JP2003234286A - 液処理装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 溶解生成物の生成量や現像液の濃度が局所的
に異なり、エッチング速度等が変化するローディング効
果と呼ばれる現象を防止し、レチクル等のフォトマスク
に対する均一な現像処理が可能な液処理装置を提供する
こと。 【解決手段】 板状のガラス基板Ｇと一定の隙間を空け
て相対的に平行移動可能な液処理面６２を有するノズル
ヘッド６１と、液処理面６２に設けられ、ガラス基板Ｇ
表面に帯状に現像液を供給する現像液供給ノズル６３
と、液処理面６２に現像液供給ノズル６３と平行に設け
られ、現像液供給ノズル６３から供給された現像液を吸
引すると共に、ガラス基板Ｇの表面に現像液の流れを形
成する吸引ノズル６４と、ノズルヘッド６１の液処理面
６２に、吸引ノズル６４を挟んで現像液供給ノズル６３
と対向する位置に設けられ、ガラス基板Ｇの表面にリン
ス液を供給するサイドリンスノズル６５を具備する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】この発明は、例えばレチクル
等のフォトマスク用ガラス基板に処理液を供給して処理
する液処理装置に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】一般に、半導体デバイスの製造工程にお
いては、半導体ウエハやＬＣＤ用ガラス基板等（以下に
ウエハ等という）の表面に例えばレジスト液を塗布し、
ステッパー等の露光装置を用いて回路パターンを縮小し
てレジスト膜を露光し、露光後のウエハ表面に現像液を
塗布して現像処理を行うフォトリソグラフィー技術が用
いられている。

【０００３】上記露光処理工程においては、例えばステ
ッパー（縮小投影露光装置）等の露光装置が用いられて
おり、レチクル等のフォトマスクに光を照射し、フォト
マスクに描画されている回路パターンの原図を縮小して
ウエハ上に転写している。

【０００４】ところで、このフォトマスクの製造工程に
おいても、上記ウエハ等と同様にフォトリソグラフィ技
術が用いられており、レジスト塗布工程、露光処理工
程、現像処理工程という一連のプロセス工程を経ている
が、フォトマスクはウエハ等に回路パターンを投影する
ための原図であるため、線幅等のパターン寸法は更に高
精度が要求される。

【０００５】ここで、フォトマスクの現像方法には、フ
ォトマスク用のガラス基板をスピンチャック上に吸着保
持して低速で回転し、スプレーノズルを用いて現像液を
ガラス基板上に噴霧状に吐出しながら現像処理を行うス
プレー現像という方法がある。

【０００６】また、ガラス基板とスキャンノズルを相対
移動させながら、スキャンノズルから供給される現像液
をガラス基板上に液盛りし、静止状態で現像処理を行う
パドル現像という方法もある。

【０００７】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、スプレ
ー現像では、現像液と反応して生成された溶解生成物
が、回転による遠心力によってガラス基板の辺部や角部
に流れるため、この部分で現像液との反応が抑制され、
線幅等のパターン寸法が不均一になるという問題があっ
た。

【０００８】また、パドル現像では、溶解生成物が特定
の場所に流れるということはなく、スプレー現像のよう
な問題は生じないが、パターンの幾何学的構造やパター
ン密度の差異により、溶解生成物の生成量や現像液の濃
度が局所的に異なり、エッチング速度等が変化するロー
ディング効果と呼ばれる現象が生じ、回路パターンが不
均一になるという問題があった。

【０００９】この発明は上記事情に鑑みてなされたもの
で、レチクル等のフォトマスク（被処理基板）に対する
均一な現像処理が可能な液処理装置を提供することを目
的とするものである。

【００１０】

【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、この発明の液処理装置は、板状の被処理基板と一定
の隙間を空けて相対的に平行移動可能な液処理面を有す
るノズルヘッドと、上記液処理面に設けられ、上記被処
理基板表面に帯状に処理液を供給する処理液供給手段
と、上記液処理面に処理液供給手段と平行に設けられ、
上記処理液供給手段から供給された処理液を吸引すると
共に、上記被処理基板の表面に処理液の流れを形成する
処理液吸引手段と、を具備することを特徴とする（請求
項１）。

【００１１】この発明の液処理装置において、上記処理
液吸引手段は、少なくとも処理液供給手段の相対移動方
向前方側に形成される方が好ましく、また、処理液供給
手段の相対移動方向の前後に形成されるか、あるいは、
処理液供給手段の周りを囲むように形成される方が更に
好ましい（請求項２，３，４）。この場合、上記処理液
吸引手段は、処理液供給手段の長手方向の長さより長く
形成される方が好ましい（請求項５）。また、上記処理
液吸引手段の吸引口は、処理液供給手段側に向くように
形成される方が好ましい（請求項６）。また、上記処理
液供給手段は、処理液供給手段の長手方向に等間隔に設
けられた複数の処理液供給孔と、上記処理液供給孔の下
部に連通するスリットと、上記スリットの下部に連通す
る拡開テーパ状の処理液供給口と、上記処理液供給口内
に設けられる整流緩衝棒と、を具備する方が好ましい
（請求項７）。また、上記処理液供給手段は、処理液の
温度を調節可能な処理液温度調節手段を具備する方が好
ましい（請求項８）。

【００１２】また、この発明の液処理装置において、上
記ノズルヘッドの液処理面に、処理液吸引手段を挟んで
処理液供給手段と対向する位置に設けられ、被処理基板
の表面に洗浄液を供給する洗浄液供給手段を具備する方
が好ましい（請求項９）。この場合、上記液処理面にお
ける処理液吸引手段と洗浄液供給手段との間に、上記処
理液吸引手段と平行で且つ処理液吸引手段側が低い段部
が形成されるか、または、被処理基板側に向かって***
する上記処理液吸引手段と平行な凸部が形成される方が
好ましい（請求項１０，１１）。また、上記洗浄液供給
手段は、洗浄液の温度を調節可能な洗浄液温度調節手段
を具備する方が好ましい（請求項１２）。

【００１３】また、この発明の液処理装置において、上
記処理液供給手段が供給する処理液の流量を調節可能な
処理液流量調節手段と、上記処理液供給手段が供給する
処理液の流量を検出する処理液流量検出手段と、上記処
理液吸引手段が吸引する処理液の流量を調節可能な吸引
量調節手段と、上記処理液吸引手段が吸引する処理液の
流量を検出する吸引量検出手段と、上記処理液流量検出
手段及び吸引量検出手段の検出情報と、予め記憶された
情報とに基づいて、上記処理液流量調節手段及び吸引量
調節手段を制御する制御手段と、を具備するか、また
は、上記処理液供給手段が供給する処理液の流量を調節
可能な処理液流量調節手段と、上記処理液供給手段が供
給する処理液の流量を検出する処理液流量検出手段と、
上記処理液吸引手段が吸引する処理液の流量を調節可能
な吸引量調節手段と、上記処理液吸引手段が吸引する処
理液の流量を検出する吸引量検出手段と、上記洗浄液供
給手段が供給する洗浄液の流量を調節可能な洗浄液流量
調節手段と、上記洗浄液供給手段が供給する洗浄液の流
量を検出する洗浄液流量検出手段と、上記処理液流量検
出手段、吸引量検出手段及び洗浄液流量検出手段の検出
情報と、予め記憶された情報とに基づいて、上記処理液
流量調節手段、吸引量調節手段及び洗浄液流量調節手段
を制御する制御手段と、を具備する方が好ましい（請求
項１３，１４）。この場合、上記制御手段を、上記処理
液吸引手段が吸引する処理液の流量が、上記液処理面か
ら処理液を流出せず、かつ、上記処理液吸引手段に空気
を吸引しない所定値となるように、上記吸引流量調節手
段を制御可能に形成する方が好ましい（請求項１５）。
また、上記ノズルヘッドの液処理面と被処理基板表面と
の距離を検出する間隔検出手段と、上記ノズルヘッドを
昇降可能な昇降手段とを具備し、上記制御手段は、上記
間隔検出手段の検出信号と、予め記憶された情報とに基
づいて、上記昇降手段を制御する方が好ましい（請求項
１６）。

