JP2003218541A

JP2003218541A - Ｅｍｉ低減構造基板

Info

Publication number: JP2003218541A
Application number: JP2002015274A
Authority: JP
Inventors: Satoru Haga; 知芳賀
Original assignee: Oki Electric Industry Co Ltd
Current assignee: Oki Electric Industry Co Ltd
Priority date: 2002-01-24
Filing date: 2002-01-24
Publication date: 2003-07-31

Abstract

(57)【要約】【課題】電源層をグランド層によって両側から挟み込む
とともに、両側の該グランド層の端部を互いに接続する
ことによって、電源層とグランド層との間に発生した電
磁界を閉じ込め、該電磁界が外部に放射されることを抑
制することができるようにする。【解決手段】電源層と、該電源層を両側からを挟み込む
グランド層と、該グランド層の端部を接続する接続体を
有する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、ＥＭＩ（Ｅｌｅｃ
ｔｒｏＭａｇｎｅｔｉｃＩｎｔｅｒｆｅｒｅｎｃ
ｅ：電磁障害）低減構造基板に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】従来、電子回路部品を搭載したプリント
配線板等の基板においては、該基板上に形成された信号
配線層における信号線を通って送信される信号の電流成
分が形成する電磁界によって、電磁波ノイズが発生して
しまう。そこで、電磁波ノイズの発生を防止するため
に、コンピュータに使用されるマザーボード等のように
デジタル回路を搭載した基板の場合、電源層及びグラン
ド（接地、又は、アース）層を信号配線層から独立して
形成された４層以上の多層構造が採用されている。

【０００３】図２は従来の基板の層構造を示す断面図で
ある。

【０００４】図において、１０１はプリント配線板等の
４層構造基板、１０２は信号配線層における信号線、す
なわち、信号トレース、１０３はグランド層としてのグ
ランド用面状導体、１０４は電源層としての電源用面状
導体、１０５は樹脂、セラミック等から成り基板の本体
を構成する誘電体（絶縁体）である。

【０００５】この場合、前記４層構造基板１０１は、信
号配線層、グランド層、電源層、信号配線層の順に構成
される４層から成る構造を有し、前記グランド用面状導
体１０３及び電源用面状導体１０４が給電系として機能
する。そして、面状導体から成るグランド層及び電源層
が両側の信号配線層の中間に介在しているので、信号ト
レース１０２を通って送信される信号の電流成分が電磁
界を形成しても、電磁波ノイズの発生が抑制されるよう
になっている。

【０００６】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、前記従
来の４層構造基板１０１においては、前記電源層及びグ
ランド層としてのグランド用面状導体１０３及び電源用
面状導体１０４が互いに平行な平板であるため、４層構
造基板１０１の周囲の端部から外部へ不要に大きい電磁
波ノイズが放射されてしまう。

【０００７】図３は従来の４層構造基板の端部から電磁
波ノイズが外部へ放射される状態を説明する図である。
なお、図３においては、信号トレース１０２と、グラン
ド用面状導体１０３及び電源用面状導体１０４の外側に
形成された誘電体１０５が省略されている。

【０００８】図３に示されるように、前記従来の４層構
造基板１０１においては、該４層構造基板１０１の周囲
の端部から、電磁波ノイズ１０６が、矢印１０７で示さ
れるように放射される。これは、給電系の配線回路を通
って流れる電流、信号トレース１０２を通って流れる信
号のリターン電流の広がり、信号配線層、グランド層及
び電源層の層間を結合するビアホール（又は、バイアホ
ール：Ｖｉａ−ｈｏｌｅ）、スルーホール（Ｔｈｒｏｕ
ｇｈ−ｈｏｌｅ）等によって、前記グランド用面状導体
１０３及び電源用面状導体１０４が励振されるためであ
る。そして、前記グランド用面状導体１０３及び電源用
面状導体１０４が互いに平行な平板である、すなわち、
平行平板構造を有しているので、前記グランド用面状導
体１０３及び電源用面状導体１０４の間の空間におい
て、振幅の大きな波線１０８で示されるように、空洞共
振が発生する。さらに、４層構造基板１０１の周囲の端
部において、前記グランド用面状導体１０３及び電源用
面状導体１０４の端部が開放されているので、前記グラ
ンド用面状導体１０３及び電源用面状導体１０４がスロ
ットアンテナのように振る舞うことになる。そのため、
前記空洞共振の共振周波数において、大きな電磁波ノイ
ズ１０６が４層構造基板１０１の周囲の端部から外部へ
向けて、矢印１０７で示されるように、放射されてしま
う。

