JP2003243961A

JP2003243961A - 弾性表面波素子

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Publication number: JP2003243961A
Application number: JP2002038191A
Authority: JP
Inventors: Kenichi Anasako; 健一穴迫
Original assignee: Oki Electric Industry Co Ltd
Current assignee: Oki Electric Industry Co Ltd
Priority date: 2002-02-15
Filing date: 2002-02-15
Publication date: 2003-08-29
Anticipated expiration: 2022-02-15
Also published as: JP4060090B2; US20030155844A1; US6774542B2

Abstract

(57)【要約】【課題】従来技術では述べられていない自然酸化膜や絶
縁膜などについて広く検討し、耐電力特性の向上を図る
と共にヒロックやボイドの発生の阻止を図った弾性表面
波素子を提供することにある。【解決手段】弾性表面波素子において、圧電基板６と、
ＣｒまたはＴｉからなる下地層４１と、ＡｌとＣｕから
なる合金層１１と、酸化膜層３１と、Ａｌ以外の金属か
らなる金属層２１とを有し、前記圧電基板６上に、前記
下地層４１、前記合金層１１、前記酸化膜層３１、前記
金属層２１が順次積層されている構造を有することを特
徴とする。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、弾性表面波（以
下、「ＳＡＷ」という。）素子（以下、「デバイス」と
いう。）、特に、弾性表面波フィルタの電極膜の構造に
関するものである。

【０００２】

【従来技術】従来のＳＡＷデバイスの電極は、例えば、
特開平９−６９７４８号公報に示されている。図７は、
従来例の構成図である。以下、この公報の内容を図７に
基づいて説明する。

【０００３】従来、中心周波数１．５ＧＨｚ帯フィルタ
において、電極線幅を約０．７μｍに形成したＳＡＷデ
バイスに大きな電力を印加すると、弾性表面波によって
生じる歪が電極膜に応力を発生させ、その応力が電極膜
の限界応力を越えると電極材料であるアルミニウム（Ａ
ｌ）原子が結晶粒界を移動し、その結果突起（ヒロッ
ク）と空隙（ボイド）を発生させて電極の破壊が生じ、
ＳＡＷデバイスの特性の劣化に至ることから、電極材料
として銅（Ｃｕ）を添加したＡｌ合金膜を用いることが
行われ、Ａｌ単独膜に比べて大きな電力印加に耐えるも
のが作成されている。また、さらにチタン（Ｔｉ）、ニ
ッケル（Ｎｉ）、パラジウム（Ｐｄ）等を添加して電極
膜の強化を図ることも行われていた。

【０００４】しかしながら、上記従来技術では、携帯用
電話機の送信段に使用するために必要とされる電力に対
して、充分な耐電力性と低挿入損失は得られていなかっ
た。例えば、アナログセルラー電話機では１Ｗ以上の電
力印加に耐え、かつ挿入損失も現在多く使われている誘
電体フィルタと同程度の値に小さくすることが必要であ
るが得られていなかった。

【０００５】また、大電力印加に耐えるようにするため
には添加する金属の割合を増加させれば良いが、同時に
合金膜の比抵抗も増加してしまい挿入損失の増加にな
る。

【０００６】このような認識に基付いて、大電力印加に
耐え、かつ挿入損失の増加も防止できるインターデジタ
ルトランスデューサ（ＩＤＴ）電極を用いたＳＡＷデバ
イスを目的とした、先行技術思想が提示されている。

【０００７】この先行技術の基本は圧電体基板の表面上
に設けたＩＤＴ電極が、Ａｌ膜と、このＡｌ膜よりも大
きな弾性定数を有する導電体材料よりなる膜とを交互に
積層してなり、かつ前記導電体材料よりなる膜とＡｌ膜
の各々の積層数が少なくとも２層以上の構成とした点に
ある。

【０００８】さらに、Ａｌ膜の各層の厚さが１５０ｎｍ
以下で、かつ、このＡｌ膜よりも大きな弾性定数を有す
る導電体材料よりなる膜の各層の厚さをＡｌ膜の厚さよ
りも薄く形成したことで、配線抵抗の増加を防止し、か
つ電極の機械的強度の増加を図り、ヒロックやボイドの
発生を防止し、大きな電力印加に耐えるようにしたもの
である。

【０００９】またさらに、上記先行技術は、積層した電
極の最表面層がＡｌ膜であり、かつその膜厚を５０ｎｍ
以下とするか、または積層した電極の最表面層がＡｌ膜
よりも大きな弾性定数を有する導電体材料よりなる膜と
することで、最表面層に生じるヒロックやボイドの発生
を防止して、大電力印加に強い構造としたものである。

【００１０】上記「ヒロック」や「ボイド」の発生原因
は以下のように考えられている。

【００１１】表面弾性波素子を励振したときに圧電体基
板に歪が生じ、この歪によりＩＤＴ電極に応力が加わ
り、応力が膜の限界応力を越えると電極中のＡｌ原子が
粒界を伝わって表面に移動してヒロックを生じる。Ａｌ
原子が表面に移動すると膜中にはＡｌ原子のボイドが発
生する。このヒロックやボイドが多く発生していくと電
極膜が破壊されるとともに、周波数の変動や挿入損失の
増大が生じてＳＡＷデバイスとしては使用に耐えられな
くなる。

【００１２】このＡｌ原子の移動によるヒロックやボイ
ドの発生は、膜の機械的強度が大きくなるほど生じ難
く、またＡｌ膜を構成する粒径が小さいほど生じ難くな
り、さらに粒界表面にＣｕ、Ｔｉ等の原子が析出すると
抑制されることは従来から知られており、各種の材料の
添加が試みられてきた。しかしながら、添加材料の濃度
を増加すると膜の比抵抗が増大して挿入損失の大幅な増
加につながるために添加量には限界があった。

【００１３】また、実験によれば以下のことが認められ
た、とある。即ち、添加材料の濃度を増加させても単一
合金膜の場合、圧電基板と電極との界面から電極の表面
まで結晶粒界は連続的に存在している。電極に加わる応
力がこの合金電極の限界応力以上になれば、Ａｌは結晶
粒界を通じて電極表面にまで原子移動が生じ、ヒロック
を発生してしまうことが認められた。

【００１４】この先行技術は、このような知見に基づ
き、Ａｌ膜をこれらの材料よりも大きな弾性定数を有す
る材料で層状に分割することで、Ａｌ膜の粒径の拡大を
防止するとともに、Ａｌ原子が粒界を通じて電極表面に
移動することを防止するものとなっている。