【００１４】請求項１，２，３，４記載の発明によれ
ば、被処理基板の表面に一定幅の処理液の流れを積極的
に形成することができるので、現像処理によって被処理
基板の表面に生成した溶解生成物を除去し、新鮮な現像
液を供給することができる。この場合、処理液吸引手段
は、処理液供給手段の長手方向の長さより長く形成され
るので、液処理装置の両端から処理液が、処理前又は処
理後の被処理基板上に染み出すのを防止することができ
る（請求項５）。

【００１５】また、請求項６記載の発明によれば、処理
液吸引手段の吸引口は、処理液供給手段側に向くように
形成されるので、処理液を円滑に吸引することができ
る。

【００１６】また、請求項７記載の発明によれば、処理
液供給手段は、処理液供給手段の長手方向に等間隔に設
けられた複数の処理液供給孔と、処理液供給孔の下部に
連通するスリットと、スリットの下部に連通する拡開テ
ーパ状の処理液供給口と、処理液供給口内に設けられる
整流緩衝棒と、を具備するので、スリットで処理液供給
孔による処理液の供給むら（吐出むら、塗布むら）を防
止し、整流緩衝棒で被処理基板に均一に処理液を供給
（吐出、塗布）することができ、処理液供給手段と処理
液吸引手段との間に均一な処理液の流れを形成すること
ができる。

【００１７】また、請求項８記載の発明によれば、処理
液供給手段は、処理液の温度を調節可能な処理液温度調
節手段を具備することにより、処理液の粘度や処理速度
（反応速度）等を一定にすることができる。

【００１８】また、請求項９記載の発明によれば、ノズ
ルヘッドの液処理面に、処理液吸引手段を挟んで処理液
供給手段と対向する位置に設けられ、被処理基板の表面
に洗浄液を供給する洗浄液供給手段を具備するので、洗
浄液供給手段が供給した洗浄液を処理液吸引手段が吸引
することにより、処理液が処理液吸引手段から洗浄液供
給手段側へ広がるのを防止して、被処理基板上の処理液
の幅を一定にすることができる。また、被処理基板上の
パーティクル等を除去することができる。この場合、液
処理面における処理液吸引手段と洗浄液供給手段との間
に、処理液吸引手段と平行で且つ処理液吸引手段側が低
い段部が形成されるか、又は、被処理基板側に向かって
***する処理液吸引手段と平行な凸部が形成されるの
で、更に確実に処理液の幅を一定にすることができる
（請求項１０，１１）。また、洗浄液供給手段は、洗浄
液の温度を調節可能な洗浄液温度調節手段を具備するの
で、被処理基板や処理液の温度を一定にすることがで
き、処理液の粘度や処理速度（反応速度）等を一定にす
ることができる（請求項１２）。

【００１９】また、請求項１３記載の発明によれば、処
理液供給手段が供給する処理液の流量を調節可能な処理
液流量調節手段と、処理液供給手段が供給する処理液の
流量を検出する処理液流量検出手段と、処理液吸引手段
が吸引する処理液の流量を調節可能な吸引量調節手段
と、処理液吸引手段が吸引する処理液の流量を検出する
吸引量検出手段と、処理液流量検出手段及び吸引量検出
手段の検出情報と、予め記憶された情報とに基づいて、
処理液流量調節手段及び吸引量調節手段を制御する制御
手段と、を具備するので、処理液の流れを、被処理基板
の表面に生成した溶解生成物を除去し得る流速に制御す
ることができ、均一な液処理をすることができる。

【００２０】また、請求項１４記載の発明によれば、処
理液供給手段が供給する処理液の流量を調節可能な処理
液流量調節手段と、処理液供給手段が供給する処理液の
流量を検出する処理液流量検出手段と、処理液吸引手段
が吸引する処理液の流量を調節可能な吸引量調節手段
と、処理液吸引手段が吸引する処理液の流量を検出する
吸引量検出手段と、洗浄液供給手段が供給する洗浄液の
流量を調節可能な洗浄液流量調節手段と、洗浄液供給手
段が供給する洗浄液の流量を検出する洗浄液流量検出手
段と、処理液流量検出手段、吸引量検出手段及び洗浄液
流量検出手段の検出情報と、予め記憶された情報とに基
づいて、処理液流量調節手段、吸引量調節手段及び洗浄
液流量調節手段を制御する制御手段と、を具備するの
で、処理液の幅を確実に一定にすることができる。

【００２１】また、制御手段は、処理液吸引手段が吸引
する処理液の流量が、液処理面から処理液を流出せず、
かつ、処理液吸引手段に空気を吸引しない所定値となる
ように、吸引流量調節手段を制御するので、処理液を有
効に利用できると共に、均一な処理液の流れを形成し、
均一な液処理をすることができる（請求項１５）。

【００２２】また、ノズルヘッドの液処理面と被処理基
板表面との距離を検出する間隔検出手段と、ノズルヘッ
ドを昇降可能な昇降手段とを具備し、制御手段は、間隔
検出手段の検出信号と、予め記憶された情報とに基づい
て、昇降手段を制御するので、ノズルヘッドの液処理面
と被処理基板との間の隙間を確実に一定にすることがで
き、更に均一な液処理ができる（請求項１６）。

【００２３】

【発明の実施の形態】以下に、この発明の実施の形態を
図面に基づいて詳細に説明する。この実施形態では、こ
の発明の液処理装置を、フォトマスク用の被処理基板、
例えばレチクル用のガラス基板Ｇに現像処理を行う現像
処理装置に適用した場合について説明する。

【００２４】現像処理装置は、図１に示すように、レジ
スト液の塗布及び回路パターンの露光が終了したガラス
基板Ｇを装置内に搬入し、または現像処理が終了したガ
ラス基板Ｇを装置外へ搬出する受渡部１と、受渡部１か
ら搬入されたガラス基板Ｇを現像処理する処理部３と、
受渡部１と処理部３との間でガラス基板Ｇを搬送する搬
送部２とで主に構成されている。

【００２５】受渡部１には、ガラス基板Ｇの縁部を支持
して上下方向に昇降可能な複数例えば３本の支持ピン
（図示せず）がマスクステージ４の内側に設けられ、外
部から挿入される搬送アーム等の搬送手段（図示せず）
と、後述するマスクステージ４との間でガラス基板Ｇを
受け渡し可能に構成されている。

【００２６】また、受渡部１には、厚さ検出手段例えば
レーザ光の反射を利用して距離を測定するレーザ変位計
１０１が設けられている。この場合、レーザ変位計１０
１は、図１５（ａ）に示すように、ガラス基板Ｇの上方
から塗布されているＣｒ層１０２までの距離と、ガラス
基板Ｇの下方からガラス基板Ｇの裏面までの距離とを測
定して比較演算するか、図１５（ｂ）に示すように、ガ
ラス基板Ｇの下方からガラス基板Ｇの裏面までの距離
と、Ｃｒ層１０２までの距離を測定して比較演算するこ
とによりガラス基板Ｇの厚さを検出し、ＣＰＵ１００に
記憶させることができる。これにより、１００μｍ程度
の誤差があるガラス基板Ｇの厚さを正確に検出して、後
述する液処理装置６の液処理面６２とガラス基板Ｇ表面
との間の変位情報を更に正確に検出することができる。

【００２７】マスクステージ４は、図２に示すように、
ガラス基板Ｇより大きい略正方形に設けられており、載
置（保持）されるガラス基板Ｇの露光部分がマスクステ
ージ４に触れないように、マスクステージ４との間に僅
かに隙間を設けてガラス基板Ｇの２辺を載置（保持）可
能な一対の載置部４１が設けられている。また、各載置
部４１には、ガラス基板Ｇが水平方向にずれるのを防止
するためにガラス基板Ｇの縁部を係止する係止部４２が
形成されている。

