KR20050028943A - System for controling pressure of low pressure-chemical vapor deposition equipment - Google Patents
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Abstract
Description
본 발명은 저압화학기상증착장치에 관한 것으로서, 더 상세하게는 챔버 내부의 압력을 조절하는 압력조절 시스템에 관한 것이다.The present invention relates to a low pressure chemical vapor deposition apparatus, and more particularly to a pressure control system for regulating the pressure inside the chamber.
일반적으로 반도체 제조 공정은 증착 공정, 사진 공정, 식각공정 및 이온주입 공정 등의 일련의 단위 공정으로 이루어진다.In general, the semiconductor manufacturing process consists of a series of unit processes, such as a deposition process, a photographic process, an etching process, and an ion implantation process.
상기 증착 공정은 예컨대, 화학 기상 증착 장치(Chemical Vapour Deposition system), 확산로(diffusion furnace) 등과 같은 챔버 장치를 이용하는 공정이 다수 존재한다. 그중 저압 화학기상증착(Low Pressure-Chemical Vapour Deposition; 이하 “LP-CVD”라 한다) 공정은 특정의 반응 기체들을 반응 튜브속에 계속 투입하면서 적절한 조건을 유지시켜 줌으로써 고체상의 물질을 웨이퍼 표면에 증착시키는 것을 말한다. 상기 챔버 장치는 압력 센서 및 펌프(pump)를 장착하여 공정에서 요구되는 챔버 내의 기압을 균일하고 정밀하게 유지시켜야만 한다.The deposition process, for example, there are a number of processes using a chamber apparatus such as a chemical vapor deposition system, a diffusion furnace, and the like. Among them, Low Pressure-Chemical Vapor Deposition (LP-CVD) is a process that deposits a solid material on the wafer surface by maintaining specific conditions while continuing to introduce certain reaction gases into the reaction tube. Say that. The chamber device must be equipped with a pressure sensor and a pump to maintain a uniform and precise pressure in the chamber required for the process.
이하, 도면을 참조하여 일반적인 저압 화학기상증착장치를 설명하면 다음과 같다.Hereinafter, a general low pressure chemical vapor deposition apparatus will be described with reference to the accompanying drawings.
도 1은 일반적인 저압 화학기상증착장치의 구성을 개략적으로 나타낸 도면이다.1 is a view schematically showing the configuration of a general low pressure chemical vapor deposition apparatus.
도 1에 도시한 바와 같이, 저압 화학기상증착장치는 증착 공정의 진행시 필요한 반응 가스를 공급하는 가스공급부(1)와, 상기 반응 가스를 이용하여 실제 웨이퍼 상에 증착 공정이 이루어지는 챔버(2)와, 상기 웨이퍼의 증착 공정 조건을 만들기 위해 상기 챔버(2) 내부의 압력을 진공으로 만들고, 상기 증착 공정 시 상기 챔버(2) 내부의 압력을 일정하게 유지하도록 펌핑하는 배기부(3)로 구성된다.As shown in FIG. 1, a low pressure chemical vapor deposition apparatus includes a gas supply unit 1 for supplying a reaction gas necessary for the progress of a deposition process, and a chamber 2 in which a deposition process is performed on an actual wafer using the reaction gas. And an exhaust part 3 which pumps the pressure inside the chamber 2 into a vacuum to make the deposition process conditions of the wafer, and maintains the pressure inside the chamber 2 constant during the deposition process. do.
여기서, 상기 가스 공급부(1)는 상기 웨이퍼 상에 증착되는 물질을 함유하는 상기 반응가스와 불활성 기체를 상기 챔버(2) 내부로 일정한 유량으로 공급한다. 이때, 상기 반응가스는 3SiH2Cl2 +4NH3 가스를 사용하며, 상기 웨이퍼 표면에 실리콘 질화막을 형성시킨다.Here, the gas supply unit 1 supplies the reaction gas and the inert gas containing the material deposited on the wafer at a constant flow rate into the chamber 2. In this case, 3SiH 2 Cl 2 + 4NH 3 gas is used as the reaction gas, and a silicon nitride film is formed on the wafer surface.
