JP2003293197A - めっき浴の調整方法 - Google Patents

めっき浴の調整方法

Info

Publication number
JP2003293197A
JP2003293197A JP2002103860A JP2002103860A JP2003293197A JP 2003293197 A JP2003293197 A JP 2003293197A JP 2002103860 A JP2002103860 A JP 2002103860A JP 2002103860 A JP2002103860 A JP 2002103860A JP 2003293197 A JP2003293197 A JP 2003293197A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
acid
plating bath
organic compound
plating
copper sulfate
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP2002103860A
Other languages
English (en)
Other versions
JP4224552B2 (ja
Inventor
Shigeru Yamato
茂 大和
Takuji Matsunami
卓史 松浪
Yuka Iwamoto
由香 岩本
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Okuno Chemical Industries Co Ltd
Original Assignee
Okuno Chemical Industries Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Okuno Chemical Industries Co Ltd filed Critical Okuno Chemical Industries Co Ltd
Priority to JP2002103860A priority Critical patent/JP4224552B2/ja
Publication of JP2003293197A publication Critical patent/JP2003293197A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP4224552B2 publication Critical patent/JP4224552B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Landscapes

  • Treatment Of Water By Oxidation Or Reduction (AREA)
  • Chemically Coating (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【課題】 めっき性能に対して悪影響を及ぼすことな
く、簡単な方法によって、めっき浴中の有機化合物を分
解することが可能なめっき浴調整方法を提供すること。 【解決手段】 次亜塩素酸、亜塩素酸、塩素酸、過塩素
酸、次亜臭素酸、亜臭素酸、臭素酸、過臭素酸、次亜ヨ
ウ素酸、亜ヨウ素酸、ヨウ素酸、過ヨウ素酸、及びこれ
らの塩からなる群から選ばれる少なくとも1種の酸化ハ
ロゲン化物を添加することによって、めっき浴中の有機
化合物を分解する方法。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、化学的酸化処理に
よりめっき浴中の有機成分を分解するめっき浴の調整方
法に関する。
【0002】
【従来の技術】めっき浴中には、装飾的目的、皮膜特性
向上の目的などから、種々の有機成分が添加される。こ
れらの有機成分は使用に伴い消耗することから、継続的
に補給を繰り返して使用されるが、有機成分の過剰添
加、バランス異常、分解生成物蓄積などにより上記目的
