JP2003188077A - 基板乾燥装置 - Google Patents
基板乾燥装置Info
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- Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
- Drying Of Solid Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
性薄膜を形成することができる基板乾燥装置を提供する
ことにある。 【解決手段】 基板Wの上面に塗付された溶液を加熱乾
燥して機能性薄膜を形成する基板乾燥装置において、空
間部6を有しこの空間部から上面に連通する複数の通風
孔5が形成された装置本体1と、上記空間部を通じて上
記通風孔から装置本体の上面側に熱風を供給する供給管
9と、上記装置本体の上面に設けられ上記基板Wの周縁
部を支持する支持枠部材7と、上記供給管から上記装置
本体の上面側に供給された熱風を上記装置本体の上面側
から排出する排出口13とを具備した。
Description
された溶液を加熱乾燥して機能性薄膜を形成する基板乾
燥装置に関する。
の製造工程においては、基板としての半導体ウエハや液
晶用ガラス基板に回路パターンを形成するための成膜プ
ロセスやフォトプロセスがある。これらプロセスでは基
板の上面に、例えば配向膜、レジスト、カラーフィル
タ、有機エレクトロルミネッセンスなどの機能性薄膜が
形成される。
基板の上面に溶液を塗付し、この基板をホットプレート
によって加熱することで、その上面の溶液を乾燥するこ
とがある。基板をホットプレートで加熱するとき、加熱
の均一化を図るために、ホットプレートの上面に複数の
支持ピンを設け、これら支持ピンによって基板を支持す
るようにしている。
支持ピンで支持すると、ホットプレートからの熱は支持
ピンで支持された部分に伝わりやすくなる。そのため、
基板の支持ピンで支持された部分と支持されていない部
分とで乾燥速度に差が生じ、その結果、基板の上面に形
成される膜厚が均一にならないことがある。
能性薄膜を形成することができる基板乾燥装置を提供す
ることにある。
の上面に塗付された溶液を加熱乾燥して機能性薄膜を形
成する基板乾燥装置において、空間部を有しこの空間部
から上面に連通する複数の通風孔が形成された装置本体
と、上記空間部を通じて上記通風孔から装置本体の上面
側に熱風を供給する熱風供給手段と、上記装置本体の上
面に設けられ上記基板の周縁部を支持する支持手段と、
上記熱風供給手段から上記装置本体の上面側に供給され
た熱風を上記装置本体の上面側から排出する排出手段と
を具備することを特徴とする基板乾燥装置にある。
た溶液を加熱乾燥して機能性薄膜を形成する基板乾燥装
置において、ホットプレートと、このホットプレートの
上面に設けられホットプレートによって加熱される上記
基板の下面を支持する支持手段と、上記基板の上面側に
設けられこの基板の上方から基板に向けて供給される気
体を基板の上面の所定方向に沿って流す整流手段とを具
備したことを特徴とする基板乾燥装置にある。
この基板の下面に熱風を供給するようにしたので、基板
の上面に塗付された溶液を均一に加熱することができ
る。
明の実施の形態を説明する。
態を示す。図1に示す基板乾燥装置は装置本体1を有す
る。この装置本体1は、矩形板状のベース板2と、この
ベース板2の上面に設けられ上記ベース板2と平面ほぼ
同形状の分配部材3からなる。
凹部4が形成されており、上記ベース板2との間に空間
部6を形成している。上記分配部材3は、上記凹部4と
上記分配部材3の上面とを連通する複数の通風孔5を有
している。
手段としての支持枠部材7が全周にわたって設けられて
いる。この支持枠部材7は、上端が内方に向かって低く
なる傾斜面7aに形成されており、この傾斜面7aに基
板Wの周縁部を係合させることによって基板Wを水平に
支持できるようになっている。
支持枠部材7の内側には複数の緊急用支持ピン7Aが立
設されており、上記支持枠部材7に支持された基板Wが
大きく撓んだ場合に下面を支持できるようになってい
る。
熱風が供給されるようになっている。この熱風供給手段
8は、上記ベース板2のほぼ中心部に一端が接続された