또한, 상기 챔버(2)는 상기 반응가스를 일정한 온도 및 압력에서 증착 공정 조건에 따라 상기 웨이퍼 상에 균일한 상기 실리콘 질화막을 형성할 수 있도록 분위기를 제공한다.In addition, the chamber 2 provides an atmosphere to form the silicon nitride film uniformly on the wafer according to the deposition process conditions of the reaction gas at a constant temperature and pressure.
따라서, 저압 화학기상증착장치는 챔버(2) 내부에서 일정한 온도 및 압력의 증착 조건으로 상기 웨이퍼 상에 박막을 형성할 수 있다.Therefore, the low pressure chemical vapor deposition apparatus can form a thin film on the wafer under the deposition conditions of a constant temperature and pressure inside the chamber 2.
이때, 상기 배기부(3)는 상기 챔버(2) 내부의 압력을 균일하게 유지하기 위해 다음과 같이 구성되어 있다. 상기 챔버(2) 내부에 웨이퍼를 로딩/언로딩할 경우 제 1 배기관(3a)을 통해 상압 상태의 상기 챔버(2) 내부 진공도를 감지하는 고압 바라트론 센서(4)와, 상기 웨이퍼 상에 박막을 형성할 경우 저압 상태의 상기 챔버(2) 내부의 진공도를 감지하는 저압 바라트론 센서(5)와, 저압 바라트론 센서(5)의 압력 감지신호로부터 상기 챔버(2)를 저압으로 균일하게 유지하는 위한 자동압력조절밸브(6)와, 상기 챔버(2) 내부의 반응 가스 및 잔류 가스를 펌핑하는 진공펌프(7)와, 상기 진공펌프(7)에 의해 배기되는 상기 반응 가스 및 잔류 가스를 흡수하여 세정 후 가연 배기하는 스크러버(8)와, 상기 챔버(2) 내부에 상기 웨이퍼를 로딩 후 상기 상압 바라트론 센서(4)의 감지신호를 이용하여 상기 대기압을 저압의 진공으로 만들기 위해 상기 자동압력조절밸브를 보호하도록 상기 제 1 배기관(3a)으로부터 분기되는 제 2 배기관(3b)에 형성된 러핑 밸브(9)와, 상기 챔버(2) 내부로부터 상기 웨이퍼를 언로딩할 경우 저압의 진공에서 대기압에 도달 시 상기 대기압을 감지하는 대기압 감지 센서(10)와, 상기 대기압 감지 센서(6)의 대기압 감지 신호를 이용하여 제 3 배기관(3c)을 통하여 상기 스크러버(8)로 상기 반응가스를 배출하는 서브 밸브(8)를 포함하여 이루어진다.At this time, the exhaust part 3 is configured as follows to maintain the pressure inside the chamber 2 uniformly. When the wafer is loaded / unloaded inside the chamber 2, a high-pressure baratron sensor 4 for detecting the vacuum degree inside the chamber 2 at an atmospheric pressure state through the first exhaust pipe 3a and a thin film on the wafer. In the case of forming a low pressure baratron sensor 5 for detecting the vacuum degree inside the chamber 2 in a low pressure state, and the chamber 2 is uniformly maintained at low pressure from the pressure detection signal of the low pressure baratron sensor 5. An automatic pressure regulating valve (6), a vacuum pump (7) for pumping the reactive gas and the residual gas in the chamber (2), and the reactive gas and the residual gas exhausted by the vacuum pump (7). The scrubber 8 absorbs, cleans, and burns the gas, and loads the wafer inside the chamber 2, and then uses the detection signal of the atmospheric pressure baratron sensor 4 to make the atmospheric pressure low vacuum. To protect the pressure regulating valve When unloading the wafer from the roughing valve 9 formed in the second exhaust pipe 3b branching from the first exhaust pipe 3a and the chamber 2, the atmospheric pressure is reached when the atmospheric pressure is reached at a low pressure vacuum. The sub-valve (8) for discharging the reaction gas to the scrubber (8) through the third exhaust pipe (3c) by using the atmospheric pressure sensor 10 for sensing and the atmospheric pressure detection signal of the atmospheric pressure sensor 6 It is made to include.
