JP2003188077A - 基板乾燥装置 - Google Patents

基板乾燥装置

Info

Publication number
JP2003188077A
JP2003188077A JP2001386424A JP2001386424A JP2003188077A JP 2003188077 A JP2003188077 A JP 2003188077A JP 2001386424 A JP2001386424 A JP 2001386424A JP 2001386424 A JP2001386424 A JP 2001386424A JP 2003188077 A JP2003188077 A JP 2003188077A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
substrate
hot air
surface side
supplied
main body
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP2001386424A
Other languages
English (en)
Other versions
JP4224235B2 (ja
JP2003188077A5 (ja
Inventor
Daisuke Matsushima
大輔 松嶋
Takahiro Yamazaki
貴弘 山崎
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Shibaura Mechatronics Corp
Original Assignee
Shibaura Mechatronics Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Shibaura Mechatronics Corp filed Critical Shibaura Mechatronics Corp
Priority to JP2001386424A priority Critical patent/JP4224235B2/ja
Publication of JP2003188077A publication Critical patent/JP2003188077A/ja
Publication of JP2003188077A5 publication Critical patent/JP2003188077A5/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP4224235B2 publication Critical patent/JP4224235B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Landscapes

  • Liquid Crystal (AREA)
  • Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
  • Drying Of Solid Materials (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【課題】 この発明は、基板の上面に均一な厚さの機能
性薄膜を形成することができる基板乾燥装置を提供する
ことにある。 【解決手段】 基板Wの上面に塗付された溶液を加熱乾
燥して機能性薄膜を形成する基板乾燥装置において、空
間部6を有しこの空間部から上面に連通する複数の通風
孔5が形成された装置本体1と、上記空間部を通じて上
記通風孔から装置本体の上面側に熱風を供給する供給管
9と、上記装置本体の上面に設けられ上記基板Wの周縁
部を支持する支持枠部材7と、上記供給管から上記装置
本体の上面側に供給された熱風を上記装置本体の上面側
から排出する排出口13とを具備した。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】この発明は基板の上面に塗付
された溶液を加熱乾燥して機能性薄膜を形成する基板乾
燥装置に関する。
【0002】
【従来の技術】例えば、半導体装置や液晶表示装置など
の製造工程においては、基板としての半導体ウエハや液
晶用ガラス基板に回路パターンを形成するための成膜プ
ロセスやフォトプロセスがある。これらプロセスでは基
板の上面に、例えば配向膜、レジスト、カラーフィル
タ、有機エレクトロルミネッセンスなどの機能性薄膜が
形成される。
【0003】基板の上面に機能性薄膜を形成する場合、
基板の上面に溶液を塗付し、この基板をホットプレート
によって加熱することで、その上面の溶液を乾燥するこ
とがある。基板をホットプレートで加熱するとき、加熱
の均一化を図るために、ホットプレートの上面に複数の
支持ピンを設け、これら支持ピンによって基板を支持す
るようにしている。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】しかし、基板の下面を
支持ピンで支持すると、ホットプレートからの熱は支持
ピンで支持された部分に伝わりやすくなる。そのため、
基板の支持ピンで支持された部分と支持されていない部
分とで乾燥速度に差が生じ、その結果、基板の上面に形
成される膜厚が均一にならないことがある。
【0005】この発明は、基板の上面に均一な厚さの機
能性薄膜を形成することができる基板乾燥装置を提供す
ることにある。
【0006】
【課題を解決するための手段】請求項1の発明は、基板
の上面に塗付された溶液を加熱乾燥して機能性薄膜を形
成する基板乾燥装置において、空間部を有しこの空間部
から上面に連通する複数の通風孔が形成された装置本体
と、上記空間部を通じて上記通風孔から装置本体の上面
側に熱風を供給する熱風供給手段と、上記装置本体の上
面に設けられ上記基板の周縁部を支持する支持手段と、
上記熱風供給手段から上記装置本体の上面側に供給され
た熱風を上記装置本体の上面側から排出する排出手段と