【００２８】また、マスクステージ４の上面側には、図
４に示すように、ガラス基板Ｇの裏面端部に当接して、
ガラス基板Ｇに加わる押圧力を検知する圧力センサ４３
（圧力検知手段）が設けられている。圧力センサ４３
は、ガラス基板Ｇが載置されて、ノズルステージ５の押
え板５２（図５参照）との間に挟み込まれた時の圧力を
基準として、後述する現像液吸引ノズル６４の吸引によ
る浮き上がりの発生を、圧力の低下によって検知するこ
とができる。また、圧力センサ４３は、ＣＰＵ１００に
電気的に接続されており、圧力センサ４３が検出した圧
力が所定値以下になると、ＣＰＵ１００は、後述する開
閉弁Ｖ１，Ｖ２，Ｖ３，Ｖ４を閉鎖して、現像処理を停
止させると共に、アラームを作動させるか、あるいは、
後述するサイドリンスノズル６５（洗浄液供給手段）か
ら供給（吐出）されるリンス液の流量を、開閉弁Ｖ４の
調節により制御可能に構成されている。

【００２９】搬送部２は、図３に示すように、上記マス
クステージ４を受渡部１と処理部３の下方との間でＸ方
向に水平に移動可能な搬送機構１２１と、処理部３の下
方に搬送されたマスクステージ４を上下方向に移動可能
な昇降機構１２６（図４参照）とを具備している。

【００３０】搬送機構１２１は、例えば受渡部１から処
理部３の下方までＸ方向に延びるように設けられるボー
ルねじ機構１２２と、このボールねじ機構１２２の両側
に平行に設けられるマスクステージ用ガイドレール１２
３と、後述する昇降機構１２６を上部に設けた搬送用載
置台１２４（図４参照）とで構成され、例えばモータや
エアシリンダ等の動力源１２５からの駆動力によりマス
クステージ４を図中Ｘ方向に移動させることができる。
この場合、マスクステージ４と共に移動し、ボールねじ
機構１２２に清浄な空気をダウンフローさせて排気口に
流すことができるノズル（図示せず）を取り付けるよう
にすれば、パーティクルがガラス基板Ｇに付着するのを
防止することができるので好ましい。

【００３１】また、昇降機構１２６は、図４に示すよう
に、搬送用載置台１２４の上部に設けられ、例えばエア
シリンダ等の駆動により、マスクステージ４を図中上下
方向に移動して、マスクステージ４をノズルステージ５
に昇降可能に形成されている。

【００３２】また、昇降機構１２６の昇降部１２６ａと
マスクステージ４の下面との間には押え力調整機構例え
ばばね１２７が設けられており、ガラス基板Ｇをノズル
ステージ５の押え板５２（図５参照）に当てる押圧力を
一定にして後述する液処理装置６とガラス基板Ｇとの間
に常に一定の隙間を設けることができるように構成され
ている。なお、ばね１２７の代わりに、例えば圧力調整
用エアシリンダ等を用いてもよい。

【００３３】また、押え力調整機構を設ける代わりに、
昇降機構１２６の昇降部１２６ａ上部に、ガラス基板Ｇ
の下部を支持する伸縮可能な複数、例えば３本の支持ピ
ンを設けるようにしてもよい。この場合、それぞれの支
持ピンに高さ調整用の駆動装置を設け、液処理装置６と
ガラス基板Ｇとの間隔を検出可能な例えばレーザ変位計
等の間隔検出手段によって得られたデータに基づいて支
持ピンを上下し、ガラス基板Ｇの高さを微調整可能に形
成することができる。

【００３４】処理部３は、図５に示すように、ガラス基
板Ｇに現像処理を行うノズルステージ５と、ガラス基板
Ｇに現像液を供給（吐出、塗布）する液処理装置６と、
この液処理装置６をノズルステージ５上のガラス基板Ｇ
に対し相対的に移動可能なスキャン機構７と、現像処理
後のガラス基板Ｇを洗浄するリンスノズル８と、現像処
理に用いられた処理液を排出するドレインパン９と、リ
ンス後のガラス基板Ｇを乾燥するエアブローノズル１０
とで主に構成されている。

【００３５】ノズルステージ５は、図５に示すように、
中央にマスクステージ４を嵌合可能な略正方形の嵌合部
５１と、この嵌合部５１のＸ方向に延びる２辺の上部に
設けられ、ガラス基板Ｇの上面端部を押える押え板５２
とで構成されており、上述したばね１２７（押え力調整
機構）でガラス基板Ｇを押え板５２に当て、液処理装置
６とガラス基板Ｇとの間に一定の隙間を空けて現像液を
供給し現像処理が行えるように構成されている（図６参
照）。

【００３６】スキャン機構７は、図５に示すように、図
面上Ｘ方向に平行に２本設けられ液処理装置６の長手方
向の両端を支持する液処理ノズル用ガイドレール７１
と、液処理装置６を嵌合し、液処理ノズル用ガイドレー
ル７１上をノズル待機位置７２（図中液処理装置６のあ
る位置）とガラス基板Ｇとの間でＸ方向に移動可能なス
キャンベース部７６と、モータ７５等の駆動手段により
駆動可能に形成されるボールねじ機構７３と、スキャン
ベース部７６の一端に接続され、ボールねじ機構７３の
駆動力を伝えるスキャンアーム７４とで構成されてい
る。

【００３７】また、スキャンベース部７６は、液処理装
置６とガラス基板Ｇとの間隔を検出可能な間隔検出手段
例えばレーザ変位計７８（図５参照）と、レーザ変位計
７８の検出信号に基づいて、液処理装置６を昇降可能な
例えばモータとボールねじ機構等により構成される昇降
機構７７(昇降手段)とを具備している（図示せず）。し
たがって、液処理装置６とガラス基板Ｇとの間に一定の
隙間例えば１mm〜５０μｍの隙間を精度良く形成するこ
とができる。

【００３８】また、スキャン機構７は、後述する制御手
段であるＣＰＵ１００に電気的に接続されており、ＣＰ
Ｕ１００の制御信号により、スキャンスピード及び液処
理装置６を制御可能に形成されている。

【００３９】リンスノズル８は、図５に示すように、ド
レインパン９の外側に設けられるベース部８１の上端か
ら水平のＹ方向にノズルステージ５の中心付近まで延び
るアーム部８２の先端に吊持されており、ノズルステー
ジ５の中心付近に例えば純水等のリンス液を供給（吐出
・滴下）可能に構成されている。また、ベース部８１
は、図示しないエアシリンダ等の昇降手段を有してお
り、リンス処理時には、ノズルステージ５上のガラス基
板Ｇに衝撃を与えない高さまで下降してリンス液を供給
（吐出・滴下）し、現像処理中には、ノズルステージ５
上を移動する液処理装置６と干渉しない高さまで上昇し
て待機できるように構成されている。

【００４０】なお、リンスノズル８は、ベース部８１の
下部に図示しないリンスノズル用ガイドレールと、ボー
ルねじ機構とを設けることにより、例えばモータ等の動
力源からの駆動力により移動可能に形成し、ガラス基板
Ｇ上をスキャンさせてリンス処理を行えるように構成す
ることもできる。

【００４１】ドレインパン９は、図７（ａ）に示すよう
に、受渡部１及び処理部３を囲う箱状に形成されてお
り、ノズルステージ５から溢流した現像液やリンス液等
の処理液（廃液）を回収する排液口９１を有する排液管
路９２と、スキャン機構７の液処理ノズル用ガイドレー
ル７１やボールねじ機構７３の下部に設けられ、これら
で発生するパーティクル等を排気する排気口９３を有す
る排気管路９４とを具備している。また、ドレインパン
９の底面９５は、図７（ｂ）に示すように、排液口９１
が最も低くなるように傾斜して設けられており、処理液
（廃液）が排液口９１に円滑に流れるように形成されて
いる。排液口９１に流れた廃液は排液管路９２を介して
ドレインパン９の下方に設けられる図示しない回収タン
クに回収される。

