JP2003282559A - 被処理部材の保管方法およびパターン形成方法、デバイス、並びにデバイスの製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 半導体装置の製造工程において、製造装置の
故障等により処理工程を中断しなければならない場合等
において、処理途中の半導体装置を一時的に保管する際
に、半導体装置が変質することなく保管することが可能
な被処理部材保管方法およびパターン形成方法を提供す
る。 【解決手段】 同一の被処理部材に対して複数回パター
ン形成を行うパターン形成方法であって、前記被処理部
材の表面を化学的に安定な撥液性の保護膜で覆って保管
可能とする第１の工程と、前記被処理部材のパターンを
形成する位置に対応した部分の前記保護膜を除去する第
２の工程と、前記保護膜を除去した部分に液状パターン
材を供給して固化する第３の工程と、前記被処理部材の
表面に存在する前記保護膜を除去する第４の工程とを行
う。そして、前記第１の工程ないし前記第４の工程を順
次繰り返すとともに、前記被処理部材を保管する場合、
前記第１の工程の終了後に行うことを特徴とする。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、半導体基板などの
被処理部材の保管方法およびパターン形成方法、デバイ
ス、並びにデバイスの製造方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】従来、半導体装置を製造する際には、半
導体基板の表面に素子を形成した後、これら素子の上層
側に配線パターンを形成するようにしている。図１３お
よび図１４は、従来のパターン形成工程を示す工程図で
ある。同図（１）に示すような半導体基板１の表面に例
えば配線を形成するためには、図示しない絶縁膜が形成
された半導体基板１の表面に同図（２）に示すようにプ
ラズマＣＶＤを行い、配線層２をその上層に形成する。
なお当該配線層２の形成はスパッタリングによって形成
してもよい。

【０００３】このように半導体基板１の上層に配線層２
を形成した後は、当該配線層２の上層にフォトレジスト
を塗布しレジスト膜を形成し、これを感光工程、フォト
エッチング工程へと導入し、同図（３）に示すようにパ
ターンニングされたレジスト膜３を形成する。

【０００４】そして図１４（１）に示すように、半導体
基板１をドライエッチング工程に導入し、レジスト膜３
をマスクとして配線層２のエッチングを行う。この状態
を同図（２）に示す。こうしてレジスト膜３の下層のみ
に配線層２を残した後は、溶剤によって前記配線層２の
上層に位置するレジスト膜３の除去を行う。

【０００５】このような工程を経れば、半導体基板１の
表面に配線４を形成することができる。

【０００６】

【発明が解決しようとする課題】ところで、半導体装置
は二百以上という膨大な数の処理工程を経て製造され
る。その工程においては、比較的短時間のうちに連続的
に処理を行う必要がある工程が存在する。これは、上記
した配線パターンの形成方法では、レジスト膜を形成し
た段階がこれにあたる。すなわち、レジスト膜は短時間
で変質してしまうため、レジスト膜形成後は速やかにエ
ッチングまで完了することが必要である。このため、製
造装置等が故障により処理工程を中断しなければならな
い場合等を想定して、処理工程の途中にある半導体基板
を安定な状態で一時的に保管するストックポイントを設
定しておく必要がある。これは、前述の配線パターンの
形成工程においては、被処理部材に何も処理を施してい
ない図１４（１）の段階、または図１４（３）に示され
るレジスト膜を除去して配線パターンが形成された段階
となる。

【０００７】しかしながら、このように被処理部材にパ
ターン形成の処理を行う前の状態、または表面に配線パ
ターンを形成した状態で保管した場合、以下のような問
題があった。すなわち、パターン形成をすべき面や配線
パターンが形成された面が露出した状態となっているた
め、被処理面や製品として重要な配線パターンに塵芥が
付着したり、大気中の水分の吸着や酸化等による化学的
汚染等によってこれらが変質し、品質が劣化することを
避けられなかった。また、レジスト膜形成面にパターン
材料を塗布する際、配線パターンに対応する部分以外に
もパターン材料が塗布されてしまうため、パターン材料
が無駄に消費されてしまうという問題があった。

【０００８】本発明は、上記問題点に着目してなされた
もので、被処理部材である半導体基板の処理工程におい
て、処理装置の故障等により処理工程を中断しなければ
ならない場合等において、処理途中の半導体基板を一時
的に保管する際に、半導体基板が変質することなく保管
することが可能であり、パターンを形成するパターン材
料が無駄に消費されることのない、被処理部材保管方法
およびパターン形成方法を提供することを目的とする。

