CN117750857A - 显示装置的制造装置及显示装置的制造方法 - Google Patents

Abstract

根据一个实施方式，显示装置的制造方法中，准备处理基板，所述处理基板中，在基板的上方形成下电极，形成具有与下电极重叠的开口的肋部，并形成包含位于肋部之上的下部及位于下部之上并从下部的侧面突出的上部的隔壁，在开口中，在下电极之上形成有机层，在有机层之上形成上电极，在形成了上电极的处理基板上蒸镀第1有机材料，在上电极之上形成第1透明层、在形成了第1透明层的处理基板上，蒸镀具有比第1有机材料的折射率低的折射率的第2有机材料，从而在第1透明层之上形成第2透明层，在形成第2透明层之前，从蒸镀源的第1喷嘴及第2喷嘴放射第2有机材料，向与第2喷嘴相对的膜厚测定器中包含的多个水晶振子分别蒸镀第2有机材料。

Description

显示装置的制造装置及显示装置的制造方法

关联申请的交叉参照

本申请主张基于2022年9月21日提出的日本专利申请第2022-150502号的优先权，并引用该日本申请所记载的全部记载内容。

技术领域

本发明的实施方式涉及显示装置的制造装置及显示装置的制造方法。

背景技术

近年来，作为显示元件应用了有机发光二极管(OLED)的显示装置被应用化。该显示元件具备：包含薄膜晶体管的像素电路；与像素电路连接的下电极；覆盖下电极的有机层；和覆盖有机层的上电极。有机层除了发光层之外，还包含空穴传输层、电子传输层等功能层。

在用于形成这样的显示元件的制造装置中，要求抑制生产效率的降低。

发明内容

实施方式的目的在于提供能抑制生产效率降低的显示装置的制造装置及显示装置的制造方法。

根据一个实施方式，显示装置的制造方法中，

准备处理基板，所述处理基板中，在基板的上方形成下电极，形成具有与前述下电极重叠的开口的肋部，并形成包含位于前述肋部之上的下部及位于前述下部之上并从前述下部的侧面突出的上部的隔壁，在前述开口中，在前述下电极之上形成有机层，在前述有机层之上形成上电极，在形成了前述上电极的前述处理基板上蒸镀第1有机材料，在前述上电极之上形成第1透明层，在形成了前述第1透明层的前述处理基板上，蒸镀具有比前述第1有机材料的折射率低的折射率的第2有机材料，从而在前述第1透明层之上形成第2透明层，在形成前述第2透明层之前，从蒸镀源的第1喷嘴及第2喷嘴放射前述第2有机材料，向与前述第2喷嘴相对的膜厚测定器中包含的多个水晶振子分别蒸镀前述第2有机材料。

根据一个实施方式，显示装置的制造装置具备：

第1蒸镀部，其一边搬送处理基板一边在前述开口中在前述下电极之上形成有机层，该处理基板具备位于基板的上方的下电极、具有与前述下电极重叠的开口的肋部、和包含位于前述肋部之上的下部及位于前述下部之上并从前述下部的侧面突出的上部的隔壁；第2蒸镀部，其在前述有机层之上形成上电极；第3蒸镀部，其在前述上电极之上蒸镀第1有机材料，从而形成第1透明层；和第4蒸镀部，其在前述第1透明层之上蒸镀具有比前述第1有机材料的折射率低的折射率的第2有机材料，从而形成第2透明层，前述第4蒸镀部具备：具有放射前述第2有机材料的第1喷嘴及第2喷嘴的蒸镀源；和包含多个水晶振子的膜厚测定器，前述第1喷嘴与形成有前述第1透明层的前述处理基板的搬送路径相对，前述第2喷嘴与前述膜厚测定器相对，前述第4蒸镀部构成为：在形成前述第2透明层之前从前述第1喷嘴及前述第2喷嘴放射出前述第2有机材料，对前述多个水晶振子分别蒸镀前述第2有机材料，在对前述多个水晶振子均蒸镀前述第2有机材料之后沿着前述搬送路径搬送前述处理基板。

根据实施方式，能够提供能抑制生产效率降低的显示装置的制造装置及显示装置的制造方法。

附图说明

图1为示出显示装置DSP的构成例的图。

图2为示出子像素SP1、SP2、SP3的布局的一例的图。

图3为沿着图2中的A-B线的显示装置DSP的概略剖视图。

图4为示出显示元件201至203的构成的一例的图。

图5为用于说明显示装置DSP的制造方法的一例的流程图。

图6为用于说明显示装置DSP的制造方法的图。

图7为用于说明显示装置DSP的制造方法的图。

图8为用于说明显示装置DSP的制造方法的图。

图9为用于说明显示装置DSP的制造方法的图。

图10为用于说明显示装置DSP的制造方法的图。

图11为用于说明显示装置DSP的制造方法的图。

图12为用于说明显示装置DSP的制造方法的图。

图13为用于说明制造装置100的一个构成例的图。

图14为示意性地示出蒸镀部300的主要部分的立体图。

图15为示意性地示出蒸镀部300的主要部分的俯视图。

图16为罩(cover)322及保持器323的主视图。

图17为用于说明预蒸镀工序的流程图。

图18为用于说明材料向处理基板SUB的蒸镀工序的流程图。

具体实施方式

参照附图对一个实施方式进行说明。

本公开内容只不过是一例，本领域技术人员所能够容易想到的保持发明的主旨的适当变更当然包含在本发明的范围内。此外，就附图而言，为了使说明更加明确，与实际方式相比，有时示意性地表示各部分的宽度、厚度、形状等，但只不过是一例，并非限定本发明的解释。此外，在本说明书与各图中，对于与关于已出现的附图说明过的构成要素发挥相同或类似功能的构成要素，有时标注同一参考标记并适当省略重复的详细说明。

需要说明的是，为了便于理解而根据需要在附图中记载有相互正交的X轴、Y轴及Z轴。将沿着X轴的方向称为第1方向，将沿着Y轴的方向称为第2方向，将沿着Z轴的方向称为第3方向。将与第3方向Z平行地观察各种要素的情况称为俯视观察。需要说明的是，表示上、上方、之间、相对等2个以上的构成要素相互的位置关系的术语は、不进包括作为对象的2个以上的构成要素直接相接的情况，还包括通过夹着空隙、其他构成要素而相互分离的情况。此外，将Z轴的正方向称为上或上方。

本实施方式涉及的显示装置是具备有机发光二极管(OLED)作为显示元件的有机电致发光显示装置，能够搭载于电视、个人电脑、车载设备、平板终端、智能手机、移动电话终端等。

图1是示出显示装置DSP的构成例的图。

显示装置DSP中，在绝缘性的基板10之上具有显示图像的显示区域DA、和显示区域DA周边的周边区域SA。基板10可以是玻璃，也可以是具有挠性的树脂膜。

本实施方式中，俯视观察时的基板10的形状为长方形。其中，基板10的俯视观察时的形状不限于长方形，也可以是正方形、圆形或椭圆形等其他形状。

显示区域DA具备在第1方向X及第2方向Y上排列成矩阵状的多个像素PX。像素PX包括多个子像素SP。在一例中，像素PX包括第1色的子像素SP1、第2色的子像素SP2、及第3色的子像素SP3。第1色、第2色、及第3色为相互不同的颜色。需要说明的是，像素PX可以与子像素SP1、SP2、SP3一起、或取代子像素SP1、SP2、SP3中的任一者而包含白色等其他颜色的子像素SP。需要说明的是，子像素的组合也可以不是3要素的组合而是由2要素构成，也可以由除了子像素SP1至SP3以外还组合了子像素SP4等的4个以上的要素构成。

