JP2003255371A - 表示装置および該表示装置の断線修復方法 - Google Patents
表示装置および該表示装置の断線修復方法Info
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Abstract
(57)【要約】 （修正有）
【課題】 表示装置において、点欠陥を発生させること
なく、かつ製造工程を増加させることないとともに、映
像信号線の断線を修復し、製造歩留まりを向上させるこ
とができる表示装置を提供する。 【解決手段】絶縁性基板上に形成された走査線１と、該
走査線１と並行に形成された蓄積容量線３と、前記走査
線１および前記蓄積容量線３と絶縁膜を介して交差して
形成された映像信号線２と、前記走査線１、前記蓄積容
量線３および前記映像信号線２とに囲まれた画素電極４
とを備える表示装置であって、前記走査線１と前記映像
信号線２との交差部を含み、かつ１画素内で複数の分断
部９を有する、前記映像信号線２上または下に形成され
た冗長配線８を備えている。
なく、かつ製造工程を増加させることないとともに、映
像信号線の断線を修復し、製造歩留まりを向上させるこ
とができる表示装置を提供する。 【解決手段】絶縁性基板上に形成された走査線１と、該
走査線１と並行に形成された蓄積容量線３と、前記走査
線１および前記蓄積容量線３と絶縁膜を介して交差して
形成された映像信号線２と、前記走査線１、前記蓄積容
量線３および前記映像信号線２とに囲まれた画素電極４
とを備える表示装置であって、前記走査線１と前記映像
信号線２との交差部を含み、かつ１画素内で複数の分断
部９を有する、前記映像信号線２上または下に形成され
た冗長配線８を備えている。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は表示装置および該表
示装置の断線修復方法に関する。さらに詳しくは、とく
に液晶表示装置に適用した場合に、映像信号線の断線修
復が可能な表示装置および該表示装置の断線修復方法に
関する。
示装置の断線修復方法に関する。さらに詳しくは、とく
に液晶表示装置に適用した場合に、映像信号線の断線修
復が可能な表示装置および該表示装置の断線修復方法に
関する。
【０００２】
【従来の技術】従来のアクティブマトリクス型液晶表示
装置などの表示装置において、映像信号線の断線を修正
する方法として、たとえば特開平４−１９５１２２号公
報が開示されている。図７は該特開平４−１９５１２２
号公報の液晶表示装置における略１画素の平面図であ
る。図７において、１は走査線、２は映像信号線、４は
画素電極、７は薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）、１０はコ
ンタクトホール、１４はＩＴＯ（Indium Tin Oxide）パ
ターンを示している。該特開平４−１９５１２２号公報
記載の技術においては、画素電極と同時に形成されるＩ
ＴＯパターン１４を映像信号線２上に残しておき、さら
にコンタクトホールによって事前に該映像信号線とＩＴ
Ｏパターンとを接続させておくことによって、映像信号
線が断線しても上層のＩＴＯパターンにより接続されて
いることから、映像信号線の断線による線欠陥を防止す
るものである。
装置などの表示装置において、映像信号線の断線を修正
する方法として、たとえば特開平４−１９５１２２号公
報が開示されている。図７は該特開平４−１９５１２２
号公報の液晶表示装置における略１画素の平面図であ
る。図７において、１は走査線、２は映像信号線、４は
画素電極、７は薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）、１０はコ
ンタクトホール、１４はＩＴＯ（Indium Tin Oxide）パ
ターンを示している。該特開平４−１９５１２２号公報
記載の技術においては、画素電極と同時に形成されるＩ
ＴＯパターン１４を映像信号線２上に残しておき、さら
にコンタクトホールによって事前に該映像信号線とＩＴ
Ｏパターンとを接続させておくことによって、映像信号
線が断線しても上層のＩＴＯパターンにより接続されて
いることから、映像信号線の断線による線欠陥を防止す
るものである。
【０００３】また、その他の従来技術として、特開平１
１−１０９４１８号公報が開示されている。図８は該特
開平１１−１０９４１８号公報の液晶表示装置における
略１画素の平面図である。図８において、図７と同じ構
成部分については同一符号を付すこととし、５はソース
電極、６はドレイン電極、１５はゲート電極、１６はチ
ャネル層、１７は配線冗長膜である。該該特開平１１−
１０９４１８号公報記載の技術においては、走査線１と
映像信号線２との交差部を含む領域において、映像信号
線上に積層された絶縁膜に、映像信号線と電気的に接続
するためのコンタクトホールを開口し、前記絶縁膜上に
前記コンタクトホールを覆うように画素電極と同層の透
明導電膜からなる配線冗長膜１７を設けている。このよ
うな構成とすることで、走査線と映像信号線との交差部
における映像信号線の断線を抑制するものである。
１−１０９４１８号公報が開示されている。図８は該特
開平１１−１０９４１８号公報の液晶表示装置における
略１画素の平面図である。図８において、図７と同じ構
成部分については同一符号を付すこととし、５はソース
電極、６はドレイン電極、１５はゲート電極、１６はチ
ャネル層、１７は配線冗長膜である。該該特開平１１−
１０９４１８号公報記載の技術においては、走査線１と
映像信号線２との交差部を含む領域において、映像信号
線上に積層された絶縁膜に、映像信号線と電気的に接続
するためのコンタクトホールを開口し、前記絶縁膜上に
前記コンタクトホールを覆うように画素電極と同層の透
明導電膜からなる配線冗長膜１７を設けている。このよ
うな構成とすることで、走査線と映像信号線との交差部
における映像信号線の断線を抑制するものである。
【０００４】さらに、その他の従来技術として、特開平
９−１１３９３０号公報が開示されている。図９は該特
開平９−１１３９３０号公報の液晶表示装置における略
１画素の平面図である。図９において、図７〜８と同じ
構成部分については同一符号を付すこととし、３は蓄積
容量線、１３は断線部である。該特開平９−１１３９３
０号公報記載の技術においては、画素電極４の一部を映
像信号線２と重なるように配置し、映像信号線に断線が
生じた場合（断線部１３）、該断線部１３をまたぐ位置
にレーザー照射することにより、映像信号線の断線を救
済するものである。
９−１１３９３０号公報が開示されている。図９は該特
開平９−１１３９３０号公報の液晶表示装置における略
１画素の平面図である。図９において、図７〜８と同じ
構成部分については同一符号を付すこととし、３は蓄積
容量線、１３は断線部である。該特開平９−１１３９３
０号公報記載の技術においては、画素電極４の一部を映
像信号線２と重なるように配置し、映像信号線に断線が
生じた場合（断線部１３）、該断線部１３をまたぐ位置
にレーザー照射することにより、映像信号線の断線を救
済するものである。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、前記特
開平４−１９５１２２号公報記載の技術においては、映
像信号線の修復のために、事前にコンタクトホールを形
