JP2003204140A - 配線基板の製造方法、多層配線基板の製造方法および多層配線基板 - Google Patents
配線基板の製造方法、多層配線基板の製造方法および多層配線基板Info
- Publication number
- JP2003204140A JP2003204140A JP2002003794A JP2002003794A JP2003204140A JP 2003204140 A JP2003204140 A JP 2003204140A JP 2002003794 A JP2002003794 A JP 2002003794A JP 2002003794 A JP2002003794 A JP 2002003794A JP 2003204140 A JP2003204140 A JP 2003204140A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- wiring board
- wiring
- substrate
- manufacturing
- groove
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/10—Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/15—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process
- H01L2224/16—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process of an individual bump connector
- H01L2224/161—Disposition
- H01L2224/16151—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/16221—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/16225—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
Landscapes
- Production Of Multi-Layered Print Wiring Board (AREA)
- Printing Elements For Providing Electric Connections Between Printed Circuits (AREA)
- Structures For Mounting Electric Components On Printed Circuit Boards (AREA)
- Manufacturing Of Printed Wiring (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 本発明は、熱可塑性樹脂を用いた配線基板の
製造方法および多層配線基板の製造方法に関する。そし
て、この製造方法によって製造された多層配線基板に関
する。 【解決手段】 本発明にかかる、熱可塑性樹脂を含む基
板２１に配線パターンを形成した配線基板の製造方法で
は、配線パターンに応じた溝部２４を基板２１に形成す
る溝形成工程と、溝部２４に導電性ペーストを充填する
充填工程とを備えて構成される。
製造方法および多層配線基板の製造方法に関する。そし
て、この製造方法によって製造された多層配線基板に関
する。 【解決手段】 本発明にかかる、熱可塑性樹脂を含む基
板２１に配線パターンを形成した配線基板の製造方法で
は、配線パターンに応じた溝部２４を基板２１に形成す
る溝形成工程と、溝部２４に導電性ペーストを充填する
充填工程とを備えて構成される。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、熱可塑性樹脂を用
いた配線基板の製造方法および多層配線基板の製造方法
に関する。そして、この製造方法によって製造された多
層配線基板に関する。
いた配線基板の製造方法および多層配線基板の製造方法
に関する。そして、この製造方法によって製造された多
層配線基板に関する。
【０００２】
【従来の技術】電子機器に搭載される実装基板におい
て、近年における電子機器の小型化、多機能化に伴い、
従来より高密度な電子部品の実装が要求される。配線基
板に電子部品を高密度に実装するためには、電子部品の
小型化だけでなく微細かつ高精度な配線加工が要求され
る。
て、近年における電子機器の小型化、多機能化に伴い、
従来より高密度な電子部品の実装が要求される。配線基
板に電子部品を高密度に実装するためには、電子部品の
小型化だけでなく微細かつ高精度な配線加工が要求され
る。
【０００３】一方、昨今要求される、環境負荷への低減
を実現するためには実装基板をリサイクルする方法につ
いて考慮する必要がある。従来のガラスエポキシを材料
とする配線基板は、優れた耐熱性や加工性を有するが、
熱硬化性樹脂のエポキシ樹脂を基板材料とするため、リ
サイクルが難しかった。
を実現するためには実装基板をリサイクルする方法につ
いて考慮する必要がある。従来のガラスエポキシを材料
とする配線基板は、優れた耐熱性や加工性を有するが、
熱硬化性樹脂のエポキシ樹脂を基板材料とするため、リ
サイクルが難しかった。
【０００４】ここで注目された基板材料が熱可塑性樹脂
である。熱可塑樹脂からなる配線基板は、微細かつ高精
度の配線加工ができるだけでなく、機械的強度、耐熱性
および電気的絶縁性に優れ、しかもリサイクルが比較的
容易である。これら種々の利点から、配線基板の基板と
して熱可塑性樹脂を使用する研究が進められている。
である。熱可塑樹脂からなる配線基板は、微細かつ高精
度の配線加工ができるだけでなく、機械的強度、耐熱性
および電気的絶縁性に優れ、しかもリサイクルが比較的
容易である。これら種々の利点から、配線基板の基板と
して熱可塑性樹脂を使用する研究が進められている。
【０００５】例えば、熱可塑性樹脂であるポリイミドを
基板材料に使用する場合、従来は、ポリイミドからなる
テープに銅箔を積層し、次いで、前記銅箔を配線パター
ンとなるようにエッチング加工することにより、所定の
配線パターンを備えたプリント配線基板を製造してい
る。また、このエッチングによる方法に代わって基板に
導電性ペーストを印刷することにより配線パターンを形
成する方法もある。
基板材料に使用する場合、従来は、ポリイミドからなる
テープに銅箔を積層し、次いで、前記銅箔を配線パター
ンとなるようにエッチング加工することにより、所定の
配線パターンを備えたプリント配線基板を製造してい
る。また、このエッチングによる方法に代わって基板に
導電性ペーストを印刷することにより配線パターンを形
成する方法もある。
【０００６】この導電性ペーストによる方法では、エッ
チングによる方法に比較してウエット工程（エッチング
工程）が不要となるため、より環境保護に貢献するとい
う利点がある。
チングによる方法に比較してウエット工程（エッチング
工程）が不要となるため、より環境保護に貢献するとい
う利点がある。
【０００７】したがって、熱可塑性樹脂基板と導電性ペ
ーストとにより配線基板を製造すれば、高性能で環境に
も優しい配線基板を実現することができる。この導電性
ペーストで配線パターンを形成した熱可塑性樹脂基板を
製造する方法は、例えば、特開2001-244609号公報に開
示されている。この公報によれば、配線パターンとなる
形状を有したキャビティ金型に溶融状態の熱可塑性樹脂
を射出成型することによって配線パターンに対応する溝
を形成した熱可塑性樹脂基板を製造し、この溝に導電性
ペーストを充填することによって配線基板を製造してい
る。
ーストとにより配線基板を製造すれば、高性能で環境に
も優しい配線基板を実現することができる。この導電性
ペーストで配線パターンを形成した熱可塑性樹脂基板を
製造する方法は、例えば、特開2001-244609号公報に開
示されている。この公報によれば、配線パターンとなる
形状を有したキャビティ金型に溶融状態の熱可塑性樹脂
を射出成型することによって配線パターンに対応する溝
を形成した熱可塑性樹脂基板を製造し、この溝に導電性
ペーストを充填することによって配線基板を製造してい
る。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】ところで、この配線基
板の製造方法は、キャビティ金型が必要であり製造設備
が大掛かりとなるという問題がある。そして、この配線
基板の製造方法は、溶融した熱可塑性樹脂をキャビティ
金型内で冷却するため、冷却の際の残留応力によって金
型から取り出した配線基板に反りを生じるという問題も
ある。
板の製造方法は、キャビティ金型が必要であり製造設備
が大掛かりとなるという問題がある。そして、この配線
基板の製造方法は、溶融した熱可塑性樹脂をキャビティ
金型内で冷却するため、冷却の際の残留応力によって金
型から取り出した配線基板に反りを生じるという問題も
ある。
【０００９】そこで、本発明の目的は、熱可塑性樹脂か
らなる基板材料に微細な配線パターンをドライ工程によ
って簡便に形成される配線基板の製造方法、多層配線基
