JP2003248019A - コンタクトプローブ及びその製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 コンタクトプローブ及びその製造方法におい
て、コンタクトプローブの持つ容量を低減し、電気的特
性の向上を図ること。 【解決手段】 複数のパターン配線１２がフィルム１１
の表面上に形成されこれらのパターン配線の各先端部が
フィルムの先端部に配されてコンタクトピン１２ａとさ
れるコンタクトプローブ１０であって、前記フィルムの
裏面側に金属層１１ｂを備え、該金属層は、前記フィル
ムの先端部において前記複数のパターン配線に直交して
延在されている先端部領域１１ｃと、前記フィルムの基
端部に配される基端部領域１１ｄと、前記先端部領域か
ら前記基端部領域まで細帯状に延在する接続領域１１ｅ
とから構成されている。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、プローブピンやソ
ケットピン等として用いられ、プローブカードやテスト
用ソケット等に組み込まれて液晶デバイスや半導体ＩＣ
チップ等の各端子に接触して電気的なテストを行うコン
タクトプローブとその製造方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】一般に、ＬＣＤ（液晶表示体）又はＩＣ
チップやＬＳＩチップ等の半導体チップの各端子に接触
させて電気的なテストを行うために、コンタクトピンが
用いられている。近年、ＬＣＤの画素数増加及び高精細
化並びにＩＣチップ等の高集積化及び微細化に伴って電
極であるコンタクトパッドが狭ピッチ化されるととも
に、コンタクトピンの多ピン狭ピッチ化が要望されてい
る。しかしながら、コンタクトピンとして用いられてい
たタングステン針のコンタクトプローブでは、タングス
テン針の径の限界から多ピン狭ピッチへの対応が困難に
なっていた。

【０００３】これに対して、例えば、特公平７−８２０
２７号公報や特許第３２０４０９０号公報に、複数のパ
ターン配線が樹脂フィルム上に形成されこれらのパター
ン配線の各先端が樹脂フィルムから突出状態に配されて
コンタクトピンとされるコンタクトプローブの技術が提
案されている。この技術例では、複数のパターン配線の
先端部をコンタクトピンとすることによって、多ピン狭
ピッチ化を図るとともに、複雑な多数の部品を不要とす
るものである。

【０００４】このコンタクトプローブ１は、図７に示す
ように、フィルム２の片面にＮｉ（ニッケル）またはＮ
ｉ合金で形成されるパターン配線３を張り付けた構造と
なっており、フィルム２の端部からパターン配線３の先
端部が突出してコンタクトピン３ａとされている。な
お、フィルム２は、ポリイミド樹脂フィルム層２ａ上に
Ｃｕ（銅）、Ｎｉ等の金属フィルム層２ｂがグラウンド
として積層されて構成されている。

【０００５】

【発明が解決しようとする課題】従来のコンタクトプロ
ーブの技術では、以下のような課題が残っている。すな
わち、金属フィルム層とパターン配線とが誘電体層であ
るポリイミド樹脂フィルム層を挟んだコンデンサー構造
であるため、各ピンが一定の容量を有し、この容量が大
きいと波形なまりが生じて信号の遅延に影響を及ぼす不
都合があった。特に、液晶表示デバイスに適用する場合
では、動画表示の制御において応答速度が低下する不都
合があった。

【０００６】本発明は、前述の課題に鑑みてなされたも
ので、コンタクトプローブの持つ容量を低減し、電気的
特性の向上を図ることができるコンタクトプローブ及び
その製造方法を提供することを目的とする。

【０００７】

【課題を解決するための手段】本発明は、前記課題を解
決するために以下の構成を採用した。すなわち、本発明
のコンタクトプローブは、複数のパターン配線がフィル
ムの表面上に形成されこれらのパターン配線の各先端部
がフィルムの先端部に配されてコンタクトピンとされる
コンタクトプローブであって、前記フィルムの裏面側に
金属層を備え、該金属層は、前記フィルムの先端部にお
いて前記複数のパターン配線に直交して延在されている
先端部領域と、前記フィルムの基端部に配される基端部
領域と、前記先端部領域から前記基端部領域まで細帯状
に延在する接続領域とから構成されていることを特徴と
する。

