JP2003176178A - ウエハ支持体およびその周辺部品 - Google Patents
ウエハ支持体およびその周辺部品Info
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
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- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
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- H01L21/324—Thermal treatment for modifying the properties of semiconductor bodies, e.g. annealing, sintering
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 優れた耐熱性、耐熱衝撃性および化学的安定
性は勿論のこと、優れた亀裂治癒特性をも兼ね備えたウ
エハ支持体およびその周辺部品を提供する。 【解決手段】 炭化珪素を５〜３０重量％含む窒化珪素
−炭化珪素セラミック複合材によって、半導体ウエハの
加熱装置において用いられるウエハ支持体およびその周
辺部品を作製する。
性は勿論のこと、優れた亀裂治癒特性をも兼ね備えたウ
エハ支持体およびその周辺部品を提供する。 【解決手段】 炭化珪素を５〜３０重量％含む窒化珪素
−炭化珪素セラミック複合材によって、半導体ウエハの
加熱装置において用いられるウエハ支持体およびその周
辺部品を作製する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体製造工程に
おいて、半導体ウエハにアニール処理、酸化処理、拡散
処理などを行う加熱装置に用いられる、ウエハ支持体、
およびリング、アーム、ウォールなどの周辺部品に関す
るものである。
おいて、半導体ウエハにアニール処理、酸化処理、拡散
処理などを行う加熱装置に用いられる、ウエハ支持体、
およびリング、アーム、ウォールなどの周辺部品に関す
るものである。
【０００２】
【従来の技術】半導体製造においては、半導体ウエハを
高温に加熱するアニール処理、酸化処理、拡散処理など
の工程が必要とされる。これらの工程では、加熱の手段
として、抵抗発熱体、赤外線ランプ、レーザー光などの
各種の手段が用いられるが、いずれの装置においても、
短時間で１０００℃程度以上の高温への加熱、冷却が繰
り返される。また、近年では、高出力のハロゲンランプ
によって半導体ウエハを極めて短時間に加熱してアニー
ル処理や酸化処理などを行う、いわゆるＲＴＰ（Rapid
Thermal Process）と呼ばれる技術が開発され、この技
術を応用した装置が使用されつつある。
高温に加熱するアニール処理、酸化処理、拡散処理など
の工程が必要とされる。これらの工程では、加熱の手段
として、抵抗発熱体、赤外線ランプ、レーザー光などの
各種の手段が用いられるが、いずれの装置においても、
短時間で１０００℃程度以上の高温への加熱、冷却が繰
り返される。また、近年では、高出力のハロゲンランプ
によって半導体ウエハを極めて短時間に加熱してアニー
ル処理や酸化処理などを行う、いわゆるＲＴＰ（Rapid
Thermal Process）と呼ばれる技術が開発され、この技
術を応用した装置が使用されつつある。
【０００３】これらの加熱装置においては、ウエハ１の
支持体２や、ウエハ１を押さえるためのリング３、ウエ
ハ１を搬送するためのアーム４、加熱装置の内壁（ウォ
ール）５などの各種の部品が必要とされる。図１にこれ
らの部品の概要を模式的に示す。これらの部品には、
１０００℃を超える処理温度に耐えられる耐熱性、急
速加熱、急速冷却に耐えられる耐熱衝撃性、ウエハの
汚染を起こさないための化学的安定性、などの特性が要
求される。
支持体２や、ウエハ１を押さえるためのリング３、ウエ
ハ１を搬送するためのアーム４、加熱装置の内壁（ウォ
ール）５などの各種の部品が必要とされる。図１にこれ
らの部品の概要を模式的に示す。これらの部品には、
１０００℃を超える処理温度に耐えられる耐熱性、急
