JP2003283134A - プリント配線板およびその製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】レーザービームによる穴明けを実施した後のめ
っき工程における内層導電層と外層導電層との接続信頼
性を向上させると共に、外層導電層の基材に対する密着
強度を保つことが可能なプリント配線板およびその製造
方法を提供する。 【解決手段】外層の第１の導体層１１に第１の穴１４を
明け、第１の穴１４にレーザービーム１５を照射するこ
とにより電気的に接続したい内層の第２の導体層１３ま
で第１の導体層１１と第２の導体層１３との間の樹脂層
１２に第２の穴１６を明けた後、無電解めっきおよび電
解めっきをしてブラインドスルーホール１７および第３
の導体層１８を形成する。この場合に、外層の第１の導
体層１１に明けた第１の穴１４の径Ｄ１よりもレーザー
ビーム１５により樹脂層１２に明けた第２の穴１６の径
を小さくする。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、プリント配線板お
よびその製造方法に関し、特に、ＩＣチップなどの電子
部品をフリップチップ法で接合するような微細な配線パ
ターンを有するプリント配線板およびその製造方法に関
する。

【０００２】

【従来の技術】ＩＣチップなどの電子部品を載置するパ
ッケージ基板に用い得る多層プリント配線板に関し多ピ
ン化および微細化が顕著である。

【０００３】しかしながら、これら基板の製造を従来行
われているようなドリルによる穴開け加工で行った場合
には、加工穴数の増加による加工時間の増加、微細化に
伴いドリル径が小径化しドリル寿命が低下する、層間厚
の薄い多層基板では通常のドリルを用いたブラインドバ
イアホールの形成が困難である等の問題が生じるため
に、技術的にもまたコスト的にも実用化が困難である。

【０００４】この様な問題を解決するひとつの方法とし
て、レーザーによる基板穴明け技術が近年実用化されて
いる。特公平４ー３６７６号公報には、銅箔と樹脂とで
の炭酸ガスレーザーに対する吸収が著しい差があること
を利用して、銅箔に予め穴を明けておき概穴を介してレ
ーザー照射することにより銅箔がレーザービームのマス
クとして働くことを利用して、樹脂のみに穴明けするプ
リント配線板の加工方法が示されており、本方法によれ
ば１００μｍ・２００μｍの小径の穴が効率的に加工可
能であり、プリント配線板の高密度配線を好適に作製せ
しめることが可能であることが示されている。

【０００５】

【発明が解決しようとする課題】しかし、以下に記すよ
うなコンフォーマルマスク法による加工上の欠点も明ら
かになってきた。図３を適宜参照しながら説明する。

【０００６】コンフォーマルマスク法でレーザー１５に
よる樹脂基板１２あるいはガラスクロス入り樹脂基板１
２に穴開けを行った場合には、銅箔１１をエッチングし
て形成したマスクの穴１４の径より該被加工基板１２に
レーザービーム１５により形成された穴１６の径が大き
くなることや、レーザー１５による穴開け加工を行った
後に、穴底の銅箔上に残った樹脂を除去するために行う
薬液等によるデスミヤ処理の際に穴の壁面の樹脂が同時
にエッチングするために穴１６の径が更に広がることが
有る（図３Ｄ参照）。この様な現象が生じる理由は定か
ではないが、レーザービーム１５が多重反射する為に生
じると考えられており、コンフォーマルマスク法特有の
問題である。この様な現象はレーザービームのエネルギ
ー、あるいはレーザービームのパルス数が過剰な場合に
生じやすく、このガラス繊維入りの樹脂基板において顕
著である。ガラスクロス入りの樹脂基板では加工部位に
よりガラスと樹脂の割合が異なるため、加工基板の全面
に穴を確実に明けるためにはガラスの割合が多い部位に
加工エネルギーとパルス数を合わせる必要がありガラス
クロスの割合の少ない部位においては過剰のレーザーエ
ネルギーおよび過剰なショット数に成りやすい為であ
る。

【０００７】このように、レーザービーム１５により形
成した穴１６の径は銅箔１１に形成したマスク穴１４の
径よりも大きくなった、いわゆる銅箔のオーバーハング
が生じた場合には、以降に行うメッキ工程で問題が生じ
ることが有り、歩留の低下やビアの電気的接続信頼性の
低下を招く原因となる。

