JP2003218192A - 半導体ウェハ表面保護用粘着フィルム及び該粘着フィルムを用いる半導体ウェハの保護方法 - Google Patents
半導体ウェハ表面保護用粘着フィルム及び該粘着フィルムを用いる半導体ウェハの保護方法Info
- Publication number
- JP2003218192A JP2003218192A JP2002012344A JP2002012344A JP2003218192A JP 2003218192 A JP2003218192 A JP 2003218192A JP 2002012344 A JP2002012344 A JP 2002012344A JP 2002012344 A JP2002012344 A JP 2002012344A JP 2003218192 A JP2003218192 A JP 2003218192A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- semiconductor wafer
- film
- adhesive film
- protecting
- adhesive
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
- H01L21/6835—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
- H01L21/6836—Wafer tapes, e.g. grinding or dicing support tapes
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2221/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof covered by H01L21/00
- H01L2221/67—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L2221/683—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
- H01L2221/68304—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
- H01L2221/68327—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support used during dicing or grinding
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Adhesive Tapes (AREA)
- Adhesives Or Adhesive Processes (AREA)
- Dicing (AREA)
- Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 半導体ウェハが厚み１００μｍ以下に薄層化
された場合であっても、その破損を防止し得る半導体ウ
エハ保護用粘着フィルム及びそれを用いる保護方法を提
供する。 【解決手段】 基材フィルム層の片表面に粘着剤層が形
成された半導体ウェハ表面保護用粘着フィルムであっ
て、基材フィルム層が、貯蔵弾性率（Ｅ’）が１×１０
8〜１×１０10Ｐａ、厚みが１０〜１００μｍである高
弾性フィルム層を少なくとも２層有し、該高弾性フィル
ム層の合計厚みが少なくとも１００μｍであり、且つ、
基材フィルム層の総厚みが１００〜１０００μｍである
ことを特徴とする半導体ウェハ表面保護用粘着フィル
ム。
された場合であっても、その破損を防止し得る半導体ウ
エハ保護用粘着フィルム及びそれを用いる保護方法を提
供する。 【解決手段】 基材フィルム層の片表面に粘着剤層が形
成された半導体ウェハ表面保護用粘着フィルムであっ
て、基材フィルム層が、貯蔵弾性率（Ｅ’）が１×１０
8〜１×１０10Ｐａ、厚みが１０〜１００μｍである高
弾性フィルム層を少なくとも２層有し、該高弾性フィル
ム層の合計厚みが少なくとも１００μｍであり、且つ、
基材フィルム層の総厚みが１００〜１０００μｍである
ことを特徴とする半導体ウェハ表面保護用粘着フィル
ム。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体ウェハ表面
保護用粘着フィルム及びそれを用いる半導体ウェハの保
護方法に関する。詳しくは、半導体ウェハを薄層加工す
る工程における半導体ウェハの破損防止、薄層化した半
導体ウェハを搬送する工程において半導体ウェハの反
り、撓み等に起因する半導体ウェハの破損、及び半導体
ウェハ表面保護用粘着フィルムを剥離する際の半導体ウ
ェハの破損防止に有用であり、生産性向上を図り得る半
導体ウェハ表面保護用粘着フィルム及びそれを用いる半
導体ウェハの保護方法に関する。
保護用粘着フィルム及びそれを用いる半導体ウェハの保
護方法に関する。詳しくは、半導体ウェハを薄層加工す
る工程における半導体ウェハの破損防止、薄層化した半
導体ウェハを搬送する工程において半導体ウェハの反
り、撓み等に起因する半導体ウェハの破損、及び半導体
ウェハ表面保護用粘着フィルムを剥離する際の半導体ウ
ェハの破損防止に有用であり、生産性向上を図り得る半
導体ウェハ表面保護用粘着フィルム及びそれを用いる半
導体ウェハの保護方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】半導体ウェハを加工する工程は、半導体
ウェハの回路形成面に半導体ウエハ表面保護用粘着フィ
ルムを貼り付ける工程、半導体ウェハの回路非形成面を
加工する工程、半導体ウェハ表面保護用粘着フィルムを
剥離する工程、半導体ウェハを分割切断するダイシング
工程、分割された半導体チップをリードフレームへ接合
するダイボンディング工程を経た後、半導体チップを外
部保護の為に樹脂で封止するモールド工程等により構成
されている。
ウェハの回路形成面に半導体ウエハ表面保護用粘着フィ
ルムを貼り付ける工程、半導体ウェハの回路非形成面を
加工する工程、半導体ウェハ表面保護用粘着フィルムを
剥離する工程、半導体ウェハを分割切断するダイシング
工程、分割された半導体チップをリードフレームへ接合
するダイボンディング工程を経た後、半導体チップを外
部保護の為に樹脂で封止するモールド工程等により構成
されている。
【０００３】近年益々、半導体チップの薄層化の要求が
高まっており、厚みが１００μｍ以下の薄層チップも望
まれている。従って、薄層化された半導体ウェハであっ
ても破損することなく、生産性向上を図り得る半導体ウ
ェハの保護方法が望まれている。
高まっており、厚みが１００μｍ以下の薄層チップも望
まれている。従って、薄層化された半導体ウェハであっ
ても破損することなく、生産性向上を図り得る半導体ウ
ェハの保護方法が望まれている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、上記
問題を鑑み、半導体ウェハの厚みが１００μｍ以下に薄
層化された場合であっても、半導体ウェハの薄層加工に
起因した半導体ウェハの破損、薄層化した半導体ウェハ
を搬送する工程において半導体ウェハの反り、撓みに等
に起因した半導体ウェハの破損、及び半導体ウェハ表面
保護用粘着フィルムを剥離する際の半導体ウェハの破損
防止に有用である半導体ウェハ表面保護用粘着フィルム
及びそれを用いる半導体ウェハの保護方法を提供するこ
とにある。
問題を鑑み、半導体ウェハの厚みが１００μｍ以下に薄
層化された場合であっても、半導体ウェハの薄層加工に
起因した半導体ウェハの破損、薄層化した半導体ウェハ
を搬送する工程において半導体ウェハの反り、撓みに等
に起因した半導体ウェハの破損、及び半導体ウェハ表面
保護用粘着フィルムを剥離する際の半導体ウェハの破損
防止に有用である半導体ウェハ表面保護用粘着フィルム
及びそれを用いる半導体ウェハの保護方法を提供するこ
とにある。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明者らは、鋭意検討
した結果、粘着フィルムの基材フィルム層を多層構造と
し、その内の少なくとも２層を特定の貯蔵弾性率
（Ｅ’）を有する高弾性フィルムで形成し、且つ、該高
弾性フィルム各層の厚み及び合計厚み、並びに、基材フ
ィルムの厚みを特定の範囲に限定することにより、上記
課題が解決できることを見出し、本発明に至った。
した結果、粘着フィルムの基材フィルム層を多層構造と
し、その内の少なくとも２層を特定の貯蔵弾性率
（Ｅ’）を有する高弾性フィルムで形成し、且つ、該高
弾性フィルム各層の厚み及び合計厚み、並びに、基材フ
ィルムの厚みを特定の範囲に限定することにより、上記
課題が解決できることを見出し、本発明に至った。
【０００６】すなわち、本発明は、基材フィルム層の片
表面に粘着剤層が形成された半導体ウェハ表面保護用粘
着フィルムであって、基材フィルム層が、貯蔵弾性率
（Ｅ’）が１×１０8〜１×１０10Ｐａ、厚みが１０〜
１００μｍである高弾性フィルム層を少なくとも２層有
し、該高弾性フィルム層の合計厚みが少なくとも１００
μｍであり、且つ、基材フィルム層の総厚みが１００〜
１０００μｍであることを特徴とする半導体ウェハ表面
保護用粘着フィルムである。
表面に粘着剤層が形成された半導体ウェハ表面保護用粘
着フィルムであって、基材フィルム層が、貯蔵弾性率
（Ｅ’）が１×１０8〜１×１０10Ｐａ、厚みが１０〜
１００μｍである高弾性フィルム層を少なくとも２層有
し、該高弾性フィルム層の合計厚みが少なくとも１００
μｍであり、且つ、基材フィルム層の総厚みが１００〜
１０００μｍであることを特徴とする半導体ウェハ表面
保護用粘着フィルムである。
【０００７】また、本発明の他の発明は、前記半導体ウ
ェハ表面保護用粘着フィルムを用いる半導体ウェハの保
護方法であって、半導体ウェハ表面保護用粘着フィルム
をその粘着剤層を介して半導体ウェハの回路形成面に貼
着して、半導体ウェハの回路非形成面に対して裏面加工
を施し、次いで、半導体ウェハ表面保護用粘着フィルム
を剥離することを特徴とする半導体ウェハの保護方法で
ある。
ェハ表面保護用粘着フィルムを用いる半導体ウェハの保
護方法であって、半導体ウェハ表面保護用粘着フィルム
をその粘着剤層を介して半導体ウェハの回路形成面に貼
着して、半導体ウェハの回路非形成面に対して裏面加工
を施し、次いで、半導体ウェハ表面保護用粘着フィルム
を剥離することを特徴とする半導体ウェハの保護方法で
ある。
【０００８】本発明の特徴は、半導体ウェハ表面保護用
粘着フィルムの基材フィルム層が多層構造であり、その
内の少なくとも２層が貯蔵弾性率（Ｅ’）が１×１０8
〜１×１０10Ｐａである高弾性フィルムで形成される
点、該高弾性フィルム各層の厚みが１０〜１００μｍで
あり、その合計厚みが少なくとも１００μｍである点、
及び、基材フィルム層の総厚みが１００〜１０００μｍ
である点にある。
粘着フィルムの基材フィルム層が多層構造であり、その
内の少なくとも２層が貯蔵弾性率（Ｅ’）が１×１０8
〜１×１０10Ｐａである高弾性フィルムで形成される
点、該高弾性フィルム各層の厚みが１０〜１００μｍで
あり、その合計厚みが少なくとも１００μｍである点、
及び、基材フィルム層の総厚みが１００〜１０００μｍ
である点にある。
【０００９】本発明によれば、半導体ウェハの厚みが１
００μｍ以下に薄層化された場合であっても、半導体ウ
ェハの回路形成面（以下、表面という）に半導体ウェハ
表面保護用粘着フィルムを貼り付ける工程、半導体ウェ
ハの回路非形成面（以下、裏面という）を加工する工
程、半導体ウェハ表面保護用粘着フィルムを剥離する一
連の工程において、半導体ウェハ表面保護用粘着フィル
ムを貼り付け後、半導体ウェハの裏面を加工する工程に
おいて、薄層化に伴い半導体ウェハ自身の強度低下によ
る半導体ウェハの破損、薄層化した半導体ウェハを裏面
加工する工程から半導体ウェハ表面保護用粘着フィルム
を剥離する工程までに搬送する間、薄層化した半導体ウ
ェハの反りまたは撓みによる半導体ウェハの破損、及び
半導体ウェハ表面保護用粘着フィルムを剥離する際の半
導体ウェハの破損など、一連の工程における半導体ウェ
ハの破損を防止できる効果を奏するのである。
００μｍ以下に薄層化された場合であっても、半導体ウ
ェハの回路形成面（以下、表面という）に半導体ウェハ
表面保護用粘着フィルムを貼り付ける工程、半導体ウェ
ハの回路非形成面（以下、裏面という）を加工する工
程、半導体ウェハ表面保護用粘着フィルムを剥離する一
連の工程において、半導体ウェハ表面保護用粘着フィル
ムを貼り付け後、半導体ウェハの裏面を加工する工程に
おいて、薄層化に伴い半導体ウェハ自身の強度低下によ
る半導体ウェハの破損、薄層化した半導体ウェハを裏面
加工する工程から半導体ウェハ表面保護用粘着フィルム
を剥離する工程までに搬送する間、薄層化した半導体ウ
ェハの反りまたは撓みによる半導体ウェハの破損、及び
半導体ウェハ表面保護用粘着フィルムを剥離する際の半
導体ウェハの破損など、一連の工程における半導体ウェ
ハの破損を防止できる効果を奏するのである。
【００１０】
【発明の実施の形態】以下、本発明について詳細に説明
する。先ず、本発明に係わる半導体ウェハ表面保護用粘
着フィルムについて説明する。本発明の半導体ウェハ表
面保護用粘着フィルムは、基材フィルムを作成した後、
その片面に粘着剤層を形成することにより製造される。
通常、粘着剤層の表面に剥離フィルムが貼着される。剥
離フィルムを剥離したときに露出する粘着剤層の表面を
介して半導体ウェハ表面に貼着されることを考慮し、粘
着剤層による半導体ウェハ表面の汚染防止を図るために
は、剥離フィルムの片面に、粘着剤塗布液を塗布、乾燥
して粘着剤層を形成した後、得られた粘着剤層を基材フ
ィルムの片面に転写する方法が好ましい。
する。先ず、本発明に係わる半導体ウェハ表面保護用粘
着フィルムについて説明する。本発明の半導体ウェハ表
面保護用粘着フィルムは、基材フィルムを作成した後、
その片面に粘着剤層を形成することにより製造される。
通常、粘着剤層の表面に剥離フィルムが貼着される。剥
離フィルムを剥離したときに露出する粘着剤層の表面を
介して半導体ウェハ表面に貼着されることを考慮し、粘
着剤層による半導体ウェハ表面の汚染防止を図るために
は、剥離フィルムの片面に、粘着剤塗布液を塗布、乾燥
して粘着剤層を形成した後、得られた粘着剤層を基材フ
ィルムの片面に転写する方法が好ましい。
【００１１】本発明に係わる半導体ウェハ表面保護用粘
着フィルム（以下、粘着フィルムという）の基材フィル
ムは、高弾性フィルム層を少なくとも２層有する。半導
体ウェハ表面に粘着フィルムを貼着、剥離等する際の作
業性、半導体ウェハの保護性能等を考慮すると、高弾性
