JP2003257870A - Manufacturing system of semiconductor device and gas supply method - Google Patents
Manufacturing system of semiconductor device and gas supply methodInfo
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Abstract
Description
【０００１】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体装置の製造
システム及びガス供給方法に関し、詳しくは、半導体製
造装置や液晶製造装置等の半導体装置を製造するガス消
費設備と、該ガス消費設備に半導体プロセスガスを供給
するガス供給設備とを効果的に組み合わせることによ
り、半導体装置を製造する際にガス消費設備から排出さ
れる排ガス中の有害成分の除害処理と、ガス容器交換時
にガス供給設備から排出されるパージ排ガス中の有害成
分の除害処理とを効率よく行うことができ、特に、少量
多品種生産に適したシステム構成及びこのシステムを利
用したガス供給方法に関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a semiconductor device manufacturing system and a gas supply method, and more particularly, to a gas consuming facility for manufacturing a semiconductor device such as a semiconductor manufacturing apparatus or a liquid crystal manufacturing apparatus, and a semiconductor for the gas consuming facility. By effectively combining with the gas supply equipment that supplies the process gas, the harmful components in the exhaust gas discharged from the gas consumption equipment when manufacturing semiconductor devices are removed and the gas supply equipment is used when replacing the gas container. The present invention relates to a system configuration suitable for efficiently removing harmful components in discharged purged exhaust gas, and particularly to a system configuration suitable for small-quantity multi-product production and a gas supply method using this system.
【０００２】[0002]
【従来の技術】半導体集積回路、液晶パネル、太陽電池
等の半導体装置を製造する際に用いる半導体プロセスガ
スとして、有害な金属水素化物系ガス、金属ハロゲン化
物系ガス、有機金属系ガスを用いており、その他様々な
ガスが用いられている。具体的には、モノシラン（Ｓｉ
Ｈ４）、アルシン（ＡｓＨ３）、ホスフィン（Ｐ
Ｈ３）、六フッ化硫黄（ＳＦ６）、三フッ化窒素（ＮＦ
３）、四フッ化メタン［フロン−１４（ＣＦ４）］、六
フッ化エタン［フロン−１１６（Ｃ２Ｆ６）］、メタン
（ＣＨ４）、フッ化水素（ＨＦ）、塩化水素（ＨＣ
ｌ）、臭化水素（ＨＢｒ）、三フッ化塩素（Ｃｌ
Ｆ３）、アンモニア（ＮＨ３）、亜酸化窒素（Ｎ
２Ｏ）、ヘリウム（Ｈｅ）、アルゴン（Ａｒ）、水素
（Ｈ２）、酸素（Ｏ２）、二酸化炭素（ＣＯ２）、一酸
化炭素（ＣＯ）等が使用されている。2. Description of the Related Art As a semiconductor process gas used when manufacturing semiconductor devices such as semiconductor integrated circuits, liquid crystal panels, and solar cells, harmful metal hydride-based gas, metal halide-based gas, and organometallic gas are used. And various other gases are used. Specifically, monosilane (Si
H 4 ), arsine (AsH 3 ), phosphine (P
H 3 ), sulfur hexafluoride (SF 6 ), nitrogen trifluoride (NF
3 ), methane tetrafluoride [CFC-14 (CF 4 )], ethane hexafluoride [CFC-116 (C 2 F 6 )], methane (CH 4 ), hydrogen fluoride (HF), hydrogen chloride (HC
l), hydrogen bromide (HBr), chlorine trifluoride (Cl
F 3 ), ammonia (NH 3 ), nitrous oxide (N
2 O), helium (He), argon (Ar), hydrogen (H 2 ), oxygen (O 2 ), carbon dioxide (CO 2 ), carbon monoxide (CO) and the like are used.
【０００３】これらの半導体プロセスガスは、一般的に
Ｍｎ鋼やステンレス鋼からなる金属製のガス容器（ボン
ベ）に充填された状態で搬送され、半導体集積回路製造
装置、液晶パネル製造装置、太陽電池製造装置等のガス
消費設備にガスを供給するときには、前記ガス容器をガ
ス供給設備に装着して容器弁に配管を接続し、あらかじ
め設定されたパージ操作を行ってからガス供給を開始す
るようにしている。These semiconductor process gases are transported in a state of being filled in a metal gas container (cylinder) generally made of Mn steel or stainless steel, and are used in a semiconductor integrated circuit manufacturing apparatus, a liquid crystal panel manufacturing apparatus, a solar cell. When supplying gas to gas consuming equipment such as manufacturing equipment, install the gas container in the gas supply equipment, connect the pipe to the container valve, and perform the preset purge operation before starting the gas supply. ing.
【０００４】従来のガス供給設備におけるガス消費設備
へのガス供給は、大量の半導体プロセスガスをガス消費
設備へ供給する場合に最適なシステム構成を採用してい
た。例えば図５の配管系統図に示すように、複数本のガ
ス容器１０，１０を収納した収納体（シリンダーキャビ
ネット）１１，１１を複数台備えたガス供給設備１２か
らガス供給ライン１３を通してガス消費設備１４，１４
へガスを供給しており、一つのガス容器を交換する際に
も、他のガス容器からガス供給を行うことにより、ガス
消費設備１４へのガス供給を連続して行えるようにして
いる。The gas supply to the gas consumption equipment in the conventional gas supply equipment has adopted the optimum system configuration when a large amount of semiconductor process gas is supplied to the gas consumption equipment. For example, as shown in the piping system diagram of FIG. 5, a gas consuming facility is provided through a gas supply line 13 from a gas supply facility 12 provided with a plurality of storage bodies (cylinder cabinets) 11, 11 storing a plurality of gas containers 10, 10. 14,14
The gas is being supplied to the gas consuming facility 14 by continuously supplying the gas from another gas container even when replacing one gas container.
【０００５】また、ガス消費設備１４には、ガス消費設
備１４から排出される排ガスを真空ポンプ１５を介して
除害装置１６へ導出するプロセスガス用除害ライン１７
が設けられており、ガス消費設備１４の稼働中に排出さ
れる排ガス中の有害成分、例えばモノシラン等の除害処
理を行うようにしている。Further, in the gas consuming facility 14, a process gas detoxifying line 17 for leading the exhaust gas discharged from the gas consuming facility 14 to a detoxifying device 16 via a vacuum pump 15.
Is provided to remove harmful components in the exhaust gas discharged during the operation of the gas consuming facility 14, for example, monosilane.
【０００６】一方、ガス供給設備１２には、ガス容器交
換時に容器弁１０ａやガス供給ライン１３のパージ操作
を行うため、容器弁１０ａやガス供給ライン１３内のガ
スを吸引する真空発生装置１９を備えたパージガス排気
ライン２０が設けられており、このパージガス排気ライ
ン２０に、ガス容器交換時のパージ操作でパージ排ガス
に同伴される有害成分を除害処理するためのパージ排ガ
ス用除害装置２１が設けられている。On the other hand, the gas supply facility 12 is provided with a vacuum generator 19 for sucking the gas in the container valve 10a and the gas supply line 13 in order to perform the purge operation of the container valve 10a and the gas supply line 13 when the gas container is replaced. The purge gas exhaust line 20 provided is provided, and the purge gas exhaust line 20 is provided with a purge exhaust gas abatement device 21 for removing harmful components accompanying the purge exhaust gas during the purge operation during gas container replacement. It is provided.
【０００７】このように、従来の半導体装置の製造シス
テムにおけるガス供給設備１２では、複数のガス容器１
０を設置したシリンダーキャビネット１１と、シリンダ
ーキャビネット専用の除害装置２１とを設置してガス消
費設備１４の稼動時においてもガス容器１０の交換を行
い、ガス容器１０の交換に伴って発生するパージ排ガス
を専用の除害装置２１で処理するようにしていた。本
来、ガス消費設備１４の除害装置１６でシリンダーキャ
ビネット１１からのパージ排ガスを処理することも可能
であるが、パージ排ガス中の実ガスの絶対量及びパージ
に使用する窒素ガス等の流量が、プロセスガス除害処理
中の除害装置１６における除害能力に大きな負荷をかけ
るため、比較的パージ対象配管の容積が大きなガス容器
２本立てシリンダーキャビネットにおいては、この実現
が困難であった。As described above, in the gas supply facility 12 in the conventional semiconductor device manufacturing system, the plurality of gas containers 1 are provided.
The cylinder cabinet 11 in which 0 is installed and the detoxification device 21 dedicated to the cylinder cabinet are installed to replace the gas container 10 even when the gas consuming facility 14 is in operation, and the purging that occurs with the replacement of the gas container 10 is performed. The exhaust gas was treated by the dedicated abatement device 21. Originally, it is also possible to treat the purge exhaust gas from the cylinder cabinet 11 by the abatement device 16 of the gas consumption facility 14, but the absolute amount of the actual gas in the purge exhaust gas and the flow rate of the nitrogen gas or the like used for the purge are Since a large load is exerted on the detoxification capacity of the detoxification device 16 during the process gas detoxification process, it has been difficult to achieve this in a two-cylinder gas container vertical cylinder cabinet with a relatively large volume of piping to be purged.
【０００８】[0008]
【発明が解決しようとする課題】ところが、近年の半導
体装置製造分野では、システムＬＳＩ等の製造に適した
多品種少量型の生産方式が注目されており、多品種の製
品を短期間にて製作する製造設備が望まれている。より
具体的には、設置あるいはメンテナンス後の立ち上がり
が早く、かつ、一つのプロセスチャンバーで複数種類の
プロセスが可能な製造設備である。これに対応したガス
供給設備としては、少量多品種のガスを安定に、かつ、
安全に供給するものであって、コンパクトで安価な設備
が望まれている。また、ガスの除害処理設備としては、
各プロセスに対して安全に効率よく運転できるコンパク
トな設備が望まれている。However, in recent years in the field of semiconductor device manufacturing, attention has been paid to a high-mix low-volume production method suitable for manufacturing system LSIs, etc. There is a demand for a manufacturing facility that does. More specifically, it is a manufacturing facility that starts up quickly after installation or maintenance and is capable of performing multiple types of processes in one process chamber. As a gas supply facility corresponding to this, a small amount of various kinds of gas can be stably and
There is a demand for compact and inexpensive equipment that can be safely supplied. In addition, as gas removal treatment equipment,
There is a demand for compact equipment that can operate safely and efficiently for each process.
【０００９】しかし、従来の大量生産に適したガス供給
設備や除害処理設備等を、近年の多品種少量型の生産方
式にそのまま適用すると、ガス供給設備が過剰となるこ
とによるコスト高や、大型のガス供給設備を付設する必
要があること、また、過剰な除害設備が必要であること
から、工場建設工期も長期間を要するといったデメリッ
トが多かった。However, if the conventional gas supply equipment and detoxification treatment equipment suitable for mass production are directly applied to the recent multi-product, small-quantity production method, the cost of gas supply equipment becomes excessive, resulting in high cost. Since it was necessary to attach a large-scale gas supply facility and excessive detoxification equipment was required, there were many demerits that the construction period of the factory also took a long time.