【０００８】このコンタクトプローブでは、金属層が、
フィルムの先端部において複数のパターン配線に直交し
て延在されている先端部領域と、フィルムの基端部に配
される基端部領域と、先端部領域から基端部領域まで細
帯状に延在する接続領域とから構成されているので、細
帯状の接続領域によって従来のようにフィルム全体に金
属層を設けた場合に比べて大幅に容量を低減することが
できると共に、全体として金属層領域が少なくなりプロ
ーブ全体のフレキシブル性が向上する。

【０００９】また、上記先端部領域によってフィルムの
先端部における伸びが抑制され、各コンタクトピンの間
隔にずれが生じ難くなると共に、金属層をグラウンドと
して用いる場合には、基端部領域によってプリント基板
側と電気的に接続させることができる。さらに、金属層
にさらにＡｕ（金）メッキ等を施す場合には、先端部領
域と基端部領域とが接続領域で連結されているので、金
属層全体を電解メッキすることができる。

【００１０】また、本発明のコンタクトプローブは、前
記接続領域が、前記パターン配線の直上から外れた位置
に又は前記パターン配線と交差するように配されている
技術が採用される。すなわち、このコンタクトプローブ
では、接続領域がパターン配線の直上から外れた位置に
又はパターン配線と交差するように配されているので、
パターン配線と重なる面積を極力低減することができ、
さらに小容量化させることができる。

【００１１】また、本発明のコンタクトプローブは、前
記フィルムの表裏を貫通すると共に前記金属層と前記複
数のパターン配線の一部とを電気的に接続するビアホー
ルを備え、前記接続領域は、前記ビアホール及び該ビア
ホールが接続された前記パターン配線の直上に配される
技術が採用される。すなわち、このコンタクトプローブ
では、接続領域がビアホール及び該ビアホールが接続さ
れたパターン配線の直上に配されるので、パターン配線
との電気的接続をビアホールを介して行うことができ、
金属層をグラウンド層とすることができる。また、電気
的に接続されたパターン配線の直上に接続領域が配され
るため、他の配線との間で生じる容量を大幅に低減する
ことができる。

【００１２】本発明のコンタクトプローブの製造方法
は、上記本発明のコンタクトプローブの製造方法であっ
て、基板層の上に前記コンタクトピンの材質に被着又は
結合する材質の第１の金属層を形成する第１の金属層形
成工程と、前記第１の金属層の上に第１のマスクを施し
てマスクされていない部分に前記パターン配線及び前記
コンタクトピンに供される第２の金属層をメッキ処理に
より形成するメッキ処理工程と、前記フィルムの裏面側
に金属層を張り付ける金属層形成工程と、前記第１のマ
スクを取り除いた前記第２の金属層上に表面を被着面と
して前記フィルムを被着するフィルム被着工程と、前記
フィルムと前記第２の金属層とからなる部分及び前記基
板層と第１の金属層とからなる部分を分離する分離工程
とを備え、前記金属層形成工程は、前記フィルムの裏面
全体に張り付けた金属フィルム上に、前記先端部領域に
供される部分を覆う先端部マスク部と、前記基端部領域
に供される部分を覆う基端部マスク部と、前記接続領域
に供される部分を覆う接続マスク部とから構成されてい
る第２のマスクを施し、マスクされていない部分をエッ
チングして前記金属層を形成することを特徴とする。

【００１３】このコンタクトプローブの製造方法では、
金属層形成工程において、フィルムの裏面全体に張り付
けた金属フィルム上に、先端部領域に供される部分を覆
う先端部マスク部と、基端部領域に供される部分を覆う
基端部マスク部と、接続領域に供される部分を覆う接続
マスク部とから構成されている第２のマスクを施し、マ
スクされていない部分をエッチングして金属層を形成す
るので、先端部領域、基端部領域及び接続領域からなる
金属層を高精度に形成することができる。

【００１４】

【発明の実施の形態】以下、本発明に係るコンタクトプ
ローブ及びその製造方法の第１実施形態を、図１から図
４を参照しながら説明する。これらの図にあって、符号
１０はコンタクトプローブ、１１はフィルム、１２はパ
ターン配線を示している。

【００１５】本実施形態のコンタクトプローブ１０は、
ＬＣＤ用の出力側プローブとして所定形状に切り出した
もので、図１に示すように、フィルム１１の表面側にＮ
ｉ合金（第２の金属層）で形成される複数のパターン配
線１２を有する構造となっており、フィルム１１の先端
側からはパターン配線１２の先端部が突出してコンタク
トピン１２ａとされている。なお、本実施形態では、コ
ンタクトピンがフィルムから突出状態に配されている
が、突出しないタイプであっても構わない。すなわち、
パターン配線の各先端部がフィルムの先端部に配されて
コンタクトピンとされるが、コンタクトピン先端がフィ
ルムから突出していないコンタクトプローブであっても
よい。

