JP2003229564A - カーボンナノチューブデバイスの作製方法、およびカーボンナノチューブデバイス - Google Patents
カーボンナノチューブデバイスの作製方法、およびカーボンナノチューブデバイスInfo
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 良好にかつ高い再現性でカーボンナノチュー
ブと電極とをオーミック接続することが可能なカーボン
ナノチューブデバイスの作製方法、およびオーミック接
続されたカーボンナノチューブデバイスを提供するこ
と。 【解決手段】 カーボンナノチューブ１７を内部電極１
６ａに接続する接続工程を含み、前記接続工程が、針状
または棒状の外部電極１０の端部ないしその周辺に、導
電体を付着させる導電体付着工程と、カーボンナノチュ
ーブ１７を内部電極１６ａの所定の接続部位に接触ない
し近接させて配置する配置工程と、前記接続部位に、外
部電極１０の導電体が付着した端部を近接させる近接工
程と、外部電極１０に付着した導電体を、前記接続部位
ないしその周辺に移動させて、カーボンナノチューブ１
７と内部電極１６ａとを接続させる転写工程と、を含む
ことを特徴とするカーボンナノチューブデバイスの作製
方法、およびカーボンナノチューブデバイスである。
ブと電極とをオーミック接続することが可能なカーボン
ナノチューブデバイスの作製方法、およびオーミック接
続されたカーボンナノチューブデバイスを提供するこ
と。 【解決手段】 カーボンナノチューブ１７を内部電極１
６ａに接続する接続工程を含み、前記接続工程が、針状
または棒状の外部電極１０の端部ないしその周辺に、導
電体を付着させる導電体付着工程と、カーボンナノチュ
ーブ１７を内部電極１６ａの所定の接続部位に接触ない
し近接させて配置する配置工程と、前記接続部位に、外
部電極１０の導電体が付着した端部を近接させる近接工
程と、外部電極１０に付着した導電体を、前記接続部位
ないしその周辺に移動させて、カーボンナノチューブ１
７と内部電極１６ａとを接続させる転写工程と、を含む
ことを特徴とするカーボンナノチューブデバイスの作製
方法、およびカーボンナノチューブデバイスである。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、少なくともカーボ
ンナノチューブを含むカーボンナノチューブデバイスお
よびその作製方法に関し、詳しくは、当該デバイス内の
内部電極とカーボンナノチューブとを接続する工程を含
むカーボンナノチューブデバイスの作製方法、およびカ
ーボンナノチューブデバイスに関する。
ンナノチューブを含むカーボンナノチューブデバイスお
よびその作製方法に関し、詳しくは、当該デバイス内の
内部電極とカーボンナノチューブとを接続する工程を含
むカーボンナノチューブデバイスの作製方法、およびカ
ーボンナノチューブデバイスに関する。
【０００２】
【従来の技術】繊維状のカーボンを一般的にカーボンフ
ァイバーと呼んでいるが、直径数μｍ以上の太さの構造
材料として用いられるカーボンファイバーは、従来から
何種類もの製法が研究されて来ている。その中で現在で
はＰＡＮ（ポリアクリロニトリル）系やピッチ系の原料
から作製する製法が主流を占めている。
ァイバーと呼んでいるが、直径数μｍ以上の太さの構造
材料として用いられるカーボンファイバーは、従来から
何種類もの製法が研究されて来ている。その中で現在で
はＰＡＮ（ポリアクリロニトリル）系やピッチ系の原料
から作製する製法が主流を占めている。
【０００３】これとは別に、近年発見されたカーボンナ
ノチューブは直径１μｍ以下の太さのチューブ状材料で
あり、理想的なものとしては炭素６角網目の面がチュー
ブの軸に平行になって管を形成し、さらにこの管が多重
になることもある。このカーボンナノチューブは炭素で
できた６角網目の繋り方や、チューブの太さにより金属
的あるいは半導体的なることが理論的に予想され、将来
の機能材料として期待されている。
ノチューブは直径１μｍ以下の太さのチューブ状材料で
あり、理想的なものとしては炭素６角網目の面がチュー
ブの軸に平行になって管を形成し、さらにこの管が多重
になることもある。このカーボンナノチューブは炭素で
できた６角網目の繋り方や、チューブの太さにより金属
的あるいは半導体的なることが理論的に予想され、将来
の機能材料として期待されている。
【０００４】カーボンナノチューブの合成には、アーク
放電法を利用するのが一般的になっているが、この他、
レーザー蒸発法や熱分解法、プラズマ利用等が近年研究
されてきている。ここで近年開発されたカーボンナノチ
ューブについて概説する。
放電法を利用するのが一般的になっているが、この他、
レーザー蒸発法や熱分解法、プラズマ利用等が近年研究
されてきている。ここで近年開発されたカーボンナノチ
ューブについて概説する。
【０００５】（カーボンナノチューブ）直径がカーボン
ファイバーよりも細い１μｍ以下の材料は、通称カーボ
ンナノチューブと呼ばれ、カーボンファイバーとは区別
されているが、特に明確な境界はない。狭義には、炭素
の６角網目の面が軸とほぼ平行である材料をカーボンナ
ノチユーブと呼び、カーボンナノチューブの周囲にアモ
ルファス的なカーボンが存在する場合もカーボンナノチ
ューブに含めている（なお、本発明においてカーボンナ
ノチューブとは、この狭義の解釈が適用される。）。
ファイバーよりも細い１μｍ以下の材料は、通称カーボ
ンナノチューブと呼ばれ、カーボンファイバーとは区別
されているが、特に明確な境界はない。狭義には、炭素
の６角網目の面が軸とほぼ平行である材料をカーボンナ
ノチユーブと呼び、カーボンナノチューブの周囲にアモ
ルファス的なカーボンが存在する場合もカーボンナノチ
ューブに含めている（なお、本発明においてカーボンナ
ノチューブとは、この狭義の解釈が適用される。）。
【０００６】一般的に狭義のカーボンナノチューブは、
さらに分類され、６角網目のチューブが１枚の構造のも
のはシングルウォールナノチューブ（以下、「ＳＷＮ
Ｔ」と略称する場合がある。）と呼ばれ、一方、多層の
６角網目のチューブから構成されているものはマルチウ
ォールナノチューブ（以下、「ＭＷＮＴ」と略称する場
合がある。）と呼ばれている。どのような構造のカーボ
ンナノチューブが得られるかは、合成方法や条件によっ
てある程度決定されるが、同一構造のカーボンナノチュ
ーブのみを生成することは未だにできていない。
さらに分類され、６角網目のチューブが１枚の構造のも
のはシングルウォールナノチューブ（以下、「ＳＷＮ
Ｔ」と略称する場合がある。）と呼ばれ、一方、多層の
６角網目のチューブから構成されているものはマルチウ
ォールナノチューブ（以下、「ＭＷＮＴ」と略称する場
合がある。）と呼ばれている。どのような構造のカーボ
ンナノチューブが得られるかは、合成方法や条件によっ
てある程度決定されるが、同一構造のカーボンナノチュ
ーブのみを生成することは未だにできていない。
【０００７】カーボンファイバーは径が大きく、軸に平
行で円筒状の網目構造が発達しない。触媒を利用した気
相熱分解法では、チューブの中心付近に軸に平行でかつ
チューブ状の網目構造があるが、その周囲に乱れた構造
の炭素が多く付着している場合が多い。
行で円筒状の網目構造が発達しない。触媒を利用した気
相熱分解法では、チューブの中心付近に軸に平行でかつ
チューブ状の網目構造があるが、その周囲に乱れた構造
の炭素が多く付着している場合が多い。
【０００８】ここで、カーボンナノチューブの代表的な
製造方法であるアーク放電法について、以下に簡単に説
明する。アーク放電法は、Ｉｉｊｉｍａにより最初に見
出され、詳細は、Ｎａｔｕｒｅ（Ｖｏｌ．３５４，１９
９１，ｐ５６〜５８）に記載されている。アーク放電法
とは、アルゴン約１３３００Ｐａ（１００Ｔｏｒｒ）の
雰囲気中で炭素棒電極を用いて直流アーク放電を行うと
いう単純な方法である。カーボンナノチューブは負電極
の表面の一部分に５〜２０ｎｍの炭素微粒子と共に成長
する。このカーボンナノチューブは直径４〜３０ｎｍで
長さ約１〜５０μｍのチューブ状の炭素の網目が重なっ
た層状構造であり、その炭素の網目構造は、軸に平行に
螺旋状に形成されている。
製造方法であるアーク放電法について、以下に簡単に説
明する。アーク放電法は、Ｉｉｊｉｍａにより最初に見
出され、詳細は、Ｎａｔｕｒｅ（Ｖｏｌ．３５４，１９
９１，ｐ５６〜５８）に記載されている。アーク放電法
とは、アルゴン約１３３００Ｐａ（１００Ｔｏｒｒ）の
雰囲気中で炭素棒電極を用いて直流アーク放電を行うと
いう単純な方法である。カーボンナノチューブは負電極
の表面の一部分に５〜２０ｎｍの炭素微粒子と共に成長
する。このカーボンナノチューブは直径４〜３０ｎｍで
長さ約１〜５０μｍのチューブ状の炭素の網目が重なっ
た層状構造であり、その炭素の網目構造は、軸に平行に
螺旋状に形成されている。
【０００９】螺旋のピッチは、チューブごと、またチュ
ーブ内の層ごとに異なっており、多層チューブの場合の
層間距離は０．３４ｎｍとグラファイトの層間距離にほ
ぼ一致する。
ーブ内の層ごとに異なっており、多層チューブの場合の
層間距離は０．３４ｎｍとグラファイトの層間距離にほ
