JP2003168706A - Method of forming electronic circuit, wiring board, its manufacturing method, multichip module, and its manufacturing method - Google Patents

Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a method by which a multichip module that is provided with high-density wiring having excellent electrical characteristics and is molded with a molding resin can be formed. <P>SOLUTION: In this method the wiring having excellent electrical characteristics is formed by forming wiring composed of an electroplated copper film and an electroplated nickel film on Cr/Cu, on which signal passing wiring joined to solder is formed by sputtering by using Cr/Cu/Cr wiring formed at a portion for grounding by sputtering. In the manufacturing process of the wiring, the wiring can be formed efficiently by using a long thin stainless substrate, because the substrate can be taken up in a roll. <P>COPYRIGHT: (C)2003,JPO

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【０００１】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、ＬＳＩチップなど
の複数の電子部品を、はんだを用いて搭載するための配
線基板およびその製造方法、マルチチップモジュールお
よびその製造方法並びにマルチチップモジュール実装構
造体（半導体装置）に関するものである。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a wiring board for mounting a plurality of electronic components such as LSI chips using solder, a method for manufacturing the same, a multichip module and a method for manufacturing the same, and a multichip module mounting structure. (Semiconductor device)

【０００２】[0002]

【従来の技術】配線基板の形成方法では、配線層と電源
ライン（グランド）を層間に使い分ける方法は一般的に
提示されている。この例として、トリケップス刊マルチ
チップ実装技術の２１頁には、その構成例が記されてい
る。ここに記されている例は、銅／ポリイミド多層配線
として紹介されている。また、同２９３頁には、ＭＣＭ
の例が記されている。ここでも、銅配線層と銅グランド
層の記述はある。しかし、それらには、詳細な構造につ
いては触れられていない。2. Description of the Related Art As a method of forming a wiring board, a method of properly using a wiring layer and a power supply line (ground) between layers has been generally proposed. As an example of this, the configuration example is described on page 21 of the multi-chip mounting technology published by Trikeps. The examples provided here are introduced as copper / polyimide multilayer wiring. Also, on page 293, MCM
The example of is written. Again, there is a description of copper wiring layers and copper ground layers. However, they do not mention the detailed structure.

【０００３】ところで、銅／ポリイミド多層配線を形成
しようとすると、銅とポリイミドの接着強度が低いた
め、接着力を確保するための金属を形成する必要があ
る。このため、形成方法としては、接合金属で挟まれた
導体をスパッタで成膜し、レジストでパターンを形成
し、エッチングで形成する方法（サブトラスト法）が一
般的である。この場合、スパッタ膜が高価であることに
より、最大膜厚は、５マイクロメータ程度である。By the way, when attempting to form a copper / polyimide multi-layer wiring, the adhesion strength between copper and polyimide is low, so it is necessary to form a metal for securing the adhesion force. Therefore, as a forming method, a method of forming a conductor sandwiched by joining metals by sputtering, forming a pattern with a resist, and forming by etching (subtrust method) is generally used. In this case, since the sputtered film is expensive, the maximum film thickness is about 5 micrometers.

【０００４】他方、膜厚を大きくするためには、スパッ
タで給電膜を形成し、レジストを用いて配線部分以外の
部分を被い、電気めっきを用いて配線を形成する。そし
て、レジストを剥離し、給電膜を除去することで配線を
形成する方法が用いられている（セミアディディブ
法）。On the other hand, in order to increase the film thickness, a power supply film is formed by sputtering, a resist is used to cover a portion other than the wiring portion, and electroplating is used to form the wiring. Then, a method of forming a wiring by removing the resist and removing the power supply film is used (semi-additive method).

【０００５】しかしながら、以上のように、個々の技術
は確立されているが、一つの基板の中で、二つの手法が
用いられている例は知られていない。However, as described above, although individual techniques have been established, no example is known in which two methods are used in one substrate.

【０００６】また、長尺かつ薄形の回路基板上に電子回
路部品を搭載する技術として、ＴＡＢ（TAPE AUTOMATED
BONDING）テープが広く用いられている。ＴＡＢテープ
は金属箔と絶縁膜が貼り合わされた材料の金属箔をエッ
チングで形成している。これらの記述については、日経
ＢＰ社刊、マイクロエレクトロニクスパッケージハンド
ブックｐ３３４に記載されている。[0006] As a technique for mounting electronic circuit components on a long and thin circuit board, TAB (TAPE AUTOMATED
BONDING) tape is widely used. The TAB tape is formed by etching a metal foil made of a material in which a metal foil and an insulating film are bonded together. These descriptions are described in Microelectronics Package Handbook p334, published by Nikkei BP.

【０００７】[0007]

【発明が解決しようとする課題】上記従来技術では、配
線層の形成方法として、サブトラスト法またはセミアデ
ィディブ法の何れか一方の工程が全ての配線層にわたっ
て用いられている。これは、配線の形成方法を同一プロ
セスとすることで、工程を一元化することが可能であ
り、コストを下げることが出来るとされているためであ
る。しかし、近年電子機器の性能向上に伴い、配線各層
の役割を持たせる必要が出てきた。つまり、グランド
層、配線層、はんだが接続される配線層には、それぞれ
異なった性能が要求されている。このため、従来の様
に、各層とも同一工程で形成した場合、機器の性能を引
き出すことが困難になってきた。In the above prior art, as a method of forming the wiring layer, either one of the sub-trust method and the semi-additive method is used over all the wiring layers. This is because it is possible to unify the steps and reduce the cost by using the same wiring forming method. However, as the performance of electronic devices has improved in recent years, it has become necessary to give each wiring layer a role. That is, different performances are required for the ground layer, the wiring layer, and the wiring layer to which the solder is connected. Therefore, it becomes difficult to bring out the performance of the device when each layer is formed in the same process as in the conventional case.

【０００８】また、ＴＡＢテープを用いた従来技術で
は、エッチングで配線を形成しているため、微細配線を
形成することが困難であると共に、多層配線には向いて
いない。Further, in the conventional technique using the TAB tape, since the wiring is formed by etching, it is difficult to form fine wiring, and it is not suitable for multilayer wiring.

【０００９】本発明の目的は、上記課題を解決すべく、
ＬＳＩチップなどの複数の電子部品をはんだを用いて搭
載するための、しかも異なった性能が要求されるグラン
ド層、高密度配線層、およびはんだが接続される配線層
（バンプ）を有する電気特性の優れた配線基板（モジュ
ール基板）を低コストで実現した電子回路形成方法、配
線基板およびその製造方法並びにマルチチップモジュー
ルおよびその製造方法並びにマルチチップモジュール構
造体（半導体装置）を提供することにある。An object of the present invention is to solve the above problems.
It has a ground layer, a high-density wiring layer, and a wiring layer (bump) to which the solder is connected, for mounting a plurality of electronic components such as an LSI chip by using solder and having different performances. An object of the present invention is to provide an electronic circuit forming method, a wiring board and a manufacturing method thereof, a multi-chip module and a manufacturing method thereof, and a multi-chip module structure (semiconductor device) which realizes an excellent wiring board (module board) at low cost.

【００１０】また、本発明の他の目的は、異なった性能
が要求されるグランド層、高密度配線層、およびはんだ
が接続される配線層（バンプ）を有する電気特性の優れ
た配線基板の薄肉化を図った配線基板（モジュール基
板）およびその製造方法並びにマルチチップモジュール
およびその製造方法並びにマルチチップモジュール構造
体（半導体装置）を提供することにある。Another object of the present invention is to provide a thin-walled wiring board having excellent electrical characteristics, which has a ground layer, a high-density wiring layer, and a wiring layer (bump) to which solder is connected, which are required to have different performances. An object of the present invention is to provide a wiring board (module substrate), a method for manufacturing the same, a multichip module, a method for manufacturing the same, and a multichip module structure (semiconductor device).

【００１１】[0011]

【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本発明は、長尺かつ薄形のステンレス支持体上に電
子回路を形成する第１の工程と、該第１の工程で形成さ
れた電子回路から前記長尺かつ薄形のステンレス支持体
を引き剥がす第２の工程とを有することを特徴とする電
子回路形成方法である。In order to achieve the above object, the present invention provides a first step of forming an electronic circuit on a long and thin stainless steel support, and a step of forming the electronic circuit. And a second step of peeling off the long and thin stainless steel support from the formed electronic circuit.

【００１２】また、本発明は、長尺かつ薄形の支持体を
移動（ステップバイステップで移動させること、即ち、
ステップアンドリピート方式も含む）させて、前記支持
体上にはんだ拡散防止膜を電気めっき等で成膜する第１
の工程と、該第１の工程で成膜されたはんだ拡散防止膜
を有する前記支持体を移動させて、前記はんだ拡散防止
膜上に第１の開口群（スルーホール群）を有する第１の
絶縁層を形成する第２の工程と、該第２の工程で形成し
た第１の絶縁層および前記はんだ拡散防止膜を有する前
記支持体を移動させて、前記第１の開口群を有する第１
の絶縁層に対して第１のバリア層で挟まれた第１の導体
層をスパッタ等で成膜し、主としてグランド配線を構成
するようにパターンニングする第３の工程と、該第３の
工程でパターンニングされた第１の導体層、前記第１の
絶縁層および前記はんだ拡散防止膜を有する前記支持体
を移動させて、前記第１の導体層上に前記第１の開口群
に対応させた第２の開口群（スルーホール群）を有する
第２の絶縁層を形成する第４の工程と、該第４の工程で
形成した第２の開口群を有する第２の絶縁層、前記第１
の導体層、前記第１の絶縁層および前記はんだ拡散防止
膜を有する前記支持体を移動させて、前記第２の絶縁層
に第２のバリア層を介して給電層をスパッタにより成膜
し、前記第２の開口群に対応させた配線の逆レジストパ
ターンを形成する第５の工程と、該第５の工程で形成し
た配線の逆レジストパターン、前記第２の絶縁層、前記
第１の導体層、前記第１の絶縁層および前記はんだ拡散
防止膜を有する前記支持体を移動させて、前記配線の逆
レジストパターンに対して前記給電膜を使用して電気め
っきを施して前記第２の開口群内および前記配線の逆レ
ジストパターン内に導体を埋め込んで第２の導体層を成
膜し、前記配線の逆レジストパターンを取り除き、前記
給電膜の不要な部分を取り除くことによって主として信
号配線を形成し、更に前記第２の導体層に接続させて、
最上層に第２のはんだ拡散防止パッド群を形成する第６
の工程と、該第６の工程で形成した第２のはんだ拡散防
止パッド群および前記第２の導体層、前記第２の絶縁
層、前記第１の導体層、前記第１の絶縁層並びに前記は
んだ拡散防止膜を有する前記支持体を移動させて、前記
第２のはんだ拡散防止パッド群を露出するように保護膜
で被覆する第７の工程とを有することを特徴とする配線
基板の製造方法である。なお、前記移動させては、ステ
ップバイステップで移動させること、即ち、ステップア
ンドリピート方式も含むものである。要するに、長尺か
つ薄形の支持体を用いることによって、供給ロールから
巻取りロールへと長尺かつ薄形の支持体を連続的に移動
させて供給できるようにしたことにある。The present invention is also directed to moving (moving step-by-step, ie, moving a long and thin support member, ie,
(Including step and repeat method) to form a solder diffusion prevention film on the support by electroplating, etc.
And the step of moving the support having the solder diffusion prevention film formed in the first step to form a first opening group (through hole group) on the solder diffusion prevention film. A second step of forming an insulating layer and a step of moving the support having the first insulating layer and the solder diffusion prevention film formed in the second step to form a first opening group having the first opening group.
Third step of forming a first conductor layer sandwiched between the first barrier layers by sputtering or the like with respect to the insulating layer and patterning so as to mainly form a ground wiring; and the third step. By moving the support having the first conductor layer, the first insulating layer, and the solder diffusion prevention film patterned by the method described above so as to correspond to the first opening group on the first conductor layer. A fourth step of forming a second insulating layer having a second opening group (through hole group), a second insulating layer having a second opening group formed in the fourth step, and 1
Of the conductor layer, the first insulating layer and the solder diffusion preventing film are moved to form a power feeding layer on the second insulating layer via a second barrier layer by sputtering. A fifth step of forming a reverse resist pattern of wiring corresponding to the second opening group, a reverse resist pattern of wiring formed in the fifth step, the second insulating layer, and the first conductor The second opening by moving the support having a layer, the first insulating layer and the solder diffusion prevention film, and electroplating the reverse resist pattern of the wiring using the power supply film. A signal conductor is mainly formed by embedding a conductor in the group and in the reverse resist pattern of the wiring to form a second conductor layer, removing the reverse resist pattern of the wiring, and removing an unnecessary portion of the power supply film. Then The second by connecting the conductor layers,
Forming a second solder diffusion prevention pad group on the uppermost layer Sixth
And the second solder diffusion prevention pad group formed in the sixth step, the second conductor layer, the second insulating layer, the first conductor layer, the first insulating layer, and the A seventh step of moving the support having a solder diffusion preventing film and covering the second solder diffusion preventing pad group with a protective film so as to expose the second solder diffusion preventing pad group. Is. In addition, the moving includes step-by-step moving, that is, a step-and-repeat method. In short, the long and thin support is used so that the long and thin support can be continuously moved and supplied from the supply roll to the winding roll.

【００１３】また、本発明は、前記配線基板の製造方法
において、更に、前記第１の工程で成膜したはんだ拡散
防止膜から前記支持体を剥がす工程を有することを特徴
とする。また、本発明は、前記配線基板の製造方法にお
いて、更に、前記第１の工程で成膜したはんだ拡散防止
膜から前記支持体を剥がし、該剥がされたはんだ拡散防
止膜をパターンニングして第１のはんだ拡散防止パッド
群を形成する工程を有することを特徴とする。また、本
発明は、前記配線基板の製造方法において、前記支持体
を、ステンレス支持体で構成したことを特徴とする。ま
た、本発明は、前記配線基板の製造方法の前記第１の工
程において、前記第１のはんだ拡散防止膜を、ニッケル
膜またはニッケルを主成分とする合金膜で成膜すること
を特徴とする。これは、長尺かつ薄形のステンレス支持
体を第１のはんだ拡散防止膜から容易に剥がし易くする
ためである。Further, the present invention is characterized in that, in the method for manufacturing a wiring board, the method further comprises a step of peeling the support from the solder diffusion preventing film formed in the first step. Further, the present invention is the method for manufacturing a wiring board, further comprising: peeling the support from the solder diffusion barrier film formed in the first step, patterning the peeled solder diffusion barrier film, and The method is characterized by including a step of forming one solder diffusion prevention pad group. Further, the present invention is characterized in that, in the method for manufacturing a wiring board, the support is made of a stainless support. Further, the present invention is characterized in that, in the first step of the method for manufacturing a wiring board, the first solder diffusion prevention film is formed of a nickel film or an alloy film containing nickel as a main component. . This is for facilitating easy peeling of the long and thin stainless steel support from the first solder diffusion preventing film.

【００１４】また、本発明は、前記配線基板の製造方法
の前記第６の工程において、前記第２のはんだ拡散防止
パッド群を、ニッケル膜またはニッケルを主成分とする
合金膜で形成することを特徴とする。また、本発明は、
前記配線基板の製造方法の前記第３の工程において、前
記第１のバリア層を、クロム膜、チタン膜、チタン／白
金膜、タングステン膜またはそれらのいずれか一つを主
成分とする合金膜で成膜することを特徴とする。また、
本発明は、前記配線基板の製造方法の前記第５の工程に
おいて、前記第２のバリア層を、クロム膜、チタン膜、
チタン／白金膜、タングステン膜またはそれらのいずれ
か一つを主成分とする合金膜で成膜することを特徴とす
る。また、本発明は、前記配線基板の製造方法の前記第
３の工程において、前記第１の導体層を、銅膜または銅
を主成分とする合金膜で成膜することを特徴とする。ま
た、本発明は、前記配線基板の製造方法の前記第６の工
程において、前記第２の導体層を、銅膜または銅を主成
分とする合金膜で成膜することを特徴とする。また、本
発明は、前記配線基板の製造方法によって製造されたこ
とを特徴とする配線基板である。According to the present invention, in the sixth step of the method for manufacturing a wiring board, the second solder diffusion prevention pad group is formed of a nickel film or an alloy film containing nickel as a main component. Characterize. Further, the present invention is
In the third step of the method for manufacturing a wiring board, the first barrier layer is a chromium film, a titanium film, a titanium / platinum film, a tungsten film, or an alloy film containing any one of them as a main component. It is characterized by forming a film. Also,
According to the present invention, in the fifth step of the method for manufacturing a wiring board, the second barrier layer is a chromium film, a titanium film,
It is characterized in that it is formed of a titanium / platinum film, a tungsten film, or an alloy film containing any one of them as a main component. Further, the present invention is characterized in that, in the third step of the method for manufacturing a wiring board, the first conductor layer is formed of a copper film or an alloy film containing copper as a main component. Further, the present invention is characterized in that, in the sixth step of the method for manufacturing a wiring board, the second conductor layer is formed of a copper film or an alloy film containing copper as a main component. Further, the present invention is a wiring board manufactured by the method for manufacturing a wiring board.