【００１６】上記フィルム１１は、表面側のポリイミド
樹脂フィルム層１１ａと、裏面側のＣｕ（銅）からなる
金属層１１ｂとが積層されて構成されている。なお、金
属層１１ｂの表面には、Ａｕメッキ（図示略）が施され
ている。また、Ｎｉ等の金属層１１ｂを採用しても構わ
ない。この金属層１１ｂは、フィルム１１の先端部にお
いて複数のパターン配線１２に直交して延在されている
先端部領域１１ｃと、フィルム１１の基端部に配される
基端部領域１１ｄと、先端部領域１１ｃから基端部領域
１１ｄまで細帯状に延在する接続領域１１ｅとから構成
されている。

【００１７】また、接続領域１１ｅは、複数のパターン
配線１２の基端部中央から先端側に向けて左右の斜め方
向に２本配されてＶ字状に形成されている。すなわち、
接続領域１１ｅは、各パターン配線１２と交差するよう
に配されている。なお、符号１００は、パターン配線１
２とプリント基板（図示略）の配線との接続を行うため
にフィルム１１に開けられた接続用窓である。すなわ
ち、コンタクトプローブ１０は、測定を行う際に、メカ
ニカルパーツ（図示略）に組み込まれることによりプリ
ント基板に位置決めされ、接続用窓１００を介して互い
の配線が接続状態に取り付けられてプローブ装置とされ
る。

【００１８】本実施形態のコンタクトプローブ１０で
は、金属層１１ｂが、先端部領域１１ｃと、基端部領域
１１ｄと、細帯状の接続領域１１ｅとから構成されてい
るので、細帯状の接続領域１１ｅにより、従来のように
フィルム全体に金属層を設けた場合に比べて大幅に容量
を低減することができる。特に、接続領域１１ｅが各パ
ターン配線１２と交差するように配されているので、パ
ターン配線１２と重なる面積を極力低減することがで
き、さらに小容量化させることができる。

【００１９】また、細帯状の接続領域１１ｅにより、全
体として金属層領域が少なくなりプローブ全体のフレキ
シブル性が向上する。さらに、先端部領域１１ｃによっ
てフィルム１１の先端部における伸びが抑制され、各コ
ンタクトピン１２ａの間隔にずれが生じ難くなる。ま
た、金属層１１ｂにＡｕメッキ等を施す場合には、先端
部領域１１ｃと基端部領域１１ｄとが接続領域１１ｅで
連結されているので、金属層１１ｂ全体を電解メッキす
ることができる。

【００２０】次に、本実施形態のコンタクトプローブ１
０の製造方法について、図２及び図３を参照しながら工
程順に説明する。

【００２１】〔ベースメタル層形成工程（第１の金属層
形成工程）〕まず、図２の（ａ）に示すように、ステン
レス製の支持金属板１６の上に、Ｃｕ（銅）メッキによ
りベースメタル層（第１の金属層）１７を形成する。

【００２２】〔パターン形成工程〕このベースメタル層
１７の上に第１のフォトレジスト層１８を形成した後、
図２の（ｂ）に示すように、写真製版技術により、第１
のフォトレジスト層１８に所定のパターンのフォトマス
クＭ１を施して露光し、図２の（ｃ）に示すように、第
１のフォトレジスト層１８を現像してパターン配線１２
となる部分を除去して残存する第１のフォトレジスト層
（第１のマスク）１８に開口部１８ａを形成する。

【００２３】なお、本実施形態においては、第１のフォ
トレジスト層１８をネガ型フォトレジストによって形成
しているが、ポジ型フォトレジストを採用して所望の開
口部１８ａを形成しても構わない。また、本実施形態に
おいては、第１のフォトレジスト層１８が、本願請求項
にいう「マスク」に相当する。但し、本願請求項の「マ
スク」とは、本実施形態の第１のフォトレジスト層１８
のように、フォトマスクＭを用いた露光・現像工程を経
て開口部１８ａが形成されるものに限定されるわけでは
ない。例えば、メッキ処理される箇所に予め孔が形成さ
れた（すなわち、予め、図２の（ｃ）の符号１８で示す
状態に形成されている）フィルム等でもよい。本願発明
において、このようなフィルム等を「マスク」として用
いる場合には、本実施形態におけるパターン形成工程は
不要である。

【００２４】〔メッキ処理工程〕そして、図２の（ｄ）
に示すように、開口部１８ａにパターン配線１２となる
Ｎｉ合金層（第２の金属層）Ｎを電解メッキ処理により
形成する。上記メッキ処理の後、図２の（ｅ）に示すよ
うに、第１のフォトレジスト層１８を除去する。

【００２５】〔金属層形成工程〕次に、図３の（ａ）に
示すように、所定の形状とされた誘電体層であるポリイ
ミド樹脂フィルム層１１ａ上に銅箔の金属フィルム層１
１ｆを接着剤（図示略）で張り付ける。さらに、この金
属フィルム層１１ｆ上に、図３の（ｂ）に示すように所
定のパターンの第２のフォトレジスト層（第２のマス
ク）Ｍ２を形成する。この第２のフォトレジスト層Ｍ２
は、図４のハッチング領域に示すように、先端部領域１
１ｃに供される部分を覆う先端部マスク部ｍ１と、基端
部領域１１ｄに供される部分を覆う基端部マスク部ｍ２
と、接続領域１１ｅに供される部分を覆う接続マスク部
ｍ３とから構成されている。

【００２６】この第２のフォトレジスト層Ｍ２を施した
後、図３の（ｃ）に示すように、マスクされていない部
分に銅エッチングを施して先端部領域１１ｃ、基端部領
域１１ｄ及び接続領域１１ｅから構成される金属層１１
ｂを形成する。そして、金属層１１ｂ上にさらにＡｕメ
ッキ（図示略）を施しておく。なお、上記金属フィルム
層１１ｆは、銅箔に加えて、Ｎｉ、Ｎｉ合金等でもよ
い。

【００２７】〔フィルム被着工程〕次に、図２の（ｆ）
に示すように、Ｎｉ合金層Ｎの上であって、図に示した
コンタクトピン１２ａ（すなわちパターン配線１２の先
端部）となる部分以外に、金属層１１ｂを張り付けたフ
ィルム１１を接着剤１９により接着する。この際、ポリ
イミド樹脂フィルム層１１ａ側にＮｉ合金層Ｎを接着す
る。

【００２８】〔分離工程〕そして、図２の（ｇ）に示す
ように、フィルム１１とパターン配線１２とベースメタ
ル層１７とからなる部分を、支持金属板１６から分離さ
せた後、Ｃｕエッチを経て、図２の（ｈ）に示すよう
に、フィルム１１にパターン配線１２のみを接着させた
状態とする。

【００２９】このように本実施形態では、金属層形成工
程において、フィルム１１の裏面全体に張り付けた金属
フィルム層１１ｆ上に、先端部領域１１ｃに供される部
分を覆う先端部マスク部ｍ１と、基端部領域１１ｄに供
される部分を覆う基端部マスク部ｍ２と、接続領域１１
ｅに供される部分を覆う接続マスク部ｍ３とから構成さ
れている第２のフォトレジスト層Ｍ２を施し、マスクさ
れていない部分をエッチングして金属層１１ｂを形成す
るので、先端部領域１１ｃ、基端部領域１１ｄ及び接続
領域１１ｅからなる金属層１１ｂを高精度に形成するこ
とができる。

【００３０】次に、本発明に係るコンタクトプローブと
その製造方法の第２実施形態を、図５及び図６を参照し
ながら説明する。

【００３１】第２実施形態と第１実施形態との異なる点
は、第１実施形態では、ＬＣＤ用の出力側プローブであ
ってグラウンドラインがなく、金属層１１ｂがグラウン
ド面とされていないのに対し、第２実施形態のコンタク
トプローブ２０はＬＣＤ用の入力側プローブであって、
図５及び図６に示すように、パターン配線２２にグラウ
ンドライン２２Ｇを有し、金属層２１ｂがビアホールＨ
を介してグラウンドライン２２Ｇと電気的に接続されて
いる点である。

【００３２】なお、本実施形態のフィルム２２は、ポリ
イミド樹脂フィルム層２１ａと金属層２１ｅとの二層か
らなり、ビアホールＨは、グラウンドライン２２Ｇ直上
のポリイミド樹脂フィルム層２１ａに形成されている。
また、ビアホールＨは、例えば導電性ペーストＰが埋め
られてグラウンドライン２２Ｇと接続領域２１ｅとの導
通を図っている。

【００３３】また、本実施形態では、金属層２１ｂが、
先端部領域２１ｃ、基端部領域２１ｄ及び接続領域２１
ｅから構成されているが、接続領域２１ｅがビアホール
Ｈ及び該ビアホールＨが接続されたグラウンドライン２
２Ｇの直上に配されている点で第１実施形態と異なって
いる。

【００３４】すなわち、本実施形態では、接続領域２１
ｅがビアホールＨ及び該ビアホールＨが接続されたグラ
ウンドライン２２Ｇの直上に配されるので、パターン配
線２２のうちグラウンドライン２２Ｇとの電気的接続を
ビアホールＨを介して行うことができ、金属層２１ｂを
グラウンド層とすることができる。また、接続領域２１
ｅが電気的に接続されたグラウンドライン２２Ｇの直上
に配されるため、他の配線との間で生じる容量を大幅に
低減することができる。

【００３５】なお、本発明の技術範囲は上記実施の形態
に限定されるものではなく、本発明の趣旨を逸脱しない
範囲において種々の変更を加えることが可能である。例
えば、上記第１実施形態では、接続領域がパターン配線
と交差するように配されているが、接続領域を配するス
ペースがあればパターン配線の直上から外れた位置に配
しても構わない。

【００３６】また、上記各実施形態では、フィルムの表
面側に誘電体層が設けられ、該誘電体層としてポリイミ
ド樹脂フィルム層を採用したが、より低誘電率材料から
なるフィルム層を用いればさらに低容量化を図ることが
できる。例えば、低誘電率のフィルム層として、四フッ
化エチレン等を用いてもよい。また、フィルムの誘電体
層の厚みをさらに厚くすることにより、さらに低容量化
を図ることができる。さらに、測定回路の高周波信号
（インピーダンス制御）、低周波信号、電源信号のそれ
ぞれに容量がマッチングするように金属層の形状、上記
誘電体層材質及び厚さを決定すれば、より信号の遅延を
抑制することができる。

【００３７】また、上記各実施形態においては、ＬＣＤ
のテスト用プローブ装置用のコンタクトプローブに適用
したが、他のものに採用しても構わない。例えば、ウェ
ーハ上ＩＣのテスト用コンタクトプローブやＩＣチップ
のバーンインテスト用ソケットに用いるコンタクトプロ
ーブ等に適用してもよい。

【００３８】

【発明の効果】本発明によれば、以下の効果を奏する。
すなわち、本発明のコンタクトプローブによれば、金属
層が、先端部領域と、基端部領域と、先端部領域から基
端部領域まで細帯状に延在する接続領域とから構成され
ているので、従来に比べて大幅に容量を低減することが
でき、信号の遅延を防いで電気的特性の向上を図ること
ができる。また、全体として金属層領域が少なくなりプ
ローブ全体のフレキシブル性が向上し、組立時の作業性
が良くなると共に、組立時の歪み力による動きが小さく
なるため、位置精度を保つことができる。

【００３９】本発明のコンタクトプローブの製造方法に
よれば、金属層形成工程において、金属フィルム上に、
先端部マスク部と、基端部マスク部と、先端部マスク部
から基端部マスク部まで細帯状に延在する接続マスク部
とから構成されている第２のマスクを施し、マスクされ
ていない部分をエッチングして金属層を形成するので、
先端部領域、基端部領域及び接続領域からなる金属層を
高精度に形成することができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】 本発明に係るコンタクトプローブ及びその製
造方法の第１実施形態を示すコンタクトプローブの平面
図である。

