JP2003296031A - タッチパネル用透明導電性フィルム - Google Patents
タッチパネル用透明導電性フィルムInfo
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- JP2003296031A JP2003296031A JP2002096830A JP2002096830A JP2003296031A JP 2003296031 A JP2003296031 A JP 2003296031A JP 2002096830 A JP2002096830 A JP 2002096830A JP 2002096830 A JP2002096830 A JP 2002096830A JP 2003296031 A JP2003296031 A JP 2003296031A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 ＩＴＯとの密着力があり、かつガラス転移温
度が高いハードコートを積層することでＩＴＯを高結晶
に加工できるタッチパネル用透明導電フィルムを提供す
る 【解決手段】 フィルムの少なくとも片面に、ガラス転
位温度が１５０℃以上の、（メタ）アクリレートを主成
分とする樹脂組成物を架橋して成るハードコート層を積
層し、該ハードコート層の上にインジウム・スズ酸化物
からなる透明導電膜を成膜したタッチパネル用透明導電
性フィルム。
度が高いハードコートを積層することでＩＴＯを高結晶
に加工できるタッチパネル用透明導電フィルムを提供す
る 【解決手段】 フィルムの少なくとも片面に、ガラス転
位温度が１５０℃以上の、（メタ）アクリレートを主成
分とする樹脂組成物を架橋して成るハードコート層を積
層し、該ハードコート層の上にインジウム・スズ酸化物
からなる透明導電膜を成膜したタッチパネル用透明導電
性フィルム。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、耐ペン摺動性、耐
薬品性、耐候性に優れた透明タッチパネル等に用いられ
る透明導電性フィルムに関するものである。
薬品性、耐候性に優れた透明タッチパネル等に用いられ
る透明導電性フィルムに関するものである。
【０００２】
【従来の技術】近年、ＣＲＴやＬＣＤなどの表示装置上
に配置されて表示を見ながら指やペン等で押さえること
によりデータや指示・命令を入力できる透明タッチパネ
ルが普及している。従来はタッチパネル等の基板として
は、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）フィルム上
にアクリル樹脂などからなるアンダーコート（ＵＣ）を
積層し、その上に透明導電膜としてインジウムと錫の複
合酸化物（ＩＴＯ）を成膜した透明導電性フィルムが用
いられてきた。しかし、ＩＴＯとハードコートの密着が
悪いと、ＩＴＯの耐ペン摺動性や耐屈曲性が悪くなり実
使用上の問題があった。さらに、耐ペン摺動性等の耐久
性が高いＩＴＯ膜を得るには、結晶質のＩＴＯ膜をフィ
ルム上に積層させる必要がある。結晶質のＩＴＯ膜を得
るには、特開昭６１−７９６４７号、特開２０００−１
２７２８２号等に記載されているように低温で製膜した
後加熱処理しなければならない。しかし、ガラス転移温
度の低いＵＣでは成膜工程での熱でＵＣ表面がひずみ、
室温に戻したときにＩＴＯとの密着が悪くなり、安定し
た導電膜が得られないことや、タッチパネル組立工程で
の銀電極の焼成でＩＴＯ抵抗値が安定しにくいという不
具合があった。
に配置されて表示を見ながら指やペン等で押さえること
によりデータや指示・命令を入力できる透明タッチパネ
ルが普及している。従来はタッチパネル等の基板として
は、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）フィルム上
にアクリル樹脂などからなるアンダーコート（ＵＣ）を
積層し、その上に透明導電膜としてインジウムと錫の複
合酸化物（ＩＴＯ）を成膜した透明導電性フィルムが用