速加熱、急速冷却に耐えられる耐熱衝撃性、ウエハの
汚染を起こさないための化学的安定性、などの特性が要
求される。
【０００４】現在、これらの要求を満たす、ウエハ支持
体およびその周辺部品の材料として、耐熱性に優れたセ
ラミックスである炭化珪素（ＳｉＣ）が主に用いられて
いる。
体およびその周辺部品の材料として、耐熱性に優れたセ
ラミックスである炭化珪素（ＳｉＣ）が主に用いられて
いる。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、炭化珪
素製のウエハ支持体およびその周辺部品には、以下のよ
うな問題がある。 耐熱衝撃性が不十分で、５００〜６００℃以上の熱衝
撃が加わった場合、破損が生じる確率が高い。 部品を製作する時の加工や、使用時の損耗により、部
品表面に微細な傷や亀裂が発生する。そのため、機械的
あるいは熱的な応力が加わった場合に、これらの傷や亀
裂が応力集中部として作用し、材料本来の強度よりもは
るかに低い応力で破壊を引き起こす場合がある。
素製のウエハ支持体およびその周辺部品には、以下のよ
うな問題がある。 耐熱衝撃性が不十分で、５００〜６００℃以上の熱衝
撃が加わった場合、破損が生じる確率が高い。 部品を製作する時の加工や、使用時の損耗により、部
品表面に微細な傷や亀裂が発生する。そのため、機械的
あるいは熱的な応力が加わった場合に、これらの傷や亀
裂が応力集中部として作用し、材料本来の強度よりもは
るかに低い応力で破壊を引き起こす場合がある。
【０００６】したがって、本発明は、優れた耐熱性、耐
熱衝撃性および化学的安定性は勿論のこと、優れた亀裂
治癒特性をも兼ね備えたウエハ支持体およびその周辺部
品を提供することを目的としている。
熱衝撃性および化学的安定性は勿論のこと、優れた亀裂
治癒特性をも兼ね備えたウエハ支持体およびその周辺部
品を提供することを目的としている。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明のウエハ支持体お
よびその周辺部品は、半導体ウエハの加熱装置において
用いられるウエハ支持体およびその周辺部品であって、
炭化珪素を５〜３０重量％含む窒化珪素−炭化珪素セラ
ミック複合材によって作製されることを特徴としてい
る。
よびその周辺部品は、半導体ウエハの加熱装置において
用いられるウエハ支持体およびその周辺部品であって、
炭化珪素を５〜３０重量％含む窒化珪素−炭化珪素セラ
ミック複合材によって作製されることを特徴としてい
る。
【０００８】本発明によれば、炭化珪素を５〜３０重量
％の含む窒化珪素−炭化珪素セラミック複合材は炭化珪
素に比べて強度および耐熱衝撃性が優れるため、より高
強度でより耐熱衝撃性の高いウエハ支持体およびその周
辺部品を作製することができる。また、本発明によれ
ば、炭化珪素を５〜３０重量％の含む窒化珪素−炭化珪
素セラミック複合材は良好な亀裂治癒特性を有するた
め、加工後または使用中に傷や亀裂が発生したウエハ支
持体およびその周辺部品を熱処理することによって、そ
の傷や亀裂を治癒することができ、長時間機械的特性を
良好に維持することができる。すなわち、本発明のウエ
ハ支持体およびその周辺部品は、優れた耐熱性、耐熱衝
撃性および化学的安定性は勿論のこと、優れた亀裂治癒
特性をも兼ね備えているため、部品の機械的信頼性を向
上させることができるとともに、一定期間の使用後にお
いても、熱処理による亀裂治癒特性が発揮されるため、
良好な機械的信頼性を回復させることもできる。
％の含む窒化珪素−炭化珪素セラミック複合材は炭化珪
素に比べて強度および耐熱衝撃性が優れるため、より高
強度でより耐熱衝撃性の高いウエハ支持体およびその周
辺部品を作製することができる。また、本発明によれ
ば、炭化珪素を５〜３０重量％の含む窒化珪素−炭化珪
素セラミック複合材は良好な亀裂治癒特性を有するた
め、加工後または使用中に傷や亀裂が発生したウエハ支
持体およびその周辺部品を熱処理することによって、そ
の傷や亀裂を治癒することができ、長時間機械的特性を
良好に維持することができる。すなわち、本発明のウエ
ハ支持体およびその周辺部品は、優れた耐熱性、耐熱衝
撃性および化学的安定性は勿論のこと、優れた亀裂治癒
特性をも兼ね備えているため、部品の機械的信頼性を向
