JP2003248440A

JP2003248440A - アクティブマトリクス型表示装置

Info

Publication number: JP2003248440A
Application number: JP2002049612A
Authority: JP
Inventors: Mitsuki Hishida; 光起菱田
Original assignee: Sanyo Electric Co Ltd
Current assignee: Sanyo Electric Co Ltd
Priority date: 2002-02-26
Filing date: 2002-02-26
Publication date: 2003-09-05

Abstract

(57)【要約】【課題】画素電極と画素駆動用のＴＦＴのコンタクト
部が非発光領域となる構造の表示装置では、その部分が
暗くなるため、開口率が視覚上落ちる問題があった。【解決手段】画素電極と画素駆動用のＴＦＴとのコン
タクト部を複数に分割して設ける。これにより、非発光
領域を１画素内で分散し、且つその領域は小さい面積と
なるので、視覚上、開口率を高めることができる。ま
た、コンタクト部を分散することで、リスク分散により
コンタクト不良も低減できる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、アクティブマトリ
クス型表示装置に係り、特に視覚上の開口率を高めるア
クティブマトリクス型表示装置に関する。

【０００２】

【従来の技術】近年、エレクトロルミネッセンス（Elec
tro Luminescence：以下、「ＥＬ」と称する。）素子を
用いたＥＬ表示装置が、ＣＲＴやＬＣＤに代わる表示装
置として注目されており、例えば、そのＥＬ素子を駆動
させるスイッチング素子として薄膜トランジスタ（Thin
Film Transistor：以下、「ＴＦＴ」と称する。）を備
えたＥＬ表示装置の研究開発も進められている。

【０００３】ところで、有機ＥＬ表示装置の駆動方式と
しては、単純マトリクスのパッシブ型とＴＦＴを使用す
るアクティブマトリクス型の２種類があり、アクティブ
マトリクス型においては一般に図６に示す回路構成が用
いられている。

【０００４】図６は、１画素当たりの回路構成を示して
おり、有機ＥＬ素子７０と、ドレインに表示信号Dataが
印加され、ゲートに印加される選択信号Scanによりオン
オフするスイッチング用の第１のＴＦＴ７１と、ＴＦＴ
７１のオン時に供給される表示信号Dataにより充電さ
れ、ＴＦＴ７１のオフ時には充電電圧Ｖｈを保持するコ
ンデンサ７２と、ドレインが駆動電源電圧COMに接続さ
れ、ソースが有機ＥＬ素子７０の陽極に接続されると共
に、ゲートにコンデンサ７２からの保持電圧Ｖｈが供給
されることにより有機ＥＬ素子７０を駆動する第２のＴ
ＦＴ７３とによって構成されている。

【０００５】選択信号Scanは、選択された１水平走査期
間（１Ｈ）中Ｈレベルになり、これによってＴＦＴ７１
がオンすると、表示信号Dataがコンデンサ７２の一端に
供給され、表示信号Dataに応じた電圧Ｖｈがコンデンサ
７２に充電される。この電圧Ｖｈは、ScanがＬレベルに
なってＴＦＴ７１がオフになっても、１垂直走査（１
Ｖ）期間コンデンサ７２に保持され続ける。そして、こ
の電圧ＶｈがＴＦＴ７３のゲートに供給されているの
で、電圧Ｖｈに応じた輝度でＥＬ素子が発光するように
制御される。

【０００６】そこで、このようなアクティブマトリクス
型のＥＬ表示装置において、カラー表示を実現する従来
構成について、以下説明する。

【０００７】図７は従来構成を示す平面図であり、ＲＧ
Ｂの３画素を示している。図８は図７におけるＣ−Ｃ線
に沿った断面図である。

【０００８】図において、５１は表示信号DATAを供給す
るドレインライン、５２は電源電圧COMを供給する電源
ライン、５３は選択信号Scanを供給するゲートラインで
あり、５４が図６の第１のＴＦＴ７１、５５が図６のコ
ンデンサ７２、５６が図６の第２のＴＦＴ７３、５７が
画素電極を構成するＥＬ素子７０の陽極を表している。