【００１０】さらに、従来のガス供給設備やガス除害処
理設備には、安全確保のためにガス漏洩検知装置が組み
込まれており、その信号が中央監視システムに送られ、
該システム内で処理された信号が他の装置、例えば、半
導体製造設備に送られ、インターロックが組まれてい
る。しかしこのようなシステムでは、信号の入出力ケー
ブルが増加するのに伴ってケーブル敷設のための工期が
長くなるとともに、信号処理の不具合チェックに膨大な
時間を要していた。Further, in the conventional gas supply equipment and gas detoxification treatment equipment, a gas leakage detection device is incorporated for ensuring safety, and the signal is sent to the central monitoring system,
The signal processed in the system is sent to another device, for example, a semiconductor manufacturing facility, and an interlock is built. However, in such a system, as the number of signal input / output cables increases, the construction period for laying the cables becomes longer, and it takes a huge amount of time to check the signal processing defects.
【００１１】一方、従来のガス供給設備では、ガス容器
交換後の漏洩検査に１２時間以上という長時間を必要と
しており、シリンダーキャビネットに１本のガス容器を
設置してこれを交換使用すると、ガス容器交換の際のパ
ージ操作や漏洩検査中にはガス消費設備にガス供給を行
えなくなってしまので、ガス消費設備の稼働率を低下さ
せてしまう。したがって、従来の漏洩検査法を実施する
場合は、シリンダーキャビネットに２本以上のガス容器
を設置して交互に交換使用する必要があり、前記デメリ
ットを解消することが困難となっていた。On the other hand, in the conventional gas supply equipment, it takes a long time of 12 hours or more for the leak inspection after the gas container is exchanged. Therefore, if one gas container is installed in the cylinder cabinet and the gas container is exchanged for use, the gas is replaced. Since gas cannot be supplied to the gas consuming facility during the purge operation or leak inspection when replacing the container, the operating rate of the gas consuming facility is reduced. Therefore, when the conventional leak inspection method is carried out, it is necessary to install two or more gas containers in the cylinder cabinet and alternately exchange them, which makes it difficult to eliminate the above disadvantages.
【００１２】そこで本発明は、多品種少量型の生産方式
に最適なガス供給を行うことができるとともに、有害成
分の除害処理を効率よく行うことができ、また、漏洩検
査法の改善も含めて設備コストの低減や建設工期の短縮
も図れるトータルシステムとしての半導体装置の製造シ
ステム及びこの製造システムを利用して効率よくガス供
給を行えるガス供給方法を提供することを目的としてい
る。Therefore, the present invention is capable of optimally supplying gas to a multi-product, small-quantity production system, can efficiently remove harmful components, and improve the leak inspection method. It is an object of the present invention to provide a semiconductor device manufacturing system as a total system capable of reducing the equipment cost and the construction period, and a gas supply method capable of efficiently supplying gas using this manufacturing system.
【００１３】[0013]
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、本発明の半導体装置の製造システムは、少なくとも
１種類の有害成分ガスを使用するガス消費設備と、ガス
容器内に充填されたガスを前記ガス消費設備に供給する
ガス供給設備と、前記ガス消費設備から排出された有害
成分の除害処理を行う除害設備とを備えた半導体装置の
製造システムにおいて、ガス供給設備とガス消費設備と
をガス供給ラインで接続し、ガス消費設備と除害設備と
を真空ポンプを備えたプロセスガス用除害ラインで接続
するとともに、前記ガス供給ラインから分岐して設けら
れたパージガス排気ラインの下流側を、前記プロセスガ
ス用除害ラインに接続したことを特徴としている。To achieve the above object, a semiconductor device manufacturing system according to the present invention uses a gas consuming facility that uses at least one kind of harmful component gas and a gas filled in a gas container. A gas supply facility and a gas consumption facility in a semiconductor device manufacturing system comprising a gas supply facility supplied to the gas consumption facility and a detoxification facility for detoxifying harmful components discharged from the gas consumption facility. Is connected by a gas supply line, the gas consumption facility and the abatement facility are connected by a process gas abatement line equipped with a vacuum pump, and a downstream side of a purge gas exhaust line provided by branching from the gas supply line. Is connected to the abatement line for the process gas.
【００１４】さらに、本発明の半導体装置の製造システ
ムは、前記ガス消費設備が複数設置されている場合は、
各ガス消費設備の各々に、他のガス消費設備からは切り
離した状態で前記ガス供給設備をそれぞれ設置するとと
もに、該ガス供給設備のガス供給ラインから分岐した前
記パージガス排気ラインの下流側を、該ガス供給設備か
らガス供給を行うガス消費設備に付属する前記プロセス
ガス用除害ラインに接続したことを特徴とし、また、前
記除害装置及びプロセスガス用除害ラインは、除害方式
に応じて一つ以上がガス消費設備に付属して設けられ、
該ガス消費設備に接続する前記ガス供給ラインから分岐
した前記パージガス排気ラインの下流側は、該パージガ
ス排気ラインから排出される有害成分の除害方式に対応
した除害装置のプロセスガス用除害ラインに接続してい
ることを特徴としている。Further, in the semiconductor device manufacturing system of the present invention, when a plurality of gas consuming facilities are installed,
In each of the gas consumption equipment, the gas supply equipment is respectively installed in a state of being separated from other gas consumption equipment, and the downstream side of the purge gas exhaust line branched from the gas supply line of the gas supply equipment, It is characterized in that it is connected to the process gas abatement line attached to the gas consuming facility that supplies gas from the gas supply facility, and the abatement device and the process gas abatement line are according to the abatement method. One or more is provided attached to the gas consumption facility,
A downstream side of the purge gas exhaust line branched from the gas supply line connected to the gas consuming facility is a process gas abatement line of an abatement device corresponding to a method for abatement of harmful components discharged from the purge gas exhaust line. It is characterized by being connected to.
【００１５】加えて、前記パージガス排気ラインが、前
記プロセスガス用除害ラインの前記真空ポンプの上流側
に接続していること、あるいは、前記パージガス排気ラ
インが前記ガス供給ラインからパージ排ガスを吸引する
真空発生装置を備えており、該パージガス排気ラインの
下流側が前記プロセスガス用除害ラインの前記真空ポン
プの下流側に接続していることを特徴としている。ま
た、前記ガス供給設備は、１本のガス容器を交換使用す
るように形成されていることを特徴としている。In addition, the purge gas exhaust line is connected to the upstream side of the vacuum pump of the process gas removal line, or the purge gas exhaust line sucks purge exhaust gas from the gas supply line. A vacuum generator is provided, and the downstream side of the purge gas exhaust line is connected to the downstream side of the vacuum pump of the process gas abatement line. Further, the gas supply facility is characterized in that one gas container is exchanged for use.
【００１６】さらに、前記ガス容器の容器弁は、容器弁
弁室内でパージガス流入口とガス供給口とが連通し、容
器弁を閉止した状態でパージガス流入口からガス供給口
にパージガスを流通可能な構造を有しており、前記パー
ジガス流入口にパージガス導入ラインを接続し、前記ガ
ス供給口に前記ガス供給ラインを接続し、該ガス供給ラ
インの末端に設けられたガス供給弁の上流側から前記パ
ージガス排気ラインを分岐させるとともに、該パージガ
ス排気ラインを流れるパージ排ガス中の大気成分濃度を
測定する大気成分濃度測定手段を設けたことを特徴とし
ている。Further, in the container valve of the gas container, the purge gas inlet and the gas supply port communicate with each other in the container valve chamber, and the purge gas can flow from the purge gas inlet to the gas supply port with the container valve closed. The structure has a structure, a purge gas inlet line is connected to the purge gas inlet, the gas supply line is connected to the gas supply port, and the gas supply valve is provided from the upstream side of the gas supply valve provided at the end of the gas supply line. The purge gas exhaust line is branched and an atmospheric component concentration measuring means for measuring the atmospheric component concentration in the purge exhaust gas flowing through the purge gas exhaust line is provided.
【００１７】また、本発明の半導体装置の製造システム
におけるガス供給方法は、上記構成の半導体装置の製造
システムにおけるガス供給方法であって、前記ガス供給
設備におけるガス容器の交換を、該ガス供給設備からガ
ス供給を行う前記ガス消費設備の停止時に前記ガス供給
弁を閉じた状態で行った後、前記パージガス導入ライン
から前記パージガス流入口を経て前記容器弁に供給さ
れ、該容器弁の前記ガス供給口から前記ガス供給ライン
に流出したパージ排ガスを前記パージガス排気ラインに
排出するとともに、該パージ排ガスの少なくとも一部を
前記大気成分濃度測定手段に導入して大気成分濃度を測
定することにより漏洩検査を行い、該漏洩検査で漏洩が
検出されなかったときに前記パージガスの導入を停止し
て前記ガス容器内のガスを前記ガス消費設備に供給する
ための操作を開始することを特徴としている。A gas supply method in a semiconductor device manufacturing system according to the present invention is a gas supply method in a semiconductor device manufacturing system having the above-mentioned configuration, wherein replacement of a gas container in the gas supply equipment is performed by the gas supply equipment. After the gas supply valve is closed at the time of stopping the gas consumption facility for supplying gas from the container, the gas is supplied from the purge gas introduction line to the container valve through the purge gas inlet, and the gas supply of the container valve is performed. The purge exhaust gas flowing out from the mouth to the gas supply line is discharged to the purge gas exhaust line, and at least a part of the purge exhaust gas is introduced into the atmospheric component concentration measuring means to measure the atmospheric component concentration to perform a leak inspection. If the leakage is not detected in the leakage inspection, the introduction of the purge gas is stopped and the inside of the gas container is stopped. It is characterized in that to start the operation for supplying the scan to the gas consumption facility.
【００１８】[0018]
【発明の実施の形態】図１は本発明の半導体装置の製造
システムの一形態例を示す配管系統図、図２及び図３は
本発明の半導体装置の製造システムで使用するガス容器
の容器弁として好適な構造の容器弁の例を示すもので、
図２は概略縦断面図、図３は図２のIII−III線断面図で
ある。1 is a piping system diagram showing an example of a semiconductor device manufacturing system according to the present invention, and FIGS. 2 and 3 are container valves for gas containers used in the semiconductor device manufacturing system according to the present invention. As an example of a container valve with a suitable structure as
2 is a schematic vertical sectional view, and FIG. 3 is a sectional view taken along line III-III in FIG.
【００１９】この半導体装置の製造システムは、半導体
集積回路、液晶パネル、太陽電池等の半導体装置を製造
する装置、例えばＣＶＤ装置等のようなガス消費設備３
１と、１本のガス容器３２を設置したシリンダーキャビ
ネットのようなガス供給設備３３と、ガス消費設備３１
からの排ガス及びガス供給設備３３からのパージ排ガス
の除害処理を行う除害装置３４とを備えており、ガス消
費設備３１とガス供給設備３３との間はガス供給ライン
３５で接続され、ガス消費設備３１と除害装置３４との
間は真空ポンプ３６備えたプロセスガス用除害ライン３
７で接続されている。This semiconductor device manufacturing system is a device for manufacturing a semiconductor device such as a semiconductor integrated circuit, a liquid crystal panel, a solar cell, etc., for example, a gas consuming facility 3 such as a CVD device.
1, gas supply equipment 33 such as a cylinder cabinet in which one gas container 32 is installed, and gas consumption equipment 31
And a purging exhaust gas from the gas supply facility 33 are removed, and a harm removal device 34 is provided. The gas consumption facility 31 and the gas supply facility 33 are connected by a gas supply line 35. Between the consumption equipment 31 and the abatement device 34, a process gas abatement line 3 equipped with a vacuum pump 36
Connected at 7.