【０００９】

【課題を解決するための手段】上記の目的を達成するた
めに、本発明に係る被処理部材の保管方法は、被処理部
材の表面を撥液性の保護膜で覆うことにより前記被処理
部材を保管する構成とした。このようにして、撥液性の
保護膜で水分の付着を防ぎ、水分が被処理部材表面まで
浸透しない構成としたため、水との反応による変質を起
こすことがない。

【００１０】また、前記保護膜は、光分解性のもので構
成されることが好ましい。これにより、光を照射するこ
とで容易に保護膜を除去することができる。さらに、前
記保護膜は、フッ素樹脂である構成とした。フッ素樹脂
は化学的に安定、かつ撥液性が高く、化学的汚染に強く
水分が付着し難いため、保護膜として好適である。ま
た、高い耐液性が得られ、保護膜が液状パターン材に溶
け出すのを防止することができる。

【００１１】また、本発明に係るパターン形成方法は、
被処理部材に機能性液体を塗布することによりパターン
形成を行うパターン形成方法であって、前記被処理部材
の表面を撥液性の保護膜で覆う第１の工程と、前記被処
理部材のパターンを形成する位置に対応した部分の前記
保護膜を除去する第２の工程と、前記保護膜を除去した
部分に液状パターン材を供給する第３の工程と、前記被
処理部材の表面に残存する前記保護膜を除去する第４の
工程と、を有する構成とした。このような構成とするこ
とにより、保護膜が備える撥液性により、保護膜と被処
理部材表面との間に前記液状パターン材が浸入するのを
阻止し、前記液状パターン材がパターン開口から流れ出
したり、膜の形状が崩れたりするのを防ぐことができ
る。また、撥液性を備えた保護膜で前記被処理部材の表
面を被覆する工程の後に前記被処理部材を保管するた
め、水分の浸透により前記被処理部材の表面およびパタ
ーン材が変質することがない。

【００１２】また、前記保護膜は、フッ素樹脂で構成さ
れることが好ましい。フッ素樹脂は化学的に安定で、撥
液性に優れるだけでなく、耐液性が高いため、保護膜が
液状パターン材に溶け出すのを防止することができる。
また、保管時には化学的汚染に対する耐久性が高く、ま
た、水分が付着し難いため、水分が被処理部材表面まで
浸透することがなく、水分による酸化反応等により被処
理部材表面または固化後のパターン材が変質することが
ない。

【００１３】また、前記保護膜の除去は、電磁波を照射
して行う構成とした。これにより、マスク等を保護膜の
上に配置し、電磁波を照射することにより、容易にパタ
ーンを形成する位置に対応した部分の前記保護膜を除去
することができる。また、前記液状パターン材を固化す
る工程を有し、前記液状パターン材の固化は、液状パタ
ーン材を加熱して行う構成とすることが好ましい。加熱
することにより、液状パターン材として例えば有機金属
化合物の溶液を用いた場合、溶媒を容易に蒸発させるこ
とができる。また、パターンがメッキなどである場合、
成分の析出を促進させることができる。さらに、前記液
状パターン材の固化は、液状パターン材中の溶媒を蒸発
させる乾燥工程と、乾燥後の溶媒を焼成する焼成工程と
を含む構成とした。このように、溶媒を蒸発させた後
に、溶質を焼成することにより、確実に固化することが
できる。

【００１４】一方、本発明に係るデバイスは、請求項４
ないし請求項８のいずれかに記載のパターン形成方法を
用いて製造された構成とした。これにより上記効果を伴
ってデバイスを製造することができる。

【００１５】また、本発明に係るデバイスの製造方法
は、被処理部材に機能性薄膜のパターンを形成して製造
するデバイスの製造方法であって、請求項４ないし請求
項８のいずれかに記載のパターン形成方法を用いて、機
能性液体が塗布された被処理部材の表面を撥液性の保護
膜で覆う工程と、前記保護膜を電磁波により除去し前記
被処理部材の処理を行う工程と、を有する構成とした。
これにより保護膜で覆った時点で保管が可能となるた
め、機能性液体が塗布された被処理部材の表面への汚染
を防ぐことができるとともに、電磁波により保護膜を除
去することで容易に使用可能な状態にすることができ
る。