【０００９】図８には、第２のＴＦＴ５６の構造を説明
する。透明なガラス基板１０上に能動層４６となるポリ
シリコン薄膜を成膜し、その上にゲート絶縁膜４７を成
膜する。次にゲート絶縁膜４７の上に、クロムのゲート
電極４５を形成しこれを層間絶縁膜４４で覆った上に電
源ライン５２を形成する。層間絶縁膜４４、ゲート絶縁
膜４７にはコンタクトホールを設け、コンタクト部Ｃ２
により、電源ライン５２とＴＦＴ５６の能動層４６（ド
レイン領域４６ｄ）とがコンタクトする。陽極６０は、
第1平坦化膜ＰＬＮ１上に各画素毎に分離して形成さ
れ、第１平坦化膜ＰＬＮ１に設けられた第２のコンタク
ト部Ｃ３ｂにより配線層５８と接続し、配線層５８は層
間絶縁膜４４に設けられた第１のコンタクト部Ｃ３ａに
より第２のＴＦＴ５６の能動層４６（ソース領域４６
ｓ）とコンタクトする。第２平坦化膜ＰＬＮ２は、陽極
６０のエッジによりＥＬ素子がダメージを受けるのを保
護するために、少なくとも陽極６０のエッジおよびコン
タクト部Ｃ３ｂを覆って設けられる。

【００１０】陽極６０上には、ホール輸送層６１、発光
層６２、電子輸送層６３、陰極６４が順に積層されるこ
とにより、ＥＬ素子が形成されている。そして、陽極６
０から注入されたホールと陰極６４から注入された電子
とが発光層６２の内部で再結合することにより光が放た
れ、この光が図８の矢印で示すように透明な陽極側から
外部へ放射される。また、発光層６２はＲＧＢ毎に異な
る発光材料を使用することにより、ＲＧＢの各光が各Ｅ
Ｌ素子から発光される。陰極６４は、各画素に共通の電
圧を印加するので、各画素にわたって延在している。

【００１１】

【発明が解決しようとする課題】従来のボトムエミッシ
ョン型のＥＬ表示装置の構造においては、陽極６０と、
第２のＴＦＴ５６とは、配線層５８を介して第１平坦化
膜ＰＬＮ１のコンタクト部Ｃ３ｂおよび層間絶縁膜４４
のコンタクト部Ｃ３ａで接続している。これらの部分は
上記した構造によれば、ＥＬ素子を保護する第２平坦化
膜ＰＬＮ２が覆っていることから、発光層６２自体が設
けられず、非発光領域となる。ここで、第１および第２
コンタクト部Ｃ３ａ、Ｃ３ｂは必ず対で形成され、共に
非発光領域となるので、以下総称してコンタクト部Ｃ３
と称する。また、第２平坦化膜が設けられず、発光層６
２が陽極６０のコンタクトＣ３上を覆って陽極６０とほ
ぼ重畳して設けられる構造も採用されるが、図８の矢印
のように発光するため、第２のＴＦＴ５６とのコンタク
ト部が影になる。つまり、いずれにしてもボトムエミッ
ション型ＥＬ表示装置の場合、図９に示す如くコンタク
ト部は非発光部となっていた。。

【００１２】この非発光部、つまり陽極６０と第２のＴ
ＦＴ５６とのコンタクト部Ｃ３が１画素の面積に対して
相対的に大きいと、実際に発光させた場合に図９波線で
示すように見え、コンタクト部Ｃ３が暗くなってしまう
ために視覚上の開口率が落ちる問題があった。

【００１３】

【課題を解決するための手段】本発明は、前述の課題に
鑑みてなされ、第１に、画素毎に独立した画素電極と、
前記個々の画素電極に接続され、前記画素の表示または
非表示を制御するスイッチング素子とを有するアクティ
ブマトリクス型表示装置において、前記画素電極と前記
スイッチング素子とのコンタクト部を複数個に分割して
設けることにより解決するものである。