に大きな弊害が現れることがある。
【0003】このような場合、過酸化水素や過マンガン
酸塩などの酸化剤をめっき浴に添加して強制的に有機成
分を酸化分解する方法、活性炭処理により不要な有機成
分を吸着除去する方法、これらの組み合わせによる方法
等が用いられてきた。
【0004】これらの方法の内で、活性炭処理は確実な
方法ではあるが、作業性が悪いことから、軽度の弊害の
場合、酸化剤の添加のみによる処理が一般的に行われて
いる。
【0005】しかしながら、上記した従来の酸化剤で
は、有機成分の酸化分解において消費されなかった酸化
剤がめっき浴中に残存し、めっき性能に悪影響を及ぼす
ため、残存した酸化剤を完全に分解する目的で長時間に
わたる電解処理を必要としていた。
【0006】
【発明が解決しようとする課題】本発明の主な目的は、
めっき性能に対して悪影響を及ぼすことなく、簡単な方
法によって、めっき浴中の有機成分を分解することが可
能なめっき浴調整方法を提供することである。
【0007】
【課題を解決するための手段】本発明者は、上記の如き
従来技術の問題点を解決するために、鋭意研究を重ねて
きた。その結果、酸化ハロゲン化物を酸化剤として用
い、これをめっき浴中に添加することによって、めっき
浴中に含まれる有機化合物を速やかに分解することがで
き、しかも、この酸化剤は、速やかに自己分解を起こす
ことによりめっきに悪影響を及ぼさないことを見出し、
ここに本発明を完成するに至った。
【0008】即ち、本発明は、下記のめっき浴調整方法
を提供するものである。
【0009】1.酸化ハロゲン化物をめっき浴に添加し
て、該めっき浴中に含まれる有機化合物を酸化分解する
ことを特徴とする、めっき浴の調整方法。
【0010】2.酸化ハロゲン化物が、次亜塩素酸、亜
塩素酸、塩素酸、過塩素酸、次亜臭素酸、亜臭素酸、臭
素酸、過臭素酸、次亜ヨウ素酸、亜ヨウ素酸、ヨウ素
酸、過ヨウ素酸、及びこれらの塩からなる群から選ばれ
る少なくとも1種である、上記項1に記載のめっき浴の
調整方法。
【0011】3.めっき浴が、酸性の電気めっき浴又は
酸性の無電解めっき浴である上記項1又は2に記載のめっ
き浴の調整方法。
【0012】4.めっき浴が硫酸銅めっき浴であり、分
解を受ける成分が含イオウ有機化合物である上記項3に
記載のめっき浴の調整方法。
【0013】5.次亜塩素酸、亜塩素酸、塩素酸、過塩
素酸、次亜臭素酸、亜臭素酸、臭素酸、過臭素酸、次亜
ヨウ素酸、亜ヨウ素酸、ヨウ素酸、過ヨウ素酸、及びこ
れらの塩からなる群から選ばれる少なくとも1種の酸化
ハロゲン化物を有効成分とするめっき浴中の有機化合物
分解剤。
【0014】
【発明の実施の形態】本発明のめっき浴の調整方法は、
酸化ハロゲン化物をめっき浴に添加して、該めっき浴中
に含まれる有機化合物を酸化分解することを特徴とする
方法である。この方法では、めっき浴中に含まれる有機
化合物に対する酸化剤として酸化ハロゲン化物を用いる
ことが重要である。酸化ハロゲン化物は、めっき浴中で
瞬時に活性酸素を遊離することで、有機化合物に対して
強力な酸化力、速効性を示し、しかも、自己分解が速い
ために、酸化力を有した状態でめっき浴に残存しないた
めに、めっき浴に対して悪影響を及ぼすことがない点な
どで非常に優れた酸化剤である。
【0015】本発明のめっき浴の調整方法において、処
理対象となるめっき浴については特に限定はなく、各種
の電気めっき浴、無電解めっき浴に対して本発明方法を
適用できる。
【0016】処理対象となる電気めっき浴の具体例とし
ては、銅めっき浴、ニッケルめっき浴、亜鉛めっき浴、
スズめっき浴、貴金属めっき(金、銀、ルテニウム、ロ
ジウム、パラジウム、オスミウム、イリジウム、白金)
浴、それらの合金めっき浴等を挙げることができる。具
体的な電気めっき浴のタイプについても特に限定され
ず、公知の各種組成のめっき浴に対して本発明方法を適
用できる。
【0017】また、無電解めっき浴の具体例としては、
銅めっき浴、ニッケルめっき浴、金めっき浴、銀めっき
浴、パラジウムめっき浴等を挙げることができる。具体
的な無電解めっき浴のタイプについても、特に限定され
ず、公知の各種組成のめっき浴に対して本発明方法を適
用できる。
【0018】本発明では、上記した各種めっき浴の内
で、特に、酸性のめっき浴を処理対象とする場合に、該
めっき浴中に含まれる有機化合物を効率良く分解除去す
ることができる点で有利である。
【0019】また、本発明の方法では、特に、硫酸銅め
っき浴を処理対象とする場合には、該めっき浴中に含ま
れる成分の内で、光沢剤として添加される含イオウ有機
化合物を選択的に酸化分解することができる。一般に、
硫酸銅めっき浴においては、添加剤による弊害として
は、含イオウ有機化合物の過不足、含イオウ有機化合物
の経時変化等に起因する場合が多い。本発明の方法によ
れば、含イオウ有機化合物を選択的に酸化分解できるの
で、本発明方法による処理を行った後、必要に応じて、
含イオウ有機化合物を添加することによって、硫酸銅め
っき浴を良好な状態に調整することができる。このた
め、本発明方法は、特に、硫酸銅めっき浴に対する調整
方法として有用性の高い方法である。
【0020】本発明方法を硫酸銅めっき浴に対して適用
する場合、硫酸銅めっき浴の組成等については特に限定
はなく、通常用いられている各種の硫酸銅めっき浴を処
理対象とすることができる。具体的な組成としては、硫
酸銅(5水塩):10〜300g/l程度、硫酸:10〜300g/l程
度、塩素イオン:20〜120mg/l程度を含み、更に、光沢
剤、平滑剤、高分子化合物などの各種の添加剤を含むも
のを例示できる。この様な硫酸銅めっき浴において、通
常、含イオウ有機化合物は、光沢剤として添加されてお
り、その具体例としては、3−メルカプトプロピルスル
ホン酸、そのナトリウム塩、ビス(3−スルホプロピ
ル)ジスルフィド、その2ナトリウム塩、N,N−ジメチル
ジチオカルバミン酸(3−スルホプロピル)エステル、
そのナトリウム塩等を挙げることができる。本発明の調
整方法を硫酸銅めっき浴に適用する場合には、これらの
光沢剤として添加された含イオウ有機化合物や、光沢剤
の経時変化などによって生じた各種の含イオウ有機化合
物を選択的に酸化分解することができる。
【0021】本発明の調整方法では、酸化ハロゲン化物
として、例えば、次亜塩素酸、亜塩素酸、塩素酸、過塩
素酸、次亜臭素酸、亜臭素酸、臭素酸、過臭素酸、次亜
ヨウ素酸、亜ヨウ素酸、ヨウ素酸、過ヨウ素酸、これら
各酸の塩等を使用することができる。塩の種類について
は、めっき浴に対して可溶性の塩であれば特に限定はな
く、例えば、ナトリウム塩、カリウム塩等のアルカリ金
属塩を用いることができる。これらの酸化ハロゲン化物
は、一種単独又は二種以上混合して用いることができ
る。
【0022】好ましい酸化ハロゲン化物の例としては、
次亜塩素酸ナトリウム、次亜塩素酸カルシウム、亜塩素
酸ナトリウム、塩素酸ナトリウム、塩素酸カリウム、過
塩素酸、過塩素酸ナトリウム、過塩素酸カリウム、臭素
酸ナトリウム、臭素酸カリウム、ヨウ素酸ナトリウム、
ヨウ素酸カリウム、過ヨウ素酸、過ヨウ素酸ナトリウ
ム、過ヨウ素酸カリウム等が挙げられる。
【0023】本発明調整方法では、上記した酸化ハロゲ
ン化物を処理対象とするめっき浴に添加し、必要に応じ
て攪拌すればよい。該酸化ハロゲン化物は、通常、めっ
き終了後にめっき浴に添加するが、めっき中に添加して
めっき処理と同時に有機化合物量を調整することもでき
る。
【0024】酸化ハロゲン化物の添加量については、特
に限定的ではなく、めっき浴中に含まれる有機化合物の
種類、量などに応じて適宜決めればよい。例えば、本発
明の調整方法を硫酸銅めっき浴に適用する場合には、一
般に硫酸銅めっき浴に含まれる含イオウ有機化合物量は
0.001〜1mmol/l程度であり、この範囲の含イオウ有機化
合物を酸化分解するには、めっき浴中における酸化ハロ
ゲン化物濃度を0.001〜10mmol/l程度とすればよく、こ
の範囲から含イオウ有機化合物量に応じて具体的な添加
量を適宜決めればよい。ただし、酸化ハロゲン化物量が
過剰となると、硫酸銅めっき浴中のハロゲン濃度が上昇
してめっきに支障が生じる恐れがあるので、注意が必要
