JP2003257081A

JP2003257081A - 相変化光記録媒体

Info

Publication number: JP2003257081A
Application number: JP2002054739A
Authority: JP
Inventors: Masahito Uchida; 雅人内田; Toshio Inao; 俊雄稲生; Masanori Kogo; 雅則向後
Original assignee: Tosoh Corp
Current assignee: Tosoh Corp
Priority date: 2002-02-28
Filing date: 2002-02-28
Publication date: 2003-09-12

Abstract

(57)【要約】【課題】高線速における消去率が高く、さらに、高記
録感度及び高い記録マーク安定性を有する相変化光記録
媒体を提供する。【解決手段】記録層の結晶相とアモルファス相との間
の可逆的な相変化を利用して、情報の記録・消去を行な
う相変化光記録媒体において、保護層を、酸化物のい
ずれか１種以上と、炭化物のいずれか１種以上とから
構成し、保護層を構成する前記酸化物の酸素ではない元
素のＸＰＳピーク位置（ｎ）が、化学量論組成のときの
ピーク位置を０、単体の時のピーク位置を１としたと
き、ｎ＝０．０１〜０．７である膜により構成する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は書き換えが可能な光
情報記録媒体のなかで、レーザービーム等によって情報
の記録、再生および消去を行なう相変化光記録媒体に関
する。

【０００２】

【従来の技術】相変化型光ディスクは書き換え可能な光
記録ディスクの一種であり、記録層の可逆的な相変化
（多くは結晶−アモルファス間）によって情報を記録す
るものである。単一ヘッドにより単層記録膜で光変調オ
ーバーライトが可能であり、また、相変化に伴う反射率
の変化により信号を読み取るので、ＣＤ−ＲＯＭ等の既
存の光記録ディスクとの互換性が高い等の特徴を有する
ことから、書き換え可能な光記録ディスクとして近年盛
んに研究開発がなされており、書き換え可能なＤＶＤに
応用されている。

【０００３】相変化型光記録ディスク等の相変化光記録
媒体は、一般に、記録層の結晶相（消去状態）上にレー
ザービームによってアモルファス相の記録マークを形成
することによって記録を行ない、結晶相とアモルファス
相との反射率の差を検出することによって再生信号を得
る。また、信号記録の際のレーザービームの強度をアモ
ルファス化の強度（ピークパワー）と結晶化の強度（バ
イアスパワー）との間で強度変調させることにより（図
１参照）、単一ビーム、単層記録膜の組み合わせで光変
調オーバーライト（ダイレクトオーバーライト：ＤＯ
Ｗ）が可能であり、大容量かつ高速転送レートの記録デ
ィスクを得ることができる。

【０００４】

【発明が解決しようとする課題】相変化光記録媒体では
上述のようにダイレクトオーバーライト（ＤＯＷ）が可
能であり、酸化物を保護層とすることにより高線速での
消去率特性が良くなる。しかし、酸化物を保護層とする
と記録感度が低くなり、信号記録に高いパワーが必要で
ある。

【０００５】本発明は、高線速において消去率が良く、
高感度で記録マーク安定性の良い相変化光記録媒体を提
供することを目的としている。

【０００６】

【課題を解決するための手段】本発明者らは、上述のよ
うな現状に鑑み、鋭意検討を重ねた結果、基板上に保護
層、記録層を含む多層膜を形成し、この記録層の結晶相
とアモルファス相との間の可逆的な相変化を利用して、
情報の記録・消去を行なう相変化光記録媒体において、
保護層を特定の成分からなる膜とすることにより高記録
感度で、かつ、高線速における消去率が向上することを
見出し、さらに、保護層の成分比を特定の範囲とするこ
とによりさらに上記効果が向上することを見出し、また
さらに、成膜雰囲気を制御することで記録マーク安定性
が向上することを見出し本発明を完成するに至った。

