JP2003133471A - 高周波信号用の配線基板 - Google Patents
高周波信号用の配線基板Info
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- JP2003133471A JP2003133471A JP2001329080A JP2001329080A JP2003133471A JP 2003133471 A JP2003133471 A JP 2003133471A JP 2001329080 A JP2001329080 A JP 2001329080A JP 2001329080 A JP2001329080 A JP 2001329080A JP 2003133471 A JP2003133471 A JP 2003133471A
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- H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/151—Die mounting substrate
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- H01L2924/15192—Resurf arrangement of the internal vias
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- Production Of Multi-Layered Print Wiring Board (AREA)
- Printing Elements For Providing Electric Connections Between Printed Circuits (AREA)
- Structure Of Printed Boards (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】準ミリ波帯及びミリ波帯の信号であっても隣接
する信号線路系間のクロストークを低減する。 【解決手段】上部誘電体層１の上面に信号線路Ｌａ１、
Ｌａ２、Ｌｂ１、Ｌｂ２が形成され、下部誘電体層２の
上面に信号線路Ｌａ３、Ｌｂ３が形成されている。信号
線路Ｌａ３は、上部誘電体層１を貫通する導電性ビアＶ
Ｈａ１及びＶＨａ２を介して信号線路Ｌａ１とＬａ２と
を電気的に接続し、信号線路Ｌｂ３は、上部誘電体層１
を貫通する導電性ビアＶＨｂ１及びＶＨｂ２を介して信
号線路Ｌｂ１とＬｂ２とを電気的に接続する。上部及び
下部誘電体層の上面、並びに下部誘電体層の下面には、
グランド電極Ｇ１、Ｇ２、Ｇが形成され、各信号線路系
はコプレーナ線路で形成される。入力端側及び出力端側
の信号線路が、隣接する信号線路系で相互に異なる長さ
に形成されているので、電磁放射等による相互干渉を受
けにくく、クロストークが低減される。
する信号線路系間のクロストークを低減する。 【解決手段】上部誘電体層１の上面に信号線路Ｌａ１、
Ｌａ２、Ｌｂ１、Ｌｂ２が形成され、下部誘電体層２の
上面に信号線路Ｌａ３、Ｌｂ３が形成されている。信号
線路Ｌａ３は、上部誘電体層１を貫通する導電性ビアＶ
Ｈａ１及びＶＨａ２を介して信号線路Ｌａ１とＬａ２と
を電気的に接続し、信号線路Ｌｂ３は、上部誘電体層１
を貫通する導電性ビアＶＨｂ１及びＶＨｂ２を介して信
号線路Ｌｂ１とＬｂ２とを電気的に接続する。上部及び
下部誘電体層の上面、並びに下部誘電体層の下面には、
グランド電極Ｇ１、Ｇ２、Ｇが形成され、各信号線路系
はコプレーナ線路で形成される。入力端側及び出力端側
の信号線路が、隣接する信号線路系で相互に異なる長さ
に形成されているので、電磁放射等による相互干渉を受
けにくく、クロストークが低減される。
Description
【０００１】
【発明の技術分野】本発明は、高周波用配線基板に関
し、より詳細には、準ミリ波帯及びミリ波帯の高周波信
号を伝送する複数の信号線路を組み込んだ配線基板に関
する。なお、ここで、配線基板とは、回路基板の他、回
路基板上にＩＣチップを実装するための領域、封止リン
グ及び蓋などを備えたＩＣ収納用パッケージも含むもの
とする。
し、より詳細には、準ミリ波帯及びミリ波帯の高周波信
号を伝送する複数の信号線路を組み込んだ配線基板に関
する。なお、ここで、配線基板とは、回路基板の他、回
路基板上にＩＣチップを実装するための領域、封止リン
グ及び蓋などを備えたＩＣ収納用パッケージも含むもの
とする。
【０００２】
【従来の技術】図７は、特開平４−３３６７０２号公報
に記載されている、従来例の高周波信号用の半導体装置
を組み込むためのＩＣパッケージを示している。該ＩＣ
パッケージは、パッケージ基板１、パッケージ側壁２、
及び封止蓋３によってキャビティが構成され、該キャビ
ティ内に、ＩＣチップを実装するダイボンディング領域
４と、高周波伝送線路を構成する内部コプレーナ線路２
０が形成された誘電体基板６とが設けられている。そし
て、パッケージ基板１の底面部にリード端子を構成する
外部コプレーナ線路１０が設けられ、外部コプレーナ線
路１０と内部コプレーナ線路２０との接地金属薄膜８、
１８同士及び信号線金属薄膜９、１９同士を、バイアホ
ール１１によって電気的に接続している。この従来例に
おいては、信号線路をコプレーナ線路すなわちコプレー
ナ・ウエーブガイド構造によって形成しているため、信
号周波数が高周波帯中の比較的低い周波数である場合に
は、隣接する信号線路のアイソレーションを確保するこ
とができる。
に記載されている、従来例の高周波信号用の半導体装置
を組み込むためのＩＣパッケージを示している。該ＩＣ
パッケージは、パッケージ基板１、パッケージ側壁２、
及び封止蓋３によってキャビティが構成され、該キャビ
ティ内に、ＩＣチップを実装するダイボンディング領域
４と、高周波伝送線路を構成する内部コプレーナ線路２
０が形成された誘電体基板６とが設けられている。そし
て、パッケージ基板１の底面部にリード端子を構成する
外部コプレーナ線路１０が設けられ、外部コプレーナ線
路１０と内部コプレーナ線路２０との接地金属薄膜８、
１８同士及び信号線金属薄膜９、１９同士を、バイアホ
ール１１によって電気的に接続している。この従来例に
おいては、信号線路をコプレーナ線路すなわちコプレー
ナ・ウエーブガイド構造によって形成しているため、信
号周波数が高周波帯中の比較的低い周波数である場合に
は、隣接する信号線路のアイソレーションを確保するこ
とができる。
【０００３】一方、オプトエレクトロニクス分野のマル
チプレクサ、デマルチプレクサ、ドライバ等のＩＣにお
いては、数１０ｋＨｚから準ミリ波帯（１０〜３０ＧＨ
ｚ）あるいはミリ波帯（３０〜３００ＧＨｚ）までの信
号をフラットに伝送する信号線が要求されるようになっ
てきた。また、オプトエレクトロニクス分野に限らず、
種々のＩＣにおいても同様に、高周波帯域化が図られて
きている。このような準ミリ波帯〜ミリ波帯、又はこれ
ら周波数帯を含んだブロードバンド又はウルトラワイド
バンドの信号を処理するＩＣを基板上に形成してパッケ