上させることができるとともに、一定期間の使用後にお
いても、熱処理による亀裂治癒特性が発揮されるため、
良好な機械的信頼性を回復させることもできる。
【０００９】また、本発明におけるウエハ支持体および
その周辺部品は、加工後または使用後に、８００〜１４
００℃での熱処理により亀裂治癒を行えることを特徴と
している。
その周辺部品は、加工後または使用後に、８００〜１４
００℃での熱処理により亀裂治癒を行えることを特徴と
している。
【００１０】従来の炭化珪素製のウエハ支持体およびそ
の周辺部品では、加工中または使用中において生じた傷
または亀裂を治癒するためには、１４００℃以上の高温
での熱処理が必要であるが、本発明のウエハ支持体およ
びその周辺部品は、８００〜１４００℃の温度域での熱
処理で十分な効果を奏する。この熱処理温度が８００℃
未満では、亀裂治癒の効果が得られず、一方、１４００
℃より高い温度では、材料の酸化が激しくなるので適切
ではない。
の周辺部品では、加工中または使用中において生じた傷
または亀裂を治癒するためには、１４００℃以上の高温
での熱処理が必要であるが、本発明のウエハ支持体およ
びその周辺部品は、８００〜１４００℃の温度域での熱
処理で十分な効果を奏する。この熱処理温度が８００℃
未満では、亀裂治癒の効果が得られず、一方、１４００
℃より高い温度では、材料の酸化が激しくなるので適切
ではない。
【００１１】また、上記熱処理の処理時間は、製品の大
きさ、形状、熱処理の温度などの因子によって異なるた
め、適切な時間の範囲を厳密に規定するのは困難ではあ
るが、おおむね０．５〜１０時間程度が好ましい範囲で
ある。熱処理温度が低いほど、または製品が大型である
ほど、より長時間の熱処理が必要であり、逆に、熱処理
温度が高いほど、または製品が小型であるほど、熱処理
時間は短時間となる。
きさ、形状、熱処理の温度などの因子によって異なるた
め、適切な時間の範囲を厳密に規定するのは困難ではあ
るが、おおむね０．５〜１０時間程度が好ましい範囲で
ある。熱処理温度が低いほど、または製品が大型である
ほど、より長時間の熱処理が必要であり、逆に、熱処理
温度が高いほど、または製品が小型であるほど、熱処理
時間は短時間となる。
【００１２】さらに、本発明においては、ウエハ支持体
およびその周辺部品の材料となる窒化珪素−炭化珪素セ
ラミック複合材は炭化珪素の含有量が５〜３０重量％で
あることが必要である。この含有量が５重量％未満で
は、この複合材からなるウエハ支持体およびその周辺部
品の強度と耐熱性が十分でなく、一方、含有量が３０重
量％を越えると、焼結性が著しく低下するために緻密な
焼結体が作製できない。
およびその周辺部品の材料となる窒化珪素−炭化珪素セ
ラミック複合材は炭化珪素の含有量が５〜３０重量％で
あることが必要である。この含有量が５重量％未満で
は、この複合材からなるウエハ支持体およびその周辺部
品の強度と耐熱性が十分でなく、一方、含有量が３０重
量％を越えると、焼結性が著しく低下するために緻密な
焼結体が作製できない。
【００１３】また、本発明においては、窒化珪素−炭化
珪素セラミック複合材に、焼結助剤を１〜１０重量％含
有させることが好ましい。この含有量が１重量％未満で
は、焼結助剤を含有する効果が得られず、一方、１０重
量％を越えると、非晶質の助剤相が過剰に生成するた
め、強度と耐熱性が劣化してしまう。この焼結助剤とし
ては、アルミナ、イットリア、その他の希土類酸化物、
あるいはシリカ、マグネシア、カルシア、ベリリアな
ど、窒化珪素の焼結助剤として一般に用いられる成分を
用いることができるが、本発明においては、これらの中
でも、イットリアが好ましく、さらに、重量比９：１〜
４：６のイットリアとアルミナの混合物が最も好適であ
る。
珪素セラミック複合材に、焼結助剤を１〜１０重量％含
有させることが好ましい。この含有量が１重量％未満で
は、焼結助剤を含有する効果が得られず、一方、１０重
量％を越えると、非晶質の助剤相が過剰に生成するた
め、強度と耐熱性が劣化してしまう。この焼結助剤とし
ては、アルミナ、イットリア、その他の希土類酸化物、
あるいはシリカ、マグネシア、カルシア、ベリリアな
ど、窒化珪素の焼結助剤として一般に用いられる成分を