ぼ一致する。
【００１０】
【００１１】ところで、カーボンナノチューブは高い電
気伝導性を有するが、これを電子デバイス（以下、単に
「デバイス」という場合がある。）の材料として用いる
ためには、電極に接続する必要がある。
気伝導性を有するが、これを電子デバイス（以下、単に
「デバイス」という場合がある。）の材料として用いる
ためには、電極に接続する必要がある。
【００１２】カーボンナノチューブを一対の電極間に配
置して、その電気抵抗を測定すると、多くの場合、カー
ボンナノチューブ本体として予測される抵抗値よりも大
きな抵抗値が計測される。これは、カーボンナノチュー
ブと金属電極との間に発生した接触抵抗などに起因する
ものと考えられるが、カーボンナノチューブの工業的応
用には、この接触抵抗を軽減させた、カーボンナノチュ
ーブと電極とのオーミック接触を実現させることが極め
て重要である。
置して、その電気抵抗を測定すると、多くの場合、カー
ボンナノチューブ本体として予測される抵抗値よりも大
きな抵抗値が計測される。これは、カーボンナノチュー
ブと金属電極との間に発生した接触抵抗などに起因する
ものと考えられるが、カーボンナノチューブの工業的応
用には、この接触抵抗を軽減させた、カーボンナノチュ
ーブと電極とのオーミック接触を実現させることが極め
て重要である。
【００１３】カーボンナノチューブの電極材料として金
（金パッド）が良く用いられているが、オーミック接続
の取れる場合と取れない場合がさまざまであり、なかな
か再現性が取れない。カーボンナノチューブと金属電極
との間のオーミック接続を実現させる手段としては、例
えば以下のものが挙げられる。
（金パッド）が良く用いられているが、オーミック接続
の取れる場合と取れない場合がさまざまであり、なかな
か再現性が取れない。カーボンナノチューブと金属電極
との間のオーミック接続を実現させる手段としては、例
えば以下のものが挙げられる。
【００１４】（１）カーボンナノチューブや炭素紛をグ
ラファイト化して、これを電極とカーボンナノチューブ
との間に介在させる方法。 （２）金パッド上にカーボンナノチューブを配置して、
その接合部に電子ビームを照射する方法（Ａｐｐｌｉｅ
ｄ Ｐｈｙｓｉｃｓ Ｌｅｔｔｅｒｓ， １９９８ Ｖ
ｏｌ．７３ ２７４参照）。
ラファイト化して、これを電極とカーボンナノチューブ
との間に介在させる方法。 （２）金パッド上にカーボンナノチューブを配置して、
その接合部に電子ビームを照射する方法（Ａｐｐｌｉｅ
ｄ Ｐｈｙｓｉｃｓ Ｌｅｔｔｅｒｓ， １９９８ Ｖ
ｏｌ．７３ ２７４参照）。
【００１５】（３）電極材料として、Ａｕ／Ｔｉを用い
る方法（Ａｐｐｌｉｅｄ Ｐｈｙｓｉｃｓ Ｌｅｔｔｅ
ｒｓ， １９９９ Ｖｏｌ．７５ ６２７参照）。 （４）電極材料として、オーミック接続をとりやすいＳ
ｃ、Ｔｉ、Ｖ等の遷移金属を用いる方法（Ａｐｐｌｉｅ
ｄ Ｐｈｙｓｉｃｓ Ｌｅｔｔｅｒｓ， ２０００ Ｖ
ｏｌ．７６ ３８９０参照）。
る方法（Ａｐｐｌｉｅｄ Ｐｈｙｓｉｃｓ Ｌｅｔｔｅ
ｒｓ， １９９９ Ｖｏｌ．７５ ６２７参照）。 （４）電極材料として、オーミック接続をとりやすいＳ
ｃ、Ｔｉ、Ｖ等の遷移金属を用いる方法（Ａｐｐｌｉｅ
ｄ Ｐｈｙｓｉｃｓ Ｌｅｔｔｅｒｓ， ２０００ Ｖ
ｏｌ．７６ ３８９０参照）。
【００１６】（５）加熱により積極的に電極部位とカー
ボンナノチューブとの接合部を化合させる方法 ａ）Ｓｉや遷移金属（Ｔｉなど）とカーボンナノチュー
ブとを接合させ加熱すると、そのＳｉや遷移金属はカー
ボンナノチューブの炭素と反応して、その化合物である
炭化物（炭化シリコン、炭化金属）の生成が確認されて
いる。そのとき、カーボンナノチューブとその炭化物は
原子レベルでなめらかに接合し、両者の電気的接続はよ
り良好になる（Ｓｃｉｅｎｃｅ， １９９９ Ｖ０ｌ．
２８５ １７１９参照）。
ボンナノチューブとの接合部を化合させる方法 ａ）Ｓｉや遷移金属（Ｔｉなど）とカーボンナノチュー
ブとを接合させ加熱すると、そのＳｉや遷移金属はカー
ボンナノチューブの炭素と反応して、その化合物である
炭化物（炭化シリコン、炭化金属）の生成が確認されて
いる。そのとき、カーボンナノチューブとその炭化物は
原子レベルでなめらかに接合し、両者の電気的接続はよ
り良好になる（Ｓｃｉｅｎｃｅ， １９９９ Ｖ０ｌ．
２８５ １７１９参照）。
【００１７】ｂ）ニオブ（Ｎｂ）とカーボンナノチュー
ブとを接合して９５０℃まで加熱すると、接合部は両者
の化合物である炭化ニオブとなることが確認されている
（Ａｐｐｌｉｅｄ Ｐｈｙｓｉｃｓ Ｌｅｔｔｅｒｓ，
２０００ Ｖｏｌ．７７ ９６６参照）。
ブとを接合して９５０℃まで加熱すると、接合部は両者
の化合物である炭化ニオブとなることが確認されている
（Ａｐｐｌｉｅｄ Ｐｈｙｓｉｃｓ Ｌｅｔｔｅｒｓ，
２０００ Ｖｏｌ．７７ ９６６参照）。
【００１８】ｃ）カーボンナノチューブをＴｉ／Ａｕ電
極に接合したデバイスで、その接合部が炭化チタンとな
るように８００℃の熱処理を行うことで、両者がオーミ
ック接続となる場合があることが確認されている（Ｊｏ
ｕｒｎａｌ ｏｆ Ｐｈｙｓｉｃｓ Ｄ， ２０００
ｖｏｌ．３３ １９５３参照）。また、Ｐｈｙｓｉｃａ
ｌ Ｒｅｖｉｅｗ Ｌｅｔｔｅｒｓ， ２００１ ｖｏ
ｌ．８７ ２５６８０５においては、Ｘ線回折による分
析により、８００℃以上において安定なＴｉＣが形成で
きていることが報告されている。
極に接合したデバイスで、その接合部が炭化チタンとな
るように８００℃の熱処理を行うことで、両者がオーミ
ック接続となる場合があることが確認されている（Ｊｏ
ｕｒｎａｌ ｏｆ Ｐｈｙｓｉｃｓ Ｄ， ２０００
ｖｏｌ．３３ １９５３参照）。また、Ｐｈｙｓｉｃａ
ｌ Ｒｅｖｉｅｗ Ｌｅｔｔｅｒｓ， ２００１ ｖｏ
ｌ．８７ ２５６８０５においては、Ｘ線回折による分
析により、８００℃以上において安定なＴｉＣが形成で
きていることが報告されている。
【００１９】以上、各種方法によりカーボンナノチュー
ブと電極とのオーミック接続を実現しようとしている
が、いずれの方法によっても完全なオーミック接続を実
現することは困難であり、オーミック接続の再現性は十
分でなかった。また、加熱により積極的に電極部位とカ
ーボンナノチューブとの接合部を化合させる方法では、
熱によりカーボンナノチューブ自体が破壊してしまう懸
念があるため、あまり高温で加熱することができず、や
はり完全なオーミック接続を実現することは困難であ
り、オーミック接続の再現性は十分でなかった。
ブと電極とのオーミック接続を実現しようとしている
が、いずれの方法によっても完全なオーミック接続を実
現することは困難であり、オーミック接続の再現性は十
分でなかった。また、加熱により積極的に電極部位とカ
ーボンナノチューブとの接合部を化合させる方法では、
熱によりカーボンナノチューブ自体が破壊してしまう懸
念があるため、あまり高温で加熱することができず、や
はり完全なオーミック接続を実現することは困難であ
り、オーミック接続の再現性は十分でなかった。
【００２０】
【発明が解決しようとする課題】したがって、本発明
は、良好にかつ高い再現性でカーボンナノチューブと電
極とをオーミック接続することが可能なカーボンナノチ
ューブと電極との接続工程を採用したカーボンナノチュ
ーブデバイスの作製方法、およびオーミック接続された
カーボンナノチューブデバイスを提供することにある。
は、良好にかつ高い再現性でカーボンナノチューブと電
極とをオーミック接続することが可能なカーボンナノチ
ューブと電極との接続工程を採用したカーボンナノチュ
ーブデバイスの作製方法、およびオーミック接続された
カーボンナノチューブデバイスを提供することにある。
【００２１】
【課題を解決しようとする手段】上記目的は、以下の本
発明により達成される。すなわち本発明は、 ＜１＞ カーボンナノチューブを内部電極に接続する接
続工程を含むカーボンナノチューブデバイスの作製方法
であって、前記接続工程が、針状または棒状の外部電極
の端部ないしその周辺に、導電体を付着させる導電体付
着工程と、前記カーボンナノチューブを前記内部電極の
所定の接続部位に接触ないし近接させて配置する配置工
程と、前記接続部位に、前記外部電極の導電体が付着し
た端部を近接させる近接工程と、前記外部電極に付着し
た導電体を、前記接続部位ないしその周辺に移動させ
て、前記カーボンナノチューブと前記内部電極とを接続
させる転写工程と、を含むことを特徴とするカーボンナ
ノチューブデバイスの作製方法である。
発明により達成される。すなわち本発明は、 ＜１＞ カーボンナノチューブを内部電極に接続する接
続工程を含むカーボンナノチューブデバイスの作製方法
であって、前記接続工程が、針状または棒状の外部電極
の端部ないしその周辺に、導電体を付着させる導電体付
着工程と、前記カーボンナノチューブを前記内部電極の
所定の接続部位に接触ないし近接させて配置する配置工
程と、前記接続部位に、前記外部電極の導電体が付着し
た端部を近接させる近接工程と、前記外部電極に付着し
た導電体を、前記接続部位ないしその周辺に移動させ
て、前記カーボンナノチューブと前記内部電極とを接続