板の製造方法および多層配線基板を提供することであ
る。
らなる基板材料に微細な配線パターンをドライ工程によ
って簡便に形成される配線基板の製造方法、多層配線基
板の製造方法および多層配線基板を提供することであ
る。
【００１０】
【課題を解決するための手段】本発明にかかる、熱可塑
性樹脂を含む基板に配線パターンを形成した配線基板の
製造方法では、前記配線パターンに応じた溝部を前記基
板に形成する溝形成工程と、前記溝部に導電性ペースト
を充填する充填工程とを備えて構成される。
性樹脂を含む基板に配線パターンを形成した配線基板の
製造方法では、前記配線パターンに応じた溝部を前記基
板に形成する溝形成工程と、前記溝部に導電性ペースト
を充填する充填工程とを備えて構成される。
【００１１】特に、溝形成工程は、前記基板の軟化開始
温度以上の温度で前記配線パターンに応じた凸形状を備
えた溝用型を前記基板に押圧することによって形成す
る。
温度以上の温度で前記配線パターンに応じた凸形状を備
えた溝用型を前記基板に押圧することによって形成す
る。
【００１２】本発明にかかる多層配線基板の製造方法
は、配線パターンに応じた溝部を熱可塑性樹脂を含む基
板に形成する溝形成工程と該溝部に導電性ペーストを充
填する充填工程とを備えて製造される配線基板を複数製
造する配線基板製造工程と、製造された複数の配線基板
を積層する積層工程と、前記基板の軟化開始温度以上の
温度で加熱しながら前記複数の配線基板が互いに圧接さ
れるように加圧することによって前記複数の配線基板を
相互に融着する多層化工程とを備えて構成される。
は、配線パターンに応じた溝部を熱可塑性樹脂を含む基
板に形成する溝形成工程と該溝部に導電性ペーストを充
填する充填工程とを備えて製造される配線基板を複数製
造する配線基板製造工程と、製造された複数の配線基板
を積層する積層工程と、前記基板の軟化開始温度以上の
温度で加熱しながら前記複数の配線基板が互いに圧接さ
れるように加圧することによって前記複数の配線基板を
相互に融着する多層化工程とを備えて構成される。
【００１３】そして、本発明にかかる多層配線基板は、
熱可塑性樹脂を含む基板の溝部に配線パターンが形成さ
れた配線基板を複数積層し、該複数の配線基板が相互に
融着している。
熱可塑性樹脂を含む基板の溝部に配線パターンが形成さ
れた配線基板を複数積層し、該複数の配線基板が相互に
融着している。
【００１４】また、本発明にかかる配線基板の製造装置
は、熱可塑性樹脂を含む基板を載置する載置台と、配線
パターンに応じた凸形状を備えた溝用型と、前記基板の
軟化開始温度以上の温度で前記溝用型を前記基板に押圧
する加熱押圧手段と、前記加熱押圧手段によって形成さ
れた溝部に導電性ペーストを充填する充填手段とを備え
て構成される。
は、熱可塑性樹脂を含む基板を載置する載置台と、配線
パターンに応じた凸形状を備えた溝用型と、前記基板の
軟化開始温度以上の温度で前記溝用型を前記基板に押圧
する加熱押圧手段と、前記加熱押圧手段によって形成さ
れた溝部に導電性ペーストを充填する充填手段とを備え
て構成される。
【００１５】このような構成の配線基板の製造方法、多
層配線基板の製造方法および配線基板の製造装置では、
熱可塑性樹脂に溝部を形成し該溝部に導電性ペーストに
より配線パターンを形成するので、微細かつ高精度の配
線加工ができるだけでなく、機械的強度、耐熱性および
電気的絶縁性に優れ、しかもリサイクルが比較的容易で
ある。
層配線基板の製造方法および配線基板の製造装置では、
熱可塑性樹脂に溝部を形成し該溝部に導電性ペーストに
より配線パターンを形成するので、微細かつ高精度の配
線加工ができるだけでなく、機械的強度、耐熱性および
電気的絶縁性に優れ、しかもリサイクルが比較的容易で
ある。
【００１６】特に、熱可塑性樹脂の物性である軟化開始
温度を利用することで、プレス加工により溝部を形成す
ることができる。
温度を利用することで、プレス加工により溝部を形成す
ることができる。
【００１７】そして、上述の多層配線基板は、微細かつ
高精度に配線加工され、機械的強度、耐熱性および電気
的絶縁性に優れ、しかもリサイクルが比較的容易であ
る。
高精度に配線加工され、機械的強度、耐熱性および電気
的絶縁性に優れ、しかもリサイクルが比較的容易であ
る。
【００１８】なお、軟化開始温度は、樹脂の弾性率が急
激に減少し固い状態から、物体を押圧することによりそ
の物体の形状に従った形状に樹脂が変形可能となる状態
に変化する温度をいい、例えば、基板が熱可塑性樹脂の
みによりなる場合には、ガラス転移温度に一致する。
激に減少し固い状態から、物体を押圧することによりそ
の物体の形状に従った形状に樹脂が変形可能となる状態
に変化する温度をいい、例えば、基板が熱可塑性樹脂の
みによりなる場合には、ガラス転移温度に一致する。
【００１９】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施形態について
図面に基づいて説明する。なお、各図において、同一の
構成については、同一の符号を付す。
図面に基づいて説明する。なお、各図において、同一の
構成については、同一の符号を付す。
【００２０】図１は、配線基板の製造方法を説明するた
めの工程図（その１）である。
めの工程図（その１）である。
【００２１】図２は、配線基板の製造方法を説明するた
めの工程図（その２）である。
めの工程図（その２）である。
【００２２】図１および図２において、本発明の一実施
形態にかかる配線基板は、図１に示すように基板２１の
一方の主面に配線用の溝部２４を形成する溝形成工程
と、図２Ａに示すように貫通孔（スルーホール）２５を
形成する貫通孔形成工程と、図２Ｂに示すように溝部２
４および貫通孔２５に導電性ペースト２６を充填した後
に乾燥させる充填工程と、図２Ｃに示すように溝部２４
を形成した配線側の主面を表面精密研磨する研磨工程と
で製造される。（溝形成工程）溝形成工程では、まず、
熱可塑性樹脂の基板２１を用意する。熱可塑性樹脂は、
高耐熱性、高強度を有する。本発明は、結晶性樹脂およ
び非晶性樹脂をともに利用することができる。結晶性樹
脂は、ガラス転移点（二次転移点）と融点（一次転移
点）とを持つ樹脂であり、例えば、液晶ポリマー（Liqu
id Crystal Polymer、ＬＣＰ）、ポリエーテルエーテル
ケトン（Polyetheretherketone、ＰＥＥＫ）、ポリエー
テルニトリル（ＰＥＮ）、シンジオタクチックポリスチ
レン（ＳＰＳ）、ポリフェニレンサルファイド（ＰＰ
Ｓ）などを利用することができる。非晶性樹脂は、ガラ
ス転移点（二次転移点）のみを持つ樹脂であり、例え
ば、ポリアミドイミド（ＰＡＩ）、ポリアリレート（Ｐ
ＡＲ）、ポリエーテルスルホン（Polyethersulfone、Ｐ
ＥＳ）などを利用することができる。また、これらの複
合材料も利用可能である。さらに、配線基板の耐熱変形
温度を高くするという効果を得るために、熱可塑性樹脂
と熱硬化性樹脂とを混合（ブレンド）した複合材料を用
いてもよい。この場合において、熱硬化性樹脂の硬化温
度は、熱可塑性樹脂の融点温度より低いこと、すなわ
ち、（熱可塑性樹脂の融点）≧（熱硬化性樹脂の硬化温
度）が必要である。熱硬化性樹脂は、例えば、エポキシ
樹脂、熱硬化性ポリイミド樹脂、フェノール樹脂などを
用いることができる。
形態にかかる配線基板は、図１に示すように基板２１の
一方の主面に配線用の溝部２４を形成する溝形成工程
と、図２Ａに示すように貫通孔（スルーホール）２５を
形成する貫通孔形成工程と、図２Ｂに示すように溝部２
４および貫通孔２５に導電性ペースト２６を充填した後
に乾燥させる充填工程と、図２Ｃに示すように溝部２４
を形成した配線側の主面を表面精密研磨する研磨工程と
で製造される。（溝形成工程）溝形成工程では、まず、
熱可塑性樹脂の基板２１を用意する。熱可塑性樹脂は、
高耐熱性、高強度を有する。本発明は、結晶性樹脂およ
び非晶性樹脂をともに利用することができる。結晶性樹
脂は、ガラス転移点（二次転移点）と融点（一次転移
点）とを持つ樹脂であり、例えば、液晶ポリマー（Liqu
id Crystal Polymer、ＬＣＰ）、ポリエーテルエーテル
ケトン（Polyetheretherketone、ＰＥＥＫ）、ポリエー
テルニトリル（ＰＥＮ）、シンジオタクチックポリスチ
レン（ＳＰＳ）、ポリフェニレンサルファイド（ＰＰ
Ｓ）などを利用することができる。非晶性樹脂は、ガラ
ス転移点（二次転移点）のみを持つ樹脂であり、例え
ば、ポリアミドイミド（ＰＡＩ）、ポリアリレート（Ｐ
ＡＲ）、ポリエーテルスルホン（Polyethersulfone、Ｐ
ＥＳ）などを利用することができる。また、これらの複
合材料も利用可能である。さらに、配線基板の耐熱変形
温度を高くするという効果を得るために、熱可塑性樹脂
と熱硬化性樹脂とを混合（ブレンド）した複合材料を用
いてもよい。この場合において、熱硬化性樹脂の硬化温
度は、熱可塑性樹脂の融点温度より低いこと、すなわ
ち、（熱可塑性樹脂の融点）≧（熱硬化性樹脂の硬化温
度）が必要である。熱硬化性樹脂は、例えば、エポキシ
樹脂、熱硬化性ポリイミド樹脂、フェノール樹脂などを
用いることができる。
【００２３】基板の厚さは、基板に要求される強度およ
