JP2003246638A - ガラス構造物およびその製造方法 - Google Patents
ガラス構造物およびその製造方法Info
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Abstract
け、さらにその壁面のテーパ角を調整するなど、ガラス
内部に及ぶ3次元的加工を高い自由度をもって行うこと
は、従来、困難であった。本発明は、ガラス基板に自由
度の高い形状の貫通孔や窪みを形成したガラス構造物を
提供することを目的とする。 【解決手段】 本発明のガラス構造物は、ガラス基板の
表面の限定された部分にレーザ光を照射し、ガラス基板
の当該部分を除去することにより製造する。ガラス基板
は、レーザ光のエネルギーを吸収するチタン、鉄、バナ
ジウム、ビスマス、鉛、タリウム、スズ、セリウム、ロ
ジウム、コバルトなどを含有し、レーザ光1パルス当た
り1.0J/cm2以下の加工エネルギーしきい値を有
している。このようなガラス基板21を用いることによ
り、レーザ光10の照射により各種の断面形状を有する
貫通孔61や窪みをもつガラス構造物が形成できる。
Description
するガラス構造物に関し、とくにレーザ光照射によって
製造されるガラス構造物およびその製造方法に関する。
イ装置に組み込むマイクロレンズとしてガラス基板に微
細加工を施したガラス構造物が用いられている。このよ
うなガラス基板に微細加工を施す方法としては、従来、
フッ酸等のエッチング液を用いたウェットエッチング、
あるいは反応性イオンエッチング等のドライエッチング
が一般的に用いられてきた。
ては、エッチング液の管理と処理の問題があり、ドライ
エッチングにあっては真空容器等の設備が必要となり装
置自体が大がかりとなる。さらにこれらのエッチング方
法においては、複雑なフォトリソグラフィー技術によっ
てパターンマスク等を形成しなければならず効率的でな
いという問題もあった。
融、蒸発、アブレーションなどの物理的変化を起こし、
その変化を利用する直接加工も進展している。レーザ技
術の発展により、レーザパルス幅の短縮化、短波長化が
実現され、ポリイミド等の有機物や金属の加工において
はマイクロメートルオーダで加工が進められている。レ
ーザ光は極めて小さなスポットに絞ることができるの
で、微細加工に適している。
め、加工時にクラックが発生しやすい。そのため微細加
工の用途にレーザ加工を用いることは容易でなかった。
このような問題を解決するため、例えば特開平11−2
17237号公報に開示されているように、ガラスに銀
をイオン交換で導入することにより、レーザの加工しき
い値を低減させ、クラック等の発生を抑制したガラスの
微細加工技術も開発されている。
アルカリ金属を含むガラスでは、イオン交換によって銀
イオンを内部に導入できるものの、銀イオンはガラス表
面近傍で還元され、ガラス内部への拡散が阻害されると
いう現象が生じる。このため有効なレーザ加工領域がガ
ラス表面近傍に限られる。このため、ガラス基板に貫通
孔を開け、さらにその壁面のテーパ角を調整するなど、
ガラス内部に及ぶ3次元的加工を高い自由度をもって行
うことは依然として困難である。
還元されず、ガラス内部まで銀イオンが拡散できる場合
でも、銀イオンはガラス表面から拡散過程によりガラス
中に導入されるので、必ずガラス表面の銀イオン濃度が
高くなり、ガラス内部の銀イオン濃度をガラス表面と同
程度まで上昇させるには、非常に長時間の処理が必要と
なるため生産性の点でも問題がある。
になされたもので、ガラス基板に自由度の高い形状の貫
通孔や窪みを形成したガラス構造物およびその製造方法
を提供することを目的とする。
るガラス構造物は平行平板状ガラス基板に厚み方向に貫
通する孔もしくは窪みが形成されたものである。形成す
る孔が、ガラス基板を貫通しない場合を以下、「窪み」
と言う。
断面形状が、このガラス基板の一方の表面から他方の表
面に至る間で変化しているのが特徴である。この変化の
一態様としては、断面形状の面積が、前記ガラス基板の
一方の表面から他方の表面に向かって単調に減少してい
る場合がある。他の態様として、ガラス基板の両表面間
で極小値を有する場合がある。
ぶ線が、ガラス基板の一方の表面から他方の表面に至る
間で直線であり、かつガラス基板の表面の法線に対して
傾斜していることを特徴とする場合がある。また、断面
形状の重心を結ぶ線が屈折した直線もしくは曲線である
ことを特徴とする場合もある。また、断面形状の特別な
場合として、ガラス基板の一方の表面から他方の表面に
至る間で相似形である場合がある。
面形状が、このガラス基板の一方の表面から窪みの底面
近傍に至る間で変化しているのが特徴である。窪みにつ
いても貫通孔と同様な態様がある。ただし、窪みの底面
は形状についての特異部分であり、この底面を除いた底
面近傍までの形状で特徴を規定する。
積が、前記ガラス基板の一方の表面から窪みの底面近傍
に向かって単調に減少していることを特徴とする場合が
ある。他の態様として、ガラス基板の一方の表面と窪み
の底面近傍の間で極小値を有することを特徴とする場合
がある。
ぶ線が、ガラス基板の一方の表面から窪みの底面近傍に
至る間で直線であり、かつガラス基板の表面の法線に対
して傾斜していることを特徴とする場合がある。また、
断面形状の重心を結ぶ線が屈折した直線もしくは曲線で
あることを特徴とする場合もある。また、断面形状の特
別な場合として、ガラス基板の一方の表面から窪みの底
面近傍に至る間で相似形である場合がある。
の限定された部分にレーザ光を照射し、ガラス基板の当
該部分をアブレーションもしくは蒸発によって除去する
ことにより製造するのが望ましい。その場合、ガラス基
板は、レーザ光のエネルギーを吸収する1種類以上の元
素を均一に含有していることが望ましい。
スマス、鉛、タリウム、スズ、セリウム、ロジウム、コ
バルトのうちの少なくともいずれか1つであることが好
ましい。このガラス基板は、レーザ光1パルス当たり
1.0J/cm2以下の加工エネルギーしきい値を有す
ることがとくに好ましい。
よって製造するのが望ましい。第1の方法は、平行平板
状ガラス基板の一方の表面の限定された部分にレーザ光
を照射し、アブレーションあるいは蒸発によって当該部
分を除去する際に、レーザ光のエネルギーを製造過程に
おいて連続的にもしくは断続的に変化させる。
照射位置におけるビームスポット径を製造過程において
連続的にもしくは断続的に変化させる。
ガラス基板の距離を変化させることによるのが望まし
い。あるいはレーザ光照射時にガラス基板表面近傍にマ
スクもしくは絞りを配設し、マスクまたは絞りの開口面
積を変化させるのが望ましい。
板の法線に対して傾斜した方向から照射し、かつレーザ
光の光軸に対してガラス基板を回転させる。
にガラス中に導入でき、且つ、レーザ光エネルギーを吸
収して加工しきい値を低くするような元素を均一に含ん
だレーザ加工用ガラスを被加工物とするので、ガラスの
内部においても良好な加工性が得られ、その結果、ガラ
ス内部においても形状制御性がよくなり、3次元的に自
由度の高いガラス加工物が得られるようになる。
的に照射するレーザ光のエネルギーを制御すれば、所定
の3次元形状を有するガラス構造物が容易に制御性良く
製造できるようになる。
物を得るには、レーザ光が発振されてから試料に照射さ
れるまでに通過する光学系も複雑になり、レーザ光のエ
ネルギーは大幅に減衰する。大出力レーザを使用せず
に、より汎用のレーザ光源で加工を行おうとすれば、加
工しきい値は低いほど望ましい。現状では上記のように
レーザ光パルス当たり1.0J/cm2以下であると使
用できるレーザの範囲が広げられる効果がある。
ン、鉄、バナジウム、ビスマス、鉛、タリウム、スズ、
セリウム、ロジウム、コバルトのうちの少なくともいず
れか1つを含ませた。これは、これらの元素が、本発明
で使用しているレーザ光の波長範囲に大きな吸収を持っ
ているため、ガラスのレーザ加工しきい値を下げる効果
を有する。
的に自由に加工できるようにすることにある。以下、本
発明を用いた実施例を示すが、本発明はこれらの実施例
に限定されるものではない。
1に示すようなレーザ光照射装置1を用い、以下のよう
にして行った。レーザ光源12から出射されたレーザ光
10はレンズ(図示しない)で絞られてステージ24上
の基板ホルダー22に固定したガラス基板20に照射さ
れる。アッテネータ50は、それを通過するレーザ光の
エネルギーを変える装置であり、マイクロメータを操作
することにより、通過するレーザ光のエネルギーを調整
することができる。レーザ光10はこのアッテネータ5