【０００８】すなわち、穴１６の底にある配線１３ある
いはランドである銅箔１３と基板表面にあるランド１１
や配線１１とを電気的に接続させるために、レーザー穴
明けおよびデスミヤを行った後の当該プリント配線基板
に無電解メッキを施した後に電解メッキを行う工程にお
いて、銅箔１１の穴１４の径よりも該穴１４内部に形成
した樹脂基板１２の穴１６の径が大きい場合には、銅な
どの金属の無電解めっき、電解めっき時において穴１６
内部に気泡が残存し易く、めっきが付着しない部分、い
わゆるめっきボイドが生じ易くなる。

【０００９】また、銅などの電解めっき時において、オ
ーバーハングしている金属箔１１の先端部分に電界が集
中してしまい、バイア内部の金属めっき厚が増加せず、
最悪の場合にはめっきされた金属２１により穴が塞がれ
ることが有る（図３Ｅ参照）。そのため、銅箔表面の配
線と穴底の配線、あるいランドとの接続が不十分なこと
が有り、歩留り向上ならびに信頼性向上の足かせとなっ
ている。

【００１０】一方、近年、炭酸ガスレーザードリルマシ
ンの改良により、基板に照射するレーザービームを制御
することにより、レーザービームそのものにより樹脂に
明ける穴の径を直接に制御して加工する、いわゆる、ダ
イレクトイメージ法、ダイレクト加工法等の呼称で知ら
れる加工方法によっても５０μｍから３５０μｍに至る
微小な穴径制御は可能となっている。

【００１１】表面に銅箔が無い樹脂基板を、いわゆるダ
イレクト法により、直接レーザービームにより加工した
後に、薬液などによる無電解めっきおよび電解めっきに
等により銅箔や回路パターンを形成する場合には、コン
フォーマルマスク法特有の上記問題は生じない。この様
な工程において、回路パターンを形成する方法として
は、いわゆるフルアディティブ法およびセミアディティ
ブ法がある。

【００１２】表面に銅箔が有る基材においては、めっき
触媒付与、無電解めっき、電解めっきを基材全面に行っ
た後、エッチングレジストを形成した後に導体層を湿式
エッチングによって回路パターンを形成する、いわゆ
る、サブトラクティブ法により回路パターン形成が行わ
れるが、アディティブ法では、ビア形成後の基材表面を
めっき銅と基材の密着性を向上させる目的で酸化剤で粗
化、めっき触媒付与、めっきレジストを露光現像し回路
パターン用レジストを形成、無電解銅めっきにより回路
パターン形成、レジスト剥離、ソフトエッチングにより
めっき触媒を除去、の順の工程を経て回路パターンを形
成する方法である。セミアディティブ法においては、ア
ディティブ法と同様な方法でめっきレジスト形成した後
に、数μの導体を析出させた後に、電解めっきにより導
体を充分な厚さにまで使析出させる方法であり、それ以
外の工程はアディティブ法と同様である。

【００１３】しかしながら、これらの回路パターン形成
方法においては、フルアディティブ法では、電解めっき
により形成させた銅と同程度の物性を得るためには遅い
析出速度で無電解銅めっきを行う必要が有り、充分な膜
厚を確保するには長時間を要しコスト高であり、また、
長時間非常に厳しい管理条件下での無電解めっきを行わ
なければならず、めっき厚の均一性を保つのが難しく、
工程数が通常の電解めっきやアディティブ法に比べて多
いという問題がある。

【００１４】また無電解銅めっきを行う前には、活性化
処理するためにＰｄを予め析出させるが、ソフトエッチ
ングを行う際にＰｄを完全に除去することができず、例
えば、充分な絶縁信頼性を得られない。真空熱プレスで
プリプレグと銅箔を接着したものに比べて、基材と銅と
の高い密着性を得ることが難しく、充分な信頼性を得難
いなどの問題があるので、ダイレクト法によるレーザー
を用いたビア形成方法により作製された基板においては
高い信頼性を得ることは困難であり、とりわけ高い信頼
性を必要とする、例えば自動車などの屋外の環境での用
途に供する基板には用いるのは困難であった。

【００１５】また、蒸着やスパッタ等の方法を用いるこ
とにより密着性着性を得ることが出来るが、基材の板厚
の薄いものをロールツーロール式の装置で加工しない限
り、コスト的に見合うものではない。

【００１６】この様に、レーザービアホールを形成した
基板において、高い歩留り、コストおよび信頼性の全て
を満たすことは困難であった。

【００１７】従って、本発明の主な目的は、レーザービ
ームによる穴明けを実施した後のめっき工程における内
層導電層と外層導電層との接続信頼性を向上させると共
に、外層導電層の基材に対する密着強度を保つことが可
能なプリント配線板およびその製造方法を提供すること
にある。