させる転写工程と、を含むことを特徴とするカーボンナ
ノチューブデバイスの作製方法である。
【００２２】＜２＞ 転写工程が、前記外部電極と前記
内部電極との間に電圧を印加し、その電界で発生する電
気力により、前記外部電極に付着した導電体を、前記接
続部位に移動させる工程であることを特徴とする＜１＞
に記載のカーボンナノチューブデバイスの作製方法であ
る。 ＜３＞ 転写工程において前記外部電極と前記内部電極
との間に印加する電圧が、パルス電圧であることを特徴
とする＜２＞に記載のカーボンナノチューブデバイスの
作製方法である。
内部電極との間に電圧を印加し、その電界で発生する電
気力により、前記外部電極に付着した導電体を、前記接
続部位に移動させる工程であることを特徴とする＜１＞
に記載のカーボンナノチューブデバイスの作製方法であ
る。 ＜３＞ 転写工程において前記外部電極と前記内部電極
との間に印加する電圧が、パルス電圧であることを特徴
とする＜２＞に記載のカーボンナノチューブデバイスの
作製方法である。
【００２３】＜４＞ 転写工程において前記外部電極と
前記内部電極との間に印加する電圧による電界強度が、
前記カーボンナノチューブの電界蒸発閾値よりも小さい
ことを特徴とする＜２または３に記載のカーボンナノチ
ューブデバイスの作製方法である。 ＜５＞ 前記外部電極の蒸発電界強度が、前記導電体の
蒸発電界強度よりも大きいことを特徴とする＜２＞〜＜
４＞のいずれか１に記載のカーボンナノチューブデバイ
スの作製方法である。
前記内部電極との間に印加する電圧による電界強度が、
前記カーボンナノチューブの電界蒸発閾値よりも小さい
ことを特徴とする＜２または３に記載のカーボンナノチ
ューブデバイスの作製方法である。 ＜５＞ 前記外部電極の蒸発電界強度が、前記導電体の
蒸発電界強度よりも大きいことを特徴とする＜２＞〜＜
４＞のいずれか１に記載のカーボンナノチューブデバイ
スの作製方法である。
【００２４】＜６＞ 前記導電体が、粒子状であること
を特徴とする＜１＞〜＜５＞のいずれか１に記載のカー
ボンナノチューブデバイスの作製方法である。 ＜７＞ 前記導電体が、チタンを含む粒子であることを
特徴とする＜６＞に記載のカーボンナノチューブデバイ
スの作製方法である。 ＜８＞ 前記カーボンナノチューブが、マルチウォール
カーボンナノチューブであることを特徴とする＜１＞〜
＜７＞のいずれか１に記載のカーボンナノチューブデバ
イスの作製方法である。
を特徴とする＜１＞〜＜５＞のいずれか１に記載のカー
ボンナノチューブデバイスの作製方法である。 ＜７＞ 前記導電体が、チタンを含む粒子であることを
特徴とする＜６＞に記載のカーボンナノチューブデバイ
スの作製方法である。 ＜８＞ 前記カーボンナノチューブが、マルチウォール
カーボンナノチューブであることを特徴とする＜１＞〜
＜７＞のいずれか１に記載のカーボンナノチューブデバ
イスの作製方法である。
【００２５】＜９＞ 前記カーボンナノチューブが、シ
ングルウォールカーボンナノチューブであることを特徴
とする＜１＞〜＜７＞のいずれか１に記載のカーボンナ
ノチューブデバイスの作製方法である。 ＜１０＞ 前記外部電極における、導電体を付着させる
端部が、先鋭化されたものであることを特徴とする＜１
＞〜＜９＞のいずれか１に記載のカーボンナノチューブ
デバイスの作製方法である。
ングルウォールカーボンナノチューブであることを特徴
とする＜１＞〜＜７＞のいずれか１に記載のカーボンナ
ノチューブデバイスの作製方法である。 ＜１０＞ 前記外部電極における、導電体を付着させる
端部が、先鋭化されたものであることを特徴とする＜１
＞〜＜９＞のいずれか１に記載のカーボンナノチューブ
デバイスの作製方法である。
【００２６】＜１１＞ さらに、前記接続工程に、前記
接続部位における前記導電体を炭化させる加熱工程を含
むことを特徴とする＜１＞〜＜１０＞のいずれか１に記
載のカーボンナノチューブデバイスの作製方法である。 ＜１２＞ 前記接続工程に、走査型プローブ顕微鏡を使
用することを特徴とする＜１＞〜＜１１＞のいずれか１
に記載のカーボンナノチューブデバイスの作製方法であ
る。
接続部位における前記導電体を炭化させる加熱工程を含
むことを特徴とする＜１＞〜＜１０＞のいずれか１に記
載のカーボンナノチューブデバイスの作製方法である。 ＜１２＞ 前記接続工程に、走査型プローブ顕微鏡を使
用することを特徴とする＜１＞〜＜１１＞のいずれか１
に記載のカーボンナノチューブデバイスの作製方法であ
る。
【００２７】＜１３＞ 少なくとも、内部電極と電気的
に接続されているカーボンナノチューブを含むカーボン
ナノチューブデバイスであって、前記内部電極と前記カ
ーボンナノチューブとを電気接続する導電性粒子を備え
ることを特徴とするカーボンナノチューブデバイスであ
る。 ＜１４＞ ＜１＞〜＜１２＞のいずれか１に記載のカー
ボンナノチューブデバイスの作製方法により作製された
ことを特徴とする＜１３＞に記載のカーボンナノチュー
ブデバイスである。
に接続されているカーボンナノチューブを含むカーボン
ナノチューブデバイスであって、前記内部電極と前記カ
ーボンナノチューブとを電気接続する導電性粒子を備え
ることを特徴とするカーボンナノチューブデバイスであ
る。 ＜１４＞ ＜１＞〜＜１２＞のいずれか１に記載のカー
ボンナノチューブデバイスの作製方法により作製された
ことを特徴とする＜１３＞に記載のカーボンナノチュー
ブデバイスである。
【００２８】なお、本発明において「内部電極」とは、
カーボンナノチューブデバイスに含まれ、カーボンナノ
チューブと電気的に接続される電極を指し、一方、「外
部電極」とは、本発明の方法において前記導電体を前記
カーボンナノチューブと前記内部電極との前記接続部位
ないしその周辺に配置するための電極であり、カーボン
ナノチューブデバイスを作製する道具の一種と捉えられ
る。したがって、「外部電極」は、最終的に得られるカ
ーボンナノチューブデバイスに含まれる必要はない。
カーボンナノチューブデバイスに含まれ、カーボンナノ
チューブと電気的に接続される電極を指し、一方、「外
部電極」とは、本発明の方法において前記導電体を前記
カーボンナノチューブと前記内部電極との前記接続部位
ないしその周辺に配置するための電極であり、カーボン
ナノチューブデバイスを作製する道具の一種と捉えられ
る。したがって、「外部電極」は、最終的に得られるカ
ーボンナノチューブデバイスに含まれる必要はない。
【００２９】
【発明の実施の形態】本発明のカーボンナノチューブデ
バイスの作製方法において作製対象となるカーボンナノ
チューブデバイスは、カーボンナノチューブデバイスを
デバイスの材料として含むもの一般であり、カーボンナ
ノチューブのみを利用して、その電気特性からトランジ
スタ、ダイオード、リード等として用い得るものから、
カーボンナノチューブ自体はデバイスの一部を成し、全
体として電気的な各種機能を発現するものまで、全てを
包含する。いずれにしてもデバイスとして用いるには、
カーボンナノチューブに導通を図るための電極接続が要
求され、本発明は、当該電極の接続工程に特徴を有する
ものである。
バイスの作製方法において作製対象となるカーボンナノ
チューブデバイスは、カーボンナノチューブデバイスを
デバイスの材料として含むもの一般であり、カーボンナ
ノチューブのみを利用して、その電気特性からトランジ
スタ、ダイオード、リード等として用い得るものから、
カーボンナノチューブ自体はデバイスの一部を成し、全
体として電気的な各種機能を発現するものまで、全てを
包含する。いずれにしてもデバイスとして用いるには、
カーボンナノチューブに導通を図るための電極接続が要
求され、本発明は、当該電極の接続工程に特徴を有する
ものである。
【００３０】本発明における接続工程は、少なくとも、
導電体付着工程と、配置工程と、近接工程と、転写工程
と、に分けることができ、さらに必要に応じて加熱工程
が含まれる。以下、本発明における接続工程を、その下
位概念としての上記各工程ごとに説明する。なお、本実
施形態においては、走査型プローブ顕微鏡（ＳＴＭ）を
使用した。走査型プローブ顕微鏡は、ナノオーダーで観
察しながら操作をすることができるのに加え、ＳＴＭの
深針を本発明の外部電極として用いることもできるた
め、本発明の方法に使用するのに適している。
導電体付着工程と、配置工程と、近接工程と、転写工程
と、に分けることができ、さらに必要に応じて加熱工程
が含まれる。以下、本発明における接続工程を、その下
位概念としての上記各工程ごとに説明する。なお、本実
施形態においては、走査型プローブ顕微鏡（ＳＴＭ）を
使用した。走査型プローブ顕微鏡は、ナノオーダーで観
察しながら操作をすることができるのに加え、ＳＴＭの
深針を本発明の外部電極として用いることもできるた
め、本発明の方法に使用するのに適している。
【００３１】（導電体付着工程）導電体付着工程は、針
状または棒状の外部電極の端部ないしその周辺に、導電
体を付着させる工程である。図１は、導電体付着工程を
説明するための模式説明図である。図１において、１０
は、ＳＴＭのタングステン深針であり、適当な基板１１
表面に形成されたチタン薄膜１２に一方の端部が近接状