【００１６】

【発明の実施の形態】以下、本発明に係る被処理部材保
管方法およびパターン形成方法の好ましい実施の形態に
ついて図面を参照して説明する。図１は、本発明の実施
形態に係る被処理部材保管方法に用いる半導体基板の斜
視図である。図１において、被処理部材である半導体基
板８０の表面は保護膜であるフッ素樹脂８２により被覆
されている。本実施形態に係る被処理部材保管方法で
は、半導体装置の処理工程において、製造装置の故障等
により処理工程を中断しなければならない場合、このよ
うにフッ素樹脂膜８２で半導体基板８０の表面を覆った
状態で保管を行う。フッ素樹脂は化学的に安定で、撥液
性が高いため、化学的汚染に対する耐久性が高く、水分
が付着し難いため、水分が被処理部材表面まで浸透する
ことがなく、酸化反応等により被処理部材表面が変質す
ることがない。

【００１７】ここで、半導体基板８０の表面にフッ素樹
脂の保護膜を形成する方法について説明する。フッ素樹
脂膜を形成する成膜装置１５０は、図２のようになって
いて、フッ素樹脂の膜からなる保護膜を形成できるよう
にしてある。図２において、保護膜形成部１５０は、成
膜処理室１５２を有し、成膜処理室１５２内に設けた成
膜ステージ１５４の上に、半導体基板８０を配置するよ
うにしてある。また、成膜処理室１５２は、処理ステー
ジ１５４の上方に、高周波電源１５６に接続した高周波
電極１５８が配設してある。そして、成膜ステージ１５
４は、接地電極となっていて、成膜ステージ１５４と高
周波電極１５８との間に高周波電圧が印加できるように
してある。なお、成膜ステージ１５４は、水冷コイルな
どの冷却部(図示せず)を有していて、上面に配置した半
導体基板８０を冷却してフッ素樹脂膜の形成を促進する
ようにしてある。

【００１８】成膜処理室１５２は、真空ポンプ１６０が
排気管１６２を介して接続してあって、内部を減圧でき
るようにしてある。また、成膜処理室１５２には、流量
制御弁１６４を備えた供給配管１６６を介して、成膜原
料供給部１６８が接続してある。この成膜原料供給部１
６８は、Ｃ₄Ｆ₁₀やＣ₈Ｆ₁₈などの直鎖状ＰＦＣからなる
液体フッ素化合物１７０を貯溜する容器１７２を有して
いる。そして、容器１７２には、加熱部となるヒータ１
７４が設けてあって、液体フッ素化合物１７０を加熱し
て気化できるようになっている。また、供給配管１６６
の流量制御弁１６４の下流側には、流量制御弁１７５を
備えたキャリア配管１７６を介して、キャリアガス供給
部１７８が接続してある。キャリアガスには、窒素やア
ルゴンなどの不活性なガスを使用する。特に、容易に放
電させることができるアルゴンが望ましい。

【００１９】この成膜装置１５０によって保護膜を形成
する場合、半導体基板８０を成膜ステージ１５４の上に
配置する。その後、真空ポンプ１６０によって成膜処理
室１５２内を減圧し、成膜処理室１５２に液体フッ素化
合物１７０の蒸気をキャリアガスとともに導入する。そ
して、高周波電源１５６によって高周波電極１５８と成
膜ステージ１５４との間に高周波電圧を印加し、気体放
電（プラズマ）を発生させて液体フッ素化合物１７０の
蒸気をイオン化する。イオン化された液体フッ素化合物
１７０は、半導体基板８０の上において重合（プラズマ
重合）し、撥液性のフッ素樹脂重合膜を形成する。なお
このようなプラズマ重合で形成されたフッ素樹脂膜は、
電磁波、例えば光に対する光分解性を有する。

【００２０】次に、本発明の実施形態に係るパターン形
成方法について説明する。図３および図４は、本実施の
形態に係るパターン形成方法を半導体基板に適用した場
合の製造工程説明図である。本実施の形態に係るパター
ン形成方法を半導体基板に適用すると、まず図３（１）
に示すような半導体基板１０の表面１２に、例えば配線
１４（図４を参照）を形成するためには、図３（２）に
示すように、まず保護膜となるフッ素樹脂膜１６を表面
１２に形成する。このとき、フッ素樹脂膜１６は、前述
のプラズマ重合を用いて形成する。なおフッ素樹脂膜１
６は光分解性を有する。処理途中の半導体基板１０を保
管する場合は、この状態で保管する。このように、フッ
素樹脂膜１６を半導体基板１０の表面１２に形成した状
態で保管することにより、水分の吸着や化学的汚染によ
る表面１２の変質を防ぐことができる。

