JP2003133471A - 高周波信号用の配線基板 - Google Patents
高周波信号用の配線基板Info
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- JP2003133471A JP2003133471A JP2001329080A JP2001329080A JP2003133471A JP 2003133471 A JP2003133471 A JP 2003133471A JP 2001329080 A JP2001329080 A JP 2001329080A JP 2001329080 A JP2001329080 A JP 2001329080A JP 2003133471 A JP2003133471 A JP 2003133471A
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- H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/151—Die mounting substrate
- H01L2924/1517—Multilayer substrate
- H01L2924/15192—Resurf arrangement of the internal vias
Landscapes
- Production Of Multi-Layered Print Wiring Board (AREA)
- Printing Elements For Providing Electric Connections Between Printed Circuits (AREA)
- Structure Of Printed Boards (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】準ミリ波帯及びミリ波帯の信号であっても隣接
する信号線路系間のクロストークを低減する。 【解決手段】上部誘電体層1の上面に信号線路La1、
La2、Lb1、Lb2が形成され、下部誘電体層2の
上面に信号線路La3、Lb3が形成されている。信号
線路La3は、上部誘電体層1を貫通する導電性ビアV
Ha1及びVHa2を介して信号線路La1とLa2と
を電気的に接続し、信号線路Lb3は、上部誘電体層1
を貫通する導電性ビアVHb1及びVHb2を介して信
号線路Lb1とLb2とを電気的に接続する。上部及び
下部誘電体層の上面、並びに下部誘電体層の下面には、
グランド電極G1、G2、Gが形成され、各信号線路系
はコプレーナ線路で形成される。入力端側及び出力端側
の信号線路が、隣接する信号線路系で相互に異なる長さ
に形成されているので、電磁放射等による相互干渉を受
けにくく、クロストークが低減される。
する信号線路系間のクロストークを低減する。 【解決手段】上部誘電体層1の上面に信号線路La1、
La2、Lb1、Lb2が形成され、下部誘電体層2の
上面に信号線路La3、Lb3が形成されている。信号
線路La3は、上部誘電体層1を貫通する導電性ビアV
Ha1及びVHa2を介して信号線路La1とLa2と
を電気的に接続し、信号線路Lb3は、上部誘電体層1
を貫通する導電性ビアVHb1及びVHb2を介して信
号線路Lb1とLb2とを電気的に接続する。上部及び
下部誘電体層の上面、並びに下部誘電体層の下面には、
グランド電極G1、G2、Gが形成され、各信号線路系
はコプレーナ線路で形成される。入力端側及び出力端側
の信号線路が、隣接する信号線路系で相互に異なる長さ
に形成されているので、電磁放射等による相互干渉を受
けにくく、クロストークが低減される。
Description
【0001】
【発明の技術分野】本発明は、高周波用配線基板に関
し、より詳細には、準ミリ波帯及びミリ波帯の高周波信
号を伝送する複数の信号線路を組み込んだ配線基板に関
する。なお、ここで、配線基板とは、回路基板の他、回
路基板上にICチップを実装するための領域、封止リン
グ及び蓋などを備えたIC収納用パッケージも含むもの
とする。
し、より詳細には、準ミリ波帯及びミリ波帯の高周波信
号を伝送する複数の信号線路を組み込んだ配線基板に関
する。なお、ここで、配線基板とは、回路基板の他、回
路基板上にICチップを実装するための領域、封止リン
グ及び蓋などを備えたIC収納用パッケージも含むもの
とする。
【0002】
【従来の技術】図7は、特開平4−336702号公報
に記載されている、従来例の高周波信号用の半導体装置
を組み込むためのICパッケージを示している。該IC
パッケージは、パッケージ基板1、パッケージ側壁2、
及び封止蓋3によってキャビティが構成され、該キャビ
ティ内に、ICチップを実装するダイボンディング領域
4と、高周波伝送線路を構成する内部コプレーナ線路2
0が形成された誘電体基板6とが設けられている。そし
て、パッケージ基板1の底面部にリード端子を構成する
外部コプレーナ線路10が設けられ、外部コプレーナ線
路10と内部コプレーナ線路20との接地金属薄膜8、
18同士及び信号線金属薄膜9、19同士を、バイアホ
ール11によって電気的に接続している。この従来例に
おいては、信号線路をコプレーナ線路すなわちコプレー
ナ・ウエーブガイド構造によって形成しているため、信
号周波数が高周波帯中の比較的低い周波数である場合に
は、隣接する信号線路のアイソレーションを確保するこ
とができる。
に記載されている、従来例の高周波信号用の半導体装置
を組み込むためのICパッケージを示している。該IC
パッケージは、パッケージ基板1、パッケージ側壁2、
及び封止蓋3によってキャビティが構成され、該キャビ
ティ内に、ICチップを実装するダイボンディング領域
4と、高周波伝送線路を構成する内部コプレーナ線路2
0が形成された誘電体基板6とが設けられている。そし
て、パッケージ基板1の底面部にリード端子を構成する
外部コプレーナ線路10が設けられ、外部コプレーナ線
路10と内部コプレーナ線路20との接地金属薄膜8、
18同士及び信号線金属薄膜9、19同士を、バイアホ
ール11によって電気的に接続している。この従来例に
おいては、信号線路をコプレーナ線路すなわちコプレー
ナ・ウエーブガイド構造によって形成しているため、信
号周波数が高周波帯中の比較的低い周波数である場合に
は、隣接する信号線路のアイソレーションを確保するこ
とができる。
【0003】一方、オプトエレクトロニクス分野のマル
チプレクサ、デマルチプレクサ、ドライバ等のICにお
いては、数10kHzから準ミリ波帯(10〜30GH
z)あるいはミリ波帯(30〜300GHz)までの信
号をフラットに伝送する信号線が要求されるようになっ
てきた。また、オプトエレクトロニクス分野に限らず、
種々のICにおいても同様に、高周波帯域化が図られて
きている。このような準ミリ波帯〜ミリ波帯、又はこれ
ら周波数帯を含んだブロードバンド又はウルトラワイド
バンドの信号を処理するICを基板上に形成してパッケ
ージ化した場合、図7に示した従来例のパッケージのよ
うに、内部信号線路及び外部信号線路をコプレーナ線路
で形成したとしても、必ずしも、隣接配置される複数の
信号線路間に十分なアイソレーションが得られるもので
はなく、クロストークが発生してしまう。このクロスト
ークの問題は、近年の電子デバイスの小型化及び高密度
化によって、基板上の信号線路間隔がより狭く設定され
ていることから、より切実な問題となっている。特に、
基板信号線路の間隔がλ/√εr(λ:伝送信号の空気
中における波長、εr:基板の比誘電率)以下で、隣接
している距離がλ/(2√εr)以上におよぶ場合、ク
ロストークの問題は無視できなくなり、そして、信号線
路の間隔がλ/(2√εr)以下になると、クロストー
クは非常に顕著になってくる。
チプレクサ、デマルチプレクサ、ドライバ等のICにお
いては、数10kHzから準ミリ波帯(10〜30GH
z)あるいはミリ波帯(30〜300GHz)までの信
号をフラットに伝送する信号線が要求されるようになっ
てきた。また、オプトエレクトロニクス分野に限らず、
種々のICにおいても同様に、高周波帯域化が図られて
きている。このような準ミリ波帯〜ミリ波帯、又はこれ
ら周波数帯を含んだブロードバンド又はウルトラワイド
バンドの信号を処理するICを基板上に形成してパッケ
ージ化した場合、図7に示した従来例のパッケージのよ
うに、内部信号線路及び外部信号線路をコプレーナ線路
で形成したとしても、必ずしも、隣接配置される複数の
信号線路間に十分なアイソレーションが得られるもので
はなく、クロストークが発生してしまう。このクロスト
ークの問題は、近年の電子デバイスの小型化及び高密度
化によって、基板上の信号線路間隔がより狭く設定され
ていることから、より切実な問題となっている。特に、
基板信号線路の間隔がλ/√εr(λ:伝送信号の空気
中における波長、εr:基板の比誘電率)以下で、隣接
している距離がλ/(2√εr)以上におよぶ場合、ク
ロストークの問題は無視できなくなり、そして、信号線
路の間隔がλ/(2√εr)以下になると、クロストー
クは非常に顕著になってくる。
【0004】また、図7の従来例のICパッケージにお
いては、パッケージ基板1の裏面に形成された外部接続
端子である接地線金属薄膜8及び信号線金属薄膜9を、
パッケージ基板1及び誘電体基板6を通して形成される
バイアホール11を介して、ダイボンディング領域4に
実装されるICチップに接続しており、このため、パッ
ケージ基板1の裏面全面を接地電極とすることができな
い。したがって、ICチップの冷却用のヒートスラグを
パッケージ基板1の裏面に取り付ける場合に、接地金属
薄膜8と信号線金属薄膜9とのショートを防止するよう
に取り付ける必要があり、よって、ヒートスラグを小型
化せざるを得ず、十分な冷却効果を得ることが困難であ
る。また、場合によっては、ヒートスラグを取り付ける
こと自体が困難である。
いては、パッケージ基板1の裏面に形成された外部接続
端子である接地線金属薄膜8及び信号線金属薄膜9を、
パッケージ基板1及び誘電体基板6を通して形成される
バイアホール11を介して、ダイボンディング領域4に
実装されるICチップに接続しており、このため、パッ
ケージ基板1の裏面全面を接地電極とすることができな
い。したがって、ICチップの冷却用のヒートスラグを
パッケージ基板1の裏面に取り付ける場合に、接地金属
薄膜8と信号線金属薄膜9とのショートを防止するよう
に取り付ける必要があり、よって、ヒートスラグを小型
化せざるを得ず、十分な冷却効果を得ることが困難であ
る。また、場合によっては、ヒートスラグを取り付ける
こと自体が困難である。
【0005】別の従来例として、複数の隣接信号線路間
のクロストークを低減させるために、信号線路をコプレ
ーナ線路で形成し、かつ、誘電体基板を多層に形成して
その内層にも接地電極を形成した高周波配線基板も提案
されている。しかしながら、この従来例においても、準
ミリ波帯〜ミリ波帯の信号用に該配線基板を用いた場合
に、信号線路間のクロストークの問題が生じてしまう恐
れがあり、また、図7のICパッケージと同様に、基板
の裏面全面を接地電極とすることができないため、ヒー
トスラグの取り付けも困難である。
のクロストークを低減させるために、信号線路をコプレ
ーナ線路で形成し、かつ、誘電体基板を多層に形成して
その内層にも接地電極を形成した高周波配線基板も提案
されている。しかしながら、この従来例においても、準
ミリ波帯〜ミリ波帯の信号用に該配線基板を用いた場合
に、信号線路間のクロストークの問題が生じてしまう恐
れがあり、また、図7のICパッケージと同様に、基板
の裏面全面を接地電極とすることができないため、ヒー
トスラグの取り付けも困難である。
【0006】本発明は、上記したような従来例の問題点
に鑑みてなされたものであり、その目的は、高周波信号
を処理するICチップを実装する基板において、信号が
準ミリ波帯〜ミリ波帯の信号であっても、隣接する信号
線路間のクロストークを低減することができるようにす
ることである。本発明の他の目的は、高周波信号を処理
するICチップを実装する基板において、放熱用のヒー
トスラグを容易に取り付けられるようにすることであ
る。
に鑑みてなされたものであり、その目的は、高周波信号
を処理するICチップを実装する基板において、信号が
準ミリ波帯〜ミリ波帯の信号であっても、隣接する信号
線路間のクロストークを低減することができるようにす
ることである。本発明の他の目的は、高周波信号を処理
するICチップを実装する基板において、放熱用のヒー
トスラグを容易に取り付けられるようにすることであ
る。
【0007】
【課題を解決するための手段】上記した本発明の目的を
達成するために、本発明にかかる、複数の信号線路系を
備えた高周波信号用の配線基板においては、各信号線路
系は、その入力端及び出力端の間が、導電性ビアによっ
て電気的に接続された複数の信号線路に分割されてお
り、複数の信号線路系は、それぞれの入力端から延在す
る入力側信号線路及び出力端から延在する出力側信号線
路の少なくとも一方が、配線基板の表面に配置されてお
り、隣接する2つの信号線路系において、信号線路の接
続用の導電性ビアが、信号線路系の入力端から相互に異
なる距離の位置、及び信号線路系の出力端から相互に異
なる距離の位置に設けられていることを特徴としてい
る。
達成するために、本発明にかかる、複数の信号線路系を
備えた高周波信号用の配線基板においては、各信号線路
系は、その入力端及び出力端の間が、導電性ビアによっ
て電気的に接続された複数の信号線路に分割されてお
り、複数の信号線路系は、それぞれの入力端から延在す
る入力側信号線路及び出力端から延在する出力側信号線
路の少なくとも一方が、配線基板の表面に配置されてお
り、隣接する2つの信号線路系において、信号線路の接
続用の導電性ビアが、信号線路系の入力端から相互に異
なる距離の位置、及び信号線路系の出力端から相互に異
なる距離の位置に設けられていることを特徴としてい
る。
【0008】本発明に係る配線基板の好適な実施形態に
おいては、配線基板は、積層された上部誘電体層及び下
部誘電体層からなり、複数の信号線路系の入力側信号線
路及び出力側信号線路が、配線基板の表面となる上部誘
電体層の上面に形成され、複数の信号線路系のそれぞれ
において、入力側信号線路と出力側信号線路とを導電性
ビアを介して接続する信号線路が、下部誘電体層の上面
に形成され、上部誘電体層の上面に、信号線路の周囲に
ギャップを介してグランド電極が形成され、配線基板の
裏面となる下部誘電体層の下面全面にグランド電極が形
成されていることを特徴としている。
おいては、配線基板は、積層された上部誘電体層及び下
部誘電体層からなり、複数の信号線路系の入力側信号線
路及び出力側信号線路が、配線基板の表面となる上部誘
電体層の上面に形成され、複数の信号線路系のそれぞれ
において、入力側信号線路と出力側信号線路とを導電性
ビアを介して接続する信号線路が、下部誘電体層の上面
に形成され、上部誘電体層の上面に、信号線路の周囲に
ギャップを介してグランド電極が形成され、配線基板の
裏面となる下部誘電体層の下面全面にグランド電極が形
成されていることを特徴としている。
【0009】本発明に係る配線基板の他の好適な実施形
態においては、配線基板は、積層された上部誘電体層及
び下部誘電体層からなり、複数の信号線路系の入力側信
号線路及び出力側信号線路の一方が、配線基板の表面と
なる上部誘電体層の上面に形成され、複数の信号線路系
の入力側信号線路及び出力側信号線路の他方が、配線基
板の裏面となる下部誘電体層の下面に形成され、複数の
信号線路系のそれぞれにおいて、入力側信号線路と出力
側信号線路とを導電性ビアを介して接続する信号線路
が、下部誘電体層の上面に形成され、上部誘電体層の上
面及び下部誘電体層の下面に、信号線路の周囲にギャッ
プを介してグランド電極が形成されていることを特徴と
している。
態においては、配線基板は、積層された上部誘電体層及
び下部誘電体層からなり、複数の信号線路系の入力側信
号線路及び出力側信号線路の一方が、配線基板の表面と
なる上部誘電体層の上面に形成され、複数の信号線路系
の入力側信号線路及び出力側信号線路の他方が、配線基
板の裏面となる下部誘電体層の下面に形成され、複数の
信号線路系のそれぞれにおいて、入力側信号線路と出力
側信号線路とを導電性ビアを介して接続する信号線路
が、下部誘電体層の上面に形成され、上部誘電体層の上
面及び下部誘電体層の下面に、信号線路の周囲にギャッ
プを介してグランド電極が形成されていることを特徴と
している。
【0010】上記した2つの実施形態において、下部誘
電体層の上面に、信号線路の周囲にギャップを介して形
成されたグランド電極を備え、かつ、該グランド電極
が、上部誘電体層から下部誘電体層まで貫通する複数の
導電性ビアによって、下部誘電体層の下面のグランド電
極に接続されていることが好ましい。
電体層の上面に、信号線路の周囲にギャップを介して形
成されたグランド電極を備え、かつ、該グランド電極
が、上部誘電体層から下部誘電体層まで貫通する複数の
導電性ビアによって、下部誘電体層の下面のグランド電
極に接続されていることが好ましい。
【0011】本発明に係る配線基板の別の好適な実施形
態においては、複数の信号線路系の入力側信号線路及び
出力側信号線路の一方が、配線基板の表面に配置され、
他方が配線基板の裏面に配置され、配線基板の表面及び
裏面には、信号線路の周囲にギャップを介してグランド
電極が形成されていることを特徴としている。この実施
形態においても、これらグランド電極が、上部誘電体層
から下部誘電体層まで貫通する複数の導電性ビアによっ
て、相互に接続されていることが好ましい。
態においては、複数の信号線路系の入力側信号線路及び
出力側信号線路の一方が、配線基板の表面に配置され、
他方が配線基板の裏面に配置され、配線基板の表面及び
裏面には、信号線路の周囲にギャップを介してグランド
電極が形成されていることを特徴としている。この実施
形態においても、これらグランド電極が、上部誘電体層
から下部誘電体層まで貫通する複数の導電性ビアによっ
て、相互に接続されていることが好ましい。
【0012】本発明に係る上記した配線基板はさらに、
配線基板を貫通し、ICチップを実装するための貫通孔
と、配線基板の裏面に積層されたベース基板であって、
その上面にICチップを配置するベース基板と、配線基
板の表面に設けられ、装着されたICチップを封止する
ための封止リングと、封止リングに装着される蓋とを備
えていることを特徴とし、ICチップを外部回路に接続
するために用いることができる。この場合、ベース基板
は、ICチップを冷却するための放熱材料で構成されて
いることが好ましい。
配線基板を貫通し、ICチップを実装するための貫通孔
と、配線基板の裏面に積層されたベース基板であって、
その上面にICチップを配置するベース基板と、配線基
板の表面に設けられ、装着されたICチップを封止する
ための封止リングと、封止リングに装着される蓋とを備
えていることを特徴とし、ICチップを外部回路に接続
するために用いることができる。この場合、ベース基板
は、ICチップを冷却するための放熱材料で構成されて
いることが好ましい。
【0013】
【発明の実施の態様】図1は、本発明に係る、ICチッ
プと外部接続端子とを接続するための信号線路が形成さ
れた高周波信号用の配線基板の第1の実施形態を示して
いる。図1の(A)の斜視図に示すように、第1の実施
形態の高周波用配線基板は、上部誘電体層1及び下部誘
電体層2の2層構造に形成されている。図1において、
(B)は、下部誘電体層の表面に形成された信号線路を
説明するための斜視図であり、(C)及び(D)は、
(A)におけるc−c線及びd−d線の断面図である。
プと外部接続端子とを接続するための信号線路が形成さ
れた高周波信号用の配線基板の第1の実施形態を示して
いる。図1の(A)の斜視図に示すように、第1の実施
形態の高周波用配線基板は、上部誘電体層1及び下部誘
電体層2の2層構造に形成されている。図1において、
(B)は、下部誘電体層の表面に形成された信号線路を
説明するための斜視図であり、(C)及び(D)は、
(A)におけるc−c線及びd−d線の断面図である。
【0014】配線基板の表面すなわち上部誘電体層1の
上面には、図1の(A)に示すように、信号線路La
1、La2、Lb1、及びLb2が形成され、上部誘電
体層1の中心線a−aに関して、信号線路La1及びL
a2がほぼ線対称に、また信号線路Lb1及びLb2も
ほぼ線対称に配置されている。なお、これらを必ずしも
線対称にする必要がないが、信号線La1とLb1の長
さを所定長さ以上相違させ、信号線路La2とLb2の
長さを所定長さ以上、相違させる必要がある。これら信
号線路La1、La2、Lb1及びLb2の内方(中心
線a−a側)端部には、導電体(金属)が充填されたバ
イアホールすなわち導電性ビアVHa1、VHa2、V
Hb1、VHb2が上部誘電体層1を貫通して設けられ
ている。上部誘電体層1の信号線路以外の部分には、信
号線路と所定幅のギャップを介して、導電膜G1が形成
され、該導電膜G1は、後述するように、グランド電位
に保持され、したがって、グランド電極を構成する。こ
れにより、これら4つの信号線路は、コプレーナ線路の
形態で構成され、クロストークが低減される。信号線路
La1及びLb1をICチップのリード端子接続用と
し、信号線路La2及びLb2を外部端子接続用とする
か、または、その逆に用いる。
上面には、図1の(A)に示すように、信号線路La
1、La2、Lb1、及びLb2が形成され、上部誘電
体層1の中心線a−aに関して、信号線路La1及びL
a2がほぼ線対称に、また信号線路Lb1及びLb2も
ほぼ線対称に配置されている。なお、これらを必ずしも
線対称にする必要がないが、信号線La1とLb1の長
さを所定長さ以上相違させ、信号線路La2とLb2の
長さを所定長さ以上、相違させる必要がある。これら信
号線路La1、La2、Lb1及びLb2の内方(中心
線a−a側)端部には、導電体(金属)が充填されたバ
イアホールすなわち導電性ビアVHa1、VHa2、V
Hb1、VHb2が上部誘電体層1を貫通して設けられ
ている。上部誘電体層1の信号線路以外の部分には、信
号線路と所定幅のギャップを介して、導電膜G1が形成
され、該導電膜G1は、後述するように、グランド電位
に保持され、したがって、グランド電極を構成する。こ
れにより、これら4つの信号線路は、コプレーナ線路の
形態で構成され、クロストークが低減される。信号線路
La1及びLb1をICチップのリード端子接続用と
し、信号線路La2及びLb2を外部端子接続用とする
か、または、その逆に用いる。
【0015】一方、配線基板の内面すなわち下部誘電体
層2の上面には、図1の(B)に示すように、その中心
部に信号線路La3及びLb3が形成されている。信号
線路La3は、図1の(C)に示すように、上部誘電体
層1に設けられた導電性ビアVHa1及びVHa2を介
して、信号線路La1とLa2とを電気的に接続し、信
号線路系aを構成する。信号線路Lb3は、図1の
(D)に示すように、導電性ビアVHb1及びVHb2
を介して、信号線路Lb1及びLb2を電気的に接続
し、信号線路系bを構成する。下部誘電体層2の下面に
は、その全面にグランド電極Gが形成されている。な
お、下面に信号線路が形成されている場合のように、下
面にグランド電極が形成されていない部分があると、プ
リント回路基板から電磁ノイズが入って、ICに悪影響
を与えたり、グランド電極に相当するメタル板により、
パッケージ内の信号線路のインピーダンスが変化してし
まい、IC、パッケージ、プリント回路基板の間のイン
ピーダンス整合がとれず、伝送損失が大きくなる等の問
題が生じる恐れがある。本発明の第1の実施形態におい
ては、全面がグランド電極であるため、これらの問題を
生じる恐れがない。
層2の上面には、図1の(B)に示すように、その中心
部に信号線路La3及びLb3が形成されている。信号
線路La3は、図1の(C)に示すように、上部誘電体
層1に設けられた導電性ビアVHa1及びVHa2を介
して、信号線路La1とLa2とを電気的に接続し、信
号線路系aを構成する。信号線路Lb3は、図1の
(D)に示すように、導電性ビアVHb1及びVHb2
を介して、信号線路Lb1及びLb2を電気的に接続
し、信号線路系bを構成する。下部誘電体層2の下面に
は、その全面にグランド電極Gが形成されている。な
お、下面に信号線路が形成されている場合のように、下
面にグランド電極が形成されていない部分があると、プ
リント回路基板から電磁ノイズが入って、ICに悪影響
を与えたり、グランド電極に相当するメタル板により、
パッケージ内の信号線路のインピーダンスが変化してし
まい、IC、パッケージ、プリント回路基板の間のイン
ピーダンス整合がとれず、伝送損失が大きくなる等の問
題が生じる恐れがある。本発明の第1の実施形態におい
ては、全面がグランド電極であるため、これらの問題を
生じる恐れがない。
【0016】各信号線路系a、bの単独の伝送特性にお
いて、それぞれのビア間の相互の干渉を低減するため、
VHa1とVHa2との距離及びVHb1とVHb2と
の距離はそれぞれ、基板の厚さの2倍以上離間させるこ
とが好ましい。また、下部誘電体層2の上面の信号線路
La3及びLb3以外の部分には、所定幅のギャップを
介して導電膜G2が形成され、該導電膜G2も、後述す
るようにグランド電位に保持されてグランド電極を形成
する。これにより、信号線路La3及びLb3もコプレ
ーナ線路で形成される。なお、クロストークに関しては
コプレーナ線路で形成することが好ましいが、インピー
ダンス整合に関してはストリップ線路で形成することが
好ましい。したがって、信号線路La3及びLb3に関
しては、必要な伝送特性等を考慮して、適宜の線路形態
で構成すればよい。
いて、それぞれのビア間の相互の干渉を低減するため、
VHa1とVHa2との距離及びVHb1とVHb2と
の距離はそれぞれ、基板の厚さの2倍以上離間させるこ
とが好ましい。また、下部誘電体層2の上面の信号線路
La3及びLb3以外の部分には、所定幅のギャップを
介して導電膜G2が形成され、該導電膜G2も、後述す
るようにグランド電位に保持されてグランド電極を形成
する。これにより、信号線路La3及びLb3もコプレ
ーナ線路で形成される。なお、クロストークに関しては
コプレーナ線路で形成することが好ましいが、インピー
ダンス整合に関してはストリップ線路で形成することが
好ましい。したがって、信号線路La3及びLb3に関
しては、必要な伝送特性等を考慮して、適宜の線路形態
で構成すればよい。
【0017】上記したように、2つの信号線路系a及び
bは、各信号線路系において、基板の中心線a−aから
異なる距離に配置された導電性ビアを介して電気的に接
続されているので、信号線路の不連続部である導電性ビ
ア付近での電磁放射等による相互干渉を受けにくい。し
たがって、クロストークが低減され、信号線路系の高ア
イソレーションを確保することができる。
bは、各信号線路系において、基板の中心線a−aから
異なる距離に配置された導電性ビアを介して電気的に接
続されているので、信号線路の不連続部である導電性ビ
ア付近での電磁放射等による相互干渉を受けにくい。し
たがって、クロストークが低減され、信号線路系の高ア
イソレーションを確保することができる。
【0018】図1の(A)及び(B)に示すように、本
発明の第1の実施形態の配線基板には、さらに、上部誘
電体層1及び下部誘電体層2を共に貫通し、下部誘電体
層2の下面のグランド電極Gから延びる導電体が充填さ
れた複数のグランドビアGVが形成されている。したが
って、上部誘電体層1及び下部誘電体層2の上部表面に
形成された導電膜G1及びG2は、グランドビアGVを
介して基板下面のグランド電極Gと電気的に接続され、
グランド電極と同電位すなわちグランド電位となる。グ
ランドビアGVは、信号線路系の長手方向と平行な列上
に、各信号線路系を挟んで配置されている。各グランド
ビアGVは、信号線路の中心と少なくとも所定の間隔
w、離間して配置されており、また、各列において、グ
ランドビアGVは、一定の離間間隔dで配置されてい
る。
発明の第1の実施形態の配線基板には、さらに、上部誘
電体層1及び下部誘電体層2を共に貫通し、下部誘電体
層2の下面のグランド電極Gから延びる導電体が充填さ
れた複数のグランドビアGVが形成されている。したが
って、上部誘電体層1及び下部誘電体層2の上部表面に
形成された導電膜G1及びG2は、グランドビアGVを
介して基板下面のグランド電極Gと電気的に接続され、
グランド電極と同電位すなわちグランド電位となる。グ
ランドビアGVは、信号線路系の長手方向と平行な列上
に、各信号線路系を挟んで配置されている。各グランド
ビアGVは、信号線路の中心と少なくとも所定の間隔
w、離間して配置されており、また、各列において、グ
ランドビアGVは、一定の離間間隔dで配置されてい
る。
【0019】基板を構成する誘電体層1及び2の比誘電
率をεr、信号線路系を伝搬する最も高い高周波信号の
空気中における波長をλとすると、グランドビアGVの
相互の間隔dは、 d<λ/(2×εr 1/2) を満足するよう設定することが好ましい。このように設
定することにより、信号線路から垂直方向に放射された
高周波信号がグランドビアGVの間隔から漏れ出すこと
を防止することができるので、伝送特性をより高周波ま
で向上させることができる。また、信号線路とグランド
ビアGVとの間隔wは、 w<λ/(4×εr 1/2) を満足するように形成することが好ましい。このように
設定することにより、信号線路から垂直方向に放射され
た高周波信号により、グランドビアGVまでの距離に起
因して生じる共振の発生を防止することができる。した
がって、λ以上の波長による共振が防止でき、0Hzか
ら波長λに相当する最も高い高周波まで、フラットに信
号を伝送することができる。
率をεr、信号線路系を伝搬する最も高い高周波信号の
空気中における波長をλとすると、グランドビアGVの
相互の間隔dは、 d<λ/(2×εr 1/2) を満足するよう設定することが好ましい。このように設
定することにより、信号線路から垂直方向に放射された
高周波信号がグランドビアGVの間隔から漏れ出すこと
を防止することができるので、伝送特性をより高周波ま
で向上させることができる。また、信号線路とグランド
ビアGVとの間隔wは、 w<λ/(4×εr 1/2) を満足するように形成することが好ましい。このように
設定することにより、信号線路から垂直方向に放射され
た高周波信号により、グランドビアGVまでの距離に起
因して生じる共振の発生を防止することができる。した
がって、λ以上の波長による共振が防止でき、0Hzか
ら波長λに相当する最も高い高周波まで、フラットに信
号を伝送することができる。
【0020】図1に示した第1の実施形態に基づいて形
成された配線基板を用いて、2つの信号線路系のクロス
トーク特性を、TLM(Transmission Line Modeling)
法を用いた3次元電磁界シミュレーションを行った。こ
のシミュレーションに採用した配線基板の構成は、以下
の通りである。 ・基板(上部誘電体層1及び下部誘電体層2)の比誘電
率εr:9.5 ・基板の厚み:0.3mm ・信号線路La1、La2の長さ:0.9mm ・信号線路La3の長さ:2.8mm ・信号線路Lb1、Lb2の長さ:1.3mm ・信号線路Lb3の長さ:2mm ・信号線路La1、La2、Lb1、Lb2の幅:0.
14mm ・信号線路La3、Lb3の幅:0.1mm ・信号線路La3、Lb3の表面からの深さ:0.1m
m ・信号線路系aとbとの間隔:0.8mm ・信号線路La1、La2、Lb1、Lb2と導電金属
膜G1との間のギャップ:0.13mm ・信号線路La3、Lb3と導電金属膜G2との間のギ
ャップ:0.21mm ・グランドビアGVの中心間隔(2w):0.8mm ・ビアの形状:0.13mm角の角柱 このシミュレーションの結果、図2の太線のグラフAで
示したクロストーク特性が得られた。
成された配線基板を用いて、2つの信号線路系のクロス
トーク特性を、TLM(Transmission Line Modeling)
法を用いた3次元電磁界シミュレーションを行った。こ
のシミュレーションに採用した配線基板の構成は、以下
の通りである。 ・基板(上部誘電体層1及び下部誘電体層2)の比誘電
率εr:9.5 ・基板の厚み:0.3mm ・信号線路La1、La2の長さ:0.9mm ・信号線路La3の長さ:2.8mm ・信号線路Lb1、Lb2の長さ:1.3mm ・信号線路Lb3の長さ:2mm ・信号線路La1、La2、Lb1、Lb2の幅:0.
14mm ・信号線路La3、Lb3の幅:0.1mm ・信号線路La3、Lb3の表面からの深さ:0.1m
m ・信号線路系aとbとの間隔:0.8mm ・信号線路La1、La2、Lb1、Lb2と導電金属
膜G1との間のギャップ:0.13mm ・信号線路La3、Lb3と導電金属膜G2との間のギ
ャップ:0.21mm ・グランドビアGVの中心間隔(2w):0.8mm ・ビアの形状:0.13mm角の角柱 このシミュレーションの結果、図2の太線のグラフAで
示したクロストーク特性が得られた。
【0021】また、本発明の上記した例のクロストーク
特性と比較するために、2つの信号線路系a及びbを同
一構成とした配線基板(比較例)を用いて、TLM法に
よる同様なシミュレーションを行った。このシミュレー
ションで用いた配線基板は、信号線路La1、La2、
Lb1、Lb2の長さを総て0.9mmに設定し、信号
線路La3、Lb3の長さを総て2.8mmに設定し
た。したがって、導電性ビアVHa1とVHb1とが入
力端から同一距離であり、導電性ビアVHa2とVHb
2とが出力端から同一距離に形成された。他の構成は、
本発明の上記例と同一である。この比較例を用いたシミ
ュレーションの結果、図2の細線のグラフBで示したク
ロストーク特性が得られた。
特性と比較するために、2つの信号線路系a及びbを同
一構成とした配線基板(比較例)を用いて、TLM法に
よる同様なシミュレーションを行った。このシミュレー
ションで用いた配線基板は、信号線路La1、La2、
Lb1、Lb2の長さを総て0.9mmに設定し、信号
線路La3、Lb3の長さを総て2.8mmに設定し
た。したがって、導電性ビアVHa1とVHb1とが入
力端から同一距離であり、導電性ビアVHa2とVHb
2とが出力端から同一距離に形成された。他の構成は、
本発明の上記例と同一である。この比較例を用いたシミ
ュレーションの結果、図2の細線のグラフBで示したク
ロストーク特性が得られた。
【0022】図2のグラフA及びBを対比すると明らか
なように、本発明の実施例においては、80GHz近傍
まで−30dB以上の高いアイソレーションが得られた
が、比較例においては、60−75GHzの範囲におい
て、2つの信号線路系a及びbのクロストークが生じて
おり、十分なアイソレーションが得られていない。した
がって、シミュレーションの結果、2以上の信号線路系
を配線基板に平行に設けた場合、上部誘電体層1上の信
号線路と下部誘電体層2上の信号線路との接続点(導電
性ビアの位置)の配線基板中心線からの距離を、隣接す
る信号線路系で異ならせることにより、クロストークが
改善されたアイソレーションを確保可能であることが明
らかである。
なように、本発明の実施例においては、80GHz近傍
まで−30dB以上の高いアイソレーションが得られた
が、比較例においては、60−75GHzの範囲におい
て、2つの信号線路系a及びbのクロストークが生じて
おり、十分なアイソレーションが得られていない。した
がって、シミュレーションの結果、2以上の信号線路系
を配線基板に平行に設けた場合、上部誘電体層1上の信
号線路と下部誘電体層2上の信号線路との接続点(導電
性ビアの位置)の配線基板中心線からの距離を、隣接す
る信号線路系で異ならせることにより、クロストークが
改善されたアイソレーションを確保可能であることが明
らかである。
【0023】図3は、本発明に係る配線基板の第2の実
施形態を示している。第2の実施形態が第1の実施形態
と相違する点は、上部誘電体層1上の信号線路La1と
La2、及び信号線路Lb1とLb2が、配線基板の中
心線a−aに関して線対称には配置されていないことで
ある。ただし、第2の実施形態においても、中心線a−
aからのこれら信号線路の内方端部の距離が相違してい
る。したがって、必然的に、下部誘電体層2の上面上の
信号線路La3及びLb3の配置位置及び長さが、第1
の実施形態のものとは相違している。それ以外について
は、第1の実施形態と同様である。第2の実施形態も、
第1の実施形態と同様な作用効果を奏することができ
る。
施形態を示している。第2の実施形態が第1の実施形態
と相違する点は、上部誘電体層1上の信号線路La1と
La2、及び信号線路Lb1とLb2が、配線基板の中
心線a−aに関して線対称には配置されていないことで
ある。ただし、第2の実施形態においても、中心線a−
aからのこれら信号線路の内方端部の距離が相違してい
る。したがって、必然的に、下部誘電体層2の上面上の
信号線路La3及びLb3の配置位置及び長さが、第1
の実施形態のものとは相違している。それ以外について
は、第1の実施形態と同様である。第2の実施形態も、
第1の実施形態と同様な作用効果を奏することができ
る。
【0024】図1及び図3に示した第1及び第2の実施
形態においては、2つの信号線路系(すなわち、信号線
路La1、La3及びLa2の組と信号線路Lb1、L
b3及びLb2の組)を形成した例を示しているが、信
号線路系の数を3以上設けてもよいことは言うまでもな
い。ただし、いずれの場合でも、上部誘電体層1の表面
に形成される隣接する信号線路系の長さを異ならせる、
すなわち、配線基板の端部又は中心線から見た導電性ビ
アVHa1及びVHb1の位置をずらし、かつ、導電性
ビアVHa2及びVHb2の位置をずらす必要があるこ
とは言うまでもない。
形態においては、2つの信号線路系(すなわち、信号線
路La1、La3及びLa2の組と信号線路Lb1、L
b3及びLb2の組)を形成した例を示しているが、信
号線路系の数を3以上設けてもよいことは言うまでもな
い。ただし、いずれの場合でも、上部誘電体層1の表面
に形成される隣接する信号線路系の長さを異ならせる、
すなわち、配線基板の端部又は中心線から見た導電性ビ
アVHa1及びVHb1の位置をずらし、かつ、導電性
ビアVHa2及びVHb2の位置をずらす必要があるこ
とは言うまでもない。
【0025】また、第1の実施形態で示した構成を、I
Cチップを実装する矩形状の配線基板の4辺中の少なく
とも1辺に配置することにより、そのICチップと外部
接続端子とを接続することができる。第2の実施形態に
ついても同様である。さらに、第1の実施形態の構成及
び第2の実施形態の構成を任意に選択して、矩形状の配
線基板の4辺又は2辺に配置してもよい。図4は、この
ような例に相当する、本発明に係る配線基板の第3の実
施形態を示している。図4において、(A)は配線基板
の上部誘電体層1の上面図、(B)は下部誘電体層2の
内面の上面図、(C)及び(D)は、線c−c及び線d
−dからみた場合の配線基板の断面図である。なお、
(C)及び(D)は、ICチップ3を基板の中央部に実
装し、かつ蓋体4を実装した状態で示している。5はベ
ース基板であり、ICチップを冷却するための放熱用ヒ
ートスラグ機能を備えている。
Cチップを実装する矩形状の配線基板の4辺中の少なく
とも1辺に配置することにより、そのICチップと外部
接続端子とを接続することができる。第2の実施形態に
ついても同様である。さらに、第1の実施形態の構成及
び第2の実施形態の構成を任意に選択して、矩形状の配
線基板の4辺又は2辺に配置してもよい。図4は、この
ような例に相当する、本発明に係る配線基板の第3の実
施形態を示している。図4において、(A)は配線基板
の上部誘電体層1の上面図、(B)は下部誘電体層2の
内面の上面図、(C)及び(D)は、線c−c及び線d
−dからみた場合の配線基板の断面図である。なお、
(C)及び(D)は、ICチップ3を基板の中央部に実
装し、かつ蓋体4を実装した状態で示している。5はベ
ース基板であり、ICチップを冷却するための放熱用ヒ
ートスラグ機能を備えている。
【0026】この第3の実施形態においては、図4の
(A)〜(D)に示すように、第1の実施形態の構成
を、矩形状の配線基板の4辺に配置している。そして、
左右の対向する2辺はそれぞれ2つ信号線路系を形成
し、上下の対向する2辺はそれぞれ4つの信号線路系が
形成されている。また、配線基板は、(C)及び(D)
に示すように、上部誘電体層1、下部誘電体層2、及び
ベース基板5の積層構造で形成され、その中心部にはI
Cチップ3をベース基板5上に実装し収納するためのキ
ャビティ6が形成されている。さらに、上部誘電体層1
上には封止リング7が形成され、該リング7上には蓋体
4が装着されて、キャビティ6を封止する。封止リング
7は、ICチップ3への接続用の内側の信号線路と、外
部接続用の外側の信号線路との間に形成されている。
(A)〜(D)に示すように、第1の実施形態の構成
を、矩形状の配線基板の4辺に配置している。そして、
左右の対向する2辺はそれぞれ2つ信号線路系を形成
し、上下の対向する2辺はそれぞれ4つの信号線路系が
形成されている。また、配線基板は、(C)及び(D)
に示すように、上部誘電体層1、下部誘電体層2、及び
ベース基板5の積層構造で形成され、その中心部にはI
Cチップ3をベース基板5上に実装し収納するためのキ
ャビティ6が形成されている。さらに、上部誘電体層1
上には封止リング7が形成され、該リング7上には蓋体
4が装着されて、キャビティ6を封止する。封止リング
7は、ICチップ3への接続用の内側の信号線路と、外
部接続用の外側の信号線路との間に形成されている。
【0027】第3の実施形態において、各辺の信号線路
のパターンとして、第1及び第2の実施形態の信号線路
の構成を任意に組み合わせてもよいことは、上記したと
おりである。信号線路系の数が図示のものに限定されな
いことは、第1及び第2の実施形態の場合と同様であ
る。第3の実施形態も、第1及び第2の実施形態と同様
な作用効果を奏することができる。
のパターンとして、第1及び第2の実施形態の信号線路
の構成を任意に組み合わせてもよいことは、上記したと
おりである。信号線路系の数が図示のものに限定されな
いことは、第1及び第2の実施形態の場合と同様であ
る。第3の実施形態も、第1及び第2の実施形態と同様
な作用効果を奏することができる。
【0028】図5は、本発明に係る配線基板の第4の実
施形態を示している。第4の実施形態は、図1に示した
第1の実施形態において、出力端側の信号配線La2及
びLb2を配線基板の裏面すなわち下部誘電体層2の下
面に形成し、そして、信号線路La2とLa3とを接続
する導電性ビアVHa2、及び、信号線路Lb2とLb
3とを接続する導電性ビアVHb2を、下部誘電体層2
を貫通するように変形したものである。第4の実施形態
においても、入力端からの信号線路の長さ及び出力端か
らの信号線路の長さが、隣接する信号線線路系で相互に
異なっていればよいので、信号線路の配置関係は、図示
のものに限定されず、例えば、図3に示した第2の実施
形態において、信号線路La2及びLb2を配線基板の
裏面に配置するように変形してもよい。
施形態を示している。第4の実施形態は、図1に示した
第1の実施形態において、出力端側の信号配線La2及
びLb2を配線基板の裏面すなわち下部誘電体層2の下
面に形成し、そして、信号線路La2とLa3とを接続
する導電性ビアVHa2、及び、信号線路Lb2とLb
3とを接続する導電性ビアVHb2を、下部誘電体層2
を貫通するように変形したものである。第4の実施形態
においても、入力端からの信号線路の長さ及び出力端か
らの信号線路の長さが、隣接する信号線線路系で相互に
異なっていればよいので、信号線路の配置関係は、図示
のものに限定されず、例えば、図3に示した第2の実施
形態において、信号線路La2及びLb2を配線基板の
裏面に配置するように変形してもよい。
【0029】図6は、本発明に係る配線基板の第5の実
施形態を示している。第5の実施形態においては、配線
基板を1つの誘電体層のみとし、その表面に異なる長さ
の信号線路La1及びLb1を形成し、裏面に異なる長
さの信号線路La2及びLb2を形成している。そし
て、信号線路La1とLa2とを導電性ビアVHa1に
より電気的に接続し、信号線路Lb1及びLb2とを導
電性ビアVHb1により電気的に接続している。また、
基板表面には、信号線路La1及びLb1以外の部分に
導電膜G1が形成され、基板裏面には、信号線路La2
及びLb2以外の部分にグランド電極Gが形成され、導
電膜G1及びグランド電極GとがグランドビアGVによ
って電気的に接続されている。入力側の信号線路を基板
裏面に、出力側の信号線路を基板表面に形成してもよ
い。
施形態を示している。第5の実施形態においては、配線
基板を1つの誘電体層のみとし、その表面に異なる長さ
の信号線路La1及びLb1を形成し、裏面に異なる長
さの信号線路La2及びLb2を形成している。そし
て、信号線路La1とLa2とを導電性ビアVHa1に
より電気的に接続し、信号線路Lb1及びLb2とを導
電性ビアVHb1により電気的に接続している。また、
基板表面には、信号線路La1及びLb1以外の部分に
導電膜G1が形成され、基板裏面には、信号線路La2
及びLb2以外の部分にグランド電極Gが形成され、導
電膜G1及びグランド電極GとがグランドビアGVによ
って電気的に接続されている。入力側の信号線路を基板
裏面に、出力側の信号線路を基板表面に形成してもよ
い。
【0030】第4及び第5の実施形態の信号線路の構成
を、第3の実施形態のように、矩形基板の任意の複数辺
に配置してもよい。また、この場合、信号線路系の数が
図5及び図6のものに限定されないことは、言うまでも
ない。第4及び第5の実施形態も、クロストークの低減
に関して、第1〜第3の実施形態と同様な作用効果を奏
することができる。
を、第3の実施形態のように、矩形基板の任意の複数辺
に配置してもよい。また、この場合、信号線路系の数が
図5及び図6のものに限定されないことは、言うまでも
ない。第4及び第5の実施形態も、クロストークの低減
に関して、第1〜第3の実施形態と同様な作用効果を奏
することができる。
【0031】第1〜第5の実施形態の上記した以外の種
々の変形及び変更が可能であることが明らかであろう。
例えば、S/N比の許容値によっては、信号線路系と平
行に設けたグランドビア列を削除してもよい。また、配
線基板を誘電体層の3層以上の構造とし、複数の信号配
線系の内面の信号配線を、異なる内面に配置してもよ
い。さらに、図4においては、信号線路のみを示した
が、例えば、これら信号線路の一部をバイアス線路に置
き換えてもよく、新たに信号線路以外の線路を追加して
もよい。
々の変形及び変更が可能であることが明らかであろう。
例えば、S/N比の許容値によっては、信号線路系と平
行に設けたグランドビア列を削除してもよい。また、配
線基板を誘電体層の3層以上の構造とし、複数の信号配
線系の内面の信号配線を、異なる内面に配置してもよ
い。さらに、図4においては、信号線路のみを示した
が、例えば、これら信号線路の一部をバイアス線路に置
き換えてもよく、新たに信号線路以外の線路を追加して
もよい。
【0032】本発明は以上のように構成され、各信号線
路系において、信号線路と信号線路との接続点の基板端
部からの距離を、隣接する信号線路系で異ならせている
ので、これら信号線路系相互に高いアイソレーションを
確保することができる。また、隣接する信号線路系の間
に、これら信号線路系に沿ってグランドビア列を設けた
場合は、一層高いアイソレーションが得られ、また、高
周波まで伝送可能である。さらに、基板表面及び基板内
面の信号線路をコプレーナ線路で形成し、内面の導電膜
をグランドビアによりグランド電極と同電位にした場合
には、隣接する信号線路系のアイソレーションをより高
度に確保することができる。さらにまた、配線基板の裏
面全面をグランド電極とした場合は、放熱用のヒートス
ラグを配置することが容易となる。
路系において、信号線路と信号線路との接続点の基板端
部からの距離を、隣接する信号線路系で異ならせている
ので、これら信号線路系相互に高いアイソレーションを
確保することができる。また、隣接する信号線路系の間
に、これら信号線路系に沿ってグランドビア列を設けた
場合は、一層高いアイソレーションが得られ、また、高
周波まで伝送可能である。さらに、基板表面及び基板内
面の信号線路をコプレーナ線路で形成し、内面の導電膜
をグランドビアによりグランド電極と同電位にした場合
には、隣接する信号線路系のアイソレーションをより高
度に確保することができる。さらにまた、配線基板の裏
面全面をグランド電極とした場合は、放熱用のヒートス
ラグを配置することが容易となる。
【図1】本発明に係る配線基板の第1の実施形態を説明
するための図である。
するための図である。
【図2】第1の実施形態をシミュレーションした場合の
アイソレーション特性を示すグラフである。
アイソレーション特性を示すグラフである。
【図3】本発明に係る配線基板の第2の実施形態を説明
するための図である。
するための図である。
【図4】本発明に係る配線基板の第3の実施形態を説明
するための図である。
するための図である。
【図5】本発明に係る配線基板の第4の実施形態を説明
するための図である。
するための図である。
【図6】本発明に係る配線基板の第5の実施形態を説明
するための図である。
するための図である。
【図7】従来例の配線基板を説明するための図である。
1…上部誘電体層 2…下部誘電体層 3…ICチ
ップ 4…蓋 5…ベース基板(ヒートスラグ) 6…キャビティ
7…封止リング La1〜La3、Lb1〜Lb3…信号線路 G…グ
ランド電極 G1、G2…導電膜(グランド電極) VHa1、VHa2、VHb1、VHb2…導電性ビア GV…グランドビア
ップ 4…蓋 5…ベース基板(ヒートスラグ) 6…キャビティ
7…封止リング La1〜La3、Lb1〜Lb3…信号線路 G…グ
ランド電極 G1、G2…導電膜(グランド電極) VHa1、VHa2、VHb1、VHb2…導電性ビア GV…グランドビア
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フロントページの続き
(51)Int.Cl.7 識別記号 FI テーマコート゛(参考)
H05K 1/11 H05K 3/46 N
3/46 Q
U
H01L 23/12 J
(72)発明者 塩原 正人
兵庫県尼崎市扶桑町1番8号 住友金属工
業株式会社エレクトロニクス技術研究所内
(72)発明者 山元 寿文
兵庫県尼崎市扶桑町1番8号 住友金属工
業株式会社エレクトロニクス技術研究所内
Fターム(参考) 5E317 AA24 CD34 GG11
5E338 AA03 CC01 CC06 CD23 CD24
EE13
5E346 AA13 AA15 AA43 BB04 BB06
BB11 FF01 HH04 HH06
Claims (9)
- 【請求項1】 複数の信号線路系を備えた高周波信号用
の配線基板において、 各信号線路系は、その入力端及び出力端の間が、導電性
ビアによって電気的に接続された複数の信号線路に分割
されており、 複数の信号線路系は、それぞれの入力端から延在する入
力側信号線路及び出力端から延在する出力側信号線路の
少なくとも一方が、配線基板の表面に配置されており、 隣接する2つの信号線路系において、信号線路の接続用
の導電性ビアが、信号線路系の入力端から相互に異なる
距離の位置、及び信号線路系の出力端から相互に異なる
距離の位置に設けられていることを特徴とする配線基
板。 - 【請求項2】 請求項1記載の配線基板において、 該配線基板は、積層された上部誘電体層及び下部誘電体
層からなり、 複数の信号線路系の入力側信号線路及び出力側信号線路
が、配線基板の表面となる上部誘電体層の上面に形成さ
れ、 複数の信号線路系のそれぞれにおいて、入力側信号線路
と出力側信号線路とを導電性ビアを介して接続する信号
線路が、下部誘電体層の上面に形成され、 上部誘電体層の上面に、信号線路の周囲にギャップを介
してグランド電極が形成され、 配線基板の裏面となる下部誘電体層の下面全面にグラン
ド電極が形成されていることを特徴とする配線基板。 - 【請求項3】 請求項1記載の配線基板において、 該配線基板は、積層された上部誘電体層及び下部誘電体
層からなり、 複数の信号線路系の入力側信号線路及び出力側信号線路
の一方が、配線基板の表面となる上部誘電体層の上面に
形成され、 複数の信号線路系の入力側信号線路及び出力側信号線路
の他方が、配線基板の裏面となる下部誘電体層の下面に
形成され、 複数の信号線路系のそれぞれにおいて、入力側信号線路
と出力側信号線路とを導電性ビアを介して接続する信号
線路が、下部誘電体層の上面に形成され、 上部誘電体層の上面及び下部誘電体層の下面に、信号線
路の周囲にギャップを介してグランド電極が形成されて
いることを特徴とする配線基板。 - 【請求項4】 請求項1記載の配線基板において、 複数の信号線路系の入力側信号線路及び出力側信号線路
の一方が、配線基板の表面に配置され、他方が配線基板
の裏面に配置され、 配線基板の表面及び裏面には、信号線路の周囲にギャッ
プを介してグランド電極が形成されていることを特徴と
する配線基板。 - 【請求項5】 請求項2又は3記載の配線基板におい
て、該配線基板はさらに、下部誘電体層の上面に、信号
線路の周囲にギャップを介して形成されたグランド電極
を備えていることを特徴とする配線基板。 - 【請求項6】 請求項2〜5いずれかに記載の配線基板
において、該配線基板はさらに、上部誘電体層から下部
誘電体層まで貫通し、下部誘電体層の下面のグランド電
極に接続された複数の導電性ビアを備えていることを特
徴とする配線基板。 - 【請求項7】 請求項1〜6いずれかに記載の配線基板
において、該配線基板は、ICチップを外部回路に接続
するためのものであり、配線基板はさらに、 配線基板を貫通し、ICチップを実装するための貫通孔
と、 配線基板の裏面に積層されたベース基板であって、その
上面にICチップを配置するベース基板と、 配線基板の表面に設けられ、装着されたICチップを封
止するための封止リングと、 封止リングに装着される蓋とを備えていることを特徴と
する配線基板。 - 【請求項8】 請求項7記載の配線基板において、ベー
ス基板は、ICチップを冷却するための放熱材料で構成
されていることを特徴とする配線基板。 - 【請求項9】 請求項7又は8記載の配線基板におい
て、該配線基板は、矩形形状であり、貫通孔の周囲の4
辺の少なくとも1辺に、複数の信号線路系が形成されて
いることを特徴とする配線基板。
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JP2001329080A JP2003133471A (ja) | 2001-10-26 | 2001-10-26 | 高周波信号用の配線基板 |
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JP2001329080A JP2003133471A (ja) | 2001-10-26 | 2001-10-26 | 高周波信号用の配線基板 |
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Cited By (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2005093828A1 (ja) * | 2004-03-26 | 2005-10-06 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | 高周波パッケージ、送受信モジュールおよび無線装置 |
JP2005311337A (ja) * | 2004-03-26 | 2005-11-04 | Mitsubishi Electric Corp | 高周波パッケージ、送受信モジュールおよび無線装置 |
JP2005311338A (ja) * | 2004-03-26 | 2005-11-04 | Mitsubishi Electric Corp | 高周波パッケージ、送受信モジュールおよび無線装置 |
EP1605735A3 (en) * | 2004-06-11 | 2007-12-26 | Kabushiki Kaisha Toshiba | High frequency multilayer integrated circuit |
JP2009194942A (ja) * | 2009-06-05 | 2009-08-27 | Panasonic Corp | 弾性波フィルタ |
WO2009147956A1 (ja) * | 2008-06-06 | 2009-12-10 | 国立大学法人東北大学 | 多層配線基板 |
-
2001
- 2001-10-26 JP JP2001329080A patent/JP2003133471A/ja active Pending
Cited By (17)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP4634836B2 (ja) * | 2004-03-26 | 2011-02-16 | 三菱電機株式会社 | 高周波パッケージ、送受信モジュールおよび無線装置 |
JP4634837B2 (ja) * | 2004-03-26 | 2011-02-16 | 三菱電機株式会社 | 高周波パッケージ、送受信モジュールおよび無線装置 |
WO2005093828A1 (ja) * | 2004-03-26 | 2005-10-06 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | 高周波パッケージ、送受信モジュールおよび無線装置 |
US7336221B2 (en) | 2004-03-26 | 2008-02-26 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | High frequency package, transmitting and receiving module and wireless equipment |
JP2005311338A (ja) * | 2004-03-26 | 2005-11-04 | Mitsubishi Electric Corp | 高周波パッケージ、送受信モジュールおよび無線装置 |
JP2005311337A (ja) * | 2004-03-26 | 2005-11-04 | Mitsubishi Electric Corp | 高周波パッケージ、送受信モジュールおよび無線装置 |
US7355863B2 (en) | 2004-06-11 | 2008-04-08 | Kabushiki Kaisha Toshiba | High frequency multilayer integrated circuit |
EP1605735A3 (en) * | 2004-06-11 | 2007-12-26 | Kabushiki Kaisha Toshiba | High frequency multilayer integrated circuit |
EP2284882A1 (en) * | 2008-06-06 | 2011-02-16 | National University Corporation Tohoku University | Multilayer wiring board |
WO2009147956A1 (ja) * | 2008-06-06 | 2009-12-10 | 国立大学法人東北大学 | 多層配線基板 |
CN102057483A (zh) * | 2008-06-06 | 2011-05-11 | 国立大学法人东北大学 | 多层配线基板 |
EP2284882A4 (en) * | 2008-06-06 | 2012-06-27 | Univ Tohoku Nat Univ Corp | MULTILAYER WIRING BOARD |
JP5388071B2 (ja) * | 2008-06-06 | 2014-01-15 | 国立大学法人東北大学 | 多層配線基板 |
US8633395B2 (en) | 2008-06-06 | 2014-01-21 | National University Corporation Tohoku University | Multilayer wiring board |
TWI463933B (zh) * | 2008-06-06 | 2014-12-01 | Univ Tohoku Nat Univ Corp | 多層配線基板 |
KR101573959B1 (ko) * | 2008-06-06 | 2015-12-02 | 고쿠리츠 다이가쿠 호진 도호쿠 다이가쿠 | 다층 배선 기판 |
JP2009194942A (ja) * | 2009-06-05 | 2009-08-27 | Panasonic Corp | 弾性波フィルタ |
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