フィルム層は、貯蔵弾性率（Ｅ’）が１×１０8〜１×
１０10Ｐａであることが好ましい。また、高弾性フィル
ム層の厚みも、半導体ウェハ表面に対し貼着、剥離等す
る際の作業性、半導体ウェハの保護性能等に影響を及ぼ
す。高弾性フィルム層の各層の厚みが厚過ぎると、半導
体ウェハの表面に粘着フィルムを貼着する際の作業性、
及び半導体ウェハの保護性能が低下する。特に、半導体
ウェハの表面に粘着フィルムを貼着した後、ウェハの外
周からはみだした余剰部分の切断が困難となる。
着フィルム（以下、粘着フィルムという）の基材フィル
ムは、高弾性フィルム層を少なくとも２層有する。半導
体ウェハ表面に粘着フィルムを貼着、剥離等する際の作
業性、半導体ウェハの保護性能等を考慮すると、高弾性
フィルム層は、貯蔵弾性率（Ｅ’）が１×１０8〜１×
１０10Ｐａであることが好ましい。また、高弾性フィル
ム層の厚みも、半導体ウェハ表面に対し貼着、剥離等す
る際の作業性、半導体ウェハの保護性能等に影響を及ぼ
す。高弾性フィルム層の各層の厚みが厚過ぎると、半導
体ウェハの表面に粘着フィルムを貼着する際の作業性、
及び半導体ウェハの保護性能が低下する。特に、半導体
ウェハの表面に粘着フィルムを貼着した後、ウェハの外
周からはみだした余剰部分の切断が困難となる。
【００１２】また、半導体ウェハ表面に貼着する際に
は、フィルムの硬さに起因したテープ浮きとなる貼着不
良や、半導体ウェハ表面から剥離する際には、同様にフ
ィルムの硬さに起因して、粘着フィルムを剥離する剥が
しテープでのピックが困難となる剥離不良となり、作業
性が著しく低下する原因となる。逆に、高弾性フィルム
層の各層の厚みが薄過ぎると、粘着力とフィルム厚みと
の相関からフィルム厚みが薄くなる程、粘着力が上昇す
る傾向がある。そのため、粘着フィルムを半導体ウェハ
から剥離する際には、粘着力の上昇により粘着フィルム
の剥離不良が生じ、半導体ウェハを破損する等、半導体
ウェハの保護性能が低下する。
は、フィルムの硬さに起因したテープ浮きとなる貼着不
良や、半導体ウェハ表面から剥離する際には、同様にフ
ィルムの硬さに起因して、粘着フィルムを剥離する剥が
しテープでのピックが困難となる剥離不良となり、作業
性が著しく低下する原因となる。逆に、高弾性フィルム
層の各層の厚みが薄過ぎると、粘着力とフィルム厚みと
の相関からフィルム厚みが薄くなる程、粘着力が上昇す
る傾向がある。そのため、粘着フィルムを半導体ウェハ
から剥離する際には、粘着力の上昇により粘着フィルム
の剥離不良が生じ、半導体ウェハを破損する等、半導体
ウェハの保護性能が低下する。
【００１３】かかる観点から、高弾性フィルム層の各層
の厚みは、１０〜１００μｍ、合計厚みは１００μｍ以
上であることが好ましい。高弾性フィルム層の合計厚み
の上限は、５００μｍ程度である。より好ましくは、３
００μｍ程度である。また、半導体ウェハに対する充分
な保護性能を発現させることを考慮すると、基材フィル
ムは少なくとも２層の高弾性フィルム層を有することが
好ましい。
の厚みは、１０〜１００μｍ、合計厚みは１００μｍ以
上であることが好ましい。高弾性フィルム層の合計厚み
の上限は、５００μｍ程度である。より好ましくは、３
００μｍ程度である。また、半導体ウェハに対する充分
な保護性能を発現させることを考慮すると、基材フィル
ムは少なくとも２層の高弾性フィルム層を有することが
好ましい。
【００１４】高弾性フィルムとしては、ポリエチレンテ
レフタレート、ポリエチレンナフタレート等のポリエス
テル、ポリイミド、ポリエーテルイミド、ポリエーテル
エーテルケトン、ポリエーテルスルフォン等、及びこれ
らの混合樹脂から成形された樹脂フィルムが挙げられ
る。これらの内、ポリエチレンテレフタレートフィルム
が好ましい。代表的市販品として、帝人デュポン（株）
製、商品名：テオネックス、三菱化学（株）製、商品
名：トーロン４２０３Ｌ、ＩＣＩ社製、商品名：４５
Ｇ、ＩＣＩ社製、商品名：２００Ｐ等、東レ（株）製、
商品名：トレリナやミクトロン等、三菱樹脂（株）製、
商品名：スペリオ等、住友ベークライト（株）製、商品
名：スミライト等が挙げられる。
レフタレート、ポリエチレンナフタレート等のポリエス
テル、ポリイミド、ポリエーテルイミド、ポリエーテル
エーテルケトン、ポリエーテルスルフォン等、及びこれ
らの混合樹脂から成形された樹脂フィルムが挙げられ
る。これらの内、ポリエチレンテレフタレートフィルム
が好ましい。代表的市販品として、帝人デュポン（株）
製、商品名：テオネックス、三菱化学（株）製、商品
名：トーロン４２０３Ｌ、ＩＣＩ社製、商品名：４５
Ｇ、ＩＣＩ社製、商品名：２００Ｐ等、東レ（株）製、
商品名：トレリナやミクトロン等、三菱樹脂（株）製、
商品名：スペリオ等、住友ベークライト（株）製、商品
名：スミライト等が挙げられる。
【００１５】半導体ウェハの裏面研削時の保護性能を高
める目的で高弾性フィルムの他に低弾性率の樹脂からな
る低弾性フィルムの少なくとも１層を積層してもよい。
これらの低弾性フィルム層の片表面に粘着剤層を形成す
ることが好ましい。低弾性フィルム層は、貯蔵弾性率
（Ｅ’）が１×１０5〜１×１０8Ｐａ、各層の厚みが１
０〜３００μｍであることが好ましい。低弾性フィルム
層としては、エチレン−酢酸ビニル共重合体、エチレン
−アルキルアクリレート共重合体（アルキル基の炭素数
１〜４）、低密度ポリエチレン、エチレン−α−オレフ
ィン共重合体（α−オレフィンの炭素数３〜８）等から
成形された樹脂フィルムが挙げられる。これらの内、エ
チレン−酢酸ビニル共重合体フィルムが好ましい。更に
好ましくは、酢酸ビニル単位の含有量が５〜５０重量％
程度のエチレン−酢酸ビニル共重合体フィルムである。
める目的で高弾性フィルムの他に低弾性率の樹脂からな
る低弾性フィルムの少なくとも１層を積層してもよい。
これらの低弾性フィルム層の片表面に粘着剤層を形成す
ることが好ましい。低弾性フィルム層は、貯蔵弾性率
（Ｅ’）が１×１０5〜１×１０8Ｐａ、各層の厚みが１
０〜３００μｍであることが好ましい。低弾性フィルム
層としては、エチレン−酢酸ビニル共重合体、エチレン
−アルキルアクリレート共重合体（アルキル基の炭素数
１〜４）、低密度ポリエチレン、エチレン−α−オレフ
ィン共重合体（α−オレフィンの炭素数３〜８）等から
成形された樹脂フィルムが挙げられる。これらの内、エ
チレン−酢酸ビニル共重合体フィルムが好ましい。更に
好ましくは、酢酸ビニル単位の含有量が５〜５０重量％
程度のエチレン−酢酸ビニル共重合体フィルムである。
【００１６】基材フィルムの代表的な製造方法として、
低弾性フィルムを押出機で押出成形しながら、予め用意
しておいた高弾性フィルムとラミネートする方法が挙げ
られる。低弾性フィルムと高弾性フィルムとの接着力を
高めるために両者の間に新たに接着層を設けてもよい。
基材フィルムと粘着剤層の接着力を高めるために、粘着
剤層を設ける面にはコロナ放電処理または化学処理等を
施すことが好ましい。基材フィルム全体の厚みは１００
〜１０００μｍが好ましい。高弾性フィルムと低弾性フ
ィルムを積層する場合は、前者の層の厚みは１０〜１０
０μｍ程度、後者の厚みは１０〜３００μｍ程度が好ま
しい。低弾性フィルム層は、その柔軟性により、ウェハ
表面の段差を吸収し、半導体ウェハの裏面研削加工にお
ける破損を防ぐ効果を奏する。
低弾性フィルムを押出機で押出成形しながら、予め用意
しておいた高弾性フィルムとラミネートする方法が挙げ
られる。低弾性フィルムと高弾性フィルムとの接着力を
高めるために両者の間に新たに接着層を設けてもよい。
基材フィルムと粘着剤層の接着力を高めるために、粘着
剤層を設ける面にはコロナ放電処理または化学処理等を
施すことが好ましい。基材フィルム全体の厚みは１００
〜１０００μｍが好ましい。高弾性フィルムと低弾性フ
ィルムを積層する場合は、前者の層の厚みは１０〜１０
０μｍ程度、後者の厚みは１０〜３００μｍ程度が好ま
しい。低弾性フィルム層は、その柔軟性により、ウェハ
表面の段差を吸収し、半導体ウェハの裏面研削加工にお
ける破損を防ぐ効果を奏する。
【００１７】本発明に係わる粘着フィルムは、上記の通
り、基材フィルム層が、特定の厚み、及び貯蔵弾性率を
有する少なくとも２層の高弾性フィルム層から形成され
ていることに特徴がある。好ましくは、少なくとも２層
の高弾性フィルム層に、更に少なくとも１層の低弾性フ
ィルムを積層して、基材フィルムを形成する。基材フィ
ルムをかかる層構成とする方法として、次の方法が挙げ
られる。
り、基材フィルム層が、特定の厚み、及び貯蔵弾性率を
有する少なくとも２層の高弾性フィルム層から形成され
ていることに特徴がある。好ましくは、少なくとも２層
の高弾性フィルム層に、更に少なくとも１層の低弾性フ
ィルムを積層して、基材フィルムを形成する。基材フィ
ルムをかかる層構成とする方法として、次の方法が挙げ
られる。
【００１８】（１）少なくとも２層の高弾性フィルムを
積層して基材フィルムを作成し、その片表面に粘着剤層
を形成する方法。高弾性フィルム同志を積層する際に
は、粘着剤を用いても良いし、熱融着しても良い。
（２）前項の高弾性フィルム同士の積層フィルムに少な
くとも１層の低弾性フィルムを積層して基材フィルムを
形成し、いずれか一方の片表面に粘着剤層を形成する方
法。この場合、低弾性フィルム側の表面に粘着剤層を形
成することが好ましい。（３）予め、高弾性フィルム、
及び低弾性フィルムのそれぞれの片表面に粘着剤層を形
成して粘着フィルムを作成し、高弾性フィルム層が少な
くとも２層となるようにそれらを積層する方法。この場
合の積層方法は、一方の粘着フィルムの粘着剤層を他方
の粘着フィルムの粘着剤層非形成面に貼り合わせる方法
が推奨される。
積層して基材フィルムを作成し、その片表面に粘着剤層
を形成する方法。高弾性フィルム同志を積層する際に
は、粘着剤を用いても良いし、熱融着しても良い。
（２）前項の高弾性フィルム同士の積層フィルムに少な
くとも１層の低弾性フィルムを積層して基材フィルムを
形成し、いずれか一方の片表面に粘着剤層を形成する方
法。この場合、低弾性フィルム側の表面に粘着剤層を形
成することが好ましい。（３）予め、高弾性フィルム、
及び低弾性フィルムのそれぞれの片表面に粘着剤層を形
成して粘着フィルムを作成し、高弾性フィルム層が少な
くとも２層となるようにそれらを積層する方法。この場
合の積層方法は、一方の粘着フィルムの粘着剤層を他方
の粘着フィルムの粘着剤層非形成面に貼り合わせる方法
が推奨される。
【００１９】（３）の方法の最も好ましい方法は、半導
体ウェハの表面に粘着フィルムを貼着しながら積層する
方法である。具体的には、先ず、低弾性フィルムの片表
面に粘着剤層が形成された粘着フィルムを、その粘着剤
層を介して半導体ウェハの表面に貼着する。次いで、貼
着された粘着フィルムの表面（粘着剤層非形成面）に、
高弾性フィルムの片表面に粘着剤層が形成された粘着フ
ィルムを順次少なくとも２枚、それらの粘着剤層を介し
て積層する方法が挙げられる。
体ウェハの表面に粘着フィルムを貼着しながら積層する
方法である。具体的には、先ず、低弾性フィルムの片表
面に粘着剤層が形成された粘着フィルムを、その粘着剤
層を介して半導体ウェハの表面に貼着する。次いで、貼
着された粘着フィルムの表面（粘着剤層非形成面）に、
高弾性フィルムの片表面に粘着剤層が形成された粘着フ
ィルムを順次少なくとも２枚、それらの粘着剤層を介し
て積層する方法が挙げられる。
【００２０】本発明に係わる粘着フィルムの粘着剤層を
形成する粘着剤は、アクリル系粘着剤、シリコン系粘着
剤が好ましい。その厚みは３〜１００μｍであることが
好ましい。粘着フィルム剥離時には、半導体ウェハの回
路形成面上を汚染していないことが好ましい。特に、半
導体ウェハの裏面を加工する上で、研削熱やその他の裏
面加工処理による発熱により、粘着力が大きくなり過ぎ
ないように、また、汚染性が増加しないように、反応性
官能基を有する架橋剤、過酸化物、放射線等により高密
度に架橋されたものであることが好ましい。粘着力の上
昇に伴う剥離不良及び糊残りが発生しないように、１５
０℃における貯蔵弾性率が少なくとも１×１０5Ｐａで
あることが好ましい。更に、２００℃における貯蔵弾性
率が少なくとも１×１０5Ｐａであることが好ましい。
形成する粘着剤は、アクリル系粘着剤、シリコン系粘着
剤が好ましい。その厚みは３〜１００μｍであることが
好ましい。粘着フィルム剥離時には、半導体ウェハの回
路形成面上を汚染していないことが好ましい。特に、半
導体ウェハの裏面を加工する上で、研削熱やその他の裏
面加工処理による発熱により、粘着力が大きくなり過ぎ
ないように、また、汚染性が増加しないように、反応性
官能基を有する架橋剤、過酸化物、放射線等により高密
度に架橋されたものであることが好ましい。粘着力の上
昇に伴う剥離不良及び糊残りが発生しないように、１５
０℃における貯蔵弾性率が少なくとも１×１０5Ｐａで
あることが好ましい。更に、２００℃における貯蔵弾性
率が少なくとも１×１０5Ｐａであることが好ましい。
【００２１】本発明に用いるアクリル系粘着剤の製造方
法を例示する。粘着剤層は、（メタ）アクリル酸アルキ
ルエステルモノマー単位（Ａ）、架橋剤と反応し得る官
能基を有するモノマー単位（Ｂ）、２官能性モノマー単
位（Ｃ）をそれぞれ特定量含む乳化重合共重合体のアク
リル系粘着剤、並びに、凝集力を上げたり、粘着力を調
整するための、官能基を１分子中に２個以上有する架橋
剤を含む溶液またはエマルション液を用いて形成する。
溶液で使用する場合は、乳化重合で得られたエマルショ
ン液からアクリル系粘着剤を塩析等で分離した後、溶剤
等で再溶解して使用する。本発明に用いるアクリル系粘
着剤は分子量が充分に大きく、溶剤への溶解性が低く、
若しくは溶解しない場合が多いので、コスト的な観点か
ら鑑みても、エマルション液のまま使用することが好ま
しい。
法を例示する。粘着剤層は、（メタ）アクリル酸アルキ
ルエステルモノマー単位（Ａ）、架橋剤と反応し得る官
能基を有するモノマー単位（Ｂ）、２官能性モノマー単
位（Ｃ）をそれぞれ特定量含む乳化重合共重合体のアク
リル系粘着剤、並びに、凝集力を上げたり、粘着力を調
整するための、官能基を１分子中に２個以上有する架橋
剤を含む溶液またはエマルション液を用いて形成する。
溶液で使用する場合は、乳化重合で得られたエマルショ
ン液からアクリル系粘着剤を塩析等で分離した後、溶剤
等で再溶解して使用する。本発明に用いるアクリル系粘
着剤は分子量が充分に大きく、溶剤への溶解性が低く、
若しくは溶解しない場合が多いので、コスト的な観点か
ら鑑みても、エマルション液のまま使用することが好ま
しい。
【００２２】本発明に用いるアクリル系粘着剤は、アク
リル酸アルキルエステル、メタクリル酸アルキルエステ
ル、又はこれらの混合物を主モノマー〔以下、モノマー