【００１５】さらに、Ａｌ膜の間にこれらよりも大きな
弾性定数を有する材料を積層することで電極膜全体の弾
性的強度を大きくさせて大きな応力印加でも破壊されに
くくなるようにしたものである。また、積層するＡｌ膜
の各層の厚さが厚い場合には励振による応力でＡｌ原子
は横方向への移動が生じサイドヒロックを発生する。こ
のサイドヒロックは電極の劣化につながるとともに、隣
のＩＤＴ電極と接触するとショート不良となる。

【００１６】この防止に対しては、積層するＡｌ膜の厚
さを薄くすることが効果的であり、実験より送信段に使
うための１Ｗ以上の電力印加に耐えるためには１５０ｎ
ｍ以下、望ましくは１００ｎｍ以下とすることがよいこ
とを見いだしている。また、Ａｌ膜よりも大きな弾性定
数を有する導電体材料は一般にＡｌ膜よりも密度が大き
いことからできるだけ薄く形成することが望ましく、少
なくともＡｌ膜よりも薄く形成することで配線抵抗増大
を防止することができる、とするものである。

【００１７】まとめると、以下のようになる。

【００１８】圧電基板と、前記圧電基板の表面上に供給
された櫛型のＩＤＴ電極とから構成されたＳＡＷデバイ
スにおいて、前記ＩＤＴ電極は、第１の材料膜及び第２
の材料膜から構成されており、前記第１の材料膜はＡｌ
だけで構成され、前記第２の材料膜は、前記第１の材料
膜よりも大きな弾性定数を有する、即ち、硬い１つの導
電材料のみから構成されている。

【００１９】前記ＩＤＴ電極は、前記第１の材料膜と前
記第２の材料膜とのそれぞれの複数膜から構成されてい
る。前記第１の材料膜は約１５０ｎｍ以下の厚さを有し
ており、前記第２の材料膜は前記第１の材料膜の前記厚
さより薄い厚さを有する。換言すると、バリアメタルは
抵抗値が大きいので、薄く形成する。この結果、前記第
２の材料膜は薄いことから高周波での影響は少ない。

【００２０】図７（ａ）〜（ｃ）は上記従来例の積層構
成電極の積層数を変えた場合の断面概略図である。図に
示した断面はＩＤＴ電極の１本のみを示したものであ
る。３１〜３３、３５〜３８、４０〜４５はＡｌ膜で、
５１〜５２、５３〜５５、５６〜６０はＡｌ膜よりも弾
性定数の大きな導電性材料膜であり、図７（ａ）では３
１〜３３と５１〜５２を含めてＩＤＴ電極２を構成して
いる。図７（ｂ）では、３５〜３８と５３〜５５を含め
てＩＤＴ電極２を構成している。図７（ｃ）では、４０
〜４５と５６〜６０でＩＤＴ電極２を構成している。

【００２１】また、１は圧電体基板であり、本実施例で
はＬｉ酸Ｔａを用いた。２はＩＤＴ電極である。

【００２２】特徴的なのは、電極構成をＡｌ−１Ｗｔ％
Ｔｉ合金膜、Ａｌ−１Ｗｔ％Ｃｕ合金膜を用いたときに
はヒロックが発生している点にある。

【００２３】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記従
来の膜構成では、材料構成をＡｌのみの膜とそれより弾
性定数の高いものとを導体材料を変え交互に積層すると
耐電力特性が向上すると述べているが、従来技術では述
べられていない自然酸化膜や絶縁膜などについては全く
検討されておらず、容易に作成できる効果的な手段を除
外するものであった。

【００２４】本発明は、上記問題点に鑑み、従来技術で
は述べられていない自然酸化膜や絶縁膜などについて広
く検討し、耐電力特性の向上を図ると共にヒロックやボ
イドの発生の阻止を図った弾性表面波素子を提供するこ
とにある。

【００２５】

【課題を解決するための手段】本発明は、上記課題を解
決するために、以下の解決手段を採用する。（１）弾性表面波素子において、圧電基板と、Ｃｒまた
はＴｉからなる下地層と、ＡｌとＣｕからなる合金層
と、酸化膜層と、Ａｌ以外の金属からなる金属層とを有
し、前記圧電基板上に、前記下地層、前記合金層、前記
酸化膜層、前記金属層が順次積層されている構造を有す
ることを特徴とする。（２）弾性表面波素子において、圧電基板と、Ｃｒまた
はＴｉからなる下地層と、ＡｌとＣｕからなる第１の合
金層と、酸化膜層と、ＡｌとＣｕからなる第２の合金層
と、Ａｌ以外の金属からなる金属層とを有し、前記圧電
基板上に、前記下地層、前記第１の合金層、前記酸化膜
層、前記第２の合金層、前記金属層が順次積層されてい
る構造を有することを特徴とする。（３）弾性表面波素子において、圧電基板と、Ｃｒまた
はＴｉからなる下地層と、ＡｌとＣｕからなる合金層
と、Ａｌ以外の金属からなる金属層と、酸化膜層とを有
し、前記圧電基板上に、前記下地層、前記合金層、前記
金属層、前記酸化膜層が順次積層されている構造を有す
ることを特徴とする。（４）弾性表面波素子において、圧電基板と、Ｃｒまた
はＴｉからなる下地層と、ＡｌとＣｕからなる合金層
と、酸化膜層と、Ａｌ以外の金属からなる金属層とを有
し、前記圧電基板上に、前記下地層が形成され、前記下
地層上に、前記合金層と前記酸化膜層とが交互に積層さ
れ、前記合金層上に、前記金属層が形成されていること
を特徴とする。（５）弾性表面波素子において、圧電基板と、ＡｌとＣ
ｕからなる合金層と、ＡｌとＣｕ以外の金属からなる第
１の金属層と、Ａ１とＣｕ以外の金属からなり、前記第
１の金属層とは成分が異なる第２の金属層とを有し、前
記圧電基板上に、前記第１の金属層、前記第２の金属
層、前記合金層が順次積層されている構造を有すること
を特徴とする。（６）弾性表面波素子において、圧電基板と、ＡｌとＣ
ｕからなる合金層と、ＡｌとＣｕ以外の金属からなる第
１の金属層と、ＡｌとＣｕ以外の金属からなり、前記第
１の金属層とは成分が異なる第２の金属層と、酸化膜層
とを有し、前記圧電基板上に、前記第１の金属層、前記
酸化膜層、前記第２の金属層、前記合金層を順次積層さ
れた構造を有することを特徴とする。（７）上記（１）乃至（６）記載の弾性表面波素子にお
いて、前記酸化膜は、自然酸化膜であることを特徴とす
る。（８）上記（１）乃至（６）記載の弾性表面波素子にお
いて、前記合金層は、スパッタリングによって形成され
たものであることを特徴とする。（９）上記（１）乃至（４）記載の弾性表面波素子にお
いて、前記金属層は、Ｔｉからなることを特徴とする。（１０）上記（５）及び（６）記載の弾性表面波素子に
おいて、前記第１の金属層はＣｒからなり、前記第２の
金属層はＴｉからなることを特徴とする。

【００２６】

【発明の実施の形態】本発明の実施の形態、即ち、材料
層の異なる電極層構成を以下図に基づいて詳細に説明す
る。

【００２７】（第１実施例）〈電極層構成が、基板側から上層に向けて、Ｃｒまたは
Ｔｉからなる下地層／ＡｌとＣｕからなる合金層／酸化
膜層／Ａｌ以外の金属からなる金属層を積層する場
合〉：図１は、本発明の第１実施例の構成図である。

【００２８】第１実施例の場合、電極層構成は、基本的
には、ＬｉＴａＯ₃基板６上に、基板側から上層に向け
て、ＣｒまたはＴｉからなる下地層４１／ＡｌとＣｕか
らなる合金層、例えばＡｌ−０．５Ｗｔ％Ｃｕ合金層１
１（以下、Ａｌ−０．５Ｗｔ％Ｃｕ合金層１１で説明す
る）／自然酸化膜層３１／Ａｌ以外の金属からなる金属
層、例えばＴｉ層２１（以下、Ｔｉ層２１で説明する）
からなる積層構造をとり、実用上、前記積層構造の上に
さらに、ＡｌとＣｕからなる合金層としてのＡｌ−０．
５Ｗｔ％Ｃｕ合金層１１／自然酸化膜層３１／Ａｌ以外
の金属からなる金属層としてのＴｉ層２１／ＡｌとＣｕ
からなる合金層としてのＡｌ−０．５Ｗｔ％Ｃｕ合金層
１１からなる積層構造をとる。

【００２９】（第１実施例の製造方法）ＬｉＴａＯ₃基
板６上に、ＣｒまたはＴｉからなる下地層４１を１５０
Åスパッタリングで形成する。このＣｒまたはＴｉから
なる下地層４１上に連続してＡｌとＣｕからなる合金層
としてのＡｌ−０．５Ｗｔ％Ｃｕ合金層１１をスパッタ
リングで形成する。この状態でウエハを一度大気に暴露
し前記Ａｌ−０．５Ｗｔ％Ｃｕ合金層１１の表面を酸化
し、自然酸化膜層３１を形成する。

【００３０】さらに前記自然酸化膜層３１上に連続して
Ａｌ以外の金属からなる金属層としてのＴｉ層２１をス
パッタリングで形成する。前記Ｔｉ膜２１上に連続して
ＡｌとＣｕからなる合金層としてのＡｌ−０．５Ｗｔ％
Ｃｕ合金層１１をスパッタリングで形成する。この状態
でウエハを一度大気に暴露し前記Ａｌ−０．５Ｗｔ％Ｃ
ｕ合金層１１の表面を酸化し、自然酸化膜３１を形成す
る。

【００３１】さらに前記自然酸化膜３１上に連続してＡ
ｌ以外の金属からなる金属層としてのＴｉ層２１をスパ
ッタリングで形成する。次に前記Ｔｉ層２１上に連続し
てＡｌとＣｕからなる合金層としてのＡｌ−０．５Ｗｔ
％Ｃｕ合金層１１をスパッタリングで形成する。

【００３２】なお、大気に暴露する工程は、チャンバー
内を大気に連通することにより、同じチャンバーで大気
に暴露することが可能となる。

【００３３】このようにしてＡｌ−０．５Ｗｔ％Ｃｕ合
金層膜１１とＴｉ層２１との中間層に自然酸化膜層３１
を形成する。

【００３４】次に、この電極膜構成をエッチングしてＳ
ＡＷデバイスの櫛歯状電極及び反射器とそれぞれを結ぶ
導体パターンを形成する。

【００３５】（ヒロック・ボイドの抑制）ＳＡＷフィル
タにおける耐電力特性のメカニズムは、第１に高周波振
動による電極のヒロック、ボイドの発生に起因する。

【００３６】単純にスパッタリング等で電極膜を形成し
た場合は、メタル形成が単一方向でなくさまざまな方向
に向いている。

【００３７】即ち、スパッタリングは成膜のスピードが
早いので、結晶面が揃わない状態で成膜する。これに対
し、スパッタリング以外の方法で成膜スピードを遅くし
てゆっくり成膜すると、配向性が良くなり結晶面が揃う
ようになる。

【００３８】このため、前記のようにスパッタリング等
で電極膜を形成した場合電極膜が安定状態ではない。粒
子の移動に要する活性化エネルギーが小さくなってお
り、すぐにヒロック、ボイドが発生する。

【００３９】Ａｌの自然酸化物、即ちアルミナＡｌ₂Ｏ₃
は絶縁物である。このためＡｌまたはＡｌ合金の粒子の
移動が前記自然酸化膜でストップしヒロックやボイドを
抑制することができる。自然酸化膜は薄く作るので高周
波ではコンデンサになり導通する。

【００４０】（第１実施例の効果）本発明の第１実施例
では、ＬｉＴａＯ₃基板６上にＣｒまたはＴｉからなる
下地層４１をスパッタリング又は蒸着等で形成し、連続
して前記Ａｌ−０．５Ｗｔ％Ｃｕ合金層１１を積層す
る。この時点で大気に暴露しＡｌの自然酸化膜層３１を
形成する。

【００４１】Ａｌの自然酸化膜層であるアルミナＡｌ₂
Ｏ₃は絶縁物であり、セラミックなどに使用されている
材料で安定性にすぐれている。即ち、一旦アルミナＡｌ
₂Ｏ₃にしたらＡｌまたはＡｌ合金に戻ることは難しい。
このため、Ａｌ又はＡｌ合金の粒子の移動が前記自然酸
化膜層３１でストップし、即ち、Ａｌ又はＡｌ合金の粒
子が前記自然酸化膜層３１を突き破りにくくなり（Ａｌ
以外の金属でもそれなりに効果があるが、アルミナＡｌ
₂Ｏ₃は顕著に効果がある。）、ヒロックやボイドを抑制
することができる。

【００４２】自然酸化膜層３１はほとんど表層で形成さ
れ薄いので、高周波ではＡｌ又はＡｌ合金の導体とＴｉ
の導体とに挿まれた部分に絶縁物があることになり、コ
ンデンサを形成して電気を通過することができる。さら
に導体内でコンデンサの容量成分を形成できるため、回
路形成を小型にすることができる。即ち、ＳＡＷデバイ
スの出力インピーダンスが特定の値に決まっていること
から、通常は、電極間隔や電極高さ等が制約されるが、
前記のように導体内でコンデンサの容量成分を形成でき
ると、前記電極間隔や電極高さ等に対する制約が少なく
なり、電極構造の設計に自由度が増し、結果として回路
構成が小型となる。

【００４３】その後さらに、「Ａｌ以外の金属からなる
金属層としてのＴｉ層２１、ＡｌとＣｕからなる合金層
としてのＡｌ−０．５Ｗｔ％Ｃｕ合金層１１をスパッタ
リング等で積層し大気に暴露し前記Ａｌ−０．５Ｗｔ％
Ｃｕ合金層１１表面を自然酸化膜層３１で覆う」第２回
目の暴露工程を実施する。この暴露工程は何回繰り返し
ても良い。最後にＡｌ以外の金属からなる金属層として
のＴｉ層２１Ｔｉ層２１およびＡｌとＣｕからなる合金
層としてのＡｌ−０．５Ｗｔ％Ｃｕ合金層１１を積層し
て終了する。その後、ホトリソグラフ・エッチング工程
を経て櫛歯状電極を形成する工程をとる。この一連の工
程中の大気に暴露する工程は複数の膜付け装置を併用で
きるため量産化に効果がある。即ち、１つのチャンバー
内には６〜７個のターゲットしか配置できないが、一連
の工程中に大気に暴露する工程があると、そのとき他の
チャンバーに移動することができるため、大気に暴露す
る工程分だけチャンバーを余分に使用することが可能に
なる。

【００４４】大気に暴露する工程は、チャンバー内を大
気に連通することによっても行うことができ、その時は
同じチャンバーで大気に暴露することが可能となるの
で、容易に自然酸化膜層を作成できるため工程が簡素化
できる。

【００４５】ターゲット材料をある程度変更すると新た
なチャンバーが必要となるが、本発明では材料膜の種類
が少ないので、ターゲット数が少なくなり、従って少な
いチャンバーで実施可能となる。

【００４６】（第２実施例）〈電極層構成が、基板側から上層に向けて、Ｃｒまたは
Ｔｉからなる下地層／ＡｌとＣｕからなる第１の合金層
／酸化膜層／ＡｌとＣｕからなる第２の合金層／Ａｌ以
外の金属からなる金属層を積層する場合〉：図２は、本
発明の第２実施例の構成図である。

【００４７】第２実施例の場合、電極層構成は、基本的
には、ＬｉＴａＯ₃基板６上に、基板側から上層に向け
て、ＣｒまたはＴｉからなる下地層４１／ＡｌとＣｕか
らなる第１の合金層、例えばＡｌ−０．５Ｗｔ％Ｃｕ合
金層１１（以下、Ａｌ−０．５Ｗｔ％Ｃｕ合金層１１で
説明する）／自然酸化膜層３１／ＡｌとＣｕからなる第
２の合金層、例えばＡｌ−０．５Ｗｔ％Ｃｕ合金層１１
（以下、Ａｌ−０．５Ｗｔ％Ｃｕ合金層１１で説明す
る）／Ａｌ以外の金属からなる金属層、例えばＴｉ層２
１（以下、Ｔｉ層２１で説明する）からなる積層構造を
とり、実用上、前記積層構造の上にさらに、ＡｌとＣｕ
からなる第１の合金層としてのＡｌ−０．５Ｗｔ％Ｃｕ
合金層１１／自然酸化膜層３１／ＡｌとＣｕからなる第
２の合金層としてのＡｌ−０．５Ｗｔ％Ｃｕ合金層１１
／Ａｌ以外の金属からなる金属層としてのＴｉ層２１／
ＡｌとＣｕからなる第１の合金層としてのＡｌ−０．５
Ｗｔ％Ｃｕ膜１１層／自然酸化膜層３１／ＡｌとＣｕか
らなる第２の合金層としてのＡｌ−０．５Ｗｔ％Ｃｕ膜
１１層からなる積層構造をとる。

【００４８】（第２実施例の製造方法）ＬｉＴａＯ₃基
板６上に、ＣｒまたはＴｉからなる下地層４１を１５０
Åスパッタリングで形成する。前記ＣｒまたはＴｉから
なる下地層４１上に連続してＡｌとＣｕからなる第１の
合金層としてのＡｌ−０．５Ｗｔ％Ｃｕ合金層１１をス
パッタリングで形成する。

【００４９】この状態でウエハを一度大気に暴露し前記
Ａｌ−０．５Ｗｔ％Ｃｕ合金層１１の表面を酸化し、自
然酸化膜層３１を形成する。

【００５０】さらに自然酸化膜層３１上に連続してＡｌ
とＣｕからなる第２の合金層となるＡｌ−０．５Ｗｔ％
Ｃｕ合金層１１をスパッタリングで形成する。

【００５１】続いて、前記第２の合金層となるＡｌ−
０．５Ｗｔ％Ｃｕ合金層１１上にＡｌ以外の金属からな
る金属層としてのＴｉ層２１をスパッタリングで形成す
る。

【００５２】前記Ｔｉ層２１上に連続して前記第１の合
金層となるＡｌ−０．５Ｗｔ％Ｃｕ合金層１１をスパッ
タリングで形成する。この状態でウエハを一度大気に暴
露し前記Ａｌ−０．５Ｗｔ％Ｃｕ膜１１の表面を酸化
し、自然酸化膜層３１を形成する。自然酸化膜層３１上
に連続して第２の合金層となる前記Ａｌ−０．５Ｗｔ％
Ｃｕ合金層１１をスパッタリングで形成する。続いて前
記Ａｌ−０．５Ｗｔ％Ｃｕ合金層１１上にＡｌ以外の金
属からなる金属層としてのＴｉ層２１Ｔｉ層２１をスパ
ッタリングで形成する。このＴｉ層２１上に連続して第
１の合金層となるＡｌ−０．５Ｗｔ％Ｃｕ合金層１１を
スパッタリングで形成する。この状態でウエハを一度大
気に暴露し前記第１の合金層となるＡｌ−０．５Ｗｔ％
Ｃｕ合金層１１の表面を酸化し、自然酸化膜層３１を形
成する。自然酸化膜層３１上に連続して第２のＡｌ−
０．５Ｗｔ％Ｃｕ合金層１１をスパッタリングで形成す
る。

【００５３】このようにして２層のＡｌ−０．５Ｗｔ％
Ｃｕ膜１１層間に自然酸化膜層３１を形成する。

【００５４】なお、大気に暴露する工程は、チャンバー
内を大気に連通することにより、同じチャンバーで大気
に暴露することが可能となる。

【００５５】図２に示す本発明の第２実施例では、Ｃｒ
またはＴｉからなる下地層４１をＬｉＴａＯ₃基板６の
上に形成し、続けて第１の合金層となるＡｌ−０．５Ｗ
ｔ％Ｃｕ合金層１１を形成する。その時点で大気に暴露
し表面を酸化する。「さらに、第２の合金層となるＡｌ
−０．５Ｗｔ％Ｃｕ合金層１１を形成し、Ａｌ以外の金
属からなる金属層としてのＴｉ層２１を設ける。さらに
続けて第１の合金層となるＡｌ−０．５Ｗｔ％Ｃｕ合金
層１１を形成し、その時点で大気に暴露し表面を酸化し
自然酸化膜層３１を形成する。」前記「さらに、・・・
自然酸化膜層３１を形成する。」の暴露工程を複数回繰
り返し最後にＡｌ−０．５Ｗｔ％Ｃｕ合金膜層１１を表
面に膜付けする。

【００５６】（ヒロック・ボイドの抑制）第２実施例は
前記第１実施例と同じ動作をする。即ち、Ａｌの自然酸
化物、即ちアルミナＡｌ₂Ｏ₃は絶縁物である。このため
ＡｌまたはＡｌ合金の粒子の移動が前記自然酸化膜層３
１でストップしヒロックやボイドを抑制することができ
る。自然酸化膜層３１は薄く作るので高周波ではコンデ
ンサになり導通する。

【００５７】（第２実施例の効果）上記第１実施例の効
果と同じ効果を奏する。その他に、自然酸化膜層３１は
同じＡｌ−０．５Ｗｔ％Ｃｕ合金層１１の層間に設けら
れるので、特性が安定する。

【００５８】（第３実施例）〈電極層構成が、基板側から上層に向けて、Ｃｒまたは
Ｔｉからなる下地層／ＡｌとＣｕからなる合金層／Ａｌ
以外の金属からなる金属層／酸化膜層を積層する場
合〉：図３は、本発明の第３実施例の構成図である。

【００５９】第３実施例の場合、電極層構成は、基本的
には、ＬｉＴａＯ₃基板６上に、基板側から上層に向け
て、ＣｒまたはＴｉからなる下地層４１／ＡｌとＣｕか
らなる合金層、例えばＡｌ−０．５Ｗｔ％Ｃｕ合金層１
１（以下、Ａｌ−０．５Ｗｔ％Ｃｕ合金層１１で説明す
る）／Ａｌ以外の金属からなる金属層、例えばＴｉ層２
１（以下、Ｔｉ層２１で説明する）／自然酸化膜層３１
からなる積層構造をとり、実用上、さらにＡｌ−０．５
Ｗｔ％Ｃｕ合金層１１／Ａｌ以外の金属からなる金属層
としてのＴｉ層２１／自然酸化膜層３１／Ａｌ−０．５
Ｗｔ％Ｃｕ合金層１１／Ａｌ以外の金属からなる金属層
としてのＴｉ層２１からなる積層構造をとる。

【００６０】（第３実施例の製造方法）ＬｉＴａＯ₃基
板６上に、ＣｒまたはＴｉからなる下地層４１を１５０
Åスパッタリングで形成する。このＣｒまたはＴｉから
なる下地層４１上に連続してＡｌ−０．５Ｗｔ％Ｃｕ合
金層１１をスパッタリングで形成する。さらに、このＡ
ｌ−０．５Ｗｔ％Ｃｕ合金層１１上に連続してＡｌ以外
の金属からなる金属層としてのＴｉ層２１をスパッタリ
ングで形成する。この状態でウエハを一度大気に暴露し
前記Ｔｉ層２１の表面を酸化し、自然酸化膜層３１を形
成する。

【００６１】前記自然酸化膜層３１上にＡｌ−０．５Ｗ
ｔ％Ｃｕ合金層１１をスパッタリングで形成する。次
に、Ａｌ−０．５Ｗｔ％Ｃｕ合金層１１上にＡｌ以外の
金属からなる金属層としてのＴｉ層２１をスパッタリン
グで形成する。この状態でウエハを一度大気に暴露し前
記Ｔｉ層２１の表面を酸化し、自然酸化膜層３１を形成
する。

【００６２】この自然酸化膜層３１上に連続してＡｌ−
０．５Ｗｔ％Ｃｕ合金層１１をスパッタリングで形成す
る。さらに前記Ａｌ−０．５Ｗｔ％Ｃｕ合金層１１上に
Ａｌ以外の金属からなる金属層としてのＴｉ層２１をス
パッタリングで形成する。

【００６３】なお、大気に暴露する工程は、チャンバー
内を大気に連通することにより、同じチャンバーで大気
に暴露することが可能となる。

【００６４】図３に示す本発明の第３実施例では、Ｃｒ
またはＴｉからなる下地層４１をＬｉＴａＯ₃基板６の
上に形成し続けてＡｌ−０．５Ｗｔ％Ｃｕ合金層１１を
形成する。次にＴｉ層２１を設けその時点で大気に暴露
し前記Ｔｉ層２１の表面を酸化する。

【００６５】「その上にＡｌ−０．５Ｗｔ％Ｃｕ合金層
１１を設け、続けてＴｉ層２１を形成し、この状態でウ
エハを一度大気に暴露し前記Ｔｉ層２１の表面を酸化
し、自然酸化膜層３１を形成する。」

【００６６】上記「その上に・・・自然酸化膜層３１を
形成する。」までの暴露工程を複数回繰り返し最後にＡ
ｌ−０．５Ｗｔ％Ｃｕ合金層１１を形成し、つづけてＴ
ｉ層２１を形成し最表層とする。

【００６７】（ヒロック・ボイドの抑制）第３実施例は
前記第１実施例と同じ動作をする。Ａｌの自然酸化物、
即ちアルミナＡｌ₂Ｏ₃は絶縁物である。このためＡｌま
たはＡｌ合金の粒子の移動が前記自然酸化膜層３１でス
トップしヒロックやボイドを抑制することができる。自
然酸化膜層３１は薄く作るので高周波ではコンデンサに
なり導通する。