である。
【0025】酸化ハロゲン化物をめっき浴に添加する方
法としては、特に限定はなく、酸化ハロゲン化物をその
まま添加しても良く、あるいは、適当な希釈溶液として
添加しても良い。ただし、酸化ハロゲン化物は、めっき
浴中における自己分解が速いので、めっき浴の一部分に
全量を添加すると、短時間に分解して、めっき浴中の一
部に存在する有機化合物だけが酸化分解されることがあ
る。このため、酸化ハロゲン化物は、めっき浴の各部分
に分散して添加することが好ましく、特に、希釈溶液と
して添加することが好ましい。
【0026】酸化ハロゲン化物による処理時間について
は、めっき浴中に含まれる有機化合物の種類、量や、使
用する酸化ハロゲン化物の種類、量などによって異なる
ので、一概に決めることはできないが、通常、30秒〜30
分程度の範囲内とすればよい。酸化ハロゲン化物による
処理時のめっき浴温度については、特に限定的ではない
が、液温が高すぎると酸化ハロゲン化物の分解が急激に
進行して一部の有機化合物のみが分解される場合があ
り、液温が低すぎると有機化合物の分解が不十分となる
場合がある。このため、通常、10〜60℃程度の液温とす
ればよい。
【0027】上記した方法でめっき浴を調整することに
よって、めっき浴中に含まれる有機化合物を酸化分解す
ることができる。しかも、酸化ハロゲン化物は、自己分
解が速いために、酸化力を有した状態でめっき浴中に残
存せず、従来法のような酸化剤添加後の長時間の電解処
理を必要としない。このため、本発明方法によって処理
を行った後、必要に応じて、めっき浴中に添加剤成分を
加えることによって、めっき浴を良好な状態に調整する
ことができる。
【0028】特に、硫酸銅めっき浴に対して本発明の調
整法を適用する場合には、含イオウ有機化合物を選択的
に酸化分解することができるので、光沢剤として用いる
含イオウ有機化合物量が過剰となった場合にその量を減
少させることができ、また、光沢剤成分の経時変化物が
蓄積した場合にも、これを分解除去することができる。
従って、本発明方法で硫酸銅めっき浴を処理した後、必
要に応じて、光沢剤を添加することによって、硫酸銅め
っき浴を良好な状態に調整することができる。
【0029】
【実施例】以下、本発明を実施例によりさらに詳述す
る。
【0030】実施例1 硫酸銅(5水塩)200g/l、硫酸50g/l、塩素イオン70mg/
l、ポリエチレングリコール(平均分子量2000)0.5g/
l、ジエチルサフラニン5mg/l、メルカプトプロパンスル
ホン酸ナトリウム5mg/lからなる装飾用硫酸銅めっき浴
に酸化ハロゲン化物として次亜塩素酸ナトリウム0.5mmo
l/l(37mg/l)を添加し、液温25℃で10分間撹拌した。
【0031】上記した処理後の硫酸銅めっき浴につい
て、液温25℃、電流2Aの条件で空気撹拌下に、5分間ハ
ルセル試験を行い、ハルセル外観を確認した。
【0032】その結果、ハルセル外観は、上記浴にメル
カプトプロパンスルホン酸ナトリウムのみを添加しない
場合の無光沢外観と一致した。また、このめっき浴にメ
ルカプトプロパンスルホン酸ナトリウム5mg/lを添加し
たところ、初期状態(酸化ハロゲン化物添加前の状態)
と同様の均一な光沢外観に回復した。
【0033】以上の結果から、硫酸銅めっき浴に次亜塩
素酸ナトリウムを添加することによって、メルカプトプ
ロパンスルホン酸ナトリウムのみが選択的に酸化分解さ
れたことが確認できた。
【0034】実施例2 硫酸銅(5水塩)70g/l、硫酸200g/l、塩素イオン50mg/
l、ポリオキシエチレンポリオキシプロピレンエーテル
(平均分子量4000)0.2g/l、ビス(3−スルホプロピ
ル)ジスルフィド2ナトリウム2mg/l、トリエチレンテト
ラミン1mg/lからなるプリント配線板用硫酸銅めっき浴
に酸化ハロゲン化物として臭素酸カリウム0.1mmol/l(1
7mg/l)を添加し、液温20℃で1分間撹拌した。その後、
実施例1と同様の条件でハルセル試験を行い、ハルセル
外観を確認した。
【0035】その結果、ハルセル外観は、上記浴にビス
(3−スルホプロピル)ジスルフィド2ナトリウムのみを
添加しない場合の無光沢外観と一致した。また、このめ
っき浴にビス(3−スルホプロピル)ジスルフィド2ナト
リウム2mg/lを添加したところ、初期状態(酸化ハロゲ
ン化物添加前の状態)と同様の均一な光沢外観に回復し
た。
【0036】以上の結果から、硫酸銅めっき浴に臭素酸
カリウムを添加することによって、ビス(3−スルホプ
ロピル)ジスルフィド2ナトリウムのみが選択的に酸化
分解されたことが確認できた。
【0037】実施例3 硫酸銅(5水塩)230g/l、硫酸60g/l、塩素イオン100mg/
l、ポリオキシエチレンナフトールエーテル(平均分子
量1000)1g/l、N,N−ジメチルジチオカルバミン酸(3−
スルホプロピル)エステル10mg/l、エチレンチオ尿素1m
g/lからなる電鋳用硫酸銅めっき浴に酸化ハロゲン化物
として過ヨウ素酸0.3mmol/l(58mg/l)を添加し、液温4
5℃で5分間撹拌した。その後、実施例1と同様の条件で
ハルセル試験を行い、ハルセル外観を確認した。
【0038】その結果、ハルセル外観は、上記浴にN,N
−ジメチルジチオカルバミン酸(3−スルホプロピル)
エステルのみを添加しない場合の無光沢外観と一致し
た。また、このめっき浴にN,N−ジメチルジチオカルバ
ミン酸(3−スルホプロピル)エステル10mg/lを添加し
たところ、初期状態(酸化ハロゲン化物添加前の状態)
と同様の均一な光沢外観に回復した。
【0039】以上の結果から、硫酸銅めっき浴に過ヨウ
素酸を添加することによって、N,N−ジメチルジチオカ
ルバミン酸(3−スルホプロピル)エステルのみが選択
的に酸化分解されたことが確認できた。
【0040】比較例1 実施例1で用いた装飾用硫酸銅めっき浴に過マンガン酸
カリウム0.2mmol/l(32mg/l)を添加し、液温25℃で1時
間撹拌後の浴状態とハルセル外観を確認した。ハルセル
試験は実施例1と同様の条件で行った。浴状態は過マン
ガン酸イオンの残存を示す赤紫色の呈色が認められた。
【0041】ハルセル外観は、メルカプトプロパンスル
ホン酸ナトリウムのみを添加しない場合の無光沢外観と
一致したが、このめっき浴にメルカプトプロパンスルホ
ン酸ナトリウム5mg/lを添加しても初期状態の光沢外観
には回復しなかった。
【0042】比較例2 実施例2で用いたプリント配線板用硫酸銅めっき浴に過
酸化水素3mmol/l(35%過酸化水素水として0.3g/l)を添
加し、液温25℃で30分間撹拌後のハルセル外観を確認し
た。ハルセル試験は実施例1と同様の条件で行った。そ
の結果、ハルセル外観は、ビス(3−スルホプロピル)
ジスルフィド2ナトリウムの微量の残存を示す半光沢外
観となった。
【0043】このめっき液にビス(3−スルホプロピ
ル)ジスルフィド2ナトリウム2mg/lを添加したが、半光
沢外観のままで過酸化水素の残存の影響が確認された。
【0044】更に、このめっき液を電解処理(25℃、0.
5A/dm2、0.2A/l、2時間)後、ビス(3−スルホプロピ
ル)ジスルフィド2ナトリウム2mg/lを添加したところ、
初期状態と同様の均一な光沢ハルセル外観に回復した。
【0045】
【発明の効果】本発明のめっき浴の調整方法によれば、
めっき浴中に酸化ハロゲン化物を添加することにより、
速やかにめっき浴中の有機化合物を分解することができ
る。また、酸化ハロゲン化物はめっき浴中で自己分解速
度が速いので、めっきの性能にに悪影響を及ぼさない。
【0046】特に、硫酸銅めっき浴に対して本発明の調
整法を適用する場合には、含イオウ有機化合物を選択的
に酸化分解することができるので有用性が高い。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 岩本 由香 大阪府大阪市鶴見区放出東1丁目10番25号 奥野製薬工業株式会社表面技術研究所内 Fターム(参考) 4D050 AA08 AB18 BB03 BB06 BB07 4K022 BA01 BA03 BA08 BA14 BA18 DA01 DB01