（Ａ）〕として、架橋剤と反応し得る官能基を有するコ
モノマーを含むモノマー混合物を共重合して得られる。
リル酸アルキルエステル、メタクリル酸アルキルエステ
ル、又はこれらの混合物を主モノマー〔以下、モノマー
（Ａ）〕として、架橋剤と反応し得る官能基を有するコ
モノマーを含むモノマー混合物を共重合して得られる。
【００２３】モノマー（Ａ）としては、炭素数１〜１２
程度のアルキル基を有するアクリル酸アルキルエステル
又はメタアクリル酸アルキルエステル〔以下、これらの
総称して、（メタ）アクリル酸アルキルエステルとい
う〕が挙げられる。好ましくは、炭素数１〜８のアルキ
ル基を有する（メタ）アクリル酸アルキルエステルであ
る。具体的には、アクリル酸メチル、メタクリル酸メチ
ル、アクリル酸エチル、メタクリル酸エチル、アクリル
酸ブチル、メタクリル酸ブチル、アクリル酸−２−エチ
ルヘキシル等が挙げられる。これらは単独で使用して
も、また、２種以上を混合して使用してもよい。
程度のアルキル基を有するアクリル酸アルキルエステル
又はメタアクリル酸アルキルエステル〔以下、これらの
総称して、（メタ）アクリル酸アルキルエステルとい
う〕が挙げられる。好ましくは、炭素数１〜８のアルキ
ル基を有する（メタ）アクリル酸アルキルエステルであ
る。具体的には、アクリル酸メチル、メタクリル酸メチ
ル、アクリル酸エチル、メタクリル酸エチル、アクリル
酸ブチル、メタクリル酸ブチル、アクリル酸−２−エチ
ルヘキシル等が挙げられる。これらは単独で使用して
も、また、２種以上を混合して使用してもよい。
【００２４】モノマー（Ａ）の使用量は、粘着剤の原料
となる全モノマーの総量中に、通常、１０〜９８．９重
量％の範囲で含ませることが好ましい。更に好ましくは
８５〜９５重量％である。モノマー（Ａ）の使用量をか
かる範囲とすることにより、（メタ）アクリル酸アルキ
ルエステルモノマー単位（Ａ）１０〜９８．９重量％、
好ましくは８５〜９５重量％を含むポリマーが得られ
る。
となる全モノマーの総量中に、通常、１０〜９８．９重
量％の範囲で含ませることが好ましい。更に好ましくは
８５〜９５重量％である。モノマー（Ａ）の使用量をか
かる範囲とすることにより、（メタ）アクリル酸アルキ
ルエステルモノマー単位（Ａ）１０〜９８．９重量％、
好ましくは８５〜９５重量％を含むポリマーが得られ
る。
【００２５】架橋剤と反応し得る官能基を有するモノマ
ー単位（Ｂ）を形成するモノマー（Ｂ）としては、アク
リル酸、メタクリル酸、イタコン酸、メサコン酸、シト
ラコン酸、フマル酸、マレイン酸、イタコン酸モノアル
キルエステル、メサコン酸モノアルキルエステル、シト
ラコン酸モノアルキルエステル、フマル酸モノアルキル
エステル、マレイン酸モノアルキルエステル、アクリル
酸グリシジル、メタクリル酸グリシジル、アクリル酸−
２−ヒドロキシエチル、メタクリル酸−２−ヒドロキシ
エチル、アクリルアミド、メタクリルアミド、ターシャ
ル−ブチルアミノエチルアクリレート、ターシャル−ブ
チルアミノエチルメタクリレート等が挙げられる。好ま
しくは、アクリル酸、メタクリル酸、アクリル酸−２−
ヒドロキシエチル、メタクリル酸−２−ヒドロキシエチ
ル、アクリルアミド、メタクリルアミド等が挙げられ
る。これらの一種を上記主モノマーと共重合させてもよ
いし、また２種以上を共重合させてもよい。
ー単位（Ｂ）を形成するモノマー（Ｂ）としては、アク
リル酸、メタクリル酸、イタコン酸、メサコン酸、シト
ラコン酸、フマル酸、マレイン酸、イタコン酸モノアル
キルエステル、メサコン酸モノアルキルエステル、シト
ラコン酸モノアルキルエステル、フマル酸モノアルキル
エステル、マレイン酸モノアルキルエステル、アクリル
酸グリシジル、メタクリル酸グリシジル、アクリル酸−
２−ヒドロキシエチル、メタクリル酸−２−ヒドロキシ
エチル、アクリルアミド、メタクリルアミド、ターシャ
ル−ブチルアミノエチルアクリレート、ターシャル−ブ
チルアミノエチルメタクリレート等が挙げられる。好ま
しくは、アクリル酸、メタクリル酸、アクリル酸−２−
ヒドロキシエチル、メタクリル酸−２−ヒドロキシエチ
ル、アクリルアミド、メタクリルアミド等が挙げられ
る。これらの一種を上記主モノマーと共重合させてもよ
いし、また２種以上を共重合させてもよい。
【００２６】架橋剤と反応し得る官能基を有するモノマ
ー（Ｂ）の使用量は、粘着剤の原料となる全モノマーの
総量中に、通常、１〜４０重量％の範囲で含まれている
ことが好ましい。更に好ましくは、１〜１０重量％であ
る。而して、モノマー組成とほぼ等しい組成の構成単位
（Ｂ）を有するポリマーが得られる。
ー（Ｂ）の使用量は、粘着剤の原料となる全モノマーの
総量中に、通常、１〜４０重量％の範囲で含まれている
ことが好ましい。更に好ましくは、１〜１０重量％であ
る。而して、モノマー組成とほぼ等しい組成の構成単位
（Ｂ）を有するポリマーが得られる。
【００２７】更に、本発明では、粘着剤層が半導体ウェ
ハの加工工程での半導体ウェハの裏面加工時やダイボン
ディング用接着フィルム貼着時の温度条件下でも、粘着
剤として充分機能するように、粘着力や剥離性を調整す
る方策として、エマルション粒子の凝集力を維持する為
に粒子バルクの架橋方式も考慮することが好ましい。
ハの加工工程での半導体ウェハの裏面加工時やダイボン
ディング用接着フィルム貼着時の温度条件下でも、粘着
剤として充分機能するように、粘着力や剥離性を調整す
る方策として、エマルション粒子の凝集力を維持する為
に粒子バルクの架橋方式も考慮することが好ましい。
【００２８】エマルション粒子に対しては、１５０〜２
００℃の温度条件下でも、少なくとも１×１０5Ｐａの
貯蔵弾性率を有する為に、２官能モノマー（Ｃ）を共重
合することによって凝集力を維持するように架橋するこ
とが好ましい。かかる点を考慮すると、良好に共重合す
るモノマーとして、メタクリル酸アリル、アクリル酸ア
リル、ジビニルベンゼン、メタクリル酸ビニル、アクリ
ル酸ビニル等が挙げられる。その他、代表的市販品とし
ては、例えば、両末端がジアクリレートまたはジメタク
リレートで主鎖の構造がプロピレングリコール型〔日本
油脂（株）製、商品名；ＰＤＰ−２００、同ＰＤＰ−４
００、同ＡＤＰ−２００、同ＡＤＰ-４００〕、テトラ
メチレングリコール型〔日本油脂（株）製、商品名；Ａ
ＤＴ‐２５０、同ＡＤＴ‐８５０〕及びこれらの混合型
〔日本油脂（株）製、商品名：ＡＤＥＴ‐１８００、同
ＡＤＰＴ−４０００〕等が挙げられる。
００℃の温度条件下でも、少なくとも１×１０5Ｐａの
貯蔵弾性率を有する為に、２官能モノマー（Ｃ）を共重
合することによって凝集力を維持するように架橋するこ
とが好ましい。かかる点を考慮すると、良好に共重合す
るモノマーとして、メタクリル酸アリル、アクリル酸ア
リル、ジビニルベンゼン、メタクリル酸ビニル、アクリ
ル酸ビニル等が挙げられる。その他、代表的市販品とし
ては、例えば、両末端がジアクリレートまたはジメタク
リレートで主鎖の構造がプロピレングリコール型〔日本
油脂（株）製、商品名；ＰＤＰ−２００、同ＰＤＰ−４
００、同ＡＤＰ−２００、同ＡＤＰ-４００〕、テトラ
メチレングリコール型〔日本油脂（株）製、商品名；Ａ
ＤＴ‐２５０、同ＡＤＴ‐８５０〕及びこれらの混合型
〔日本油脂（株）製、商品名：ＡＤＥＴ‐１８００、同
ＡＤＰＴ−４０００〕等が挙げられる。
【００２９】２官能モノマー（Ｃ）を乳化共重合する場
合、その使用量は、全モノマー中に０．１〜３０重量％
含むことが好ましい。更に好ましくは０．１〜５重量％
である。而して、モノマー組成とほぼ等しい組成の構成
単位（Ｃ）を有するポリマーが得られる。
合、その使用量は、全モノマー中に０．１〜３０重量％
含むことが好ましい。更に好ましくは０．１〜５重量％
である。而して、モノマー組成とほぼ等しい組成の構成
単位（Ｃ）を有するポリマーが得られる。
【００３０】本発明において、上記粘着剤を構成する主
モノマー及び架橋剤と反応し得る官能基を有するコモノ
マーの他に、界面活性剤としての性質を有する特定のコ
モノマー（以下、重合性界面活性剤と称する）を共重合
してもよい。重合性界面活性剤は、主モノマー及びコモ
ノマーと共重合する性質を有すると共に、乳化重合する
場合には乳化剤としての作用を有する。重合性界面活性
剤を用いて乳化重合したアクリル系粘着剤を用いた場合
には、通常界面活性剤によるウェハ表面に対する汚染が
生じない。また、粘着剤層に起因する僅かな汚染が生じ
た場合においても、ウェハ表面を水洗することにより容
易に除去することが可能となる。
モノマー及び架橋剤と反応し得る官能基を有するコモノ
マーの他に、界面活性剤としての性質を有する特定のコ
モノマー（以下、重合性界面活性剤と称する）を共重合
してもよい。重合性界面活性剤は、主モノマー及びコモ
ノマーと共重合する性質を有すると共に、乳化重合する
場合には乳化剤としての作用を有する。重合性界面活性
剤を用いて乳化重合したアクリル系粘着剤を用いた場合
には、通常界面活性剤によるウェハ表面に対する汚染が
生じない。また、粘着剤層に起因する僅かな汚染が生じ
た場合においても、ウェハ表面を水洗することにより容
易に除去することが可能となる。
【００３１】このような重合性界面活性剤の例として
は、例えば、ポリオキシエチレンノニルフェニルエーテ
ルのベンゼン環に重合性の１−プロペニル基を導入した
もの〔第一工業製薬（株）製；商品名：アクアロンＲＮ
−１０、同ＲＮ−２０、同ＲＮ−３０、同ＲＮ−５０
等〕、ポリオキシエチレンノニルフェニルエーテルの硫
酸エステルのアンモニウム塩のベンゼン環に重合性の１
−プロペニル基を導入したもの〔第一工業製薬（株）
製；商品名：アクアロンＨＳ−１０、同ＨＳ−２０
等〕、及び分子内に重合性二重結合を持つ、スルホコハ
ク酸ジエステル系〔花王（株）製；商品名：ラテムルＳ
−１２０Ａ、同Ｓ−１８０Ａ等〕等が挙げられる。更に
必要に応じて、酢酸ビニル、アクリロニトリル、スチレ
ン等の重合性２重結合を有するモノマーを共重合しても
よい。
は、例えば、ポリオキシエチレンノニルフェニルエーテ
ルのベンゼン環に重合性の１−プロペニル基を導入した
もの〔第一工業製薬（株）製；商品名：アクアロンＲＮ
−１０、同ＲＮ−２０、同ＲＮ−３０、同ＲＮ−５０
等〕、ポリオキシエチレンノニルフェニルエーテルの硫
酸エステルのアンモニウム塩のベンゼン環に重合性の１
−プロペニル基を導入したもの〔第一工業製薬（株）
製；商品名：アクアロンＨＳ−１０、同ＨＳ−２０
等〕、及び分子内に重合性二重結合を持つ、スルホコハ
ク酸ジエステル系〔花王（株）製；商品名：ラテムルＳ
−１２０Ａ、同Ｓ−１８０Ａ等〕等が挙げられる。更に
必要に応じて、酢酸ビニル、アクリロニトリル、スチレ
ン等の重合性２重結合を有するモノマーを共重合しても
よい。
【００３２】アクリル系粘着剤の重合反応機構として
は、ラジカル重合、アニオン重合、カチオン重合等が挙
げられる。粘着剤の製造コスト、モノマーの官能基の影
響及び半導体ウェハ表面へのイオンの影響等を等慮すれ
ばラジカル重合によって重合することが好ましい。ラジ
カル重合反応によって重合する際、ラジカル重合開始剤
として、ベンゾイルパーオキサイド、アセチルパーオキ
サイド、イソブチリルパーオキサイド、オクタノイルパ
ーオキサイド、ジ−ターシャル−ブチルパーオキサイ
ド、ジ−ターシャル−アミルパーオキサイド等の有機過
酸化物、過硫酸アンモニウム、過硫酸カリウム、過硫酸
ナトリウム等の無機過酸化物、２，２’−アゾビスイソ
ブチロニトリル、２，２’−アゾビス−２−メチルブチ
ロニトリル、４，４’−アゾビス−４−シアノバレリッ
クアシッド等のアゾ化合物が挙げられる。
は、ラジカル重合、アニオン重合、カチオン重合等が挙
げられる。粘着剤の製造コスト、モノマーの官能基の影
響及び半導体ウェハ表面へのイオンの影響等を等慮すれ
ばラジカル重合によって重合することが好ましい。ラジ
カル重合反応によって重合する際、ラジカル重合開始剤
として、ベンゾイルパーオキサイド、アセチルパーオキ
サイド、イソブチリルパーオキサイド、オクタノイルパ
ーオキサイド、ジ−ターシャル−ブチルパーオキサイ
ド、ジ−ターシャル−アミルパーオキサイド等の有機過
酸化物、過硫酸アンモニウム、過硫酸カリウム、過硫酸
ナトリウム等の無機過酸化物、２，２’−アゾビスイソ
ブチロニトリル、２，２’−アゾビス−２−メチルブチ
ロニトリル、４，４’−アゾビス−４−シアノバレリッ
クアシッド等のアゾ化合物が挙げられる。
【００３３】乳化重合法により重合する場合には、これ
らのラジカル重合開始剤の中で、水溶性の過硫酸アンモ
ニウム、過硫酸カリウム、過硫酸ナトリウム等の無機過
酸化物、同じく水溶性の４，４’−アゾビス−４−シア
ノバレリックアシッド等の分子内にカルボキシル基を持
ったアゾ化合物が好ましい。半導体ウェハ表面へのイオ
ンの影響を考慮すれば、過硫酸アンモニウム、４，４’
−アゾビス−４−シアノバレリックアシッド等の分子内
にカルボキシル基を有するアゾ化合物が更に好ましい。
４，４’−アゾビス−４−シアノバレリックアシッド等
の分子内にカルボキシル基を有するアゾ化合物が特に好
ましい。
らのラジカル重合開始剤の中で、水溶性の過硫酸アンモ
ニウム、過硫酸カリウム、過硫酸ナトリウム等の無機過
酸化物、同じく水溶性の４，４’−アゾビス−４−シア
ノバレリックアシッド等の分子内にカルボキシル基を持
ったアゾ化合物が好ましい。半導体ウェハ表面へのイオ
ンの影響を考慮すれば、過硫酸アンモニウム、４，４’
−アゾビス−４−シアノバレリックアシッド等の分子内
にカルボキシル基を有するアゾ化合物が更に好ましい。
４，４’−アゾビス−４−シアノバレリックアシッド等
の分子内にカルボキシル基を有するアゾ化合物が特に好
ましい。
【００３４】本発明に用いる架橋性の官能基を１分子中
に２個以上有する架橋剤は、アクリル系粘着剤が有する
官能基と反応させ、粘着力及び凝集力を調整するために
用いる。架橋剤としては、ソルビトールポリグリシジル
エーテル、ポリグリセロールポリグリシジルエーテル、
ペンタエリスリトールポリグリシジルエーテル、ジグリ
セロールポリグリシジルエーテル、グリセロールポリグ
リシジルエーテル、ネオペンチルグリコールジグリシジ
ルエーテル、レソルシンジグリシジルエーテル等のエポ
キシ系化合物、テトラメチレンジイソシアネート、ヘキ
サメチレンジイソシアネート、トリメチロールプロパン
のトルエンジイソシアネート３付加物、ポリイソシアネ
ート等のイソシアネート系化合物、トリメチロールプロ
パン−トリ−β−アジリジニルプロピオネート、テトラ
メチロールメタン−トリ−β−アジリジニルプロピオネ
ート、Ｎ，Ｎ’−ジフェニルメタン−４，４’−ビス
（１−アジリジンカルボキシアミド）、Ｎ，Ｎ’−ヘキ
サメチレン−１，６−ビス（１−アジリジンカルボキシ
アミド）、Ｎ，Ｎ’−トルエン−２，４−ビス（１−ア
ジリジンカルボキシアミド）、トリメチロールプロパン