【００６８】（第３実施例の効果）上記第１実施例の効
果と同じ効果を奏する。

【００６９】（第４実施例）〈電極層構成が、基板側か
ら上層に向けて、ＣｒまたはＴｉからなる下地層／Ａｌ
とＣｕからなる合金層／酸化膜層／ＡｌとＣｕからなる
合金層／酸化膜層／ＡｌとＣｕからなる合金層／Ａｌ以
外の他の金属からなる金属層を積層する場合〉：図４
は、本発明の第４実施例の構成図である。

【００７０】第４実施例の場合、電極層構成は、基本的
には、ＬｉＴａＯ₃基板６上に、基板側から上層に向け
て、ＣｒまたはＴｉからなる下地層４１／ＡｌとＣｕか
らなる合金層、例えばＡｌ−０．５Ｗｔ％Ｃｕ合金層１
１（以下、Ａｌ−０．５Ｗｔ％Ｃｕ合金層１１で説明す
る）／自然酸化膜層３１／ＡｌとＣｕからなる合金層と
してのＡｌ−０．５Ｗｔ％Ｃｕ合金層１１／自然酸化膜
層３１／ＡｌとＣｕからなる合金層としてのＡｌ−０．
５Ｗｔ％Ｃｕ合金層１１／Ａｌ以外の金属からなる金属
層、例えばＴｉ層２１（以下、Ｔｉ層２１で説明する）
からなる積層構造をとる。

【００７１】（第４実施例の製造方法）ＬｉＴａＯ₃基
板６上に、ＣｒまたはＴｉからなる下地層４１を１５０
Åスパッタリングで形成する。このＣｒまたはＴｉから
なる下地層４１上に連続してＡｌ−０．５Ｗｔ％Ｃｕ合
金層１１をスパッタリングで形成する。この状態でウエ
ハを一度大気に暴露しＡｌ−０．５Ｗｔ％Ｃｕ合金層１
１の表面を酸化し、自然酸化膜層３１を形成する。

【００７２】さらにこの自然酸化膜層３１上に連続して
Ａｌ−０．５Ｗｔ％Ｃｕ合金層１１をスパッタリングで
形成する。この状態でウエハを一度大気に暴露し前記Ａ
ｌ−０．５Ｗｔ％Ｃｕ合金層１１の表面を酸化し、自然
酸化膜層３１を形成する。

【００７３】次に前記自然酸化膜層３１上に連続してＡ
ｌ−０．５Ｗｔ％Ｃｕ合金層１１をスパッタリングで形
成する。さらにこのＡｌ−０．５Ｗｔ％Ｃｕ合金層１１
上に連続してＡｌ以外の金属からなる金属層としてのＴ
ｉ層２１をスパッタリングで形成する。

【００７４】なお、大気に暴露する工程は、チャンバー
内を大気に連通することにより、同じチャンバーで大気
に暴露することが可能となる。

【００７５】このようにして２層のＡｌ−０．５Ｗｔ％
Ｃｕ合金層１１層の間に自然酸化膜層３１を形成する。

【００７６】次に、この電極層構成をエッチングしてＳ
ＡＷデバイスの櫛歯状電極及び反射器とそれぞれを結ぶ
導体パターンを形成する。

【００７７】図４に示す本発明の第４実施例では、Ｌｉ
ＴａＯ₃基板６の上にＣｒまたはＴｉからなる下地層４
１を形成し、続けてＡｌ−０．５Ｗｔ％Ｃｕ合金層１１
を設ける。その時点で大気に暴露し表面を酸化する。
「さらにＡｌ−０．５Ｗｔ％Ｃｕ合金層１１を膜付け
し、その時点で大気に暴露し表面を酸化し、自然酸化膜
層３１を形成する。」

【００７８】上記「さらにＡｌ・・・自然酸化膜層３
１を形成する。」までの暴露工程を複数回繰り返し、最
後にＴｉ層２１を表面に形成する。

【００７９】（ヒロック・ボイドの抑制）第４実施例は
前記第１実施例と同じ動作をする。即ち、Ａｌの自然酸
化物、即ちアルミナＡｌ₂Ｏ₃は絶縁物である。このため
ＡｌまたはＡｌ合金の粒子の移動が前記自然酸化膜層３
１でストップしヒロックやボイドを抑制することができ
る。自然酸化膜層３１は薄く作るので高周波ではコンデ
ンサになり導通する。

【００８０】（第４実施例の効果）上記第１実施例の効
果と同じ効果を奏する。その他に、自然酸化膜層３１は
同じＡｌ−０．５Ｗｔ％Ｃｕ合金層１１の層間に設けら
れるので、特性が安定する。

【００８１】（第５実施例）〈電極層構成が、基板側から上層に向けて、ＡｌとＣｕ
以外の金属からなる第１の金属層／ＡｌとＣｕ以外の金
属からなり、前記第１の金属層とは成分が異なる第２の
金属層／ＡｌとＣｕからなる合金層を積層する場合〉：
図５は、本発明の第５実施例の構成図である。

【００８２】第５実施例の場合、電極層構成は、基本的
には、ＬｉＴａＯ₃基板６上に、基板側から上層に向け
て、ＡｌとＣｕ以外の金属からなる第１の金属層、例え
ば、Ｃｒ層５１（以下、Ｃｒ層５１で説明する）／Ａｌ
とＣｕ以外の金属からなり、前記第１の金属層とは成分
が異なる第２の金属層、例えばＴｉ層２１（以下、Ｔｉ
層２１で説明する）／Ａｌ−０．５Ｗｔ％Ｃｕ合金層１
１の積層構造をとり、実用上、さらにＡｌとＣｕ以外の
金属からなる第１の金属層としてのＣｒ層５１／Ａｌと
Ｃｕ以外の金属からなり、前記第１の金属層とは成分が
異なる第２の金属層としてのＴｉ層２１／Ａｌ−０．５
Ｗｔ％Ｃｕ合金層１１／ＡｌとＣｕ以外の金属からなる
第１の金属層としてのＣｒ層５１／ＡｌとＣｕ以外の金
属からなり、前記第１の金属層とは成分が異なる第２の
金属層としてのＴｉ層２１／Ａｌ−０．５Ｗｔ％Ｃｕ合
金層１１からなる積層構造をとる。

【００８３】（第５実施例の製造方法）第５図は、本発
明の第５実施例で、ＬｉＴａＯ₃基板６上にＡｌとＣｕ
以外の金属からなる第１の金属層としてのＣｒ層５１を
形成し、続けて前記Ｃｒ層５１上にＡｌとＣｕ以外の金
属からなり、前記第１の金属層とは成分が異なる第２の
金属層としてのＴｉ層２１を設ける。続けて前記Ｔｉ層
２１上にＡｌ−０．５Ｗｔ％Ｃｕ合金層１１をスパッタ
リングで形成する。次に、このＡｌ−０．５Ｗｔ％Ｃｕ
合金層１１上に連続してＡｌとＣｕ以外の金属からなる
第１の金属層としてのＣｒ層５１を形成し、続けてこの
Ｃｒ層５１上にＡｌとＣｕ以外の金属からなり、前記第
１の金属層とは成分が異なる第２の金属層としてのＴｉ
層２１を設けてバリアメタルを２層化する。

【００８４】「さらに続けてこのＴｉ層２１上にＡｌ−
０．５Ｗｔ％Ｃｕ合金層１１をスパッタリングで形成す
る。このＡｌ−０．５Ｗｔ％Ｃｕ合金層１１上にＡｌと
Ｃｕ以外の金属からなる第１の金属層としてのＣｒ層５
１を膜付けする。続けて前記Ｃｒ層５１上にＡｌとＣｕ
以外の金属からなり、前記第１の金属層とは成分が異な
る第２の金属層としてのＴｉ層２１を膜付けし、バリア
メタルを２層化する」。この「さらに続けて・・・２層
化する」工程を複数回繰り返し最後にＡｌ−０．５Ｗｔ
％Ｃｕ合金層１１を表面に形成する。

【００８５】バリアメタルは多数さまざまなメタルを組
み合わせ積層しても良い。バリアメタルの材料はＡｌの
ヒロックが純粋なＡｌ部分の移動により生じるため他の
メタルはどのメタルでも良い。

【００８６】前記バリアメタルの組み合わせによりエレ
クトロマイグレーションとストレスマイグレーションの
どちらも抑制が可能で必要に応じてコントロール可能と
なる。

【００８７】（ヒロック・ボイドの抑制）第５実施例に
よれば、Ｃｒ層とＴｉ層からなるバリアメタル層により
ＡｌまたはＡｌ合金の粒子の移動がストップしヒロック
やボイドを抑制することができる。

【００８８】（第５実施例の効果）バリアメタルによる
ヒロックの抑制はメタル種類により効果が異なるがバリ
アメタルの積層は薄いバリアメタルで効果が得られる。

【００８９】メタルの組み合わせによりエレクトロマイ
グレーションとストレスマイグレーションのどちらも抑
制が可能で必要に応じてコントロールできる。

【００９０】（第６実施例）〈電極層構成が、基板側か
ら上層に向けて、ＡｌとＣｕ以外の金属からなる第１の
金属層／酸化膜層／ＡｌとＣｕ以外の金属からなり、前
記第１の金属層とは成分が異なる第２の金属層／Ａｌと
Ｃｕからなる合金層を積層する場合〉：図６は、本発明
の第６実施例の構成図である。

【００９１】第６実施例の場合、電極層構成は、基本的
には、ＬｉＴａＯ₃基板６上に、基板側から上層に向け
て、ＡｌとＣｕ以外の金属からなる第１の金属層、例え
ばＣｒ層５１（以下、Ｃｒ層５１として説明する）／自
然酸化膜層３１／ＡｌとＣｕ以外の金属からなり、前記
第１の金属層とは成分が異なる第２の金属層、例えばＴ
ｉ層２１（以下、Ｔｉ層２１で説明する）／ＡｌとＣｕ
からなる合金層、例えばＡｌ−０．５Ｗｔ％Ｃｕ合金層
１１（以下、Ａｌ−０．５Ｗｔ％Ｃｕ合金層１１）から
なる積層構造をとり、実用上さらにＡｌとＣｕ以外の金
属からなる第１の金属層としてのＣｒ層５１／自然酸化
膜層３１／ＡｌとＣｕ以外の金属からなり、前記第１の
金属層とは成分が異なる第２の金属層としてのＴｉ層２
１／Ａｌ−０．５Ｗｔ％Ｃｕ合金層１１／ＡｌとＣｕ以
外の金属からなる第１の金属層としてのＣｒ層５１／自
然酸化膜層３１／ＡｌとＣｕ以外の金属からなり、前記
第１の金属層とは成分が異なる第２の金属層としてのＴ
ｉ層２１／Ａｌ−０．５Ｗｔ％Ｃｕ合金層１１からなる
積層構造をとる。

【００９２】（第６実施例の製造方法）ＬｉＴａＯ₃基
板６上に、ＡｌとＣｕ以外の金属からなる第１の金属層
としてのＣｒ層５１を１５０Åスパッタリングで形成す
る。この状態でウエハを一度大気に暴露し前記Ｃｒ層５
１上に連続して自然酸化膜層３１を形成する。この自然
酸化膜層３１上に連続してＡｌとＣｕ以外の金属からな
り、前記第１の金属層とは成分が異なる第２の金属層と
してのＴｉ層２１をスパッタリングで形成する。次に、
前記Ｔｉ層２１上にＡｌ−０．５Ｗｔ％Ｃｕ合金層１１
をスパッタリングで形成する。このＡｌ−０．５Ｗｔ％
Ｃｕ合金層１１にＡｌとＣｕ以外の金属からなる第１の
金属層としてのＣｒ層５１をスパッタリングで形成す
る。

【００９３】この状態でウエハを一度大気に暴露し前記
Ｃｒ層５１の表面を酸化し、自然酸化膜層３１を形成す
る。

【００９４】さらに自然酸化膜層３１上に連続してＡｌ
とＣｕ以外の金属からなり、前記第１の金属層とは成分
が異なる第２の金属層としてのＴｉ層２１をスパッタリ
ングで形成する。このＴｉ層２１上に連続してＡｌ−
０．５Ｗｔ％Ｃｕ合金層１１をスパッタリングで形成す
る。次に、このＡｌ−０．５Ｗｔ％Ｃｕ合金層１１にＡ
ｌとＣｕ以外の金属からなる第１の金属層としてのＣｒ
層５１をスパッタリングで形成する。この状態でウエハ
を一度大気に暴露し前記Ｃｒ層５１の表面を酸化し、自
然酸化膜層３１を形成する。

【００９５】さらにこの自然酸化膜層３１上に連続して
ＡｌとＣｕ以外の金属からなり、前記第１の金属層とは
成分が異なる第２の金属層としてのＴｉ層２１をスパッ
タリングで形成する。次にこのＴｉ層２１上に連続して
Ａｌ−０．５Ｗｔ％Ｃｕ合金層１１をスパッタリングで
形成する。