【００４２】エアブローノズル１０は、図５に示すよう
に、受渡部１と処理部３との間に設けられており、ガラ
ス基板Ｇが載置されたマスクステージ４を搬送機構１２
１によって移動されると共に、スリット状のエアブロー
吐出口１０ａからリンス処理後のガラス基板Ｇの両面に
エアを吹き付けることにより、ガラス基板Ｇ上に残留し
ている液を吹き飛ばして乾燥することができるように構
成されている。この場合、発生するミストは装置の上部
に設けられる図示しない例えばファン等によるダウンフ
ローによって舞上がりを防止すると共に、現像液処理装
置の側面に局所排気用のダクト（図示せず）を設け、そ
こに吸引可能な構造とする方が好ましい。

【００４３】なお、エアブローノズル１０をガラス基板
Ｇの上方に水平移動可能なエアブローノズルスキャンア
ームを設け、マスクステージ４を移動させる代わりにエ
アブローノズル１０を水平方向に移動してガラス基板Ｇ
にエアを吹き付けて乾燥するように構成することも可能
である。

【００４４】次に、この発明に係る液処理装置６につい
て、図８ないし図１４を用いて詳細に説明する。

【００４５】◎第一実施形態 この発明の第一実施形態において、液処理装置６は、図
８に示すように、ガラス基板Ｇのパターン形成領域の幅
と同じかそれ以上の長さに形成されると共に、ガラス基
板表面と一定の隙間例えば５０μｍ〜３ｍｍ、より好ま
しくは５０μｍ〜５００μｍを空けて、一端から他端に
相対的にガラス基板Ｇと平行にスキャン（走査）移動可
能な液処理面６２を有する略直方体状のノズルヘッド６
１と、液処理面６２に設けられ、ガラス基板Ｇに帯状に
現像液を供給（吐出、塗布）する現像液供給ノズル６３
（処理液供給手段）と、液処理面６２に現像液供給ノズ
ル６３と平行に設けられ、現像液供給ノズル６３から帯
状に吐出（供給）された現像液を吸引させることで、吸
引する方向に対してガラス基板Ｇの表面に帯状の現像液
の流れを形成する現像液吸引ノズル６４（以下に吸引ノ
ズル６４という）｛処理液吸引手段｝と、吸引ノズル６
４を挟んで現像液供給ノズル６３と対向する位置に設け
られ、ガラス基板Ｇの表面に例えば純水等のリンス液
（洗浄液）を供給（吐出、塗布）するサイドリンスノズ
ル６５（洗浄液供給手段）とを具備している。

【００４６】この場合、液処理面６２はできる限り平滑
な面、具体的には表面精度３０μｍ以下の平滑な面に形
成する方が好ましい。このように形成すれば、現像液の
流れが円滑となり、更に均一な現像処理を施すことがで
きる。

【００４７】これらを使った現像処理は、ノズルヘッド
を例えば１ｍｍ／ｓｅｃでスキャン移動させつつ行われ
る。

【００４８】なお、現像液供給ノズル６３、現像液吸引
ノズル６４、サイドリンスノズル６５は、独立して形成
することも可能である。

【００４９】現像液供給ノズル６３は、図８に示すよう
に、泡抜き等を行うため一旦現像液を収容する収容部１
１をノズルヘッド６１内に有しており、現像液が貯留さ
れる現像液タンク１２（現像液供給源）から現像液を供
給する現像液供給管路１３と、収容部１１の現像液の泡
抜きを行う泡抜き管路１４（図９参照）とに接続されて
いる。

【００５０】また、現像液供給管路１３には、現像液の
温度を調節する温度調節機構１５（処理液温度調節手
段）と、現像液を圧送する図示しない圧送手段例えばポ
ンプと、現像液供給管路内の現像液の流量を検出する現
像液流量計１３０（処理液流量検出手段）とが設けられ
ており、例えば圧縮空気によって開閉を制御されるエア
オペレーションバルブ等の開閉弁Ｖ１（処理液流量調節
手段）によって現像液の流量調節が可能に形成されてい
る。

【００５１】温度調節機構１５は、図８に示すように、
現像液供給管路１３とノズルヘッド６１との接続部に設
けられ、現像液供給管路１３が温度調節管路１６内を通
るように形成される二重管構造となっている。また、温
度調節管路１６は、現像液供給管路１３内を上方から下
方へ流れる現像液に対し、ヒータ１７等で温調された液
体例えば純水を循環手段例えば循環ポンプ１８により温
度調節管路１６内を下方から上方へ循環するように構成
されている。このように構成することにより、現像液の
温度を調節することができるので、現像液の粘度及びエ
ッチング速度（処理速度、反応速度）等を一定にするこ
とができ、更に均一な現像処理を行うことができる。

【００５２】泡抜き管路１４は、図９に示すように、ノ
ズルヘッド６１の上部から収容部１１に接続されてお
り、現像液中に気泡が混入しないように、図示しない排
気手段によって泡抜きをすることができるように構成さ
れている。

【００５３】また、現像液供給ノズル６３は、図１０及
び図１１に示すように、現像液供給ノズル６３の長手方
向に例えば１mmピッチで等間隔に設けられる複数の供給
孔２０（処理液供給孔）と、これら供給孔２０の下部に
連通され現像液供給ノズル６３の長手方向に設けられる
例えば１mm幅のスリット２１と、スリット２１の下部に
連通され現像液をガラス基板Ｇに供給（吐出、塗布）す
る拡開テーパ状の現像液供給口２２（処理液供給口）
と、この現像液供給口２２内の長手方向に設けられ、現
像液の吐出時のインパクトを低減し、均一に現像液を吐
出する整流緩衝棒、例えば円柱状の石英棒２３とで構成
されている。ここでは、整流緩衝棒を石英棒２３にて形
成する場合について説明したが、整流緩衝棒は、親水性
部材であれば石英以外の例えばセラミックス等で形成す
ることも可能である。

【００５４】現像液供給ノズル６３を、このように構成
することにより、供給孔２０から流出する現像液は、ス
リット２１で合流した後、現像液供給口２２の壁面を伝
って流れる一方、石英棒２３の表面で拡散させることが
できる。したがって、スリット２１で供給孔による現像
液の吐出むらを防止し、石英棒２３でガラス基板Ｇに均
一に現像液を供給（吐出、塗布）することができ、現像
液供給ノズルと後述する吸引ノズル６４との間に、新し
い現像液を常時供給しつつ均一な現像液の流れを形成し
て、溶解生成物を除去しながら均一な現像処理をするこ
とができる。

【００５５】なお、スリット２１は、図１２（ａ）に示
すように、断面拡開テーパ状に形成されるスリット２１
ａとしても良く、図１２（ｂ）に示すように、現像液供
給口２２との境界を滑らかな流線型に形成されるスリッ
ト２１ｂとしてもよい。また、現像液供給口２２は、図
１２（ｃ）に示すように、中心がスリット２１の真下か
ら現像液供給ノズル６３の移動方向前方側に偏心した位
置に形成される現像液供給口２２ａとしてもよい。この
ように構成すれば、現像液供給ノズル６３が供給する現
像液を更に均一に供給（吐出・塗布）することができ
る。

【００５６】また、上記説明では、現像液供給ノズル６
３にスリット２１を形成する場合について説明したが、
現像液供給ノズル６３は、必ずしもこのように形成する
必要はなく、図１２（ｄ）に示すように、複数の供給孔
２０（処理液供給孔）から直接ガラス基板Ｇ表面に現像
液を供給し得るように形成することも勿論可能である。

