JP2003159700A - カーボンナノチューブの加工方法 - Google Patents
カーボンナノチューブの加工方法Info
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- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E60/00—Enabling technologies; Technologies with a potential or indirect contribution to GHG emissions mitigation
- Y02E60/30—Hydrogen technology
- Y02E60/50—Fuel cells
Abstract
(57)【要約】
【課題】不純物が残存しないカーボンナノチューブの加
工方法を提供すること。 【解決手段】エネルギーが１２０ｋｅＶより低いエネル
ギー線をカーボンナノチューブに照射することを特徴と
する。つまり、３００ｋＶ以上で加速した電子線をカー
ボンナノチューブに照射する方法では、照射された電子
によりカーボンナノチューブを構成する炭素原子が単独
で弾き出されることで欠陥が生成し、非晶質化している
のに対して、エネルギーを１２０ｋｅＶより小さくした
エネルギー線の照射を行うことで、照射された電子はカ
ーボンナノチューブを構成する炭素原子を弾き出すこと
ができず、カーボンナノチューブを構成する炭素原子か
らなる構造中に取り込まれ蓄積する結果、電荷等の集中
による発熱などで局所的に応力が発生してその部分の化
学結合が切断されて、ｎｍオーダーの破断部位が生起す
ることとなるものと考えられる。
工方法を提供すること。 【解決手段】エネルギーが１２０ｋｅＶより低いエネル
ギー線をカーボンナノチューブに照射することを特徴と
する。つまり、３００ｋＶ以上で加速した電子線をカー
ボンナノチューブに照射する方法では、照射された電子
によりカーボンナノチューブを構成する炭素原子が単独
で弾き出されることで欠陥が生成し、非晶質化している
のに対して、エネルギーを１２０ｋｅＶより小さくした
エネルギー線の照射を行うことで、照射された電子はカ
ーボンナノチューブを構成する炭素原子を弾き出すこと
ができず、カーボンナノチューブを構成する炭素原子か
らなる構造中に取り込まれ蓄積する結果、電荷等の集中
による発熱などで局所的に応力が発生してその部分の化
学結合が切断されて、ｎｍオーダーの破断部位が生起す
ることとなるものと考えられる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、微少なカーボンナ
ノチューブの加工方法に関する。
ノチューブの加工方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】炭素原子からなる平面グラファイト構造
を丸めて形成される円筒構造材料（カーボンナノチュー
ブ）が新しい材料として期待されている。カーボンナノ
チューブは、内部にいろいろな物質を詰めることが可能
であり、水素吸蔵素材としての利用が期待されている。
また、その表面積が大きいことから、燃料電池の触媒担
体への応用も指向されている。
を丸めて形成される円筒構造材料（カーボンナノチュー
ブ）が新しい材料として期待されている。カーボンナノ
チューブは、内部にいろいろな物質を詰めることが可能
であり、水素吸蔵素材としての利用が期待されている。
また、その表面積が大きいことから、燃料電池の触媒担
体への応用も指向されている。
【０００３】カーボンナノチューブはアスペクト比が大
きいことから、使用目的に合わせて適正な長さに切断す
る必要がある。また、カーボンナノチューブは先端部分
が閉じていることから、チューブ内部に物質を閉じこめ
る用途に用いる場合には、先端部分の開口化（キャップ
オープン処理）を行う必要がある。
きいことから、使用目的に合わせて適正な長さに切断す
る必要がある。また、カーボンナノチューブは先端部分
が閉じていることから、チューブ内部に物質を閉じこめ
る用途に用いる場合には、先端部分の開口化（キャップ
オープン処理）を行う必要がある。
【０００４】従来のカーボンナノチューブの加工方法
は、硝酸、または硝酸の混合酸、あるいは硫酸を用いた
化学的な酸化による単層カーボンナノチューブの切断方
法が提案されているが、硝酸、硫酸等の強酸を用いた化
学的なウェットプロセスであるために、この強酸が製造
プロセスにおいて悪影響を及ぼすこととなり、マイクロ
素子を製造する際には適さないものであった。
は、硝酸、または硝酸の混合酸、あるいは硫酸を用いた
化学的な酸化による単層カーボンナノチューブの切断方
法が提案されているが、硝酸、硫酸等の強酸を用いた化
学的なウェットプロセスであるために、この強酸が製造
プロセスにおいて悪影響を及ぼすこととなり、マイクロ
素子を製造する際には適さないものであった。
【０００５】そこで、ドライプロセスでカーボンナノチ
ューブを加工する方法が望まれている。ドライプロセス
の従来技術としては、特開平９−１３９２０９号公報に
開示されたように、カーボンナノチューブに３００ｋＶ
以上の電圧で加速した電子線を照射することを特徴とす
るカーボンナノチューブの加工方法がある。そして、特
開２００１−１８０９２０号公報に開示されたように、
カーボンナノチューブにイオンを照射する工程とそのカ
ーボンナノチューブを酸化する工程とを含むことを特徴
とするカーボンナノチューブの加工方法がある。
ューブを加工する方法が望まれている。ドライプロセス
の従来技術としては、特開平９−１３９２０９号公報に
開示されたように、カーボンナノチューブに３００ｋＶ
以上の電圧で加速した電子線を照射することを特徴とす
るカーボンナノチューブの加工方法がある。そして、特
開２００１−１８０９２０号公報に開示されたように、
カーボンナノチューブにイオンを照射する工程とそのカ
ーボンナノチューブを酸化する工程とを含むことを特徴
とするカーボンナノチューブの加工方法がある。
【０００６】また、特開平７−１７２８０７号公報に開
示されたように、カーボンナノチューブに適当な質量と
エネルギーのイオンを照射し、そのカーボンナノチュー
ブを構成する炭素原子の結合の一部を切断して未接合手
を作り出す工程を含むことを特徴とするカーボンナノチ
ューブの加工方法がある。そして、特開２００１−１７
２０１１号公報に開示されたように、カーボンナノチュ
ーブを加工用反応物質と反応させ、熱処理して加工する
ことを特徴とするカーボンナノチューブの加工方法があ
る。
示されたように、カーボンナノチューブに適当な質量と
エネルギーのイオンを照射し、そのカーボンナノチュー
ブを構成する炭素原子の結合の一部を切断して未接合手
を作り出す工程を含むことを特徴とするカーボンナノチ
ューブの加工方法がある。そして、特開２００１−１７
２０１１号公報に開示されたように、カーボンナノチュ
ーブを加工用反応物質と反応させ、熱処理して加工する
ことを特徴とするカーボンナノチューブの加工方法があ
る。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、特開平
９−１３９２０９号公報に開示された加工方法のよう
に、３００ｋＶ以上で加速した電子線をカーボンナノチ
ューブに照射する方法は、電子線による炭素原子の弾き
出しを利用するもので、加工方法というよりも、カーボ
ンナノチューブの基材に対する非晶質化や変態を促すも
の（Åオーダーでの加工）であり、カーボンナノチュー
ブの切断やキャップオープン処理といったｎｍオーダー
での微細加工は困難であった。さらに、３００ｋＶ以上
で電子線を加速するためには大規模な加速装置が必要で
あり、コスト的な問題もあった。
９−１３９２０９号公報に開示された加工方法のよう
に、３００ｋＶ以上で加速した電子線をカーボンナノチ
ューブに照射する方法は、電子線による炭素原子の弾き
出しを利用するもので、加工方法というよりも、カーボ
ンナノチューブの基材に対する非晶質化や変態を促すも
の（Åオーダーでの加工）であり、カーボンナノチュー
ブの切断やキャップオープン処理といったｎｍオーダー
での微細加工は困難であった。さらに、３００ｋＶ以上
で電子線を加速するためには大規模な加速装置が必要で
あり、コスト的な問題もあった。
【０００８】また、特開２００１−１８０９２０号公報
及び特開平７−１７２８０７号公報に開示されたよう
に、カーボンナノチューブへのイオン照射による加工方
法は、照射するイオンビームのエネルギーを制御した
り、イオンビームを絞ったりすることが困難であって微
細加工にはマスキング処理を行う必要がある等、微細処
理には不向きであると共に、照射したイオンが不純物と
してカーボンナノチューブ中に残存してしまう不都合が
あった。
及び特開平７−１７２８０７号公報に開示されたよう
に、カーボンナノチューブへのイオン照射による加工方
法は、照射するイオンビームのエネルギーを制御した
り、イオンビームを絞ったりすることが困難であって微
細加工にはマスキング処理を行う必要がある等、微細処
理には不向きであると共に、照射したイオンが不純物と
してカーボンナノチューブ中に残存してしまう不都合が
あった。
【０００９】さらに、特開２００１−１７２０１１号公
報に開示されたように、加工用反応物質と接触させて加
工する方法も、カーボンナノチューブと加工用反応物質
との位置関係を制御することが困難であるばかりか、カ
ーボンナノチューブと加工用反応物質とが接触すること
によって不純物の残存が生起するという不都合があっ
た。
報に開示されたように、加工用反応物質と接触させて加
工する方法も、カーボンナノチューブと加工用反応物質
との位置関係を制御することが困難であるばかりか、カ
ーボンナノチューブと加工用反応物質とが接触すること
によって不純物の残存が生起するという不都合があっ
た。
【００１０】上記課題に鑑み、本発明では、カーボンナ
ノチューブへ不純物が残存せずに加工が行えるカーボン
ナノチューブの加工方法を提供することを解決すべき課
題とする。
ノチューブへ不純物が残存せずに加工が行えるカーボン
ナノチューブの加工方法を提供することを解決すべき課
題とする。
【００１１】
【課題を解決するための手段】本発明者は上記課題を解
決する目的で鋭意研究を行った結果、イオンビームの照
射時にイオンビームを発生するイオン銃のように照射領
域の縮小が困難（イオン銃では照射領域をミリオーダー
程度にしか縮小できない）で照射するイオンがカーボン
ナノチューブに取り込まれるといった不都合が生じな
い、エネルギー線（たとえば電子線）照射について照射
するエネルギー線のエネルギーを適正に制御すること
で、カーボンナノチューブの非晶質化や変態を起こさず
にｎｍオーダーでの加工が可能であることを見出し、以
下の発明を行った。
決する目的で鋭意研究を行った結果、イオンビームの照
射時にイオンビームを発生するイオン銃のように照射領
域の縮小が困難（イオン銃では照射領域をミリオーダー
程度にしか縮小できない）で照射するイオンがカーボン
ナノチューブに取り込まれるといった不都合が生じな
い、エネルギー線（たとえば電子線）照射について照射
するエネルギー線のエネルギーを適正に制御すること
で、カーボンナノチューブの非晶質化や変態を起こさず
にｎｍオーダーでの加工が可能であることを見出し、以
下の発明を行った。
【００１２】すなわち、本発明のカーボンナノチューブ
の加工方法は、エネルギーが１２０ｋｅＶより低いエネ
ルギー線をカーボンナノチューブに照射することを特徴
とする。このエネルギー線は、電子線であることが好ま
しい。さらに電子線のエネルギーは８０ｋｅＶであるこ
とが好ましい。
の加工方法は、エネルギーが１２０ｋｅＶより低いエネ
ルギー線をカーボンナノチューブに照射することを特徴
とする。このエネルギー線は、電子線であることが好ま
しい。さらに電子線のエネルギーは８０ｋｅＶであるこ
とが好ましい。
【００１３】つまり、３００ｋＶ以上で加速した電子線
をカーボンナノチューブに照射する方法では、図１に示
すように、照射された電子によりカーボンナノチューブ
１を構成する炭素原子２が単独で弾き出されることで欠
陥２’が生成し、本来平面グラファイト構造を基本とす
るカーボンナノチューブの基材の化学構造が維持できな
くなり、非晶質化しているのである。
をカーボンナノチューブに照射する方法では、図１に示
すように、照射された電子によりカーボンナノチューブ
１を構成する炭素原子２が単独で弾き出されることで欠
陥２’が生成し、本来平面グラファイト構造を基本とす
るカーボンナノチューブの基材の化学構造が維持できな
くなり、非晶質化しているのである。
【００１４】それに対して、本発明のカーボンナノチュ
ーブの加工方法のように、エネルギーを１２０ｋｅＶよ
り小さくしたエネルギー線の照射を行うことで、図２
（ａ）に示すように、照射された電子はカーボンナノチ
ューブ１を構成する炭素原子を弾き出すことができず、
カーボンナノチューブを構成する炭素原子からなる構造
中に取り込まれ蓄積する結果、電荷等の集中による発熱
などで局所的に応力が発生してその部分の化学結合が切
断されて、図２（ｂ）に示すように、ｎｍオーダーの破
断部位３が生起することとなるものと考えられる。
ーブの加工方法のように、エネルギーを１２０ｋｅＶよ
り小さくしたエネルギー線の照射を行うことで、図２
（ａ）に示すように、照射された電子はカーボンナノチ
ューブ１を構成する炭素原子を弾き出すことができず、
カーボンナノチューブを構成する炭素原子からなる構造
中に取り込まれ蓄積する結果、電荷等の集中による発熱
などで局所的に応力が発生してその部分の化学結合が切
断されて、図２（ｂ）に示すように、ｎｍオーダーの破
断部位３が生起することとなるものと考えられる。
【００１５】
【発明の実施の形態】本発明のカーボンナノチューブの
加工方法は、エネルギーが１２０ｋｅＶより低いエネル
ギー線をカーボンナノチューブに照射することで、カー
ボンナノチューブを加工する。
加工方法は、エネルギーが１２０ｋｅＶより低いエネル
ギー線をカーボンナノチューブに照射することで、カー
ボンナノチューブを加工する。
【００１６】エネルギー線としては、電子線が好適な例
として挙げることができる。１２０ｋｅＶの電子線の波
長は０．０３３Åであり、エネルギー線として電子線を
用いる場合には波長の長さが０．０３３Å以上とする。
好ましいエネルギー線のエネルギーとしては８０ｋｅＶ
である。電子線を用いる場合には波長が０．０４２Åで
ある。
として挙げることができる。１２０ｋｅＶの電子線の波
長は０．０３３Åであり、エネルギー線として電子線を
用いる場合には波長の長さが０．０３３Å以上とする。
好ましいエネルギー線のエネルギーとしては８０ｋｅＶ
である。電子線を用いる場合には波長が０．０４２Åで
ある。
【００１７】エネルギー線をカーボンナノチューブに照
射する照射密度としては特に限定しないが、一例を挙げ
ると、４．０〜５．０×１０-11Ａ／ｃｍ2程度が挙げら
れる。エネルギー線として電子線を用いる場合に電子線
を発生させる方法としては、タングステンや、ＬａＢ6
等からなるフィラメントをもつ冷陰極電界放出型銃によ
り発生する熱電子を必要な加速電圧で加速することで、
必要なエネルギーをもつ電子線を照射することができ
る。
射する照射密度としては特に限定しないが、一例を挙げ
ると、４．０〜５．０×１０-11Ａ／ｃｍ2程度が挙げら
れる。エネルギー線として電子線を用いる場合に電子線
を発生させる方法としては、タングステンや、ＬａＢ6
等からなるフィラメントをもつ冷陰極電界放出型銃によ
り発生する熱電子を必要な加速電圧で加速することで、
必要なエネルギーをもつ電子線を照射することができ
る。
【００１８】エネルギー線をカーボンナノチューブに照
射する環境としてはエネルギー線の透過を阻害しない真
空下が好ましい。たとえば、４．０×１０-3Ｐａ（３．
０×１０-5Ｔｏｒｒ）程度にまで減圧する。
射する環境としてはエネルギー線の透過を阻害しない真
空下が好ましい。たとえば、４．０×１０-3Ｐａ（３．
０×１０-5Ｔｏｒｒ）程度にまで減圧する。
【００１９】エネルギー線をカーボンナノチューブに照
射する時間としては特に限定しないが、数秒〜数分程度
のエネルギー線の照射時間で充分にカーボンナノチュー
ブの加工を行うことができる。
射する時間としては特に限定しないが、数秒〜数分程度
のエネルギー線の照射時間で充分にカーボンナノチュー
ブの加工を行うことができる。
【００２０】エネルギー線を照射されるカーボンナノチ
ューブはメッシュ上などに載置できる。エネルギー線は
カーボンナノチューブ全体に広く照射しても良いし、そ
の照射スポット径を絞ってもよい。
ューブはメッシュ上などに載置できる。エネルギー線は
カーボンナノチューブ全体に広く照射しても良いし、そ
の照射スポット径を絞ってもよい。
【００２１】エネルギー線をカーボンナノチューブ全体
に広く照射することで、カーボンナノチューブの加工さ
れる部位は確率的に決定されるようになる。たとえば、
全体的にカーボンナノチューブの長さを短くしたいよう
な場合に適用できる。
に広く照射することで、カーボンナノチューブの加工さ
れる部位は確率的に決定されるようになる。たとえば、
全体的にカーボンナノチューブの長さを短くしたいよう
な場合に適用できる。
【００２２】また、電子線ビームの照射スポットを絞っ
てカーボンナノチューブのキャップオープン処理等を行
う目的の部位にのみ照射することで、局所的な微細処理
を行うことができる。局所的な照射を行う方法としては
マスクによりエネルギー線の遮蔽を行うマスキング処理
を適用することもできる。
てカーボンナノチューブのキャップオープン処理等を行
う目的の部位にのみ照射することで、局所的な微細処理
を行うことができる。局所的な照射を行う方法としては
マスクによりエネルギー線の遮蔽を行うマスキング処理
を適用することもできる。
【００２３】エネルギー線を照射する時間の適正化や、
カーボンナノチューブへの局所的なエネルギー線の照射
を好適に行うには、電子顕微鏡等の微細構造を観察でき
る手段の下で、本発明のカーボンナノチューブの加工方
法を適用することが好ましい。その場合に、電子顕微鏡
に必要とされる電子線と本加工方法に必要とされる電子
線との発生源を兼用することも可能である。
カーボンナノチューブへの局所的なエネルギー線の照射
を好適に行うには、電子顕微鏡等の微細構造を観察でき
る手段の下で、本発明のカーボンナノチューブの加工方
法を適用することが好ましい。その場合に、電子顕微鏡
に必要とされる電子線と本加工方法に必要とされる電子
線との発生源を兼用することも可能である。
【００２４】
【実施例】以下に本発明のカーボンナノチューブの加工
方法について実施例に基づいてさらに詳細に説明をす
る。なお、本実施例ではエネルギー線として電子線を用
いて検討を行った。
方法について実施例に基づいてさらに詳細に説明をす
る。なお、本実施例ではエネルギー線として電子線を用
いて検討を行った。
【００２５】（カーボンナノチューブへの電子線の照射
方法）カーボンナノチューブへの電子線の照射は市販の
透過型電子顕微鏡（日本電子製、製品名（型番）ＪＥＭ
−２０１０）を用い、カーボンナノチューブをその透過
型電子顕微鏡の試料台上にＣｕ製のメッシュ（２００
番）上に一度に１０μｇ載置して行った。概略図を図３
に示す。透過型電子顕微鏡１０内にメッシュ３０を介し
てカーボンナノチューブ９０を載置した後に、透過型電
子顕微鏡のカラム内を４．０×１０-3Ｐａ（３．０×１
０-5Ｔｏｒｒ）にまで減圧した。そして、ＬａＢ6から
なるフィラメントをもつ冷陰極電界放出型銃２０から電
子線を発生させてカーボンナノチューブ９０に照射し
た。電子線のエネルギーは加速電圧を８０ｋＶ（実施
例）、１２０ｋＶ（比較例１）、２００ｋＶ（比較例
２）と変化させて３段階に変化させた。
方法）カーボンナノチューブへの電子線の照射は市販の
透過型電子顕微鏡（日本電子製、製品名（型番）ＪＥＭ
−２０１０）を用い、カーボンナノチューブをその透過
型電子顕微鏡の試料台上にＣｕ製のメッシュ（２００
番）上に一度に１０μｇ載置して行った。概略図を図３
に示す。透過型電子顕微鏡１０内にメッシュ３０を介し
てカーボンナノチューブ９０を載置した後に、透過型電
子顕微鏡のカラム内を４．０×１０-3Ｐａ（３．０×１
０-5Ｔｏｒｒ）にまで減圧した。そして、ＬａＢ6から
なるフィラメントをもつ冷陰極電界放出型銃２０から電
子線を発生させてカーボンナノチューブ９０に照射し
た。電子線のエネルギーは加速電圧を８０ｋＶ（実施
例）、１２０ｋＶ（比較例１）、２００ｋＶ（比較例
２）と変化させて３段階に変化させた。
【００２６】実施例では３〜４分程度、比較例１でも３
〜４分程度、そして比較例２では３０〜４０秒程度電子
線を照射した。実施例及び各比較例について電子線の照
射前後のカーボンナノチューブの様子を本透過型電子顕
微鏡により観察した。
〜４分程度、そして比較例２では３０〜４０秒程度電子
線を照射した。実施例及び各比較例について電子線の照
射前後のカーボンナノチューブの様子を本透過型電子顕
微鏡により観察した。
【００２７】（結果）実施例及び各比較例について電子
線照射前後の透過型電子顕微鏡写真をそれぞれ図４（実
施例）、図５（比較例１）、図６（比較例２）に示す。
それぞれの図で（ａ）が電子線の照射前、（ｂ）が電子
線の照射後である。
線照射前後の透過型電子顕微鏡写真をそれぞれ図４（実
施例）、図５（比較例１）、図６（比較例２）に示す。
それぞれの図で（ａ）が電子線の照射前、（ｂ）が電子
線の照射後である。
【００２８】図４から明らかなように、実施例の条件
（加速電圧８０ｋＶ）で電子線を照射したカーボンナノ
チューブは、電子線の照射後に電子線の集中による熱及
び応力集中によって、カーボンナノチューブの破断（矢
印部位）や、孔の形成（矢印部位）が認められた。
（加速電圧８０ｋＶ）で電子線を照射したカーボンナノ
チューブは、電子線の照射後に電子線の集中による熱及
び応力集中によって、カーボンナノチューブの破断（矢
印部位）や、孔の形成（矢印部位）が認められた。
【００２９】図５から明らかなように、比較例１の条件
（加速電圧１２０ｋＶ）で電子線を照射したカーボンナ
ノチューブは、電子線の照射後に電子線によるカーボン
ナノチューブを構成する炭素原子の弾き出し現象によ
り、カーボンナノチューブの壁面に凹凸発生（矢印部
位）が認められた。
（加速電圧１２０ｋＶ）で電子線を照射したカーボンナ
ノチューブは、電子線の照射後に電子線によるカーボン
ナノチューブを構成する炭素原子の弾き出し現象によ
り、カーボンナノチューブの壁面に凹凸発生（矢印部
位）が認められた。
【００３０】図６から明らかなように、比較例２の条件
（加速電圧２００ｋＶ）で電子線を照射したカーボンナ
ノチューブは、電子線の照射後に電子線によるカーボン
ナノチューブを構成する炭素原子の弾き出し現象によ
り、カーボンナノチューブの壁面に凹凸発生（丸で囲っ
た部位）が認められた。このカーボンナノチューブ壁面
の凹凸は比較例１よりも顕著なものであった。
（加速電圧２００ｋＶ）で電子線を照射したカーボンナ
ノチューブは、電子線の照射後に電子線によるカーボン
ナノチューブを構成する炭素原子の弾き出し現象によ
り、カーボンナノチューブの壁面に凹凸発生（丸で囲っ
た部位）が認められた。このカーボンナノチューブ壁面
の凹凸は比較例１よりも顕著なものであった。
【００３１】すなわち、カーボンナノチューブへの電子
線照射において、加速電圧を１２０ｋＶより低くする
（より詳しくは８０ｋＶとする）ことで、カーボンナノ
チューブの結晶構造等の基材部分の化学構造へのダメー
ジを最小限に抑制しながら、カーボンナノチューブを加
工することができることが分かった。
線照射において、加速電圧を１２０ｋＶより低くする
（より詳しくは８０ｋＶとする）ことで、カーボンナノ
チューブの結晶構造等の基材部分の化学構造へのダメー
ジを最小限に抑制しながら、カーボンナノチューブを加
工することができることが分かった。
【００３２】
【発明の効果】以上説明したように、本発明のカーボン
ナノチューブの加工方法によると、カーボンナノチュー
ブの一部に孔を開けたり、切断したりすることがカーボ
ンナノチューブの基材部分に悪影響を与えることなく容
易に遂行でき、カーボンナノチューブに新しい機能を付
与することが可能となる。
ナノチューブの加工方法によると、カーボンナノチュー
ブの一部に孔を開けたり、切断したりすることがカーボ
ンナノチューブの基材部分に悪影響を与えることなく容
易に遂行でき、カーボンナノチューブに新しい機能を付
与することが可能となる。
【図１】従来技術の電子線照射時のカーボンナノチュー
ブ中の様子を説明する模式図である。
ブ中の様子を説明する模式図である。
【図２】本発明の電子線照射時のカーボンナノチューブ
中の様子を説明する模式図である。
中の様子を説明する模式図である。
【図３】実施例で用いた電子線照射装置（透過型電子顕
微鏡）の模式図である。
微鏡）の模式図である。
【図４】実施例における電子線照射前の透過型電子顕微
鏡写真（ａ）と、電子線照射後の透過型電子顕微鏡写真
（ｂ）である。
鏡写真（ａ）と、電子線照射後の透過型電子顕微鏡写真
（ｂ）である。
【図５】比較例１における電子線照射前の透過型電子顕
微鏡写真（ａ）と、電子線照射後の透過型電子顕微鏡写
真（ｂ）図である。
微鏡写真（ａ）と、電子線照射後の透過型電子顕微鏡写
真（ｂ）図である。
【図６】比較例２における電子線照射前の透過型電子顕
微鏡写真（ａ）と、電子線照射後の透過型電子顕微鏡写
真（ｂ）図である。
微鏡写真（ａ）と、電子線照射後の透過型電子顕微鏡写
真（ｂ）図である。
Claims (3)
- 【請求項１】 エネルギーが１２０ｋｅＶより低いエネ
ルギー線をカーボンナノチューブに照射することを特徴
とするカーボンナノチューブの加工方法。 - 【請求項２】 前記エネルギー線は、電子線である請求
項１に記載のカーボンナノチューブの加工方法。 - 【請求項３】 前記電子線のエネルギーは８０ｋｅＶで
ある請求項１又は２に記載のカーボンナノチューブの加
工方法。
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