0でパワーを調整してガラス基板20に照射した。
向に1軸、レーザ光の光軸に垂直な面内に2軸の3次元的
に自由に移動させることができるステージである。移動
は電気信号によって行うことができ、予め定めたように
制御が可能である。この他に、レーザ光の光軸方向と平
行な方向に移動でき、さらに基板を回転することができ
るステージを用いた。これについては後述する。
方向に対して自由に傾けることができる。レーザ光の種
類は、レーザ光源12を変えることで、Nd:YAGレ
ーザの第3高調波(波長355nm)、第4高調波(波長
266nm)とKrFエキシマレーザ(波長248n
m)のレーザ光を選択することができる。また、マスク
(図示しない)を必要に応じてガラス基板20近傍の光
軸上に入れることによりレーザ光の径あるいはサイズを
変更した。
ムを発生するので、安全確保のため、遠隔操作可能と
し、レーザ光源12への電源・冷却水供給装置14をリ
モートコントローラ16により操作する。特に図示して
いないが、レーザ光源12自身もシャッタを内蔵し、こ
れも遠隔操作が可能である。またガラス基板20を透過
したレーザ光はビームダンパ18で吸収する。
行った。レーザ光源12としてはNd:YAGレーザの
波長266nm(第4高調波)および355nm(第3
高調波)の紫外光を用いた。このレーザの繰り返し周波
数は20Hzで、パルス幅は5〜8nmとした。レーザ
光は焦点距離100mmのレンズ(図示しない)で集光
し、ステージ24上の基板ホルダー22に固定したガラ
ス基板20に照射した。照射時間は照射シャッタ30で
制御し、2秒とした。
じた状態で、パワーメータ40をレーザ光の光路に入れ
て測定した。このエネルギーをアッテネータ50で変え
てガラス基板20に照射し、アブレーションが起こる限
界のエネルギーを求め、加工しきい値とした。なお、以
下の実施例の試験はチタン(Ti)を25mol%程度
含有する珪酸塩系ガラスで、加工しきい値がレーザ光パ
ルス当たり1.0J/cm2以下のガラス基板について
行った。
10の光軸に対して垂直な方向から一定角度θだけ傾け
ておくことによって、ガラス基板20の厚み方向に対し
て角度を持った斜め孔を作製した。試料を傾ける角度θ
を調整することによって、斜め孔の角度を調整すること
ができる。
光10の光軸に対する傾斜角θ=15度に固定し、レー
ザ光の単位面積当りの照射エネルギーを一定(8J/c
m2)とした場合に形成された貫通孔60の断面図およ
び平面図を模式的に図2に示す(基板の厚みに比べて孔
径を実際より大きな倍率で示している)。
径は約100μmとした。孔を基板表面(レーザ光源1
2に対向する面)20aおよび基板裏面20bにおける
孔60a、60bの形状は略円形であり、基板表面20
aから裏面20bに至る間で、基板面に平行に切った孔
断面の形状も略円形である。断面の面積はガラス基板の
表面に比べて裏面側で小さくなっており、深さ方向に対
して徐々に減少するテーパ状を呈している。
のような窪み70が形成できる。窪み70の底面70d
は図示するように凹状曲面となるが、底面近傍までは貫
通孔の場合と同様な断面が略円形の孔が形成される。
波、第4高調波、KrFのいずれを用いた場合も作製す
ることができた。レーザ光の照射角度、照射パワーを一
定にして加工することにより、形成される孔の断面形状
は貫通孔の場合は全体にわたって相似な形状となり、窪
みの場合は底面近傍まで相似形となる。また断面の面積
は基板の深さ方向に向かって徐々に減少するテーパを有
する孔となる。
処理をしない場合、ほぼ円形であるので、傾斜角が小さ
ければ、形成される孔の断面はほぼ円形となる。その中
心を結ぶ線80は図示するように直線で照射したレーザ
光の方向に対応して基板表面に対してほぼθの角度をも
つ。
の第3高調波、第4高調波を用い、加工中にレーザ光の照
射パワーをアッテネータ50を用いて変えて加工を行っ
た。加工中、ステージ24は固定し、レーザ光源12と
ガラス基板20の距離は一定とした。単位面積当りの照
射エネルギーの初期値を15J/cm2とし、時間とと
もに減少させて孔の貫通時に5J/cm2となるように
連続的に変化させた。照射パワーの減少に伴い、レーザ
光のビーム径も減少する。
の場合に比べて大きな約10°のテーパ角をもつ貫通孔
が得られた。加工部分が基板を貫通する前にレーザ光照
射を停止すれば、同様な窪みを形成できる。
とにより、貫通孔または窪みの側壁面のテーパ角は変更
可能であった。なお、テーパ角とは孔壁面のガラス基板
表面の法線に対する角度であり、テーパ角=0°は、ガ
ラス表面に対して垂直な壁面を有する孔を意味する。そ
の他の特徴は実施例1と同様であった。
させたが、階段状に変化させることもできる。一定照射
パワーで一定時間照射した後、照射を停止し、照射パワ
ーを変更して再度照射を行うことを繰り返すことによっ
てもテーパ状の孔あるいは内壁が階段状になった孔を作
製できる。
の第3高調波、第4高調波を用い、加工中にレーザ光1
0の、光軸方向と平行にステージ24を移動させ、レー
ザ光源12とガラス基板20の距離Lを変えることによ
って、ガラス基板20に照射されるレーザ光の径を変
え、貫通孔もしくは窪みを作製した。レーザ光の照射パ
ワーは加工中一定とした。
ェストよりも手前に置いたので、光源と被照射面の距離
Lが大きくなるにつれ、単位面積当りの照射エネルギー
が増加し、照射面積は減少する。
20の距離をL=95mmとし、貫通時に100mmに
なるように調整した。単位面積当りの照射エネルギーの
初期値を8J/cm2とした。
の場合に比べて大きな約10°のテーパ角をもつ貫通孔
または窪みが得られた。ステージ24を移動させる速さ
を変化させることで、ここで作製した貫通孔または窪み
にできたテーパ角の角度は変更可能であった。さらに距
離を断続的に変化させることも可能である。
スクの開口面積を徐々に変えていくことによって、試料
に照射されるレーザ光の径を変え、加工される部位の大
きさを変更して、貫通孔もしくは窪みを作製した。レー
ザ光としてNd:YAGの第3高調波、第4高調波を用
い、マスクの前での照射パワー、レーザ光源12とガラ
ス基板20の距離Lは加工中一定とした。マスクの開口
の大きさは機械的に絞りを変えることで変化させた。変
化の速さを変えることで、貫通孔または窪みにできたテ
ーパ角は変更可能であった。
1において、ステージ24の替わりに図4に示すような
ステージ26を用いて加工を行った。このステージ26
上に回転駆動機構27を設け、回転軸28に基板ホルダ
ー22を取り付ける。基板ホルダー22は回転軸28に
対して傾斜して固定することができる。
の光軸方向に平行に回転軸28を設定し、この回転軸2
8に基板ホルダー22を傾斜させて取り付けてある。こ
の状態では、レーザ光10はガラス基板20に対して角
度をもち、回転軸を回転させると、基板に対して軸対称
なあらゆる方向から照射される。
角に依存した頂角をもつ円錐形の部位が除去された貫通
孔または窪みが作製できる。レーザ光としてNd:YA
Gの第3高調波、第4高調波を用いた。
10の光軸に平行な方向に動かすことができるととも
に、回転軸28をレーザ光10の光軸に対して傾斜させ
る機構29も備えている。レーザ光10の光軸と回転軸
28を傾斜させることにより、中心軸が基板表面の法線
に対して傾斜した円錐状の貫通孔または窪みも形成でき
る。
り、貫通孔の径が孔の途中で極小になりまた径が増加し
ていくという、くびれがある構造を作製した。上記実施
例のガラス基板よりも厚いガラス基板21を用いて、レ
ーザ光10が回転軸28の回転中心61aとレーザ光1
0の交点61bがガラス基板内部になるようにすること
で、図5に示すようなくびれ61cがある貫通孔61を
作製できた。
点62bがガラス基板の上部(レーザを照射する面側)
にあれば、図6(a)のような深さ方向に広がる形状の
孔62も作製が可能である。もちろん、窪み72(図6
(b))の作製も可能である。さらに、レーザ光10の
光軸と回転軸28を傾斜させることにより、断面の中心
が基板表面の法線に対して傾斜した孔も形成できる。
1と同様の基板を用い、まず実施例5で得られた円錐形
の部位が除去された窪み63eを作製した後に、ステー
ジの回転を止め、窪みの最下点にレーザ光を照射するこ
とにより試料を貫通させ、図7(a)に示すような漏斗
状の構造63を作製した。
円錐形の窪み部63eとなす角度は、基板ホルダー22の
傾きを変えることで図7(b)のように傾斜させること
も可能であった。この場合、基板面に平行な孔の断面は
基板表面から裏面まで円形であるが、その中心を結ぶ線
83は途中で屈曲している。基板ホルダー22の傾きを
徐々に変えることにより中心線83の屈曲を滑らかな曲
線状にすることもできる。ただしレーザ光10を円錐形
の窪み63eの縁に沿った線より傾けて円錐の頂点部分
を照射することはできないので、管63fの傾きは制限
される。
れ用いてKrFエキシマレーザ光の照射を行い、マスク
の形状を反映したそれぞれ円形、矩形断面をもつ直穴を
作製した。図8の例は、この方法で矩形の窪み64eを
形成した後、実施例7同様に窪みの底面にレーザ光を照
射していくことにより試料を円形断面の管64fで貫通
させた構造64である。
に対して傾斜させることは可能である。また管部の加工
にもマスクを用いれば、断面を矩形等の形状とすること
もできる。
ているのと同様な方法でイオン交換により銀を導入した
ガラスと本発明によるチタンを含む溶融法により作製さ
れたガラスの比較を行った。
料にレーザ光を照射し続けることによって各ガラス基板
に貫通孔を作製し、そのテーパ角を比較したところ、銀
を導入したガラスに作製した貫通孔のテーパ角が約7°
であったのに対し、本発明のガラスに作製した貫通孔の
テーパ角は5°と小さくなった。
キシマレーザの波長248nmを用いたときの値であ
り、Nd:YAGレーザの第3高調波(355nm)、
第4高調波(266nm)を用いたときも本発明のガラ
スの方がテーパ角が小さいという結果となった。テーパ
角が小さい方がガラス中に3次元構造を作製する際にそ
の形状を制御しやすく、本発明のガラスは3次元構造を
作製するのに適していることが示された。
料を移動させることにより、自由度高く3次元ガラス構
造物を作製することができる。なお、上記の実施例にお
いては加工に用いるガラス基板がチタンを含んでおり、
そのため加工しきい値が低く、加工できる形状の自由度
が大幅に改善された。
に限られない。使用するレーザ光の波長である可視域も
しくは紫外域の光を吸収する作用のある元素であれば同
様な効果が生じる。鉄、バナジウム、ビスマス、鉛、タ
リウム、スズ、セリウム、ロジウム、コバルト等が有効
で、チタンを含め、これらのうちの少なくともいずれか
1つを含有することが望ましい。
構造物は、産業的には、たとえば以下の用途に使用され
るが、それらの用途に対して形状自由度の高いガラス製
部品を供給できるようになる。
するための2次元孔アレイ。 ・インクジェットプリンタのインク噴射用の穴および穴
アレイ ・顔料あるいはインクあるいは導電物を含むペーストあ
るいは有機物を含む溶液を印刷する際のマスク ・電気配線をガラス基板を貫通させて行なう際の配線用
の穴 ・化学分析用ガラスチップ ・X線用コリメータ ・光部品(回折格子、回折光学素子あるいはレンズ)形
成用の金型 ・固体、液体あるいは気体用のフィルタ ・触媒(金属など)を保持するための担体 ・光の光路制限用の絞り
時にガラス中に導入でき、且つ、レーザ光エネルギーを
吸収して加工しきい値を低くするような元素を均一に含
んだレーザ加工用ガラスを被加工物とするので、ガラス
の内部においても良好な加工性が得られ、その結果、ガ
ラス内部においても形状制御性がよくなり、3次元的に
自由度の高いガラス加工物が得られるようになる。ま
た、本発明の製造方法によれば、3次元的に照射するレ
ーザ光のエネルギーを制御できるので、所定の3次元形
状を有するガラス構造物が容易に制御性良く製造できる
ようになる。
る。
ガラス構造体を示す模式図である。
ラス構造体を示す模式図である。
模式図である。
態を示す模式図である。
の形態を示す模式図である。
態を示す模式図である。
態を示す模式図である。
Claims (21)
- 【請求項1】 平行平板状ガラス基板に厚み方向に貫通
する孔が形成されたガラス構造物において、前記孔の前
記ガラス基板表面に平行な断面形状が前記ガラス基板の
一方の表面から他方の表面に至る間で変化していること
を特徴とするガラス構造物。 - 【請求項2】 前記断面形状の面積が、前記ガラス基板
の一方の表面から他方の表面に向かって単調に減少して
いることを特徴とする請求項1に記載のガラス構造物。 - 【請求項3】 前記断面の面積が、前記ガラス基板の両
表面間で極小値を有することを特徴とする請求項1に記
載のガラス構造物。 - 【請求項4】 前記断面形状の重心を結ぶ線が、前記ガ
ラス基板の一方の表面から他方の表面に至る間で直線で
あり、かつ前記ガラス基板の表面に対する法線に対して
傾斜していることを特徴とする請求項1、2または3に
記載のガラス構造物。 - 【請求項5】 前記断面形状の重心を結ぶ線が屈折した
直線もしくは曲線であることを特徴とする請求項1、2
または3に記載のガラス構造物。 - 【請求項6】 前記断面形状が、前記ガラス基板の一方
の表面から他方の表面に至る間で相似形であることを特
徴とする請求項1ないし5に記載のガラス構造物。 - 【請求項7】 平行平板状ガラス基板に厚み方向に窪み
が形成されたガラス構造物において、前記窪みの前記ガ
ラス基板表面に平行な断面形状が前記ガラス基板の表面
から前記窪みの底面近傍に至る間で変化していることを
特徴とするガラス構造物。 - 【請求項8】 前記断面形状の面積が、前記ガラス基板
の表面から前記窪みの底面近傍に向かって単調に減少し
ていることを特徴とする請求項7に記載のガラス構造
物。 - 【請求項9】 前記断面形状の面積が、前記ガラス基板
の表面から前記窪みの底面近傍に至る間で極小値を有す
ることを特徴とする請求項7に記載のガラス構造物。 - 【請求項10】 前記断面形状の重心を結ぶ線が、前記
ガラス基板の表面から前記窪みの底面近傍に至る間で直
線であり、かつ前記ガラス基板の表面に対する法線に対
して傾斜していることを特徴とする請求項7、8または
9に記載のガラス構造物。 - 【請求項11】 前記断面形状の重心を結ぶ線が屈折し
た直線もしくは曲線であるることを特徴とする請求項
7,8または9に記載のガラス構造物。 - 【請求項12】 前記断面形状が、前記ガラス基板の表
面から前記窪みの底面近傍に至る間で相似形であること
を特徴とする請求項7ないし11に記載のガラス構造
物。 - 【請求項13】 前記ガラス基板の表面の限定された部
分にレーザ光を照射し、前記ガラス基板の当該部分をア
ブレーションもしくは蒸発によって除去することにより
製造された請求項1ないし12に記載のガラス構造物。 - 【請求項14】 前記ガラス基板が、前記レーザ光のエ
ネルギーを吸収する1種類以上の元素を均一に含有して
いることを特徴とする請求項13に記載のガラス構造
物。 - 【請求項15】 前記元素がチタン、鉄、バナジウム、
ビスマス、鉛、タリウム、スズ、セリウム、ロジウム、
コバルトのうちの少なくともいずれか1つであることを
特徴とする請求項14に記載のガラス構造物。 - 【請求項16】 前記ガラス基板が、レーザ光パルス当
たり1.0J/cm2以下の前記レーザ光の加工エネル
ギーしきい値を有することを特徴とする請求項15に記
載のガラス構造物。 - 【請求項17】 平行平板状ガラス基板の一方の表面の
限定された部分にレーザ光を照射し、アブレーションあ
るいは蒸発によって当該部分を除去するガラス構造物の
製造方法において、前記レーザ光のエネルギーを製造過
程において連続的にもしくは断続的に変化させることを
特徴とするガラス構造物の製造方法。 - 【請求項18】 平行平板状ガラス基板の一方の表面の
限定された部分にレーザ光を照射し、アブレーションあ
るいは蒸発によって当該部分を除去するガラス構造物の
製造方法において、前記レーザ光のガラス基板上の照射
位置におけるビームスポット径を製造過程において連続
的にもしくは断続的に変化させることを特徴とするガラ
ス構造物の製造方法。 - 【請求項19】 前記レーザ光の光源とガラス基板の距
離を変化させる請求項17または18に記載のガラス構
造物の製造方法。 - 【請求項20】 前記レーザ光照射時にガラス基板表面
近傍にマスクもしくは絞りを配設し、該マスクまたは絞
りの開口面積を変化させる請求項17または18に記載
のガラス構造物の製造方法。 - 【請求項21】 平行平板状ガラス基板の一方の表面の
限定された部分にレーザ光を照射し、アブレーションあ
るいは蒸発によって当該部分を除去するガラス構造物の
製造方法において、前記レーザ光をガラス基板の法線に
対して傾斜した方向から照射し、かつ前記レーザ光の光
軸に対して前記ガラス基板を回転させることを特徴とす
るガラス構造物の製造方法。
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