【００５７】吸引ノズル６４は、図１１に示すように、
現像液やリンス液等の現像処理に用いられた処理液（廃
液）を吸引するスリット状の吸引口３５が、現像液供給
ノズル６３の液処理面６２の移動方向両側に平行に設け
られている。ここで、吸引口３５の長手方向の長さは、
現像液供給ノズル６３両端からの現像液の染み出しを防
ぐため、現像液供給口２２の長手方向の長さより長く形
成される方が好ましい。また、吸引口３５のスリット
は、幅が広過ぎると吸引口３５付近で現像状態が悪くな
るため、供給された現像液をサイドリンスノズル６５側
に漏らさないように吸引できる範囲で可及的に狭く形成
される方が好ましい。更に、吸引ノズル６４は、現像液
供給ノズル６３から供給され、現像処理に供された現像
液を円滑に吸引し、均一な現像液の流れを形成するた
め、図８に示すように、吸引口３５を現像液供給口２２
側に向くように形成する方が好ましい。

【００５８】なお、上記説明では、吸引ノズル６４に、
スリット状の吸引口３５を設ける場合について説明した
が、吸引ノズル６４の構成はこれに限らず、例えば図１
６（ａ），（ｂ）に示すように、複数の吸引孔３５ａを
現像液供給口２２と平行かつ直線的に等間隔で設けるこ
とも可能である。この場合、吸引孔３５ａは、現像液供
給口２２を挟んで千鳥状に設ける方が好ましい。このよ
うに構成することにより、現像液を帯状に流すだけでな
く、斜めにも流すことができるので、溶解生成物の除去
を更に確実に行うことができる。

【００５９】また、図１６（ｃ）に示すように、スキャ
ン方向前方側の吸引ノズル６４に複数の吸引孔３５ａを
設け、スキャン方向後方側の吸引ノズル６４に、スリッ
ト状の吸引口３５を設けてもよい。このように構成すれ
ば、液処理装置６のスキャン方向前方側では、吸引孔３
５ａによって現像液を斜めにも流して溶解生成物の除去
を確実に行うと共に、スキャン方向後方側では、吸引口
３５によって現像液を確実に吸引し、現像液の吸い残し
を防止することができる。

【００６０】また、吸引ノズル６４は、図８に示すよう
に、吸引管路３０を介して、吸引口３５が吸引する現像
液やリンス液等の廃液の吸引量を調節可能な減圧機構例
えばエジェクタ３１と、液処理装置６の移動方向前方側
及び後方側の各吸引口３５それぞれの吸引量を検出可能
な吸引流量計１５０ (吸引量検出手段）と、吸引管路３
０の開閉を行い吸引量を調節する、例えば圧縮空気によ
って開閉を制御されるエアオペレーションバルブ等の開
閉弁Ｖ２，Ｖ３（吸引量調節手段）と、吸引した廃液を
気体と液体に分離して回収するトラップタンク３２と、
このトラップタンク３２の圧力を検出可能な圧力センサ
３３と、トラップタンク３２内に回収された廃液を回収
する廃液タンク３４とで構成される吸引部２００に接続
されている。この場合、吸引管路３０を吸引ノズル６４
の上端から吸引すると、その部分の直下の吸引口３５付
近で現像液の流れが特異になり、現像処理が不均一にな
る恐れがあるため、吸引管路３０は、ガラス基板Ｇのパ
ターン形成領域から外れる位置の上端に設けるか、又
は、吸引ノズル６４の両側端に設ける方が好ましい。

【００６１】なお、上記吸引部２００は、エジェクタ３
１、トラップタンク３２及び圧力センサ３３を用いる代
わりに、吸引口が吸引する廃液の吸引量を調節可能な吸
引手段例えば吸引ポンプを用いることも可能である。

【００６２】サイドリンスノズル６５は、図１１に示す
ように、吸引ノズル６４を挟んで現像液供給ノズル６３
と対向する位置に平行に設けられており、スリット状の
リンス液供給口３６から液処理面６２とガラス基板Ｇと
の間に例えば純水等のリンス液を供給可能に形成されて
いる。また、リンス液供給口３６は、ガラス基板Ｇが吸
引ノズル６４の吸引力によって浮き上がるのを防止する
ため、ガラス基板Ｇ表面にリンス液の押圧力が働くよう
に、ガラス基板Ｇ表面に対して鉛直方向にリンス液を供
給可能に形成されている。基板の浮き上がりが発生した
場合には、圧力センサ４３がガラス基板Ｇの押圧力が低
下するのを検知して、その検知信号をＣＰＵ１００に送
り、その検出値が許容値以内であれば、ＣＰＵ１００
は、その検出値に基づいて後述する開閉弁Ｖ４を調節
し、サイドリンスノズル６５が供給（吐出）するリンス
液の流量を増加させて、浮き上がりを防止し得る圧力に
制御する。

【００６３】また、サイドリンスノズル６５は、図８に
示すように、リンス液供給管路３７を介してリンス液供
給源例えばリンス液供給タンク３８に接続されており、
リンス液供給管路３７には、現像液供給管路１３と同様
に、リンス液を圧送する図示しないポンプ等の圧送手段
と、リンス液供給管路３７内のリンス液の流量を検出す
るリンス液流量計１４０(洗浄液流量検出手段)と、圧縮
空気等によって開閉制御されるエアオペレーションバル
ブ等の開閉弁Ｖ４(洗浄液流量調節手段)とが設けられて
いる。また、少なくとも液処理装置６とガラス基板Ｇと
の相対移動方向（スキャン方向）前方側のサイドリンス
ノズル３６ａに連通するリンス液供給管路３７には、リ
ンス液の温度を調節する温度調節機構３９（洗浄液温度
調節手段）が設けられている。

【００６４】このように構成することにより、サイドリ
ンスノズル６５が供給したリンス液の一部を吸引ノズル
６４が吸引し、現像液が吸引ノズル６４からサイドリン
スノズル６５側へ広がるのを防止することができるの
で、ガラス基板Ｇ上の現像液の幅を一定にすることがで
き、現像時間を一定にして均一な現像処理を行うことが
できる。また、スキャン方向前方側のサイドリンスノズ
ル３６ａは、現像液を供給する前にプリウエットを行っ
て濡れ性を向上すると共に、泡の発生防止やパーティク
ルの除去をすることができる。また、スキャン方向後方
側のサイドリンスノズル３６ｂは、ガラス基板Ｇ表面に
付着する現像液を速やかに洗浄して現像停止を行うこと
ができる。

【００６５】なお、サイドリンスノズル６５は、ノズル
ヘッド６１と分離して設けることも可能である。

【００６６】また、液処理装置６は、ＣＰＵ１００（制
御手段）に電気的に接続されており、現像液流量計１３
０、リンス液流量計１４０、吸引流量計１５０、圧力セ
ンサ３３、レーザ変位計７８（間隔検出手段）等の検出
信号と、予め記憶された情報とに基づいて、バルブＶ
１，Ｖ２，Ｖ３，Ｖ４、液処理面６２とガラス基板Ｇと
の距離（間隔）、液処理装置６のスキャンスピード等を
制御可能に構成されている。

【００６７】以下に、上記のように構成される液処理装
置６を用いた現像処理方法について説明する。

【００６８】まず、受渡部１から図示しない搬送アーム
等により搬入されたガラス基板Ｇは、レーザ変位計１０
１によってガラス基板Ｇの厚さを検出し、その情報をＣ
ＰＵ１００に記憶した後、マスクステージ４の載置部４
１に載置され、搬送機構１２１によってノズルステージ
５の下方に搬送される。次いで、昇降機構１２６によっ
て、ノズルステージ５の嵌合部５１まで搬送される。

【００６９】ノズルステージ５では、押え板５２がガラ
ス基板Ｇの端部２辺の上面を押さえることにより、ガラ
ス基板Ｇと液処理装置６の液処理面６２との間に正確に
一定の隙間を形成して、ガラス基板Ｇを固定する。

【００７０】ノズルステージ５にガラス基板Ｇが固定さ
れると、ＣＰＵ１００の制御信号によりスキャン機構７
は、レーザ変位計１０１によって得られたガラス基板Ｇ
の厚みデータに基づいて、基板表面と干渉しない所定の
高さ（隙間）になるように、液処理装置６をノズル待機
位置７２からスキャン開始位置まで移動する。スキャン
開始位置に達すると、ガラス基板Ｇに予め所定温度に温
調されたリンス液を供給（吐出、塗布）しつつスキャン
させて、ガラス基板Ｇの表面全体にリンス液を塗布する
（プリウエット工程）。これにより、液処理装置６とガ
ラス基板Ｇとの間に空気が入り込むのを防止すると共
に、現像液を供給（吐出、塗布）する前に、ガラス基板
Ｇを処理温度に調節することができる。

【００７１】プリウエット工程が終了すると、液処理装
置６は、レーザ変位計１０１により検出されたガラス基
板Ｇの厚さデータに基いてスキャンし、ガラス基板Ｇと
液処理面６２との間隔をレーザ変位計７８ａ，７８ｂに
より検出しながらスキャン開始位置まで戻る。検出され
た変位情報はＣＰＵ１００に記憶される。

【００７２】なお、上記説明では、プリウエット工程終
了後に変位情報を検出しているが、変位情報の検出方法
はこれに限らず、レーザ変位計７８を、液処理装置６の
進行方向後方側に設けて、プリウエット工程と同時に行
うことも可能である。

【００７３】液処理装置６がスキャン開始位置に戻る
と、ＣＰＵ１００は、液処理装置６のスキャンスピード
を現像時間が確保できる速度に制御すると共に、開閉弁
Ｖ１，Ｖ２，Ｖ３，Ｖ４の開口度を制御して、液処理面
６２とガラス基板Ｇとの間に、一定幅の現像液の流れを
形成し得るように、現像液及びリンス液（純水）の供給
（吐出、塗布）及び吸引を開始する。

【００７４】この際、図１７に示すように、吸引流量が
吸引流量上限値より多いと、空気が液処理面に吸引され
る泡かみが起こり、現像液の流れが妨げられて現像処理
を行うことができなくなる。逆に吸引流量が吸引流量下
限値より少ないと、現像液が液処理面６２の外へ流出し
（染み出し、溢れ）無駄を生じる。したがって、ＣＰＵ
１００は、吸引流量が、液処理面６２から現像液を流出
せず、かつ、吸引ノズル６４に空気を吸引（泡噛み）し
ない所定の値になるように、開閉弁Ｖ２，Ｖ３を制御す
る。例えば、ＣＰＵ１００に、図１７に示すデータ（液
処理面６２とガラス基板Ｇとの間のギャップ０．１ｍ
ｍ、リンス液流量２．０Ｌ／ｍｉｎの場合）を予め記憶
させておき、現像液の流量に応じて開閉弁Ｖ２，Ｖ３を
調節し、吸引流量を、少なくとも吸引流量上限値と吸引
流量下限値との間のバランス最適範囲内（図１７の斜線
部）の値、更に好ましくは吸引流量最適値となるように
制御する。

【００７５】また、ＣＰＵ１００は、吸引ノズル６４の
吸引によってガラス基板Ｇが吸着されるのを防止するた
め、圧力センサ４３によって検出された圧力値に基づい
て、ガラス基板Ｇに所定の押圧力がかかるようにリンス
液の流量（供給量）を調節する。リンス液の流量（供給
量）がこのように調節されることにより、液処理装置６
の液処理面とガラス基板Ｇ表面との距離を正確に制御し
て、更に均一な現像処理を行うことができる。

【００７６】なお、現像液が所定幅以上に広がるのを防
止するため、ＣＰＵ１００によって、リンス液の供給
（吐出、塗布）及び吸引が、現像液の供給（吐出、塗
布）よりも若干早く開始するように制御してもよい。

【００７７】液処理装置６による現像液及びリンス液の
供給（吐出、塗布）及び吸引はスキャン開始から終了ま
で断続的に実行される。この際、ガラス基板Ｇと液処理
面６２との隙間を図示しないレーザ変位計等の間隔検出
手段により検出し、その検出信号をＣＰＵ１００に送
り、ＣＰＵ１００において、検出信号と予め記憶された
情報とに基づいて、現像液が吸引ノズル６４の位置から
サイドリンスノズル６５側に染み出さず、且つ現像液の
流速を高速に保つことができる幅になるように液処理装
置６を昇降機構７７によって上下させて調整する。

【００７８】現像処理が終了すると、リンスノズル８が
リンス液供給時にガラス基板Ｇに衝撃を与えない位置ま
で下降し、例えば純水等のリンス液をガラス基板Ｇ上に
供給（吐出）することによりリンス処理を行う。この場
合、リンスノズルを用いずに、現像液供給ノズル６３を
ノズル待機位置７２まで逆方向に移動しながら、サイド
リンスノズル６５からリンス液を吐出（供給）してリン
ス処理することもできる。

【００７９】リンス処理が終了すると、マスクステージ
４は、昇降機構１２６によりノズルステージの嵌合部５
１から下降した後、搬送機構１２１によって受渡部に搬
送される。この際、エアブローノズル１０を作動させ、
ガラス基板Ｇの両面にエアを吹き付けながらマスクステ
ージ４を移動して、ガラス基板Ｇ上のリンス液を吹き飛
ばし乾燥させる。なお、このときに発生するミストは、
装置のダウンフローにより排出すると共に、ドレインパ
ン９の側面に図示しない局所排気用のダクトを設けて吸
引する。

【００８０】マスクステージ４が、受渡部１に搬送され
ると、装置外から挿入される搬送手段例えば搬送アーム
によりガラス基板Ｇは搬出されて処理が終了する。

【００８１】なお、現像処理中に、現像液流量計１３
０、リンス液流量計１４０及び吸引流量計１５０の検出
情報と、予め記憶された情報とに基づいて、ＣＰＵ１０
０が開閉弁Ｖ１，Ｖ２，Ｖ３，Ｖ４を制御するように構
成することもできる。

【００８２】◎第二実施形態 この発明の第二実施形態は、図１３（ａ）に示すよう
に、吸引ノズル６４ａを、現像液供給ノズル６３の周り
を囲むように形成したものである。

【００８３】このように構成することにより、現像液供
給ノズル６３の両端から現像液が染み出すのを防止し、
確実に一定幅の現像液の流れを形成できる。

【００８４】また、図１３（ｂ）に示すように、吸引ノ
ズル６４ｂを、溶解生成物の量が多く、現像液濃度の低
下が著しい現像液供給ノズル６３の移動方向前方側にの
み形成し、サイドリンスノズル６５を省略することも可
能である。この場合、ガラス基板Ｇ上の現像液は、現像
時間を確保できる時間経過後、リンスノズル８によりリ
ンス処理される。

【００８５】なお、第二実施形態において、その他の部
分は上記第一実施形態と同じであるので、同一部分に
は、同一符号を付して説明は省略する。

【００８６】◎第三実施形態 この発明の第三実施形態は、液処理面６２における吸引
ノズル６４とサイドリンスノズル６５との間に、吸引ノ
ズル６４と平行で且つ吸引ノズル６４側が低い段部６６
を形成したものである｛図１４（ａ）参照｝。

【００８７】このように構成することにより、現像液供
給ノズル６３と吸引ノズル６４との間の隙間を小さくし
て現像液の流れを高速に保ちつつ、吸引ノズル６４とサ
イドリンスノズル６５との間の隙間を大きくして、リン
ス液の供給量を増やすことができるので、現像液の流れ
を確実に一定幅に保ち、均一な現像処理をすることがで
きる。

【００８８】また、図１４（ｂ）に示すように、液処理
面６２における吸引ノズル６４とサイドリンスノズル６
５との間に、ガラス基板Ｇ側に向かって***する吸引ノ
ズル６４と平行な凸部６７を形成することも可能であ
る。

【００８９】なお、第三実施形態において、その他の部
分は上記第一実施形態と同じであるので、同一部分に
は、同一符号を付して説明は省略する。

【００９０】また、上記第一ないし第三実施形態におい
ては、この発明の液処理装置６を、レチクル用のガラス
基板Ｇの現像処理に適用する場合について説明したが、
これに限らず、ウエハやＬＣＤ等の現像処理に適用する
ことも勿論可能である。

【００９１】

【発明の効果】以上に説明したように、この発明によれ
ば、上記のように構成されているので、以下のような効
果が得られる。

【００９２】１）請求項１，２，３，４記載の発明によ
れば、被処理基板の表面に一定幅の処理液の流れを積極
的に形成することができるので、現像処理によって被処
理基板の表面に生成した溶解生成物を除去し、新鮮な現
像液を供給することができ、被処理基板を均一に処理す
ることができる。

【００９３】２）請求項５記載の発明によれば、処理液
吸引手段は、処理液供給手段の長手方向の長さより長く
形成されるので、液処理装置の両端から処理液が、処理
前又は処理後の被処理基板上に染み出すのを防止するこ
とができ、処理時間を一定にして均一な処理をすること
ができる。

【００９４】３）請求項６記載の発明によれば、処理液
吸引手段の吸引口は、処理液供給手段側に向くように形
成されるので、処理液を円滑に吸引することができ、均
一な処理液の流れを積極的に形成して被処理基板を均一
に処理することができる。

【００９５】４）請求項７記載の発明によれば、処理液
供給手段は、処理液供給手段の長手方向に等間隔に設け
られた複数の処理液供給孔と、処理液供給孔の下部に連
通するスリットと、スリットの下部に連通する拡開テー
パ状の処理液供給口と、処理液供給口内に設けられる整
流緩衝棒と、を具備するので、スリットで処理液供給孔
による処理液の供給むら（吐出むら、塗布むら）を防止
し、整流緩衝棒で被処理基板に均一に処理液を供給（吐
出、塗布）して、処理液供給手段と処理液吸引手段との
間に均一な処理液の流れを形成することができ、被処理
基板を均一に処理することができる。

【００９６】５）請求項８記載の発明によれば、処理液
供給手段は、処理液の温度を調節可能な処理液温度調節
手段を具備することにより、処理液の粘度や処理速度
（反応速度）等を一定にして、被処理基板に均一な処理
をすることができる。

【００９７】６）請求項９記載の発明によれば、ノズル
ヘッドの液処理面に、処理液吸引手段を挟んで処理液供
給手段と対向する位置に設けられ、被処理基板の表面に
洗浄液を供給する洗浄液供給手段を具備するので、洗浄
液供給手段が供給した洗浄液を処理液吸引手段が吸引す
ることにより、処理液が処理液吸引手段から洗浄液供給
手段側へ広がるのを防止して、被処理基板上の処理液の
幅を一定にすることができ、処理時間を一定にして均一
な処理をすることができる。

【００９８】７）請求項１０，１１記載の発明によれ
ば、液処理面における処理液吸引手段と洗浄液供給手段
との間に、処理液吸引手段と平行で且つ処理液吸引手段
側が低い段部が形成されるか、又は、被処理基板側に向
かって***する処理液吸引手段と平行な凸部が形成され
るので、更に確実に処理液の幅を一定にして、処理時間
を一定にして均一な処理をすることができる。

【００９９】８）請求項１２記載の発明によれば、洗浄
液供給手段は、洗浄液の温度を調節可能な洗浄液温度調
節手段を具備するので、被処理基板や処理液の温度を一
定にすることができ、処理液の粘度や処理速度（反応速
度）等を更に確実に一定にして、被処理基板に均一な処
理をすることができる。

【０１００】９）請求項１３記載の発明によれば、処理
液供給手段が供給する処理液の流量を調節可能な処理液
流量調節手段と、処理液供給手段が供給する処理液の流
量を検出する処理液流量検出手段と、処理液吸引手段が
吸引する処理液の流量を調節可能な吸引量調節手段と、
処理液吸引手段が吸引する処理液の流量を検出する吸引
量検出手段と、処理液流量検出手段及び吸引量検出手段
の検出情報と、予め記憶された情報とに基づいて、処理
液流量調節手段及び吸引量調節手段を制御する制御手段
と、を具備するので、処理液の流れを、被処理基板の表
面に生成した溶解生成物を除去し得る流速に制御するこ
とができ、被処理基板に均一な処理をすることができ
る。

【０１０１】１０）請求項１４記載の発明によれば、処
理液供給手段が供給する処理液の流量を調節可能な処理
液流量調節手段と、処理液供給手段が供給する処理液の
流量を検出する処理液流量検出手段と、処理液吸引手段
が吸引する処理液の流量を調節可能な吸引量調節手段
と、処理液吸引手段が吸引する処理液の流量を検出する
吸引量検出手段と、洗浄液供給手段が供給する洗浄液の
流量を調節可能な洗浄液流量調節手段と、洗浄液供給手
段が供給する洗浄液の流量を検出する洗浄液流量検出手
段と、処理液流量検出手段、吸引量検出手段及び洗浄液
流量検出手段の検出情報と、予め記憶された情報とに基
づいて、処理液流量調節手段、吸引量調節手段及び洗浄
液流量調節手段を制御する制御手段と、を具備するの
で、処理液の幅を確実に一定にして、現像時間を均一に
することができる。

【０１０２】１１）請求項１５記載の発明によれば、制
御手段は、処理液吸引手段が吸引する処理液の流量が、
液処理面から処理液を流出せず、かつ、処理液吸引手段
に空気を吸引しない所定値となるように、吸引流量調節
手段を制御するので、処理液を有効に利用できると共
に、均一な処理液の流れを形成し、均一な液処理をする
ことができる。

【０１０３】１２）請求項１６記載の発明によれば、ノ
ズルヘッドの液処理面と被処理基板表面との距離を検出
する間隔検出手段と、ノズルヘッドを昇降可能な昇降手
段とを具備し、制御手段は、間隔検出手段の検出信号
と、予め記憶された情報とに基づいて、昇降手段を制御
するので、ノズルヘッドの液処理面と被処理基板との間
の隙間を確実に一定にすることができ、被処理基板を更
に均一に処理することができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】この発明の液処理装置を適用した現像処理装置
を示す概略構成図である。

【図２】マスクステージを示す概略斜視図である。

【図３】搬送部を示す概略平面図である。

【図４】昇降機構を示す概略正面図である。

【図５】この発明の液処理装置を含む処理部を示す概略
平面図である。

【図６】ノズルステージ上の被処理基板の状態を示す概
略斜視図である。

【図７】現像処理装置のドレインパンの構成を示す概略
平面図（ａ）及びそのＩ−Ｉ線に沿う概略断面図（ｂ）
である。

【図８】この発明の液処理装置の構成を示す概略断面図
である。

【図９】この発明の液処理装置を示す概略斜視図であ
る。

【図１０】この発明における処理液供給手段の要部を示
す概略断面図（ａ）及びそのＩＩ−ＩＩ線に沿う概略断
面図（ｂ）である。

【図１１】この発明における処理液供給手段の構成を示
す概略断面図（ａ）及びこの発明における液処理面を示
す概略平面図（ｂ）である。

【図１２】この発明における別の処理液供給手段の要部
を示す概略断面図である。

【図１３】この発明における第二実施形態の液処理装置
の液処理面を示す概略平面図である。

【図１４】この発明における第三実施形態の液処理装置
の構成を示す概略断面図である。

【図１５】この発明における厚さ検出手段を示す概略断
面図である。

【図１６】この発明における処理液吸引手段の異なる構
成を示す概略平面図である。

【図１７】処理液供給手段の流量と処理液吸引手段の吸
引流量との関係を示すグラフである。

【符号の説明】

Ｇ ガラス基板（被処理基板） Ｖ１ 開閉弁(処理液流量調節手段) Ｖ２，Ｖ３ 開閉弁(吸引量調節手段) Ｖ４ 開閉弁（洗浄液流量調節手段） ６ 液処理装置 １５ 温度調節機構（処理液温度調節手段） ２０ 供給孔（処理液供給孔） ２１ スリット ２２ 現像液供給口（処理液供給口） ２３ 石英棒（整流緩衝棒） ３５ 吸引口 ３９ 温度調節機構(洗浄液温度調節手段) ６１ ノズルヘッド ６２ 液処理面 ６３ 現像液供給ノズル（処理液供給手段） ６４ 現像液吸引ノズル（処理液吸引手段） ６４ａ，６４ｂ 現像液吸引ノズル（処理液吸引手段） ６５ サイドリンスノズル（洗浄液供給手段） ６６ 段部 ６７ 凸部 ７７ 昇降機構（昇降手段） １００ ＣＰＵ（制御手段） １３０ 現像液流量計(処理液流量検出手段) １４０ リンス液流量計(洗浄液流量検出手段) １５０ 吸引流量計（吸引量検出手段）