供給管9と、この供給管9の他端に接続された送風機1
0と、上記供給管9の中途部に設けられ上記送風機10
から送風される空気を加熱するヒータ11とを備えてい
る。それによって、上記空間部6に所定の温度に加熱さ
れた熱風を供給できるようになっている。上記空間部6
に供給された熱風は、上記分配部材3の通風孔5を通じ
て上記支持枠部材7に支持された基板Wの下面側にほぼ
均等に流入する。
られている。この排出手段12は上記支持枠部材7の所
定位置、例えば上記支持枠部材7の各辺の中途部にそれ
ぞれ穿設された排出口13を有しており、これら排出口
13にはそれぞれ排出管14が接続されている。これら
排出管14は吸引ポンプ15に接続されており、この吸
引ポンプ15を作動することによって、上記熱風供給手
段8から供給され基板Wの下面側に流入した所定温度の
気体を基板Wの下面側から排出できるようになってい
る。なお、排出手段12としては、支持枠部材7に排出
口13を形成するだけで、吸引ポンプ15によって強制
的に排出しない構成であってもよい。
用について説明する。
れた基板Wを支持枠部材7の傾斜面7aに水平に支持し
たならば、供給管9から空間部6に所定の温度、例えば
120度〜150度程度に加熱された熱風を供給する。
上記空間部6に供給された熱風は、上記通風孔5を通じ
て上記支持枠部材7に支持された基板Wの下面側にほぼ
均等に流入したのち、吸引ポンプ15によって排出口1
3から排出される。そのため、基板Wはその下面側を流
れる気体によってほぼ均一に加熱されるから、基板Wの
上面に塗付された溶液も基板Wを介してほぼ均一に加熱
乾燥されて機能性薄膜が形成されることになる。
加熱された気体を供給するようにしたため、基板Wの板
面全体を均一に加熱することができる。そのため、基板
Wの上面に塗付された溶液を均一に加熱することができ
るから、基板Wの上面に均一な厚さの機能性薄膜を形成
することができる。さらに、基板Wの下面から熱風が供
給されるため、熱風の圧力により、基板Wが自重によっ
て撓むのを緩和することができる。
aによって支持されているため、周辺部が他の部分よも
温度上昇し易いことがある。しかしながら、基板Wの上
面には、通常、周辺部を除く部分に溶液が塗布されてい
るから、基板Wの周辺部が支持枠部材7に支持されるこ
とで温度上昇しやすくても、それによって、基板Wの上
面に形成される機能性薄膜の厚さが不均一になる虞はな
い。
す。
て基板Wの外周縁全体を支持するようにしたが、この実
施の形態では図3に示すように、たとえば上記装置本体
1の四隅部に支持部材16をそれぞれ設け、基板Wの四
隅部を支持する。この場合、装置本体1の上面の各側辺
には支持部材16の間に開口部17が形成されるから、
基板Wの下面側に供給された気体は、上記開口部17か
ら自然排出されることになる。したがって、装置本体1
の上面に供給された気体を排出する排出手段12は上記
開口部17だけによっても形成される。つまり、排出手
段12としては上記第1の実施の形態に示した吸引ポン
プ15や供給管9を用いなくてもよい。
す。
形例であって、図4に示すように、空間部6にヒータ1
8を設け、供給管9から上記空間部6に供給された常温
の気体を上記ヒータ18によって加熱する構成となって
いる。それによって、基板Wの下面側に所定温度の気体
を供給できるようになっている。
す。
ーンルームに設けられている。このクリーンルーム内に
は同図に矢印で示すダウンフローが発生している。
有する。このホットプレート20には図示しない制御装
置が接続されており、この制御装置を作動することによ
りこのホットプレート20の上面を所定の温度に加熱で
きるようになっている。
手段としての複数の支持ピン21が立設されており、上
記ホットプレート20を加熱することによってこれら支
持ピン21の上端に支持された基板Wの下面を加熱でき
るようになっている。なお、上記支持ピン21は所定の
熱伝導率を有する材質で形成されている。
ルタなどのフィルタ22が設けられている。このフィル
タ22は上記ダウンフローによって基板Wの上面に向か
って吹き下ろされる気体を濾過し、この気体に含まれる
パーティクルが基板Wの上面に付着するのを防止してい
る。
流手段として複数の整流板23が所定の間隔、かつ長手
方向が基板Wの幅方向全長に沿うように並設されてい
