JP2003172836A - 光路変換機能付光導波路素子 - Google Patents
光路変換機能付光導波路素子Info
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- JP2003172836A JP2003172836A JP2001372056A JP2001372056A JP2003172836A JP 2003172836 A JP2003172836 A JP 2003172836A JP 2001372056 A JP2001372056 A JP 2001372056A JP 2001372056 A JP2001372056 A JP 2001372056A JP 2003172836 A JP2003172836 A JP 2003172836A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】本発明の目的は、機械研削などの手段を用いる
ことなく上記の問題を回避すべく光学系の汚染を防止
し、集光機能を有して光路変換を行える光導波路素子お
よびその作製方法を提供することにある。 【構成】光導波路の光入出射端面に光導波路のコア２と
同じ屈折率を有しコアからの光路を変換させる反射面を
備えた樹脂ブロック５が形成されている光導波路素子で
あり、樹脂ブロック５は、上部クラッド３と下部クラッ
ド１に挟まれたコア２の端面に接触している。そして樹
脂ブロック５の空気との界面が反射面となる。
ことなく上記の問題を回避すべく光学系の汚染を防止
し、集光機能を有して光路変換を行える光導波路素子お
よびその作製方法を提供することにある。 【構成】光導波路の光入出射端面に光導波路のコア２と
同じ屈折率を有しコアからの光路を変換させる反射面を
備えた樹脂ブロック５が形成されている光導波路素子で
あり、樹脂ブロック５は、上部クラッド３と下部クラッ
ド１に挟まれたコア２の端面に接触している。そして樹
脂ブロック５の空気との界面が反射面となる。
Description
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は高分子光導波路に関
し、特に光集積回路、光インターコネクション、あるい
は光合分波等の光学部品を製造する方法に関する。 【０００２】 【従来の技術】光部品、あるいは光ファイバの基材とし
ては、光伝搬損失が小さく、伝送帯域が広いという特徴
を有する石英ガラスや多成分ガラス等の無機系の材料が
広く使用されているが、最近では高分子系の材料も開発
され、無機系材料に比べて加工性や価格の点で優れてい
ることから、光導波路用材料として注目されている。例
えば、ポリメチルメタクリレート（ＰＭＭＡ）、あるい
は、ポリスチレンのような透明性に優れた高分子をコア
とし、そのコア材料よりも屈折率の低い高分子をクラッ
ド材料としたコア−クラッド構造からなる平板型光導波
路が作製されている（特開平３−１８８４０２号）。こ
れに対して耐熱性の高い透明性高分子であるポリイミド
を用い低損失の平板型光導波路が実現されている（特開
平２−１１０５００号）。コストなどの要求から光イン
ターコネクション分野において、面発光型レーザ（ＶＣ
ＳＥＬ）が搭載されようとしているが、基板に対して垂
直に出射するレーザ光を基板に対して水平な光導波路に
入射するとき、約９０°の光路変換が必要となる。高分
子光導波路では、ダイシングソーによって、約４５°に
切削し、９０°光路変換を可能にしている（特開平１０
−３００９６１）。しかしながら、ダイシングソーで切
削する場合、必要な場所以外も４５°に切削してしまう
こと、切削時に汚染の恐れがあることや切削だけでは集
光機能が無いため光が発散してしまい損失の原因になる
などの問題がある。 【０００３】 【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、機械
研削などの手段を用いることなく上記の問題を回避すべ
く光学系の汚染を防止し、集光機能を有して光路変換を
行える光導波路素子およびその作製方法を提供すること
にある。 【０００４】 【課題を解決するための手段】本発明者は、鋭意検討し
た結果、光導波路端面に樹脂を極微量滴下することによ
り、前記課題を解決することを見出し本発明を完成させ
た。すなわち、本発明は、光導波路の光入出射端面に光
導波路のコアと同じ屈折率を有しコアからの光路を変換
させる反射面を備えた樹脂が形成されていることを特徴
とする光導波路素子である。 【０００５】 【発明の実施の形態】以下、本発明を詳細に説明する。
ここでは、ポリイミドの前駆体であるポリアミド酸溶液
を用いたポリイミド光導波路を例に挙げて説明するが、
光導波路の材料としてポリアミド酸溶液以外の光学用材
料の樹脂溶液などを用いて作製することももちろん可能
である。また、光路変換のための樹脂は、ＵＶ硬化エポ
キシアクリレートを例に挙げて説明するが、ＵＶ硬化エ
ポキシアクリレート以外の樹脂溶液、熱硬化タイプの樹
脂溶液などを用いて作製することももちろん可能であ
る。 【０００６】まず、シリコンウェハ上に下部クラッド層
を形成する。その上にコア層を形成する。次に、所望の
コアパターンの描いてあるマスクパターンを用いて、レ
ジストパターン形成を行う。このレジストをマスクとし
て酸素プラズマでドライエッチングする。次に、残った
レジストを剥離液で除去する。次に上から上部クラッド
層を形成する。次に、シリコンウェハから、光導波路を
剥離する。このようにして得られた光導波路フィルムを
必要であれば、所望の形状にダイシングソー等で切り出
した後、図１に示すようにレーザダイオードやフォトデ
ィテクタなどの受発光素子６を搭載し、駆動するため等
の電気回路が形成されている回路基板４に接着材を用い
て貼りつける。その後、光導波路端部にインクジェット
方式もしくは、ディスペンス方式を用いて、ＵＶ硬化樹
脂を極微量滴下する。その後、滴下した場所をＵＶラン
プで照射し硬化して樹脂ブロック５が得られる。この時
樹脂ブロック５は、上部クラッド３と下部クラッド１に
挟まれたコア２の端面に接触している。そして樹脂ブロ
ック５の空気との界面が反射面となる。この反射面は樹
脂が硬化する前の表面張力により、曲面が得られて集光
効果も得られる。このようにして、光路変換機能付の光
導波路が電気回路基板上に作製出来る。この構造により
光ビーム７を光路変換させると同時に、集光効果も生じ
る。 【０００７】回路基板４は透明基板を用いてもよいし、
光の光路となる箇所に貫通孔を設けてもよい。透明基板
の場合は樹脂ブロック５は光路が変換される光ビームが
通過する回路基板面の該当箇所に接触するように形成さ
れる。回路基板に貫通孔が設けられている場合は、樹脂
ブロックは貫通孔のところで空気との界面を有してもよ
い。またこの貫通孔を樹脂ブロックの樹脂で埋めて受発
光素子の受発光面に樹脂が接触させることは、反射面を
減らしてロスを抑えることができるのでより好ましい。 【０００８】また樹脂ブロック５の反射面である空気と
の界面に金属層などの反射層を設けてもよい。 【０００９】引き続いて、いくつかの実施例を用いて本
発明を更に詳しく説明する。なお、分子構造の異なる種
々の高分子の溶液を用いることにより数限りない本発明
の高分子光導波路が得られることは明らかである。した
がって、本発明はこれらの実施例のみに限定されるもの
ではない。 【００１０】（実施例１）４インチシリコンウェハ上に
２，２−ビス（３，４−ジカルボキシフェニル）ヘキサ
フルオロプロパン二無水物（６ＦＤＡ）と２，２−ビス
（トリフルオロメチル）−４, ４' −ジアミノビフェニ
ル（ＴＦＤＢ）のポリアミド酸の１５ｗｔ％ＤＭＡｃ溶
液を加熱後膜厚が１５μｍｍになるようスピンコートし
た。これを３８０℃で１時間加熱イミド化して下部クラ
ッド層とした。この上にコア層となる６ＦＤＡと４,
４' −オキシジアニリン（ＯＤＡ）のポリアミド酸約１
５ｗｔ％ＤＭＡｃ溶液を加熱イミド化後膜厚が５０μm
になるようにスピンコートし、加熱イミド化した。その
上からＳｉ含有のレジストを膜厚３μｍになるようにス
ピンコートし９０℃で仮乾燥した。５０μｍ幅、長さ６
ｃｍのパターンが４０本描かれているガラスマスクパタ
ーンを用いて、露光、現像を行い、レジストパターンニ
ングを行った。次に反応性イオンエッチングによりコア
層を５０μｍ分エッチングした。その後、残ったレジス
トを剥離液で剥離した。最後に上部クラッド層となる６
ＦＤＡとＴＦＤＢのポリアミド酸の１５ｗｔ％ＤＭＡｃ
溶液をスピンコート等の方法により塗布し、これを加熱
イミド化して上部クラッド層を得た。このようにして埋
め込み型光導波路が形成される。その後、このシリコン
ウェハ上の光導波路を５ｗｔ％のフッ酸水溶液中に浸漬
させ、シリコンウェハから光導波路を剥し、フィルム光
導波路を作製した。次に幅５ｍｍ、長さ５ｃｍにダイシ
ングソー等でフィルム光導波路を切り出した。その後、
市販のカプトン、ユーピレックス等のポリイミドフィル
ム上に銅パターンが形成されている電気回路基板にこの
光導波路フィルムをエポキシ接着材で貼りつけた。これ
らのポリイミドフィルムは薄くすることにより実質的に
光が透過できる。次に、ＵＶ硬化エポキシアクリレート
をインクジェット方式で５ナノリットル光導波路の端面
に滴下し、ＵＶランプで２００ｍＪ照射し硬化させた。
そのとき、電気回路基板と滴下樹脂との接触角は４４°
であった。このようにして、光路変換付光導波路素子が
形成出来る。このときの、光導波路とレーザダイオード
および光導波路とフォトディテクタとの結合効率はそれ
ぞれ約８０％および約９０％であった。 【００１１】（比較例１）４インチシリコンウェハ上に
６ＦＤＡとＴＦＤＢのポリアミド酸の１５ｗｔ％ＤＭＡ
ｃ溶液を加熱後膜厚が１５μｍｍになるようスピンコー
トした。加熱イミド化して下部クラッド層を形成した
後、この上にコア層となる６ＦＤＡとＯＤＡのポリアミ
ド酸約１５ｗｔ％ＤＭＡｃ溶液を加熱イミド化後膜厚が
５０μmになるようにスピンコートし、加熱イミド化し
た。その上からＳｉ含有のレジストを膜厚３μｍになる
ようにスピンコートし９０℃で仮乾燥した。５０μｍ
幅、長さ６ｃｍのパターンが４０本描かれているガラス
マスクパターンを用いて、露光、現像を行い、レジスト
パターンニングを行った。次に反応性イオンエッチング
によりコア層を５０μｍ分エッチングした。その後、残
ったレジストを剥離液で剥離した。最後に上部クラッド
層となる６ＦＤＡとＴＦＤＢのポリアミド酸の１５ｗｔ
％ＤＭＡｃ溶液をスピンコート等の方法により塗布し、
これを加熱イミド化して１５μｍ厚の上部クラッド層を
得た。このようにして埋め込み型光導波路が形成され
る。その後、このシリコンウェハ上の光導波路を５ｗｔ
％のフッ酸水溶液中に浸漬させ、シリコンウェハから光
導波路を剥し、フィルム光導波路を作製した。次に幅５
ｍｍ、長さ５ｃｍにダイシングソー等でフィルム光導波
路を切り出した。その後、市販のカプトン、ユーピレッ
クス等のポリイミドフィルム上に銅パターンが形成され
ている電気回路基板にこの光導波路フィルムをエポキシ
接着材で貼りつけた。次に、光導波路の端面をダイシン
グソーによって４５°カットを行った。このときの、光
導波路とレーザダイオードおよび光導波路とフォトディ
テクタとの結合効率はそれぞれ約５０％および約６０％
であった。 【００１２】 【本発明の効果】本発明による光路変換付高分子光導波
路素子により、受発光素子との結合効率が良好でかつ量
産性の優れた光導波路、光部品が製造できる。
し、特に光集積回路、光インターコネクション、あるい
は光合分波等の光学部品を製造する方法に関する。 【０００２】 【従来の技術】光部品、あるいは光ファイバの基材とし
ては、光伝搬損失が小さく、伝送帯域が広いという特徴
を有する石英ガラスや多成分ガラス等の無機系の材料が
広く使用されているが、最近では高分子系の材料も開発
され、無機系材料に比べて加工性や価格の点で優れてい
ることから、光導波路用材料として注目されている。例
えば、ポリメチルメタクリレート（ＰＭＭＡ）、あるい
は、ポリスチレンのような透明性に優れた高分子をコア
とし、そのコア材料よりも屈折率の低い高分子をクラッ
ド材料としたコア−クラッド構造からなる平板型光導波
路が作製されている（特開平３−１８８４０２号）。こ
れに対して耐熱性の高い透明性高分子であるポリイミド
を用い低損失の平板型光導波路が実現されている（特開
平２−１１０５００号）。コストなどの要求から光イン
ターコネクション分野において、面発光型レーザ（ＶＣ
ＳＥＬ）が搭載されようとしているが、基板に対して垂
直に出射するレーザ光を基板に対して水平な光導波路に
入射するとき、約９０°の光路変換が必要となる。高分
子光導波路では、ダイシングソーによって、約４５°に
切削し、９０°光路変換を可能にしている（特開平１０
−３００９６１）。しかしながら、ダイシングソーで切
削する場合、必要な場所以外も４５°に切削してしまう
こと、切削時に汚染の恐れがあることや切削だけでは集
光機能が無いため光が発散してしまい損失の原因になる
などの問題がある。 【０００３】 【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、機械
研削などの手段を用いることなく上記の問題を回避すべ
く光学系の汚染を防止し、集光機能を有して光路変換を
行える光導波路素子およびその作製方法を提供すること
にある。 【０００４】 【課題を解決するための手段】本発明者は、鋭意検討し
た結果、光導波路端面に樹脂を極微量滴下することによ
り、前記課題を解決することを見出し本発明を完成させ
た。すなわち、本発明は、光導波路の光入出射端面に光
導波路のコアと同じ屈折率を有しコアからの光路を変換
させる反射面を備えた樹脂が形成されていることを特徴
とする光導波路素子である。 【０００５】 【発明の実施の形態】以下、本発明を詳細に説明する。
ここでは、ポリイミドの前駆体であるポリアミド酸溶液
を用いたポリイミド光導波路を例に挙げて説明するが、
光導波路の材料としてポリアミド酸溶液以外の光学用材
料の樹脂溶液などを用いて作製することももちろん可能
である。また、光路変換のための樹脂は、ＵＶ硬化エポ
キシアクリレートを例に挙げて説明するが、ＵＶ硬化エ
ポキシアクリレート以外の樹脂溶液、熱硬化タイプの樹
脂溶液などを用いて作製することももちろん可能であ
る。 【０００６】まず、シリコンウェハ上に下部クラッド層
を形成する。その上にコア層を形成する。次に、所望の
コアパターンの描いてあるマスクパターンを用いて、レ
ジストパターン形成を行う。このレジストをマスクとし
て酸素プラズマでドライエッチングする。次に、残った
レジストを剥離液で除去する。次に上から上部クラッド
層を形成する。次に、シリコンウェハから、光導波路を
剥離する。このようにして得られた光導波路フィルムを
必要であれば、所望の形状にダイシングソー等で切り出
した後、図１に示すようにレーザダイオードやフォトデ
ィテクタなどの受発光素子６を搭載し、駆動するため等
の電気回路が形成されている回路基板４に接着材を用い
て貼りつける。その後、光導波路端部にインクジェット
方式もしくは、ディスペンス方式を用いて、ＵＶ硬化樹
脂を極微量滴下する。その後、滴下した場所をＵＶラン
プで照射し硬化して樹脂ブロック５が得られる。この時
樹脂ブロック５は、上部クラッド３と下部クラッド１に
挟まれたコア２の端面に接触している。そして樹脂ブロ
ック５の空気との界面が反射面となる。この反射面は樹
脂が硬化する前の表面張力により、曲面が得られて集光
効果も得られる。このようにして、光路変換機能付の光
導波路が電気回路基板上に作製出来る。この構造により
光ビーム７を光路変換させると同時に、集光効果も生じ
る。 【０００７】回路基板４は透明基板を用いてもよいし、
光の光路となる箇所に貫通孔を設けてもよい。透明基板
の場合は樹脂ブロック５は光路が変換される光ビームが
通過する回路基板面の該当箇所に接触するように形成さ
れる。回路基板に貫通孔が設けられている場合は、樹脂
ブロックは貫通孔のところで空気との界面を有してもよ
い。またこの貫通孔を樹脂ブロックの樹脂で埋めて受発
光素子の受発光面に樹脂が接触させることは、反射面を
減らしてロスを抑えることができるのでより好ましい。 【０００８】また樹脂ブロック５の反射面である空気と
の界面に金属層などの反射層を設けてもよい。 【０００９】引き続いて、いくつかの実施例を用いて本
発明を更に詳しく説明する。なお、分子構造の異なる種
々の高分子の溶液を用いることにより数限りない本発明
の高分子光導波路が得られることは明らかである。した
がって、本発明はこれらの実施例のみに限定されるもの
ではない。 【００１０】（実施例１）４インチシリコンウェハ上に
２，２−ビス（３，４−ジカルボキシフェニル）ヘキサ
フルオロプロパン二無水物（６ＦＤＡ）と２，２−ビス
（トリフルオロメチル）−４, ４' −ジアミノビフェニ
ル（ＴＦＤＢ）のポリアミド酸の１５ｗｔ％ＤＭＡｃ溶
液を加熱後膜厚が１５μｍｍになるようスピンコートし
た。これを３８０℃で１時間加熱イミド化して下部クラ
ッド層とした。この上にコア層となる６ＦＤＡと４,
４' −オキシジアニリン（ＯＤＡ）のポリアミド酸約１
５ｗｔ％ＤＭＡｃ溶液を加熱イミド化後膜厚が５０μm
になるようにスピンコートし、加熱イミド化した。その
上からＳｉ含有のレジストを膜厚３μｍになるようにス
ピンコートし９０℃で仮乾燥した。５０μｍ幅、長さ６
ｃｍのパターンが４０本描かれているガラスマスクパタ
ーンを用いて、露光、現像を行い、レジストパターンニ
ングを行った。次に反応性イオンエッチングによりコア
層を５０μｍ分エッチングした。その後、残ったレジス
トを剥離液で剥離した。最後に上部クラッド層となる６
ＦＤＡとＴＦＤＢのポリアミド酸の１５ｗｔ％ＤＭＡｃ
溶液をスピンコート等の方法により塗布し、これを加熱
イミド化して上部クラッド層を得た。このようにして埋
め込み型光導波路が形成される。その後、このシリコン
ウェハ上の光導波路を５ｗｔ％のフッ酸水溶液中に浸漬
させ、シリコンウェハから光導波路を剥し、フィルム光
導波路を作製した。次に幅５ｍｍ、長さ５ｃｍにダイシ
ングソー等でフィルム光導波路を切り出した。その後、
市販のカプトン、ユーピレックス等のポリイミドフィル
ム上に銅パターンが形成されている電気回路基板にこの
光導波路フィルムをエポキシ接着材で貼りつけた。これ
らのポリイミドフィルムは薄くすることにより実質的に
光が透過できる。次に、ＵＶ硬化エポキシアクリレート
をインクジェット方式で５ナノリットル光導波路の端面
に滴下し、ＵＶランプで２００ｍＪ照射し硬化させた。
そのとき、電気回路基板と滴下樹脂との接触角は４４°
であった。このようにして、光路変換付光導波路素子が
形成出来る。このときの、光導波路とレーザダイオード
および光導波路とフォトディテクタとの結合効率はそれ
ぞれ約８０％および約９０％であった。 【００１１】（比較例１）４インチシリコンウェハ上に
６ＦＤＡとＴＦＤＢのポリアミド酸の１５ｗｔ％ＤＭＡ
ｃ溶液を加熱後膜厚が１５μｍｍになるようスピンコー
トした。加熱イミド化して下部クラッド層を形成した
後、この上にコア層となる６ＦＤＡとＯＤＡのポリアミ
ド酸約１５ｗｔ％ＤＭＡｃ溶液を加熱イミド化後膜厚が
５０μmになるようにスピンコートし、加熱イミド化し
た。その上からＳｉ含有のレジストを膜厚３μｍになる
ようにスピンコートし９０℃で仮乾燥した。５０μｍ
幅、長さ６ｃｍのパターンが４０本描かれているガラス
マスクパターンを用いて、露光、現像を行い、レジスト
パターンニングを行った。次に反応性イオンエッチング
によりコア層を５０μｍ分エッチングした。その後、残
ったレジストを剥離液で剥離した。最後に上部クラッド
層となる６ＦＤＡとＴＦＤＢのポリアミド酸の１５ｗｔ
％ＤＭＡｃ溶液をスピンコート等の方法により塗布し、
これを加熱イミド化して１５μｍ厚の上部クラッド層を
得た。このようにして埋め込み型光導波路が形成され
る。その後、このシリコンウェハ上の光導波路を５ｗｔ
％のフッ酸水溶液中に浸漬させ、シリコンウェハから光
導波路を剥し、フィルム光導波路を作製した。次に幅５
ｍｍ、長さ５ｃｍにダイシングソー等でフィルム光導波
路を切り出した。その後、市販のカプトン、ユーピレッ
クス等のポリイミドフィルム上に銅パターンが形成され
ている電気回路基板にこの光導波路フィルムをエポキシ
接着材で貼りつけた。次に、光導波路の端面をダイシン
グソーによって４５°カットを行った。このときの、光
導波路とレーザダイオードおよび光導波路とフォトディ
テクタとの結合効率はそれぞれ約５０％および約６０％
であった。 【００１２】 【本発明の効果】本発明による光路変換付高分子光導波
路素子により、受発光素子との結合効率が良好でかつ量
産性の優れた光導波路、光部品が製造できる。
【図面の簡単な説明】
【図１】光路変換機能付高分子光導波路の構成の一例を
示す図 【符号の説明】 １：下部クラッド、２：コア、３：上部クラッド、４：
回路基板、５：樹脂ブロック、６：受発光素子、７：光
ビーム
示す図 【符号の説明】 １：下部クラッド、２：コア、３：上部クラッド、４：
回路基板、５：樹脂ブロック、６：受発光素子、７：光
ビーム
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 【請求項１】 光導波路の光入出射端面に光導波路のコ
アと同じ屈折率を有しコアからの光路を変換させる反射
面を備えた樹脂が形成されていることを特徴とする光導
波路素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001372056A JP2003172836A (ja) | 2001-12-05 | 2001-12-05 | 光路変換機能付光導波路素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001372056A JP2003172836A (ja) | 2001-12-05 | 2001-12-05 | 光路変換機能付光導波路素子 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2003172836A true JP2003172836A (ja) | 2003-06-20 |
Family
ID=19181008
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2001372056A Pending JP2003172836A (ja) | 2001-12-05 | 2001-12-05 | 光路変換機能付光導波路素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2003172836A (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006030294A (ja) * | 2004-07-12 | 2006-02-02 | Nitto Denko Corp | フレキシブル光導波路の製法 |
| JP2007148456A (ja) * | 2002-09-20 | 2007-06-14 | Toppan Printing Co Ltd | 光導波路 |
| JP2007178578A (ja) * | 2005-12-27 | 2007-07-12 | Hitachi Cable Ltd | 光送受信器 |
| JP2008506158A (ja) * | 2004-07-08 | 2008-02-28 | ダウ・コーニング・コーポレイション | 短距離光相互接続装置 |
| JP2009258417A (ja) * | 2008-04-17 | 2009-11-05 | Nitto Denko Corp | 光導波路モジュールの製造方法 |
| KR101091251B1 (ko) | 2003-09-05 | 2011-12-07 | 소니 주식회사 | 광도파 장치 |
-
2001
- 2001-12-05 JP JP2001372056A patent/JP2003172836A/ja active Pending
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007148456A (ja) * | 2002-09-20 | 2007-06-14 | Toppan Printing Co Ltd | 光導波路 |
| KR101091251B1 (ko) | 2003-09-05 | 2011-12-07 | 소니 주식회사 | 광도파 장치 |
| JP2008506158A (ja) * | 2004-07-08 | 2008-02-28 | ダウ・コーニング・コーポレイション | 短距離光相互接続装置 |
| JP4855397B2 (ja) * | 2004-07-08 | 2012-01-18 | ダウ・コーニング・コーポレイション | 短距離光相互接続装置 |
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