【０００９】そして、前記大きな電磁波ノイズ１０６に
よる影響を防止するためには、４層構造基板１０１の端
部において、バイパスキャパシタ、ＡＣ終端（キャパシ
タと抵抗の組み合わせ）、ノイズ対策部品等を使用した
り、４層構造基板１０１の外部にシールド装置を配設す
る必要があった。

【００１０】本発明は、前記従来の基板の問題点を解決
して、電源層をグランド層によって両側から挟み込むと
ともに、両側の該グランド層の端部を互いに接続するこ
とによって、電源層とグランド層との間に発生した電磁
界を閉じ込め、該電磁界が外部に放射されることを抑制
することができるＥＭＩ低減構造基板を提供することを
目的とする。

【００１１】

【課題を解決するための手段】そのために、本発明のＥ
ＭＩ低減構造基板においては、電源層と、該電源層を両
側から挟み込むグランド層と、該グランド層の端部を接
続する接続体を有する。

【００１２】本発明の他のＥＭＩ低減構造基板において
は、さらに、前記グランド層の外側に配設された信号配
線層を有する。

【００１３】本発明の更に他のＥＭＩ低減構造基板にお
いては、さらに、前記信号配線層は、電子回路部品が接
続される。

【００１４】本発明の更に他のＥＭＩ低減構造基板にお
いては、さらに、前記電源層、グランド層及び接続体
は、面状導体から成る。

【００１５】本発明の更に他のＥＭＩ低減構造基板にお
いては、さらに、前記接続体は、前記グランド層の端部
を取り囲むように形成されている。

【００１６】本発明の更に他のＥＭＩ低減構造基板にお
いては、さらに、４層以上の多層基板である。

【００１７】

【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態につい
て図面を参照しながら詳細に説明する。

【００１８】図１は本発明の実施の形態におけるＥＭＩ
低減構造基板の層構造を示す断面図である。

【００１９】図において、１１は電子回路部品を搭載し
たプリント配線板等の基板として電子装置において使用
されるＥＭＩ低減構造基板である。なお、該ＥＭＩ低減
構造基板１１は、コンピュータ等の情報処理機器のよう
にデジタル回路を使用する電子装置に適しているが、い
かなる電子装置においても使用することができる。

【００２０】そして、前記ＥＭＩ低減構造基板１１は、
ＩＣ、ＬＳＩ、抵抗、コンデンサ等の多数の電子回路部
品及び該電子回路部品を結ぶ複雑な形状の多数の信号配
線から成る信号配線層における信号線としての信号トレ
ース１２、グランド層としてのグランド用面状導体１３
ａ、電源層としての電源用面状導体１４、並びに、樹
脂、セラミック等から成り基板の本体を構成する誘電体
１５を有する。なお、前記ＥＭＩ低減構造基板１１は、
実際には、信号配線層、グランド層及び電源層を電気的
に連結するビアホール、スルーホール等を有するが、本
実施の形態においては、前記電子回路部品、複雑な形状
の多数の信号配線、ビアホール、スルーホール等を省略
して、図１に示されるように、モデル化されたものにつ
いて説明する。