−トリ−β−（２−メチルアジリジン）プロピオネート
等のアジリジン系化合物、Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−テトラ
グリシジルｍ−キシレンジアミン、１，３−ビス（Ｎ，
Ｎ’−ジグリシジルアミノメチル）シクロヘキサンの４
官能性エポキシ系化合物及びヘキサメトキシメチロール
メラミン等のメラミン系化合物が挙げられる。これらは
単独で使用してもよいし、２種以上に対して併用しても
よい。
に２個以上有する架橋剤は、アクリル系粘着剤が有する
官能基と反応させ、粘着力及び凝集力を調整するために
用いる。架橋剤としては、ソルビトールポリグリシジル
エーテル、ポリグリセロールポリグリシジルエーテル、
ペンタエリスリトールポリグリシジルエーテル、ジグリ
セロールポリグリシジルエーテル、グリセロールポリグ
リシジルエーテル、ネオペンチルグリコールジグリシジ
ルエーテル、レソルシンジグリシジルエーテル等のエポ
キシ系化合物、テトラメチレンジイソシアネート、ヘキ
サメチレンジイソシアネート、トリメチロールプロパン
のトルエンジイソシアネート３付加物、ポリイソシアネ
ート等のイソシアネート系化合物、トリメチロールプロ
パン−トリ−β−アジリジニルプロピオネート、テトラ
メチロールメタン−トリ−β−アジリジニルプロピオネ
ート、Ｎ，Ｎ’−ジフェニルメタン−４，４’−ビス
（１−アジリジンカルボキシアミド）、Ｎ，Ｎ’−ヘキ
サメチレン−１，６−ビス（１−アジリジンカルボキシ
アミド）、Ｎ，Ｎ’−トルエン−２，４−ビス（１−ア
ジリジンカルボキシアミド）、トリメチロールプロパン
−トリ−β−（２−メチルアジリジン）プロピオネート
等のアジリジン系化合物、Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−テトラ
グリシジルｍ−キシレンジアミン、１，３−ビス（Ｎ，
Ｎ’−ジグリシジルアミノメチル）シクロヘキサンの４
官能性エポキシ系化合物及びヘキサメトキシメチロール
メラミン等のメラミン系化合物が挙げられる。これらは
単独で使用してもよいし、２種以上に対して併用しても
よい。
【００３５】架橋剤の含有量は、通常架橋剤中の官能基
数がアクリル系粘着剤中の官能基数よりも多くならない
程度の範囲で含有する。しかし、架橋反応で新たに官能
基が生じる場合や、架橋反応が遅い場合等、必要に応じ
て過剰に含有してもよい。好ましい含有量は、アクリル
系粘着剤１００重量部に対し、架橋剤０．１〜１５重量
部である。含有量が少ない場合、粘着剤層の凝集力が不
十分となり、１５０〜２００℃において、貯蔵弾性率が
１×１０5Ｐａ未満になり、耐熱特性が欠如の為、粘着
剤層に起因する糊残りを生じ易くなったり、粘着力が本
発明の範囲を外れて高くなり、粘着フィルムをウェハ表
面から剥離する際に自動剥がし機で剥離トラブルが発生
したり、ウェハを完全に破損したりする場合がある。含
有量が多い場合、粘着剤層とウェハ表面との密着力が弱
くなり、裏面研削工程中に水や研削屑が浸入してウェハ
を破損したり、研削屑によるウェハ表面の汚染が生じた
りすることがある。
数がアクリル系粘着剤中の官能基数よりも多くならない
程度の範囲で含有する。しかし、架橋反応で新たに官能
基が生じる場合や、架橋反応が遅い場合等、必要に応じ
て過剰に含有してもよい。好ましい含有量は、アクリル
系粘着剤１００重量部に対し、架橋剤０．１〜１５重量
部である。含有量が少ない場合、粘着剤層の凝集力が不
十分となり、１５０〜２００℃において、貯蔵弾性率が
１×１０5Ｐａ未満になり、耐熱特性が欠如の為、粘着
剤層に起因する糊残りを生じ易くなったり、粘着力が本
発明の範囲を外れて高くなり、粘着フィルムをウェハ表
面から剥離する際に自動剥がし機で剥離トラブルが発生
したり、ウェハを完全に破損したりする場合がある。含
有量が多い場合、粘着剤層とウェハ表面との密着力が弱
くなり、裏面研削工程中に水や研削屑が浸入してウェハ
を破損したり、研削屑によるウェハ表面の汚染が生じた
りすることがある。
【００３６】本発明に用いる粘着剤塗布液には、上記の
特定の２官能モノマーを共重合したアクリル系粘着剤、
架橋剤の他に粘着特性を調整するためにロジン系、テル
ペン樹脂系等のタッキファイヤー、各種界面活性剤等を
本発明の目的に影響しない程度に適宜含有してもよい。
また、塗布液がエマルション液である場合は、ジエチレ
ングリコールモノアルキルエーテル等の造膜助剤を本発
明の目的に影響しない程度に適宜添加してよい。造膜助
剤として使用されるジエチレングリコールモノアルキル
エーテル及びその誘導体は、粘着剤層中に多量に含有し
た場合、洗浄が不可能となる程度のウェハ表面の汚染を
招くことがあることを考慮すれば、粘着剤塗工後の乾燥
時の温度で揮発するものを使用し、粘着剤層中への残存
量を低くすることが好ましい。
特定の２官能モノマーを共重合したアクリル系粘着剤、
架橋剤の他に粘着特性を調整するためにロジン系、テル
ペン樹脂系等のタッキファイヤー、各種界面活性剤等を
本発明の目的に影響しない程度に適宜含有してもよい。
また、塗布液がエマルション液である場合は、ジエチレ
ングリコールモノアルキルエーテル等の造膜助剤を本発
明の目的に影響しない程度に適宜添加してよい。造膜助
剤として使用されるジエチレングリコールモノアルキル
エーテル及びその誘導体は、粘着剤層中に多量に含有し
た場合、洗浄が不可能となる程度のウェハ表面の汚染を
招くことがあることを考慮すれば、粘着剤塗工後の乾燥
時の温度で揮発するものを使用し、粘着剤層中への残存
量を低くすることが好ましい。
【００３７】本発明における半導体ウェハの保護用粘着
フィルムの粘着力は、半導体ウェハの加工条件、ウェハ
の直径、裏面研削後のウェハの厚み等を勘案して適宜調
整できる。粘着力が低すぎるとウェハ表面への粘着フィ
ルムの貼着が困難となったり、粘着フィルムによる保護
性能が不十分でウェハが破損したり、ウェハ表面に研削
屑等による汚染が生じたりする傾向にある。また、粘着
力が高すぎると、ウェハ加工後に粘着フィルムをウェハ
表面から剥離する際に、自動剥がし機で剥離トラブルが
発生する等、剥離作業性が低下したり、ウェハを破損し
たりすることがある。通常、ＳＵＳ３０４−ＢＡ板に対
する粘着力に換算して、非加熱状態及び剥離温度２３℃
において、５〜５００ｇ／２５ｍｍ、好ましくは１０〜
３００ｇ／２５ｍｍである。
フィルムの粘着力は、半導体ウェハの加工条件、ウェハ
の直径、裏面研削後のウェハの厚み等を勘案して適宜調
整できる。粘着力が低すぎるとウェハ表面への粘着フィ
ルムの貼着が困難となったり、粘着フィルムによる保護
性能が不十分でウェハが破損したり、ウェハ表面に研削
屑等による汚染が生じたりする傾向にある。また、粘着
力が高すぎると、ウェハ加工後に粘着フィルムをウェハ
表面から剥離する際に、自動剥がし機で剥離トラブルが
発生する等、剥離作業性が低下したり、ウェハを破損し
たりすることがある。通常、ＳＵＳ３０４−ＢＡ板に対
する粘着力に換算して、非加熱状態及び剥離温度２３℃
において、５〜５００ｇ／２５ｍｍ、好ましくは１０〜
３００ｇ／２５ｍｍである。
【００３８】基材フィルムまたは剥離フィルムの片表面
に粘着剤塗布液を塗布する方法としては、従来公知の塗
布方法、例えばロールコーター法、リバースロールコー
ター法、グラビアロール法、バーコート法、コンマコー
ター法、ダイコーター法等が採用できる。塗布された粘
着剤の乾燥条件には特に制限はないが、一般的には、８
０〜２００℃の温度範囲において１０秒〜１０分間乾燥
することが好ましい。更に好ましくは、８０〜１７０℃
において１５秒〜５分間乾燥する。架橋剤と粘着剤との
架橋反応を十分に促進させるために、粘着剤塗布液の乾
燥が終了した後に、粘着フィルムを４０〜８０℃におい
て５〜３００時間程度加熱してもよい。
に粘着剤塗布液を塗布する方法としては、従来公知の塗
布方法、例えばロールコーター法、リバースロールコー
ター法、グラビアロール法、バーコート法、コンマコー
ター法、ダイコーター法等が採用できる。塗布された粘
着剤の乾燥条件には特に制限はないが、一般的には、８
０〜２００℃の温度範囲において１０秒〜１０分間乾燥
することが好ましい。更に好ましくは、８０〜１７０℃
において１５秒〜５分間乾燥する。架橋剤と粘着剤との
架橋反応を十分に促進させるために、粘着剤塗布液の乾
燥が終了した後に、粘着フィルムを４０〜８０℃におい
て５〜３００時間程度加熱してもよい。
【００３９】本発明に係わる半導体ウェハ表面保護用粘
着フィルムの製造方法は、上記の通りであるが、半導体
ウェハ表面の汚染防止の観点から、基材フィルム、剥離
フィルム、粘着剤主剤等全ての原料資材の製造環境、粘
着剤塗布液の調製、保存、塗布及び乾燥環境は、米国連
邦規格２０９ｂに規定されるクラス１，０００以下のク
リーン度に維持されていることが好ましい。
着フィルムの製造方法は、上記の通りであるが、半導体
ウェハ表面の汚染防止の観点から、基材フィルム、剥離
フィルム、粘着剤主剤等全ての原料資材の製造環境、粘
着剤塗布液の調製、保存、塗布及び乾燥環境は、米国連
邦規格２０９ｂに規定されるクラス１，０００以下のク
リーン度に維持されていることが好ましい。
【００４０】本発明に係わる半導体ウェハの保護方法を
適用した半導体ウェハの製造方法においては、前記粘着
フィルムが用いられる。先ず、半導体ウェハの表面に、
前記粘着フィルムを貼り付ける第一工程、及び半導体ウ
ェハの裏面を加工する第二工程を順次実施し、引き続
き、粘着フィルムを剥離する工程を実施する。粘着フィ
ルムを剥離する工程以降は特に制限はないが、例えば、
半導体ウェハを分割切断するダイシング工程、半導体チ
ップを外部保護の為に樹脂で封止するモールド工程等を
順次実施する半導体ウェハの製造方法が挙げられる。
適用した半導体ウェハの製造方法においては、前記粘着
フィルムが用いられる。先ず、半導体ウェハの表面に、
前記粘着フィルムを貼り付ける第一工程、及び半導体ウ
ェハの裏面を加工する第二工程を順次実施し、引き続
き、粘着フィルムを剥離する工程を実施する。粘着フィ
ルムを剥離する工程以降は特に制限はないが、例えば、
半導体ウェハを分割切断するダイシング工程、半導体チ
ップを外部保護の為に樹脂で封止するモールド工程等を
順次実施する半導体ウェハの製造方法が挙げられる。
【００４１】以下、本発明の半導体ウェハの保護方法に
ついて詳細に説明する。本発明に係わる半導体ウェハの
保護方法は、半導体ウェハの表面に前記粘着フィルムを
貼り付ける第一工程、及び半導体ウェハの裏面を加工す
る第二工程、粘着フィルムを剥離する第三工程を順次実
施する。
ついて詳細に説明する。本発明に係わる半導体ウェハの
保護方法は、半導体ウェハの表面に前記粘着フィルムを
貼り付ける第一工程、及び半導体ウェハの裏面を加工す
る第二工程、粘着フィルムを剥離する第三工程を順次実
施する。
【００４２】半導体ウェハの表面に粘着フィルムを貼り
付ける第一工程では、上述したように、半導体ウェハ表
面に前記粘着フィルムを複数枚貼着しても良い。具体的
には、予め、高弾性フィルム、及び低弾性フィルムのそ
れぞれの片表面に粘着剤層を形成して粘着フィルムを作
成しておく。以下、前者を高弾性粘着フィルム、後者を
低弾性粘着フィルムという。半導体ウェハの表面に高弾
性粘着フィルム、又は低弾性粘着フィルムを、高弾性フ
ィルム層が少なくとも２層となるように積層する。この
場合の積層方法は、一方の粘着フィルムの粘着剤層を他
方の粘着フィルムの粘着剤層非形成面に貼り合わせる方
法が好ましい。最も好ましい方法としては、先ず、低弾
性粘着フィルムを、その粘着剤層を介して半導体ウェハ
の表面に貼着する。次いで、貼着された低弾性粘着フィ
ルムの表面（粘着剤層非形成面）に、高弾性粘着フィル
ムを順次少なくとも２枚、それらの粘着剤層を介して積
層する方法が挙げられる。
付ける第一工程では、上述したように、半導体ウェハ表
面に前記粘着フィルムを複数枚貼着しても良い。具体的
には、予め、高弾性フィルム、及び低弾性フィルムのそ
れぞれの片表面に粘着剤層を形成して粘着フィルムを作
成しておく。以下、前者を高弾性粘着フィルム、後者を
低弾性粘着フィルムという。半導体ウェハの表面に高弾
性粘着フィルム、又は低弾性粘着フィルムを、高弾性フ
ィルム層が少なくとも２層となるように積層する。この
場合の積層方法は、一方の粘着フィルムの粘着剤層を他
方の粘着フィルムの粘着剤層非形成面に貼り合わせる方
法が好ましい。最も好ましい方法としては、先ず、低弾
性粘着フィルムを、その粘着剤層を介して半導体ウェハ
の表面に貼着する。次いで、貼着された低弾性粘着フィ
ルムの表面（粘着剤層非形成面）に、高弾性粘着フィル
ムを順次少なくとも２枚、それらの粘着剤層を介して積
層する方法が挙げられる。
【００４３】半導体ウェハの表面から半導体ウェハ表面
保護用粘着フィルムを剥離する第三工程では、１回の操
作で粘着フィルムを剥離しても良いし、複数回に分けて
は繰りしても良い。粘着フィルムを剥離する際の半導体
ウェハの破損防止を考慮すると、後者の方法が好まし
い。その場合、１回で剥離する高弾性粘着フィルムの高
弾性フィルム層の合計厚みが１００μｍ以下であること
が更に好ましい。
保護用粘着フィルムを剥離する第三工程では、１回の操
作で粘着フィルムを剥離しても良いし、複数回に分けて
は繰りしても良い。粘着フィルムを剥離する際の半導体
ウェハの破損防止を考慮すると、後者の方法が好まし
い。その場合、１回で剥離する高弾性粘着フィルムの高
弾性フィルム層の合計厚みが１００μｍ以下であること
が更に好ましい。
【００４４】本発明に係わる半導体ウェハ保護方法の詳
細は、先ず、粘着フィルムの粘着剤層側から剥離フィル
ムを剥離し、粘着剤層表面を露出させ、その粘着剤層を
介して、半導体ウェハの表面に貼り付ける（第一工
程）。第一工程では、貯蔵弾性率（Ｅ’）が１×１０8
〜１×１０10Ｐａ、厚みが１０〜１００μｍである高弾
性フィルム層を少なくとも２層有する多層タイプの粘着
フィルムを一回で貼り付けてもよいし、高弾性フィルム
の厚みの合計が１００μｍ以上になるように複数枚の粘
着フィルムを順次貼着して積層しても良い。次いで、チ
ャックテーブル等に粘着フィルムの基材フィルム層側を
介して半導体ウェハを固定し、半導体ウェハの裏面を加
工する（第二工程）。
細は、先ず、粘着フィルムの粘着剤層側から剥離フィル
ムを剥離し、粘着剤層表面を露出させ、その粘着剤層を
介して、半導体ウェハの表面に貼り付ける（第一工
程）。第一工程では、貯蔵弾性率（Ｅ’）が１×１０8
〜１×１０10Ｐａ、厚みが１０〜１００μｍである高弾
性フィルム層を少なくとも２層有する多層タイプの粘着
フィルムを一回で貼り付けてもよいし、高弾性フィルム
の厚みの合計が１００μｍ以上になるように複数枚の粘
着フィルムを順次貼着して積層しても良い。次いで、チ
ャックテーブル等に粘着フィルムの基材フィルム層側を