【００２０】このとき、半導体工場等において、複数の
ガス消費設備３１が設置されており、そのいくつかで同
じガスを使用するような場合でも、一つ一つのガス消費
設備３１には、他のガス消費設備からは切り離して各々
独立した状態で、使用するガスの種類に応じた前記ガス
供給設備３３が組み合わされている。At this time, even if a plurality of gas consuming facilities 31 are installed in a semiconductor factory or the like and some of them use the same gas, each of the gas consuming facilities 31 has another gas consuming facility 31. The gas supply equipment 33 according to the type of gas to be used is combined in a state of being separated from the gas consumption equipment and independent of each other.
【００２１】また、ガス消費設備３１で複数種類の有害
成分ガスを使用する場合は、各有害成分の除害方式に対
応した除害装置３４が複数設置されており、ガス消費設
備３１から排出される有害成分の種類に応じてプロセス
ガス用除害ライン３７を切換使用するようにしている。When a plurality of kinds of harmful component gases are used in the gas consuming facility 31, a plurality of abatement devices 34 corresponding to the abatement method of each harmful component are installed and are discharged from the gas consuming facility 31. The process gas abatement line 37 is switched and used according to the type of harmful component.
【００２２】また、ガス供給設備３３には、ガス容器３
２の容器弁３８にガス供給弁３９及び排気切換弁４０を
介して接続される前記ガス供給ライン３５と、流量調節
器４１を介して前記容器弁３８に接続されるパージガス
導入ライン４２と、ガス供給ライン３５の前記排気切換
弁４０から分岐し、真空発生装置４３を介して前記プロ
セスガス用除害ライン３７に接続したパージガス排気ラ
イン４４と、該パージガス排気ライン４４の真空発生装
置４３上流側に設けた分析切換弁４５から分岐した分析
ライン４６及び該分析ライン４６に設けられた分析計４
７とが備えられている。Further, the gas supply equipment 33 includes a gas container 3
A gas supply line 35 connected to the second container valve 38 via a gas supply valve 39 and an exhaust switching valve 40; a purge gas introduction line 42 connected to the container valve 38 via a flow rate controller 41; A purge gas exhaust line 44 branched from the exhaust switching valve 40 of the supply line 35 and connected to the process gas removal line 37 via a vacuum generator 43, and a purge gas exhaust line 44 upstream of the vacuum generator 43. An analysis line 46 branched from the provided analysis switching valve 45 and an analyzer 4 provided on the analysis line 46
7 and are provided.
【００２３】また、詳細な図示は省略するが、ガス消費
設備３１からの信号ライン（入出力ケーブル）がガス供
給設備３３及び除害装置３４に接続されており、例え
ば、ガス消費設備３１の異常信号によってガス供給設備
３３の容器弁３８が遮断されるとともに、プロセスガス
用除害ライン３７に窒素等の不活性ガスが導入され、該
除害ライン３７のパージが行えるようになっている。Although not shown in detail, a signal line (input / output cable) from the gas consuming facility 31 is connected to the gas supply facility 33 and the abatement device 34. For example, the gas consuming facility 31 is abnormal. The signal shuts off the container valve 38 of the gas supply equipment 33, and an inert gas such as nitrogen is introduced into the process gas detoxification line 37 so that the detoxification line 37 can be purged.
【００２４】また、ガス供給設備３３からガス消費設備
３１に接続される信号ラインを通してガス供給設備３３
の異常信号がガス消費設備３１に出力された場合は、そ
の信号の重要度に応じてガス消費設備３１のインターロ
ックが作動するとともに、その状態がガス消費設備３１
のＣＰＵを介して中央監視システムに入力されるように
なっている。Further, the gas supply facility 33 is connected through a signal line connected from the gas supply facility 33 to the gas consumption facility 31.
When the abnormal signal of is output to the gas consuming facility 31, the interlock of the gas consuming facility 31 operates according to the importance of the signal, and the state is changed to the gas consuming facility 31.
It is designed to be input to the central monitoring system via the CPU of the.
【００２５】同様に、除害装置３４からガス消費設備３
１に接続される信号ラインを通して除害装置３４の異常
信号がガス消費設備３１に出力された場合は、その信号
の重要度に応じてガス消費設備３１のインターロックが
作動するとともに、その状態がガス消費設備３１のＣＰ
Ｕを介して中央監視システムに入力されるようになって
いる。いずれの場合も、ガス消費設備３１内に設置され
たＣＰＵを通じてガス供給設備３３及び除害装置３４が
制御される。Similarly, from the abatement device 34 to the gas consumption equipment 3
When the abnormal signal of the abatement device 34 is output to the gas consuming equipment 31 through the signal line connected to 1, the interlock of the gas consuming equipment 31 is activated according to the importance of the signal, and the state is CP of gas consumption facility 31
It is designed to be input to the central monitoring system via U. In any case, the gas supply equipment 33 and the abatement device 34 are controlled through the CPU installed in the gas consumption equipment 31.
【００２６】このように形成した半導体装置の製造シス
テムにおいて、前述のようにガス供給ライン３５から排
気切換弁４０を介して分岐したパージガス排気ライン４
４の下流側を、前記プロセスガス用除害ライン３７に接
続することにより、従来のシリンダーキャビネット専用
の除害装置を省略して設備コストの低減や建設工期の短
縮を図ること可能となる。また、ガス消費設備３１、ガ
ス供給設備３３及び除害装置３４の信号の授受を、ガス
消費設備３１のＣＰＵを介して相互に行うようにするこ
とにより、信号ケーブルの敷設が容易になる。さらに、
制御のためのセンシング装置、例えば、圧力計や流量計
等については、それぞれの設備で共有可能となるため、
より単純なシステムとなり、コンパクトで安価なガス供
給設備３３及び除害装置３４の実現が可能となる。In the semiconductor device manufacturing system thus formed, the purge gas exhaust line 4 branched from the gas supply line 35 via the exhaust switching valve 40 as described above.
By connecting the downstream side of No. 4 to the process gas detoxification line 37, it is possible to omit the conventional detoxifying device dedicated to the cylinder cabinet and reduce the equipment cost and the construction period. Further, the signals of the gas consumption facility 31, the gas supply facility 33, and the abatement device 34 are exchanged with each other via the CPU of the gas consumption facility 31, so that the signal cable can be easily laid. further,
Sensing devices for control, such as pressure gauges and flow meters, can be shared by each facility.
The system becomes simpler, and the compact and inexpensive gas supply equipment 33 and the abatement device 34 can be realized.
【００２７】図２及び図３に示すように、容器弁３８
は、ガス容器装着部５１の中心に形成されて容器内と弁
室５２とに連通する内部側ガス流路５３と、容器弁３８
の一側方に開口したガス供給口５４と、該ガス供給口５
４に対向する位置に開口したパージガス流入口５５とを
有しており、前記弁室５２内には、内部側ガス流路５３
の端部外周に設けられたリング状の弁シート５６と、こ
の弁シート５６に密着することにより流路を閉塞するダ
イヤフラム５７とが設けられ、容器弁３８の上部には、
ダイヤフラム５７を駆動する開閉機構５８が設けられて
いる。As shown in FIGS. 2 and 3, the container valve 38
Is an inner gas flow path 53 formed in the center of the gas container mounting portion 51 and communicating with the inside of the container and the valve chamber 52, and the container valve 38.
Gas supply port 54 opened to one side and the gas supply port 5
4 and a purge gas inflow port 55 opening at a position opposed to the inside of the valve chamber 52.
A ring-shaped valve seat 56 provided on the outer periphery of the end of the container and a diaphragm 57 that closes the flow path by closely contacting with the valve seat 56 are provided.
An opening / closing mechanism 58 for driving the diaphragm 57 is provided.
【００２８】ガス供給口５４及びパージガス流入口５５
にそれぞれ接続する外部側ガス流路５４ａ及びパージガ
ス流路５５ａは、弁室５２内の弁シート５６の外周部分
で連通しており、容器弁３８を閉止した状態でパージガ
ス流路５５ａから弁室５２内に流入したパージガスが、
弁室５２内の全体を平均的に流れて外部側ガス流路５４
ａから流出するように形成されている。A gas supply port 54 and a purge gas inflow port 55
The external gas flow path 54a and the purge gas flow path 55a, which are respectively connected to each other, communicate with each other at the outer peripheral portion of the valve seat 56 in the valve chamber 52, and the purge gas flow path 55a to the valve chamber 52 with the container valve 38 closed. The purge gas flowing into the
The outside gas flow path 54
It is formed so as to flow out from a.
【００２９】ガス容器３２からガス消費設備３１にガス
を供給しているときは、パージガス導入ライン４２のパ
ージ弁４２Ｖ及び真空発生装置４３の真空作動弁４３Ｖ
が閉じられ、ガス供給ライン３５の前記排気切換弁４０
がガス供給側に切換えられ、容器弁３８及びガス供給弁
３９が開いた状態となっている。これにより、ガス容器
３２内のガスが、内部側ガス流路５３、弁室５２、外部
側ガス流路５４ａ、ガス供給口５４を通ってガス供給ラ
イン３５に流出し、排気切換弁４０、ガス供給弁３９を
通ってガス消費設備３１に供給される。さらに、ガス消
費設備３１から排出される排ガスは、真空ポンプ３６に
より吸引され、プロセスガス排気弁３７Ｖを通って除害
装置３４に流入する。When the gas is being supplied from the gas container 32 to the gas consuming facility 31, the purge valve 42V of the purge gas introduction line 42 and the vacuum operation valve 43V of the vacuum generator 43 are supplied.
And the exhaust switching valve 40 of the gas supply line 35 is closed.
Is switched to the gas supply side, and the container valve 38 and the gas supply valve 39 are open. As a result, the gas in the gas container 32 flows out to the gas supply line 35 through the inner gas passage 53, the valve chamber 52, the outer gas passage 54a, and the gas supply port 54, and the exhaust switching valve 40, the gas It is supplied to the gas consuming facility 31 through the supply valve 39. Further, the exhaust gas discharged from the gas consumption facility 31 is sucked by the vacuum pump 36 and flows into the abatement device 34 through the process gas exhaust valve 37V.
【００３０】また、ガス容器３２を交換する際には、ガ
ス消費設備３１とガス供給設備３３との間の信号の授受
によって、ガス容器３２が交換可能な状態であることが
確認される。その後、ガス容器交換のためパージ操作が
行われる。このパージ操作は、容器弁３８及びガス供給
弁３９を閉じた後、排気切換弁４０及び分析切換弁４５
を排気側に切換え、プロセスガス排気弁３７Ｖを閉じて
真空作動弁４３Ｖを開き、真空発生装置４３を作動させ
て容器弁３８からガス供給弁３９に至る配管系内を真空
発生装置４３によって真空排気し、パージガス排気ライ
ン４４からプロセスガス用除害ライン３７を介して除害
装置３４に向けて排出する。このとき、真空発生装置４
３としてパージガスと同種のガスを駆動源とするエゼク
タのようなバキュームジェネレーターを使用することに
より、真空発生装置４３からガスが逆流しても系内を汚
染することがない。When replacing the gas container 32, it is confirmed that the gas container 32 is in a replaceable state by exchanging a signal between the gas consuming facility 31 and the gas supply facility 33. Then, a purging operation is performed to replace the gas container. In this purging operation, after closing the container valve 38 and the gas supply valve 39, the exhaust switching valve 40 and the analysis switching valve 45.