【００１４】また、前記複数のコンタクト部は１つの画
素電極内で所定の距離で離間して設けることを特徴とす
るものである。

【００１５】また、前記複数のコンタクト部は、１画素
内におけるコンタクト部の総面積で前記スイッチング素
子を十分駆動できる程度に小さく設けられることを特徴
とするものである。

【００１６】第２に、基板上方に設けられ画素毎に独立
した第１の電極と、該第１の電極上に設けられた発光素
子層と、該発光素子層上に設けられた第２の電極と、前
記第１の電極とコンタクトし前記発光素子層を駆動する
薄膜トランジスタとを有するアクティブマトリクス型表
示装置において、前記画素毎に、前記第１の電極と前記
薄膜トランジスタとのコンタクト部を複数個に分割して
設けることにより解決するものである。

【００１７】また、前記複数のコンタクト部は、前記第
１の電極内で所定の距離で離間して設けることを特徴と
するものである。

【００１８】また、前記複数のコンタクト部は、１画素
内におけるコンタクト部の総面積で前記スイッチング素
子を十分駆動できる程度に小さく設けられることを特徴
とするものである。

【００１９】つまり、透明電極と第２のＴＦＴとのコン
タクト部の面積を従来よりも縮小し、１つの画素内で複
数設けることにより、非発光部分を分散できる。また、
コンタクト部の大きさと、それぞれの離間距離を所定の
値にすることにより、画素全体が発光するように見え、
視覚上の開口率を高めることができる。

【００２０】

【発明の実施の形態】本発明の実施の形態について図１
から図５を参照して詳細に説明する。

【００２１】図１は、本発明によるボトムエミッション
型カラーＥＬ表示装置の一実施形態を示す平面図であ
り、ＲＧＢの３画素分を示している。また、図２は図１
におけるＡ−Ａ線に沿った断面図であり、図３は、Ｂ−
Ｂ線に沿った断面図である。

【００２２】各画素の駆動回路は、図６に示す回路と全
く同一であるので、説明は省略する。

【００２３】図１に示すように、表示信号DATAを供給す
るドレインライン１と選択信号Scanを供給するゲートラ
イン３とに囲まれた領域に表示画素が形成されている。
また、２は電源電圧COMを供給する電源ラインである。
ドレインライン１および電源ライン２はアルミニウムよ
りなり、ゲートライン３はクロムよりなる。

【００２４】また、４が図６の第１のＴＦＴ７１、５が
図６のコンデンサ７２、６が図６の第２のＴＦＴ７３、
そして、７がＩＴＯより成り画素電極を構成するＥＬ素
子７０の陽極を表している。

【００２５】ドレイン、ゲート両ラインの交点付近には
スイッチング素子である第１のＴＦＴ４が備えられてお
り、その第１のＴＦＴ４のソース１２ｓはコンデンサ５
の容量電極を兼ねるとともに、有機ＥＬ素子を駆動する
第２のＴＦＴ６のゲート１５に接続されている。第２の
ＴＦＴ６のソース１６ｓは有機ＥＬ素子の陽極２０に接
続され、他方のドレイン１６ｄは有機ＥＬ素子を駆動す
る電源ライン２に接続されている。

【００２６】次に図２を用いて、第１のＴＦＴ４の構造
を説明する。透明なガラス基板１０上に第１の能動層１
２となるポリシリコン薄膜を成膜し、その上にゲート絶
縁膜７を成膜する。次にゲート絶縁膜７の上にクロムの
第１のゲート電極１１を形成し、これを層間絶縁膜１４
で覆った上にドレインライン１を形成する。更に、第１
の平坦化絶縁膜ＰＬＮ１、第２の平坦化膜ＰＬＮ２を積
層する。また、第１のＴＦＴ４の付近には、保持容量電
極５ａが配置されている。この保持容量電極５ａはクロ
ム等から成っており、ゲート絶縁膜７を介して第１のＴ
ＦＴ４のソース１２ｓと接続された容量電極５ｂとの間
で電荷を蓄積してコンデンサ５を成している。このコン
デンサ５は、第２のＴＦＴ６のゲート１５に印加される
電圧を保持するために設けられている。ドレインライン
１はコンタクト部Ｃ１０により第１のＴＦＴ４の能動層
１２とコンタクトする。

