JP2003133400A - 吸着装置、真空処理装置及び吸着装置の製造方法 - Google Patents
吸着装置、真空処理装置及び吸着装置の製造方法Info
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Abstract
きくする技術に関する。 【解決手段】本発明の静電チャックプレート21は、電
極支持体25表面に第1、第2の電極171、172が配
置され、それらの上に絶縁層30が配置され、絶縁層3
0がポリイミドフィルムで構成されて電極支持体25上
に貼付されている。このため、セラミックスを焼成して
絶縁層を形成していた従来と異なり、基板との間の距離
を短く、かつどの位置でも均一にすることができ、さら
に、第1、第2の電極171、172の対向する部分の辺
を増やすと、吸着力が大きい部分が増え、従来に比して
基板の吸着力が大きくなる。また、ポリイミドフィルム
は軟らかいので、堅いセラミックスの表面に基板を載置
する場合に比して基板と絶縁層とが強く密着する。
Description
理装置及び吸着装置の製造方法に関し、特に、絶縁性基
板を静電吸着する吸着装置において、吸着力を大きくす
る技術を提供する。
リング装置を示す。このスパッタリング装置101は、
図示しない真空排気系に接続され、真空排気可能に構成
された真空槽102を有し、この真空槽102の内部天
井側には例えばチタンなどの金属からなるターゲット1
03が配設されている。
槽102とは絶縁され、かつ真空槽102の外部に設け
られた電源104に接続されており、電源104を起動
すると、電源104から電力が供給されるように構成さ
れている。
着装置120が配置されている。この吸着装置120
は、静電チャックプレート121と冷却装置123とを
有している。
面に固定されており、その上に静電チャックプレート1
21が配置されている。冷却装置123の内部には、図
示しない通水管が通されており、通水管に冷却水を通す
と冷却装置123が冷却され、静電チャックプレート1
21を冷却することができるように構成されている。
3(a)、(b)に示す。この静電チャックプレート121
は、絶縁体からなる電極支持層125を有している。こ
の電極支持層125はセラミックス製であり、その表面
に、カーボンからなる第1、第2の電極1271、12
72が配置されている。
図を同図(a)に示す。第1、第2の電極1271、12
72は櫛状に成形されており、その歯の部分が互いに噛
み合うように配置されている。同図(b)は同図(a)のX
−X線断面図に相当する。
ぞれ真空槽102外に設けられた静電チャック電源12
2に接続されており、その静電チャック電源122を起
動すると、第1、第2の電極1271、1272の間に直
流電圧を印加することができるように構成されている。
支持層125との上には、セラミックス製の絶縁層13
0が密着配置されており、第1、第2の電極1271、
1272と電極支持層125とは絶縁層130で被覆さ
れている。
て、絶縁性基板の表面に薄膜を成膜するには、まず、真
空槽102を真空排気して予め真空状態にした状態で、
真空槽102内に基板を搬入し、静電チャックプレート
121上の所定の位置に載置する。静電チャックプレー
ト121の表面に載置された状態の基板を図12の符号
105に示す。次に、静電チャック電源122を起動
し、第1、第2の電極1271、1272に対してそれぞ
れ正負の電圧を印加する。
電体を置いたとき、その誘電体には、単位面積当たり次
式で表されるグラディエント力が働く。 f = 1/2・α・grad(E2) 静電チャックプレート121は、上述したように、第
1、第2の電極1271、1272がともに櫛状に成形さ
れ、その歯の部分が互いに噛み合うように配置されてお
り、互いに隣接する第1、第2の電極1271、1272
の間の距離が非常に小さくなっている。その結果、誘電
体からなる基板がその表面に載置されたときに、上式の
grad(E2)が大きくなっている。
ト121の表面方向に上述したグラディエント力を受
け、絶縁性基板105の裏面全面が静電チャックプレー
ト121表面に吸着される。図14は、その状態を模式
的に示した図である。図14において符号Eは電場を示
している。また、符号fは絶縁性基板105に働くグラ
ディエント力の方向を示している。
板105が静電チャックプレート121の表面に吸着さ
れたら、冷却装置123を起動して、静電チャックプレ
ート121を冷却させる。静電チャックプレート121