用いることができるが、本発明においては、これらの中
でも、イットリアが好ましく、さらに、重量比９：１〜
４：６のイットリアとアルミナの混合物が最も好適であ
る。
【００１４】
【実施例】次に、本発明に基づく実施例および比較例を
示し、本発明の効果をより明らかにする。 １．ウエハ支持体の作製 ＜実施例１＞平均粒径０．２μｍの窒化珪素と平均粒径
０．２７μｍの炭化珪素を重量割合で８：２となるよう
に秤量し、その混合粉末に８重量％のイットリアを焼結
助剤として添加して原料粉末とした。この粉末を、ホッ
トプレスによって、窒素ガス中、１８００℃で焼結し、
直径約３３０ｍｍ、厚さ約６ｍｍの円盤状の焼結体を作
製した。この焼結体に機械加工を行い、１２インチウエ
ハ用の実施例１のウエハ支持体を作製した。
示し、本発明の効果をより明らかにする。 １．ウエハ支持体の作製 ＜実施例１＞平均粒径０．２μｍの窒化珪素と平均粒径
０．２７μｍの炭化珪素を重量割合で８：２となるよう
に秤量し、その混合粉末に８重量％のイットリアを焼結
助剤として添加して原料粉末とした。この粉末を、ホッ
トプレスによって、窒素ガス中、１８００℃で焼結し、
直径約３３０ｍｍ、厚さ約６ｍｍの円盤状の焼結体を作
製した。この焼結体に機械加工を行い、１２インチウエ
ハ用の実施例１のウエハ支持体を作製した。
【００１５】＜実施例２＞平均粒径０．２μｍの窒化珪
素と平均粒径０．２７μｍの炭化珪素を重量割合で８：
２となるように秤量し、その混合粉末に５重量％のイッ
トリアと３重量％のアルミナを焼結助剤として添加して
原料粉末とした。この粉末を、ホットプレスによって、
窒素ガス中、１８００℃で焼結し、直径約３３０ｍｍ、
厚さ約６ｍｍの円盤状の焼結体を作製した。この焼結体
に機械加工を行い、１２インチウエハ用の実施例２のウ
エハ支持体を作製した。
素と平均粒径０．２７μｍの炭化珪素を重量割合で８：
２となるように秤量し、その混合粉末に５重量％のイッ
トリアと３重量％のアルミナを焼結助剤として添加して
原料粉末とした。この粉末を、ホットプレスによって、
窒素ガス中、１８００℃で焼結し、直径約３３０ｍｍ、
厚さ約６ｍｍの円盤状の焼結体を作製した。この焼結体
に機械加工を行い、１２インチウエハ用の実施例２のウ
エハ支持体を作製した。
【００１６】＜比較例＞平均粒径０．２７μｍの炭化珪
素に２重量％のアルミナを焼結助剤として添加して原料
粉末とした。この粉末を、ホットプレスによって、アル
ゴンガス中、２２００℃で焼結し、直径約３３０ｍｍ、
厚さ約６ｍｍの円盤状の焼結体を作製した。この焼結体
に機械加工を行い、１２インチウエハ用の比較例のウエ
ハ支持体を作製した。
素に２重量％のアルミナを焼結助剤として添加して原料
粉末とした。この粉末を、ホットプレスによって、アル
ゴンガス中、２２００℃で焼結し、直径約３３０ｍｍ、
厚さ約６ｍｍの円盤状の焼結体を作製した。この焼結体
に機械加工を行い、１２インチウエハ用の比較例のウエ
ハ支持体を作製した。
【００１７】２．ウエハ支持体の評価試験
耐熱衝撃性
上記のようにして得られた各実施例および比較例のウエ
ハ支持体から高さ３ｍｍ、巾４ｍｍ、長さ４０ｍｍの試
験片を作製した。これらの試験片を、大気中で所定の温
度に保持した後、水中に落下させて急冷を行い、その後
にＪＩＳ−Ｒ１６０１に準拠した方法に従って、室温で
曲げ試験を行った。これらの結果を図２に示す。この試
験により、どの程度の温度差以上で試験片の４点曲げ強
度が劣化するかを調べ、強度低下が起こる温度差を耐熱
衝撃性の優劣の評価に用いた。すなわち、強度低下が起
こる温度差が大きいほど、耐熱衝撃性のすぐれた材料で
あると判定した。
ハ支持体から高さ３ｍｍ、巾４ｍｍ、長さ４０ｍｍの試
験片を作製した。これらの試験片を、大気中で所定の温
度に保持した後、水中に落下させて急冷を行い、その後
にＪＩＳ−Ｒ１６０１に準拠した方法に従って、室温で
曲げ試験を行った。これらの結果を図２に示す。この試
験により、どの程度の温度差以上で試験片の４点曲げ強
度が劣化するかを調べ、強度低下が起こる温度差を耐熱
衝撃性の優劣の評価に用いた。すなわち、強度低下が起
こる温度差が大きいほど、耐熱衝撃性のすぐれた材料で
あると判定した。
【００１８】この試験の結果、図２から明らかなよう
に、炭化珪素製の比較例では、約５００℃以上の温度差
の急冷を行った場合に、４点曲げ強度が急激に低下した
が、これに対して、実施例１および２の試験片において
は、約８００℃の温度差の急冷まで４点曲げ強度の低下
が見られなかった。したがって、炭化珪素を５〜３０重
量％の含む窒化珪素−炭化珪素セラミック複合材から作
製された実施例の試験片は、より急激な加熱冷却に耐え
ることが可能であり、ウエハ加熱装置用のウエハ支持体
およびその周辺部品として適用可能であることが示され
た。
に、炭化珪素製の比較例では、約５００℃以上の温度差
の急冷を行った場合に、４点曲げ強度が急激に低下した
が、これに対して、実施例１および２の試験片において
は、約８００℃の温度差の急冷まで４点曲げ強度の低下
が見られなかった。したがって、炭化珪素を５〜３０重
量％の含む窒化珪素−炭化珪素セラミック複合材から作
製された実施例の試験片は、より急激な加熱冷却に耐え
ることが可能であり、ウエハ加熱装置用のウエハ支持体
およびその周辺部品として適用可能であることが示され
た。
【００１９】亀裂治癒特性１
上記の各実施例および比較例の試験片に対して、ビッカ
ース圧子により表面から半径約１００μｍの半円形の予
亀裂を導入し、ＪＩＳ−Ｒ１６０１に準拠した方法に従
って曲げ試験を行った。また、予亀裂を導入した各試験
片に対して、１２００℃の大気雰囲気で処理時間を変化
させて熱処理を施し、その後に、上記と同様の曲げ試験
を行った。
ース圧子により表面から半径約１００μｍの半円形の予
亀裂を導入し、ＪＩＳ−Ｒ１６０１に準拠した方法に従
って曲げ試験を行った。また、予亀裂を導入した各試験
片に対して、１２００℃の大気雰囲気で処理時間を変化
させて熱処理を施し、その後に、上記と同様の曲げ試験
を行った。
【００２０】その結果、単に予亀裂を導入した実施例の
試験片では、亀裂のない平滑材に比べて約５０％以下の
強度しか得られなくなった。これは、予亀裂が応力集中
部として作用したため、材料本来の強度よりも低い応力
での破壊が起こったことを示している。ところが、予亀
裂導入後に、実施例１の試験片では１２００℃、２時間
の熱処理により、実施例２の試験片では１２００℃、１
時間の熱処理により、試験片表面の亀裂が治癒され、亀
裂のない平滑材と同等にまで強度が回復する、いわゆる
亀裂治癒特性が発揮された。これに対して、炭化珪素製
の比較例の試験片では、１２００℃の熱処理では強度が
回復せず、亀裂のない平滑材と同等にまで強度を回復さ
せるには１４００℃以上の高温での熱処理が必要である
ことが判明した。
試験片では、亀裂のない平滑材に比べて約５０％以下の
強度しか得られなくなった。これは、予亀裂が応力集中
部として作用したため、材料本来の強度よりも低い応力
での破壊が起こったことを示している。ところが、予亀
裂導入後に、実施例１の試験片では１２００℃、２時間
の熱処理により、実施例２の試験片では１２００℃、１
時間の熱処理により、試験片表面の亀裂が治癒され、亀
裂のない平滑材と同等にまで強度が回復する、いわゆる
亀裂治癒特性が発揮された。これに対して、炭化珪素製
の比較例の試験片では、１２００℃の熱処理では強度が
回復せず、亀裂のない平滑材と同等にまで強度を回復さ
せるには１４００℃以上の高温での熱処理が必要である
ことが判明した。
【００２１】これらの結果から、実施例１および２の試
験片は、炭化珪素製の比較例に比べて低い温度での加熱
によって、亀裂治癒特性が発揮されることが示された。
また、イットリアとアルミナとからなる焼結助剤を用い
た実施例２の試験片は、イットリアのみの焼結助剤を用
いた実施例１の試験片よりも短時間で亀裂が治癒するこ
とが示された。
験片は、炭化珪素製の比較例に比べて低い温度での加熱
によって、亀裂治癒特性が発揮されることが示された。
また、イットリアとアルミナとからなる焼結助剤を用い
た実施例２の試験片は、イットリアのみの焼結助剤を用
いた実施例１の試験片よりも短時間で亀裂が治癒するこ
とが示された。
【００２２】亀裂治癒特性２
上記の各実施例および比較例の試験片の表面を、♯２０
０〜♯１０００までのさまざまな砥石で研削加工し、表
面粗さを変化させ、それらの試験片の曲げ試験を行うこ
とにより、表面粗さと４点曲げ強度の関係を調べた。ま