【００２７】次に、図３に第２のＴＦＴ６の構造を説明
する。まず図３（ａ）を参照して、透明なガラス基板１
０上に第２の能動層１６となるポリシリコン薄膜を成膜
し、その上にゲート絶縁膜７を成膜する。次にゲート絶
縁膜７の上にクロムの第２のゲート電極１５を形成し、
これを層間絶縁膜１４で覆った上に電源ライン２を形成
する。また、コンタクト部Ｃ２０により、電源ライン２
と第２のＴＦＴ６の能動層１６（ドレイン領域１６ｄ）
とがコンタクトする。

【００２８】層間絶縁膜上には配線層１８を設け、第１
のコンタクト部Ｃ３２ａにより第２のＴＦＴ４の能動層
１６とコンタクトさせる。配線層１８は、ソース領域１
６ｓとの接続領域からＥＬ素子の形成領域まで形成され
る。

【００２９】更に約１〜３μｍの第１の平坦化膜ＰＬＮ
１が全面に形成されている。この平坦化膜ＰＬＮ１は、
後述する平坦化膜ＰＬＮ２と共に表面を平坦にする。そ
の理由は、有機ＥＬ用の膜にある。この膜は、非常に薄
い有機層の積層体である。またＥＬ素子は、電流駆動で
あるため、これらの膜厚が極めて均一に形成されない
と、膜厚の薄い部分に集中して電流が大量に流れ、その
部分にひときわ輝く輝点が発生すると同時に、有機膜の
劣化を発生し、最悪の場合破壊に至る。従って、この破
壊を防止するには、陽極２０を含む全面ができるだけ平
坦である必要があり、ここでは一例としてアクリル膜を
採用している。

【００３０】配線層１８上は第１の平坦化膜ＰＬＮ１で
覆われ、第１のコンタクトＣ３２ａとずらした平坦な部
分に第２のコンタクトＣ３２ｂを設ける。ＩＴＯにて成
る陽極２０は第１の平坦化膜ＰＬＮ１上に形成する。つ
まり、陽極２０は、配線層１８を介して第２コンタクト
Ｃ３２ｂおよびＣ３２ａによって第２のＴＦＴの能動層
１６（ソース領域１６ｓ）とコンタクトする。

【００３１】更に、陽極２０が形成された上には、第２
の平坦化膜ＰＬＮ２が形成される。これは、陽極２０の
エッジによるＥＬ素子の劣化を抑制するため、少なくと
も陽極のエッジおよびコンタクト部Ｃ３２ｂを覆って設
けられる。ここも第１の平坦化膜ＰＬＮ１と同様に、ア
クリル膜が採用される。

【００３２】陽極２０は第１平坦化膜ＰＬＮ１上に各画
素毎に分離して形成されており、陽極２０に対応する第
２の平坦化膜ＰＬＮ２が取り除かれ、その上にはＥＬ素
子が形成されている。ＥＬ素子は、ホール輸送層２１が
全面に形成され、発光層２２、電子輸送層２３が各画素
毎に分離して形成され、陰極２４が全面に形成されて、
この順に積層されることにより、ＥＬ素子が形成されて
いる。そして、陽極２０から注入されたホールと陰極２
４から注入された電子とが発光層２２の内部で再結合す
ることにより光が放たれ、この光が矢印で示すように透
明な陽極側から外部へ放射される。また、発光層２２は
コンタクト部を除き、陽極２０とほぼ同様の形状に画素
毎に分離して形成され、更にＲＧＢ毎に異なる発光材料
を使用することにより、ＲＧＢの各光が各ＥＬ素子から
発光される。