To the exhaust side, the process gas exhaust valve 37V is closed and the vacuum operating valve 43V is opened, and the vacuum generator 43 is operated to evacuate the inside of the piping system from the container valve 38 to the gas supply valve 39 by the vacuum generator 43. Then, the gas is discharged from the purge gas exhaust line 44 toward the abatement device 34 through the process gas abatement line 37. At this time, the vacuum generator 4
By using a vacuum generator such as an ejector that uses a gas of the same type as the purge gas as a drive source for 3, the system will not be contaminated even if the gas flows backward from the vacuum generator 43.
【００３１】次に、パージ弁４２Ｖを開いてパージガス
導入ライン４２からパージガス、例えば高純度窒素ガス
を導入して系内から実ガスを排除する。なお、真空排気
操作とパージガス導入操作とは、必要に応じてパージ弁
４２Ｖを開閉することにより繰り返し行うことができ
る。Next, the purge valve 42V is opened and a purge gas, for example, high-purity nitrogen gas, is introduced from the purge gas introduction line 42 to eliminate the actual gas from the system. The vacuum exhaust operation and the purge gas introduction operation can be repeated by opening and closing the purge valve 42V as necessary.
【００３２】このとき、配管系内に残留していた実ガス
（金属水素化物系ガス、金属ハロゲン化物系ガス、有機
金属系ガス等の有害成分ガス）は、パージガス排気ライ
ン４４を通って前記プロセスガス用除害ライン３７に流
入し、プロセスガスの除害処理を行っていない状態の除
害装置３４に導入されて除害処理される。At this time, the actual gas (harmful component gas such as metal hydride-based gas, metal halide-based gas, organic metal-based gas, etc.) remaining in the piping system is passed through the purge gas exhaust line 44 to the above process. The gas flows into the gas detoxification line 37 and is introduced into the detoxification device 34 in a state where the detoxification process of the process gas is not performed, and detoxification process is performed.
【００３３】このような実ガスパージを終了した後、容
器弁３８から各配管を取り外し、ガス容器３２を交換し
て新たなガス容器の容器弁に各配管を接続する。そし
て、排気切換弁４０をガス供給側に切換えた状態でガス
供給弁３９に至る配管系内にパージガスをあらかじめ設
定した圧力で充填し、パージ弁４２Ｖを閉じて系内の圧
力変化（圧力低下）を監視する。これにより、パージ弁
４２Ｖからガス供給弁３９までの予備気密試験を行うこ
とができ、配管継手部分の締め忘れや緩みなどによる比
較的リーク量の大きなリークを検出することができる。
なお、系内を真空状態にして圧力上昇を監視するように
してもよく、予備気密試験を省略してもよい。また、圧
力変化を監視するための圧力計は、ガス供給ライン３５
の圧力を検知できれば、任意の位置に設けたものを使用
することが可能である。After completion of such actual gas purging, each pipe is removed from the container valve 38, the gas container 32 is replaced, and each pipe is connected to the container valve of the new gas container. Then, with the exhaust switching valve 40 switched to the gas supply side, the pipe system reaching the gas supply valve 39 is filled with purge gas at a preset pressure, and the purge valve 42V is closed to change the pressure in the system (pressure drop). To monitor. As a result, a preliminary air tightness test from the purge valve 42V to the gas supply valve 39 can be performed, and a leak having a relatively large leak amount due to forgetting to tighten or loosening the pipe joint portion can be detected.
The system may be evacuated to monitor the pressure rise, and the preliminary air tightness test may be omitted. Further, the pressure gauge for monitoring the pressure change is the gas supply line 35.
If the pressure of can be detected, it is possible to use the one provided at an arbitrary position.
【００３４】前記予備気密検査合格後、パージ弁４２Ｖ
を閉じた状態で排気切換弁４０を排気側に切換え、系内
のガスを真空発生装置４３により排気する排気操作と、
パージ弁４２Ｖを開いた状態で排気切換弁４０をガス供
給側に切換え、系内にパージガスを導入して封入する封
入操作とを繰り返して行い、ガス容器交換時に系内に侵
入した大気成分を系内から排出してパージガスに置換す
る。次に、パージ弁４２Ｖを開いた状態で排気切換弁４
０を排気側に切換えてパージガスを系内に流通させる流
通パージを行う。このとき、前記構造の容器弁３８を用
いることにより、容器弁内部のパージも効果的に行うこ
とができる。After passing the preliminary airtightness inspection, the purge valve 42V
An exhaust operation in which the exhaust switching valve 40 is switched to the exhaust side in the closed state, and the gas in the system is exhausted by the vacuum generator 43;
With the purge valve 42V open, the exhaust switching valve 40 is switched to the gas supply side, and the charging operation of introducing and filling the purge gas into the system is repeated, and the atmospheric components that have entered the system when the gas container is replaced are replaced by the system. It is discharged from inside and replaced with purge gas. Next, with the purge valve 42V open, the exhaust switching valve 4
Flow purge is performed by switching 0 to the exhaust side and flowing the purge gas into the system. At this time, the inside of the container valve can be effectively purged by using the container valve 38 having the above structure.
【００３５】そして、このような大気成分のパージ操作
を行った後、大気成分、通常は、酸素濃度を測定可能な
前記分析計４７を使用して気密試験を行う。この分析計
４７を使用した気密試験は、前記流通パージと同様に、
パージ弁４２Ｖを開いて系内にパージガスを流通させた
状態で分析切換弁４５を排気側から分析側に切換えた状
態あるいは分析側に適当量開いた状態で行われる。すな
わち、パージガス導入ライン４２から容器弁３８を通っ
て導入されたパージガスの一部又は全量を、分析切換弁
４５から分析ライン４６を通して分析計４７に一定流量
で導入し、該ガス中の酸素濃度を測定することによって
行われる。After performing such a purging operation of the atmospheric component, an airtightness test is performed using the analyzer 47 capable of measuring the atmospheric component, usually the oxygen concentration. The airtightness test using this analyzer 47 is similar to the above-mentioned flow purge,
The analysis is performed with the purge valve 42V opened to allow the purge gas to flow through the system and the analysis switching valve 45 being switched from the exhaust side to the analysis side or with an appropriate amount opened to the analysis side. That is, a part or all of the purge gas introduced from the purge gas introduction line 42 through the container valve 38 is introduced from the analysis switching valve 45 through the analysis line 46 into the analyzer 47 at a constant flow rate, and the oxygen concentration in the gas is adjusted. It is done by measuring.
【００３６】この分析計４７による大気成分（酸素）濃
度の測定は、該分析計４７の応答時間に応じた時間、通
常は応答時間の３倍程度の時間にわたって連続的に行
う。これにより、容器弁３８やガス供給ライン３５の継
手部分等にリークが生じている場合は、該リーク部分か
ら大気成分が系内に侵入するので、分析計４７で大気成
分の一つである酸素の濃度を測定することにより、リー
クの有無を判定することができる。The atmospheric component (oxygen) concentration is measured by the analyzer 47 continuously for a time corresponding to the response time of the analyzer 47, usually about 3 times the response time. As a result, when a leak occurs in the joint portion of the container valve 38 or the gas supply line 35, etc., the atmospheric component enters the system through the leak portion, so that the analyzer 47 detects oxygen as one of the atmospheric components. Whether or not there is a leak can be determined by measuring the concentration of.
【００３７】さらに、この酸素濃度測定中に、流量調節
器４１によってパージガスの流量を変動させ、分析計４
７で測定される酸素濃度に流量依存性があるか否かを確
認することにより、微小リークの有無を確実に検出する
ことができる。すなわち、前記予備気密検査に合格する
ようなリークは極めて微小なものであり、系内に侵入す
る大気成分のリーク量を一定と見なせるので、分析計４
７で測定する酸素濃度は、一定のリーク量の大気成分
（酸素）をパージガスで希釈した状態のものとなるか
ら、パージガス流量を増加させると希釈率が大きくなっ
て分析計４７で測定する酸素濃度が低くなり、パージガ
ス流量を減少させると希釈率が小さくなって分析計４７
で測定する酸素濃度が高くなる。Further, during the measurement of the oxygen concentration, the flow rate of the purge gas is changed by the flow rate controller 41, and the analyzer 4
By checking whether or not the oxygen concentration measured in 7 has flow rate dependency, it is possible to reliably detect the presence or absence of a minute leak. That is, the leak that passes the preliminary airtightness test is extremely small, and the leak amount of the atmospheric component that enters the system can be regarded as a constant, so the analyzer 4
The oxygen concentration measured in 7 is a state in which a certain leak amount of the atmospheric component (oxygen) is diluted with the purge gas. Therefore, when the flow rate of the purge gas is increased, the dilution rate increases and the oxygen concentration measured by the analyzer 47 is increased. When the purge gas flow rate is decreased, the dilution rate becomes smaller and the analyzer 47
The oxygen concentration measured at is high.
【００３８】したがって、パージガス流量を変動させた
ときに、分析計４７で測定した酸素濃度が変化しない場
合には、測定された酸素がパージガス中に元から不純物
として含まれていた酸素であり、リークは発生していな
いと判定でき、逆に、パージガスの流量変動に伴って分
析計４７で測定した酸素濃度が変化した場合には、大気
成分のリークが発生していることになる。Therefore, when the oxygen concentration measured by the analyzer 47 does not change when the flow rate of the purge gas is changed, the measured oxygen is the oxygen originally contained in the purge gas as an impurity, and the leak It can be determined that the oxygen component has not occurred, and conversely, when the oxygen concentration measured by the analyzer 47 changes due to the change in the flow rate of the purge gas, it means that the leakage of the atmospheric component has occurred.
【００３９】なお、パージガス中の不純物酸素濃度が既
知の場合には、この濃度以上の酸素濃度が測定された場
合に、大気成分のリークが発生していると判定できる。
このとき、パージガス流量の最小値は、分析計４７のサ
ンプリング流量に応じた値であり、最大値は、その２倍
乃至３倍程度が適当である。これ以上パージガス流量を
増加させると、相対的にリーク酸素の濃度が低下するの
で分析計４７における酸素濃度の測定精度が低下してし
まう。また、流量調節器による流量変動に代えて、圧力
調節器によってパージガスの導入圧力を変動させても、
パージガス中のリーク酸素の濃度が変動するので、リー
クの有無を容易に判定することができる。When the impurity oxygen concentration in the purge gas is known, it can be determined that the atmospheric component leaks when the oxygen concentration higher than this concentration is measured.
At this time, the minimum value of the purge gas flow rate is a value corresponding to the sampling flow rate of the analyzer 47, and the maximum value is preferably about 2 to 3 times that value. If the flow rate of the purge gas is further increased, the concentration of leak oxygen is relatively reduced, and the accuracy of measurement of oxygen concentration in the analyzer 47 is reduced. Further, instead of changing the flow rate by the flow rate controller, even if the introduction pressure of the purge gas is changed by the pressure regulator,
Since the concentration of leak oxygen in the purge gas fluctuates, the presence or absence of leak can be easily determined.