介して半導体ウェハを固定し、半導体ウェハの裏面を加
工する（第二工程）。
【００４５】第二工程は、半導体ウエハの裏面研削工
程、ウェットエッチング工程、ドライエッチング工程、
ポリッシング工程を全て実施してもよいし、又は、これ
らの工程のいずれか一工程を実施してもよい。最後に、
粘着フィルムを剥離する（第三工程）。第三工程では、
１回の工程で剥離される高弾性フィルムの厚みの合計が
１００μｍ以下であることが好ましい。高弾性粘着フィ
ルムの剥離工程を複数回に分けて行ってもよい。また、
必要に応じて粘着フィルムを剥離した後に、半導体ウェ
ハ表面に対して、水洗、プラズマ洗浄などの処理が施さ
れる。また、半導体ウェハを分割切断したダイシング工
程後の半導体チップの使用用途によっては、第二工程と
第三工程との間にダイボンディング用接着フィルムを貼
着する工程が含まれる場合がある。
程、ウェットエッチング工程、ドライエッチング工程、
ポリッシング工程を全て実施してもよいし、又は、これ
らの工程のいずれか一工程を実施してもよい。最後に、
粘着フィルムを剥離する（第三工程）。第三工程では、
１回の工程で剥離される高弾性フィルムの厚みの合計が
１００μｍ以下であることが好ましい。高弾性粘着フィ
ルムの剥離工程を複数回に分けて行ってもよい。また、
必要に応じて粘着フィルムを剥離した後に、半導体ウェ
ハ表面に対して、水洗、プラズマ洗浄などの処理が施さ
れる。また、半導体ウェハを分割切断したダイシング工
程後の半導体チップの使用用途によっては、第二工程と
第三工程との間にダイボンディング用接着フィルムを貼
着する工程が含まれる場合がある。
【００４６】裏面加工操作において、半導体ウェハは、
研削前の厚みが、通常５００〜１０００μｍであるのに
対して、半導体チップの種類等に応じ、通常２００〜６
００μｍ程度まで研削、薄層化される。更に、２００μ
ｍ以下まで薄く研削する場合は、裏面研削に引き続い
て、ウェットエッチング工程、ドライエッチング工程、
ポリッシング工程等を実施することが好ましい。その場
合、半導体ウェハの最低厚みは２０μｍ程度である。裏
面を研削する前の半導体ウェハの厚みは、半導体ウェハ
の直径、種類等により適宜決められ、裏面研削後のウェ
ハの厚みは、得られるチップのサイズ、回路の種類等に
より適宜決められる。
研削前の厚みが、通常５００〜１０００μｍであるのに
対して、半導体チップの種類等に応じ、通常２００〜６
００μｍ程度まで研削、薄層化される。更に、２００μ
ｍ以下まで薄く研削する場合は、裏面研削に引き続い
て、ウェットエッチング工程、ドライエッチング工程、
ポリッシング工程等を実施することが好ましい。その場
合、半導体ウェハの最低厚みは２０μｍ程度である。裏
面を研削する前の半導体ウェハの厚みは、半導体ウェハ
の直径、種類等により適宜決められ、裏面研削後のウェ
ハの厚みは、得られるチップのサイズ、回路の種類等に
より適宜決められる。
【００４７】粘着フィルムを半導体ウェハ表面に貼着す
る操作は、人手により行われる場合もあるが、一般に、
ロール状の粘着フィルムを取り付けた自動貼り機と称さ
れる装置によって行われる。このような自動貼り機とし
て、例えば、タカトリ（株）製、形式：ＡＴＭ−１００
０Ｂ、同ＡＴＭ−１１００、同ＴＥＡＭ−１００、帝国
精機（株）製、形式：ＳＴＬシリーズ等が挙げられる。
る操作は、人手により行われる場合もあるが、一般に、
ロール状の粘着フィルムを取り付けた自動貼り機と称さ
れる装置によって行われる。このような自動貼り機とし
て、例えば、タカトリ（株）製、形式：ＡＴＭ−１００
０Ｂ、同ＡＴＭ−１１００、同ＴＥＡＭ−１００、帝国
精機（株）製、形式：ＳＴＬシリーズ等が挙げられる。
【００４８】裏面研削方式としては、スルーフィード方
式、インフィード方式等の公知の研削方式が採用され
る。それぞれ研削は、水を半導体ウェハと砥石にかけて
冷却しながら行われる。裏面研削終了後、必要に応じ
て、ウェットエッチング、ドライエッチング、ポリッシ
ングが行われる。ウェットエッチング工程、ドライエッ
チング工程及びポリッシング工程は、半導体ウェハ裏面
に生じた歪の除去、ウェハのさらなる薄層化、酸化膜等
の除去、電極を裏面に形成する際の前処理等を目的とし
て行われる。エッチング液は、上記の目的に応じて適宜
選択される。
式、インフィード方式等の公知の研削方式が採用され
る。それぞれ研削は、水を半導体ウェハと砥石にかけて
冷却しながら行われる。裏面研削終了後、必要に応じ
て、ウェットエッチング、ドライエッチング、ポリッシ
ングが行われる。ウェットエッチング工程、ドライエッ
チング工程及びポリッシング工程は、半導体ウェハ裏面
に生じた歪の除去、ウェハのさらなる薄層化、酸化膜等
の除去、電極を裏面に形成する際の前処理等を目的とし
て行われる。エッチング液は、上記の目的に応じて適宜
選択される。
【００４９】半導体ウェハの裏面加工後、粘着フィルム
はウェハ表面から剥離される。この一連の操作は、人手
により行われる場合もあるが、一般には自動剥がし機と
称される装置により行われる。このような自動剥がし機
としては、タカトリ（株）製、形式：ＡＴＲＭ−２００
０Ｂ、同ＡＴＲＭ−２１００、同ＴＥＡＭ−２００、帝
国精機（株）製、形式：ＳＴＰシリーズ等、日東精機
（株）製、形式：ＨＲ８５００シリーズ等が挙げられ
る。また、剥離性向上を目的として、必要に応じて加熱
剥離することが好ましい。
はウェハ表面から剥離される。この一連の操作は、人手
により行われる場合もあるが、一般には自動剥がし機と
称される装置により行われる。このような自動剥がし機
としては、タカトリ（株）製、形式：ＡＴＲＭ−２００
０Ｂ、同ＡＴＲＭ−２１００、同ＴＥＡＭ−２００、帝
国精機（株）製、形式：ＳＴＰシリーズ等、日東精機
（株）製、形式：ＨＲ８５００シリーズ等が挙げられ
る。また、剥離性向上を目的として、必要に応じて加熱
剥離することが好ましい。
【００５０】粘着フィルムを剥離した後のウェハ表面
は、必要に応じて洗浄される。洗浄方法としては、水洗
浄、溶剤洗浄等の湿式洗浄、プラズマ洗浄等の乾式洗浄
等が挙げられる。湿式洗浄の場合、超音波洗浄を併用し
てもよい。これらの洗浄方法は、ウェハ表面の汚染状況
により適宜選択される。
は、必要に応じて洗浄される。洗浄方法としては、水洗
浄、溶剤洗浄等の湿式洗浄、プラズマ洗浄等の乾式洗浄
等が挙げられる。湿式洗浄の場合、超音波洗浄を併用し
てもよい。これらの洗浄方法は、ウェハ表面の汚染状況
により適宜選択される。
【００５１】本発明に係わる半導体ウェハの保護方法が
適用できる半導体ウェハとして、シリコンウェハに限ら
ず、ゲルマニウム、ガリウム−ヒ素、ガリウム−リン、
ガリウム−ヒ素−アルミニウムなどのウェハが挙げられ
る。
適用できる半導体ウェハとして、シリコンウェハに限ら
ず、ゲルマニウム、ガリウム−ヒ素、ガリウム−リン、
ガリウム−ヒ素−アルミニウムなどのウェハが挙げられ
る。
【００５２】
【実施例】以下、実施例を示して本発明についてさらに
詳細に説明する。以下に示す全ての実施例及び比較例に
おいて、米国連邦規格２０９ｂに規定されるクラス１，
０００以下のクリーン度に維持された環境において、粘
着剤塗布液の調製、塗布、及び半導体シリコンウェハの
裏面研削を実施した。本発明はこれら実施例に限定され
るものではない。尚、実施例に示した各種特性値は下記
の方法で測定した。
詳細に説明する。以下に示す全ての実施例及び比較例に
おいて、米国連邦規格２０９ｂに規定されるクラス１，
０００以下のクリーン度に維持された環境において、粘
着剤塗布液の調製、塗布、及び半導体シリコンウェハの
裏面研削を実施した。本発明はこれら実施例に限定され
るものではない。尚、実施例に示した各種特性値は下記
の方法で測定した。
【００５３】１．粘着力測定（ｇ／２５ｍｍ）
下記に規定した条件以外は、全てＪＩＳ Ｚ−０２３７
−１９９１に規定される方法に準じて測定する。２３℃
の雰囲気下において、実施例または比較例で得られた粘
着フィルムをその粘着剤層を介して、５ｃｍ×２０ｃｍ
のＳＵＳ３０４−ＢＡ板（ＪＩＳ Ｇ−４３０５−１９
９１規定）の表面に貼着し、６０分間放置する。試料の
一端を挟持し、剥離角度１８０度、剥離速度３００ｍｍ
／ｍｉｎ．でＳＵＳ３０４−ＢＡ板の表面から試料を剥
離する際の応力を測定し、２５ｍｍ幅に換算する。
−１９９１に規定される方法に準じて測定する。２３℃
の雰囲気下において、実施例または比較例で得られた粘
着フィルムをその粘着剤層を介して、５ｃｍ×２０ｃｍ
のＳＵＳ３０４−ＢＡ板（ＪＩＳ Ｇ−４３０５−１９
９１規定）の表面に貼着し、６０分間放置する。試料の
一端を挟持し、剥離角度１８０度、剥離速度３００ｍｍ
／ｍｉｎ．でＳＵＳ３０４−ＢＡ板の表面から試料を剥
離する際の応力を測定し、２５ｍｍ幅に換算する。
【００５４】２．貯蔵弾性率（Ｐａ）
２−１基材フィルム
半導体ウェハ表面保護用粘着フィルムの基材フィルム用
の高弾性フィルム及び低弾性フィルムは、ＴＤ方向：５
ｍｍ、ＭＤ方向：５０ｍｍのサンプルサイズにカット
し、動的粘弾性測定装置（レオメトリックス社製：形
式：ＲＳＡ−ＩＩ）を用いて、０〜２００℃において貯
蔵弾性率を測定する。測定周波数は１Ｈｚとし、歪みは
０．０１〜１％とする。
の高弾性フィルム及び低弾性フィルムは、ＴＤ方向：５
ｍｍ、ＭＤ方向：５０ｍｍのサンプルサイズにカット
し、動的粘弾性測定装置（レオメトリックス社製：形
式：ＲＳＡ−ＩＩ）を用いて、０〜２００℃において貯
蔵弾性率を測定する。測定周波数は１Ｈｚとし、歪みは
０．０１〜１％とする。
【００５５】２−２粘着剤層
半導体ウェハ表面保護用粘着フィルムの粘着剤層の部分
を厚さ１ｍｍに積層することにより粘弾性測定用サンプ
ルを作製する。サンプルを直径８ｍｍ、厚み１ｍｍの円
盤状に切断し、動的粘弾性測定装置（レオメトリックス
社製：ＲＭＳ−８００）を用いて、−５０〜２００℃に
おいて貯蔵弾性率を測定する。測定周波数は１Ｈｚと
し、歪みは０．１〜３％とする。
を厚さ１ｍｍに積層することにより粘弾性測定用サンプ
ルを作製する。サンプルを直径８ｍｍ、厚み１ｍｍの円
盤状に切断し、動的粘弾性測定装置（レオメトリックス
社製：ＲＭＳ−８００）を用いて、−５０〜２００℃に
おいて貯蔵弾性率を測定する。測定周波数は１Ｈｚと
し、歪みは０．１〜３％とする。
【００５６】３．裏面研削
半導体シリコンウェハ〔直径：２００ｍｍ（８イン
チ）、厚み：６００μｍ、スクライブラインの深さ：８
μｍ、スクライブラインの幅：１００μｍ〕の回路形成
面の全表面に半導体ウェハ表面保護用粘着フィルムを貼
着した状態で、裏面研削機（ディスコ社製、形式：ＤＦ
Ｇ８６０）を用いて、ウェハの厚みが５０μｍになるま
でウェハ裏面を研削する。
チ）、厚み：６００μｍ、スクライブラインの深さ：８
μｍ、スクライブラインの幅：１００μｍ〕の回路形成
面の全表面に半導体ウェハ表面保護用粘着フィルムを貼
着した状態で、裏面研削機（ディスコ社製、形式：ＤＦ
Ｇ８６０）を用いて、ウェハの厚みが５０μｍになるま
でウェハ裏面を研削する。
【００５７】４．テープ剥離
半導体ウェハの裏面研削後、半導体ウェハ表面保護用粘
着フィルムが貼着された半導体ウェハ表面から、粘着フ
ィルム剥離機（日東精機（株）製、形式：ＨＲ８５００
ＩＩ）を用いて、半導体ウェハ表面保護用粘着フィルム
を剥離する。
着フィルムが貼着された半導体ウェハ表面から、粘着フ
ィルム剥離機（日東精機（株）製、形式：ＨＲ８５００
ＩＩ）を用いて、半導体ウェハ表面保護用粘着フィルム
を剥離する。
【００５８】＜調製例＞
１．基材フィルムの調製例１
高弾性率を有するフィルムとして、ポリエチレンテレフ
タレート（融点２５５℃）フィルムを選定した。フィル
ム厚みは６μｍ、２５μｍ、５０μｍ、７５μｍ、１９
０μｍの５種類とした。粘着剤層を形成する側の表面に
コロナ放電処理を施した。これら高弾性フィルムの貯蔵
弾性率は、５．０×１０9〜７．５×１０9Ｐａであっ
た。
タレート（融点２５５℃）フィルムを選定した。フィル
ム厚みは６μｍ、２５μｍ、５０μｍ、７５μｍ、１９
０μｍの５種類とした。粘着剤層を形成する側の表面に
コロナ放電処理を施した。これら高弾性フィルムの貯蔵
弾性率は、５．０×１０9〜７．５×１０9Ｐａであっ
た。
【００５９】２．基材フィルムの調製例２
低弾性フィルムとして、あるエチレン−酢酸ビニル共重
合体樹脂（ショアーＤ型硬度３５、融点８５℃）の単層
フィルム（厚み１２０μｍ）を選定した。粘着剤層を形
成する側の表面にコロナ処理を施した。この低弾性フィ
ルムの貯蔵弾性率は、４．０×１０7Ｐａであった。
合体樹脂（ショアーＤ型硬度３５、融点８５℃）の単層
フィルム（厚み１２０μｍ）を選定した。粘着剤層を形
成する側の表面にコロナ処理を施した。この低弾性フィ
ルムの貯蔵弾性率は、４．０×１０7Ｐａであった。
【００６０】３．粘着剤主剤の調製例
重合反応機に脱イオン水１５０重量部、重合開始剤とし
て４，４’−アゾビス−４−シアノバレリックアシッド
〔大塚化学（株）製、商品名：ＡＣＶＡ〕を０．６２５
重量部、モノマー（Ａ）としてアクリル酸−２−エチル
ヘキシル６２．２５重量部、アクリル酸−ｎ−ブチル１
８重量部、及びメタクリル酸メチル１２重量部、モノマ
ー（Ｂ）としてメタクリル酸−２−ヒドロキシエチル３
重量％、メタクリル酸２重量部、及びアクリルアミド１
重量部、モノマー（Ｃ）としてポリテトラメチレングリ
コールジアクリレート〔日本油脂（株）製、商品名：Ａ
ＤＴ−２５０〕１重量部、水溶性コモノマーとしてポリ
オキシエチレンノニルフェニルエーテル（エチレンオキ
サイドの付加モル数の平均値：約２０）の硫酸エステル
のアンモニウム塩のベンゼン環に重合性の１−プロペニ
ル基を導入したもの〔第一工業製薬（株）製、商品名：
アクアロンＨＳ−１０〕０．７５重量部を装入し、攪拌
下で７０〜７２℃において８時間乳化重合を実施し、ア
クリル系樹脂エマルションを得た。これを９重量％アン
モニア水で中和（ｐＨ＝７．０）し、固形分４２．５重
量％のアクリル系粘着剤とした。
て４，４’−アゾビス−４−シアノバレリックアシッド
〔大塚化学（株）製、商品名：ＡＣＶＡ〕を０．６２５
重量部、モノマー（Ａ）としてアクリル酸−２−エチル
ヘキシル６２．２５重量部、アクリル酸−ｎ−ブチル１
８重量部、及びメタクリル酸メチル１２重量部、モノマ
ー（Ｂ）としてメタクリル酸−２−ヒドロキシエチル３
重量％、メタクリル酸２重量部、及びアクリルアミド１
重量部、モノマー（Ｃ）としてポリテトラメチレングリ
コールジアクリレート〔日本油脂（株）製、商品名：Ａ
ＤＴ−２５０〕１重量部、水溶性コモノマーとしてポリ
オキシエチレンノニルフェニルエーテル（エチレンオキ
サイドの付加モル数の平均値：約２０）の硫酸エステル
のアンモニウム塩のベンゼン環に重合性の１−プロペニ
ル基を導入したもの〔第一工業製薬（株）製、商品名：
アクアロンＨＳ−１０〕０．７５重量部を装入し、攪拌
下で７０〜７２℃において８時間乳化重合を実施し、ア
クリル系樹脂エマルションを得た。これを９重量％アン
モニア水で中和（ｐＨ＝７．０）し、固形分４２．５重
量％のアクリル系粘着剤とした。
【００６１】４．粘着剤塗布液の調製例
前項３の粘着剤主剤の調製例で得られた粘着剤主剤の１
００重量部を採取し、さらに９重量％アンモニア水を加
えてｐＨ９．５に調整した。次いで、アジリジン系架橋
剤〔日本触媒化学工業（株）製、商品名：ケミタイトＰ
ｚ−３３〕１．６重量部を添加して粘着剤塗布液を得
た。この塗布液から得た粘着剤層の貯蔵弾性率は、１５
０℃において１．５×１０5Ｐａ、２００℃において
１．３×１０5Ｐａであった。
００重量部を採取し、さらに９重量％アンモニア水を加
えてｐＨ９．５に調整した。次いで、アジリジン系架橋
剤〔日本触媒化学工業（株）製、商品名：ケミタイトＰ
ｚ−３３〕１．６重量部を添加して粘着剤塗布液を得
た。この塗布液から得た粘着剤層の貯蔵弾性率は、１５
０℃において１．５×１０5Ｐａ、２００℃において
１．３×１０5Ｐａであった。
【００６２】５．粘着フィルムの調製例１
前項４の調製例で得られた粘着剤塗布液を、ロールコー
ターを用いてポリプロピレンフィルム（剥離フィルム、
厚み：５０μｍ）に塗布し、１２０℃で２分間乾燥して
厚み１０μｍの粘着剤層を設けた。これに高弾性率を有
するフィルムとして、前項１の基材フィルムの調製例１
で作成したポリエチレンテレフタレート（融点２５５
℃）フィルムの厚み６μｍの基材フィルムのコロナ処理
面を貼り合わせ押圧して、粘着剤層を転写させた。転写
後、６０℃において４８時間加熱した後、室温まで冷却
することにより粘着フィルム１を製造した。
ターを用いてポリプロピレンフィルム（剥離フィルム、
厚み：５０μｍ）に塗布し、１２０℃で２分間乾燥して
厚み１０μｍの粘着剤層を設けた。これに高弾性率を有
するフィルムとして、前項１の基材フィルムの調製例１
で作成したポリエチレンテレフタレート（融点２５５
℃）フィルムの厚み６μｍの基材フィルムのコロナ処理
面を貼り合わせ押圧して、粘着剤層を転写させた。転写
後、６０℃において４８時間加熱した後、室温まで冷却
することにより粘着フィルム１を製造した。
【００６３】６．粘着フィルムの調製例２
前項４の調製例で得られた粘着剤塗布液を、ロールコー
ターを用いてポリプロピレンフィルム（剥離フィルム、
厚み：５０μｍ）に塗布し、１２０℃で２分間乾燥して
厚み１０μｍの粘着剤層を設けた。これに高弾性率を有
するフィルムとして、前項１の基材フィルムの調製例１
で作成したポリエチレンテレフタレート（融点２５５
℃）フィルムの厚み２５μｍの基材フィルムのコロナ処
理面を貼り合わせ押圧して、粘着剤層を転写させた。転
写後、６０℃において４８時間加熱した後、室温まで冷
却することにより粘着フィルム２を製造した。
ターを用いてポリプロピレンフィルム（剥離フィルム、
厚み：５０μｍ）に塗布し、１２０℃で２分間乾燥して
厚み１０μｍの粘着剤層を設けた。これに高弾性率を有
するフィルムとして、前項１の基材フィルムの調製例１
で作成したポリエチレンテレフタレート（融点２５５
℃）フィルムの厚み２５μｍの基材フィルムのコロナ処
理面を貼り合わせ押圧して、粘着剤層を転写させた。転
写後、６０℃において４８時間加熱した後、室温まで冷
却することにより粘着フィルム２を製造した。
【００６４】７．粘着フィルムの調製例３
前項４の調製例で得られた粘着剤塗布液を、ロールコー
ターを用いてポリプロピレンフィルム（剥離フィルム、
厚み：５０μｍ）に塗布し、１２０℃で２分間乾燥して
厚み１０μｍの粘着剤層を設けた。これに高弾性率を有
するフィルムとして、前項１の基材フィルムの調製例１
で作成したポリエチレンテレフタレート（融点２５５
℃）フィルムの厚み５０μｍの基材フィルムのコロナ処
理面を貼り合わせ押圧して、粘着剤層を転写させた。転
写後、６０℃において４８時間加熱した後、室温まで冷
却することにより粘着フィルム３を製造した。
ターを用いてポリプロピレンフィルム（剥離フィルム、
厚み：５０μｍ）に塗布し、１２０℃で２分間乾燥して
厚み１０μｍの粘着剤層を設けた。これに高弾性率を有
するフィルムとして、前項１の基材フィルムの調製例１
で作成したポリエチレンテレフタレート（融点２５５
℃）フィルムの厚み５０μｍの基材フィルムのコロナ処
理面を貼り合わせ押圧して、粘着剤層を転写させた。転
写後、６０℃において４８時間加熱した後、室温まで冷
却することにより粘着フィルム３を製造した。
【００６５】８．粘着フィルムの調製例４
前項４の調製例で得られた粘着剤塗布液を、ロールコー
ターを用いてポリプロピレンフィルム（剥離フィルム、
厚み：５０μｍ）に塗布し、１２０℃で２分間乾燥して
厚み１０μｍの粘着剤層を設けた。これに高弾性率を有
するフィルムとして、前項１の基材フィルムの調製例１
で作成したポリエチレンテレフタレート（融点２５５
℃）フィルムの厚み７５μｍの基材フィルムのコロナ処
理面を貼り合わせ押圧して、粘着剤層を転写させた。転
写後、６０℃において４８時間加熱した後、室温まで冷
却することにより粘着フィルム４を製造した。
ターを用いてポリプロピレンフィルム（剥離フィルム、
厚み：５０μｍ）に塗布し、１２０℃で２分間乾燥して
厚み１０μｍの粘着剤層を設けた。これに高弾性率を有
するフィルムとして、前項１の基材フィルムの調製例１
で作成したポリエチレンテレフタレート（融点２５５
℃）フィルムの厚み７５μｍの基材フィルムのコロナ処
理面を貼り合わせ押圧して、粘着剤層を転写させた。転
写後、６０℃において４８時間加熱した後、室温まで冷
却することにより粘着フィルム４を製造した。
【００６６】９．粘着フィルムの調製例５
前項４の調製例で得られた粘着剤塗布液を、ロールコー
ターを用いてポリプロピレンフィルム（剥離フィルム、
厚み：５０μｍ）に塗布し、１２０℃で２分間乾燥して
厚み１０μｍの粘着剤層を設けた。これに高弾性率を有
するフィルムとして、前項１の基材フィルムの調製例１
で作成したポリエチレンテレフタレート（融点２５５
℃）フィルムの厚み１９０μｍの基材フィルムのコロナ
処理面を貼り合わせ押圧して、粘着剤層を転写させた。
転写後、６０℃において４８時間加熱した後、室温まで
冷却することにより粘着フィルム５を製造した。
ターを用いてポリプロピレンフィルム（剥離フィルム、
厚み：５０μｍ）に塗布し、１２０℃で２分間乾燥して
厚み１０μｍの粘着剤層を設けた。これに高弾性率を有
するフィルムとして、前項１の基材フィルムの調製例１
で作成したポリエチレンテレフタレート（融点２５５
℃）フィルムの厚み１９０μｍの基材フィルムのコロナ
処理面を貼り合わせ押圧して、粘着剤層を転写させた。
転写後、６０℃において４８時間加熱した後、室温まで
冷却することにより粘着フィルム５を製造した。
【００６７】１０．粘着フィルムの調製例６
前項４の調製例で得られた粘着剤塗布液を、ロールコー
ターを用いてポリプロピレンフィルム（剥離フィルム、
厚み：５０μｍ）に塗布し、１２０℃で２分間乾燥して
厚み１０μｍの粘着剤層を設けた。これに前項２の基材
フィルムの調製例２で作成した低弾性フィルムであるエ
チレン−酢酸ビニル共重合体樹脂（ショアーＤ型硬度３
５、融点８５℃）の単層フィルム（厚み１２０μｍ）の
コロナ処理面を貼り合わせ押圧して、粘着剤層を転写さ
せた。転写後、６０℃において４８時間加熱した後、室
温まで冷却することにより粘着フィルム６を製造した。
ターを用いてポリプロピレンフィルム（剥離フィルム、
厚み：５０μｍ）に塗布し、１２０℃で２分間乾燥して
厚み１０μｍの粘着剤層を設けた。これに前項２の基材
フィルムの調製例２で作成した低弾性フィルムであるエ
チレン−酢酸ビニル共重合体樹脂（ショアーＤ型硬度３
５、融点８５℃）の単層フィルム（厚み１２０μｍ）の
コロナ処理面を貼り合わせ押圧して、粘着剤層を転写さ
せた。転写後、６０℃において４８時間加熱した後、室
温まで冷却することにより粘着フィルム６を製造した。
【００６８】実施例１
粘着フィルム２を４枚貼り合せ押圧して、積層して粘着
フィルム７を製造した。粘着フィルム２同志の貼り合わ
せに際して、一方の粘着フィルムの粘着剤層を他方の粘
着フィルムの基材フィルム側に順次貼着して積層した。
粘着フィルム７を用いて半導体ウェハの保護性能を評価
した。粘着フィルム７を集積回路が組み込まれた１０枚
の半導体シリコンウェハ〔直径：２００ｍｍ（８イン
チ）、厚み：６００μｍ、スクライブラインの深さ：８
μｍ、スクライブラインの幅：１００μｍ〕の回路形成
の全表面にテープ貼り付け機（日東精機（株）製、形
式：ＮＥＬ-ＤＲ８５００ＩＩ）を用いて貼り付け、裏
面研削機（ディスコ製、形式：ＤＦＧ８６０）を用いて
半導体ウェハ裏面を５０μｍまで研削した後、テープ剥
離機（日東精機（株）製、形式：ＨＲ８５００ＩＩ）を
用いて半導体ウエハ表面保護用粘着フィルム７を剥離し
た。剥離方法は、粘着フィルム７の構成単位である粘着
フィルム２を表層部から順次１枚づつ４回に分けて剥離
した。この間、裏面加工時における半導体ウェハの破
損、裏面研削テーブルから研削面洗浄テーブルへのアー
ムでの搬送時において半導体ウェハの反りや撓みによる
破損及び搬送トラブル、粘着フィルムの剥離時における
半導体ウェハの破損及び剥離トラブルははなかった。得
られた結果を表１に示す。
フィルム７を製造した。粘着フィルム２同志の貼り合わ
せに際して、一方の粘着フィルムの粘着剤層を他方の粘
着フィルムの基材フィルム側に順次貼着して積層した。
粘着フィルム７を用いて半導体ウェハの保護性能を評価
した。粘着フィルム７を集積回路が組み込まれた１０枚
の半導体シリコンウェハ〔直径：２００ｍｍ（８イン
チ）、厚み：６００μｍ、スクライブラインの深さ：８
μｍ、スクライブラインの幅：１００μｍ〕の回路形成
の全表面にテープ貼り付け機（日東精機（株）製、形
式：ＮＥＬ-ＤＲ８５００ＩＩ）を用いて貼り付け、裏
面研削機（ディスコ製、形式：ＤＦＧ８６０）を用いて
半導体ウェハ裏面を５０μｍまで研削した後、テープ剥
離機（日東精機（株）製、形式：ＨＲ８５００ＩＩ）を
用いて半導体ウエハ表面保護用粘着フィルム７を剥離し
た。剥離方法は、粘着フィルム７の構成単位である粘着
フィルム２を表層部から順次１枚づつ４回に分けて剥離
した。この間、裏面加工時における半導体ウェハの破
損、裏面研削テーブルから研削面洗浄テーブルへのアー
ムでの搬送時において半導体ウェハの反りや撓みによる
破損及び搬送トラブル、粘着フィルムの剥離時における
半導体ウェハの破損及び剥離トラブルははなかった。得
られた結果を表１に示す。
【００６９】実施例２
粘着フィルム２を用いて、半導体シリコンウェハの保護
性能を実施例１と同一の手法で評価した。但し、粘着フ
ィルム２の貼り付け方法は、高弾性フィルム層が１００
μｍ以上になるように、先ず、粘着フィルム２の１枚目
を半導体シリコンウェハの回路形成面に貼り付け、順次
貼付された粘着フィルム２の基材フィルム側に次の粘着
フィルム２を貼付し、合計４枚を貼り付けた。裏面加工
時における半導体ウェハの破損、搬送時における半導体
ウェハの反りや撓みによる破損及び搬送トラブル、粘着
フィルムの剥離時における半導体ウェハの破損及び剥離
トラブルははなかった。得られた結果を表１に示す。
性能を実施例１と同一の手法で評価した。但し、粘着フ
ィルム２の貼り付け方法は、高弾性フィルム層が１００
μｍ以上になるように、先ず、粘着フィルム２の１枚目
を半導体シリコンウェハの回路形成面に貼り付け、順次
貼付された粘着フィルム２の基材フィルム側に次の粘着
フィルム２を貼付し、合計４枚を貼り付けた。裏面加工
時における半導体ウェハの破損、搬送時における半導体
ウェハの反りや撓みによる破損及び搬送トラブル、粘着
フィルムの剥離時における半導体ウェハの破損及び剥離
トラブルははなかった。得られた結果を表１に示す。
【００７０】実施例３
実施例１と同様の手法により、予め、粘着フィルム２、
３、及び４を貼り合せ押圧して、積層した粘着フィルム
８を製造した。粘着フィルム２〜４を貼り合せる第１の
パターンは、半導体ウェハ表面への貼付を予定する側か
ら順に、粘着フィルム２、粘着フィルム３、粘着フィル
ム４（パターン：２／３／４）の順序で貼り合わせ、積
層体とした。以下、同一の粘着フィルム同士は積層しな
いで、同様に２／４／３、３／２／４、３／４／３、４
／２／３、４／３／２、の５種類のパターンで貼り合わ
せ積層体とした。各パターンの積層体をそれぞれ１０
枚、合計６０枚の積層体を得、これらを粘着フィルム８
とした。粘着フィルム８を用いた以外は、実施例１と同
様にして、半導体ウェハの保護性能を実施した。その結
果、裏面加工時における半導体ウェハの破損、裏面研削
テーブルから研削面洗浄テーブルへのアームでの搬送時
において半導体ウェハの反りや撓みによる破損及び搬送
トラブル、粘着フィルムの剥離時における半導体ウェハ
の破損及び剥離トラブルははなかった。得られた結果を
表１に示す。
３、及び４を貼り合せ押圧して、積層した粘着フィルム
８を製造した。粘着フィルム２〜４を貼り合せる第１の
パターンは、半導体ウェハ表面への貼付を予定する側か
ら順に、粘着フィルム２、粘着フィルム３、粘着フィル
ム４（パターン：２／３／４）の順序で貼り合わせ、積
層体とした。以下、同一の粘着フィルム同士は積層しな
いで、同様に２／４／３、３／２／４、３／４／３、４
／２／３、４／３／２、の５種類のパターンで貼り合わ
せ積層体とした。各パターンの積層体をそれぞれ１０
枚、合計６０枚の積層体を得、これらを粘着フィルム８
とした。粘着フィルム８を用いた以外は、実施例１と同
様にして、半導体ウェハの保護性能を実施した。その結
果、裏面加工時における半導体ウェハの破損、裏面研削
テーブルから研削面洗浄テーブルへのアームでの搬送時
において半導体ウェハの反りや撓みによる破損及び搬送
トラブル、粘着フィルムの剥離時における半導体ウェハ
の破損及び剥離トラブルははなかった。得られた結果を
表１に示す。
【００７１】実施例４
粘着フィルム２、３、及び４を用いて、半導体ウェハの
保護性能を実施した。実施例３のように、予め３種類の
粘着フィルムの積層体を作成せずに、実施例２と同様の
手法で、１枚づつ半導体ウェハ表面に貼着した。貼り合
わせパターンは実施例３と同様の手法で６パターンとし
た。計６０枚について実施例１と同一の手法で評価し
た。その結果、裏面加工時における半導体ウェハの破
損、裏面研削テーブルから研削面洗浄テーブルへのアー
ムでの搬送時において半導体ウェハの反りや撓みによる
破損及び搬送トラブル、粘着フィルムの剥離時における
半導体ウェハの破損及び剥離トラブルははなかった。得
られた結果を表１に示す。
保護性能を実施した。実施例３のように、予め３種類の
粘着フィルムの積層体を作成せずに、実施例２と同様の