いられてきた。しかし、ＩＴＯとハードコートの密着が
悪いと、ＩＴＯの耐ペン摺動性や耐屈曲性が悪くなり実
使用上の問題があった。さらに、耐ペン摺動性等の耐久
性が高いＩＴＯ膜を得るには、結晶質のＩＴＯ膜をフィ
ルム上に積層させる必要がある。結晶質のＩＴＯ膜を得
るには、特開昭６１−７９６４７号、特開２０００−１
２７２８２号等に記載されているように低温で製膜した
後加熱処理しなければならない。しかし、ガラス転移温
度の低いＵＣでは成膜工程での熱でＵＣ表面がひずみ、
室温に戻したときにＩＴＯとの密着が悪くなり、安定し
た導電膜が得られないことや、タッチパネル組立工程で
の銀電極の焼成でＩＴＯ抵抗値が安定しにくいという不
具合があった。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、ＩＴ
Ｏとの密着力があり、かつガラス転移温度が高いハード
コートを積層することでＩＴＯを高結晶に加工できるタ
ッチパネル用透明導電フィルムを提供するものである。
Ｏとの密着力があり、かつガラス転移温度が高いハード
コートを積層することでＩＴＯを高結晶に加工できるタ
ッチパネル用透明導電フィルムを提供するものである。
【０００４】
【課題を解決するための手段】すなわち本発明は、
（１） フィルムの少なくとも片面に、ガラス転位温度
が１５０℃以上の、（メタ）アクリレートを主成分とす
る樹脂組成物を架橋して成るハードコート層を積層し、
該ハードコート層の上にインジウム・スズ酸化物からな
る透明導電膜を成膜したタッチパネル用透明導電性フィ
ルム。 （２） 前記（メタ）アクリレートが少なくともイソシ
アヌル酸ＥＯ変性トリ（メタ）アクリレートを含むもの
である（１）のタッチパネル用透明導電性フィルム。 （３） 前記樹脂組成物におけるイソシアヌル酸ＥＯ変
性トリ（メタ）アクリレートの含有量が４０ｗｔ％以上
である（２）のタッチパネル用透明導電性フィルム。 である。
が１５０℃以上の、（メタ）アクリレートを主成分とす
る樹脂組成物を架橋して成るハードコート層を積層し、
該ハードコート層の上にインジウム・スズ酸化物からな
る透明導電膜を成膜したタッチパネル用透明導電性フィ
ルム。 （２） 前記（メタ）アクリレートが少なくともイソシ
アヌル酸ＥＯ変性トリ（メタ）アクリレートを含むもの
である（１）のタッチパネル用透明導電性フィルム。 （３） 前記樹脂組成物におけるイソシアヌル酸ＥＯ変
性トリ（メタ）アクリレートの含有量が４０ｗｔ％以上
である（２）のタッチパネル用透明導電性フィルム。 である。
【０００５】
【発明の実施の形態】本発明に用いられるフィルム基板
は特に限定されるものではなく熱可塑性ポリエステル、
芳香族ポリエーテルスルホン、熱可塑性芳香族ポリエー
テルケトン、ポリエーテルイミド、ポリフェニレンスル
フィド、ポリアリレート、環状ポリオレフィン、ポリカ
ーボネイト、及びそのコポリマー等があげられる。ま
た、これらのフィルムは滑剤、耐熱安定剤、耐候安定
剤、顔料、染料、無機質充填剤などを適宜ブレンドして
も良い。また、高度の耐ペン摺動性が要求される用途で
は、インジウム・スズ酸化物が結晶化しやすい１５０℃
以上のガラス転移温度を有していることが好ましく、タ
ッチパネル製造上、耐熱性、透明性、加工性、耐衝撃性
のバランスの良いポリエーテルスルホンが特に好まし
い。ハードコートは、ガラス転位温度が１５０℃以上
の、（メタ）アクリレートを主成分とする樹脂組成物で
あれば特に限定はしないが、特にイソシアヌル酸ＥＯ変
性トリ（メタ）アクリレートを含むことが望ましい。樹
脂ワニス中に含まれるイソシアヌル酸ＥＯ変性トリ（メ
タ）アクリレートは樹脂成分の４０ｗｔ％以上であるこ
とが望ましい。イソシアヌル酸ＥＯ変性トリ（メタ）ア
クリレートが４０ｗｔ％以上であればＩＴＯとハードコ
ートの密着がさらに良好と成り、ＩＴＯの耐ペン摺動性
や耐屈曲性が向上する。さらにハードコートのガラス転
移温度も上がるので、ＩＴＯの高温成膜により高結晶化