る。各整流板23は上記支持ピン21に支持された基板
Wの板面に対して所定角度θ、例えばほぼ45度で傾斜
しており、上記フィルタ22を通過しほぼ垂直に吹き下
ろされる気体を基板Wに傾斜して供給するようになって
いる。
の作用について説明する。
予めクリーンルーム内にダウンフローを発生させてお
く。このダウンフローにより基板Wの上面に向かって吹
き下ろされる気体は、フィルタ22によって濾過され、
パーティクルなどの微細粒子が除去されることになる。
23により、基板Wに対してほぼ45度に傾斜して基板
Wの上面に供給される。この傾斜した気体は基板Wに到
達すると、その上面を傾斜方向に沿って流れ、基板Wの
上面に塗付された溶液を乾燥することになる。
塗布された基板Wはホットプレート20によって所定の
温度に加熱される。
は、このホットプレート20の上面側の気体を介して基
板Wのほぼ全体に供給される。それによって、基板Wの
上面に塗付された溶液は加熱される。
一部は、このホットプレート20の上面に設けられた支
持ピン21からも基板Wに伝達する。そのため、基板W
の上記支持ピン21に支持された部分は、支持されない
部分よりも温度が高くなるから、基板Wの上面に塗付さ
れた溶液には温度差が生じることになる。つまり、基板
Wの上記支持ピン21に支持されている部分は、支持さ
れてない部分よりも高い温度となる。
る性質がある。そのため、上記基板Wに塗付された溶液
は上記支持ピン21に支持された高い温度となった部分
からその周辺の低い温度の部分に向かって流動する。そ
れによって、基板Wの上面に塗付された溶液は、その加
熱工程において凹凸状をなす。
Wの上方から整流板23によりこの上面に沿って流れる
よう所定の角度で傾斜させて気体を供給している。その
ため、加熱工程において基板Wの上面に発生する溶液の
凹凸は、上記各整流板23からの気体の流れによって平
滑化されるから、基板Wの上面には凹凸のないほぼ均一
な厚さの機能性薄膜が形成されることになる。
ことによって、基板Wの上面に塗付された溶液を強制的
に平滑化されるから、均一な厚さの機能性薄膜を形成す
ることができる。また、気体を整流板23を介して基板
Wの上方向から供給するため、基板Wが大型化しても、
この基板Wの板面全体にほぼ均一な気流を供給すること
ができる。そのため、基板Wが大型化した場合でも、均
一な厚さの機能性薄膜を形成することができる。
ルームのダウンフローを利用して整流板23により所定
方向の気流を供給するようにしたが、ダウンフローがな
い場合には送風機などによって気体を供給するようにし
てもよい。
れた溶液を厚さにばらつきが生じないように乾燥させ、
均一な厚さの機能性薄膜を形成することができる。
置を示す断面図。
図。
置を示す正面図。
Claims (2)
- 【請求項1】 基板の上面に塗付された溶液を加熱乾燥
して機能性薄膜を形成する基板乾燥装置において、 空間部を有しこの空間部から上面に連通する複数の通風
孔が形成された装置本体と、 上記空間部を通じて上記通風孔から装置本体の上面側に
熱風を供給する熱風供給手段と、 上記装置本体の上面に設けられ上記基板の周縁部を支持
する支持手段と、 上記熱風供給手段から上記装置本体の上面側に供給され
た熱風を上記装置本体の上面側から排出する排出手段と
を具備することを特徴とする基板乾燥装置。 - 【請求項2】 基板の上面に塗付された溶液を加熱乾燥
して機能性薄膜を形成する基板乾燥装置において、 ホットプレートと、 このホットプレートの上面に設けられホットプレートに
よって加熱される上記基板の下面を支持する支持手段
と、 上記基板の上面側に設けられこの基板の上方から基板に
向けて供給される気体を基板の上面の所定方向に沿って
流す整流手段とを具備したことを特徴とする基板乾燥装
置。
Priority Applications (1)
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2001
- 2001-12-19 JP JP2001386424A patent/JP4224235B2/ja not_active Expired - Fee Related
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