び基板に電子部品を埋め込む場合にはその電子部品の厚
さに応じて決定されるが、例えば、５０μｍ、１００μ
ｍ、１５０μｍなどである。
び基板に電子部品を埋め込む場合にはその電子部品の厚
さに応じて決定されるが、例えば、５０μｍ、１００μ
ｍ、１５０μｍなどである。
【００２４】そして、図１Ａに示すように、このような
厚みのフィルム状の基板２１を剥離シート３２を介して
バックアッププレート（プレス台）３１に載置する。剥
離シート３２は、後述するように、配線回路用の溝部２
４を形成する際に溝用型２２が基板２１に加熱しながら
押圧されるので、基板２１がバックアッププレート３１
に付着しないようにするために設けられる。溝用型２２
は、配線パターン（溝部２４）に対応した凸形状を備
え、例えば、ガラスをエッチング加工したり、金属をエ
ッチング加工または放電加工したりすることによって製
造される次に、図１Ｂに示すように、形成すべき溝部２
４に対応する部分を凸部２３として凸形状にした溝用型
２２を加熱しながら基板２１にプレス３３で押し当て
る。以下に、この加熱温度について説明する。
厚みのフィルム状の基板２１を剥離シート３２を介して
バックアッププレート（プレス台）３１に載置する。剥
離シート３２は、後述するように、配線回路用の溝部２
４を形成する際に溝用型２２が基板２１に加熱しながら
押圧されるので、基板２１がバックアッププレート３１
に付着しないようにするために設けられる。溝用型２２
は、配線パターン（溝部２４）に対応した凸形状を備
え、例えば、ガラスをエッチング加工したり、金属をエ
ッチング加工または放電加工したりすることによって製
造される次に、図１Ｂに示すように、形成すべき溝部２
４に対応する部分を凸部２３として凸形状にした溝用型
２２を加熱しながら基板２１にプレス３３で押し当て
る。以下に、この加熱温度について説明する。
【００２５】図４は、非晶性樹脂における温度と弾性率
との関係を示す図である。
との関係を示す図である。
【００２６】図４に示すように、非晶性樹脂は、低温か
ら高温へ温度を変化させるに従って、弾性率Ｄが大きく
型を押し当てても型に従って変形しない固い状態から、
弾性率Ｄが小さく型を押し当てると型に従って変形する
とともに変形後の形状を維持する粘土状の状態へと変化
し、さらに、加熱することにより樹脂自体が分解する。
この固い状態から粘土状の状態へと変化する温度をガラ
ス転移温度Ｔgと称し、樹脂自体が分解する温度を分解
温度Ｔdと称する。
ら高温へ温度を変化させるに従って、弾性率Ｄが大きく
型を押し当てても型に従って変形しない固い状態から、
弾性率Ｄが小さく型を押し当てると型に従って変形する
とともに変形後の形状を維持する粘土状の状態へと変化
し、さらに、加熱することにより樹脂自体が分解する。
この固い状態から粘土状の状態へと変化する温度をガラ
ス転移温度Ｔgと称し、樹脂自体が分解する温度を分解
温度Ｔdと称する。
【００２７】図５は、結晶性樹脂における温度と弾性率
との関係を示す図である。
との関係を示す図である。
【００２８】図５に示すように、結晶性樹脂は、低温か
ら高温へ温度を変化させるに従って、上述と同様な固い
状態から粘土状の状態へと変化し、さらに、加熱するこ
とにより固体から液体になる。
ら高温へ温度を変化させるに従って、上述と同様な固い
状態から粘土状の状態へと変化し、さらに、加熱するこ
とにより固体から液体になる。
【００２９】本実施形態では、配線パターンになる溝部
２４は、溝用型２２を基板２１に押し当てることによっ
て形成されるので、加熱温度は、樹脂が溝用型２２に従
って変形する温度である必要がある。このため、加熱温
度は、非晶性樹脂の場合では基板２１に使用された非晶
性樹脂のガラス転移温度Ｔg以上分解温度Ｔd以下に設定
され、結晶性樹脂の場合では基板２１に使用された結晶
性樹脂のガラス転移温度Ｔg以上融点Ｔm以下に設定され
る。そして、圧力の大きさは、この加熱温度における熱
可塑性樹脂の弾性率に応じて決定される。
２４は、溝用型２２を基板２１に押し当てることによっ
て形成されるので、加熱温度は、樹脂が溝用型２２に従
って変形する温度である必要がある。このため、加熱温
度は、非晶性樹脂の場合では基板２１に使用された非晶
性樹脂のガラス転移温度Ｔg以上分解温度Ｔd以下に設定
され、結晶性樹脂の場合では基板２１に使用された結晶
性樹脂のガラス転移温度Ｔg以上融点Ｔm以下に設定され
る。そして、圧力の大きさは、この加熱温度における熱
可塑性樹脂の弾性率に応じて決定される。
【００３０】この加熱温度にすることより、熱可塑性樹
脂は、軟化し、溝用型２１が押し当てられることによ
り、溝用型２１の凸部２３が熱可塑性樹脂にめり込む。
脂は、軟化し、溝用型２１が押し当てられることによ
り、溝用型２１の凸部２３が熱可塑性樹脂にめり込む。
【００３１】そして、図１Ｃに示すように、溝用型２２
の凸部２３のみが基板２１に埋没する位置で押圧および
加熱を停止し、冷却する。凸部２３を抜いても溝部２４
の形状が維持されるようにするために基板２１の温度が
ガラス転移温度Ｔgより低い温度になった後に溝用型２
２を抜き、基板２１に溝部２４を形成する。
の凸部２３のみが基板２１に埋没する位置で押圧および
加熱を停止し、冷却する。凸部２３を抜いても溝部２４
の形状が維持されるようにするために基板２１の温度が
ガラス転移温度Ｔgより低い温度になった後に溝用型２
２を抜き、基板２１に溝部２４を形成する。
【００３２】本実施形態では、溝部２４がこのように形
成されるので、基板２１は、或る温度を境界に型を押し
当てると型に従って変形する状態にすることができる材
料である必要がある。
成されるので、基板２１は、或る温度を境界に型を押し
当てると型に従って変形する状態にすることができる材
料である必要がある。
【００３３】なお、溝部２４は、形成すべき溝部２４に
対応する部分を開口したマスクを基板２１上に載置し
て、サンドブラストによりこの開口部の樹脂を削ること
で形成してもよい。このような加熱プレス加工またはマ
スクを用いたサンドブラストによる溝形成は、短時間で
溝部２４を形成することができるので、大量生産する際
に好都合である。
対応する部分を開口したマスクを基板２１上に載置し
て、サンドブラストによりこの開口部の樹脂を削ること
で形成してもよい。このような加熱プレス加工またはマ
スクを用いたサンドブラストによる溝形成は、短時間で
溝部２４を形成することができるので、大量生産する際
に好都合である。
【００３４】あるいは、溝部２４は、配線パターンに沿
ってエンドミル、サンドブラストまたはレーザ光をＮＣ
制御することで加工してもよい。これらの加工方法で
は、配線パターンの設計データ（ＣＡＤデータ）を利用
してＮＣ制御を行うことができるので、配線パターンの
設計完了後直ちにＮＣ制御加工が可能であり、短期納品
・少量生産に好適である。
ってエンドミル、サンドブラストまたはレーザ光をＮＣ
制御することで加工してもよい。これらの加工方法で
は、配線パターンの設計データ（ＣＡＤデータ）を利用
してＮＣ制御を行うことができるので、配線パターンの
設計完了後直ちにＮＣ制御加工が可能であり、短期納品
・少量生産に好適である。
【００３５】以上の溝形成工程における溝形成方法は、
何れもドライな環境で行うことができ、従来の工程のよ
うにエッチング液を使用するウェットな工程がない。そ
のため、環境汚染を抑制することができる。 （貫通孔形成工程）図２Ａにおいて、貫通孔形成工程
は、一般的なプリント配線板への穴加工と同様であり、
貫通孔２５を形成すべき位置にドリル、サンドブラスト
またはレーザ光でＮＣ制御により加工する。
何れもドライな環境で行うことができ、従来の工程のよ
うにエッチング液を使用するウェットな工程がない。そ
のため、環境汚染を抑制することができる。 （貫通孔形成工程）図２Ａにおいて、貫通孔形成工程
は、一般的なプリント配線板への穴加工と同様であり、
貫通孔２５を形成すべき位置にドリル、サンドブラスト
またはレーザ光でＮＣ制御により加工する。
【００３６】なお、溝形成と貫通孔形成とを同一の手
段、例えば、サンドブラストやレーザ光で加工する場合
には、溝形成工程中において貫通孔２５を形成すること
もできる。 （充填工程）図２Ｂにおいて、基板２１の溝部２４およ
び貫通孔２５の部分には、導電材料である導電性ペース
ト２６が、樹脂製板状体であるスキージ３４を移動する
ことによって充填されるとともに、基板２１表面の部分
では、導電性ペーストが、スキージ３４により掻き取ら
れる。導電性ペースト２６は、熱可塑性樹脂をバインダ
ーとして、導電材料であるカーボンや金属（銅、金、銀
など）などの粉末を練り混んで製造される。ここで、こ
の導電性ペースト２６の熱可塑性樹脂は、融点Ｔm（ま
たは分解温度Ｔd）が基板の熱可塑性樹脂の融点Ｔm（ま
たは分解温度Ｔd）以下であることが望ましい。導電性
ペースト２６は、常温においても柔らかな粘度とする観
点から溶剤により希釈される。
段、例えば、サンドブラストやレーザ光で加工する場合
には、溝形成工程中において貫通孔２５を形成すること
もできる。 （充填工程）図２Ｂにおいて、基板２１の溝部２４およ
び貫通孔２５の部分には、導電材料である導電性ペース
ト２６が、樹脂製板状体であるスキージ３４を移動する
ことによって充填されるとともに、基板２１表面の部分