【０００７】すなわち、本発明は、基板上に保護層、記
録層を含む多層膜を形成し、この記録層の結晶相とアモ
ルファス相との間の可逆的な相変化を利用して、情報の
記録・消去を行なう相変化光記録媒体において、前記保
護層が酸化物から選ばれる１種以上の物質、および炭化
物から選ばれる１種以上の物質から構成され、前記酸化
物の少なくとも１つの酸化物の酸素ではない元素をＡと
したとき、保護層を構成する酸化物のＡのＸ線光電子分
光スペクトル（ＸＰＳ）のピーク位置をｎ、Ａが化学量
論的に酸化物を形成したときのＡのＸＰＳのピーク位置
を０、Ａの単体のＸＰＳのピーク位置を１としたとき、
ｎが０．０１〜０．７の範囲にあり、かつ、前記保護層
が前記記録層に接して形成されていることを特徴とする
相変化光記録媒体に関する。

【０００８】なお、上記保護層は、下記Ａ群の元素の酸
化物を少なくとも１種以上含むことが望ましい。

【０００９】Ａ群：Ｔａ、Ａｌ、Ｎｂ、Ｓｉ、Ｔｉまた、上記保護層は下記Ｂ群の元素の炭化物を少なくと
も１種以上含むことが望ましい。

【００１０】Ｂ群：Ｔａ、Ａｌ、Ｎｂ、Ｓｉ、Ｔｉさらに、上記保護層中の炭化物の含有量が１〜４０ｍｏ
ｌ％であることが望ましく、より望ましくは１〜３０ｍ
ｏｌ％、さらに望ましくは１〜２５ｍｏｌ％である。

【００１１】また、上記記録層はＧｅ、Ｓｂ及びＴｅの
合金、あるいはこの合金を主成分とする材料により構成
されていることが望ましい。

【００１２】

【発明の実施の形態】以下に本発明をさらに詳細に説明
する。

【００１３】図２は本発明の相変化光記録媒体の一例の
構造を示す部分断面図である。図２の相変化光記録媒体
は、基板２１上に、第一保護層２２、記録層２３、第二
保護層２４、反射層２５が積層されている。

【００１４】基板２１としては使用するレーザーの波長
領域において十分透明であり、機械特性などの媒体基板
としての特性を満たすものであれば特に限定されず、ガ
ラス、ポリカーボネート、アモルファスポリオレフィン
等を用いることができる。

【００１５】第一保護層２２、および、第二保護層２４
は、酸化物から選ばれる１種以上の物質、および炭化物
から選ばれる１種以上の物質から構成され、前記酸化物
の少なくとも１つの酸化物の酸素ではない元素をＡとし
たとき、保護層を構成する酸化物のＡのＸ線光電子分光
スペクトル（ＸＰＳ）のピーク位置をｎ、Ａが化学量論
的に酸化物を形成したときのＡのＸＰＳのピーク位置を
０、Ａの単体のＸＰＳのピーク位置を１としたとき、ｎ
が０．０１〜０．７の範囲にある物質から構成される膜
からなる。

【００１６】例えば、図８に示す酸化タンタルの場合で
は、Ｔａが化学量論的に酸化物を形成したＴａ₂Ｏ₅のＴ
ａのＸＰＳのピーク位置を０、金属タンタルのＸＰＳの
ピーク位置を１として、保護層を構成する酸化物のＴａ
のＸＰＳのピーク位置ｎを算出する。

【００１７】後述のように、保護層を、このｎが０．０
１〜０．７の範囲にある物質により構成することによ
り、記録感度と消去率のバランスが優れ、かつ、記録マ
ークの安定性が良好な相変化光記録媒体を得ることがで
きる。このｎのより好ましい範囲は０．１〜０．７であ
り、さらに好ましい範囲は０．２〜０．６である。

【００１８】上記ｎの値は、成膜時のスパッタリングガ
スを酸化性雰囲気、還元性雰囲気などと変化させること
により制御することが可能である。

【００１９】保護層に炭化物を加えることにより、消去
率特性を悪化させずに高感度を得ることが出来るが、こ
れは低熱伝導性が関与していることが考えられる。

【００２０】上記ｎの値が０．７〜１の範囲にのみＸＰ
Ｓのピークが存在するような膜では光透過性が小さくな
り光記録媒体の保護層としての使用は望ましくない。

【００２１】上記の保護層は、下記Ａ群の元素の酸化物
を少なくとも１種以上含むことが望ましく、また、下記
Ｂ群の元素の炭化物を少なくとも１種以上含むことが望
ましい。