を具備することを特徴とする基板乾燥装置にある。
【0007】請求項2の発明は、基板の上面に塗付され
た溶液を加熱乾燥して機能性薄膜を形成する基板乾燥装
置において、ホットプレートと、このホットプレートの
上面に設けられホットプレートによって加熱される上記
基板の下面を支持する支持手段と、上記基板の上面側に
設けられこの基板の上方から基板に向けて供給される気
体を基板の上面の所定方向に沿って流す整流手段とを具
備したことを特徴とする基板乾燥装置にある。
【0008】この発明によれば、基板を周縁部で支持し
この基板の下面に熱風を供給するようにしたので、基板
の上面に塗付された溶液を均一に加熱することができ
る。
【0009】
【発明の実施の形態】以下、図面を参照しながらこの発
明の実施の形態を説明する。
【0010】図1と図2は、この発明の第1の実施の形
態を示す。図1に示す基板乾燥装置は装置本体1を有す
る。この装置本体1は、矩形板状のベース板2と、この
ベース板2の上面に設けられ上記ベース板2と平面ほぼ
同形状の分配部材3からなる。
【0011】上記分配部材3の下面には、ほぼ矩形状の
凹部4が形成されており、上記ベース板2との間に空間
部6を形成している。上記分配部材3は、上記凹部4と
上記分配部材3の上面とを連通する複数の通風孔5を有
している。
【0012】上記分配部材3の上面の周縁部には、支持
手段としての支持枠部材7が全周にわたって設けられて
いる。この支持枠部材7は、上端が内方に向かって低く
なる傾斜面7aに形成されており、この傾斜面7aに基
板Wの周縁部を係合させることによって基板Wを水平に
支持できるようになっている。
【0013】なお、上記分配部材3の上面で、かつ上記
支持枠部材7の内側には複数の緊急用支持ピン7Aが立
設されており、上記支持枠部材7に支持された基板Wが
大きく撓んだ場合に下面を支持できるようになってい
る。
【0014】上記空間部6には熱風供給手段8によって
熱風が供給されるようになっている。この熱風供給手段
8は、上記ベース板2のほぼ中心部に一端が接続された
供給管9と、この供給管9の他端に接続された送風機1
0と、上記供給管9の中途部に設けられ上記送風機10
から送風される空気を加熱するヒータ11とを備えてい
る。それによって、上記空間部6に所定の温度に加熱さ
れた熱風を供給できるようになっている。上記空間部6
に供給された熱風は、上記分配部材3の通風孔5を通じ
て上記支持枠部材7に支持された基板Wの下面側にほぼ
均等に流入する。
【0015】上記支持枠部材7には排出手段12が設け
られている。この排出手段12は上記支持枠部材7の所
定位置、例えば上記支持枠部材7の各辺の中途部にそれ
ぞれ穿設された排出口13を有しており、これら排出口
13にはそれぞれ排出管14が接続されている。これら
排出管14は吸引ポンプ15に接続されており、この吸
引ポンプ15を作動することによって、上記熱風供給手
段8から供給され基板Wの下面側に流入した所定温度の
気体を基板Wの下面側から排出できるようになってい
る。なお、排出手段12としては、支持枠部材7に排出
口13を形成するだけで、吸引ポンプ15によって強制
的に排出しない構成であってもよい。
【0016】上記構成の基板乾燥装置を使用する際の作
用について説明する。
【0017】上面に機能性薄膜を形成する溶液が塗付さ
れた基板Wを支持枠部材7の傾斜面7aに水平に支持し
たならば、供給管9から空間部6に所定の温度、例えば
120度〜150度程度に加熱された熱風を供給する。
上記空間部6に供給された熱風は、上記通風孔5を通じ
て上記支持枠部材7に支持された基板Wの下面側にほぼ
均等に流入したのち、吸引ポンプ15によって排出口1
3から排出される。そのため、基板Wはその下面側を流
れる気体によってほぼ均一に加熱されるから、基板Wの
上面に塗付された溶液も基板Wを介してほぼ均一に加熱
乾燥されて機能性薄膜が形成されることになる。
【0018】このように、基板Wの下面側に所定温度に
加熱された気体を供給するようにしたため、基板Wの板
面全体を均一に加熱することができる。そのため、基板
Wの上面に塗付された溶液を均一に加熱することができ
るから、基板Wの上面に均一な厚さの機能性薄膜を形成
することができる。さらに、基板Wの下面から熱風が供
給されるため、熱風の圧力により、基板Wが自重によっ
て撓むのを緩和することができる。
【0019】基板Wは周辺部が支持枠部材7の傾斜面7
aによって支持されているため、周辺部が他の部分よも
温度上昇し易いことがある。しかしながら、基板Wの上
面には、通常、周辺部を除く部分に溶液が塗布されてい
るから、基板Wの周辺部が支持枠部材7に支持されるこ
とで温度上昇しやすくても、それによって、基板Wの上
面に形成される機能性薄膜の厚さが不均一になる虞はな
い。
【0020】図3はこの発明に第2の実施の形態を示
す。
【0021】第1の実施の形態では支持枠部材7によっ
て基板Wの外周縁全体を支持するようにしたが、この実
施の形態では図3に示すように、たとえば上記装置本体
1の四隅部に支持部材16をそれぞれ設け、基板Wの四
隅部を支持する。この場合、装置本体1の上面の各側辺
には支持部材16の間に開口部17が形成されるから、
基板Wの下面側に供給された気体は、上記開口部17か
ら自然排出されることになる。したがって、装置本体1
の上面に供給された気体を排出する排出手段12は上記
開口部17だけによっても形成される。つまり、排出手
段12としては上記第1の実施の形態に示した吸引ポン
プ15や供給管9を用いなくてもよい。
【0022】図4はこの発明の第3の実施の形態を示
す。
【0023】この実施の形態は上記熱風供給手段8の変
形例であって、図4に示すように、空間部6にヒータ1
8を設け、供給管9から上記空間部6に供給された常温
の気体を上記ヒータ18によって加熱する構成となって
いる。それによって、基板Wの下面側に所定温度の気体
を供給できるようになっている。