子像素SP具备像素电路1、和由像素电路1驱动的显示元件20。像素电路1包括像素开关2、驱动晶体管3和电容器4。像素开关2及驱动晶体管3例如是由薄膜晶体管构成的开关元件。

像素开关2的栅电极与扫描线GL连接。像素开关2的源极及漏极中的一者与信号线SL连接，另一者与驱动晶体管3的栅电极及电容器4连接。驱动晶体管3中，源极及漏极中的一者与电源线PL及电容器4连接，另一者与显示元件20的阳极连接。

需要说明的是，像素电路1的构成不限于图示的例子。例如，像素电路1可以具备更多的薄膜晶体管及电容器。

显示元件20为作为发光元件的有机发光二极管(OLED)，有时称为有机EL元件。

尽管没有详细描述，但在周边区域SA中设有用于连接IC芯片、柔性印刷电路基板的端子。

图2为示出子像素SP1、SP2、SP3的布局的一例的图。

在图2的例子中，子像素SP2及子像素SP3在第2方向Y上排列。此外，子像素SP2及子像素SP3分别与子像素SP1在第1方向X上排列。

子像素SP1、SP2、SP3为这样的布局的情况下，在显示区域DA中形成子像素SP2及子像素SP3在第2方向Y上交替地配置的列、和多个子像素SP1在第2方向Y上配置的列。这些列在第1方向X上交替地排列。

需要说明的是，子像素SP1、SP2、SP3的布局不限于图2的例子。作为另一例，各像素PX中的子像素SP1、SP2、SP3也可以在第1方向X上依次排列。

显示区域DA中，配置有肋部5及隔壁6。肋部5在子像素SP1、SP2、SP3中分别具有开口AP1、AP2、AP3。

隔壁6在俯视观察时与肋部5重叠。隔壁6具有沿第1方向X延伸的多个第1隔壁6x、和沿第2方向Y延伸的多个第2隔壁6y。多个第1隔壁6x分别被配置于在第2方向Y上相邻的开口AP2、AP3之间、以及在第2方向Y上相邻的2个开口AP1之间。第2隔壁6y分别被配置于在第1方向X上相邻的开口AP1、AP2之间、以及在第1方向X上相邻的开口AP1、AP3之间。

在图2的例子中，第1隔壁6x及第2隔壁6y相互连接。由此，隔壁6整体形成为包围开口AP1、AP2、AP3的格子状。隔壁6也可以与肋部5同样地在子像素SP1、SP2、SP3中具有开口。

子像素SP1、SP2、SP3分别具备显示元件201、202、203作为显示元件20。

子像素SP1具备与开口AP1分别重叠的下电极LE1、上电极UE1及有机层OR1。子像素SP2具备与开口AP2分别重叠的下电极LE2、上电极UE2及有机层OR2。子像素SP3具备与开口AP3分别重叠的下电极LE3、上电极UE3及有机层OR3。

在图2的例子中，下电极LE1、LE2、LE3的外形用虚线表示，有机层OR1、OR2、OR3及上电极UE1、UE2、UE3的外形用单点划线表示。下电极LE1、LE2、LE3中各自的周缘部与肋部5重叠。需要说明的是，图示的下电极、有机层、上电极各自的外形不限于反映出正确的形状的情况。

下电极LE1、上电极UE1、及有机层OR1构成子像素SP1的显示元件201。下电极LE2、上电极UE2、及有机层OR2构成子像素SP2的显示元件202。下电极LE3、上电极UE3、及有机层OR3构成子像素SP3的显示元件203。

下电极LE1、LE2、LE3例如与显示元件的阳极相当。上电极UE1、UE2、UE3与显示元件的阴极、或共通电极相当。

下电极LE1通过接触孔CH1而与子像素SP1的像素电路1(参见图1)连接。下电极LE2通过接触孔CH2而与子像素SP2的像素电路1连接。下电极LE3通过接触孔CH3而与子像素SP3的像素电路1连接。

在图2的例子中，开口AP1的面积大于开口AP2的面积，开口AP2的面积大于开口AP3的面积。换言之，从开口AP1露出的下电极LE1的面积比从开口AP2露出的下电极LE2的面积大，从开口AP2露出的下电极LE2的面积比从开口AP3露出的下电极LE3的面积大。

例如，子像素SP1的显示元件201被配置为发出蓝色波长区域的光。此外，子像素SP2的显示元件202构成为发出绿色波长区域的光，此外，子像素SP3的显示元件203构成为发出红色波长区域的光。

图3为沿着图2中的A-B线的显示装置DSP的概略剖视图。

在上述基板10之上配置有电路层11。电路层11包含图1所示的像素电路1等各种电路、扫描线GL、信号线SL、电源线PL等各种布线。电路层11被绝缘层12覆盖。绝缘层12作为使由电路层11产生的凹凸平坦化的平坦化膜发挥功能。

下电极LE1、LE2、LE3被配置在绝缘层12之上。肋部5被配置在绝缘层12及下电极LE1、LE2、LE3之上。下电极LE1、LE2、LE3的端部由肋部5覆盖。也就是说，下电极LE1、LE2、LE3的端部被配置在绝缘层12与肋部5之间。在下电极LE1、LE2、LE3之中彼此邻接的下电极之间，绝缘层12由肋部5覆盖。

隔壁6包括被配置在肋部5之上的下部(杆部)61、和被配置在下部61之上的上部(伞部)62。图的左侧所示的隔壁6的下部61位于开口AP1与开口AP2之间。图的右侧所示的隔壁6的下部61位于开口AP2与开口AP3之间。上部62具有比下部61大的宽度。由此，上部62的两端部比下部61的侧面突出。这样的隔壁6的形状也可以称为悬臂状。上部62中的比下部61更向开口AP1突出的部分称为突出部621，比下部61更向开口AP2突出的部分称为突出部622，比下部61更向开口AP3突出的部分称为突出部623。

有机层OR1通过开口AP1而与下电极LE1接触，覆盖下电极LE1，并且与肋部5的一部分重叠。上电极UE1与下电极LE1相对，并被配置在有机层OR1之上。并且，上电极UE1与下部61的侧面接触。有机层OR1及上电极UE1与上部62相比位于下方。

有机层OR2通过开口AP2而与下电极LE2接触，覆盖下电极LE2，并且与肋部5的一部分重叠。上电极UE2与下电极LE2相对，并且被配置在有机层OR2之上。并且，上电极UE2与下部61的侧面接触。有机层OR2及上电极UE2与上部62相比位于下方。

有机层OR3通过开口AP3而与下电极LE3接触，覆盖下电极LE3，并且与肋部5的一部分重叠。上电极UE3与下电极LE3相对，并且被配置在有机层OR3上。并且，上电极UE3与下部61的侧面接触。有机层OR3和上电极UE3与上部62相比位于下方。

子像素SP1、SP2、SP3还包括用于调整有机层OR1、OR2、OR3的发光层发出的光的光学特性的盖层(光学调整层)CP1、CP2、CP3。

盖层CP1位于开口AP1，与上部62相比位于下方，并被配置在上电极UE1之上。盖层CP2位于开口AP2，与上部62相比位于下方，并被配置在上电极UE2之上。盖层CP3位于开口AP3，与上部62相比位于下方，并被配置在上电极UE3之上。

在子像素SP1、SP2、SP3中分别配置有密封层SE1、SE2、SE3。

密封层SE1与盖层CP1以及隔壁6的下部61及上部62相接，连续地覆盖子像素SP1的各部件。密封层SE2与盖层CP2以及隔壁6的下部61和上部62相接，并连续地覆盖子像素SP2的各部件。密封层SE3与盖层CP3以及隔壁6的下部61及上部62相接，连续地覆盖子像素SP3的各部件。

密封层SE1、SE2、SE3被保护层13覆盖。

在图示的例子中，有机层OR1的一部分、上电极UE1的一部分以及盖层CP1的一部分位于隔壁6与密封层SE1之间，被配置在上部62之上，并与相比于上部62位于下方的部分分离。

此外，有机层OR2的一部分、上电极UE2的一部分以及盖层CP2的一部分位于隔壁6与密封层SE2之间，被配置在上部62之上，并与相比于上部62位于下方的部分分离。

此外，有机层OR3的一部分、上电极UE3的一部分以及盖层CP3的一部分位于隔壁6与密封层SE3之间，被配置在上部62之上，并与相比于上部62位于下方的部分分离。

绝缘层12是有机绝缘层。肋部5及密封层SE1、SE2、SE3是无机绝缘层。

肋部5由作为无机绝缘材料的一例的硅氮化物(SiNx)形成。需要说明的是，肋部5也可以以作为其他无机绝缘材料的硅氧化物(SiOx)、硅氧氮化物(SiON)、或氧化铝(Al₂O₃)中的任一单层体的形式形成。此外，肋部5也可以以基于硅氮化物层、硅氧化物层、硅氧氮化物层、及氧化铝层中的至少2者的组合的层叠体的形式形成。

密封层SE1、SE2、SE3例如由同一无机绝缘材料形成。

密封层SE1、SE2、SE3由作为无机绝缘材料的一例的硅氮化物(SiNx)形成。需要说明的是，密封层SE1、SE2、SE3也可以以作为其他无机绝缘材料的硅氧化物(SiOx)、硅氧氮化物(SiON)或氧化铝(Al₂O₃)中的任一单层体的形式形成。此外，密封层SE1、SE2、SE3也可以以基于硅氮化物层、硅氧化物层、硅氧氮化物层、及、氧化铝层中的至少2者的组合的层叠体的形式形成。因此，可以有密封层SE1、SE2、SE3由与肋部5相同的材料形成的情况。

隔壁6的下部61由导电材料形成，与上电极UE1、UE2、UE3电连接。隔壁6的下部61和上部62均可以由导电材料形成。

肋部5的厚度与隔壁6、绝缘层12的厚度相比足够小。在一例中，肋部5的厚度为200nm以上且400nm以下。

隔壁6的下部61的厚度(从肋部5的上表面到上部62的下表面的厚度)大于肋部5的厚度。

密封层SE1的厚度、密封层SE2的厚度以及密封层SE3的厚度大致相等，例如为1μm左右。

下电极LE1、LE2、LE3可以由ITO等透明导电材料形成，也可以具有银(Ag)等金属材料与透明导电材料的层叠结构。上电极UE1、UE2、UE3例如由镁和银的合金(MgAg)等金属材料形成。上电极UE1、UE2、UE3也可以由ITO等透明导电材料形成。

有机层OR1、OR2、OR3各自包括空穴注入层、空穴传输层、电子阻挡层、空穴阻挡层、电子传输层、电子注入层等多个功能层。此外，有机层OR1包含发光层EM1。有机层OR2包含发光层EM2。发光层EM2由与发光层EM1不同的材料形成。有机层OR3包含发光层EM3。发光层EM3由与发光层EM1和EM2不同的材料形成。

形成发光层EM1的材料，形成发光层EM2的材料和形成发光层EM3的材料是发出相互不同的波长区域的光的材料。

在一例中，发光层EM1由发出蓝色波长区域的光的材料形成，发光层EM2由发出绿色波长区域的光的材料形成，发光层EM3由发出红色波长区域的光的材料形成。

盖层CP1、CP2、CP3例如由透明薄膜的多层体形成。就多层体而言，作为薄膜，包含由有机材料形成的薄膜。此外，这些多个薄膜具有相互不同的折射率。构成多层体的薄膜的材料与上电极UE1、UE2、UE3的材料不同，此外，也与密封层SE1、SE2、SE3的材料不同。需要说明的是，也可以省略盖层CP1、CP2、CP3中的至少1个。

保护层13由透明薄膜的多层体形成，例如，作为薄膜，包含由无机材料形成的薄膜及由有机材料形成的薄膜。

向隔壁6供给公共电压。该公共电压被分别供给至与下部61的侧面接触的上电极UE1、UE2、UE3。通过子像素SP1、SP2、SP3分别具有的像素电路1而向下电极LE1、LE2、LE3供给像素电压。

当下电极LE1与上电极UE1之间形成电位差时，有机层OR1中的发光层EM1发出蓝色波长区域的光。若在下电极LE2与上电极UE2之间形成电位差，则有机层OR2中的发光层EM2发出绿色波长区域的光。若在下电极LE3与上电极UE3之间形成电位差，则有机层OR3中的发光层EM3发出红色波长区域的光。

图4是示出显示元件201至203的构成的一例的图。

需要说明的是，在此，以下电极相当于阳极、上电极相当于阴极的情况为例进行说明。

显示元件201在下电极LE1与上电极UE1之间包括有机层OR1。

在有机层OR1中，空穴注入层HIL1、空穴传输层HTL1、电子阻挡层EBL1、发光层EM1、空穴阻挡层HBL1、电子传输层ETL1及电子注入层EIL1依次层叠。

盖层CP1包含第1透明层TL11和第2透明层TL12。第1透明层TL11配置在上电极UE1之上。第2透明层TL12配置在第1透明层TL11之上。密封层SE1配置在第2透明层TL12上。

显示元件202包括在下电极LE2和上电极UE2之间的有机层OR2。

在有机层OR2中，空穴注入层HIL2，空穴传输层HTL2，电子阻挡层EBL2，发光层EM2，空穴阻挡层HBL2，电子传输层ETL2及电子注入层EIL2依次层叠。在一例中，空穴传输层HTL2的厚度T2大于空穴传输层HTL1的厚度T1。

盖层CP2包含第1透明层TL21和第2透明层TL22。第1透明层TL21配置在上电极UE2之上。第2透明层TL22配置在第1透明层TL21之上。密封层SE2配置在第2透明层TL22之上。

显示元件203在下电极LE3与上电极UE3之间包括有机层OR3。

在有机层OR3中，空穴注入层HIL3、空穴传输层HTL3、电子阻挡层EBL3、发光层EM3、空穴阻挡层HBL3、电子传输层ETL3及电子注入层EIL3依次层叠。在一例中，空穴传输层HTL3的厚度T3大于空穴传输层HTL2的厚度T2。

盖层CP3包含第1透明层TL31和第2透明层TL32。第1透明层TL31配置在上电极UE3之上。第2透明层TL32配置在第1透明层TL31之上。密封层SE3配置在第2透明层TL32之上。

第1透明层TL11、TL21、TL31是由第1有机材料形成的透明的有机层，此外，是具有比上电极UE1、UE2、UE3大的折射率的高折射率层。在一例中，第1透明层TL11、TL21、TL31的折射率为1.7以上、2.0以下。

第2透明层TL12、TL22、TL32是由第2有机材料形成的透明的有机层，是具有比第1透明层TL11、TL21、TL31小的折射率的低折射率层。在一例中，第2透明层TL12、TL22、TL32的折射率为1.3以上、1.6以下。

需要说明的是，与第2透明层TL12、TL22、TL32相接的密封层SE1、SE2、SE3的折射率大于第2透明层TL12、TL22、TL32的折射率。在一例中，密封层SE1、SE2、SE3的折射率为1.7以上、2.0以下。

作为用于形成第2透明层TL12、TL22、TL32的第2有机材料，优选主链由碳构成，取代基含有氟的氟系树脂。在一例中，第2透明层TL12、TL22、TL32能够由聚四氟乙烯(PTFE)，聚偏氟乙烯(PVDF)以及2-(全氟己基)乙基丙烯酸酯(2-(Perfluorohexyl)ethylacrylate)中的至少1种第2有机材料形成。聚四氟乙烯的折射率为1.35。聚偏氟乙烯的折射率为1.42。2-(全氟己基)乙基丙烯酸酯的折射率为1.35。

应用了这些第2有机材料的第2透明层TL12、TL22、TL32可以通过蒸镀法形成。这样的第2透明层TL12、TL22、TL32的厚度例如为20nm～500nm。

第1透明层TL11、TL21、TL31相互分离，分别单独形成。因此，可能存在第1透明层TL11、TL21、TL31全部由同一材料形成的情况，可能存在第1透明层TL11、TL21、TL31中的1个透明层由与其他2个透明层不同的材料形成的情况，且可能存在第1透明层TL11、TL21、TL31全部由相互不同的材料形成的情况。

第2透明层TL12、TL22、TL32相互分离，分别单独形成。因此，可能存在第2透明层TL12、TL22、TL32全部由同一材料形成的情况，可能存在第2透明层TL12、TL22、TL32中的1个透明层由与其他2个透明层不同的材料形成的情况，且可能存在第2透明层TL12、TL22、TL32全部由相互不同的材料形成的情况。

第1透明层TL11、TL21、TL31各自的厚度可以全部相同，也可以互不相同。

此外，第2透明层TL12、TL22、TL32各自的厚度可以全部相同，也可以互不相同。

在一例中，第2透明层TL12、TL22、TL32各自的厚度全部相同，蓝色用的显示元件201中的第1透明层TL11的厚度比红色用的显示元件203中的第1透明层TL31的厚度小。

而且，在显示元件201中，第2透明层TL12的厚度大于第1透明层TL11的厚度。此外，在显示元件203中，第1透明层TL31的厚度比第2透明层TL32的厚度小。

可能存在盖层CP1至CP3的所有层构成相同的情况，可能存在盖层CP1至CP3中的1个盖层的层构成与其他2个盖层的层构成不同的情况，也可能存在盖层CP1至CP3的所有层构成彼此不同的情况。

此外，盖层CP1、CP2、CP3也可以是3层以上的层叠体。

有机层OR1、OR2、OR3除了上述功能层以外，还可以根据需要包含载流子产生层等其他功能层，也可以省略上述功能层中的至少1层。

空穴传输层HTL1、HTL2、HTL3各自在一例中如图中虚线所示，是由相互不同的材料形成的2个薄膜的多层体，但也可以是由单一材料形成的单层体。

显示元件201至203不限于图示的单式构成，也可以是串联构成。

接着，对显示装置DSP的制造方法的一例进行说明。

图5是用于说明显示装置DSP的制造方法的一例的流程图。

这里所示的制造方法大致包括准备具有子像素SP1、子像素SP2和子像素SP3的处理基板SUB的工序(步骤ST1)，形成子像素SP1的显示元件201的工序(步骤ST2)，形成子像素SP2的显示元件202的工序(步骤ST3)，形成子像素SP3的显示元件203的工序(步骤ST4)。

在步骤ST1中，首先，准备在基板10上形成有子像素SP1的下电极LE1、子像素SP2的下电极LE2、子像素SP3的下电极LE3、肋部5以及隔壁6的处理基板SUB。如图3所示，在基板10与下电极LE1、LE2、LE3之间还形成有电路层11和绝缘层12。

在步骤ST2中，首先遍及子像素SP1、子像素SP2及子像素SP3形成包含发光层EM1的第1薄膜31(步骤ST21)。第1薄膜31是图3所示的有机层OR1、上电极UE1、盖层CP1及密封层SE1的层叠体。然后，在第1薄膜31上形成图案化为规定形状的第1抗蚀剂41(步骤ST22)。然后，通过将第1抗蚀剂41作为掩模的蚀刻，除去第1薄膜31的一部分(步骤ST23)。此时，例如除去配置于子像素SP2及子像素SP3的第1薄膜31。然后，除去第1抗蚀剂41(步骤ST24)。由此，形成子像素SP1。子像素SP1具备具有规定形状的第1薄膜31的显示元件201。

在步骤ST3中，首先，遍及子像素SP1、子像素SP2及子像素SP3形成包含发光层EM2的第2薄膜32(步骤ST31)。第2薄膜32是图3所示的有机层OR2、上电极UE2、盖层CP2及密封层SE2的层叠体。然后，在第2薄膜32上形成图案化为规定形状的第2抗蚀剂42(步骤ST32)。然后，通过将第2抗蚀剂42作为掩模的蚀刻，除去第2薄膜32的一部分(步骤ST33)。此时，例如除去配置于子像素SP1及子像素SP3的第2薄膜32。然后，除去第2抗蚀剂42(步骤ST34)。由此，形成子像素SP2。子像素SP2具备具有规定形状的第2薄膜32的显示元件202。

在步骤ST4中，首先遍及子像素SP1、子像素SP2及子像素SP3形成包含发光层EM3的第3薄膜33(步骤ST41)。第3薄膜33是图3所示的有机层OR3、上电极UE3、盖层CP3及密封层SE3的层叠体。然后，在第3薄膜33上形成图案化为规定形状的第3抗蚀剂43(步骤ST42)。然后，通过将第3抗蚀剂43作为掩模的蚀刻，除去第3薄膜33的一部分(步骤ST43)。此时，例如除去配置于子像素SP1及子像素SP2的第3薄膜33。然后，除去第3抗蚀剂43(步骤ST44)。由此，形成子像素SP3。子像素SP3具备具有规定形状的第3薄膜33的显示元件203。

省略第2薄膜32、第2薄膜42、第3薄膜33及第3抗蚀剂43的详细图示。

以下，参照图6至图12对步骤ST1以及步骤ST2进行说明。此外，图6至图12所示的各剖面例如相当于沿着图2中的A-B线的剖面。

首先，在步骤ST1中，如图6所示，准备处理基板SUB。准备处理基板SUB的工序包括：在基板10之上形成电路层11的工序；在电路层11之上形成绝缘层12的工序；在绝缘层12之上形成子像素SP1的下电极LE1、子像素SP2的下电极LE2、子像素SP3的下电极LE3的工序；形成具有与下电极LE1、LE2、LE3各自重叠的开口AP1、AP2、AP3的肋部5的工序；形成包含在肋部5之上配置的下部61及在下部61之上配置并从下部61的侧面突出的上部62的隔壁6的工序。肋部5例如由硅氮化物形成。隔壁6之中，至少下部61由导电材料形成。需要说明的是，在图7至图12的各图中，省略与绝缘层12相比为下层的基板10及电路层11的图示。

接着，在步骤ST21中，如图7所示，遍及子像素SP1、子像素SP2及子像素SP3形成第1薄膜31。形成第1薄膜31的工序包括：在处理基板SUB上形成包含发光层EM1的有机层OR1的工序；在有机层OR1上形成上电极UE1的工序；在上电极UE1上形成盖层CP1的第1透明层TL11的工序；在第1透明层TL11上形成盖层CP1的第2透明层TL12的工序；以及在第2透明层TL12上形成密封层SE1的工序。即，在图示的例子中，第1薄膜31包含有机层OR1、上电极UE1、盖层CP1及密封层SE1。

有机层OR1分别形成在下电极LE1、下电极LE2以及下电极LE3上，并且也形成在隔壁6上。有机层OR1中的形成于上部62之上的部分与形成于下电极LE1、LE2、LE3之上的部分分离。有机层OR1的发光层EM1及各种功能层通过蒸镀法形成。

上电极UE1在下电极LE1、下电极LE2以及下电极LE3的正上方分别形成在有机层OR1之上，覆盖肋部5，并与隔壁6的下部61相接。此外，上电极UE1在上部62的正上方也形成在有机层OR1上。上电极UE1中的形成在上部62的正上方的部分与形成在下电极LE1、LE2、LE3的正上方的部分分离。上电极UE1通过蒸镀法例如由镁与银的合金形成。

盖层CP1的第1透明层TL11在下电极LE1、下电极LE2以及下电极LE3的正上方分别形成于上电极UE1之上，并且在上部62的正上方也形成于上电极UE1之上。第1透明层TL11中的形成在上部62的正上方的部分与形成在下电极LE1、LE2、LE3的正上方的部分分离。第1透明层TL11通过蒸镀法由第1有机材料形成。

盖层CP1的第2透明层TL12在下电极LE1、下电极LE2以及下电极LE3的正上方分别形成于第1透明层TL11之上，并且在上部62的正上方也形成于第1透明层TL11之上。第2透明层TL12中的形成于上部62的正上方的部分与形成于下电极LE1、LE2、LE3的正上方的部分分离。第2透明层TL12通过蒸镀法由上述的第2有机材料形成。第2有机材料是与第1有机材料不同的材料。此外，第2有机材料的折射率比第1有机材料的折射率低。

密封层SE1以覆盖第2透明层TL12以及隔壁6的方式形成。也就是说，密封层SE1在下电极LE1、下电极LE2以及下电极LE3的正上方分别形成在第2透明层TL12上，并且在上部62的正上方也形成在第2透明层TL12上。此外，密封层SE1还与隔壁6的下部61接触。在密封层SE1中，在上部62的正上方形成的部分与在各下电极的正上方形成的部分连接。密封层SE1通过CVD法由硅氮化物形成。

接着，在步骤ST22中，如图8所示，在密封层SE1上形成图案化后的第1抗蚀剂41。第1抗蚀剂41覆盖子像素SP1的第1薄膜31，使子像素SP2及子像素SP3的第1薄膜31露出。也就是说，第1抗蚀剂41与位于下电极LE1正上方的密封层SE1重叠。此外，第1抗蚀剂41从子像素SP1向隔壁6的上方延伸。在子像素SP1与子像素SP2之间的隔壁6的正上方，第1抗蚀剂41配置在子像素SP1侧(图的左侧)，而在子像素SP2侧(图的右侧)露出密封层SE1。此外，第1抗蚀剂41在子像素SP2和子像素SP3中使密封层SE1露出。

然后，在步骤ST23中，如图9至图11所示，将第1抗蚀剂41作为掩模进行蚀刻，除去从第1抗蚀剂41露出的子像素SP2及子像素SP3的第1薄膜31，在子像素SP1上残留第1薄膜31。

除去第1薄膜31的工序例如如下所述。

首先，如图9所示，将第1抗蚀剂41用作掩模，进行干式蚀刻，除去从第1抗蚀剂41露出的密封层SE1。由此，盖层CP1之中，一部分第2透明层TL12从密封层SE1露出。

之后，如图10所示，将第1抗蚀剂41用作掩模，进行灰化(照射氧等离子体的干式蚀刻)，除去从密封层SE1露出的第2透明层TL12。

接着，将第1抗蚀剂41用作掩模，进行灰化，除去从第2透明层TL12露出的第1透明层TL11。由此，一部分上电极UE1从盖层CP1露出。

然后，如图11所示，将第1抗蚀剂41用作掩模，进行湿式蚀刻，除去从第1透明层TL11露出的上电极UE1。

然后，将第1抗蚀剂41用作掩模，进行灰化，除去从上电极UE1露出的有机层OR1。

由此，在子像素SP2中下电极LE2露出，此外，包围下电极LE2的肋部5露出。此外，在子像素SP3中下电极LE3露出，此外，包围下电极LE3的肋部5露出。此外，在子像素SP1与子像素SP2之间的隔壁6中，子像素SP2侧露出。此外，子像素SP2与子像素SP3之间的隔壁6露出。

然后，在步骤ST24中，如图12所示，除去第1抗蚀剂41。由此，子像素SP1的密封层SE1露出。经过这些步骤ST21至ST24，在子像素SP1中形成显示元件201。显示元件201由下电极LE1、包含发光层EM1的有机层OR1、上电极UE1、第1透明层TL11以及第2透明层TL12构成。此外，显示元件201被密封层SE1覆盖。

在子像素SP1和子像素SP2之间的隔壁6上，形成包含发光层EM1的有机层OR1、上电极UE1、第1透明层TL11、第2透明层TL12、以及密封层SE1的层叠体。隔壁6上的层叠体分别与构成显示元件201的有机层OR1、上电极UE1、第1透明层TL11、第2透明层TL12以及密封层SE1分离。此外，隔壁6中的子像素SP1侧的部分被密封层SE1覆盖。此外，图12所示的隔壁6上的层叠体有时被完全除去。

图5所示的步骤ST31至ST34与上述步骤ST21至ST24相同。经过这些步骤ST31至ST34，在图3所示的子像素SP2中，形成显示元件202。显示元件202由下电极LE2、包含发光层EM2的有机层OR2、上电极UE2、第1透明层TL21以及第2透明层TL22构成。此外，显示元件202被密封层SE2覆盖。

图5所示的步骤ST41至ST44也与上述步骤ST21至ST24相同。经过这些步骤ST41至ST44，在图3所示的子像素SP3中，形成显示元件203。显示元件203由下电极LE3、包含发光层EM3的有机层OR3、上电极UE3、第1透明层TL31以及第2透明层TL32构成。此外，显示元件203被密封层SE3覆盖。

根据本实施方式，显示元件201至203分别具备作为光学调整层发挥作用的盖层CP1至CP3。因此，由发光层EM1至EM3分别放射出的光在构成盖层CP1至CP3的第1透明层与第2透明层的界面被反射，并在上电极处再次被反射。通过利用了这样的反射光的干涉的微腔效应，能够提高每1个显示元件的光取出效率。

接着，对显示装置DSP的制造装置进行说明。在此，作为一例，对用于形成显示元件201的有机层OR1、上电极UE1以及盖层CP1的制造装置100进行说明。用于形成显示元件202的有机层OR2、上电极UE2和盖层CP2的制造装置以及用于形成显示元件203的有机层OR3、上电极UE3和盖层CP3的制造装置可以与上述制造装置100同样地构成。

图13是用于说明制造装置100的一个构成例的图。

制造装置100适用于参照图5及图7说明的形成第1薄膜31的工序中的形成有机层OR1、上电极UE1及盖层CP1的工序。此外，假设显示元件201的构成是图4所示的单一构成。

制造装置100具备前处理部101、方向转换部102、后处理部103、第1蒸镀部110、第2蒸镀部120、第3蒸镀部130、第4蒸镀部140、以及沿着搬送路径T搬送处理基板SUB的搬送机构。在这样的制造装置100中，至少从第1蒸镀部110到第4蒸镀部140维持在规定的减压状态。

前处理部101例如具备：形成具有在步骤ST1中说明的下电极、肋部、隔壁等的处理基板SUB的处理基板形成部；对处理基板SUB进行清洗处理、干燥处理、等离子体处理等各种处理的处理部，等等。此外，前处理部101具有将处理基板SUB设定为规定的搬送姿态的机构、通过静电卡盘将处理基板SUB固定在专用的载体上的机构等。载体被搬送机构沿着搬送路径T搬送。

后处理部103具备解除静电卡盘的固定而从载体取下处理基板SUB的机构、将处理基板SUB设定为规定姿态的机构等。

第1蒸镀部110以形成图4所示的有机层OR1的方式构成，具备多个蒸镀部。在图示的例子中，第1蒸镀部110具有8个蒸镀部111至118，但也可以具有更多的蒸镀部。

蒸镀部111至115沿着搬送路径T排列成一列，并相互连结。蒸镀部116至118沿着搬送路径T排列成一列，并相互连结。蒸镀部115以及蒸镀部116与方向转换部102连结。在图示的例子中，方向转换部102构成为将处理基板SUB的搬送方向转换180°。

与前处理部101连结的蒸镀部111构成为在下电极LE1上形成空穴注入层HIL1。

与蒸镀部111连结的蒸镀部112构成为在空穴注入层HIL1上形成构成空穴传输层HTL1的第1薄膜HTL1-1。

与蒸镀部112连结的蒸镀部113构成为在第1薄膜HTL1-1上形成构成空穴传输层HTL1的第2薄膜HTL1-2。

与蒸镀部113连结的蒸镀部114构成为在第2薄膜HTL1-2上形成电子阻挡层EBL1。

与蒸镀部114连结的蒸镀部115构成为在电子阻挡层EBL1上形成发光层EM1。而且，蒸镀部115与方向转换部102连结。

与方向转换部102连结的蒸镀部116构成为在发光层EM1上形成空穴阻挡层HBL1。

与蒸镀部116连结的蒸镀部117构成为在空穴阻挡层HBL1上形成电子传输层ETL1。

与蒸镀部117连结的蒸镀部118以在电子传输层ETL1上形成电子注入层EIL1的方式构成。

与蒸镀部118连结的第2蒸镀部120构成为在电子注入层EIL1上形成上电极UE1。

与第2蒸镀部120连结的第3蒸镀部130以在上电极UE1上蒸镀第1有机材料、从而形成第1透明层TL11的方式构成。

与第3蒸镀部130连结的第4蒸镀部140以在第1透明层TL11上蒸镀第2有机材料、从而形成第2透明层TL12的方式构成。并且，第4蒸镀部140与后处理部103连结。

以下，对制造装置100中的制造工序进行说明。

被搬入到制造装置100的处理基板SUB沿着搬送路径T被搬送，首先被搬入到前处理部101。在前处理部101中，对处理基板SUB进行规定的前处理。

之后，处理基板SUB被搬入到蒸镀部111。在蒸镀部111中，对处理基板SUB蒸镀用于形成空穴注入层HIL1的有机材料。

之后，处理基板SUB被搬入到蒸镀部112。在蒸镀部112中，对处理基板SUB蒸镀用于形成空穴传输层的第1薄膜HTL1-1的有机材料。

之后，处理基板SUB被搬入到蒸镀部113。在蒸镀部113中，对处理基板SUB蒸镀用于形成空穴传输层的第2薄膜HTL1-2的有机材料。

之后，处理基板SUB被搬入到蒸镀部114。在蒸镀部114中，对处理基板SUB蒸镀用于形成电子阻挡层EBL1的有机材料。

之后，处理基板SUB被搬入到蒸镀部115。在蒸镀部115中，对处理基板SUB蒸镀用于形成发光层EM1的有机材料。

之后，处理基板SUB经由方向转换部102被搬入到蒸镀部116。在蒸镀部116中，对处理基板SUB蒸镀用于形成空穴阻挡层HBL1的有机材料。

之后，处理基板SUB被搬入到蒸镀部117。在蒸镀部117中，对处理基板SUB蒸镀用于形成电子传输层ETL1的有机材料。

在蒸镀部111至117中，对处理基板SUB蒸镀相互不同的有机材料。

之后，处理基板SUB被搬入到蒸镀部118。在蒸镀部118中，对处理基板SUB蒸镀用于形成电子注入层EIL1的无机材料。

之后，处理基板SUB被搬入第2蒸镀部120。在第2蒸镀部120中，对处理基板SUB蒸镀用于形成上电极UE1的无机材料。

在蒸镀部118和第2蒸镀部120中，对处理基板SUB蒸镀相互不同的无机材料。

之后，处理基板SUB被搬入第3蒸镀部130。在第3蒸镀部130中，对处理基板SUB蒸镀用于形成第1透明层TL11的第1有机材料。

之后，处理基板SUB被搬入第4蒸镀部140。在第4蒸镀部140中，对处理基板SUB蒸镀用于形成第2透明层TL12的第2有机材料。

在第3蒸镀部130和第4蒸镀部140中，对处理基板SUB蒸镀相互不同的有机材料。

之后，处理基板SUB被搬入到后处理部103。在后处理部103中，对处理基板SUB进行规定的后处理。然后，将处理基板SUB从制造装置100搬出。

接着，对蒸镀部的代表性构成进行说明。

图14为示意性地示出蒸镀部300的主要部分的立体图。

蒸镀部300具备蒸镀源310和膜厚测定器320。

蒸镀源310具备加热材料的坩埚311、与坩埚311连接的多个蒸镀头312，从各蒸镀头312放射出气化的材料的第1喷嘴313及第2喷嘴314(图14中未图示)。多个第1喷嘴313在与处理基板SUB的搬送路径T正交的方向上排列。

膜厚测定器320与蒸镀源310相对。搬送路径T隔着蒸镀源310而设置在膜厚测定器320的相反侧。

图14所示的蒸镀部300的构成能够适用于图13所示的各蒸镀部。

图15是示意性地示出蒸镀部300的主要部分的俯视图。在此，图示了多个蒸镀头中的1个蒸镀头312。

蒸镀源310及膜厚测定器320收容于腔室301的内部。第1喷嘴313与虚线所示的处理基板SUB或者双点划线所示的搬送路径T相对。第2喷嘴314与膜厚测定器320相对。即，向处理基板SUB放射材料的喷嘴和向膜厚测定器320放射材料的喷嘴是分开的。

膜厚测定器320具备具有开孔321A的闸门321、具有开孔322A的罩322、构成为能够以旋转轴323A为中心旋转的保持器323、配置于保持器323的同一面上的多个水晶振子C。罩322位于闸门321与水晶振子C之间。在对水晶振子C蒸镀从第2喷嘴314放射出的材料的情况下，闸门321以开孔321A与开孔322A位于同轴上的方式被驱动。

水晶振子C例如具有在一对金属电极之间夹持水晶板的结构。当从第2喷嘴314放射出的材料被蒸镀到金属电极时，水晶振子C的频率发生变化。水晶振子C的频率随着材料的附着而衰减。因此，在膜厚测定器320中，基于水晶振子C的频率测定材料的蒸镀速率，进而，测定形成在水晶振子C上的薄膜的厚度以及形成在处理基板SUB上的薄膜的厚度。

例如，图示的蒸镀部300相当于图13所示的第4蒸镀部140时，蒸镀源310对收容于坩埚311的第2有机材料进行加热，从第1喷嘴313及第2喷嘴314放射出气化的第2有机材料。从第2喷嘴314发射出的第2有机材料通过开孔321A和开孔322A而被蒸镀于至少1个水晶振子C。膜厚测定器320能够基于水晶振子C的频率，对第2有机材料的蒸镀速率、蒸镀于水晶振子C的第2有机材料的厚度、以及蒸镀于处理基板SUB的第2有机材料的厚度进行测定。

图16是罩322及保持器323的主视图。

保持器323形成为圆板状。多个水晶振子C在保持器323的圆周方向上隔开间隔地排列。在图示的例子中，10个水晶振子C设置在保持器323上。需要说明的是，设置于保持器323的水晶振子C的个数不限于图示的例子。

罩322以覆盖保持器323和水晶振子C的方式形成。罩322的开孔322A形成为与1个水晶振子C相对。需要说明的是，开孔322A也可以被形成为与多个水晶振子C相对。

在与开孔322A相对的水晶振子C上蒸镀从蒸镀源放射出的材料。在蒸镀了规定厚度的材料后、或者达到了规定的蒸镀速率后，保持器323以旋转轴323A为中心旋转，其他的水晶振子C通过开孔322A而与第2喷嘴314相对。

此外，为了用上述方法正确地计算出形成在处理基板SUB上的薄膜的厚度，要求同时开始对处理基板SUB的蒸镀和对水晶振子C的蒸镀，并同等地进行。但是，在处理基板SUB上形成的薄膜的材料之中，有的材料难以蒸镀到未使用的水晶振子C上。例如，形成上述第2透明层TL12的第2有机材料难以在水晶振子C上形成薄膜。因此，有可能不能正确地测定第2有机材料的厚度。

因此，在本实施方式中，在第4蒸镀部140中，在开始向处理基板SUB蒸镀第2有机材料之前，从蒸镀源310的第1喷嘴313和第2喷嘴314放射第2有机材料，对保持器323上的所有水晶振子C预先蒸镀第2有机材料。将这样的工序称为预蒸镀(Pre-deposition)工序。

图17是用于说明预蒸镀工序的流程图。在此说明的预蒸镀工序在形成有第1透明层TL11的处理基板SUB上形成第2透明层TL12之前、即在将处理基板SUB搬入第4蒸镀部140之前进行。此外，此预蒸镀工序优选在处理基板SUB上形成有机层OR1之前、即在将处理基板SUB搬入第1蒸镀部110之前进行。

首先，对收容在坩埚311中的第2有机材料进行加热。由此，开始从第1喷嘴313及第2喷嘴314放射第2有机材料(步骤S51)。

并且，驱动闸门321、开孔321A与第2喷嘴314以及罩322的开孔322A配置在同轴上。由此，至少1个水晶振子C与第2喷嘴314相对，开始向水晶振子C蒸镀第2有机材料(步骤S52)。通过进行第2有机材料向水晶振子C的蒸镀，在水晶振子C上形成基底膜。

然后，根据与第2喷嘴314相对的水晶振子C的频率，判断第2有机材料向水晶振子C的蒸镀是否结束(即，在水晶振子C上是否形成规定厚度的基底膜)(步骤S53)。例如，基于水晶振子C的频率测定的蒸镀速率与设定蒸镀速率的差值在±2％以内，该蒸镀速率持续10分钟以上时，可以判断第2有机材料的蒸镀完成。或者，也可以在开始向水晶振子C蒸镀后经过了规定时间的情况下，判断为第2有机材料的蒸镀完成。进而，也可以在水晶振子C的频率达到规定频率的情况下，判断为第2有机材料的蒸镀完成。

当判断第2有机材料的蒸镀完成时(步骤S53，是(YES))，保持器323旋转，其他水晶振子C与第2喷嘴314相对，开始向该水晶振子C蒸镀第2有机材料(步骤S54)。

这些步骤S52至S54反复进行，直至对位于保持器323上的所有水晶振子C完成第2有机材料的蒸镀。

对所有的水晶振子C完成第2有机材料的蒸镀时(步骤S55，是)，结束预蒸镀工序。然后，开始沿着搬送路径T搬送处理基板SUB(步骤S60)。

图18是用于说明材料向处理基板SUB的蒸镀工序的流程图。在此说明的蒸镀工序在图17所示的步骤S60的处理基板SUB的搬送开始之后进行。需要说明的是，在这里说明的蒸镀工序开始之前，未达到使用限度的水晶振子C被设置成与开孔321A和开孔322A重叠。

首先，将形成有第1透明层TL11的处理基板SUB搬入第4蒸镀部140，沿着搬送路径T以一定的速度进行搬送(步骤S61)。

而且，处理基板SUB以与放射第2有机材料的多个第1喷嘴313相对的方式被搬送。由此，从第1喷嘴313放射出的第2有机材料被蒸镀至处理基板SUB。

另一方面，从第2喷嘴314放射出的第2有机材料在膜厚测定器320中通过开孔321A及开孔322A而被蒸镀至水晶振子C。膜厚测定器320基于水晶振子C的频率而对蒸镀速率、蒸镀至处理基板SUB的第2有机材料的厚度进行测定(步骤S62)。基于由膜厚测定器320测得的蒸镀速率，控制坩埚311的加热温度、处理基板SUB的搬送速度。

然后，在确认了第2有机材料的厚度达到目标厚度的基础上(步骤S63，是)，将处理基板SUB从第4蒸镀部140搬出。

然后，基于水晶振子C的频率，判断是否达到水晶振子C的使用限度(步骤S64)。如上所述，伴随着材料向水晶振子C的附着，水晶振子C的频率衰减。若在水晶振子C上附着大量的材料，则不能正确地检测频率的衰减率，此外，不能正确地检测蒸镀的材料的厚度。因此，在能够正确地检测厚度的范围内，对附着在水晶振子C上的材料的厚度设定上限值。即，在附着于水晶振子C上的材料的厚度达到上限值的情况下，能够判断为达到了水晶振子C的使用限度。需要说明的是，也可以对搬入到第4蒸镀部140的处理基板SUB的个数(水晶振子C的使用次数)、蒸镀工序的经过时间(水晶振子C的使用时间)等设定上限值，在达到这些上限值的情况下，判断为达到了水晶振子C的使用限度。

在判断为水晶振子C达到使用限度的情况下(步骤S64，是)，保持器323旋转，其他水晶振子C被设置成与开孔321A及开孔322A重叠(步骤S65)。

这样，根据本实施方式，在蒸镀材料的蒸镀部，通过具备水晶振子C的膜厚测定器320监控蒸镀速率，控制材料的加热温度等以维持一定的蒸镀速率。

在对难以蒸镀到未使用的水晶振子C上的第2有机材料进行蒸镀的第4蒸镀部140中，在开始向处理基板SUB的蒸镀之前，预先进行对全部水晶振子C蒸镀第2有机材料的预蒸镀工序。因此，全部水晶振子C具有第2有机材料的基底膜。因此，能够正确地测定蒸镀至处理基板SUB的第2有机材料的厚度。

并且，在用于测定的水晶振子C达到使用限度的情况下，在变更为具有基底膜的其他水晶振子C之后，能够立即进行蒸镀工序。因此，能够抑制生产效率的降低。

需要说明的是，在此，说明了在第4蒸镀部140中进行预蒸镀工序的例子，但用于形成上电极UE1的镁也与第2有机材料同样，难以蒸镀到未使用的水晶振子C上。因此，在第2蒸镀部120中也优选进行上述预蒸镀工序。

如上所述，根据本实施方式，能够提供可抑制生产效率降低的显示装置的制造装置及显示装置的制造方法。

以上，基于作为本发明的实施方式进行了说明的制造装置及制造方法，本领域技术人员通过适当的设计变更而能够实施的所有制造装置及制造方法，只要包含本发明的主旨，则也属于本发明的范围。

在本发明的思想范畴内，本领域技术人员能够想到各种变形例，这些变形例也属于本发明的范围。例如，对于上述的实施方式，本领域技术人员适当地进行了构成要素的追加、删除或设计变更的实施方式，或者进行了工序的追加，省略或条件变更的实施方式，只要具备本发明的主旨，则包含在本发明的范围内。

此外，关于由在上述实施方式中叙述的方式带来的其他作用效果，根据本说明书的记载而明确的作用效果、或者本领域技术人员能够适当想到的作用效果，当然理解为由本发明带来的作用效果。

Claims (15)

1.显示装置的制造方法，其中，

准备处理基板，所述处理基板中，在基板的上方形成有下电极，且形成有具有与所述下电极重叠的开口的肋部，并形成有包含位于所述肋部之上的下部及位于所述下部之上并从所述下部的侧面突出的上部的隔壁，

在所述开口中，在所述下电极之上形成有机层，

在所述有机层之上形成上电极，

在形成了所述上电极的所述处理基板上蒸镀第1有机材料，而在所述上电极之上形成第1透明层，

在形成了所述第1透明层的所述处理基板上，蒸镀具有比所述第1有机材料的折射率低的折射率的第2有机材料，从而在所述第1透明层之上形成第2透明层，

在形成所述第2透明层之前从蒸镀源的第1喷嘴及第2喷嘴放射所述第2有机材料，向与所述第2喷嘴相对的膜厚测定器中包含的多个水晶振子分别蒸镀所述第2有机材料。

2.如权利要求1所述的显示装置的制造方法，其中，所述第2有机材料为聚四氟乙烯(PTFE)、聚偏氟乙烯(PVDF)、及2-(全氟己基)乙基丙烯酸酯中的至少一者。

3.如权利要求1所述的显示装置的制造方法，其中，在对所述多个水晶振子均蒸镀所述第2有机材料后，沿着夹着所述蒸镀源而与所述膜厚测定器为相反侧的搬送路径搬送形成了所述第1透明层的所述处理基板。

4.如权利要求3所述的显示装置的制造方法，其中，在至少1个水晶振子与所述第2喷嘴相对的状态下，以与所述第1喷嘴相对的方式搬送所述处理基板，基于与所述第2喷嘴相对的所述水晶振子的频率对蒸镀至所述处理基板的所述第2有机材料的厚度进行测定。

5.如权利要求1所述的显示装置的制造方法，其中，

所述多个水晶振子在形成为圆板状的保持器之上沿圆周方向排列，

在向与所述第2喷嘴相对的所述水晶振子蒸镀了规定厚度的所述第2有机材料之后，所述保持器旋转而使其他所述水晶振子与所述第2喷嘴相对。

6.如权利要求1所述的显示装置的制造方法，其中，形成于所述隔壁的所述上部的正上方的所述有机层、所述上电极、所述第1透明层、及所述第2透明层与在所述开口中形成于所述下电极的正上方的所述有机层、所述上电极、所述第1透明层、及所述第2透明层分离。

7.如权利要求6所述的显示装置的制造方法，其中，

进一步地，在形成了所述第2透明层后，用具有比所述第2透明层的折射率高的折射率的无机材料形成密封层，

所述密封层覆盖所述隔壁之上的所述第2透明层并覆盖所述下电极的正上方的所述第2透明层、并且与所述隔壁相接。

8.如权利要求7所述的显示装置的制造方法，其中，

进一步地，在形成了所述密封层后，在所述密封层之上形成经图案化的抗蚀剂，

将从所述抗蚀剂露出的所述密封层、所述第2透明层、所述第1透明层、所述上电极、及所述有机层通过依次蚀刻而除去。

9.如权利要求1所述的显示装置的制造方法，其中，

形成所述有机层的工序中，

在所述下电极之上形成空穴注入层，

在所述空穴注入层之上形成空穴传输层，

在所述空穴传输层之上形成电子阻挡层，

在所述电子阻挡层之上形成发光层，

在所述发光层之上形成空穴阻挡层，

在所述空穴阻挡层之上形成电子传输层，

在所述电子传输层之上形成电子注入层，

所述上电极在所述电子注入层之上形成。

10.显示装置的制造装置，其具备：

第1蒸镀部，其一边搬送处理基板一边在与下电极重叠的开口中在所述下电极之上形成有机层，所述处理基板具备位于基板的上方的所述下电极、具有与所述下电极重叠的所述开口的肋部、和包含位于所述肋部之上的下部及位于所述下部之上并从所述下部的侧面突出的上部的隔壁；

第2蒸镀部，其在所述有机层之上形成上电极；

第3蒸镀部，其在所述上电极之上蒸镀第1有机材料，从而形成第1透明层；和

第4蒸镀部，其在所述第1透明层之上蒸镀具有比所述第1有机材料的折射率低的折射率的第2有机材料，从而形成第2透明层，

所述第4蒸镀部具备：

具有放射所述第2有机材料的第1喷嘴及第2喷嘴的蒸镀源；和

包含多个水晶振子的膜厚测定器，

所述第1喷嘴与形成有所述第1透明层的所述处理基板的搬送路径相对，

所述第2喷嘴与所述膜厚测定器相对，

所述第4蒸镀部构成为：在形成所述第2透明层之前从所述第1喷嘴及所述第2喷嘴放射出所述第2有机材料，对所述多个水晶振子分别蒸镀所述第2有机材料，在对所述多个水晶振子均蒸镀所述第2有机材料之后沿着所述搬送路径搬送所述处理基板。

11.如权利要求10所述的显示装置的制造装置，其中，所述第2有机材料为聚四氟乙烯(PTFE)、聚偏氟乙烯(PVDF)、及2-(全氟己基)乙基丙烯酸酯中的至少一者。

12.如权利要求10所述的显示装置的制造装置，其中，所述处理基板的所述搬送路径被设于夹着所述蒸镀源而与所述膜厚测定器为相反侧。

13.如权利要求10所述的显示装置的制造装置，其中，所述膜厚测定器构成为基于与所述第2喷嘴相对的所述水晶振子的频率对蒸镀至所述处理基板的所述第2有机材料的厚度进行测定。

14.如权利要求10所述的显示装置的制造装置，其中，

所述多个水晶振子在形成为圆板状的保持器之上沿圆周方向排列，

所述保持器构成为在向与所述第2喷嘴相对的所述水晶振子蒸镀了规定厚度的所述第2有机材料之后旋转，使得其他所述水晶振子与所述第2喷嘴相对。

15.如权利要求10所述的显示装置的制造装置，其中，

所述第1蒸镀部具备：

在所述下电极之上形成空穴注入层的蒸镀部；

在所述空穴注入层之上形成空穴传输层的蒸镀部；

在所述空穴传输层之上形成电子阻挡层的蒸镀部；

在所述电子阻挡层之上形成发光层的蒸镀部；

在所述发光层之上形成空穴阻挡层的蒸镀部；

在所述空穴阻挡层之上形成电子传输层的蒸镀部；

在所述电子传输层之上形成电子注入层的蒸镀部，

所述第2蒸镀部构成为在所述电子注入层之上形成所述上电极。