【図２】 本発明に係る第１実施形態の製造工程を示す
フィルム先端部におけるパターン配線に直交した方向の
要部断面図である。

【図３】 本発明に係る第１実施形態の製造工程におけ
る金属層形成工程を工程順に示す要部断面図である。

【図４】 本発明に係る第１実施形態の製造工程におけ
る金属層形成工程の第２のマスクを示す平面図である。

【図５】 本発明に係るコンタクトプローブ及びその製
造方法の第２実施形態を示すコンタクトプローブの平面
図である。

【図６】 本発明に係る第２実施形態のビアホール部分
の要部断面図である。

【図７】 本発明に係るコンタクトプローブの従来例を
示す斜視図である。

【符号の説明】

１０、２０ コンタクトプローブ １１ フィルム １１ａ、２１ａ ポリイミド樹脂フィルム層 １１ｂ、２１ｂ 金属層 １１ｃ、２１ｃ 先端部領域 １１ｄ、２１ｄ 基端部領域 １１ｅ、２１ｅ 接続領域 １１ｆ 金属フィルム層 １２、２２ パターン配線 １２ａ コンタクトピン １７ ベースメタル層（第１の金属層） １８ 第１のフォトレジスト層（第１のマスク） ２２Ｇ グラウンドライン Ｈ ビアホール Ｍ２ 第２のフォトレジスト層（第２のマスク） ｍ１ 先端部マスク部 ｍ２ 基端部マスク部 ｍ３ 接続マスク部 Ｎ Ｎｉ合金層（第２の金属層） Ｐ 導電性ペースト

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 杉山 達雄 兵庫県三田市テクノパーク十二番地の六 三菱マテリアル株式会社三田工場内 (72)発明者 阿曽 健 兵庫県三田市テクノパーク十二番地の六 三菱マテリアル株式会社三田工場内 (72)発明者 吉田 秀昭 東京都千代田区大手町一丁目５番１号 三 菱マテリアル株式会社先端製品カンパニー 内 (72)発明者 中村 忠司 東京都千代田区大手町一丁目５番１号 三 菱マテリアル株式会社先端製品カンパニー 内 Ｆターム(参考） 2G011 AA15 AA21 AB06 AB08 AB09 AC00 AC31 AE01 AF07 2G132 AA00 AF02 AL00 AL19 4M106 AA02 BA01 DD03 DD15

Claims (4)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 複数のパターン配線がフィルムの表面上
   に形成されこれらのパターン配線の各先端部がフィルム
   の先端部に配されてコンタクトピンとされるコンタクト
   プローブであって、 前記フィルムの裏面側に金属層を備え、 該金属層は、前記フィルムの先端部において前記複数の
   パターン配線に直交して延在されている先端部領域と、 前記フィルムの基端部に配される基端部領域と、 前記先端部領域から前記基端部領域まで細帯状に延在す
   る接続領域とから構成されていることを特徴とするコン
   タクトプローブ。
2. 【請求項２】 請求項１に記載のコンタクトプローブに
   おいて、 前記接続領域は、前記パターン配線の直上から外れた位
   置に又は前記パターン配線と交差するように配されてい
   ることを特徴とするコンタクトプローブ。
3. 【請求項３】 請求項１に記載のコンタクトプローブに
   おいて、 前記フィルムの表裏を貫通すると共に前記金属層と前記
   複数のパターン配線の一部とを電気的に接続するビアホ
   ールを備え、 前記接続領域は、前記ビアホール及び該ビアホールが接
   続された前記パターン配線の直上に配されることを特徴
   とするコンタクトプローブ。
4. 【請求項４】 請求項１から３のいずれかに記載のコン
   タクトプローブを製造する方法であって、 基板層の上に前記コンタクトピンの材質に被着又は結合
   する材質の第１の金属層を形成する第１の金属層形成工
   程と、 前記第１の金属層の上に第１のマスクを施してマスクさ
   れていない部分に前記パターン配線及び前記コンタクト
   ピンに供される第２の金属層をメッキ処理により形成す
   るメッキ処理工程と、 前記フィルムの裏面側に金属層を張り付ける金属層形成
   工程と、 前記第１のマスクを取り除いた前記第２の金属層上に表
   面を被着面として前記フィルムを被着するフィルム被着
   工程と、 前記フィルムと前記第２の金属層とからなる部分及び前
   記基板層と第１の金属層とからなる部分を分離する分離
   工程とを備え、 前記金属層形成工程は、前記フィルムの裏面全体に張り
   付けた金属フィルム上に、前記先端部領域に供される部
   分を覆う先端部マスク部と、前記基端部領域に供される
   部分を覆う基端部マスク部と、前記接続領域に供される
   部分を覆う接続マスク部とから構成されている第２のマ
   スクを施し、マスクされていない部分をエッチングして
   前記金属層を形成することを特徴とするコンタクトプロ
   ーブの製造方法。