여기서, 상기 저압 바라트론 센서(5)는 약 수 Torr 내지 수백 Torr의 진공도를 측정하기 위한 것으로서 매우 민감한 동작을 하기 때문에 상기 고압 바라트론 센서(4) 또는 대기압 감지 센서(10)의 출력 신호에 의해 개폐 동작하고, 상기 저압 바라트론 센서의 송기관(5a)에 체결되는 보조 밸브(12)에 의해 상기 제 1 배기관(3a)이 상압 또는 대기압 상태일 경우 보호된다.Here, the low-pressure baratron sensor 5 is for measuring a vacuum degree of about several Torr to several hundred Torr, and because it performs a very sensitive operation, the output signal of the high-pressure baratrone sensor 4 or the atmospheric pressure sensing sensor 10 is used. It opens and closes and is protected when the first exhaust pipe 3a is in the normal or atmospheric pressure state by the auxiliary valve 12 fastened to the air supply pipe 5a of the low pressure baratron sensor.
또한, 상기 보조 밸브(12)가 열릴 경우 상기 저압 바라트론 센서(5)의 동작이 가능하기 때문에 상기 저압 바라트론 센서(5)의 압력 측정값을 이용하여 동작하는 상기 자동압력조절 밸브(6)와 거의 동시에 동작된다.In addition, since the low pressure baratron sensor 5 can be operated when the auxiliary valve 12 is opened, the automatic pressure control valve 6 that operates by using the pressure measurement value of the low pressure baratron sensor 5. And are operated at about the same time.
도 2는 종래 기술에 따른 저압화학기상증착장치의 압력조절 시스템을 개략적으로 나타낸 도면으로서, 상기 저압 바라트론 센서(5)가 상기 챔버(2) 내부의 압력을 감지하여 압력감지 신호를 상기 센서 제어부(15)에 출력하고, 상기 센서 제어부(15)는 상기 압력감지 신호를 이용하여 제1 출력전압을 자동압력조절 제어부(16)에 출력하고, 상기 자동압력조절 제어부(16)는 상기 제1 출력전압을 이용하여 제 2 출력전압을 자동압력조절 밸브(6)에 출력한다. 이때, 상기 자동압력조절 제어부(16)는 상기 센서 제어부(15)로부터 수신한 상기 제1 출력전압을 이용하여 표시부(17)에 챔버(2) 내부의 압력값(18)을 표시한다. 2 is a view schematically showing a pressure control system of a low pressure chemical vapor deposition apparatus according to the prior art, wherein the low pressure baratron sensor 5 detects a pressure inside the chamber 2 and outputs a pressure sensing signal to the sensor controller. Output to (15), the sensor controller (15) outputs a first output voltage to the automatic pressure regulating control unit (16) using the pressure sensing signal, and the automatic pressure regulating control unit (16) outputs the first output The second output voltage is output to the automatic pressure regulating valve 6 using the voltage. At this time, the automatic pressure control controller 16 displays the pressure value 18 inside the chamber 2 on the display unit 17 using the first output voltage received from the sensor controller 15.
따라서, 상기 자동압력조절 제어부(15)는 상기 자동압력조절밸브(16) 신호를 출력하여 상기 자동압력조절밸브(16)의 개폐 정도(이하 앵글(angle)라고 칭함)를 제어함으로써 챔버(2) 내부의 압력을 조절하도록 한다.Therefore, the automatic pressure regulating control unit 15 outputs the signal of the automatic pressure regulating valve 16 to control the opening / closing degree of the automatic pressure regulating valve 16 (hereinafter referred to as an angle) to the chamber 2. Adjust the pressure inside.
이때, 상기 저압 바라트론 센서(5)는 온도 또는 외부적인 요인에 의하여 상기 압력값(18)에 따른 상기 제 1 출력전압의 기준전압이 달라진다. In this case, the reference voltage of the first output voltage according to the pressure value 18 is changed by the low-pressure baratlon sensor 5 due to temperature or external factors.