【００２１】この場合、前記ＥＭＩ低減構造基板１１
は、信号配線層、グランド層、電源層、グランド層、信
号配線層の順に配設された５層から成る多層構造を有す
る。なお、グランド層を構成するグランド用面状導体１
３ａの端部は、接続体としての接続用面状導体１３ｂに
よって、互いに接続されている。ここで、該接続用面状
導体１３ｂは、前記グランド用面状導体１３ａと同一の
金属から成り、メッキによって形成される。例えば、前
記グランド用面状導体１３ａが銅から成る場合には、銅
メッキを施すことによって、前記接続用面状導体１３ｂ
が形成される。この場合、２層のグランド層としてのグ
ランド用面状導体１３ａの端部は、前記接続用面状導体
１３ｂによって、取り囲まれるように、ほぼ全周が接続
される。例えば、前記ＥＭＩ低減構造基板１１が全体と
して矩（く）形の平板状の形状を有する場合、該矩形の
４辺における断面がすべて図１に示されるような構造を
有し、前記矩形の４辺に沿って接続用面状導体１３ｂが
延在する。すなわち、ＥＭＩ低減構造基板１１の周囲の
端部全体を取り囲むように、接続用面状導体１３ｂが形
成されている。なお、前記接続用面状導体１３ｂの外側
に誘電体１５を配設することもできる。

【００２２】このように、ＥＭＩ低減構造基板１１にお
いては、グランド層としてのグランド用面状導体１３ａ
が、電源層としての電源用面状導体１４を両側（図にお
ける上側及び下側）から挟み込み、該電源用面状導体１
４の両側のグランド用面状導体１３ａの端部が、接続用
面状導体１３ｂによって接続される。すなわち、両側の
グランド用面状導体１３ａの間に形成される空間は接続
用面状導体１３ｂによって端部が閉じられ、かつ、端部
が閉じられた前記空間の中に電源用面状導体１４が閉じ
込められている。

【００２３】次に、前記構成のＥＭＩ低減構造基板の動
作について説明する。

【００２４】図４は本発明の実施の形態におけるＥＭＩ
低減構造基板から電磁波ノイズが外部へ放射される状態
を説明する図である。なお、図４においては、信号トレ
ース１２と、グランド用面状導体１３ａの両側に形成さ
れた誘電体１５が省略されている。

【００２５】ここで、電磁波ノイズとしての電磁波が外
部へ放射されるメカニズムについて説明する。まず、
「従来の技術」及び「発明が解決しようとする課題」に
おいて説明したような信号配線層、グランド層、電源
層、信号配線層の順に構成される４層から成る構造を有
する４層構造基板１０１において、電源層とグランド層
との共振によって発生する電磁波ノイズ１０６の放射に
ついて説明する。

【００２６】この場合、前記４層構造基板１０１におけ
るグランド層を構成するグランド用面状導体１０３及び
電源層を構成する電源用面状導体１０４は、端部が開放
された平行平板構造を有する。そこで、前記グランド用
面状導体１０３と電源用面状導体１０４とから成る平行
平板間の空間を導波管として考えることができるので、
前記平行平板間の空間における電磁界は、内部領域にお
ける電磁界を示す波動方程式である次の式（１）、及
び、開放された開放境界として把握することができる４
層構造基板１０１の周囲の端部における境界条件を規定
する次の式（２）によって表すことができる。

【００２７】

【数１】

【００２８】ここで、∇はベクトル演算子ナブラ、ｋは
波数ベクトル、Ｅ_zは電場ベクトルのｚ成分、ｎは開放
境界としての４層構造基板１０１の周囲の端部における
外向きの単位法線ベクトルである。なお、式（１）にお
ける∇² _tは、次の式（３）によって定義される。

【００２９】

【数２】

【００３０】この場合、前記４層構造基板１０１の外形
寸法が、解析対象である周波数を有する電磁波の波長に
対して、数分の一程度の寸法以上である場合には、前記
外形寸法の影響を無視することができない。そこで、次
の式（４）によって、前記平行平板間の空間において発
生する電磁波の空洞共振の共振周波数ｆｍｎを導き出す
ことができる。

【００３１】

【数３】

【００３２】ここで、ａ及びｂは４層構造基板１０１の
縦及び横の外形寸法、Ｃ₀は真空中におけるの電磁波の
速度、すなわち、光の速度、ε_rはグランド用面状導体
１０３と電源用面状導体１０４とから成る平行平板間の
空間内の誘電体１０５の誘電率である。

【００３３】そして、前記平行平板間の空間において、
波線１０８で示されるように、電磁波の空洞共振が発生
した場合、空間の内部で大きな電磁界が発生する。さら
に、４層構造基板１０１の周囲の端部において、前記グ
ランド用面状導体１０３及び電源用面状導体１０４の端
部が開放されているので、前記４層構造基板１０１の周
囲の端部から前記電磁界が外部に漏れ出て、電磁波ノイ
ズ１０６として放射される。この場合、電磁界上におい
ては、４層構造基板１０１の開放された端部が磁気壁の
ように振る舞うので、前記端部の開放された面に沿って
磁流が流れ、該磁流を放射源として、図３に示されるよ
うに、電磁波ノイズ１０６の放射が発生する。

【００３４】続いて、本実施の形態におけるＥＭＩ低減
構造基板１１での電磁界について説明する。ここで、該
ＥＭＩ低減構造基板１１においては、図４に示されるよ
うに、グランド層を構成する二つのグランド用面状導体
１３ａが、電源層を構成する電源用面状導体１４を両側
から挟み込み、さらに、該電源用面状導体１４の両側の
グランド用面状導体１３ａの端部が、接続用面状導体１
３ｂによって互いに接続されている。

【００３５】この場合、前記電源用面状導体１４の両側
に、グランド用面状導体１３ａと電源用面状導体１４か
ら成る平行平板間の空間が、それぞれ、形成されてい
る。そして、前記平行平板間の空間のそれぞれにおい
て、前述されたようにして、電磁波の空洞共振が発生し
た場合、それぞれの空間における電磁波は、共振エネル
ギーを互いに打ち消し合うように振る舞う。そのため、
前記平行平板間の空間に発生した電磁波の空洞共振は、
波線１８で示されるように、極めて微弱なものとなり、
空間内に閉じ込められた状態となる。

【００３６】また、ＥＭＩ低減構造基板１１の周囲の端
部全体を取り囲むように前記接続用面状導体１３ｂが形
成され、グランド用面状導体１３ａの端部が前記接続用
面状導体１３ｂによって互いに接続されている。これに
より、前記電源用面状導体１４の両側に形成された平行
平板間の空間は、端部が閉じられた状態となる。そのた
め、前記平行平板間の空間における電磁波の空洞共振に
よって発生した電磁界がＥＭＩ低減構造基板１１の端部
から外部に漏れ出て放射することが抑制され、外部へ放
射される電磁波ノイズ１６は、前記従来の４層構造基板
１０１から外部へ放射される電磁波ノイズ１０６と比較
して、極めて微弱なものとなる。

【００３７】さらに、電源用面状導体１４の両側にグラ
ンド用面状導体１３ａが配設され、かつ、該グランド用
面状導体１３ａの端部が接続用面状導体１３ｂによって
互いに接続されているので、グランド層を構成する導体
の面積が、広くなっている。そのため、信号トレース１
２を通って流れる信号のリターン電流は、常にグランド
層を流れ、また、グランド用面状導体１３ａの端部に偏
在することなく、グランド層全体に広がることになる。
これにより、ＥＭＩ低減構造基板１１の端部からの電磁
波ノイズ１６の放射が抑制され、また、ＥＭＩ低減構造
基板１１全体からの電磁波の放射も抑制される。

【００３８】次に、本発明の実施の形態におけるＥＭＩ
低減構造基板の実験例について説明する。

【００３９】図５は本発明の実施の形態における比較実
験用基板の表面構成を示す斜視図、図６は本発明の実施
の形態における４層構造基板における放射電界強度を示
す図、図７は本発明の実施の形態におけるＥＭＩ低減構
造基板における放射電界強度を示す図、図８は本発明の
実施の形態における４層構造基板における表面近傍の磁
界強度分布を示す図、図９は本発明の実施の形態におけ
る４層構造基板における裏面近傍の磁界強度分布を示す
図、図１０は本発明の実施の形態におけるＥＭＩ低減構
造基板における表面近傍の磁界強度分布を示す図、図１
１は本発明の実施の形態におけるＥＭＩ低減構造基板に
おける裏面近傍の磁界強度分布を示す図である。

【００４０】ここでは、図５に示されるような表面構成
を有するとともに図１に示されるような断面構造を有す
るＥＭＩ低減構造基板１１を制作し、また、比較用に、
図５に示されるような表面構成を有するとともに図２に
示されるような断面構造を有する４層構造基板１０１を
制作した。なお、前記ＥＭＩ低減構造基板１１及び４層
構造基板１０１の外形寸法は、ともに、２３０×１５０
〔ｍｍ〕である。

【００４１】この場合、図５において、２２は信号トレ
ースであり、表面に形成された信号トレース２２ａ及び
２２ｂと裏面に形成された信号トレース２２ｃとから成
る。また、２３はＥＭＩ低減構造基板１１（４層構造基
板１０１）を貫通するビアホールであり、信号トレース
２２ａと信号トレース２２ｃとを導通するビアホール２
３ａ、及び、信号トレース２２ｂと信号トレース２２ｃ
とを導通するビアホール２３ｂから成る。なお、前記信
号トレース２２は、信号トレース２２ａ、２２ｂ及び２
２ｃを合計して、長さが２１０〔ｍｍ〕、特性インピー
ダンスが５０〔Ω〕である。

【００４２】また、２４は前記信号トレース２２ａの端
部に接続される信号入力用ＳＭＡコネクタ、２５は前記
信号トレース２２ｂの端部に接続される終端部接続用電
極、２６は表面に多数形成された接続用電極である。な
お、前記終端部接続用電極２５は、容量が５〔ｐＦ〕で
ある。

【００４３】そして、前記構成のＥＭＩ低減構造基板１
１及び４層構造基板１０１の放射電解強度を電波暗室内
において測定した。

【００４４】ここで、図６には比較例として測定した４
層構造基板１０１の放射電解強度の周波数分布が示され
ている。図６から、４層構造基板１０１の放射電解強度
は、全般的に高く、周波数が３００〔ＭＨｚ〕周辺の帯
域及び周波数が４５０〔ＭＨｚ〕以上の帯域では６０
〔ｄＢ〕以上であり、約３１０〔ＭＨｚ〕及び約６３０
〔ＭＨｚ〕の周波数において大きなピークがあることが
分かる。そして、放射電解強度の最大値は、約６３０
〔ＭＨｚ〕の周波数において７９．０〔ｄＢ〕となって
いる。

【００４５】一方、図７には本発明の実施の形態におけ
るＥＭＩ低減構造基板１１の放射電解強度の周波数分布
が示されている。図７から、ＥＭＩ低減構造基板１１の
放射電解強度は、４層構造基板１０１の放射電解強度よ
りも低く、周波数が７００〔ＭＨｚ〕以下の帯域では、
５０〔ｄＢ〕以上となることがほとんど無いことが分か
る。また、全帯域において大きなピークが発生しておら
ず、放射電解強度の最大値も、前記４層構造基板１０１
の最大値よりもはるかに低い５９．１〔ｄＢ〕となって
いる。

【００４６】前記図６及び７に示される測定結果から、
本発明の実施の形態におけるＥＭＩ低減構造基板１１に
おいては、従来の４層構造基板１０１と比較して、放射
電解強度が効果的に抑制されていることが明らかであ
る。

【００４７】続いて、前記構成のＥＭＩ低減構造基板１
１及び４層構造基板１０１の表面及び裏面における近傍
磁界強度を電波暗室内において測定した。

【００４８】ここで、図８には比較例として測定した４
層構造基板１０１の表面における近傍磁界強度の分布が
示されている。図８から、４層構造基板１０１の表面に
おける近傍磁界強度は、全般的に高く、表面に形成され
た信号トレース２２ａ及び２２ｂに対応する場所以外の
場所においても、５０〔ｄＢ〕前後の値を示す場所が多
いことが分かる。なお、図８における大きな２つのピー
クは、表面に形成された信号トレース２２ａ及び２２ｂ
に対応する場所にあることから、該信号トレース２２ａ
及び２２ｂによる磁界であることが分かる。