【００１８】

【課題を解決するための手段】本発明者等はこの問題に
関して鋭意検討を重ねたところ、本発明に到達した。す
なわち、本発明によれば、外層の第１の導体層に第１の
穴を明け、前記第１の穴にレーザービームを照射するこ
とにより電気的に接続したい内層の第２の導体層まで前
記第１の導体層と前記第２の導体層との間の樹脂層に第
２の穴を明けた後、無電解めっきおよび電解めっきをし
てブラインドスルーホールおよび第３の導体層を形成す
ることを少なくとも１回以上行うことにより製造される
プリント配線板であって、前記外層の前記第１の導体層
に明けた前記第１の穴よりも前記レーザービームにより
前記樹脂層に明けた第２の穴の径が小さいことを特徴と
するプリント配線板が提供される。

【００１９】好ましくは、前記レーザービームの直径と
前記第１の導体層に形成した前記第１の穴の直径との差
が１０μｍ以上、１００μｍ以下である。

【００２０】また、好ましくは、前記レーザービームに
より開けた前記第２の穴の前記レーザービームの入射側
の直径が、前記第１の導体層に形成した前記第１の穴の
直径より小さい。

【００２１】また、好ましくは、前記樹脂層にガラスク
ロス、有機フィラー、無機フィラー、あるいは、これら
の混合物を含む。

【００２２】さらに、本発明によれば、外層の第１の導
体層に第１の穴を明け、前記第１の穴にレーザービーム
を照射することにより電気的に接続したい内層の第２の
導体層まで前記第１の導体層と前記第２の導体層との間
の樹脂層に第２の穴を明けた後、無電解めっきおよび電
解めっきをしてブラインドスルーホールおよび第３の導
体層を形成する工程を備えるプリント配線板の製造方法
であって、前記外層の前記第１の導体層に設けた前記第
１の穴よりも前記レーザービームにより前記樹脂層に明
けた前記第２の穴の径が小さいことを特徴とするプリン
ト配線板の製造方法が提供される。

【００２３】好ましくは、前記レーザービームとして炭
酸ガスレーザーあるいはＹＡＧレーザーを用いる。ま
た、好ましくは、上記樹脂層に設けた第２の穴のデスミ
ヤを薬液処理により行う。また、好ましくは、上記樹脂
層に設けた第２の穴のデスミヤをプラズマ処理により行
う。また、好ましくは、上記樹脂層に設けた第２の穴の
デスミヤを紫外線レーザーにより行う。

【００２４】

【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態を説明
する。図１は、本発明の一実施の形態のプリント配線板
およびその製造方法を説明するための概略縦断面図であ
る。

【００２５】外層の第１の導体層１１に第１の穴１４を
明け（図１Ａ、Ｂ参照）、第１の穴１４にレーザービー
ム１５を照射することにより電気的に接続したい内層の
第２の導体層１３まで第１の導体層１１と第２の導体層
１３との間の樹脂層１２に第２の穴１６を明けた後（図
１Ｃ、Ｄ参照）、無電解めっきおよび電解めっきをして
ブラインドスルーホール１７および第３の導体層１８を
形成する（図１Ｅ参照）。

【００２６】この場合に、外層の第１の導体層１１に明
けた第１の穴１４の径Ｄ１よりもレーザービーム１５に
より樹脂層１２に明けた第２の穴１６の径を小さくす
る。

【００２７】そして、好ましくは、レーザービーム１５
の直径と第１の導体層１１に形成した第１の穴１６の直
径Ｄ１との差が１０μｍ以上、１００μｍ以下とする。

【００２８】また、好ましくは、レーザービーム１５に
より開けた第２の穴１６のレーザービームの入射側の直
径Ｄ２が、第１の導体層１１に形成した第１の穴１４の
直径Ｄ１より小さい。

【００２９】また、好ましくは、樹脂層１２にガラスク
ロス、有機フィラー、無機フィラー、あるいは、これら
の混合物を含む。

【００３０】レーザービーム１５として炭酸ガスレーザ
ーあるいはＹＡＧレーザーが好ましく用いられる。

【００３１】樹脂層１２に設けた第２の穴の１６デスミ
ヤを、薬液処理や、プラズマ処理や紫外線レーザーによ
り行うことが好ましい。

【００３２】レザービアを形成する基板としては特に限
定されるものではなく、プリント配線板やフレキシブル
プリント配線板として用いることが可能なものならば好
適に用いることができる。具体的商品名を例示的に列挙
すると、ガラスエポキシ基板として知られる、ＦＲ４、
ＦＲ５等（松下電工株式会社製）、ガラスポリイミド基
板として知られるＢＴレジン（三菱ガス化学株式会社
製）、ＢＮ３００（三井化学株式会社製）、ポリイミド
あるいはフィラー入りのポリイミドとして知られる、カ
プトンスーパーＶ、カプトンＶ、カプトンＥ、カプトン
Ｈ、（東レデュポン株式会社製）、ユーピレックスＳ、
ユーピレックスＳＧＡ（宇部興産株式会社製）、アピカ
ルＡＨ、アピカルＮＰＩ（鐘淵化学株式会社製）等があ
り、市場において容易に入手可能であり本発明に好適に
利用可能である。

【００３３】さらに、ピロメリット酸無水物、ビフタル
酸無水物、ベンゾフェノンテトラカルボン酸無水物、オ
キシジフタル酸無水物、ハイドロフランジフタル酸無水
物等の酸無水物と、メトキシジアミノベンゼン、４，
４’ーオキシジアニリンA３，４’オキシジアニリン、
３，３’オキシジアニリン、ビスジアニリノメタン、
３，３’ージアミノゼンゾフェノン、ｐ，ｐ−アミノフ
ェノキシベンゼン、ｐ，ｍ−アミノフェノキシベンゼ
ン、ｍ，ｐ−アミノフェノキシベンゼン、ｍ，ｍ−アミ
オフェノキシベンゼン、クロル−ｍ−アミノフェノキシ
ベンゼン、ｐ−ピリジンアミノフェノキシベンゼン、ｍ
−ピリジンアミノフェノキシベンゼン、ｐ−アミノフェ
ノキシビフェニル、ｍ−アミノフェノキシビフェニル、
ｐ−ビスアミノフェノキシベンジスルホン、ｍ−ビスア
ミノフェノキシベンジスルフォンｐ−ビスアミノフェノ
キシベンジルケトン、ｍ−ビスアミノフェノキシベンジ
ルケトン、ｐ−ビスアミノフェノキシベンジルヘキサフ
ルオロプロパン、ｍ−ビスアミノフェノキシベンジルヘ
キサフルオロプロパン、ｍ−ビスアミノフェノキシベン
ジルヘキサフルオロプロパン、ｐ−ビスアミノフェノキ
シベンジルプロパン、ｏ−ビスアミノフェノキシベンジ
ルプロパン、ｍ−ビスアミノフェノキシベンジルプロパ
ン、ｐ−ジアミノフェノキシベンジルチオエーテル、ｍ
−ジアミノフェノキシベンジルチオエーテル、インダン
ジアミン、スピロビジアミン、ジケトンジアミン等のア
ミンとを反応、イミド化して形成されるポリイミドも本
発明に効果的に用いることができる。

【００３４】これらの基材を用いて回路パターンを多層
化するには、通常、ガラス不繊布やアラミド等の高耐熱
性の高分子不繊布に樹脂を含眞させたプリプレグや、銅
箔の片面に樹脂を塗布した樹脂付き銅箔、あるいは、樹
脂フィルムを、予め回路形成を行った基材に重ねて、真
空熱プレスを行う。

【００３５】真空熱プレスを行う条件は特に限定しない
が、各材料に対してメーカーが推奨する条件にて真空熱
プレスを行うことが好ましいことは、当業者が容易に理
解するところである。具体例を挙げると、プレス機内の
圧力を７４１ｍｍＨｇに真空排気した後、常温から昇温
し、エポキシ樹脂の場合には、１５０〜１８０℃の範囲
で、ポリイミド樹脂の場合には１８０〜２４０℃の範囲
で、プレス圧力０．４９〜３．９２Ｐａの条件で３０〜
１２０分程度

【００３６】また、これらの基板材料を適宜組み合わせ
て作製される基板についても本発明に好適に使用可能で
ある。

【００３７】本発明における樹脂層とは、先に例示的に
列挙した基板の導体部分以外の構成物であり、エポキシ
樹脂、ポリイミド樹脂等樹脂組成物のみで構成される部
分はもちろん、ガラス繊維やシリカ等を添加したフィラ
ー入りの樹脂、ガラス布に樹脂を含浸させて作製したガ
ラス繊維入りの樹脂、アラミド繊維などの高分子布にエ
ポキシ樹脂やポリイミド樹脂を含眞して作製した基板等
についても、総称として、樹脂層とする。