態で対向配置されている。タングステン深針１０とチタ
ン薄膜１２との距離は、後述の電界蒸発が生じる程度に
十分に近接していることが望まれる。具体的には、印加
電圧や使用する各種材料の種類等により、適宜設定す
る。
状または棒状の外部電極の端部ないしその周辺に、導電
体を付着させる工程である。図１は、導電体付着工程を
説明するための模式説明図である。図１において、１０
は、ＳＴＭのタングステン深針であり、適当な基板１１
表面に形成されたチタン薄膜１２に一方の端部が近接状
態で対向配置されている。タングステン深針１０とチタ
ン薄膜１２との距離は、後述の電界蒸発が生じる程度に
十分に近接していることが望まれる。具体的には、印加
電圧や使用する各種材料の種類等により、適宜設定す
る。
【００３２】本実施形態において、外部電極としてタン
グステン深針１０を用いているが、本発明において外部
電極はこれに限定されず、針状または棒状の導電体から
なるものであれば、問題なく使用することができる。た
だし、前記外部電極における、導電体を付着させる端部
が、先鋭化されたものであることが望ましい。前記外部
電極の端部を先鋭化させる方法としては、特に制限はな
く、電解エッチング等公知の方法を採用することができ
る。図２に、電解エッチングして端部を先鋭化させたタ
ングステン深針１０の電子顕微鏡（ＳＥＭ）写真（倍率
１５０倍。但し、倍率は写真の引き伸ばし等の条件によ
り誤差が生じている。以下、ＳＥＭ写真において同
様。）を示す。
グステン深針１０を用いているが、本発明において外部
電極はこれに限定されず、針状または棒状の導電体から
なるものであれば、問題なく使用することができる。た
だし、前記外部電極における、導電体を付着させる端部
が、先鋭化されたものであることが望ましい。前記外部
電極の端部を先鋭化させる方法としては、特に制限はな
く、電解エッチング等公知の方法を採用することができ
る。図２に、電解エッチングして端部を先鋭化させたタ
ングステン深針１０の電子顕微鏡（ＳＥＭ）写真（倍率
１５０倍。但し、倍率は写真の引き伸ばし等の条件によ
り誤差が生じている。以下、ＳＥＭ写真において同
様。）を示す。
【００３３】チタン薄膜１２は、外部電極としてタング
ステン深針１０の端部ないしその周辺に付着する導電体
である。本実施形態においては、チタンを用いている
が、本発明においてはこれに限定されず、各種金属を用
いることができ、中でもチタン、スカンジウム、バナジ
ウムおよびこれらを含む合金が好ましく、特にチタンを
含むものが好ましい。
ステン深針１０の端部ないしその周辺に付着する導電体
である。本実施形態においては、チタンを用いている
が、本発明においてはこれに限定されず、各種金属を用
いることができ、中でもチタン、スカンジウム、バナジ
ウムおよびこれらを含む合金が好ましく、特にチタンを
含むものが好ましい。
【００３４】図１（ａ）に示すように、タングステン深
針１０と基板１１との間に、タングステン深針１０が陽
極、基板１１が陰極となるように電源装置１３を接続す
る。そして電源装置１３により直流電圧を印加すると、
図１（ｂ）に示すように、チタン薄膜１２が電界蒸発し
て粒子化し、タングステン深針１０の端部ないしその周
辺に、チタン粒子１４として付着する。このとき、チタ
ン薄膜１２の表面からタングステン深針１０にチタンが
移転するため、チタン薄膜１２の表面には、穴が開く。
図３に、電界蒸発により穴が開いたチタン薄膜１２の表
面の電子顕微鏡写真（倍率２５０００倍）を示す。
針１０と基板１１との間に、タングステン深針１０が陽
極、基板１１が陰極となるように電源装置１３を接続す
る。そして電源装置１３により直流電圧を印加すると、
図１（ｂ）に示すように、チタン薄膜１２が電界蒸発し
て粒子化し、タングステン深針１０の端部ないしその周
辺に、チタン粒子１４として付着する。このとき、チタ
ン薄膜１２の表面からタングステン深針１０にチタンが
移転するため、チタン薄膜１２の表面には、穴が開く。
図３に、電界蒸発により穴が開いたチタン薄膜１２の表
面の電子顕微鏡写真（倍率２５０００倍）を示す。
【００３５】タングステン深針１０と基板１１との間に
印加する電圧は、例えば矩形波のパルス電圧が用いられ
る。電圧の大きさとしては、具体的には、タングステン
深針１０とチタン薄膜１２との距離や深針の太さ、使用
する各種材料の種類等により、適宜設定する。また、こ
れらを適宜選択することで、タングステン深針１０に付
着する導電体（チタン粒子１４）の量（粒径）を調整す
ることができる。
印加する電圧は、例えば矩形波のパルス電圧が用いられ
る。電圧の大きさとしては、具体的には、タングステン
深針１０とチタン薄膜１２との距離や深針の太さ、使用
する各種材料の種類等により、適宜設定する。また、こ
れらを適宜選択することで、タングステン深針１０に付
着する導電体（チタン粒子１４）の量（粒径）を調整す
ることができる。
【００３６】前記外部電極は、前記導電体よりも電界蒸
発しにくい材料を用いることが望ましい。前記導電体よ
りも電界蒸発しにくい外部電極とすることで、電界印加
により前記導電体を有効に外部電極の端部ないしその周
辺に、付着させることができる。電界蒸発のし難さの指
標としては、蒸発電界強度を採用することができる。蒸
発電界強度とは、以下の式（１）で表すことができる。
発しにくい材料を用いることが望ましい。前記導電体よ
りも電界蒸発しにくい外部電極とすることで、電界印加
により前記導電体を有効に外部電極の端部ないしその周
辺に、付着させることができる。電界蒸発のし難さの指
標としては、蒸発電界強度を採用することができる。蒸
発電界強度とは、以下の式（１）で表すことができる。
【００３７】
【数１】
【００３８】上記式（１）中、Ｆevは蒸発電界強度、Λ
は下地原子との結合力、Ｉnはｎ価のイオン化エネルギ
ー、φは仕事関数、ｒ0は原子半径、ｄは外部電極先端
から試料表面までの距離をそれぞれ表す。したがって、
前記外部電極の蒸発電界強度としては、前記導電体の蒸
発電界強度よりも大きいことが好ましい。
は下地原子との結合力、Ｉnはｎ価のイオン化エネルギ
ー、φは仕事関数、ｒ0は原子半径、ｄは外部電極先端
から試料表面までの距離をそれぞれ表す。したがって、
前記外部電極の蒸発電界強度としては、前記導電体の蒸
発電界強度よりも大きいことが好ましい。
【００３９】上記式（１）により算出された蒸発電界強
度Ｆevについて、本実施形態で前記導電体として用いた
チタンと他の金属との関係を下記表１に示す。
度Ｆevについて、本実施形態で前記導電体として用いた
チタンと他の金属との関係を下記表１に示す。
【００４０】
【表１】
【００４１】上記表１に示すように、本実施形態で外部
電極として用いたタングステンは、前記導電体として用
いたチタンに比べて十分に蒸発電界強度Ｆevが大きいこ
とがわかる。
電極として用いたタングステンは、前記導電体として用
いたチタンに比べて十分に蒸発電界強度Ｆevが大きいこ
とがわかる。
【００４２】本実施例においてタングステン深針１０に
は、チタン粒子１４が付着するが、本発明において外部
電極に付着させる導電体は粒子状であることが望まし
い。粒子状の導電体とすることで、後述の転写工程で転
写された際に、良好なオーミック接続が高い再現性で実
現する。なお、導電体は１つの粒子である必要はなく、
複数のクラスター状の導電体であってもよい。
は、チタン粒子１４が付着するが、本発明において外部
電極に付着させる導電体は粒子状であることが望まし
い。粒子状の導電体とすることで、後述の転写工程で転
写された際に、良好なオーミック接続が高い再現性で実
現する。なお、導電体は１つの粒子である必要はなく、
複数のクラスター状の導電体であってもよい。
【００４３】（配置工程）配置工程は、カーボンナノチ
ューブをデバイスの内部電極の所定の接続部位（本発明
に言う「接続部位」とは、カーボンナノチューブを接続
しようとする内部電極における部位を指す。）に接触な
いし近接させて配置する工程である。配置の際、完全に
接触させなくても本発明の方法により両者が最終的に接
続される程度に近接していればよい。
ューブをデバイスの内部電極の所定の接続部位（本発明
に言う「接続部位」とは、カーボンナノチューブを接続
しようとする内部電極における部位を指す。）に接触な
いし近接させて配置する工程である。配置の際、完全に
接触させなくても本発明の方法により両者が最終的に接
続される程度に近接していればよい。
【００４４】ここで用いるカーボンナノチューブとして
は、マルチウォールカーボンナノチューブ（ＭＷＮＴ）
でも、シングルウォールカーボンナノチューブ（ＳＷＮ
Ｔ）でも構わない。デバイスとして用いるに適したカー
ボンナノチューブを選択すればよい。また、カーボンナ
ノチューブの変形として知られている円錐形（ナノホー
ン）、ナノビーズ、ナノコイル、チューブ径が長手方向
で変化しているナノチューブ等も本発明に言うカーボン
ナノチューブの概念に含まれ、これらも適宜使用するこ
とができる。
は、マルチウォールカーボンナノチューブ（ＭＷＮＴ）
でも、シングルウォールカーボンナノチューブ（ＳＷＮ
Ｔ）でも構わない。デバイスとして用いるに適したカー