【００２１】そしてフッ素樹脂膜１６を形成した後は、
その上方より配線のパターンと同様に開口部が設けられ
たマスク（図示せず）を配置し、前記フッ素樹脂膜１６
の表面に配線１４のパターンとなる部分を紫外線照射に
より分解除去する。その後、洗浄を行い、同図（３）に
示すように、フッ素樹脂膜１６の表面に凹部となる溝１
８を形成する。なお当該溝１８の幅は、配線１４と同様
の幅に設定されている。

【００２２】こうしてフッ素樹脂膜１６に表面１２が露
出するよう溝１８を形成した後は、図４（１）に示すよ
うに、液状パターン材を供給し溝１８を埋める。このと
き、フッ素樹脂膜は撥液性を有するため、バンクの役割
を持つ。液状パターン材は有機金属化合物溶液であり、
例えばＳｉＯ₂の微粒粉末に有機溶媒を加えたものであ
る。これを固化させることで無機導電膜２０を形成す
る。固化は乾燥により有機溶媒を蒸発させた後に必要に
応じて焼成を行い、これにより有機金属化合物溶液中の
金属化合物を表面１２に固着させる。なお溝１８を埋め
るように液状パターン材を塗布するには、例えば液体吐
出装置であるインクジェットノズルから液状パターン材
を吐出して行うことが望ましい。すなわち、インクジェ
ットノズルを溝１８に沿って移動させ、表面１２に向け
て液状パターン材を吐出する。これにより、パターンを
形成する部分に無駄なく液状パターン材を供給すること
ができる。

【００２３】そして無機導電膜２０を表面１２上に形成
した後は、紫外線照射によりフッ素樹脂膜１６を除去す
る。すなわち、紫外線等の電磁波によりフッ素樹脂膜が
分解除去される。これにより、図４（２）に示すよう
に、無機導電膜２０のみが半導体基板１０の表面１２に
残り、配線１４のパターンが形成される。そして図４
（３）に示すように、配線パターンを形成した表面１２
をフッ素樹脂膜１７で覆う。保管が必要な場合は、この
ようにフッ素樹脂による保護膜を形成した状態で保管す
る。これにより、配線パターンが水分の吸着や化学的汚
染によって変質することを防ぐことができる。そして、
形成した配線パターンの上にさらにパターンを形成する
場合は、再び紫外線照射によりフッ素樹脂膜を除去し、
上述した手順を繰り返すことにより、パターンを形成す
ることができる。

【００２４】次に上述した半導体基板におけるパターン
形成方法を図５のフローチャート図を参照して説明す
る。まず、半導体基板の表面にフッ素樹脂を塗布し、フ
ッ素樹脂膜の保護膜を形成する（Ｓ１００）。ここで保
管をするかどうかの判断を行う（Ｓ１０１）。保管をす
る場合は、この状態で保管する（Ｓ１０２）。保管をし
ない場合、または保管が終了した場合は、配線パターン
用のマスクをフッ素樹脂膜上に配置し、紫外線照射によ
り前記フッ素樹脂膜の表面に配線のパターンとなる部分
を分解除去し、溝を形成する（Ｓ１０３）。次に当該溝
に液状パターン材を供給する（Ｓ１０４）。続いてこれ
を加熱・乾燥し、固化させる（Ｓ１０５）。次に紫外線
照射または乾燥によりフッ素樹脂膜を除去する（Ｓ１０
６）。以上の手順を繰り返すことにより、半導体基板の
表面にパターンを形成していくとともに、必要に応じて
半導体基板を保管する。

【００２５】図６と図７は、本実施の形態に係るパター
ン形成方法を半導体素子における素子間分離の方法に適
用した場合の製造工程説明図である。半導体基板におい
ては、半導体素子が形成されている素子領域２４Ａ、２
４Ｂ、２４Ｃの間に絶縁パターンを形成し素子間分離を
なし、これら素子領域２４Ａ、２４Ｂ、２４Ｃの間に短
絡等が生じるのを防止する必要がある。そして素子間分
離用となる絶縁パターン２６を形成するには、まず図６
（１）に示すように、フッ素樹脂を塗布し、基板表面２
５にフッ素樹脂膜を形成した後、絶縁パターン２６の形
成用となるマスクを介して紫外線照射を行い、素子領域
２４Ａ、２４Ｂ、２４Ｃの間に基板表面２５が露出する
溝２８を形成する。