ージ化した場合、図７に示した従来例のパッケージのよ
うに、内部信号線路及び外部信号線路をコプレーナ線路
で形成したとしても、必ずしも、隣接配置される複数の
信号線路間に十分なアイソレーションが得られるもので
はなく、クロストークが発生してしまう。このクロスト
ークの問題は、近年の電子デバイスの小型化及び高密度
化によって、基板上の信号線路間隔がより狭く設定され
ていることから、より切実な問題となっている。特に、
基板信号線路の間隔がλ／√εr（λ：伝送信号の空気
中における波長、εr：基板の比誘電率）以下で、隣接
している距離がλ／（２√εr）以上におよぶ場合、ク
ロストークの問題は無視できなくなり、そして、信号線
路の間隔がλ／（２√εr）以下になると、クロストー
クは非常に顕著になってくる。
チプレクサ、デマルチプレクサ、ドライバ等のＩＣにお
いては、数１０ｋＨｚから準ミリ波帯（１０〜３０ＧＨ
ｚ）あるいはミリ波帯（３０〜３００ＧＨｚ）までの信
号をフラットに伝送する信号線が要求されるようになっ
てきた。また、オプトエレクトロニクス分野に限らず、
種々のＩＣにおいても同様に、高周波帯域化が図られて
きている。このような準ミリ波帯〜ミリ波帯、又はこれ
ら周波数帯を含んだブロードバンド又はウルトラワイド
バンドの信号を処理するＩＣを基板上に形成してパッケ
ージ化した場合、図７に示した従来例のパッケージのよ
うに、内部信号線路及び外部信号線路をコプレーナ線路
で形成したとしても、必ずしも、隣接配置される複数の
信号線路間に十分なアイソレーションが得られるもので
はなく、クロストークが発生してしまう。このクロスト
ークの問題は、近年の電子デバイスの小型化及び高密度
化によって、基板上の信号線路間隔がより狭く設定され
ていることから、より切実な問題となっている。特に、
基板信号線路の間隔がλ／√εr（λ：伝送信号の空気
中における波長、εr：基板の比誘電率）以下で、隣接
している距離がλ／（２√εr）以上におよぶ場合、ク
ロストークの問題は無視できなくなり、そして、信号線
路の間隔がλ／（２√εr）以下になると、クロストー
クは非常に顕著になってくる。
【０００４】また、図７の従来例のＩＣパッケージにお
いては、パッケージ基板１の裏面に形成された外部接続
端子である接地線金属薄膜８及び信号線金属薄膜９を、
パッケージ基板１及び誘電体基板６を通して形成される
バイアホール１１を介して、ダイボンディング領域４に
実装されるＩＣチップに接続しており、このため、パッ
ケージ基板１の裏面全面を接地電極とすることができな
い。したがって、ＩＣチップの冷却用のヒートスラグを
パッケージ基板１の裏面に取り付ける場合に、接地金属
薄膜８と信号線金属薄膜９とのショートを防止するよう
に取り付ける必要があり、よって、ヒートスラグを小型
化せざるを得ず、十分な冷却効果を得ることが困難であ
る。また、場合によっては、ヒートスラグを取り付ける
こと自体が困難である。
いては、パッケージ基板１の裏面に形成された外部接続
端子である接地線金属薄膜８及び信号線金属薄膜９を、
パッケージ基板１及び誘電体基板６を通して形成される
バイアホール１１を介して、ダイボンディング領域４に
実装されるＩＣチップに接続しており、このため、パッ
ケージ基板１の裏面全面を接地電極とすることができな
い。したがって、ＩＣチップの冷却用のヒートスラグを
パッケージ基板１の裏面に取り付ける場合に、接地金属
薄膜８と信号線金属薄膜９とのショートを防止するよう
に取り付ける必要があり、よって、ヒートスラグを小型
化せざるを得ず、十分な冷却効果を得ることが困難であ
る。また、場合によっては、ヒートスラグを取り付ける
こと自体が困難である。
【０００５】別の従来例として、複数の隣接信号線路間
のクロストークを低減させるために、信号線路をコプレ
ーナ線路で形成し、かつ、誘電体基板を多層に形成して
その内層にも接地電極を形成した高周波配線基板も提案
されている。しかしながら、この従来例においても、準
ミリ波帯〜ミリ波帯の信号用に該配線基板を用いた場合
に、信号線路間のクロストークの問題が生じてしまう恐
れがあり、また、図７のＩＣパッケージと同様に、基板
の裏面全面を接地電極とすることができないため、ヒー
トスラグの取り付けも困難である。
のクロストークを低減させるために、信号線路をコプレ
ーナ線路で形成し、かつ、誘電体基板を多層に形成して
その内層にも接地電極を形成した高周波配線基板も提案
されている。しかしながら、この従来例においても、準
ミリ波帯〜ミリ波帯の信号用に該配線基板を用いた場合
に、信号線路間のクロストークの問題が生じてしまう恐
れがあり、また、図７のＩＣパッケージと同様に、基板
の裏面全面を接地電極とすることができないため、ヒー
トスラグの取り付けも困難である。
【０００６】本発明は、上記したような従来例の問題点
に鑑みてなされたものであり、その目的は、高周波信号
を処理するＩＣチップを実装する基板において、信号が
準ミリ波帯〜ミリ波帯の信号であっても、隣接する信号
線路間のクロストークを低減することができるようにす
ることである。本発明の他の目的は、高周波信号を処理
するＩＣチップを実装する基板において、放熱用のヒー
トスラグを容易に取り付けられるようにすることであ
る。
に鑑みてなされたものであり、その目的は、高周波信号
を処理するＩＣチップを実装する基板において、信号が
準ミリ波帯〜ミリ波帯の信号であっても、隣接する信号
線路間のクロストークを低減することができるようにす
ることである。本発明の他の目的は、高周波信号を処理
するＩＣチップを実装する基板において、放熱用のヒー
トスラグを容易に取り付けられるようにすることであ
る。
【０００７】
【課題を解決するための手段】上記した本発明の目的を
達成するために、本発明にかかる、複数の信号線路系を
備えた高周波信号用の配線基板においては、各信号線路
系は、その入力端及び出力端の間が、導電性ビアによっ
て電気的に接続された複数の信号線路に分割されてお
り、複数の信号線路系は、それぞれの入力端から延在す
る入力側信号線路及び出力端から延在する出力側信号線
路の少なくとも一方が、配線基板の表面に配置されてお
り、隣接する２つの信号線路系において、信号線路の接
続用の導電性ビアが、信号線路系の入力端から相互に異
なる距離の位置、及び信号線路系の出力端から相互に異
なる距離の位置に設けられていることを特徴としてい
る。
達成するために、本発明にかかる、複数の信号線路系を
備えた高周波信号用の配線基板においては、各信号線路
系は、その入力端及び出力端の間が、導電性ビアによっ
て電気的に接続された複数の信号線路に分割されてお
り、複数の信号線路系は、それぞれの入力端から延在す
る入力側信号線路及び出力端から延在する出力側信号線
路の少なくとも一方が、配線基板の表面に配置されてお
り、隣接する２つの信号線路系において、信号線路の接
続用の導電性ビアが、信号線路系の入力端から相互に異
なる距離の位置、及び信号線路系の出力端から相互に異
なる距離の位置に設けられていることを特徴としてい
る。
【０００８】本発明に係る配線基板の好適な実施形態に
おいては、配線基板は、積層された上部誘電体層及び下