【００３３】ここで、ホール輸送層２１、電子輸送層２
３、陰極２４の材料として、例えば、MTDATA，Alq3，Mg
In合金が用いられ、また、Ｒ、Ｇ、Ｂの各々の発光層２
２としては、DCM系をドーパントとして含むAlq、キナク
リドンをドーパントとして含むAlq、ジスチリルアリー
レン系をドーパントとして含むDPVBi系を使用してい
る。

【００３４】本実施形態において、ホール輸送層２１は
各画素にわたって延在して形成され、電子輸送層２３は
画素毎に形成されている。発光層２２は、ここに流れる
電流によって発光する。発光層２２は各画素毎に異なる
色を発光するように形成される必要があるので、各画素
毎に独立して設けられているが、ホール輸送層２１と電
子輸送層２３は各画素毎に独立していても、複数画素に
わたって延在していても、その動作上、大きな差違はな
い。

【００３５】図からも明らかなように、第２の平坦化膜
ＰＬＮ２は第１コンタクト部Ｃ３２ａ、Ｃ３２ｂを共に
覆っており、発光層２２は形成されないため、この部分
は非発光領域となる。第１および第２コンタクト部Ｃ３
２ａ、Ｃ３２ｂは必ず対で形成され、共に非発光領域と
なるので、以下総称してコンタクト部Ｃ３２と称する。

【００３６】本発明に於いては、図１に示す如く、この
コンタクト部を分散してＣ３１（Ｃ３１ａ、Ｃ３１
ｂ）、Ｃ３２、Ｃ３３（Ｃ３３ａ、Ｃ３３ｂ）の３箇所
に設ける。

【００３７】また、図３（ｂ）には、第２の平坦化膜Ｐ
ＬＮ２を設けない断面構造を示す。平面図は図１と同じ
である。前述の如く、陽極２０となるＩＴＯのエッジに
よるＥＬ素子の劣化を防ぐために第２平坦化膜ＰＬＮ２
が設けられるが、この膜は省略しても良い。この場合、
ＥＬ素子は図の如く陽極２０と第２のＴＦＴ６のコンタ
クト部Ｃ３１ｂ〜Ｃ３３ｂも覆って設けられる。

【００３８】本発明の特徴は、陽極２０と第２のＴＦＴ
６とのコンタクト部を、複数に分割し、各コンタクト面
積を小さく、所定の距離を置いて配置することにある。

【００３９】図１に示すコンタクト部Ｃ３１〜Ｃ３３
は、１画素の陽極内で複数設けられ、従来と比較して微
小な面積となっている。具体的には、従来は１箇所のコ
ンタクト部で１発光素子を駆動しており、所定の面積を
有している。本発明の実施の形態によれば、コンタクト
部を複数にほぼ等分割して個々のコンタクト部を従来と
比較して微小な面積としている。コンタクト部の電気抵
抗はコンタクトサイズが大きいほど低くなる。本実施形
態のコンタクト各々は、電気抵抗が高く、発光層に十分
な電流を供給できない。しかし、微小なコンタクトを複
数設けることで、それらのトータルで十分な電流供給能
力を有し、１つの発光素子を駆動できる。また、分離し
たコンタクト同士が近接していると、結局暗く見えてし
まうので、２０μｍ〜３０μｍ離間して設ける。このよ
うに、各コンタクト部は互いになるべく離間することが
望ましい。尚、図１ではコンタクト３箇所に設けている
が、この数に限らず、複数設けられれば良い。

【００４０】本実施形態では、前述したように、第２平
坦化膜ＰＬＮ２がコンタクト上を覆うため、コンタクト
上には発光層が形成されず非発光部分となる。また、図
３（ｂ）の如く第２平坦化膜ＰＬＮ２がなく、コンタク
ト部Ｃ３２ｂ上を覆って発光層２２が形成される場合に
ついては、矢印の方向に発光するため、コンタクト部分
が影となり、同じく非発光部分となる。

【００４１】しかし、本発明によれば、コンタクト部分
を小さく複数個に分割し、１つの画素内で所定の距離で
離間して設けることにより、非発光部分も小さく且つ分
散させることができる。これにより、図４に示す如く、
非発光部分が目立たなくなる。

【００４２】すなわち、従来のように非発光部分が大き
く目立つものと比較して、非発光部分を分散させること
により目立たなくするもので、視覚上の開口率を高める
ことができるものである。本実施形態では、コンタクト
を３つに分散し、個々のコンタクト面積は従来に比較し
て１／３となっている。このコンタクト１つだけでは、
発光層を最大輝度の６０％までしか発光させることがで
きないが、そのコンタクトを３つ配置することで、発光
層を１００％の輝度で発光させ、且つ低抵抗とすること
ができる。

【００４３】また、本実施形態において、３つのコンタ
クトのうち１つが不良となっても残り２つのコンタクト
を合わせると１００％発光させることができるので歩留
まりも向上する。

【００４４】ここで、本発明は、非発光部分を分散する
ことに特徴があり、コンタクト部の面積、数、離間距離
は画素の面積に対して適宜定められればよい。例えば、
発光領域が充分に大きい場合は、図４に示したように任
意の位置に等間隔で配置する。発光領域が充分に大きく
ない場合は、例えば画素が四角形状であれば角部近くに
配置するといったように各コンタクト同士の間隔をでき
るだけ大きく確保すると良い。更には画素毎の総面積で
第２のＴＦＴ６が駆動するに十分な面積があればよく、
当然ながらそれ以上の面積でも良い。例えば、ｎ個のコ
ンタクトを配置する場合、１つのコンタクトは通常の駆
動電圧で少なくとも最大輝度を発光するために必要な電
流の１／（ｎ−１）だけ供給できる面積以上としておく
と、コンタクトの１つが不良となっても１００％の輝度
で発光させることができる。この場合３個又は５個が最
適である。このように、本発明によれば、コンタクトを
複数個所に分散して設けることにより、リスク分散によ
りコンタクト不良が低減する利点も有する。

【００４５】以上、ボトムエミッション型構造で説明し
てきたが、本発明は、トップエミッション型構造にも採
用でき、第２の実施の形態として以下に説明する。

【００４６】ボトムエミッション型構造と、トップエミ
ッション型構造の本質的な違いは、陰極が極めて薄い金
属膜とＩＴＯやＩＺＯ等の透明電極との積層である点だ
けであり、トップエミッション型構造の平面パターン、
および第１のＴＦＴ部の断面図は、ボトムエミッション
型構造と実質同じであるので図１、図２を代用する。ま
た図１のＢ−Ｂ線に対応する断面図を図５に示した。こ
れよりトップエミッション型の図面は、符号の下二桁を
前実施の形態と同じ数字にしている。

【００４７】簡単に説明すれば、ボトムエミッション型
構造のＥＬ素子部分の積層順を入れ替えた構造である。
すなわち、最下層が陰極１２４となり、その上に電子輸
送層１２３、発光層１２２、ホール輸送層１２１を積層
し、最上層にＩＴＯおよびＡｇ／Ｍｇからなる陽極１２
０が設けられる。

【００４８】トップエミッション型の場合には、矢印の
方向に発光する。特に図５の如く第２平坦化膜がある場
合は、コンタクト部Ｃ１３１〜Ｃ１３３に発光層１２２
が形成されないため、ボトムエミッション型と同様に、
コンタクト部分が非発光部分となる。

【００４９】したがって、上述の構造を適用すること
で、非発光部分を小さく、且つ分散し視覚上の開口率を
高めることができる。

【００５０】尚、第２の実施の形態において、第２平坦
化膜を省略した構造の場合は、コンタクト上を覆って発
光層１２２が形成されるため非発光部分はなくなる。し
かしいずれの場合もコンタクト部を分散することでリス
ク分散によりコンタクト不良を低減する利点を有する。

