JP2003150118A - El表示装置とその駆動方法および情報表示装置 - Google Patents
El表示装置とその駆動方法および情報表示装置Info
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- JP2003150118A JP2003150118A JP2001348413A JP2001348413A JP2003150118A JP 2003150118 A JP2003150118 A JP 2003150118A JP 2001348413 A JP2001348413 A JP 2001348413A JP 2001348413 A JP2001348413 A JP 2001348413A JP 2003150118 A JP2003150118 A JP 2003150118A
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- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 19
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 claims abstract description 51
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 claims description 11
- 239000010409 thin film Substances 0.000 abstract description 9
- 238000005401 electroluminescence Methods 0.000 description 106
- 239000010408 film Substances 0.000 description 16
- 230000008859 change Effects 0.000 description 15
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 13
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 12
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 11
- 239000003086 colorant Substances 0.000 description 10
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 10
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 5
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 5
- 101100489584 Solanum lycopersicum TFT1 gene Proteins 0.000 description 4
- 230000001276 controlling effect Effects 0.000 description 4
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 4
- 230000003071 parasitic effect Effects 0.000 description 4
- 230000035515 penetration Effects 0.000 description 4
- LYCAIKOWRPUZTN-UHFFFAOYSA-N Ethylene glycol Chemical compound OCCO LYCAIKOWRPUZTN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 3
- 238000003780 insertion Methods 0.000 description 3
- 230000037431 insertion Effects 0.000 description 3
- 239000002346 layers by function Substances 0.000 description 3
- 239000000463 material Substances 0.000 description 3
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 3
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 description 3
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 3
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 3
- 230000004044 response Effects 0.000 description 3
- 239000004925 Acrylic resin Substances 0.000 description 2
- 229920000178 Acrylic resin Polymers 0.000 description 2
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 2
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 2
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 2
- 239000007822 coupling agent Substances 0.000 description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- 230000006870 function Effects 0.000 description 2
- 238000005286 illumination Methods 0.000 description 2
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 2
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 2
- 239000004593 Epoxy Substances 0.000 description 1
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PXGOKWXKJXAPGV-UHFFFAOYSA-N Fluorine Chemical compound FF PXGOKWXKJXAPGV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004743 Polypropylene Substances 0.000 description 1
- 206010047571 Visual impairment Diseases 0.000 description 1
- NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N acrylic acid group Chemical group C(C=C)(=O)O NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000003213 activating effect Effects 0.000 description 1
- 239000011324 bead Substances 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 239000003599 detergent Substances 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 1
- 238000007667 floating Methods 0.000 description 1
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 230000005525 hole transport Effects 0.000 description 1
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 1
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011147 inorganic material Substances 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 1
- 150000002894 organic compounds Chemical class 0.000 description 1
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 description 1
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 1
- 239000005011 phenolic resin Substances 0.000 description 1
- 229920006289 polycarbonate film Polymers 0.000 description 1
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 1
- 229920006267 polyester film Polymers 0.000 description 1
- -1 polypropylene Polymers 0.000 description 1
- 229920001155 polypropylene Polymers 0.000 description 1
- 230000001105 regulatory effect Effects 0.000 description 1
- 238000004904 shortening Methods 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
- 230000000087 stabilizing effect Effects 0.000 description 1
- 239000005341 toughened glass Substances 0.000 description 1
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
- Control Of Indicators Other Than Cathode Ray Tubes (AREA)
- Control Of El Displays (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 有機EL素子を用いた表示パネルにおいて、
すぐれた動画表示性能と高コントラスト表示を実現す
る。 【解決手段】 ソースドライバIC18から、所定のn
倍の輝度でEL素子16が発光するように画素に電流プ
ログラムする。プログラムされた電流はコンデンサ14
に保持される。EL素子16は、1フレームの1/nの
期間点灯するようにTFT11dを制御する。したがっ
て、平均輝度は、所定輝度となる。nの値は2以上6以
下にする。
すぐれた動画表示性能と高コントラスト表示を実現す
る。 【解決手段】 ソースドライバIC18から、所定のn
倍の輝度でEL素子16が発光するように画素に電流プ
ログラムする。プログラムされた電流はコンデンサ14
に保持される。EL素子16は、1フレームの1/nの
期間点灯するようにTFT11dを制御する。したがっ
て、平均輝度は、所定輝度となる。nの値は2以上6以
下にする。
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明の主として自発光で画
像を表示するEL表示装置とこれらを用いた携帯電話な
どの情報表示装置などに関するものである。
像を表示するEL表示装置とこれらを用いた携帯電話な
どの情報表示装置などに関するものである。
【0002】
【従来の技術】従来のEL表示装置はEL素子に電力を
供給する電源線と駆動用の薄膜トランジスタ、駆動用ト
ランジスタを駆動するための電荷を保持する蓄積容量、
前記蓄積容量に電圧を記憶させるためのスイッチング素
子と素子を操作するゲート信号線を有している。スイッ
チング素子を切り替えることによりソース信号線に流れ
る電圧を任意の画素の蓄積容量に記憶させ、電源線の電
圧を駆動用薄膜トランジスタにより電流に変化させEL
素子を発光させていた。
供給する電源線と駆動用の薄膜トランジスタ、駆動用ト
ランジスタを駆動するための電荷を保持する蓄積容量、
前記蓄積容量に電圧を記憶させるためのスイッチング素
子と素子を操作するゲート信号線を有している。スイッ
チング素子を切り替えることによりソース信号線に流れ
る電圧を任意の画素の蓄積容量に記憶させ、電源線の電
圧を駆動用薄膜トランジスタにより電流に変化させEL
素子を発光させていた。
【0003】しかし、この表示装置では駆動用の薄膜ト
ランジスタ素子の特性のばらつきが画面に表示され、画
面の均一性が極めて悪いという問題があった。前記トラ
ンジスタの特性のばらつきを解消するための回路を図1
2に示す。
ランジスタ素子の特性のばらつきが画面に表示され、画
面の均一性が極めて悪いという問題があった。前記トラ
ンジスタの特性のばらつきを解消するための回路を図1
2に示す。
【0004】図12の回路は各画素にEL素子121を
有し、EL素子に電力を供給する電源線122と電源線
をオンオフするためのスイッチング素子123bと素子
を操作するゲート信号線124aを有する。EL素子1
21には駆動用薄膜トランジスタ123aがつながって
おり、駆動用薄膜トランジスタ123aによりEL素子
121に流れる電流を制御する。駆動用薄膜トランジス
タ123aには駆動電圧を保持するための蓄積容量12
5とソース信号線126に流れる電流を蓄積容量125
に書きこむためのスイッチング素子123c,123d
とスイッチング素子を制御するためのゲート信号線12
4bを有する。
有し、EL素子に電力を供給する電源線122と電源線
をオンオフするためのスイッチング素子123bと素子
を操作するゲート信号線124aを有する。EL素子1
21には駆動用薄膜トランジスタ123aがつながって
おり、駆動用薄膜トランジスタ123aによりEL素子
121に流れる電流を制御する。駆動用薄膜トランジス
タ123aには駆動電圧を保持するための蓄積容量12
5とソース信号線126に流れる電流を蓄積容量125
に書きこむためのスイッチング素子123c,123d
とスイッチング素子を制御するためのゲート信号線12
4bを有する。
【0005】図12の回路の駆動法はソース信号線12
6に所望の電流を流し、スイッチング素子123bを非
導通、123c,123dを導通状態にし駆動用薄膜ト
ランジスタ123aにソース信号線126と同等の電流
が流れるように蓄積容量125に電荷を蓄える。電荷を
蓄えた後にスイッチング素子123c,123dを非導
通、123bを導通させることにより蓄積容量に蓄えら
れた電荷に応じて電源線122よりEL素子121に電
流を流す。
6に所望の電流を流し、スイッチング素子123bを非
導通、123c,123dを導通状態にし駆動用薄膜ト
ランジスタ123aにソース信号線126と同等の電流
が流れるように蓄積容量125に電荷を蓄える。電荷を
蓄えた後にスイッチング素子123c,123dを非導
通、123bを導通させることにより蓄積容量に蓄えら
れた電荷に応じて電源線122よりEL素子121に電
流を流す。
【0006】この駆動法はEL素子121に流したい電
流をそのまま書きこむことにより駆動用薄膜トランジス
タの特性のばらつきを補正することができる。
流をそのまま書きこむことにより駆動用薄膜トランジス
タの特性のばらつきを補正することができる。
【0007】しかし、この駆動法に関しても電流により
駆動することで消費電力が大きくなることや、蓄積容量
に電流で記憶させるため蓄積容量への書きこみ時間が大
きくなり、書きこみ不足が起こるなどの問題がある。
駆動することで消費電力が大きくなることや、蓄積容量
に電流で記憶させるため蓄積容量への書きこみ時間が大
きくなり、書きこみ不足が起こるなどの問題がある。
【0008】
【発明が解決しようとする課題】先に記載したとおり、
電流により蓄積容量に記憶させる駆動方法は消費電力や
蓄積容量への書きこみ時間の問題がある。
電流により蓄積容量に記憶させる駆動方法は消費電力や
蓄積容量への書きこみ時間の問題がある。
【0009】
【課題を解決する手段】所定のN倍の輝度でEL素子1
21が発光するように画素に電流プログラムする。EL
素子は1フレームの1/N時間点灯するようにスイッチ
ング素子123bを制御する。したがって平均輝度、平
均印加電流は所定のものとなるが画素にプログラムする
電流がN倍のため、蓄積容量125への書きこみ時間は
短縮され、書きこみ不足が解消される。
21が発光するように画素に電流プログラムする。EL
素子は1フレームの1/N時間点灯するようにスイッチ
ング素子123bを制御する。したがって平均輝度、平
均印加電流は所定のものとなるが画素にプログラムする
電流がN倍のため、蓄積容量125への書きこみ時間は
短縮され、書きこみ不足が解消される。
【0010】また、Nが2以上6以下で平均印加電流に
対する平均輝度が上昇し、所定の輝度を出すための消費
電力が低減できる。
対する平均輝度が上昇し、所定の輝度を出すための消費
電力が低減できる。
【0011】
【発明の実施の形態】本明細書において各図面は理解を
容易にまたは/および作図を容易にするため、省略また
は/および拡大縮小した箇所がある。たとえば、図1の
回路ブロックでは説明に必要な部分のみを図示してい
る。また、同一番号または、記号等を付した箇所は同一
もしくは類似の形態もしくは材料あるいは機能もしくは
動作を有する。
容易にまたは/および作図を容易にするため、省略また
は/および拡大縮小した箇所がある。たとえば、図1の
回路ブロックでは説明に必要な部分のみを図示してい
る。また、同一番号または、記号等を付した箇所は同一
もしくは類似の形態もしくは材料あるいは機能もしくは
動作を有する。
【0012】低消費電力でかつ高表示品質であり、更に
薄型化が可能な表示パネルとして、有機エレクトロルミ
ネッセンス(EL)素子の複数をマトリクス状に配列し
て構成される有機EL表示パネルが注目されている。
薄型化が可能な表示パネルとして、有機エレクトロルミ
ネッセンス(EL)素子の複数をマトリクス状に配列し
て構成される有機EL表示パネルが注目されている。
【0013】有機EL表示パネルは、画素電極としての
透明電極が形成されたガラス板(アレイ基板)上に、電
子輸送層、発光層、正孔輸送層などからなる少なくとも
1層の有機機能層(EL層)、及び金属電極(反射膜)
が積層されたものである。透明電極(画素電極)陽極
(アノード)にプラス、金属電極(反射電極)の陰極
(カソード)にマイナスの電圧を加え、すなわち、透明
電極及び金属電極間に直流を印加することにより、有機
機能層(EL層)が発光する。良好な発光特性を期待す
ることのできる有機化合物を有機機能層に使用すること
によって、EL表示パネルが実用に耐えうるものになっ
ている。
透明電極が形成されたガラス板(アレイ基板)上に、電
子輸送層、発光層、正孔輸送層などからなる少なくとも
1層の有機機能層(EL層)、及び金属電極(反射膜)
が積層されたものである。透明電極(画素電極)陽極
(アノード)にプラス、金属電極(反射電極)の陰極
(カソード)にマイナスの電圧を加え、すなわち、透明
電極及び金属電極間に直流を印加することにより、有機
機能層(EL層)が発光する。良好な発光特性を期待す
ることのできる有機化合物を有機機能層に使用すること
によって、EL表示パネルが実用に耐えうるものになっ
ている。
【0014】有機EL素子による画像表示パネルの回路
図を図1に示す。画像表示パネルは映像信号を入力する
ためのソースドライバー18部と入力された映像信号を
表示するためのゲートドライバー19部で構成される。
ソースドライバー18部では水平同期信号HDにあわせ
て階調データに変換された1ライン分の映像信号を各ソ
ース信号線11に流す。
図を図1に示す。画像表示パネルは映像信号を入力する
ためのソースドライバー18部と入力された映像信号を
表示するためのゲートドライバー19部で構成される。
ソースドライバー18部では水平同期信号HDにあわせ
て階調データに変換された1ライン分の映像信号を各ソ
ース信号線11に流す。
【0015】ゲートドライバー19部は映像信号を画素
に書きこむためのゲート信号線12と入力された映像信
号を保持して有機EL素子16を点灯しつづけるための
ゲート信号線12の二種類のゲート信号線12を操作す
ることにより画素にソース信号線11に流れる映像信号
を書きこみ,有機EL素子16を発光させる。
に書きこむためのゲート信号線12と入力された映像信
号を保持して有機EL素子16を点灯しつづけるための
ゲート信号線12の二種類のゲート信号線12を操作す
ることにより画素にソース信号線11に流れる映像信号
を書きこみ,有機EL素子16を発光させる。
【0016】図2に画素の詳しい構成を示す。この画素
は駆動トランジスタ(以後、TFTと呼ぶ)17aと3
つのスイッチング素子としてのTFT17b、17c、
17dとそのTFTを操作するゲート信号線12、それ
と有機EL素子16aとコンデンサ14a、そして電源
供給ライン15aとソース信号供給ライン11によって
構成されている。TFT17は素子の種類によっても変
わるが,ここでは素子につながるゲート信号線12がH
iで非導通、Lowで導通となる。
は駆動トランジスタ(以後、TFTと呼ぶ)17aと3
つのスイッチング素子としてのTFT17b、17c、
17dとそのTFTを操作するゲート信号線12、それ
と有機EL素子16aとコンデンサ14a、そして電源
供給ライン15aとソース信号供給ライン11によって
構成されている。TFT17は素子の種類によっても変
わるが,ここでは素子につながるゲート信号線12がH
iで非導通、Lowで導通となる。
【0017】続いてこの画素が点灯する仕組みについて
説明する。携帯電話およびモニターなどの表示部の各画
素の大きさは横100μm、縦250μm程度であり、
100カンデラ/平方メートルの輝度を得るためのソー
ス信号線11に必要な電流値は表示色及び外部量子効率
により異なるがおよそ1μA程度である。有機EL素子
16に対し1μAを流すにはソースドライバ18側は電
流源10から電流値を1μAを流すようにする。
説明する。携帯電話およびモニターなどの表示部の各画
素の大きさは横100μm、縦250μm程度であり、
100カンデラ/平方メートルの輝度を得るためのソー
ス信号線11に必要な電流値は表示色及び外部量子効率
により異なるがおよそ1μA程度である。有機EL素子
16に対し1μAを流すにはソースドライバ18側は電
流源10から電流値を1μAを流すようにする。
【0018】選択行ではゲート信号線1にTFT17が
導通する信号、ゲート信号線2には非導通の信号を印加
し、非選択行では逆にゲート信号線12aに非導通信
号、ゲート信号線12bに導通信号を印加する。
導通する信号、ゲート信号線2には非導通の信号を印加
し、非選択行では逆にゲート信号線12aに非導通信
号、ゲート信号線12bに導通信号を印加する。
【0019】これにより、選択行(この例では1行目と
する)においては、ソース信号線11の電流がTFT1
7b、TFT17cを通じて画素内部に流れる。画素内
の電流経路はTFT17aを通してEL電源線15aと
つながっているのみであるため、TFT17aにも1μ
Aの電流が流れ、コンデンサ14aにはこの時のゲート
電圧分の電荷が蓄積される。非選択期間になると、17
dが導通し、17b、17cは非導通となるため、選択
期間でコンデンサ14aに蓄積された電荷に基づいて1
7aに流れる電流が規定され、EL素子16aに1μA
の電流が流れる。これにより有機EL素子を発光させる
ことができる。
する)においては、ソース信号線11の電流がTFT1
7b、TFT17cを通じて画素内部に流れる。画素内
の電流経路はTFT17aを通してEL電源線15aと
つながっているのみであるため、TFT17aにも1μ
Aの電流が流れ、コンデンサ14aにはこの時のゲート
電圧分の電荷が蓄積される。非選択期間になると、17
dが導通し、17b、17cは非導通となるため、選択
期間でコンデンサ14aに蓄積された電荷に基づいて1
7aに流れる電流が規定され、EL素子16aに1μA
の電流が流れる。これにより有機EL素子を発光させる
ことができる。
【0020】つまり、ゲート信号線12aをアクティブ
(ON電圧を印加)とすることによりTFT17bおよ
びTFT17cを通して、TFT17aにEL素子16
に流すべき電流値を流す。TFT17aのゲートとドレ
イン間を短絡するようにTFT17bがオンし、コンデ
ンサ14に前記電流値を流すようにTFT17aのゲー
ト電圧(あるいはドレイン電圧)を記憶する。
(ON電圧を印加)とすることによりTFT17bおよ
びTFT17cを通して、TFT17aにEL素子16
に流すべき電流値を流す。TFT17aのゲートとドレ
イン間を短絡するようにTFT17bがオンし、コンデ
ンサ14に前記電流値を流すようにTFT17aのゲー
ト電圧(あるいはドレイン電圧)を記憶する。
【0021】なお、コンデンサ(コンデンサ)14は
0.2pF以上の容量とすることが好ましい。他の構成
として、TFTのチャンネル容量を用いる構成も例示さ
れる。つまり、コンデンサ14と別途設けず、TFT1
7aのチャンネル幅Wと一定以上の大きさとする構成で
ある。
0.2pF以上の容量とすることが好ましい。他の構成
として、TFTのチャンネル容量を用いる構成も例示さ
れる。つまり、コンデンサ14と別途設けず、TFT1
7aのチャンネル幅Wと一定以上の大きさとする構成で
ある。
【0022】TFT17cのリークによる輝度低下を防
止する観点、表示動作を安定化させるための観点からは
このように別途コンデンサを構成するほうが好ましい。
なお、コンデンサ(コンデンサ)14の大きさは、0.
2pF以上2pF以下とすることがよく、中でもコンデ
ンサ(コンデンサ)14の大きさは、0.4pF以上
1.2pF以下とすることがよい。
止する観点、表示動作を安定化させるための観点からは
このように別途コンデンサを構成するほうが好ましい。
なお、コンデンサ(コンデンサ)14の大きさは、0.
2pF以上2pF以下とすることがよく、中でもコンデ
ンサ(コンデンサ)14の大きさは、0.4pF以上
1.2pF以下とすることがよい。
【0023】なお、コンデンサ14は隣接する画素間の
非表示領域におおむね形成することがこのましい。一般
的に、フルカラー有機ELを作成する場合、有機EL層
をメタルマスクによるマスク蒸着で形成するためマスク
位置ずれによるEL層の形成位置が発生する。位置ずれ
が発生すると各色の有機EL層が重なる危険性がある。
そのため、各色の隣接する画素間の非表示領域は10μ
以上離れなければならない。この部分は発光に寄与しな
い部分となる。したがって、コンデンサ14をこの領域
に形成することは開口率向上のために有効な手段とな
る。
非表示領域におおむね形成することがこのましい。一般
的に、フルカラー有機ELを作成する場合、有機EL層
をメタルマスクによるマスク蒸着で形成するためマスク
位置ずれによるEL層の形成位置が発生する。位置ずれ
が発生すると各色の有機EL層が重なる危険性がある。
そのため、各色の隣接する画素間の非表示領域は10μ
以上離れなければならない。この部分は発光に寄与しな
い部分となる。したがって、コンデンサ14をこの領域
に形成することは開口率向上のために有効な手段とな
る。
【0024】次に、ゲート信号線12aを非アクティブ
(OFF電圧を印加)、ゲート信号線12bをアクティ
ブとして、電流の流れる経路を前記第1のTFT17a
並びにEL素子16に接続されたTFT17dならびに
前記EL素子16を含む経路に切り替えて、記憶した電
流を前記EL素子16に流すように動作する。
(OFF電圧を印加)、ゲート信号線12bをアクティ
ブとして、電流の流れる経路を前記第1のTFT17a
並びにEL素子16に接続されたTFT17dならびに
前記EL素子16を含む経路に切り替えて、記憶した電
流を前記EL素子16に流すように動作する。
【0025】図1ではすべてのTFTはPチャンネルで
構成している。Pチャンネルは多少NチャンネルのTF
Tに比較してモビリティが低いが、耐圧が大きくまた劣
化も発生しにくいので好ましい。しかし、本発明はEL
素子16構成をPチャンネルで構成することのみに限定
するものではない。Nチャンネルのみで構成してもよ
い。また、NチャンネルとPチャンネルの両方を用いて
構成してもよい。
構成している。Pチャンネルは多少NチャンネルのTF
Tに比較してモビリティが低いが、耐圧が大きくまた劣
化も発生しにくいので好ましい。しかし、本発明はEL
素子16構成をPチャンネルで構成することのみに限定
するものではない。Nチャンネルのみで構成してもよ
い。また、NチャンネルとPチャンネルの両方を用いて
構成してもよい。
【0026】なお、TFT17b、17cは同一の極性
で構成し、かつNチャンネルで構成し、TFT17aお
よびTFT1dはPチャンネルで構成することが好まし
い。一般的にPチャンネルTFTはNチャンネルTFT
に比較して、信頼性が高い、キンク電流が少ないなどの
特長があり、電流を制御することによって目的とする発
光強度をえるEL素子に対しては、TFT17aをPチ
ャンネルにする効果が大きい。
で構成し、かつNチャンネルで構成し、TFT17aお
よびTFT1dはPチャンネルで構成することが好まし
い。一般的にPチャンネルTFTはNチャンネルTFT
に比較して、信頼性が高い、キンク電流が少ないなどの
特長があり、電流を制御することによって目的とする発
光強度をえるEL素子に対しては、TFT17aをPチ
ャンネルにする効果が大きい。
【0027】本発明のEL素子16構成は2つのタイミ
ングにより制御される。第1のタイミングは必要な電流
値を記憶させるタイミングである。このタイミングでT
FT17bならびにTFT17cがONすることによ
り、ソース信号線11より所定の電流I1が書き込まれ
る。これによりTFT17aはゲートとドレインが接続
された状態となり、このTFT17aとTFT17cを
通じて電流I1が流れる。従って、TFT17aのゲー
トーソースの電圧はI1が流れるような電圧V1とな
る。
ングにより制御される。第1のタイミングは必要な電流
値を記憶させるタイミングである。このタイミングでT
FT17bならびにTFT17cがONすることによ
り、ソース信号線11より所定の電流I1が書き込まれ
る。これによりTFT17aはゲートとドレインが接続
された状態となり、このTFT17aとTFT17cを
通じて電流I1が流れる。従って、TFT17aのゲー
トーソースの電圧はI1が流れるような電圧V1とな
る。
【0028】第2のタイミングはTFT17aとTFT
17cが閉じ、TFT17dが開くタイミングである。
TFT17aのソース−ゲート間の電圧V1は保持され
たままとなる。この場合、TFT17aは常に飽和領域
で動作するため、I1の電流は一定となる。
17cが閉じ、TFT17dが開くタイミングである。
TFT17aのソース−ゲート間の電圧V1は保持され
たままとなる。この場合、TFT17aは常に飽和領域
で動作するため、I1の電流は一定となる。
【0029】なお、TFT17aのゲートとTFT17
cのゲートは同一のゲート信号線12aに接続してい
る。しかし、TFT17aのゲートとTFT17cのゲ
ートとを異なるゲート信号線12に接続してもよい(T
FT17bとTFT17cとを個別に制御できるように
する)。つまり、1画素のゲート信号線は3本となる
(図1の構成は2本である)。TFT17aのゲートの
ON/OFFタイミングとTFT17cのゲートのON
/OFFタイミングを個別に制御することにより、TF
T17のばらつきによるEL素子16の電流値バラツキ
をさらに低減することができる。
cのゲートは同一のゲート信号線12aに接続してい
る。しかし、TFT17aのゲートとTFT17cのゲ
ートとを異なるゲート信号線12に接続してもよい(T
FT17bとTFT17cとを個別に制御できるように
する)。つまり、1画素のゲート信号線は3本となる
(図1の構成は2本である)。TFT17aのゲートの
ON/OFFタイミングとTFT17cのゲートのON
/OFFタイミングを個別に制御することにより、TF
T17のばらつきによるEL素子16の電流値バラツキ
をさらに低減することができる。
【0030】第1のゲート信号線12aと第2のゲート
信号線12bとを共通にし、第3および第4のTFTが
異なった導電型(NチャンネルとPチャンネル)とする
と、駆動回路の簡略化、ならびに画素の開口率を向上さ
せることが出来る。
信号線12bとを共通にし、第3および第4のTFTが
異なった導電型(NチャンネルとPチャンネル)とする
と、駆動回路の簡略化、ならびに画素の開口率を向上さ
せることが出来る。
【0031】この動作を実際の波形で見ると図3のよう
になる。水平同期信号HDに対応してゲート12aのゲ
ート制御信号32aは立下る。このときに、コンデンサ
14に映像信号に応じた電荷が蓄積される。そして次の
水平同期信号の前にこの選択行の入力期間が終わりゲー
ト制御信号32aは立ち上がる。それに対応して有機E
L素子16につながるTFT17を同通させるためゲー
ト13aのゲート制御信号33aは立ち下がる。これに
より電源供給ライン15からコンデンサ14に応じた電
流が有機EL素子16に流れて発光する。そしてゲート
波形33aは次にこの行の信号入力期間がくるまでLo
wを保ち続け、有機EL素子の点灯状態を保つ。
になる。水平同期信号HDに対応してゲート12aのゲ
ート制御信号32aは立下る。このときに、コンデンサ
14に映像信号に応じた電荷が蓄積される。そして次の
水平同期信号の前にこの選択行の入力期間が終わりゲー
ト制御信号32aは立ち上がる。それに対応して有機E
L素子16につながるTFT17を同通させるためゲー
ト13aのゲート制御信号33aは立ち下がる。これに
より電源供給ライン15からコンデンサ14に応じた電
流が有機EL素子16に流れて発光する。そしてゲート
波形33aは次にこの行の信号入力期間がくるまでLo
wを保ち続け、有機EL素子の点灯状態を保つ。
【0032】しかし、実際のソース信号線11には配線
容量などによる浮遊容量20が存在する。ソース信号線
11に浮遊容量20が存在すると、ソース信号線11の
配線抵抗と浮遊容量20の時定数で決まる波形のなまり
が観測される。電流値により階調表示を行う場合、この
波形なまりはソース信号線に流れる電流値によっても異
なり、電流値が小さいほど立ち上がり、立ち下がりに時
間がかかる。例えば配線容量が100pF、配線抵抗5
00オームの時、電流源10の電流値を変化させたとき
にソース信号線11の電流値及び接点1001の電流値
が0.24μAから40nAへ変化するのに必要な時間
は300μ秒、40nAから0.24μAへ変化するの
に必要な時間は250μ秒であった。
容量などによる浮遊容量20が存在する。ソース信号線
11に浮遊容量20が存在すると、ソース信号線11の
配線抵抗と浮遊容量20の時定数で決まる波形のなまり
が観測される。電流値により階調表示を行う場合、この
波形なまりはソース信号線に流れる電流値によっても異
なり、電流値が小さいほど立ち上がり、立ち下がりに時
間がかかる。例えば配線容量が100pF、配線抵抗5
00オームの時、電流源10の電流値を変化させたとき
にソース信号線11の電流値及び接点1001の電流値
が0.24μAから40nAへ変化するのに必要な時間
は300μ秒、40nAから0.24μAへ変化するの
に必要な時間は250μ秒であった。
【0033】低電流領域では単位時間あたりの電荷の移
動量が少ないため浮遊容量20にたまった電荷を充放電
することが難しいためである。これによりソース信号線
11に流れる電流値が低いと映像信号を書きこむために
必要な時間が長くなる。このため従来の電流による階調
表示方法では、1水平走査期間の最小時間は300μ秒
必要である。これでは、携帯電話のように走査線数が2
20本の場合1フレームは10Hz程度で駆動させる必
要があり、TFT17のオフ特性によっては、コンデン
サ14の電荷量が変化し、EL素子16に流れる電流が
変化することによるフリッカが発生する。
動量が少ないため浮遊容量20にたまった電荷を充放電
することが難しいためである。これによりソース信号線
11に流れる電流値が低いと映像信号を書きこむために
必要な時間が長くなる。このため従来の電流による階調
表示方法では、1水平走査期間の最小時間は300μ秒
必要である。これでは、携帯電話のように走査線数が2
20本の場合1フレームは10Hz程度で駆動させる必
要があり、TFT17のオフ特性によっては、コンデン
サ14の電荷量が変化し、EL素子16に流れる電流が
変化することによるフリッカが発生する。
【0034】そこでこの問題を解決するために、図4に
示すようなソース信号線11に通常のn倍の電流を通常
の1/n時間印加するn倍パルス駆動を使用する。この
駆動法により通常よりも高い電流を書けることによりコ
ンデンサへの書きこみ時間を短縮できる。ソース信号線
にn倍の電流を流すと有機EL素子にもn倍の電流が流
れるため、ゲート制御信号を53aとなるように出力し
TFT17dの導通時間を1/nにすることにより、有機
EL素子16に1/nの期間だけ電流を印加し平均印加
電流は変化しないようにする。
示すようなソース信号線11に通常のn倍の電流を通常
の1/n時間印加するn倍パルス駆動を使用する。この
駆動法により通常よりも高い電流を書けることによりコ
ンデンサへの書きこみ時間を短縮できる。ソース信号線
にn倍の電流を流すと有機EL素子にもn倍の電流が流
れるため、ゲート制御信号を53aとなるように出力し
TFT17dの導通時間を1/nにすることにより、有機
EL素子16に1/nの期間だけ電流を印加し平均印加
電流は変化しないようにする。
【0035】ソース信号線11の電流値変化に要する時
間tは浮遊容量20の大きさをC、ソース信号線11の
電圧をV、ソース信号線11に流れる電流をIとすると
t=C・V/Iであるため電流値を10倍大きくできる
ことは電流値変化に要する時間が10分の1近くまで短
くできる。またはソース容量20が10倍になっても所
定の電流値に変化できるということを示す。従って、短
い水平走査期間内に所定の電流値を書きこむためには電
流値を増加させることが有効である。
間tは浮遊容量20の大きさをC、ソース信号線11の
電圧をV、ソース信号線11に流れる電流をIとすると
t=C・V/Iであるため電流値を10倍大きくできる
ことは電流値変化に要する時間が10分の1近くまで短
くできる。またはソース容量20が10倍になっても所
定の電流値に変化できるということを示す。従って、短
い水平走査期間内に所定の電流値を書きこむためには電
流値を増加させることが有効である。
【0036】入力電流を10倍にすると出力電流も10
倍となり、ELの輝度が10倍となるため所定の輝度を
得るために、図1のTFT17dの導通期間を従来の1
0分の1とし、発光期間を10分の1とすることで、所
定輝度を表示するようにした。
倍となり、ELの輝度が10倍となるため所定の輝度を
得るために、図1のTFT17dの導通期間を従来の1
0分の1とし、発光期間を10分の1とすることで、所
定輝度を表示するようにした。
【0037】つまり、ソース信号線11の寄生容量20
の充放電を十分に行い、所定の電流値を画素のTFT1
7aにプログラムを行うためには、ソースドライバ18
から比較的大きな電流を出力する必要がある。しかし、
このように大きな電流をソース信号線11に流すとこの
電流値が画素にプログラムされてしまい、所定の電流に
対し大きな電流がEL素子16に流れる。たとえば、1
0倍の電流でプログラムすれば、当然、10倍の電流が
EL素子16に流れ、EL素子16は10倍の輝度で発
光する。所定の発光輝度にするためには、EL素子16
に流れる時間を1/10にすればよい。このように駆動
することにより、ソース信号線11の寄生容量を十分に
充放電できるし、所定の発光輝度を得ることができる。
の充放電を十分に行い、所定の電流値を画素のTFT1
7aにプログラムを行うためには、ソースドライバ18
から比較的大きな電流を出力する必要がある。しかし、
このように大きな電流をソース信号線11に流すとこの
電流値が画素にプログラムされてしまい、所定の電流に
対し大きな電流がEL素子16に流れる。たとえば、1
0倍の電流でプログラムすれば、当然、10倍の電流が
EL素子16に流れ、EL素子16は10倍の輝度で発
光する。所定の発光輝度にするためには、EL素子16
に流れる時間を1/10にすればよい。このように駆動
することにより、ソース信号線11の寄生容量を十分に
充放電できるし、所定の発光輝度を得ることができる。
【0038】なお、10倍の電流値を画素のTFT17
a(正確にはコンデンサ14の端子電圧を設定してい
る)に書き込み、EL素子16のオン時間を1/10に
するとしたがこれは一例である。場合によっては、10
倍の電流値を画素のTFT17aに書き込み、EL素子
16のオン時間を1/5にしてもよい。逆に10倍の電
流値を画素のTFT17aに書き込み、EL素子16の
オン時間を2倍にする場合もあるであろう。本発明は、
画素への書き込み電流を所定値以外の値にし、EL素子
16に流れる電流を間欠状態にして駆動することに特徴
がある。本明細書では説明を容易にするため、N倍の電
流値を画素のTFT17に書き込み、EL素子16のオ
ン時間を1/N倍にするとして説明する。しかし、これ
に限定するものではなく、N1倍の電流値を画素のTF
T17に書き込み、EL素子16のオン時間を1/N2
倍(N1とN2とは異なる)でもよいことは言うまでも
ない。なお、間欠する間隔は等間隔に限定するものでは
ない。
a(正確にはコンデンサ14の端子電圧を設定してい
る)に書き込み、EL素子16のオン時間を1/10に
するとしたがこれは一例である。場合によっては、10
倍の電流値を画素のTFT17aに書き込み、EL素子
16のオン時間を1/5にしてもよい。逆に10倍の電
流値を画素のTFT17aに書き込み、EL素子16の
オン時間を2倍にする場合もあるであろう。本発明は、
画素への書き込み電流を所定値以外の値にし、EL素子
16に流れる電流を間欠状態にして駆動することに特徴
がある。本明細書では説明を容易にするため、N倍の電
流値を画素のTFT17に書き込み、EL素子16のオ
ン時間を1/N倍にするとして説明する。しかし、これ
に限定するものではなく、N1倍の電流値を画素のTF
T17に書き込み、EL素子16のオン時間を1/N2
倍(N1とN2とは異なる)でもよいことは言うまでも
ない。なお、間欠する間隔は等間隔に限定するものでは
ない。
【0039】また、説明を容易にするため、1/Nを1
F(1フィールドまたは1フレーム)を基準にしてこの
1Fを1/Nにするとして説明する。しかし、1画素行
が選択され、電流値がプログラムされる時間(通常、1
水平走査期間(1H))があるし、また、走査状態によ
っては誤差も生じる。したがって、以上の説明はあくま
でも説明を容易にするための便宜状の問題だけであり、
これに限定するものではない。
F(1フィールドまたは1フレーム)を基準にしてこの
1Fを1/Nにするとして説明する。しかし、1画素行
が選択され、電流値がプログラムされる時間(通常、1
水平走査期間(1H))があるし、また、走査状態によ
っては誤差も生じる。したがって、以上の説明はあくま
でも説明を容易にするための便宜状の問題だけであり、
これに限定するものではない。
【0040】有機(無機)EL表示装置は、CRTのよ
うに電子銃で線表示の集合として画像を表示するディス
プレイとは表示方法が基本的に異なる点にも課題があ
る。つまり、EL表示装置では、1F(1フィールドあ
るいは1フレーム)の期間の間は、画素に書き込んだ電
流(電圧)を保持する。そのため、動画表示を行うと表
示画像の輪郭ぼけが発生するという課題が発生する。
うに電子銃で線表示の集合として画像を表示するディス
プレイとは表示方法が基本的に異なる点にも課題があ
る。つまり、EL表示装置では、1F(1フィールドあ
るいは1フレーム)の期間の間は、画素に書き込んだ電
流(電圧)を保持する。そのため、動画表示を行うと表
示画像の輪郭ぼけが発生するという課題が発生する。
【0041】本発明では、1F/Nの期間の間だけ、E
L素子16に電流をながし、他の期間(1F(N−1)
/N)は電流を流さない。この駆動方式を実施し画面の
一点を観測した場合を考える。この表示状態では1Fご
とに画像データ表示、黒表示(非点灯)が繰り返し表示
される。つまり、画像データ表示状態が時間的に飛び飛
び表示(間欠表示)状態となる。動画データ表示を、こ
の間欠表示状態でみると画像の輪郭ぼけがなくなり良好
な表示状態を実現できる。つまり、CRTに近い動画表
示を実現することができる。また、間欠表示を実現する
が、回路のメインクロックは従来と変わらない。したが
って、回路の消費電力が増加することもない。
L素子16に電流をながし、他の期間(1F(N−1)
/N)は電流を流さない。この駆動方式を実施し画面の
一点を観測した場合を考える。この表示状態では1Fご
とに画像データ表示、黒表示(非点灯)が繰り返し表示
される。つまり、画像データ表示状態が時間的に飛び飛
び表示(間欠表示)状態となる。動画データ表示を、こ
の間欠表示状態でみると画像の輪郭ぼけがなくなり良好
な表示状態を実現できる。つまり、CRTに近い動画表
示を実現することができる。また、間欠表示を実現する
が、回路のメインクロックは従来と変わらない。したが
って、回路の消費電力が増加することもない。
【0042】液晶表示パネルの場合は、光変調をする画
像データ(電圧)は液晶層に保持される。したがって、
黒挿入表示を実施しようとすると液晶層に印加している
データを書き換える必要がある。そのため、ソースドラ
イバIC18の動作クロックを高くし、画像データを黒
表示データとを交互にソース信号線11に印加する必要
がある。したがって、黒挿入(黒表示などの間欠表示)
を実現しょうとすると回路のメインクロックをあげる必
要がある。また、時間軸伸張を実施するための画像メモ
リも必要になる。
像データ(電圧)は液晶層に保持される。したがって、
黒挿入表示を実施しようとすると液晶層に印加している
データを書き換える必要がある。そのため、ソースドラ
イバIC18の動作クロックを高くし、画像データを黒
表示データとを交互にソース信号線11に印加する必要
がある。したがって、黒挿入(黒表示などの間欠表示)
を実現しょうとすると回路のメインクロックをあげる必
要がある。また、時間軸伸張を実施するための画像メモ
リも必要になる。
【0043】図1などに示す本発明のEL表示パネルの
画素構成では、画像データはコンデンサ14に保持され
ている。このコンデンサ14の端子電圧に対応する電流
をEL素子16に流す。したがって、画像データは液晶
表示パネルのように光変調層に保持されているのではな
い。
画素構成では、画像データはコンデンサ14に保持され
ている。このコンデンサ14の端子電圧に対応する電流
をEL素子16に流す。したがって、画像データは液晶
表示パネルのように光変調層に保持されているのではな
い。
【0044】本発明はスイッチングのTFT17dなど
をオンオフさせるだけでEL素子16に流す電流を制御
する。
をオンオフさせるだけでEL素子16に流す電流を制御
する。
【0045】つまり、EL素子16に流れる電流Iwを
オフしても、画像データはそのままコンデンサ14の保
持されている。したがって、次のタイミングでTFT1
7dなどをオンさせ、EL素子16に電流を流せば、そ
の流れる電流は前に流れていた電流値と同一である。本
発明では黒挿入(黒表示などの間欠表示)を実現しょう
とすると際においても回路のメインクロックをあげる必
要がない。また、時間軸伸張を実施する必要もないため
の画像メモリも不要である。また、有機EL素子16は
電流を印加してから発光するまでの時間が短く高速応答
である。そのため、動画表示に適し、さらに間欠表示を
実施することのより従来のデータ保持型の表示パネル
(液晶表示パネル、ELパネルなど)の問題である動画
表示の問題を解決できる。
オフしても、画像データはそのままコンデンサ14の保
持されている。したがって、次のタイミングでTFT1
7dなどをオンさせ、EL素子16に電流を流せば、そ
の流れる電流は前に流れていた電流値と同一である。本
発明では黒挿入(黒表示などの間欠表示)を実現しょう
とすると際においても回路のメインクロックをあげる必
要がない。また、時間軸伸張を実施する必要もないため
の画像メモリも不要である。また、有機EL素子16は
電流を印加してから発光するまでの時間が短く高速応答
である。そのため、動画表示に適し、さらに間欠表示を
実施することのより従来のデータ保持型の表示パネル
(液晶表示パネル、ELパネルなど)の問題である動画
表示の問題を解決できる。
【0046】たとえば、ゲート信号線12bは従来導通
期間が1F(電流プログラム時間を0とした時、通常プ
ログラム時間は1Hであり、EL表示装置の画素行数は
少なくとも100行以上であるので、1Fとしても誤差
は1%以下である)とし、N=10とするとすれば、最
も変化に時間のかかる階調0から階調1へもソース容量
が20pF程度であれば75μ秒程度で変化できる。こ
れは、2型程度のEL表示装置であればフレーム周波数
が60Hzで駆動できることを示している。
期間が1F(電流プログラム時間を0とした時、通常プ
ログラム時間は1Hであり、EL表示装置の画素行数は
少なくとも100行以上であるので、1Fとしても誤差
は1%以下である)とし、N=10とするとすれば、最
も変化に時間のかかる階調0から階調1へもソース容量
が20pF程度であれば75μ秒程度で変化できる。こ
れは、2型程度のEL表示装置であればフレーム周波数
が60Hzで駆動できることを示している。
【0047】更に大型の表示装置でソース容量20が大
きくなる場合はソース電流を10倍以上にしてやればよ
い。一般にソース電流値をN倍にした場合、ゲート信号
線12b(TFT17d)の導通期間を1F/Nとすれ
ばよい。これによりテレビ、モニター用の表示装置など
にも適用が可能である。
きくなる場合はソース電流を10倍以上にしてやればよ
い。一般にソース電流値をN倍にした場合、ゲート信号
線12b(TFT17d)の導通期間を1F/Nとすれ
ばよい。これによりテレビ、モニター用の表示装置など
にも適用が可能である。
【0048】以上のように、TFT17dを本来オンす
る時間(約1F)の1/Nの期間だけオンさせ、他の期
間(N−1)/N期間はオフさせれば、1F全体の平均
輝度は所定の輝度となる。この表示状態は、CRTが電
子銃で画面を走査しているのと近似する。異なる点は、
画像を表示している範囲が画面全体の1/N(全画面を
1とする)が点灯している点である(CRTでは、点灯
している範囲は1画素行(厳密には1画素である)。
る時間(約1F)の1/Nの期間だけオンさせ、他の期
間(N−1)/N期間はオフさせれば、1F全体の平均
輝度は所定の輝度となる。この表示状態は、CRTが電
子銃で画面を走査しているのと近似する。異なる点は、
画像を表示している範囲が画面全体の1/N(全画面を
1とする)が点灯している点である(CRTでは、点灯
している範囲は1画素行(厳密には1画素である)。
【0049】本発明では、この1/Nの画像表示領域7
1が図8に示すように画面21の上から下に移動する。
本発明では、1F/Nの期間の間だけ、EL素子16に
電流が流れ、他の期間(1F・(N−1)/N)は電流
を流れない。したがって、画像は間欠表示となる。しか
し、人間の目には残像により画像が保持された状態とな
るので、全画面が均一に表示されているように見える。
1が図8に示すように画面21の上から下に移動する。
本発明では、1F/Nの期間の間だけ、EL素子16に
電流が流れ、他の期間(1F・(N−1)/N)は電流
を流れない。したがって、画像は間欠表示となる。しか
し、人間の目には残像により画像が保持された状態とな
るので、全画面が均一に表示されているように見える。
【0050】この表示状態では1Fごとに画像データ表
示71、黒表示(非点灯)72が繰り返し表示される。
つまり、画像データ表示状態が時間的に飛び飛び表示
(間欠表示)状態となる。液晶表示パネル(本発明以外
のEL表示パネル)では、1Fの期間、画素にデータが
保持されているため、動画表示の場合は画像データが変
化してもその変化に追従することができず、動画ボケと
なっていた(画像の輪郭ボケ)。しかし、本発明では画
像を間欠表示するため、画像の輪郭ぼけがなくなり良好
な表示状態を実現できる。つまり、CRTに近い動画表
示を実現することができる。
示71、黒表示(非点灯)72が繰り返し表示される。
つまり、画像データ表示状態が時間的に飛び飛び表示
(間欠表示)状態となる。液晶表示パネル(本発明以外
のEL表示パネル)では、1Fの期間、画素にデータが
保持されているため、動画表示の場合は画像データが変
化してもその変化に追従することができず、動画ボケと
なっていた(画像の輪郭ボケ)。しかし、本発明では画
像を間欠表示するため、画像の輪郭ぼけがなくなり良好
な表示状態を実現できる。つまり、CRTに近い動画表
示を実現することができる。
【0051】また、EL表示装置では黒表示は完全に非
点灯であるから、液晶表示パネルを間欠表示した場合の
ように、コントラスト低下もない。また、図1に示すよ
うにTFT17dをオンオフ操作するだけで、間欠表示
を実現することができる。これは、コンデンサ14に画
像データがメモリされているためである。つまり、各画
素16に、画像データは1Fの期間中は保持されてい
る。この保持されている画像データに相当する電流をE
L素子16に流すか否かをTFT17dの制御により実
現しているのである。
点灯であるから、液晶表示パネルを間欠表示した場合の
ように、コントラスト低下もない。また、図1に示すよ
うにTFT17dをオンオフ操作するだけで、間欠表示
を実現することができる。これは、コンデンサ14に画
像データがメモリされているためである。つまり、各画
素16に、画像データは1Fの期間中は保持されてい
る。この保持されている画像データに相当する電流をE
L素子16に流すか否かをTFT17dの制御により実
現しているのである。
【0052】したがって、間欠表示を実現する場合とし
ない場合では、1画素を構成するTFT17の個数に変
化はない。つまり、画素構成はそのままで、ソース信号
線11の寄生容量20の影響と除去し、良好な電流プロ
グラムを実現している。その上、CRTに近い動画表示
を実現しているのである。
ない場合では、1画素を構成するTFT17の個数に変
化はない。つまり、画素構成はそのままで、ソース信号
線11の寄生容量20の影響と除去し、良好な電流プロ
グラムを実現している。その上、CRTに近い動画表示
を実現しているのである。
【0053】また、ゲートドライバ回路の動作クロック
はソースドライバ回路18の動作クロックに比較して十
分に遅いため、回路のメインクロックが高くなるという
ことはない。また、Nの値の変更も容易である。
はソースドライバ回路18の動作クロックに比較して十
分に遅いため、回路のメインクロックが高くなるという
ことはない。また、Nの値の変更も容易である。
【0054】画像表示方向(画像書き込み方向)は、1
フィールド目では画面の上から下方向とし、つぎの第2
フィールド目では画面の下から上方向としてもよい。さ
らに、1フィールド目では画面の上から下方向とし、一
旦全画面を黒表示(非表示)72とした後、つぎの第2
フィールド目では画面の下から上方向としてもよい。図
2に図示するように、ゲート信号線12a(1)にオン
電圧(Vgl)が印加され、画素が選択される。この
時、ゲート信号線12b(1)にはオフ電圧(Vgh)
が印加される。したがって、スイッチングTFT17b
および17cがオンし、TFT17dはオフ状態であ
る。
フィールド目では画面の上から下方向とし、つぎの第2
フィールド目では画面の下から上方向としてもよい。さ
らに、1フィールド目では画面の上から下方向とし、一
旦全画面を黒表示(非表示)72とした後、つぎの第2
フィールド目では画面の下から上方向としてもよい。図
2に図示するように、ゲート信号線12a(1)にオン
電圧(Vgl)が印加され、画素が選択される。この
時、ゲート信号線12b(1)にはオフ電圧(Vgh)
が印加される。したがって、スイッチングTFT17b
および17cがオンし、TFT17dはオフ状態であ
る。
【0055】ソース信号線11にはプログラム電流Iw
が流れる。このプログラム電流IwはTFT17aによ
って供給される。(電流Idd=Iw)。この電流Id
dが流れることにより、ソース信号線11の電位が所定
電圧となり、TFT17aのゲート端子電圧Vgが電流
プログラムされる。電流プログラムされた電流とはIw
電流である。つまり、TFT17aはプログラム電流I
wが流れるようにVg電圧が設定される。他の言い方を
すれば、ソース信号線11の電位が画素にプログラムさ
れたとも言うことができる。つまり、画素の動作状態と
しては電圧(が)プログラムされたとも言うことができ
る。
が流れる。このプログラム電流IwはTFT17aによ
って供給される。(電流Idd=Iw)。この電流Id
dが流れることにより、ソース信号線11の電位が所定
電圧となり、TFT17aのゲート端子電圧Vgが電流
プログラムされる。電流プログラムされた電流とはIw
電流である。つまり、TFT17aはプログラム電流I
wが流れるようにVg電圧が設定される。他の言い方を
すれば、ソース信号線11の電位が画素にプログラムさ
れたとも言うことができる。つまり、画素の動作状態と
しては電圧(が)プログラムされたとも言うことができ
る。
【0056】1H(1水平走査期間)後、ゲート信号線
12a(1)にはオフ電圧(Vgh)が印加され、TF
T17b、TFT17cがオフし、コンデンサ14aに
プログラム電流Iwを流すのに必要な電圧が保持され
る。また、ゲート信号線12b(1)にオン電圧(Vg
l)が印加され、TFT17dがオンする。したがっ
て、Ie(=Iw)電流がEL素子16に流れ、EL素
子16がプログラムされた電流(Ie)で点灯する。
12a(1)にはオフ電圧(Vgh)が印加され、TF
T17b、TFT17cがオフし、コンデンサ14aに
プログラム電流Iwを流すのに必要な電圧が保持され
る。また、ゲート信号線12b(1)にオン電圧(Vg
l)が印加され、TFT17dがオンする。したがっ
て、Ie(=Iw)電流がEL素子16に流れ、EL素
子16がプログラムされた電流(Ie)で点灯する。
【0057】以上が、以前にも説明した電流プログラム
方式の動作である。しかし、実際には動作を異なる。E
L素子16に流れる電流Ieは、Iwよりも小さくなっ
ているからである。
方式の動作である。しかし、実際には動作を異なる。E
L素子16に流れる電流Ieは、Iwよりも小さくなっ
ているからである。
【0058】まず、TFTのPチャンネルの動作につい
て説明をする。PチャンネルTFTはゲート端子電圧V
gがマイナス側にあるほど大きなオン電流が流れる。0
(V)では完全にオフする。オン電流はTFTのW/L
およびモビリティ、S値によって異なる。TFTのW/
Lが6/12の時、およそ−3(V)までは、チャンネ
ル電流(Idd)はごく僅かである。−4(V)〜−
4.5(V)で1〜5μAの電流が流れる。
て説明をする。PチャンネルTFTはゲート端子電圧V
gがマイナス側にあるほど大きなオン電流が流れる。0
(V)では完全にオフする。オン電流はTFTのW/L
およびモビリティ、S値によって異なる。TFTのW/
Lが6/12の時、およそ−3(V)までは、チャンネ
ル電流(Idd)はごく僅かである。−4(V)〜−
4.5(V)で1〜5μAの電流が流れる。
【0059】もう1つ重要な事項は、各素子の電位を素
子の端子間の容量問題がある。TFT17bのゲート−
ソース端子間には容量がある。この容量は、TFT17
bのW/Lが6/6μmのダブルゲートの場合、0.0
1〜0.03pF程度である。このコンデンサの容量を
突き抜け容量と呼ぶ。
子の端子間の容量問題がある。TFT17bのゲート−
ソース端子間には容量がある。この容量は、TFT17
bのW/Lが6/6μmのダブルゲートの場合、0.0
1〜0.03pF程度である。このコンデンサの容量を
突き抜け容量と呼ぶ。
【0060】画素が選択されると、ゲート信号線12a
がVghからVglに変化するため、突き抜け容量によ
って、ゲート信号線12aの電位が突き抜ける。この突
き抜けによりVg電圧は+方向にシフトする。
がVghからVglに変化するため、突き抜け容量によ
って、ゲート信号線12aの電位が突き抜ける。この突
き抜けによりVg電圧は+方向にシフトする。
【0061】次に、TFT17aがソースドライバ回路
18が吸収する電流Iwに等しい電流を流す。しかし、
黒表示の場合、TFT17aが流す電流の値は小さい。
一例として30nA以下である。このような電流では、
ソース信号線18の寄生容量を1H期間内に十分に充放
電することができない。したがって、ソース信号線18
の電位を1H期間内に所定電圧にすることができない。
つまり、Vg電圧も低く、黒表示に必要な電圧とするこ
とができない。
18が吸収する電流Iwに等しい電流を流す。しかし、
黒表示の場合、TFT17aが流す電流の値は小さい。
一例として30nA以下である。このような電流では、
ソース信号線18の寄生容量を1H期間内に十分に充放
電することができない。したがって、ソース信号線18
の電位を1H期間内に所定電圧にすることができない。
つまり、Vg電圧も低く、黒表示に必要な電圧とするこ
とができない。
【0062】したがって、TFT17aはEL素子16
に、本来の黒表示よりも大きな電流を流す。そのため、
EL素子16は所望値よりも明るく発光する。したがっ
て、EL表示パネルでは、黒浮きが発生し、高コントラ
スト表示を実現できない。
に、本来の黒表示よりも大きな電流を流す。そのため、
EL素子16は所望値よりも明るく発光する。したがっ
て、EL表示パネルでは、黒浮きが発生し、高コントラ
スト表示を実現できない。
【0063】しかし、ゲート信号線12aがオン電圧
(vgl)からオフ電圧(Vgh)に変化するため、再
び、突き抜け容量により突き抜け電圧が発生する。この
突き抜け電圧により、Vg電圧は、必要とする黒表示電
圧にシフトする。したがって、TFT17aは全く電流
を流さないようにプログラムされるか、もしくは所望値
の黒電流を流すようにプログラムされる。つまり、EL
素子16には微小な電流しか流れないようにプログラム
される。そのため、本発明のEL表示パネルは黒浮きが
なく、高コントラスト表示を実現できる。このVg電圧
は1フィールド(1フレーム)、つまり、次に画素が選
択され、書き換えられるまで保持される。
(vgl)からオフ電圧(Vgh)に変化するため、再
び、突き抜け容量により突き抜け電圧が発生する。この
突き抜け電圧により、Vg電圧は、必要とする黒表示電
圧にシフトする。したがって、TFT17aは全く電流
を流さないようにプログラムされるか、もしくは所望値
の黒電流を流すようにプログラムされる。つまり、EL
素子16には微小な電流しか流れないようにプログラム
される。そのため、本発明のEL表示パネルは黒浮きが
なく、高コントラスト表示を実現できる。このVg電圧
は1フィールド(1フレーム)、つまり、次に画素が選
択され、書き換えられるまで保持される。
【0064】図4に図示するn倍のパルスを印加する方
式では、EL素子16に印加する電流が大きくなり、そ
のため、EL素子16に発生する端子電圧も高くなる。
したがって、ゲート信号線12の振幅値も大きくしなけ
れば、EL素子16を駆動することができない。ゲート
信号線12の振幅値が高くなると、突き抜け容量を介し
て発生する突き抜け電圧も大きくなる。そのため、本発
明では、良好な黒表示を実現できる。この効果はn=2
以上で顕著をなる。したがって、発明では、nは2以上
とすることが好ましい。
式では、EL素子16に印加する電流が大きくなり、そ
のため、EL素子16に発生する端子電圧も高くなる。
したがって、ゲート信号線12の振幅値も大きくしなけ
れば、EL素子16を駆動することができない。ゲート
信号線12の振幅値が高くなると、突き抜け容量を介し
て発生する突き抜け電圧も大きくなる。そのため、本発
明では、良好な黒表示を実現できる。この効果はn=2
以上で顕著をなる。したがって、発明では、nは2以上
とすることが好ましい。
【0065】また、図12の回路についてもスイッチン
グ素子123bを非導通、123c,123dを導通す
ることにより、ソース信号線126に流れる電流を蓄積
容量125に書きこむことができる。スイッチング素子
123c,123dを非導通、123bを導通させるこ
とにより蓄積容量125に蓄えられた電荷に応じて電源
線122よりEL素子121に電流を流す。
グ素子123bを非導通、123c,123dを導通す
ることにより、ソース信号線126に流れる電流を蓄積
容量125に書きこむことができる。スイッチング素子
123c,123dを非導通、123bを導通させるこ
とにより蓄積容量125に蓄えられた電荷に応じて電源
線122よりEL素子121に電流を流す。
【0066】したがってソース信号線に流れる電流をN
倍にすると蓄積容量に書きこむ電流がN倍になる。ま
た、スイッチング素子123bの1フレームの導通時間
を1/NにすることでEL素子に流れる時間が1フレー
ムの1/Nになるので、図12の回路に関しても同様の
駆動法を使用することが可能である。
倍にすると蓄積容量に書きこむ電流がN倍になる。ま
た、スイッチング素子123bの1フレームの導通時間
を1/NにすることでEL素子に流れる時間が1フレー
ムの1/Nになるので、図12の回路に関しても同様の
駆動法を使用することが可能である。
【0067】本発明は突き抜け電圧をうまく利用して、
良好な黒表示を実現している。該当の画素行が選択さ
れ、ゲート信号線12aにオン電圧が印加されると、ゲ
ート信号線の電圧が突き抜けてVg電圧がより、白表示
をなる方向にシフトしてしまう。しかし、この突き抜け
た電圧は、ソース信号線18からの電圧により短時間に
充電される。特に、TFT17aのゲート端子電圧が低
下する方向であるので、TFT17aがより電流を流す
方向になり、短時間に充電されるのである。したがっ
て、ゲート信号線12aにオン電圧が印加されたときの
突き抜けは全く問題とならない。
良好な黒表示を実現している。該当の画素行が選択さ
れ、ゲート信号線12aにオン電圧が印加されると、ゲ
ート信号線の電圧が突き抜けてVg電圧がより、白表示
をなる方向にシフトしてしまう。しかし、この突き抜け
た電圧は、ソース信号線18からの電圧により短時間に
充電される。特に、TFT17aのゲート端子電圧が低
下する方向であるので、TFT17aがより電流を流す
方向になり、短時間に充電されるのである。したがっ
て、ゲート信号線12aにオン電圧が印加されたときの
突き抜けは全く問題とならない。
【0068】1Hの期間後、該当の画素行が非選択さ
れ、ゲート信号線12aにオフ電圧が印加されると、ゲ
ート信号線12aには、Vgh電圧が印加され、突き抜
け電圧が発生する。この突き抜け電圧により、TFT1
7aのゲート端子電圧が目標の黒表示電圧に到達する。
れ、ゲート信号線12aにオフ電圧が印加されると、ゲ
ート信号線12aには、Vgh電圧が印加され、突き抜
け電圧が発生する。この突き抜け電圧により、TFT1
7aのゲート端子電圧が目標の黒表示電圧に到達する。
【0069】以上のように本発明は、ゲート信号線12
aの電圧変動を突き抜け容量を介してTFT17aに供
給し、EL素子16に流れる電流を制御している。この
制御は特に、黒表示を実現するのに有効である。
aの電圧変動を突き抜け容量を介してTFT17aに供
給し、EL素子16に流れる電流を制御している。この
制御は特に、黒表示を実現するのに有効である。
【0070】今度は、EL素子16に白表示の電流を流
している場合について考察する。画素が選択されると、
白表示の電流が流れるようにTFT17aのゲート端子
にプログラムされる。このプログラムされた電流がEL
素子16に流れる。
している場合について考察する。画素が選択されると、
白表示の電流が流れるようにTFT17aのゲート端子
にプログラムされる。このプログラムされた電流がEL
素子16に流れる。
【0071】図4に図示するn倍のパルスを印加する方
式では、EL素子16に印加する電流が大きい。EL素
子16に大きな電流を流すためには、TFT17aのゲ
ート端子電圧Vgを低くする必要がある。もちろん、ソ
ース信号線11の電位も低くなる。
式では、EL素子16に印加する電流が大きい。EL素
子16に大きな電流を流すためには、TFT17aのゲ
ート端子電圧Vgを低くする必要がある。もちろん、ソ
ース信号線11の電位も低くなる。
【0072】したがって、白表示では、Vgが低い電位
でプログラムされる。しかし、突き抜け容量を介して発
生する突き抜け電圧は黒表示の場合と同一である。一
方、n=1以上の場合は、n=1の場合と比較して、ソ
ース信号線11の電位は低くなっているから白表示輝度
は増加する。したがって、図6に図示するように、n=
2で輝度が高くなる。
でプログラムされる。しかし、突き抜け容量を介して発
生する突き抜け電圧は黒表示の場合と同一である。一
方、n=1以上の場合は、n=1の場合と比較して、ソ
ース信号線11の電位は低くなっているから白表示輝度
は増加する。したがって、図6に図示するように、n=
2で輝度が高くなる。
【0073】図6にn倍パルス駆動使用時のnを変化さ
せたときの輝度の変化を示す。この図で言う輝度とはn
を変化させたときの輝度を有機EL素子16の両端に流
れる電流値で割ったものであり(つまり、平均輝度)、
グラフは通常駆動の輝度を1としたときの各パルス駆動
の輝度比を表している。
せたときの輝度の変化を示す。この図で言う輝度とはn
を変化させたときの輝度を有機EL素子16の両端に流
れる電流値で割ったものであり(つまり、平均輝度)、
グラフは通常駆動の輝度を1としたときの各パルス駆動
の輝度比を表している。
【0074】この図6からnは1以上6以下の時に通常
(n=1)より輝度が高くなっていることがわかる。し
かし、nが6以上となると、輝度は低下する。これは、
図7に示すように有機EL素子にかかる電流と発光する
輝度の関係は完全な比例関係ではなく、ある電流値以上
からはグラフが曲線を描くことがわかっている(つま
り、単位電流に対する発光効率が低下する)。このた
め、nを大きくし有機EL素子に印加する電流が大きく
なりすぎると有機EL素子自体の発光効率が悪くなり平
均印加電流が同じでも輝度が低くなってしまう。
(n=1)より輝度が高くなっていることがわかる。し
かし、nが6以上となると、輝度は低下する。これは、
図7に示すように有機EL素子にかかる電流と発光する
輝度の関係は完全な比例関係ではなく、ある電流値以上
からはグラフが曲線を描くことがわかっている(つま
り、単位電流に対する発光効率が低下する)。このた
め、nを大きくし有機EL素子に印加する電流が大きく
なりすぎると有機EL素子自体の発光効率が悪くなり平
均印加電流が同じでも輝度が低くなってしまう。
【0075】これより、有機EL素子の駆動法はnが1
以上6以下パルス駆動を使用すると平均印加電流に対す
る輝度が上がる。また、図4に図示するようにn倍のパ
ルス駆動で画像を表示すると、n=2以上で黒表示が良
好となり、表示コントラストが向上する。また、動画表
示性能も飛躍的に向上する。
以上6以下パルス駆動を使用すると平均印加電流に対す
る輝度が上がる。また、図4に図示するようにn倍のパ
ルス駆動で画像を表示すると、n=2以上で黒表示が良
好となり、表示コントラストが向上する。また、動画表
示性能も飛躍的に向上する。
【0076】また、TFT17dをオンオフすることに
より、EL素子16に流れる電流はオンオフされる。し
たがって、画像表示領域71は図8で図示するように画
面の上下方向に走査された状態となる。この時、黒表示
の部分がEL素子16をオフした領域である。
より、EL素子16に流れる電流はオンオフされる。し
たがって、画像表示領域71は図8で図示するように画
面の上下方向に走査された状態となる。この時、黒表示
の部分がEL素子16をオフした領域である。
【0077】黒表示部16が画面の全領域に占める割合
は20%以上あると、動画表示性能が格段に向上する。
特に50%の時とすることにより改善効果は高い。黒表
示領域16が20%とは、N=1.2である。したがっ
て、動画表示性能の改善を目的とする場合は、Nは1.
2以上6以下とすればよい。さらには、Nは1.5以上
6以下とすることが好ましい。
は20%以上あると、動画表示性能が格段に向上する。
特に50%の時とすることにより改善効果は高い。黒表
示領域16が20%とは、N=1.2である。したがっ
て、動画表示性能の改善を目的とする場合は、Nは1.
2以上6以下とすればよい。さらには、Nは1.5以上
6以下とすることが好ましい。
【0078】なお、N=5を越えるとフレームレートの
周波数の観点からフリッカが目立つ場合がある。したが
って、好ましくは、Nは1.2以上5以下とすればよ
い。さらには、Nは1.5以上5以下とすることが好ま
しい。
周波数の観点からフリッカが目立つ場合がある。したが
って、好ましくは、Nは1.2以上5以下とすればよ
い。さらには、Nは1.5以上5以下とすることが好ま
しい。
【0079】また、保持用の容量C1(14a)と、T
FT11bのゲート−ソース容量(C2)の比率は、C
1:C2=200:1以上、C1:C2=20:1以下
の範囲となるようにすることが好ましい。この範囲にす
ることにより、黒表示時にTFT11aに流れる電流が
最適となる。
FT11bのゲート−ソース容量(C2)の比率は、C
1:C2=200:1以上、C1:C2=20:1以下
の範囲となるようにすることが好ましい。この範囲にす
ることにより、黒表示時にTFT11aに流れる電流が
最適となる。
【0080】図9は本発明の形態のうちの少なくとも1
つの形態を用いた表示装置92に復調装置、アンテナ9
1、ボタン94を取り付け、筐体93でもって携帯情報
端末にしたものである。
つの形態を用いた表示装置92に復調装置、アンテナ9
1、ボタン94を取り付け、筐体93でもって携帯情報
端末にしたものである。
【0081】表示パネル92を携帯電話などの情報表示
装置に使用する場合、ドライバICを表示パネルの一辺
に実装することが好ましい(なお、このように一辺にド
ライバICを実装する形態を3辺フリー構成(構造)と
呼ぶ。従来は、表示領域のX辺にゲートドライバICが
実装され、Y辺にソースドライバICが実装されてい
た)。画面の中心線が表示装置の中心になるように設計
し易く、また、ドライバICの実装も容易となるからで
ある。なお、ゲートドライバ回路を高温ポリシリコンあ
るいは低温ポリシリコン技術などで3辺フリーの構成で
作製してもよい(つまり、図1のゲートドライバとソー
スドライバのうち、少なくとも一方をポリシリコン技術
で基板に直接形成する)。
装置に使用する場合、ドライバICを表示パネルの一辺
に実装することが好ましい(なお、このように一辺にド
ライバICを実装する形態を3辺フリー構成(構造)と
呼ぶ。従来は、表示領域のX辺にゲートドライバICが
実装され、Y辺にソースドライバICが実装されてい
た)。画面の中心線が表示装置の中心になるように設計
し易く、また、ドライバICの実装も容易となるからで
ある。なお、ゲートドライバ回路を高温ポリシリコンあ
るいは低温ポリシリコン技術などで3辺フリーの構成で
作製してもよい(つまり、図1のゲートドライバとソー
スドライバのうち、少なくとも一方をポリシリコン技術
で基板に直接形成する)。
【0082】一般的に、携帯電話などの情報表示装置で
は、表示色数よりも低消費電力化が優先される。表示色
数を増加させる回路の動作周波数が高くなる、あるいは
EL素子16に印加する電圧(電流)波形の変化が多く
なるなど理由から、消費電力が増加する。したがって、
あまり表示色数を多くすることはできない。この課題に
対して、本発明は画像データを誤差拡散処理あるいはデ
ィザ処理を行って画像を表示する。
は、表示色数よりも低消費電力化が優先される。表示色
数を増加させる回路の動作周波数が高くなる、あるいは
EL素子16に印加する電圧(電流)波形の変化が多く
なるなど理由から、消費電力が増加する。したがって、
あまり表示色数を多くすることはできない。この課題に
対して、本発明は画像データを誤差拡散処理あるいはデ
ィザ処理を行って画像を表示する。
【0083】図9で説明した本発明の携帯電話では図示
していないが、筐体の裏側にCCDカメラを備えてい
る。CCDカメラで撮影し画像は即時に表示パネルの表
示画面に表示できる。CCDカメラで撮影したデータ
は、表示画面92に表示することができる。CCDカメ
ラの画像データは24ビット(1670万色)、18ビ
ット(26万色)、16ビット(6.5万色)、12ビ
ット(4096色)、8ビット(256色)をキー入力
94で切り替えることができる。
していないが、筐体の裏側にCCDカメラを備えてい
る。CCDカメラで撮影し画像は即時に表示パネルの表
示画面に表示できる。CCDカメラで撮影したデータ
は、表示画面92に表示することができる。CCDカメ
ラの画像データは24ビット(1670万色)、18ビ
ット(26万色)、16ビット(6.5万色)、12ビ
ット(4096色)、8ビット(256色)をキー入力
94で切り替えることができる。
【0084】表示データが12ビット以上の時は、誤差
拡散処理を行って表示する。つまり、CCDカメラから
の画像データが内蔵メモリの容量以上の時は、誤差拡散
処理などを実施し、表示色数を内蔵メモリの容量以下と
なるように画像処理を行う。
拡散処理を行って表示する。つまり、CCDカメラから
の画像データが内蔵メモリの容量以上の時は、誤差拡散
処理などを実施し、表示色数を内蔵メモリの容量以下と
なるように画像処理を行う。
【0085】また、図11に示すように電流をN1倍に
して印加時間を1/N2とするときN1>N2の関係が
成り立つとEL素子に流れる平均印加電流が増加し、平
均輝度が上昇する。例えばN2=2N1とすると同じ輝
度で発光する時間が2倍になることからEL素子が発光
する平均輝度は2倍になる。よって印加する電流量と印
加時間の関係を変えることによりEL素子の平均輝度を
変化させることが可能である。このことを利用して図9
に示すような携帯情報機器において表示パネル92を一
面発光させることにより照明機器として利用することも
可能である。
して印加時間を1/N2とするときN1>N2の関係が
成り立つとEL素子に流れる平均印加電流が増加し、平
均輝度が上昇する。例えばN2=2N1とすると同じ輝
度で発光する時間が2倍になることからEL素子が発光
する平均輝度は2倍になる。よって印加する電流量と印
加時間の関係を変えることによりEL素子の平均輝度を
変化させることが可能である。このことを利用して図9
に示すような携帯情報機器において表示パネル92を一
面発光させることにより照明機器として利用することも
可能である。
【0086】この照明機器はキー入力94により携帯情
報機器としての表示画面と、照明機器としての表示画面
に切り替えることが可能である。
報機器としての表示画面と、照明機器としての表示画面
に切り替えることが可能である。
【0087】しかし、照明機器として利用しようとした
場合、携帯情報機器の表示画面の輝度では、一メートル
以上前方を照らすには不充分である。本発明の駆動方法
を使用して携帯情報機器を表示させている場合、所定の
電流よりも高い電流を印加し、遮断時間を設けることに
よりEL素子に印加される平均電流を制御している。そ
こでキー入力94により電流を遮断させる時間を変化さ
せるとELに印加される平均電流が増加し、表示パネル
92の輝度が増加する。これにより1メートル以上遠方
を照らすことも可能な任意に輝度を変化させることので
きる照明機器としての利用が可能である。
場合、携帯情報機器の表示画面の輝度では、一メートル
以上前方を照らすには不充分である。本発明の駆動方法
を使用して携帯情報機器を表示させている場合、所定の
電流よりも高い電流を印加し、遮断時間を設けることに
よりEL素子に印加される平均電流を制御している。そ
こでキー入力94により電流を遮断させる時間を変化さ
せるとELに印加される平均電流が増加し、表示パネル
92の輝度が増加する。これにより1メートル以上遠方
を照らすことも可能な任意に輝度を変化させることので
きる照明機器としての利用が可能である。
【0088】図10は本発明の形態のうちの少なくとも
1つの形態を用いた表示装置101に映像信号入力10
6と映像信号処理回路104をとりつけ、筐体107で
もってテレビにしたものである。
1つの形態を用いた表示装置101に映像信号入力10
6と映像信号処理回路104をとりつけ、筐体107で
もってテレビにしたものである。
【0089】図10のテレビでは、画面の表面を保護フ
ィルム(保護板でもよい)で被覆している。これは、表
示パネル92の表面に物体があたって破損することを防
止することが1つの目的である。保護フィルムの表面に
はAIRコートが形成されており、また、表面をエンボ
ス加工することにより表示パネル92に外の状況(外
光)が写り込むことを抑制している。
ィルム(保護板でもよい)で被覆している。これは、表
示パネル92の表面に物体があたって破損することを防
止することが1つの目的である。保護フィルムの表面に
はAIRコートが形成されており、また、表面をエンボ
ス加工することにより表示パネル92に外の状況(外
光)が写り込むことを抑制している。
【0090】保護フィルムと表示パネル92間にビーズ
などを散布することにより、一定の空間が配置されるよ
うに構成されている。また、保護フィルムの裏面に微細
な凸部を形成し、この凸部で表示パネル92と保護フィ
ルム間に空間を保持させる。このように空間を保持する
ことにより保護フィルムからの衝撃が表示パネル92に
伝達することを抑制する。
などを散布することにより、一定の空間が配置されるよ
うに構成されている。また、保護フィルムの裏面に微細
な凸部を形成し、この凸部で表示パネル92と保護フィ
ルム間に空間を保持させる。このように空間を保持する
ことにより保護フィルムからの衝撃が表示パネル92に
伝達することを抑制する。
【0091】また、保護フィルムと表示パネル92間に
アルコール、エチレングリコールなど液体あるいはゲル
状のアクリル樹脂あるいはエポキシなどの固体樹脂など
の光結合剤を配置または注入することも効果がある。界
面反射を防止できるとともに、前記光結合剤が緩衝材と
して機能するからである。
アルコール、エチレングリコールなど液体あるいはゲル
状のアクリル樹脂あるいはエポキシなどの固体樹脂など
の光結合剤を配置または注入することも効果がある。界
面反射を防止できるとともに、前記光結合剤が緩衝材と
して機能するからである。
【0092】保護フィルムをしては、ポリカーボネート
フィルム(板)、ポリプロピレンフィルム(板)、アク
リルフィルム(板)、ポリエステルフィルム(板)、P
VAフィルム(板)などが例示される。その他エンジニ
アリング樹脂フィルム(ABSなど)を用いることがで
きることは言うまでもない。また、強化ガラスなど無機
材料からなるものでもよい。保護フィルムを配置するか
わりに、表示パネル92の表面をエポキシ樹脂、フェノ
ール樹脂、アクリル樹脂で0.5mm以上2.0mm以
下の厚みでコーティングすることも同様の効果がある。
また、これらの樹脂表面にエンボス加工などをすること
も有効である。
フィルム(板)、ポリプロピレンフィルム(板)、アク
リルフィルム(板)、ポリエステルフィルム(板)、P
VAフィルム(板)などが例示される。その他エンジニ
アリング樹脂フィルム(ABSなど)を用いることがで
きることは言うまでもない。また、強化ガラスなど無機
材料からなるものでもよい。保護フィルムを配置するか
わりに、表示パネル92の表面をエポキシ樹脂、フェノ
ール樹脂、アクリル樹脂で0.5mm以上2.0mm以
下の厚みでコーティングすることも同様の効果がある。
また、これらの樹脂表面にエンボス加工などをすること
も有効である。
【0093】また、保護フィルムあるいはコーティング
材料の表面をフッ素コートすることも効果がある。表面
についた汚れを洗剤などで容易にふき落とすことができ
るからである。また、保護フィルムを厚く形成し、フロ
ントライトと兼用してもよい。
材料の表面をフッ素コートすることも効果がある。表面
についた汚れを洗剤などで容易にふき落とすことができ
るからである。また、保護フィルムを厚く形成し、フロ
ントライトと兼用してもよい。
【0094】画面は4:3に限定されるものではなく、
ワイド表示ディスプレイでもよい。解像度は1280×
768ドット以上にすることが好ましい。ワイド型をす
ることにより、DVD映画やテレビ放送など、横長表示
のタイトルや番組をフルスクリーンで楽しむことができ
る。表示パネルの明るさは300cd/m2(カンデラ
/平方メートル)にすることが好ましい。さらに好まし
くは、表示パネルの明るさは500cd/m2(カンデ
ラ/平方メートル)にすることが好ましい。また、イン
ターネットや通常のパソコン作業に適した明るさ(20
0cd/m2)で表示できるように切り替えスイッチを
設置している。
ワイド表示ディスプレイでもよい。解像度は1280×
768ドット以上にすることが好ましい。ワイド型をす
ることにより、DVD映画やテレビ放送など、横長表示
のタイトルや番組をフルスクリーンで楽しむことができ
る。表示パネルの明るさは300cd/m2(カンデラ
/平方メートル)にすることが好ましい。さらに好まし
くは、表示パネルの明るさは500cd/m2(カンデ
ラ/平方メートル)にすることが好ましい。また、イン
ターネットや通常のパソコン作業に適した明るさ(20
0cd/m2)で表示できるように切り替えスイッチを
設置している。
【0095】したがって、使用者は表示内容あるいは使
用方法により、最適に画面の明るさにすることができ
る。さらに動画を表示しているウインドウだけを500
cd/m2にして、その他の部分は200cd/m2にす
る設定も用意している。テレビ番組をディスプレイの隅
に表示しておいて、メールをチェックするといった使い
方にも柔軟に対応する。 スピーカーはタワー型の形状
になり、前方向だけではなく、空間全体に音が広がるよ
うに設計されている。
用方法により、最適に画面の明るさにすることができ
る。さらに動画を表示しているウインドウだけを500
cd/m2にして、その他の部分は200cd/m2にす
る設定も用意している。テレビ番組をディスプレイの隅
に表示しておいて、メールをチェックするといった使い
方にも柔軟に対応する。 スピーカーはタワー型の形状
になり、前方向だけではなく、空間全体に音が広がるよ
うに設計されている。
【0096】本発明の実施例で説明した技術的思想はビ
デオカメラ、プロジェクター、立体テレビ、プロジェク
ションテレビなどに適用できる。また、ビューファイン
ダ、携帯電話のモニター、PHS、携帯情報端末および
そのモニター、デジタルカメラおよびそのモニターにも
適用できる。
デオカメラ、プロジェクター、立体テレビ、プロジェク
ションテレビなどに適用できる。また、ビューファイン
ダ、携帯電話のモニター、PHS、携帯情報端末および
そのモニター、デジタルカメラおよびそのモニターにも
適用できる。
【0097】また、電子写真システム、ヘッドマウント
ディスプレイ、直視モニターディスプレイ、ノートパー
ソナルコンピュータ、ビデオカメラ、電子スチルカメラ
にも適用できる。また、現金自動引き出し機のモニタ
ー、公衆電話、テレビ電話、パーソナルコンピュータ、
腕時計およびその表示装置にも適用できる。
ディスプレイ、直視モニターディスプレイ、ノートパー
ソナルコンピュータ、ビデオカメラ、電子スチルカメラ
にも適用できる。また、現金自動引き出し機のモニタ
ー、公衆電話、テレビ電話、パーソナルコンピュータ、
腕時計およびその表示装置にも適用できる。
【0098】さらに、家庭電器機器の表示モニター、ポ
ケットゲーム機器およびそのモニター、表示パネル用バ
ックライトあるいは家庭用もしくは業務用の照明装置な
どにも適用あるいは応用展開できることは言うまでもな
い。照明装置は色温度を可変できるように構成すること
が好ましい。これは、RGBの画素をストライプ状ある
いはドットマトリックス状に形成し、これらに流す電流
を調整することにより色温度を変更できる。また、広告
あるいはポスターなどの表示装置、RGBの信号器、警
報表示灯などにも応用できる。
ケットゲーム機器およびそのモニター、表示パネル用バ
ックライトあるいは家庭用もしくは業務用の照明装置な
どにも適用あるいは応用展開できることは言うまでもな
い。照明装置は色温度を可変できるように構成すること
が好ましい。これは、RGBの画素をストライプ状ある
いはドットマトリックス状に形成し、これらに流す電流
を調整することにより色温度を変更できる。また、広告
あるいはポスターなどの表示装置、RGBの信号器、警
報表示灯などにも応用できる。
【0099】また、スキャナの光源としても有機ELパ
ネルは有効である。RGBのドットマトリックスを光源
として、対象物に光を照射し、画像を読み取る。もちろ
ん、単色でもよいことは言うまでもない。また、アクテ
ィブマトリックスに限定するものではなく、単純マトリ
ックスでもよい。色温度を調整できるようにすれば画像
読み取り精度も向上する。
ネルは有効である。RGBのドットマトリックスを光源
として、対象物に光を照射し、画像を読み取る。もちろ
ん、単色でもよいことは言うまでもない。また、アクテ
ィブマトリックスに限定するものではなく、単純マトリ
ックスでもよい。色温度を調整できるようにすれば画像
読み取り精度も向上する。
【0100】また、液晶表示装置のバックライトにも有
機EL表示装置は有効である。EL表示装置(バックラ
イト)のRGBの画素をストライプ状あるいはドットマ
トリックス状に形成し、これらに流す電流を調整するこ
とにより色温度を変更でき、また、明るさの調整も容易
である。その上、面光源であるから、画面の中央部を明
るく、周辺部を暗くするガウス分布を容易に構成でき
る。また、R、G、B光を交互に走査する、フィールド
シーケンシャル方式の液晶表示パネルのバックライトと
しても有効である。また、バックライトを点滅しても黒
挿入することにより動画表示用液晶表示パネルのバック
ライトとしても用いることができる。
機EL表示装置は有効である。EL表示装置(バックラ
イト)のRGBの画素をストライプ状あるいはドットマ
トリックス状に形成し、これらに流す電流を調整するこ
とにより色温度を変更でき、また、明るさの調整も容易
である。その上、面光源であるから、画面の中央部を明
るく、周辺部を暗くするガウス分布を容易に構成でき
る。また、R、G、B光を交互に走査する、フィールド
シーケンシャル方式の液晶表示パネルのバックライトと
しても有効である。また、バックライトを点滅しても黒
挿入することにより動画表示用液晶表示パネルのバック
ライトとしても用いることができる。
【0101】
【発明の効果】本発明の表示パネル、表示装置等は、高
画質、良好な動画表示性能、画面面内の均一表示を実現
できる。
画質、良好な動画表示性能、画面面内の均一表示を実現
できる。
【0102】なお、本発明を用いれば、低消費電力の情
報表示装置などを構成できるので、電力を消費しない。
また、小型軽量化できるので、資源を消費しない。ま
た、高精細の表示パネルであっても十分に対応できる。
したがって、地球環境、宇宙環境に優しいこととなる。
報表示装置などを構成できるので、電力を消費しない。
また、小型軽量化できるので、資源を消費しない。ま
た、高精細の表示パネルであっても十分に対応できる。
したがって、地球環境、宇宙環境に優しいこととなる。
【図1】本発明の表示装置の構成を示した図
【図2】本発明の形態による画素、ソース信号線及び電
源を示した図
源を示した図
【図3】水平走査期間内でのゲート制御信号のタイミン
グを示した図
グを示した図
【図4】N倍パルス駆動における印加する電流値と印加
時間の関係図
時間の関係図
【図5】N倍パルス駆動使用時における水平走査期間内
でのゲート制御信号のタイミングを示した図
でのゲート制御信号のタイミングを示した図
【図6】N倍パルス駆動使用時のNの変化と平均印加電
流に対する輝度の関係図
流に対する輝度の関係図
【図7】有機EL素子の印加電流と輝度の関係図
【図8】本発明の表示パネルの表示状態を示した図
【図9】本発明の実施の形態における表示装置を組み込
んだ携帯情報端末の図
んだ携帯情報端末の図
【図10】本発明の実施の形態における表示装置を組み
込んだテレビを示した図
込んだテレビを示した図
【図11】本発明の実施の形態の動作を説明する図
【図12】従来の有機EL素子の駆動回路をしめした図
10 電流源
11 ソース信号線
12,13 ゲート信号線
14 コンデンサ
15 EL電源線
16 有機EL素子
17 TFT
18 ソースドライバ
19 ゲートドライバ
31,51 水平同期信号HD
32,33,52,53 ゲート制御信号
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
(51)Int.Cl.7 識別記号 FI テーマコート゛(参考)
G09G 3/20 642 G09G 3/20 642A
680 680T
H05B 33/14 H05B 33/14 A
Fターム(参考) 3K007 AB02 AB05 AB17 BA06 BB07
DB03 GA04
5C080 AA06 BB05 DD05 DD26 EE28
FF11 JJ01 JJ02 JJ03 JJ04
JJ05 JJ06 KK07 KK47
Claims (9)
- 【請求項1】 画素がマトリックス状に配置され、前記
画素に書き込む画像データを印加するソース信号線を有
するEL表示装置の駆動方法であって、 前記ソース信号線に前記画素の輝度の略N倍となる画像
データを書き込む第1の動作と、 前記画素に書き込んだ画像データに対応する電流を、画
素のEL素子に印加する第2の動作と、 前記電流を所定期間、遮断する第3の動作とを実施し、 前記Nの値が、1.2以上6以下であることを特徴とす
るEL表示装置の駆動方法。 - 【請求項2】 所定期間は、1フレームまたは1フィー
ルドの1/Nよりも短い時間であることを特徴とする請
求項1記載のEL表示装置の駆動方法。 - 【請求項3】 Nは、1.2以上6以下であることを特
徴とする請求項1記載のEL表示装置の駆動方法。 - 【請求項4】 マトリックス状に画素が配置された有機
EL表示装置にあって、 各画素に形成されたEL素子と、 前記EL素子に印加する電流を供給する駆動用トランジ
スタと、 前記駆動用トランジスタのゲート端子に接続されたコン
デンサと、 前記コンデンサに電圧を印加する第1のスイッチング素
子と、 前記EL素子に流す電流をオンオフする第2のスイッチ
ング素子と、 前記スイッチング素子を選択するゲートドライバ回路
と、 前記コンデンサに書き込む電圧を設定するソースドライ
バ回路とを具備し、 前記ソースドライバ回路は、前記EL素子に流す電流が
所定値のN倍となるように、前記コンデンサに書き込む
電圧を設定し、 前記電圧は、前記ゲートドライバ回路が選択した第1の
スイッチング素子の画素に印加され、 前記第2のスイッチング素子は、1フレームのうちの所
定期間、前記EL素子に流れる電流と遮断し、 前記Nの値は1.2以上6以下であることを特徴とする
EL表示装置。 - 【請求項5】 マトリックス状に画素が配置された有機
EL表示装置にあって、 各画素に形成されたEL素子と、 前記EL素子に印加する電流を供給する駆動用トランジ
スタと、 前記駆動用トランジスタのゲート端子に接続されたコン
デンサと、 前記コンデンサに電圧を印加する第1のトランジスタ素
子と、 前記EL素子に流す電流をオンオフする第2のトランジ
スタ素子と、 前記トランジスタ素子を選択するゲートドライバ回路
と、 前記コンデンサに書き込む電圧を設定するソースドライ
バ回路とを具備し、 前記ソースドライバ回路は、前記EL素子に流す電流が
所定値のN倍となるように、前記コンデンサに書き込む
電圧を設定し、 前記電圧は、前記ゲートドライバ回路が選択した第1の
トランジスタグ素子の画素に印加され、 前記第2のトランジスタ素子は、1フレームのうちの所
定期間、前記EL素子に流れる電流と遮断し、また、前
記コンデンサ容量C1と、前記第1のトランジスタ素子
のゲート−ソース容量C2との比率は、C1:C2=2
00:1以上C1:C2=20:1以下であることを特
徴とするEL表示装置。 - 【請求項6】 各画素に形成されたEL素子と、前記E
L素子に印加する電流を供給する駆動用トランジスタ
と、前記駆動用トランジスタのゲート端子に接続された
コンデンサと、前記コンデンサに電圧を印加する第1の
トランジスタ素子と、前記EL素子に流す電流をオンオ
フする第2のトランジスタ素子と、前記トランジスタ素
子を選択するゲートドライバ回路と、前記コンデンサに
書き込む電圧を設定するソースドライバ回路とを有する
EL表示パネルと、 アンテナと、 音声復調回路と、 キー入力回路を具備する携帯情報端末。 - 【請求項7】 請求項4または請求項5に記載のEL表
示装置と、 映像信号処理回路と、 印加電圧調整手段を具備することを特徴とする情報表示
装置。 - 【請求項8】 画素がマトリックス状に配置され、前記
画素に書き込む画像データを印加するソース信号線を有
するEL表示装置であって、 前記EL表示装置は、各画素のEL素子に印加する電流
と大きさと、前記EL素子に流れる電流の印加と遮断を
制御することにより、表示輝度が調整され、 前記EL素子への電流印加時間と遮断時間を変化させる
ことにより輝度を変化させることを特徴とするEL表示
装置。 - 【請求項9】 音声復調機能を具備することを特徴とす
る請求項8記載のEL表示装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2001348413A JP2003150118A (ja) | 2001-11-14 | 2001-11-14 | El表示装置とその駆動方法および情報表示装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2001348413A JP2003150118A (ja) | 2001-11-14 | 2001-11-14 | El表示装置とその駆動方法および情報表示装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2003150118A true JP2003150118A (ja) | 2003-05-23 |
Family
ID=19161236
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2001348413A Pending JP2003150118A (ja) | 2001-11-14 | 2001-11-14 | El表示装置とその駆動方法および情報表示装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2003150118A (ja) |
Cited By (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2005004219A (ja) * | 2003-06-12 | 2005-01-06 | Samsung Electronics Co Ltd | 有機電界発光駆動回路と、これを含む表示パネル及び表示装置。 |
JP2005128410A (ja) * | 2003-10-27 | 2005-05-19 | Seiko Epson Corp | 電気光学装置および電子機器 |
JPWO2003091978A1 (ja) * | 2002-04-26 | 2005-09-02 | 東芝松下ディスプレイテクノロジー株式会社 | El表示パネルの駆動方法 |
WO2005106834A1 (ja) * | 2004-04-30 | 2005-11-10 | Fuji Photo Film Co., Ltd. | アクティブマトリクス型表示装置 |
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-
2001
- 2001-11-14 JP JP2001348413A patent/JP2003150118A/ja active Pending
Cited By (17)
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US7796102B2 (en) | 2004-04-30 | 2010-09-14 | Fujifilm Corporation | Active matrix type display device |
WO2005106834A1 (ja) * | 2004-04-30 | 2005-11-10 | Fuji Photo Film Co., Ltd. | アクティブマトリクス型表示装置 |
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KR101239672B1 (ko) | 2007-12-28 | 2013-03-11 | 엘지디스플레이 주식회사 | 화상 표시 장치 |
JP5385791B2 (ja) * | 2007-12-28 | 2014-01-08 | エルジー ディスプレイ カンパニー リミテッド | 画像表示装置 |
JP2012054040A (ja) * | 2010-08-31 | 2012-03-15 | Nitto Denko Corp | 有機エレクトロルミネッセンス発光装置 |
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