Claims (5)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 酸化ハロゲン化物をめっき浴に添加し
    て、該めっき浴中に含まれる有機化合物を酸化分解する
    ことを特徴とする、めっき浴の調整方法。
  2. 【請求項2】 酸化ハロゲン化物が、次亜塩素酸、亜塩
    素酸、塩素酸、過塩素酸、次亜臭素酸、亜臭素酸、臭素
    酸、過臭素酸、次亜ヨウ素酸、亜ヨウ素酸、ヨウ素酸、
    過ヨウ素酸、及びこれらの塩からなる群から選ばれる少
    なくとも1種である、請求項1に記載のめっき浴の調整
    方法。
  3. 【請求項3】 めっき浴が、酸性の電気めっき浴又は酸
    性の無電解めっき浴である請求項1又は2に記載のめっき
    浴の調整方法。
  4. 【請求項4】 めっき浴が硫酸銅めっき浴であり、分解
    を受ける成分が含イオウ有機化合物である請求項3に記
    載のめっき浴の調整方法。
  5. 【請求項5】次亜塩素酸、亜塩素酸、塩素酸、過塩素
    酸、次亜臭素酸、亜臭素酸、臭素酸、過臭素酸、次亜ヨ
    ウ素酸、亜ヨウ素酸、ヨウ素酸、過ヨウ素酸、及びこれ
    らの塩からなる群から選ばれる少なくとも1種の酸化ハ
    ロゲン化物を有効成分とするめっき浴中の有機化合物分
    解剤。
JP2002103860A 2002-04-05 2002-04-05 めっき浴の調整方法 Expired - Fee Related JP4224552B2 (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2002103860A JP4224552B2 (ja) 2002-04-05 2002-04-05 めっき浴の調整方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2002103860A JP4224552B2 (ja) 2002-04-05 2002-04-05 めっき浴の調整方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2003293197A true JP2003293197A (ja) 2003-10-15
JP4224552B2 JP4224552B2 (ja) 2009-02-18