【００２２】Ａ群：Ｔａ、Ａｌ、Ｎｂ、Ｓｉ、ＴｉＢ群：Ｔａ、Ａｌ、Ｎｂ、Ｓｉ、Ｔｉ上記保護層に含まれる炭化物の総含有量は１〜４０ｍｏ
ｌ％が好ましく、より好ましくは、１〜３０ｍｏｌ％、
さらに好ましくは１〜２５ｍｏｌ％の範囲である。含有
量が４０ｍｏｌ％を超えると膜の消衰係数（ｋ）が大き
くなる場合が有り、透明度が悪くなって相変化光記録媒
体として現実的ではなくなる。

【００２３】記録層２３には、ＧｅＳｂＴｅ系薄膜、Ｉ
ｎＳｂＴｅ系薄膜等の可逆的相変化を有する膜を使用す
ることができるが、Ｇｅ、ＳｂおよびＴｅの合金、ある
いはこの合金を主成分とする材料を使用することが好ま
しい。記録層と、少なくとも一方の保護層は接するよう
に形成する。記録層と上記保護層を接して形成すること
により、接触面（界面）において結晶核生成が促進さ
れ、結晶化がより早く進行する。記録層としてＧｅＳｂ
Ｔｅ系薄膜、ＩｎＳｂＴｅ系薄膜等を使用することが出
来るが、ＧｅＳｂＴｅ系薄膜の結晶化は核生成が主体と
なって起きるため上記保護層を有する本発明の相変化光
記録媒体の記録層として特に好ましい。

【００２４】反射層２５はＡｌ合金やＡｇ合金等の使用
するレーザーの波長域において反射率の高い膜から構成
される。

【００２５】上記第一保護層、第二保護層は記録層を保
護する役割のほかに記録層への光吸収効率を高めたり、
また、記録前後の反射光の変化量を大きくする役割も有
するためこれらの厚さは使用するレーザー波長や、記録
層の膜厚などを考慮して最適になるように設計する。

【００２６】なお、本発明の相変化光記録媒体は、上述
の構造の他、第一保護層、あるいは、第二保護層のみに
上記保護層を使用し、他方は別の物質からなる保護層を
形成したものであっても良く、また、膜形成順序を逆に
した、いわゆる、表面再生型光記録媒体であっても良
い。

【００２７】以上の第一保護層、第二保護層、記録層、
反射層はＤＣスパッタリング法、ＲＦスパッタリング
法、真空蒸着法等の真空成膜技術により成膜することが
できる。

【００２８】さらに、これらの層を形成した後、その上
に、必要に応じて合成樹脂等からなる保護コート層を形
成しても良い。

【００２９】

【実施例】以下、本発明を実施例に基づきさらに詳細に
説明するが、本発明はこれらの実施例のみに限定される
ものではない。

【００３０】（実施例１）以下に示すようにして、図３
に示すような構造の相変化光記録媒体を製造した。０．
７μｍの幅の溝を１．４μｍピッチで形成したポリカー
ボネート製のディスク状の基板３１上に第一保護層３２
（膜厚：１００ｎｍ）をＴａ₂Ｏ₅ターゲット（４インチ
φ）上にＴａＣ材料（１０ｍｍφ）を３個及びＳｉＣ材
料（１０ｍｍ角）を３個のせて、スパッタリングガスと
してアルゴンと酸素の混合ガスを用いてＲＦスパッタリ
ングすることにより形成した。この後、Ｇｅ₂Ｓｂ₂Ｔｅ
₅からなる記録層３３（膜厚：２０ｎｍ）をＧｅ₂Ｓｂ₂
Ｔｅ₅合金ターゲットのＤＣスパッタリングにより形成
した。さらに第二保護層３４（膜厚：２０ｎｍ）を第一
保護層と同条件でＲＦスパッタリングすることにより形
成した。この後、反射層３５（膜厚：１００ｎｍ）をＡ
ｌ−３ｗｔ％ＣｒターゲットをＤＣスパッタリングする
ことにより形成した。この上に、保護コート層３６とし
て紫外線硬化樹脂を１０μｍの厚みに形成して相変化光
記録媒体を完成させた。