手法で、１枚づつ半導体ウェハ表面に貼着した。貼り合
わせパターンは実施例３と同様の手法で６パターンとし
た。計６０枚について実施例１と同一の手法で評価し
た。その結果、裏面加工時における半導体ウェハの破
損、裏面研削テーブルから研削面洗浄テーブルへのアー
ムでの搬送時において半導体ウェハの反りや撓みによる
破損及び搬送トラブル、粘着フィルムの剥離時における
半導体ウェハの破損及び剥離トラブルははなかった。得
られた結果を表１に示す。
【００７２】実施例５
予め、粘着フィルム２、３、４、及び６を貼り合せ押圧
して、積層した粘着フィルム９を製造した。粘着フィル
ム２〜６の貼り合せパターンは、実施例３と同様の手法
により、２４パターンとし、各パターン１０枚、合計２
４０枚作成した。粘着フィルム９を用いて、実施例１と
同一の手法で半導体ウェハの保護性能を評価した。その
結果、裏面加工時における半導体ウェハの破損、裏面研
削テーブルから研削面洗浄テーブルへのアームでの搬送
時において半導体ウェハの反りや撓みによる破損及び搬
送トラブル、粘着フィルムの剥離時における半導体ウェ
ハの破損及び剥離トラブルははなかった。得られた結果
を表１に示す。
して、積層した粘着フィルム９を製造した。粘着フィル
ム２〜６の貼り合せパターンは、実施例３と同様の手法
により、２４パターンとし、各パターン１０枚、合計２
４０枚作成した。粘着フィルム９を用いて、実施例１と
同一の手法で半導体ウェハの保護性能を評価した。その
結果、裏面加工時における半導体ウェハの破損、裏面研
削テーブルから研削面洗浄テーブルへのアームでの搬送
時において半導体ウェハの反りや撓みによる破損及び搬
送トラブル、粘着フィルムの剥離時における半導体ウェ
ハの破損及び剥離トラブルははなかった。得られた結果
を表１に示す。
【００７３】実施例６
粘着フィルム２、３、４、及び６を用いて、半導体ウェ
ハの保護性能を実施した。実施例３のように、予め４種
類の粘着フィルムの積層体を作成せずに、実施例２と同
様の手法で、１枚づつ半導体ウェハ表面に貼着した。貼
り合わせパターンは実施例３と同様の手法で２４パター
ンとした。粘着フィルムの貼り合せパターン毎に計２４
０枚について、実施例１と同一の手法で評価した。その
結果、裏面加工時における半導体ウェハの破損、裏面研
削テーブルから研削面洗浄テーブルへのアームでの搬送
時において半導体ウェハの反りや撓みによる破損及び搬
送トラブル、粘着フィルムの剥離時における半導体ウェ
ハの破損及び剥離トラブルはなかった。得られた結果を
表１に示す。
ハの保護性能を実施した。実施例３のように、予め４種
類の粘着フィルムの積層体を作成せずに、実施例２と同
様の手法で、１枚づつ半導体ウェハ表面に貼着した。貼
り合わせパターンは実施例３と同様の手法で２４パター
ンとした。粘着フィルムの貼り合せパターン毎に計２４
０枚について、実施例１と同一の手法で評価した。その
結果、裏面加工時における半導体ウェハの破損、裏面研
削テーブルから研削面洗浄テーブルへのアームでの搬送
時において半導体ウェハの反りや撓みによる破損及び搬
送トラブル、粘着フィルムの剥離時における半導体ウェ
ハの破損及び剥離トラブルはなかった。得られた結果を
表１に示す。
【００７４】比較例１
粘着フィルム２を３枚貼り合せ押圧して、積層した粘着
フィルム１０を製造した。粘着フィルム１０を用いた以
外、半導体ウェハの保護性能を実施例１と同一の手法で
評価した。その結果、裏面加工後の半導体ウェハを観察
すると、４枚の半導体ウェハに対して裏面に亀裂が生じ
ていた。得られた結果を表２に示す。
フィルム１０を製造した。粘着フィルム１０を用いた以
外、半導体ウェハの保護性能を実施例１と同一の手法で
評価した。その結果、裏面加工後の半導体ウェハを観察
すると、４枚の半導体ウェハに対して裏面に亀裂が生じ
ていた。得られた結果を表２に示す。
【００７５】比較例２
粘着フィルム２を用いて保護性能を実施例１と同一の手
法で評価した。但し、粘着フィルム２の貼り付け方法
は、粘着フィルム２を1枚づつ３枚貼り付けた以外は、
実施例２と同様にした。裏面加工後の半導体ウェハを観
察すると、６枚の半導体ウェハに対して裏面に亀裂が生
じていた。得られた結果を表２に示す。
法で評価した。但し、粘着フィルム２の貼り付け方法
は、粘着フィルム２を1枚づつ３枚貼り付けた以外は、
実施例２と同様にした。裏面加工後の半導体ウェハを観
察すると、６枚の半導体ウェハに対して裏面に亀裂が生
じていた。得られた結果を表２に示す。
【００７６】比較例３
予め、粘着フィルム２、３、４、及び５を貼り合せ押圧
して、積層した粘着フィルム１１を製造した。粘着フィ
ルム２〜５の貼り合せパターンは、実施例３と同様の手
法で２４パターンとした。計２４０枚の粘着フィルム１
１を用いて、実施例１と同一の手法で半導体ウェハの保
護性能を評価した。その結果、粘着フィルム５が半導体
ウェハ表面に接する層となるように積層された粘着フィ
ルム１１（計６０枚）を用いた場合の裏面研削後の半導
体ウェハを観察すると、粘着フィルム５が半導体ウェハ
表面から浮いた状態で研削屑或いは洗浄水の浸入が５５
枚あった。粘着フィルム５が、半導体ウェハ表面に接し
ない様に積層された他の１８０枚については、粘着フィ
ルム５が剥がれてしまい７２枚の半導体ウェハの破損が
見られた。得られた結果を表２に示す。
して、積層した粘着フィルム１１を製造した。粘着フィ
ルム２〜５の貼り合せパターンは、実施例３と同様の手
法で２４パターンとした。計２４０枚の粘着フィルム１
１を用いて、実施例１と同一の手法で半導体ウェハの保
護性能を評価した。その結果、粘着フィルム５が半導体
ウェハ表面に接する層となるように積層された粘着フィ
ルム１１（計６０枚）を用いた場合の裏面研削後の半導
体ウェハを観察すると、粘着フィルム５が半導体ウェハ
表面から浮いた状態で研削屑或いは洗浄水の浸入が５５
枚あった。粘着フィルム５が、半導体ウェハ表面に接し
ない様に積層された他の１８０枚については、粘着フィ
ルム５が剥がれてしまい７２枚の半導体ウェハの破損が
見られた。得られた結果を表２に示す。
【００７７】比較例４
粘着フィルム２、３、４、及び５を用いて、半導体ウェ
ハの保護性能を実施した。比較例３のように、予め４種
類の粘着フィルムの積層体を作成せずに、実施例２と同
様の手法で、１枚づつ半導体ウェハ表面に貼着した。貼
り合わせパターンは実施例３と同様の手法で２４パター
ンとした。粘着フィルムの貼り合せパターン毎に各１０
枚、合計２４０枚に対して、実施例１と同一の手法で評
価した。その結果、比較例３の結果と同様に、粘着フィ
ルム５が半導体ウェハ表面に接する層となるように積層
された粘着フィルム１１（計６０枚）を用いた場合の裏
面研削後の半導体ウェハを観察すると、粘着フィルム５
が半導体ウェハ表面から浮いた状態で研削屑或いは洗浄
水の浸入が４８枚あった。粘着フィルム５が半導体ウェ
ハ表面に接しない様に積層された他の１８０枚の場合に
ついては、粘着フィルム５が剥がれてしまい１１６枚の
半導体ウェハの破損が見られた。得られた結果を表２に
示す。
ハの保護性能を実施した。比較例３のように、予め４種
類の粘着フィルムの積層体を作成せずに、実施例２と同
様の手法で、１枚づつ半導体ウェハ表面に貼着した。貼
り合わせパターンは実施例３と同様の手法で２４パター
ンとした。粘着フィルムの貼り合せパターン毎に各１０
枚、合計２４０枚に対して、実施例１と同一の手法で評
価した。その結果、比較例３の結果と同様に、粘着フィ
ルム５が半導体ウェハ表面に接する層となるように積層
された粘着フィルム１１（計６０枚）を用いた場合の裏
面研削後の半導体ウェハを観察すると、粘着フィルム５
が半導体ウェハ表面から浮いた状態で研削屑或いは洗浄
水の浸入が４８枚あった。粘着フィルム５が半導体ウェ
ハ表面に接しない様に積層された他の１８０枚の場合に
ついては、粘着フィルム５が剥がれてしまい１１６枚の
半導体ウェハの破損が見られた。得られた結果を表２に
示す。
【００７８】比較例５
予め、粘着フィルム１、３、４、及び６を貼り合せ押圧
して、積層した粘着フィルム１２を製造した。粘着フィ
ルムの貼り合せパターンは、実施例３と同様の手法によ
り、２４パターンとした。各パターン１０枚、合計２４
０枚の積層体を作成し、粘着フィルム１２とした。粘着
フィルム１２を用いた以外は、２４０枚に対して実施例
１と同一の手法で評価した。その結果、裏面研削後の半
導体ウェハ表面から、粘着フィルム剥離する工程で、粘
着フィルム１が、半導体ウェハ表面に接する様に積層さ
れた粘着フィルム１２を用いた６０枚については、３４
枚の剥離不良と１８枚の半導体ウェハの破損が確認され
た。粘着フィルム１が、半導体ウェハ表面に接しないよ
うに積層された１８０枚については、粘着フィルム１の
層が剥離できなかったものが確認され、粘着フィルム１
の下層側の粘着フィルムと接着していることが多かっ
た。粘着フィルム剥離工程において８６枚の剥離不良が
生じた。得られた結果を表２に示す。
して、積層した粘着フィルム１２を製造した。粘着フィ
ルムの貼り合せパターンは、実施例３と同様の手法によ
り、２４パターンとした。各パターン１０枚、合計２４
０枚の積層体を作成し、粘着フィルム１２とした。粘着
フィルム１２を用いた以外は、２４０枚に対して実施例
１と同一の手法で評価した。その結果、裏面研削後の半
導体ウェハ表面から、粘着フィルム剥離する工程で、粘
着フィルム１が、半導体ウェハ表面に接する様に積層さ
れた粘着フィルム１２を用いた６０枚については、３４
枚の剥離不良と１８枚の半導体ウェハの破損が確認され
た。粘着フィルム１が、半導体ウェハ表面に接しないよ
うに積層された１８０枚については、粘着フィルム１の
層が剥離できなかったものが確認され、粘着フィルム１
の下層側の粘着フィルムと接着していることが多かっ
た。粘着フィルム剥離工程において８６枚の剥離不良が
生じた。得られた結果を表２に示す。
【００７９】比較例６
粘着フィルム１、３、４、及び６を用いて保護性能を実
施した。比較例５のよういに予め積層体を作成せずに、
実施例４と同様にして１枚づつ半導体ウェハ表面に貼着
した。粘着フィルムの貼り合せパターンは、比較例５と
同様に２４０パターンとした。各パターンそれぞれ１０
枚、合計２４０枚について、実施例１と同一の手法で評
価した。比較例５の結果と同様に、粘着フィルム１が半
導体ウェハ表面に接するように貼着した６０枚の場合、
４４枚の剥離不良と１２枚の半導体ウェハの破損が確認
された。粘着フィルム１が半導体ウェハ表面に接しない
様に貼着した１８０枚の場合については、粘着フィルム
１の層がを剥離することはできず、粘着フィルム１の下
層側の粘着フィルムと接着している場合が多く、粘着フ
ィルム剥離工程において７２枚の剥離不良が生じた。得
られた結果を表２に示す。
施した。比較例５のよういに予め積層体を作成せずに、
実施例４と同様にして１枚づつ半導体ウェハ表面に貼着
した。粘着フィルムの貼り合せパターンは、比較例５と
同様に２４０パターンとした。各パターンそれぞれ１０
枚、合計２４０枚について、実施例１と同一の手法で評
価した。比較例５の結果と同様に、粘着フィルム１が半
導体ウェハ表面に接するように貼着した６０枚の場合、
４４枚の剥離不良と１２枚の半導体ウェハの破損が確認
された。粘着フィルム１が半導体ウェハ表面に接しない
様に貼着した１８０枚の場合については、粘着フィルム
１の層がを剥離することはできず、粘着フィルム１の下
層側の粘着フィルムと接着している場合が多く、粘着フ
ィルム剥離工程において７２枚の剥離不良が生じた。得
られた結果を表２に示す。
【００８０】
【表１】
【００８１】
【表２】
【００８２】
【発明の効果】本発明は、半導体ウエハの表面に、半導
体ウエハ表面保護用粘着フィルムを貼り付けてから、そ
れを剥離する工程に到る一連の工程において、片表面に
粘着剤層が形成された半導体ウェハ表面保護用粘着フィ
ルムが、貯蔵弾性率（Ｅ’）が１×１０8〜１×１０10
Ｐａ、厚みが１０〜１００μｍである高弾性フィルム層
を少なくとも２層有し、高弾性フィルムの厚みの合計が
１００μｍ以上であり、且つ、基材フィルムの総厚みが
１００〜１０００μｍであって、半導体ウェハの裏面加
工後、半導体ウェハの表面から半導体ウェハの表面保護
用フィルムを剥離する工程が複数回あって、１回の工程
で剥離される高弾性フィルムの厚みの合計が１００μｍ
以下であることを特徴とする半導体ウェハの保護方法で
ある。本発明によれば、半導体ウェハの厚さが１００μ
ｍ以下に薄層化された場合であっても、半導体ウェハの
破損を防止することができる。
体ウエハ表面保護用粘着フィルムを貼り付けてから、そ
れを剥離する工程に到る一連の工程において、片表面に
粘着剤層が形成された半導体ウェハ表面保護用粘着フィ
ルムが、貯蔵弾性率（Ｅ’）が１×１０8〜１×１０10
Ｐａ、厚みが１０〜１００μｍである高弾性フィルム層
を少なくとも２層有し、高弾性フィルムの厚みの合計が
１００μｍ以上であり、且つ、基材フィルムの総厚みが
１００〜１０００μｍであって、半導体ウェハの裏面加
工後、半導体ウェハの表面から半導体ウェハの表面保護
用フィルムを剥離する工程が複数回あって、１回の工程
で剥離される高弾性フィルムの厚みの合計が１００μｍ
以下であることを特徴とする半導体ウェハの保護方法で
ある。本発明によれば、半導体ウェハの厚さが１００μ
ｍ以下に薄層化された場合であっても、半導体ウェハの
破損を防止することができる。
フロントページの続き
(72)発明者 福本 英樹
愛知県名古屋市南区丹後通２−１ 三井化
学株式会社内
(72)発明者 宮川 誠史
愛知県名古屋市南区丹後通２−１ 三井化
学株式会社内
(72)発明者 早川 慎一
愛知県名古屋市南区丹後通２−１ 三井化
学株式会社内
Ｆターム(参考） 4J004 AB01 CA06 CB03 CC03 FA04
FA05
4J040 JA09 JB09 NA20
5F031 CA02 DA15 MA34 PA20
Claims (11)
- 【請求項１】 基材フィルム層の片表面に粘着剤層が形
成された半導体ウェハ表面保護用粘着フィルムであっ
て、基材フィルム層が、貯蔵弾性率（Ｅ’）が１×１０
8〜１×１０10Ｐａ、厚みが１０〜１００μｍである高
弾性フィルム層を少なくとも２層有し、該高弾性フィル
ム層の合計厚みが少なくとも１００μｍであり、且つ、
基材フィルム層の総厚みが１００〜１０００μｍである
ことを特徴とする半導体ウェハ表面保護用粘着フィル
ム。 - 【請求項２】 高弾性フィルム層が、ポリエチレンテレ
フタレート、ポリエチレンナフタレート、ポリエーテル
エーテルケトン、ポリエーテルサルホン、ポリエーテル
イミド及びポリイミドからなる群から選ばれた少なくと
も１種のフィルムであることを特徴とする請求項１記載
の半導体ウェハ表面保護用粘着フィルム。 - 【請求項３】 高弾性フィルム層が２軸延伸フィルムで