表面には絶縁性基板105が静電吸着されているので、
静電チャックプレート121が冷却されると絶縁性基板
105が冷却される。
ス等のスパッタリングガスを一定量導入しながら、電源
104を起動してターゲット103に電力を供給する
と、放電が生じる。放電が生じると、ターゲット103
がスパッタリングされる。スパッタリングされたターゲ
ット材料は、絶縁性基板105の表面に付着し、絶縁性
基板105表面には、ターゲット材料からなる薄膜が成
長しはじめる。
が、目標とする膜厚に達したら電源104を停止させ、
プラズマを消滅させ、成膜を終了させる。以上のように
して、スパッタリング装置101で絶縁性基板105の
表面に薄膜を成膜することができる。
の表面にターゲットの構成材料がスパッタリングされ、
その構成材料が基板表面に入射して基板に熱が加えられ
るため、冷却装置123で静電チャックプレート121
を冷却して、絶縁性基板105を冷却しなければ、絶縁
性基板105の温度が過度に上昇してしまう。特に、絶
縁性基板が樹脂フィルムなどで構成された場合は、基板
の温度が過度に上昇すると、熱変形等が生じるため、基
板の温度が上昇しすぎないようにする必要がある。
レート121では、電極支持層125と、絶縁層130
とはともにセラミックスが焼成されて成形されている。
このため、第1、第2の電極1271、1272の表面か
ら、絶縁層130の表面までの距離を小さくすることは
困難であった。このため、吸着力を大きくするのには限
界があった。
るため表面は堅く、基板をその表面に載置しても、基板
との間の密着性は高くない。
性基板105との熱伝導率は低く、静電チャックプレー
ト121が成膜に最適な温度になっていても、絶縁性基
板105の温度が最適な温度よりも過度に上昇してしま
い、正確な温度制御ができなくなってしまうという問題
があった。このため、さらに吸着力を大きくしたいとい
う要求があった。
め第1、第2の電極1271、1272の表面から、絶縁
層130の表面までの距離も、位置によって異なるの
で、吸着力の大きさも位置によって異なるなどという問
題もあった。
の要求に応じるために創作されたものであり、その目的
は、静電チャックプレート表面に絶縁性基板を静電吸着
させる際に、吸着力を大きくする技術を提供することに
ある。
に、請求項1記載の発明は、絶縁体からなる支持体と、
前記支持体上に配置された電極と、前記電極上及び前記
支持体上に配置された絶縁層とを有し、該絶縁層上に基
板を載置した状態で、前記電極に電圧を印加すると、前
記基板と前記電極との間に吸着力が生じ、該吸着力で前
記基板が前記絶縁層上に吸着されるように構成された吸
着装置であって、前記絶縁層は可撓性を有する樹脂フィ
ルムからなる。請求項2記載の発明は、請求項1記載の
吸着装置であって、前記樹脂フィルムは、ポリイミド又
はシリコーンゴムのいずれか一方からなるフィルムであ
る。請求項3記載の発明は、請求項1又は2のいずれか
1項記載の吸着装置であって、前記電極は、互いに絶縁
され、断面が矩形に形成された第1、第2の電極からな
り、前記第1、第2の電極が互いに対向する部分におけ
る前記第1、第2の電極の辺の長さが1cm2あたり80m
m以上である。請求項4記載の発明は、真空処理装置で
あって、請求項1乃至3のいずれか1項記載の吸着装置
が真空槽内に配置され、該真空槽内で成膜処理又はエッ
チングのいずれか一方を行うように構成されている。請
求項5記載の発明は、請求項4記載の真空処理装置であ
って、前記成膜処理は、スパッタリング法、CVD法又
は真空蒸着法のいずれか一つである。請求項6記載の発
明は、絶縁体からなる支持体と、前記支持体上に配置さ
れた絶縁層と、前記支持体と前記絶縁層との間に配置さ
れた電極とを有し、該絶縁層上に基板を載置した状態
で、前記電極に電圧を印加すると、前記基板と前記電極
との間に吸着力が生じ、該吸着力で前記基板が前記絶縁
層上に吸着されるように構成された吸着装置の製造方法
であって、前記電極が表面に配置された絶縁層を、前記
支持体に貼付する。請求項7記載の発明は、絶縁体から
なる支持体と、前記支持体上に配置された絶縁層と、前
記支持体と前記絶縁層との間に配置された電極とを有
し、該絶縁層上に基板を載置した状態で、前記電極に電
圧を印加すると、前記基板と前記電極との間に吸着力が
生じ、該吸着力で前記基板が前記絶縁層上に吸着される
ように構成された吸着装置の製造方法であって、前記電
極が表面に配置された支持体に、前記絶縁層を貼付す
る。請求項8記載の発明は、請求項6又は7のいずれか
1項記載の吸着装置の製造方法であって、前記絶縁層を
前記支持体に貼付する工程では、前記絶縁層を加熱しな
がら前記支持体に押圧して接着することを特徴とする。
置される絶縁層が、可撓性を有する樹脂フィルムからな
る。樹脂フィルムはその表面がセラミックスなどに比し
て軟らかいため、絶縁層上に基板が載置されたときの密
着性は、セラミックスに比して高く、基板との間の熱伝
導性が良好になる。
絶縁層を形成していたため、電極の材料としては、焼成
の際の高温に耐えられる材料であることが要求されてい
たが、本発明では、フィルムを貼付して絶縁層を形成し
ているため、高温に耐えられない材料も電極の材料とし
て用いることができる。
で、セラミックスを絶縁層としていた従来に比して、電
極と載置された基板との間の距離を小さくすることがで
きるので、静電吸着力が大きくなる。さらに樹脂フィル
ムは膜厚が均一なので、電極と載置された基板との間の
距離を一定にして、絶縁層上のどの位置でも吸着力を均
一にすることができる。
リイミド又はシリコーンゴムで構成してもよい。ポリイ
ミドもシリコーンゴムも表面が軟らかく、熱伝導製が良
好なので、絶縁層の材料としては好ましい。
グラディエント力で吸着する際の吸着力をさらに大きく
すべく調査研究を重ねた。
が平行に配置された静電チャックプレートを複数用意
し、ガラス基板を吸着する際に、複数の測定位置におい
て吸着力を測定した。その結果を図9のグラフに示す。
図9の横軸は、電極の幅方向において、電極の中心位置
からの測定位置までの距離を示しており、縦軸は、各測
定位置における吸着力を示している。
ャックプレート121において、第1、第2の電極12
71、1272の幅をともに4mmとし、互いに隣接する第
1、第2の電極1271、1272の間隔を1mmとし、絶
縁層130の厚みを400μmとしたものについての測
定結果を示している。また、曲線(B)は、曲線(A)に示
した測定に用いた静電チャックプレートにおいて、第
1、第2の電極1271、1272の幅のみを2mmに変え
たものについての測定結果を示している。また、曲線
(C)は、曲線(B)に示した測定に用いた静電チャックプ
レートにおいて、絶縁層130の厚みのみを100μm
に変えたものについての測定結果を示している。更に、
曲線(D)は、曲線(B)に示した測定に用いた静電チャッ
クプレートにおいて、絶縁層130の厚みのみを50μ
mに変えたものについての測定結果を示している。
1、第2の電極1271、1272の幅が4mmであり、第
1、第2の電極1271、1272の端部が±2mmの位置
になる。曲線(A)に示したように、端部が位置する±2
mmの位置では、吸着力は他の位置に比して大きくなって
いる。他方、曲線(B)、(C)、(D)の第1、第2の電極
1271、1272の端部は±1mmの位置であるが、曲線
(B)、(C)、(D)のいずれにおいても、電極の端部が位
置する±1mm前後の位置で吸着力が大きくなっている。
トにおいても、それぞれの第1、第2の電極の対向する
電極の端部で吸着力が大きくなっていることが確認でき
た。
電極の端部は尖っており、この尖った箇所で電界集中が
生じて吸着力が大きくなっているものと推測した。
極の幅を狭くし、電極間の間隔を小さくして、第1、第
2の電極が互いに対向する部分における第1、第2の電
極の辺の長さ(以下でエッジ密度と称する。)を長くする
と、電極の本数が多くなり、吸着力が大きい電極の端部
の数が増え、吸着力が大きくなると考えた。実際に本発
明の発明者等が実験したところ、膜厚が25μmのポリ
イミドフィルム又はシリコーンゴムを絶縁層として用い
た場合のいずれにおいても、エッジ密度が、1cm2あた
り80mm以上になると、吸着力が10gf/cm2以上にな
る。ガラスの比重は2〜5程度なので吸着力が10gf/c
m2以上であれば、十分なマージンをもってガラス基板を
吸着した状態で搬送することが可能である。
第2の電極が互いに対向する部分における単位面積あた
りの第1、第2の電極の辺の長さを1cm2あたり80mm
以上にしている。このように構成することにより、ガラ
ス基板を十分な吸着力で吸着することができる。
施形態について説明する。図1の符号1に、本発明の一
実施形態のスパッタリング装置を示す。このスパッタリ
ング装置1は、図示しない真空排気系に接続され、内部
が真空排気可能に構成された真空槽2を有している。真
空槽2の内部天井側には、金属からなるターゲット3が
配設されている。ここでは、ターゲット3はチタンで構
成されている。このターゲット3は、接地された真空槽
2と絶縁され、真空槽2の外部に設けられたスパッタ電
源4に接続されており、スパッタ電源4を起動すると直
流電圧が印加されるように構成されている。
置23と、本発明の一実施形態の静電チャックプレート
21とが設けられている。
定されている。その上部表面には静電チャックプレート
21が固定されている。冷却装置23内部には、図示し
ない通水管が通されており、通水管に冷却水を通すと静
電チャックプレート21が冷却されるようになってい
る。
に示す。この静電チャックプレート21は、絶縁体から
なる電極支持層25を有している。ここでは電極支持層
25はAl2O3を主成分とするセラミックス製である。
電極支持層25は薄板状に形成されており、電極支持層
25の表面には、アルミニウム等の金属からなる第1、
第2の電極171、172が配置されている。
を図2に示す。図3は図2のA−A線断面図に相当して
いる。第1、第2の電極171、172は、それぞれ細長
矩形板状の電極を複数本ずつ有している。第1の電極1
71の複数本の電極は、複数本のうち、一本を除いた他
の電極が互いに平行になるように配置され、残りの一本
の電極が、平行に配置された各電極と垂直に配置され、
かつ各電極の一端が、残りの一本の電極に接続されてお
り、結果として、複数本の電極が櫛状に配置されてい
る。以下で互いに平行に配置された各電極を櫛の歯部分
と称して符号271に示し、残りの一本の電極を根本部
分と称し、符号181に示す。同様に、第2の電極172
も櫛状に形成され、複数の櫛の歯部分272と一本の根
本部分182を有している。こうして、ともに櫛状に形
成された第1、第2の電極171、172は、それぞれの
櫛の歯部分271、272が互いに噛み合うように電極支
持層25の表面に配置されている。
子が上下に挿通されている。挿通された引出端子を図3
の符号361、362に示す。各引出端子361、362の
上端部は電極支持層25の表面から露出し、第1、第2
の電極171、172とそれぞれ接触して電気的に接続さ
れている。他方、各引出端子361、362の下端部は電
極支持層25の下方から引き出され、真空槽2の外部に
配置された静電チャック電源22に接続されている。そ
の状態の電気的な接続関係を図4に示す。図4に示すよ
うに、第1、第2の電極171、172の各櫛の歯部分2
71、272は全てが静電チャック電源22に接続されて
おり、静電チャック電源22を駆動すると、第1の電極
171の各櫛の歯部分271と、第2の電極172の各櫛
の歯部分272とに、それぞれ正電圧と負電圧とを印加
できるようになっている。
持層25との上には、第1、第2の電極171、172と
電極支持層25の表面とを被覆するように絶縁層30が
配置されている。ここでは絶縁層30は、硬化したポリ
イミドで構成されている。
工程について図5乃至図8を参照しながら以下で説明す
る。
イミドフィルムからなる絶縁層30の表面に、アルミニ
ウムからなる金属箔60を配置する。この状態で絶縁層
30を加熱して、金属箔60に圧着すると、金属箔60
と絶縁層30とが接着される。絶縁層30を加熱する際
には、まだ絶縁層30が熱可塑性を残す程度にしてお
き、絶縁層30が硬化しないようにしておく。その後、
金属箔60をエッチングしてパターニングし、図6に示
すように絶縁層30表面に第1、第2の電極17 1、1
72を形成する。他方、セラミックスを板状に成形して
電極支持層25を形成し、その電極支持層25に二つの
貫通孔を開け、各貫通孔の内部に第1、第2の引出端子
361、362をそれぞれ挿通させておく。
1、172と電極支持層25の一表面とを互いに対向さ
せ、電極支持層25の一端と絶縁層30の一端とを位置
合わせし、絶縁層30の、第1、第2の電極171、1
72側の面と反対側から、電極支持層25方向に円筒状
のヒータ55を押圧しながら加熱する。すると、まず押
圧された位置での第1、第2の電極171、172の表面
と電極支持層25の表面とが当接し、押圧された位置の
絶縁層30が加熱され、第1、第2の電極171、172
が絶縁層30の内部へとめりこみ、絶縁層30の、第
1、第2の電極171、172が配置された側の表面が電
極支持層25の表面に密着し、ヒータ55が押圧された
位置の絶縁層30と電極支持層25とが接着される。
の電極支持層25と絶縁層30とは接着されるので、図
7に示すようにヒータ55を電極支持層25へと押圧し
ながら、絶縁層30の一端から他端へと転がすと、絶縁
層30の全部の領域がヒータ55によって押圧されるの
で、絶縁層30と電極支持層25とが接着される。
の一端との位置合わせがなされたため、接着後に、第
1、第2の引出端子361、362はそれぞれ第1、第2
の電極171、172と当接するようになっており、その
結果、第1、第2の引出端子361、362と第1、第2
の電極171、172とはそれぞれ電気的に接続されてい
る。以上により、図8にその断面を示すような静電チャ
ックプレート21が完成する。
いて、絶縁性基板の表面に薄膜を成膜する方法について
以下で説明する。ここでは絶縁性基板としてガラス基板
を用いている。
真空槽2内部の真空状態を維持しながら真空槽2内に絶
縁性基板を搬入し、静電チャックプレート21上の所定
の位置に載置する。静電チャックプレート21の表面に
載置された状態の絶縁性基板を図1の符号5に示す。
1、第2の電極171、172の間に直流電圧を印加する
と、第1、第2の電極171、172にそれぞれ正電圧と
負電圧とが印加される。
間に電界が発生し、絶縁性基板5は、静電チャックプレ
ート21の表面方向に、上述した電界の勾配によるグラ
ディエント力を受け、そのグラディエント力により絶縁
性基板5の裏面全面が静電チャックプレート21の表面
に吸着される。
フィルム状の絶縁層30が電極支持層25の表面に貼付
されている。ポリイミドフィルムで構成された絶縁層3
0は薄いので、セラミックスを絶縁層としていた従来に
比して、第1、第2の電極171、172の表面と絶縁層
30の表面との間の距離が小さくなる。ここでは、第
1、第2の電極171、172の表面と、絶縁層30との
表面の距離を25μmとしている。従って、絶縁層30
の表面に載置された基板5の裏面と、第1、第2の電極
171、172の表面との間の距離が小さくなり、セラミ
ックスを絶縁層として用いていた従来に比して吸着力が
大きくなる。
ので、第1、第2の電極171、172と絶縁層30の表
面との間の距離がどの位置でも一定になり、絶縁層30
表面に載置された基板5の裏面と第1、第2の電極17
1、172の表面との間の距離が一定になるので、絶縁層
30のどの位置においても吸着力が均一になる。
櫛の歯部分271、272の幅と、間隔とが従来に比して
狭くされ、各櫛の歯部分271、272の本数が多くなっ
ており、単位面積あたり、各櫛の歯部分271、272が
互いに対向する部分における各櫛の歯部分271、272
の辺の長さ、すなわちエッジ密度が大きくされている。
いる。1cm2あたりのエッジ密度は、1cm四方の正方形
中にある各櫛の歯部分271、272の辺の長さの合計で
与えられる。本実施形態では、各櫛の歯部分271、2
72の幅を0.5mm、それらの間隔を0.5mmとしてい
る。この場合、1cm四方の正方形中には、10本の櫛の
歯部分271、272があり、各櫛の歯部分271、272
の辺の数は、その本数の二倍の20となる。1cm四方の
正方形中における各櫛の歯部分271、272の辺の長さ
は1cm=10mmなので、電極の端部の長さの合計は、2
0×10=200となり、この値が本実施形態の1cmあ
たりのエッジ密度となる。本発明の発明者等が確認した
ところ、1cmあたりのエッジ密度が200mm/cm2の場
合の吸着力は、28gf/cm2であった。吸着力が10gf/c
m2以上であれば、十分な余裕をもってガラス基板を吸着
して搬送することができるので、本実施形態の静電チャ
ックプレートでは、ガラス基板を吸着するには十分な吸
着力を得ることができることが確認できた。
が静電チャックプレート21の表面に吸着されたら、冷
却装置23を起動して、静電チャックプレート21を冷
却させる。静電チャックプレート21の表面には絶縁性
基板5が静電吸着されているので、静電チャックプレー
ト21が冷却されると絶縁性基板5が冷却される。
に比して大きく、また、基板5が載置された絶縁層30
は軟らかいポリイミドフィルムからなり、堅いセラミッ
クスで絶縁層が構成された従来に比して基板5との密着
性が高くなっている。このため、静電チャックプレート
21と絶縁性基板5とは強く密着し、これらの間の熱伝
導率が高くなるので、静電チャックプレート21を成膜
に最適な温度にすることで、絶縁性基板5の温度が過度
に高くならずに最適な温度になるように制御することが
できる。
層を形成していたため、第1、第2の電極の材料として
は、焼成の際の高温に耐えられる材料であることが要求
されていたが、本発明では、かかる焼成工程を要せずに
絶縁層を形成できるため、例えば本実施形態のアルミニ
ウムのように、高温に耐えられない材料も第1、第2の
電極の材料として用いることができる。
のスパッタリングガスを一定量導入しながら、スパッタ
電源4を起動してターゲット3に直流電圧を印加する
と、放電が生じる。放電が生じると、ターゲット3がス
パッタリングされる。スパッタリングされたターゲット
3の構成材料であるチタンは、絶縁性基板5の表面に付
着し、絶縁性基板5表面にチタンからなる導電性薄膜が
成長しはじめる。
基板5の表面に目標とする厚さの導電性薄膜が形成され
たら静電チャック電源22を停止させてプラズマを消滅
させ、成長を終了させる。以上の工程を経て、スパッタ
リング装置1で絶縁性基板5の表面に、チタンからなる
導電性薄膜が成膜される。
30の表面に第1、第2の電極17 1、172を配置して
おき、その絶縁層30を電極支持層25上に貼付した
が、本発明はこれに限らず、例えば図10に示すよう
に、絶縁層30の表面には第1、第2の電極171、1
72を配置せず、電極支持層25の表面に第1、第2の
電極171、172を配置し、第1、第2の引出端子36
1、362と接続しておき、その電極支持層25の表面に
図11に示すように絶縁層30を貼着してもよい。
する際に、熱可塑性のポリイミドフィルムを加熱して電
極支持層25に圧着することで貼付したが、本発明はこ
れに限らず、例えば絶縁層の電極支持層25と対向する
側に接着材を塗布し、その接着材で絶縁層と電極支持層
とを接着するように構成してもよい。
フィルムで構成したが、本発明の絶縁層はこれに限ら
ず、例えばシリコーンゴムなどの有機樹脂で構成しても
よい。シリコーンゴムは表面が軟らかく、基板との密着
性が高いので、絶縁層の材料としては非常に好ましい
が、フッ素系のガスに曝されると劣化するので、フッ素
系のガスなどに曝される吸着装置には、本実施形態のよ
うなポリイミドを用いることが好ましい。
フィルムで構成したが、本発明はこれに限らず、例え
ば、第1、第2の電極171、172を電極支持層25の
表面に予め配置しておき、第1、第2の電極171、1
72及び電極支持層25の上から液状の有機樹脂を塗布
し、その厚みを均一にした状態で硬化させて、硬化した
有機樹脂によって絶縁層30を形成してもよい。
ジ密度を200mm/cm2としたが、本発明はこれに限ら
れるものではなく、ガラス基板を吸着する際には、1cm
2あたりのエッジ密度が80mm/cm2以上であればよい。
形成したが、本発明はこれに限られるものではなく、他
の金属例えば銅でもよいし、さらに金属に限られるもの
でもなく、例えばカーボンなどの導電性材料を用いても
よい。
て、スパッタ装置について説明したが、本発明はこれに
限られるものではなく、吸着装置を備えた装置として、
例えばCVD装置等の成膜装置や、あるいはエッチング
装置等を用いてもよい。
着する場合について説明したが、本発明はこれに限ら
ず、樹脂製のフィルム基板や、あるいはシリコン基板等
の導電性基板を吸着する場合にも適用可能であり、更
に、搬送装置に搭載して、基板を静電吸着した状態で搬
送するような用途にも適用可能である。
ゴム以外でも、絶縁性があって薄く(50μm以下)、膜
厚が均一なフィルムであれば、そのフィルムを用いて絶
縁層を構成することも可能である。
を大きくできる。
備えた真空処理装置の構成を説明する図
説明する平面図
説明する断面図
第1、第2の電極と電源との電気的な接続関係を説明す
る図
製造工程を説明する第1の断面図
製造工程を説明する第2の断面図
製造工程を説明する第3の断面図
製造工程を説明する第4の断面図
関係を説明するグラフ
程を説明する第1の断面図
程を説明する第2の断面図
理装置の構成を説明する図
る平面図 (b):従来の静電チャックプレートを説明する断面図
5……電極支持層(支持体) 271……第1の電極
272……第2の電極 30……絶縁層
Claims (8)
- 【請求項1】絶縁体からなる支持体と、 前記支持体上に配置された電極と、 前記電極上及び前記支持体上に配置された絶縁層とを有
し、 該絶縁層上に基板を載置した状態で、前記電極に電圧を
印加すると、前記基板と前記電極との間に吸着力が生
じ、該吸着力で前記基板が前記絶縁層上に吸着されるよ
うに構成された吸着装置であって、 前記絶縁層は可撓性を有する樹脂フィルムからなる吸着
装置。 - 【請求項2】前記樹脂フィルムは、ポリイミド又はシリ
コーンゴムのいずれか一方からなるフィルムである請求
項1記載の吸着装置。 - 【請求項3】前記電極は、互いに絶縁され、断面が矩形
に形成された第1、第2の電極からなり、 前記第1、第2の電極が互いに対向する部分における前
記第1、第2の電極の辺の長さが1cm2あたり80mm以
上である請求項1又は2のいずれか1項記載の吸着装
置。 - 【請求項4】請求項1乃至3のいずれか1項記載の吸着
装置が真空槽内に配置され、該真空槽内で成膜処理又は
エッチングのいずれか一方を行うように構成された真空
処理装置。 - 【請求項5】前記成膜処理は、スパッタリング法、CV
D法又は真空蒸着法のいずれか一つである請求項4記載
の真空処理装置。 - 【請求項6】絶縁体からなる支持体と、 前記支持体上に配置された絶縁層と、 前記支持体と前記絶縁層との間に配置された電極とを有
し、 該絶縁層上に基板を載置した状態で、前記電極に電圧を
印加すると、前記基板と前記電極との間に吸着力が生
じ、該吸着力で前記基板が前記絶縁層上に吸着されるよ
うに構成された吸着装置の製造方法であって、 前記電極が表面に配置された絶縁層を、前記支持体に貼
付する吸着装置の製造方法。 - 【請求項7】絶縁体からなる支持体と、 前記支持体上に配置された絶縁層と、 前記支持体と前記絶縁層との間に配置された電極とを有
し、 該絶縁層上に基板を載置した状態で、前記電極に電圧を
印加すると、前記基板と前記電極との間に吸着力が生
じ、該吸着力で前記基板が前記絶縁層上に吸着されるよ
うに構成された吸着装置の製造方法であって、 前記電極が表面に配置された支持体に、前記絶縁層を貼
付する吸着装置の製造方法。 - 【請求項8】前記絶縁層を前記支持体に貼付する工程で
は、前記絶縁層を加熱しながら前記支持体に押圧して接
着することを特徴とする請求項6又は7のいずれか1項
記載の吸着装置の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2001328761A JP2003133400A (ja) | 2001-10-26 | 2001-10-26 | 吸着装置、真空処理装置及び吸着装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
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JP2001328761A JP2003133400A (ja) | 2001-10-26 | 2001-10-26 | 吸着装置、真空処理装置及び吸着装置の製造方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
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JP2003133400A true JP2003133400A (ja) | 2003-05-09 |
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ID=19144772
Family Applications (1)
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JP2001328761A Pending JP2003133400A (ja) | 2001-10-26 | 2001-10-26 | 吸着装置、真空処理装置及び吸着装置の製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2003133400A (ja) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2005245106A (ja) * | 2004-02-25 | 2005-09-08 | Kyocera Corp | 静電チャック |
JP2008282875A (ja) * | 2007-05-08 | 2008-11-20 | Shinko Electric Ind Co Ltd | 静電チャックおよび静電チャックの製造方法 |
CN103972141A (zh) * | 2013-02-06 | 2014-08-06 | 财团法人工业技术研究院 | 膜层结构以及软性电子装置制作方法 |
-
2001
- 2001-10-26 JP JP2001328761A patent/JP2003133400A/ja active Pending
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