【００４９】また、図９には比較例として測定した４層
構造基板１０１の裏面における近傍磁界強度の分布が示
されている。図９から、４層構造基板１０１の裏面にお
ける近傍磁界強度は、全般的に高く、裏面に形成された
信号トレース２２ｃに対応する場所以外の場所において
も、４５〔ｄＢ〕以上の値を示す場所が多いことが分か
る。なお、図９における大きな１つのピークは、裏面に
形成された信号トレース２２ｃに対応する場所にあるこ
とから、該信号トレース２２ｃによる磁界であることが
分かる。

【００５０】一方、図１０には本発明の実施の形態にお
けるＥＭＩ低減構造基板１１の表面における近傍磁界強
度の分布が示されている。図１０から、ＥＭＩ低減構造
基板１１の表面における近傍磁界強度は、全般的に低
く、表面に形成された信号トレース２２ａ及び２２ｂに
対応する場所以外の場所においては、４０〔ｄＢ〕以下
の値を示す場所が多いことが分かる。なお、図１０にお
ける大きな２つのピークは、表面に形成された信号トレ
ース２２ａ及び２２ｂに対応する場所にあることから、
該信号トレース２２ａ及び２２ｂによる磁界であること
が分かる。

【００５１】また、図１１には本発明の実施の形態にお
けるＥＭＩ低減構造基板１１の裏面における近傍磁界強
度の分布が示されている。図１１から、ＥＭＩ低減構造
基板１１の裏面における近傍磁界強度は、全般的に低
く、裏面に形成された信号トレース２２ｃに対応する場
所以外の場所においても、３８〔ｄＢ〕以下の値を示す
場所が多いことが分かる。なお、図１１における大きな
１つのピークは、裏面に形成された信号トレース２２ｃ
に対応する場所にあることから、該信号トレース２２ｃ
による磁界であることが分かる。

【００５２】前記図８〜１１に示される測定結果から、
本発明の実施の形態におけるＥＭＩ低減構造基板１１に
おいては、従来の４層構造基板１０１と比較して、信号
トレース２２ａ、２２ｂ及び２２ｃに対応する場所以外
の場所において磁界強度が効果的に抑制されていること
が明らかである。

【００５３】このように、本実施の形態において、ＥＭ
Ｉ低減構造基板１１のグランド層を構成するグランド用
面状導体１３ａは、電源層を構成する電源用面状導体１
４を両側から挟み込み、かつ、該電源用面状導体１４の
両側のグランド用面状導体１３ａの端部が、接続用面状
導体１３ｂによって接続される。すなわち、両側のグラ
ンド用面状導体１３ａの間に形成される空間は接続用面
状導体１３ｂによって端部が閉じられ、かつ、端部が閉
じられた前記空間の中に電源用面状導体１４が閉じ込め
られている。

【００５４】そのため、前記電源用面状導体１４とグラ
ンド用面状導体１３ａとの間に形成される平行平板間の
空間に発生した電磁波は、共振エネルギーを互いに打ち
消し合うように振る舞い、空洞共振は極めて微弱なもの
となり、前記空間の中に閉じ込められる。また、前記空
間の端部が接続用面状導体１３ｂによって閉じられてい
るので、前記電磁波が前記空間の端部から外部に漏れ出
て放射されることを抑制することができる。さらに、Ｅ
ＭＩ低減構造基板１１全体からの電磁波の放射も抑制す
ることができる。したがって、電磁波による電磁障害を
効果的に低減することができる。

【００５５】また、電磁波の影響を抑制するために従来
使用されたバイパスキャパシタ、ノイズ対策部品等のよ
うに、回路の機能には寄与しない部品や装置を使用する
必要がなくなるので、基板の製造コストを低下させるこ
とができ、また、小型高密度実装化を図ることができ
る。

【００５６】なお、本実施の形態においては、外側の２
つのグランド層としてのグランド用面状導体１３ａの間
に、１つの電源層としての電源用面状導体１４が挟まれ
ているＥＭＩ低減構造基板１１について説明したが、該
ＥＭＩ低減構造基板１１は、外側の２つのグランド層の
間に複数の電源層、他のグランド層及び信号配線層を有
するものであってもよい。

【００５７】そして、本発明の実施の形態におけるＥＭ
Ｉ低減構造基板１１は、一般のデジタル回路に適用する
ことができるので、情報処理機器等のデジタル回路を使
用する一般的な電子装置に容易に、かつ、低コストで適
用することができる。