【００２６】そして当該溝２８が形成された半導体基板
に、インクジェットノズルを用いてその表面に溝２８を
埋めるよう液状からなる絶縁材料の塗布を行い、絶縁層
３０を形成する。この状態を同図（２）に示す。その
後、同図（３）に示すように紫外線照射によって前記フ
ッ素樹脂膜２７の除去を行う。

【００２７】こうしてフッ素樹脂膜２７の除去を行った
後は、図７（１）に示すように、スピンコートなどによ
り、絶縁層３０からなる絶縁パターン２６の上層にシリ
コン層３２を形成する。そしてシリコン層３２を形成し
た後は、スピンエッチング工程に半導体基板を導入し、
その最上層の表面に絶縁パターン２６が露出するまでシ
リコン層３２をエッチングする。この状態を同図（２）
に示す。そして保管を行う場合は、同図（３）に示すよ
うに、絶縁層３０と絶縁パターン２６が形成された面に
フッ素樹脂を塗布し、フッ素樹脂膜３３による保護膜で
覆った後、保管する。

【００２８】図８と図９は、本実施の形態に係るパター
ン形成方法をＦＥＴのゲート電極の形成工程に適用した
場合の製造工程説明図である。図８（１）に示すよう
に、半導体基板３４の表面には、シリコン酸化膜が形成
されているとともに、ＭＯＳ−ＦＥＴを構成するソース
電極とドレイン電極とが形成されている（ともに図示せ
ず）。そしてこれらソース電極とドレイン電極との間に
ゲート電極４０を形成するには、同図（２）に示すよう
に、基板表面４２にフッ素樹脂を塗布し、フッ素樹脂膜
４４を形成した後、ゲート電極４０の形成用となるマス
クを介して紫外線照射を行い、基板表面４２が露出する
溝４６を形成する。なお当該溝４６の幅はゲート電極４
０の幅と同一となっている。

【００２９】そして当該溝４６が形成された半導体基板
３４をインクジェットノズルから液状パターン材を射出
し、その表面に溝４６を埋めるよう液状パターン材を供
給し、無機導電膜４８を形成する。この状態を図９
（１）に示す。こうして無機導電膜４８を形成した後
は、同図（２）に示すように紫外線照射によって前記フ
ッ素樹脂膜４４の除去を行えば、基板表面４２に形成さ
れた酸化膜（ＳｉＯ₂）の表面にゲート電極４０を形成
することができる。

【００３０】図１０、図１１および図１２は、本実施の
形態に係るパターン形成方法を配線層間のコンタクト形
成工程に適用した場合の製造工程説明図である。図１０
（１）に示すように半導体基板５０には、素子間分離を
なす一対の絶縁パターン５２が設けられており、これら
絶縁パターン５２にて素子間分離をなすようにしてい
る。またこれら絶縁パターン５２のほぼ中央部にはＭＯ
Ｓ−ＦＥＴを構成するゲート電極５４が設けられてい
る。そしてこのＭＯＳ−ＦＥＴの上側に配線パターンを
形成し、前記ＭＯＳ−ＦＥＴを構成するソース電極（図
示せず）、ドレイン電極（図示せず）、ゲート電極５４
との接続を図るには、まず絶縁パターン５２、およびゲ
ート電極５４を覆うようにフッ素樹脂を塗布し、フッ素
樹脂膜５８を形成する。そして当該フッ素樹脂膜５８を
形成した後、コンタクトホール６０の形成用となるマス
クを介して紫外線照射を行い、素子表面が露出するコン
タクトホール６０を形成する。

【００３１】そしてコンタクトホール６０の形成後は、
同図（２）に示すように、タングステンを堆積させ、コ
ンタクトホール６０内にタングステン６２を充填させ
る。そして同図（３）に示すように、フッ素樹脂膜５８
の表面に形成されたタングステン６２をスピンエッチン
グまたはＣＭＰによって除去した後は、紫外線照射によ
ってフッ素樹脂膜５８を除去し、素子領域５６の表面か
ら、コンタクトホール６０内に充填されたタングステン
６２が突出した形態にする。この状態を図１１（１）に
示す。