た、同様に表面粗さを変化させた後、さらに大気中で１
３００℃、１時間の亀裂治癒のための熱処理を行った試
験片についても４点曲げ強度を測定した。これらの結果
のうち実施例１の試験片に対する結果を図３に示す。
０〜♯１０００までのさまざまな砥石で研削加工し、表
面粗さを変化させ、それらの試験片の曲げ試験を行うこ
とにより、表面粗さと４点曲げ強度の関係を調べた。ま
た、同様に表面粗さを変化させた後、さらに大気中で１
３００℃、１時間の亀裂治癒のための熱処理を行った試
験片についても４点曲げ強度を測定した。これらの結果
のうち実施例１の試験片に対する結果を図３に示す。
【００２３】その結果、熱処理を行わない実施例の試験
片では、表面粗さが大きくなるにつれ強度が低下した
が、熱処理を行った実施例の試験片では表面粗さが大き
くなっても強度が低下しなかった。このように、本発明
の実施例においては、熱処理により優れた亀裂治癒特性
が示された。
片では、表面粗さが大きくなるにつれ強度が低下した
が、熱処理を行った実施例の試験片では表面粗さが大き
くなっても強度が低下しなかった。このように、本発明
の実施例においては、熱処理により優れた亀裂治癒特性
が示された。
【００２４】
【発明の効果】以上説明したように、本発明のウエハ支
持体およびその周辺部品は、炭化珪素を５〜３０重量％
含む窒化珪素−炭化珪素セラミック複合材によって作製
されているため、優れた耐熱性、耐熱衝撃性および化学
的安定性は勿論のこと、優れた亀裂治癒特性をも兼ね備
えている。
持体およびその周辺部品は、炭化珪素を５〜３０重量％
含む窒化珪素−炭化珪素セラミック複合材によって作製
されているため、優れた耐熱性、耐熱衝撃性および化学
的安定性は勿論のこと、優れた亀裂治癒特性をも兼ね備
えている。
【図１】 半導体ウエハの加熱装置におけるウエハ支持
体およびその周辺部品を模式的に示した図である。
体およびその周辺部品を模式的に示した図である。
【図２】 本発明の実施例および比較例の試験片に対す
る耐熱衝撃性を示した線図である。
る耐熱衝撃性を示した線図である。
【図３】 本発明の実施例１の試験片に対する表面粗さ
と４点曲げ強度の関係を示した線図である。
と４点曲げ強度の関係を示した線図である。
１…ウエハ、２…ウエハ支持体、３…リング、４…アー
ム、５…ウォール。
ム、５…ウォール。
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
(72)発明者 斎藤 慎二
神奈川県横浜市金沢区福浦三丁目10番地
日本発条株式会社内
Ｆターム(参考） 4G001 BA03 BA09 BA22 BA32 BB03
BB09 BB22 BB32 BC13 BC42
BC46 BC54 BC77 BD02 BD04
5F031 CA02 GA32 HA02 HA03 MA28
MA30 PA30
Claims (5)
- 【請求項１】 半導体ウエハの加熱装置において用いら
れるウエハ支持体およびその周辺部品であって、 炭化珪素を５〜３０重量％含む窒化珪素−炭化珪素セラ
ミック複合材によって作製されることを特徴とするウエ
ハ支持体およびその周辺部品。 - 【請求項２】 前記窒化珪素−炭化珪素セラミック複合
材には、焼結助剤が１〜１０重量％含有されていること
を特徴とする請求項１に記載のウエハ支持体およびその
周辺部品。 - 【請求項３】 前記焼結助剤は、イットリアを含むこと
を特徴とする請求項２に記載のウエハ支持体およびその
周辺部品。 - 【請求項４】 前記焼結助剤は、重量比で９：１〜４：
６のイットリアとアルミナの混合物からなることを特徴
とする請求項２に記載のウエハ支持体およびその周辺部
品。 - 【請求項５】 前記ウエハ支持体およびその周辺部品
は、加工後または使用後に、８００〜１４００℃での熱
処理により亀裂治癒が行えることを特徴とする請求項１
〜４のいずれかに記載のウエハ支持体およびその周辺部
品。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001374655A JP2003176178A (ja) | 2001-12-07 | 2001-12-07 | ウエハ支持体およびその周辺部品 |
| KR1020020077278A KR20030047799A (ko) | 2001-12-07 | 2002-12-06 | 웨이퍼 지지체 및 그 주변 부품 |
| US10/310,998 US20030121475A1 (en) | 2001-12-07 | 2002-12-06 | Wafer support and peripheral parts thereof |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001374655A JP2003176178A (ja) | 2001-12-07 | 2001-12-07 | ウエハ支持体およびその周辺部品 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2003176178A true JP2003176178A (ja) | 2003-06-24 |
Family
ID=19183187
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2001374655A Pending JP2003176178A (ja) | 2001-12-07 | 2001-12-07 | ウエハ支持体およびその周辺部品 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US20030121475A1 (ja) |
| JP (1) | JP2003176178A (ja) |
| KR (1) | KR20030047799A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2016159146A1 (ja) * | 2015-03-31 | 2016-10-06 | 北陸成型工業株式会社 | プラズマ処理装置用炭化ケイ素部材及びその製造方法 |
| WO2016204113A1 (ja) * | 2015-06-17 | 2016-12-22 | 国立研究開発法人物質・材料研究機構 | 治癒活性剤を含む酸化誘起型自己治癒セラミックス組成物、その製法及びその用途、並びに酸化誘起型自己治癒セラミックス組成物の高機能化方法 |
| WO2018061778A1 (ja) * | 2016-09-27 | 2018-04-05 | 北陸成型工業株式会社 | プラズマ処理装置用炭化ケイ素部材及びその製造方法 |
| CN113380667A (zh) * | 2021-04-29 | 2021-09-10 | 林超峰 | 一种用于大功率半导体器件封装的热压烧结机 |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| TWI660064B (zh) * | 2017-11-23 | 2019-05-21 | 塞席爾商樺榆國際有限公司 | 晶圓承載盤維修方法 |
| KR102181727B1 (ko) | 2019-04-17 | 2020-11-24 | 주식회사 티씨케이 | 탄화규소-질화규소 복합소재의 제조방법 및 이에 따른 탄화규소-질화규소 복합소재 |
| CN116387141B (zh) * | 2023-06-07 | 2023-10-13 | 浙江大学杭州国际科创中心 | 一种低裂纹碳化硅晶圆制备方法及碳化硅晶圆 |
Family Cites Families (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH07299708A (ja) * | 1994-04-26 | 1995-11-14 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 窒化ケイ素系セラミックス部品の製造方法 |
| US6310755B1 (en) * | 1999-05-07 | 2001-10-30 | Applied Materials, Inc. | Electrostatic chuck having gas cavity and method |
| US6642165B2 (en) * | 2000-08-21 | 2003-11-04 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Wear resistant member for electronic equipment, and bearing and spindle motor therewith |
| US20020185487A1 (en) * | 2001-05-02 | 2002-12-12 | Ramesh Divakar | Ceramic heater with heater element and method for use thereof |
-
2001
- 2001-12-07 JP JP2001374655A patent/JP2003176178A/ja active Pending
-
2002
- 2002-12-06 US US10/310,998 patent/US20030121475A1/en not_active Abandoned
- 2002-12-06 KR KR1020020077278A patent/KR20030047799A/ko not_active Application Discontinuation
Cited By (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2016159146A1 (ja) * | 2015-03-31 | 2016-10-06 | 北陸成型工業株式会社 | プラズマ処理装置用炭化ケイ素部材及びその製造方法 |
| JPWO2016159146A1 (ja) * | 2015-03-31 | 2018-01-25 | 北陸成型工業株式会社 | プラズマ処理装置用炭化ケイ素部材及びその製造方法 |
| US10280121B2 (en) | 2015-03-31 | 2019-05-07 | Hokuriku Seikei Industrial Co., Ltd. | Silicon carbide member for plasma processing apparatus |
| WO2016204113A1 (ja) * | 2015-06-17 | 2016-12-22 | 国立研究開発法人物質・材料研究機構 | 治癒活性剤を含む酸化誘起型自己治癒セラミックス組成物、その製法及びその用途、並びに酸化誘起型自己治癒セラミックス組成物の高機能化方法 |
| JPWO2016204113A1 (ja) * | 2015-06-17 | 2018-04-12 | 国立研究開発法人物質・材料研究機構 | 治癒活性剤を含む酸化誘起型自己治癒セラミックス組成物、その製法及びその用途、並びに酸化誘起型自己治癒セラミックス組成物の高機能化方法 |
| WO2018061778A1 (ja) * | 2016-09-27 | 2018-04-05 | 北陸成型工業株式会社 | プラズマ処理装置用炭化ケイ素部材及びその製造方法 |
| JPWO2018061778A1 (ja) * | 2016-09-27 | 2019-09-12 | 北陸成型工業株式会社 | プラズマ処理装置用炭化ケイ素部材及びその製造方法 |
| US11264214B2 (en) | 2016-09-27 | 2022-03-01 | Hokuriku Seikei Industrial Co., Ltd. | Silicon carbide member for plasma processing apparatus, and production method therefor |
| CN113380667A (zh) * | 2021-04-29 | 2021-09-10 | 林超峰 | 一种用于大功率半导体器件封装的热压烧结机 |
| CN113380667B (zh) * | 2021-04-29 | 2022-10-11 | 芜湖米格半导体检测有限公司 | 一种用于大功率半导体器件封装的热压烧结机 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR20030047799A (ko) | 2003-06-18 |
| US20030121475A1 (en) | 2003-07-03 |
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