JP2003163084A - 有機ｅｌ装置とその製造方法並びに電子機器 - Google Patents
有機ｅｌ装置とその製造方法並びに電子機器Info
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
- H10K59/122—Pixel-defining structures or layers, e.g. banks
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/30—Devices specially adapted for multicolour light emission
- H10K59/35—Devices specially adapted for multicolour light emission comprising red-green-blue [RGB] subpixels
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 隔壁部内の画素形成領域（有機ＥＬ素子形成
領域）に発光層や正孔注入層が均一に形成され、有機Ｅ
Ｌ素子の欠落部がなく、膜厚が均一な有機ＥＬ素子が形
成された有機ＥＬ装置の提供。 【解決手段】 基板上に、マトリクス状に配置された複
数の有機ＥＬ素子３５…と、各有機ＥＬ素子３５に対し
てそれぞれ設けられ、有機ＥＬ素子３５を駆動する半導
体素子が形成されてなる有機ＥＬ装置であり、上記基板
上に各有機ＥＬ素子３５を形成する有機ＥＬ素子形成領
域３をそれぞれ取り囲む隔壁部４が形成され、隔壁部４
は対向する内壁３ｂ、３ｂ間の幅Ｗが略均一とされてお
り、各有機ＥＬ素子形成領域３に有機ＥＬ素子用インク
が吐出されて複数の有機ＥＬ素子３５…が形成されてな
る有機ＥＬ装置。
領域）に発光層や正孔注入層が均一に形成され、有機Ｅ
Ｌ素子の欠落部がなく、膜厚が均一な有機ＥＬ素子が形
成された有機ＥＬ装置の提供。 【解決手段】 基板上に、マトリクス状に配置された複
数の有機ＥＬ素子３５…と、各有機ＥＬ素子３５に対し
てそれぞれ設けられ、有機ＥＬ素子３５を駆動する半導
体素子が形成されてなる有機ＥＬ装置であり、上記基板
上に各有機ＥＬ素子３５を形成する有機ＥＬ素子形成領
域３をそれぞれ取り囲む隔壁部４が形成され、隔壁部４
は対向する内壁３ｂ、３ｂ間の幅Ｗが略均一とされてお
り、各有機ＥＬ素子形成領域３に有機ＥＬ素子用インク
が吐出されて複数の有機ＥＬ素子３５…が形成されてな
る有機ＥＬ装置。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、有機ＥＬ（エレク
トロルミネッセンス）装置とその製造方法並びに電子機
器に関するものであり、特に、インクジェット方式によ
って有機ＥＬ素子が形成される有機ＥＬ装置の隔壁部に
関するものである。
トロルミネッセンス）装置とその製造方法並びに電子機
器に関するものであり、特に、インクジェット方式によ
って有機ＥＬ素子が形成される有機ＥＬ装置の隔壁部に
関するものである。
【０００２】
【従来の技術】近年、ノートパソコン、携帯電話機、電
子手帳等の電子機器において、情報を表示する手段とし
て有機ＥＬ素子を画素に対応させて備える有機ＥＬ装置
等といった表示装置が提案されている。最近では、表示
装置によってフルカラー表示を行うことが多くなってい
る。また、有機ＥＬ装置の一種としては、アクティブマ
トリックス型有機ＥＬ装置があり、この装置は画素毎に
トランジスタと容量を備えているため、高輝度での高精
細か可能であり、多階調化や表示装置の大型化に対応で
きることから主流になっている。
子手帳等の電子機器において、情報を表示する手段とし
て有機ＥＬ素子を画素に対応させて備える有機ＥＬ装置
等といった表示装置が提案されている。最近では、表示
装置によってフルカラー表示を行うことが多くなってい
る。また、有機ＥＬ装置の一種としては、アクティブマ
トリックス型有機ＥＬ装置があり、この装置は画素毎に
トランジスタと容量を備えているため、高輝度での高精
細か可能であり、多階調化や表示装置の大型化に対応で
きることから主流になっている。
【０００３】図１４は、従来のフルカラー表示を行うア
クティブマトリックス型有機ＥＬ装置の例を示す部分平
面図である。図１５は、図１４のＧ−Ｇ線断面図であ
る。この有機ＥＬ装置は、ガラス基板９５２上に透明絶
縁膜９５７が形成され、さらにこの絶縁膜９５７上に、
後述の各画素９３５に対応して設けられた画素用電極９
１９が配置され、各画素９３５毎に、駆動用の半導体素
子として、スイッチングトランジスタ（スイッチング素
子）９３４、ドライビングトランジスタ９３７、容量９
３６が設けられている。また、これらの素子は、信号線
９３１、電源線９３２、走査線９３３、容量線９３８等
の配線により、駆動回路（図示略）と接続されている。
クティブマトリックス型有機ＥＬ装置の例を示す部分平
面図である。図１５は、図１４のＧ−Ｇ線断面図であ
る。この有機ＥＬ装置は、ガラス基板９５２上に透明絶
縁膜９５７が形成され、さらにこの絶縁膜９５７上に、
後述の各画素９３５に対応して設けられた画素用電極９
１９が配置され、各画素９３５毎に、駆動用の半導体素
子として、スイッチングトランジスタ（スイッチング素
子）９３４、ドライビングトランジスタ９３７、容量９
３６が設けられている。また、これらの素子は、信号線
９３１、電源線９３２、走査線９３３、容量線９３８等
の配線により、駆動回路（図示略）と接続されている。
【０００４】これら画素用電極９１９、両トランジスタ
９３４、９３７、容量９３６、信号線９３１等の配線が
形成されたガラス基板９５２上に、画素形成領域９０３
に対応する複数の孔９５７ａが形成された絶縁膜９５７
ｂが設けられ、この絶縁膜９５７ｂ上に画素形成領域９
０３…に対応した複数の孔９０３ａ…を有するバンク部
（隔壁部）９０４が形成されている。孔９５７ａと孔９
０３ａは連通している。各画素形成領域９０３は、孔９
５７ａ、９０３ａの壁面と、画素用電極９１９とにより
区画されている。各画素形成領域９０３には、正孔注入
層９２３と発光層９２４が形成され、これらにより画素
（有機ＥＬ素子）９３５が構成されている。発光層９２
４の上に陰極９２５が形成されている。各有機ＥＬ素子
９３５は、赤、緑、青のうちいずれかの色を発光し、こ
れら有機ＥＬ素子９３５…をデルタ配列等の配列で並べ
られており、各有機ＥＬ素子９３５に設けられた電極に
印加する電圧を制御することによって、有機ＥＬ素子９
３５を発光させ、これによりフルカラーの表示を行うよ
うになっている。なお、図１４は、有機ＥＬ装置の基板
と反対側（観察者側と反対側）から見た平面図であり、
陰極９２５が省略がされている。また、図１４中、斜線
で示した部分は、バンク部（隔壁部）９０４である。
９３４、９３７、容量９３６、信号線９３１等の配線が
形成されたガラス基板９５２上に、画素形成領域９０３
に対応する複数の孔９５７ａが形成された絶縁膜９５７
ｂが設けられ、この絶縁膜９５７ｂ上に画素形成領域９
０３…に対応した複数の孔９０３ａ…を有するバンク部
（隔壁部）９０４が形成されている。孔９５７ａと孔９
０３ａは連通している。各画素形成領域９０３は、孔９
５７ａ、９０３ａの壁面と、画素用電極９１９とにより
区画されている。各画素形成領域９０３には、正孔注入
層９２３と発光層９２４が形成され、これらにより画素
（有機ＥＬ素子）９３５が構成されている。発光層９２
４の上に陰極９２５が形成されている。各有機ＥＬ素子
９３５は、赤、緑、青のうちいずれかの色を発光し、こ
れら有機ＥＬ素子９３５…をデルタ配列等の配列で並べ
られており、各有機ＥＬ素子９３５に設けられた電極に
印加する電圧を制御することによって、有機ＥＬ素子９
３５を発光させ、これによりフルカラーの表示を行うよ
うになっている。なお、図１４は、有機ＥＬ装置の基板
と反対側（観察者側と反対側）から見た平面図であり、
陰極９２５が省略がされている。また、図１４中、斜線
で示した部分は、バンク部（隔壁部）９０４である。
【０００５】ところで有機ＥＬ装置に備えられる有機Ｅ
Ｌ素子の製造方法は、蒸着法等の真空プロセスや、スピ
ンコート法、インクジェット法等の液相プロセス等が採
用されるが、最近ではインクジェットヘッドのノズルか
ら有機ＥＬ素子材料をインクとして吐出させることによ
り、基板上に多数の有機ＥＬ素子を形成するインクジェ
ット方式が提案されている。そこで、従来のインクジェ
ット方式による有機ＥＬ素子の製造工程を備えたアクテ
ィブマトリックス型有機ＥＬ装置の製造方法を図面を参
照して説明する。図１６〜図２１は有機ＥＬ装置の製造
工程の一例を示す断面図である。まず図１６に示すよう
に透明絶縁膜９５７、画素用電極９１９、スイッチング
トランジスタ９３４、ドライビングトランジスタ９３
７、容量９３６、信号線９３１、電源線９３２、走査線
９３３、容量線９３８等の配線、絶縁膜９５７ｂが形成
されたガラス基板９５２上に、画素用電極９１９を覆う
レジスト層（バンク部材料層）９０２を形成する。次に
図１７に示すように、レジスト層９０２に対して露光処
理及びエッチング処理を施すことにより、レジスト層９
０２の一部を除去して孔９０３ａ…を開けてバンク部
（隔壁部）９０４を形成する。各バンク部９０４の内側
が、画素形成領域９０３である。
Ｌ素子の製造方法は、蒸着法等の真空プロセスや、スピ
ンコート法、インクジェット法等の液相プロセス等が採
用されるが、最近ではインクジェットヘッドのノズルか
ら有機ＥＬ素子材料をインクとして吐出させることによ
り、基板上に多数の有機ＥＬ素子を形成するインクジェ
ット方式が提案されている。そこで、従来のインクジェ
ット方式による有機ＥＬ素子の製造工程を備えたアクテ
ィブマトリックス型有機ＥＬ装置の製造方法を図面を参
照して説明する。図１６〜図２１は有機ＥＬ装置の製造
工程の一例を示す断面図である。まず図１６に示すよう
に透明絶縁膜９５７、画素用電極９１９、スイッチング
トランジスタ９３４、ドライビングトランジスタ９３
７、容量９３６、信号線９３１、電源線９３２、走査線
９３３、容量線９３８等の配線、絶縁膜９５７ｂが形成
されたガラス基板９５２上に、画素用電極９１９を覆う
レジスト層（バンク部材料層）９０２を形成する。次に
図１７に示すように、レジスト層９０２に対して露光処
理及びエッチング処理を施すことにより、レジスト層９
０２の一部を除去して孔９０３ａ…を開けてバンク部
（隔壁部）９０４を形成する。各バンク部９０４の内側
が、画素形成領域９０３である。
【０００６】次に、図１８に示すように、図示略のイン
クジェットヘッドから画素形成領域９０３…に、正孔注
入層用インクを吐出させるとともにこのインクを乾燥さ
せて正孔注入層９２３…を形成する。次に、一部の画素
形成領域９０３…に発光層用インクを吐出させるととも
にこのインクを乾燥させて、画素形成領域９０３…内に
Ｒ（赤色）の発光層９２４Ｒ…を形成する。次に図１９
に示すように、Ｒ（赤色）の発光層９２４Ｒ…の場合と
同様にして、Ｇ（緑色）の発光層９２４Ｇ…及びＢ（青
色）の発光層９２４Ｂ…を他の凹部９０３…に順次形成
する。各発光層９２４Ｒ…、９２４Ｇ…、９２４Ｂ…
は、バンク部９０４によって隣接する他の発光層から仕
切られているので、発光層同士が混合して混色すること
がない。最後に図２０に示すように、各発光層９２４Ｒ
…、９２４Ｇ…、９２４Ｂ…およびバンク部９０４上に
陰極形成用導電層９２５ａを形成し、この導電層９２５
ａ上にレジスト層９２５ｂを形成し、このレジスト層９
２５ｂに対して露光処理及びエッチング処理を施すこと
により、レジスト層９２５ｂに導電層パターンを形成
し、導電層９２５ａの露出部分を除去して有機ＥＬ装置
が得られる。
クジェットヘッドから画素形成領域９０３…に、正孔注
入層用インクを吐出させるとともにこのインクを乾燥さ
せて正孔注入層９２３…を形成する。次に、一部の画素
形成領域９０３…に発光層用インクを吐出させるととも
にこのインクを乾燥させて、画素形成領域９０３…内に
Ｒ（赤色）の発光層９２４Ｒ…を形成する。次に図１９
に示すように、Ｒ（赤色）の発光層９２４Ｒ…の場合と
同様にして、Ｇ（緑色）の発光層９２４Ｇ…及びＢ（青
色）の発光層９２４Ｂ…を他の凹部９０３…に順次形成
する。各発光層９２４Ｒ…、９２４Ｇ…、９２４Ｂ…
は、バンク部９０４によって隣接する他の発光層から仕
切られているので、発光層同士が混合して混色すること
がない。最後に図２０に示すように、各発光層９２４Ｒ
…、９２４Ｇ…、９２４Ｂ…およびバンク部９０４上に
陰極形成用導電層９２５ａを形成し、この導電層９２５
ａ上にレジスト層９２５ｂを形成し、このレジスト層９
２５ｂに対して露光処理及びエッチング処理を施すこと
により、レジスト層９２５ｂに導電層パターンを形成
し、導電層９２５ａの露出部分を除去して有機ＥＬ装置
が得られる。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】ところで有機ＥＬ装置
に備えられる有機ＥＬ素子（画素）９３５を上記のよう
なインクジェット方式で形成する場合、バンク部９０４
の内周輪郭は、図１４及び図２０に示すように矩形状
で、一つのコーナ部が内側（画素領域形成領域側）に膨
らんだ形状となっており、これによってバンク部９０４
内の画素形成領域９０３の平面形状も一つのコーナ部が
画素中心部に向かって凸状となっている。なお、図２１
は、図１７に示した工程の平面図である。
に備えられる有機ＥＬ素子（画素）９３５を上記のよう
なインクジェット方式で形成する場合、バンク部９０４
の内周輪郭は、図１４及び図２０に示すように矩形状
で、一つのコーナ部が内側（画素領域形成領域側）に膨
らんだ形状となっており、これによってバンク部９０４
内の画素形成領域９０３の平面形状も一つのコーナ部が
画素中心部に向かって凸状となっている。なお、図２１
は、図１７に示した工程の平面図である。
【０００８】インクジェット法でバンク部内に発光層用
インクを着弾すると、このインクは着弾点から円周状に
広がっていくが、バンク部９０４の内周形状が上記のよ
うな形状であると、膨らんだ部分９０４ａを形成した部
分のバンク幅（対向する内壁間の幅）が狭いため、この
部分にインクが広がりにくく、バンク幅が広い部分Ｗ 1
に形成された発光層の膜厚とバンク幅が狭い部分Ｗ2に
形成された発光層の膜厚にバラツキが生じたり、バンク
幅が狭い部分Ｗ2に発光層が形成されていない欠落部が
できてしまうことがあった。このような問題は、インク
ジェット法でバンク部内に正孔注入層用インクを着弾す
る場合にも同様に生じ、正孔注入層の膜厚にバラツキが
生じたり、正孔注入層が形成されていない欠落部ができ
てしまうことがあった。このようにバンク部９０４内の
発光層９２４や正孔注入層９２３厚みにバラツキが生じ
たり、発光層や正孔注入層が形成されていない欠落部が
ある有機ＥＬ装置は、色ムラや、白欠陥（画素欠陥）が
生じたり、輝度ムラが生じ表示性能が悪くなってしま
う。
インクを着弾すると、このインクは着弾点から円周状に
広がっていくが、バンク部９０４の内周形状が上記のよ
うな形状であると、膨らんだ部分９０４ａを形成した部
分のバンク幅（対向する内壁間の幅）が狭いため、この
部分にインクが広がりにくく、バンク幅が広い部分Ｗ 1
に形成された発光層の膜厚とバンク幅が狭い部分Ｗ2に
形成された発光層の膜厚にバラツキが生じたり、バンク
幅が狭い部分Ｗ2に発光層が形成されていない欠落部が
できてしまうことがあった。このような問題は、インク
ジェット法でバンク部内に正孔注入層用インクを着弾す
る場合にも同様に生じ、正孔注入層の膜厚にバラツキが
生じたり、正孔注入層が形成されていない欠落部ができ
てしまうことがあった。このようにバンク部９０４内の
発光層９２４や正孔注入層９２３厚みにバラツキが生じ
たり、発光層や正孔注入層が形成されていない欠落部が
ある有機ＥＬ装置は、色ムラや、白欠陥（画素欠陥）が
生じたり、輝度ムラが生じ表示性能が悪くなってしま
う。
【０００９】従って、バンク部内に形成された有機ＥＬ
素子の膜厚にバラツキがあったり、有機ＥＬ素子が形成
されていない欠落部がある有機ＥＬ装置は不良と見なさ
れるため、有機ＥＬ素子９３５を上記のようなインクジ
ェット方式で形成する従来の有機ＥＬ装置の製造方法は
歩留まりが悪いという問題があった。以上の問題は、Ｔ
ＦＴ（Thin Film Transistor）素子に代表される３端子
型素子を用いるアクティブマトリクス型有機ＥＬ装置に
限った問題ではなく、ＴＦＤ（Thin Film Diode）素子
に代表される２端子型素子を用いるアクティブマトリク
ス型有機ＥＬ装置などにおいて、インクジェットヘッド
のノズルからバンク部内に有機ＥＬ素子用インクを吹き
つけて有機ＥＬ素子を形成した有機ＥＬ装置においても
生じる問題である。
素子の膜厚にバラツキがあったり、有機ＥＬ素子が形成
されていない欠落部がある有機ＥＬ装置は不良と見なさ
れるため、有機ＥＬ素子９３５を上記のようなインクジ
ェット方式で形成する従来の有機ＥＬ装置の製造方法は
歩留まりが悪いという問題があった。以上の問題は、Ｔ
ＦＴ（Thin Film Transistor）素子に代表される３端子
型素子を用いるアクティブマトリクス型有機ＥＬ装置に
限った問題ではなく、ＴＦＤ（Thin Film Diode）素子
に代表される２端子型素子を用いるアクティブマトリク
ス型有機ＥＬ装置などにおいて、インクジェットヘッド
のノズルからバンク部内に有機ＥＬ素子用インクを吹き
つけて有機ＥＬ素子を形成した有機ＥＬ装置においても
生じる問題である。
【００１０】本発明は上記事情に鑑みてなされたもので
あって、隔壁部内の画素形成領域（有機ＥＬ素子形成領
域）に発光層が形成されていない欠落部の発生と正孔注
入層が形成されていない欠落部の発生のうち少なくとも
一方を改善して有機ＥＬ素子の欠落部の発生を改善し、
膜厚が均一な有機ＥＬ素子が形成された有機ＥＬ装置を
提供することを目的とする。また、本発明は、上記の有
機ＥＬ装置を備えて、色ムラや白欠陥（画素欠陥）や輝
度ムラが改善され、表示性能を向上した電子機器を提供
することを目的とする。更に本発明は、隔壁部内の画素
形成領域（有機ＥＬ素子形成領域）に有機ＥＬ素子の欠
落部がなく、膜厚が均一な有機ＥＬ素子を形成すること
が可能で、歩留まりを向上できる有機ＥＬ装置の製造方
法を提供することを目的とする。
あって、隔壁部内の画素形成領域（有機ＥＬ素子形成領
域）に発光層が形成されていない欠落部の発生と正孔注
入層が形成されていない欠落部の発生のうち少なくとも
一方を改善して有機ＥＬ素子の欠落部の発生を改善し、
膜厚が均一な有機ＥＬ素子が形成された有機ＥＬ装置を
提供することを目的とする。また、本発明は、上記の有
機ＥＬ装置を備えて、色ムラや白欠陥（画素欠陥）や輝
度ムラが改善され、表示性能を向上した電子機器を提供
することを目的とする。更に本発明は、隔壁部内の画素
形成領域（有機ＥＬ素子形成領域）に有機ＥＬ素子の欠
落部がなく、膜厚が均一な有機ＥＬ素子を形成すること
が可能で、歩留まりを向上できる有機ＥＬ装置の製造方
法を提供することを目的とする。
【００１１】
【課題を解決するための手段】上記の目的を達成するた
めに、本発明は以下の構成を採用した。本発明の有機Ｅ
Ｌ装置は、基板上に、マトリクス状に配置された複数の
有機ＥＬ素子と、各有機ＥＬ素子に対してそれぞれ設け
られ、上記有機ＥＬ素子を駆動する半導体素子又は電気
回路が形成されてなる有機ＥＬ装置であり、上記基板上
に上記各有機ＥＬ素子を形成する有機ＥＬ素子形成領域
をそれぞれ取り囲む隔壁部が形成され、該隔壁部は対向
する内壁間の幅が略均一とされており、上記各有機ＥＬ
素子形成領域に有機ＥＬ素子用インクが吐出されて上記
複数の有機ＥＬ素子が形成されてなることを特徴とす
る。本発明において上記有機ＥＬ素子は、１層以上の発
光層を有するものである。また、上記有機ＥＬ素子は、
１層以上の発光層と、正孔注入層とを有するものであっ
てもよい。また、本発明において、上記発光層と上記正
孔注入層のうち少なくとも一方が上記各有機ＥＬ素子形
成領域にインク（発光層の場合は発光層用インク、正孔
注入層の場合は正孔注入層用インク）が吐出されて形成
されてなるものであってもよい。
めに、本発明は以下の構成を採用した。本発明の有機Ｅ
Ｌ装置は、基板上に、マトリクス状に配置された複数の
有機ＥＬ素子と、各有機ＥＬ素子に対してそれぞれ設け
られ、上記有機ＥＬ素子を駆動する半導体素子又は電気
回路が形成されてなる有機ＥＬ装置であり、上記基板上
に上記各有機ＥＬ素子を形成する有機ＥＬ素子形成領域
をそれぞれ取り囲む隔壁部が形成され、該隔壁部は対向
する内壁間の幅が略均一とされており、上記各有機ＥＬ
素子形成領域に有機ＥＬ素子用インクが吐出されて上記
複数の有機ＥＬ素子が形成されてなることを特徴とす
る。本発明において上記有機ＥＬ素子は、１層以上の発
光層を有するものである。また、上記有機ＥＬ素子は、
１層以上の発光層と、正孔注入層とを有するものであっ
てもよい。また、本発明において、上記発光層と上記正
孔注入層のうち少なくとも一方が上記各有機ＥＬ素子形
成領域にインク（発光層の場合は発光層用インク、正孔
注入層の場合は正孔注入層用インク）が吐出されて形成
されてなるものであってもよい。
【００１２】かかる構成の本発明の有機ＥＬ装置によれ
ば、有機ＥＬ素子形成領域（画素形成領域）を取り囲む
隔壁部は、対向する内壁間の幅が略均一とされたことに
より、隔壁部の内周輪郭は内側（画素形成領域側）に膨
らんだ部分がなく、言い換えれば、有機ＥＬ素子形成領
域の外周輪郭は画素中心部（有機ＥＬ素子中心部）に向
かって凸状になる部分がないので、この隔壁部の内側の
有機ＥＬ素子形成領域に吐出された有機ＥＬ素子用イン
クが均一に広がり易く、この有機ＥＬ素子用インクを乾
燥して得られる有機ＥＬ素子は有機ＥＬ素子が形成され
ていない欠落部がなく、膜厚が均一なものとすることが
できる。なお、ここで有機ＥＬ素子の欠落部がなく、膜
厚が均一なものとすることができるとは、上記発光層
が、上記各有機ＥＬ素子形成領域に発光層用インクが吐
出されて形成されたものである場合は、発光層が形成さ
れていない欠落部がなく、膜厚が均一な発光層が得られ
ることであり、上記正孔注入層が上記各有機ＥＬ素子形
成領域に正孔注入層用インクが吐出されて形成されてな
るものである場合は、正孔注入層が形成されていない欠
落部がなく、膜厚が均一な正孔注入層が得られることで
あり、上記発光層と正孔注入層の両方が、上記各有機Ｅ
Ｌ素子形成領域にインクが吐出されて形成されたもので
ある場合は、発光層及び正孔注入層が形成されていない
欠落部がなく、膜厚が均一な発光層及び正孔注入層が得
られることである。
ば、有機ＥＬ素子形成領域（画素形成領域）を取り囲む
隔壁部は、対向する内壁間の幅が略均一とされたことに
より、隔壁部の内周輪郭は内側（画素形成領域側）に膨
らんだ部分がなく、言い換えれば、有機ＥＬ素子形成領
域の外周輪郭は画素中心部（有機ＥＬ素子中心部）に向
かって凸状になる部分がないので、この隔壁部の内側の
有機ＥＬ素子形成領域に吐出された有機ＥＬ素子用イン
クが均一に広がり易く、この有機ＥＬ素子用インクを乾
燥して得られる有機ＥＬ素子は有機ＥＬ素子が形成され
ていない欠落部がなく、膜厚が均一なものとすることが
できる。なお、ここで有機ＥＬ素子の欠落部がなく、膜
厚が均一なものとすることができるとは、上記発光層
が、上記各有機ＥＬ素子形成領域に発光層用インクが吐
出されて形成されたものである場合は、発光層が形成さ
れていない欠落部がなく、膜厚が均一な発光層が得られ
ることであり、上記正孔注入層が上記各有機ＥＬ素子形
成領域に正孔注入層用インクが吐出されて形成されてな
るものである場合は、正孔注入層が形成されていない欠
落部がなく、膜厚が均一な正孔注入層が得られることで
あり、上記発光層と正孔注入層の両方が、上記各有機Ｅ
Ｌ素子形成領域にインクが吐出されて形成されたもので
ある場合は、発光層及び正孔注入層が形成されていない
欠落部がなく、膜厚が均一な発光層及び正孔注入層が得
られることである。
【００１３】従って、本発明の有機ＥＬ装置は、上記の
ように有機ＥＬ素子の欠落部がなく、膜厚が均一な有機
ＥＬ素子が備えられているので、有機ＥＬ素子欠落部に
起因する白欠陥（画素欠陥）を防止でき、また、有機Ｅ
Ｌ素子の膜厚のバラツキに起因する色ムラや輝度ムラを
防止でき、表示性能を向上できる。本発明の有機ＥＬ装
置は、上記有機ＥＬ素子を駆動する半導体素子としてＴ
ＦＴ（Thin Film Transistor）素子に代表される３端子
型素子や、ＴＦＤ（Thin Film Diode）素子に代表され
る２端子型素子が用いられたアクティブマトリックス型
有機ＥＬ装置だけでなく、上記有機ＥＬ素子を駆動する
電気回路としてセグメント電極やコモン電極等の電極が
用いられたパッシブマトリックス型有機ＥＬ装置にも適
用可能である。
ように有機ＥＬ素子の欠落部がなく、膜厚が均一な有機
ＥＬ素子が備えられているので、有機ＥＬ素子欠落部に
起因する白欠陥（画素欠陥）を防止でき、また、有機Ｅ
Ｌ素子の膜厚のバラツキに起因する色ムラや輝度ムラを
防止でき、表示性能を向上できる。本発明の有機ＥＬ装
置は、上記有機ＥＬ素子を駆動する半導体素子としてＴ
ＦＴ（Thin Film Transistor）素子に代表される３端子
型素子や、ＴＦＤ（Thin Film Diode）素子に代表され
る２端子型素子が用いられたアクティブマトリックス型
有機ＥＬ装置だけでなく、上記有機ＥＬ素子を駆動する
電気回路としてセグメント電極やコモン電極等の電極が
用いられたパッシブマトリックス型有機ＥＬ装置にも適
用可能である。
【００１４】上記構成の本発明の有機ＥＬ装置におい
て、上記隔壁部は、対向する内壁間の最大幅の大きさに
対する最小幅の大きさが０．８以上であってもよい。対
向する内壁間の最大幅の大きさに対する最小幅の大きさ
が０．８未満であると、インクジェット法で隔壁部の内
側に有機ＥＬ用インクを着弾した際に、上記内壁間の幅
の広い部分から狭い部分に有機ＥＬ用インクが広がりに
くくなり、この有機ＥＬ素子用インクを乾燥して得られ
る有機ＥＬ素子の厚みにバラツキが生じたり、有機ＥＬ
素子が形成されていない欠落部ができてしまう。また、
上記隔壁部は、対向する内壁間の幅が均一であることが
好ましい。また、上記隔壁部はその内周輪郭形状が左右
対称のものであってもよい。
て、上記隔壁部は、対向する内壁間の最大幅の大きさに
対する最小幅の大きさが０．８以上であってもよい。対
向する内壁間の最大幅の大きさに対する最小幅の大きさ
が０．８未満であると、インクジェット法で隔壁部の内
側に有機ＥＬ用インクを着弾した際に、上記内壁間の幅
の広い部分から狭い部分に有機ＥＬ用インクが広がりに
くくなり、この有機ＥＬ素子用インクを乾燥して得られ
る有機ＥＬ素子の厚みにバラツキが生じたり、有機ＥＬ
素子が形成されていない欠落部ができてしまう。また、
上記隔壁部は、対向する内壁間の幅が均一であることが
好ましい。また、上記隔壁部はその内周輪郭形状が左右
対称のものであってもよい。
【００１５】また、本発明の有機ＥＬ装置は、先に記載
の有機ＥＬ装置であり、上記隔壁部が感光性樹脂膜から
なることを特徴とする。また、本発明の有機ＥＬ装置
は、先に記載の有機ＥＬ装置であり、上記隔壁部がポリ
イミド系化合物からなることを特徴とする。
の有機ＥＬ装置であり、上記隔壁部が感光性樹脂膜から
なることを特徴とする。また、本発明の有機ＥＬ装置
は、先に記載の有機ＥＬ装置であり、上記隔壁部がポリ
イミド系化合物からなることを特徴とする。
【００１６】また、本発明の有機ＥＬ装置は、先に記載
の有機ＥＬ装置であり、上記基板と上記隔壁部との間に
絶縁膜が形成されたものであってもよい。また、本発明
の有機ＥＬ装置は、先に記載の有機ＥＬ装置であり、上
記絶縁膜に上記有機ＥＬ素子の一部を覆うようにはみ出
した半導体素子領域用絶縁部が設けられたものであって
もよい。かかる構成の有機ＥＬ装置によれば、隔壁部は
その対向する内壁間の幅が略均一のもの、言い換えれ
ば、隔壁部の内周輪郭は内側に膨らんだ部分がないもの
であっても、上記絶縁膜に、有機ＥＬ素子の一部を覆う
ようにはみ出させた部分を設け、このはみ出し部分を半
導体素子領域用絶縁部とすることができる。上記絶縁膜
に上記のような半導体素子領域用絶縁部が設けられてい
ると、上記半導体素子が電気的に短絡（ショート）する
のを防止できる。
の有機ＥＬ装置であり、上記基板と上記隔壁部との間に
絶縁膜が形成されたものであってもよい。また、本発明
の有機ＥＬ装置は、先に記載の有機ＥＬ装置であり、上
記絶縁膜に上記有機ＥＬ素子の一部を覆うようにはみ出
した半導体素子領域用絶縁部が設けられたものであって
もよい。かかる構成の有機ＥＬ装置によれば、隔壁部は
その対向する内壁間の幅が略均一のもの、言い換えれ
ば、隔壁部の内周輪郭は内側に膨らんだ部分がないもの
であっても、上記絶縁膜に、有機ＥＬ素子の一部を覆う
ようにはみ出させた部分を設け、このはみ出し部分を半
導体素子領域用絶縁部とすることができる。上記絶縁膜
に上記のような半導体素子領域用絶縁部が設けられてい
ると、上記半導体素子が電気的に短絡（ショート）する
のを防止できる。
【００１７】また、本発明の有機ＥＬ装置は、先に記載
の有機ＥＬ装置であり、上記有機ＥＬ素子と上記半導体
素子との間に、半導体素子領域用絶縁部が設けられてい
てもよい。上記のような半導体素子領域用絶縁部が設け
られていると、上記半導体素子が電気的に短絡（ショー
ト）するのを防止できる。
の有機ＥＬ装置であり、上記有機ＥＬ素子と上記半導体
素子との間に、半導体素子領域用絶縁部が設けられてい
てもよい。上記のような半導体素子領域用絶縁部が設け
られていると、上記半導体素子が電気的に短絡（ショー
ト）するのを防止できる。
【００１８】また、本発明の有機ＥＬ装置は、先に記載
の有機ＥＬ装置であり、上記隔壁部の層厚が０．３μｍ
〜３μｍであることを特徴とするものであってもよい。
上記隔壁部の層厚が３μｍより厚くなると、隔壁部の厚
みが厚くなってしまい、結果として有機ＥＬ装置の厚み
が大きくなり好ましくない。また、上記隔壁部の層厚が
０．３μｍ未満であると、該隔壁部の内側の有機ＥＬ素
子形成領域に有機ＥＬ素子用インクを吐出して有機ＥＬ
素子を形成する際に有機ＥＬ素子用インクが有機ＥＬ素
子形成領域の外にはみ出し易くなり、これによって隣接
する有機ＥＬ素子同士が接触して混色し、色にじみが生
じることがある。また、本発明の有機ＥＬ装置は、上記
隔壁部と上記基板との間に絶縁膜が形成された先に記載
の有機ＥＬ装置であり、上記絶縁膜の膜厚が０．３μｍ
以下であることを特徴とするものであってもよい。
の有機ＥＬ装置であり、上記隔壁部の層厚が０．３μｍ
〜３μｍであることを特徴とするものであってもよい。
上記隔壁部の層厚が３μｍより厚くなると、隔壁部の厚
みが厚くなってしまい、結果として有機ＥＬ装置の厚み
が大きくなり好ましくない。また、上記隔壁部の層厚が
０．３μｍ未満であると、該隔壁部の内側の有機ＥＬ素
子形成領域に有機ＥＬ素子用インクを吐出して有機ＥＬ
素子を形成する際に有機ＥＬ素子用インクが有機ＥＬ素
子形成領域の外にはみ出し易くなり、これによって隣接
する有機ＥＬ素子同士が接触して混色し、色にじみが生
じることがある。また、本発明の有機ＥＬ装置は、上記
隔壁部と上記基板との間に絶縁膜が形成された先に記載
の有機ＥＬ装置であり、上記絶縁膜の膜厚が０．３μｍ
以下であることを特徴とするものであってもよい。
【００１９】上記絶縁膜の膜厚が０．３μｍ以下（絶縁
膜表面とこの絶縁膜の下地層との段差が０．３μｍ以
下）であれば、絶縁膜の内壁と隔壁部の内壁が面一でな
くても（絶縁膜に有機ＥＬ素子の一部を覆うようにはみ
出した半導体素子領域用絶縁部が形成されていても）、
上記隔壁部の内側に形成された有機ＥＬ素子形成領域に
上記有機ＥＬ素子用インクを吐出したときに、このイン
クが絶縁膜を容易に乗り越えることができ、有機ＥＬ素
子用インクが均一に広がり易く、有機ＥＬ素子が形成さ
れていない欠落部がなく、膜厚が均一な有機ＥＬ素子が
得られ、特に、絶縁膜の上に正孔注入層が形成されてい
る場合は、正孔注入層が形成されていない欠落部がな
く、膜厚が均一な正孔注入層が得られる。
膜表面とこの絶縁膜の下地層との段差が０．３μｍ以
下）であれば、絶縁膜の内壁と隔壁部の内壁が面一でな
くても（絶縁膜に有機ＥＬ素子の一部を覆うようにはみ
出した半導体素子領域用絶縁部が形成されていても）、
上記隔壁部の内側に形成された有機ＥＬ素子形成領域に
上記有機ＥＬ素子用インクを吐出したときに、このイン
クが絶縁膜を容易に乗り越えることができ、有機ＥＬ素
子用インクが均一に広がり易く、有機ＥＬ素子が形成さ
れていない欠落部がなく、膜厚が均一な有機ＥＬ素子が
得られ、特に、絶縁膜の上に正孔注入層が形成されてい
る場合は、正孔注入層が形成されていない欠落部がな
く、膜厚が均一な正孔注入層が得られる。
【００２０】また、本発明の有機ＥＬ装置は、上記隔壁
部と上記基板との間に絶縁膜が形成され、該絶縁膜に上
記有機ＥＬ素子の一部を覆うようにはみ出した上記半導
体素子領域用絶縁部が形成された先に記載の有機ＥＬ装
置であり、上記半導体素子領域用絶縁部の膜厚が０．３
μｍ以下であるものであってもよい。また、本発明の有
機ＥＬ装置は、上記有機ＥＬ素子と上記半導体素子との
間に、半導体素子領域用絶縁部が設けられた先に記載の
有機ＥＬ装置であり、上記半導体素子領域用絶縁部の膜
厚が０．３μｍ以下であるものであってもよい。
部と上記基板との間に絶縁膜が形成され、該絶縁膜に上
記有機ＥＬ素子の一部を覆うようにはみ出した上記半導
体素子領域用絶縁部が形成された先に記載の有機ＥＬ装
置であり、上記半導体素子領域用絶縁部の膜厚が０．３
μｍ以下であるものであってもよい。また、本発明の有
機ＥＬ装置は、上記有機ＥＬ素子と上記半導体素子との
間に、半導体素子領域用絶縁部が設けられた先に記載の
有機ＥＬ装置であり、上記半導体素子領域用絶縁部の膜
厚が０．３μｍ以下であるものであってもよい。
【００２１】また、本発明の電子機器は、上記のいずれ
かの構成の本発明の有機ＥＬ装置を具備してなることを
特徴とする。かかる構成の電子機器によれば、有機ＥＬ
素子の欠落部に起因する白欠陥（画素欠陥）がなく、有
機ＥＬ素子の膜厚のバラツキに起因する色ムラや輝度ム
ラを防止でき、表示性能を向上させた本発明の有機ＥＬ
装置が備えられたことにより、表示部の視認性を向上さ
せることが可能になる。
かの構成の本発明の有機ＥＬ装置を具備してなることを
特徴とする。かかる構成の電子機器によれば、有機ＥＬ
素子の欠落部に起因する白欠陥（画素欠陥）がなく、有
機ＥＬ素子の膜厚のバラツキに起因する色ムラや輝度ム
ラを防止でき、表示性能を向上させた本発明の有機ＥＬ
装置が備えられたことにより、表示部の視認性を向上さ
せることが可能になる。
【００２２】また、本発明の有機ＥＬ装置の製造方法
は、基板上に隔壁部材料層を形成する工程と、上記隔壁
部材料層に孔を複数形成し、対向する内壁間の幅が略均
一な隔壁部を形成する工程と、上記孔内に有機ＥＬ素子
用インクを吐出した後に該有機ＥＬ素子用インクを乾燥
することにより有機ＥＬ素子を形成する工程とを具備し
てなることを特徴とする。かかる構成の有機ＥＬ装置の
製造方法によれば、隔壁部を形成する工程で形成された
隔壁部は対向する内壁間の幅が略均一なものであるの
で、隔壁部の内周輪郭は内側に膨らんだ部分がなく、言
い換えれば、上記孔の外周輪郭（上記隔壁部の内側の有
機ＥＬ素子形成領域の外周輪郭）は有機ＥＬ素子形成領
域中心部に向かって凸状になる部分がないので、有機Ｅ
Ｌ素子形成工程において上記隔壁部の内側の有機ＥＬ素
子形成領域に有機ＥＬ素子用インクを吐出すると、この
有機ＥＬ用インクが均一に広がり易く、この均一に広が
った有機ＥＬ素子用インクを乾燥すると、有機ＥＬ素子
の欠落部がなく、膜厚が均一な有機ＥＬ素子を形成する
ことができる。かかる構成の有機ＥＬ装置の製造方法に
よれば、有機ＥＬ素子の欠落部がなく、膜厚が均一な有
機ＥＬ素子を形成することができるので、歩留まりを向
上できる。
は、基板上に隔壁部材料層を形成する工程と、上記隔壁
部材料層に孔を複数形成し、対向する内壁間の幅が略均
一な隔壁部を形成する工程と、上記孔内に有機ＥＬ素子
用インクを吐出した後に該有機ＥＬ素子用インクを乾燥
することにより有機ＥＬ素子を形成する工程とを具備し
てなることを特徴とする。かかる構成の有機ＥＬ装置の
製造方法によれば、隔壁部を形成する工程で形成された
隔壁部は対向する内壁間の幅が略均一なものであるの
で、隔壁部の内周輪郭は内側に膨らんだ部分がなく、言
い換えれば、上記孔の外周輪郭（上記隔壁部の内側の有
機ＥＬ素子形成領域の外周輪郭）は有機ＥＬ素子形成領
域中心部に向かって凸状になる部分がないので、有機Ｅ
Ｌ素子形成工程において上記隔壁部の内側の有機ＥＬ素
子形成領域に有機ＥＬ素子用インクを吐出すると、この
有機ＥＬ用インクが均一に広がり易く、この均一に広が
った有機ＥＬ素子用インクを乾燥すると、有機ＥＬ素子
の欠落部がなく、膜厚が均一な有機ＥＬ素子を形成する
ことができる。かかる構成の有機ＥＬ装置の製造方法に
よれば、有機ＥＬ素子の欠落部がなく、膜厚が均一な有
機ＥＬ素子を形成することができるので、歩留まりを向
上できる。
【００２３】また、上記構成の本発明の有機ＥＬ装置の
製造方法において、上記隔壁部材料層を感光性樹脂膜か
ら構成し、この隔壁部材料層上にフォトマスクを載置し
て露光、現像を行うことにより、上記複数の孔を形成し
てもよい。上記の感光性樹脂膜は、ポジ型若しくはネガ
型のフォトレジスト材料を含むものであり、フォトリソ
グラフィ技術によって任意のパターン形状に加工でき
る。また、上記のいずれかの構成の本発明の有機ＥＬ装
置の製造方法において、上記隔壁部材料層をポリイミド
系化合物から形成し、この隔壁部材料層上にフォトマス
クを載置して露光、現像を行うことにより、上記複数の
孔を形成してもよい。
製造方法において、上記隔壁部材料層を感光性樹脂膜か
ら構成し、この隔壁部材料層上にフォトマスクを載置し
て露光、現像を行うことにより、上記複数の孔を形成し
てもよい。上記の感光性樹脂膜は、ポジ型若しくはネガ
型のフォトレジスト材料を含むものであり、フォトリソ
グラフィ技術によって任意のパターン形状に加工でき
る。また、上記のいずれかの構成の本発明の有機ＥＬ装
置の製造方法において、上記隔壁部材料層をポリイミド
系化合物から形成し、この隔壁部材料層上にフォトマス
クを載置して露光、現像を行うことにより、上記複数の
孔を形成してもよい。
【００２４】また、上記のいずれかの構成の本発明の有
機ＥＬ装置の製造方法において、上記隔壁部形成工程前
に、上記基板と上記隔壁部との間に絶縁膜を形成すると
ともに該絶縁膜に上記孔内の有機ＥＬ素子形成領域の一
部を覆うようにはみ出した半導体素子領域用絶縁部を形
成する絶縁膜形成工程を具備するようにしてもよい。ま
た、上記のいずれかの構成の本発明の有機ＥＬ装置の製
造方法において、上記隔壁部形成工程前に、前記基板上
に形成された半導体素子と上記孔内の有機ＥＬ素子形成
領域との間に、半導体素子領域用絶縁部を形成する工程
を具備するようにしてもよい。
機ＥＬ装置の製造方法において、上記隔壁部形成工程前
に、上記基板と上記隔壁部との間に絶縁膜を形成すると
ともに該絶縁膜に上記孔内の有機ＥＬ素子形成領域の一
部を覆うようにはみ出した半導体素子領域用絶縁部を形
成する絶縁膜形成工程を具備するようにしてもよい。ま
た、上記のいずれかの構成の本発明の有機ＥＬ装置の製
造方法において、上記隔壁部形成工程前に、前記基板上
に形成された半導体素子と上記孔内の有機ＥＬ素子形成
領域との間に、半導体素子領域用絶縁部を形成する工程
を具備するようにしてもよい。
【００２５】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施形態を図面を
参照して説明する。尚、図１〜図３６において、各層や
各部材を図面上で認識可能な程度の大きさとするため、
各層や各部材に縮尺は実際のものとは異なるように表し
ている。
参照して説明する。尚、図１〜図３６において、各層や
各部材を図面上で認識可能な程度の大きさとするため、
各層や各部材に縮尺は実際のものとは異なるように表し
ている。
【００２６】［第１の実施形態］第１の実施形態では、
本発明の有機ＥＬ装置をフルカラー表示を行うアクティ
ブマトリックス型有機ＥＬ装置（以下、有機ＥＬ装置）
に適用した場合について説明する。図１は、第１の実施
形態の有機ＥＬ装置を基板側（観察者側）から見たとき
を示す平面図である。図２は、この有機ＥＬ装置を基板
と反対側（観察者側と反対側）から見たときを示す部分
平面図である。図３は、図２のＣ−Ｃ線断面図である。
なお、図２は、陰極が省略がされており、斜線で示した
部分は隔壁部である。本実施形態の有機ＥＬ装置は、図
１乃至図３に示すようにガラスまたはプラスチックフィ
ルム等からなる光透過性基板（以下、基板）５２上に光
透過性絶縁膜５７が形成され、さらにこの絶縁膜５７上
に、後述の各画素（有機ＥＬ素子）３５に対応して設け
られた画素用電極１９が配置され、各画素３５毎に、駆
動用の半導体素子として、スイッチングトランジスタ
（スイッチング素子）３４、ドライビングトランジスタ
３７、容量３６が設けられている。また、これらの素子
は、信号線３１、電源線３２、走査線３３、容量線３８
等の配線により、駆動回路（図示略）と接続されてい
る。上記の両トランジスタ３４、３７、容量３６及びこ
れらの近傍領域は、半導体素子領域３９である。
本発明の有機ＥＬ装置をフルカラー表示を行うアクティ
ブマトリックス型有機ＥＬ装置（以下、有機ＥＬ装置）
に適用した場合について説明する。図１は、第１の実施
形態の有機ＥＬ装置を基板側（観察者側）から見たとき
を示す平面図である。図２は、この有機ＥＬ装置を基板
と反対側（観察者側と反対側）から見たときを示す部分
平面図である。図３は、図２のＣ−Ｃ線断面図である。
なお、図２は、陰極が省略がされており、斜線で示した
部分は隔壁部である。本実施形態の有機ＥＬ装置は、図
１乃至図３に示すようにガラスまたはプラスチックフィ
ルム等からなる光透過性基板（以下、基板）５２上に光
透過性絶縁膜５７が形成され、さらにこの絶縁膜５７上
に、後述の各画素（有機ＥＬ素子）３５に対応して設け
られた画素用電極１９が配置され、各画素３５毎に、駆
動用の半導体素子として、スイッチングトランジスタ
（スイッチング素子）３４、ドライビングトランジスタ
３７、容量３６が設けられている。また、これらの素子
は、信号線３１、電源線３２、走査線３３、容量線３８
等の配線により、駆動回路（図示略）と接続されてい
る。上記の両トランジスタ３４、３７、容量３６及びこ
れらの近傍領域は、半導体素子領域３９である。
【００２７】これら画素用電極１９、両トランジスタ３
４、３７、容量３６、信号線３１等の配線が形成された
絶縁膜５２上に、画素形成領域（有機ＥＬ素子形成領
域）３…に対応した複数の孔５７ａ…が形成された絶縁
膜５７ｂが設けられ、さらにこの絶縁膜５７ｂ上に隔壁
部４が形成されている。隔壁部４は、図２と図４に示す
ように各有機ＥＬ素子３５を形成する各有機ＥＬ素子形
成領域３をそれぞれ取り囲むように形成された格子状の
ものである。隔壁部４は、孔３ａ…を複数有している。
これら孔３ａ…は、画素形成領域３…に対応して設けら
れている。各孔３ａ内には画素用電極１９面が露出して
いる。この隔壁部４の孔３ａと上記絶縁膜５７ｂの孔５
７ａとは連通している。そして各有機ＥＬ素子形成領域
３は、孔３ａ（隔壁部４の内壁３ｂ）の壁面、孔５７ａ
の壁面と、画素用電極１９とにより区画されている。
４、３７、容量３６、信号線３１等の配線が形成された
絶縁膜５２上に、画素形成領域（有機ＥＬ素子形成領
域）３…に対応した複数の孔５７ａ…が形成された絶縁
膜５７ｂが設けられ、さらにこの絶縁膜５７ｂ上に隔壁
部４が形成されている。隔壁部４は、図２と図４に示す
ように各有機ＥＬ素子３５を形成する各有機ＥＬ素子形
成領域３をそれぞれ取り囲むように形成された格子状の
ものである。隔壁部４は、孔３ａ…を複数有している。
これら孔３ａ…は、画素形成領域３…に対応して設けら
れている。各孔３ａ内には画素用電極１９面が露出して
いる。この隔壁部４の孔３ａと上記絶縁膜５７ｂの孔５
７ａとは連通している。そして各有機ＥＬ素子形成領域
３は、孔３ａ（隔壁部４の内壁３ｂ）の壁面、孔５７ａ
の壁面と、画素用電極１９とにより区画されている。
【００２８】隔壁部４はその内周輪郭形状が矩形状とな
っており、言い換えれば、各孔３ａの周縁の輪郭形状が
矩形状となっている。隔壁部４は対向する内壁３ｂ、３
ｂ間の幅Ｗ（孔３ａ内の対向する壁面３ｂ間の幅）が略
均一とされており、好ましくは均一とされている。従っ
て、この隔壁部４はその内周輪郭形状が左右対称とされ
ている。隔壁部４の対向する内壁３ｂ、３ｂ間の幅Ｗの
許容範囲としては、対向する内壁３ｂ、３ｂ間の最大幅
の大きさに対する最小幅の大きさが０．８以上であって
もよい。対向する内壁３ｂ、３ｂ間の最大幅の大きさに
対する最小幅の大きさが０．８未満であると、インクジ
ェット法で孔３ａ内に有機ＥＬ素子用インクを着弾した
際に、内壁３ｂ、３ｂ間の幅の広い部分から狭い部分に
有機ＥＬ素子用インクが広がりにくくなり、この有機Ｅ
Ｌ素子用インクを乾燥して得られる発光層や正孔注入層
等のような有機ＥＬ素子を構成する層の厚みにバラツキ
が生じたり、発光層や正孔注入層等のような有機ＥＬ素
子を構成する層が形成されていない欠落部ができてしま
う。
っており、言い換えれば、各孔３ａの周縁の輪郭形状が
矩形状となっている。隔壁部４は対向する内壁３ｂ、３
ｂ間の幅Ｗ（孔３ａ内の対向する壁面３ｂ間の幅）が略
均一とされており、好ましくは均一とされている。従っ
て、この隔壁部４はその内周輪郭形状が左右対称とされ
ている。隔壁部４の対向する内壁３ｂ、３ｂ間の幅Ｗの
許容範囲としては、対向する内壁３ｂ、３ｂ間の最大幅
の大きさに対する最小幅の大きさが０．８以上であって
もよい。対向する内壁３ｂ、３ｂ間の最大幅の大きさに
対する最小幅の大きさが０．８未満であると、インクジ
ェット法で孔３ａ内に有機ＥＬ素子用インクを着弾した
際に、内壁３ｂ、３ｂ間の幅の広い部分から狭い部分に
有機ＥＬ素子用インクが広がりにくくなり、この有機Ｅ
Ｌ素子用インクを乾燥して得られる発光層や正孔注入層
等のような有機ＥＬ素子を構成する層の厚みにバラツキ
が生じたり、発光層や正孔注入層等のような有機ＥＬ素
子を構成する層が形成されていない欠落部ができてしま
う。
【００２９】この隔壁部４は、感光性樹脂膜からなるも
のである。感光性樹脂膜は例えば、ヘキサフルオロポリ
プロピレン等のフッ素樹脂と、通常のフォトレジストに
用いられるようなポジ型若しくはネガ型の感光性樹脂を
少なくとも含み、更に可視光領域の光透過性に優れたも
のが好ましい。また、この隔壁部４は、黒色感光性樹脂
膜から構成されていてもよい。隔壁部４の層厚ｔ2は例
えば０．３〜３μｍの範囲が好ましく、より好ましくは
２．５μｍ程度とされる。上記のように隔壁部４は内壁
３ｂ、３ｂ間の幅が略均一とされているので、隔壁部４
の内周輪郭は内側（有機ＥＬ素子形成領域側）に膨らん
だ部分がなく、従って、この隔壁部４の内側の有機ＥＬ
素子形成領域３の外周輪郭は有機ＥＬ素子中心部に向か
って凸状になる部分がない。
のである。感光性樹脂膜は例えば、ヘキサフルオロポリ
プロピレン等のフッ素樹脂と、通常のフォトレジストに
用いられるようなポジ型若しくはネガ型の感光性樹脂を
少なくとも含み、更に可視光領域の光透過性に優れたも
のが好ましい。また、この隔壁部４は、黒色感光性樹脂
膜から構成されていてもよい。隔壁部４の層厚ｔ2は例
えば０．３〜３μｍの範囲が好ましく、より好ましくは
２．５μｍ程度とされる。上記のように隔壁部４は内壁
３ｂ、３ｂ間の幅が略均一とされているので、隔壁部４
の内周輪郭は内側（有機ＥＬ素子形成領域側）に膨らん
だ部分がなく、従って、この隔壁部４の内側の有機ＥＬ
素子形成領域３の外周輪郭は有機ＥＬ素子中心部に向か
って凸状になる部分がない。
【００３０】各有機ＥＬ素子形成領域３には、正孔注入
層２３と発光層２４が形成され、これらにより画素（有
機ＥＬ素子）３５が構成されている。正孔注入層２３
は、上記画素用電極１９上に設けられており、発光層２
４の上にＬｉを含むＡｌ等からなる陰極２５が形成され
ている。正孔注入層２３…は、有機ＥＬ素子形成領域３
…内に正孔注入層形成インクを吐出させて乾燥させるこ
とにより形成したものである。。各正孔注入層２３は、
例えば、４、４’ービス（ｍートリルフェニルアミノ）
ビフェニル（ＴＰＤ）、４、４’ービス［Ｎー（１ナフ
チル）ーＮーフェニルアミノ］ビフェニル（αーＮＰ
Ｄ）、４、４’、４’’ートリス［Ｎー（３ーメチルフ
ェニル）ーＮーフェニルアミノ］トリフェニルアミン
（ｍーＭＴＤＡＴＡ）などのトリフェニルアミン誘導体
や、ポリビニルカルバゾール、ポリエチレンジオキシチ
オフェンなどの材料を使用したものなどが挙げられる。
また、正孔輸送層２３に使用される材料としては、１種
または複数種使用することができる。
層２３と発光層２４が形成され、これらにより画素（有
機ＥＬ素子）３５が構成されている。正孔注入層２３
は、上記画素用電極１９上に設けられており、発光層２
４の上にＬｉを含むＡｌ等からなる陰極２５が形成され
ている。正孔注入層２３…は、有機ＥＬ素子形成領域３
…内に正孔注入層形成インクを吐出させて乾燥させるこ
とにより形成したものである。。各正孔注入層２３は、
例えば、４、４’ービス（ｍートリルフェニルアミノ）
ビフェニル（ＴＰＤ）、４、４’ービス［Ｎー（１ナフ
チル）ーＮーフェニルアミノ］ビフェニル（αーＮＰ
Ｄ）、４、４’、４’’ートリス［Ｎー（３ーメチルフ
ェニル）ーＮーフェニルアミノ］トリフェニルアミン
（ｍーＭＴＤＡＴＡ）などのトリフェニルアミン誘導体
や、ポリビニルカルバゾール、ポリエチレンジオキシチ
オフェンなどの材料を使用したものなどが挙げられる。
また、正孔輸送層２３に使用される材料としては、１種
または複数種使用することができる。
【００３１】発光層２４…は、Ｒ（赤）、Ｇ（緑）、Ｂ
（青）の３原色にそれぞれ対応する赤色発光する発光
層、緑色発光する発光層…、青色発光する発光層を具備
してなるものである。発光層２４…は有機ＥＬ素子形成
領域３…内に形成された正孔注入層２３上に発光層用イ
ンクを吐出させて乾燥させることにより形成したもので
ある。上記赤色発光する発光層としては、赤色発光が得
られる有機のＥｌ材料からなるものとすることができ、
好ましくは、ローダミンおよびその誘導体などの有機Ｅ
Ｌ材料からなるものとされる。また、赤色発光する発光
層に使用される材料としては、１種または複数種使用す
ることができる。また、緑色発光する発光層は、緑色発
光が得られる有機のＥＬ材料（エレクトロルミネッセン
ス材料）からなるものとすることができ、好ましくは、
キナクリドンおよびその誘導体などの有機ＥＬ材料から
なるものとされる。また、緑色発光する発光層に使用さ
れる材料としては、１種または複数種使用することがで
きる。また、青色発光する発光層としては、青色発光が
得られる有機のＥＬ材料からなるものとすることがで
き、好ましくは、ジスチリルビフェニルおよびその誘導
体、クマリンおよびその誘導体、テトラフェニルブタジ
エンおよびその誘導体などの有機ＥＬ材料からなるもの
とされる。また、青色発光する発光層に使用される材料
としては、１種または複数種使用することができる。
（青）の３原色にそれぞれ対応する赤色発光する発光
層、緑色発光する発光層…、青色発光する発光層を具備
してなるものである。発光層２４…は有機ＥＬ素子形成
領域３…内に形成された正孔注入層２３上に発光層用イ
ンクを吐出させて乾燥させることにより形成したもので
ある。上記赤色発光する発光層としては、赤色発光が得
られる有機のＥｌ材料からなるものとすることができ、
好ましくは、ローダミンおよびその誘導体などの有機Ｅ
Ｌ材料からなるものとされる。また、赤色発光する発光
層に使用される材料としては、１種または複数種使用す
ることができる。また、緑色発光する発光層は、緑色発
光が得られる有機のＥＬ材料（エレクトロルミネッセン
ス材料）からなるものとすることができ、好ましくは、
キナクリドンおよびその誘導体などの有機ＥＬ材料から
なるものとされる。また、緑色発光する発光層に使用さ
れる材料としては、１種または複数種使用することがで
きる。また、青色発光する発光層としては、青色発光が
得られる有機のＥＬ材料からなるものとすることがで
き、好ましくは、ジスチリルビフェニルおよびその誘導
体、クマリンおよびその誘導体、テトラフェニルブタジ
エンおよびその誘導体などの有機ＥＬ材料からなるもの
とされる。また、青色発光する発光層に使用される材料
としては、１種または複数種使用することができる。
【００３２】各有機ＥＬ素子３５は、赤、緑、青のうち
いずれかの色を発光し、これら有機ＥＬ素子３５…は所
定の配列で並べられている。赤色発光する有機ＥＬ素子
３５Ｒは、赤色発光する発光層を有しており、緑色発光
する有機ＥＬ素子３５Ｇは緑色発光する発光層を有して
おり、青色発光する有機ＥＬ素子３５Ｂは青色発光する
発光層を有している。
いずれかの色を発光し、これら有機ＥＬ素子３５…は所
定の配列で並べられている。赤色発光する有機ＥＬ素子
３５Ｒは、赤色発光する発光層を有しており、緑色発光
する有機ＥＬ素子３５Ｇは緑色発光する発光層を有して
おり、青色発光する有機ＥＬ素子３５Ｂは青色発光する
発光層を有している。
【００３３】各有機ＥＬ素子３５に設けられた電極１
９、２５に印加する電圧を制御することによって、有機
ＥＬ素子３５を発光させ、これによりフルカラーの表示
を行うようになっている。発光層２４の厚さｔ3は図３
に示すように、隔壁部４の層厚ｔ2よりも小さく設定さ
れている。発光層２４５…の厚さｔ3は例えば０．３〜
０．２μｍの範囲が好ましく、より好ましくは０．６±
０．３μｍの範囲が好ましい。
９、２５に印加する電圧を制御することによって、有機
ＥＬ素子３５を発光させ、これによりフルカラーの表示
を行うようになっている。発光層２４の厚さｔ3は図３
に示すように、隔壁部４の層厚ｔ2よりも小さく設定さ
れている。発光層２４５…の厚さｔ3は例えば０．３〜
０．２μｍの範囲が好ましく、より好ましくは０．６±
０．３μｍの範囲が好ましい。
【００３４】絶縁膜５７ｂは、信号線３１、電源線３２
等の配線の保護と、隣接する配線が電気的に短絡（ショ
ート）するのを防止する機能を有している。この絶縁膜
５７ｂは、ＳｉＯ2膜などからなるものである。絶縁膜
５７ｂの膜厚は０．３μｍ以下が好ましい。また、この
絶縁膜５７ｂは黒色感光性樹脂から形成されていてもよ
い。絶縁膜５７ｂの膜厚ｔ4が０．３μｍ以下であれ
ば、絶縁膜５７ｂの内壁と隔壁部４の内壁３ｂが面一で
なくても、隔壁部４の内側に形成された有機ＥＬ素子形
成領域３にインクジェット法で有機ＥＬ素子用インクを
吐出したときに、このインクが絶縁膜５７ｂを容易に乗
り越えることができ、インクが均一に広がり易く、有機
ＥＬ素子の欠落部がなく、膜厚が均一な有機ＥＬ素子が
得られる。また、本実施形態の場合は、絶縁膜５７ｂ表
面と画素用電極１９の表面との段差が０．３μｍ以下で
あることが有機ＥＬ素子形成領域３にインクジェット法
で有機ＥＬ素子用インクを吐出したときに、このインク
が絶縁膜５７ｂを容易に乗り越えることができ、インク
が均一に広がり易い点で望ましい。
等の配線の保護と、隣接する配線が電気的に短絡（ショ
ート）するのを防止する機能を有している。この絶縁膜
５７ｂは、ＳｉＯ2膜などからなるものである。絶縁膜
５７ｂの膜厚は０．３μｍ以下が好ましい。また、この
絶縁膜５７ｂは黒色感光性樹脂から形成されていてもよ
い。絶縁膜５７ｂの膜厚ｔ4が０．３μｍ以下であれ
ば、絶縁膜５７ｂの内壁と隔壁部４の内壁３ｂが面一で
なくても、隔壁部４の内側に形成された有機ＥＬ素子形
成領域３にインクジェット法で有機ＥＬ素子用インクを
吐出したときに、このインクが絶縁膜５７ｂを容易に乗
り越えることができ、インクが均一に広がり易く、有機
ＥＬ素子の欠落部がなく、膜厚が均一な有機ＥＬ素子が
得られる。また、本実施形態の場合は、絶縁膜５７ｂ表
面と画素用電極１９の表面との段差が０．３μｍ以下で
あることが有機ＥＬ素子形成領域３にインクジェット法
で有機ＥＬ素子用インクを吐出したときに、このインク
が絶縁膜５７ｂを容易に乗り越えることができ、インク
が均一に広がり易い点で望ましい。
【００３５】絶縁膜５７ｂには、有機ＥＬ素子３５の一
部を覆うようにはみ出した半導体素子領域用絶縁部２１
ｂが設けられている。また、この半導体素子領域用絶縁
部２１ｂは、上記有機ＥＬ素子３５と半導体素子領域３
９との間に設けられているので、半導体素子領域用絶縁
部２１ｂは有機ＥＬ素子３５と上記半導体素子との間に
設けられたことになり、上記半導体素子が電気的に短絡
（ショート）するのを防止する機能を有している。上記
隔壁部４の上面（基板側と反対側）と陰極２５は、図示
略の封止剤あるいはオーバーコート膜により覆われてい
る。
部を覆うようにはみ出した半導体素子領域用絶縁部２１
ｂが設けられている。また、この半導体素子領域用絶縁
部２１ｂは、上記有機ＥＬ素子３５と半導体素子領域３
９との間に設けられているので、半導体素子領域用絶縁
部２１ｂは有機ＥＬ素子３５と上記半導体素子との間に
設けられたことになり、上記半導体素子が電気的に短絡
（ショート）するのを防止する機能を有している。上記
隔壁部４の上面（基板側と反対側）と陰極２５は、図示
略の封止剤あるいはオーバーコート膜により覆われてい
る。
【００３６】本実施形態の有機ＥＬ装置によれば、有機
ＥＬ素子形成領域（画素形成領域）３を取り囲む隔壁部
４は、対向する内壁３ｂ、３ｂ間の幅Ｗが略均一とした
ことにより、隔壁部４の内周輪郭は内側に膨らんだ部分
がなく、言い換えれば、有機ＥＬ素子形成領域３の外周
輪郭は有機ＥＬ素子中心部に向かって凸状になる部分が
ないので、この隔壁部４の内側の有機ＥＬ素子形成領域
３に吐出された有機ＥＬ素子用インクが均一に広がり易
く、この有機ＥＬ素子用インクを乾燥して得られる有機
ＥＬ素子３５は有機ＥＬ素子が形成されていない欠落部
がなく、膜厚が均一なものとすることができる。本実施
形態の有機ＥＬ装置は、上記のように有機ＥＬ素子の欠
落部がなく、膜厚が均一な有機ＥＬ素子が備えられてい
るので、有機ＥＬ素子欠落部に起因する白欠陥（画素欠
陥）を防止でき、また、有機ＥＬ素子の膜厚のバラツキ
に起因する色ムラや輝度ムラを防止でき、表示性能を向
上できる。
ＥＬ素子形成領域（画素形成領域）３を取り囲む隔壁部
４は、対向する内壁３ｂ、３ｂ間の幅Ｗが略均一とした
ことにより、隔壁部４の内周輪郭は内側に膨らんだ部分
がなく、言い換えれば、有機ＥＬ素子形成領域３の外周
輪郭は有機ＥＬ素子中心部に向かって凸状になる部分が
ないので、この隔壁部４の内側の有機ＥＬ素子形成領域
３に吐出された有機ＥＬ素子用インクが均一に広がり易
く、この有機ＥＬ素子用インクを乾燥して得られる有機
ＥＬ素子３５は有機ＥＬ素子が形成されていない欠落部
がなく、膜厚が均一なものとすることができる。本実施
形態の有機ＥＬ装置は、上記のように有機ＥＬ素子の欠
落部がなく、膜厚が均一な有機ＥＬ素子が備えられてい
るので、有機ＥＬ素子欠落部に起因する白欠陥（画素欠
陥）を防止でき、また、有機ＥＬ素子の膜厚のバラツキ
に起因する色ムラや輝度ムラを防止でき、表示性能を向
上できる。
【００３７】次に、インクジェット方式による有機ＥＬ
素子の製造工程を備えた本実施形態の有機ＥＬ装置の製
造方法、図１乃至図４に示す有機ＥＬ装置を例にして、
図５〜図１１を参照して説明する。まず図５に示すよう
に光透過性絶縁膜５７、画素用電極１９、スイッチング
トランジスタ３４、ドライビングトランジスタ３７、容
量３６、信号線３１、電源線３２、走査線３３、容量線
３８等の配線、絶縁膜５７ｂが形成された光透過性基板
５２上に、絶縁膜５７ｂおよび画素用電極１９を覆う隔
壁部材料層２を形成し、さらにこの上に感光性樹脂膜か
らなる隔壁部材料層２を形成する。
素子の製造工程を備えた本実施形態の有機ＥＬ装置の製
造方法、図１乃至図４に示す有機ＥＬ装置を例にして、
図５〜図１１を参照して説明する。まず図５に示すよう
に光透過性絶縁膜５７、画素用電極１９、スイッチング
トランジスタ３４、ドライビングトランジスタ３７、容
量３６、信号線３１、電源線３２、走査線３３、容量線
３８等の配線、絶縁膜５７ｂが形成された光透過性基板
５２上に、絶縁膜５７ｂおよび画素用電極１９を覆う隔
壁部材料層２を形成し、さらにこの上に感光性樹脂膜か
らなる隔壁部材料層２を形成する。
【００３８】ここでの絶縁膜５７ｂは基板５２上に絶縁
膜５７を介して形成した絶縁層上にフォトレジスト層を
形成、このフォトレジスト層に対して露光処理及びエッ
チング処理を施し、フォトレジスト層の一部を除去して
複数の孔を形成し、上記絶縁層の露出部分をエッチング
することにより形成されている。絶縁膜５７ｂの厚みは
０．３μｍ以下とされている。ここでの絶縁膜形成工程
において、上記絶縁層のうち後述の有機ＥＬ素子形成領
域にはみ出す部分の一部を残存させて半導体素子領域用
絶縁部２１ｂを形成してもよい。この半導体素子領域用
絶縁部２１ｂを形成すると、後工程で形成する隔壁部４
の孔３ａの壁面と絶縁膜５７ｂの孔５７ａの壁面は面一
とならない。
膜５７を介して形成した絶縁層上にフォトレジスト層を
形成、このフォトレジスト層に対して露光処理及びエッ
チング処理を施し、フォトレジスト層の一部を除去して
複数の孔を形成し、上記絶縁層の露出部分をエッチング
することにより形成されている。絶縁膜５７ｂの厚みは
０．３μｍ以下とされている。ここでの絶縁膜形成工程
において、上記絶縁層のうち後述の有機ＥＬ素子形成領
域にはみ出す部分の一部を残存させて半導体素子領域用
絶縁部２１ｂを形成してもよい。この半導体素子領域用
絶縁部２１ｂを形成すると、後工程で形成する隔壁部４
の孔３ａの壁面と絶縁膜５７ｂの孔５７ａの壁面は面一
とならない。
【００３９】隔壁部材料層２は上記のように感光性樹脂
膜からなるもので、例えば感光性樹脂を溶媒に溶かして
調製した樹脂組成物を、スピンコート法等により塗布
し、プリベークして溶媒を揮発させることで形成する。
この感光性樹脂膜は、例えばネガ型の透明アクリル系感
光性樹脂（フォトレジスト材料）を含むものである。こ
こで用いた感光性樹脂膜はスピンコート法等により塗布
すると共にプリベークすることで隔壁部材料層２を形成
している。
膜からなるもので、例えば感光性樹脂を溶媒に溶かして
調製した樹脂組成物を、スピンコート法等により塗布
し、プリベークして溶媒を揮発させることで形成する。
この感光性樹脂膜は、例えばネガ型の透明アクリル系感
光性樹脂（フォトレジスト材料）を含むものである。こ
こで用いた感光性樹脂膜はスピンコート法等により塗布
すると共にプリベークすることで隔壁部材料層２を形成
している。
【００４０】次に図６に示すように、隔壁部材料層２上
にフォトマスクフィルムＭを配置し、紫外線等を照射し
て露光を行い、露光部分を硬化させる。次に、図７
（ａ）に示すように、基板５２を例えばアルカリ性の現
像液に浸漬して、隔壁部材料層２のうちの未露光部分を
除去することにより、隔壁部材料層２をパターニングし
て複数の孔３ａ…を形成すると、隔壁部４が得られる。
図７（ｂ）は、ここで形成された隔壁部４を示す平面図
である。この隔壁部４はその内周輪郭形状が矩形状とな
っており、言い換えれば、各孔３ａの周縁の輪郭形状が
矩形状となっている。隔壁部４は対向する内壁３ｂ、３
ｂ間の幅Ｗ（孔３ａ内の対向する壁面３ｂ、３ｂ間の
幅）が略均一とされている。隔壁部４の孔３ａと絶縁膜
５７ｂの孔５７ａとは連通している。このようにして、
孔３ａ（隔壁部４の内壁３ｂ）の壁面と、孔５７ａの壁
面と、画素用電極１９とにより区画された有機ＥＬ素子
形成領域３…が形成される。
にフォトマスクフィルムＭを配置し、紫外線等を照射し
て露光を行い、露光部分を硬化させる。次に、図７
（ａ）に示すように、基板５２を例えばアルカリ性の現
像液に浸漬して、隔壁部材料層２のうちの未露光部分を
除去することにより、隔壁部材料層２をパターニングし
て複数の孔３ａ…を形成すると、隔壁部４が得られる。
図７（ｂ）は、ここで形成された隔壁部４を示す平面図
である。この隔壁部４はその内周輪郭形状が矩形状とな
っており、言い換えれば、各孔３ａの周縁の輪郭形状が
矩形状となっている。隔壁部４は対向する内壁３ｂ、３
ｂ間の幅Ｗ（孔３ａ内の対向する壁面３ｂ、３ｂ間の
幅）が略均一とされている。隔壁部４の孔３ａと絶縁膜
５７ｂの孔５７ａとは連通している。このようにして、
孔３ａ（隔壁部４の内壁３ｂ）の壁面と、孔５７ａの壁
面と、画素用電極１９とにより区画された有機ＥＬ素子
形成領域３…が形成される。
【００４１】なお、隔壁部４の孔３ａの壁面３ｂと絶縁
膜５７ｂの孔５７ａの壁面を略面一とする場合には、基
板２上に絶縁膜５７ｂを形成するための絶縁層と隔壁部
材料層２を順次形成し、この隔壁部材料層２にフォトリ
ソグラフ技術により複数の孔３ａ…を形成して各孔３ａ
内に上記絶縁層が露出するようにして隔壁部４を得、つ
いで、この絶縁層の露出部分をエッチング液に浸漬して
絶縁層の露出部分を除去することにより絶縁層に開口部
（孔）５７ａ…を形成し、絶縁膜５７ｂを形成するよう
にしてもよい。
膜５７ｂの孔５７ａの壁面を略面一とする場合には、基
板２上に絶縁膜５７ｂを形成するための絶縁層と隔壁部
材料層２を順次形成し、この隔壁部材料層２にフォトリ
ソグラフ技術により複数の孔３ａ…を形成して各孔３ａ
内に上記絶縁層が露出するようにして隔壁部４を得、つ
いで、この絶縁層の露出部分をエッチング液に浸漬して
絶縁層の露出部分を除去することにより絶縁層に開口部
（孔）５７ａ…を形成し、絶縁膜５７ｂを形成するよう
にしてもよい。
【００４２】次に、図８に示すように、インクジェット
ヘッド６０に正孔注入層用インクを充填し、吐出ノズル
６１ａを隔壁部４に対向させて基板５２と相対移動させ
つつ、吐出ノズル６１ａから正孔注入層用インクを有機
ＥＬ素子形成領域３…に吐出させるとともにこのインク
を乾燥させて正孔注入層２３…を形成する。ここで用い
るインクジェットヘッド６０としては、ピエゾ方式、サ
ーマル方式等あらゆるインクジェットヘッドを使用可能
で、適宜選択して用いられる。次に図９に示すように、
インクジェットヘッド６０に発光層用インクを充填し、
吐出ノズル６１ｂを隔壁部４に対向させて基板５２と相
対移動させつつ、吐出ノズル６１ｂから赤色の発光層用
インクを一部の有機ＥＬ素子形成領域３…に吐出させる
とともにこのインクを乾燥させて、正孔注入層２３が形
成された有機ＥＬ素子形成領域３…内にＲ（赤色）の発
光層２４Ｒ…を形成する。
ヘッド６０に正孔注入層用インクを充填し、吐出ノズル
６１ａを隔壁部４に対向させて基板５２と相対移動させ
つつ、吐出ノズル６１ａから正孔注入層用インクを有機
ＥＬ素子形成領域３…に吐出させるとともにこのインク
を乾燥させて正孔注入層２３…を形成する。ここで用い
るインクジェットヘッド６０としては、ピエゾ方式、サ
ーマル方式等あらゆるインクジェットヘッドを使用可能
で、適宜選択して用いられる。次に図９に示すように、
インクジェットヘッド６０に発光層用インクを充填し、
吐出ノズル６１ｂを隔壁部４に対向させて基板５２と相
対移動させつつ、吐出ノズル６１ｂから赤色の発光層用
インクを一部の有機ＥＬ素子形成領域３…に吐出させる
とともにこのインクを乾燥させて、正孔注入層２３が形
成された有機ＥＬ素子形成領域３…内にＲ（赤色）の発
光層２４Ｒ…を形成する。
【００４３】次に図１０に示すように、Ｒ（赤色）の発
光層２４Ｒ…の場合と同様にして、Ｇ（緑色）の発光層
２４Ｇ…及びＢ（青色）の発光層２４Ｂ…を正孔注入層
２３が形成された他の有機ＥＬ素子形成領域３…に順次
形成する。各発光層２４Ｒ…、２４Ｇ…、２４Ｂ…は、
隔壁部４によって隣接する他の発光層から仕切られてい
るので、発光層同士が混合して混色することがない。最
後に図１１に示すように、各発光層２４Ｒ…、２４Ｇ
…、２４Ｂ…および隔壁部４上に陰極形成用導電層２５
ａを形成し、この導電層２５ａ上にレジスト層２５ｂを
形成し、このレジスト層２５ｂに対して露光処理及びエ
ッチング処理を施すことにより、レジスト層２５ｂに導
電層パターンを形成し、導電層２５ａの露出部分を除去
して陰極２５を形成すると、有機ＥＬ装置が得られる。
また、基板５２の上下いずれか一方のみから観察する場
合、本実施形態の積層構造のいずれかの部分に反射性を
有する膜（図示略）を形成してもよい。
光層２４Ｒ…の場合と同様にして、Ｇ（緑色）の発光層
２４Ｇ…及びＢ（青色）の発光層２４Ｂ…を正孔注入層
２３が形成された他の有機ＥＬ素子形成領域３…に順次
形成する。各発光層２４Ｒ…、２４Ｇ…、２４Ｂ…は、
隔壁部４によって隣接する他の発光層から仕切られてい
るので、発光層同士が混合して混色することがない。最
後に図１１に示すように、各発光層２４Ｒ…、２４Ｇ
…、２４Ｂ…および隔壁部４上に陰極形成用導電層２５
ａを形成し、この導電層２５ａ上にレジスト層２５ｂを
形成し、このレジスト層２５ｂに対して露光処理及びエ
ッチング処理を施すことにより、レジスト層２５ｂに導
電層パターンを形成し、導電層２５ａの露出部分を除去
して陰極２５を形成すると、有機ＥＬ装置が得られる。
また、基板５２の上下いずれか一方のみから観察する場
合、本実施形態の積層構造のいずれかの部分に反射性を
有する膜（図示略）を形成してもよい。
【００４４】本実施形態の有機ＥＬ装置の製造方法によ
れば、隔壁部を形成する工程で形成された隔壁部４は対
向する内壁３ｂ、３ｂ間の幅Ｗが略均一なものであるの
で、隔壁部４の内周輪郭は内側に膨らんだ部分がなく、
言い換えれば、上記孔３ａの外周輪郭（上記隔壁部４の
内側の有機ＥＬ素子形成領域３の外周輪郭）は有機ＥＬ
素子形成領域中心部に向かって凸状になる部分がないの
で、発光層形成工程において上記隔壁部４内（有機ＥＬ
素子形成領域）に有機ＥＬ素子用インクを吐出すると、
この有機ＥＬ用インクが均一に広がり易く、この均一に
広がった有機ＥＬ素子用インクを乾燥すると、有機ＥＬ
素子の欠落部がなく、膜厚が均一な有機ＥＬ素子を形成
することができる。かかる構成の有機ＥＬ装置の製造方
法によれば、有機ＥＬ素子の欠落部がなく、膜厚が均一
な有機ＥＬ素子を形成することができるので、歩留まり
を向上できる。
れば、隔壁部を形成する工程で形成された隔壁部４は対
向する内壁３ｂ、３ｂ間の幅Ｗが略均一なものであるの
で、隔壁部４の内周輪郭は内側に膨らんだ部分がなく、
言い換えれば、上記孔３ａの外周輪郭（上記隔壁部４の
内側の有機ＥＬ素子形成領域３の外周輪郭）は有機ＥＬ
素子形成領域中心部に向かって凸状になる部分がないの
で、発光層形成工程において上記隔壁部４内（有機ＥＬ
素子形成領域）に有機ＥＬ素子用インクを吐出すると、
この有機ＥＬ用インクが均一に広がり易く、この均一に
広がった有機ＥＬ素子用インクを乾燥すると、有機ＥＬ
素子の欠落部がなく、膜厚が均一な有機ＥＬ素子を形成
することができる。かかる構成の有機ＥＬ装置の製造方
法によれば、有機ＥＬ素子の欠落部がなく、膜厚が均一
な有機ＥＬ素子を形成することができるので、歩留まり
を向上できる。
【００４５】また、本実施形態の有機ＥＬ装置の製造方
法によれば、隔壁部４と絶縁膜５７ｂの形成工程を別個
に行っており、これによって上記絶縁層のうち有機ＥＬ
素子形成領域にはみ出す部分の一部を残存させることで
半導体素子領域用絶縁部２１ｂを形成することができ、
この後、隔壁部４を形成するようにすれば、この隔壁部
４に半導体素子領域用遮光部を形成するための内側に膨
らんだ部分を設けなくても済み、内壁３ｂ、３ｂ間の幅
が略均一の隔壁部を形成することができる。また、本実
施形態の製造方法では絶縁膜形成工程と同時に半導体素
子領域用絶縁部を形成することで、絶縁膜５７ｂと半導
体素子領域用絶縁部２１ｂを別工程で形成する場合と比
べて製造工程を簡素化することができる。
法によれば、隔壁部４と絶縁膜５７ｂの形成工程を別個
に行っており、これによって上記絶縁層のうち有機ＥＬ
素子形成領域にはみ出す部分の一部を残存させることで
半導体素子領域用絶縁部２１ｂを形成することができ、
この後、隔壁部４を形成するようにすれば、この隔壁部
４に半導体素子領域用遮光部を形成するための内側に膨
らんだ部分を設けなくても済み、内壁３ｂ、３ｂ間の幅
が略均一の隔壁部を形成することができる。また、本実
施形態の製造方法では絶縁膜形成工程と同時に半導体素
子領域用絶縁部を形成することで、絶縁膜５７ｂと半導
体素子領域用絶縁部２１ｂを別工程で形成する場合と比
べて製造工程を簡素化することができる。
【００４６】本実施形態の有機ＥＬ装置の製造方法にお
いては、上記隔壁部材料層２の形成に用いる感光性樹脂
膜として、ポジ型若しくはネガ型のフォトレジスト材料
を含むものを用いたものにあっては、フォトリソグラフ
ィ技術によって任意のパターン形状に加工できる。
いては、上記隔壁部材料層２の形成に用いる感光性樹脂
膜として、ポジ型若しくはネガ型のフォトレジスト材料
を含むものを用いたものにあっては、フォトリソグラフ
ィ技術によって任意のパターン形状に加工できる。
【００４７】なお、上記の本実施形態の有機ＥＬ装置の
製造方法においては隔壁部材料層２の形成に感光性樹脂
膜を用いた場合について説明したが、隔壁部材料層２を
ポリイミド系化合物から形成し、このポリイミド系化合
物からなる隔壁部材料層上にフォトマスクを載置して露
光、現像を行うことにより、上記複数の孔を形成するよ
うにしてもよい。
製造方法においては隔壁部材料層２の形成に感光性樹脂
膜を用いた場合について説明したが、隔壁部材料層２を
ポリイミド系化合物から形成し、このポリイミド系化合
物からなる隔壁部材料層上にフォトマスクを載置して露
光、現像を行うことにより、上記複数の孔を形成するよ
うにしてもよい。
【００４８】また、本実施形態の有機ＥＬ装置の製造方
法においては、基板５２上に絶縁膜５７ｂを介して隔壁
部４を形成する場合について説明したが、基板５２と隔
壁部４との間に絶縁膜５７ｂは形成されていなくてもよ
く、その場合には隔壁部４は黒色感光性樹脂膜から形成
することが隣接する発光層２４から発光される光の混色
等を防止できる点で好ましい。また、本実施形態の有機
ＥＬ装置の製造方法においては、絶縁膜形成と同時に半
導体素子領域用絶縁部を形成した場合について説明した
が、上記隔壁部形成工程前に、上記有機ＥＬ素子形成領
域３と上記半導体素子形成領域３９との間、好ましくは
上記有機ＥＬ素子形成領域３と上記半導体素子との間
に、半導体素子領域用絶縁部を形成する工程を具備する
ようにしてもよい。
法においては、基板５２上に絶縁膜５７ｂを介して隔壁
部４を形成する場合について説明したが、基板５２と隔
壁部４との間に絶縁膜５７ｂは形成されていなくてもよ
く、その場合には隔壁部４は黒色感光性樹脂膜から形成
することが隣接する発光層２４から発光される光の混色
等を防止できる点で好ましい。また、本実施形態の有機
ＥＬ装置の製造方法においては、絶縁膜形成と同時に半
導体素子領域用絶縁部を形成した場合について説明した
が、上記隔壁部形成工程前に、上記有機ＥＬ素子形成領
域３と上記半導体素子形成領域３９との間、好ましくは
上記有機ＥＬ素子形成領域３と上記半導体素子との間
に、半導体素子領域用絶縁部を形成する工程を具備する
ようにしてもよい。
【００４９】また、本実施形態の有機ＥＬ装置及びその
製造方法においては、本発明をＴＦＴ素子に代表される
３端子型素子を用いるアクティブマトリクス型有機ＥＬ
装置において、インクジェットヘッドのノズルから隔壁
部内に有機ＥＬ素子用インクを吹きつけて有機ＥＬ素子
を形成する場合に適用した場合について説明したが、Ｔ
ＦＤ（Thin Film Diode）素子に代表される２端子型素
子を用いるアクティブマトリクス型有機ＥＬ装置などに
おいて、インクジェットヘッドのノズルから隔壁部内に
有機ＥＬ素子用インクを吹きつけて有機ＥＬ素子を形成
する場合にも適用できる。また、本実施形態の有機ＥＬ
装置及びその製造方法においては、本発明をアクティブ
マトリクス型有機ＥＬ装置及びその製造方法に適用した
場合について説明したが、アクティブマトリックス型に
限らず、パッシブマトリックス型有機ＥＬ装置及びその
製造方法においても適用できる。
製造方法においては、本発明をＴＦＴ素子に代表される
３端子型素子を用いるアクティブマトリクス型有機ＥＬ
装置において、インクジェットヘッドのノズルから隔壁
部内に有機ＥＬ素子用インクを吹きつけて有機ＥＬ素子
を形成する場合に適用した場合について説明したが、Ｔ
ＦＤ（Thin Film Diode）素子に代表される２端子型素
子を用いるアクティブマトリクス型有機ＥＬ装置などに
おいて、インクジェットヘッドのノズルから隔壁部内に
有機ＥＬ素子用インクを吹きつけて有機ＥＬ素子を形成
する場合にも適用できる。また、本実施形態の有機ＥＬ
装置及びその製造方法においては、本発明をアクティブ
マトリクス型有機ＥＬ装置及びその製造方法に適用した
場合について説明したが、アクティブマトリックス型に
限らず、パッシブマトリックス型有機ＥＬ装置及びその
製造方法においても適用できる。
【００５０】尚、第１の実施形態に示した有機ＥＬ素子
３５…の配置は、図１２に示すように各種の配置のパタ
ーンを採用することができる。例えば図１２（ａ）に示
すようなストライプ配置や、図１２（ｂ）に示すような
モザイク配置や、図１２（ｃ）に示すようなデルタ配置
とすることができる。
３５…の配置は、図１２に示すように各種の配置のパタ
ーンを採用することができる。例えば図１２（ａ）に示
すようなストライプ配置や、図１２（ｂ）に示すような
モザイク配置や、図１２（ｃ）に示すようなデルタ配置
とすることができる。
【００５１】［第２の実施形態］次に、上記の実施形態
の有機ＥＬ装置を備えた電子機器の具体例について説明
する。図１３（ａ）は、携帯電話の一例を示した斜視図
である。図１３（ａ）において、符号６００は携帯電話
本体を示し、符号６０１は図１乃至図４に示した実施形
態の有機ＥＬ装置を用いた表示部を示している。図１３
（ｂ）は、ワープロ、パソコンなどの携帯型情報処理装
置の一例を示した斜視図である。図１３（ｂ）におい
て、符号７００は情報処理装置、符号７０１はキーボー
ドなどの入力部、符号７０３は情報処理装置本体、符号
７０２は図１乃至図４に示した実施形態の有機ＥＬ装置
を用いた表示部を示している。図１３（ｃ）は、腕時計
型電子機器の一例を示した斜視図である。図１３（ｃ）
において、符号８００は時計本体を示し、符号８０１は
図１乃至図４に示した実施形態の有機ＥＬ装置を用いた
表示部を示している。図１３（ａ）〜（ｃ）に示すそれ
ぞれの電子機器は、図１乃至図４に示した実施形態の有
機ＥＬ装置を用いた表示部を備えたものであり、先の第
１の実施形態の有機ＥＬ装置の特徴を有するので、有機
ＥＬ素子の欠落部に起因する白欠陥（画素欠陥）がな
く、有機ＥＬ素子の膜厚のバラツキに起因する色ムラや
輝度ムラがなく、従って表示部の視認性が向上してお
り、表示品質に優れた効果を有する電子機器となる。
の有機ＥＬ装置を備えた電子機器の具体例について説明
する。図１３（ａ）は、携帯電話の一例を示した斜視図
である。図１３（ａ）において、符号６００は携帯電話
本体を示し、符号６０１は図１乃至図４に示した実施形
態の有機ＥＬ装置を用いた表示部を示している。図１３
（ｂ）は、ワープロ、パソコンなどの携帯型情報処理装
置の一例を示した斜視図である。図１３（ｂ）におい
て、符号７００は情報処理装置、符号７０１はキーボー
ドなどの入力部、符号７０３は情報処理装置本体、符号
７０２は図１乃至図４に示した実施形態の有機ＥＬ装置
を用いた表示部を示している。図１３（ｃ）は、腕時計
型電子機器の一例を示した斜視図である。図１３（ｃ）
において、符号８００は時計本体を示し、符号８０１は
図１乃至図４に示した実施形態の有機ＥＬ装置を用いた
表示部を示している。図１３（ａ）〜（ｃ）に示すそれ
ぞれの電子機器は、図１乃至図４に示した実施形態の有
機ＥＬ装置を用いた表示部を備えたものであり、先の第
１の実施形態の有機ＥＬ装置の特徴を有するので、有機
ＥＬ素子の欠落部に起因する白欠陥（画素欠陥）がな
く、有機ＥＬ素子の膜厚のバラツキに起因する色ムラや
輝度ムラがなく、従って表示部の視認性が向上してお
り、表示品質に優れた効果を有する電子機器となる。
【００５２】
【発明の効果】以上、詳細に説明したように本発明の有
機ＥＬ装置によれば、有機ＥＬ素子形成領域（画素形成
領域）を取り囲む隔壁部は、対向する内壁間の幅が略均
一としたことにより、隔壁部の内周輪郭は内側に膨らん
だ部分がなく、言い換えれば、有機ＥＬ素子形成領域の
外周輪郭は有機ＥＬ素子中心部に向かって凸状となる部
分がないので、この隔壁部の内側の有機ＥＬ素子形成領
域に吐出された有機ＥＬ素子用インクが均一に広がり易
く、この有機ＥＬ素子用インクを乾燥して得られる有機
ＥＬ素子は有機ＥＬ素子が形成されていない欠落部がな
く、膜厚が均一なものとすることができる。従って、本
発明の有機ＥＬ装置は、上記のように有機ＥＬ素子の欠
落部がなく、膜厚が均一な有機ＥＬ素子が備えられてい
るので、有機ＥＬ素子欠落部に起因する白欠陥（画素欠
陥）を防止でき、また、有機ＥＬ素子の膜厚のバラツキ
に起因する色ムラや輝度ムラを防止でき、表示性能を向
上できる。
機ＥＬ装置によれば、有機ＥＬ素子形成領域（画素形成
領域）を取り囲む隔壁部は、対向する内壁間の幅が略均
一としたことにより、隔壁部の内周輪郭は内側に膨らん
だ部分がなく、言い換えれば、有機ＥＬ素子形成領域の
外周輪郭は有機ＥＬ素子中心部に向かって凸状となる部
分がないので、この隔壁部の内側の有機ＥＬ素子形成領
域に吐出された有機ＥＬ素子用インクが均一に広がり易
く、この有機ＥＬ素子用インクを乾燥して得られる有機
ＥＬ素子は有機ＥＬ素子が形成されていない欠落部がな
く、膜厚が均一なものとすることができる。従って、本
発明の有機ＥＬ装置は、上記のように有機ＥＬ素子の欠
落部がなく、膜厚が均一な有機ＥＬ素子が備えられてい
るので、有機ＥＬ素子欠落部に起因する白欠陥（画素欠
陥）を防止でき、また、有機ＥＬ素子の膜厚のバラツキ
に起因する色ムラや輝度ムラを防止でき、表示性能を向
上できる。
【００５３】また、本発明の電子機器は、有機ＥＬ素子
の欠落部に起因する白欠陥（画素欠陥）がなく、有機Ｅ
Ｌ素子の膜厚のバラツキに起因する色ムラや輝度ムラを
防止でき、表示性能を向上させた本発明の有機ＥＬ装置
が表示部に備えられたことにより、表示部の視認性を向
上させることが可能になる。
の欠落部に起因する白欠陥（画素欠陥）がなく、有機Ｅ
Ｌ素子の膜厚のバラツキに起因する色ムラや輝度ムラを
防止でき、表示性能を向上させた本発明の有機ＥＬ装置
が表示部に備えられたことにより、表示部の視認性を向
上させることが可能になる。
【００５４】また、本発明の有機ＥＬ装置の製造方法に
よれば、隔壁部を形成する工程で形成された隔壁部は対
向する内壁間の幅が略均一なものであるので、隔壁部の
内周輪郭は内側に膨らんだ部分がなく、言い換えれば、
上記隔壁部の内側の有機ＥＬ素子形成領域の外周輪郭は
有機ＥＬ素子形成領域中心部に向かって凸状になる部分
がないので、有機ＥＬ素子形成工程において上記隔壁部
の内側の有機ＥＬ素子形成領域に有機ＥＬ素子用インク
を吐出すると、この有機ＥＬ用インクが均一に広がり易
く、この均一に広がった有機ＥＬ素子用インクを乾燥す
ると、有機ＥＬ素子の欠落部がなく、膜厚が均一な有機
ＥＬ素子を形成することができる。かかる構成の有機Ｅ
Ｌ装置の製造方法によれば、有機ＥＬ素子の欠落部がな
く、膜厚が均一な有機ＥＬ素子を形成することができる
ので、歩留まりを向上できる。
よれば、隔壁部を形成する工程で形成された隔壁部は対
向する内壁間の幅が略均一なものであるので、隔壁部の
内周輪郭は内側に膨らんだ部分がなく、言い換えれば、
上記隔壁部の内側の有機ＥＬ素子形成領域の外周輪郭は
有機ＥＬ素子形成領域中心部に向かって凸状になる部分
がないので、有機ＥＬ素子形成工程において上記隔壁部
の内側の有機ＥＬ素子形成領域に有機ＥＬ素子用インク
を吐出すると、この有機ＥＬ用インクが均一に広がり易
く、この均一に広がった有機ＥＬ素子用インクを乾燥す
ると、有機ＥＬ素子の欠落部がなく、膜厚が均一な有機
ＥＬ素子を形成することができる。かかる構成の有機Ｅ
Ｌ装置の製造方法によれば、有機ＥＬ素子の欠落部がな
く、膜厚が均一な有機ＥＬ素子を形成することができる
ので、歩留まりを向上できる。
【図１】 本発明の第１の実施形態のフルカラー表示を
行うアクティブマトリックス型有機ＥＬ装置を基板側か
ら見たときを示す平面図である。
行うアクティブマトリックス型有機ＥＬ装置を基板側か
ら見たときを示す平面図である。
【図２】 図１の有機ＥＬ装置を基板と反対側から見た
ときを示す部分平面図である。
ときを示す部分平面図である。
【図３】 図２のＣ−Ｃ線断面図である。
【図４】 図１の有機ＥＬ装置を基板と反対側から見た
ときを示す部分平面図である。
ときを示す部分平面図である。
【図５】 図１に示す有機ＥＬ装置の製造方法を説明す
るための工程図である。
るための工程図である。
【図６】 図１に示す有機ＥＬ装置の製造方法を説明す
るための工程図である。
るための工程図である。
【図７】 図１に示す有機ＥＬ装置の製造方法を説明す
るための工程図である。
るための工程図である。
【図８】 図１に示す有機ＥＬ装置の製造方法を説明す
るための工程図である。
るための工程図である。
【図９】 図１に示す有機ＥＬ装置の製造方法を説明す
るための工程図である。
るための工程図である。
【図１０】 図１に示す有機ＥＬ装置の製造方法を説明
するための工程図である。
するための工程図である。
【図１１】 図１に示す有機ＥＬ装置の製造方法を説明
するための工程図である。
するための工程図である。
【図１２】 有機ＥＬ装置の有機ＥＬ素子の配置を示す
平面模式図であって、（ａ）がストライプ配置、（ｂ）
がモザイク配置、（ｃ）がデルタ配置を示す図である。
平面模式図であって、（ａ）がストライプ配置、（ｂ）
がモザイク配置、（ｃ）がデルタ配置を示す図である。
【図１３】 本発明の第２の実施形態である電子機器を
示す斜視図である。
示す斜視図である。
【図１４】 従来のフルカラー表示を行うアクティブマ
トリックス型有機ＥＬ装置の例を示す部分平面図であ
る。
トリックス型有機ＥＬ装置の例を示す部分平面図であ
る。
【図１５】 図１４のＧ−Ｇ線断面図である。
【図１６】 従来のアクティブマトリックス型有機ＥＬ
装置の製造方法を説明する工程図である。
装置の製造方法を説明する工程図である。
【図１７】 従来のアクティブマトリックス型有機ＥＬ
装置の製造方法を説明する工程図である。
装置の製造方法を説明する工程図である。
【図１８】 従来のアクティブマトリックス型有機ＥＬ
装置の製造方法を説明する工程図である。
装置の製造方法を説明する工程図である。
【図１９】 従来のアクティブマトリックス型有機ＥＬ
装置の製造方法を説明する工程図である。
装置の製造方法を説明する工程図である。
【図２０】 従来のアクティブマトリックス型有機ＥＬ
装置の製造方法を説明する工程図である。
装置の製造方法を説明する工程図である。
【図２１】 図１７に示した工程の平面図である。
２…隔壁部材料層
３…画素形成領域（有機ＥＬ素子形成領域）
３ａ…孔
３ｂ…内壁（壁面）
４…隔壁部
１９…画素用電極
２１ｂ…半導体素子領域用絶縁部
２３…正孔注入層
２４、２４Ｒ、２４Ｇ、２４Ｂ…発光層
３１…信号線
３２…電源線
３３…走査線
３４…スイッチングトランジスタ（半導体素子）
３５、３５Ｒ、３５Ｇ、３５Ｂ…有機ＥＬ素子
３６…容量
３７…ドライビングトランジスタ（半導体素子）
３８…容量線
３９…半導体素子領域
５２…基板
５７…絶縁膜
５７ａ…孔
５７ｂ…絶縁膜
６０…インクジェットヘッド
６１ａ、６１ｂ…吐出ノズル
６００、７００、８００…電子機器
６０１、７０２、８０１…表示部
ｔ2…隔壁部の層厚
ｔ3…発光層の厚さ
ｔ4…絶縁膜の膜厚
Ｍ…フォトマスクフィルム
Ｗ…幅
Claims (16)
- 【請求項１】 基板上に、マトリクス状に配置された複
数の有機ＥＬ素子と、各有機ＥＬ素子に対してそれぞれ
設けられ、前記有機ＥＬ素子を駆動する半導体素子又は
電気回路が形成されてなる有機ＥＬ装置であり、 前記基板上に前記各有機ＥＬ素子を形成する有機ＥＬ素
子形成領域をそれぞれ取り囲む隔壁部が形成され、該隔
壁部は対向する内壁間の幅が略均一とされており、前記
各有機ＥＬ素子形成領域に有機ＥＬ素子用インクが吐出
されて前記複数の有機ＥＬ素子が形成されてなることを
特徴とする有機ＥＬ装置。 - 【請求項２】 前記隔壁部は、対向する内壁間の最大幅
の大きさに対する最小幅の大きさが０．８以上であるこ
とを特徴とする請求項１記載の有機ＥＬ装置。 - 【請求項３】 前記隔壁部は、対向する内壁間の幅が均
一であることを特徴とする請求項１記載の有機ＥＬ装
置。 - 【請求項４】 前記隔壁部の内周輪郭形状は、左右対称
のものであることを特徴とする請求項１記載の有機ＥＬ
装置。 - 【請求項５】 前記隔壁部が感光性樹脂膜からなること
を特徴とする請求項１ないし請求項４のいずれか一項に
記載の有機ＥＬ装置。 - 【請求項６】 前記隔壁部がポリイミド系化合物からな
ることを特徴とする請求項１ないし請求項４のいずれか
一項に記載の有機ＥＬ装置。 - 【請求項７】 前記基板と前記隔壁部との間に絶縁膜が
形成され、該絶縁膜に前記有機ＥＬ素子の一部を覆うよ
うにはみ出した半導体素子領域用絶縁部が設けられた請
求項１乃至６のいずれか一項に記載の有機ＥＬ装置。 - 【請求項８】 前記有機ＥＬ素子と前記半導体素子との
間に、半導体素子領域用絶縁部が設けられたことを特徴
とする請求項１乃至６のいずれか一項に記載の有機ＥＬ
装置。 - 【請求項９】 前記隔壁部の層厚が０．３μｍ〜３μｍ
であることを特徴とする請求項１乃至８のいずれか一項
に記載の有機ＥＬ装置。 - 【請求項１０】 前記絶縁膜及び／または前記半導体素
子領域用絶縁部の厚さが０．３μｍ以下であることを特
徴とする請求項７又は８に記載の有機ＥＬ装置。 - 【請求項１１】 請求項１ないし請求項１０のいずれか
一項に記載の有機ＥＬ装置を具備してなることを特徴と
する電子機器。 - 【請求項１２】 基板上に隔壁部材料層を形成する工程
と、前記隔壁部材料層に孔を複数形成し、対向する内壁
間の幅が略均一な隔壁部を形成する工程と、前記孔内に
有機ＥＬ素子用インクを吐出した後に該有機ＥＬ素子用
インクを乾燥することにより有機ＥＬ素子を形成する工
程とを具備してなることを特徴とする有機ＥＬ装置の製
造方法。 - 【請求項１３】 前記隔壁部材料層を感光性樹脂膜から
形成し、該隔壁部材料層上にフォトマスクを載置して露
光、現像を行うことにより、前記複数の孔を形成するこ
とを特徴とする請求項１２に記載の有機ＥＬ装置の製造
方法。 - 【請求項１４】 前記隔壁部材料層をポリイミド系化合
物から形成し、該隔壁部材料層上にフォトマスクを載置
して露光、現像を行うことにより、前記複数の孔を形成
することを特徴とする請求項１２に記載の有機ＥＬ装置
の製造方法。 - 【請求項１５】 前記隔壁部形成工程前に、前記基板と
前記隔壁部との間に絶縁膜を形成するとともに該絶縁膜
に前記孔内の有機ＥＬ素子形成領域の一部を覆うように
はみ出した半導体素子領域用絶縁部を形成する絶縁膜形
成工程を具備することを特徴とする請求項１２乃至１４
のいずれか一項に記載の有機ＥＬ装置の製造方法。 - 【請求項１６】 前記隔壁部形成工程前に、前記基板上
に形成された半導体素子と前記孔内の有機ＥＬ素子形成
領域との間に、半導体素子領域用絶縁部を形成する工程
を具備することを特徴とする請求項１２乃至１４のいず
れか一項に記載の有機ＥＬ装置の製造方法。
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|---|---|---|---|
| JP2001359916A JP2003163084A (ja) | 2001-11-26 | 2001-11-26 | 有機ｅｌ装置とその製造方法並びに電子機器 |
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