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.⁷ 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｇ０３Ｆ 7/30 ５０１ Ｈ０１Ｌ 21/30 ５６４Ｚ (72)発明者 大石 幸太郎 東京都港区赤坂五丁目３番６号ＴＢＳ放送 センター東京エレクトロン株式会社内 (72)発明者 西屋 憲 東京都港区赤坂五丁目３番６号ＴＢＳ放送 センター東京エレクトロン株式会社内 Ｆターム(参考） 2H025 AA18 AB14 AB16 DA20 EA04 2H096 AA25 AA28 CA13 GA22 4F041 AA02 AA06 AB01 BA05 BA13 BA35 BA48 BA54 BA57 CA02 CA17 CA23 4F042 AA02 AA07 AB00 BA08 BA12 BA13 BA19 CA01 CB08 CB24 DD33 DD39 DD47 DF07 DF15 5F046 JA01 JA24 JA27 LA03 LA13 LA19

Claims (16)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 板状の被処理基板と一定の隙間を空けて
   相対的に平行移動可能な液処理面を有するノズルヘッド
   と、 上記液処理面に設けられ、上記被処理基板表面に帯状に
   処理液を供給する処理液供給手段と、 上記液処理面に処理液供給手段と平行に設けられ、上記
   処理液供給手段から供給された処理液を吸引すると共
   に、上記被処理基板の表面に処理液の流れを形成する処
   理液吸引手段と、を具備することを特徴とする液処理装
   置。
2. 【請求項２】 請求項１記載の液処理装置において、 上記処理液吸引手段は、少なくとも処理液供給手段の相
   対移動方向前方側に形成されることを特徴とする液処理
   装置。
3. 【請求項３】 請求項１記載の液処理装置において、 上記処理液吸引手段は、処理液供給手段の相対移動方向
   の前後に形成されることを特徴とする液処理装置。
4. 【請求項４】 請求項１記載の液処理装置において、 上記処理液吸引手段は、処理液供給手段の周りを囲むよ
   うに形成されることを特徴とする液処理装置。
5. 【請求項５】 請求項１ないし３のいずれかに記載の液
   処理装置において、 上記処理液吸引手段は、処理液供給手段の長手方向の長
   さより長く形成されることを特徴とする液処理装置。
6. 【請求項６】 請求項１ないし４のいずれかに記載の液
   処理装置において、 上記処理液吸引手段の吸引口は、処理液供給手段側に向
   くように形成されることを特徴とする液処理装置。
7. 【請求項７】 請求項１ないし６のいずれかに記載の液
   処理装置において、 上記処理液供給手段は、処理液供給手段の長手方向に等
   間隔に設けられた複数の処理液供給孔と、上記処理液供
   給孔の下部に連通するスリットと、上記スリットの下部
   に連通する拡開テーパ状の処理液供給口と、上記処理液
   供給口内に設けられる整流緩衝棒と、を具備することを
   特徴とする液処理装置。
8. 【請求項８】 請求項１ないし７のいずれかに記載の液
   処理装置において、 上記処理液供給手段は、処理液の温度を調節可能な処理
   液温度調節手段を具備することを特徴とする液処理装
   置。
9. 【請求項９】 請求項１ないし８のいずれかに記載の液
   処理装置において、 上記ノズルヘッドの液処理面に、処理液吸引手段を挟ん
   で処理液供給手段と対向する位置に設けられ、被処理基
   板の表面に洗浄液を供給する洗浄液供給手段を具備する
   ことを特徴とする液処理装置。
10. 【請求項１０】 請求項９記載の液処理装置において、 上記液処理面における処理液吸引手段と洗浄液供給手段
    との間に、上記処理液吸引手段と平行で且つ処理液吸引
    手段側が低い段部が形成されることを特徴とする液処理
    装置。
11. 【請求項１１】 請求項９記載の液処理装置において、 上記液処理面における処理液吸引手段と洗浄液供給手段
    との間に、被処理基板側に向かって***する上記処理液
    吸引手段と平行な凸部が形成されることを特徴とする液
    処理装置。
12. 【請求項１２】 請求項１０又は１１記載の液処理装置
    において、 上記洗浄液供給手段は、洗浄液の温度を調節可能な洗浄
    液温度調節手段を具備することを特徴とする液処理装
    置。
13. 【請求項１３】 請求項１ないし１２のいずれかに記載
    の液処理装置において、 上記処理液供給手段が供給する処理液の流量を調節可能
    な処理液流量調節手段と、 上記処理液供給手段が供給する処理液の流量を検出する
    処理液流量検出手段と、 上記処理液吸引手段が吸引する処理液の流量を調節可能
    な吸引量調節手段と、 上記処理液吸引手段が吸引する処理液の流量を検出する
    吸引量検出手段と、 上記処理液流量検出手段及び吸引量検出手段の検出情報
    と、予め記憶された情報とに基づいて、上記処理液流量
    調節手段及び吸引量調節手段を制御する制御手段と、を
    具備することを特徴とする液処理装置。
14. 【請求項１４】 請求項９ないし１２のいずれかに記載
    の液処理装置において、 上記処理液供給手段が供給する処理液の流量を調節可能
    な処理液流量調節手段と、 上記処理液供給手段が供給する処理液の流量を検出する
    処理液流量検出手段と、 上記処理液吸引手段が吸引する処理液の流量を調節可能
    な吸引量調節手段と、 上記処理液吸引手段が吸引する処理液の流量を検出する
    吸引量検出手段と、 上記洗浄液供給手段が供給する洗浄液の流量を調節可能
    な洗浄液流量調節手段と、 上記洗浄液供給手段が供給する洗浄液の流量を検出する
    洗浄液流量検出手段と、 上記処理液流量検出手段、吸引量検出手段及び洗浄液流
    量検出手段の検出情報と、予め記憶された情報とに基づ
    いて、上記処理液流量調節手段、吸引量調節手段及び洗
    浄液流量調節手段を制御する制御手段と、を具備するこ
    とを特徴とする液処理装置。
15. 【請求項１５】 請求項１３又は１４記載の液処理装置
    において、 上記制御手段は、上記処理液吸引手段が吸引する処理液
    の流量が、上記液処理面から処理液を流出せず、かつ、
    上記処理液吸引手段に空気を吸引しない所定値となるよ
    うに、上記吸引流量調節手段を制御可能に形成されるこ
    とを特徴とする液処理装置。
16. 【請求項１６】 請求項１３ないし１５のいずれかに記
    載の液処理装置において、 上記ノズルヘッドの液処理面と被処理基板表面との距離
    を検出する間隔検出手段と、 上記ノズルヘッドを昇降可能な昇降手段とを具備し、 上記制御手段は、上記間隔検出手段の検出信号と、予め
    記憶された情報とに基づいて、上記昇降手段を制御する
    ことを特徴とする液処理装置。