【００３１】以上のような構造で保護層形成の際のアル
ゴンと酸素の混合ガス雰囲気の混合比（体積比）を変化
させて相変化光記録媒体を作製した（実施例１サンプル
１〜７）。

【００３２】また、実施例１で作製された保護層を同条
件で０．５μｍ成膜したサンプルをＸＰＳで測定したと
ころ、Ｔａ₂Ｏ₅とＴａＣとＳｉＯ_xの存在が確認され
た。

【００３３】（比較例１）スパッタリングガスとしてア
ルゴン対酸素が６５対３５（体積比）の混合ガスを用い
たこと以外は、実施例１と同様の方法で相変化光記録媒
体を作製した。

【００３４】（比較例２）スパッタリングガスとしてア
ルゴンと水素の混合ガスを用いたこと以外は、実施例１
と同様の方法で相変化光記録媒体を作製した。

【００３５】（比較例３）第一保護層、および第二保護
層形成時にＴａ₂Ｏ₅ターゲットのみを使用し、スパッタ
リングガスとしてアルゴン対酸素が９８対２（体積比）
の混合ガスを用いて形成したこと以外は、実施例１と同
様の方法で相変化光記録媒体を作製した。

【００３６】（実施例２）第一保護層、および第二保護
層形成時のＴａ₂Ｏ₅ターゲットの代わりにＡｌ₂Ｏ₃ター
ゲット（実施例２サンプル１）、Ｎｂ₂Ｏ₅ターゲット
（実施例２サンプル２）、ＳｉＯ₂ターゲット（実施例
２サンプル３）、ＴｉＯ₂ターゲット（実施例２サンプ
ル４）、Ｉｎ₂Ｏ₃ターゲット（実施例２サンプル５）、
ＭｇＯターゲット（実施例２サンプル６）、ＺｒＯ₂タ
ーゲット（実施例２サンプル７）、ＺｎＯターゲット
（実施例２サンプル８）を使用し、前記保護層をスパッ
タリングガスとしてアルゴン対酸素が９８対２（体積
比）の混合ガスを用いて形成したこと以外は、実施例１
と同様の方法で相変化光記録媒体を作製した。

【００３７】（実施例３）第一保護層、および第二保護
層形成時のＴａＣ材料をＳｉＣ材料（実施例３サンプル
１）、Ａｌ₄Ｃ₃材料（実施例３サンプル２）、ＴｉＣ材
料（実施例３サンプル３）、ＮｂＣ材料（実施例３サン
プル４）、ＺｒＣ材料（実施例３サンプル５）とし、前
記保護層をスパッタリングガスとしてアルゴン対酸素が
９８対２（体積比）の混合ガスを用いて形成したこと以
外は、実施例１と同様の方法で相変化光記録媒体を作製
した。

【００３８】（実施例４）第一保護層、および第二保護
層形成時のＴａＣ材料とＳｉＣ材料をＳｉＣ材料のみに
し、ＳｉＣ材料の個数を変化させ、スパッタリングガス
としてアルゴン対酸素が９８対２（体積比）の混合ガス
を用いたこと以外は、実施例１と同様の方法で相変化光
記録媒体を作製した（実施例４サンプル１〜８）。

【００３９】（実施例５）記録層をＧｅ₂Ｓｂ₂Ｔｅ₅の
かわりにＧｅ₁Ｓｂ₂Ｔｅ₄（実施例５サンプル１）、Ｇ
ｅ₁Ｓｂ₄Ｔｅ₇（実施例５サンプル２）、ＡｇＩｎＳｂ
Ｔｅ合金（Ａｇ：４ａｔｏｍ％、Ｉｎ：６ａｔｏｍ％、
Ｓｂ：６１ａｔｏｍ％、Ｔｅ：２９ａｔｏｍ％）（実施
例５サンプル３）とし、第一保護層、および第二保護層
をスパッタリングガスとしてアルゴン対酸素が９８対２
（体積比）の混合ガスを用いて形成したこと以外は、実
施例１と同様の方法で相変化光記録媒体を作製した。