【0024】図5はこの発明の第4の実施の形態を示
す。
【0025】図5に示す基板乾燥装置は図示しないクリ
ーンルームに設けられている。このクリーンルーム内に
は同図に矢印で示すダウンフローが発生している。
【0026】上記基板乾燥装置はホットプレート20を
有する。このホットプレート20には図示しない制御装
置が接続されており、この制御装置を作動することによ
りこのホットプレート20の上面を所定の温度に加熱で
きるようになっている。
【0027】上記ホットプレート20の上面には、支持
手段としての複数の支持ピン21が立設されており、上
記ホットプレート20を加熱することによってこれら支
持ピン21の上端に支持された基板Wの下面を加熱でき
るようになっている。なお、上記支持ピン21は所定の
熱伝導率を有する材質で形成されている。
【0028】上記基板Wの上方には例えばHEPAフィ
ルタなどのフィルタ22が設けられている。このフィル
タ22は上記ダウンフローによって基板Wの上面に向か
って吹き下ろされる気体を濾過し、この気体に含まれる
パーティクルが基板Wの上面に付着するのを防止してい
る。
【0029】上記フィルタ22と基板Wとの間には、整
流手段として複数の整流板23が所定の間隔、かつ長手
方向が基板Wの幅方向全長に沿うように並設されてい
る。各整流板23は上記支持ピン21に支持された基板
Wの板面に対して所定角度θ、例えばほぼ45度で傾斜
しており、上記フィルタ22を通過しほぼ垂直に吹き下
ろされる気体を基板Wに傾斜して供給するようになって
いる。
【0030】次に上記構成の基板乾燥装置を使用する際
の作用について説明する。
【0031】上記構成の基板乾燥装置を使用する場合、
予めクリーンルーム内にダウンフローを発生させてお
く。このダウンフローにより基板Wの上面に向かって吹
き下ろされる気体は、フィルタ22によって濾過され、
パーティクルなどの微細粒子が除去されることになる。
【0032】このフィルタ22を通過した気体は整流板
23により、基板Wに対してほぼ45度に傾斜して基板
Wの上面に供給される。この傾斜した気体は基板Wに到
達すると、その上面を傾斜方向に沿って流れ、基板Wの
上面に塗付された溶液を乾燥することになる。
【0033】一方、上面に機能性薄膜を形成する溶液が
塗布された基板Wはホットプレート20によって所定の
温度に加熱される。
【0034】上記ホットプレート20からの熱の一部
は、このホットプレート20の上面側の気体を介して基
板Wのほぼ全体に供給される。それによって、基板Wの
上面に塗付された溶液は加熱される。
【0035】また、上記ホットプレート20からの熱の
一部は、このホットプレート20の上面に設けられた支
持ピン21からも基板Wに伝達する。そのため、基板W
の上記支持ピン21に支持された部分は、支持されない
部分よりも温度が高くなるから、基板Wの上面に塗付さ
れた溶液には温度差が生じることになる。つまり、基板
Wの上記支持ピン21に支持されている部分は、支持さ
れてない部分よりも高い温度となる。
【0036】一般に、液体は高温部から低温部に流動す
る性質がある。そのため、上記基板Wに塗付された溶液
は上記支持ピン21に支持された高い温度となった部分
からその周辺の低い温度の部分に向かって流動する。そ
れによって、基板Wの上面に塗付された溶液は、その加
熱工程において凹凸状をなす。
【0037】しかしながら、この発明においては、基板
Wの上方から整流板23によりこの上面に沿って流れる
よう所定の角度で傾斜させて気体を供給している。その
ため、加熱工程において基板Wの上面に発生する溶液の
凹凸は、上記各整流板23からの気体の流れによって平
滑化されるから、基板Wの上面には凹凸のないほぼ均一
な厚さの機能性薄膜が形成されることになる。
【0038】つまり、気体を基板Wの上面に沿って流す
ことによって、基板Wの上面に塗付された溶液を強制的
に平滑化されるから、均一な厚さの機能性薄膜を形成す
ることができる。また、気体を整流板23を介して基板
Wの上方向から供給するため、基板Wが大型化しても、
この基板Wの板面全体にほぼ均一な気流を供給すること
ができる。そのため、基板Wが大型化した場合でも、均
一な厚さの機能性薄膜を形成することができる。
【0039】なお、上記第4の実施の形態ではクリーン
ルームのダウンフローを利用して整流板23により所定
方向の気流を供給するようにしたが、ダウンフローがな
い場合には送風機などによって気体を供給するようにし
てもよい。
【0040】
【発明の効果】この発明によれば、基板の上面に塗付さ
れた溶液を厚さにばらつきが生じないように乾燥させ、
均一な厚さの機能性薄膜を形成することができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】この発明の第1の実施の形態に係る基板乾燥装
置を示す断面図。
【図2】同実施の形態の基板乾燥装置を示す平面図。
【図3】第2の実施の形態の支持手段を示す平面図。
【図4】第3の実施の形態の熱風供給手段を示す断面
図。
【図5】この発明の第4の実施の形態に係る基板乾燥装
置を示す正面図。
【符号の説明】
1…装置本体 3…分配部材 6…空間部 7…支持枠部材 7a…傾斜面 8…熱風供給手段 9…供給管 20…ホットプレート 21…支持ピン 22…フィルタ 23…整流板
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 FI テーマコート゛(参考) G02F 1/1333 500 G03F 7/38 501 G03F 7/38 501 H01L 21/30 567 Fターム(参考) 2H088 FA21 HA03 HA12 2H090 JA06 JC07 JC19 LA15 2H096 AA25 CA20 3L113 AA01 AB02 AC08 AC48 AC49 AC52 AC55 AC67 AC83 BA34 DA11 5F046 KA04