【００３２】このようにタングステン６２を素子領域５
６から突出させた後は、液状からなる絶縁材料の塗布を
行い、絶縁層６４を形成するとともに、同図（２）に示
すようにスピンエッチング工程によってタングステン６
２がその表面に露出するまでエッチングを行う。

【００３３】そしてタングステン６２が露出するまでエ
ッチングを行った後は、再びフッ素樹脂を表面に塗布
し、フッ素樹脂膜６６を形成する。そして当該フッ素樹
脂膜６６を形成した後、アルミ配線７４（図１２参照）
の形成用となるマスクを介して紫外線照射を行い、同図
（３）に示すように絶縁膜６４が露出する溝７０を形成
する。

【００３４】このように溝７０を形成した後は、図１２
（１）に示すように前記溝７０を埋めるようアルミ層７
２を形成し、その後は、当該アルミ層７２が溝７０に残
るまでエッチングを行うとともに、紫外線照射または乾
燥によってフッ素樹脂膜６６を除去すれば、絶縁膜６４
の表層にアルミ配線７４を形成することができる。この
状態を同図（２）に示す。そして、同図（３）に示すよ
うに、絶縁膜６４とアルミ配線７４を覆うようにフッ素
樹脂を塗布し、フッ素樹脂膜７６を形成した状態で保管
すれば、アルミ配線７４が化学的汚染等に晒されること
がなく、変質することがない。

【００３５】なお、本発明の好ましい実施例として半導
体の製造方法について示したが、これに限定されるもの
ではなく、他のデバイス、例えばカラーフィルターの製
造や有機ＥＬ（エレクトロルミネッセンス）装置の製造
時にも適用できることは言うまでもない。また、本発明
は、半導体の配線用材料やカラーフィルター用材料、有
機ＥＬ材料などの機能性液体を被処理部材に塗布して機
能性薄膜を形成する際の保管方法に限らず、様々な分野
の被処理部材の保管方法としても適用できる。

【００３６】

【発明の効果】以上説明したように、被処理部材もしく
は被処理部材の表面に形成したパターンの上側に、撥液
性、耐液性に優れる保護膜を形成して保管する構成とし
たので、被処理部材もしくはパターンへの水分の吸着や
化学的汚染がないため、被処理部材の表面や形成したパ
ターンが変質することがない。