成しておく必要があり、それは結果として、映像信号線
の電位自体が表面に露出されてしまうことになる。それ
によって、外部からの静電気の影響を受けやすくなって
しまう。その結果として、静電気破壊などの新たな不良
が発生してしまう可能性がある。さらには、画素電極４
とＩＴＯパターン１４とが、製造工程中の異物の発生な
どにより短絡してしまった場合は、該画素は点欠陥とな
ってしまうという問題がある。
開平４−１９５１２２号公報記載の技術においては、映
像信号線の修復のために、事前にコンタクトホールを形
成しておく必要があり、それは結果として、映像信号線
の電位自体が表面に露出されてしまうことになる。それ
によって、外部からの静電気の影響を受けやすくなって
しまう。その結果として、静電気破壊などの新たな不良
が発生してしまう可能性がある。さらには、画素電極４
とＩＴＯパターン１４とが、製造工程中の異物の発生な
どにより短絡してしまった場合は、該画素は点欠陥とな
ってしまうという問題がある。
【０００６】また、前記特開平１１−１０９４１８号公
報記載の技術においては、映像信号線における走査線と
の交差部における断線については救済できるが、その交
差部以外の領域において、映像信号線に断線が発生した
場合には救済できないという問題がある。
報記載の技術においては、映像信号線における走査線と
の交差部における断線については救済できるが、その交
差部以外の領域において、映像信号線に断線が発生した
場合には救済できないという問題がある。
【０００７】さらに、前記特開平９−１１３９３０号公
報記載の技術においては、映像信号線の断線を修復する
ことは可能であるが、該特開平９−１１３９３０号公報
記載の技術においては、画素電極自体を映像信号線と重
ねており、映像信号線の断線部をまたぐ該画素電極と映
像信号線との重なり部にレーザー照射することで断線を
修復している。その結果として、該画素は常に断線を修
復した映像信号線の電位となることから、該画素は点欠
陥になってしまうという問題がある。
報記載の技術においては、映像信号線の断線を修復する
ことは可能であるが、該特開平９−１１３９３０号公報
記載の技術においては、画素電極自体を映像信号線と重
ねており、映像信号線の断線部をまたぐ該画素電極と映
像信号線との重なり部にレーザー照射することで断線を
修復している。その結果として、該画素は常に断線を修
復した映像信号線の電位となることから、該画素は点欠
陥になってしまうという問題がある。
【０００８】本発明は、叙上の事情に鑑み、点欠陥を発
生させることなく、かつ製造工程を増加させることない
とともに、映像信号線の断線を修復し、製造歩留まりを
向上させることができる表示装置および該表示装置の断
線修復方法を提供することを目的とする。
生させることなく、かつ製造工程を増加させることない
とともに、映像信号線の断線を修復し、製造歩留まりを
向上させることができる表示装置および該表示装置の断
線修復方法を提供することを目的とする。
【０００９】
【課題を解決するための手段】本発明の請求項１記載の
表示装置は、絶縁性基板上に形成された走査線と、該走
査線と並行に形成された蓄積容量線と、前記走査線およ
び前記蓄積容量線と絶縁膜を介して交差して形成された
映像信号線と、前記走査線、前記蓄積容量線および前記
映像信号線とに囲まれた画素電極とを備える表示装置で
あって、前記走査線と前記映像信号線との交差部を含
み、かつ１画素内で複数の分断部を有する、前記映像信
号線上または下に形成された冗長配線を備えてなること
を特徴とする。
表示装置は、絶縁性基板上に形成された走査線と、該走
査線と並行に形成された蓄積容量線と、前記走査線およ
び前記蓄積容量線と絶縁膜を介して交差して形成された
映像信号線と、前記走査線、前記蓄積容量線および前記
映像信号線とに囲まれた画素電極とを備える表示装置で
あって、前記走査線と前記映像信号線との交差部を含
み、かつ１画素内で複数の分断部を有する、前記映像信
号線上または下に形成された冗長配線を備えてなること
を特徴とする。
【００１０】本発明の請求項２記載の表示装置は、前記
請求項１記載の表示装置において、前記冗長配線が、前
記映像信号線上に形成された絶縁膜のさらに上層に形成
されるか、または前記映像信号線下に形成された絶縁膜
のさらに下層に形成されている。
請求項１記載の表示装置において、前記冗長配線が、前
記映像信号線上に形成された絶縁膜のさらに上層に形成
されるか、または前記映像信号線下に形成された絶縁膜
のさらに下層に形成されている。
【００１１】本発明の請求項３記載の表示装置は、前記
請求項１記載の表示装置において、前記冗長配線が、前
記映像信号線上に直接形成されるか、または前記映像信
号線下に直接形成されている。
請求項１記載の表示装置において、前記冗長配線が、前
記映像信号線上に直接形成されるか、または前記映像信
号線下に直接形成されている。
【００１２】本発明の請求項４記載の表示装置は、前記
請求項１、２または３記載の表示装置において、前記冗
長配線が、前記画素電極と同一層の導電膜で形成されて
いる。
請求項１、２または３記載の表示装置において、前記冗
長配線が、前記画素電極と同一層の導電膜で形成されて
いる。
【００１３】本発明の請求項５記載の表示装置は、絶縁
性基板上に形成された走査線と、該走査線と並行に形成
された蓄積容量線と、前記走査線および前記蓄積容量線
と絶縁膜を介して交差して形成された映像信号線と、前
記走査線、前記蓄積容量線および前記映像信号線とに囲
まれた画素電極とを備える表示装置であって、前記映像
信号線と前記走査線または前記蓄積容量線との交差部以
外の領域において、前記映像信号線上または下に形成さ
れた冗長配線を備えてなることを特徴とする。
性基板上に形成された走査線と、該走査線と並行に形成
された蓄積容量線と、前記走査線および前記蓄積容量線
と絶縁膜を介して交差して形成された映像信号線と、前
記走査線、前記蓄積容量線および前記映像信号線とに囲
まれた画素電極とを備える表示装置であって、前記映像
信号線と前記走査線または前記蓄積容量線との交差部以
外の領域において、前記映像信号線上または下に形成さ
れた冗長配線を備えてなることを特徴とする。
【００１４】本発明の請求項６記載の表示装置は、前記
請求項５記載の表示装置において、前記冗長配線が、前
記映像信号線上に形成された絶縁膜のさらに上層に形
成、または前記映像信号線下に形成された絶縁膜のさら
に下層に形成されている。
請求項５記載の表示装置において、前記冗長配線が、前
記映像信号線上に形成された絶縁膜のさらに上層に形
成、または前記映像信号線下に形成された絶縁膜のさら
に下層に形成されている。
【００１５】本発明の請求項７記載の表示装置は、前記
請求項５記載の表示装置において、前記冗長配線が、前
記映像信号線上に直接形成、または前記映像信号線下に
直接形成されている。
請求項５記載の表示装置において、前記冗長配線が、前
記映像信号線上に直接形成、または前記映像信号線下に
直接形成されている。
【００１６】本発明の請求項８記載の表示装置は、前記
請求項５、６または７記載の表示装置において、前記冗
長配線が、前記画素電極と同一層の導電膜で形成されて
いる。
請求項５、６または７記載の表示装置において、前記冗
長配線が、前記画素電極と同一層の導電膜で形成されて
いる。
【００１７】本発明の請求項９記載の表示装置の断線修
復方法は、絶縁性基板上に形成された走査線と、該走査
線と並行に形成された蓄積容量線と、前記走査線および
前記蓄積容量線と絶縁膜を介して交差して形成された映
像信号線と、前記走査線、前記蓄積容量線および前記映
像信号線とに囲まれた画素電極とを備える表示装置の断
線修復方法であって、前記走査線と前記映像信号線との
交差部を含み、かつ１画素内で複数の分断部を有するよ
うに、前記映像信号線上に形成された絶縁膜のさらに上
層に冗長配線を、または前記映像信号線下に形成された
絶縁膜のさらに下層に冗長配線を形成する工程と、前記
映像信号線の断線部をまたぎ、かつ前記冗長配線と前記
映像信号線とが重なる領域において、前記冗長配線と前
記映像信号線とを接続する工程とを含むことを特徴とす
る。
復方法は、絶縁性基板上に形成された走査線と、該走査
線と並行に形成された蓄積容量線と、前記走査線および
前記蓄積容量線と絶縁膜を介して交差して形成された映
像信号線と、前記走査線、前記蓄積容量線および前記映
像信号線とに囲まれた画素電極とを備える表示装置の断
線修復方法であって、前記走査線と前記映像信号線との
交差部を含み、かつ１画素内で複数の分断部を有するよ
うに、前記映像信号線上に形成された絶縁膜のさらに上
層に冗長配線を、または前記映像信号線下に形成された
絶縁膜のさらに下層に冗長配線を形成する工程と、前記
映像信号線の断線部をまたぎ、かつ前記冗長配線と前記
映像信号線とが重なる領域において、前記冗長配線と前
記映像信号線とを接続する工程とを含むことを特徴とす
る。
【００１８】本発明の請求項１０記載の表示装置の断線
修復方法は、前記請求項９記載の表示装置の断線修復方
法において、前記映像信号線の断線部をまたぎ、かつ前
記冗長配線と前記映像信号線とが重なる領域において、
前記冗長配線と前記映像信号線とを接続する工程はレー
ザー照射する工程を含んでいる。
修復方法は、前記請求項９記載の表示装置の断線修復方
法において、前記映像信号線の断線部をまたぎ、かつ前
記冗長配線と前記映像信号線とが重なる領域において、
前記冗長配線と前記映像信号線とを接続する工程はレー
ザー照射する工程を含んでいる。
【００１９】
【発明の実施の形態】実施の形態１
本発明の実施の形態１を図１〜２により説明する。図１
は本発明の実施の形態１における薄膜トランジスタ（Ｔ
ＦＴ）を用いたアクティブマトリクス型液晶表示装置の
略１画素の平面図であり、図２は図１における映像信号
線の断線修復方法を説明する略１画素の平面図である。
は本発明の実施の形態１における薄膜トランジスタ（Ｔ
ＦＴ）を用いたアクティブマトリクス型液晶表示装置の
略１画素の平面図であり、図２は図１における映像信号
線の断線修復方法を説明する略１画素の平面図である。
【００２０】図１〜２において、１はＴＦＴのゲートを
駆動する走査線（ゲート線）、２は映像信号線（ソース
線）、３は蓄積容量線、４は画素電極、５はソース電
極、６はドレイン電極、７は薄膜トランジスタ（ＴＦ
Ｔ）、８は冗長配線、９は冗長配線の分断部、１０はコ
ンタクトホール、１１は半導体膜、１２はレーザー照射
部、１３は断線部を示している。
駆動する走査線（ゲート線）、２は映像信号線（ソース
線）、３は蓄積容量線、４は画素電極、５はソース電
極、６はドレイン電極、７は薄膜トランジスタ（ＴＦ
Ｔ）、８は冗長配線、９は冗長配線の分断部、１０はコ
ンタクトホール、１１は半導体膜、１２はレーザー照射
部、１３は断線部を示している。
【００２１】図１は蓄積容量を、画素電極と蓄積容量線
との重なり部で形成する方式（共通Ｃｓ方式）を用いた
略１画素を表す平面図を示しており、まずその製造工程
について図１〜２を参照しながら説明する。絶縁性基板
上に、走査線１および蓄積容量線３となる第１層の導電
膜を成膜する。第１層の導電膜としては、たとえばＡ
ｌ、Ｃｒ、Ｃｕ、Ｔａ、Ｍｏや、これらに他の物質を添
加した合金などからなる薄膜が用いられる。つぎに写真
製版工程により第１層の導電膜をパターニングすること
により走査線１および蓄積容量線３を形成する。この蓄
積容量線３は、本実施の形態１においては、１画素にお
ける略中央部に配置され、かつ略Ｈ字形状となるように
映像信号線と並行に沿う突起部を有するようにパターニ
ングされている。
との重なり部で形成する方式（共通Ｃｓ方式）を用いた
略１画素を表す平面図を示しており、まずその製造工程
について図１〜２を参照しながら説明する。絶縁性基板
上に、走査線１および蓄積容量線３となる第１層の導電
膜を成膜する。第１層の導電膜としては、たとえばＡ
ｌ、Ｃｒ、Ｃｕ、Ｔａ、Ｍｏや、これらに他の物質を添
加した合金などからなる薄膜が用いられる。つぎに写真
製版工程により第１層の導電膜をパターニングすること
により走査線１および蓄積容量線３を形成する。この蓄
積容量線３は、本実施の形態１においては、１画素にお
ける略中央部に配置され、かつ略Ｈ字形状となるように
映像信号線と並行に沿う突起部を有するようにパターニ
ングされている。
【００２２】そののち、プラズマＣＶＤなどの成膜装置
により、ゲート絶縁膜（図示せず）、半導体膜１１、オ
ーミックコンタクト膜（図示せず）を連続形成する。ゲ
ート絶縁膜としては、ＳｉＮｘ，ＳｉＯｘ、ＳｉＯｘＮ
ｙやこれらの積層膜が用いられる。半導体膜１１として
は、アモルファスシリコン（ａ−Ｓｉ）、ポリシリコン
（ｐ−Ｓｉ）などが用いられる。さらにオーミックコン
タクト膜にはａ−Ｓｉ膜やｐ−Ｓｉ膜に燐（Ｐ）などを
微量にドーピングしたｎ−ａ−Ｓｉ、ｎ−ｐ−Ｓｉが用
いられる。そして写真製版工程により半導体膜およびオ
ーミックコンタクト膜をドライエッチングなどによりパ
ターニングする。
により、ゲート絶縁膜（図示せず）、半導体膜１１、オ
ーミックコンタクト膜（図示せず）を連続形成する。ゲ
ート絶縁膜としては、ＳｉＮｘ，ＳｉＯｘ、ＳｉＯｘＮ
ｙやこれらの積層膜が用いられる。半導体膜１１として
は、アモルファスシリコン（ａ−Ｓｉ）、ポリシリコン
（ｐ−Ｓｉ）などが用いられる。さらにオーミックコン
タクト膜にはａ−Ｓｉ膜やｐ−Ｓｉ膜に燐（Ｐ）などを
微量にドーピングしたｎ−ａ−Ｓｉ、ｎ−ｐ−Ｓｉが用
いられる。そして写真製版工程により半導体膜およびオ
ーミックコンタクト膜をドライエッチングなどによりパ
ターニングする。
【００２３】つぎに、映像信号線２となる第２層の導電
膜を成膜する。第２層の導電膜としては、たとえばＡ
ｌ、Ｃｒ、Ｃｕ、Ｔａ、Ｍｏや、これらに他の物質を添
加した合金などからなる薄膜、異種の金属膜を積層した
もの、または膜厚方向に組成の異なるものを用いること
ができる。そして写真製版工程により映像信号線をパタ
ーニングする。この映像信号線のパターニングの際、ソ
ース電極５、ドレイン電極６も同時に形成されるように
する。
膜を成膜する。第２層の導電膜としては、たとえばＡ
ｌ、Ｃｒ、Ｃｕ、Ｔａ、Ｍｏや、これらに他の物質を添
加した合金などからなる薄膜、異種の金属膜を積層した
もの、または膜厚方向に組成の異なるものを用いること
ができる。そして写真製版工程により映像信号線をパタ
ーニングする。この映像信号線のパターニングの際、ソ
ース電極５、ドレイン電極６も同時に形成されるように
する。
【００２４】つぎに、プラズマＣＶＤなどの成膜装置に
より、層間絶縁膜（図示せず）を形成する。そして写真
製版工程により該層間絶縁膜をパターニングする。層間
絶縁膜としては、ゲート絶縁膜と同様にＳｉＮｘ，Ｓｉ
Ｏｘ、ＳｉＯｘＮｙやこれらの積層膜が用いられる。こ
の層間絶縁膜のパターニングにより、コンタクトホール
１０が形成され、ドレイン電極６と後述する画素電極４
とが該コンタクトホール１０を介して電気的に導通可能
となる。
より、層間絶縁膜（図示せず）を形成する。そして写真
製版工程により該層間絶縁膜をパターニングする。層間
絶縁膜としては、ゲート絶縁膜と同様にＳｉＮｘ，Ｓｉ
Ｏｘ、ＳｉＯｘＮｙやこれらの積層膜が用いられる。こ
の層間絶縁膜のパターニングにより、コンタクトホール
１０が形成され、ドレイン電極６と後述する画素電極４
とが該コンタクトホール１０を介して電気的に導通可能
となる。
【００２５】そして、層間絶縁膜上に画素電極４となる
たとえばＩＴＯ、ＳｎＯ2などの透明金属である導電性
薄膜を成膜し、写真製版工程により該導電性薄膜を走査
線１、蓄積容量線３および映像信号線２とによって囲ま
れるようにパターニングすることで、ＴＦＴなどが形成
された絶縁性基板（以下、アレイ基板という）が完成す
る。本実施の形態１においては、該画素電極形成の際に
同時に、同一層の導電膜にて、冗長配線８を、走査線と
映像信号線との交差部を含み、１画素内において複数
（本実施の形態１では２つ）の分断部を有するように、
該映像信号線上に形成している。ここで、本明細書にお
いて分断部とは、隣接する画素（図１においては縦方向
に隣接する画素）とのあいだをまたぐことなく、１画素
内における分断部を示すものとする。さらに図１〜２に
おいては、該冗長配線８は、映像信号線と蓄積容量線と
の交差部において映像信号線が断線した場合に修復可能
なように、該映像信号線と蓄積容量線との交差部を含む
ように形成されている。
たとえばＩＴＯ、ＳｎＯ2などの透明金属である導電性
薄膜を成膜し、写真製版工程により該導電性薄膜を走査
線１、蓄積容量線３および映像信号線２とによって囲ま
れるようにパターニングすることで、ＴＦＴなどが形成
された絶縁性基板（以下、アレイ基板という）が完成す
る。本実施の形態１においては、該画素電極形成の際に
同時に、同一層の導電膜にて、冗長配線８を、走査線と
映像信号線との交差部を含み、１画素内において複数
（本実施の形態１では２つ）の分断部を有するように、
該映像信号線上に形成している。ここで、本明細書にお
いて分断部とは、隣接する画素（図１においては縦方向
に隣接する画素）とのあいだをまたぐことなく、１画素
内における分断部を示すものとする。さらに図１〜２に
おいては、該冗長配線８は、映像信号線と蓄積容量線と
の交差部において映像信号線が断線した場合に修復可能
なように、該映像信号線と蓄積容量線との交差部を含む
ように形成されている。
【００２６】以上のようなアレイ基板製造工程中、映像
信号線の成膜またはパターニング中の異物などの発生に
より、図２に示されるように映像信号線の断線（断線部
１３）が生じる場合がある。該断線は、アレイ基板の各
製造工程中における画像検査装置などによる検査によっ
て発見される。通常、映像信号線に断線が生じた場合、
駆動回路側から該断線部までは当該電位は供給されるも
のの、駆動回路側から該断線部より遠い領域には当該電
位が供給されず、線欠陥不良となって製造歩留まりの低
下をもたらしていた。
信号線の成膜またはパターニング中の異物などの発生に
より、図２に示されるように映像信号線の断線（断線部
１３）が生じる場合がある。該断線は、アレイ基板の各
製造工程中における画像検査装置などによる検査によっ
て発見される。通常、映像信号線に断線が生じた場合、
駆動回路側から該断線部までは当該電位は供給されるも
のの、駆動回路側から該断線部より遠い領域には当該電
位が供給されず、線欠陥不良となって製造歩留まりの低
下をもたらしていた。
【００２７】よって、前記断線を修復するために、図２
に示されるように、映像信号線に断線が生じた場合（断
線部１３）、該断線部１３をまたぎ、かつ冗長配線と映
像信号線との重なり部におけるレーザー照射部１２にレ
ーザーを照射することで、溶融した金属によって映像信
号線２と断線部を含む冗長配線８とを確実に導通させ
る。このレーザー光は、ＹＡＧレーザーまたはエキシマ
レーザーであること、さらに該レーザー光の波長は０．
１〜１．０６μｍであることが好ましい。また、レーザ
ー光の照射方向はアレイ基板の表面側（冗長配線側）ま
たはアレイ基板の裏面側（映像信号線側）からのどちら
からでもよい。また、該レーザー光の照射強度は、前記
のように金属膜に照射する場合、出力密度１×１０2〜
１×１０4Ｊ／ｍ2の範囲であることが好ましい。さらに
レーザー照射部１２のレーザー光の照射範囲としては直
径２μｍ程度が好ましく、接続抵抗の安定性の面から、
前記冗長配線と映像信号線との重なり部の断線部１３を
またぐ、それぞれの映像信号線と冗長配線との重なり部
に２〜４箇所程度照射することが好ましい。
に示されるように、映像信号線に断線が生じた場合（断
線部１３）、該断線部１３をまたぎ、かつ冗長配線と映
像信号線との重なり部におけるレーザー照射部１２にレ
ーザーを照射することで、溶融した金属によって映像信
号線２と断線部を含む冗長配線８とを確実に導通させ
る。このレーザー光は、ＹＡＧレーザーまたはエキシマ
レーザーであること、さらに該レーザー光の波長は０．
１〜１．０６μｍであることが好ましい。また、レーザ
ー光の照射方向はアレイ基板の表面側（冗長配線側）ま
たはアレイ基板の裏面側（映像信号線側）からのどちら
からでもよい。また、該レーザー光の照射強度は、前記
のように金属膜に照射する場合、出力密度１×１０2〜
１×１０4Ｊ／ｍ2の範囲であることが好ましい。さらに
レーザー照射部１２のレーザー光の照射範囲としては直
径２μｍ程度が好ましく、接続抵抗の安定性の面から、
前記冗長配線と映像信号線との重なり部の断線部１３を
またぐ、それぞれの映像信号線と冗長配線との重なり部
に２〜４箇所程度照射することが好ましい。
【００２８】前記構成および工程により、映像信号線の
断線を含む画素において点欠陥となることなく、かつ製
造工程を増加させることなく、映像信号線の断線を修復
可能となる。なお、本実施の形態１においては、冗長配
線が映像信号線と絶縁膜を介して形成される例について
示しているため、上述のように断線部においてはレーザ
ー照射する必要があったが、映像信号線と冗長配線とが
直接接触するような層構成を有する表示装置において
は、上述のレーザー照射を行なう必要もなく、映像信号
線の断線が防止可能である。
断線を含む画素において点欠陥となることなく、かつ製
造工程を増加させることなく、映像信号線の断線を修復
可能となる。なお、本実施の形態１においては、冗長配
線が映像信号線と絶縁膜を介して形成される例について
示しているため、上述のように断線部においてはレーザ
ー照射する必要があったが、映像信号線と冗長配線とが
直接接触するような層構成を有する表示装置において
は、上述のレーザー照射を行なう必要もなく、映像信号
線の断線が防止可能である。
【００２９】また、前記冗長配線の分断部９の間隔は、
該冗長配線のパターニング精度にも依存するが、該間隔
が１０μｍより狭いと該冗長配線のパターニングの際に
該冗長配線同士の短絡が生じる可能性があり、逆に５０
μｍよりも広いと映像信号線に断線が生じた場合に修復
できる範囲が狭くなってしまうため、１０〜５０μｍの
範囲であることが好ましい。
該冗長配線のパターニング精度にも依存するが、該間隔
が１０μｍより狭いと該冗長配線のパターニングの際に
該冗長配線同士の短絡が生じる可能性があり、逆に５０
μｍよりも広いと映像信号線に断線が生じた場合に修復
できる範囲が狭くなってしまうため、１０〜５０μｍの
範囲であることが好ましい。
【００３０】実施の形態２
本発明の実施の形態２を図３により説明する。図３はＴ
ＦＴを用いたアクティブマトリクス型液晶表示装置の略
１画素を表す平面図である。図３において、図１〜２と
同じ構成部分については同一符号を付しており、差異に
ついて説明する。本実施の形態２においては、前記実施
の形態１とは異なり、冗長配線を分断せず、映像信号線
全域において該冗長配線を形成している。本実施の形態
２の製造工程については、実施の形態１と同様であるの
で、説明を省略する。
ＦＴを用いたアクティブマトリクス型液晶表示装置の略
１画素を表す平面図である。図３において、図１〜２と
同じ構成部分については同一符号を付しており、差異に
ついて説明する。本実施の形態２においては、前記実施
の形態１とは異なり、冗長配線を分断せず、映像信号線
全域において該冗長配線を形成している。本実施の形態
２の製造工程については、実施の形態１と同様であるの
で、説明を省略する。
【００３１】前述のような構成とすることで、実施の形
態１と同様に映像信号線の断線を修復することが可能と
なる。
態１と同様に映像信号線の断線を修復することが可能と
なる。
【００３２】実施の形態３
本発明の実施の形態３を図４により説明する。図４はＴ
ＦＴを用いたアクティブマトリクス型液晶表示装置の略
１画素を表す平面図である。図４において、図１〜３と
同じ構成部分については同一符号を付しており、差異に
ついて説明する。本実施の形態３においては、前記実施
の形態１、２とは異なり、冗長配線を、走査線と映像信
号線との交差部以外の領域において、形成している。本
実施の形態３の製造工程については、実施の形態１と同
様であるので、説明を省略する。
ＦＴを用いたアクティブマトリクス型液晶表示装置の略
１画素を表す平面図である。図４において、図１〜３と
同じ構成部分については同一符号を付しており、差異に
ついて説明する。本実施の形態３においては、前記実施
の形態１、２とは異なり、冗長配線を、走査線と映像信
号線との交差部以外の領域において、形成している。本
実施の形態３の製造工程については、実施の形態１と同
様であるので、説明を省略する。
【００３３】前述のような構成とすることで、走査線と
映像信号線との交差部以外の領域において、実施の形態
１と同様に映像信号線の断線を修復することが可能とな
る。
映像信号線との交差部以外の領域において、実施の形態
１と同様に映像信号線の断線を修復することが可能とな
る。
【００３４】実施の形態４
本発明の実施の形態４を図５により説明する。図５はＴ
ＦＴを用いたアクティブマトリクス型液晶表示装置の略
１画素を表す平面図である。図５において、図１〜４と
同じ構成部分については同一符号を付しており、差異に
ついて説明する。本実施の形態４においては、前記実施
の形態１〜３とは異なり、冗長配線を、走査線、映像信
号線および蓄積容量線の交差部以外の領域において、形
成している。本実施の形態４の製造工程については、実
施の形態１と同様であるので、説明を省略する。
ＦＴを用いたアクティブマトリクス型液晶表示装置の略
１画素を表す平面図である。図５において、図１〜４と
同じ構成部分については同一符号を付しており、差異に
ついて説明する。本実施の形態４においては、前記実施
の形態１〜３とは異なり、冗長配線を、走査線、映像信
号線および蓄積容量線の交差部以外の領域において、形
成している。本実施の形態４の製造工程については、実
施の形態１と同様であるので、説明を省略する。
【００３５】前述のような構成とすることで、走査線、
映像信号線および蓄積容量線の交差部以外の領域におい
て、実施の形態１と同様に映像信号線の断線を修復する
ことが可能となる。また、実施の形態１と同様に、前記
冗長配線の分断部９の間隔は、該冗長配線のパターニン
グ精度にも依存するが、該間隔が１０μｍより狭いと該
冗長配線のパターニングの際に該冗長配線同士の短絡が
生じる可能性があり、逆に５０μｍよりも広いと映像信
号線に断線が生じた場合に修復できる範囲が狭くなって
しまうため、１０〜５０μｍの範囲であることが好まし
い。
映像信号線および蓄積容量線の交差部以外の領域におい
て、実施の形態１と同様に映像信号線の断線を修復する
ことが可能となる。また、実施の形態１と同様に、前記
冗長配線の分断部９の間隔は、該冗長配線のパターニン
グ精度にも依存するが、該間隔が１０μｍより狭いと該
冗長配線のパターニングの際に該冗長配線同士の短絡が
生じる可能性があり、逆に５０μｍよりも広いと映像信
号線に断線が生じた場合に修復できる範囲が狭くなって
しまうため、１０〜５０μｍの範囲であることが好まし
い。
【００３６】実施の形態５
本発明の実施の形態５を図６により説明する。図６はＴ
ＦＴを用いたアクティブマトリクス型液晶表示装置の略
１画素を表す平面図である。図６において、図１〜５と
同じ構成部分については同一符号を付しており、差異に
ついて説明する。本実施の形態５においては、前記実施
の形態１〜４とは異なり、冗長配線を、映像信号線と蓄
積容量線との交差部以外の領域において、形成してい
る。本実施の形態５の製造工程については、実施の形態
１と同様であるので、説明を省略する。
ＦＴを用いたアクティブマトリクス型液晶表示装置の略
１画素を表す平面図である。図６において、図１〜５と
同じ構成部分については同一符号を付しており、差異に
ついて説明する。本実施の形態５においては、前記実施
の形態１〜４とは異なり、冗長配線を、映像信号線と蓄
積容量線との交差部以外の領域において、形成してい
る。本実施の形態５の製造工程については、実施の形態
１と同様であるので、説明を省略する。
【００３７】前述のような構成とすることで、映像信号
線と蓄積容量線との交差部以外の領域において、実施の
形態１と同様に映像信号線の断線を修復することが可能
となる。また実施の形態１と同様に、前記冗長配線の分
断部９の間隔は、該冗長配線のパターニング精度にも依
存するが、該間隔が１０μｍより狭いと該冗長配線のパ
ターニングの際に該冗長配線同士の短絡が生じる可能性
があり、逆に５０μｍよりも広いと映像信号線に断線が
生じた場合に修復できる範囲が狭くなってしまうため、
１０〜５０μｍの範囲であることが好ましい。
線と蓄積容量線との交差部以外の領域において、実施の
形態１と同様に映像信号線の断線を修復することが可能
となる。また実施の形態１と同様に、前記冗長配線の分
断部９の間隔は、該冗長配線のパターニング精度にも依
存するが、該間隔が１０μｍより狭いと該冗長配線のパ
ターニングの際に該冗長配線同士の短絡が生じる可能性
があり、逆に５０μｍよりも広いと映像信号線に断線が
生じた場合に修復できる範囲が狭くなってしまうため、
１０〜５０μｍの範囲であることが好ましい。
【００３８】ここで、前記実施の形態２においては、冗
長配線を分断せず、映像信号線全域において形成する例
について示しているが、該冗長配線８と画素電極４と
が、製造工程中の異物の発生などにより短絡する不良が
多発する場合は、該実施の形態２の場合、画素電極の負
荷が増加し、結果として点欠陥になってしまう可能性が
ある。このように、冗長配線８と画素電極４とが、短絡
する不良が多発する場合においては、前記実施の形態１
および実施の形態３〜５のように、冗長配線を分断して
配置する構成の方が、冗長配線と画素電極とが短絡して
も、画素電極の負荷の増加を小さく抑えることができ、
点欠陥の発生も抑制することが可能である。さらに前記
実施の形態では、１画素内における冗長配線の分断部を
実施の形態１では２箇所、実施の形態４、５においては
１箇所、それぞれ設ける例について示しているが、それ
に限定されることなく、上述の冗長配線と画素電極短絡
時の画素電極の負荷を考慮して、３箇所、４箇所など適
宜変更してもよい。
長配線を分断せず、映像信号線全域において形成する例
について示しているが、該冗長配線８と画素電極４と
が、製造工程中の異物の発生などにより短絡する不良が
多発する場合は、該実施の形態２の場合、画素電極の負
荷が増加し、結果として点欠陥になってしまう可能性が
ある。このように、冗長配線８と画素電極４とが、短絡
する不良が多発する場合においては、前記実施の形態１
および実施の形態３〜５のように、冗長配線を分断して
配置する構成の方が、冗長配線と画素電極とが短絡して
も、画素電極の負荷の増加を小さく抑えることができ、
点欠陥の発生も抑制することが可能である。さらに前記
実施の形態では、１画素内における冗長配線の分断部を
実施の形態１では２箇所、実施の形態４、５においては
１箇所、それぞれ設ける例について示しているが、それ
に限定されることなく、上述の冗長配線と画素電極短絡
時の画素電極の負荷を考慮して、３箇所、４箇所など適
宜変更してもよい。
【００３９】なお、走査線と映像信号線との交差部にお
いて、映像信号線の断線が製造工程中多発する場合は、
前記実施の形態１、２、５で示した冗長配線の配置を用
いるのが好ましく、映像信号線と蓄積容量線との交差部
において映像信号線の断線が多発する場合は、前記実施
の形態１〜３で示した冗長配線の配置を用いるのが好ま
しく、さらに走査線、蓄積容量線および映像信号線の交
差部において映像信号線の断線が多発する場合は、前記
実施の形態１、２で示した冗長配線の配置を用いるのが
好ましい。映像信号線における、走査線または蓄積容量
線との交差部における断線がとくに顕著でない場合は、
前記実施の形態のいずれの冗長配線の配置を用いてもよ
い。
いて、映像信号線の断線が製造工程中多発する場合は、
前記実施の形態１、２、５で示した冗長配線の配置を用
いるのが好ましく、映像信号線と蓄積容量線との交差部
において映像信号線の断線が多発する場合は、前記実施
の形態１〜３で示した冗長配線の配置を用いるのが好ま
しく、さらに走査線、蓄積容量線および映像信号線の交
差部において映像信号線の断線が多発する場合は、前記
実施の形態１、２で示した冗長配線の配置を用いるのが
好ましい。映像信号線における、走査線または蓄積容量
線との交差部における断線がとくに顕著でない場合は、
前記実施の形態のいずれの冗長配線の配置を用いてもよ
い。
【００４０】また、前記実施の形態においては、冗長配
線が映像信号線の上に絶縁膜を介して形成される例につ
いて説明を行なっているが、この層構成に限定されるこ
となく、冗長配線が映像信号線の上に直接形成される層
構成に適用してもよく、この場合はレーザー照射する工
程を省略可能である。さらに、前記実施の形態において
は、冗長配線が映像信号線の上に形成される例について
説明を行なっているが、この層構成に限らず、冗長配線
が映像信号線の下に形成される場合に適用してもよく、
映像信号線と絶縁膜を介して交差する走査線とを備えた
あらゆる表示装置に適用しても、何ら差し支えないこと
は勿論である。
線が映像信号線の上に絶縁膜を介して形成される例につ
いて説明を行なっているが、この層構成に限定されるこ
となく、冗長配線が映像信号線の上に直接形成される層
構成に適用してもよく、この場合はレーザー照射する工
程を省略可能である。さらに、前記実施の形態において
は、冗長配線が映像信号線の上に形成される例について
説明を行なっているが、この層構成に限らず、冗長配線
が映像信号線の下に形成される場合に適用してもよく、
映像信号線と絶縁膜を介して交差する走査線とを備えた
あらゆる表示装置に適用しても、何ら差し支えないこと
は勿論である。
【００４１】さらに、前記実施の形態においては、液晶
を用いた表示装置について説明を行なっているが、液晶
を用いた表示装置に限定されることなくエレクトロルミ
ネセンス素子、フィールドシーケンシャルなどを用いた
ものであっても、映像信号線と絶縁膜を介して交差する
走査線とを備えたあらゆる表示装置に適用可能である。
を用いた表示装置について説明を行なっているが、液晶
を用いた表示装置に限定されることなくエレクトロルミ
ネセンス素子、フィールドシーケンシャルなどを用いた
ものであっても、映像信号線と絶縁膜を介して交差する
走査線とを備えたあらゆる表示装置に適用可能である。
【００４２】
【発明の効果】請求項１にかかわる本発明によれば、絶
縁性基板上に形成された走査線と、該走査線と並行に形
成された蓄積容量線と、前記走査線および前記蓄積容量
線と絶縁膜を介して交差して形成された映像信号線と、
前記走査線、前記蓄積容量線および前記映像信号線とに
囲まれた画素電極とを備える表示装置であって、前記走
査線と前記映像信号線との交差部を含み、かつ１画素内
で複数の分断部を有する、前記映像信号線上または下に
形成された冗長配線を備えているので、点欠陥を発生さ
せることなく映像信号線の断線を修復することが可能と
なる。
縁性基板上に形成された走査線と、該走査線と並行に形
成された蓄積容量線と、前記走査線および前記蓄積容量
線と絶縁膜を介して交差して形成された映像信号線と、
前記走査線、前記蓄積容量線および前記映像信号線とに
囲まれた画素電極とを備える表示装置であって、前記走
査線と前記映像信号線との交差部を含み、かつ１画素内
で複数の分断部を有する、前記映像信号線上または下に
形成された冗長配線を備えているので、点欠陥を発生さ
せることなく映像信号線の断線を修復することが可能と
なる。
【００４３】請求項２にかかわる本発明によれば、前記
請求項１記載の表示装置において、前記冗長配線が、前
記映像信号線上に形成された絶縁膜のさらに上層に形成
されるか、または前記映像信号線下に形成された絶縁膜
のさらに下層に形成されているので、点欠陥を発生させ
ることなく映像信号線の断線を修復することが可能とな
る。
請求項１記載の表示装置において、前記冗長配線が、前
記映像信号線上に形成された絶縁膜のさらに上層に形成
されるか、または前記映像信号線下に形成された絶縁膜
のさらに下層に形成されているので、点欠陥を発生させ
ることなく映像信号線の断線を修復することが可能とな
る。
【００４４】請求項３にかかわる本発明によれば、前記
請求項１記載の表示装置において、前記冗長配線が、前
記映像信号線上に直接形成されるか、または前記映像信
号線下に直接形成されているので、点欠陥を発生させる
ことなく、かつ容易に映像信号線の断線を修復すること
が可能となる。
請求項１記載の表示装置において、前記冗長配線が、前
記映像信号線上に直接形成されるか、または前記映像信
号線下に直接形成されているので、点欠陥を発生させる
ことなく、かつ容易に映像信号線の断線を修復すること
が可能となる。
【００４５】請求項４にかかわる本発明によれば、前記
請求項１、２または３記載の表示装置において、前記冗
長配線が、前記画素電極と同一層の導電膜で形成されて
いるので、点欠陥を発生させることなく、かつ製造工程
を増加することなく映像信号線の断線を修復することが
可能となる。
請求項１、２または３記載の表示装置において、前記冗
長配線が、前記画素電極と同一層の導電膜で形成されて
いるので、点欠陥を発生させることなく、かつ製造工程
を増加することなく映像信号線の断線を修復することが
可能となる。
【００４６】請求項５にかかわる本発明によれば、絶縁
性基板上に形成された走査線と、該走査線と並行に形成
された蓄積容量線と、前記走査線および前記蓄積容量線
と絶縁膜を介して交差して形成された映像信号線と、前
記走査線、前記蓄積容量線および前記映像信号線とに囲
まれた画素電極とを備える表示装置であって、前記映像
信号線と前記走査線または前記蓄積容量線との交差部以
外の領域において、前記映像信号線上または下に形成さ
れた冗長配線を備えているので、点欠陥を発生させるこ
となく映像信号線の断線を修復することが可能となる。
性基板上に形成された走査線と、該走査線と並行に形成
された蓄積容量線と、前記走査線および前記蓄積容量線
と絶縁膜を介して交差して形成された映像信号線と、前
記走査線、前記蓄積容量線および前記映像信号線とに囲
まれた画素電極とを備える表示装置であって、前記映像
信号線と前記走査線または前記蓄積容量線との交差部以
外の領域において、前記映像信号線上または下に形成さ
れた冗長配線を備えているので、点欠陥を発生させるこ
となく映像信号線の断線を修復することが可能となる。
【００４７】請求項６にかかわる本発明によれば、前記
請求項５記載の表示装置において、前記冗長配線が、前
記映像信号線上に形成された絶縁膜のさらに上層に形成
されるか、または前記映像信号線下に形成された絶縁膜
のさらに下層に形成されているので、点欠陥を発生させ
ることなく映像信号線の断線を修復することが可能とな
る。
請求項５記載の表示装置において、前記冗長配線が、前
記映像信号線上に形成された絶縁膜のさらに上層に形成
されるか、または前記映像信号線下に形成された絶縁膜
のさらに下層に形成されているので、点欠陥を発生させ
ることなく映像信号線の断線を修復することが可能とな
る。
【００４８】請求項７にかかわる本発明によれば、前記
請求項５記載の表示装置において、前記冗長配線が、前
記映像信号線上に直接形成されるか、または前記映像信
号線下に直接形成されているので、点欠陥を発生させる
ことなく、かつ容易に映像信号線の断線を修復すること
が可能となる。
請求項５記載の表示装置において、前記冗長配線が、前
記映像信号線上に直接形成されるか、または前記映像信
号線下に直接形成されているので、点欠陥を発生させる
ことなく、かつ容易に映像信号線の断線を修復すること
が可能となる。
【００４９】請求項８にかかわる本発明によれば、前記
請求項５、６または７記載の表示装置において、前記冗
長配線が、前記画素電極と同一層の導電膜で形成されて
いるので、点欠陥を発生させることなく、かつ製造工程
を増加することなく映像信号線の断線を修復することが
可能となる。
請求項５、６または７記載の表示装置において、前記冗
長配線が、前記画素電極と同一層の導電膜で形成されて
いるので、点欠陥を発生させることなく、かつ製造工程
を増加することなく映像信号線の断線を修復することが
可能となる。
【００５０】請求項９にかかわる本発明によれば、絶縁
性基板上に形成された走査線と、該走査線と並行に形成
された蓄積容量線と、前記走査線および前記蓄積容量線
と絶縁膜を介して交差して形成された映像信号線と、前
記走査線、前記蓄積容量線および前記映像信号線とに囲
まれた画素電極とを備える表示装置の断線修復方法であ
って、前記走査線と前記映像信号線との交差部を含み、
かつ１画素内で複数の分断部を有するように、前記映像
信号線上に形成された絶縁膜のさらに上層に冗長配線
を、または前記映像信号線下に形成された絶縁膜のさら
に下層に冗長配線を形成する工程と、前記映像信号線の
断線部をまたぎ、かつ前記冗長配線と前記映像信号線と
が重なる領域において、前記冗長配線と前記映像信号線
とを接続する工程とを含んでいるので、点欠陥を発生さ
せることなく、映像信号線の断線を修復可能な表示装置
を得ることができる。
性基板上に形成された走査線と、該走査線と並行に形成
された蓄積容量線と、前記走査線および前記蓄積容量線
と絶縁膜を介して交差して形成された映像信号線と、前
記走査線、前記蓄積容量線および前記映像信号線とに囲
まれた画素電極とを備える表示装置の断線修復方法であ
って、前記走査線と前記映像信号線との交差部を含み、
かつ１画素内で複数の分断部を有するように、前記映像
信号線上に形成された絶縁膜のさらに上層に冗長配線
を、または前記映像信号線下に形成された絶縁膜のさら
に下層に冗長配線を形成する工程と、前記映像信号線の
断線部をまたぎ、かつ前記冗長配線と前記映像信号線と
が重なる領域において、前記冗長配線と前記映像信号線
とを接続する工程とを含んでいるので、点欠陥を発生さ
せることなく、映像信号線の断線を修復可能な表示装置
を得ることができる。
【００５１】請求項１０にかかわる本発明によれば、前
記請求項９記載の表示装置の断線修復方法において、前
記映像信号線の断線部をまたぎ、かつ前記冗長配線と前
記映像信号線とが重なる領域において、前記冗長配線と
前記映像信号線とを接続する工程がレーザー照射する工
程を含んでいるので、点欠陥を発生させることなく、映
像信号線の断線を確実に修復可能な表示装置を得ること
ができる。
記請求項９記載の表示装置の断線修復方法において、前
記映像信号線の断線部をまたぎ、かつ前記冗長配線と前
記映像信号線とが重なる領域において、前記冗長配線と
前記映像信号線とを接続する工程がレーザー照射する工
程を含んでいるので、点欠陥を発生させることなく、映
像信号線の断線を確実に修復可能な表示装置を得ること
ができる。
【図１】本発明の実施の形態１における薄膜トランジス
タ（ＴＦＴ）を用いたアクティブマトリクス型液晶表示
装置の略１画素の平面図である。
タ（ＴＦＴ）を用いたアクティブマトリクス型液晶表示
装置の略１画素の平面図である。
【図２】本発明の実施の形態１における映像信号線の断
線修復方法を説明する略１画素の平面図である。
線修復方法を説明する略１画素の平面図である。
【図３】本発明の実施の形態２における表示装置の略１
画素の平面図である。
画素の平面図である。
【図４】本発明の実施の形態３における表示装置の略１
画素の平面図である。
画素の平面図である。
【図５】本発明の実施の形態４における表示装置の略１
画素の平面図である。
画素の平面図である。
【図６】本発明の実施の形態５における表示装置の略１
画素の平面図である。
画素の平面図である。
【図７】従来技術の液晶表示装置における略１画素の平
面図である。
面図である。
【図８】従来技術の液晶表示装置における略１画素の平
面図である。
面図である。
【図９】従来技術の液晶表示装置における略１画素の平
面図である。
面図である。
１ 走査線
２ 映像信号線
３ 蓄積容量線
４ 画素電極
５ ソース電極
６ ドレイン電極
７ 薄膜トランジスタ
８ 冗長配線
９ 冗長配線の分断部
１０ コンタクトホール
１１ 半導体膜
１２ レーザー照射部
１３ 断線部
１４ ＩＴＯパターン
１５ ゲート電極
