５を介して発
光素子陰極層９に接続される走査ライン１４が設けられ
る。
【００２８】このようにして、透明基板上にダイオー
ド、有機ＥＬ素子が重ねて設けられ、有機ＥＬ素子及び
コンデンサとダイオードが接続開口１１２に設けられた
接続導電層１７を介して接続される。なお、ダイオード
の陰極と第２透明電極が接触することにより電気化学反
応が発生しない場合は、接続導電層１７を設けることな
く、直接接続する形態としても良い。この場合、例えば
図６（ｄ）に示す如き工程において接続導電層１７は形
成されず、図６（ｅ）に示す如き工程において第２透明
電極が接続部を含むパターンに形成される。
ド、有機ＥＬ素子が重ねて設けられ、有機ＥＬ素子及び
コンデンサとダイオードが接続開口１１２に設けられた
接続導電層１７を介して接続される。なお、ダイオード
の陰極と第２透明電極が接触することにより電気化学反
応が発生しない場合は、接続導電層１７を設けることな
く、直接接続する形態としても良い。この場合、例えば
図６（ｄ）に示す如き工程において接続導電層１７は形
成されず、図６（ｅ）に示す如き工程において第２透明
電極が接続部を含むパターンに形成される。
【００２９】上記した本発明の製造方法によれば、フォ
トリソグラフィ工程が必要なパターン配線及び絶縁層の
形成を工程の前段（図６（ａ）〜（ｆ））にて行ない、
フォトリソグラフィ工程により材料変質が生じる有機材
料を後段（図６（ｇ）〜（ｉ））において処理可能とな
る。従って、有機材料にダメージを与えることなく表示
パネルの製造も容易になる。
トリソグラフィ工程が必要なパターン配線及び絶縁層の
形成を工程の前段（図６（ａ）〜（ｆ））にて行ない、
フォトリソグラフィ工程により材料変質が生じる有機材
料を後段（図６（ｇ）〜（ｉ））において処理可能とな
る。従って、有機材料にダメージを与えることなく表示
パネルの製造も容易になる。
【００３０】図４の有機ＥＬ素子表示装置の発光部の製
造方法においては、図６（ｆ）に示す如き絶縁層の形成
の後に、ダイオード及び有機ＥＬ素子の陰極パターンに
対応する形状に隔壁を形成する。隔壁は、ネガタイプの
ポリマをスピンコート等の方法により塗布した後に、陰
極パターンに対応するフォトマスクを用いて露光後現像
することにより形成される。
造方法においては、図６（ｆ）に示す如き絶縁層の形成
の後に、ダイオード及び有機ＥＬ素子の陰極パターンに
対応する形状に隔壁を形成する。隔壁は、ネガタイプの
ポリマをスピンコート等の方法により塗布した後に、陰
極パターンに対応するフォトマスクを用いて露光後現像
することにより形成される。
【００３１】隔壁形成後は、前述した有機ＥＬ素子及び
ダイオードの形成を行い、陰極の形成を行う。当該隔壁
がマスクとして作用する故に、表示部１に陰極金属を蒸
着することで、陰極のパターンが形成される。
ダイオードの形成を行い、陰極の形成を行う。当該隔壁
がマスクとして作用する故に、表示部１に陰極金属を蒸
着することで、陰極のパターンが形成される。
【００３２】
【発明の効果】このように、本発明によれば、大なる容
量のコンデンサを有機ＥＬ素子に重ねて配置可能となる
ため、開口率を向上することが可能となる。
量のコンデンサを有機ＥＬ素子に重ねて配置可能となる
ため、開口率を向上することが可能となる。
【図１】本発明による有機ＥＬ発光部を示す断面図であ
る。
る。
【図２】有機ＥＬ素子、ダイオード及びコンデンサを含
む発光部及びこの駆動回路である。
む発光部及びこの駆動回路である。
【図３】図２に示す回路を基板上に構成した有機ＥＬ発
光部の断面図である。
光部の断面図である。
【図４】図３に示す有機ＥＬ発光部の変形例を示す断面
図である。
図である。
【図５】図３に示す有機ＥＬ発光部の実装例を示す平面
図である。
図である。
【図６】図５に示す有機ＥＬ発光部の実装例の製造工程
を順に示す平面図である。
を順に示す平面図である。
１ 発光部
２ 透明基板
３ 第１透明電極層
４ 誘電体層
５ 第２透明電極層
９ 発光素子陰極層
１０ コンデンサ
１１ 有機ＥＬ素子
１２ ダイオード
１３ 駆動ライン
１４ 走査ライン
１５ 逆バイアスライン
１７ 接続導電層
２３ カソード電極層
２４ 絶縁層
２５ 開口
２６ 隔壁
１０２ 発光素子部
１０４ ダイオード部
１０６ 接続部
１１２ 接続開口
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
(51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考）
Ｈ０５Ｂ 33/10 Ｈ０５Ｂ 33/10
33/12 33/12 Ｂ
33/26 33/26 Ｚ
Ｆターム(参考） 3K007 AB02 AB17 CB01 CC00 DB03
EA00 GA00
5C094 AA07 AA45 BA01 BA11 BA27
CA19 DA13 DA15 DB04 EA04
EA05 EB02 FA02 FB01 FB16
FB19 HA08 HA10
5G435 AA03 BB05 CC09 HH13 HH14
HH16 HH20 KK05 LL06 LL07
LL08
Claims (11)
- 【請求項１】 複数の有機ＥＬ素子を含む画像表示装置
であって、 前記有機ＥＬ素子の各々と積層された複数のコンデンサ
素子を含み、 前記コンデンサ素子の各々が１対の透明電極と前記１対
の透明電極の間に挟まれる透明な誘電体層とからなり、 前記有機ＥＬ素子の一方の電極を前記透明電極の１つが
兼ねている、 ことを特徴とする画像表示装置。 - 【請求項２】 前記コンデンサ素子が主面上に設けら
れ、前記有機ＥＬ素子が前記コンデンサの上に積層され
ていることを特徴とする請求項１記載の画像表示装置。 - 【請求項３】 前記コンデンサ素子の１つと前記有機Ｅ
Ｌ素子の１つとが略同一の面積に亘って延在しているこ
とを特徴とする請求項１記載の画像表示装置。 - 【請求項４】 前記有機ＥＬ素子の各々に直列に接続さ
れる複数のダイオード素子を有し、前記ダイオード素子
の各々が前記有機ＥＬ素子の各々に隣接して設けられて
いることを特徴とする請求項１記載の画像表示装置。 - 【請求項５】 前記有機ＥＬ素子の各々と前記ダイオー
ドの各々との間に隔壁が設けられていることを特徴とす
る請求項４記載の画像表示装置。 - 【請求項６】 前記有機ＥＬ素子の一方の電極を兼ねる
前記透明電極の１つに前記ダイオードのカソードが接続
されていることを特徴とする請求項４記載の画像表示装
置。 - 【請求項７】 前記ダイオードが有機材料層からなるこ
とを特徴とする請求項４記載の画像表示装置。 - 【請求項８】 透明基板上に複数の有機ＥＬ素子と複数
のコンデンサ素子とが形成された画像表示装置の製造方
法であって、 前記透明基板上に第１透明電極層を形成する第１工程
と、 前記第１透明電極層上に誘電体層を形成する第２工程
と、 前記誘電体層上に第２透明電極層を形成する第３工程
と、 前記第２透明電極層上に有機ＥＬ発光素子層を形成する
第４工程と、 前記有機ＥＬ発光素子層上に発光素子陰極層を形成する
第５工程と、を含むことを特徴とする画像表示装置の製
造方法。 - 【請求項９】 前記第４工程は、前記有機ＥＬ発光素子
層を、 前記第２透明電極上にホール注入機能層を形成する第６
工程と、 前記ホール注入機能層上に発光機能層を形成する第７工
程と、 前記発光機能層上に電子注入機能層を形成する第８工程
と、からなることを特徴とする請求項８記載の画像表示
装置の製造方法。 - 【請求項１０】 前記第３工程において、前記第２透明
電極層の近傍にアノード電極層を設け、 前記第６工程において前記アノード電極層上にＰ型半導
体層を積層し、 前記第８工程において前記Ｐ型半導体層上にＮ型半導体
層を積層し、 前記第５工程において前記Ｎ型半導体層と前記第２透明
電極層とを接続するカソード電極層を形成して、ダイオ
ード素子を形成する工程を含むことを特徴とする請求項
９記載の画像表示装置の製造方法。 - 【請求項１１】 前記第３工程と前記第４工程の間にお
いて、前記有機エレクトロルミネッセンス素子の各々と
前記ダイオード素子の各々との間に隔壁を設ける工程を
更に含むことを特徴とする請求項１０記載の画像表示装
置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2002103899A JP2003297573A (ja) | 2002-04-05 | 2002-04-05 | 有機ｅｌ素子を含む表示装置及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2002103899A JP2003297573A (ja) | 2002-04-05 | 2002-04-05 | 有機ｅｌ素子を含む表示装置及びその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2003297573A true JP2003297573A (ja) | 2003-10-17 |
Family
ID=29389445
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2002103899A Abandoned JP2003297573A (ja) | 2002-04-05 | 2002-04-05 | 有機ｅｌ素子を含む表示装置及びその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2003297573A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100712114B1 (ko) | 2004-09-17 | 2007-04-27 | 삼성에스디아이 주식회사 | 유기전계 발광소자 및 그 제조 방법 |
| JP2009025453A (ja) * | 2007-07-18 | 2009-02-05 | Casio Comput Co Ltd | 表示パネル及びその製造方法 |
| JP2010152221A (ja) * | 2008-12-26 | 2010-07-08 | Kyocera Corp | 画像表示装置 |
| JP2011082190A (ja) * | 2004-09-13 | 2011-04-21 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 照明装置 |
| US9516713B2 (en) | 2011-01-25 | 2016-12-06 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light-emitting device |
-
2002
- 2002-04-05 JP JP2002103899A patent/JP2003297573A/ja not_active Abandoned
Cited By (18)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US8436531B2 (en) | 2004-09-13 | 2013-05-07 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Lighting device having plural light emitting layers with carrier generation layer therebetween |
| KR101326282B1 (ko) * | 2004-09-13 | 2013-11-11 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 조명장치 |
| US8487530B2 (en) | 2004-09-13 | 2013-07-16 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Lighting device having plural light emitting layers which are separated |
| US8487529B2 (en) | 2004-09-13 | 2013-07-16 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Lighting device with plural light emitting elements |
| JP2011086633A (ja) * | 2004-09-13 | 2011-04-28 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 照明装置 |
| JP2011119266A (ja) * | 2004-09-13 | 2011-06-16 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 照明装置 |
| JP2011124236A (ja) * | 2004-09-13 | 2011-06-23 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 照明装置 |
| US8436532B2 (en) | 2004-09-13 | 2013-05-07 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Lighting device with plural light emitting elements |
| KR101486037B1 (ko) | 2004-09-13 | 2015-01-23 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 조명장치 |
| US8912718B2 (en) | 2004-09-13 | 2014-12-16 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light emitting device with a plurality of circuits connected in parallel |
| JP2011082190A (ja) * | 2004-09-13 | 2011-04-21 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 照明装置 |
| KR101326284B1 (ko) * | 2004-09-13 | 2013-11-11 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 조명장치 |
| KR101326283B1 (ko) * | 2004-09-13 | 2013-11-11 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 조명장치 |
| KR101362468B1 (ko) * | 2004-09-13 | 2014-02-11 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 조명장치 |
| KR100712114B1 (ko) | 2004-09-17 | 2007-04-27 | 삼성에스디아이 주식회사 | 유기전계 발광소자 및 그 제조 방법 |
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| US9516713B2 (en) | 2011-01-25 | 2016-12-06 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light-emitting device |
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