が期待できる。該樹脂ワニスに含まれるイソシアヌル酸
ＥＯ変性トリ（メタ）アクリレート以外の樹脂として
は、紫外線硬化性樹脂ならば特に制限するものでなく、
エポキシ（メタ）アクリレート、ウレタン（メタ）アク
リレート、ポリエステル（メタ）アクリレート等を挙げ
ることができ、これらの樹脂は２種類以上を混合して用
いても良い。本発明のハードコートは、樹脂ワニスを塗
布し、加熱乾燥後、光により硬化させることで積層でき
る。
は特に限定されるものではなく熱可塑性ポリエステル、
芳香族ポリエーテルスルホン、熱可塑性芳香族ポリエー
テルケトン、ポリエーテルイミド、ポリフェニレンスル
フィド、ポリアリレート、環状ポリオレフィン、ポリカ
ーボネイト、及びそのコポリマー等があげられる。ま
た、これらのフィルムは滑剤、耐熱安定剤、耐候安定
剤、顔料、染料、無機質充填剤などを適宜ブレンドして
も良い。また、高度の耐ペン摺動性が要求される用途で
は、インジウム・スズ酸化物が結晶化しやすい１５０℃
以上のガラス転移温度を有していることが好ましく、タ
ッチパネル製造上、耐熱性、透明性、加工性、耐衝撃性
のバランスの良いポリエーテルスルホンが特に好まし
い。ハードコートは、ガラス転位温度が１５０℃以上
の、（メタ）アクリレートを主成分とする樹脂組成物で
あれば特に限定はしないが、特にイソシアヌル酸ＥＯ変
性トリ（メタ）アクリレートを含むことが望ましい。樹
脂ワニス中に含まれるイソシアヌル酸ＥＯ変性トリ（メ
タ）アクリレートは樹脂成分の４０ｗｔ％以上であるこ
とが望ましい。イソシアヌル酸ＥＯ変性トリ（メタ）ア
クリレートが４０ｗｔ％以上であればＩＴＯとハードコ
ートの密着がさらに良好と成り、ＩＴＯの耐ペン摺動性
や耐屈曲性が向上する。さらにハードコートのガラス転
移温度も上がるので、ＩＴＯの高温成膜により高結晶化
が期待できる。該樹脂ワニスに含まれるイソシアヌル酸
ＥＯ変性トリ（メタ）アクリレート以外の樹脂として
は、紫外線硬化性樹脂ならば特に制限するものでなく、
エポキシ（メタ）アクリレート、ウレタン（メタ）アク
リレート、ポリエステル（メタ）アクリレート等を挙げ
ることができ、これらの樹脂は２種類以上を混合して用
いても良い。本発明のハードコートは、樹脂ワニスを塗
布し、加熱乾燥後、光により硬化させることで積層でき
る。
【０００６】フィルム基板上にインジウム・スズ酸化物
からなる透明導電膜を積層させる方法としては、スパッ
タリング法、真空蒸着法、イオンプレーティング法、Ｃ
ＤＶ法等が挙げられるが特に限定はしない。
からなる透明導電膜を積層させる方法としては、スパッ
タリング法、真空蒸着法、イオンプレーティング法、Ｃ
ＤＶ法等が挙げられるが特に限定はしない。
【０００７】
【実施例】（実施例１）ポリエーテルサルフォンフィル
ム（厚み２００μｍ）の片面上に、イソシアヌル酸ＥＯ
変性トリアクリレート５０重量部、光重合開始剤とし
て、イルガキュアー９０７(チバスぺシャリティケミカ
ルズ製)２重量部、酢酸ブチル４８重量部の混合液をグ
ラビアコート法により塗布し、120℃で５分間加熱して
溶媒を除去後、高圧水銀灯を用いて紫外線を３５０ｍＪ
／ｃｍ2照射し、厚さ４μｍのハードコート層を形成し
た。ハードコート層のガラス転移温度は２４０℃であっ
た。１８０℃に加熱した状態でハードコートを施したフ
ィルム面上にＤＣマグネトロン法により初期真空度３×
１０-4Ｐａに引き、酸素／アルゴンガス４％の混合ガス
を導入し、１×１０-1Ｐａの条件下において成膜し、Ｉ
ｎ／Ｉｎ＋Ｓｎの原子比が０．９８であるＩｎ2Ｏ3、Ｓ
ｎＯ2からなる酸化物の導電性層を得た。測定の結果、
表面抵抗は２３０Ω/□であり、膜厚は３０Åであっ
た。このようにして得られた透明導電フィルムを用い
て、アナログ式タッチパネルを作成した。耐ペン摺動性
試験で１０万回（荷重：２．２Ｎ）摺動したところ、抵
抗変化率Ｒ／Ｒ0は１．１であった。
ム（厚み２００μｍ）の片面上に、イソシアヌル酸ＥＯ
変性トリアクリレート５０重量部、光重合開始剤とし
て、イルガキュアー９０７(チバスぺシャリティケミカ
ルズ製)２重量部、酢酸ブチル４８重量部の混合液をグ
ラビアコート法により塗布し、120℃で５分間加熱して
溶媒を除去後、高圧水銀灯を用いて紫外線を３５０ｍＪ
／ｃｍ2照射し、厚さ４μｍのハードコート層を形成し
た。ハードコート層のガラス転移温度は２４０℃であっ
た。１８０℃に加熱した状態でハードコートを施したフ
ィルム面上にＤＣマグネトロン法により初期真空度３×
１０-4Ｐａに引き、酸素／アルゴンガス４％の混合ガス
を導入し、１×１０-1Ｐａの条件下において成膜し、Ｉ
ｎ／Ｉｎ＋Ｓｎの原子比が０．９８であるＩｎ2Ｏ3、Ｓ
ｎＯ2からなる酸化物の導電性層を得た。測定の結果、
表面抵抗は２３０Ω/□であり、膜厚は３０Åであっ
た。このようにして得られた透明導電フィルムを用い
て、アナログ式タッチパネルを作成した。耐ペン摺動性
試験で１０万回（荷重：２．２Ｎ）摺動したところ、抵
抗変化率Ｒ／Ｒ0は１．１であった。
【０００８】（実施例２）ポリカーボネートフィルム
（厚み２００μｍ）の片面上に、ハードコートとしてイ
ソシアヌル酸ＥＯ変性トリアクリレート４０重量部、エ
ポキシアクリレート６重量部、ウレタンアクリレート４
重量部、光重合開始剤として、イルガキュアー９０７
(チバスぺシャリティケミカルズ製)２重量部、酢酸ブチ
ル４８重量部の混合液をグラビアコート法により塗布
し、120℃で５分間加熱して溶媒を除去後、高圧水銀灯
を用いて紫外線を３５０ｍＪ／ｃｍ2照射し、厚さ４μ
ｍの保護層を形成した。ハードコートのガラス転移温度
は２３０℃であった。１５０℃に加熱した状態でハード
コートを施したフィルム面上にＤＣマグネトロン法によ
り初期真空度３×１０-4Ｐａに引き、酸素／アルゴンガ
ス４％の混合ガスを導入し、１×１０-1Ｐａの条件下に
おいて成膜し、Ｉｎ／Ｉｎ＋Ｓｎの原子比が０．９８で
あるＩｎ2Ｏ3、ＳｎＯ2からなる酸化物の導電性層を得
た。測定の結果、表面抵抗は２３０Ω/□であり、膜厚
は３０Åであった。このようにして得られた透明導電フ
ィルムを用いて、アナログ式タッチパネルを作成した。
耐ペン摺動性試験で１０万回（荷重：２．２Ｎ）摺動し
たところ、抵抗変化率Ｒ／Ｒ0は１．２であった。
（厚み２００μｍ）の片面上に、ハードコートとしてイ
ソシアヌル酸ＥＯ変性トリアクリレート４０重量部、エ
ポキシアクリレート６重量部、ウレタンアクリレート４
重量部、光重合開始剤として、イルガキュアー９０７
(チバスぺシャリティケミカルズ製)２重量部、酢酸ブチ
ル４８重量部の混合液をグラビアコート法により塗布
し、120℃で５分間加熱して溶媒を除去後、高圧水銀灯
を用いて紫外線を３５０ｍＪ／ｃｍ2照射し、厚さ４μ
ｍの保護層を形成した。ハードコートのガラス転移温度
は２３０℃であった。１５０℃に加熱した状態でハード
コートを施したフィルム面上にＤＣマグネトロン法によ
り初期真空度３×１０-4Ｐａに引き、酸素／アルゴンガ
ス４％の混合ガスを導入し、１×１０-1Ｐａの条件下に
おいて成膜し、Ｉｎ／Ｉｎ＋Ｓｎの原子比が０．９８で
あるＩｎ2Ｏ3、ＳｎＯ2からなる酸化物の導電性層を得
た。測定の結果、表面抵抗は２３０Ω/□であり、膜厚
は３０Åであった。このようにして得られた透明導電フ
ィルムを用いて、アナログ式タッチパネルを作成した。
耐ペン摺動性試験で１０万回（荷重：２．２Ｎ）摺動し
たところ、抵抗変化率Ｒ／Ｒ0は１．２であった。
【０００９】（比較例１）ポリエステルフィルム（厚み
１８８μｍ）の片面上に、ハードコートとして、エポキ
シアクリレート３０重量部、ウレタンアクリレート２０
重量部、光重合開始剤として、イルガキュアー９０７
(チバスぺシャリティケミカルズ製)２重量部、酢酸ブチ
ル４８重量部の混合液をグラビアコート法により塗布
し、120℃で５分間加熱して溶媒を除去後、高圧水銀灯
を用いて紫外線を３５０ｍＪ／ｃｍ2照射し、厚さ４μ
ｍの保護層を形成した。ハードコートのガラス転移温度
は１４０℃であった。１５０℃に加熱した状態でハード
コートを施したフィルム面上にＤＣマグネトロン法によ
り初期真空度３×１０-4Ｐａに引き、酸素／アルゴンガ
ス４％の混合ガスを導入し、１×１０-1Ｐａの条件下に
おいて成膜し、Ｉｎ／Ｉｎ＋Ｓｎの原子比が０．９８で
あるＩｎ2Ｏ3、ＳｎＯ2からなる酸化物の導電性層を得
た。測定の結果、表面抵抗は２３０Ω/□であり、膜厚
は３０Åであった。このようにして得られた透明導電フ
ィルムを用いて、アナログ式タッチパネルを作成した。
耐ペン摺動性試験で１０万回（荷重：２．２Ｎ）摺動し
たところ、抵抗変化率Ｒ／Ｒ0は５．７であった。
１８８μｍ）の片面上に、ハードコートとして、エポキ
シアクリレート３０重量部、ウレタンアクリレート２０
重量部、光重合開始剤として、イルガキュアー９０７
(チバスぺシャリティケミカルズ製)２重量部、酢酸ブチ
ル４８重量部の混合液をグラビアコート法により塗布
し、120℃で５分間加熱して溶媒を除去後、高圧水銀灯
を用いて紫外線を３５０ｍＪ／ｃｍ2照射し、厚さ４μ
ｍの保護層を形成した。ハードコートのガラス転移温度
は１４０℃であった。１５０℃に加熱した状態でハード
コートを施したフィルム面上にＤＣマグネトロン法によ
り初期真空度３×１０-4Ｐａに引き、酸素／アルゴンガ
ス４％の混合ガスを導入し、１×１０-1Ｐａの条件下に
おいて成膜し、Ｉｎ／Ｉｎ＋Ｓｎの原子比が０．９８で
あるＩｎ2Ｏ3、ＳｎＯ2からなる酸化物の導電性層を得
た。測定の結果、表面抵抗は２３０Ω/□であり、膜厚
は３０Åであった。このようにして得られた透明導電フ
ィルムを用いて、アナログ式タッチパネルを作成した。
耐ペン摺動性試験で１０万回（荷重：２．２Ｎ）摺動し
たところ、抵抗変化率Ｒ／Ｒ0は５．７であった。
【００１０】
【発明の効果】本発明により、ＩＴＯとの密着力があ
り、かつガラス転移温度が高いハードコートをもつこと
でＩＴＯを高結晶に加工できるタッチパネル用透明導電
フィルムを提供することができる。
り、かつガラス転移温度が高いハードコートをもつこと
でＩＴＯを高結晶に加工できるタッチパネル用透明導電
フィルムを提供することができる。
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
(51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考）
Ｇ０６Ｆ 3/03 ３２０ Ｇ０６Ｆ 3/03 ３２０Ｃ
// Ｈ０１Ｂ 5/14 Ｈ０１Ｂ 5/14 Ａ
Ｆターム(参考） 4F100 AA33C AK01A AK25B AK25K
AK55 AL05B AL07B AR00C
BA03 BA07 BA10A BA10C
EJ05B GB41 JA05B JG01C
JK12B JL11 JN01C
5B068 AA33 BC08
5B087 AA04 CC13 CC14
5G307 FA02 FB01 FC01 FC02
Claims (3)
- 【請求項１】 フィルムの少なくとも片面に、ガラス転
位温度が１５０℃以上の、（メタ）アクリレートを主成
分とする樹脂組成物を架橋して成るハードコート層を積
層し、該ハードコート層の上にインジウム・スズ酸化物
からなる透明導電膜を成膜したタッチパネル用透明導電
性フィルム。 - 【請求項２】 前記（メタ）アクリレートが少なくとも
イソシアヌル酸ＥＯ変性トリ（メタ）アクリレートを含
むものである請求項１記載のタッチパネル用透明導電性
フィルム。 - 【請求項３】 前記樹脂組成物におけるイソシアヌル酸
ＥＯ変性トリ（メタ）アクリレートの含有量が４０ｗｔ
％以上である請求項２記載のタッチパネル用透明導電性
フィルム。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2002096830A JP3983580B2 (ja) | 2002-03-29 | 2002-03-29 | タッチパネル用透明導電性フィルム |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2002096830A JP3983580B2 (ja) | 2002-03-29 | 2002-03-29 | タッチパネル用透明導電性フィルム |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2003296031A true JP2003296031A (ja) | 2003-10-17 |
| JP3983580B2 JP3983580B2 (ja) | 2007-09-26 |
Family
ID=29387532
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2002096830A Expired - Fee Related JP3983580B2 (ja) | 2002-03-29 | 2002-03-29 | タッチパネル用透明導電性フィルム |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3983580B2 (ja) |
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005254470A (ja) * | 2004-03-09 | 2005-09-22 | Gunze Ltd | ハードコートフィルム |
| JP2005292510A (ja) * | 2004-03-31 | 2005-10-20 | Dainippon Printing Co Ltd | 帯電防止層を有する反射防止フィルム |
| JP2005290230A (ja) * | 2004-03-31 | 2005-10-20 | Dainippon Printing Co Ltd | 帯電防止層を有する反射防止フィルム及び帯電防止層形成用コーティング組成物 |
| JP2006190189A (ja) * | 2005-01-07 | 2006-07-20 | Sumitomo Bakelite Co Ltd | タッチパネル用プラスチック基板及びそれを用いたタッチパネル |
| WO2007088922A1 (ja) * | 2006-02-03 | 2007-08-09 | Jsr Corporation | 導電性透明フィルムおよびその用途 |
| JP2009190307A (ja) * | 2008-02-15 | 2009-08-27 | Bridgestone Corp | 電鋳金型の製造方法 |
| JP2011090301A (ja) * | 2010-10-08 | 2011-05-06 | Dainippon Printing Co Ltd | 帯電防止層を有する反射防止フィルム |
| US8388871B2 (en) * | 2006-04-07 | 2013-03-05 | Sumitomo Metal Mining Co., Ltd. | Translucent conductive film forming coating liquid, translucent conductive film, and dispersive type electroluminescent device |
-
2002
- 2002-03-29 JP JP2002096830A patent/JP3983580B2/ja not_active Expired - Fee Related
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| JP2011090301A (ja) * | 2010-10-08 | 2011-05-06 | Dainippon Printing Co Ltd | 帯電防止層を有する反射防止フィルム |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3983580B2 (ja) | 2007-09-26 |
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