또한, 챔버(2)의 내부에 공급된 상기 반응가스에 의해 상기 저압 바라트론 센서(5)의 내부에 파우더 성분이 발생되어 상기 저압 바라트론 센서(5)의 압력측정불량이 발생할 수 있다.In addition, a powder component may be generated inside the low pressure baratron sensor 5 by the reaction gas supplied into the chamber 2, resulting in a poor pressure measurement of the low pressure baratron sensor 5.
때문에, 작업자가 상기 압력값(18)에 따른 제1 출력전압 값을 측정하여 상기 저압 바라트론 센서(5)의 압력값(18)에 따른 상기 제1 출력전압 값의 스판(span) 또는 영점조절을 정기적으로 설정해 주어야 한다.Therefore, the operator measures the first output voltage value according to the pressure value 18, and span or zero adjustment of the first output voltage value according to the pressure value 18 of the low pressure baratron sensor 5. Should be set regularly.
따라서, 종래 기술에 따른 저압화학기상증착장치의 압력조절 시스템은 작업자가 상기 저압 바라트론 센서(5)를 정기적으로 점검하고, 상기 저압 바라트론 센서(5)의 불량이 발생할 경우 교체하여 저압화학기상증착장치의 압력조절 시스템을 원활히 제어하도록 유지 관리한다.Therefore, the pressure control system of the low pressure chemical vapor deposition apparatus according to the prior art, the operator periodically checks the low pressure baratron sensor (5), if the failure of the low pressure baratron sensor (5) by replacing the low pressure chemical vapor phase Maintain and control the pressure control system of the deposition apparatus smoothly.
하지만, 종래 기술에 따른 저압화학기상증착장치의 압력조절 시스템은 다음과 같은 문제점이 있었다.However, the pressure control system of the low pressure chemical vapor deposition apparatus according to the prior art had the following problems.
종래 기술에 따른 저압화학기상증착장치의 압력조절 시스템은 저압 바라트론 센서(5)의 유지 관리에 있어서 상기 저압 바라트론 센서(5)의 압력 감지 신호를 입력받아 출력하는 센서 제어부(15)의 제1 출력 전압 값을 작업자가 수작업으로 체크하기 때문에 생산 공정의 생산성을 떨어뜨린다.The pressure regulating system of the low pressure chemical vapor deposition apparatus according to the prior art includes a sensor control unit 15 which receives and outputs a pressure sensing signal of the low pressure baratron sensor 5 in maintenance of the low pressure baratron sensor 5. 1 Reduce the productivity of the production process because the operator checks the output voltage manually.
종래 기술에 따른 저압화학기상증착장치의 압력조절 시스템은 상기 제 1 출력 전압값이 작업자에 의해 정기적으로 점검되지만 상기 압력값에 따른 상기 제 1 출력 전압값이 일정 수준 이상 차이가 발생하여 압력조절 시스템의 동작불량에 따른 생산공정 불량을 야기할 수 있다.In the pressure regulating system of the low pressure chemical vapor deposition apparatus according to the prior art, the first output voltage value is periodically checked by an operator, but the first output voltage value according to the pressure value is more than a predetermined level, causing a pressure regulating system. It may cause a bad production process due to the malfunction of the.
본 발명의 목적은 종래 기술에 따른 문제점을 해결하기 위한 것으로서, 저압 바라트론 센서의 압력 감지 신호에 따른 출력 전압을 표시하여 생산성을 높일 수 있는 저압화학기상증착장치의 압력조절 시스템을 제공하는 데 있다.SUMMARY OF THE INVENTION An object of the present invention is to provide a pressure control system for a low pressure chemical vapor deposition apparatus that can improve productivity by displaying an output voltage according to a pressure sensing signal of a low pressure baratlon sensor. .
또한, 본 발명의 다른 목적은 상기 저압 바라트론 센서의 불량이 발생할 경우, 인터락 또는 경고음을 울려 생산공정 불량을 미연에 방지할 수 있는 저압화학기상증착장치의 압력조절 시스템을 제공하는 데 있다.In addition, another object of the present invention is to provide a pressure control system of a low pressure chemical vapor deposition apparatus that can prevent the failure of the production process by sounding an interlock or a warning sound when a failure of the low pressure baratlon sensor occurs.