【００４０】ガス容器交換後の漏洩検査として、このよ
うな気密試験を行うことにより、従来に比べてきわめて
短時間で漏洩検査を終了することができる、例えば、従
来の加圧放置法による漏洩検査において、放置時間、即
ち気密時間を２４時間、加圧圧力を１０ＭＰａ、気密試
験対象部容積を１０ｃｃとし、リークと判断する圧力降
下量を０．１ＭＰａに設定し、気密試験対象部に封入さ
れたパージガスとしての窒素ガスの容積を大気圧に換算
すると、
１０×（１０×９.８＋１）＝９９０[atm・cc]
となり、検知可能な最小リーク量である０．１ＭＰａの
圧力降下時の容積を大気圧換算すると、
１０×（９．９×９.８＋１）＝９８０.２[atm・cc]
となるので、窒素ガスの最小漏洩検出量は、
９９０−９８０.２＝９.８[atm・cc]
となる。By performing such an airtight test as a leak test after the gas container is replaced, the leak test can be completed in an extremely short time as compared with the conventional one. For example, the leak test by the conventional pressure leaving method is performed. In, the standing time, that is, the airtight time was set to 24 hours, the pressurization pressure was 10 MPa, the airtightness test target volume was 10 cc, and the pressure drop amount to be judged as a leak was set to 0.1 MPa, and the airtightness test target was sealed. Converting the volume of nitrogen gas as the purge gas into atmospheric pressure, it becomes 10 × (10 × 9.8 + 1) = 990 [atm · cc], and the volume at the time of pressure drop of 0.1 MPa which is the minimum leak amount that can be detected is When converted to atmospheric pressure, it becomes 10 × (9.9 × 9.8 + 1) = 980.2 [atm · cc], so the minimum leak detection amount of nitrogen gas is 990−9800.2 = 9.8 [atm · cc]. cc].
【００４１】このときのリークレートの検出感度は、漏
洩量を気密時間で除して、
９.８／（２４×６０×６０）＝１.１×１０−４[atm・c
c/sec]
となる。The leak rate detection sensitivity at this time is 9.8 / (24 × 60 × 60) = 1.1 × 10 −4 [atm · c] by dividing the leak amount by the airtight time.
c / sec].
【００４２】一方、前記気密試験において、分析計４７
に下記仕様のジルコニア式酸素分析計を使用したときの
リークレートの検出感度を次のようにして算出した。On the other hand, in the airtightness test, the analyzer 47
The leak rate detection sensitivity when a zirconia oxygen analyzer with the following specifications was used was calculated as follows.
【００４３】ジルコニア式酸素分析計仕様 最小測定レンジ ［ｐｐｍ］ ０−１０ 最小検出感度 ［Ｆ.Ｓ％］ ±３ 最小検出感度安定性（σ）［Ｆ.Ｓ％］ ±１ 分解能 ［ｐｐｍ］ ０.１ 注：仕様は全て最小測定レンジにおける値 Ｆ．Ｓ％…測定レンジのフルスケールに対する割合Zirconia oxygen analyzer specifications Minimum measurement range [ppm] 0-10 Minimum detection sensitivity [FS%] ± 3 Minimum detection sensitivity stability (σ) [FS%] ± 1 Resolution [ppm] 0.1 Note: All specifications are in the minimum measurement range F. S%: Ratio of measurement range to full scale
【００４４】また、この気密試験では、相対的な酸素濃
度差によってリークを検知するため、絶対的な最小検出
感度ではなく、最小検出感度安定性σを最小検出感度と
し、３・σ＝０．６［ｐｐｍ］を最小検出感度として用
いた。なお、大気中の酸素濃度は便宜上２０％として計
算した。Further, in this airtightness test, since the leak is detected by the relative oxygen concentration difference, the minimum detection sensitivity stability σ is set as the minimum detection sensitivity, not the absolute minimum detection sensitivity, and 3 · σ = 0. 6 [ppm] was used as the minimum detection sensitivity. The oxygen concentration in the atmosphere was calculated as 20% for convenience.
【００４５】パージガスとしての窒素ガスを０．３ＮＬ
／ｍｉｎで流通させ、その全量を酸素濃度計に導入した
ときの測定対象ガスの流量は、パージガスとして窒素流
量と、リークにより侵入した大気成分との合計であるか
ら、キャリア窒素量＋リーク窒素量＋リーク酸素量とな
る。このとき、リーク量が極微量であり、測定対象とな
る酸素以外の大気成分のリーク量は無視することができ
るので、酸素濃度計の最小検出感度に相当する酸素量
は、
０.６×１０−６×３００／６０＝３.０×１０−６[cc/
sec]
となる。リークレートは、大気中の酸素が系内外の分圧
に比例して配管内に侵入すると仮定し、
３.０×１０−６÷０.２＝１.５×１０−５[atm・cc/se
c]
となる。Nitrogen gas as a purge gas is 0.3 NL
/ Min, the flow rate of the gas to be measured when the total amount is introduced into the oxygen concentration meter is the sum of the nitrogen flow rate as the purge gas and the atmospheric component invaded by the leak, so the carrier nitrogen amount + the leak nitrogen amount + Leak oxygen amount. At this time, since the leak amount is extremely small and the leak amount of atmospheric components other than oxygen to be measured can be ignored, the oxygen amount corresponding to the minimum detection sensitivity of the oximeter is 0.6 × 10. −6 × 300/60 = 3.0 × 10 −6 [cc /
sec]. The leak rate is 3.0 × 10 −6 ÷ 0.2 = 1.5 × 10 −5 [atm · cc /, assuming that oxygen in the atmosphere enters the pipe in proportion to the partial pressure inside and outside the system. se
c].
【００４６】この酸素でのリークレートを窒素に換算す
る。このとき、リークの形態を粘性流と仮定し、粘性流
領域における係数、すなわち、ヘリウムのリーク量を１
としたとき、窒素のリーク量（係数）が１．１２、酸素
のリーク量（係数）が０．９７であるから、酸素リーク
量を窒素リーク量に換算すると、
１.５×１０−５×１.１２÷０.９７＝１.７×１０−５
[atm・cc/sec]
となる。The leak rate of oxygen is converted into nitrogen. At this time, assuming that the form of leak is a viscous flow, the coefficient in the viscous flow region, that is, the leak amount of helium is 1
Since the leak amount (coefficient) of nitrogen is 1.12 and the leak amount (coefficient) of oxygen is 0.97, the oxygen leak amount is converted into a nitrogen leak amount of 1.5 × 10 −5 × 1.12 ÷ 0.97 = 1.7 × 10 −5
[atm ・ cc / sec].
【００４７】したがって、高感度な酸素濃度計（検出感
度：０．６ｐｐｍ）を用いることにより、従来の加圧放
置法と同等以上の検知感度が得られることがわかる。ま
た、パージガス流量を変動させて測定することを考慮し
ても、予備気密検査終了後、１時間以内で気密試験を終
了することが可能であり、従来に比べて試験時間を大幅
に短縮することができる。さらに、気密試験中も流通パ
ージと同様の状態になっているので、全体としてパージ
時間が長くなり、より清浄な内表面が得られるという副
次的効果も生まれる。Therefore, it can be seen that by using a highly sensitive oxygen concentration meter (detection sensitivity: 0.6 ppm), detection sensitivity equal to or higher than that of the conventional pressure standing method can be obtained. Further, even considering that the purge gas flow rate is varied and measured, the airtightness test can be completed within 1 hour after the completion of the preliminary airtightness test, and the test time can be significantly shortened compared to the conventional method. You can Further, since the state is the same as the flow purge during the air tightness test, the purge time is long as a whole, and a secondary effect that a cleaner inner surface is obtained is also produced.
【００４８】前記気密試験終了後は、従来の漏洩試験終
了後と同様の操作、すなわち、実ガス導入操作を行うこ
とにより、ガス供給を開始する準備が整ったことにな
り、ガス供給弁３９を開くことによってガス容器３２内
のガスをガス消費設備３１に供給することができる。こ
こまでに要する時間は全体として１時間乃至数時間であ
り、ガス供給の停止からガス供給準備完了までを、ガス
消費設備３１のメンテナンス時間（３〜８時間）内に終
了させることが可能となる。After the airtightness test is completed, the same operation as that after the conventional leakage test is completed, that is, the actual gas introduction operation is performed, and the preparation for starting the gas supply is completed, and the gas supply valve 39 is turned on. The gas in the gas container 32 can be supplied to the gas consuming facility 31 by opening. The time required up to here is 1 hour to several hours as a whole, and it is possible to complete the period from the stop of the gas supply to the completion of the gas supply preparation within the maintenance time (3 to 8 hours) of the gas consuming facility 31. .
【００４９】したがって、ガス消費設備３１のメンテナ
ンス中にガス容器３２の交換を行うように設定すること
により、前記除害装置３４には、ガス消費設備３１の稼
働中には、該ガス消費設備３１から排出される排ガス
（プロセスガス）のみが導入され、ガス容器３２の交換
の際には、パージ操作によって発生するパージ排ガスの
みが導入される状態となる。すなわち、プロセスガスの
除害処理とパージ排ガスの除害処理とを同時に行うこと
がないので、両ガスを同時に処理可能な能力を有する除
害装置３４を設置しなくても、通常用いられているプロ
セスガス用の除害装置で必要十分な除害処理を行うこと
ができ、従来のパージ排ガス用除害装置を省略して設備
コストや運転コストの低減を図ることができる。Therefore, by setting the gas container 32 to be replaced during the maintenance of the gas consuming facility 31, the abatement device 34 is provided with the gas consuming facility 31 while the gas consuming facility 31 is in operation. Only the exhaust gas (process gas) discharged from is introduced, and when the gas container 32 is replaced, only the purge exhaust gas generated by the purge operation is introduced. That is, since the process gas detoxification process and the purge exhaust gas detoxification process are not performed at the same time, it is usually used without installing the detoxification device 34 having the ability to process both gases at the same time. The process gas abatement device can perform a necessary and sufficient abatement process, and the conventional purge gas abatement device can be omitted to reduce equipment costs and operating costs.
【００５０】なお、除害装置３４の処理能力は、ガス容
器３２内のガス量に応じて決定すればよく、除害装置３
４の最適化が容易に行える。さらに、除害装置３４のメ
ンテナンス時期をあらかじめ設定することができるの
で、例えば、除害装置に設けられている吸着筒を切換式
にする必要が必ずしもなくなるので、除害装置３４その
ものをよりコンパクトにできる。The processing capacity of the abatement device 34 may be determined according to the amount of gas in the gas container 32.
4 can be optimized easily. Furthermore, since the maintenance time of the abatement device 34 can be set in advance, for example, it is not always necessary to make the adsorption cylinder provided in the abatement device a switching type, and therefore the abatement device 34 itself can be made more compact. it can.
【００５１】このように、ガス供給設備３３に装着する
ガス容器３２を１本だけにしても、ガス消費設備３１の
稼働率を低下させることなくガス容器３２の交換を行う
ことができ、しかも、これによってパージ対象配管の容
積が従来に比べて大幅に小さくなるので、パージ時間の
短縮やパージ排ガス量の低減も図れる。なお、ガス容器
３２の容積は、ガス消費設備３１のメンテナンス周期に
合わせて決定すればよく、ガス消費設備３１のメンテナ
ンス実施の周期が、ガス容器３２の交換周期よりも短く
なるようにすればよい。通常、多品種少量型の生産方式
では、従来の少品種大量生産と比較してガスの使用量が
少なく、ガス容器の交換周期が長くなるので、ガス容器
１本立てのガス供給設備３３は、多品種少量型の生産方
式におけるガス供給設備として最適といえる。As described above, even if only one gas container 32 is attached to the gas supply equipment 33, the gas container 32 can be replaced without lowering the operating rate of the gas consumption equipment 31, and As a result, the volume of the pipe to be purged is significantly reduced as compared with the conventional one, so that the purge time and the amount of purged exhaust gas can be shortened. The volume of the gas container 32 may be determined according to the maintenance cycle of the gas consumption facility 31, and the maintenance cycle of the gas consumption facility 31 may be shorter than the replacement cycle of the gas container 32. . Normally, in the multi-product small-quantity production method, the amount of gas used is smaller and the gas container replacement period is longer than in the conventional small-product mass production. It can be said that it is optimal as a gas supply facility in a small-volume production system.