【００５１】ここで、上述の２つの実施の形態において
は、半導体膜としてｐ−Ｓｉ膜を用いたが、微結晶シリ
コン膜又は非晶質シリコン膜等の半導体膜を用いても良
い。またシングルゲート型で説明したがダブルゲート型
ＴＦＴでも良い。

【００５２】また、上記のＴＦＴはボトムゲート構造に
より説明したが、トップゲート構造でも実施できる。

【００５３】更に、上述の実施の形態においては、有機
ＥＬ表示装置について説明したが、本発明はそれに限定
されるものではなく、発光層が無機材料から成る無機Ｅ
Ｌ表示装置にも適用が可能であり、同様の効果が得られ
る。

【００５４】

【発明の効果】本発明によれば、第１に視覚上の開口率
を向上させることができる。画素電極である陽極とＥＬ
素子を駆動するＴＦＴのコンタクト部分が非発光領域と
なる場合に、非発光領域が１画素に比べて相対的に大き
いと、開口率が視覚上、落ちることになる。しかし、本
発明の如くコンタクト部を複数個に分割し、非発光領域
を分散することで画素全体が発光するように見え、開口
率を視覚上高めることができる。

【００５５】第２に、コンタクト部を分散させること
で、リスク分散により画素全体のコンタクト不良を低減
できる利点も有する。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明を説明するための平面図である。

【図２】本発明を説明するための断面図である。

【図３】本発明を説明するための断面図である。

【図４】本発明を説明するための平面図である。

【図５】本発明を説明するための断面図である。

【図６】従来技術を説明するための回路図である。

【図７】従来技術を説明するための平面図である。

【図８】従来技術を説明するための断面図である。

【図９】従来技術を説明するための平面図である。

フロントページの続きＦターム(参考） 3K007 AB03 AB17 DB03 GA00 5C094 AA03 BA03 BA29 CA19 DA13 FA01 HA08 5F110 AA26 BB01 CC01 CC07 DD02 EE04 EE28 GG02 GG13 GG14 GG15 HM18 NN03 NN27 NN72 NN73 QQ19

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】画素毎に独立した画素電極と、前記個々
の画素電極に接続され、前記画素の表示または非表示を
制御するスイッチング素子とを有するアクティブマトリ
クス型表示装置において、前記画素電極と前記スイッチング素子とのコンタクト部
を複数個に分割して設けることを特徴とするアクティブ
マトリクス型表示装置。
【請求項２】前記複数のコンタクト部は１つの画素電
極内で所定の距離で離間して設けることを特徴とする請
求項１に記載のアクティブマトリクス型表示装置。
【請求項３】前記複数のコンタクト部は、１画素内に
おけるコンタクト部の総面積で前記スイッチング素子を
十分駆動できる程度に小さく設けられることを特徴とす
る請求項１に記載のアクティブマトリクス型表示装置。
【請求項４】基板上方に設けられ画素毎に独立した第
１の電極と、該第１の電極上に設けられた発光素子層
と、該発光素子層上に設けられた第２の電極と、前記第
１の電極とコンタクトし前記発光素子層を駆動する薄膜
トランジスタとを有するアクティブマトリクス型表示装
置において、前記画素毎に、前記第１の電極と前記薄膜トランジスタ
とのコンタクト部を複数個に分割して設けることを特徴
とするアクティブマトリクス型表示装置。
【請求項５】前記複数のコンタクト部は、前記第１の
電極内で所定の距離で離間して設けることを特徴とする
請求項４に記載のアクティブマトリクス型表示装置。
【請求項６】前記複数のコンタクト部は、１画素内に
おけるコンタクト部の総面積で前記スイッチング素子を
十分駆動できる程度に小さく設けられることを特徴とす
る請求項４に記載のアクティブマトリクス型表示装置。