【００９６】なお、大気に暴露する工程は、チャンバー
内を大気に連通することにより、同じチャンバーで大気
に暴露することが可能となる。

【００９７】このようにしてＣｒ層５１とＴｉ層２１と
の間に自然酸化膜層３１を形成する。

【００９８】次に、この電極層構成をエッチングしてＳ
ＡＷデバイスの櫛歯状電極及び反射器とそれぞれを結ぶ
導体パターンを形成する。

【００９９】図６に示す本発明の第６実施例では、Ｌｉ
ＴａＯ₃基板６の上にＣｒ層５１を形成し、その時点で
大気に暴露し表面を酸化し、自然酸化膜層３１を形成
し、続けてＴｉ層２１を設ける。「続けて、Ａｌ−０．
５Ｗｔ％Ｃｕ合金層１１を形成する。さらに続けてＣｒ
層５１を形成する。その時点で大気に暴露し表面を酸化
する。続けてＴｉ層２１を設ける」。この「続けて、Ａ
ｌ・・・Ｔｉ層２１を設ける」工程を複数回繰り返し、
最後にＡｌ−０．５Ｗｔ％Ｃｕ合金層１１を表面に形成
する。

【０１００】（ヒロック・ボイドの抑制）第６実施例に
よれば、Ｃｒ層５１とＴｉ層２１からなるバリアメタル
層により、また、自然酸化膜層３１により、Ａｌまたは
Ａｌ合金の粒子の移動がストップしヒロックやボイドを
抑制することができる。

【０１０１】（第６実施例の効果）自然酸化膜層３１お
よび例えばＣｒ層５１とＴｉ層２１からなるバリアメタ
ルによるヒロックの抑制は自然酸化膜層３１およびメタ
ルの種類により効果が異なるが自然酸化膜層３１および
バリアメタルの積層膜層は薄い自然酸化膜層３１および
バリアメタル層で効果が得られる。

【０１０２】メタルの組み合わせによりエレクトロマイ
グレーションとストレスマイグレーションのどちらも抑
制が可能で必要に応じてコントロールできる。

【０１０３】（他の実施の態様）Ａｌ層より弾性定数の
大きい材料としてＴｉ、Ｃｕ、Ｃｒの他にパラジウム、
モリブデン、タングステン、タンタル、ニオブ、ジルコ
ニウム、ハフニウム、パナジウム、ニッケル、銀等の単
一金属や炭化チタン、ニッケルクロム、窒化チタン等が
あり、これらも同様に使用できる。

【０１０４】基板としては、ニオブ酸リチウム基板や４
硼酸リチウム基板あるいは水晶基板等の単結晶基板やサ
ファイア基板上に設けた酸化亜鉛膜を用いた圧電体基板
が使用できる。

【０１０５】

【発明の効果】本発明は、積層電極中に、自然酸化膜
層、バリアメタルを挿入したので、ヒロックおよびボイ
ドの発生を抑制することができる。

【０１０６】また、Ａｌ膜とＡｌ膜よりも弾性定数の大
きな導電性材料の膜を積層形成することにより耐電力特
性を向上することができる。また、挿入抵抗を小さくす
ることができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の第１実施例の構成図である。

【図２】本発明の第２実施例の構成図である。

【図３】本発明の第３実施例の構成図である。

【図４】本発明の第４実施例の構成図である。

【図５】本発明の第５実施例の構成図である。

【図６】本発明の第６実施例の構成図である。

【図７】従来例の構成図である。

【符号の説明】

６ＬｉＴａＯ₃基板１１Ａｌ−０．５Ｗｔ％Ｃｕ膜２１Ｔｉ層３１自然酸化膜層４１ＣｒまたはＴｉからなる下地層５１Ｃｒ層

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】圧電基板と、ＣｒまたはＴｉからなる下地
層と、ＡｌとＣｕからなる合金層と、酸化膜層と、Ａｌ
以外の金属からなる金属層とを有し、前記圧電基板上
に、前記下地層、前記合金層、前記酸化膜層、前記金属
層が順次積層されている構造を有することを特徴とする
弾性表面波素子。
【請求項２】圧電基板と、ＣｒまたはＴｉからなる下地
層と、ＡｌとＣｕからなる第１の合金層と、酸化膜層
と、ＡｌとＣｕからなる第２の合金層と、Ａｌ以外の金
属からなる金属層とを有し、前記圧電基板上に、前記下
地層、前記第１の合金層、前記酸化膜層、前記第２の合
金層、前記金属層が順次積層されている構造を有するこ
とを特徴とする弾性表面波素子。
【請求項３】圧電基板と、ＣｒまたはＴｉからなる下地
層と、ＡｌとＣｕからなる合金層と、Ａｌ以外の金属か
らなる金属層と、酸化膜層とを有し、前記圧電基板上
に、前記下地層、前記合金層、前記金属層、前記酸化膜
層が順次積層されている構造を有することを特徴とする
弾性表面波素子。
【請求項４】圧電基板と、ＣｒまたはＴｉからなる下地
層と、ＡｌとＣｕからなる合金層と、酸化膜層と、Ａｌ
以外の金属からなる金属層とを有し、前記圧電基板上
に、前記下地層が形成され、前記下地層上に、前記合金
層と前記酸化膜層とが交互に積層され、前記合金層上
に、前記金属層が形成されていることを特徴とする弾性
表面波素子。
【請求項５】圧電基板と、ＡｌとＣｕからなる合金層
と、ＡｌとＣｕ以外の金属からなる第１の金属層と、Ａ
１とＣｕ以外の金属からなり、前記第１の金属層とは成
分が異なる第２の金属層とを有し、前記圧電基板上に、
前記第１の金属層、前記第２の金属層、前記合金層が順
次積層されている構造を有することを特徴とする弾性表
面波素子。
【請求項６】圧電基板と、ＡｌとＣｕからなる合金層
と、ＡｌとＣｕ以外の金属からなる第１の金属層と、Ａ
ｌとＣｕ以外の金属からなり、前記第１の金属層とは成
分が異なる第２の金属層と、酸化膜層とを有し、前記圧
電基板上に、前記第１の金属層、前記酸化膜層、前記第
２の金属層、前記合金層を順次積層された構造を有する
ことを特徴とする弾性表面波素子。
【請求項７】前記酸化膜は、自然酸化膜であることを特
徴とする請求項１乃至６記載の弾性表面波素子。
【請求項８】前記合金層は、スパッタリングによって形
成されたものであることを特徴とする請求項１乃至６記
載の弾性表面波素子。
【請求項９】前記金属層は、Ｔｉからなることを特徴と
する請求項１乃至４記載の弾性表面波素子。
【請求項１０】前記第１の金属層はＣｒからなり、前記
第２の金属層はＴｉからなることを特徴とする請求項５
及び６記載の弾性表面波素子。