では、導電性ペーストが、スキージ３４により掻き取ら
れる。導電性ペースト２６は、熱可塑性樹脂をバインダ
ーとして、導電材料であるカーボンや金属（銅、金、銀
など）などの粉末を練り混んで製造される。ここで、こ
の導電性ペースト２６の熱可塑性樹脂は、融点Ｔm（ま
たは分解温度Ｔd）が基板の熱可塑性樹脂の融点Ｔm（ま
たは分解温度Ｔd）以下であることが望ましい。導電性
ペースト２６は、常温においても柔らかな粘度とする観
点から溶剤により希釈される。
【００３７】そして、導電性ペースト２６を加熱処理で
乾燥・硬化することによって配線回路が形成される。
乾燥・硬化することによって配線回路が形成される。
【００３８】なお、導電性ペースト２６の代わりに、微
細な金属粒子（例えば、銀粉）を溶剤に分散させた金属
ペーストを用いても良い。
細な金属粒子（例えば、銀粉）を溶剤に分散させた金属
ペーストを用いても良い。
【００３９】また、上述では、スキージ３４により導電
性ペースト２６の充填および掻き取りを行ったが、例え
ば、導電性ペースト２６を噴出するノズルを噴出しなが
ら溝部２４および貫通孔２５に沿って移動させ、これら
に導電性ペースト２６を充填するようにしてもよい。こ
の場合に、噴出しノズルは、一つの溝部２４および貫通
孔２５に充填するようにニードル状の、あるいは複数の
溝部２４および貫通孔２５に充填するようにスリット状
の開口部を持つノズルを利用することができる。 （研磨工程）図２Ｃに示すように、研磨工程では、充填
工程のスキージングが良好であるとそれだけで配線が形
成され配線間もきれいにできる場合もあるが、多くの場
合、高信頼性を確保する観点から、表面のコンタミ層
（残存した導電性ペースト２６の層）を研磨ローラ３５
で研磨することで除去する。
性ペースト２６の充填および掻き取りを行ったが、例え
ば、導電性ペースト２６を噴出するノズルを噴出しなが
ら溝部２４および貫通孔２５に沿って移動させ、これら
に導電性ペースト２６を充填するようにしてもよい。こ
の場合に、噴出しノズルは、一つの溝部２４および貫通
孔２５に充填するようにニードル状の、あるいは複数の
溝部２４および貫通孔２５に充填するようにスリット状
の開口部を持つノズルを利用することができる。 （研磨工程）図２Ｃに示すように、研磨工程では、充填
工程のスキージングが良好であるとそれだけで配線が形
成され配線間もきれいにできる場合もあるが、多くの場
合、高信頼性を確保する観点から、表面のコンタミ層
（残存した導電性ペースト２６の層）を研磨ローラ３５
で研磨することで除去する。
【００４０】表面研磨することにより、図２Ｄに示すよ
うに、基板の厚さが１μｍのオーダーで仕上がり、基板
の主面を平坦とすることができ、また、配線回路の線幅
・厚みもほとんどバラツキのない高精度の仕上がりとな
る。
うに、基板の厚さが１μｍのオーダーで仕上がり、基板
の主面を平坦とすることができ、また、配線回路の線幅
・厚みもほとんどバラツキのない高精度の仕上がりとな
る。
【００４１】以上の工程により、図２Ｅに示すような配
線基板１０-aが形成される。
線基板１０-aが形成される。
【００４２】このように熱可塑性樹脂の基板２１に配線
用の溝部２４を形成し、この溝部２４に導電性ペースト
２６を充填することによって配線基板１０-aを形成する
ことができるが、電子部品をはんだ接合し易くする観点
から、配線基板１０-aにさらに電極ランドを形成しても
よい。
用の溝部２４を形成し、この溝部２４に導電性ペースト
２６を充填することによって配線基板１０-aを形成する
ことができるが、電子部品をはんだ接合し易くする観点
から、配線基板１０-aにさらに電極ランドを形成しても
よい。
【００４３】次に、配線基板１０-aに電極ランドを形成
する電極ランド形成工程について説明する。 （電極ランド形成工程）図３は、電極ランドを形成する
形成方法を説明するための工程図である。
する電極ランド形成工程について説明する。 （電極ランド形成工程）図３は、電極ランドを形成する
形成方法を説明するための工程図である。
【００４４】電極ランド形成工程では、図２Ｄに続け
て、図３Ａに示すように、導電性ペースト２６により配
線回路が形成された配線基板１０-a上に金属箔２８を積
層する。金属箔２８は、例えば、はんだ付けのし易さ、
耐久性およびコストなどの観点から銅箔や鉄・ニッケル
を主成分とした合金箔などが用いられ、その厚みは５〜
３５μｍである。
て、図３Ａに示すように、導電性ペースト２６により配
線回路が形成された配線基板１０-a上に金属箔２８を積
層する。金属箔２８は、例えば、はんだ付けのし易さ、
耐久性およびコストなどの観点から銅箔や鉄・ニッケル
を主成分とした合金箔などが用いられ、その厚みは５〜
３５μｍである。
【００４５】次に、図３Ｂに示すように、電極ランド２
９となる部分に対応して凸部が形成された電極ランド用
型３６を配線基板１０-aに押し当て、図３Ｃに示すよう
に、電極ランド２９となる部分にのみ金属箔２８を配線
基板１０-aに埋め込む。
９となる部分に対応して凸部が形成された電極ランド用
型３６を配線基板１０-aに押し当て、図３Ｃに示すよう
に、電極ランド２９となる部分にのみ金属箔２８を配線
基板１０-aに埋め込む。
【００４６】この電極ランド用型３６を押圧する際に
は、電極ランド用型３６の温度を少なくとも導電性ペー
スト２６の融点よりも高い温度に加熱し、導電性ペース
ト２６の融点よりも低い温度に電極ランド用型３６の温
度を下げた後、電極ランド用型３６を開放する。これに
より金属箔２８の電極ランド２９を綺麗に配線基板１０
-aに埋め込むことができる。
は、電極ランド用型３６の温度を少なくとも導電性ペー
スト２６の融点よりも高い温度に加熱し、導電性ペース
ト２６の融点よりも低い温度に電極ランド用型３６の温
度を下げた後、電極ランド用型３６を開放する。これに
より金属箔２８の電極ランド２９を綺麗に配線基板１０
-aに埋め込むことができる。
【００４７】このようにして、配線基板１０-aから、図
３Ｄに示すような電極ランド２９を備えた配線基板１０
-bが形成される。
３Ｄに示すような電極ランド２９を備えた配線基板１０
-bが形成される。
【００４８】次に、このように形成された配線基板１０
-a、１０-bに電子部品を実装する場合について説明す
る。 （第１の実装配線基板）第１の実装配線基板は、配線回
路が形成されている基板面と対向する基板面に電子部品
を実装する実施形態である。
-a、１０-bに電子部品を実装する場合について説明す
る。 （第１の実装配線基板）第１の実装配線基板は、配線回
路が形成されている基板面と対向する基板面に電子部品
を実装する実施形態である。
【００４９】図６は、電子部品を実装する第１の実装方
法を説明するための工程図である。
法を説明するための工程図である。
【００５０】電子部品４１は、配線回路が形成されてい
る基板面と対向する基板面上に実装すべき位置に合わせ
て載せられる。この際において、特に、図６Ａに示すよ
うに、配線パターンと電気的な導通を図るために、導電
性ペースト２６が充填されている貫通孔２５と電子部品
４１の電極とが相互に合わせられる。
る基板面と対向する基板面上に実装すべき位置に合わせ
て載せられる。この際において、特に、図６Ａに示すよ
うに、配線パターンと電気的な導通を図るために、導電
性ペースト２６が充填されている貫通孔２５と電子部品
４１の電極とが相互に合わせられる。
【００５１】そして、図６Ｂに示すように、電子部品４
１を加熱しながら押圧することによって、電子部品４１
の電極を貫通孔２５の導電性ペースト内に挿入させ、さ
らに、電子部品４１と配線基板１０-cとの接合面を熱圧
着させる。
１を加熱しながら押圧することによって、電子部品４１
の電極を貫通孔２５の導電性ペースト内に挿入させ、さ
らに、電子部品４１と配線基板１０-cとの接合面を熱圧
着させる。
【００５２】したがって、電子部品４１の電極の先端
は、鋭角であることが好ましい。そして、加熱温度は、
図４および図５を用いて説明したように、配線基板１０
-cが非晶性樹脂の場合ではガラス転移温度Ｔg以上分解
温度Ｔd以下に設定され、結晶性樹脂の場合ではガラス
転移温度Ｔg以上融点Ｔm以下に設定される。なお、この
加熱温度は、一般に電子部品を熱破壊させる温度に比較
して充分低い温度である。また、圧力は、電子部品４１
における電極の数および大きさならびに貫通孔２５の導
電性ペースト２６によって決定される。
は、鋭角であることが好ましい。そして、加熱温度は、
図４および図５を用いて説明したように、配線基板１０
-cが非晶性樹脂の場合ではガラス転移温度Ｔg以上分解
温度Ｔd以下に設定され、結晶性樹脂の場合ではガラス
転移温度Ｔg以上融点Ｔm以下に設定される。なお、この
加熱温度は、一般に電子部品を熱破壊させる温度に比較
して充分低い温度である。また、圧力は、電子部品４１
における電極の数および大きさならびに貫通孔２５の導
電性ペースト２６によって決定される。
【００５３】例えば、電子部品４１がＩＣチップの場合
には電極は、バンプ電極であり、このバンプ電極の直径
が１００μｍである場合には貫通孔２５は略１２０μｍ
である。そして、圧力は、例えば、一電極端子当たり約
１０ｇ荷重となるように設定される。
には電極は、バンプ電極であり、このバンプ電極の直径
が１００μｍである場合には貫通孔２５は略１２０μｍ
である。そして、圧力は、例えば、一電極端子当たり約
１０ｇ荷重となるように設定される。
【００５４】その後、少なくともガラス転移温度Ｔg以
下まで冷却して、図６Ｃに示すような配線基板１０-cに
電子部品４１を実装した実装配線基板１１-aが製造され
る。（第２の実装配線基板）第１の実装配線基板１１-a
は、配線基板１０-cの面上に電子部品４１が搭載される
ため、電子部品４１の厚さ分だけ実装配線基板１１-aの
厚さが増すことになる。このため、後述される多層配線
基板を形成する場合に電子部品４１の厚さ分だけスペー
サが必要となる。そこで、第２の実装配線基板１１-b
は、電子部品４１が実装される、配線基板１０-cの部分
に電子部品４１用の凹部を形成し、この凹部に電子部品
４１を埋め込む実施形態である。
下まで冷却して、図６Ｃに示すような配線基板１０-cに
電子部品４１を実装した実装配線基板１１-aが製造され
る。（第２の実装配線基板）第１の実装配線基板１１-a
は、配線基板１０-cの面上に電子部品４１が搭載される
ため、電子部品４１の厚さ分だけ実装配線基板１１-aの
厚さが増すことになる。このため、後述される多層配線
基板を形成する場合に電子部品４１の厚さ分だけスペー
サが必要となる。そこで、第２の実装配線基板１１-b
は、電子部品４１が実装される、配線基板１０-cの部分
に電子部品４１用の凹部を形成し、この凹部に電子部品
４１を埋め込む実施形態である。
【００５５】図７は、電子部品を実装する第２の実装方
法を説明するための工程図である。
法を説明するための工程図である。
【００５６】電子部品４１を埋め込むための凹部３８を
形成した配線基板１０-dは、溝部２４を形成する溝形成
工程でこの凹部３８を形成する。すなわち、溝形成工程
において、この凹部３８を形成するための凸部を形成し
た凹部用型を剥離シート３２の代わりにバックアッププ
レート３１に載置して、加熱・押圧の際に溝用型２２と
この凹部用型とで基板２１を挟むことで、溝部２４の形
成と同時に凹部を形成する。凹部３８の形状は、電子部
品４１の外形と略同一あるいは一回り大きい外形とし、
深さは、電子部品４１の厚さと略同一あるいはより深く
する。例えば、電子部品４１が大きさ□５ｍｍで厚さ５
０μｍの半導体チップである場合には、凹部３８は、大
きさ□５．１ｍｍで深さ５５μｍとされた。
形成した配線基板１０-dは、溝部２４を形成する溝形成
工程でこの凹部３８を形成する。すなわち、溝形成工程
において、この凹部３８を形成するための凸部を形成し
た凹部用型を剥離シート３２の代わりにバックアッププ
レート３１に載置して、加熱・押圧の際に溝用型２２と
この凹部用型とで基板２１を挟むことで、溝部２４の形
成と同時に凹部を形成する。凹部３８の形状は、電子部
品４１の外形と略同一あるいは一回り大きい外形とし、
深さは、電子部品４１の厚さと略同一あるいはより深く
する。例えば、電子部品４１が大きさ□５ｍｍで厚さ５
０μｍの半導体チップである場合には、凹部３８は、大
きさ□５．１ｍｍで深さ５５μｍとされた。
【００５７】電子部品４１は、このように形成された配
線基板１０-dの凹部３８に収容される。この際におい
て、特に、図７Ａに示すように、電子部品４１の電極と
導電性ペースト２６が充填されている貫通孔２５とが相
互に合わせられる。
線基板１０-dの凹部３８に収容される。この際におい
て、特に、図７Ａに示すように、電子部品４１の電極と
導電性ペースト２６が充填されている貫通孔２５とが相
互に合わせられる。
【００５８】そして、図７Ｂに示すように、電子部品４
１を所定の温度で加熱しながら押圧することによって、
電子部品４１の電極を貫通孔２５の導電性ペースト内に
挿入させ、さらに、電子部品４１と配線基板１０-dとの
接合面を熱圧着させる。
１を所定の温度で加熱しながら押圧することによって、
電子部品４１の電極を貫通孔２５の導電性ペースト内に
挿入させ、さらに、電子部品４１と配線基板１０-dとの
接合面を熱圧着させる。
【００５９】その後、少なくともガラス転移温度Ｔg以
下まで冷却して、図７Ｃに示すような配線基板１０-dの
外周面から電子部品４１が突出することのない、配線基
板１０-dに電子部品４１を実装した実装配線基板１１-b
が製造される。
下まで冷却して、図７Ｃに示すような配線基板１０-dの
外周面から電子部品４１が突出することのない、配線基
板１０-dに電子部品４１を実装した実装配線基板１１-b
が製造される。
【００６０】なお、上述の第１および第２の実装配線基
板１１-a、１１-bでは、電子部品４１は、１個の場合に
ついて説明したが、もちろん、複数個の電子部品４１を
実装することも可能である。特に、第２の実装配線基板
の場合では、実装する電子部品４１の個数に合わせて凹
部を形成することで実装配線基板を製造する。また、上
述の第１および第２の実装配線基板１１-a、１１-bで
は、基板２１の主面に配線パターンを有効に配置するた
めに、電子部品４１を配線回路が形成されている基板面
と対向する基板面に実装したが、電子部品４１を配線回
路が形成されている基板面に実装してもよい。
板１１-a、１１-bでは、電子部品４１は、１個の場合に
ついて説明したが、もちろん、複数個の電子部品４１を
実装することも可能である。特に、第２の実装配線基板
の場合では、実装する電子部品４１の個数に合わせて凹
部を形成することで実装配線基板を製造する。また、上
述の第１および第２の実装配線基板１１-a、１１-bで
は、基板２１の主面に配線パターンを有効に配置するた
めに、電子部品４１を配線回路が形成されている基板面
と対向する基板面に実装したが、電子部品４１を配線回
路が形成されている基板面に実装してもよい。
【００６１】次に、これら配線基板１０-a、１０-bや実
装配線基板１１-a、１１-bを積層して多層配線基板を製
造する製造工程について説明する。
装配線基板１１-a、１１-bを積層して多層配線基板を製
造する製造工程について説明する。
【００６２】ここで、多層配線基板の説明において、各
層を成す配線基板１０-a、１０-bや実装配線基板１１-
a、１１-bの各配線基板を「ユニット基板」と称するこ
ととする。 （第１の多層配線基板）第１の多層配線基板５０は、配
線基板１０のみを複数枚積層し熱融着することによって
製造される配線基板である。
層を成す配線基板１０-a、１０-bや実装配線基板１１-
a、１１-bの各配線基板を「ユニット基板」と称するこ
ととする。 （第１の多層配線基板）第１の多層配線基板５０は、配
線基板１０のみを複数枚積層し熱融着することによって
製造される配線基板である。
【００６３】図８は、第１の多層配線基板の製造方法を
説明するための図である。
説明するための図である。
【００６４】図８Ａにおいて、第１の多層配線基板５０
は、まず、バックアッププレート上に剥離シートを介し
てユニット基板６０-bを載置する。次に、積層すべき順
に従ってユニット基板６０-b上に順にユニット基板６０
-a3、配線基板６０-a2そして配線基板６０-a1が積層さ
れる。ここで、本実施形態では、ユニット基板６０-a1
〜６０-a3は、配線基板１０-aであり、ユニット基板６
０-bは、電極ランドを備えた配線基板１０-bである。な
お、各ユニット基板６０すべてを配線基板１０-aとして
もよい。
は、まず、バックアッププレート上に剥離シートを介し
てユニット基板６０-bを載置する。次に、積層すべき順
に従ってユニット基板６０-b上に順にユニット基板６０
-a3、配線基板６０-a2そして配線基板６０-a1が積層さ
れる。ここで、本実施形態では、ユニット基板６０-a1
〜６０-a3は、配線基板１０-aであり、ユニット基板６
０-bは、電極ランドを備えた配線基板１０-bである。な
お、各ユニット基板６０すべてを配線基板１０-aとして
もよい。
【００６５】次に、各ユニット基板６０を相互に位置を
合わせる。この場合において、各ユニット基板６０に位
置決め用の貫通孔５６を少なくとも２箇所開ける。位置
決め用の貫通孔５６は、前述の貫通孔形成工程で開け、
充填工程の際で位置決め用の貫通孔５６には導電性ペー
スト２６を充填しないことで形成する。そして、この位
置決め用の貫通孔５６にピン５７を通すことにより各ユ
ニット基板６０を相互に位置を合わせる。
合わせる。この場合において、各ユニット基板６０に位
置決め用の貫通孔５６を少なくとも２箇所開ける。位置
決め用の貫通孔５６は、前述の貫通孔形成工程で開け、
充填工程の際で位置決め用の貫通孔５６には導電性ペー
スト２６を充填しないことで形成する。そして、この位
置決め用の貫通孔５６にピン５７を通すことにより各ユ
ニット基板６０を相互に位置を合わせる。
【００６６】次に、各ユニット基板６０を加熱しながら
ユニット基板６０-a1を押圧することによって、各ユニ
ット基板６０の接合面をそれぞれ熱融着させる。
ユニット基板６０-a1を押圧することによって、各ユニ
ット基板６０の接合面をそれぞれ熱融着させる。
【００６７】加熱温度は、図４および図５を用いて説明
したように、ユニット基板６０が非晶性樹脂の場合では
ガラス転移温度Ｔg以上分解温度Ｔd以下に設定され、結
晶性樹脂の場合ではガラス転移温度Ｔg以上融点Ｔm以下
に設定される。また、圧力は、積層されるユニット基板
６０の枚数、厚さおよび基板２１の材料などに応じて決
定される。例えば、各ユニット基板６０の基板２１にＰ
ＥＥＫを用いた場合には、圧力５０Ｎ／ｃｍ２、温度３
３０℃、加熱・加圧保持時間３０分の条件で、層間のク
ラックや導通不良などがない積層状態が良好な多層配線
基板５０が得られた。
したように、ユニット基板６０が非晶性樹脂の場合では
ガラス転移温度Ｔg以上分解温度Ｔd以下に設定され、結
晶性樹脂の場合ではガラス転移温度Ｔg以上融点Ｔm以下
に設定される。また、圧力は、積層されるユニット基板
６０の枚数、厚さおよび基板２１の材料などに応じて決
定される。例えば、各ユニット基板６０の基板２１にＰ
ＥＥＫを用いた場合には、圧力５０Ｎ／ｃｍ２、温度３
３０℃、加熱・加圧保持時間３０分の条件で、層間のク
ラックや導通不良などがない積層状態が良好な多層配線
基板５０が得られた。
【００６８】このようにしてその断面が図８Ｂに示すよ
うな第１の多層配線基板５０が製造される。 （第２の多層配線基板）第２の多層配線基板５１は、第
１の多層配線基板５０を構成する各ユニット基板６０の
一つに実装配線基板１１-bを用いた多層配線基板であ
る。
うな第１の多層配線基板５０が製造される。 （第２の多層配線基板）第２の多層配線基板５１は、第
１の多層配線基板５０を構成する各ユニット基板６０の
一つに実装配線基板１１-bを用いた多層配線基板であ
る。
【００６９】図９は、第２の多層配線基板の製造方法を
説明するための図である。
説明するための図である。
【００７０】図９Ａにおいて、第２の多層配線基板５１
は、第１の多層配線基板５０の製造方法においてユニッ
ト基板６０-a3の代わりに電子部品を凹部に実装したユ
ニット基板６１-bを用いること以外は、図８Ａを用いて
説明した第１の多層配線基板５０の製造方法と同様にし
て、その断面が図９Ｂに示すように製造される。
は、第１の多層配線基板５０の製造方法においてユニッ
ト基板６０-a3の代わりに電子部品を凹部に実装したユ
ニット基板６１-bを用いること以外は、図８Ａを用いて
説明した第１の多層配線基板５０の製造方法と同様にし
て、その断面が図９Ｂに示すように製造される。
【００７１】なお、図９Ｂに示すように多層配線基板５
１内に収容された電子部品４１は、その一主面を導電性
ペースト２６によって形成された配線パターンに接触す
ることにより外部からアース（接地）を取り易くするこ
とができる。 （第３の多層配線基板）第３の多層配線基板５２は、第
２の多層配線基板５１を構成する実装配線基板１１-bの
代わりに実装配線基板１１-aを用いた多層配線基板であ
る。すなわち、実装配線基板１１-aは、電子部品４１が
厚さ分だけ配線基板１１-aの主面より突出しているの
で、積層する場合には、この厚さを補うスペーサ基板を
用いる。
１内に収容された電子部品４１は、その一主面を導電性
ペースト２６によって形成された配線パターンに接触す
ることにより外部からアース（接地）を取り易くするこ
とができる。 （第３の多層配線基板）第３の多層配線基板５２は、第
２の多層配線基板５１を構成する実装配線基板１１-bの
代わりに実装配線基板１１-aを用いた多層配線基板であ
る。すなわち、実装配線基板１１-aは、電子部品４１が
厚さ分だけ配線基板１１-aの主面より突出しているの
で、積層する場合には、この厚さを補うスペーサ基板を
用いる。
【００７２】図１０は、第３の多層配線基板の製造方法
を説明するための図である。
を説明するための図である。
【００７３】図１０Ａ 第３の多層配線基板５２は、ま
ず、バックアッププレート上に剥離シートを介してユニ
ット基板６０-bを載置する。次に、ユニット基板６０-b
上に電子部品を実装したユニット基板６１-aを積層し、
電子部品４１の厚さを補償するためにスペーサ基板６２
を積層する。次に、積層すべき順に従ってスペーサ基板
６２上に順に配線基板６０-a2および配線基板６０-a1が
積層される。
ず、バックアッププレート上に剥離シートを介してユニ
ット基板６０-bを載置する。次に、ユニット基板６０-b
上に電子部品を実装したユニット基板６１-aを積層し、
電子部品４１の厚さを補償するためにスペーサ基板６２
を積層する。次に、積層すべき順に従ってスペーサ基板
６２上に順に配線基板６０-a2および配線基板６０-a1が
積層される。
【００７４】ここで、スペーサ基板６２は、ユニット基
板６１-aに実装された電子部品４１の位置に対応した位
置に電子部品４１の外形と略同一あるいは一回り大きい
外形の大きさの開口部を備え、厚さが電子部品４１の厚
さと略同一あるいはより厚い。例えば、電子部品４１が
大きさ□５ｍｍで厚さ５０μｍの半導体チップである場
合には、開口部は、大きさ□５．１ｍｍで、スペーサ基
板６２は、厚さ５５μｍとされた。
板６１-aに実装された電子部品４１の位置に対応した位
置に電子部品４１の外形と略同一あるいは一回り大きい
外形の大きさの開口部を備え、厚さが電子部品４１の厚
さと略同一あるいはより厚い。例えば、電子部品４１が
大きさ□５ｍｍで厚さ５０μｍの半導体チップである場
合には、開口部は、大きさ□５．１ｍｍで、スペーサ基
板６２は、厚さ５５μｍとされた。
【００７５】次に、第１の多層配線基板５０の場合と同
様に、位置合わせ、加熱・押圧、冷却が行われ、各ユニ
ット基板６０〜６２の接合面をそれぞれ熱融着させた、
その断面が図１０Ｂに示すような第３の多層配線基板５
２が製造される。
様に、位置合わせ、加熱・押圧、冷却が行われ、各ユニ
ット基板６０〜６２の接合面をそれぞれ熱融着させた、
その断面が図１０Ｂに示すような第３の多層配線基板５
２が製造される。
【００７６】なお、第１ないし第３の多層配線基板５０
〜５２では、各ユニット基板６０のうちで外周面になる
一方に電極ランドを備える配線基板１０-bを用いたが、
外周面の両面に配線基板１０-bを用いてもよいし、ま
た、外周面の両面に配線基板１０-aを用いるようにして
もよい。
〜５２では、各ユニット基板６０のうちで外周面になる
一方に電極ランドを備える配線基板１０-bを用いたが、
外周面の両面に配線基板１０-bを用いてもよいし、ま
た、外周面の両面に配線基板１０-aを用いるようにして
もよい。
【００７７】
【発明の効果】以上のように本発明にかかる配線基板の
製造方法、多層配線基板の製造方法および配線基板の製
造装置では、熱可塑性樹脂に溝部を形成し該溝部に導電
性ペーストにより配線パターンを形成するので、微細か
つ高精度の配線加工ができるだけでなく、機械的強度、
耐熱性および電気的絶縁性に優れ、しかもリサイクルが
比較的容易である。
製造方法、多層配線基板の製造方法および配線基板の製
造装置では、熱可塑性樹脂に溝部を形成し該溝部に導電
性ペーストにより配線パターンを形成するので、微細か
つ高精度の配線加工ができるだけでなく、機械的強度、
耐熱性および電気的絶縁性に優れ、しかもリサイクルが
比較的容易である。
【００７８】そして、本発明にかかる多層配線基板は、
微細かつ高精度に配線加工され、機械的強度、耐熱性お
よび電気的絶縁性に優れ、しかもリサイクルが比較的容
易である。
微細かつ高精度に配線加工され、機械的強度、耐熱性お
よび電気的絶縁性に優れ、しかもリサイクルが比較的容
易である。
【図１】配線基板の製造方法を説明するための工程図
（その１）である。
（その１）である。
【図２】配線基板の製造方法を説明するための工程図
（その２）である。
（その２）である。
【図３】配線基板の製造方法を説明するための工程図
（その３）である。
（その３）である。
【図４】非晶性樹脂における温度と弾性率との関係を示
す図である。
す図である。
【図５】結晶性樹脂における温度と弾性率との関係を示
す図である。
す図である。
【図６】電子部品を実装する第１の実装方法を説明する
ための工程図である。
ための工程図である。
【図７】電子部品を実装する第２の実装方法を説明する
ための工程図である。
ための工程図である。
【図８】第１の多層配線基板の製造方法を説明するため
の図である。
の図である。
【図９】第２の多層配線基板の製造方法を説明するため
の図である。
の図である。
【図１０】第３の多層配線基板の製造方法を説明するた
めの図である。
めの図である。
１０ 配線基板
１１ 実装配線基板
２１ 基板
２２ 溝用型
２３ 凸部
２４ 溝部
２５ 貫通孔
２６ 導電性ペースト
２７ 配線パターン
２９ 電極ランド
３３ プレス
３４ スキージ
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
(51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考）
Ｈ０５Ｋ 3/46 Ｈ０５Ｋ 3/46 Ｇ
Ｎ
Ｑ
(72)発明者 和泉 真浩
東京都品川区東五反田２丁目17番１号 ソ
ニーイーエムシーエス株式会社内
Ｆターム(参考） 5E317 AA24 BB01 BB02 BB03 BB12
BB13 BB14 BB15 CC17 CD01
CD32 CD34 GG01 GG14
5E336 AA04 AA05 AA08 BB15 BC04
BC25 BC26 CC32 CC55 DD02
EE05 GG30
5E343 AA07 AA16 AA17 BB02 BB23
BB24 BB25 BB43 BB44 BB67
BB72 BB78 DD02 DD13 EE33
ER32 FF23 GG08 GG16 GG20
5E346 AA32 AA43 CC08 CC32 CC37
CC38 CC39 DD02 DD12 DD13
DD50 EE03 EE08 FF18 GG15
HH18 HH26 HH40
Claims (13)
- 【請求項１】 熱可塑性樹脂を含む基板に配線パターン
を形成した配線基板の製造方法において、 前記配線パターンに応じた溝部を前記基板に形成する溝
形成工程と、 前記溝部に導電性ペーストを充填する充填工程とを備え
ることを特徴とする配線基板の製造方法。 - 【請求項２】 前記充填工程の少なくとも前に、前記基
板を貫通する貫通孔を形成する貫通孔形成工程をさらに
備えることを特徴とする請求項１に記載の配線基板の製
造方法。 - 【請求項３】 前記充填工程の少なくとも後に、前記配
線パターンを形成した前記配線基板の面を研磨する研磨
工程をさらに備えることを特徴とする請求項１に記載の
配線基板の製造方法。 - 【請求項４】 前記充填工程の少なくとも後に、金属箔
を前記配線パターンを形成した前記配線基板の面上に積
層し、前記金属箔の一部を前記配線基板に押し込むべき
位置に応じて凸形状を備えた電極ランド用型を前記基板
の軟化開始温度以上の温度で前記配線基板に押圧するこ
とによって電極ランドを形成する電極ランド形成工程を
さらに備えることを特徴とする請求項１に記載の配線基
板の製造方法。 - 【請求項５】 前記充填工程の少なくとも後に、電子部
品の電極端子の一部を該電子部品を押圧することによっ
て前記配線パターンに埋没させる実装工程をさらに備え
ることを特徴とする請求項１に記載の配線基板の製造方
法。 - 【請求項６】 電子部品を実装すべき位置に、該電子部
品の外形より少なくとも大きい大きさであって該電子部
品の厚さより少なくとも深い凹部を前記基板に形成する
凹部形成工程と、 前記電子部品の電極端子の一部を該電子部品を押圧する
ことによって前記凹部内の配線パターンに埋没させる実
装工程とをさらに備えることを特徴とする請求項１に記
載の配線基板の製造方法。 - 【請求項７】 前記凹部形成工程は、 前記凹部に応じた凸形状を備えた凹部用型を前記基板の
軟化開始温度以上の温度で前記基板に押圧することによ
って凹部を形成する工程であって、前記溝形成工程と同
時に行われることを特徴とする請求項６に記載の配線基
板の製造方法。 - 【請求項８】 前記溝形成工程は、 前記基板の軟化開始温度以上の温度で前記配線パターン
に応じた凸形状を備えた溝用型を前記基板に押圧するこ
とによって形成することを特徴とする請求項１ないし請
求項７の何れか１項に記載の配線基板の製造方法。 - 【請求項９】 配線パターンに応じた溝部を熱可塑性樹
脂を含む基板に形成する溝形成工程と該溝部に導電性ペ
ーストを充填する充填工程とを備えて製造される配線基
板を複数製造する配線基板製造工程と、 製造された複数の配線基板を積層する積層工程と、 前記基板の軟化開始温度以上の温度で加熱しながら前記
複数の配線基板が互いに圧接されるように加圧すること
によって前記複数の配線基板を相互に融着する多層化工
程とを備えることを特徴とする多層配線基板の製造方
法。 - 【請求項１０】 前記複数の配線基板には、電子部品を
実装した配線基板が含まれることを特徴とする請求項９
に記載の多層配線基板の製造方法。 - 【請求項１１】 熱可塑性樹脂を含む基板の溝部に配線
パターンが形成された配線基板を複数積層し、該複数の
配線基板が相互に融着していることを特徴とする多層配
線基板。 - 【請求項１２】 前記複数の配線基板には、電子部品を
実装した配線基板が含まれることを特徴とする多層配線
基板。 - 【請求項１３】 熱可塑性樹脂を含む基板を載置する載
置台と、 配線パターンに応じた凸形状を備えた溝用型と、 前記基板の軟化開始温度以上の温度で前記溝用型を前記
基板に押圧する加熱押圧手段と、 前記加熱押圧手段によって形成された溝部に導電性ペー
ストを充填する充填手段とを備えることを特徴とする配
線基板の製造装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2002003794A JP2003204140A (ja) | 2002-01-10 | 2002-01-10 | 配線基板の製造方法、多層配線基板の製造方法および多層配線基板 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2002003794A JP2003204140A (ja) | 2002-01-10 | 2002-01-10 | 配線基板の製造方法、多層配線基板の製造方法および多層配線基板 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2003204140A true JP2003204140A (ja) | 2003-07-18 |
Family
ID=27643294
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2002003794A Pending JP2003204140A (ja) | 2002-01-10 | 2002-01-10 | 配線基板の製造方法、多層配線基板の製造方法および多層配線基板 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2003204140A (ja) |
Cited By (14)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2005010986A1 (ja) * | 2003-07-25 | 2005-02-03 | Tokyo Electron Limited | インプリント方法およびインプリント装置 |
| JP2006066637A (ja) * | 2004-08-26 | 2006-03-09 | Murata Mfg Co Ltd | セラミック多層基板の製造方法およびそれに用いられる押し型 |
| JP2007520070A (ja) * | 2004-01-29 | 2007-07-19 | アトーテヒ ドイッチュラント ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツング | 回路キャリアを製造する方法と当該方法の使用 |
| KR100746361B1 (ko) | 2006-07-11 | 2007-08-06 | 삼성전기주식회사 | 인쇄회로기판 제조방법 |
| JPWO2007007451A1 (ja) * | 2005-07-12 | 2009-01-29 | 株式会社村田製作所 | 多層配線基板及びその製造方法 |
| JP2010050475A (ja) * | 2009-10-20 | 2010-03-04 | Shinko Electric Ind Co Ltd | 電子部品内蔵基板の製造方法 |
| JP2011159762A (ja) * | 2010-01-29 | 2011-08-18 | Toshiba Corp | 電子機器 |
| US8166647B2 (en) | 2008-06-26 | 2012-05-01 | Samsung Electro-Mechanics Co., Ltd. | Method of manufacturing a printed circuit board |
| JP2013512581A (ja) * | 2009-11-30 | 2013-04-11 | エルジー イノテック カンパニー リミテッド | プリント回路基板及びその製造方法 |
| JP2015521389A (ja) * | 2013-06-19 | 2015-07-27 | 南昌欧菲光科技有限公司Ｎａｎｃｈａｎｇ Ｏ−Ｆｉｌｍ Ｔｅｃｈ． Ｃｏ．， Ｌｔｄ． | 基材両面穴埋め装置 |
| JP2016165847A (ja) * | 2015-03-10 | 2016-09-15 | セイコーエプソン株式会社 | 液体噴射ヘッド、及び液体噴射ヘッドの製造方法 |
| WO2017038110A1 (ja) * | 2015-08-28 | 2017-03-09 | 日立化成株式会社 | 半導体装置及びその製造方法 |
| JP2017095033A (ja) * | 2015-11-27 | 2017-06-01 | 矢崎総業株式会社 | 車両用パネル及び車両用配線構造 |
| WO2021193385A1 (ja) * | 2020-03-26 | 2021-09-30 | 株式会社クラレ | 多層回路基板の製造方法 |
-
2002
- 2002-01-10 JP JP2002003794A patent/JP2003204140A/ja active Pending
Cited By (24)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN100355061C (zh) * | 2003-07-25 | 2007-12-12 | 东京毅力科创株式会社 | 刻印方法和刻印装置 |
| WO2005010986A1 (ja) * | 2003-07-25 | 2005-02-03 | Tokyo Electron Limited | インプリント方法およびインプリント装置 |
| JP2013065874A (ja) * | 2004-01-29 | 2013-04-11 | Atotech Deutsche Gmbh | 回路キャリアを製造する方法と当該方法の使用 |
| JP2007520070A (ja) * | 2004-01-29 | 2007-07-19 | アトーテヒ ドイッチュラント ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツング | 回路キャリアを製造する方法と当該方法の使用 |
| US8927899B2 (en) | 2004-01-29 | 2015-01-06 | Atotech Deutschland Gmbh | Method of manufacturing a circuit carrier and the use of the method |
| JP2006066637A (ja) * | 2004-08-26 | 2006-03-09 | Murata Mfg Co Ltd | セラミック多層基板の製造方法およびそれに用いられる押し型 |
| JPWO2007007451A1 (ja) * | 2005-07-12 | 2009-01-29 | 株式会社村田製作所 | 多層配線基板及びその製造方法 |
| JP4748161B2 (ja) * | 2005-07-12 | 2011-08-17 | 株式会社村田製作所 | 多層配線基板及びその製造方法 |
| KR100746361B1 (ko) | 2006-07-11 | 2007-08-06 | 삼성전기주식회사 | 인쇄회로기판 제조방법 |
| US8166647B2 (en) | 2008-06-26 | 2012-05-01 | Samsung Electro-Mechanics Co., Ltd. | Method of manufacturing a printed circuit board |
| JP2010050475A (ja) * | 2009-10-20 | 2010-03-04 | Shinko Electric Ind Co Ltd | 電子部品内蔵基板の製造方法 |
| JP2013512581A (ja) * | 2009-11-30 | 2013-04-11 | エルジー イノテック カンパニー リミテッド | プリント回路基板及びその製造方法 |
| JP2011159762A (ja) * | 2010-01-29 | 2011-08-18 | Toshiba Corp | 電子機器 |
| JP2015521389A (ja) * | 2013-06-19 | 2015-07-27 | 南昌欧菲光科技有限公司Ｎａｎｃｈａｎｇ Ｏ−Ｆｉｌｍ Ｔｅｃｈ． Ｃｏ．， Ｌｔｄ． | 基材両面穴埋め装置 |
| JP2016165847A (ja) * | 2015-03-10 | 2016-09-15 | セイコーエプソン株式会社 | 液体噴射ヘッド、及び液体噴射ヘッドの製造方法 |
| EP3067206B1 (en) * | 2015-03-10 | 2020-03-11 | Seiko Epson Corporation | Liquid ejecting head and method of manufacturing liquid ejecting head |
| US10245833B2 (en) | 2015-03-10 | 2019-04-02 | Seiko Epson Corporation | Liquid ejecting head and method of manufacturing liquid ejecting head |
| JPWO2017038110A1 (ja) * | 2015-08-28 | 2018-06-07 | 日立化成株式会社 | 半導体装置及びその製造方法 |
| US10388608B2 (en) | 2015-08-28 | 2019-08-20 | Hitachi Chemical Company, Ltd. | Semiconductor device and method for manufacturing same |
| WO2017038110A1 (ja) * | 2015-08-28 | 2017-03-09 | 日立化成株式会社 | 半導体装置及びその製造方法 |
| TWI814411B (zh) * | 2015-08-28 | 2023-09-01 | 日商力森諾科股份有限公司 | 半導體裝置及半導體封裝 |
| US10017133B2 (en) | 2015-11-27 | 2018-07-10 | Yazaki Corporation | Vehicular panel and wiring structure for vehicle |
| JP2017095033A (ja) * | 2015-11-27 | 2017-06-01 | 矢崎総業株式会社 | 車両用パネル及び車両用配線構造 |
| WO2021193385A1 (ja) * | 2020-03-26 | 2021-09-30 | 株式会社クラレ | 多層回路基板の製造方法 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| TWI386140B (zh) | Flexible multilayer circuit board | |
| JP4334996B2 (ja) | 多層配線板用基材、両面配線板およびそれらの製造方法 | |
| KR100700922B1 (ko) | 수동 소자를 내장한 기판 및 그 제조 방법 | |
| TWI305480B (en) | Method of fabricating printed circuit board having embedded multi-layer passive devices | |
| KR100875625B1 (ko) | 복합 배선 기판 및 그 제조 방법 | |
| TWI601468B (zh) | 導電膏的充填方法及多層印刷配線板的製造方法 | |
| JP2003204140A (ja) | 配線基板の製造方法、多層配線基板の製造方法および多層配線基板 | |
| JP2003298212A (ja) | プリント配線板とその製造方法 | |
| CN103687333A (zh) | 电路元器件内置基板的制造方法 | |
| JP4683758B2 (ja) | 配線基板の製造方法 | |
| US10765000B2 (en) | Method for manufacturing multilayer printed circuit board | |
| JP2012169486A (ja) | 基材、配線板、基材の製造方法及び配線板の製造方法 | |
| JP4121339B2 (ja) | 多層配線板の製造方法 | |
| JP2003133743A (ja) | 回路基板およびその製造方法 | |
| KR100771283B1 (ko) | 인쇄회로기판의 비아홀 충진 방법 | |
| JP2000133943A (ja) | 多層基板の製造方法 | |
| KR100448685B1 (ko) | 빌드 업 다층인쇄회로기판의 제조방법 | |
| JP2619164B2 (ja) | プリント配線板の製造方法 | |
| JP2003332705A (ja) | 配線基板およびその製造方法 | |
| KR102016948B1 (ko) | 다이얼 스위치용 인쇄회로기판의 제조방법 | |
| KR102016947B1 (ko) | 다이얼 스위치용 인쇄회로기판의 제조방법 | |
| KR102016940B1 (ko) | 다이얼 스위치용 인쇄회로기판의 제조방법 | |
| KR102016946B1 (ko) | 다이얼 스위치용 인쇄회로기판의 제조방법 | |
| KR102008380B1 (ko) | 다이얼 스위치용 인쇄회로기판의 제조방법 | |
| JP3855670B2 (ja) | 多層回路基板の製造方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| RD03 | Notification of appointment of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7423 Effective date: 20041015 |
|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20041210 |
|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20061117 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20061121 |
|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20070313 |