Claims (2)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 基板の上面に塗付された溶液を加熱乾燥
    して機能性薄膜を形成する基板乾燥装置において、 空間部を有しこの空間部から上面に連通する複数の通風
    孔が形成された装置本体と、 上記空間部を通じて上記通風孔から装置本体の上面側に
    熱風を供給する熱風供給手段と、 上記装置本体の上面に設けられ上記基板の周縁部を支持
    する支持手段と、 上記熱風供給手段から上記装置本体の上面側に供給され
    た熱風を上記装置本体の上面側から排出する排出手段と
    を具備することを特徴とする基板乾燥装置。
  2. 【請求項2】 基板の上面に塗付された溶液を加熱乾燥
    して機能性薄膜を形成する基板乾燥装置において、 ホットプレートと、 このホットプレートの上面に設けられホットプレートに
    よって加熱される上記基板の下面を支持する支持手段
    と、 上記基板の上面側に設けられこの基板の上方から基板に
    向けて供給される気体を基板の上面の所定方向に沿って
    流す整流手段とを具備したことを特徴とする基板乾燥装
    置。
JP2001386424A 2001-12-19 2001-12-19 基板乾燥装置 Expired - Fee Related JP4224235B2 (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2001386424A JP4224235B2 (ja) 2001-12-19 2001-12-19 基板乾燥装置