ボンナノチューブを選択すればよい。また、カーボンナ
ノチューブの変形として知られている円錐形（ナノホー
ン）、ナノビーズ、ナノコイル、チューブ径が長手方向
で変化しているナノチューブ等も本発明に言うカーボン
ナノチューブの概念に含まれ、これらも適宜使用するこ
とができる。
【００４５】図４に、シリコンウエハー等の基板１５の
表面に形成された内部電極としてのチタン電極１６ａ，
１６ｂの表面に、カーボンナノチューブ１７を配置した
状態を模式的に表す模式断面図を示す。カーボンナノチ
ューブと内部電極との接触ないし近接は、このように単
に、チタン電極１６ａ，１６ｂ表面にカーボンナノチュ
ーブ１７を載せることによりなされる。この配置の操作
は、走査型プローブ顕微鏡を用いることにより、容易に
実行できる。
表面に形成された内部電極としてのチタン電極１６ａ，
１６ｂの表面に、カーボンナノチューブ１７を配置した
状態を模式的に表す模式断面図を示す。カーボンナノチ
ューブと内部電極との接触ないし近接は、このように単
に、チタン電極１６ａ，１６ｂ表面にカーボンナノチュ
ーブ１７を載せることによりなされる。この配置の操作
は、走査型プローブ顕微鏡を用いることにより、容易に
実行できる。
【００４６】（近接工程）近接工程は、前記接続部位
に、前記外部電極の導電体が付着した端部を近接させる
工程である。前記外部電極の端部と前記接続部位との距
離は、後述の電界転写が生じる程度に十分に近接してい
ることが望まれる。具体的には、印加電圧や使用する各
種材料の種類等により、適宜設定する。
に、前記外部電極の導電体が付着した端部を近接させる
工程である。前記外部電極の端部と前記接続部位との距
離は、後述の電界転写が生じる程度に十分に近接してい
ることが望まれる。具体的には、印加電圧や使用する各
種材料の種類等により、適宜設定する。
【００４７】図５は、図１を用いて説明した前記導電体
付着工程の操作を施すことにより、チタン粒子１４が端
部に付着したタングステン深針１０を、上記配置工程の
操作を施すことにより、チタン電極１６ａ，１６ｂの表
面にカーボンナノチューブ１７を配置した図４の状態に
おける両者の接続部位に、近接させた状態を模式的に表
す模式断面図である。図４において接続部位は、チタン
電極１６ａ，１６ｂの２箇所が想定されるが、本図にお
いては、チタン電極１６ａとカーボンナノチューブ１７
との接続部位にタングステン深針１０を近接させた状態
を示している。勿論、チタン電極１６ｂとカーボンナノ
チューブ１７との接続部位を接続させる際には、当該接
続部位にタングステン深針１０を近接させることとな
る。さらに、図５に示すように、タングステン深針１０
とチタン電極１６ａとの間に、タングステン深針１０が
陽極、チタン電極１６ａが陰極となるように電源装置１
８を接続する。
付着工程の操作を施すことにより、チタン粒子１４が端
部に付着したタングステン深針１０を、上記配置工程の
操作を施すことにより、チタン電極１６ａ，１６ｂの表
面にカーボンナノチューブ１７を配置した図４の状態に
おける両者の接続部位に、近接させた状態を模式的に表
す模式断面図である。図４において接続部位は、チタン
電極１６ａ，１６ｂの２箇所が想定されるが、本図にお
いては、チタン電極１６ａとカーボンナノチューブ１７
との接続部位にタングステン深針１０を近接させた状態
を示している。勿論、チタン電極１６ｂとカーボンナノ
チューブ１７との接続部位を接続させる際には、当該接
続部位にタングステン深針１０を近接させることとな
る。さらに、図５に示すように、タングステン深針１０
とチタン電極１６ａとの間に、タングステン深針１０が
陽極、チタン電極１６ａが陰極となるように電源装置１
８を接続する。
【００４８】（転写工程）転写工程は、前記外部電極に
付着した導電体を、前記接続部位ないしその周辺に移動
させて、前記カーボンナノチューブと前記内部電極とを
接続させる工程である。ここで、「接続部位ないしその
周辺」とは、カーボンナノチューブを接続しようとする
内部電極における部位およびその周辺の他、カーボンナ
ノチューブにおける接続部位と接触する部位およびその
周辺を指す。
付着した導電体を、前記接続部位ないしその周辺に移動
させて、前記カーボンナノチューブと前記内部電極とを
接続させる工程である。ここで、「接続部位ないしその
周辺」とは、カーボンナノチューブを接続しようとする
内部電極における部位およびその周辺の他、カーボンナ
ノチューブにおける接続部位と接触する部位およびその
周辺を指す。
【００４９】転写工程としては、前記外部電極に付着し
た導電体が、前記接続部位ないしその周辺に移動させ得
る操作であれば、いずれの手法を採用しても構わない
が、前記外部電極と前記内部電極との間に電圧を印加
し、その電界で発生する電気力により、前記外部電極に
付着した導電体を、前記接続部位に移動させることが好
ましい。
た導電体が、前記接続部位ないしその周辺に移動させ得
る操作であれば、いずれの手法を採用しても構わない
が、前記外部電極と前記内部電極との間に電圧を印加
し、その電界で発生する電気力により、前記外部電極に
付着した導電体を、前記接続部位に移動させることが好
ましい。
【００５０】すなわち、図５において、電源装置１８に
よりタングステン深針１０とチタン電極１６ａとの間に
直流電圧を印加することで、その電界で発生する電気力
により、タングステン深針１０の端部のチタン粒子１４
がチタン電極１６ａとカーボンナノチューブ１７との接
続部位に移動する。この転写工程による操作を行うこと
で、チタン粒子を介してチタン電極１６ａとカーボンナ
ノチューブ１７とが、接続部位で良好にオーミック接続
される。この操作をチタン電極１６ｂとカーボンナノチ
ューブ１７との接続部位にも施すことで、チタン電極１
６ａ，１６ｂとカーボンナノチューブ１７とがオーミッ
ク接続され、さらに必要に応じてデバイス化のための各
種操作を施して、本発明のカーボンナノチューブデバイ
スが完成する。
よりタングステン深針１０とチタン電極１６ａとの間に
直流電圧を印加することで、その電界で発生する電気力
により、タングステン深針１０の端部のチタン粒子１４
がチタン電極１６ａとカーボンナノチューブ１７との接
続部位に移動する。この転写工程による操作を行うこと
で、チタン粒子を介してチタン電極１６ａとカーボンナ
ノチューブ１７とが、接続部位で良好にオーミック接続
される。この操作をチタン電極１６ｂとカーボンナノチ
ューブ１７との接続部位にも施すことで、チタン電極１
６ａ，１６ｂとカーボンナノチューブ１７とがオーミッ
ク接続され、さらに必要に応じてデバイス化のための各
種操作を施して、本発明のカーボンナノチューブデバイ
スが完成する。
【００５１】図６に、チタン電極１６ａ，１６ｂとカー
ボンナノチューブ１７とが、チタン粒子１４’，１４”
を介して接続された状態を模式的に表す模式断面図を示
す。また、実際にチタン電極とカーボンナノチューブと
が、転写されたチタン粒子を介して接続された状態を各
種手法により撮影した電子顕微鏡像を図７〜図９に示
す。図７はＡＦＭを用いて撮影した表面凹凸像であり、
図８はＡＦＭを用いて撮影した表面凹凸立体像であり、
図９はＳＥＭを用いて撮影（倍率１１０００倍）したも
のである。これら写真を見てもわかるように、チタン粒
子はチタン電極とカーボンナノチューブとの接続部位に
転写されている。
ボンナノチューブ１７とが、チタン粒子１４’，１４”
を介して接続された状態を模式的に表す模式断面図を示
す。また、実際にチタン電極とカーボンナノチューブと
が、転写されたチタン粒子を介して接続された状態を各
種手法により撮影した電子顕微鏡像を図７〜図９に示
す。図７はＡＦＭを用いて撮影した表面凹凸像であり、
図８はＡＦＭを用いて撮影した表面凹凸立体像であり、
図９はＳＥＭを用いて撮影（倍率１１０００倍）したも
のである。これら写真を見てもわかるように、チタン粒
子はチタン電極とカーボンナノチューブとの接続部位に
転写されている。
【００５２】チタン電極１６ａ，１６ｂとカーボンナノ
チューブ１７との間に印加する電圧としては、パルス電
圧（例えば矩形波）であることが好ましい。電圧の大き
さとしては、具体的には、タングステン深針１０と前記
各接続部位との距離や使用する各種材料の種類等によ
り、適宜設定する。
チューブ１７との間に印加する電圧としては、パルス電
圧（例えば矩形波）であることが好ましい。電圧の大き
さとしては、具体的には、タングステン深針１０と前記
各接続部位との距離や使用する各種材料の種類等によ
り、適宜設定する。
【００５３】大きなパルス電圧を印加すると、カーボン
ナノチューブ自身が消失（蒸発）してしまう場合があ
る。したがって、その電圧値を上限としたパルス電圧を
印加することが望ましい。この消失（蒸発）の現象は、
電界蒸発強度として知られている。すなわち、転写工程
において前記外部電極と前記内部電極との間に印加する
電圧による電界強度としては、前記カーボンナノチュー
ブの電界蒸発閾値よりも小さいことが望ましい。
ナノチューブ自身が消失（蒸発）してしまう場合があ
る。したがって、その電圧値を上限としたパルス電圧を
印加することが望ましい。この消失（蒸発）の現象は、
電界蒸発強度として知られている。すなわち、転写工程
において前記外部電極と前記内部電極との間に印加する
電圧による電界強度としては、前記カーボンナノチュー
ブの電界蒸発閾値よりも小さいことが望ましい。
【００５４】以上の各工程の操作を施すことにより、本
発明のカーボンナノチューブデバイスが作製される。な
お、本発明のカーボンナノチューブデバイスは、少なく
とも、内部電極と電気的に接続されているカーボンナノ
チューブを含むカーボンナノチューブデバイスであっ
て、前記内部電極と前記カーボンナノチューブとを電気
接続する導電性粒子を備えることを特徴とするものであ
る。
発明のカーボンナノチューブデバイスが作製される。な
お、本発明のカーボンナノチューブデバイスは、少なく
とも、内部電極と電気的に接続されているカーボンナノ
チューブを含むカーボンナノチューブデバイスであっ
て、前記内部電極と前記カーボンナノチューブとを電気
接続する導電性粒子を備えることを特徴とするものであ
る。
【００５５】本技術の特徴は、電圧印加等の手段によっ
て、金属粒子等の導電体を外部電極に付着させること、
および、その導電体を電圧印加等の操作によりカーボン
ナノチューブと内部電極との接続部位に転写すること、
の組み合わせにある。単にカーボンナノチューブと内部
電極との接続部位にパルス電圧を印加するのみでは、内
部電極とカーボンナノチューブとはほぼ同電位にあり、
電界の効果が小さい。そのため、内部電極とカーボンナ
ノチューブとのオーミック性を改善することは困難であ
る。
て、金属粒子等の導電体を外部電極に付着させること、
および、その導電体を電圧印加等の操作によりカーボン
ナノチューブと内部電極との接続部位に転写すること、
の組み合わせにある。単にカーボンナノチューブと内部
電極との接続部位にパルス電圧を印加するのみでは、内
部電極とカーボンナノチューブとはほぼ同電位にあり、
電界の効果が小さい。そのため、内部電極とカーボンナ
ノチューブとのオーミック性を改善することは困難であ
る。
【００５６】それに対し、本発明のように導電体を介在
させた場合には、カーボンナノチューブ表面と外部電極
との間、および、内部電極と外部電極との間、のそれぞ
れに電界が加えられるため、まず、（オーミック性を妨
げるような）表面異物の一部が除去される。さらに、導
電体が転写された場合には、カーボンナノチューブ表面
と導電体、並びに、内部電極と導電体、がそれぞれ接触
しオーミック接続状態となるため、その結果として、カ
ーボンナノチューブ表面と内部電極との電気的接触（オ
ーミック性）が改善するものと推定することができる。
また、導電体が接着剤の役割を担う状態となり、固着性
能が向上することも期待できる。さらに、電界による加
速の効果もあり、導電体とカーボンナノチューブや基板
電極の電気的接触（オーミック性）は高くなるものと推
定される。
させた場合には、カーボンナノチューブ表面と外部電極
との間、および、内部電極と外部電極との間、のそれぞ
れに電界が加えられるため、まず、（オーミック性を妨
げるような）表面異物の一部が除去される。さらに、導
電体が転写された場合には、カーボンナノチューブ表面
と導電体、並びに、内部電極と導電体、がそれぞれ接触
しオーミック接続状態となるため、その結果として、カ
ーボンナノチューブ表面と内部電極との電気的接触（オ
ーミック性）が改善するものと推定することができる。
また、導電体が接着剤の役割を担う状態となり、固着性
能が向上することも期待できる。さらに、電界による加
速の効果もあり、導電体とカーボンナノチューブや基板
電極の電気的接触（オーミック性）は高くなるものと推
定される。
【００５７】導電体としてチタン粒子以外にも、例えば
金粒子を用いてもオーミック性の改善は可能である。た
だ、チタン粒子を使用したほうが、より再現性よくオー
ミック接続を確保できる。これは定かではないが、電界
加速されたチタン粒子との接触において、カーボンナノ
チューブ表面と化学的結合（炭化チタン形成による共有
結合）が発生していることが予想される。
金粒子を用いてもオーミック性の改善は可能である。た
だ、チタン粒子を使用したほうが、より再現性よくオー
ミック接続を確保できる。これは定かではないが、電界
加速されたチタン粒子との接触において、カーボンナノ
チューブ表面と化学的結合（炭化チタン形成による共有
結合）が発生していることが予想される。
【００５８】なお、ＳＴＭ探針を用いた電界蒸発による
粒子形成に関しては、「Ｐｈｙｓｉｃａｌ Ｒｅｖｉｅ
ｗ Ｌｅｔｔｅｒ， １９９０ ｖｏｌ．６５ ２４１
８」、「Ｐｈｙｓｉｃａｌ Ｒｅｖｉｅｗ Ｂ， １９
９１ Ｖｏｌ．４４ １３７０３」、「Ｊａｐａｎ Ｊ
ｏｕｒｎａｌ ｏｆ ａｐｐｌｉｅｄ ｐｈｙｓｉｃ
ｓ， １９９４ ｖｏｌ．３３ Ｌ１３５８」、「Ｊａ
ｐａｎ Ｊｏｕｒｎａｌｏｆ ａｐｐｌｉｅｄ ｐｈｙ
ｓｉｃｓ， １９９９ ｖｏｌ．３８ ３８６３」、に
金属材料を基板側に電界蒸発させ、基板上に粒子を形成
することが記載されてあり、これらの方法を利用して、
外部電極に、導電体である導電性粒子を付着させること
ができる。上記４つの文献のうち、前３者の文献には、
粒子形成材として主に金を使用した例が示されており、
最後の文献にはニッケルを使用した例が示されている。
粒子形成に関しては、「Ｐｈｙｓｉｃａｌ Ｒｅｖｉｅ
ｗ Ｌｅｔｔｅｒ， １９９０ ｖｏｌ．６５ ２４１
８」、「Ｐｈｙｓｉｃａｌ Ｒｅｖｉｅｗ Ｂ， １９
９１ Ｖｏｌ．４４ １３７０３」、「Ｊａｐａｎ Ｊ
ｏｕｒｎａｌ ｏｆ ａｐｐｌｉｅｄ ｐｈｙｓｉｃ
ｓ， １９９４ ｖｏｌ．３３ Ｌ１３５８」、「Ｊａ
ｐａｎ Ｊｏｕｒｎａｌｏｆ ａｐｐｌｉｅｄ ｐｈｙ
ｓｉｃｓ， １９９９ ｖｏｌ．３８ ３８６３」、に
金属材料を基板側に電界蒸発させ、基板上に粒子を形成
することが記載されてあり、これらの方法を利用して、
外部電極に、導電体である導電性粒子を付着させること
ができる。上記４つの文献のうち、前３者の文献には、
粒子形成材として主に金を使用した例が示されており、
最後の文献にはニッケルを使用した例が示されている。
【００５９】（加熱工程）本発明において導電体（導電
性粒子）として、炭化する材料を使用する場合には、転
写工程により前記カーボンナノチューブと前記内部電極
とを接続させた後、さらに加熱工程による操作を施すこ
とで、前記カーボンナノチューブと前記内部電極との物
理的な接続をより強固なものとすることもできる。当該
加熱工程は、本発明において必須の工程ではない。ま
た、転写工程だけでも十分強固な接続が得られる場合も
多い。ここで加熱工程とは、前記接続部位における前記
導電体を炭化させる工程である。
性粒子）として、炭化する材料を使用する場合には、転
写工程により前記カーボンナノチューブと前記内部電極
とを接続させた後、さらに加熱工程による操作を施すこ
とで、前記カーボンナノチューブと前記内部電極との物
理的な接続をより強固なものとすることもできる。当該
加熱工程は、本発明において必須の工程ではない。ま
た、転写工程だけでも十分強固な接続が得られる場合も
多い。ここで加熱工程とは、前記接続部位における前記
導電体を炭化させる工程である。
【００６０】加熱した場合には、従来技術と同様に、導
電体とカーボンナノチューブとの炭化による化合が進
む。しかし、カーボンナノチューブの種類によっては、
その熱によって破壊されてしまう場合があるので、加熱
温度・加熱時間に留意することが望ましい。
電体とカーボンナノチューブとの炭化による化合が進
む。しかし、カーボンナノチューブの種類によっては、
その熱によって破壊されてしまう場合があるので、加熱
温度・加熱時間に留意することが望ましい。
【００６１】図１０に、加熱工程の操作を施した後のカ
ーボンナノチューブ１７と内部電極であるチタン電極１
６ａ，１６ｂとの接続状態を模式的に表す模式断面図を
示す。チタン粒子１４’，１４”が酸化して炭化チタン
１９’，１９”となり、カーボンナノチューブ１７とチ
タン電極１６ａ，１６ｂとの物理的な接続が、より強固
なものとなっている。
ーボンナノチューブ１７と内部電極であるチタン電極１
６ａ，１６ｂとの接続状態を模式的に表す模式断面図を
示す。チタン粒子１４’，１４”が酸化して炭化チタン
１９’，１９”となり、カーボンナノチューブ１７とチ
タン電極１６ａ，１６ｂとの物理的な接続が、より強固
なものとなっている。
【００６２】
【実施例】以下、実施例を挙げて本発明をより具体的に
説明するが、本発明は以下の実施例に限定されるもので
はない。 ＜共通の実験条件＞ ・実験に供した装置：ＳＥＭ／ＳＴＭ複合装置（ＳＥ
Ｍ：ＨＩＴＡＣＨＩ社製Ｓ−４５００，ＳＴＭ：Ｔｏｐ
ｏＭｅｔｒｉｘ ＡｔｏｍＴｒａｃｅｒ）・・・図１１
にその構造の概略を示す。
説明するが、本発明は以下の実施例に限定されるもので
はない。 ＜共通の実験条件＞ ・実験に供した装置：ＳＥＭ／ＳＴＭ複合装置（ＳＥ
Ｍ：ＨＩＴＡＣＨＩ社製Ｓ−４５００，ＳＴＭ：Ｔｏｐ
ｏＭｅｔｒｉｘ ＡｔｏｍＴｒａｃｅｒ）・・・図１１
にその構造の概略を示す。
【００６３】・パルス印加装置：ヒューレットパッカー
ド社製 ＨＰ８１１４Ａ ・加工条件：アプローチ時のトンネル電流値・・・０．
５ｎＡ，バイアス電圧・・・１Ｖ、これにパルス電圧を
重畳、フィードバック回路は切り離さない。 ・使用基板：５００ｎｍ酸化膜つきのシリコンウエハー ・真空度：−１０-6Ｔｏｒｒ（−１.３３×１０-4Ｐ
ａ）
ド社製 ＨＰ８１１４Ａ ・加工条件：アプローチ時のトンネル電流値・・・０．
５ｎＡ，バイアス電圧・・・１Ｖ、これにパルス電圧を
重畳、フィードバック回路は切り離さない。 ・使用基板：５００ｎｍ酸化膜つきのシリコンウエハー ・真空度：−１０-6Ｔｏｒｒ（−１.３３×１０-4Ｐ
ａ）
【００６４】＜実施例１＞
（探針の先鋭化）タングステン深針（外部電極）とし
て、直径２５０μｍのタングステン製ワイヤーを用意し
た。このタングステン深針を陽極側とし、対向電極に白
金（陰極）を使用し、電位差１．４Ｖの電圧を印加し
て、ＫＯＨ濃度０．２５Ｎ（規定）の酸溶液中で、５分
程度電解エッチングし、一方の端部を先鋭化して、図２
の写真に示す状態とした。
て、直径２５０μｍのタングステン製ワイヤーを用意し
た。このタングステン深針を陽極側とし、対向電極に白
金（陰極）を使用し、電位差１．４Ｖの電圧を印加し
て、ＫＯＨ濃度０．２５Ｎ（規定）の酸溶液中で、５分
程度電解エッチングし、一方の端部を先鋭化して、図２
の写真に示す状態とした。
【００６５】（導電体付着工程・・・チタン薄膜から探
針端部へのチタン粒子付着）図１（ａ）に示すように、
厚さ５００Åのチタン薄膜１２が基板１１表面に形成さ
れたものを用い、チタン薄膜１２の表面にタングステン
探針１０を６オングストロームまで接近させて、１０Ｖ
の電圧（パルス電圧、パルス幅１５０μ秒、矩形波）を
印加した。その結果、図１（ｂ）に示すように、タング
ステン探針１０の下部のチタン薄膜１２に穴が開き、タ
ングステン探針１０の端部にチタン粒子１４が付着し
た。チタン薄膜１２に穴が開いた状態は、図３に示すＳ
ＥＭ写真の通りである。
針端部へのチタン粒子付着）図１（ａ）に示すように、
厚さ５００Åのチタン薄膜１２が基板１１表面に形成さ
れたものを用い、チタン薄膜１２の表面にタングステン
探針１０を６オングストロームまで接近させて、１０Ｖ
の電圧（パルス電圧、パルス幅１５０μ秒、矩形波）を
印加した。その結果、図１（ｂ）に示すように、タング
ステン探針１０の下部のチタン薄膜１２に穴が開き、タ
ングステン探針１０の端部にチタン粒子１４が付着し
た。チタン薄膜１２に穴が開いた状態は、図３に示すＳ
ＥＭ写真の通りである。
【００６６】（配置工程）ＳＰＭを用いて、図４に示す
通りにチタン薄膜からなるチタン電極１６ａ，１６ｂ表
面にカーボンナノチューブ１７を載置した。
通りにチタン薄膜からなるチタン電極１６ａ，１６ｂ表
面にカーボンナノチューブ１７を載置した。
【００６７】（近接工程および転写工程）チタン粒子１
４が付着したタングステン探針１０を、チタン電極１６
ａ上のカーボンナノチューブ１７との接続部位に、チタ
ン電極１６ａの表面から６Åの位置に近接して配置し
た。この状態で、印加電圧６Ｖおよび１２Ｖの条件のパ
ルス電圧を印加した。印加電圧６Ｖではチタン粒子１４
の移動は確認されず、オーミック特性の改善は見られな
かった。しかし、印加電圧１２Ｖにおいてチタン粒子
は、基板１５側（チタン電極１６ａとカーボンナノチュ
ーブ１７との接続部位およびその周辺）に移動し、オー
ミック特性の大幅な改善が見られた。
４が付着したタングステン探針１０を、チタン電極１６
ａ上のカーボンナノチューブ１７との接続部位に、チタ
ン電極１６ａの表面から６Åの位置に近接して配置し
た。この状態で、印加電圧６Ｖおよび１２Ｖの条件のパ
ルス電圧を印加した。印加電圧６Ｖではチタン粒子１４
の移動は確認されず、オーミック特性の改善は見られな
かった。しかし、印加電圧１２Ｖにおいてチタン粒子
は、基板１５側（チタン電極１６ａとカーボンナノチュ
ーブ１７との接続部位およびその周辺）に移動し、オー
ミック特性の大幅な改善が見られた。
【００６８】この操作は、チタン電極１６ｂ上のカーボ
ンナノチューブ１７との接続部位においても行った。す
ると、図６に示すように、チタン粒子１４’，１４”が
転写されて、チタン電極１６ａ，１６ｂとカーボンナノ
チューブ１７とが接続状態となった。
ンナノチューブ１７との接続部位においても行った。す
ると、図６に示すように、チタン粒子１４’，１４”が
転写されて、チタン電極１６ａ，１６ｂとカーボンナノ
チューブ１７とが接続状態となった。
【００６９】図１２に、本実施例により電極接続した状
態（図６の状態・・・加工後）と、カーボンナノチュー
ブと電極とを単に物理的に接続しただけの状態（図４の
状態・・・加工前）との電気特性を比較したグラフを示
す。図１２のグラフを見てもわかるように、本実施例に
よれば、カーボンナノチューブ１７と電極とが良好なオ
ーミック接続していることがわかる。
態（図６の状態・・・加工後）と、カーボンナノチュー
ブと電極とを単に物理的に接続しただけの状態（図４の
状態・・・加工前）との電気特性を比較したグラフを示
す。図１２のグラフを見てもわかるように、本実施例に
よれば、カーボンナノチューブ１７と電極とが良好なオ
ーミック接続していることがわかる。
【００７０】＜実施例２＞実施例１で得られた試料を、
８００℃で加熱処理することで、加熱工程の操作を施し
た。これにより、チタン粒子とカーボンナノチューブを
化合させ炭化し、炭化チタン１９’，１９”とした。
８００℃で加熱処理することで、加熱工程の操作を施し
た。これにより、チタン粒子とカーボンナノチューブを
化合させ炭化し、炭化チタン１９’，１９”とした。
【００７１】得られたカーボンナノチューブデバイス
は、実施例１同様、良好なオーミック特性が確認され
た。欠陥の多いカーボンナノチューブを使用したり、触
媒の残存したカーボンナノチューブを使用した場合にお
いては、カーボンナノチューブ自身が断裂してしまう結
果が散見された。
は、実施例１同様、良好なオーミック特性が確認され
た。欠陥の多いカーボンナノチューブを使用したり、触
媒の残存したカーボンナノチューブを使用した場合にお
いては、カーボンナノチューブ自身が断裂してしまう結
果が散見された。
【００７２】＜比較例１＞導電体付着工程によるチタン
薄膜から探針端部へのチタン粒子付着を行わない状態の
タングステン深針を用いて、実施例１と同様に、配置工
程以降の操作を行った。転写工程におけるパルス電圧の
条件としては、印加電圧４Ｖ、６Ｖ、８Ｖ、１０Ｖ、１
２Ｖおよび１５Ｖとした。
薄膜から探針端部へのチタン粒子付着を行わない状態の
タングステン深針を用いて、実施例１と同様に、配置工
程以降の操作を行った。転写工程におけるパルス電圧の
条件としては、印加電圧４Ｖ、６Ｖ、８Ｖ、１０Ｖ、１
２Ｖおよび１５Ｖとした。
【００７３】印加電圧４Ｖ〜１２Ｖまでは、何ら変化が
見られなかった。すなわち、１２Ｖまで、金電極とカー
ボンナノチューブのオーミック性は改善されなかった。
また、印加電圧１５Ｖでは、カーボンナノチューブの破
壊（切断）が散見された。接続状態については、印加電
圧１５Ｖでは、チタン電極１６ａ，１６ｂとカーボンナ
ノチューブ１７とのオーミック性が改善される場合とそ
うでない場合とが生じた。これは、カーボンナノチュー
ブ１７が破壊されてしまうものが存在するため、物理的
に離間してしまったり、両者の接触面積が減少してしま
ったりすることが原因と考えられる。
見られなかった。すなわち、１２Ｖまで、金電極とカー
ボンナノチューブのオーミック性は改善されなかった。
また、印加電圧１５Ｖでは、カーボンナノチューブの破
壊（切断）が散見された。接続状態については、印加電
圧１５Ｖでは、チタン電極１６ａ，１６ｂとカーボンナ
ノチューブ１７とのオーミック性が改善される場合とそ
うでない場合とが生じた。これは、カーボンナノチュー
ブ１７が破壊されてしまうものが存在するため、物理的
に離間してしまったり、両者の接触面積が減少してしま
ったりすることが原因と考えられる。
【００７４】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
良好にかつ高い再現性でカーボンナノチューブと電極と
をオーミック接続することが可能なカーボンナノチュー
ブと電極との接続工程を採用したカーボンナノチューブ
デバイスの作製方法、およびオーミック接続されたカー
ボンナノチューブデバイスを提供することができる。
良好にかつ高い再現性でカーボンナノチューブと電極と
をオーミック接続することが可能なカーボンナノチュー
ブと電極との接続工程を採用したカーボンナノチューブ
デバイスの作製方法、およびオーミック接続されたカー
ボンナノチューブデバイスを提供することができる。
【図１】 本発明における導電体付着工程を説明するた
めの模式説明図である。
めの模式説明図である。
【図２】 電解エッチングして端部を先鋭化させたタン
グステン深針の電子顕微鏡（ＳＥＭ）写真（倍率１５０
倍）である。
グステン深針の電子顕微鏡（ＳＥＭ）写真（倍率１５０
倍）である。
【図３】 電界蒸発により穴が開いたチタン薄膜の表面
の電子顕微鏡写真（倍率２５０００倍）である。
の電子顕微鏡写真（倍率２５０００倍）である。