Family

ID=29242768

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2002103860A Expired - Fee Related JP4224552B2 (ja) 2002-04-05 2002-04-05 めっき浴の調整方法

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP4224552B2 (ja)

Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2006249525A (ja) * 2005-03-11 2006-09-21 Okuno Chem Ind Co Ltd めっき浴の調整方法
JP2009022948A (ja) * 2007-06-20 2009-02-05 Okuno Chem Ind Co Ltd エッチング液の電解処理方法
JP2009041096A (ja) * 2007-08-10 2009-02-26 Rohm & Haas Electronic Materials Llc 銅めっき液組成物
JP2012255217A (ja) * 2012-08-23 2012-12-27 Rohm & Haas Electronic Materials Llc 銅めっき方法
KR101576162B1 (ko) 2007-08-10 2015-12-10 롬 앤드 하스 일렉트로닉 머트어리얼즈 엘엘씨 구리 도금 방법
CN114605002A (zh) * 2022-03-17 2022-06-10 中山国昌荣电子有限公司 一种pcb电镀废水的处理方法与应用

Cited By (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2006249525A (ja) * 2005-03-11 2006-09-21 Okuno Chem Ind Co Ltd めっき浴の調整方法
JP2009022948A (ja) * 2007-06-20 2009-02-05 Okuno Chem Ind Co Ltd エッチング液の電解処理方法
JP2009041096A (ja) * 2007-08-10 2009-02-26 Rohm & Haas Electronic Materials Llc 銅めっき液組成物
KR101518231B1 (ko) * 2007-08-10 2015-05-08 롬 앤드 하스 일렉트로닉 머트어리얼즈 엘엘씨 구리 도금조 제제
KR101522543B1 (ko) * 2007-08-10 2015-05-26 롬 앤드 하스 일렉트로닉 머트어리얼즈 엘엘씨 구리 도금조 제제
KR101576162B1 (ko) 2007-08-10 2015-12-10 롬 앤드 하스 일렉트로닉 머트어리얼즈 엘엘씨 구리 도금 방법
JP2012255217A (ja) * 2012-08-23 2012-12-27 Rohm & Haas Electronic Materials Llc 銅めっき方法
CN114605002A (zh) * 2022-03-17 2022-06-10 中山国昌荣电子有限公司 一种pcb电镀废水的处理方法与应用

Also Published As

Publication number Publication date
JP4224552B2 (ja) 2009-02-18

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR100484965B1 (ko) 무시안화물 단가 구리 전기도금용액
JP3300519B2 (ja) シアン化物を含まない1価金属のメッキ溶液
KR101397363B1 (ko) 모노과황산칼륨 용액
US3833486A (en) Cyanide-free electroplating
JP4419161B2 (ja) 電解銅箔の製造方法
KR20060009930A (ko) 고순도 설폰산 전해질 용액
JPH1121692A (ja) めっき方法及びめっき物
CH622829A5 (ja)
JP6733313B2 (ja) 高純度銅電解精錬用添加剤と高純度銅製造方法
JP4224552B2 (ja) めっき浴の調整方法
TW201500593A (zh) 在強硫酸中的錳三價離子的電解生成
JPS6220279B2 (ja)
KR101069113B1 (ko) 칼륨 하이드로젠 퍼옥시모노설페이트 용액
US5911907A (en) Composition and method for stripping tin and tin-lead from copper surfaces
SU923375A3 (ru) Электролит золочени
JP4753197B2 (ja) めっき浴の調整方法
CN111647918A (zh) 电解镀金液及其制造方法、以及镀金方法及金配合物
JP2006283169A (ja) 酸性電気銅めっき液、及び含硫黄有機化合物の電解消耗量の少ない電気銅めっき方法
JP2010138429A (ja) 不溶性陽極を用いた電解銅めっき方法
EP1086262A1 (en) Electroplating baths
TWI233454B (en) Method for etching metallic tin or tin alloy, and etching solution for metallic tin or tin alloy
US6248228B1 (en) Metal alloy halide electroplating baths
WO2022158291A1 (ja) 電解銀めっき浴およびこれを用いた電解銀めっき方法
JPS6231070B2 (ja)
JP3007207B2 (ja) Snスラッジ発生の少ない酸性Snめっき浴

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20050225

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20060118

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20060125

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20060322

A02 Decision of refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02

Effective date: 20060712

A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20081021

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20111205

Year of fee payment: 3

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

Ref document number: 4224552

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20111205

Year of fee payment: 3

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20121205

Year of fee payment: 4

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20121205

Year of fee payment: 4

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20131205

Year of fee payment: 5

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees