JP2003150118A

JP2003150118A - Ｅｌ表示装置とその駆動方法および情報表示装置

Info

Publication number: JP2003150118A
Application number: JP2001348413A
Authority: JP
Inventors: Tomoyuki Maeda; 智之前田; Hiroshi Takahara; 博司高原
Original assignee: Matsushita Electric Industrial Co Ltd
Current assignee: Panasonic Holdings Corp
Priority date: 2001-11-14
Filing date: 2001-11-14
Publication date: 2003-05-23

Abstract

(57)【要約】【課題】有機ＥＬ素子を用いた表示パネルにおいて、
すぐれた動画表示性能と高コントラスト表示を実現す
る。【解決手段】ソースドライバＩＣ１８から、所定のｎ
倍の輝度でＥＬ素子１６が発光するように画素に電流プ
ログラムする。プログラムされた電流はコンデンサ１４
に保持される。ＥＬ素子１６は、１フレームの１／ｎの
期間点灯するようにＴＦＴ１１ｄを制御する。したがっ
て、平均輝度は、所定輝度となる。ｎの値は２以上６以
下にする。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明の主として自発光で画
像を表示するＥＬ表示装置とこれらを用いた携帯電話な
どの情報表示装置などに関するものである。

【０００２】

【従来の技術】従来のＥＬ表示装置はＥＬ素子に電力を
供給する電源線と駆動用の薄膜トランジスタ、駆動用ト
ランジスタを駆動するための電荷を保持する蓄積容量、
前記蓄積容量に電圧を記憶させるためのスイッチング素
子と素子を操作するゲート信号線を有している。スイッ
チング素子を切り替えることによりソース信号線に流れ
る電圧を任意の画素の蓄積容量に記憶させ、電源線の電
圧を駆動用薄膜トランジスタにより電流に変化させＥＬ
素子を発光させていた。

【０００３】しかし、この表示装置では駆動用の薄膜ト
ランジスタ素子の特性のばらつきが画面に表示され、画
面の均一性が極めて悪いという問題があった。前記トラ
ンジスタの特性のばらつきを解消するための回路を図１
２に示す。

【０００４】図１２の回路は各画素にＥＬ素子１２１を
有し、ＥＬ素子に電力を供給する電源線１２２と電源線
をオンオフするためのスイッチング素子１２３ｂと素子
を操作するゲート信号線１２４ａを有する。ＥＬ素子１
２１には駆動用薄膜トランジスタ１２３ａがつながって
おり、駆動用薄膜トランジスタ１２３ａによりＥＬ素子
１２１に流れる電流を制御する。駆動用薄膜トランジス
タ１２３ａには駆動電圧を保持するための蓄積容量１２
５とソース信号線１２６に流れる電流を蓄積容量１２５
に書きこむためのスイッチング素子１２３ｃ，１２３ｄ
とスイッチング素子を制御するためのゲート信号線１２
４ｂを有する。

【０００５】図１２の回路の駆動法はソース信号線１２
６に所望の電流を流し、スイッチング素子１２３ｂを非
導通、１２３ｃ，１２３ｄを導通状態にし駆動用薄膜ト
ランジスタ１２３ａにソース信号線１２６と同等の電流
が流れるように蓄積容量１２５に電荷を蓄える。電荷を
蓄えた後にスイッチング素子１２３ｃ，１２３ｄを非導
通、１２３ｂを導通させることにより蓄積容量に蓄えら
れた電荷に応じて電源線１２２よりＥＬ素子１２１に電
流を流す。

【０００６】この駆動法はＥＬ素子１２１に流したい電
流をそのまま書きこむことにより駆動用薄膜トランジス
タの特性のばらつきを補正することができる。

【０００７】しかし、この駆動法に関しても電流により
駆動することで消費電力が大きくなることや、蓄積容量
に電流で記憶させるため蓄積容量への書きこみ時間が大
きくなり、書きこみ不足が起こるなどの問題がある。

【０００８】

【発明が解決しようとする課題】先に記載したとおり、
電流により蓄積容量に記憶させる駆動方法は消費電力や
蓄積容量への書きこみ時間の問題がある。

【０００９】

【課題を解決する手段】所定のＮ倍の輝度でＥＬ素子１
２１が発光するように画素に電流プログラムする。ＥＬ
素子は１フレームの１／Ｎ時間点灯するようにスイッチ
ング素子１２３ｂを制御する。したがって平均輝度、平
均印加電流は所定のものとなるが画素にプログラムする
電流がＮ倍のため、蓄積容量１２５への書きこみ時間は
短縮され、書きこみ不足が解消される。

【００１０】また、Ｎが２以上６以下で平均印加電流に
対する平均輝度が上昇し、所定の輝度を出すための消費
電力が低減できる。

【００１１】

【発明の実施の形態】本明細書において各図面は理解を
容易にまたは／および作図を容易にするため、省略また
は／および拡大縮小した箇所がある。たとえば、図１の
回路ブロックでは説明に必要な部分のみを図示してい
る。また、同一番号または、記号等を付した箇所は同一
もしくは類似の形態もしくは材料あるいは機能もしくは
動作を有する。

【００１２】低消費電力でかつ高表示品質であり、更に
薄型化が可能な表示パネルとして、有機エレクトロルミ
ネッセンス（ＥＬ）素子の複数をマトリクス状に配列し
て構成される有機ＥＬ表示パネルが注目されている。

【００１３】有機ＥＬ表示パネルは、画素電極としての
透明電極が形成されたガラス板（アレイ基板）上に、電
子輸送層、発光層、正孔輸送層などからなる少なくとも
１層の有機機能層（ＥＬ層）、及び金属電極（反射膜）
が積層されたものである。透明電極（画素電極）陽極
（アノード）にプラス、金属電極（反射電極）の陰極
（カソード）にマイナスの電圧を加え、すなわち、透明
電極及び金属電極間に直流を印加することにより、有機
機能層（ＥＬ層）が発光する。良好な発光特性を期待す
ることのできる有機化合物を有機機能層に使用すること
によって、ＥＬ表示パネルが実用に耐えうるものになっ
ている。

【００１４】有機ＥＬ素子による画像表示パネルの回路
図を図1に示す。画像表示パネルは映像信号を入力する
ためのソースドライバー１８部と入力された映像信号を
表示するためのゲートドライバー１９部で構成される。
ソースドライバー１８部では水平同期信号ＨＤにあわせ
て階調データに変換された１ライン分の映像信号を各ソ
ース信号線１１に流す。

【００１５】ゲートドライバー１９部は映像信号を画素
に書きこむためのゲート信号線１２と入力された映像信
号を保持して有機ＥＬ素子１６を点灯しつづけるための
ゲート信号線１２の二種類のゲート信号線１２を操作す
ることにより画素にソース信号線１１に流れる映像信号
を書きこみ,有機ＥＬ素子１６を発光させる。

【００１６】図２に画素の詳しい構成を示す。この画素
は駆動トランジスタ（以後、ＴＦＴと呼ぶ）１７ａと３
つのスイッチング素子としてのＴＦＴ１７ｂ、１７ｃ、
１７ｄとそのＴＦＴを操作するゲート信号線１２、それ
と有機ＥＬ素子１６ａとコンデンサ１４ａ、そして電源
供給ライン１５ａとソース信号供給ライン１１によって
構成されている。ＴＦＴ１７は素子の種類によっても変
わるが,ここでは素子につながるゲート信号線１２がＨ
ｉで非導通、Ｌｏｗで導通となる。

【００１７】続いてこの画素が点灯する仕組みについて
説明する。携帯電話およびモニターなどの表示部の各画
素の大きさは横１００μｍ、縦２５０μｍ程度であり、
１００カンデラ／平方メートルの輝度を得るためのソー
ス信号線１１に必要な電流値は表示色及び外部量子効率
により異なるがおよそ１μＡ程度である。有機ＥＬ素子
１６に対し１μＡを流すにはソースドライバ１８側は電
流源１０から電流値を１μＡを流すようにする。

【００１８】選択行ではゲート信号線１にＴＦＴ１７が
導通する信号、ゲート信号線２には非導通の信号を印加
し、非選択行では逆にゲート信号線１２ａに非導通信
号、ゲート信号線１２ｂに導通信号を印加する。

【００１９】これにより、選択行（この例では１行目と
する）においては、ソース信号線１１の電流がＴＦＴ１
７ｂ、ＴＦＴ１７ｃを通じて画素内部に流れる。画素内
の電流経路はＴＦＴ１７ａを通してＥＬ電源線１５ａと
つながっているのみであるため、ＴＦＴ１７ａにも１μ
Ａの電流が流れ、コンデンサ１４ａにはこの時のゲート
電圧分の電荷が蓄積される。非選択期間になると、１７
ｄが導通し、１７ｂ、１７ｃは非導通となるため、選択
期間でコンデンサ１４ａに蓄積された電荷に基づいて１
７ａに流れる電流が規定され、ＥＬ素子１６ａに１μＡ
の電流が流れる。これにより有機ＥＬ素子を発光させる
ことができる。

【００２０】つまり、ゲート信号線１２ａをアクティブ
（ＯＮ電圧を印加）とすることによりＴＦＴ１７ｂおよ
びＴＦＴ１７ｃを通して、ＴＦＴ１７ａにＥＬ素子１６
に流すべき電流値を流す。ＴＦＴ１７ａのゲートとドレ
イン間を短絡するようにＴＦＴ１７ｂがオンし、コンデ
ンサ１４に前記電流値を流すようにＴＦＴ１７ａのゲー
ト電圧（あるいはドレイン電圧）を記憶する。

【００２１】なお、コンデンサ（コンデンサ）１４は
０．２ｐＦ以上の容量とすることが好ましい。他の構成
として、ＴＦＴのチャンネル容量を用いる構成も例示さ
れる。つまり、コンデンサ１４と別途設けず、ＴＦＴ１
７ａのチャンネル幅Ｗと一定以上の大きさとする構成で
ある。

【００２２】ＴＦＴ１７ｃのリークによる輝度低下を防
止する観点、表示動作を安定化させるための観点からは
このように別途コンデンサを構成するほうが好ましい。
なお、コンデンサ（コンデンサ）１４の大きさは、０．
２ｐＦ以上２ｐＦ以下とすることがよく、中でもコンデ
ンサ（コンデンサ）１４の大きさは、０．４ｐＦ以上
１．２ｐＦ以下とすることがよい。

【００２３】なお、コンデンサ１４は隣接する画素間の
非表示領域におおむね形成することがこのましい。一般
的に、フルカラー有機ＥＬを作成する場合、有機ＥＬ層
をメタルマスクによるマスク蒸着で形成するためマスク
位置ずれによるＥＬ層の形成位置が発生する。位置ずれ
が発生すると各色の有機ＥＬ層が重なる危険性がある。
そのため、各色の隣接する画素間の非表示領域は１０μ
以上離れなければならない。この部分は発光に寄与しな
い部分となる。したがって、コンデンサ１４をこの領域
に形成することは開口率向上のために有効な手段とな
る。

【００２４】次に、ゲート信号線１２ａを非アクティブ
（ＯＦＦ電圧を印加）、ゲート信号線１２ｂをアクティ
ブとして、電流の流れる経路を前記第１のＴＦＴ１７ａ
並びにＥＬ素子１６に接続されたＴＦＴ１７ｄならびに
前記ＥＬ素子１６を含む経路に切り替えて、記憶した電
流を前記ＥＬ素子１６に流すように動作する。

【００２５】図１ではすべてのＴＦＴはＰチャンネルで
構成している。Ｐチャンネルは多少ＮチャンネルのＴＦ
Ｔに比較してモビリティが低いが、耐圧が大きくまた劣
化も発生しにくいので好ましい。しかし、本発明はＥＬ
素子１６構成をＰチャンネルで構成することのみに限定
するものではない。Ｎチャンネルのみで構成してもよ
い。また、ＮチャンネルとＰチャンネルの両方を用いて
構成してもよい。

【００２６】なお、ＴＦＴ１７ｂ、１７ｃは同一の極性
で構成し、かつＮチャンネルで構成し、ＴＦＴ１７ａお
よびＴＦＴ１ｄはＰチャンネルで構成することが好まし
い。一般的にＰチャンネルＴＦＴはＮチャンネルＴＦＴ
に比較して、信頼性が高い、キンク電流が少ないなどの
特長があり、電流を制御することによって目的とする発
光強度をえるＥＬ素子に対しては、ＴＦＴ１７ａをＰチ
ャンネルにする効果が大きい。

【００２７】本発明のＥＬ素子１６構成は２つのタイミ
ングにより制御される。第１のタイミングは必要な電流
値を記憶させるタイミングである。このタイミングでＴ
ＦＴ１７ｂならびにＴＦＴ１７ｃがＯＮすることによ
り、ソース信号線１１より所定の電流Ｉ１が書き込まれ
る。これによりＴＦＴ１７ａはゲートとドレインが接続
された状態となり、このＴＦＴ１７ａとＴＦＴ１７ｃを
通じて電流Ｉ１が流れる。従って、ＴＦＴ１７ａのゲー
トーソースの電圧はＩ１が流れるような電圧Ｖ１とな
る。

【００２８】第２のタイミングはＴＦＴ１７ａとＴＦＴ
１７ｃが閉じ、ＴＦＴ１７ｄが開くタイミングである。
ＴＦＴ１７ａのソース−ゲート間の電圧Ｖ１は保持され
たままとなる。この場合、ＴＦＴ１７ａは常に飽和領域
で動作するため、Ｉ１の電流は一定となる。

【００２９】なお、ＴＦＴ１７ａのゲートとＴＦＴ１７
ｃのゲートは同一のゲート信号線１２ａに接続してい
る。しかし、ＴＦＴ１７ａのゲートとＴＦＴ１７ｃのゲ
ートとを異なるゲート信号線１２に接続してもよい（Ｔ
ＦＴ１７ｂとＴＦＴ１７ｃとを個別に制御できるように
する）。つまり、１画素のゲート信号線は３本となる
（図１の構成は２本である）。ＴＦＴ１７ａのゲートの
ＯＮ／ＯＦＦタイミングとＴＦＴ１７ｃのゲートのＯＮ
／ＯＦＦタイミングを個別に制御することにより、ＴＦ
Ｔ１７のばらつきによるＥＬ素子１６の電流値バラツキ
をさらに低減することができる。

【００３０】第1のゲート信号線１２ａと第２のゲート
信号線１２ｂとを共通にし、第３および第４のＴＦＴが
異なった導電型（ＮチャンネルとＰチャンネル）とする
と、駆動回路の簡略化、ならびに画素の開口率を向上さ
せることが出来る。

【００３１】この動作を実際の波形で見ると図３のよう
になる。水平同期信号ＨＤに対応してゲート１２ａのゲ
ート制御信号３２ａは立下る。このときに、コンデンサ
１４に映像信号に応じた電荷が蓄積される。そして次の
水平同期信号の前にこの選択行の入力期間が終わりゲー
ト制御信号３２ａは立ち上がる。それに対応して有機Ｅ
Ｌ素子１６につながるＴＦＴ１７を同通させるためゲー
ト１３ａのゲート制御信号３３ａは立ち下がる。これに
より電源供給ライン１５からコンデンサ１４に応じた電
流が有機ＥＬ素子１６に流れて発光する。そしてゲート
波形３３ａは次にこの行の信号入力期間がくるまでＬｏ
ｗを保ち続け、有機ＥＬ素子の点灯状態を保つ。

【００３２】しかし、実際のソース信号線１１には配線
容量などによる浮遊容量２０が存在する。ソース信号線
１１に浮遊容量２０が存在すると、ソース信号線１１の
配線抵抗と浮遊容量２０の時定数で決まる波形のなまり
が観測される。電流値により階調表示を行う場合、この
波形なまりはソース信号線に流れる電流値によっても異
なり、電流値が小さいほど立ち上がり、立ち下がりに時
間がかかる。例えば配線容量が１００ｐＦ、配線抵抗５
００オームの時、電流源１０の電流値を変化させたとき
にソース信号線１１の電流値及び接点１００１の電流値
が０．２４μＡから４０ｎＡへ変化するのに必要な時間
は３００μ秒、４０ｎＡから０．２４μＡへ変化するの
に必要な時間は２５０μ秒であった。

【００３３】低電流領域では単位時間あたりの電荷の移
動量が少ないため浮遊容量２０にたまった電荷を充放電
することが難しいためである。これによりソース信号線
１１に流れる電流値が低いと映像信号を書きこむために
必要な時間が長くなる。このため従来の電流による階調
表示方法では、１水平走査期間の最小時間は３００μ秒
必要である。これでは、携帯電話のように走査線数が２
２０本の場合１フレームは１０Ｈｚ程度で駆動させる必
要があり、ＴＦＴ１７のオフ特性によっては、コンデン
サ１４の電荷量が変化し、ＥＬ素子１６に流れる電流が
変化することによるフリッカが発生する。

【００３４】そこでこの問題を解決するために、図４に
示すようなソース信号線１１に通常のｎ倍の電流を通常
の１／ｎ時間印加するｎ倍パルス駆動を使用する。この
駆動法により通常よりも高い電流を書けることによりコ
ンデンサへの書きこみ時間を短縮できる。ソース信号線
にｎ倍の電流を流すと有機ＥＬ素子にもｎ倍の電流が流
れるため、ゲート制御信号を５３ａとなるように出力し
ＴＦＴ１７ｄの導通時間を1/ｎにすることにより、有機
ＥＬ素子１６に１／ｎの期間だけ電流を印加し平均印加
電流は変化しないようにする。

【００３５】ソース信号線１１の電流値変化に要する時
間ｔは浮遊容量２０の大きさをＣ、ソース信号線１１の
電圧をＶ、ソース信号線１１に流れる電流をＩとすると
ｔ＝Ｃ・Ｖ／Ｉであるため電流値を１０倍大きくできる
ことは電流値変化に要する時間が１０分の１近くまで短
くできる。またはソース容量２０が１０倍になっても所
定の電流値に変化できるということを示す。従って、短
い水平走査期間内に所定の電流値を書きこむためには電
流値を増加させることが有効である。

【００３６】入力電流を１０倍にすると出力電流も１０
倍となり、ＥＬの輝度が１０倍となるため所定の輝度を
得るために、図１のＴＦＴ１７ｄの導通期間を従来の１
０分の１とし、発光期間を１０分の１とすることで、所
定輝度を表示するようにした。

【００３７】つまり、ソース信号線１１の寄生容量２０
の充放電を十分に行い、所定の電流値を画素のＴＦＴ１
７ａにプログラムを行うためには、ソースドライバ１８
から比較的大きな電流を出力する必要がある。しかし、
このように大きな電流をソース信号線１１に流すとこの
電流値が画素にプログラムされてしまい、所定の電流に
対し大きな電流がＥＬ素子１６に流れる。たとえば、１
０倍の電流でプログラムすれば、当然、１０倍の電流が
ＥＬ素子１６に流れ、ＥＬ素子１６は１０倍の輝度で発
光する。所定の発光輝度にするためには、ＥＬ素子１６
に流れる時間を１／１０にすればよい。このように駆動
することにより、ソース信号線１１の寄生容量を十分に
充放電できるし、所定の発光輝度を得ることができる。

【００３８】なお、１０倍の電流値を画素のＴＦＴ１７
ａ（正確にはコンデンサ１４の端子電圧を設定してい
る）に書き込み、ＥＬ素子１６のオン時間を１／１０に
するとしたがこれは一例である。場合によっては、１０
倍の電流値を画素のＴＦＴ１７ａに書き込み、ＥＬ素子
１６のオン時間を１／５にしてもよい。逆に１０倍の電
流値を画素のＴＦＴ１７ａに書き込み、ＥＬ素子１６の
オン時間を２倍にする場合もあるであろう。本発明は、
画素への書き込み電流を所定値以外の値にし、ＥＬ素子
１６に流れる電流を間欠状態にして駆動することに特徴
がある。本明細書では説明を容易にするため、Ｎ倍の電
流値を画素のＴＦＴ１７に書き込み、ＥＬ素子１６のオ
ン時間を１／Ｎ倍にするとして説明する。しかし、これ
に限定するものではなく、Ｎ１倍の電流値を画素のＴＦ
Ｔ１７に書き込み、ＥＬ素子１６のオン時間を１／Ｎ２
倍（Ｎ１とＮ２とは異なる）でもよいことは言うまでも
ない。なお、間欠する間隔は等間隔に限定するものでは
ない。

【００３９】また、説明を容易にするため、１／Ｎを１
Ｆ（１フィールドまたは１フレーム）を基準にしてこの
１Ｆを１／Ｎにするとして説明する。しかし、１画素行
が選択され、電流値がプログラムされる時間（通常、１
水平走査期間（１Ｈ））があるし、また、走査状態によ
っては誤差も生じる。したがって、以上の説明はあくま
でも説明を容易にするための便宜状の問題だけであり、
これに限定するものではない。

【００４０】有機（無機）ＥＬ表示装置は、ＣＲＴのよ
うに電子銃で線表示の集合として画像を表示するディス
プレイとは表示方法が基本的に異なる点にも課題があ
る。つまり、ＥＬ表示装置では、１Ｆ（１フィールドあ
るいは１フレーム）の期間の間は、画素に書き込んだ電
流（電圧）を保持する。そのため、動画表示を行うと表
示画像の輪郭ぼけが発生するという課題が発生する。

【００４１】本発明では、１Ｆ／Ｎの期間の間だけ、Ｅ
Ｌ素子１６に電流をながし、他の期間（１Ｆ（Ｎ−１）
／Ｎ）は電流を流さない。この駆動方式を実施し画面の
一点を観測した場合を考える。この表示状態では１Ｆご
とに画像データ表示、黒表示（非点灯）が繰り返し表示
される。つまり、画像データ表示状態が時間的に飛び飛
び表示（間欠表示）状態となる。動画データ表示を、こ
の間欠表示状態でみると画像の輪郭ぼけがなくなり良好
な表示状態を実現できる。つまり、ＣＲＴに近い動画表
示を実現することができる。また、間欠表示を実現する
が、回路のメインクロックは従来と変わらない。したが
って、回路の消費電力が増加することもない。

【００４２】液晶表示パネルの場合は、光変調をする画
像データ（電圧）は液晶層に保持される。したがって、
黒挿入表示を実施しようとすると液晶層に印加している
データを書き換える必要がある。そのため、ソースドラ
イバＩＣ１８の動作クロックを高くし、画像データを黒
表示データとを交互にソース信号線１１に印加する必要
がある。したがって、黒挿入（黒表示などの間欠表示）
を実現しょうとすると回路のメインクロックをあげる必
要がある。また、時間軸伸張を実施するための画像メモ
リも必要になる。

【００４３】図１などに示す本発明のＥＬ表示パネルの
画素構成では、画像データはコンデンサ１４に保持され
ている。このコンデンサ１４の端子電圧に対応する電流
をＥＬ素子１６に流す。したがって、画像データは液晶
表示パネルのように光変調層に保持されているのではな
い。

【００４４】本発明はスイッチングのＴＦＴ１７ｄなど
をオンオフさせるだけでＥＬ素子１６に流す電流を制御
する。

【００４５】つまり、ＥＬ素子１６に流れる電流Ｉｗを
オフしても、画像データはそのままコンデンサ１４の保
持されている。したがって、次のタイミングでＴＦＴ１
７ｄなどをオンさせ、ＥＬ素子１６に電流を流せば、そ
の流れる電流は前に流れていた電流値と同一である。本
発明では黒挿入（黒表示などの間欠表示）を実現しょう
とすると際においても回路のメインクロックをあげる必
要がない。また、時間軸伸張を実施する必要もないため
の画像メモリも不要である。また、有機ＥＬ素子１６は
電流を印加してから発光するまでの時間が短く高速応答
である。そのため、動画表示に適し、さらに間欠表示を
実施することのより従来のデータ保持型の表示パネル
（液晶表示パネル、ＥＬパネルなど）の問題である動画
表示の問題を解決できる。

【００４６】たとえば、ゲート信号線１２ｂは従来導通
期間が１Ｆ（電流プログラム時間を０とした時、通常プ
ログラム時間は１Ｈであり、ＥＬ表示装置の画素行数は
少なくとも１００行以上であるので、１Ｆとしても誤差
は１％以下である）とし、Ｎ＝１０とするとすれば、最
も変化に時間のかかる階調０から階調１へもソース容量
が２０ｐＦ程度であれば７５μ秒程度で変化できる。こ
れは、２型程度のＥＬ表示装置であればフレーム周波数
が６０Ｈｚで駆動できることを示している。

【００４７】更に大型の表示装置でソース容量２０が大
きくなる場合はソース電流を１０倍以上にしてやればよ
い。一般にソース電流値をＮ倍にした場合、ゲート信号
線１２ｂ（ＴＦＴ１７ｄ）の導通期間を１Ｆ／Ｎとすれ
ばよい。これによりテレビ、モニター用の表示装置など
にも適用が可能である。

【００４８】以上のように、ＴＦＴ１７ｄを本来オンす
る時間（約１Ｆ）の１／Ｎの期間だけオンさせ、他の期
間（Ｎ−１）／Ｎ期間はオフさせれば、１Ｆ全体の平均
輝度は所定の輝度となる。この表示状態は、ＣＲＴが電
子銃で画面を走査しているのと近似する。異なる点は、
画像を表示している範囲が画面全体の１／Ｎ（全画面を
１とする）が点灯している点である（ＣＲＴでは、点灯
している範囲は１画素行（厳密には１画素である）。

【００４９】本発明では、この１／Ｎの画像表示領域７
１が図８に示すように画面２１の上から下に移動する。
本発明では、１Ｆ／Ｎの期間の間だけ、ＥＬ素子１６に
電流が流れ、他の期間（１Ｆ・（Ｎ−１）／Ｎ）は電流
を流れない。したがって、画像は間欠表示となる。しか
し、人間の目には残像により画像が保持された状態とな
るので、全画面が均一に表示されているように見える。

【００５０】この表示状態では１Ｆごとに画像データ表
示７１、黒表示（非点灯）７２が繰り返し表示される。
つまり、画像データ表示状態が時間的に飛び飛び表示
（間欠表示）状態となる。液晶表示パネル（本発明以外
のＥＬ表示パネル）では、１Ｆの期間、画素にデータが
保持されているため、動画表示の場合は画像データが変
化してもその変化に追従することができず、動画ボケと
なっていた（画像の輪郭ボケ）。しかし、本発明では画
像を間欠表示するため、画像の輪郭ぼけがなくなり良好
な表示状態を実現できる。つまり、ＣＲＴに近い動画表
示を実現することができる。

【００５１】また、ＥＬ表示装置では黒表示は完全に非
点灯であるから、液晶表示パネルを間欠表示した場合の
ように、コントラスト低下もない。また、図１に示すよ
うにＴＦＴ１７ｄをオンオフ操作するだけで、間欠表示
を実現することができる。これは、コンデンサ１４に画
像データがメモリされているためである。つまり、各画
素１６に、画像データは１Ｆの期間中は保持されてい
る。この保持されている画像データに相当する電流をＥ
Ｌ素子１６に流すか否かをＴＦＴ１７ｄの制御により実
現しているのである。

【００５２】したがって、間欠表示を実現する場合とし
ない場合では、１画素を構成するＴＦＴ１７の個数に変
化はない。つまり、画素構成はそのままで、ソース信号
線１１の寄生容量２０の影響と除去し、良好な電流プロ
グラムを実現している。その上、ＣＲＴに近い動画表示
を実現しているのである。

【００５３】また、ゲートドライバ回路の動作クロック
はソースドライバ回路１８の動作クロックに比較して十
分に遅いため、回路のメインクロックが高くなるという
ことはない。また、Ｎの値の変更も容易である。

【００５４】画像表示方向（画像書き込み方向）は、１
フィールド目では画面の上から下方向とし、つぎの第２
フィールド目では画面の下から上方向としてもよい。さ
らに、１フィールド目では画面の上から下方向とし、一
旦全画面を黒表示（非表示）７２とした後、つぎの第２
フィールド目では画面の下から上方向としてもよい。図
２に図示するように、ゲート信号線１２ａ（１）にオン
電圧（Ｖｇｌ）が印加され、画素が選択される。この
時、ゲート信号線１２ｂ（１）にはオフ電圧（Ｖｇｈ）
が印加される。したがって、スイッチングＴＦＴ１７ｂ
および１７ｃがオンし、ＴＦＴ１７ｄはオフ状態であ
る。

【００５５】ソース信号線１１にはプログラム電流Ｉｗ
が流れる。このプログラム電流ＩｗはＴＦＴ１７ａによ
って供給される。（電流Ｉｄｄ＝Ｉｗ）。この電流Ｉｄ
ｄが流れることにより、ソース信号線１１の電位が所定
電圧となり、ＴＦＴ１７ａのゲート端子電圧Ｖｇが電流
プログラムされる。電流プログラムされた電流とはＩｗ
電流である。つまり、ＴＦＴ１７ａはプログラム電流Ｉ
ｗが流れるようにＶｇ電圧が設定される。他の言い方を
すれば、ソース信号線１１の電位が画素にプログラムさ
れたとも言うことができる。つまり、画素の動作状態と
しては電圧（が）プログラムされたとも言うことができ
る。

【００５６】１Ｈ（１水平走査期間）後、ゲート信号線
１２ａ（１）にはオフ電圧（Ｖｇｈ）が印加され、ＴＦ
Ｔ１７ｂ、ＴＦＴ１７ｃがオフし、コンデンサ１４ａに
プログラム電流Ｉｗを流すのに必要な電圧が保持され
る。また、ゲート信号線１２ｂ（１）にオン電圧（Ｖｇ
ｌ）が印加され、ＴＦＴ１７ｄがオンする。したがっ
て、Ｉｅ（＝Ｉｗ）電流がＥＬ素子１６に流れ、ＥＬ素
子１６がプログラムされた電流（Ｉｅ）で点灯する。

【００５７】以上が、以前にも説明した電流プログラム
方式の動作である。しかし、実際には動作を異なる。Ｅ
Ｌ素子１６に流れる電流Ｉｅは、Ｉｗよりも小さくなっ
ているからである。

【００５８】まず、ＴＦＴのＰチャンネルの動作につい
て説明をする。ＰチャンネルＴＦＴはゲート端子電圧Ｖ
ｇがマイナス側にあるほど大きなオン電流が流れる。０
（Ｖ）では完全にオフする。オン電流はＴＦＴのＷ／Ｌ
およびモビリティ、Ｓ値によって異なる。ＴＦＴのＷ／
Ｌが６／１２の時、およそ−３（Ｖ）までは、チャンネ
ル電流（Ｉｄｄ）はごく僅かである。−４（Ｖ）〜−
４．５（Ｖ）で１〜５μＡの電流が流れる。

【００５９】もう１つ重要な事項は、各素子の電位を素
子の端子間の容量問題がある。ＴＦＴ１７ｂのゲート−
ソース端子間には容量がある。この容量は、ＴＦＴ１７
ｂのＷ／Ｌが６／６μｍのダブルゲートの場合、０．０
１〜０．０３ｐＦ程度である。このコンデンサの容量を
突き抜け容量と呼ぶ。

【００６０】画素が選択されると、ゲート信号線１２ａ
がＶｇｈからＶｇｌに変化するため、突き抜け容量によ
って、ゲート信号線１２ａの電位が突き抜ける。この突
き抜けによりＶｇ電圧は＋方向にシフトする。

【００６１】次に、ＴＦＴ１７ａがソースドライバ回路
１８が吸収する電流Ｉｗに等しい電流を流す。しかし、
黒表示の場合、ＴＦＴ１７ａが流す電流の値は小さい。
一例として３０ｎＡ以下である。このような電流では、
ソース信号線１８の寄生容量を１Ｈ期間内に十分に充放
電することができない。したがって、ソース信号線１８
の電位を１Ｈ期間内に所定電圧にすることができない。
つまり、Ｖｇ電圧も低く、黒表示に必要な電圧とするこ
とができない。

【００６２】したがって、ＴＦＴ１７ａはＥＬ素子１６
に、本来の黒表示よりも大きな電流を流す。そのため、
ＥＬ素子１６は所望値よりも明るく発光する。したがっ
て、ＥＬ表示パネルでは、黒浮きが発生し、高コントラ
スト表示を実現できない。

【００６３】しかし、ゲート信号線１２ａがオン電圧
（ｖｇｌ）からオフ電圧（Ｖｇｈ）に変化するため、再
び、突き抜け容量により突き抜け電圧が発生する。この
突き抜け電圧により、Ｖｇ電圧は、必要とする黒表示電
圧にシフトする。したがって、ＴＦＴ１７ａは全く電流
を流さないようにプログラムされるか、もしくは所望値
の黒電流を流すようにプログラムされる。つまり、ＥＬ
素子１６には微小な電流しか流れないようにプログラム
される。そのため、本発明のＥＬ表示パネルは黒浮きが
なく、高コントラスト表示を実現できる。このＶｇ電圧
は１フィールド（１フレーム）、つまり、次に画素が選
択され、書き換えられるまで保持される。

【００６４】図４に図示するｎ倍のパルスを印加する方
式では、ＥＬ素子１６に印加する電流が大きくなり、そ
のため、ＥＬ素子１６に発生する端子電圧も高くなる。
したがって、ゲート信号線１２の振幅値も大きくしなけ
れば、ＥＬ素子１６を駆動することができない。ゲート
信号線１２の振幅値が高くなると、突き抜け容量を介し
て発生する突き抜け電圧も大きくなる。そのため、本発
明では、良好な黒表示を実現できる。この効果はｎ＝２
以上で顕著をなる。したがって、発明では、ｎは２以上
とすることが好ましい。

【００６５】また、図１２の回路についてもスイッチン
グ素子１２３ｂを非導通、１２３ｃ，１２３ｄを導通す
ることにより、ソース信号線１２６に流れる電流を蓄積
容量１２５に書きこむことができる。スイッチング素子
１２３ｃ，１２３ｄを非導通、１２３ｂを導通させるこ
とにより蓄積容量１２５に蓄えられた電荷に応じて電源
線１２２よりＥＬ素子１２１に電流を流す。

【００６６】したがってソース信号線に流れる電流をＮ
倍にすると蓄積容量に書きこむ電流がＮ倍になる。ま
た、スイッチング素子１２３ｂの１フレームの導通時間
を１／ＮにすることでＥＬ素子に流れる時間が１フレー
ムの１／Ｎになるので、図１２の回路に関しても同様の
駆動法を使用することが可能である。

【００６７】本発明は突き抜け電圧をうまく利用して、
良好な黒表示を実現している。該当の画素行が選択さ
れ、ゲート信号線１２ａにオン電圧が印加されると、ゲ
ート信号線の電圧が突き抜けてＶｇ電圧がより、白表示
をなる方向にシフトしてしまう。しかし、この突き抜け
た電圧は、ソース信号線１８からの電圧により短時間に
充電される。特に、ＴＦＴ１７ａのゲート端子電圧が低
下する方向であるので、ＴＦＴ１７ａがより電流を流す
方向になり、短時間に充電されるのである。したがっ
て、ゲート信号線１２ａにオン電圧が印加されたときの
突き抜けは全く問題とならない。

【００６８】１Ｈの期間後、該当の画素行が非選択さ
れ、ゲート信号線１２ａにオフ電圧が印加されると、ゲ
ート信号線１２ａには、Ｖｇｈ電圧が印加され、突き抜
け電圧が発生する。この突き抜け電圧により、ＴＦＴ１
７ａのゲート端子電圧が目標の黒表示電圧に到達する。

【００６９】以上のように本発明は、ゲート信号線１２
ａの電圧変動を突き抜け容量を介してＴＦＴ１７ａに供
給し、ＥＬ素子１６に流れる電流を制御している。この
制御は特に、黒表示を実現するのに有効である。

【００７０】今度は、ＥＬ素子１６に白表示の電流を流
している場合について考察する。画素が選択されると、
白表示の電流が流れるようにＴＦＴ１７ａのゲート端子
にプログラムされる。このプログラムされた電流がＥＬ
素子１６に流れる。

【００７１】図４に図示するｎ倍のパルスを印加する方
式では、ＥＬ素子１６に印加する電流が大きい。ＥＬ素
子１６に大きな電流を流すためには、ＴＦＴ１７ａのゲ
ート端子電圧Ｖｇを低くする必要がある。もちろん、ソ
ース信号線１１の電位も低くなる。

【００７２】したがって、白表示では、Ｖｇが低い電位
でプログラムされる。しかし、突き抜け容量を介して発
生する突き抜け電圧は黒表示の場合と同一である。一
方、ｎ＝１以上の場合は、ｎ＝１の場合と比較して、ソ
ース信号線１１の電位は低くなっているから白表示輝度
は増加する。したがって、図６に図示するように、ｎ＝
２で輝度が高くなる。

【００７３】図６にｎ倍パルス駆動使用時のｎを変化さ
せたときの輝度の変化を示す。この図で言う輝度とはｎ
を変化させたときの輝度を有機ＥＬ素子１６の両端に流
れる電流値で割ったものであり（つまり、平均輝度）、
グラフは通常駆動の輝度を１としたときの各パルス駆動
の輝度比を表している。

【００７４】この図６からｎは1以上６以下の時に通常
（ｎ＝１）より輝度が高くなっていることがわかる。し
かし、ｎが６以上となると、輝度は低下する。これは、
図7に示すように有機ＥＬ素子にかかる電流と発光する
輝度の関係は完全な比例関係ではなく、ある電流値以上
からはグラフが曲線を描くことがわかっている（つま
り、単位電流に対する発光効率が低下する）。このた
め、ｎを大きくし有機ＥＬ素子に印加する電流が大きく
なりすぎると有機ＥＬ素子自体の発光効率が悪くなり平
均印加電流が同じでも輝度が低くなってしまう。

【００７５】これより、有機ＥＬ素子の駆動法はｎが１
以上６以下パルス駆動を使用すると平均印加電流に対す
る輝度が上がる。また、図４に図示するようにｎ倍のパ
ルス駆動で画像を表示すると、ｎ＝２以上で黒表示が良
好となり、表示コントラストが向上する。また、動画表
示性能も飛躍的に向上する。

【００７６】また、ＴＦＴ１７ｄをオンオフすることに
より、ＥＬ素子１６に流れる電流はオンオフされる。し
たがって、画像表示領域７１は図８で図示するように画
面の上下方向に走査された状態となる。この時、黒表示
の部分がＥＬ素子１６をオフした領域である。

【００７７】黒表示部１６が画面の全領域に占める割合
は２０％以上あると、動画表示性能が格段に向上する。
特に５０％の時とすることにより改善効果は高い。黒表
示領域１６が２０％とは、Ｎ＝１．２である。したがっ
て、動画表示性能の改善を目的とする場合は、Ｎは１．
２以上６以下とすればよい。さらには、Ｎは１．５以上
６以下とすることが好ましい。

【００７８】なお、Ｎ＝５を越えるとフレームレートの
周波数の観点からフリッカが目立つ場合がある。したが
って、好ましくは、Ｎは１．２以上５以下とすればよ
い。さらには、Ｎは１．５以上５以下とすることが好ま
しい。

【００７９】また、保持用の容量Ｃ１（１４ａ）と、Ｔ
ＦＴ１１ｂのゲート−ソース容量（Ｃ２）の比率は、Ｃ
１：Ｃ２＝２００：１以上、Ｃ１：Ｃ２＝２０：１以下
の範囲となるようにすることが好ましい。この範囲にす
ることにより、黒表示時にＴＦＴ１１ａに流れる電流が
最適となる。

【００８０】図９は本発明の形態のうちの少なくとも１
つの形態を用いた表示装置９２に復調装置、アンテナ９
１、ボタン９４を取り付け、筐体９３でもって携帯情報
端末にしたものである。

【００８１】表示パネル９２を携帯電話などの情報表示
装置に使用する場合、ドライバＩＣを表示パネルの一辺
に実装することが好ましい（なお、このように一辺にド
ライバＩＣを実装する形態を３辺フリー構成（構造）と
呼ぶ。従来は、表示領域のＸ辺にゲートドライバＩＣが
実装され、Ｙ辺にソースドライバＩＣが実装されてい
た）。画面の中心線が表示装置の中心になるように設計
し易く、また、ドライバＩＣの実装も容易となるからで
ある。なお、ゲートドライバ回路を高温ポリシリコンあ
るいは低温ポリシリコン技術などで３辺フリーの構成で
作製してもよい（つまり、図１のゲートドライバとソー
スドライバのうち、少なくとも一方をポリシリコン技術
で基板に直接形成する）。

【００８２】一般的に、携帯電話などの情報表示装置で
は、表示色数よりも低消費電力化が優先される。表示色
数を増加させる回路の動作周波数が高くなる、あるいは
ＥＬ素子１６に印加する電圧（電流）波形の変化が多く
なるなど理由から、消費電力が増加する。したがって、
あまり表示色数を多くすることはできない。この課題に
対して、本発明は画像データを誤差拡散処理あるいはデ
ィザ処理を行って画像を表示する。

【００８３】図９で説明した本発明の携帯電話では図示
していないが、筐体の裏側にＣＣＤカメラを備えてい
る。ＣＣＤカメラで撮影し画像は即時に表示パネルの表
示画面に表示できる。ＣＣＤカメラで撮影したデータ
は、表示画面９２に表示することができる。ＣＣＤカメ
ラの画像データは２４ビット（１６７０万色）、１８ビ
ット（２６万色）、１６ビット（６．５万色）、１２ビ
ット（４０９６色）、８ビット（２５６色）をキー入力
９４で切り替えることができる。

【００８４】表示データが１２ビット以上の時は、誤差
拡散処理を行って表示する。つまり、ＣＣＤカメラから
の画像データが内蔵メモリの容量以上の時は、誤差拡散
処理などを実施し、表示色数を内蔵メモリの容量以下と
なるように画像処理を行う。

【００８５】また、図１１に示すように電流をＮ１倍に
して印加時間を１／Ｎ２とするときＮ１＞Ｎ２の関係が
成り立つとＥＬ素子に流れる平均印加電流が増加し、平
均輝度が上昇する。例えばＮ２＝２Ｎ１とすると同じ輝
度で発光する時間が２倍になることからＥＬ素子が発光
する平均輝度は２倍になる。よって印加する電流量と印
加時間の関係を変えることによりＥＬ素子の平均輝度を
変化させることが可能である。このことを利用して図９
に示すような携帯情報機器において表示パネル９２を一
面発光させることにより照明機器として利用することも
可能である。

【００８６】この照明機器はキー入力９４により携帯情
報機器としての表示画面と、照明機器としての表示画面
に切り替えることが可能である。

【００８７】しかし、照明機器として利用しようとした
場合、携帯情報機器の表示画面の輝度では、一メートル
以上前方を照らすには不充分である。本発明の駆動方法
を使用して携帯情報機器を表示させている場合、所定の
電流よりも高い電流を印加し、遮断時間を設けることに
よりＥＬ素子に印加される平均電流を制御している。そ
こでキー入力９４により電流を遮断させる時間を変化さ
せるとＥＬに印加される平均電流が増加し、表示パネル
９２の輝度が増加する。これにより１メートル以上遠方
を照らすことも可能な任意に輝度を変化させることので
きる照明機器としての利用が可能である。

【００８８】図１０は本発明の形態のうちの少なくとも
１つの形態を用いた表示装置１０１に映像信号入力１０
６と映像信号処理回路１０４をとりつけ、筐体１０７で
もってテレビにしたものである。

【００８９】図１０のテレビでは、画面の表面を保護フ
ィルム（保護板でもよい）で被覆している。これは、表
示パネル９２の表面に物体があたって破損することを防
止することが１つの目的である。保護フィルムの表面に
はＡＩＲコートが形成されており、また、表面をエンボ
ス加工することにより表示パネル９２に外の状況（外
光）が写り込むことを抑制している。

【００９０】保護フィルムと表示パネル９２間にビーズ
などを散布することにより、一定の空間が配置されるよ
うに構成されている。また、保護フィルムの裏面に微細
な凸部を形成し、この凸部で表示パネル９２と保護フィ
ルム間に空間を保持させる。このように空間を保持する
ことにより保護フィルムからの衝撃が表示パネル９２に
伝達することを抑制する。

【００９１】また、保護フィルムと表示パネル９２間に
アルコール、エチレングリコールなど液体あるいはゲル
状のアクリル樹脂あるいはエポキシなどの固体樹脂など
の光結合剤を配置または注入することも効果がある。界
面反射を防止できるとともに、前記光結合剤が緩衝材と
して機能するからである。

【００９２】保護フィルムをしては、ポリカーボネート
フィルム（板）、ポリプロピレンフィルム（板）、アク
リルフィルム（板）、ポリエステルフィルム（板）、Ｐ
ＶＡフィルム（板）などが例示される。その他エンジニ
アリング樹脂フィルム（ＡＢＳなど）を用いることがで
きることは言うまでもない。また、強化ガラスなど無機
材料からなるものでもよい。保護フィルムを配置するか
わりに、表示パネル９２の表面をエポキシ樹脂、フェノ
ール樹脂、アクリル樹脂で０．５ｍｍ以上２．０ｍｍ以
下の厚みでコーティングすることも同様の効果がある。
また、これらの樹脂表面にエンボス加工などをすること
も有効である。

【００９３】また、保護フィルムあるいはコーティング
材料の表面をフッ素コートすることも効果がある。表面
についた汚れを洗剤などで容易にふき落とすことができ
るからである。また、保護フィルムを厚く形成し、フロ
ントライトと兼用してもよい。

【００９４】画面は４：３に限定されるものではなく、
ワイド表示ディスプレイでもよい。解像度は１２８０×
７６８ドット以上にすることが好ましい。ワイド型をす
ることにより、ＤＶＤ映画やテレビ放送など、横長表示
のタイトルや番組をフルスクリーンで楽しむことができ
る。表示パネルの明るさは３００ｃｄ／ｍ²（カンデラ
／平方メートル）にすることが好ましい。さらに好まし
くは、表示パネルの明るさは５００ｃｄ／ｍ²（カンデ
ラ／平方メートル）にすることが好ましい。また、イン
ターネットや通常のパソコン作業に適した明るさ（２０
０ｃｄ／ｍ²）で表示できるように切り替えスイッチを
設置している。

【００９５】したがって、使用者は表示内容あるいは使
用方法により、最適に画面の明るさにすることができ
る。さらに動画を表示しているウインドウだけを５００
ｃｄ／ｍ²にして、その他の部分は２００ｃｄ／ｍ²にす
る設定も用意している。テレビ番組をディスプレイの隅
に表示しておいて、メールをチェックするといった使い
方にも柔軟に対応する。スピーカーはタワー型の形状
になり、前方向だけではなく、空間全体に音が広がるよ
うに設計されている。

【００９６】本発明の実施例で説明した技術的思想はビ
デオカメラ、プロジェクター、立体テレビ、プロジェク
ションテレビなどに適用できる。また、ビューファイン
ダ、携帯電話のモニター、ＰＨＳ、携帯情報端末および
そのモニター、デジタルカメラおよびそのモニターにも
適用できる。

【００９７】また、電子写真システム、ヘッドマウント
ディスプレイ、直視モニターディスプレイ、ノートパー
ソナルコンピュータ、ビデオカメラ、電子スチルカメラ
にも適用できる。また、現金自動引き出し機のモニタ
ー、公衆電話、テレビ電話、パーソナルコンピュータ、
腕時計およびその表示装置にも適用できる。

【００９８】さらに、家庭電器機器の表示モニター、ポ
ケットゲーム機器およびそのモニター、表示パネル用バ
ックライトあるいは家庭用もしくは業務用の照明装置な
どにも適用あるいは応用展開できることは言うまでもな
い。照明装置は色温度を可変できるように構成すること
が好ましい。これは、ＲＧＢの画素をストライプ状ある
いはドットマトリックス状に形成し、これらに流す電流
を調整することにより色温度を変更できる。また、広告
あるいはポスターなどの表示装置、ＲＧＢの信号器、警
報表示灯などにも応用できる。

【００９９】また、スキャナの光源としても有機ＥＬパ
ネルは有効である。ＲＧＢのドットマトリックスを光源
として、対象物に光を照射し、画像を読み取る。もちろ
ん、単色でもよいことは言うまでもない。また、アクテ
ィブマトリックスに限定するものではなく、単純マトリ
ックスでもよい。色温度を調整できるようにすれば画像
読み取り精度も向上する。

【０１００】また、液晶表示装置のバックライトにも有
機ＥＬ表示装置は有効である。ＥＬ表示装置（バックラ
イト）のＲＧＢの画素をストライプ状あるいはドットマ
トリックス状に形成し、これらに流す電流を調整するこ
とにより色温度を変更でき、また、明るさの調整も容易
である。その上、面光源であるから、画面の中央部を明
るく、周辺部を暗くするガウス分布を容易に構成でき
る。また、Ｒ、Ｇ、Ｂ光を交互に走査する、フィールド
シーケンシャル方式の液晶表示パネルのバックライトと
しても有効である。また、バックライトを点滅しても黒
挿入することにより動画表示用液晶表示パネルのバック
ライトとしても用いることができる。

【０１０１】

【発明の効果】本発明の表示パネル、表示装置等は、高
画質、良好な動画表示性能、画面面内の均一表示を実現
できる。

【０１０２】なお、本発明を用いれば、低消費電力の情
報表示装置などを構成できるので、電力を消費しない。
また、小型軽量化できるので、資源を消費しない。ま
た、高精細の表示パネルであっても十分に対応できる。
したがって、地球環境、宇宙環境に優しいこととなる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の表示装置の構成を示した図

【図２】本発明の形態による画素、ソース信号線及び電
源を示した図

【図３】水平走査期間内でのゲート制御信号のタイミン
グを示した図

【図４】Ｎ倍パルス駆動における印加する電流値と印加
時間の関係図

【図５】Ｎ倍パルス駆動使用時における水平走査期間内
でのゲート制御信号のタイミングを示した図

【図６】Ｎ倍パルス駆動使用時のＮの変化と平均印加電
流に対する輝度の関係図

【図７】有機ＥＬ素子の印加電流と輝度の関係図

【図８】本発明の表示パネルの表示状態を示した図

【図９】本発明の実施の形態における表示装置を組み込
んだ携帯情報端末の図

【図１０】本発明の実施の形態における表示装置を組み
込んだテレビを示した図

【図１１】本発明の実施の形態の動作を説明する図

【図１２】従来の有機ＥＬ素子の駆動回路をしめした図

【符号の説明】

１０電流源１１ソース信号線１２，１３ゲート信号線１４コンデンサ１５ＥＬ電源線１６有機ＥＬ素子１７ＴＦＴ１８ソースドライバ１９ゲートドライバ３１，５１水平同期信号ＨＤ３２，３３，５２，５３ゲート制御信号

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.⁷ 識別記号ＦＩテーマコート゛(参考）Ｇ０９Ｇ 3/20 ６４２Ｇ０９Ｇ 3/20 ６４２Ａ６８０６８０ＴＨ０５Ｂ 33/14 Ｈ０５Ｂ 33/14 ＡＦターム(参考） 3K007 AB02 AB05 AB17 BA06 BB07 DB03 GA04 5C080 AA06 BB05 DD05 DD26 EE28 FF11 JJ01 JJ02 JJ03 JJ04 JJ05 JJ06 KK07 KK47

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】画素がマトリックス状に配置され、前記
画素に書き込む画像データを印加するソース信号線を有
するＥＬ表示装置の駆動方法であって、前記ソース信号線に前記画素の輝度の略Ｎ倍となる画像
データを書き込む第１の動作と、前記画素に書き込んだ画像データに対応する電流を、画
素のＥＬ素子に印加する第２の動作と、前記電流を所定期間、遮断する第３の動作とを実施し、前記Ｎの値が、１．２以上６以下であることを特徴とす
るＥＬ表示装置の駆動方法。
【請求項２】所定期間は、１フレームまたは１フィー
ルドの１／Ｎよりも短い時間であることを特徴とする請
求項１記載のＥＬ表示装置の駆動方法。
【請求項３】Ｎは、１．２以上６以下であることを特
徴とする請求項１記載のＥＬ表示装置の駆動方法。
【請求項４】マトリックス状に画素が配置された有機
ＥＬ表示装置にあって、各画素に形成されたＥＬ素子と、前記ＥＬ素子に印加する電流を供給する駆動用トランジ
スタと、前記駆動用トランジスタのゲート端子に接続されたコン
デンサと、前記コンデンサに電圧を印加する第１のスイッチング素
子と、前記ＥＬ素子に流す電流をオンオフする第２のスイッチ
ング素子と、前記スイッチング素子を選択するゲートドライバ回路
と、前記コンデンサに書き込む電圧を設定するソースドライ
バ回路とを具備し、前記ソースドライバ回路は、前記ＥＬ素子に流す電流が
所定値のＮ倍となるように、前記コンデンサに書き込む
電圧を設定し、前記電圧は、前記ゲートドライバ回路が選択した第１の
スイッチング素子の画素に印加され、前記第２のスイッチング素子は、１フレームのうちの所
定期間、前記ＥＬ素子に流れる電流と遮断し、前記Ｎの値は１．２以上６以下であることを特徴とする
ＥＬ表示装置。
【請求項５】マトリックス状に画素が配置された有機
ＥＬ表示装置にあって、各画素に形成されたＥＬ素子と、前記ＥＬ素子に印加する電流を供給する駆動用トランジ
スタと、前記駆動用トランジスタのゲート端子に接続されたコン
デンサと、前記コンデンサに電圧を印加する第１のトランジスタ素
子と、前記ＥＬ素子に流す電流をオンオフする第２のトランジ
スタ素子と、前記トランジスタ素子を選択するゲートドライバ回路
と、前記コンデンサに書き込む電圧を設定するソースドライ
バ回路とを具備し、前記ソースドライバ回路は、前記ＥＬ素子に流す電流が
所定値のＮ倍となるように、前記コンデンサに書き込む
電圧を設定し、前記電圧は、前記ゲートドライバ回路が選択した第１の
トランジスタグ素子の画素に印加され、前記第２のトランジスタ素子は、１フレームのうちの所
定期間、前記ＥＬ素子に流れる電流と遮断し、また、前
記コンデンサ容量Ｃ１と、前記第１のトランジスタ素子
のゲート−ソース容量Ｃ２との比率は、Ｃ１：Ｃ２＝２
００：１以上Ｃ１：Ｃ２＝２０：１以下であることを特
徴とするＥＬ表示装置。
【請求項６】各画素に形成されたＥＬ素子と、前記Ｅ
Ｌ素子に印加する電流を供給する駆動用トランジスタ
と、前記駆動用トランジスタのゲート端子に接続された
コンデンサと、前記コンデンサに電圧を印加する第１の
トランジスタ素子と、前記ＥＬ素子に流す電流をオンオ
フする第２のトランジスタ素子と、前記トランジスタ素
子を選択するゲートドライバ回路と、前記コンデンサに
書き込む電圧を設定するソースドライバ回路とを有する
ＥＬ表示パネルと、アンテナと、音声復調回路と、キー入力回路を具備する携帯情報端末。
【請求項７】請求項４または請求項５に記載のＥＬ表
示装置と、映像信号処理回路と、印加電圧調整手段を具備することを特徴とする情報表示
装置。
【請求項８】画素がマトリックス状に配置され、前記
画素に書き込む画像データを印加するソース信号線を有
するＥＬ表示装置であって、前記ＥＬ表示装置は、各画素のＥＬ素子に印加する電流
と大きさと、前記ＥＬ素子に流れる電流の印加と遮断を
制御することにより、表示輝度が調整され、前記ＥＬ素子への電流印加時間と遮断時間を変化させる
ことにより輝度を変化させることを特徴とするＥＬ表示
装置。
【請求項９】音声復調機能を具備することを特徴とす
る請求項８記載のＥＬ表示装置。