【図４】 本発明の配置工程により、基板の表面に形成
されたチタン電極の表面に、カーボンナノチューブを配
置した状態を模式的に表す模式断面図である。
されたチタン電極の表面に、カーボンナノチューブを配
置した状態を模式的に表す模式断面図である。
【図５】 本発明の近接工程により、チタン電極の表面
にカーボンナノチューブを配置した状態における両者の
接続部位に、チタン粒子が端部に付着したタングステン
深針を近接させた状態を模式的に表す模式断面図であ
る。
にカーボンナノチューブを配置した状態における両者の
接続部位に、チタン粒子が端部に付着したタングステン
深針を近接させた状態を模式的に表す模式断面図であ
る。
【図６】 本発明の転写工程により、チタン電極とカー
ボンナノチューブとが、チタン粒子を介して接続された
状態を模式的に表す模式断面図である。
ボンナノチューブとが、チタン粒子を介して接続された
状態を模式的に表す模式断面図である。
【図７】 チタン電極とカーボンナノチューブとが、転
写されたチタン粒子を介して接続された状態を、ＡＦＭ
を用いて撮影した表面凹凸像である。
写されたチタン粒子を介して接続された状態を、ＡＦＭ
を用いて撮影した表面凹凸像である。
【図８】 チタン電極とカーボンナノチューブとが、転
写されたチタン粒子を介して接続された状態を、ＡＦＭ
を用いて撮影した表面凹凸立体像である。
写されたチタン粒子を介して接続された状態を、ＡＦＭ
を用いて撮影した表面凹凸立体像である。
【図９】 チタン電極とカーボンナノチューブとが、転
写されたチタン粒子を介して接続された状態を、ＳＥＭ
を用いて撮影（倍率１１０００倍）した電子顕微鏡像で
ある。
写されたチタン粒子を介して接続された状態を、ＳＥＭ
を用いて撮影（倍率１１０００倍）した電子顕微鏡像で
ある。
【図１０】 加熱工程の操作を施した後のカーボンナノ
チューブと内部電極との接続状態を模式的に表す模式断
面図を示す。
チューブと内部電極との接続状態を模式的に表す模式断
面図を示す。
【図１１】 実施例で用いたＳＥＭ／ＳＴＭ複合装置の
構造の概略を示す概略構成図である。
構造の概略を示す概略構成図である。
【図１２】 実施例により電極接続した状態（加工後）
と、カーボンナノチューブと電極とを単に物理的に接続
しただけの状態（加工前）との電気特性を比較したグラ
フである。
と、カーボンナノチューブと電極とを単に物理的に接続
しただけの状態（加工前）との電気特性を比較したグラ
フである。
１０ タングステン探針（外部電極）
１１、１５ 基板
１２ チタン薄膜
１３、１８ 電源装置
１４、１４’、１４” チタン粒子（導電体）
１６ａ，１６ｂ チタン電極（内部電極）
１７ カーボンナノチューブ
１９’、１９” 炭化チタン
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
(72)発明者 青木 伸之
静岡県清水市西久保228−26
(72)発明者 落合 勇一
千葉県我孫子市並木８−２−６
Ｆターム(参考） 4G146 AA11 AA16 AB05 AD23 AD28
BA04 CB05 CB40 DA02 DA33
Claims (14)
- 【請求項１】 カーボンナノチューブを内部電極に接続
する接続工程を含むカーボンナノチューブデバイスの作
製方法であって、前記接続工程が、 針状または棒状の外部電極の端部ないしその周辺に、導
電体を付着させる導電体付着工程と、 前記カーボンナノチューブを前記内部電極の所定の接続
部位に接触ないし近接させて配置する配置工程と、 前記接続部位に、前記外部電極の導電体が付着した端部
を近接させる近接工程と、 前記外部電極に付着した導電体を、前記接続部位ないし
その周辺に移動させて、前記カーボンナノチューブと前
記内部電極とを接続させる転写工程と、を含むことを特
徴とするカーボンナノチューブデバイスの作製方法。 - 【請求項２】 転写工程が、前記外部電極と前記内部電
極との間に電圧を印加し、その電界で発生する電気力に
より、前記外部電極に付着した導電体を、前記接続部位
に移動させる工程であることを特徴とする請求項１に記
載のカーボンナノチューブデバイスの作製方法。 - 【請求項３】 転写工程において前記外部電極と前記内
部電極との間に印加する電圧が、パルス電圧であること
を特徴とする請求項２に記載のカーボンナノチューブデ
バイスの作製方法。 - 【請求項４】 転写工程において前記外部電極と前記内
部電極との間に印加する電圧による電界強度が、前記カ
ーボンナノチューブの電界蒸発閾値よりも小さいことを
特徴とする請求項２または３に記載のカーボンナノチュ
ーブデバイスの作製方法。 - 【請求項５】 前記外部電極の蒸発電界強度が、前記導
電体の蒸発電界強度よりも大きいことを特徴とする請求
項２〜４のいずれか１に記載のカーボンナノチューブデ
バイスの作製方法。 - 【請求項６】 前記導電体が、粒子状であることを特徴
とする請求項１〜５のいずれか１に記載のカーボンナノ
チューブデバイスの作製方法。 - 【請求項７】 前記導電体が、チタンを含む粒子である
ことを特徴とする請求項６に記載のカーボンナノチュー
ブデバイスの作製方法。 - 【請求項８】 前記カーボンナノチューブが、マルチウ
ォールカーボンナノチューブであることを特徴とする請
求項１〜７のいずれか１に記載のカーボンナノチューブ
デバイスの作製方法。 - 【請求項９】 前記カーボンナノチューブが、シングル
ウォールカーボンナノチューブであることを特徴とする
請求項１〜７のいずれか１に記載のカーボンナノチュー
ブデバイスの作製方法。 - 【請求項１０】 前記外部電極における、導電体を付着
させる端部が、先鋭化されたものであることを特徴とす
る請求項１〜９のいずれか１に記載のカーボンナノチュ
ーブデバイスの作製方法。 - 【請求項１１】 さらに、前記接続工程に、前記接続部
位における前記導電体を炭化させる加熱工程を含むこと
を特徴とする請求項１〜１０のいずれか１に記載のカー
ボンナノチューブデバイスの作製方法。 - 【請求項１２】 前記接続工程に、走査型プローブ顕微
鏡を使用することを特徴とする請求項１〜１１のいずれ
か１に記載のカーボンナノチューブデバイスの作製方
法。 - 【請求項１３】 少なくとも、内部電極と電気的に接続
されているカーボンナノチューブを含むカーボンナノチ
ューブデバイスであって、前記内部電極と前記カーボン
ナノチューブとを電気接続する導電性粒子を備えること
を特徴とするカーボンナノチューブデバイス。 - 【請求項１４】 請求項１〜１２のいずれか１に記載の
カーボンナノチューブデバイスの作製方法により作製さ
れたことを特徴とする請求項１３に記載のカーボンナノ
チューブデバイス。
Priority Applications (5)
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| JP2002028637A JP4259023B2 (ja) | 2002-02-05 | 2002-02-05 | カーボンナノチューブデバイスの作製方法、およびカーボンナノチューブデバイス |
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Cited By (1)
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| US7666465B2 (en) * | 2004-12-29 | 2010-02-23 | Intel Corporation | Introducing nanotubes in trenches and structures formed thereby |
| US7598516B2 (en) * | 2005-01-07 | 2009-10-06 | International Business Machines Corporation | Self-aligned process for nanotube/nanowire FETs |
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| US7884323B2 (en) * | 2005-08-16 | 2011-02-08 | Cameca Instruments, Inc. | Atom probes, atom probe specimens, and associated methods |
| CN101252145B (zh) * | 2007-04-06 | 2011-01-19 | 北京大学 | 一种碳纳米管纳电子器件及其制备方法 |
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| CN111092155B (zh) * | 2019-10-28 | 2023-01-17 | 温州大学 | 含金属纳米粒子单壁碳纳米管分子内结及其制备方法和应用 |
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Cited By (1)
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