【００３８】導体に用いる金属についても特に限定され
るものでは無いが、電気伝導性の高さや加工のし易さか
ら銅を導体層として好適に用いることが出来ることは、
当業者が容易に類推するところである。

【００３９】レーザービアを形成するのに用いるレーザ
ーの種類については特に限定されるものではないが、基
板加工用として市販されている赤外線領域の波長のレー
ザーであるいわゆる炭酸ガスレーザーや、紫外線領域の
波長のレーザーであるＹＡＧの３倍高調波のレーザーを
好適に用いることが出来る。

【００４０】

【実施例】以下、実施例により本発明をさらに具体的に
説明する。 （実施例１）図２は、本発明の実施例１の評価用のプリ
ント配線板を説明するための概略図であり、図２（Ａ）
は、評価基板の概略上面図、図２（Ｂ）は、図２（Ａ）
のＡ部の部分拡大概略上面図、図２（Ｃ）は、図２
（Ｂ）の概略縦断面図である。なお、図２（Ｃ）におい
ては、両面板の上側半分のみ示している。

【００４１】層間厚１００μｍ、穴径１００μｍのブラ
インバイアホール９６０個により接続する図２に示すテ
ストパターンを作製し、炭酸ガスレーザーにより穴明け
をしたブラインドバイアホールの接続信頼性試験を実施
した。

【００４２】銅箔厚９μｍ、板厚０．２ｍｍのＢＮ３０
０(三井化学（株）製)両面銅張積層板の銅箔を常用され
るパターンニング形成法でパターンニングした後、表面
粗化処理し内層板とした。次いで、１２μｍ片面粗化銅
箔（古河サーキテック（株）製ＧＴＳ箔)、ＢＮ３００
０．１ｍｍｔ プリプレグ、内層板、ＢＮ３０００．
１ｍｍｔ プリプレグ、１２μｍ銅箔の順に積層し、真
空プレス中で加圧プレスを行った。ブラインドバイアホ
ールを形成しようとする位置の銅箔３１に、加工しよう
とする直径１００μｍより８０μｍ大きい穴、φ １８
０μｍの穴を予め明けておき、その穴を通して、炭酸ガ
スレーザーのビーム径をφ１００μｍとして基板の樹脂
層３２の穴明け加工を行い穴３６を形成した。穴明け後
に、穴底に残るサブミクロンレベルの残裟をアルカリ性
過マンガン浴を使用して除去し、常法により無電解めっ
きおよび電解めっきを１８μｍ施し、ブラインドバイア
ホール３７および銅箔３１上の導体層を形成した。更
に、銅箔のパターニングを行うことにより所望のブライ
ンドバイアホール接続信頼性試験用の試料を６０枚作製
した。

【００４３】全穴数５４０００穴中、断線数は認められ
なかった。更に、−６５℃・１２０℃の冷熱サイクル試
験を５００回、ならびに、２０℃・２３０℃の熱衝撃試
験を５００回、それぞれの試験に付き試験片を５個づ
つ、４４９０穴について行ったが、断線や抵抗値の増大
等の異常は認められなかった。

【００４４】（比較例１）レーザービーム径をφ２００
μｍとし、銅箔に予め明けておいた穴径をレーザービー
ム径より小さいφ１００μｍにして、銅箔に形成した穴
をレーザービームのマスクとしたこと以外は、実施例１
と同様にして試料を６０枚作製した。全穴数５４０００
穴中、断線数は２８個であり不良率は５２０ｐｐｍであ
った。このうち２１個については穴の入り口が銅めっき
によりふさがり内層銅箔との接続がされておらず、残り
４個については穴の入り口は塞がっていないものの穴内
部でのめっきが内層の銅箔にまで達していなかった。こ
の結果から推定される１ピース当たり１０００穴の加工
が有る基板での歩留りはわずか５９．４％であった。Ｂ
ＧＡ用の基板の様な微細かつタ多数のブラインドバイア
ホールを有数する基板の加工には不適当である。

【００４５】（比較例２）最外層の銅箔をエッチングに
より全て除去した後にレーザー加工を行ったこと以外
は、実施例１と同様にして試料の作製を試みた。電解め
っき後にめっき銅表面に膨れが生じており銅箔と樹脂と
の間に密着不良が生じたため、作製を中止した。

【００４６】以上の実施例および比較例から明らかな様
に、本発明によれば、レーザービームによる穴明けを実
施した後の銅めっき工程における内層銅箔と外層銅箔の
接続信頼性を向上させると共に、表面銅箔の基材に対す
る密着強度を保つことが可能である。

【００４７】

【発明の効果】本発明によれば、レーザービームによる
穴明けを実施した後のめっき工程における内層導電層と
外層導電層との接続信頼性を向上させると共に、外層導
電層の基材に対する密着強度を保つことが可能なプリン
ト配線板およびその製造方法が提供される。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の一実施の形態のプリント配線板および
その製造方法を説明するための概略縦断面図である。

【図２】本発明の実施例１の評価用のプリント配線板を
説明するための概略図であり、図２（Ａ）は、評価基板
の概略上面図、図２（Ｂ）は、図２（Ａ）のＡ部の部分
拡大概略上面図、図２（Ｃ）は、図２（Ｂ）の概略縦断
面図である。

【図３】従来のプリント配線板およびその製造方法を説
明するための概略縦断面図である。

【符号の説明】

１１、１３…導体層 １２…樹脂層 １４、１６…穴 １５…レーザビーム １７…ブラインドスルーホール １８…導体層 ２１…めっき ３１、３３…銅箔 ３２、３４…樹脂層 ３６…穴 ３７…ブラインドバイアホール

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.⁷ 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｈ０５Ｋ 3/42 ６１０ Ｈ０５Ｋ 3/42 ６１０Ａ (72)発明者 田中 淳介 神奈川県厚木市戸室５丁目32−１ 三井化 学株式会社内 (72)発明者 宮下 武博 千葉県袖ヶ浦市長浦字拓二号580番32 三 井化学株式会社内 Ｆターム(参考） 5E317 AA24 BB01 BB11 BB12 CC32 CC33 GG03 GG20 5E346 AA06 AA12 AA32 AA43 CC04 CC05 CC09 CC10 CC32 DD12 DD32 EE06 EE07 EE08 EE09 FF15 GG15 GG17 GG28 HH07 HH11

Claims (6)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】外層の第１の導体層に第１の穴を明け、前
   記第１の穴にレーザービームを照射することにより電気
   的に接続したい内層の第２の導体層まで前記第１の導体
   層と前記第２の導体層との間の樹脂層に第２の穴を明け
   た後、無電解めっきおよび電解めっきをしてブラインド
   スルーホールおよび第３の導体層を形成することを少な
   くとも１回以上行うことにより製造されるプリント配線
   板であって、前記外層の前記第１の導体層に明けた前記
   第１の穴よりも前記レーザービームにより前記樹脂層に
   明けた第２の穴の径が小さいことを特徴とするプリント
   配線板。
2. 【請求項２】前記レーザービームの直径と前記第１の導
   体層に形成した前記第１の穴の直径との差が１０μｍ以
   上、１００μｍ以下であることを特徴とする請求項１に
   記載のプリント配線板。
3. 【請求項３】前記レーザービームにより開けた前記第２
   の穴の前記レーザービームの入射側の直径が、前記第１
   の導体層に形成した前記第１の穴の直径より小さいこと
   を特徴とする請求項１または２記載のプリント配線板。
4. 【請求項４】前記樹脂層にガラスクロス、有機フィラ
   ー、無機フィラー、あるいは、これらの混合物を含むこ
   とを特徴とする請求項１乃至請求項３のいずれかに記載
   のプリント配線板。
5. 【請求項５】外層の第１の導体層に第１の穴を明け、前
   記第１の穴にレーザービームを照射することにより電気
   的に接続したい内層の第２の導体層まで前記第１の導体
   層と前記第２の導体層との間の樹脂層に第２の穴を明け
   た後、無電解めっきおよび電解めっきをしてブラインド
   スルーホールおよび第３の導体層を形成する工程を備え
   るプリント配線板の製造方法であって、前記外層の前記
   第１の導体層に設けた前記第１の穴よりも前記レーザー
   ビームにより前記樹脂層に明けた前記第２の穴の径が小
   さいことを特徴とするプリント配線板の製造方法。
6. 【請求項６】前記レーザービームとして炭酸ガスレーザ
   ーあるいはＹＡＧレーザーを用いることを特徴とする請
   求項５記載の製造方法。