【００４０】（実施例６）第二保護層３４（膜厚：２０
ｎｍ）をＺｎＳ−２０ｍｏｌ％ＳｉＯ₂ターゲットを使
用し、スパッタリングガスとしてＡｒのみを用いＲＦス
パッタリングで形成し、第一保護層３２（膜厚：１００
ｎｍ）をＴａ₂Ｏ₅ターゲット（４インチφ）上にＴａＣ
材料（１０ｍｍφ）を３個及びＳｉＣ材料（１０ｍｍ
角）を３個のせ、アルゴン対酸素が９８対２（体積比）
の混合ガスを用いてＲＦスパッタリングしたこと以外
は、実施例１と同様の方法で相変化光記録媒体を作製し
た。

【００４１】（実施例７）第一保護層３２（膜厚：１０
０ｎｍ）をＺｎＳ−２０ｍｏｌ％ＳｉＯ₂ターゲットを
使用し、スパッタリングガスとしてＡｒのみを用いＲＦ
スパッタリングで形成し、第二保護層３４（膜厚：２０
ｎｍ）をＴａ₂Ｏ₅ターゲット（４インチφ）上にＴａＣ
材料（１０ｍｍφ）を３個及びＳｉＣ材料（１０ｍｍ
角）を３個のせ、アルゴン対酸素が９８対２（体積比）
の混合ガスを用いてＲＦスパッタリングしたこと以外
は、実施例１と同様の方法で相変化光記録媒体を作製し
た。

【００４２】（実施例８）基板上の膜形成順を反射層
（膜厚：１００ｎｍ）、第一保護層（膜厚：２０ｎ
ｍ）、記録層（膜厚：２０ｎｍ）、第二保護層（膜厚：
１００ｎｍ）とし、この上に０．１ｍｍの保護コート層
を形成した以外は、実施例１と同様の方法で逆構成の表
面再生型相変化光記録媒体を作製した。

【００４３】（比較例４）第一保護層３２（膜厚：１０
０ｎｍ）及び、第二保護層３４（膜厚：２０ｎｍ）をＺ
ｎＳ−２０ｍｏｌ％ＳｉＯ₂ターゲットを使用し、スパ
ッタリングガスとしてアルゴンのみを用いＲＦスパッタ
リングで形成したこと以外は、実施例１と同様の方法で
相変化光記録媒体を作製した。

【００４４】実施例１〜７及び比較例１〜４の相変化光
記録媒体を初期化装置を使用して記録層の初期結晶化を
行なった。

【００４５】次に、記録層を結晶化させた領域のトラッ
ク上に、線速度６ｍ／ｓで０．６μｍの長さのアモルフ
ァスマークを記録した（記録ピッチ：１．２μｍ、レー
ザー波長：６８０ｎｍ、ＮＡ：０．５５）。この記録の
際、図４に示すようなオフパルスを付加したレーザー変
調パターンを使用し、オフパルスパワー（Ｐｏｆｆ）お
よび再生パワー（Ｐｒ）を１ｍＷ、また、ピークパワー
の幅を５０ｎｓ、オフパルスの幅は３３ｎｓとした。バ
イアスパワー（Ｐｂ）を５ｍＷとしてピークパワー（Ｐ
ｐ）を変化させアモルファスマークを記録し、ＣＮＲが
最大となるＰｐを最適Ｐｐ（Ｐｐ₀）とした。次に、Ｐ
ｂ＝５ｍＷ、Ｐｐ＝Ｐｐ₀としてアモルファスマークを
記録し、種々のパワーのレーザービームを照射してアモ
ルファスマークを消去した。この時、消去前後でのキャ
リアレベルの差を消去率として測定し、消去率が最大と
なるレーザーパワーを最適Ｐｂ（Ｐｂ₀）とした。次
に、Ｐｐを（Ｐｐ₀−１）ｍＷ、Ｐｂを（Ｐｂ₀−１）ｍ
Ｗとしてアモルファスマーク（マーク長：０．６μｍ）
を記録し、（Ｐｂ₀−１）ｍＷのレーザーで消去する。
この記録−消去を１トラック当たり２０回行なった（以
下、この工程を初期化処理と呼ぶ）。

【００４６】初期化処理したトラックに対して、Ｐｂ＝
Ｐｂ₀ｍＷとして、線速度６ｍ／ｓでアモルファスマー
ク（マーク長：０．６μｍ）を記録した。また、初期化
処理したトラックに対して、線速度６ｍ／ｓで０．６μ
ｍの長さのアモルファスマークをＰｒ＝１ｍＷ、Ｐｏｆ
ｆ＝１ｍＷ、Ｐｐ＝Ｐｐ₀、Ｐｂ＝Ｐｂ₀のレーザーパワ
ーで記録し（記録ピッチ：１．２μｍ）、この記録マー
クを消去パワーで消去し、消去前後でのキャリアレベル
の差を消去率として測定した。

【００４７】スパッタリングガスのアルゴン：酸素を９
５：５としたサンプル（実施例１サンプル４）のＣＮＲ
の記録パワー（Ｐｐ）依存性（以下パワーカーブと呼
ぶ）を図５に示す。パワーカーブがＣＮＲ＝３０ｄＢと
交わる交点を各々のサンプルの記録感度（Ｐｔｈ）とし
て定義した。

【００４８】実施例１においてスパッタリングガスのア
ルゴンと酸素の比を１００：０〜６５：３５まで変化さ
せたときのＴａとＳｉのＸＰＳピーク位置（ｎ）と記録
感度（Ｐｔｈ）、及び線速１２ｍ／ｓでの消去率を表１
に示す。消去率は２５ｄＢ以上あれば実用の面で問題な
く、２８ｄＢ以上であればさらに好ましい。

【００４９】

【表１】表１から本発明の保護層では、比較例に比べて記録感度
と消去率のバランスの面で良好な特性が得られている。
ＳｉのＸＰＳピーク位置が０．２〜０．６の範囲であれ
ばさらに良い特性が得られている。また、比較例１に示
したようにＸＰＳのピーク位置が０．７を越えるような
ものは記録感度が低く、消去率も小さい。

【００５０】また、実施例１−７サンプルを８０℃の温
度に保った恒温槽に投入し、ＣＮＲが投入前の初期の値
から２ｄＢ減少する時間（Ｔ_-2dB）を測定した。同様の
測定を９０℃、７０℃でも行い、横軸に温度、縦軸にＴ
_-2dBの対数値を用いて作成したものを図６に示す。図６
において、外挿により室温（２５℃）でのＴ_-2dBを求め
た。実施例１のその他のサンプル、比較例１及び、比較
例２のサンプルについても同様の測定を行い、横軸にＳ
ｉのＸＰＳ測定で求めたｎの値、縦軸に２５℃でのＴ
_-2dBの対数値を用いて作成したものを図７に示す。

【００５１】図７より、記録マーク安定性の観点から、
ｎが０．０１以上でＴ_-2dBが実用上問題ない値となって
いることが分かる。また、０．７以上でもＴ_-2dBは良い
値を示しているが、表１に示したように記録感度、消去
率の点で劣っているため、ｎの値の範囲としては０．０
１〜０．７が有効であることが分かる。

【００５２】また、実施例２、３についても、Ｐｔｈ及
び消去率及びＳｉのＸＰＳ測定を行った。この結果をそ
れぞれ表２、３に示す。また、比較のため実施例１サン
プル３、比較例３及び、比較例４のサンプルの測定結果
もあわせて示している。

【００５３】

【表２】

【表３】表２、３から本発明の保護層は、比較例より消去率が高
いことが分かる。またＴａ、Ａｌ、Ｎｂ、Ｓｉ又はＴｉ
のいずれかの酸化物が含まれていたり、Ｔａ、Ａｌ、Ｎ
ｂ、Ｓｉ又はＴｉのいずれかの炭化物が含まれると消去
率特性と記録感度のバランスが良くなり特に良好である
ことがわかる。

【００５４】また、実施例４および比較例３についてＰ
ｔｈ及び消去率測定を行った。この結果を表４に示す。
また、比較のため比較例３のサンプルの測定結果もあわ
せて示している。

【００５５】

【表４】ＳｉＣの組成は同条件で形成した保護層のＥＰＭＡある
いは蛍光Ｘ線分析から求めた。また、実施例４のサンプ
ルについて、ＳｉのＸＰＳ測定を行ったところ、ｎの値
は０．４〜０．６の範囲であった。表４から、ＳｉＣの
量が１〜４０ｍｏｌ％の範囲で消去特性、記録感度のバ
ランスの点で良好な特性となっており、１〜２５ｍｏｌ
％の範囲では特に良好である。