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2001386424A JP4224235B2 (ja) 2001-12-19 2001-12-19 基板乾燥装置

Publications (3)

Publication Number Publication Date
JP2003188077A true JP2003188077A (ja) 2003-07-04
JP2003188077A5 JP2003188077A5 (ja) 2005-07-28
JP4224235B2 JP4224235B2 (ja) 2009-02-12

Family

ID=27595580

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2001386424A Expired - Fee Related JP4224235B2 (ja) 2001-12-19 2001-12-19 基板乾燥装置

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP4224235B2 (ja)

Cited By (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2004114379A1 (ja) * 2003-06-17 2004-12-29 Tokyo Electron Limited 半導体処理システム用の枚葉式熱処理装置
JP2007324168A (ja) * 2006-05-30 2007-12-13 Tokyo Electron Ltd 熱処理装置
JP2013008752A (ja) * 2011-06-22 2013-01-10 Tokyo Electron Ltd 熱処理装置及び熱処理方法
KR101402065B1 (ko) * 2008-02-12 2014-06-03 고요 써모 시스템 가부시끼 가이샤 감압건조장치
CN104681402A (zh) * 2015-03-16 2015-06-03 京东方科技集团股份有限公司 基板加热装置和基板加热方法
KR20190055453A (ko) * 2017-11-15 2019-05-23 주식회사 케이씨텍 기판 가열 장치 및 이를 구비한 기판 처리 시스템
CN110207470A (zh) * 2019-05-27 2019-09-06 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 干燥装置

Cited By (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2004114379A1 (ja) * 2003-06-17 2004-12-29 Tokyo Electron Limited 半導体処理システム用の枚葉式熱処理装置
US7150628B2 (en) 2003-06-17 2006-12-19 Tokyo Electron Limited Single-wafer type heat treatment apparatus for semiconductor processing system
JP2007324168A (ja) * 2006-05-30 2007-12-13 Tokyo Electron Ltd 熱処理装置
JP4662479B2 (ja) * 2006-05-30 2011-03-30 東京エレクトロン株式会社 熱処理装置
KR101402065B1 (ko) * 2008-02-12 2014-06-03 고요 써모 시스템 가부시끼 가이샤 감압건조장치
JP2013008752A (ja) * 2011-06-22 2013-01-10 Tokyo Electron Ltd 熱処理装置及び熱処理方法
CN104681402A (zh) * 2015-03-16 2015-06-03 京东方科技集团股份有限公司 基板加热装置和基板加热方法
KR20190055453A (ko) * 2017-11-15 2019-05-23 주식회사 케이씨텍 기판 가열 장치 및 이를 구비한 기판 처리 시스템
KR102426224B1 (ko) * 2017-11-15 2022-07-28 주식회사 케이씨텍 기판 가열 장치 및 이를 구비한 기판 처리 시스템
CN110207470A (zh) * 2019-05-27 2019-09-06 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 干燥装置

Also Published As

Publication number Publication date
JP4224235B2 (ja) 2009-02-12

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR101059309B1 (ko) 가열 장치, 도포, 현상 장치 및 가열 방법
JP3833439B2 (ja) 大型基板用多段加熱炉、及び両面加熱式遠赤外線パネルヒーター、並びに該加熱炉内の給排気方法
JP2006269920A5 (ja)
US6087632A (en) Heat processing device with hot plate and associated reflector
JP2009076547A (ja) 常圧乾燥装置及び基板処理装置及び基板処理方法
KR20080080925A (ko) 기판 처리 장치
US7943886B2 (en) Heat treatment apparatus
JP4384686B2 (ja) 常圧乾燥装置及び基板処理装置及び基板処理方法
US7150628B2 (en) Single-wafer type heat treatment apparatus for semiconductor processing system
JP2003188077A (ja) 基板乾燥装置
JP4043831B2 (ja) 熱処理装置
JP2006108481A (ja) 現像処理装置
JP3874960B2 (ja) 基板処理装置
JP3898895B2 (ja) 加熱処理装置及び加熱処理方法
JP2003188078A (ja) 基板乾燥装置
US20040060505A1 (en) Substrate processing apparatus and substrate processing method
JPH11345765A (ja) 半導体ウェ―ハ上のレジストをベ―キングするための装置
JP4176249B2 (ja) 基板の乾燥機
JP2003188077A5 (ja)
JPH11162804A (ja) 熱処理装置及び熱処理方法
KR19990067945A (ko) 열처리장치
JP2006021138A (ja) 塗布膜の乾燥方法及び乾燥装置
JP2005049021A (ja) ペースト材料の乾燥方法および乾燥装置
JP4233350B2 (ja) 膜形成素材を含む基板の乾燥方法及び乾燥炉
KR20190068121A (ko) 베이크공정용 가열유닛 및 이를 포함하는 베이크장치

Legal Events

Date Code Title Description
A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20041220

A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20041220

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20060817

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20060822

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20061023

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20071211

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20080206

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20081118

A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20081121

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 4224235

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20111128

Year of fee payment: 3

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20111128

Year of fee payment: 3

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20121128

Year of fee payment: 4

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20121128

Year of fee payment: 4

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20131128

Year of fee payment: 5

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees