JP2003133505A - 半導体装置 - Google Patents
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- H01L2924/13—Discrete devices, e.g. 3 terminal devices
- H01L2924/1304—Transistor
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 ヒートシンクの一面上に搭載された半導体チ
ップを、ヒートシンクの周囲に設けられたリードフレー
ムにワイヤボンディングしてなる半導体装置において、
ヒートシンクとリード部との間を支持する支持具を用い
ないでワイヤボンディングを可能としつつ、ヒートシン
クを適切に大型化できるような構成を実現する。 【解決手段】 半導体装置Ｓ１は、ヒートシンク１０の
一面１１上に搭載された半導体チップ２０と、ヒートシ
ンク１０の周囲からヒートシンク１０の一面１１上に延
設されたリード部３１を有するリードフレーム３０と、
ワイヤボンディングにより形成されリード部３１と半導
体チップ２０とを電気的に接続するワイヤ４０とを備え
る。リード部３１の先端側の折り曲げ部３２は、ヒート
シンク１０の一面１１と交差する位置関係となってお
り、ワイヤ４０が接続されている。
ップを、ヒートシンクの周囲に設けられたリードフレー
ムにワイヤボンディングしてなる半導体装置において、
ヒートシンクとリード部との間を支持する支持具を用い
ないでワイヤボンディングを可能としつつ、ヒートシン
クを適切に大型化できるような構成を実現する。 【解決手段】 半導体装置Ｓ１は、ヒートシンク１０の
一面１１上に搭載された半導体チップ２０と、ヒートシ
ンク１０の周囲からヒートシンク１０の一面１１上に延
設されたリード部３１を有するリードフレーム３０と、
ワイヤボンディングにより形成されリード部３１と半導
体チップ２０とを電気的に接続するワイヤ４０とを備え
る。リード部３１の先端側の折り曲げ部３２は、ヒート
シンク１０の一面１１と交差する位置関係となってお
り、ワイヤ４０が接続されている。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、ヒートシンクの一
面上に搭載された半導体チップを、ヒートシンクの周囲
に設けられたリードフレームにワイヤボンディングして
なる半導体装置に関する。
面上に搭載された半導体チップを、ヒートシンクの周囲
に設けられたリードフレームにワイヤボンディングして
なる半導体装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、この種の半導体装置としては、特
開２００１−１４４２４２２号公報に記載のものが提案
されている。そのような半導体装置の一般的な構成を図
７に示す。
開２００１−１４４２４２２号公報に記載のものが提案
されている。そのような半導体装置の一般的な構成を図
７に示す。
【０００３】ヒートシンク１０の一面（上面）１１上に
半導体チップ２０が搭載され、ヒートシンク１０の周囲
にはリードフレーム３０のリード部（インナーリード）
３１が設けられ、リード部３１と半導体チップ２０と
は、ワイヤボンディングにより形成されたワイヤ４０に
より接続されている。
半導体チップ２０が搭載され、ヒートシンク１０の周囲
にはリードフレーム３０のリード部（インナーリード）
３１が設けられ、リード部３１と半導体チップ２０と
は、ワイヤボンディングにより形成されたワイヤ４０に
より接続されている。
【０００４】そして、これら半導体チップ２０、リード
部３１、ヒートシンク１０およびワイヤ４０は、ヒート
シンク１０の他面（下面）１２を露出した状態で樹脂５
０により包み込まれるようにモールドされている。この
ような半導体装置においては、半導体チップ２０の熱を
ヒートシンク１０から放熱できるようになっている。
部３１、ヒートシンク１０およびワイヤ４０は、ヒート
シンク１０の他面（下面）１２を露出した状態で樹脂５
０により包み込まれるようにモールドされている。この
ような半導体装置においては、半導体チップ２０の熱を
ヒートシンク１０から放熱できるようになっている。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】ところで、上記の半導
体装置においては、放熱性を向上させるために、上記図
７中の破線で示すように、ヒートシンク１０を大型化し
たいという要望がある。このように、ヒートシンク１０
を大型化すると、ヒートシンク１０とリードフレーム３
０のリード部３１とが重なる。すると、次に述べるよう
な問題が生じる。
体装置においては、放熱性を向上させるために、上記図
７中の破線で示すように、ヒートシンク１０を大型化し
たいという要望がある。このように、ヒートシンク１０
を大型化すると、ヒートシンク１０とリードフレーム３
０のリード部３１とが重なる。すると、次に述べるよう
な問題が生じる。
【０００６】図８は、従来の半導体装置におけるワイヤ
ボンディング工程を説明する説明図であり、（ａ）はヒ
ートシンク１０とリード部３１とが重なっていない状
態、（ｂ）はヒートシンク１０を大型化してヒートシン
ク１０とリード部３１とが重なった状態を示す。
ボンディング工程を説明する説明図であり、（ａ）はヒ
ートシンク１０とリード部３１とが重なっていない状
態、（ｂ）はヒートシンク１０を大型化してヒートシン
ク１０とリード部３１とが重なった状態を示す。
【０００７】図８（ａ）に示すように、半導体チップ２
０に接続されたワイヤ４０は、ボンディングツール１０
０によりリード部３１の上まで引き回されて接続され
る。このとき、リード部３１には、ボンディングツール
１００が押し付けられるために、リード部３１の下側に
治具１１０をあてがって支えている。
０に接続されたワイヤ４０は、ボンディングツール１０
０によりリード部３１の上まで引き回されて接続され
る。このとき、リード部３１には、ボンディングツール
１００が押し付けられるために、リード部３１の下側に
治具１１０をあてがって支えている。
【０００８】一方、ヒートシンク１０とリード部３１と
が重なった状態では、図８（ｂ）に示すように、ヒート
シンク１０の周囲からヒートシンク１０の一面１１上に
延設されたリード部３１とヒートシンク１０の一面１１
との間に、さらに、支持具１２０を介在させる必要が生
じる。
が重なった状態では、図８（ｂ）に示すように、ヒート
シンク１０の周囲からヒートシンク１０の一面１１上に
延設されたリード部３１とヒートシンク１０の一面１１
との間に、さらに、支持具１２０を介在させる必要が生
じる。
【０００９】この支持具１２０を介在させることによっ
て、ツール１００によってワイヤ４０が押し付けられた
ときに、リード部３１がヒートシンク１０の一面１１側
へ曲がり変形することを防止する。ヒートシンク１０お
よびリード部３１は、両者とも良好な電気伝導体であ
り、リード部３１とヒートシンク１０とがショートする
危険性があるためである。
て、ツール１００によってワイヤ４０が押し付けられた
ときに、リード部３１がヒートシンク１０の一面１１側
へ曲がり変形することを防止する。ヒートシンク１０お
よびリード部３１は、両者とも良好な電気伝導体であ
り、リード部３１とヒートシンク１０とがショートする
危険性があるためである。
【００１０】このように、ヒートシンク１０とリード部
３１とが重なった状態では、ワイヤボンディングを行う
際に、従来の治具１１０以外に、さらに支持具１２０を
用いる必要があり、ワイヤボンディング工程の煩雑化は
まぬがれない。
３１とが重なった状態では、ワイヤボンディングを行う
際に、従来の治具１１０以外に、さらに支持具１２０を
用いる必要があり、ワイヤボンディング工程の煩雑化は
まぬがれない。
【００１１】そこで、本発明は上記問題に鑑み、ヒート
シンクの一面上に搭載された半導体チップを、ヒートシ
ンクの周囲に設けられたリードフレームにワイヤボンデ
ィングしてなる半導体装置において、ヒートシンクとリ
ード部との間を支持する支持具を用いないでワイヤボン
ディングを可能としつつ、ヒートシンクを適切に大型化
できるような構成を実現することを目的とする。
シンクの一面上に搭載された半導体チップを、ヒートシ
ンクの周囲に設けられたリードフレームにワイヤボンデ
ィングしてなる半導体装置において、ヒートシンクとリ
ード部との間を支持する支持具を用いないでワイヤボン
ディングを可能としつつ、ヒートシンクを適切に大型化
できるような構成を実現することを目的とする。
【００１２】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、請求項１に記載の発明では、ヒートシンク（１０）
と、ヒートシンクの一面（１１）上に搭載された半導体
チップ（２０）と、ヒートシンクの周囲からヒートシン
クの一面上に延設されたリード部（３１）を有するリー
ドフレーム（３０）と、リード部と半導体チップとを電
気的に接続しワイヤボンディングにより形成されたワイ
ヤ（４０）とを備える半導体装置であって、リード部の
先端側が折り曲げられており、この折り曲げ部（３２）
はヒートシンクの一面と交差する位置関係となってお
り、折り曲げ部にワイヤが接続されていることを特徴と
する。
め、請求項１に記載の発明では、ヒートシンク（１０）
と、ヒートシンクの一面（１１）上に搭載された半導体
チップ（２０）と、ヒートシンクの周囲からヒートシン
クの一面上に延設されたリード部（３１）を有するリー
ドフレーム（３０）と、リード部と半導体チップとを電
気的に接続しワイヤボンディングにより形成されたワイ
ヤ（４０）とを備える半導体装置であって、リード部の
先端側が折り曲げられており、この折り曲げ部（３２）
はヒートシンクの一面と交差する位置関係となってお
り、折り曲げ部にワイヤが接続されていることを特徴と
する。
【００１３】それによれば、ワイヤボンディングのとき
にはボンディングツールによりリード部（３１）の折り
曲げ部（３２）が押されるが、その押される力の方向
は、ヒートシンク（１０）の一面（１１）に正対する方
向とはならない。
にはボンディングツールによりリード部（３１）の折り
曲げ部（３２）が押されるが、その押される力の方向
は、ヒートシンク（１０）の一面（１１）に正対する方
向とはならない。
【００１４】そのため、ワイヤボンディング時には、リ
ード部（３１）の折り曲げ部（３２）におけるツール側
の面（ボンディング面）とは反対側の面を治具（１１
０）により支持するだけで良く、リード部（３１）とヒ
ートシンク（１０）の一面（１１）との間に、支持具を
介在させることが不要となる。
ード部（３１）の折り曲げ部（３２）におけるツール側
の面（ボンディング面）とは反対側の面を治具（１１
０）により支持するだけで良く、リード部（３１）とヒ
ートシンク（１０）の一面（１１）との間に、支持具を
介在させることが不要となる。
【００１５】このように、本発明によれば、リード部
（３１）をヒートシンク（１０）の周囲からヒートシン
クの一面（１１）上に延設して、ヒートシンクとリード
部とを重なるようにしても、ヒートシンクとリード部と
の間を支持する支持具を用いないでワイヤボンディング
を可能とすることができ、ヒートシンクを適切に大型化
できるような構成を実現することができる。
（３１）をヒートシンク（１０）の周囲からヒートシン
クの一面（１１）上に延設して、ヒートシンクとリード
部とを重なるようにしても、ヒートシンクとリード部と
の間を支持する支持具を用いないでワイヤボンディング
を可能とすることができ、ヒートシンクを適切に大型化
できるような構成を実現することができる。
【００１６】また、請求項２に記載の発明では、請求項
１の半導体装置において、ヒートシンク（１０）は矩形
板形状を有し、リード部（３１）は、ヒートシンクの矩
形をなす４辺のうち３辺以下の周囲に配置されているこ
とを特徴とする。
１の半導体装置において、ヒートシンク（１０）は矩形
板形状を有し、リード部（３１）は、ヒートシンクの矩
形をなす４辺のうち３辺以下の周囲に配置されているこ
とを特徴とする。
【００１７】それによれば、限られた装置サイズの中
で、ヒートシンク（１０）を大型化するには好ましい構
成とすることができる。
で、ヒートシンク（１０）を大型化するには好ましい構
成とすることができる。
【００１８】なお、上記各手段の括弧内の符号は、後述
する実施形態に記載の具体的手段との対応関係を示す一
例である。
する実施形態に記載の具体的手段との対応関係を示す一
例である。
【００１９】
【発明の実施の形態】以下、本発明を図に示す実施形態
について説明する。図１は本発明の実施形態に係る半導
体装置Ｓ１の概略断面構成を示す図である。
について説明する。図１は本発明の実施形態に係る半導
体装置Ｓ１の概略断面構成を示す図である。
【００２０】この半導体装置Ｓ１は、ヒートシンク１０
と、ヒートシンク１０の一面（上面）１１上に搭載され
た半導体チップ２０と、ヒートシンク１０の周囲からヒ
ートシンク１０の一面１１上に延設されたリード部（イ
ンナーリード）３１を有するリードフレーム３０と、リ
ード部３１と半導体チップ２０とを電気的に接続しワイ
ヤボンディングにより形成されたワイヤ４０とを備えて
いる。
と、ヒートシンク１０の一面（上面）１１上に搭載され
た半導体チップ２０と、ヒートシンク１０の周囲からヒ
ートシンク１０の一面１１上に延設されたリード部（イ
ンナーリード）３１を有するリードフレーム３０と、リ
ード部３１と半導体チップ２０とを電気的に接続しワイ
ヤボンディングにより形成されたワイヤ４０とを備えて
いる。
【００２１】そして、これら各部１０〜４０が、ヒート
シンク１０の他面（下面）１２およびリードフレーム３
０のアウターリードを露出させた状態で、樹脂５０によ
り包み込まれるようにモールドされており、いわゆる樹
脂封止型半導体装置が構成されている。
シンク１０の他面（下面）１２およびリードフレーム３
０のアウターリードを露出させた状態で、樹脂５０によ
り包み込まれるようにモールドされており、いわゆる樹
脂封止型半導体装置が構成されている。
【００２２】ヒートシンク１０は、半導体チップ２０の
放熱部材として用いられ、例えば銅やアルミ等からなる
板材を採用することができる。半導体チップ２０は、例
えば、電源やアクチュエータの駆動回路等として機能す
るパワー素子（パワーＩＣ）等であり、ＭＯＳＦＥＴと
バイポーラトランジスタとが組み合わされて形成された
単結晶シリコンチップ等からなる。この半導体チップ２
０は、Ａｇペーストやはんだ等の接合部材６０を介して
ヒートシンク２０に接着されている。
放熱部材として用いられ、例えば銅やアルミ等からなる
板材を採用することができる。半導体チップ２０は、例
えば、電源やアクチュエータの駆動回路等として機能す
るパワー素子（パワーＩＣ）等であり、ＭＯＳＦＥＴと
バイポーラトランジスタとが組み合わされて形成された
単結晶シリコンチップ等からなる。この半導体チップ２
０は、Ａｇペーストやはんだ等の接合部材６０を介して
ヒートシンク２０に接着されている。
【００２３】リードフレーム３０は、例えば銅または銅
合金等からなる板材をエッチングまたはプレス等により
所定形状に加工したものであり、ヒートシンク１０に対
し図示しない部位にてかしめ等によって取り付けられて
いる。なお、ヒートシンク１０とリードフレーム３０と
は、樹脂５０のモールドにより一体化されていれば良
く、上記かしめ等による一体化がなされていなくても良
い。
合金等からなる板材をエッチングまたはプレス等により
所定形状に加工したものであり、ヒートシンク１０に対
し図示しない部位にてかしめ等によって取り付けられて
いる。なお、ヒートシンク１０とリードフレーム３０と
は、樹脂５０のモールドにより一体化されていれば良
く、上記かしめ等による一体化がなされていなくても良
い。
【００２４】リードフレーム３０のリード部３１は、ヒ
ートシンク１０の周囲からヒートシンク１０の一面１１
と平行に延びてヒートシンク１０の一面１１上まで配置
されている。そして、樹脂５０内に位置するリード部
（インナーリード）３１の先端部側が折り曲げられてお
り、この折り曲げ部３２はヒートシンク１０の一面１１
と交差する位置関係となっている。
ートシンク１０の周囲からヒートシンク１０の一面１１
と平行に延びてヒートシンク１０の一面１１上まで配置
されている。そして、樹脂５０内に位置するリード部
（インナーリード）３１の先端部側が折り曲げられてお
り、この折り曲げ部３２はヒートシンク１０の一面１１
と交差する位置関係となっている。
【００２５】折り曲げ部３２は、リードフレーム３０を
エッチングにより成形した後に、プレス等によって折り
曲げ加工するか、リードフレーム３０を所定形状にプレ
ス加工するときに同時に折り曲げ加工する等により形成
することができる。本例では、折り曲げ部３２は、ヒー
トシンク１０の一面１１側（図１中の下方側）へ折り曲
げられている。
エッチングにより成形した後に、プレス等によって折り
曲げ加工するか、リードフレーム３０を所定形状にプレ
ス加工するときに同時に折り曲げ加工する等により形成
することができる。本例では、折り曲げ部３２は、ヒー
トシンク１０の一面１１側（図１中の下方側）へ折り曲
げられている。
【００２６】そして、折り曲げ部３２の上面と半導体チ
ップ２０とが、ワイヤ４０により結線され電気的に接続
されている。このワイヤ４０は、金やアルミ等のワイヤ
ボンディングを行うことにより形成されている。また、
樹脂５０はエポキシ系樹脂等よりなり、型等を用いて成
形されている。
ップ２０とが、ワイヤ４０により結線され電気的に接続
されている。このワイヤ４０は、金やアルミ等のワイヤ
ボンディングを行うことにより形成されている。また、
樹脂５０はエポキシ系樹脂等よりなり、型等を用いて成
形されている。
【００２７】このような構成を有する樹脂封止型半導体
装置Ｓ１は、例えば、回路基板の上に実装され、リード
フレーム３０のアウターリードを介して当該回路基板と
電気的、機械的に接続される。
装置Ｓ１は、例えば、回路基板の上に実装され、リード
フレーム３０のアウターリードを介して当該回路基板と
電気的、機械的に接続される。
【００２８】図１に示す半導体装置Ｓ１は、例えば次に
示す方法によって製造することができる。まず、ヒート
シンク１０とリードフレーム３０とをかしめることによ
り一体化する。次に、ヒートシンク１０の一面１１に、
接合部材６０を介して半導体チップ２０を搭載し接着す
る。
示す方法によって製造することができる。まず、ヒート
シンク１０とリードフレーム３０とをかしめることによ
り一体化する。次に、ヒートシンク１０の一面１１に、
接合部材６０を介して半導体チップ２０を搭載し接着す
る。
【００２９】次に、ワイヤボンディングを行うことによ
り、リード部３１と半導体チップ２０とをワイヤ４０に
より接続する。このとき、半導体チップ２０に一次ボン
ディングされたワイヤ４０は、ボンディングツール（図
示せず）によりリード部３１の折り曲げ部３２に引き回
され、折り曲げ部３２に二次ボンディングされる。な
お、ボンディング順序は上記の逆でも良い。
り、リード部３１と半導体チップ２０とをワイヤ４０に
より接続する。このとき、半導体チップ２０に一次ボン
ディングされたワイヤ４０は、ボンディングツール（図
示せず）によりリード部３１の折り曲げ部３２に引き回
され、折り曲げ部３２に二次ボンディングされる。な
お、ボンディング順序は上記の逆でも良い。
【００３０】この折り曲げ部３２へのボンディングの
際、折り曲げ部３２は当該ツールによって図１中の矢印
Ｙ方向へ押されるが、この折り曲げ部３２が押される力
の方向は、ヒートシンク１０の一面１１に正対する方向
とはならない。つまり、ワイヤボンディングの際に、リ
ード部３１はヒートシンク１０の一面１１へ曲がり変形
することは無くなる。
際、折り曲げ部３２は当該ツールによって図１中の矢印
Ｙ方向へ押されるが、この折り曲げ部３２が押される力
の方向は、ヒートシンク１０の一面１１に正対する方向
とはならない。つまり、ワイヤボンディングの際に、リ
ード部３１はヒートシンク１０の一面１１へ曲がり変形
することは無くなる。
【００３１】そのため、図１中の一点鎖線に示すよう
に、リード部３１の折り曲げ部３２におけるボンディン
グ面とは反対側の面を治具１１０により支持するだけで
良く、リード部３１とヒートシンク１０の一面１１との
間に、さらに支持具を介在させることが不要となる。そ
して、このように、治具１１０で支持した状態でワイヤ
ボンディングを行い、ワイヤ４０による接続を行う。
に、リード部３１の折り曲げ部３２におけるボンディン
グ面とは反対側の面を治具１１０により支持するだけで
良く、リード部３１とヒートシンク１０の一面１１との
間に、さらに支持具を介在させることが不要となる。そ
して、このように、治具１１０で支持した状態でワイヤ
ボンディングを行い、ワイヤ４０による接続を行う。
【００３２】次に、このようにしてできたワークを成形
型に投入し、樹脂成形を行うことにより、ヒートシンク
１０の他面（下面）１２およびリードフレーム３０のア
ウターリードを露出させた状態で、樹脂５０によって上
記部品１０〜４０が封止された半導体装置Ｓ１ができあ
がる。
型に投入し、樹脂成形を行うことにより、ヒートシンク
１０の他面（下面）１２およびリードフレーム３０のア
ウターリードを露出させた状態で、樹脂５０によって上
記部品１０〜４０が封止された半導体装置Ｓ１ができあ
がる。
【００３３】このように、本実施形態によれば、リード
部３１をヒートシンク１０の周囲からヒートシンク１０
の一面１１上に延設して、ヒートシンク１０とリード部
３１とを重なるようにしても、ヒートシンク１０とリー
ド部３１との間を支持する支持具を用いないでワイヤボ
ンディングを可能とすることができ、ヒートシンク１０
を適切に大型化できるような構成を実現することができ
る。
部３１をヒートシンク１０の周囲からヒートシンク１０
の一面１１上に延設して、ヒートシンク１０とリード部
３１とを重なるようにしても、ヒートシンク１０とリー
ド部３１との間を支持する支持具を用いないでワイヤボ
ンディングを可能とすることができ、ヒートシンク１０
を適切に大型化できるような構成を実現することができ
る。
【００３４】なお、図１に示す例では、折り曲げ部３２
は、ヒートシンク１０の一面１１側（図１中の下方側）
へ折り曲げられることにより、ヒートシンク１０の一面
１１と交差する位置関係となっているが、図２および図
３に示すように、折り曲げ部３２は、ヒートシンク１０
の一面１１とは反対側へ折り曲げられていても良い。
は、ヒートシンク１０の一面１１側（図１中の下方側）
へ折り曲げられることにより、ヒートシンク１０の一面
１１と交差する位置関係となっているが、図２および図
３に示すように、折り曲げ部３２は、ヒートシンク１０
の一面１１とは反対側へ折り曲げられていても良い。
【００３５】図２に示す例（本実施形態の第１変形例）
および図３に示す例（本実施形態の第２変形例）におい
ても、図２、図３中の一点鎖線に示すように、リード部
３１の折り曲げ部３２におけるボンディング面とは反対
側の面を治具１１０により支持するだけで良く、上記図
１と同様に、さらに支持具を介在させることが不要とな
る。
および図３に示す例（本実施形態の第２変形例）におい
ても、図２、図３中の一点鎖線に示すように、リード部
３１の折り曲げ部３２におけるボンディング面とは反対
側の面を治具１１０により支持するだけで良く、上記図
１と同様に、さらに支持具を介在させることが不要とな
る。
【００３６】また、上記各例では、リード部３１の折り
曲げ部３２は、ヒートシンク１０の一面１１と直角（図
３参照）か、もしくは上方に向かって半導体チップ２０
から離れるように傾斜した配置（図１、図２参照）とな
っているが、図４（本実施形態の第３変形例）および図
５（本実施形態の第４変形例）に示すように、上方に向
かって半導体チップ２０に近づくように傾斜した配置と
なっていても良い。
曲げ部３２は、ヒートシンク１０の一面１１と直角（図
３参照）か、もしくは上方に向かって半導体チップ２０
から離れるように傾斜した配置（図１、図２参照）とな
っているが、図４（本実施形態の第３変形例）および図
５（本実施形態の第４変形例）に示すように、上方に向
かって半導体チップ２０に近づくように傾斜した配置と
なっていても良い。
【００３７】つまり、図１、図２では、図中の下方に向
かって先すぼまりの逆「ハ」の字形状となっているが、
図４、図５では、図中の上方に向かって先すぼまり
「ハ」の字形状となっている。これら図２〜図５に示す
各変形例においても、上記図１の例と同様の作用効果を
実現することができる。
かって先すぼまりの逆「ハ」の字形状となっているが、
図４、図５では、図中の上方に向かって先すぼまり
「ハ」の字形状となっている。これら図２〜図５に示す
各変形例においても、上記図１の例と同様の作用効果を
実現することができる。
【００３８】また、本実施形態の半導体装置Ｓ１におい
て、ヒートシンク１０が、その一面１１からみたときの
形状が矩形形状を有する場合（つまり、ヒートシンク１
０が矩形板形状を有する場合）、リード部３１は、ヒー
トシンク１０の矩形をなす４辺のうち３辺以下の周囲に
配置されていることが好ましい。
て、ヒートシンク１０が、その一面１１からみたときの
形状が矩形形状を有する場合（つまり、ヒートシンク１
０が矩形板形状を有する場合）、リード部３１は、ヒー
トシンク１０の矩形をなす４辺のうち３辺以下の周囲に
配置されていることが好ましい。
【００３９】このことについて、図６を参照して説明す
る。図６（ａ）〜（ｄ）は、半導体装置Ｓ１を、樹脂５
０から露出するヒートシンク１０の他面１２から見た平
面構成図である。ヒートシンク１０の矩形をなす４辺の
うち、図６（ａ）では３辺の周囲に、図６（ｂ）では２
辺の周囲に、図６（ｃ）では１辺の周囲に、図６（ｄ）
では４辺の周囲に、リードフレーム３０のリード部３１
が配置されている。
る。図６（ａ）〜（ｄ）は、半導体装置Ｓ１を、樹脂５
０から露出するヒートシンク１０の他面１２から見た平
面構成図である。ヒートシンク１０の矩形をなす４辺の
うち、図６（ａ）では３辺の周囲に、図６（ｂ）では２
辺の周囲に、図６（ｃ）では１辺の周囲に、図６（ｄ）
では４辺の周囲に、リードフレーム３０のリード部３１
が配置されている。
【００４０】図６（ｄ）の場合、あたかも、ヒートシン
ク１０の全周にリード部３１が配置された形となるが、
図６（ａ）〜（ｃ）の場合では、リード部３１の配置さ
れていない部分において、ヒートシンク１０をそれだけ
大きくすることができる。
ク１０の全周にリード部３１が配置された形となるが、
図６（ａ）〜（ｃ）の場合では、リード部３１の配置さ
れていない部分において、ヒートシンク１０をそれだけ
大きくすることができる。
【００４１】同一サイズの樹脂封止形態を考えた場合、
図６において（ｃ）が最もヒートシンク１０を大きくす
ることができ、次いで（ｂ）、（ａ）、（ｄ）の順にヒ
ートシンク１０を大きくすることができる。つまり、リ
ード部３１を、ヒートシンク１０の矩形をなす４辺のう
ち３辺以下の周囲に配置することは、限られた装置サイ
ズの中で、ヒートシンク１０を大型化するには好ましい
構成となる。
図６において（ｃ）が最もヒートシンク１０を大きくす
ることができ、次いで（ｂ）、（ａ）、（ｄ）の順にヒ
ートシンク１０を大きくすることができる。つまり、リ
ード部３１を、ヒートシンク１０の矩形をなす４辺のう
ち３辺以下の周囲に配置することは、限られた装置サイ
ズの中で、ヒートシンク１０を大型化するには好ましい
構成となる。
【００４２】なお、本発明は、ヒートシンクの一面上に
搭載された半導体チップを、ヒートシンクの周囲に設け
られたリードフレームにワイヤボンディングしてなる半
導体装置に適用可能であり、樹脂でモールドされたもの
でなくても良い。
搭載された半導体チップを、ヒートシンクの周囲に設け
られたリードフレームにワイヤボンディングしてなる半
導体装置に適用可能であり、樹脂でモールドされたもの
でなくても良い。
【図１】本発明の実施形態に係る半導体装置の概略断面
図である。
図である。
【図２】上記実施形態の第１変形例としての半導体装置
の概略断面図である。
の概略断面図である。
【図３】上記実施形態の第２変形例としての半導体装置
の概略断面図である。
の概略断面図である。
【図４】上記実施形態の第３変形例としての半導体装置
の概略断面図である。
の概略断面図である。
【図５】上記実施形態の第４変形例としての半導体装置
の概略断面図である。
の概略断面図である。
【図６】上記実施形態の半導体装置を、樹脂から露出す
るヒートシンクの他面から見た平面構成図である。
るヒートシンクの他面から見た平面構成図である。
【図７】従来の半導体装置の一般的な概略断面構成図で
ある。
ある。
【図８】従来の半導体装置におけるワイヤボンディング
工程を説明する説明図である。
工程を説明する説明図である。
【符号の説明】
１０…ヒートシンク、１１…ヒートシンクの一面、２０
…半導体チップ、３０…リードフレーム、３１…リード
フレームのリード部、３２…リード部の折り曲げ部、４
０…ワイヤ。
…半導体チップ、３０…リードフレーム、３１…リード
フレームのリード部、３２…リード部の折り曲げ部、４
０…ワイヤ。
Claims (2)
- 【請求項１】 ヒートシンク（１０）と、 前記ヒートシンクの一面（１１）上に搭載された半導体
チップ（２０）と、 前記ヒートシンクの周囲から前記ヒートシンクの一面上
に延設されたリード部（３１）を有するリードフレーム
（３０）と、 前記リード部と前記半導体チップとを電気的に接続し、
ワイヤボンディングにより形成されたワイヤ（４０）と
を備える半導体装置であって、 前記リード部の先端側が折り曲げられており、この折り
曲げ部（３２）は前記ヒートシンクの一面と交差する位
置関係となっており、前記折り曲げ部に前記ワイヤが接
続されていることを特徴とする半導体装置。 - 【請求項２】 前記ヒートシンク（１０）は矩形板形状
を有し、 前記リード部（３１）は、前記ヒートシンクの矩形をな
す４辺のうち３辺以下の周囲に配置されていることを特
徴とする請求項１に記載の半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001327689A JP3991649B2 (ja) | 2001-10-25 | 2001-10-25 | 半導体装置の製造方法および半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001327689A JP3991649B2 (ja) | 2001-10-25 | 2001-10-25 | 半導体装置の製造方法および半導体装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2003133505A true JP2003133505A (ja) | 2003-05-09 |
| JP3991649B2 JP3991649B2 (ja) | 2007-10-17 |
Family
ID=19143879
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2001327689A Expired - Fee Related JP3991649B2 (ja) | 2001-10-25 | 2001-10-25 | 半導体装置の製造方法および半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3991649B2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2014093409A (ja) * | 2012-11-02 | 2014-05-19 | Denso Corp | 電子装置およびその製造方法 |
| WO2023115666A1 (zh) * | 2021-12-21 | 2023-06-29 | 长鑫存储技术有限公司 | 一种半导体结构及其制造方法 |
-
2001
- 2001-10-25 JP JP2001327689A patent/JP3991649B2/ja not_active Expired - Fee Related
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|---|---|---|---|---|
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| WO2023115666A1 (zh) * | 2021-12-21 | 2023-06-29 | 长鑫存储技术有限公司 | 一种半导体结构及其制造方法 |
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| JP3991649B2 (ja) | 2007-10-17 |
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