상기 목적을 달성하기 위한 본 발명의 양상(aspect)에 따라, 본 발명의 저압화학기상증착장치의 압력조절 시스템은, 챔버 내부의 압력을 감지하는 저압 바라트론 센서와, 상기 저압 바라트론 센서의 압력 감지 신호를 이용하여 제 1 출력 전압을 출력하는 센서 제어부와, 상기 제1 출력 전압을 이용하여 상기 챔버 내부의 압력을 제어하기 위해 제 2 출력 전압을 출력하는 자동압력조절 제어부와, 상기 제 2 출력 전압을 수신하여 상기 챔버 내부의 압력을 조절하는 자동압력조절 밸브와, 상기 자동압력조절 제어부의 제어신호에 의해 상기 챔버 내부의 압력 및 제 1 출력 전압을 표시하는 표시부를 포함함을 특징으로 한다.According to an aspect of the present invention for achieving the above object, the pressure control system of the low pressure chemical vapor deposition apparatus of the present invention, a low pressure baratron sensor for detecting the pressure inside the chamber, the pressure of the low pressure baratron sensor A sensor control unit for outputting a first output voltage using a sensing signal, an automatic pressure control control unit for outputting a second output voltage for controlling a pressure in the chamber using the first output voltage, and the second output And a display unit for displaying a pressure and a first output voltage in the chamber by a control signal of the automatic pressure control controller, and an automatic pressure regulating valve configured to receive a voltage and adjust the pressure in the chamber.
이하, 본 발명에 따른 저압화학기상증착장치의 압력조절 시스템에 대하여 첨부된 도면을 참조하여 순차적으로 설명하기로 한다.Hereinafter, a pressure control system of a low pressure chemical vapor deposition apparatus according to the present invention will be described sequentially with reference to the accompanying drawings.
도 3은 본 발명에 따른 저압화학기상증착장치의 압력조절 시스템을 개략적으로 나타낸 도면이다.3 is a view schematically showing a pressure control system of a low pressure chemical vapor deposition apparatus according to the present invention.
도 3에 도시한 바와 같이, 본 발명에 따른 저압화학기상증착장치의 압력조절 시스템은 챔버 내부의 압력을 감지하는 저압 바라트론 센서(110)와, 상기 저압 바라트론 센서(110)의 압력 감지 신호를 이용하여 제 1 출력 전압을 출력하는 센서 제어부(120)와, 상기 제1 출력 전압을 이용하여 상기 챔버 내부의 압력을 제어하기 위해 제 2 출력 전압을 출력하는 자동압력조절 제어부(130)와, 상기 자동압력조절 제어부(130)에서 출력되는 제 2 출력 전압을 이용하여 상기 챔버 내부의 압력을 조절하는 자동압력조절 밸브(140)와, 상기 자동압력조절 제어부(130)의 제어신호에 의해 상기 챔버 내부의 압력값(151)을 표시하고, 제1 출력 전압값(152)을 표시하는 표시부(150)를 포함하여 구성된다.As shown in Figure 3, the pressure control system of the low pressure chemical vapor deposition apparatus according to the present invention is a low pressure baratron sensor 110 for detecting the pressure inside the chamber, the pressure detection signal of the low pressure baratron sensor 110 A sensor control unit 120 for outputting a first output voltage by using; an automatic pressure control control unit 130 for outputting a second output voltage to control the pressure in the chamber using the first output voltage; An automatic pressure regulating valve 140 for adjusting a pressure inside the chamber by using a second output voltage output from the automatic pressure regulating control unit 130, and a control signal of the automatic pressure regulating control unit 130. The display unit 150 is configured to display the internal pressure value 151 and to display the first output voltage value 152.
도시하지는 않았지만, 상기 자동압력조절 밸브(140)를 통하여 상기 챔버 내부의 반응가스 및 불활성 기체를 펌핑하는 진공 펌프를 더 포함하여 구성된다.Although not shown, it is further configured to include a vacuum pump for pumping the reaction gas and the inert gas in the chamber through the automatic pressure control valve 140.