【００５６】また、実施例５について消去率を測定した
結果を表５に示す。表５には、比較のため実施例１サン
プル３及び、比較例４のサンプルの測定結果もあわせて
示している。

【００５７】

【表５】この結果からＡｇＩｎＳｂＴｅ系記録層に比べてＧｅＳ
ｂＴｅ系記録層の方が消去率が高いことが分かる。

【００５８】また、実施例６および実施例７について消
去率を測定した結果を表６に示す。表６には、比較のた
め比較例４のサンプルの測定結果もあわせて示してい
る。

【００５９】

【表６】この結果から第一保護層と第二保護層のいずれか一方に
本発明で規定する保護層があれば、良好な消去率特性が
得られることが分かる。

【００６０】また、実施例８のサンプルについて、記録
再生テストを行ったところ、良好なＣＮＲ、および消去
率が得られ、表面再生型光記録媒体として使用可能であ
ることが確認された。

【００６１】

【発明の効果】本発明によれば、高記録感度で、かつ、
高線速において消し残りが少なく、消去率特性が良く、
記録マーク安定性に優れた相変化光記録媒体を得ること
ができ、高転送レートで記録マーク安定性のよい相変化
型光ディスクを得ることができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】記録再生装置のレーザーパワーの関係を示す図
である。

【図２】本発明の相変化光記録媒体の一例の構造を示す
部分断面図である。

【図３】本発明の実施例および比較例の相変化光記録媒
体の構造を示す部分断面図である。

【図４】０．６μｍのマーク記録に使用したレーザーパ
ワーの関係を示す図である。

【図５】実施例１のサンプルのＣＮＲのピークパワー依
存性を示す図である。

【図６】実施例１のサンプルのＣＮＲが２ｄＢ減少する
時間の温度依存性を示す図である。

【図７】実施例１、比較例１、２の各サンプルの２５℃
でのＣＮＲが２ｄＢ減少する時間をｎに対してプロット
した図である。

【図８】保護層を構成するＴａ酸化物、Ｔａ₂Ｏ₅及びＴ
ａメタルのＸＰＳのピーク位置の関係を示す図である。

【符号の説明】

２１、３１：基板２２、３２：第一保護層２３、３３：記録層２４、３４：第二保護層２５、３５：反射層３６：保護コート層

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】基板上に保護層、記録層を含む多層膜を
形成し、光学的に情報の記録・消去・再生を行なう相変
化光記録媒体において、前記保護層が酸化物から選ばれ
る１種以上の物質と、炭化物から選ばれる１種以上の物
質とから構成される膜からなり、前記酸化物の少なくと
も１つの酸化物の酸素ではない元素をＡとしたとき、保
護層を構成する酸化物のＡのＸ線光電子分光スペクトル
（ＸＰＳ）のピーク位置をｎとし、Ａが化学量論的に酸
化物を形成したときのＡのＸＰＳのピーク位置を０と
し、Ａの単体のＸＰＳのピーク位置を１としたとき、ｎ
が０．０１〜０．７の範囲にあり、かつ、前記保護層が
前記記録層に接して形成されていることを特徴とする相
変化光記録媒体。
【請求項２】保護層が、下記Ａ群の元素の酸化物を少
なくとも１種以上含むことを特徴とする請求項１に記載
の相変化光記録媒体。Ａ群：Ｔａ、Ａｌ、Ｎｂ、Ｓｉ、Ｔｉ
【請求項３】保護層が、下記Ｂ群の元素の炭化物を少
なくとも１種以上含むことを特徴とする請求項１又は２
に記載の相変化光記録媒体。Ｂ群：Ｔａ、Ａｌ、Ｎｂ、Ｓｉ、Ｔｉ
【請求項４】保護層中の炭化物の総含有量が１〜４０
ｍｏｌ％であることを特徴とする請求項１〜３のいずれ
か１項に記載の相変化光記録媒体。
【請求項５】記録層がＧｅ、Ｓｂ及びＴｅの合金、あ
るいはこの合金を主成分とする材料により構成されてい
ることを特徴とする請求項１〜４のいずれか１項に記載
の相変化光記録媒体。