【００１５】また、本発明は、前記配線基板の製造方法
において、更に、前記保護膜、前記第２の導体層、前記
第２の絶縁層、前記第１の導体層、前記第１の絶縁層お
よび前記はんだ拡散防止膜を有する前記支持体を移動
（ステップアンドリピートも含む）させて、複数の電子
部品を、前記第７の工程で露出した第２のはんだ拡散防
止パッド群にはんだを介して搭載する工程を有すること
を特徴とするマルチチップモジュールの製造方法であ
る。また、本発明は、前記配線基板の製造方法におい
て、更に、前記保護膜、前記第２の導体層、前記第２の
絶縁層、前記第１の導体層、前記第１の絶縁層および前
記はんだ拡散防止膜を有する前記支持体を移動（ステッ
プアンドリピートも含む）させて、複数の電子部品を、
前記第７の工程で露出した第２のはんだ拡散防止パッド
群にはんだを介して搭載し、前記複数の電子部品を配線
基板に対してモールド樹脂で被覆する工程を有すること
を特徴とするマルチチップモジュールの製造方法であ
る。Further, the present invention is the method of manufacturing a wiring board as described above, further comprising the protective film, the second conductor layer, the second insulating layer, the first conductor layer, and the first insulating layer. And moving the support having the solder diffusion prevention film (including step and repeat) to move a plurality of electronic components to the second solder diffusion prevention pad group exposed in the seventh step through solder. A method of manufacturing a multi-chip module, which comprises a step of mounting. Further, the present invention provides the method for manufacturing a wiring board, further including the protective film, the second conductor layer, the second insulating layer, the first conductor layer, the first insulating layer, and the solder. By moving the support having the diffusion prevention film (including step and repeat), a plurality of electronic components are
A multi-chip comprising a step of mounting on the second solder diffusion prevention pad group exposed in the seventh step via solder, and coating the plurality of electronic components on the wiring board with a mold resin. It is a method of manufacturing a module.

【００１６】また、本発明は、前記配線基板の製造方法
において、更に、前記保護膜、前記第２の導体層、前記
第２の絶縁層、前記第１の導体層、前記第１の絶縁層お
よび前記はんだ拡散防止膜を有する前記支持体を移動さ
せて、複数の電子部品を、前記第７の工程で露出した第
２のはんだ拡散防止パッド群にはんだを介して搭載する
工程と、前記第１の工程で成膜したはんだ拡散防止膜か
ら前記支持体を剥がし、該剥がされたはんだ拡散防止膜
をパターンニングして第１のはんだ拡散防止パッド群を
形成する工程とを有することを特徴とするマルチチップ
モジュールの製造方法である。Further, the present invention provides the method for manufacturing a wiring board, further comprising the protective film, the second conductor layer, the second insulating layer, the first conductor layer, and the first insulating layer. And a step of moving the support having the solder diffusion prevention film to mount a plurality of electronic components on the second solder diffusion prevention pad group exposed in the seventh step via solder, The step of peeling the support from the solder diffusion prevention film formed in step 1 and patterning the peeled solder diffusion prevention film to form a first solder diffusion prevention pad group. And a method for manufacturing a multi-chip module.

【００１７】また、本発明は、前記マルチップモジュー
ルの製造方法によって製造されたことを特徴とするマル
チチップモジュールである。Further, the present invention is a multi-chip module manufactured by the method for manufacturing a multi-chip module described above.

【００１８】以上、本発明により形成した製品は、マル
チチップモジュールおよびそれらを基板に搭載した実装
構造体である。As described above, the product formed by the present invention is a multi-chip module and a mounting structure in which they are mounted on a substrate.

【００１９】[0019]

【発明の実施の形態】本発明に係る実施の形態について
図面を用いて説明する。なお、全ての図において、同一
符号は同一部位を示しているため、重複する説明を省い
ている場合があり、また説明を容易にするため各部の寸
法比を実際とは変えてある。BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION Embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings. In all of the drawings, the same reference numerals denote the same parts, and therefore redundant description may be omitted, and the dimensional ratio of each part is different from the actual size for ease of description.

【００２０】まず、本発明に係る配線基板の製造方法の
一実施例について図1、図２および図１５を用いて説明
する。First, an embodiment of the method for manufacturing a wiring board according to the present invention will be described with reference to FIGS. 1, 2 and 15.

【００２１】本発明に係る配線基板およびＬＳＩなどの
電子部品を実装したマルチチップモジュールの形成設備
は、長尺かつ薄形のステンレス支持１を繰り出すと共に
巻き取るための金属箔繰り出し軸の保持部（供給ロール
２００、巻取ロール２０１）と、長尺かつ薄形のステン
レス支持体１上に所定のパターンの絶縁膜３、６を形成
するための感光性樹脂組成物膜を供給する樹脂組成物供
給装置（樹脂ワニス塗布装置）２０５、マスクを介して
光若しくは電子線等を照射して露光する露光装置２１
０、露光後の上記感光性樹脂組成物膜を現像、洗浄する
現像装置２２０、配線形成方法に応じて設けるレジスト
形成装置２０５、２１０、２２０、スパッタ装置２１
９、電気めっき装置２０２、エッチング装置２２０、表
面改質に用いるアッシャ装置（図示せず）、配線基板上
にＬＳＩチップ等を搭載する部品搭載機２３０、前記搭
載したチップを被うためのモールド装置２４０、並び
に、長尺かつ薄形のステンレスを、絶縁層、配線層、お
よび搭載されたチップ部品から成るマルチチップモジュ
ール３００から剥がす剥がし機構２５０の何れかを１工
程または、複数工程を連続して製造する設備である。The equipment for forming a multi-chip module on which an electronic component such as a wiring board and an LSI according to the present invention is mounted is to feed a long and thin stainless steel support 1 and a holding portion for a metal foil feeding shaft (for winding). Supply roll 200, take-up roll 201) and a resin composition supply for supplying a photosensitive resin composition film for forming insulating films 3 and 6 of a predetermined pattern on a long and thin stainless steel support 1. Device (resin varnish coating device) 205, exposure device 21 for irradiating light or electron beam or the like through a mask for exposure
0, a developing device 220 for developing and cleaning the exposed photosensitive resin composition film, resist forming devices 205, 210, 220 provided according to the wiring forming method, and a sputtering device 21.
9, an electroplating device 202, an etching device 220, an asher device (not shown) used for surface modification, a component mounting machine 230 for mounting an LSI chip or the like on a wiring board, and a molding device for covering the mounted chip. 240 and the stripping mechanism 250 for stripping the long and thin stainless steel from the multi-chip module 300 including the insulating layer, the wiring layer, and the mounted chip components in one step or in a plurality of steps in succession. It is a manufacturing facility.

【００２２】図１（ａ）に示す工程について説明する。
本発明に係る配線基板を製造するためのベースとなる基
板として、図１および図１５に示すように、長尺かつ薄
形のステンレス支持体１を用いる。このように長尺かつ
薄板のステンレス支持体１を用いるのは、ロール２００
から送り出して巻取ロール２０１で巻き取ることができ
るようにして配線基板を製造するための様々な工程にお
いて連続的に処理するためである。また、ステンレス支
持体１を用いるのは、電気ニッケルめっき膜２と適度に
密着し、適度に剥がれ易いためである。次に、その上
に、図１１に示す方法で、電気ニッケルめっき膜２を形
成する。この電気ニッケルめっき膜２は、最終的には、
外部基板（図示せず）との接続用端子兼はんだ拡散防止
層として用いられる。The process shown in FIG. 1A will be described.
As a base substrate for manufacturing the wiring board according to the present invention, a long and thin stainless steel support 1 is used as shown in FIGS. 1 and 15. The long and thin stainless steel support 1 is used for the roll 200.
This is because it is continuously processed in various steps for manufacturing the wiring board so that the wiring board can be wound up by the winding roll 201 and wound up. Moreover, the reason why the stainless steel support 1 is used is that it is appropriately adhered to the electric nickel plating film 2 and is easily peeled off appropriately. Next, an electric nickel plating film 2 is formed thereon by the method shown in FIG. This electro nickel plating film 2 is finally
It is used as a terminal for connecting with an external substrate (not shown) and also as a solder diffusion preventing layer.

【００２３】その形成方法は、図１１に示すように、供
給ロール２００ａから巻取ロール２０１ａへ長尺かつ薄
形のステンレス支持体１を、移動方向２６０ａのように
巻き取りながら（移動して）、電気めっき装置２０２の
電気めっき液２０４を通して行う。この場合、長尺かつ
薄形のステンレス支持体１を連続的に移動させても良
い。なお、２０３は、電気めっき装置２０２を構成する
電極である。ここでの電気めっき液２０４は、電気ニッ
ケルめっき液である。電気ニッケルめっき２の膜厚は、
図６に示すように、厚くなるほど、ステンレス支持体１
の反りを増大させる傾向がある。そのため、１５μｍ程
度以下の薄い方が良いわけであるが、２μｍ程度以下の
余り薄いとはんだ拡散防止層の役割を果たさなくなる。
はんだ拡散防止層の役割を果たし、かつ、図４（ａ）に
示すように、電気ニッケルめっき膜２から長尺かつ薄形
のステンレス支持体１を容易にはがすことを両立させ
る、２μ程度の最低膜厚が必要である。As shown in FIG. 11, the forming method is as shown in FIG. 11, while winding (moving) the long and thin stainless steel support 1 from the supply roll 200a to the take-up roll 201a in the moving direction 260a. , Through the electroplating solution 204 of the electroplating apparatus 202. In this case, the long and thin stainless steel support 1 may be continuously moved. In addition, 203 is an electrode which comprises the electroplating apparatus 202. The electroplating solution 204 here is an electronickel plating solution. The thickness of the electro nickel plating 2 is
As shown in FIG. 6, as the thickness increases, the stainless steel support 1
Tends to increase the warp. Therefore, it is better to have a thickness of about 15 μm or less, but if the thickness is about 2 μm or less, the role of the solder diffusion preventing layer will not be fulfilled.
As a solder diffusion prevention layer, as shown in FIG. 4 (a), it is possible to simultaneously remove the long and thin stainless steel support 1 from the electro-nickel plating film 2 so that the minimum is about 2μ. A film thickness is necessary.

【００２４】次に、その上に、感光性ポリイミドを用い
て絶縁層３を形成し、端子となる部分以外を、マスク等
を用いて感光させて硬化させることによって、端子とな
る部分３１、３２を除去して開口させる。開口方法につ
いては、感光性ポリイミドを用いる方法の他、全面にポ
リイミドを塗布し、レーザ加工やドライエッチングなど
の手法を用いても問題はない。また、絶縁層の材料とし
て、ポリイミド樹脂を用いたが、エポキシなどの樹脂を
用いても（即ち、ポリイミド樹脂または、エポキシ樹脂
の化学的骨格を有しても）問題ではなく、また、場合に
よっては、無機系の絶縁層を用いても良い。Next, an insulating layer 3 is formed thereon using photosensitive polyimide, and the portions other than the portions to be the terminals are exposed to light using a mask or the like and cured, whereby the portions 31 and 32 to be the terminals are formed. To remove and open. Regarding the opening method, in addition to the method using photosensitive polyimide, there is no problem in applying polyimide on the entire surface and using a method such as laser processing or dry etching. Although the polyimide resin is used as the material of the insulating layer, it does not matter if a resin such as epoxy is used (that is, even if it has a chemical skeleton of the polyimide resin or the epoxy resin), and depending on the case. May use an inorganic insulating layer.

【００２５】その形成方法は、図１２または図１３に示
すように、供給ロール２００ｂから巻取ロール２０１ｂ
へ電気ニッケルめっきされた長尺かつ薄形のステンレス
支持体１、２を矢印２６０ｂで示すように巻き取りなが
ら樹脂ワニス塗布装置２０５より樹脂ワニス２０６であ
る感光性ポリイミドを滴下させて塗布する。樹脂ワニス
の硬化は、図１２に示すように、支持体（基板）１、２
の上面からヒータ２０７で加熱しても良いし、図１３に
示すように、支持体（基板）１、２の下面からロールヒ
ータ２０８で加熱しても良い。As shown in FIG. 12 or FIG. 13, the forming method is as follows: from the supply roll 200b to the take-up roll 201b.
While the electroless nickel-plated long and thin stainless steel supports 1 and 2 are wound as shown by an arrow 260b, a photosensitive polyimide which is the resin varnish 206 is dropped from the resin varnish applying device 205 and applied. As shown in FIG. 12, the resin varnish is cured by the support (substrate) 1, 2
13 may be heated by the heater 207 from the upper surface, or may be heated by the roll heater 208 from the lower surface of the supports (substrates) 1 and 2 as shown in FIG.

【００２６】その後、図１４に示すように、樹脂膜３を
有する長尺かつ薄形のステンレス支持体１〜３を矢印１
０２ｃで示すように巻き取りながら（移動して）、紫外
光発生装置２１０で紫外光２１１を発生させてフォトマ
スク２１２を介して上記感光性ポリイミド膜などの樹脂
膜３に対して所定の露光パターンを形成する。この場
合、フォトマスク２１２を固定すると、長尺かつ薄形の
ステンレス支持体１〜３を、ステップアンドリピート方
式で移動させる必要が生じることになる。ここで、フォ
トマスクを用いずに、紫外光をレンズ機構、反射機構を
有する描画装置を用いることは、フォトマスクを不要と
することより、なお好ましい。このように、描画する際
は、長尺かつ薄形のステンレス支持体１〜３を停止させ
て位置決めをすることが望ましい。After that, as shown in FIG. 14, the long and thin stainless steel supports 1 to 3 having the resin film 3 are attached to the arrow 1
As indicated by 02c, while winding (moving), ultraviolet light 211 is generated by the ultraviolet light generator 210 and a predetermined exposure pattern is applied to the resin film 3 such as the photosensitive polyimide film through the photomask 212. To form. In this case, if the photomask 212 is fixed, it becomes necessary to move the long and thin stainless steel supports 1 to 3 by the step-and-repeat method. Here, it is more preferable to use a drawing device having a lens mechanism and a reflection mechanism for ultraviolet light without using a photomask, because a photomask is not required. Thus, when drawing, it is desirable to stop and position the long and thin stainless steel supports 1 to 3.

【００２７】露光後、図１５に示すように、供給ロール
２００ｄから巻取ロール２０１へと送り出される露光さ
れた樹脂膜３を有する長尺かつ薄形のステンレス支持体
（基板）１〜３に対して現像装置２１５から現像液２１
６を滴下して、絶縁層３から不要な部分３１、３２を除
去する。ここでは、シャワー式現像装置を図示したが、
図１６のように、現像装置２１５である現像液２１７中
を潜らせることでも可能である。なお、図示していない
が、図１５または図１６の現像の後に、リンス、洗浄工
程が必要である。After the exposure, as shown in FIG. 15, with respect to the long and thin stainless steel supports (substrates) 1 to 3 having the exposed resin film 3 delivered from the supply roll 200d to the take-up roll 201. From the developing device 215 to the developer 21
6 is dropped to remove unnecessary portions 31 and 32 from the insulating layer 3. Although the shower type developing device is shown here,
As shown in FIG. 16, it is also possible to make the developer 217 as the developing device 215 dive. Although not shown, a rinsing and cleaning process is required after the development shown in FIG. 15 or 16.

【００２８】その後、絶縁層３の樹脂を硬化させるた
め、加熱する。加熱工程は、図１７に示すように、供給
ロール２００ｅからロール２００ｅへと送り出される現
像された絶縁膜３を有する長尺かつ薄形のステンレス支
持体（基板）１〜３の上面からヒータ２０７で加熱して
も良いし、または図１８に示すように、上記長尺かつ薄
形のステンレス支持体（基板）１〜３の下面からロール
ヒータ２０８で加熱しても良い。Then, the resin of the insulating layer 3 is heated to cure it. In the heating step, as shown in FIG. 17, a heater 207 is used from the upper surface of the long and thin stainless steel supports (substrates) 1 to 3 having the developed insulating film 3 delivered from the supply roll 200e to the roll 200e. It may be heated, or, as shown in FIG. 18, it may be heated by the roll heater 208 from the lower surface of the long and thin stainless steel supports (substrates) 1 to 3.

【００２９】なお、上記実施例では、樹脂ワニス塗布装
置２０５を有する絶縁膜塗布工程、紫外光発生装置（露
光装置）２１０または描画装置を有する露光工程、現像
装置２１５を有する現像工程および加熱装置２０７また
は２０８を有する硬化工程毎に、供給ロール２００ｂ〜
２００ｅから巻取ロール２０１ｂ〜２０１ｅへと電気ニ
ッケルめっき膜２を形成した長尺かつ薄形のステンレス
支持体（基板）１を搬送するように構成したが、供給ロ
ール２００と巻取ロール２０１との間に、上記４つの絶
縁膜塗布工程、上記露光工程、上記現像工程および上記
硬化工程の内、適宜に２つ以上若しくは全て４つを並べ
て設置してもよい。このようにすることによって、それ
ぞれの工程毎に、電気ニッケルめっき膜２を形成した長
尺かつ薄形のステンレス支持体（基板）１を巻き取って
更に送り出す必要がなく、構成を簡単にすることが可能
となる。In the above embodiment, an insulating film coating process having a resin varnish coating device 205, an exposure process having an ultraviolet light generator (exposure device) 210 or a drawing device, a developing process having a developing device 215, and a heating device 207. Alternatively, for each curing step having 208, the supply roll 200b to
The long and thin stainless steel support (substrate) 1 having the electric nickel plating film 2 formed thereon is conveyed from 200e to the winding rolls 201b to 201e. In the meantime, two or more or all four of the four insulating film applying steps, the exposing step, the developing step, and the curing step may be arranged side by side. By doing so, it is not necessary to wind up and send out the long and thin stainless steel support (substrate) 1 on which the electric nickel plating film 2 is formed in each step, and simplify the configuration. Is possible.