【００５８】なお、本発明は前記実施の形態に限定され
るものではなく、本発明の趣旨に基づいて種々変形させ
ることが可能であり、それらを本発明の範囲から排除す
るものではない。

【００５９】

【発明の効果】以上詳細に説明したように、本発明によ
れば、ＥＭＩ低減構造基板においては、電源層と、該電
源層を両側から挟み込むグランド層と、該グランド層の
端部を接続する接続体を有する。

【００６０】この場合、両側のグランド層の間に形成さ
れる空間は接続体によって端部が閉じられ、かつ、端部
が閉じられた前記空間の中にグランド層が閉じ込められ
ている。そのため、前記電源層とグランド層との間に形
成される平行平板間の空間に発生した電磁波は、共振エ
ネルギーを互いに打ち消し合うように振る舞い、空洞共
振は極めて微弱なものとなり、前記空間の中に閉じ込め
られる。

【００６１】また、前記空間の端部が接続体によって閉
じられているので、前記電磁波が前記空間の端部から外
部に漏れ出て放射されることを抑制することができる。
さらに、ＥＭＩ低減構造基板全体からの電磁波の放射も
抑制することができる。

【００６２】したがって、電磁波による電磁障害を効果
的に低減することができる。

【００６３】また、電磁波の影響を抑制するために従来
使用されたバイパスキャパシタ、ノイズ対策部品等のよ
うな、回路の機能に寄与しない部品や装置を使用する必
要がなくなるので、基板の製造コストを低下させること
ができ、また、小型高密度実装化を図ることができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の実施の形態におけるＥＭＩ低減構造基
板の層構造を示す断面図である。

【図２】従来の基板の層構造を示す断面図である。

【図３】従来の４層構造基板の端部から電磁波ノイズが
外部へ放射される状態を説明する図である。

【図４】本発明の実施の形態におけるＥＭＩ低減構造基
板から電磁波ノイズが外部へ放射される状態を説明する
図である。

【図５】本発明の実施の形態における比較実験用基板の
表面構成を示す斜視図である。

【図６】本発明の実施の形態における４層構造基板にお
ける放射電界強度を示す図である。

【図７】本発明の実施の形態におけるＥＭＩ低減構造基
板における放射電界強度を示す図である。

【図８】本発明の実施の形態における４層構造基板にお
ける表面近傍の磁界強度分布を示す図である。

【図９】本発明の実施の形態における４層構造基板にお
ける裏面近傍の磁界強度分布を示す図である。

【図１０】本発明の実施の形態におけるＥＭＩ低減構造
基板における表面近傍の磁界強度分布を示す図である。

【図１１】本発明の実施の形態におけるＥＭＩ低減構造
基板における裏面近傍の磁界強度分布を示す図である。

【符号の説明】

１１ＥＭＩ低減構造基板１３ａグランド用面状導体１３ｂ接続用面状導体１４電源用面状導体

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続きＦターム(参考） 5E321 AA17 GG05 5E338 AA03 CC01 CC04 CC06 CD03 EE13 5E346 BB02 BB03 BB04 BB07 CC01 FF22 FF28 FF42 HH04 HH06 HH40

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】（ａ）電源層と、（ｂ）該電源層を両側
から挟み込むグランド層と、（ｃ）該グランド層の端部
を接続する接続体を有することを特徴とするＥＭＩ低減
構造基板。
【請求項２】前記グランド層の外側に配設された信号
配線層を有する請求項１に記載のＥＭＩ低減構造基板。
【請求項３】前記信号配線層は、電子回路部品が接続
される請求項２に記載のＥＭＩ低減構造基板。
【請求項４】前記電源層、グランド層及び接続体は、
面状導体から成る請求項１〜３のいずれか１項に記載の
ＥＭＩ低減構造基板。
【請求項５】前記接続体は、前記グランド層の端部を
取り囲むように形成されている請求項１〜４のいずれか
１項に記載のＥＭＩ低減構造基板。
【請求項６】４層以上の多層基板である請求項１〜５
のいずれか１項に記載のＥＭＩ低減構造基板。