【００５２】図４は、本発明の半導体装置の製造システ
ムの他の形態例を示す配管系統図であって、前記プロセ
スガス用除害ライン３７に設けられている真空ポンプ３
６を真空発生装置として使用するようにしたものであ
る。なお、前記形態例に示した製造システムの構成要素
と同一の構成要素には同一符号を付して詳細な説明は省
略する。FIG. 4 is a piping system diagram showing another embodiment of the semiconductor device manufacturing system of the present invention. The vacuum pump 3 provided in the process gas abatement line 37 is shown in FIG.
6 is used as a vacuum generator. The same components as those of the manufacturing system shown in the above-described embodiment are designated by the same reference numerals, and detailed description thereof will be omitted.
【００５３】本形態例において、ガス容器交換時におけ
る真空排気操作や流通パージで発生するパージ排ガス
は、真空ポンプ３６による排気作用により、ガス供給ラ
イン３５の排気切換弁４０からパージガス排気ライン４
４の分析切換弁４５及びパージ排ガス弁４４Ｖを経て真
空ポンプ３６の上流側、プロセスガス排気弁３７Ｖの下
流側でプロセスガス用除害ライン３７に流入し、除害装
置３４に導入される。In the present embodiment, the purge exhaust gas generated during the vacuum exhaust operation and the flow purge when the gas container is replaced is exhausted by the vacuum pump 36, and is discharged from the exhaust switching valve 40 of the gas supply line 35 to the purge gas exhaust line 4.
4 through the analysis switching valve 45 and the purge exhaust gas valve 44V, the upstream side of the vacuum pump 36 and the downstream side of the process gas exhaust valve 37V, flow into the process gas abatement line 37, and are introduced into the abatement device 34.
【００５４】なお、一つのガス消費設備３１に対して複
数のガス供給設備３３を設置して複数種類のガスを供給
することも可能である。この場合、各ガス供給設備にお
けるガス容器の交換周期をずらしたり、パージ操作の開
始時間を調節したりすることにより、複数のガス供給設
備３３からのパージ排ガスが除害装置３４に同時に流入
することを避けることができる。It is also possible to install a plurality of gas supply facilities 33 for one gas consumption facility 31 and supply a plurality of types of gas. In this case, the purge exhaust gas from a plurality of gas supply facilities 33 may flow into the abatement device 34 at the same time by shifting the gas container replacement cycle in each gas supply facility or adjusting the start time of the purge operation. Can be avoided.
【００５５】[0055]
【実施例】実施例１
１台の酸化膜エッチング装置に向けてガス供給を行うガ
ス供給設備として、Ｃ ４Ｆ８及びＣ５Ｆ８をそれぞれ供
給するためのシリンダーキャビネット各１台を作製し
た。シリンダーキャビネット内のガスフローは、図１に
示したものと同様とした。[Example] Example 1
Gas supply to one oxide film etching device
As a supply facility, C FourF8And C5F8With each
I made one cylinder cabinet for each
It was The gas flow in the cylinder cabinet is shown in Fig. 1.
Same as shown.
【００５６】まず、ガス容器交換後のパージ条件を求め
た。条件を求める際には、ガス容器をシリンダーキャビ
ネットに取付けた後、配管ライン内に残存する酸素及び
水分濃度が１０ｐｐｂ未満になった時点をパージ完了と
し、パージ完了を確認するまでの時間とパージに必要な
窒素ガス（パージガス）量とを求めた。パージ方法とし
ては、バッチパージと流通パージとがあるが、それぞれ
の方法単独の場合及び双方を組み合わせた場合で比較し
た。なお、パージ対象配管系の容積は２０ｃｃである。First, the purging conditions after the replacement of the gas container were determined. When determining the conditions, after the gas container is attached to the cylinder cabinet, the purge is completed when the oxygen and water concentrations remaining in the piping line become less than 10 ppb. The required amount of nitrogen gas (purge gas) was determined. The purging methods include batch purging and flow purging, and comparisons were made for each method alone and for a combination of both methods. The volume of the purging target piping system is 20 cc.
【００５７】使用窒素ガス量は、バッチパージを１０回
行った後、４．２Ｌ／分の流量で流通パージを２分間行
った場合が最も少なく、かつ、残存不純物が１０ｐｐｂ
未満となった。このときのパージ時間は７分であった。The amount of nitrogen gas used was the smallest when the batch purge was performed 10 times and then the flow purge was performed for 2 minutes at a flow rate of 4.2 L / min, and the residual impurities were 10 ppb.
Was less than. The purge time at this time was 7 minutes.
【００５８】同様にしてガス容器交換前のパージ条件を
求めた。このとき、パージ完了は、Ｃ４Ｆ８のガス濃度
が１０ｐｐｂ未満となる時点とした。使用窒素ガス量が
最も少なくなるのは、バッチパージを２５回行った後、
４．２Ｌ／分の流量で流通パージを２分間行った場合で
あった。また、このパージ時間は２７分であった。Similarly, the purging conditions before the replacement of the gas container were obtained. At this time, the purging was completed when the gas concentration of C 4 F 8 became less than 10 ppb. The amount of nitrogen gas used is the smallest, after performing 25 batch purges,
This was the case when the flow purge was performed for 2 minutes at a flow rate of 4.2 L / min. The purging time was 27 minutes.
【００５９】次に、ガス供給停止後からガス供給開始ま
での時間を求めた。ガス供給停止から供給開始の間にガ
ス容器の交換を行う。ガス容器交換の手順には、容器
取り外し前パージ、容器交換、高圧気密試験、ガ
ス供給系内部リーク有無確認、容器交換後パージ、
酸素濃度計測法による気密試験、実ガス置換パージの
７工程がある。測定の結果、以上の７工程の総時間は６
９分であった。ここで、酸化膜エッチング装置の定期メ
ンテナンス時間は、通常約３時間であるから、ガス容器
の交換作業を酸化膜エッチング装置のメンテナンス時間
内で行えることが判明した。これにより、従来では別途
設けていたシリンダー交換用除害装置を省略できること
が判明した。なお、１回のガス容器交換で使用した窒素
ガス量は２５Ｌであった。Next, the time from the stop of gas supply to the start of gas supply was determined. The gas container is replaced between the gas supply stop and the gas supply start. Procedures for gas container replacement include purging before container removal, container replacement, high-pressure airtight test, confirmation of leak inside gas supply system, purging after container replacement,
There are seven steps of airtightness test by oxygen concentration measurement method and actual gas replacement purge. As a result of the measurement, the total time of the above 7 steps is 6
It was 9 minutes. Here, since the periodic maintenance time of the oxide film etching apparatus is usually about 3 hours, it was found that the gas container replacement work can be performed within the maintenance time of the oxide film etching apparatus. As a result, it has been found that a cylinder replacement abatement device, which has been separately provided, can be omitted. The amount of nitrogen gas used for one gas container exchange was 25 L.
【００６０】前記シリンダーキャビネットを酸化膜エッ
チング装置を設置した場所の地階に設置した。設置のた
めに要した面積（フットプリント）は合計で約０．８ｍ
２であり、従来の２本立てのシリンダーキャビネットを
設置する場合のコスト（シリンダーキャビネット本体価
格、配管加工費、検査費）を１００とした場合、本実施
例のものは６５となった。The cylinder cabinet was installed in the basement at the place where the oxide film etching apparatus was installed. The total area (footprint) required for installation is about 0.8m
2 , and the cost for installing a conventional double-standing cylinder cabinet (cylinder cabinet main body price, piping processing cost, inspection cost) was 65 for this example.
【００６１】比較例１
実施例１と同じ条件でガス供給を行うガス供給設備とし
て、図５に示したような構成のシリンダーキャビネット
各１台を作製した。シリンダーキャビネット内のガスフ
ローは、図５に示したように、２本のガス容器を１台の
キャビネットに入れたものである。Comparative Example 1 As a gas supply facility for supplying gas under the same conditions as in Example 1, one cylinder cabinet each having the structure shown in FIG. 5 was produced. The gas flow in the cylinder cabinet is such that two gas containers are put in one cabinet as shown in FIG.
【００６２】まず、実施例１と同様に、容器交換後パー
ジ条件を求めた。パージ方法はバッチパージ単独とし
た。なお、パージ対象配管系の容積は２０ｃｃである。
残存不純物濃度は、バッチパージを３０回行った後、１
０ｐｐｂ未満となった。このときのパージ時間は約２８
分間であった。First, in the same manner as in Example 1, the purge conditions were determined after the container was replaced. The purging method was batch purging alone. The volume of the purging target piping system is 20 cc.
The residual impurity concentration was 1 after performing 30 batch purges.
It was less than 0 ppb. The purge time at this time is about 28
It was a minute.
【００６３】同様にして容器交換前パージ条件を求め
た。このとき、パージ完了は、Ｃ４Ｆ ８のガス濃度が１
０ｐｐｂ未満となる時点とした。Ｃ４Ｆ８のガス濃度が
１０ｐｐｂ未満となるのは、バッチパージを６０回行っ
た後であり、このパージに要した時間は４２分であっ
た。In the same manner, the purging conditions before container replacement were determined.
It was At this time, the purge completion is CFourF 8Gas concentration is 1
The time was set to be less than 0 ppb. CFourF8The gas concentration of
Batch purging is performed 60 times when the value is less than 10 ppb.
It took about 42 minutes to complete this purge.
It was
【００６４】次に、ガス供給停止後からガス供給開始ま
での時間を求めた。ガス供給停止から供給開始の間に、
ガス容器交換を行う。ガス容器交換の手順には、容器
取り外し前パージ、容器交換、高圧気密試験、ガ
ス供給系内部リーク有無確認、容器交換後パージ、
実ガス置換パージの６工程がある。以上の６工程の総時
間は８２０分であった。なお、１回の容器交換で使用し
た窒素ガス量は約１６Ｌであった。Next, the time from the stop of gas supply to the start of gas supply was determined. From the gas supply stop to the supply start,
Replace the gas container. Procedures for gas container replacement include purging before container removal, container replacement, high-pressure airtight test, confirmation of leak inside gas supply system, purging after container replacement,
There are 6 steps of actual gas replacement purge. The total time of the above 6 steps was 820 minutes. The amount of nitrogen gas used for one container exchange was about 16 L.
【００６５】前記シリンダーキャビネットを酸化膜エッ
チング装置設置階の地階に設置した。設置のために要し
た面積（フットプリント）は約１．９ｍ２であり、さら
に、このシリンダーキャビネットを設置する場合のコス
ト（シリンダーキャビネット本体価格、配管加工費、検
査費）に加えて除害装置費用及び設置面積が別途必要と
なる。The cylinder cabinet was installed on the basement floor where the oxide film etching apparatus was installed. The area (footprint) required for installation is about 1.9 m 2 , and in addition to the cost (cylinder cabinet main body price, piping processing cost, inspection cost) when installing this cylinder cabinet, the abatement device Cost and installation area are required separately.
【００６６】実施例２
２００ｍｍウェハを月産２５００枚生産可能な工場に設
置された減圧ＣＶＤ装置４台向けのガス供給設備とし
て、ＰＨ３ガス及びＳｉＨ４ガス用のシリンダーキャビ
ネットをそれぞれ４台作製し、各減圧ＣＶＤ装置に対し
て独立した状態で接続した。各シリンダーキャビネット
内のガスフローは図１に示した通りであり、容器交換頻
度は、１回／月となるようにガスを充填している。Example 2 Four cylinder cabinets for PH 3 gas and 4 cylinder chambers for SiH 4 gas were prepared as gas supply equipment for four low pressure CVD devices installed in a factory capable of producing 2500 200 mm wafers per month. , Each reduced pressure CVD apparatus was connected independently. The gas flow in each cylinder cabinet is as shown in FIG. 1, and the gas is filled so that the container replacement frequency is once / month.
【００６７】実施例１と同様に、ガス容器交換作業の総
時間を算出した。ガス容器交換及びその前後のパージ工
程は、前述の通りであり、その総時間は、４９分であっ
た。減圧ＣＶＤ装置の定期メンテナンス周期は１回／２
週間であるので、２回毎の定期メンテナンス時にガス容
器を交換することが可能であり、これによって、それぞ
れの減圧ＣＶＤ装置に対して１本のガス容器でもガスを
切らすことなく、かつ、除害装置を別途設ける必要もな
く、ガスが安全に供給できることが明らかになった。As in Example 1, the total time for gas container replacement work was calculated. The gas container replacement and the purging process before and after the gas container replacement were as described above, and the total time was 49 minutes. Regular maintenance cycle of low pressure CVD equipment is once / 2
Since it is a week, it is possible to replace the gas container at the time of regular maintenance every two times, so that the gas can be removed from each decompression CVD apparatus without running out of gas even with one gas container. It became clear that the gas can be supplied safely without the need for a separate device.
【００６８】前記シリンダーキャビネットを減圧ＣＶＤ
装置設置階の地階に設置した。設置のために要した面積
（フットプリント）は合計で約３．０ｍ２であり、従来
の２本立てシリンダーキャビネットを設置する場合のコ
スト（シリンダーキャビネット本体価格、配管加工費、
検査費）を１００とした場合、本実施例では４９となっ
た。また、設置後、シリンダーキャビネットから減圧Ｃ
ＶＤ装置までのガス配管及び信号ラインの付設のために
要した期間は３日であった。シリンダーキャビネットに
容器を接続してから、ＳｉＨ４等のガスを装置へ供給で
きる状態になるまでの期間は１日であった。すなわち、
ガス配管及び信号ラインの接続工事開始から約４日でガ
スが供給できた。The cylinder cabinet is vacuum-deposited by CVD.
It was installed on the basement floor of the equipment installation floor. The total area (footprint) required for installation is about 3.0 m 2 , and the cost for installing a conventional two-stand cylinder cabinet (cylinder cabinet price, piping processing cost,
When the inspection cost) was set to 100, it was 49 in this example. Also, after installation, depressurize C from the cylinder cabinet.
The period required to attach the gas pipes to the VD device and the signal line was 3 days. The period from the time when the container was connected to the cylinder cabinet to the time when a gas such as SiH 4 could be supplied to the apparatus was one day. That is,
Gas was able to be supplied in about 4 days after the start of the connection work for the gas pipes and signal lines.
【００６９】比較例２
実施例２と同様の減圧ＣＶＤ装置４台向けのガス供給設
備として、ＰＨ３ガス及びＳｉＨ４ガス用のシリンダー
キャビネットをそれぞれ２台作製し、シリンダーキャビ
ネット１台から２台の減圧ＣＶＤ装置にガスを供給する
ため、両者を切換弁装置を介して接続した。各シリンダ
ーキャビネット内のガスフローは図５に示した通りであ
り、容器交換頻度は１回／月となるようにしている。Comparative Example 2 As gas supply equipment for four low-pressure CVD apparatuses similar to those in Example 2, two cylinder cabinets for PH 3 gas and two cylinder cabinets for SiH 4 gas were prepared, and one to two cylinder cabinets were prepared. In order to supply gas to the low pressure CVD apparatus, both were connected via a switching valve device. The gas flow in each cylinder cabinet is as shown in FIG. 5, and the container replacement frequency is set to once / month.
【００７０】比較例１と同様に、ガス容器交換作業の総
時間を算出した。ガス容器交換及びその前後のパージ工
程は前述の通りであり、その総時間は７６５分であった
前記シリンダーキャビネットを減圧ＣＶＤ装置設置階の
地階に設置した。設置のために要した面積（フットプリ
ント）は合計で約３．７８ｍ２であり、従来のシリンダ
ーキャビネットを設置する場合のコスト（シリンダーキ
ャビネット本体価格、配管加工費、検査費）の他に、除
害装置コストが必要であった。また、設置後、シリンダ
ーキャビネットから減圧ＣＶＤ装置までのガス配管及び
信号ラインの付設のために要した期間は６日であり、さ
らに、シリンダーキャビネットに容器を接続してから、
ＳｉＨ４等のガスを装置へ供給できる状態になるまでの
期間として２日を要したため、ガス配管及び信号ライン
接続工事開始から約８日の期間を要した。As in Comparative Example 1, the total time for gas container replacement work was calculated. The gas container replacement and the purging process before and after the gas container replacement were as described above, and the total time was 765 minutes. The cylinder cabinet was installed on the basement floor of the low pressure CVD apparatus installation floor. The total area (footprint) required for installation is approximately 3.78 m 2 , and in addition to the cost (cylinder cabinet body price, piping processing cost, inspection cost) when installing a conventional cylinder cabinet, Harm equipment cost was required. Also, after installation, the period required to attach the gas pipes and signal lines from the cylinder cabinet to the low pressure CVD device was 6 days, and after connecting the container to the cylinder cabinet,
Since it took two days until the gas such as SiH 4 could be supplied to the apparatus, it took about eight days from the start of the gas pipe and signal line connection work.
【００７１】[0071]
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
従来設置していたシリンダーキャビネット専用の除害装
置を省略することができるので、除害装置のコスト削減
に加え、ガス容器１本立ての採用によるコスト削減も行
える。As described above, according to the present invention,
Since the abatement device dedicated to the cylinder cabinet, which has been conventionally installed, can be omitted, in addition to the cost reduction of the abatement device, the cost reduction can be achieved by adopting one gas container stand.
【００７２】また、従来のシリンダーキャビネット専用
の除害装置は、筐体によって囲まれ、この筐体内を常に
負圧になるように排気されていたので、クリーンルーム
内のクリーンエアーを消費していたが、除害装置をプロ
セスガス用と共用することによってクリーンルーム内の
クリーンエアーの浪費を削減することができる。Further, since the conventional detoxifying device for exclusive use of the cylinder cabinet is surrounded by the casing and exhausted so that the inside of the casing is always at a negative pressure, the clean air in the clean room is consumed. By using the detoxifying device for the process gas as well, waste of clean air in the clean room can be reduced.
【００７３】さらに、ガス容器１本立てのガス供給設備
（シリンダーキャビネット）を採用することにより、ガ
ス容器２本立てのシリンダーキャビネットに比べて、半
導体装置の製造システム立ち上げ時における配管接続等
の工事に掛かる時間が短縮され、短納期にて工場を立ち
上げることが可能となる。Further, by adopting a gas supply facility (cylinder cabinet) with one gas container, compared to a cylinder cabinet with two gas containers, it is possible to carry out work such as piping connection at the time of starting up the semiconductor device manufacturing system. The time will be shortened and it will be possible to set up the factory in a short delivery time.
【００７４】特に、本発明は、多品種少量型の生産方式
で生産するような、製品製作期間のライフタイムが短い
ものに対して最適である。In particular, the present invention is most suitable for a product having a short product manufacturing period, which is produced by a high-mix low-volume production system.
【図１】 本発明の半導体装置の製造システムの一形態
例を示す配管系統図である。FIG. 1 is a piping system diagram showing one example of a semiconductor device manufacturing system according to the present invention.
【図２】 本発明の半導体装置の製造システムで使用す
るガス容器の容器弁として好適な構造の容器弁の例を示
す概略縦断面図である。FIG. 2 is a schematic vertical cross-sectional view showing an example of a container valve having a structure suitable as a container valve of a gas container used in the semiconductor device manufacturing system of the present invention.
【図３】 図２のIII−III線断面図である。3 is a sectional view taken along line III-III in FIG.
【図４】 本発明の半導体装置の製造システムの他の形
態例を示す配管系統図である。FIG. 4 is a piping system diagram showing another embodiment of the semiconductor device manufacturing system of the present invention.
【図５】 従来の半導体装置の製造システムにおけるガ
ス供給例を示す配管系統図である。FIG. 5 is a piping system diagram showing an example of gas supply in a conventional semiconductor device manufacturing system.
３１…ガス消費設備、３２…ガス容器、３３…ガス供給
設備、３４…除害装置、３５…ガス供給ライン、３６…
真空ポンプ、３７…プロセスガス用除害ライン、３７Ｖ
…プロセスガス排気弁、３８…容器弁、３９…ガス供給
弁、４０…排気切換弁、４１…流量調節器、４２…パー
ジガス導入ライン、４２Ｖ…パージ弁、４３…真空発生
装置、４３Ｖ…真空作動弁４３Ｖ、４４…パージガス排
気ライン、４４Ｖ…パージ排ガス弁、４５…分析切換
弁、４６…分析ライン、４７…分析計、５１…ガス容器
装着部、５２…弁室、５３…内部側ガス流路、５４…ガ
ス供給口、５５…パージガス流入口、５６…弁シート、
５７…ダイヤフラム、５８…開閉機構31 ... Gas consumption equipment, 32 ... Gas container, 33 ... Gas supply equipment, 34 ... Harm removal device, 35 ... Gas supply line, 36 ...