【００３０】以上により、電気ニッケルめっき付き長尺
かつ薄形のステンレス支持体（基板）１、２上に、図１
（ｄ）に示すように、グランド導体層４１や信号線（電
源線も含む）導体４２を電気ニッケルめっき膜２に接続
するための開口３１、３２が形成された第１の絶縁層３
が形成されたことになる。As described above, the long and thin stainless steel supports (substrates) 1 and 2 with electro-nickel plating are formed as shown in FIG.
As shown in (d), the first insulating layer 3 having openings 31 and 32 for connecting the ground conductor layer 41 and the signal line (including power line) conductor 42 to the electric nickel plating film 2 are formed.
Has been formed.

【００３１】次に、図１（ｂ）に示す工程について説明
する。即ち、図１（ｂ）に示すように、開口（スルーホ
ール）３１、３２が形成された第１の絶縁層３上に開口
３１、３２内も含めてスパッタを用いて導体膜４を形成
した。ここでは、蒸着や、無電解銅めっき、ＣＶＤなど
も用いることが可能であるが、ポリイミドとの接着強度
が強いためスパッタを用いることとした。スパッタの前
処理として、電気ニッケルめっき膜２との導体４１、４
２の導通を確保するためにスパッタエッチングを行っ
た。Next, the process shown in FIG. 1B will be described. That is, as shown in FIG. 1B, the conductor film 4 was formed on the first insulating layer 3 in which the openings (through holes) 31 and 32 were formed by sputtering including the inside of the openings 31 and 32. . Here, vapor deposition, electroless copper plating, CVD, or the like can be used, but since the adhesive strength with polyimide is strong, sputtering is used. As a pretreatment for the sputtering, the conductors 41 and 4 with the nickel electroplating film 2 are used.
Sputter etching was performed in order to secure the continuity of 2.

【００３２】本発明の特徴とする高周波信号対応の主と
してグランド層を形成するためのスパッタ膜としての導
体膜４は、クロム（７５ナノメートル程度）／銅（１〜
３マイクロメートル程度）／クロム（５０ナノメートル
程度）の多層膜で形成した。ここでのクロム膜(バリア
膜)４ａの機能は、その上下に位置する配線導体として
の銅膜（導体層）４ｂと絶縁層３、６との接着を確保す
ることにあり、その膜厚はそれらの接着を維持する最低
限でかまわない。所要膜厚は、スパッタエッチングおよ
びスパッタの条件、クロムの膜質などによっても変動す
る。なお、バリア層４ａとして、本実施例で使用したク
ロム膜に代えてチタン膜やチタン／白金膜、タングステ
ンまたはそれらの合金（クロム膜の合金も含む）などで
も代替できる。また、導体層４ｂとして、銅膜または銅
を主成分とする合金膜であってもよい。また、導体膜４
としては、アルミニウムまたはアルミニウムを主成分と
する単体膜で構成してもよい。The conductor film 4 as a sputter film for forming a ground layer mainly for high frequency signals, which is a feature of the present invention, is made of chromium (about 75 nm) / copper (1 to
It was formed of a multilayer film of about 3 micrometers) / chrome (about 50 nanometers). The function of the chromium film (barrier film) 4a here is to secure the adhesion between the insulating films 3 and 6 and the copper film (conductor layer) 4b as the wiring conductors located above and below it. The minimum is to keep them adhered. The required film thickness also varies depending on sputter etching and sputtering conditions, the film quality of chromium, and the like. As the barrier layer 4a, a titanium film, a titanium / platinum film, tungsten, or an alloy thereof (including an alloy of a chromium film) or the like can be used instead of the chromium film used in this embodiment. Further, the conductor layer 4b may be a copper film or an alloy film containing copper as a main component. In addition, the conductor film 4
May be made of aluminum or a single film containing aluminum as a main component.

【００３３】その形成方法は、図１９に示すように、供
給ロール２００ｆからロール２０１ｆへ図１（ａ）に示
す工程が完了した長尺かつ薄形のステンレス支持体１〜
３を移動方向２６０ｆに示すように動かし、スパッタ装
置２１９を通し、巻き取りながらスパッタを行って、上
記開口３１、３２が形成された第１の絶縁層３上に、例
えばクロム／銅／クロムの多層膜からなる導体膜４を形
成する。ここでは、スパッタ装置２１９は１つしか図示
していないが、クロム、銅、クロムと真空装置内で連続
して成膜する。スパッタ装置２１９は、クロムのターゲ
ット１９１ａを有するマグネトロン電極１９０を備えた
真空処理室２１９ａと、銅のターゲット１９１ｂを有す
るマグネトロン電極１９０を備えた真空処理室２１９ｂ
と、クロムのターゲット１９１ａを有するマグネトロン
電極１９０を備えた真空処理室２１９ｃとを並べて構成
され、その間ステンレス支持体１〜３が移動（搬送）で
きるように構成される。それぞれ、真空処理室２１９で
は、トンネル状の磁界によってプラズマ化し、Ａｒ等の
イオンを上記ターゲットに電界によって衝突させること
によって、ターゲット１９１ａ、１９１ｂの材料がステ
ンレス支持体１〜３の絶縁膜３上に、順次クロム／銅／
クロムが成膜されることになる。As shown in FIG. 19, the forming method is to change from the supply roll 200f to the roll 201f to the long and thin stainless steel supports 1 to 1 after the step shown in FIG.
3 is moved as shown in the moving direction 260f, and the sputtering is performed while passing through the sputtering device 219, and sputtering is performed to form, for example, chromium / copper / chromium on the first insulating layer 3 in which the openings 31 and 32 are formed. The conductor film 4 made of a multilayer film is formed. Although only one sputtering apparatus 219 is shown here, chromium, copper, and chromium are continuously deposited in a vacuum apparatus. The sputtering apparatus 219 includes a vacuum processing chamber 219a having a magnetron electrode 190 having a chromium target 191a and a vacuum processing chamber 219b having a magnetron electrode 190 having a copper target 191b.
And a vacuum processing chamber 219c provided with a magnetron electrode 190 having a chromium target 191a are arranged side by side, and the stainless steel supports 1 to 3 can be moved (conveyed) during that time. In the vacuum processing chamber 219, plasma is generated by a tunnel-shaped magnetic field, and ions of Ar or the like are caused to collide with the target by an electric field, so that the materials of the targets 191a and 191b are deposited on the insulating films 3 of the stainless steel supports 1 to 3. , Sequentially chrome / copper /
Chromium will be deposited.

【００３４】次に、図１（ｂ）に示すように、レジスト
５を用いて、エッチングする部分５１を開口させた導体
膜４の配線パターンを形成する。レジスト５には、次の
エッチング工程でエッチング液に対する耐性を持たせる
必要がある。ここで用いたクロムのエッチング液は、過
マンガン酸カリウムとメタケイ酸を主成分とするエッチ
ング液を用いたが、このエッチング液は、アルカリ（ｐ
Ｈ１３）かつ酸化性があるため、薬液耐性が高いレジス
トが求められる。ここでは、ゴム系または、ゴム成分を
含有するノボラック系のレジストが好ましい。Next, as shown in FIG. 1B, a resist 5 is used to form a wiring pattern of the conductor film 4 in which an etching portion 51 is opened. The resist 5 needs to have resistance to an etching solution in the next etching step. As the chromium etchant used here, an etchant containing potassium permanganate and metasilicic acid as main components was used.
H13) and oxidative properties, resists with high chemical resistance are required. Here, a rubber-based or novolac-based resist containing a rubber component is preferable.

【００３５】その形成方法は、図１２または図１３に示
すように、導体膜４が成膜した長尺かつ薄形のステンレ
ス支持体１を供給ロール２００ｂから巻取ロール２０１
ｂへと移動させながら、樹脂ワニス塗布装置２０５より
樹脂ワニス２０６であるレジストを滴下させて塗布す
る。樹脂ワニスの硬化は、図１２に示すように、導体膜
４の上面からヒータ２０７で加熱しても良いし、図１３
に示すように、ステンレス支持体１の下面からロールヒ
ータ２０８で加熱しても良い。As shown in FIG. 12 or FIG. 13, the forming method is as follows. The long and thin stainless steel support 1 on which the conductor film 4 is formed is wound from the supply roll 200b to the winding roll 201.
While moving to b, the resist which is the resin varnish 206 is dropped from the resin varnish applying device 205 and applied. As shown in FIG. 12, the resin varnish may be cured by heating with a heater 207 from the upper surface of the conductor film 4, as shown in FIG.
As shown in, the roll heater 208 may heat the lower surface of the stainless steel support 1.

【００３６】その後、図１４に示すように、紫外光発生
装置（紫外光露光装置）２１０で紫外光２１１を発生さ
せ、フォトマスク２１２を介して所定の配線パターンを
形成する。ここで、フォトマスクを用いずに、紫外光を
レンズ機構、反射機構を有する描画装置を用いること
は、なお好ましい。After that, as shown in FIG. 14, ultraviolet light 211 is generated by an ultraviolet light generator (ultraviolet light exposure device) 210, and a predetermined wiring pattern is formed through a photomask 212. Here, it is more preferable to use a drawing device having a lens mechanism and a reflection mechanism for ultraviolet light without using a photomask.

【００３７】露光後に、図１５または図１６に示すよう
に、現像装置２１５から現像液２１６を滴下して、レジ
スト５の不要な部分５１を除去する。ここでは、シャワ
ー式現像装置を図示したが、図１６に示すように、現像
液２１７中を潜らせることでも可能である。なお、図示
していないが、図１５または図１６の現像の後に、リン
ス、洗浄工程が必要である。After the exposure, as shown in FIG. 15 or 16, a developing solution 216 is dropped from the developing device 215 to remove the unnecessary portion 51 of the resist 5. Although the shower-type developing device is shown here, it is also possible to make it dive in the developing solution 217 as shown in FIG. Although not shown, a rinsing and cleaning process is required after the development shown in FIG. 15 or 16.

【００３８】その後、レジスト５の樹脂を硬化させるた
め、加熱する。加熱工程は、図１７に示すように、供給
ロール２００ｅから巻取ロール２０１ｅへと送り出され
る現像されたレジスト膜５を有する長尺かつ薄形のステ
ンレス支持体（基板）１〜４の上面からヒータ２０７で
加熱しても良いし、または図１８に示すように、上記長
尺かつ薄形のステンレス支持体（基板）１〜４の下面か
らロールヒータ２０８で加熱しても良い。After that, the resin of the resist 5 is heated to cure it. In the heating step, as shown in FIG. 17, the heater is applied from the upper surface of the long and thin stainless steel supports (substrates) 1 to 4 having the developed resist film 5 delivered from the supply roll 200e to the winding roll 201e. It may be heated by 207, or as shown in FIG. 18, it may be heated by the roll heater 208 from the lower surface of the long and thin stainless steel supports (substrates) 1 to 4.

【００３９】なお、上記実施例では、樹脂ワニス塗布装
置２０５を有するレジスト塗布工程、紫外光発生装置２
１０または描画装置を有する露光工程、現像装置２１５
を有する現像工程および加熱装置２０７または２０８を
有する硬化工程毎に、供給ロール２００ｂ〜２００ｅか
ら巻取ロール２０１ｂ〜２０１ｅへと導体膜５を形成し
た長尺かつ薄形のステンレス支持体（基板）１を搬送す
るように構成したが、供給ロール２００と巻取ロール２
０１との間に、上記４つの絶縁膜塗布工程、上記露光工
程、上記現像工程および上記硬化工程の内、適宜に２つ
以上若しくは全て４つを並べて設置してもよい。このよ
うにすることによって、それぞれの工程毎に、導体膜４
を形成した長尺かつ薄形のステンレス支持体（基板）１
〜４を巻き取って更に送り出す必要がなく、構成を簡単
にすることが可能となる。In the above embodiment, the resist coating process including the resin varnish coating device 205, the ultraviolet light generator 2
10, an exposure process having a drawing device, a developing device 215
A long and thin stainless steel support (substrate) 1 in which a conductive film 5 is formed from the supply rolls 200b to 200e to the winding rolls 201b to 201e for each of the developing process having the above and the curing process having the heating device 207 or 208. The feeding roll 200 and the winding roll 2 are configured to be transported.
01, two or more or all four of the four insulating film applying steps, the exposing step, the developing step, and the curing step may be arranged side by side. By doing so, the conductor film 4 is formed for each process.
Long and thin stainless steel support (substrate) 1
Since it is not necessary to wind up to 4 and send out further, it is possible to simplify the configuration.

【００４０】次に、図1（ｃ）に示す工程について説明
する。即ち、図１（ｃ）には、レジストパターンをマス
クとする導体膜４に対するエッチング工程を示す。な
お、導体膜４は、高周波信号対応として、主としてグラ
ンドとして使用されることになる。図１（ｂ）で示す工
程で形成した導体膜４は、図１０に示す様に、クロム膜
（バリア層）４ａ、銅膜（導体層）４ｂから成る３層構
造になっている。そのため、エッチングは、クロム膜
（バリア層）４ａ、銅膜（導体層）４ｂ、クロム膜（バ
リア層）４ａの順に行う必要がある。Next, the process shown in FIG. 1C will be described. That is, FIG. 1C shows an etching process for the conductor film 4 using the resist pattern as a mask. The conductor film 4 is mainly used as a ground for high frequency signals. The conductor film 4 formed in the step shown in FIG. 1B has a three-layer structure including a chromium film (barrier layer) 4a and a copper film (conductor layer) 4b, as shown in FIG. Therefore, the etching needs to be performed in the order of the chromium film (barrier layer) 4a, the copper film (conductor layer) 4b, and the chromium film (barrier layer) 4a.

【００４１】クロム膜４ａのエッチング液には、フェリ
シアン系、塩酸系等の種類があるが、本実施例では、過
マンガン酸カリウムとメタケイ酸を主成分とするエッチ
ング液を用いた。There are various types of etching solutions for the chromium film 4a, such as ferricyan series and hydrochloric acid series. In this example, an etching solution containing potassium permanganate and metasilicic acid as main components was used.

【００４２】銅膜４ｂのエッチングには、塩化鉄、アル
カリ系エッチング液等の種類があるが、本実施例では硫
酸／過酸化水素水を主成分とするエッチング液を用い
た。エッチング時間が短いと制御が困難となって実用的
観点では不利であるが、あまりに長い時間エッチングを
行うと、サイドエッチングが大きくなったりタクトが長
くなるという問題も生じるため、エッチング液およびエ
ッチング条件は、適宜実験により求めるのがよい。引き
続いて実施するクロム部分４ａのエッチングには、前記
クロム膜４ａのエッチングと同様に行った。There are various kinds of etching such as iron chloride and alkaline etching solution for etching the copper film 4b. In this embodiment, an etching solution containing sulfuric acid / hydrogen peroxide solution as a main component was used. When the etching time is short, control is difficult and is disadvantageous from a practical point of view.However, when etching is performed for an excessively long time, side etching becomes large and the tact becomes long, so the etching solution and etching conditions are , It is better to obtain it by an experiment. The subsequent etching of the chromium portion 4a was performed in the same manner as the etching of the chromium film 4a.

【００４３】また、導体膜４として、アルミニウム単体
またはアルミニウム合金単体で成膜した場合には、酢
酸、硝酸、燐酸、水からなる酸系のエッチング液を用い
た。When the conductor film 4 is formed of aluminum alone or aluminum alloy alone, an acid-based etching solution containing acetic acid, nitric acid, phosphoric acid, and water was used.

【００４４】エッチング方法であるが、図２０に示すよ
うに、レジスト配線パターン５を形成した長尺かつ薄形
のステンレス支持体（基板）１〜５を、供給ロール２０
０ｇから巻取ロール２０１ｇへと送りながら、エッチン
グ処理室２２０ａ、２２０ｂ、２２０ｃにおいてエッチ
ング装置１９２ａ、１９２ｂからエッチング液１９３
ａ、１９３ｂを上記レジスト配線パターン５上に滴下し
て、開口５１に露出した導体膜４の不要な金属部分を除
去する。ここでは、エッチング装置１９２ａ、１９２ｂ
としてシャワー式現像装置を図示したが、図２１に示す
ように、エッチング処理装置２２２ａ、２２２ｂ、２２
２ｃとしてのエッチング液槽１９５ａ、１９５ｂ中を潜
らせることでも可能である。なお、図示していないが、
図２０または図２１に示す各々エッチング処理室２２０
ａ〜２２０ｃ、２２２ａ〜２２２ｃにおけるエッチング
処理工程の後に、洗浄装置２２１ａ、２２１ｂ、２２１
ｃによる洗浄工程が必要である。エッチング処理室２２
０ａおよび２２０ｃ内に設置されたエッチング装置１９
２ａまたはエッチング処理装置２２２ａおよび２２２ｃ
内に設置されたエッチング液槽１９５ａは、不要なクロ
ム膜（バリア層）４ａを除去するためのものである。エ
ッチング処理室２２０ｂ内に設置されたエッチング装置
１９２ｂまたはエッチング処理装置２２２ｂ内に設置さ
れたエッチング液槽１９５ｂは、不要な銅膜（導体層）
４ｂを除去するためのものである。As for the etching method, as shown in FIG. 20, long and thin stainless steel supports (substrates) 1 to 5 on which a resist wiring pattern 5 is formed are supplied to a supply roll 20.
The etching solution 193 is fed from the etching devices 192a and 192b in the etching processing chambers 220a, 220b and 220c while being sent from 0 g to the winding roll 201g.
a and 193b are dropped on the resist wiring pattern 5 to remove the unnecessary metal portion of the conductor film 4 exposed in the opening 51. Here, the etching devices 192a and 192b are used.
Although the shower type developing device is shown as an example, as shown in FIG. 21, the etching processing devices 222a, 222b, 22
It is also possible to dive in the etching liquid tanks 195a and 195b as 2c. Although not shown,
The etching processing chamber 220 shown in FIG.
a-220c, 222a-222c, after the etching process, cleaning devices 221a, 221b, 221.
A washing step with c is required. Etching chamber 22
Etching device 19 installed in 0a and 220c
2a or etching processing apparatus 222a and 222c
The etching liquid tank 195a installed inside is for removing the unnecessary chromium film (barrier layer) 4a. The etching apparatus 192b installed in the etching processing chamber 220b or the etching solution tank 195b installed in the etching processing apparatus 222b is an unnecessary copper film (conductor layer).
It is for removing 4b.

【００４５】このように、供給するロール２００ｇと巻
き取るロール２０１ｇとの間に、エッチング装置２２０
によるエッチング工程および洗浄装置による洗浄工程を
並べて設置することも可能である。また、更に上記レジ
スト膜５の硬化工程を並べて構成することも可能であ
る。As described above, the etching device 220 is provided between the supply roll 200g and the winding roll 201g.
It is also possible to install the etching process according to 1. and the cleaning process with the cleaning device side by side. Further, it is possible to further arrange the curing process of the resist film 5 side by side.

【００４６】次に、図1（ｄ）に示す工程について説明
する。即ち、図１（ｄ）には、主としてグランド層の配
線形成に用いたレジスト５を剥離する工程を示す。レジ
スト５の剥離には、有機アルカリ系、有機溶剤系などの
種類があるが、第１絶縁層３並びにグランド配線４１お
よび信号配線４２にダメージを与えないものであれば、
いずれの剥離液を用いても問題ではない。Next, the process shown in FIG. 1D will be described. That is, FIG. 1D shows a step of removing the resist 5 used mainly for forming the wiring of the ground layer. The resist 5 can be peeled off in various types such as an organic alkali type and an organic solvent type, as long as it does not damage the first insulating layer 3, the ground wiring 41 and the signal wiring 42.
It does not matter which stripping solution is used.

【００４７】レジスト剥離装置の構成は、図１（ｃ）に
示す工程で述べたエッチング装置と同様な装置で可能で
あり、図２０、図２１に示すエッチング装置３台ではな
く１台について、エッチング液をレジスト剥離液に置き
換えたものである。ここでも、レジスト剥離後にリン
ス、洗浄工程が必要である。ところで、レジスト剥離装
置は、上記供給ロール２００ｇ、巻取ロール２０１ｇと
は別のロール間に設けても良い。また、上記供給ロール
２００ｇと巻取ロール２０１ｇとの間に、エッチング装
置１９２または１９５によるエッチング工程、洗浄装置
２２１による洗浄工程、レジスト剥離装置によるレジス
ト剥離工程、および洗浄装置による洗浄工程を並べて設
置することも可能である。The resist stripping apparatus can be configured by the same apparatus as the etching apparatus described in the step shown in FIG. 1C, and one etching apparatus is used instead of the three etching apparatuses shown in FIGS. The solution is replaced with a resist stripping solution. Here again, a rinsing and cleaning step is required after the resist is stripped. By the way, the resist stripping device may be provided between rolls different from the supply roll 200g and the winding roll 201g. Further, an etching process by the etching device 192 or 195, a cleaning process by the cleaning device 221, a resist removing process by the resist removing device, and a cleaning process by the cleaning device are installed side by side between the supply roll 200g and the winding roll 201g. It is also possible.

【００４８】以上により、電気ニッケルめっき付き長尺
かつ薄形のステンレス支持体（基板）１、２の上に形成
した第１の絶縁層３上に、高周波信号対応の主としてグ
ランド層としての３層構造の配線４１、４２をスパッタ
で形成することが可能となる。このように、導体膜４
は、主としてグランド層として用いるため、銅（導体
層）４ｂとしての膜厚がそれほど必要としないため、ス
パッタ成膜で十分対応することが可能となる。As described above, three layers mainly as a ground layer corresponding to high frequency signals are formed on the first insulating layer 3 formed on the long and thin stainless steel supports (substrates) 1 and 2 with electric nickel plating. It is possible to form the wirings 41 and 42 having the structure by sputtering. In this way, the conductor film 4
Since it is mainly used as a ground layer, it does not require a large film thickness as the copper (conductor layer) 4b, so that it is possible to sufficiently cope with it by sputtering film formation.

【００４９】次に、図２（ａ）に示す工程について説明
する。即ち、図２（ａ）には、配線４１、４２の上に、
図１（ａ）に示す工程と同様に、感光性ポリイミドを用
いて第２の絶縁層６を形成し、端子となる部分６１、６
２を開口させる工程を示す。開口方法については、感光
性ポリイミドを用いた他に、全面にポリイミドを塗布
し、レーザ加工やドライエッチングなどの手法を用いて
も問題はない。また、第２の絶縁層６の材料として、ポ
リイミド樹脂を用いたが、エポキシなどの樹脂を用いて
も（即ち、ポリイミド樹脂または、エポキシ樹脂の化学
的骨格を有しても）問題ではなく、また、場合によって
は、無機系の絶縁層を用いても良い。Next, the process shown in FIG. 2A will be described. That is, in FIG. 2A, on the wirings 41 and 42,
Similar to the step shown in FIG. 1A, the second insulating layer 6 is formed using photosensitive polyimide, and the portions 61 and 6 to be terminals are formed.
2 shows a step of opening 2. As for the opening method, in addition to using the photosensitive polyimide, there is no problem in applying a polyimide on the entire surface and using a method such as laser processing or dry etching. Further, although the polyimide resin is used as the material of the second insulating layer 6, there is no problem even if a resin such as epoxy is used (that is, even if the chemical skeleton of the polyimide resin or the epoxy resin is included). In addition, an inorganic insulating layer may be used depending on the case.

【００５０】その形成方法は、図１２または図１３に示
すように、供給ロール２００ｂから巻取ロール２０１ｂ
へ、配線４１、４２が形成された長尺かつ薄形のステン
レス支持体１〜４を巻き取りながら、樹脂ワニス塗布装
置２０５より樹脂ワニス２０６である感光性ポリイミド
を滴下させて塗布する。樹脂ワニスの硬化は、図１２に
示すように、ステンレス支持体（基板）１〜４の上面か
らヒータ２０７で加熱しても良いし、図１３に示すよう
に、ステンレス支持体（基板）１〜４の下面からロール
ヒータ２０８で加熱しても良い。As shown in FIG. 12 or 13, the forming method is as follows: from the supply roll 200b to the winding roll 201b.
While the long and thin stainless steel supports 1 to 4 on which the wirings 41 and 42 are formed are wound, a photosensitive polyimide which is the resin varnish 206 is dropped and applied from the resin varnish applying device 205. The resin varnish may be cured by heating with a heater 207 from the upper surface of the stainless steel supports (substrate) 1 to 4 as shown in FIG. 12, or as shown in FIG. Alternatively, the roll heater 208 may be used to heat the bottom surface of the roll 4.

【００５１】その後、図１４に示すように、紫外光発生
装置２１０で紫外光２１１を発生させ、フォトマスク２
１２を介して所定のパターンを形成する。ここで、フォ
トマスクを用いずに、紫外光をレンズ機構、反射機構を
有する描画装置を用いることは、なお好ましい。露光後
に、図１５に示すように、現像装置２１５から現像液２
１６を滴下して、不要な部分の絶縁層６１、６２を除去
する。ここでは、シャワー式現像装置を図示したが、図
１６のように、現像液２１７中を潜らせることでも可能
である。なお、図示していないが、図１５または図１６
の現像の後に、リンス、洗浄工程が必要である。Thereafter, as shown in FIG. 14, ultraviolet light 211 is generated by the ultraviolet light generator 210, and the photomask 2
A predetermined pattern is formed via 12. Here, it is more preferable to use a drawing device having a lens mechanism and a reflection mechanism for ultraviolet light without using a photomask. After the exposure, as shown in FIG.
16 is dropped to remove unnecessary portions of the insulating layers 61 and 62. Here, the shower type developing device is shown, but it is also possible to make the developer 217 dive as shown in FIG. Although not shown in FIG.
After the development, the rinsing and washing steps are required.

【００５２】その後、樹脂を硬化させるため、加熱す
る。加熱工程は、図１７に示すように、ステンレス支持
体（基板）１〜４、６の上面からヒータ２０７で加熱し
ても良いし、図１８に示すように、ステンレス支持体
（基板）１〜４、６の下面からロールヒータ２０８で加
熱しても良い。Thereafter, heating is performed to cure the resin. In the heating step, the heaters 207 may be heated from the upper surfaces of the stainless steel supports (substrates) 1 to 4 and 6 as shown in FIG. 17, or the stainless steel supports (substrate) 1 to 1 as shown in FIG. You may heat from the lower surface of 4 and 6 with the roll heater 208.

【００５３】なお、上記実施例では、樹脂ワニス塗布装
置２０５を有する絶縁膜塗布工程、紫外光発生装置２１
０または描画装置を有する露光工程、現像装置２１５を
有する現像工程（洗浄工程も含む）および加熱装置２０
７または２０８を有する硬化工程毎に、供給ロール２０
０ｂ〜２００ｅから巻取ロール２０１ｂ〜２０１ｅへと
配線４１、４２を形成した長尺かつ薄形のステンレス支
持体（基板）１を搬送するように構成したが、供給ロー
ル２００と巻取ロール２０１との間に、上記４つの絶縁
膜塗布工程、上記露光工程、上記現像工程および上記硬
化工程の内、適宜に２つ以上若しくは全て４つを並べて
設置してもよい。このようにすることによって、それぞ
れの工程毎に、配線４１、４２を形成した長尺かつ薄形
のステンレス支持体（基板）１〜４を巻き取って更に送
り出す必要がなく、構成を簡単にすることが可能とな
る。In the above embodiment, the insulating film coating process including the resin varnish coating device 205, the ultraviolet light generation device 21.
0 or an exposure process having a drawing device, a developing process (including a cleaning process) having a developing device 215, and a heating device 20.
Supply roll 20 for each curing step having 7 or 208
0b to 200e is configured to convey the long and thin stainless steel support (substrate) 1 on which the wirings 41 and 42 are formed from the winding rolls 201b to 201e. In between, two or more or all four of the four insulating film coating steps, the exposing step, the developing step, and the curing step may be arranged side by side. By doing so, it is not necessary to wind up and send out the long and thin stainless steel supports (substrates) 1 to 4 on which the wirings 41 and 42 are formed in each step, which simplifies the configuration. It becomes possible.

【００５４】次に、図２（ｂ）に示す工程について説明
する。即ち、図２（ｂ）には、電気めっきを実施するた
めの給電膜７を全面に形成し、その上にレジスト８によ
る配線パターン８１、８２を形成し、さらに電気めっき
装置２０２を用いて配線（電気銅めっき等）９、１０等
を形成する工程を示す。Next, the process shown in FIG. 2B will be described. That is, in FIG. 2B, a power supply film 7 for carrying out electroplating is formed on the entire surface, wiring patterns 81 and 82 by a resist 8 are formed thereon, and wiring is performed using an electroplating apparatus 202. A process for forming (electrolytic copper plating, etc.) 9, 10 etc. will be described.

【００５５】ここで、バリア層／給電層からなる給電膜
７としては、蒸着や、無電解銅めっき、ＣＶＤなども用
いることが可能であるが、第２の絶縁層６の材料である
ポリイミドとの接着強度が強いためスパッタを用いるこ
ととした。スパッタの前処理として、配線４１、４２と
の導体の導通を確保するためにスパッタエッチングを行
った。Here, vapor deposition, electroless copper plating, CVD, or the like can be used as the power supply film 7 composed of the barrier layer / power supply layer, but polyimide as the material of the second insulating layer 6 is used. Since it has a high adhesive strength, it was decided to use sputtering. As a pretreatment for sputtering, sputter etching was performed in order to ensure electrical continuity of the conductors with the wirings 41 and 42.

【００５６】上記給電膜７を構成するスパッタ膜として
は、バリア層としてのクロム膜（７５ナノメートル程
度）／給電層としての銅膜（０．５マイクロメートル程
度）の多層膜を形成した。ここでのクロム膜（バリア
膜）の機能は、その上下に位置する銅膜（給電層）と第
２の絶縁層６との接着を確保することにあり、その膜厚
はそれらの接着を維持する最低限でかまわない。所要膜
厚は、スパッタエッチングおよびスパッタの条件、クロ
ムの膜質などによっても変動する。なお、本実施例でバ
リア層として使用したクロム膜に代えて、チタン膜やチ
タン／白金膜、タングステンまたはそれらの合金(クロ
ム膜の合金も含む)などでも代替できる。また、給電層
としては、銅膜または銅を主成分とした合金膜で形成し
てもよい。また、絶縁層と接着力を有する給電膜７の単
体としては、アルミニウム膜またはアルミニウムを主成
分する合金膜で形成してもよい。As the sputtering film forming the power supply film 7, a multilayer film of a chromium film (about 75 nm) as a barrier layer / a copper film (about 0.5 μm) as a power supply layer was formed. The function of the chromium film (barrier film) here is to secure the adhesion between the copper film (power supply layer) located above and below it and the second insulating layer 6, and the film thickness maintains the adhesion between them. It does not matter as long as it does. The required film thickness also varies depending on sputter etching and sputtering conditions, the film quality of chromium, and the like. Note that, instead of the chromium film used as the barrier layer in this embodiment, a titanium film, a titanium / platinum film, tungsten, or an alloy thereof (including an alloy of a chromium film) can be used. Further, the power feeding layer may be formed of a copper film or an alloy film containing copper as a main component. Further, the power feeding film 7 having an adhesive force with the insulating layer may be formed of an aluminum film or an alloy film containing aluminum as a main component.

【００５７】一方、銅の膜厚は、後の工程で電気銅めっ
き膜９、１０及び電気ニッケルめっき膜１１、１２を形
成したときに、膜厚分布が生じない最小限度の膜厚が好
ましく、めっき前処理として行う酸洗などでの膜減り量
も考慮に入れたうえで膜厚分布を誘発しない膜厚を決定
する。銅の膜厚を必要以上に厚くした場合、例えば１マ
イクロメートルを越える銅厚の場合には、スパッタ時間
が長くなって生産効率が低下するという問題に加えて、
後の工程で実施する給電膜７のエッチング除去の際に長
時間エッチングが避けられず、その結果として配線９、
１０のサイドエッチングが大きくなる。On the other hand, the film thickness of copper is preferably the minimum film thickness that does not cause a film thickness distribution when the electrolytic copper plating films 9 and 10 and the electrolytic nickel plating films 11 and 12 are formed in a later step. The film thickness that does not induce the film thickness distribution is determined in consideration of the amount of film loss due to pickling performed as a pretreatment for plating. When the copper film is thicker than necessary, for example, when the copper thickness exceeds 1 micrometer, in addition to the problem that the sputtering time becomes long and the production efficiency decreases,
When the power supply film 7 is removed by etching in a later step, long-time etching cannot be avoided, and as a result, the wiring 9,
The side etching of 10 becomes large.

【００５８】次に、ホトリソグラフィー技術を用い、配
線９、１０を形成する部分のみが開口した配線の逆パタ
ーン８１、８２を、レジストを用いて形成する。Next, by using the photolithography technique, the reverse patterns 81 and 82 of the wiring, in which only the portions where the wirings 9 and 10 are formed are opened, are formed using a resist.

【００５９】なお、電気銅めっき膜を埋め込んで形成さ
れるグランド配線９は、ＬＳＩチップなどの電子部品１
００に設けられたグランド電極（図示せず）にはんだボ
ール１０１を介してグランド層（グランド配線）４１と
接続するための直立状のグランド導体部９ａと、該グラ
ンド導体部９ａにつながるグランドバンプ部９ｂとで形
成される。そして、グランドバンプ部９ｂの上には、拡
散防止膜としての電気ニッケルめっき膜１１が形成され
る。この拡散防止膜は、ニッケルまたはニッケルを含む
合金で形成される。The ground wiring 9 formed by embedding the copper electroplating film is used as an electronic component 1 such as an LSI chip.
Upright ground conductor portion 9a for connecting to the ground layer (ground wiring) 41 via the solder ball 101 to the ground electrode (not shown) provided in No. 00, and the ground bump portion connected to the ground conductor portion 9a. 9b and. Then, an electric nickel plating film 11 as a diffusion preventing film is formed on the ground bump portion 9b. This diffusion barrier film is formed of nickel or an alloy containing nickel.

【００６０】電気銅めっき膜を埋め込んで形成される電
源配線を含む信号配線１０は、ＬＳＩチップなどの電子
部品１００に設けられた信号線配線（図示せず）にはん
だボール１０１を介して信号配線４２と接続するための
直立状の信号導体部１０ａと、該信号導体部１０ａにつ
ながる高密度の信号配線部１０ｂとで形成される。そし
て、該高密度の信号配線部１０ｂの一部が信号バンプと
なり、その上には、拡散防止膜としての電気ニッケルめ
っき膜１２が形成される。この拡散防止膜は、ニッケル
またはニッケルを含む合金で形成される。このように、
高密度の信号配線１０については、一端（一部分）を後
述するはんだボール１０１と接続するバンプパッドと兼
用してもよい。いずれにしても、信号配線１０について
は、電気ニッケルめっき膜２に接続して高密度に配線す
る必要がある。The signal wiring 10 including the power supply wiring formed by embedding an electrolytic copper plating film is a signal wiring via a solder ball 101 to a signal wiring (not shown) provided in an electronic component 100 such as an LSI chip. It is formed of an upright signal conductor portion 10a for connecting with 42 and a high-density signal wiring portion 10b connected to the signal conductor portion 10a. Then, a part of the high-density signal wiring portion 10b becomes a signal bump, and an electric nickel plating film 12 as a diffusion preventing film is formed thereon. This diffusion barrier film is formed of nickel or an alloy containing nickel. in this way,
The high-density signal wiring 10 may also be used as a bump pad for connecting one end (a part) thereof to a solder ball 101 described later. In any case, the signal wiring 10 needs to be connected to the electric nickel plating film 2 and wired at a high density.

【００６１】また、必要に応じて電気銅めっき膜の形成
を繰り返すことで、図７に示すように、配線９、１０を
多層構造にして高密度配線に対応させることも可能であ
る。図7には、信号配線１０について示す。特に高密度信
号配線を実現する上で、多層構造にする意味がある。こ
こには、２層目の配線１９を示すが、３層以上の以上の
配線を形成することも可能である。Further, by repeating the formation of the electrolytic copper plating film as necessary, it is possible to form the wirings 9 and 10 in a multi-layered structure to accommodate high-density wiring, as shown in FIG. FIG. 7 shows the signal wiring 10. Especially, in order to realize high-density signal wiring, it is meaningful to use a multilayer structure. Here, the wiring 19 of the second layer is shown, but it is also possible to form wiring of three layers or more.

【００６２】多層配線とする場合は最表層、つまりはん
だボール１０１と接する配線９、１０のみに電気ニッケ
ルめっき膜１１，１２を形成してもよいし、工程を一元
化するため、２層目および３層以上の個々の配線に電気
ニッケルめっき膜８を形成しても良い。なお、図７に示
す実施例では、配線としては１層で示している。In the case of a multilayer wiring, the electric nickel plating films 11 and 12 may be formed only on the outermost layer, that is, the wirings 9 and 10 which are in contact with the solder balls 101. In order to unify the process, the second and third layers are formed. The electric nickel plating film 8 may be formed on the individual wirings of more than one layer. In the embodiment shown in FIG. 7, the wiring is shown as a single layer.

【００６３】ここでは、特に図示していないが、第１層
目の配線４１、４２の形成手法を用いて第２層目、第３
層目の配線を形成することも可能である。Although not shown in the drawing here, the second layer and the third layer are formed by using the method of forming the wirings 41 and 42 of the first layer.
It is also possible to form the wiring of the layer.

【００６４】界面活性剤による洗浄、水洗、希硫酸によ
る洗浄、水洗を行った後、給電膜７を陰極に接続し、リ
ンを含有する銅板を陽極に接続し、硫酸・硫酸銅めっき
液を用いて、開口６１、６２内およびレジストの配線パ
ターン８１、８２に電気めっき装置２０２を用いて電気
銅めっきを施して電気銅めっき膜を埋め込む（成長させ
る）ことによって、配線９、１０が形成される。After washing with a surfactant, washing with water, washing with dilute sulfuric acid, and washing with water, the power supply film 7 was connected to the cathode, a copper plate containing phosphorus was connected to the anode, and a sulfuric acid / copper sulfate plating solution was used. Then, the wirings 9 and 10 are formed by performing electrolytic copper plating in the openings 61 and 62 and the resist wiring patterns 81 and 82 using the electroplating apparatus 202 to embed (grow) an electrolytic copper plating film. .

【００６５】次に、給電膜７を陰極に接続し、ニッケル
板を陽極に接続し、少なくともはんだボール１０１を載
せる配線の部分に電気ニッケルめっきを施してはんだ拡
散防止膜である電気ニッケルめっき膜１１、１２が形成
される。なお、電気ニッケルめっき膜１１、１２を形成
する前に、界面活性剤による洗浄、水洗、希硫酸による
洗浄、水洗を行うと良好な膜質の電気ニッケルめっき膜
が得られる場合がある。Next, the power supply film 7 is connected to the cathode, the nickel plate is connected to the anode, and at least the portion of the wiring on which the solder balls 101 are mounted is subjected to electric nickel plating to form an electric nickel plating film 11 serving as a solder diffusion preventing film. , 12 are formed. If the washing with a surfactant, the washing with water, the washing with dilute sulfuric acid, and the washing with water are performed before forming the electro-nickel plated films 11 and 12, an electro-nickel plated film with good film quality may be obtained.

【００６６】ところで、配線９、１０を形成する領域
（特に、信号配線１０を這わせる領域）と、上記配線
９、１０上に、はんだ拡散防止膜としての電気ニッケル
めっき膜１１、１２を形成する領域とが異なる場合に
は、レジスト膜８を形成する工程を２回繰り返す必要が
ある。By the way, electric nickel plating films 11 and 12 as solder diffusion preventing films are formed on the regions where the wirings 9 and 10 are formed (in particular, the regions where the signal wiring 10 is laid) and the wirings 9 and 10. If the area is different, the step of forming the resist film 8 needs to be repeated twice.

【００６７】また、銅、ニッケルとも電気めっき装置２
０２を用いて導体を形成する方法を示したが、無電解め
っき装置を用いることも可能である。ただし、無電解め
っきの方が電気めっきよりも多くのめっき時間が必要と
なる。また、配線９、１０は銅以外に、金または銀を包
含するものであってもよく、はんだ拡散防止膜である電
気ニッケルめっき膜１１、１２は、ニッケル合金であっ
てもよい。Further, both copper and nickel are electroplating equipment 2
Although the method of forming a conductor using 02 is shown, it is also possible to use an electroless plating apparatus. However, electroless plating requires more plating time than electroplating. Further, the wirings 9 and 10 may include gold or silver in addition to copper, and the electric nickel plating films 11 and 12 which are the solder diffusion preventing films may be nickel alloys.

【００６８】その形成方法は、図１１に示すように、供
給ロール２００ａから巻取ロール２０１ａへ、表面にレ
ジスト配線パターン８１、８２を形成した長尺かつ薄形
のステンレス支持体１〜８を移動方向２６０ａのように
巻き取りながら、給電膜７を陰極に接続し、電気めっき
液２０４を通し、めっきする面に対して電極（リンを含
有する銅板およびニッケル板を陽極とする）２０３が設
置してある。ここでの電気めっき液２０４は、電気銅め
っき液および電気ニッケルめっき液である。電気銅めっ
きと電気ニッケルめっきは、連続して成膜することが好
ましいが、工程間については、洗浄および必要に応じて
前処理が必要である。特に、上記供給ロール２００ａと
上記巻取ロール２０１ｂとの間において、めっきする面
に対してリンを含有する銅板の陽極２０３ａを設置した
電気銅めっき槽２０４ａと、めっきする面に対してニッ
ケル板の陽極２０３ｂを設置した電気ニッケルめっき槽
２０４ｂとを並べて設置し、ステンレス支持体１〜８を
移動させることによって、連続して電気銅めっきによる
配線９、１０およびその上への電気ニッケルめっきによ
るはんだ拡散防止膜１１、１２を成膜することができ
る。なお、それぞれめっき厚が異なるため、めっき時間
を適度に制御する必要がある。また、それぞれのめっき
電極の長さを適度に設定すればよい。As shown in FIG. 11, the forming method is to move the long and thin stainless steel supports 1 to 8 having resist wiring patterns 81 and 82 formed on the surface thereof from the supply roll 200a to the winding roll 201a. While winding in the direction 260a, the power supply film 7 is connected to the cathode, the electroplating solution 204 is passed through, and the electrode (having a copper plate containing nickel and a nickel plate containing phosphorus as the anode) 203 is installed on the surface to be plated. There is. The electroplating solution 204 here is an electrocopper plating solution and an electronickel plating solution. Electrolytic copper plating and electrolytic nickel plating are preferably formed continuously, but between the steps, cleaning and, if necessary, pretreatment are required. In particular, between the supply roll 200a and the take-up roll 201b, an electrolytic copper plating bath 204a in which an anode 203a of a copper plate containing phosphorus is installed on the surface to be plated and a nickel plate on the surface to be plated. By arranging with the electric nickel plating tank 204b in which the anode 203b is installed side by side and moving the stainless steel supports 1 to 8, the wirings 9 and 10 by the electric copper plating and the solder diffusion by the electric nickel plating thereon are continuously performed. The prevention films 11 and 12 can be formed. Since the plating thickness is different, it is necessary to control the plating time appropriately. Further, the length of each plating electrode may be set appropriately.

【００６９】次に、図２（ｃ）に示す工程について説明
する。即ち、配線パターン８１、８２を有するフォトレ
ジスト８を除去し、その後電気めっきの給電膜７の露出
した部分をエッチング処理により除去する。電気銅めっ
き膜９、１０および電気ニッケルめっき膜１１、１２を
形成した後に、配線の逆パターンを有するレジスト８を
除去し、その後、エッチング処理することで予め成膜し
た給電膜７の露出した部分を除去する。Next, the process shown in FIG. 2C will be described. That is, the photoresist 8 having the wiring patterns 81 and 82 is removed, and then the exposed portion of the power supply film 7 for electroplating is removed by etching. After forming the electrolytic copper-plated films 9 and 10 and the electrolytic nickel-plated films 11 and 12, the resist 8 having the reverse pattern of the wiring is removed, and thereafter, an exposed portion of the power supply film 7 formed in advance by etching. To remove.

【００７０】このレジスト剥離装置の構成は、図１
（ｃ）に示した工程で説明したエッチング装置と同様な
装置で可能であり、図２０または図２１の装置の１台に
ついて、エッチング液をレジスト剥離液に置き換えたも
のである。ここでも、レジスト剥離後にリンス、洗浄工
程が必要である。The structure of this resist stripping apparatus is shown in FIG.
It is possible to use an apparatus similar to the etching apparatus described in the step shown in (c), and the etching solution is replaced with a resist stripping solution for one of the apparatuses shown in FIG. 20 or FIG. Here again, a rinsing and cleaning step is required after the resist is stripped.

【００７１】その後、エッチング処理をすることで予め
成膜した給電膜７の露出した部分を除去する。銅のエッ
チングには、塩化第二鉄、アルカリ系エッチング液等の
種類があるが、本実施例では硫酸／過酸化水素水を主成
分とするエッチング液を用いた。１０秒以上のエッチン
グ時間がないと制御が困難となって実用的観点では不利
であるが、あまりに長い時間エッチングを行うと、サイ
ドエッチングが大きくなったり、タクトが長くなるとい
う問題も生じるため、エッチング液およびエッチング条
件は、適宜実験により求めるのがよい。引き続いて実施
する給電膜７のクロム膜（バリア層）部分のエッチング
には、図１（ｃ）に示す工程と同様に行った。なお、精
密なパターンを形成するため、エッチング前には、酸素
アッシングを行うとエッチング液による基板濡れ性が向
上し、良好にエッチングをすることが可能となる。Then, an exposed portion of the power supply film 7 formed in advance is removed by performing an etching process. There are various types of copper etching, such as ferric chloride and alkaline etching solutions. In this example, an etching solution containing sulfuric acid / hydrogen peroxide solution as a main component was used. Control is difficult if the etching time is 10 seconds or more, which is disadvantageous from a practical point of view. However, if etching is performed for an excessively long time, side etching becomes large and tact becomes long. The solution and etching conditions should be appropriately determined by experiments. The subsequent etching of the chromium film (barrier layer) portion of the power supply film 7 was performed in the same manner as the step shown in FIG. In order to form a precise pattern, if oxygen ashing is performed before etching, the wettability of the substrate with an etching solution is improved, and good etching can be performed.

【００７２】図２０に示すように、エッチング処理室２
２０ａ〜２２０ｃ内に設けられたエッチング装置１９２
ａ、１９２ｂからエッチング液１９３ａ、１９３ｂを滴
下して、不要な金属部分を除去する。ここでは、シャワ
ー式現像装置を図示したが、図２１に示すように、エッ
チング液槽１９５ａ、１９５ｂ中を潜らせることでも可
能である。なお、図示していないが、図２０または図２
１のエッチングの後に、リンス、洗浄工程が必要であ
る。As shown in FIG. 20, the etching processing chamber 2
Etching device 192 provided in 20a to 220c
Etching solutions 193a and 193b are dropped from a and 192b to remove unnecessary metal portions. Although the shower type developing device is illustrated here, it is also possible to make it submerge in the etching liquid tanks 195a and 195b as shown in FIG. Although not shown, FIG. 20 or FIG.
After the etching of 1, a rinsing and cleaning step is required.

【００７３】次に、図２（ｄ）に示す工程について説明
する。即ち、感光性ポリイミドを用いてカバーコート
（保護膜）１３を形成し、端子となる部分を開口させ
る。開口方法については、感光性ポリイミドを用いて感
光させることによって行なったが、全面にポリイミドを
塗布し、レーザ加工やドライエッチングなどの手法を用
いても問題はない。ここではカバーコート１３として感
光性ポリイミドを使用したが、感光性ポリイミドの他に
もソルダーレジストや印刷用ポリイミドなどの材料を用
いてカバーコート１３を形成することも可能である。そ
して、特に図示していないが、このパターンを利用して
パッド１１、１２の最表面に無電解Ａｕめっきを行って
酸化防止用のＡｕめっきを形成した。Next, the process shown in FIG. 2D will be described. That is, the cover coat (protective film) 13 is formed by using photosensitive polyimide, and the portions to be terminals are opened. The opening method was carried out by exposing it to light using a photosensitive polyimide, but there is no problem if the polyimide is applied to the entire surface and a method such as laser processing or dry etching is used. Although the photosensitive polyimide is used as the cover coat 13 here, the cover coat 13 can be formed by using a material such as a solder resist or a printing polyimide other than the photosensitive polyimide. Then, although not particularly shown, electroless Au plating was performed on the outermost surfaces of the pads 11 and 12 using this pattern to form Au plating for oxidation prevention.

【００７４】その形成方法は、図１２または図１３に示
すように、供給ロール２００ｂから巻取ロール２０１ｂ
へ、配線パターン９、１１、１０、１２が形成された長
尺かつ薄形のステンレス支持体１〜４、６を巻き取りな
がら、樹脂ワニス塗布装置２０５より樹脂ワニス２０６
を滴下させて塗布する。樹脂ワニスの硬化は、図１２に
示すように、上記ステンレス支持体１〜４、６の上面か
らヒータ２０７で加熱しても良いし、図１３に示すよう
に、上記ステンレス支持体１〜４、６の下面からロール
ヒータ２０８で加熱しても良い。As shown in FIG. 12 or 13, the forming method is as follows: from the supply roll 200b to the winding roll 201b.
While winding the long and thin stainless steel supports 1 to 4 and 6 on which the wiring patterns 9, 11, 10 and 12 are formed, the resin varnish 206 is applied from the resin varnish coating device 205.
And then apply. The resin varnish may be cured by heating with a heater 207 from the upper surface of the stainless steel supports 1 to 4 and 6 as shown in FIG. 12, or as shown in FIG. You may heat from the lower surface of 6 with the roll heater 208.

【００７５】その後、図１４に示すように、紫外光発生
装置２１０で紫外光２１１を発生させ、フォトマスク２
１２を介して所定のパターンを形成する。ここで、フォ
トマスクを用いずに、紫外光をレンズ機構、反射機構を
有する描画装置を用いることは、なお好ましい。露光後
に、図１５に示すように、現像装置２１５から現像液２
１６を滴下して、不要な部分の絶縁層を除去する。ここ
では、シャワー式現像装置を図示したが、図１６に示す
ように、現像液２１７中を潜らせることでも可能であ
る。なお、図示していないが、図１５または図１６の現
像の後に、リンス、洗浄工程が必要である。After that, as shown in FIG. 14, ultraviolet light 211 is generated by the ultraviolet light generator 210, and the photomask 2
A predetermined pattern is formed via 12. Here, it is more preferable to use a drawing device having a lens mechanism and a reflection mechanism for ultraviolet light without using a photomask. After the exposure, as shown in FIG.
16 is dropped to remove an unnecessary portion of the insulating layer. Although the shower-type developing device is shown here, it is also possible to make it dive in the developing solution 217 as shown in FIG. Although not shown, a rinsing and cleaning process is required after the development shown in FIG. 15 or 16.

【００７６】その後、樹脂を硬化させるため、加熱す
る。加熱工程は、図１７に示すように、上記ステンレス
支持体１５の上面からヒータ２０７で加熱しても良い
し、図１８に示すように、上記ステンレス支持体１５の
下面からロールヒータ２０８で加熱しても良い。Thereafter, heating is performed to cure the resin. In the heating step, as shown in FIG. 17, the upper surface of the stainless support 15 may be heated by the heater 207, or as shown in FIG. 18, the lower surface of the stainless support 15 may be heated by the roll heater 208. May be.

【００７７】次に、図３（ａ）に示す工程について説明
する。即ち、図２２または図２３に示すように、ＬＳＩ
チップなどの電子部品１００を、図１および図２に示す
工程で形成した上記ステンレス支持体１５の上に搭載す
る。電子部品１００の搭載方法であるが、Ｐｂフリーな
どのはんだボールを電子部品側に形成することが一般的
であり、電子部品１００のバンプパッド(電極パッド)
（図示せず）上にフラックスと共にＰｂフリーなどのは
んだボール１０１を搭載し、加熱することでバンプパッ
ドにはんだボール１０１を接続する。Next, the process shown in FIG. 3A will be described. That is, as shown in FIG. 22 or FIG.
The electronic component 100 such as a chip is mounted on the stainless steel support 15 formed in the steps shown in FIGS. Although it is a mounting method of the electronic component 100, it is common to form a solder ball such as Pb-free on the electronic component side, and the bump pad (electrode pad) of the electronic component 100 is formed.
A solder ball 101 such as Pb-free solder is mounted on a flux (not shown) and is heated to connect the solder ball 101 to the bump pad.

【００７８】しかし、図１および図２に示す工程で形成
した上記ステンレス支持体１５側に形成することも可能
である。即ち、上記ステンレス支持体１５のバンプパッ
ド１１、１２上に所定量のフラックスと電子部品１００
に接続されたはんだボール１０１を搭載する。この際、
はんだボールはフラックスの粘着力によりバンプパッド
１１、１２上に仮固定される。However, it is also possible to form it on the stainless support 15 side formed in the steps shown in FIGS. That is, a predetermined amount of flux and the electronic component 100 are placed on the bump pads 11 and 12 of the stainless support 15.
The solder ball 101 connected to is mounted. On this occasion,
The solder balls are temporarily fixed on the bump pads 11 and 12 by the adhesive force of the flux.

【００７９】更に、はんだボール１０１が搭載された上
記ステンレス支持体１５または電子部品１００をリフロ
ー炉に投入することではんだボールは一旦溶融し、その
後再び固体化することで、上記ステンレス支持体１５の
バンプパッド１１、１２上に、電子部品１００がはんだ
ボール１０１を介して電気的に接続して搭載される。Further, the stainless steel support 15 on which the solder balls 101 are mounted or the electronic component 100 is put into a reflow furnace, so that the solder balls are once melted and then solidified again, whereby the stainless steel support 15 The electronic component 100 is electrically connected and mounted on the bump pads 11 and 12 via the solder balls 101.

【００８０】また、はんだをはんだボール１０１で供給
する以外では、例えば、はんだペーストを電子部品１０
０若しくはステンレス支持体１５のバンプパッド１１、
１２上に、印刷機を用いて印刷塗布し、これをリフロー
することではんだバンプ形成する方法もある。何れの方
法においてもはんだ材料は様々なものを選択することが
可能となり、現時点において市場に供給されているはん
だ材料の多くが使用できる。この他、はんだ材料は限定
されるものの、めっき技術を用いることで、はんだバン
プを形成する方法もある。また、金や銅を核としたボー
ルを使用したバンプや導電材料を配合した樹脂を使用し
て形成したバンプを使用しても良い。In addition to supplying solder with the solder balls 101, for example, a solder paste is used for the electronic component 10.
0 or the bump pad 11 of the stainless support 15,
There is also a method in which solder bumps are formed by printing and coating on 12 using a printing machine and reflowing this. With either method, various solder materials can be selected, and most of the solder materials currently on the market can be used. In addition, although the solder material is limited, there is also a method of forming a solder bump by using a plating technique. Further, bumps using balls having gold or copper as a nucleus or bumps formed by using a resin mixed with a conductive material may be used.

【００８１】先に、図２（ｂ）に示す工程で記述した
が、本実施例では、電気ニッケルめっき膜１１、１２の
必要な膜厚を、はんだ拡散による拡散層の厚さとして決
定したが、そのはんだ拡散の条件として、はんだの種類
やリフロー条件によって異なってくる。はんだボール搭
載時のリフロー条件は、ベルト式のリフロー炉を用い、
最大温度２４５℃、２３０℃以上で３０秒保持される時
間でリフローを行った。また、はんだボール１０１は、
ＳｎとＣｕを主成分とし、第三成分として、Ｂｉ、Ａｇ
を添加したＰｂフリーのものを用いた。この場合、リフ
ロー回数をリペア工程も考慮して、８回とすると、電気
ニッケルめっき１１、１２の必要な膜厚としては、２マ
イクロメータが最低値であった。As described above with reference to the process shown in FIG. 2B, in the present embodiment, the required film thickness of the electroplated nickel films 11 and 12 was determined as the thickness of the diffusion layer formed by solder diffusion. The solder diffusion condition varies depending on the type of solder and the reflow condition. For the reflow condition when mounting the solder balls, use a belt type reflow furnace,
The reflow was performed for a time in which the maximum temperature was 245 ° C. and the temperature was maintained at 230 ° C. or higher for 30 seconds. Also, the solder ball 101 is
Main components are Sn and Cu, and as the third component, Bi, Ag
Pb-free one added with was used. In this case, when the number of reflows was set to 8 in consideration of the repair step, the required film thickness of the electro nickel platings 11 and 12 was 2 μm, which was the minimum value.

【００８２】その形成方法は、図２２または図２３に示
すように、供給ロール２００ｈから巻取ロール２０１ｈ
へ、長尺かつ薄形のステンレス支持体１５を巻き取りな
がら、部品搭載機２３０を用いて電子部品１００を搭載
する。その後、ロールヒータ２３１またはヒータ２３２
などを用いて部品に接続されたはんだを溶融させて接続
する。As shown in FIG. 22 or FIG. 23, the forming method is as follows: supply roll 200h to take-up roll 201h.
While the long and thin stainless steel support 15 is being wound up, the electronic component 100 is mounted using the component mounting machine 230. After that, the roll heater 231 or the heater 232
And the like to melt and connect the solder connected to the component.

【００８３】次に、図３（ｂ）に示す工程について説明
する。即ち、図１および図２に示す工程で形成したステ
ンレス支持体１５と図３（ａ）に示す工程で搭載した電
子部品１００の間に、補強用のアンダーフィル１０２を
注入する。注入後、加熱硬化を行う。ここでは、エポキ
シ樹脂から成るアンダーフィル１０２を用い、注入後に
２００℃で６０分加熱硬化させた。なお、部品が小さい
場合には、必ずしもアンダーフィルを必要としない。Next, the process shown in FIG. 3B will be described. That is, the reinforcing underfill 102 is injected between the stainless support 15 formed in the steps shown in FIGS. 1 and 2 and the electronic component 100 mounted in the step shown in FIG. 3A. After the injection, heat curing is performed. Here, an underfill 102 made of an epoxy resin was used, and after injection, it was cured by heating at 200 ° C. for 60 minutes. It should be noted that underfilling is not always necessary when the parts are small.

【００８４】次に、図３（ｃ）に示す工程について説明
する。即ち、アンダーフィル１０２を充てんした後、モ
ールド樹脂１０３で図１および図２に示す工程で形成し
たステンレス支持体１５とアンダーフィル１０２を注入
した電子部品１００を被覆モールドして硬化させた。こ
の被覆モールドは、トランスファモールド法を用いた。
モールド樹脂１０３としては、エポキシ樹脂から成るモ
ールド樹脂を用い、注入後に２００℃、３分で成型さ
せ、その後、１７０℃で８時間２次硬化させた。モール
ド方法は、トランスファモールドを用いたが、他のモー
ルド方法（例えば印刷モールド）を用いてもよい。Next, the process shown in FIG. 3C will be described. That is, after filling the underfill 102, the stainless support 15 formed by the molding resin 103 in the steps shown in FIGS. 1 and 2 and the electronic component 100 in which the underfill 102 was injected were covered and cured. The transfer mold method was used for this coating mold.
As the molding resin 103, a molding resin made of an epoxy resin was used. After injection, molding was performed at 200 ° C. for 3 minutes, and then secondary curing was performed at 170 ° C. for 8 hours. Although the transfer mold is used as the molding method, other molding methods (for example, printing mold) may be used.

【００８５】その形成方法は、図２４に示すように、供
給ロール２００ｉから巻取ロール２０１ｉへ、ＬＳＩチ
ップなどの電子部品１００をはんだボール１０１を用い
て搭載実装された長尺かつ薄形のステンレス支持体１５
を巻き取りながら、モールド装置２４０においてモール
ド金型を押し当て、モールド樹脂２４１を樹脂注ぎ口２
４２から流し込んでカバーコート１３上に電子部品１０
０を被覆モールドする。As shown in FIG. 24, the forming method is as shown in FIG. 24. Long and thin stainless steel in which the electronic component 100 such as the LSI chip is mounted and mounted on the winding roll 201i using the solder balls 101. Support 15
While winding up, the molding die is pressed in the molding device 240 to apply the molding resin 241 to the resin pouring port 2
The electronic component 10 is poured from 42 and is placed on the cover coat 13.
0 is covered and molded.

【００８６】次に、図４（ａ）に示す工程について説明
する。即ち、ＬＳＩチップなどの電子部品１００をはん
だボール１０１を用いて実装して被覆モールドした状態
から、長尺かつ薄形のステンレス支持体１を剥離させ
た。本発明では、支持体である長尺かつ薄形のステンレ
ス支持体１を取り除くことで、マルチチップモジュール
３００を薄型化することが可能となったことである。Next, the process shown in FIG. 4A will be described. That is, the electronic component 100 such as an LSI chip was mounted using the solder balls 101 and covered and molded, and then the long and thin stainless steel support 1 was peeled off. According to the present invention, the multi-chip module 300 can be thinned by removing the long and thin stainless steel support 1 which is a support.

【００８７】このためには、図１および図２に示す工程
中で、長尺かつ薄形のステンレス支持体１と電気ニッケ
ルめっき膜２を剥がさないようにする必要があり、その
ために、図８の丸で囲んだ部分の様に、長尺かつ薄形の
ステンレス支持体１と電気ニッケルめっき膜２、絶縁層
３を配置し、絶縁層３が長尺かつ薄形のステンレス支持
体１と接着し、電気ニッケルめっき膜２を被うように形
成することが好ましい。For this purpose, it is necessary to prevent the long and thin stainless steel support 1 and the nickel electroplating film 2 from being peeled off in the steps shown in FIGS. 1 and 2. Therefore, as shown in FIG. A long and thin stainless steel support 1, a nickel electroplating film 2 and an insulating layer 3 are arranged in a circled area, and the insulating layer 3 is bonded to the long and thin stainless steel support 1. However, it is preferably formed so as to cover the electric nickel plating film 2.

【００８８】長尺かつ薄形のステンレス支持体１の剥が
し方であるが、図２５に示すように、供給ロール２００
ｊ、巻取ロール２０１ｊを小径化することで、長尺かつ
薄形のステンレス支持体１は、剥がし機構２５０を構成
する巻取ロール２０１ｊに巻き取られ、電気ニッケル膜
２と分離することが可能となる。即ち、巻取ロール２０
１ｊで、長尺かつ薄形のステンレス支持体１をマルチッ
プモジュール３００から剥がす剥がし機構２５０を構成
する。The method for peeling the long and thin stainless steel support 1 is as follows. As shown in FIG.
j, by reducing the diameter of the take-up roll 201j, the long and thin stainless steel support 1 can be taken up by the take-up roll 201j constituting the peeling mechanism 250 and separated from the electric nickel film 2. Becomes That is, the winding roll 20
1j constitutes a peeling mechanism 250 for peeling the long and thin stainless steel support 1 from the multi-chip module 300.

【００８９】次に、図４（ｂ）に示す工程について説明
する。この段階では、電気ニッケルめっき膜２でモール
ドされた部品が繋がっているが、ハンドリング方法によ
っては、分離しても良い。もちろん、ロール状のままハ
ンドリングしても可能である。ここでは、ステンレス支
持体１を剥がした電気ニッケルめっき膜２の面に、レジ
ストを用いて、電気ニッケルめっき膜２をエッチングす
るためのレジストパターン１６を形成した。Next, the process shown in FIG. 4B will be described. At this stage, the parts molded by the electro nickel plating film 2 are connected, but they may be separated depending on the handling method. Of course, it is possible to handle the roll as it is. Here, a resist pattern 16 for etching the electric nickel plating film 2 was formed using a resist on the surface of the electric nickel plating film 2 from which the stainless steel support 1 was peeled off.

【００９０】次に、図４（ｃ）に示す工程について説明
する。即ち、上記レジストパターン１６が形成された電
気ニッケルめっき膜２に対して、塩化第２鉄を主成分と
したエッチング液を用いてエッチングを施して配線９、
１０に対応する電気ニッケルめっきパッド２１、２２を
形成する。グランドパッド２１は、第１の絶縁膜３上に
直立状の信号導体部１０ａとは離間されて張り巡らされ
たグランド層４１に接続された直立状のグランド導体部
９ａに接続され、信号パッド２２は、第２の絶縁層６上
に配線される信号配線部１０ｂに接続される直立状の信
号導体部１０ａに接続されることになる。Next, the process shown in FIG. 4C will be described. That is, the electric nickel plating film 2 on which the resist pattern 16 is formed is etched by using an etching solution containing ferric chloride as a main component to form the wiring 9,
Electro nickel plating pads 21, 22 corresponding to 10 are formed. The ground pad 21 is connected to the upright ground conductor portion 9a connected to the ground layer 41 that is provided on the first insulating film 3 and is spaced apart from the upright signal conductor portion 10a, and is connected to the signal pad 22. Will be connected to the upright signal conductor portion 10a connected to the signal wiring portion 10b arranged on the second insulating layer 6.

【００９１】ところで、上記レジストパターン１６に
は、電気ニッケルめっき膜２をエッチングする工程でエ
ッチング液に対する耐性を持たせる必要があるが、本発
明で用いた、電気ニッケルめっき膜２のエッチング液
は、塩化第２鉄を主成分とした液を用いたため、図１
（ｂ）に示す工程でクロム４ａのエッチングで用いたレ
ジストのように、高いエッチング耐性を持たせる必要は
ない。By the way, the resist pattern 16 needs to have resistance to an etching solution in the step of etching the electric nickel plating film 2. However, the etching solution for the electric nickel plating film 2 used in the present invention is Since a liquid containing ferric chloride as the main component was used,
Unlike the resist used for etching the chromium 4a in the step shown in (b), it is not necessary to have high etching resistance.

【００９２】次に、図５（ａ）に示す工程について説明
する。本工程では、電気ニッケルめっき膜２をエッチン
グするために用いたレジストパターン１６を剥離した。
レジストパターン１６の剥離には、有機アルカリ系、有
機溶剤系などの種類があるが、モールド樹脂１０３、絶
縁層３および電気ニッケルめっきパッド２１、２２等に
ダメージを与えないものであれば、いずれの剥離液を用
いても問題ではない。そして、特に図示していないが、
パッド最表面に無電解Ａｕめっきを行って酸化防止用の
Ａｕめっき膜を形成した。なお、支持体１５において、
支持体であるステンレス支持体１を剥がし、電気ニッケ
ルめっき膜２にパッド２１、２２を形成したものを１５
ａとする。Next, the process shown in FIG. 5A will be described. In this step, the resist pattern 16 used for etching the electroplated nickel film 2 was peeled off.
There are various types of peeling of the resist pattern 16, such as organic alkali type and organic solvent type, as long as it does not damage the mold resin 103, the insulating layer 3, the electric nickel plating pads 21 and 22, and the like. It does not matter if a stripper is used. And, although not particularly shown,
Electroless Au plating was performed on the outermost surface of the pad to form an Au plating film for preventing oxidation. In the support 15,
After removing the stainless steel support 1 which is a support, and forming the pads 21 and 22 on the electric nickel plating film 2, 15
a.

【００９３】グランドパッド２１は、グランド層４１に
接続された直立状のグランド導体部９ａに接続され、信
号パッド２２は、信号配線部１０ｂに接続される直立状
の信号導体部１０ａに接続されることになる。なお、信
号パッド２２に接続される第１の絶縁層３に埋め込まれ
た信号導体部１０ａと、第２の絶縁層６に埋め込まれた
信号導体部１０ａとの位置を僅かずらして、その間をグ
ランド層の配線で接続してもよい。すなわち、信号パッ
ド２２に接続される第１の絶縁層３に埋め込まれた信号
導体部１０ａと、第２の絶縁層６に埋め込まれる信号導
体部１０ａとが隣接しているならば、その間を薄い導体
からなるグランド層の配線で接続しても抵抗上ほとんど
問題とならない。The ground pad 21 is connected to the upright ground conductor portion 9a connected to the ground layer 41, and the signal pad 22 is connected to the upright signal conductor portion 10a connected to the signal wiring portion 10b. It will be. The signal conductor portion 10a embedded in the first insulating layer 3 connected to the signal pad 22 and the signal conductor portion 10a embedded in the second insulating layer 6 are slightly displaced from each other, and the space therebetween is grounded. You may connect with the wiring of a layer. That is, if the signal conductor portion 10a embedded in the first insulating layer 3 connected to the signal pad 22 and the signal conductor portion 10a embedded in the second insulating layer 6 are adjacent to each other, the distance between them is thin. Even if they are connected by the wiring of the ground layer made of a conductor, there is almost no problem with the resistance.

【００９４】次に、図５（ｂ）に示す工程について説明
する。即ち、プリント基板などとの接続用のはんだボー
ル１１０をニッケルパッド２１、２２上に搭載する。こ
の方法について記述する。ニッケルパッド２１、２２上
にフラックスと共に搭載し、加熱することではんだボー
ル１１０を接続する。なお、はんだボール１１０は、ニ
ッケルパッド２１、２２側に形成することも、搭載基板
上に形成することも可能である。この場合、搭載基板上
に所定量のフラックスとはんだボール１１０を搭載す
る。Next, the process shown in FIG. 5B will be described. That is, the solder balls 110 for connection with a printed circuit board or the like are mounted on the nickel pads 21 and 22. This method will be described. The solder balls 110 are connected by mounting them on the nickel pads 21 and 22 together with the flux and heating them. The solder balls 110 can be formed on the nickel pads 21 and 22 side or on the mounting substrate. In this case, a predetermined amount of flux and solder balls 110 are mounted on the mounting board.

【００９５】そして、はんだボール１１０はフラックス
の粘着力によりバンプパッド上に仮固定される。はんだ
ボール１１０が搭載された搭載基板または図５（ａ）に
示すパッド２１、２２の上にはんだボール１１０を搭載
したものを、リフロー炉に投入することではんだボール
は一旦溶融し、その後再び固体化することではんだボー
ル１１０が搭載されることになる。はんだをはんだボー
ルで供給する以外には、印刷機を用いてはんだペースト
を印刷塗布し、これをリフローすることではんだバンプ
形成する方法もある。何れの方法においてもはんだ材料
は様々なものを選択することが可能となり、現時点にお
いて市場に供給されているＰｂフリー等のはんだ材料の
多くが使用できる。この他、はんだ材料は限定されるも
のの、めっき技術を用いることで、はんだバンプを形成
する方法もある。また、金や銅を核としたボールを使用
したバンプや導電材料を配合した樹脂を使用して形成し
たバンプを使用しても良い。Then, the solder balls 110 are temporarily fixed on the bump pads by the adhesive force of the flux. When the mounting board on which the solder balls 110 are mounted or the solder balls 110 mounted on the pads 21 and 22 shown in FIG. 5A are put into a reflow furnace, the solder balls are once melted and then solid again. As a result, the solder balls 110 are mounted. In addition to supplying solder with solder balls, there is also a method of forming solder bumps by printing and applying a solder paste using a printing machine and reflowing the solder paste. In either method, various solder materials can be selected, and most of the Pb-free solder materials currently available on the market can be used. In addition, although the solder material is limited, there is also a method of forming a solder bump by using a plating technique. Further, bumps using balls having gold or copper as a nucleus or bumps formed by using a resin mixed with a conductive material may be used.

【００９６】先に、図１（ａ）に示す工程で記述した
が、本実施例では、電気ニッケルめっき膜２の必要膜厚
を、はんだ拡散による拡散層の厚さとして決定する必要
があり、そのはんだ拡散の条件として、はんだの種類や
リフロー条件によって異なってくる。はんだボール搭載
時のリフロー条件は、ベルト式のリフロー炉を用い、最
大温度２４５℃、２３０℃以上で３０秒保持される時間
でリフローを行った。また、用いたはんだボール１１０
は、ＳｎとＣｕを主成分とし、第三成分として、Ｂｉ、
Ａｇを添加したＰｂフリーのものを用いた。この場合、
リフロー回数をリペア工程も考慮して、８回とすると、
２マイクロメータが最低値であった。As described above with reference to the step shown in FIG. 1A, in the present embodiment, it is necessary to determine the necessary film thickness of the electric nickel plating film 2 as the thickness of the diffusion layer by solder diffusion. The solder diffusion conditions differ depending on the type of solder and reflow conditions. As for the reflow condition when mounting the solder balls, a belt type reflow furnace was used, and the reflow was performed for a maximum temperature of 245 ° C. and at a temperature of 230 ° C. or higher for 30 seconds. Also, used solder balls 110
Is mainly composed of Sn and Cu, and the third component is Bi,
A Pb-free one containing Ag was used. in this case,
If the number of reflows is set to 8 considering the repair process,
The minimum value was 2 micrometers.

【００９７】以上により、図９に示す如く、プリント基
板等の搭載基板に搭載できるマルチチップモジュールが
完成したことになる。図９では、モールド樹脂１０３の
内部を透過させて示している。即ち、マルチチップモジ
ュールは、ＬＳＩチップなどの多数の電子部品１００が
はんだボール１０１などで電気的に接続されて配列さ
れ、その表面がモールド樹脂１０３で被覆モールドされ
る支持体１５から、支持体である長尺かつ薄形のステン
レス支持体１を剥がし、剥がされた電気ニッケルめっき
膜２にパッド２１、２２を形成し、これらのパッド２
１、２２にはんだボール１１０を搭載することによって
得られる。As described above, as shown in FIG. 9, a multichip module which can be mounted on a mounting board such as a printed board is completed. In FIG. 9, the inside of the mold resin 103 is shown transparently. That is, in the multi-chip module, a large number of electronic components 100 such as LSI chips are electrically connected and arranged by the solder balls 101 and the like, and the surface of the multi-chip module is covered with the mold resin 103. A long and thin stainless steel support 1 is peeled off, pads 21 and 22 are formed on the peeled electric nickel plating film 2, and these pads 2
It is obtained by mounting the solder balls 110 on Nos. 1 and 22.

【００９８】特に、第１の特徴は、支持体として、長尺
かつ薄形のステンレス支持体１を用いることによって、
ガラス基板等を用いる場合に比較して、プリント基板な
どの搭載基板とはんだボール１１０等を用いて接続実装
する際のバンプ２１、２２となるはんだ拡散防止膜とし
ての電気ニッケルめっき膜２と適度に密着し、適度に剥
がれやすくすると共に、供給ロール２００から巻取ロー
ル２０１への連続搬送を可能にして図１〜図４に示す様
々なプロセス処理を連続的に行なうことが可能となる。In particular, the first feature is that by using a long and thin stainless steel support 1 as a support,
Compared to the case where a glass substrate or the like is used, the electric nickel plating film 2 as a solder diffusion preventing film which becomes the bumps 21 and 22 when connecting and mounting the mounting substrate such as a printed board and the solder balls 110 and the like appropriately While closely contacting and facilitating proper peeling, it becomes possible to continuously convey from the supply roll 200 to the take-up roll 201, and various process treatments shown in FIGS. 1 to 4 can be continuously performed.

【００９９】第２の特徴は、長尺かつ薄形のステンレス
支持体１を用いることによって、供給ロール２００ｆか
ら巻取ロール２０１ｆへと連続的に搬送（移動）する状
態において、第１の絶縁層３上に、高周波信号対応のグ
ランド層として、バリア層で挟まれた導体膜でスパッタ
成膜によって形成し、更に、第２の絶縁膜６上に形成す
る給電膜７もバリア層で挟まれた導体膜でスパッタ成膜
によって形成することにある。更に、長尺かつ薄形のス
テンレス支持体１を用いることによって、供給ロール２
００ａから巻取ロール２０１ａへと連続的に搬送する状
態において、給電膜７を用いて、直立状のグランド導体
部９ａおよび該グランド導体部９ａに接続されるグラン
ドバンプ部９ｂ並びに直立状の信号導体部１０ａおよび
該信号導体部１０ａに接続される信号配線部１０ｂを、
電気銅めっきによって成膜することにある。更に、はん
だボール１０１などを用いて電子部品１００と接続する
部分については、はんだ拡散防止膜を形成することにあ
る。The second characteristic is that by using the long and thin stainless steel support 1, the first insulating layer is continuously conveyed (moved) from the supply roll 200f to the take-up roll 201f. 3, a conductor layer sandwiched between barrier layers was formed as a ground layer for high-frequency signals by sputtering, and a power supply film 7 formed on the second insulating film 6 was also sandwiched between barrier layers. It is to form the conductor film by sputtering. Further, by using the long and thin stainless steel support 1, the supply roll 2
00a to the winding roll 201a in a continuous state, the feeding film 7 is used to form an upright ground conductor portion 9a, a ground bump portion 9b connected to the ground conductor portion 9a, and an upright signal conductor. The portion 10a and the signal wiring portion 10b connected to the signal conductor portion 10a,
It is to form a film by electrolytic copper plating. Further, a solder diffusion prevention film is formed in a portion connected to the electronic component 100 by using the solder ball 101 or the like.

【０１００】[0100]

【発明の効果】本発明によれば、長尺かつ薄形のステン
レス等の支持体を用いてロール状に巻き取ることによっ
て、電子部品を搭載したモジュール基板を効率的に製造
することができ、その結果低コストで製造することがで
きる効果を奏する。According to the present invention, it is possible to efficiently manufacture a module substrate on which electronic parts are mounted by winding it in a roll shape using a long and thin support such as stainless steel. As a result, there is an effect that it can be manufactured at low cost.

【０１０１】また、本発明によれば、通常の工程では構
造体となる基板（ここでは、長尺かつ薄形のステンレス
支持体）を剥離することで、配線基板を薄型化すること
が可能となる効果を奏する。Further, according to the present invention, it is possible to reduce the thickness of the wiring substrate by peeling off the substrate (here, the long and thin stainless steel support) which will be the structure in the normal process. Has the effect.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図１】本発明に係る配線基板の製造工程の内、第１〜
第４番目までの工程を示す図である。FIG. 1 is a first to a first step of a wiring board manufacturing process according to the present invention.
It is a figure which shows the process to the 4th.

【図２】本発明に係る配線基板の製造工程の内、第５〜
第８番目までの工程を示す図である。FIG. 2 is a fifth through fifth step of manufacturing a wiring board according to the present invention.
It is a figure which shows the process to the 8th.

【図３】本発明に係る配線基板の製造工程の内、第９〜
第１１番目までの工程を示す図である。FIG. 3 is a ninth step of manufacturing steps of a wiring board according to the present invention.
It is a figure which shows the process to 11th.

【図４】本発明に係る配線基板の製造工程の内、第１２
〜第１４番目までの工程を示す図である。FIG. 4 is a twelfth step of the manufacturing process of the wiring board according to the present invention.
It is a figure which shows-a 14th process.

【図５】本発明に係る配線基板の製造工程の内、第１５
〜第１６番目までの工程を示す図である。FIG. 5 is a fifteenth manufacturing step of the wiring board according to the present invention.
It is a figure which shows-a 16th process.

【図６】電気ニッケルめっき膜厚と基板の反りとの関係
を実験によって求めた結果を示す図である。FIG. 6 is a diagram showing a result obtained by an experiment regarding a relationship between an electric nickel plating film thickness and a warp of a substrate.

【図７】配線を２層とした場合のマルチチップモジュー
ルの一実施例を示す部分断面図である。FIG. 7 is a partial cross-sectional view showing an example of a multichip module in which the wiring has two layers.

【図８】絶縁層の周辺を長尺かつ薄形のステンレス支持
体の周辺に電気ニッケルめっき膜を挟んで接着した状態
を示す断面図である。FIG. 8 is a cross-sectional view showing a state in which the periphery of the insulating layer is adhered to the periphery of a long and thin stainless steel support member with an electric nickel plating film sandwiched therebetween.

【図９】本発明に係る配線基板を用いたマルチチップモ
ジュールの一実施例を示す斜視図である。FIG. 9 is a perspective view showing an embodiment of a multi-chip module using the wiring board according to the present invention.

【図１０】本発明に係る配線基板において第１の絶縁層
上に形成するグランド層の構造を示す断面図である。FIG. 10 is a cross-sectional view showing the structure of a ground layer formed on the first insulating layer in the wiring board according to the present invention.

【図１１】ロール状の長尺かつ薄形のステンレス等の支
持体を用いて電気めっき装置により電気めっきする工程
を示す図である。FIG. 11 is a diagram showing a process of electroplating with an electroplating apparatus using a roll-shaped long and thin support such as stainless steel.

【図１２】ロール状の長尺かつ薄形のステンレス等の支
持体を用いて樹脂組成物供給装置（樹脂ワニス塗布装
置）による樹脂組成物供給工程（樹脂ワニス塗布工程）
の第１の実施例を示す図である。FIG. 12 is a resin composition supplying process (resin varnish applying process) using a resin composition supplying device (resin varnish applying device) using a roll-shaped long and thin support such as stainless steel.
It is a figure which shows the 1st Example of this.

【図１３】ロール状の長尺かつ薄形のステンレス等の支
持体を用いて樹脂組成物供給装置（樹脂ワニス塗布装
置）による樹脂組成物供給工程（樹脂ワニス塗布工程）
の第２の実施例を示す図である。FIG. 13 is a resin composition supplying process (resin varnish applying process) using a resin composition supplying device (resin varnish applying device) using a roll-shaped long and thin support such as stainless steel.
It is a figure which shows the 2nd Example of this.

【図１４】ロール状の長尺かつ薄形のステンレス等の支
持体を用いて露光装置による露光工程を示す図である。FIG. 14 is a diagram showing an exposure process by an exposure apparatus using a roll-shaped long and thin support such as stainless steel.

【図１５】ロール状の長尺かつ薄形のステンレス等の支
持体を用いて現像装置による現像工程の第１の実施例を
示す図である。FIG. 15 is a diagram showing a first example of a developing process by a developing device using a long and thin roll-shaped support such as stainless steel.

【図１６】ロール状の長尺かつ薄形のステンレス等の支
持体を用いて現像装置による現像工程の第２の実施例を
示す図である。FIG. 16 is a diagram showing a second example of the developing process by the developing device using a roll-shaped long and thin support such as stainless steel.

【図１７】ロール状の長尺かつ薄形のステンレス等の支
持体を用いて樹脂硬化工程の第１の実施例を示す図であ
る。FIG. 17 is a diagram showing a first example of a resin curing step using a roll-shaped long and thin support such as stainless steel.

【図１８】ロール状の長尺かつ薄形のステンレス等の支
持体を用いて樹脂硬化工程の第２の実施例を示す図であ
る。FIG. 18 is a diagram showing a second example of the resin curing step using a long and thin roll-shaped support such as stainless steel.

【図１９】ロール状の長尺かつ薄形のステンレス等の支
持体を用いて３台のスパッタ装置による３層の金属膜を
成膜するスパッタ工程を示す図である。FIG. 19 is a diagram showing a sputtering process in which three layers of metal films are formed by three sputtering devices using a roll-shaped long thin support such as stainless steel.

【図２０】ロール状の長尺かつ薄形のステンレス等の支
持体を用いて３台のエッチング装置および洗浄装置によ
る３層の金属膜の不要部分を除去するエッチング・洗浄
工程の第１の実施例を示す図である。FIG. 20 is a first implementation of an etching / cleaning step of removing unnecessary portions of a three-layer metal film by three etching devices and a cleaning device using a roll-shaped long and thin support such as stainless steel. It is a figure which shows an example.

【図２１】ロール状の長尺かつ薄形のステンレス等の支
持体を用いて３台のエッチング装置および洗浄装置によ
る３層の金属膜の不要部分を除去するエッチング・洗浄
工程の第２の実施例を示す図である。FIG. 21 is a second implementation of the etching / cleaning process of removing unnecessary portions of the three-layer metal film by three etching devices and a cleaning device using a roll-shaped long and thin support such as stainless steel. It is a figure which shows an example.

【図２２】ロール状の長尺かつ薄形のステンレス等の支
持体を用いて部品搭載機によるチップ部品搭載工程の第
１の実施例を示す図である。FIG. 22 is a diagram showing a first example of a chip component mounting process by a component mounting machine using a roll-shaped long and thin support such as stainless steel.

【図２３】ロール状の長尺かつ薄形のステンレス等の支
持体を用いて部品搭載機によるチップ部品搭載工程の第
２の実施例を示す図である。FIG. 23 is a diagram showing a second embodiment of a chip component mounting process by a component mounting machine using a roll-shaped long and thin support such as stainless steel.

【図２４】ロール状の長尺かつ薄形のステンレス等の支
持体を用いてモールド装置による樹脂モールド工程を示
す図である。FIG. 24 is a diagram showing a resin molding process by a molding apparatus using a roll-shaped long and thin support such as stainless steel.

【図２５】剥がし機構による長尺かつ薄形のステンレス
等の支持体をマルチチップモジュールから剥がす剥離工
程を示す図である。FIG. 25 is a diagram showing a peeling process of peeling a long thin support such as stainless steel from a multichip module by a peeling mechanism.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

１…長尺かつ薄形のステンレス支持体、２…電気ニッケ
ルめっき膜、３…第１の絶縁層、４…導体膜（例えばＣ
ｒ／Ｃｕ／Ｃｒ膜）、４ａ…バリア層（クロム膜）、４
ｂ…導体層（銅膜）、５…レジスト、６…第２の絶縁
層、７…給電膜、８…レジストパターン、９…グランド
配線、９ａ…グランド導体部、９ｂ…グランドパット
部、１０…信号配線、１０ａ…信号導体部、１０ｂ…信
号配線部、１１、１２…はんだ拡散防止膜（ニッケルパ
ッド）、１３…カバーコート（保護膜）、１５…基板、
１９…第２層目の信号配線、２０…第３の絶縁層、２１
…ニッケルパッド（グランドパッド）、２２…ニッケル
パッド（信号パッド）、３１、３２、６１、６２…開口
（スルーホール）、８１、８２…配線パターン、１００
…電子部品、１０１…はんだボール、１０２…アンダー
フィル、１０３…モールド樹脂、１１０…はんだボー
ル、１９０…マグネトロン電極、１９１…ターゲット、
１９２…エッチング装置、１９５…エッチング液槽、２
００…供給ロール，２０１…巻取ロール，２０２…電気
めっき装置、２０３…電極、２０４…電気めっき液、２
０５…樹脂組成物供給装置（樹脂ワニス塗布装置）、２
０６…樹脂ワニス、２０７…加熱装置（ヒータ）、２０
８…加熱装置（ロールヒータ）、２１０…露光装置（紫
外線発生装置）、２１２…フォトマスク、２１５…現像
装置、２１７…現像液、２１９…スパッタ装置（真空処
理室）、２２０…エッチング装置（エッチング処理
室）、２２２…エッチング処理装置、２３０…部品搭載
機、２４０…モールド装置（モールド金型）、２５０…
剥がし機構、３００…マルチチップモジュール。DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 ... Long and thin stainless steel support body, 2 ... Electro nickel plating film, 3 ... 1st insulating layer, 4 ... Conductor film (for example, C
r / Cu / Cr film), 4a ... Barrier layer (chrome film), 4
b ... Conductor layer (copper film), 5 ... Resist, 6 ... Second insulating layer, 7 ... Feed film, 8 ... Resist pattern, 9 ... Ground wiring, 9a ... Ground conductor part, 9b ... Ground pad part, 10 ... Signal wiring, 10a ... Signal conductor portion, 10b ... Signal wiring portion, 11, 12 ... Solder diffusion preventing film (nickel pad), 13 ... Cover coat (protective film), 15 ... Substrate,
19 ... Signal wiring of the second layer, 20 ... Third insulating layer, 21
... nickel pads (ground pads), 22 ... nickel pads (signal pads), 31, 32, 61, 62 ... openings (through holes), 81, 82 ... wiring patterns, 100
... electronic parts, 101 ... solder balls, 102 ... underfill, 103 ... mold resin, 110 ... solder balls, 190 ... magnetron electrodes, 191 ... target,
192 ... Etching device, 195 ... Etching liquid tank, 2
00 ... Supply roll, 201 ... Winding roll, 202 ... Electroplating device, 203 ... Electrode, 204 ... Electroplating solution, 2
05 ... Resin composition supply device (resin varnish application device), 2
06 ... Resin varnish, 207 ... Heating device (heater), 20
8 ... Heating device (roller heater), 210 ... Exposure device (ultraviolet generator), 212 ... Photomask, 215 ... Developing device, 217 ... Developer, 219 ... Sputtering device (vacuum processing chamber), 220 ... Etching device (etching) Processing chamber), 222 ... Etching processing apparatus, 230 ... Component mounting machine, 240 ... Molding apparatus (molding die), 250 ...
Peeling mechanism, 300 ... Multi-chip module.

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 山口 欣秀 神奈川県横浜市戸塚区吉田町292番地 株 式会社日立製作所生産技術研究所内 (72)発明者 角田 重晴 神奈川県横浜市戸塚区吉田町292番地 株 式会社日立製作所生産技術研究所内 (72)発明者 宝蔵寺 裕之 神奈川県横浜市戸塚区吉田町292番地 株 式会社日立製作所生産技術研究所内 (72)発明者 岸本 清治 大阪府茨木市丑寅一丁目１番88号 日立マ クセル株式会社内 (72)発明者 山下 勇司 大阪府茨木市丑寅一丁目１番88号 日立マ クセル株式会社内 (72)発明者 助川 裕一 大阪府茨木市丑寅一丁目１番88号 日立マ クセル株式会社内 Ｆターム(参考） 5F044 MM04 MM31 MM48    ─────────────────────────────────────────────────── ─── Continued front page    (72) Inventor Kinhide Yamaguchi             292 Yoshida-cho, Totsuka-ku, Yokohama-shi, Kanagawa             Inside the Hitachi, Ltd. production technology laboratory (72) Inventor Shigeharu Tsunoda             292 Yoshida-cho, Totsuka-ku, Yokohama-shi, Kanagawa             Inside the Hitachi, Ltd. production technology laboratory (72) Inventor, Houzouji Hiroyuki             292 Yoshida-cho, Totsuka-ku, Yokohama-shi, Kanagawa             Inside the Hitachi, Ltd. production technology laboratory (72) Inventor Seiji Kishimoto             Hitachima, 1-88, Torora, Ibaraki City, Osaka Prefecture             Within Kucsel Co., Ltd. (72) Inventor Yuji Yamashita             Hitachima, 1-88, Torora, Ibaraki City, Osaka Prefecture             Within Kucsel Co., Ltd. (72) Inventor Yuichi Sukegawa             Hitachima, 1-88, Torora, Ibaraki City, Osaka Prefecture             Within Kucsel Co., Ltd. F-term (reference) 5F044 MM04 MM31 MM48

Claims (15)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項１】長尺かつ薄形のステンレス支持体上に電子
回路を形成する第１の工程と、 該第１の工程で形成された電子回路から前記長尺かつ薄
形のステンレス支持体を引き剥がす第２の工程とを有す
ることを特徴とする電子回路形成方法。1. A first step of forming an electronic circuit on a long and thin stainless steel support, and a step of forming the long and thin stainless steel support from the electronic circuit formed in the first step. And a second step of peeling off. 【請求項２】長尺かつ薄形の支持体を移動させて、前記
支持体上にはんだ拡散防止膜を成膜する第１の工程と、 該第１の工程で成膜されたはんだ拡散防止膜を有する前
記支持体を移動させて、前記はんだ拡散防止膜上に第１
の開口群を有する第１の絶縁層を形成する第２の工程
と、 該第２の工程で形成した第１の絶縁層および前記はんだ
拡散防止膜を有する前記支持体を移動させて、前記第１
の開口群を有する第１の絶縁層に対して第１のバリア層
で挟まれた第１の導体層を成膜し、主としてグランド配
線を構成するようにパターンニングする第３の工程と、 該第３の工程でパターンニングされた第１の導体層、前
記第１の絶縁層および前記はんだ拡散防止膜を有する前
記支持体を移動させて、前記第１の導体層上に前記第１
の開口群に対応させた第２の開口群を有する第２の絶縁
層を形成する第４の工程と、 該第４の工程で形成した第２の開口群を有する第２の絶
縁層、前記第１の導体層、前記第１の絶縁層および前記
はんだ拡散防止膜を有する前記支持体を移動させて、前
記第２の絶縁層に第２のバリア層を介して給電層をスパ
ッタにより成膜し、前記第２の開口群に対応させた配線
の逆レジストパターンを形成する第５の工程と、 該第５の工程で形成した配線の逆レジストパターン、前
記第２の絶縁層、前記第１の導体層、前記第１の絶縁層
および前記はんだ拡散防止膜を有する前記支持体を移動
させて、前記配線の逆レジストパターンに対して前記給
電膜を使用して電気めっきを施して前記第２の開口群内
および前記配線の逆レジストパターン内に導体を埋め込
んで第２の導体層を成膜し、前記配線の逆レジストパタ
ーンを取り除き、前記給電膜の不要な部分を取り除くこ
とによって主として信号配線を形成し、更に前記第２の
導体層に接続させて、最上層に第２のはんだ拡散防止パ
ッド群を形成する第６の工程と、 該第６の工程で形成した第２のはんだ拡散防止パッド群
および前記第２の導体層、前記第２の絶縁層、前記第１
の導体層、前記第１の絶縁層並びに前記はんだ拡散防止
膜を有する前記支持体を移動させて、前記第２のはんだ
拡散防止パッド群を露出するように保護膜で被覆する第
７の工程とを有することを特徴とする配線基板の製造方
法。2. A first step of moving a long and thin support to form a solder diffusion prevention film on the support, and a solder diffusion prevention film formed in the first step. The support having a film is moved to form a first film on the solder diffusion prevention film.
Second step of forming a first insulating layer having a group of openings, and moving the support having the first insulating layer and the solder diffusion preventing film formed in the second step to move the first insulating layer 1
A third step of forming a first conductor layer sandwiched by a first barrier layer on a first insulating layer having a group of openings, and patterning so as to mainly form a ground wiring; The first conductor layer patterned in the third step, the first insulating layer, and the support having the solder diffusion prevention film are moved to move the first conductor layer onto the first conductor layer.
A fourth step of forming a second insulating layer having a second opening group corresponding to the second opening group, and a second insulating layer having a second opening group formed in the fourth step, The support having the first conductor layer, the first insulating layer and the solder diffusion preventing film is moved, and a power feeding layer is formed on the second insulating layer via a second barrier layer by sputtering. Then, a fifth step of forming a reverse resist pattern of the wiring corresponding to the second opening group, a reverse resist pattern of the wiring formed in the fifth step, the second insulating layer, the first Of the conductor layer, the first insulating layer and the solder diffusion prevention film are moved, and the reverse resist pattern of the wiring is electroplated using the power feeding film to form the second layer. A conductor in the opening group and in the reverse resist pattern of the wiring. By embedding a second conductor layer into a film, removing the reverse resist pattern of the wiring, and removing unnecessary portions of the power supply film, a signal wiring is mainly formed and further connected to the second conductor layer. A sixth step of forming a second solder diffusion prevention pad group on the uppermost layer, a second solder diffusion prevention pad group formed in the sixth step, the second conductor layer, and the second conductor layer. Insulating layer, the first
7. A seventh step of moving the support having the conductor layer, the first insulating layer and the solder diffusion prevention film, and covering with a protective film so as to expose the second solder diffusion prevention pad group. A method of manufacturing a wiring board, comprising: 【請求項３】請求項２記載の配線基板の製造方法におい
て、更に、前記第１の工程で成膜したはんだ拡散防止膜
から前記支持体を剥がす工程を有することを特徴とする
配線基板の製造方法。3. The method of manufacturing a wiring board according to claim 2, further comprising a step of peeling the support from the solder diffusion prevention film formed in the first step. Method. 【請求項４】請求項２記載の配線基板の製造方法におい
て、更に、前記第１の工程で成膜したはんだ拡散防止膜
から前記支持体を剥がし、該剥がされたはんだ拡散防止
膜をパターンニングして第１のはんだ拡散防止パッド群
を形成する工程を有することを特徴とする配線基板の製
造方法。4. The method of manufacturing a wiring board according to claim 2, further comprising: peeling the support from the solder diffusion barrier film formed in the first step, and patterning the peeled solder diffusion barrier film. And a step of forming a first solder diffusion prevention pad group, the method for manufacturing a wiring board. 【請求項５】前記支持体を、ステンレス支持体で構成し
たことを特徴とする請求項２乃至４のいずれか一つに記
載の配線基板の製造方法。5. The method for manufacturing a wiring board according to claim 2, wherein the support is a stainless support. 【請求項６】前記第１の工程において、前記第１のはん
だ拡散防止膜を、ニッケル膜またはニッケルを主成分と
する合金膜で成膜することを特徴とする請求項２記載の
配線基板の製造方法。6. The wiring board according to claim 2, wherein in the first step, the first solder diffusion preventing film is formed of a nickel film or an alloy film containing nickel as a main component. Production method. 【請求項７】前記第６の工程において、前記第２のはん
だ拡散防止パッド群を、ニッケル膜またはニッケルを主
成分とする合金膜で形成することを特徴とする請求項２
記載の配線基板の製造方法。7. The method according to claim 6, wherein the second solder diffusion prevention pad group is formed of a nickel film or an alloy film containing nickel as a main component in the sixth step.
A method for manufacturing a wiring board as described above. 【請求項８】前記第３の工程において、前記第１のバリ
ア層を、クロム膜、チタン膜、チタン／白金膜、タング
ステン膜またはそれらのいずれか一つを主成分とする合
金膜で成膜することを特徴とする請求項２記載の配線基
板の製造方法。8. In the third step, the first barrier layer is formed of a chromium film, a titanium film, a titanium / platinum film, a tungsten film, or an alloy film containing any one of them as a main component. The method for manufacturing a wiring board according to claim 2, wherein 【請求項９】前記第５の工程において、前記第２のバリ
ア層を、クロム膜、チタン膜、チタン／白金膜、タング
ステン膜またはそれらのいずれか一つを主成分とする合
金膜で成膜することを特徴とする請求項２記載の配線基
板の製造方法。9. In the fifth step, the second barrier layer is formed of a chromium film, a titanium film, a titanium / platinum film, a tungsten film, or an alloy film containing any one of them as a main component. The method for manufacturing a wiring board according to claim 2, wherein 【請求項１０】前記第３の工程において、前記第１の導
体層を、銅膜または銅を主成分とする合金膜で成膜する
ことを特徴とする請求項２記載の配線基板の製造方法。10. The method for manufacturing a wiring board according to claim 2, wherein in the third step, the first conductor layer is formed of a copper film or an alloy film containing copper as a main component. . 【請求項１１】前記第６の工程において、前記第２の導
体層を、銅膜または銅を主成分とする合金膜で成膜する
ことを特徴とする請求項２記載の配線基板の製造方法。11. The method for manufacturing a wiring board according to claim 2, wherein in the sixth step, the second conductor layer is formed of a copper film or an alloy film containing copper as a main component. . 【請求項１２】請求項４記載の配線基板の製造方法によ
って製造されたことを特徴とする配線基板。12. A wiring board manufactured by the method for manufacturing a wiring board according to claim 4. 【請求項１３】請求項２記載の配線基板の製造方法にお
いて、更に、前記保護膜、前記第２の導体層、前記第２
の絶縁層、前記第１の導体層、前記第１の絶縁層および
前記はんだ拡散防止膜を有する前記支持体を移動させ
て、複数の電子部品を、前記第７の工程で露出した第２
のはんだ拡散防止パッド群にはんだを介して搭載する工
程を有することを特徴とするマルチチップモジュールの
製造方法。13. The method of manufacturing a wiring board according to claim 2, further comprising the protective film, the second conductor layer, and the second conductor layer.
Second insulating layer, the first conductor layer, the first insulating layer, and the support having the solder diffusion preventing film are moved to expose a plurality of electronic components in the seventh step.
A method of manufacturing a multi-chip module, comprising the step of mounting the solder diffusion prevention pads on the solder diffusion prevention pad group via solder. 【請求項１４】請求項２記載の配線基板の製造方法にお
いて、更に、前記保護膜、前記第２の導体層、前記第２
の絶縁層、前記第１の導体層、前記第１の絶縁層および
前記はんだ拡散防止膜を有する前記支持体を移動させ
て、複数の電子部品を、前記第７の工程で露出した第２
のはんだ拡散防止パッド群にはんだを介して搭載し、前
記複数の電子部品を配線基板に対してモールド樹脂で被
覆する工程を有することを特徴とするマルチチップモジ
ュールの製造方法。14. The method of manufacturing a wiring board according to claim 2, further comprising the protective film, the second conductor layer, and the second conductor layer.
Second insulating layer, the first conductor layer, the first insulating layer, and the support having the solder diffusion preventing film are moved to expose a plurality of electronic components in the seventh step.
The method for manufacturing a multi-chip module, comprising: mounting the solder diffusion prevention pad group via solder on the wiring board; and coating the plurality of electronic components on a wiring board with a mold resin. 【請求項１５】請求項２記載の配線基板の製造方法にお
いて、更に、前記保護膜、前記第２の導体層、前記第２
の絶縁層、前記第１の導体層、前記第１の絶縁層および
前記はんだ拡散防止膜を有する前記支持体を移動させ
て、複数の電子部品を、前記第７の工程で露出した第２
のはんだ拡散防止パッド群にはんだを介して搭載する工
程と、前記第１の工程で成膜したはんだ拡散防止膜から
前記支持体を剥がし、該剥がされたはんだ拡散防止膜を
パターンニングして第１のはんだ拡散防止パッド群を形
成する工程とを有することを特徴とするマルチチップモ
ジュールの製造方法。15. The method of manufacturing a wiring board according to claim 2, further comprising the protective film, the second conductor layer, and the second conductor layer.
Second insulating layer, the first conductor layer, the first insulating layer, and the support having the solder diffusion preventing film are moved to expose a plurality of electronic components in the seventh step.
The step of mounting the solder diffusion prevention pads on the solder diffusion prevention pad group through the solder, the support is peeled from the solder diffusion prevention film formed in the first step, and the peeled solder diffusion prevention film is patterned to And a step of forming a solder diffusion preventing pad group of No. 1.