１６ チャネル層
１７ 配線冗長膜
フロントページの続き
(51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考）
Ｈ０１Ｌ 21/3205 Ｈ０１Ｌ 29/78 ６１２Ｃ ５Ｇ４３５
29/786 ６１２Ａ
21/88 Ｚ
Ｆターム(参考） 2H088 FA14 FA19 HA02 MA20
2H092 GA25 GA26 HA04 JA24 JB21
JB71 MA30 NA12
5C094 AA42 BA03 BA43 CA19 DA14
EA04 EA10 FB12 FB14 FB15
HA08
5F033 HH04 HH05 HH08 HH11 HH17
HH20 HH21 HH38 JJ01 JJ04
JJ05 JJ08 JJ11 JJ17 JJ20
JJ21 JJ38 KK08 KK11 KK17
KK20 KK21 LL04 MM05 NN03
QQ08 QQ11 QQ53 RR04 RR06
RR08 SS15 VV15 XX36
5F110 AA27 BB01 CC07 EE03 EE04
EE06 FF02 FF03 FF04 FF09
FF30 GG02 GG13 GG15 GG45
HK02 HK03 HK04 HK06 HK09
HK14 HK16 HK21 HK35 HK39
HL07 HM19 NN03 NN22 NN23
NN24 NN35 NN72 NN73 QQ09
5G435 AA17 AA19 BB12 CC09 HH12
HH14 KK05 LL06 LL07 LL08
Claims (10)
- 【請求項１】 絶縁性基板上に形成された走査線と、該
走査線と並行に形成された蓄積容量線と、前記走査線お
よび前記蓄積容量線と絶縁膜を介して交差して形成され
た映像信号線と、前記走査線、前記蓄積容量線および前
記映像信号線とに囲まれた画素電極とを備える表示装置
であって、前記走査線と前記映像信号線との交差部を含
み、かつ１画素内で複数の分断部を有する、前記映像信
号線上または下に形成された冗長配線を備えてなること
を特徴とする表示装置。 - 【請求項２】 前記冗長配線が、前記映像信号線上に形
成された絶縁膜のさらに上層に形成されるか、または前
記映像信号線下に形成された絶縁膜のさらに下層に形成
される請求項１記載の表示装置。 - 【請求項３】 前記冗長配線が、前記映像信号線上に直
接形成されるか、または前記映像信号線下に直接形成さ
れる請求項１記載の表示装置。 - 【請求項４】 前記冗長配線が、前記画素電極と同一層
の導電膜で形成される請求項１、２または３記載の表示
装置。 - 【請求項５】 絶縁性基板上に形成された走査線と、該
走査線と並行に形成された蓄積容量線と、前記走査線お
よび前記蓄積容量線と絶縁膜を介して交差して形成され
た映像信号線と、前記走査線、前記蓄積容量線および前
記映像信号線とに囲まれた画素電極とを備える表示装置
であって、前記映像信号線と前記走査線または前記蓄積
容量線との交差部以外の領域において、前記映像信号線
上または下に形成された冗長配線を備えてなることを特
徴とする表示装置。 - 【請求項６】 前記冗長配線が、前記映像信号線上に形
成された絶縁膜のさらに上層に形成されるか、または前
記映像信号線下に形成された絶縁膜のさらに下層に形成
される請求項５記載の表示装置。 - 【請求項７】 前記冗長配線が、前記映像信号線上に直
接形成されるか、または前記映像信号線下に直接形成さ
れる請求項５記載の表示装置。 - 【請求項８】 前記冗長配線が、前記画素電極と同一層
の導電膜で形成される請求項５、６または７記載の表示
装置。 - 【請求項９】 絶縁性基板上に形成された走査線と、該
走査線と並行に形成された蓄積容量線と、前記走査線お
よび前記蓄積容量線と絶縁膜を介して交差して形成され
た映像信号線と、前記走査線、前記蓄積容量線および前
記映像信号線とに囲まれた画素電極とを備える表示装置
の断線修復方法であって、前記走査線と前記映像信号線
との交差部を含み、かつ１画素内で複数の分断部を有す
るように、前記映像信号線上に形成された絶縁膜のさら
に上層に冗長配線を、または前記映像信号線下に形成さ
れた絶縁膜のさらに下層に冗長配線を形成する工程と、
前記映像信号線の断線部をまたぎ、かつ前記冗長配線と
前記映像信号線とが重なる領域において、前記冗長配線
と前記映像信号線とを接続する工程とを含むことを特徴
とする表示装置の断線修復方法。 - 【請求項１０】 前記映像信号線の断線部をまたぎ、か
つ前記冗長配線と前記映像信号線とが重なる領域におい
て、前記冗長配線と前記映像信号線とを接続する工程が
レーザー照射する工程を含む請求項９記載の表示装置の
断線修復方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2002051935A JP2003255371A (ja) | 2002-02-27 | 2002-02-27 | 表示装置および該表示装置の断線修復方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2002051935A JP2003255371A (ja) | 2002-02-27 | 2002-02-27 | 表示装置および該表示装置の断線修復方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2003255371A true JP2003255371A (ja) | 2003-09-10 |
Family
ID=28663781
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2002051935A Pending JP2003255371A (ja) | 2002-02-27 | 2002-02-27 | 表示装置および該表示装置の断線修復方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2003255371A (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008015526A (ja) * | 2006-06-30 | 2008-01-24 | Samsung Electronics Co Ltd | アレイ基板及びそれを有する表示パネル |
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| US7816683B2 (en) | 2006-09-18 | 2010-10-19 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Array substrate and display apparatus having the same |
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-
2002
- 2002-02-27 JP JP2002051935A patent/JP2003255371A/ja active Pending
Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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