【図面の簡単な説明】

【図１】 本実施の形態に係る被処理部材保管方法に用
いる半導体基板の斜視図である。

【図２】 成膜装置の説明図である

【図３】 本実施の形態に係るパターン形成方法を半導
体基板に適用した場合の製造工程の第１説明図である。

【図４】 本実施の形態に係るパターン形成方法を半導
体基板に適用した場合の製造工程の第２説明図である。

【図５】 本実施の形態に係るパターン形成方法を半導
体基板に適用した場合の製造工程を説明するフローチャ
ート図である。

【図６】 本実施の形態に係るパターン形成方法を半導
体素子における素子間分離の方法に適用した場合の製造
工程の第１説明図である。

【図７】 本実施の形態に係るパターン形成方法を半導
体素子における素子間分離の方法に適用した場合の製造
工程の第２説明図である。

【図８】 本実施の形態に係るパターン形成方法をＦＥ
Ｔのゲート電極の形成工程に適用した場合の製造工程の
第１説明図である。

【図９】 本実施の形態に係るパターン形成方法をＦＥ
Ｔのゲート電極の形成工程に適用した場合の製造工程の
第２説明図である。

【図１０】 本実施の形態に係るパターン形成方法を配
線層間のコンタクト形成工程に適用した場合の製造工程
の第１説明図である。

【図１１】 本実施の形態に係るパターン形成方法を配
線層間のコンタクト形成工程に適用した場合の製造工程
の第２説明図である。

【図１２】 本実施の形態に係るパターン形成方法を配
線層間のコンタクト形成工程に適用した場合の製造工程
の第３説明図である。

【図１３】 従来のパターン形成工程を示す第１工程図
である

【図１４】 従来のパターン形成工程を示す第２工程図
である

【符号の説明】

１………半導体基板 ２………配線層 ３………レジスト膜 ４………配線 １０………半導体基板 １２………表面 １４………配線 １６………フッ素樹脂膜 １７………フッ素樹脂膜 １８………溝 ２０………無機導電膜 ２４Ａ，２４Ｂ，２４Ｃ………素子領域 ２５………基板表面 ２６………絶縁パターン ２７………フッ素樹脂膜 ２８………溝 ３０………絶縁層 ３２………シリコン層 ３３………フッ素樹脂膜 ３４………半導体基板 ４０………ゲート電極 ４２………基板表面 ４４………フッ素樹脂膜 ４６………溝 ４８………無機導電膜 ５０………半導体基板 ５２………絶縁パターン ５４………ゲート電極 ５６………素子領域 ５８………フッ素樹脂膜 ６０………コンタクトホール ６２………タングステン ６４………絶縁層 ６６………フッ素樹脂膜 ７０………溝 ７２………アルミ層 ７４………アルミ配線 ７６………フッ素樹脂膜 ８０………半導体基板 ８２………フッ素樹脂膜 １５０………成膜装置 １５２………成膜処理室 １５４………成膜ステージ １５６………電源 １５８………高周波電極 １６０………真空ポンプ １６２………排気管 １６４………流量制御弁 １６６………供給配管 １６８………成膜原料供給部 １７０………フッ素化合物 １７２………容器 １７４………ヒータ １７５………流量制御弁 １７６………キャリア配管 １７８………キャリアガス供給部

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き Ｆターム(参考） 2H096 AA25 AA27 LA21 LA30 4M104 BB01 BB02 BB18 CC01 CC05 DD20 DD51 DD75 EE03 EE16 FF21 GG09 HH20 5F033 HH03 HH08 JJ19 KK01 KK03 NN19 PP26 QQ08 QQ09 QQ31 QQ37 QQ48 QQ54 RR04 RR24 SS01 SS13 SS15 SS21 VV06 XX00 XX18 5F058 AA10 AC05 AF02 AH01

Claims (10)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 被処理部材の表面を撥液性の保護膜で覆
   うことにより前記被処理部材を保管することを特徴とす
   る被処理部材の保管方法。
2. 【請求項２】 前記保護膜は、光分解性であることを特
   徴とする請求項１に記載の被処理部材の保管方法。
3. 【請求項３】 前記保護膜は、フッ素樹脂からなること
   を特徴とする請求項１に記載の被処理部材の保管方法。
4. 【請求項４】 被処理部材に機能性液体を塗布すること
   によりパターン形成を行うパターン形成方法であって、 前記被処理部材の表面を撥液性の保護膜で覆う第１の工
   程と、 前記被処理部材のパターンを形成する位置に対応した部
   分の前記保護膜を除去する第２の工程と、 前記保護膜を除去した部分に液状パターン材を供給する
   第３の工程と、 前記被処理部材の表面に残存する前記保護膜を除去する
   第４の工程と、を有することを特徴とするパターン形成
   方法。
5. 【請求項５】 前記保護膜は、フッ素樹脂からなること
   を特徴とする請求項４に記載のパターン形成方法。
6. 【請求項６】 前記保護膜の除去は、電磁波を照射して
   行うことを特徴とする請求項５に記載のパターン形成方
   法。
7. 【請求項７】 前記液状パターン材を固化する工程を有
   し、前記液状パターン材の固化は、前記液状パターン材
   を加熱して行うことを特徴とする請求項４ないし請求項
   ６のいずれかに記載のパターン形成方法。
8. 【請求項８】 前記液状パターン材の固化は、液状パタ
   ーン材中の溶媒を蒸発させる乾燥工程と、乾燥後の溶質
   を焼成する焼成工程とを含むことを特徴とする請求項７
   に記載のパターン形成方法。
9. 【請求項９】 請求項４ないし請求項８のいずれかに記
   載のパターン形成方法を用いて製造されたことを特徴と
   するデバイス。
10. 【請求項１０】 被処理部材に機能性薄膜のパターンを
    形成して製造するデバイスの製造方法であって、 請求項４ないし請求項８のいずれかに記載のパターン形
    成方法を用いて、機能性液体が塗布された被処理部材の
    表面を撥液性の保護膜で覆う工程と、 前記保護膜を電磁波により除去し前記被処理部材の処理
    を行う工程と、を有することを特徴とするデバイスの製
    造方法。