여기서, 상기 자동압력조절 제어부(130)는 상기 저압 바라트론 센서(110) 뿐만 아니라, 대기압을 측정하는 고압 바라트론 센서의 압력 감지 신호를 이용하여 포라인 밸브 및 서브 밸브를 동작하여 상기 챔버 내부의 압력을 제어할 수 있다.Here, the automatic pressure control controller 130 operates the four-line valve and the sub-valve using the pressure detection signals of the high pressure baratlon sensor as well as the low pressure baratlon sensor 110 to measure atmospheric pressure. The pressure can be controlled.
또한, 상기 센서 제어부(120)는 상기 압력감지 신호에 따른 상기 제1 출력 전압의 기준값이 작업자에 의해 임의로 설정되는 0점 포트와, 상기 압력에 따른 제 1 출력전압의 스판(span)값이 설정되는 스판 포트를 포함한다.In addition, the sensor controller 120 has a zero point port at which the reference value of the first output voltage according to the pressure sensing signal is arbitrarily set by an operator, and a span value of the first output voltage according to the pressure is set. It includes a span port.
도 4는 본 발명의 실시에 따른 압력과 제 1 출력전압을 나타낸 도표로서, 상기 챔버 내부의 압력에 따라 상기 제 1 출력 전압이 비례하도록 설정할 수 있다.4 is a diagram illustrating a pressure and a first output voltage according to an embodiment of the present invention, and the first output voltage may be set to be proportional to the pressure inside the chamber.
이때, 작업자는 상기 압력에 따른 상기 제 1 출력전압의 스판 값과, 상기 제1 출력 전압의 제로 값을 설정할 수 있다.In this case, the operator may set the span value of the first output voltage and the zero value of the first output voltage according to the pressure.
따라서, 본 발명에 따른 저압화학기상증착장치의 챔버 내부의 압력은 저압 바라트론 센서(110)에 의해 측정되고, 상기 저압 바라트론 센서(110)의 압력 감지 신호로부터 생성된 압력 값은 소정 스판 값과 제로 값의 설정에 의해 도 5와 같이 선형적으로 변화한다.Accordingly, the pressure inside the chamber of the low pressure chemical vapor deposition apparatus according to the present invention is measured by the low pressure baratron sensor 110, and the pressure value generated from the pressure sensing signal of the low pressure baratron sensor 110 is a predetermined span value. And linearly change as shown in FIG.
이때, 도 5에 도시한 바와 같이, 상기 제로 값이 변화할 경우, 상기 압력값(151)은 동일하지만 상기 제 1 출력 전압값(152)이 상이하게 나타나 압력조절 시스템의 동작불능상태를 가져올 수도 있다.In this case, as shown in FIG. 5, when the zero value is changed, the pressure value 151 is the same but the first output voltage value 152 is different, resulting in an inoperable state of the pressure regulating system. have.
따라서, 본 발명에 따른 화학기상장치의 압력조절 시스템은 상기 압력값(151) 및 제 1 출력 전압값(152)을 상기 표시부(150)에 표시하여 작업자가 이를 비교 파악할 수 있도록 함으로써 압력조절 시스템의 동작 불능을 미연에 방지할 수 있다. 또한, 상기 제 1 출력 전압값의 파악을 작업자의 수작업에 의존하는 종래에 비해 생산성을 높일 수 있다.Therefore, the pressure regulating system of the chemical vapor apparatus according to the present invention displays the pressure value 151 and the first output voltage value 152 on the display unit 150 to allow the operator to grasp and compare the pressure regulating system. Inoperability can be prevented beforehand. In addition, productivity can be improved as compared with the prior art in which the grasp of the first output voltage value depends on the manual labor of the operator.
한편, 도 6은 저압 바라트론 센서의 개략적으로 나타낸 도면으로서, 저압 바라트론 센서(110)는 챔버 진공관(117)으로부터 박스(111) 내부의 공기의 급격한 유입 및 배출을 차단하는 배플(112)과, 상기 챔버 내부의 압력에 따라 상기 박스 내부에서 유동적으로 변화하는 다이아프램(113)과, 상기 다이아 프램(113)과의 거리를 이용하여 상기 캐패시터를 유도하는 전극 어셈블리(114)와, 상기 전극 어셈블리(114)에 전원을 공급하는 전압 인입선(116) 상기 다이아프램의 기준 진공을 만드는 기준압 진공관(115)을 포함하여 이루어진다. On the other hand, Figure 6 is a schematic view of the low pressure baratron sensor, the low pressure baratron sensor 110 and the baffle 112 to block the rapid inflow and discharge of air in the box 111 from the chamber vacuum tube 117 and And an electrode assembly 114 for inducing the capacitor by using a distance between the diaphragm 113 and the diaphragm 113 that change fluidly in the box according to the pressure in the chamber, and the electrode assembly. Voltage lead wire 116 for supplying power to 114 comprises a reference pressure vacuum tube 115 for creating a reference vacuum of the diaphragm.
여기서, 상기 다이아프램(113)은 상기 챔버 진공관(117)으로 유입 또는 배출되는 공기의 압력에 따라 좌우로 팽창할 수 있다.Here, the diaphragm 113 may expand left and right according to the pressure of air introduced or discharged into the chamber vacuum tube 117.
따라서, 상기 저압 바라트론 센서(110)는 상기 다이아프램(113)과 전극 어셈블리(114) 사이에 유도되는 캐패시터를 측정하여 압력감지신호를 출력한다.Accordingly, the low pressure baratron sensor 110 measures a capacitor induced between the diaphragm 113 and the electrode assembly 114 to output a pressure sensing signal.
또한, 상기 베플(112)은 상기 챔버의 내부의 압력이 급격하게 떨어져 상기 다이아프램(113)이 상기 챔버 진공관(117)쪽으로 과도하게 팽창하는 것을 방지함으로써, 상기 다이아프램(113)을 보호하는 역할을 한다. 이때, 허용할 수 있는 압력값보다 더 높은 압력에 의해 상기 다이아프램(113)이 급격하게 팽창할 경우, 상기 저압 바라트론 센서(110)의 기계적인 고장이나 영점에 치명적인 변화를 가져올 수도 있다.In addition, the baffle 112 serves to protect the diaphragm 113 by preventing the diaphragm 113 from excessively expanding toward the chamber vacuum tube 117 due to a sharp drop in pressure inside the chamber. Do it. At this time, when the diaphragm 113 is suddenly expanded by a pressure higher than the allowable pressure value, it may cause a fatal change in mechanical failure or zero point of the low-pressure baratron sensor 110.
또한, 상기 저압 바라트론 센서(110)는 반응가스에 의해 상기 다이아프램(113) 상에 파우더 성분이 발생할 경우, 상기 다이아프램(113)의 유동이 자유롭지 못하여 상기 스판값 및 제로 값이 바뀌고 상기 챔버 내부의 압력과 상기 센서 제어부(120)로부터 출력되는 제 1 출력전압이 상이해질 수 있다.In addition, when the powder component is generated on the diaphragm 113 by the reaction gas, the low-pressure baratron sensor 110 is not free to flow of the diaphragm 113, the span value and zero value is changed and the chamber The internal pressure may be different from the first output voltage output from the sensor controller 120.
따라서, 본 발명에 따른 저압화학기상증착장치의 압력조절 시스템은 작업자로 하여금 상기 압력 및 제 1 출력전압을 인지하여 비교할 수 있도록 상기 압력값(151)과 제 1 출력전압값(152)을 각각 상기 표시부(150)에 표시한다.Accordingly, the pressure regulating system of the low pressure chemical vapor deposition apparatus according to the present invention stores the pressure value 151 and the first output voltage value 152 so that an operator can recognize and compare the pressure and the first output voltage. It is displayed on the display unit 150.
이때, 상기 작업자는 상기 표시부(150)에 표시되는 상기 압력값(151) 및 제 1 출력 전압값(152)을 표 1과 같이 설정된 자료를 바탕으로 일정 이상의 편차가 발생할 경우 상기 저압 바라트론 센서(110)의 스판 값 또는 영점 값을 새로이 설정하거나, 생산공정을 정지하여 상기 바라트론 센서를 수리 또는 교환할 수 있다. At this time, the operator is based on the data set to the pressure value 151 and the first output voltage value 152 displayed on the display unit 150 as shown in Table 1 above the predetermined low pressure baratron sensor ( The span or zero value of 110 may be newly set, or the baratron sensor may be repaired or replaced by stopping the production process.
뿐만 아니라, 상기 자동압력조절 제어부(130)에서 상기 압력값(151) 및 제 1 출력 전압값(152)이 일정 수준이상 편차를 갖는 것을 감지하고, 생산공정라인에 자동으로 인터락 또는 경고 메세지를 발생시켜 사용자의 점검을 받을 수도 있다.In addition, the automatic pressure regulating control unit 130 detects that the pressure value 151 and the first output voltage value 152 have a deviation of a predetermined level or more, and automatically interlocks or warns a message to a production process line. Can also be inspected by the user.
본 발명은 구체적인 실시예에 대해서만 상세히 설명하였지만 본 발명의 기술적 사상의 범위 내에서 변형이나 변경할 수 있음은 본 발명이 속하는 분야의 당업자에게는 명백한 것이며, 그러한 변형이나 변경은 본 발명의 특허청구범위에 속한다 할 것이다.Although the present invention has been described in detail only with respect to specific embodiments, it will be apparent to those skilled in the art that modifications and variations can be made within the scope of the technical idea of the present invention, and such modifications or changes belong to the claims of the present invention. something to do.
이상에서 상술한 바와 같이 본 발명에 의하면, 저압 바라트론 센서의 압력 감지 신호에 따른 출력 전압을 표시하여 생산성을 높일 수 있는 효과가 있다.As described above, according to the present invention, the output voltage according to the pressure sensing signal of the low-pressure baratlon sensor can be displayed to increase productivity.
또한, 본 발명의 화학기상증착장치의 압력조절 시스템은 상기 저압 바라트론 센서의 불량을 파악하고 인터락 또는 경고 메시지를 발생시켜 생산공정 불량을 미연에 방지할 수 있는 효과가 있다.In addition, the pressure control system of the chemical vapor deposition apparatus of the present invention has the effect of identifying the failure of the low-pressure baratlon sensor and generating an interlock or warning message to prevent the production process failure in advance.
도 1은 일반적인 저압 화학기상증착장치의 구성을 개략적으로 나타낸 도면이다.1 is a view schematically showing the configuration of a general low pressure chemical vapor deposition apparatus.
도 2는 종래 기술에 따른 저압화학기상증착장치의 압력조절 시스템을 개략적으로 나타낸 도면이다.2 is a view schematically showing a pressure control system of a low pressure chemical vapor deposition apparatus according to the prior art.
도 3은 본 발명에 따른 저압화학기상증착장치의 압력조절 시스템을 개략적으로 나타낸 도면이다.3 is a view schematically showing a pressure control system of a low pressure chemical vapor deposition apparatus according to the present invention.
도 4는 본 발명의 실시에 따른 압력과 제 1 출력전압을 나타낸 도표이다.4 is a diagram illustrating a pressure and a first output voltage according to an embodiment of the present invention.
도 5는 본 발명의 실시예에 따른 압력과 제 1 출력전압을 나타낸 그래프이다.5 is a graph showing the pressure and the first output voltage according to an embodiment of the present invention.
도 6은 저압 바라트론 센서의 개략적으로 나타낸 도면이다.6 is a schematic view of a low pressure baratron sensor.
* 도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명 * Explanation of symbols on the main parts of the drawings
110 : 저압 바라트론 센서 111 : 박스110: low pressure baratlon sensor 111: box
112 : 배플 113 : 다이아프램112: baffle 113: diaphragm
114 : 전극 어셈블리 115 : 기준압 진공관114: electrode assembly 115: reference pressure vacuum tube
116 : 전원 인입선 117 : 챔버 진공관116: power lead wire 117: chamber vacuum tube
120 : 센서 제어부 130 : 자동압력조절 제어부120: sensor control unit 130: automatic pressure control unit
140 : 자동압력조절 밸브 150 : 표시부140: automatic pressure control valve 150: display unit
151 : 압력값 152 : 제 1 출력 전압값151: pressure value 152: first output voltage value
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