部誘電体層からなり、複数の信号線路系の入力側信号線
路及び出力側信号線路が、配線基板の表面となる上部誘
電体層の上面に形成され、複数の信号線路系のそれぞれ
において、入力側信号線路と出力側信号線路とを導電性
ビアを介して接続する信号線路が、下部誘電体層の上面
に形成され、上部誘電体層の上面に、信号線路の周囲に
ギャップを介してグランド電極が形成され、配線基板の
裏面となる下部誘電体層の下面全面にグランド電極が形
成されていることを特徴としている。
おいては、配線基板は、積層された上部誘電体層及び下
部誘電体層からなり、複数の信号線路系の入力側信号線
路及び出力側信号線路が、配線基板の表面となる上部誘
電体層の上面に形成され、複数の信号線路系のそれぞれ
において、入力側信号線路と出力側信号線路とを導電性
ビアを介して接続する信号線路が、下部誘電体層の上面
に形成され、上部誘電体層の上面に、信号線路の周囲に
ギャップを介してグランド電極が形成され、配線基板の
裏面となる下部誘電体層の下面全面にグランド電極が形
成されていることを特徴としている。
【０００９】本発明に係る配線基板の他の好適な実施形
態においては、配線基板は、積層された上部誘電体層及
び下部誘電体層からなり、複数の信号線路系の入力側信
号線路及び出力側信号線路の一方が、配線基板の表面と
なる上部誘電体層の上面に形成され、複数の信号線路系
の入力側信号線路及び出力側信号線路の他方が、配線基
板の裏面となる下部誘電体層の下面に形成され、複数の
信号線路系のそれぞれにおいて、入力側信号線路と出力
側信号線路とを導電性ビアを介して接続する信号線路
が、下部誘電体層の上面に形成され、上部誘電体層の上
面及び下部誘電体層の下面に、信号線路の周囲にギャッ
プを介してグランド電極が形成されていることを特徴と
している。
態においては、配線基板は、積層された上部誘電体層及
び下部誘電体層からなり、複数の信号線路系の入力側信
号線路及び出力側信号線路の一方が、配線基板の表面と
なる上部誘電体層の上面に形成され、複数の信号線路系
の入力側信号線路及び出力側信号線路の他方が、配線基
板の裏面となる下部誘電体層の下面に形成され、複数の
信号線路系のそれぞれにおいて、入力側信号線路と出力
側信号線路とを導電性ビアを介して接続する信号線路
が、下部誘電体層の上面に形成され、上部誘電体層の上
面及び下部誘電体層の下面に、信号線路の周囲にギャッ
プを介してグランド電極が形成されていることを特徴と
している。
【００１０】上記した２つの実施形態において、下部誘
電体層の上面に、信号線路の周囲にギャップを介して形
成されたグランド電極を備え、かつ、該グランド電極
が、上部誘電体層から下部誘電体層まで貫通する複数の
導電性ビアによって、下部誘電体層の下面のグランド電
極に接続されていることが好ましい。
電体層の上面に、信号線路の周囲にギャップを介して形
成されたグランド電極を備え、かつ、該グランド電極
が、上部誘電体層から下部誘電体層まで貫通する複数の
導電性ビアによって、下部誘電体層の下面のグランド電
極に接続されていることが好ましい。
【００１１】本発明に係る配線基板の別の好適な実施形
態においては、複数の信号線路系の入力側信号線路及び
出力側信号線路の一方が、配線基板の表面に配置され、
他方が配線基板の裏面に配置され、配線基板の表面及び
裏面には、信号線路の周囲にギャップを介してグランド
電極が形成されていることを特徴としている。この実施
形態においても、これらグランド電極が、上部誘電体層
から下部誘電体層まで貫通する複数の導電性ビアによっ
て、相互に接続されていることが好ましい。
態においては、複数の信号線路系の入力側信号線路及び
出力側信号線路の一方が、配線基板の表面に配置され、
他方が配線基板の裏面に配置され、配線基板の表面及び
裏面には、信号線路の周囲にギャップを介してグランド
電極が形成されていることを特徴としている。この実施
形態においても、これらグランド電極が、上部誘電体層
から下部誘電体層まで貫通する複数の導電性ビアによっ
て、相互に接続されていることが好ましい。
【００１２】本発明に係る上記した配線基板はさらに、
配線基板を貫通し、ＩＣチップを実装するための貫通孔
と、配線基板の裏面に積層されたベース基板であって、
その上面にＩＣチップを配置するベース基板と、配線基
板の表面に設けられ、装着されたＩＣチップを封止する
ための封止リングと、封止リングに装着される蓋とを備
えていることを特徴とし、ＩＣチップを外部回路に接続
するために用いることができる。この場合、ベース基板
は、ＩＣチップを冷却するための放熱材料で構成されて
いることが好ましい。
配線基板を貫通し、ＩＣチップを実装するための貫通孔
と、配線基板の裏面に積層されたベース基板であって、
その上面にＩＣチップを配置するベース基板と、配線基
板の表面に設けられ、装着されたＩＣチップを封止する
ための封止リングと、封止リングに装着される蓋とを備
えていることを特徴とし、ＩＣチップを外部回路に接続
するために用いることができる。この場合、ベース基板
は、ＩＣチップを冷却するための放熱材料で構成されて
いることが好ましい。
【００１３】
【発明の実施の態様】図１は、本発明に係る、ＩＣチッ
プと外部接続端子とを接続するための信号線路が形成さ
れた高周波信号用の配線基板の第１の実施形態を示して
いる。図１の（Ａ）の斜視図に示すように、第１の実施
形態の高周波用配線基板は、上部誘電体層１及び下部誘
電体層２の２層構造に形成されている。図１において、
（Ｂ）は、下部誘電体層の表面に形成された信号線路を
説明するための斜視図であり、（Ｃ）及び（Ｄ）は、
（Ａ）におけるｃ−ｃ線及びｄ−ｄ線の断面図である。
プと外部接続端子とを接続するための信号線路が形成さ
れた高周波信号用の配線基板の第１の実施形態を示して
いる。図１の（Ａ）の斜視図に示すように、第１の実施
形態の高周波用配線基板は、上部誘電体層１及び下部誘
電体層２の２層構造に形成されている。図１において、
（Ｂ）は、下部誘電体層の表面に形成された信号線路を
説明するための斜視図であり、（Ｃ）及び（Ｄ）は、
（Ａ）におけるｃ−ｃ線及びｄ−ｄ線の断面図である。
【００１４】配線基板の表面すなわち上部誘電体層１の
上面には、図１の（Ａ）に示すように、信号線路Ｌａ
１、Ｌａ２、Ｌｂ１、及びＬｂ２が形成され、上部誘電
体層１の中心線ａ−ａに関して、信号線路Ｌａ１及びＬ
ａ２がほぼ線対称に、また信号線路Ｌｂ１及びＬｂ２も
ほぼ線対称に配置されている。なお、これらを必ずしも
線対称にする必要がないが、信号線Ｌａ１とＬｂ１の長
さを所定長さ以上相違させ、信号線路Ｌａ２とＬｂ２の
長さを所定長さ以上、相違させる必要がある。これら信
号線路Ｌａ１、Ｌａ２、Ｌｂ１及びＬｂ２の内方（中心
線ａ−ａ側）端部には、導電体（金属）が充填されたバ
イアホールすなわち導電性ビアＶＨａ１、ＶＨａ２、Ｖ
Ｈｂ１、ＶＨｂ２が上部誘電体層１を貫通して設けられ
ている。上部誘電体層１の信号線路以外の部分には、信
号線路と所定幅のギャップを介して、導電膜Ｇ１が形成
され、該導電膜Ｇ１は、後述するように、グランド電位
に保持され、したがって、グランド電極を構成する。こ
れにより、これら４つの信号線路は、コプレーナ線路の
形態で構成され、クロストークが低減される。信号線路
Ｌａ１及びＬｂ１をＩＣチップのリード端子接続用と
し、信号線路Ｌａ２及びＬｂ２を外部端子接続用とする
か、または、その逆に用いる。
上面には、図１の（Ａ）に示すように、信号線路Ｌａ
１、Ｌａ２、Ｌｂ１、及びＬｂ２が形成され、上部誘電
体層１の中心線ａ−ａに関して、信号線路Ｌａ１及びＬ
ａ２がほぼ線対称に、また信号線路Ｌｂ１及びＬｂ２も
ほぼ線対称に配置されている。なお、これらを必ずしも
線対称にする必要がないが、信号線Ｌａ１とＬｂ１の長
さを所定長さ以上相違させ、信号線路Ｌａ２とＬｂ２の
長さを所定長さ以上、相違させる必要がある。これら信
号線路Ｌａ１、Ｌａ２、Ｌｂ１及びＬｂ２の内方（中心
線ａ−ａ側）端部には、導電体（金属）が充填されたバ
イアホールすなわち導電性ビアＶＨａ１、ＶＨａ２、Ｖ
Ｈｂ１、ＶＨｂ２が上部誘電体層１を貫通して設けられ
ている。上部誘電体層１の信号線路以外の部分には、信
号線路と所定幅のギャップを介して、導電膜Ｇ１が形成
され、該導電膜Ｇ１は、後述するように、グランド電位
に保持され、したがって、グランド電極を構成する。こ
れにより、これら４つの信号線路は、コプレーナ線路の
形態で構成され、クロストークが低減される。信号線路
Ｌａ１及びＬｂ１をＩＣチップのリード端子接続用と
し、信号線路Ｌａ２及びＬｂ２を外部端子接続用とする
か、または、その逆に用いる。
【００１５】一方、配線基板の内面すなわち下部誘電体
層２の上面には、図１の（Ｂ）に示すように、その中心
部に信号線路Ｌａ３及びＬｂ３が形成されている。信号
線路Ｌａ３は、図１の（Ｃ）に示すように、上部誘電体
層１に設けられた導電性ビアＶＨａ１及びＶＨａ２を介
して、信号線路Ｌａ１とＬａ２とを電気的に接続し、信
号線路系ａを構成する。信号線路Ｌｂ３は、図１の
（Ｄ）に示すように、導電性ビアＶＨｂ１及びＶＨｂ２
を介して、信号線路Ｌｂ１及びＬｂ２を電気的に接続
し、信号線路系ｂを構成する。下部誘電体層２の下面に
は、その全面にグランド電極Ｇが形成されている。な
お、下面に信号線路が形成されている場合のように、下
面にグランド電極が形成されていない部分があると、プ
リント回路基板から電磁ノイズが入って、ＩＣに悪影響
を与えたり、グランド電極に相当するメタル板により、
パッケージ内の信号線路のインピーダンスが変化してし
まい、ＩＣ、パッケージ、プリント回路基板の間のイン
ピーダンス整合がとれず、伝送損失が大きくなる等の問
題が生じる恐れがある。本発明の第１の実施形態におい
ては、全面がグランド電極であるため、これらの問題を
生じる恐れがない。
層２の上面には、図１の（Ｂ）に示すように、その中心
部に信号線路Ｌａ３及びＬｂ３が形成されている。信号
線路Ｌａ３は、図１の（Ｃ）に示すように、上部誘電体
層１に設けられた導電性ビアＶＨａ１及びＶＨａ２を介
して、信号線路Ｌａ１とＬａ２とを電気的に接続し、信
号線路系ａを構成する。信号線路Ｌｂ３は、図１の
（Ｄ）に示すように、導電性ビアＶＨｂ１及びＶＨｂ２
を介して、信号線路Ｌｂ１及びＬｂ２を電気的に接続
し、信号線路系ｂを構成する。下部誘電体層２の下面に
は、その全面にグランド電極Ｇが形成されている。な
お、下面に信号線路が形成されている場合のように、下
面にグランド電極が形成されていない部分があると、プ
リント回路基板から電磁ノイズが入って、ＩＣに悪影響
を与えたり、グランド電極に相当するメタル板により、
パッケージ内の信号線路のインピーダンスが変化してし
まい、ＩＣ、パッケージ、プリント回路基板の間のイン
ピーダンス整合がとれず、伝送損失が大きくなる等の問
題が生じる恐れがある。本発明の第１の実施形態におい
ては、全面がグランド電極であるため、これらの問題を
生じる恐れがない。
【００１６】各信号線路系ａ、ｂの単独の伝送特性にお
いて、それぞれのビア間の相互の干渉を低減するため、
ＶＨａ１とＶＨａ２との距離及びＶＨｂ１とＶＨｂ２と
の距離はそれぞれ、基板の厚さの２倍以上離間させるこ
とが好ましい。また、下部誘電体層２の上面の信号線路
Ｌａ３及びＬｂ３以外の部分には、所定幅のギャップを
介して導電膜Ｇ２が形成され、該導電膜Ｇ２も、後述す
るようにグランド電位に保持されてグランド電極を形成
する。これにより、信号線路Ｌａ３及びＬｂ３もコプレ
ーナ線路で形成される。なお、クロストークに関しては
コプレーナ線路で形成することが好ましいが、インピー
ダンス整合に関してはストリップ線路で形成することが
好ましい。したがって、信号線路Ｌａ３及びＬｂ３に関
しては、必要な伝送特性等を考慮して、適宜の線路形態
で構成すればよい。
いて、それぞれのビア間の相互の干渉を低減するため、
ＶＨａ１とＶＨａ２との距離及びＶＨｂ１とＶＨｂ２と
の距離はそれぞれ、基板の厚さの２倍以上離間させるこ
とが好ましい。また、下部誘電体層２の上面の信号線路
Ｌａ３及びＬｂ３以外の部分には、所定幅のギャップを
介して導電膜Ｇ２が形成され、該導電膜Ｇ２も、後述す
るようにグランド電位に保持されてグランド電極を形成
する。これにより、信号線路Ｌａ３及びＬｂ３もコプレ
ーナ線路で形成される。なお、クロストークに関しては
コプレーナ線路で形成することが好ましいが、インピー
ダンス整合に関してはストリップ線路で形成することが
好ましい。したがって、信号線路Ｌａ３及びＬｂ３に関
しては、必要な伝送特性等を考慮して、適宜の線路形態
で構成すればよい。
【００１７】上記したように、２つの信号線路系ａ及び
ｂは、各信号線路系において、基板の中心線ａ−ａから
異なる距離に配置された導電性ビアを介して電気的に接
続されているので、信号線路の不連続部である導電性ビ
ア付近での電磁放射等による相互干渉を受けにくい。し
たがって、クロストークが低減され、信号線路系の高ア
イソレーションを確保することができる。
ｂは、各信号線路系において、基板の中心線ａ−ａから
異なる距離に配置された導電性ビアを介して電気的に接
続されているので、信号線路の不連続部である導電性ビ
ア付近での電磁放射等による相互干渉を受けにくい。し
たがって、クロストークが低減され、信号線路系の高ア
イソレーションを確保することができる。
【００１８】図１の（Ａ）及び（Ｂ）に示すように、本
発明の第１の実施形態の配線基板には、さらに、上部誘
電体層１及び下部誘電体層２を共に貫通し、下部誘電体
層２の下面のグランド電極Ｇから延びる導電体が充填さ
れた複数のグランドビアＧＶが形成されている。したが
って、上部誘電体層１及び下部誘電体層２の上部表面に
形成された導電膜Ｇ１及びＧ２は、グランドビアＧＶを
介して基板下面のグランド電極Ｇと電気的に接続され、
グランド電極と同電位すなわちグランド電位となる。グ
ランドビアＧＶは、信号線路系の長手方向と平行な列上
に、各信号線路系を挟んで配置されている。各グランド
ビアＧＶは、信号線路の中心と少なくとも所定の間隔
ｗ、離間して配置されており、また、各列において、グ
ランドビアＧＶは、一定の離間間隔ｄで配置されてい
る。
発明の第１の実施形態の配線基板には、さらに、上部誘
電体層１及び下部誘電体層２を共に貫通し、下部誘電体
層２の下面のグランド電極Ｇから延びる導電体が充填さ
れた複数のグランドビアＧＶが形成されている。したが
って、上部誘電体層１及び下部誘電体層２の上部表面に
形成された導電膜Ｇ１及びＧ２は、グランドビアＧＶを
介して基板下面のグランド電極Ｇと電気的に接続され、
グランド電極と同電位すなわちグランド電位となる。グ
ランドビアＧＶは、信号線路系の長手方向と平行な列上
に、各信号線路系を挟んで配置されている。各グランド
ビアＧＶは、信号線路の中心と少なくとも所定の間隔
ｗ、離間して配置されており、また、各列において、グ
ランドビアＧＶは、一定の離間間隔ｄで配置されてい
る。
【００１９】基板を構成する誘電体層１及び２の比誘電
率をεr、信号線路系を伝搬する最も高い高周波信号の
空気中における波長をλとすると、グランドビアＧＶの
相互の間隔ｄは、 ｄ＜λ／（２×εr 1/2） を満足するよう設定することが好ましい。このように設
定することにより、信号線路から垂直方向に放射された
高周波信号がグランドビアＧＶの間隔から漏れ出すこと
を防止することができるので、伝送特性をより高周波ま
で向上させることができる。また、信号線路とグランド
ビアＧＶとの間隔ｗは、 ｗ＜λ／（４×εr 1/2） を満足するように形成することが好ましい。このように
設定することにより、信号線路から垂直方向に放射され
た高周波信号により、グランドビアＧＶまでの距離に起
因して生じる共振の発生を防止することができる。した
がって、λ以上の波長による共振が防止でき、０Ｈｚか
ら波長λに相当する最も高い高周波まで、フラットに信
号を伝送することができる。
率をεr、信号線路系を伝搬する最も高い高周波信号の
空気中における波長をλとすると、グランドビアＧＶの
相互の間隔ｄは、 ｄ＜λ／（２×εr 1/2） を満足するよう設定することが好ましい。このように設
定することにより、信号線路から垂直方向に放射された
高周波信号がグランドビアＧＶの間隔から漏れ出すこと
を防止することができるので、伝送特性をより高周波ま
で向上させることができる。また、信号線路とグランド
ビアＧＶとの間隔ｗは、 ｗ＜λ／（４×εr 1/2） を満足するように形成することが好ましい。このように
設定することにより、信号線路から垂直方向に放射され
た高周波信号により、グランドビアＧＶまでの距離に起
因して生じる共振の発生を防止することができる。した
がって、λ以上の波長による共振が防止でき、０Ｈｚか
ら波長λに相当する最も高い高周波まで、フラットに信
号を伝送することができる。
【００２０】図１に示した第１の実施形態に基づいて形
成された配線基板を用いて、２つの信号線路系のクロス
トーク特性を、ＴＬＭ（Transmission Line Modeling）
法を用いた３次元電磁界シミュレーションを行った。こ
のシミュレーションに採用した配線基板の構成は、以下
の通りである。 ・基板（上部誘電体層１及び下部誘電体層２）の比誘電
率εr：９．５ ・基板の厚み：０．３ｍｍ ・信号線路Ｌａ１、Ｌａ２の長さ：０．９ｍｍ ・信号線路Ｌａ３の長さ：２．８ｍｍ ・信号線路Ｌｂ１、Ｌｂ２の長さ：１．３ｍｍ ・信号線路Ｌｂ３の長さ：２ｍｍ ・信号線路Ｌａ１、Ｌａ２、Ｌｂ１、Ｌｂ２の幅：０．
１４ｍｍ ・信号線路Ｌａ３、Ｌｂ３の幅：０．１ｍｍ ・信号線路Ｌａ３、Ｌｂ３の表面からの深さ：０．１ｍ
ｍ ・信号線路系ａとｂとの間隔：０．８ｍｍ ・信号線路Ｌａ１、Ｌａ２、Ｌｂ１、Ｌｂ２と導電金属
膜Ｇ１との間のギャップ：０．１３ｍｍ ・信号線路Ｌａ３、Ｌｂ３と導電金属膜Ｇ２との間のギ
ャップ：０．２１ｍｍ ・グランドビアＧＶの中心間隔（２ｗ）：０．８ｍｍ ・ビアの形状：０．１３ｍｍ角の角柱 このシミュレーションの結果、図２の太線のグラフＡで
示したクロストーク特性が得られた。
成された配線基板を用いて、２つの信号線路系のクロス
トーク特性を、ＴＬＭ（Transmission Line Modeling）
法を用いた３次元電磁界シミュレーションを行った。こ
のシミュレーションに採用した配線基板の構成は、以下
の通りである。 ・基板（上部誘電体層１及び下部誘電体層２）の比誘電
率εr：９．５ ・基板の厚み：０．３ｍｍ ・信号線路Ｌａ１、Ｌａ２の長さ：０．９ｍｍ ・信号線路Ｌａ３の長さ：２．８ｍｍ ・信号線路Ｌｂ１、Ｌｂ２の長さ：１．３ｍｍ ・信号線路Ｌｂ３の長さ：２ｍｍ ・信号線路Ｌａ１、Ｌａ２、Ｌｂ１、Ｌｂ２の幅：０．
１４ｍｍ ・信号線路Ｌａ３、Ｌｂ３の幅：０．１ｍｍ ・信号線路Ｌａ３、Ｌｂ３の表面からの深さ：０．１ｍ
ｍ ・信号線路系ａとｂとの間隔：０．８ｍｍ ・信号線路Ｌａ１、Ｌａ２、Ｌｂ１、Ｌｂ２と導電金属
膜Ｇ１との間のギャップ：０．１３ｍｍ ・信号線路Ｌａ３、Ｌｂ３と導電金属膜Ｇ２との間のギ
ャップ：０．２１ｍｍ ・グランドビアＧＶの中心間隔（２ｗ）：０．８ｍｍ ・ビアの形状：０．１３ｍｍ角の角柱 このシミュレーションの結果、図２の太線のグラフＡで
示したクロストーク特性が得られた。
【００２１】また、本発明の上記した例のクロストーク
特性と比較するために、２つの信号線路系ａ及びｂを同
一構成とした配線基板（比較例）を用いて、ＴＬＭ法に
よる同様なシミュレーションを行った。このシミュレー
ションで用いた配線基板は、信号線路Ｌａ１、Ｌａ２、
Ｌｂ１、Ｌｂ２の長さを総て０．９ｍｍに設定し、信号
線路Ｌａ３、Ｌｂ３の長さを総て２．８ｍｍに設定し
た。したがって、導電性ビアＶＨａ１とＶＨｂ１とが入
力端から同一距離であり、導電性ビアＶＨａ２とＶＨｂ
２とが出力端から同一距離に形成された。他の構成は、
本発明の上記例と同一である。この比較例を用いたシミ
ュレーションの結果、図２の細線のグラフＢで示したク
ロストーク特性が得られた。
特性と比較するために、２つの信号線路系ａ及びｂを同
一構成とした配線基板（比較例）を用いて、ＴＬＭ法に
よる同様なシミュレーションを行った。このシミュレー
ションで用いた配線基板は、信号線路Ｌａ１、Ｌａ２、
Ｌｂ１、Ｌｂ２の長さを総て０．９ｍｍに設定し、信号
線路Ｌａ３、Ｌｂ３の長さを総て２．８ｍｍに設定し
た。したがって、導電性ビアＶＨａ１とＶＨｂ１とが入
力端から同一距離であり、導電性ビアＶＨａ２とＶＨｂ
２とが出力端から同一距離に形成された。他の構成は、
本発明の上記例と同一である。この比較例を用いたシミ
ュレーションの結果、図２の細線のグラフＢで示したク
ロストーク特性が得られた。
【００２２】図２のグラフＡ及びＢを対比すると明らか
なように、本発明の実施例においては、８０ＧＨｚ近傍
まで−３０ｄＢ以上の高いアイソレーションが得られた
が、比較例においては、６０−７５ＧＨｚの範囲におい
て、２つの信号線路系ａ及びｂのクロストークが生じて
おり、十分なアイソレーションが得られていない。した
がって、シミュレーションの結果、２以上の信号線路系
を配線基板に平行に設けた場合、上部誘電体層１上の信
号線路と下部誘電体層２上の信号線路との接続点（導電
性ビアの位置）の配線基板中心線からの距離を、隣接す
る信号線路系で異ならせることにより、クロストークが
改善されたアイソレーションを確保可能であることが明
らかである。
なように、本発明の実施例においては、８０ＧＨｚ近傍
まで−３０ｄＢ以上の高いアイソレーションが得られた
が、比較例においては、６０−７５ＧＨｚの範囲におい
て、２つの信号線路系ａ及びｂのクロストークが生じて
おり、十分なアイソレーションが得られていない。した
がって、シミュレーションの結果、２以上の信号線路系
を配線基板に平行に設けた場合、上部誘電体層１上の信
号線路と下部誘電体層２上の信号線路との接続点（導電
性ビアの位置）の配線基板中心線からの距離を、隣接す
る信号線路系で異ならせることにより、クロストークが
改善されたアイソレーションを確保可能であることが明
らかである。
【００２３】図３は、本発明に係る配線基板の第２の実
施形態を示している。第２の実施形態が第１の実施形態
と相違する点は、上部誘電体層１上の信号線路Ｌａ１と
Ｌａ２、及び信号線路Ｌｂ１とＬｂ２が、配線基板の中
心線ａ−ａに関して線対称には配置されていないことで
ある。ただし、第２の実施形態においても、中心線ａ−
ａからのこれら信号線路の内方端部の距離が相違してい
る。したがって、必然的に、下部誘電体層２の上面上の
信号線路Ｌａ３及びＬｂ３の配置位置及び長さが、第１
の実施形態のものとは相違している。それ以外について
は、第１の実施形態と同様である。第２の実施形態も、
第１の実施形態と同様な作用効果を奏することができ
る。
施形態を示している。第２の実施形態が第１の実施形態
と相違する点は、上部誘電体層１上の信号線路Ｌａ１と
Ｌａ２、及び信号線路Ｌｂ１とＬｂ２が、配線基板の中
心線ａ−ａに関して線対称には配置されていないことで
ある。ただし、第２の実施形態においても、中心線ａ−
ａからのこれら信号線路の内方端部の距離が相違してい
る。したがって、必然的に、下部誘電体層２の上面上の
信号線路Ｌａ３及びＬｂ３の配置位置及び長さが、第１
の実施形態のものとは相違している。それ以外について
は、第１の実施形態と同様である。第２の実施形態も、
第１の実施形態と同様な作用効果を奏することができ
る。
【００２４】図１及び図３に示した第１及び第２の実施
形態においては、２つの信号線路系（すなわち、信号線
路Ｌａ１、Ｌａ３及びＬａ２の組と信号線路Ｌｂ１、Ｌ
ｂ３及びＬｂ２の組）を形成した例を示しているが、信
号線路系の数を３以上設けてもよいことは言うまでもな
い。ただし、いずれの場合でも、上部誘電体層１の表面
に形成される隣接する信号線路系の長さを異ならせる、
すなわち、配線基板の端部又は中心線から見た導電性ビ
アＶＨａ１及びＶＨｂ１の位置をずらし、かつ、導電性
ビアＶＨａ２及びＶＨｂ２の位置をずらす必要があるこ
とは言うまでもない。
形態においては、２つの信号線路系（すなわち、信号線
路Ｌａ１、Ｌａ３及びＬａ２の組と信号線路Ｌｂ１、Ｌ
ｂ３及びＬｂ２の組）を形成した例を示しているが、信
号線路系の数を３以上設けてもよいことは言うまでもな
い。ただし、いずれの場合でも、上部誘電体層１の表面
に形成される隣接する信号線路系の長さを異ならせる、
すなわち、配線基板の端部又は中心線から見た導電性ビ
アＶＨａ１及びＶＨｂ１の位置をずらし、かつ、導電性
ビアＶＨａ２及びＶＨｂ２の位置をずらす必要があるこ
とは言うまでもない。
【００２５】また、第１の実施形態で示した構成を、Ｉ
Ｃチップを実装する矩形状の配線基板の４辺中の少なく
とも１辺に配置することにより、そのＩＣチップと外部
接続端子とを接続することができる。第２の実施形態に
ついても同様である。さらに、第１の実施形態の構成及
び第２の実施形態の構成を任意に選択して、矩形状の配
線基板の４辺又は２辺に配置してもよい。図４は、この
ような例に相当する、本発明に係る配線基板の第３の実
施形態を示している。図４において、（Ａ）は配線基板
の上部誘電体層１の上面図、（Ｂ）は下部誘電体層２の
内面の上面図、（Ｃ）及び（Ｄ）は、線ｃ−ｃ及び線ｄ
−ｄからみた場合の配線基板の断面図である。なお、
（Ｃ）及び（Ｄ）は、ＩＣチップ３を基板の中央部に実
装し、かつ蓋体４を実装した状態で示している。５はベ
ース基板であり、ＩＣチップを冷却するための放熱用ヒ
ートスラグ機能を備えている。
Ｃチップを実装する矩形状の配線基板の４辺中の少なく
とも１辺に配置することにより、そのＩＣチップと外部
接続端子とを接続することができる。第２の実施形態に
ついても同様である。さらに、第１の実施形態の構成及
び第２の実施形態の構成を任意に選択して、矩形状の配
線基板の４辺又は２辺に配置してもよい。図４は、この
ような例に相当する、本発明に係る配線基板の第３の実
施形態を示している。図４において、（Ａ）は配線基板
の上部誘電体層１の上面図、（Ｂ）は下部誘電体層２の
内面の上面図、（Ｃ）及び（Ｄ）は、線ｃ−ｃ及び線ｄ
−ｄからみた場合の配線基板の断面図である。なお、
（Ｃ）及び（Ｄ）は、ＩＣチップ３を基板の中央部に実
装し、かつ蓋体４を実装した状態で示している。５はベ
ース基板であり、ＩＣチップを冷却するための放熱用ヒ
ートスラグ機能を備えている。
【００２６】この第３の実施形態においては、図４の
（Ａ）〜（Ｄ）に示すように、第１の実施形態の構成
を、矩形状の配線基板の４辺に配置している。そして、
左右の対向する２辺はそれぞれ２つ信号線路系を形成
し、上下の対向する２辺はそれぞれ４つの信号線路系が
形成されている。また、配線基板は、（Ｃ）及び（Ｄ）
に示すように、上部誘電体層１、下部誘電体層２、及び
ベース基板５の積層構造で形成され、その中心部にはＩ
Ｃチップ３をベース基板５上に実装し収納するためのキ
ャビティ６が形成されている。さらに、上部誘電体層１
上には封止リング７が形成され、該リング７上には蓋体
４が装着されて、キャビティ６を封止する。封止リング
７は、ＩＣチップ３への接続用の内側の信号線路と、外
部接続用の外側の信号線路との間に形成されている。
（Ａ）〜（Ｄ）に示すように、第１の実施形態の構成
を、矩形状の配線基板の４辺に配置している。そして、
左右の対向する２辺はそれぞれ２つ信号線路系を形成
し、上下の対向する２辺はそれぞれ４つの信号線路系が
形成されている。また、配線基板は、（Ｃ）及び（Ｄ）
に示すように、上部誘電体層１、下部誘電体層２、及び
ベース基板５の積層構造で形成され、その中心部にはＩ
Ｃチップ３をベース基板５上に実装し収納するためのキ
ャビティ６が形成されている。さらに、上部誘電体層１
上には封止リング７が形成され、該リング７上には蓋体
４が装着されて、キャビティ６を封止する。封止リング
７は、ＩＣチップ３への接続用の内側の信号線路と、外
部接続用の外側の信号線路との間に形成されている。
【００２７】第３の実施形態において、各辺の信号線路
のパターンとして、第１及び第２の実施形態の信号線路
の構成を任意に組み合わせてもよいことは、上記したと
おりである。信号線路系の数が図示のものに限定されな
いことは、第１及び第２の実施形態の場合と同様であ
る。第３の実施形態も、第１及び第２の実施形態と同様
な作用効果を奏することができる。
のパターンとして、第１及び第２の実施形態の信号線路
の構成を任意に組み合わせてもよいことは、上記したと
おりである。信号線路系の数が図示のものに限定されな
いことは、第１及び第２の実施形態の場合と同様であ
る。第３の実施形態も、第１及び第２の実施形態と同様
な作用効果を奏することができる。
【００２８】図５は、本発明に係る配線基板の第４の実
施形態を示している。第４の実施形態は、図１に示した
第１の実施形態において、出力端側の信号配線Ｌａ２及
びＬｂ２を配線基板の裏面すなわち下部誘電体層２の下
面に形成し、そして、信号線路Ｌａ２とＬａ３とを接続
する導電性ビアＶＨａ２、及び、信号線路Ｌｂ２とＬｂ
３とを接続する導電性ビアＶＨｂ２を、下部誘電体層２
を貫通するように変形したものである。第４の実施形態
においても、入力端からの信号線路の長さ及び出力端か
らの信号線路の長さが、隣接する信号線線路系で相互に
異なっていればよいので、信号線路の配置関係は、図示
のものに限定されず、例えば、図３に示した第２の実施
形態において、信号線路Ｌａ２及びＬｂ２を配線基板の
裏面に配置するように変形してもよい。
施形態を示している。第４の実施形態は、図１に示した
第１の実施形態において、出力端側の信号配線Ｌａ２及
びＬｂ２を配線基板の裏面すなわち下部誘電体層２の下
面に形成し、そして、信号線路Ｌａ２とＬａ３とを接続
する導電性ビアＶＨａ２、及び、信号線路Ｌｂ２とＬｂ
３とを接続する導電性ビアＶＨｂ２を、下部誘電体層２
を貫通するように変形したものである。第４の実施形態
においても、入力端からの信号線路の長さ及び出力端か
らの信号線路の長さが、隣接する信号線線路系で相互に
異なっていればよいので、信号線路の配置関係は、図示
のものに限定されず、例えば、図３に示した第２の実施
形態において、信号線路Ｌａ２及びＬｂ２を配線基板の
裏面に配置するように変形してもよい。
【００２９】図６は、本発明に係る配線基板の第５の実
施形態を示している。第５の実施形態においては、配線
基板を１つの誘電体層のみとし、その表面に異なる長さ
の信号線路Ｌａ１及びＬｂ１を形成し、裏面に異なる長
さの信号線路Ｌａ２及びＬｂ２を形成している。そし
て、信号線路Ｌａ１とＬａ２とを導電性ビアＶＨａ１に
より電気的に接続し、信号線路Ｌｂ１及びＬｂ２とを導
電性ビアＶＨｂ１により電気的に接続している。また、
基板表面には、信号線路Ｌａ１及びＬｂ１以外の部分に
導電膜Ｇ１が形成され、基板裏面には、信号線路Ｌａ２
及びＬｂ２以外の部分にグランド電極Ｇが形成され、導
電膜Ｇ１及びグランド電極ＧとがグランドビアＧＶによ
って電気的に接続されている。入力側の信号線路を基板
裏面に、出力側の信号線路を基板表面に形成してもよ
い。
施形態を示している。第５の実施形態においては、配線
基板を１つの誘電体層のみとし、その表面に異なる長さ
の信号線路Ｌａ１及びＬｂ１を形成し、裏面に異なる長
さの信号線路Ｌａ２及びＬｂ２を形成している。そし
て、信号線路Ｌａ１とＬａ２とを導電性ビアＶＨａ１に
より電気的に接続し、信号線路Ｌｂ１及びＬｂ２とを導
電性ビアＶＨｂ１により電気的に接続している。また、
基板表面には、信号線路Ｌａ１及びＬｂ１以外の部分に
導電膜Ｇ１が形成され、基板裏面には、信号線路Ｌａ２
及びＬｂ２以外の部分にグランド電極Ｇが形成され、導
電膜Ｇ１及びグランド電極ＧとがグランドビアＧＶによ
って電気的に接続されている。入力側の信号線路を基板
裏面に、出力側の信号線路を基板表面に形成してもよ
い。
【００３０】第４及び第５の実施形態の信号線路の構成
を、第３の実施形態のように、矩形基板の任意の複数辺
に配置してもよい。また、この場合、信号線路系の数が
図５及び図６のものに限定されないことは、言うまでも
ない。第４及び第５の実施形態も、クロストークの低減
に関して、第１〜第３の実施形態と同様な作用効果を奏
することができる。
を、第３の実施形態のように、矩形基板の任意の複数辺
に配置してもよい。また、この場合、信号線路系の数が
図５及び図６のものに限定されないことは、言うまでも
ない。第４及び第５の実施形態も、クロストークの低減
に関して、第１〜第３の実施形態と同様な作用効果を奏
することができる。
【００３１】第１〜第５の実施形態の上記した以外の種
々の変形及び変更が可能であることが明らかであろう。
例えば、Ｓ／Ｎ比の許容値によっては、信号線路系と平
行に設けたグランドビア列を削除してもよい。また、配
線基板を誘電体層の３層以上の構造とし、複数の信号配
線系の内面の信号配線を、異なる内面に配置してもよ
い。さらに、図４においては、信号線路のみを示した
が、例えば、これら信号線路の一部をバイアス線路に置
き換えてもよく、新たに信号線路以外の線路を追加して
もよい。
々の変形及び変更が可能であることが明らかであろう。
例えば、Ｓ／Ｎ比の許容値によっては、信号線路系と平
行に設けたグランドビア列を削除してもよい。また、配
線基板を誘電体層の３層以上の構造とし、複数の信号配
線系の内面の信号配線を、異なる内面に配置してもよ
い。さらに、図４においては、信号線路のみを示した
が、例えば、これら信号線路の一部をバイアス線路に置
き換えてもよく、新たに信号線路以外の線路を追加して
もよい。
【００３２】本発明は以上のように構成され、各信号線
路系において、信号線路と信号線路との接続点の基板端
部からの距離を、隣接する信号線路系で異ならせている
ので、これら信号線路系相互に高いアイソレーションを
確保することができる。また、隣接する信号線路系の間
に、これら信号線路系に沿ってグランドビア列を設けた
場合は、一層高いアイソレーションが得られ、また、高
周波まで伝送可能である。さらに、基板表面及び基板内
面の信号線路をコプレーナ線路で形成し、内面の導電膜
をグランドビアによりグランド電極と同電位にした場合
には、隣接する信号線路系のアイソレーションをより高
度に確保することができる。さらにまた、配線基板の裏
面全面をグランド電極とした場合は、放熱用のヒートス
ラグを配置することが容易となる。
路系において、信号線路と信号線路との接続点の基板端
部からの距離を、隣接する信号線路系で異ならせている
ので、これら信号線路系相互に高いアイソレーションを
確保することができる。また、隣接する信号線路系の間
に、これら信号線路系に沿ってグランドビア列を設けた
場合は、一層高いアイソレーションが得られ、また、高
周波まで伝送可能である。さらに、基板表面及び基板内
面の信号線路をコプレーナ線路で形成し、内面の導電膜
をグランドビアによりグランド電極と同電位にした場合
には、隣接する信号線路系のアイソレーションをより高
度に確保することができる。さらにまた、配線基板の裏
面全面をグランド電極とした場合は、放熱用のヒートス
ラグを配置することが容易となる。
【図１】本発明に係る配線基板の第１の実施形態を説明
するための図である。
するための図である。
【図２】第１の実施形態をシミュレーションした場合の
アイソレーション特性を示すグラフである。
アイソレーション特性を示すグラフである。
【図３】本発明に係る配線基板の第２の実施形態を説明
するための図である。
するための図である。
【図４】本発明に係る配線基板の第３の実施形態を説明
するための図である。
するための図である。
【図５】本発明に係る配線基板の第４の実施形態を説明
するための図である。
するための図である。
【図６】本発明に係る配線基板の第５の実施形態を説明
するための図である。
するための図である。
【図７】従来例の配線基板を説明するための図である。
１…上部誘電体層 ２…下部誘電体層 ３…ＩＣチ
ップ ４…蓋 ５…ベース基板（ヒートスラグ） ６…キャビティ
７…封止リング Ｌａ１〜Ｌａ３、Ｌｂ１〜Ｌｂ３…信号線路 Ｇ…グ
ランド電極 Ｇ１、Ｇ２…導電膜（グランド電極） ＶＨａ１、ＶＨａ２、ＶＨｂ１、ＶＨｂ２…導電性ビア ＧＶ…グランドビア
ップ ４…蓋 ５…ベース基板（ヒートスラグ） ６…キャビティ
７…封止リング Ｌａ１〜Ｌａ３、Ｌｂ１〜Ｌｂ３…信号線路 Ｇ…グ
ランド電極 Ｇ１、Ｇ２…導電膜（グランド電極） ＶＨａ１、ＶＨａ２、ＶＨｂ１、ＶＨｂ２…導電性ビア ＧＶ…グランドビア
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(51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考）
Ｈ０５Ｋ 1/11 Ｈ０５Ｋ 3/46 Ｎ
3/46 Ｑ
Ｕ
Ｈ０１Ｌ 23/12 Ｊ
(72)発明者 塩原 正人
兵庫県尼崎市扶桑町１番８号 住友金属工
業株式会社エレクトロニクス技術研究所内
(72)発明者 山元 寿文
兵庫県尼崎市扶桑町１番８号 住友金属工
業株式会社エレクトロニクス技術研究所内
Ｆターム(参考） 5E317 AA24 CD34 GG11
5E338 AA03 CC01 CC06 CD23 CD24
EE13
5E346 AA13 AA15 AA43 BB04 BB06
BB11 FF01 HH04 HH06
Claims (9)
- 【請求項１】 複数の信号線路系を備えた高周波信号用
の配線基板において、 各信号線路系は、その入力端及び出力端の間が、導電性
ビアによって電気的に接続された複数の信号線路に分割
されており、 複数の信号線路系は、それぞれの入力端から延在する入
力側信号線路及び出力端から延在する出力側信号線路の
少なくとも一方が、配線基板の表面に配置されており、 隣接する２つの信号線路系において、信号線路の接続用
の導電性ビアが、信号線路系の入力端から相互に異なる
距離の位置、及び信号線路系の出力端から相互に異なる
距離の位置に設けられていることを特徴とする配線基
板。 - 【請求項２】 請求項１記載の配線基板において、 該配線基板は、積層された上部誘電体層及び下部誘電体
層からなり、 複数の信号線路系の入力側信号線路及び出力側信号線路
が、配線基板の表面となる上部誘電体層の上面に形成さ
れ、 複数の信号線路系のそれぞれにおいて、入力側信号線路
と出力側信号線路とを導電性ビアを介して接続する信号
線路が、下部誘電体層の上面に形成され、 上部誘電体層の上面に、信号線路の周囲にギャップを介
してグランド電極が形成され、 配線基板の裏面となる下部誘電体層の下面全面にグラン
ド電極が形成されていることを特徴とする配線基板。 - 【請求項３】 請求項１記載の配線基板において、 該配線基板は、積層された上部誘電体層及び下部誘電体
層からなり、 複数の信号線路系の入力側信号線路及び出力側信号線路
の一方が、配線基板の表面となる上部誘電体層の上面に
形成され、 複数の信号線路系の入力側信号線路及び出力側信号線路
の他方が、配線基板の裏面となる下部誘電体層の下面に
形成され、 複数の信号線路系のそれぞれにおいて、入力側信号線路
と出力側信号線路とを導電性ビアを介して接続する信号
線路が、下部誘電体層の上面に形成され、 上部誘電体層の上面及び下部誘電体層の下面に、信号線
路の周囲にギャップを介してグランド電極が形成されて
いることを特徴とする配線基板。 - 【請求項４】 請求項１記載の配線基板において、 複数の信号線路系の入力側信号線路及び出力側信号線路
の一方が、配線基板の表面に配置され、他方が配線基板
の裏面に配置され、 配線基板の表面及び裏面には、信号線路の周囲にギャッ
プを介してグランド電極が形成されていることを特徴と
する配線基板。 - 【請求項５】 請求項２又は３記載の配線基板におい
て、該配線基板はさらに、下部誘電体層の上面に、信号
線路の周囲にギャップを介して形成されたグランド電極
を備えていることを特徴とする配線基板。 - 【請求項６】 請求項２〜５いずれかに記載の配線基板
において、該配線基板はさらに、上部誘電体層から下部
誘電体層まで貫通し、下部誘電体層の下面のグランド電
極に接続された複数の導電性ビアを備えていることを特
徴とする配線基板。 - 【請求項７】 請求項１〜６いずれかに記載の配線基板
において、該配線基板は、ＩＣチップを外部回路に接続
するためのものであり、配線基板はさらに、 配線基板を貫通し、ＩＣチップを実装するための貫通孔
と、 配線基板の裏面に積層されたベース基板であって、その
上面にＩＣチップを配置するベース基板と、 配線基板の表面に設けられ、装着されたＩＣチップを封
止するための封止リングと、 封止リングに装着される蓋とを備えていることを特徴と
する配線基板。 - 【請求項８】 請求項７記載の配線基板において、ベー
ス基板は、ＩＣチップを冷却するための放熱材料で構成
されていることを特徴とする配線基板。 - 【請求項９】 請求項７又は８記載の配線基板におい
て、該配線基板は、矩形形状であり、貫通孔の周囲の４
辺の少なくとも１辺に、複数の信号線路系が形成されて
いることを特徴とする配線基板。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001329080A JP2003133471A (ja) | 2001-10-26 | 2001-10-26 | 高周波信号用の配線基板 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001329080A JP2003133471A (ja) | 2001-10-26 | 2001-10-26 | 高周波信号用の配線基板 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2003133471A true JP2003133471A (ja) | 2003-05-09 |
Family
ID=19145038
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2001329080A Pending JP2003133471A (ja) | 2001-10-26 | 2001-10-26 | 高周波信号用の配線基板 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2003133471A (ja) |
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-
2001
- 2001-10-26 JP JP2001329080A patent/JP2003133471A/ja active Pending
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