Vacuum pump, 37 ... Process gas removal line, 37V
... Process gas exhaust valve, 38 ... Vessel valve, 39 ... Gas supply valve, 40 ... Exhaust switching valve, 41 ... Flow rate controller, 42 ... Purge gas introduction line, 42V ... Purge valve, 43 ... Vacuum generator, 43V ... Vacuum operation Valves 43V, 44 ... Purge gas exhaust line, 44V ... Purge exhaust gas valve, 45 ... Analysis switching valve, 46 ... Analysis line, 47 ... Analyzer, 51 ... Gas container mounting part, 52 ... Valve chamber, 53 ... Internal gas flow path , 54 ... Gas supply port, 55 ... Purge gas inlet port, 56 ... Valve seat,
57 ... diaphragm, 58 ... opening / closing mechanism
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 石原 良夫 東京都港区西新橋１−16−７ 日本酸素株 式会社内 Ｆターム(参考） 3J071 AA02 BB14 CC02 EE02 FF03 FF11 4G068 AA03 AA04 AB04 AC05 AD40 AF02 AF20 AF29 4K030 AA06 BA26 BA29 EA12 5F045 BB08 EE01 EG07 ─────────────────────────────────────────────────── ─── Continued front page (72) Inventor Yoshio Ishihara 1-16-7 Nishi-Shimbashi, Minato-ku, Tokyo Japan Oxygen Stock Inside the company F term (reference) 3J071 AA02 BB14 CC02 EE02 FF03 FF11 4G068 AA03 AA04 AB04 AC05 AD40 AF02 AF20 AF29 4K030 AA06 BA26 BA29 EA12 5F045 BB08 EE01 EG07
Claims (8)
するガス消費設備と、ガス容器内に充填されたガスを前
記ガス消費設備に供給するガス供給設備と、前記ガス消
費設備から排出された有害成分の除害処理を行う除害設
備とを備えた半導体装置の製造システムにおいて、ガス
供給設備とガス消費設備とをガス供給ラインで接続し、
ガス消費設備と除害設備とを真空ポンプを備えたプロセ
スガス用除害ラインで接続するとともに、前記ガス供給
ラインから分岐して設けられたパージガス排気ラインの
下流側を、前記プロセスガス用除害ラインに接続したこ
とを特徴とする半導体装置の製造システム。1. A gas consumption facility that uses at least one kind of harmful component gas, a gas supply facility that supplies the gas filled in a gas container to the gas consumption facility, and a harmful substance discharged from the gas consumption facility. In a semiconductor device manufacturing system equipped with a detoxification equipment for detoxifying components, a gas supply equipment and a gas consumption equipment are connected by a gas supply line,
The gas consumption facility and the abatement facility are connected by a process gas abatement line equipped with a vacuum pump, and the downstream side of a purge gas exhaust line branched from the gas supply line is used for the aforesaid process gas abatement. A semiconductor device manufacturing system characterized by being connected to a line.
場合は、各ガス消費設備の各々に、他のガス消費設備か
らは切り離した状態で前記ガス供給設備をそれぞれ設置
するとともに、該ガス供給設備のガス供給ラインから分
岐した前記パージガス排気ラインの下流側を、該ガス供
給設備からガス供給を行うガス消費設備に付属する前記
プロセスガス用除害ラインに接続したことを特徴とする
請求項１記載の半導体装置の製造システム。2. When a plurality of gas consumption facilities are installed, the gas supply facility is installed in each of the gas consumption facilities in a state of being separated from other gas consumption facilities, and the gas supply is performed. The downstream side of the purge gas exhaust line branched from the gas supply line of the facility is connected to the process gas detoxification line attached to the gas consuming facility for supplying gas from the gas supply facility. A manufacturing system for a semiconductor device as described above.
インは、除害方式に応じて一つ以上がガス消費設備に付
属して設けられ、該ガス消費設備に接続する前記ガス供
給ラインから分岐した前記パージガス排気ラインの下流
側は、該パージガス排気ラインから排出される有害成分
の除害方式に対応した除害装置のプロセスガス用除害ラ
インに接続していることを特徴とする請求項１記載の半
導体装置の製造システム。3. One or more of the abatement device and the process gas abatement line are attached to the gas consuming facility according to the abatement method, and are connected to the gas consuming facility from the gas supply line. The downstream side of the branched purge gas exhaust line is connected to a process gas abatement line of the abatement device corresponding to the abatement method of the harmful components discharged from the purge gas exhaust line. 1. A semiconductor device manufacturing system according to 1.
セスガス用除害ラインの前記真空ポンプの上流側に接続
していることを特徴とする請求項１記載の半導体装置の
製造システム。4. The semiconductor device manufacturing system according to claim 1, wherein the purge gas exhaust line is connected to an upstream side of the vacuum pump of the process gas removal line.
供給ラインからパージ排ガスを吸引する真空発生装置を
備えており、該パージガス排気ラインの下流側が前記プ
ロセスガス用除害ラインの前記真空ポンプの下流側に接
続していることを特徴とする請求項１記載の半導体装置
の製造システム。5. The purge gas exhaust line includes a vacuum generator that sucks purge exhaust gas from the gas supply line, and the downstream side of the purge gas exhaust line is downstream of the vacuum pump of the process gas removal line. 2. The semiconductor device manufacturing system according to claim 1, wherein the semiconductor device manufacturing system is connected to.
交換使用するように形成されていることを特徴とする請
求項１記載の半導体装置の製造システム。6. The semiconductor device manufacturing system according to claim 1, wherein the gas supply facility is formed so as to exchange and use one gas container.
でパージガス流入口とガス供給口とが連通し、容器弁を
閉止した状態でパージガス流入口からガス供給口にパー
ジガスを流通可能な構造を有しており、前記パージガス
流入口にパージガス導入ラインを接続し、前記ガス供給
口に前記ガス供給ラインを接続し、該ガス供給ラインの
末端に設けられたガス供給弁の上流側から前記パージガ
ス排気ラインを分岐させるとともに、該パージガス排気
ラインを流れるパージ排ガス中の大気成分濃度を測定す
る大気成分濃度測定手段を設けたことを特徴とする請求
項１記載の半導体装置の製造システム。7. The container valve of the gas container is such that the purge gas inflow port and the gas supply port communicate with each other in the container valve chamber, and the purge gas can flow from the purge gas inflow port to the gas supply port with the container valve closed. The structure has a structure, a purge gas inlet line is connected to the purge gas inlet, the gas supply line is connected to the gas supply port, and the gas supply valve is provided from the upstream side of the gas supply valve provided at the end of the gas supply line. 2. The system for manufacturing a semiconductor device according to claim 1, further comprising an atmospheric component concentration measuring means for branching the purge gas exhaust line and measuring the atmospheric component concentration in the purge exhaust gas flowing through the purge gas exhaust line.
ムにおけるガス供給方法であって、前記ガス供給設備に
おけるガス容器の交換を、該ガス供給設備からガス供給
を行う前記ガス消費設備の停止時に前記ガス供給弁を閉
じた状態で行った後、前記パージガス導入ラインから前
記パージガス流入口を経て前記容器弁に供給され、該容
器弁の前記ガス供給口から前記ガス供給ラインに流出し
たパージ排ガスを前記パージガス排気ラインに排出する
とともに、該パージ排ガスの少なくとも一部を前記大気
成分濃度測定手段に導入して大気成分濃度を測定するこ
とにより漏洩検査を行い、該漏洩検査で漏洩が検出され
なかったときに前記パージガスの導入を停止して前記ガ
ス容器内のガスを前記ガス消費設備に供給するための操
作を開始することを特徴とするガス供給方法。8. The gas supply method in the semiconductor device manufacturing system according to claim 7, wherein the gas container in the gas supply facility is replaced when the gas consumption facility for supplying gas from the gas supply facility is stopped. After the gas supply valve is closed, the purge gas introduced from the purge gas introduction line to the container valve via the purge gas inlet is discharged from the gas supply port of the container valve to the gas supply line. A leak test was performed by discharging at least a part of the purge exhaust gas to the atmospheric component concentration measuring means and measuring the atmospheric component concentration while discharging it to the purge gas exhaust line, and no leak was detected in the leak inspection. Sometimes the introduction of the purge gas is stopped and the operation for supplying the gas in the gas container to the gas consuming facility is started. Characteristic gas supply method.
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Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006329422A (en) * | 2005-05-13 | 2006-12-07 | Air Products & Chemicals Inc | Enhanced purge effect in gas conduit |
| WO2007091583A1 (en) * | 2006-02-07 | 2007-08-16 | Toyo Tanso Co., Ltd. | Semiconductor production plant |
| JP2009097573A (en) * | 2007-10-15 | 2009-05-07 | Air Liquide Japan Ltd | Gas supply system |
| WO2011027565A1 (en) * | 2009-09-04 | 2011-03-10 | 東洋炭素株式会社 | Gas supply system |
| US8457855B2 (en) | 2009-05-25 | 2013-06-04 | Nissan Motor Co., Ltd. | Accelerator reaction force control apparatus |
| KR20160014474A (en) * | 2014-07-29 | 2016-02-11 | 삼성전자주식회사 | Method of automatic inspection to gas internal leak and method of LED chip manufacture |
| JP2022058860A (en) * | 2015-10-20 | 2022-04-12 | ラム リサーチ コーポレーション | Wafer transfer assembly having integration buffer |
| WO2022230766A1 (en) * | 2021-04-28 | 2022-11-03 | エドワーズ株式会社 | Gas processing system |
| JP7493543B2 (en) | 2021-04-28 | 2024-05-31 | エドワーズ株式会社 | Gas Processing Systems |
-
2002
- 2002-02-28 JP JP2002054197A patent/JP2003257870A/en active Pending
Cited By (19)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2010207812A (en) * | 2005-05-13 | 2010-09-24 | Air Products & Chemicals Inc | Enhanced purge effect in gas conduit |
| JP2006329422A (en) * | 2005-05-13 | 2006-12-07 | Air Products & Chemicals Inc | Enhanced purge effect in gas conduit |
| JP4559382B2 (en) * | 2005-05-13 | 2010-10-06 | エア プロダクツ アンド ケミカルズ インコーポレイテッド | Improved purge effect in gas conduits |
| KR101230207B1 (en) | 2006-02-07 | 2013-02-05 | 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 | Semiconductor production plant |
| WO2007091583A1 (en) * | 2006-02-07 | 2007-08-16 | Toyo Tanso Co., Ltd. | Semiconductor production plant |
| US8387559B2 (en) | 2006-02-07 | 2013-03-05 | Toyo Tanso Co., Ltd. | Semiconductor manufacturing plant |
| JP2009097573A (en) * | 2007-10-15 | 2009-05-07 | Air Liquide Japan Ltd | Gas supply system |
| US8457855B2 (en) | 2009-05-25 | 2013-06-04 | Nissan Motor Co., Ltd. | Accelerator reaction force control apparatus |
| CN102597311A (en) * | 2009-09-04 | 2012-07-18 | 东洋炭素株式会社 | Gas supply system |
| JP2011052314A (en) * | 2009-09-04 | 2011-03-17 | Toyo Tanso Kk | Gas supply system |
| WO2011027565A1 (en) * | 2009-09-04 | 2011-03-10 | 東洋炭素株式会社 | Gas supply system |
| CN102597311B (en) * | 2009-09-04 | 2014-07-02 | 东洋炭素株式会社 | Gas supply system |
| US9109288B2 (en) | 2009-09-04 | 2015-08-18 | Toyo Tanso Co., Ltd. | Gas supply system |
| KR20160014474A (en) * | 2014-07-29 | 2016-02-11 | 삼성전자주식회사 | Method of automatic inspection to gas internal leak and method of LED chip manufacture |
| KR102379164B1 (en) | 2014-07-29 | 2022-03-25 | 삼성전자주식회사 | Method of automatic inspection to gas internal leak and method of LED chip manufacture |
| JP2022058860A (en) * | 2015-10-20 | 2022-04-12 | ラム リサーチ コーポレーション | Wafer transfer assembly having integration buffer |
| JP7404412B2 (en) | 2015-10-20 | 2023-12-25 | ラム リサーチ コーポレーション | Wafer transfer assembly with integrated buffer |
| WO2022230766A1 (en) * | 2021-04-28 | 2022-11-03 | エドワーズ株式会社 | Gas processing system |
| JP7493543B2 (en) | 2021-04-28 | 2024-05-31 | エドワーズ株式会社 | Gas Processing Systems |
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