あることを特徴とする請求項２記載の半導体ウェハ表面
保護用粘着フィルム。 - 【請求項４】 基材フィルム層が、貯蔵弾性率（Ｅ’）
が１×１０5〜１×１０8Ｐａ、厚みが１０〜３００μｍ
である低弾性フィルム層を少なくとも１層有することを
特徴とする請求項１記載の半導体ウェハ表面保護用粘着
フィルム。 - 【請求項５】 低弾性フィルム層の片表面に粘着剤層が
形成されたことを特徴とする請求項４記載の半導体ウェ
ハ表面保護用粘着フィルム。 - 【請求項６】 低弾性フィルム層が、エチレン−酢酸ビ
ニル共重合体であることを特徴とする請求項４記載の半
導体ウェハ表面保護用粘着フィルム。 - 【請求項７】 半導体ウェハの回路形成面に接する粘着
剤層の厚みが３〜１００μであることを特徴とする請求
項１記載の半導体ウェハ表面保護用粘着フィルム。 - 【請求項８】 請求項１〜７のいずれか１項に記載の半
導体ウェハ表面保護用粘着フィルムを用いる半導体ウェ
ハの保護方法であって、半導体ウェハ表面保護用粘着フ
ィルムをその粘着剤層を介して半導体ウェハの回路形成
面に貼着して、半導体ウェハの回路非形成面に対して裏
面加工を施し、次いで、半導体ウェハ表面保護用粘着フ
ィルムを剥離することを特徴とする半導体ウェハの保護
方法。 - 【請求項９】 厚みが１０〜１００μｍである高弾性フ
ィルム層、又は厚みが１０〜３００μｍである低弾性フ
ィルム層の片表面に、厚みが３〜１００μである粘着剤
層が形成された粘着フィルムを、高弾性フィルム層が少
なくとも２層となるように、それらの粘着剤層を介して
半導体ウェハの回路形成面に順次貼着、積層することを
特徴とする請求項８記載の半導体ウェハの保護方法。 - 【請求項１０】 半導体ウェハ表面保護用粘着フィルム
の剥離操作を複数回に分けて実施し、１回の操作で剥離
する高弾性フィルム層の厚みが１００μｍ以下であるこ
とを特徴とする請求項８記載の半導体ウェハの保護方
法。 - 【請求項１１】 半導体ウェハの裏面加工後の厚みが１
００μｍ以下であることを特徴とする請求項８記載の半
導体ウェハの保護方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2002012344A JP4257061B2 (ja) | 2002-01-22 | 2002-01-22 | 半導体ウェハ表面保護用粘着フィルム及び該粘着フィルムを用いる半導体ウェハの保護方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2002012344A JP4257061B2 (ja) | 2002-01-22 | 2002-01-22 | 半導体ウェハ表面保護用粘着フィルム及び該粘着フィルムを用いる半導体ウェハの保護方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2003218192A true JP2003218192A (ja) | 2003-07-31 |
| JP4257061B2 JP4257061B2 (ja) | 2009-04-22 |
Family
ID=27649573
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2002012344A Expired - Lifetime JP4257061B2 (ja) | 2002-01-22 | 2002-01-22 | 半導体ウェハ表面保護用粘着フィルム及び該粘着フィルムを用いる半導体ウェハの保護方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP4257061B2 (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005053998A (ja) * | 2003-08-08 | 2005-03-03 | Nitto Denko Corp | 再剥離型粘着シート |
| KR101199487B1 (ko) | 2009-08-11 | 2012-11-09 | 도레이첨단소재 주식회사 | 반도체 박막 웨이퍼 가공용 웨이퍼 서포트 점착필름을 이용한 박막공정 |
| JP2013077758A (ja) * | 2011-09-30 | 2013-04-25 | Lintec Corp | 基材フィルムおよび該基材フィルムを備えた粘着シート |
| WO2017188203A1 (ja) * | 2016-04-28 | 2017-11-02 | リンテック株式会社 | 保護膜付き半導体チップの製造方法及び半導体装置の製造方法 |
-
2002
- 2002-01-22 JP JP2002012344A patent/JP4257061B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (12)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005053998A (ja) * | 2003-08-08 | 2005-03-03 | Nitto Denko Corp | 再剥離型粘着シート |
| JP4566527B2 (ja) * | 2003-08-08 | 2010-10-20 | 日東電工株式会社 | 再剥離型粘着シート |
| KR101199487B1 (ko) | 2009-08-11 | 2012-11-09 | 도레이첨단소재 주식회사 | 반도체 박막 웨이퍼 가공용 웨이퍼 서포트 점착필름을 이용한 박막공정 |
| JP2013077758A (ja) * | 2011-09-30 | 2013-04-25 | Lintec Corp | 基材フィルムおよび該基材フィルムを備えた粘着シート |
| WO2017188203A1 (ja) * | 2016-04-28 | 2017-11-02 | リンテック株式会社 | 保護膜付き半導体チップの製造方法及び半導体装置の製造方法 |
| KR20190003944A (ko) * | 2016-04-28 | 2019-01-10 | 린텍 가부시키가이샤 | 보호막이 형성된 반도체 칩의 제조 방법 및 반도체 장치의 제조 방법 |
| CN109287125A (zh) * | 2016-04-28 | 2019-01-29 | 琳得科株式会社 | 带保护膜的半导体芯片的制造方法及半导体装置的制造方法 |
| JPWO2017188203A1 (ja) * | 2016-04-28 | 2019-02-28 | リンテック株式会社 | 保護膜付き半導体チップの製造方法及び半導体装置の製造方法 |
| JP7071916B2 (ja) | 2016-04-28 | 2022-05-19 | リンテック株式会社 | 保護膜付き半導体チップの製造方法及び半導体装置の製造方法 |
| TWI774672B (zh) * | 2016-04-28 | 2022-08-21 | 日商琳得科股份有限公司 | 附有保護膜的半導體晶片的製造方法以及半導體裝置的製造方法 |
| KR102472267B1 (ko) * | 2016-04-28 | 2022-11-30 | 린텍 가부시키가이샤 | 보호막이 형성된 반도체 칩의 제조 방법 및 반도체 장치의 제조 방법 |
| CN109287125B (zh) * | 2016-04-28 | 2023-07-18 | 琳得科株式会社 | 带保护膜的半导体芯片的制造方法及半导体装置的制造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP4257061B2 (ja) | 2009-04-22 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP4800778B2 (ja) | ダイシング用粘着シート及びそれを用いた被加工物の加工方法 | |
| JP4970863B2 (ja) | 被加工物の加工方法 | |
| KR100696287B1 (ko) | 반도체 웨이퍼의 보호방법 | |
| KR100735720B1 (ko) | 반도체 웨이퍼 표면보호필름 및 상기 보호필름을 사용하는반도체 웨이퍼의 보호 방법 | |
| JP2003173994A (ja) | 半導体ウエハ表面保護用粘着フィルム及びそれを用いる半導体ウエハの保護方法 | |
| JP2008060151A (ja) | 半導体ウエハ裏面加工方法、基板裏面加工方法、及び放射線硬化型粘着シート | |
| US6730595B2 (en) | Protecting method for semiconductor wafer and surface protecting adhesive film for semiconductor wafer used in said method | |
| JP5019619B2 (ja) | ウェハ表面保護テープ | |
| JP2001203255A (ja) | 半導体ウエハ保持保護用粘着シート | |
| US20050203250A1 (en) | Pressure-sensitive adhesive film for the suface protection of semiconductor wafers and method for protection of semiconductor wafers with the film | |
| JP2002069396A (ja) | 半導体ウエハ保護用粘着フィルム及びそれを用いる半導体ウエハの裏面加工方法 | |
| JP2008001838A (ja) | 半導体ウェハの裏面研削用粘着フィルム及びそれを用いた半導体ウェハの裏面研削方法 | |
| JP2003261842A (ja) | 半導体ウエハ加工用粘着シートおよびその使用方法 | |
| JP4054219B2 (ja) | 半導体ウェハ表面保護用粘着フィルム及び該粘着フィルムを用いる半導体ウェハ保護方法 | |
| JP2002053819A (ja) | 半導体ウエハ表面保護用粘着フィルム及びそれを用いる半導体ウエハ表面の保護方法 | |
| JP4266120B2 (ja) | 半導体ウェハ表面保護用粘着フィルム及び該粘着フィルムを用いる半導体ウェハの保護方法 | |
| JP4252805B2 (ja) | 半導体ウエハ表面保護用粘着フィルム及び該粘着フィルムを用いる半導体ウエハの裏面加工方法 | |
| JP2008001822A (ja) | 半導体ウェハの加工方法及びそれに用いる半導体ウェハ加工用粘着フィルム、並びに、半導体ウェハ加工用粘着フィルムの製造方法 | |
| JPWO2003083002A1 (ja) | 半導体ウェハ表面保護用粘着フィルム及び該粘着フィルムを用いる半導体ウェハの保護方法 | |
| JP3594581B2 (ja) | 半導体ウェハ保護方法及び該保護方法に用いる半導体ウェハ表面保護用粘着フィルム | |
| JP2008028026A (ja) | ダイシング用粘着テープ又はシート、被加工物のダイシング方法、及び被加工物の切断片のピックアップ方法 | |
| WO2015122465A1 (ja) | 半導体ウェハ表面保護用粘着フィルム、並びに粘着フィルムを用いる半導体ウェハの保護方法及び半導体装置の製造方法 | |
| JP2004119780A (ja) | 半導体ウエハの加工方法 | |
| JP4257061B2 (ja) | 半導体ウェハ表面保護用粘着フィルム及び該粘着フィルムを用いる半導体ウェハの保護方法 | |
| JP4452127B2 (ja) | 半導体ウェハ表面保護用粘着フィルム及び該粘着フィルムを用いる半導体ウェハ保護方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20041111 |
|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20070424 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20080118 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20080318 |
|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20080513 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20080711 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20080822 |
|
| A911 | Transfer to examiner for re-examination before appeal (zenchi) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A911 Effective date: 20080827 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20081205 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20081212 |
|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20090113 |
|
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20090202 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120206 Year of fee payment: 3 |
|
| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 4257061 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120206 Year of fee payment: 3 |
|
| S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313111 |
|
| R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130206 Year of fee payment: 4 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140206 Year of fee payment: 5 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |