JP2003131618A - 電子装置、電気光学装置及び電子機器 - Google Patents

電子装置、電気光学装置及び電子機器

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Abstract

(57)【要約】 【課題】 電流駆動による電気光学素子の駆動制御をよ
り高精度に行い且つ構成素子数の低減を図る。 【解決手段】 駆動電源Ｖｘとドライバ４ａとの間に画
素回路１０が接続されたデータ線の、駆動電源Ｖｘと画
素回路１０との間に、ダイオード接続されたトランジス
タからなる変換トランジスタ１２を介挿する。この変換
トランジスタ１２を各画素回路１０で共通のトランジス
タとして利用し、各画素回路を、前記変換トランジスタ
１２とカレントミラー回路を構成する駆動用トランジス
タと、走査ドライバ４によって駆動され前記変換トラン
ジスタ１２と駆動用トランジスタとの接続をオンオフす
る制御用トランジスタと、制御用トランジスタによって
駆動用トランジスタのゲートに印加される電圧を保持す
る容量素子とから構成し、駆動用トランジスタによって
容量素子の保持電圧に応じた電流を有機エレクトロルミ
ネッセンス素子に供給する。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、電流により駆動さ
れる電流駆動素子を備えた電子装置、電子光学装置及び
電子機器に関する。
【０００２】
【従来の技術】近年、液晶を用いた表示装置（以下、デ
ィスプレイという）は薄型表示装置として普及しつつあ
る。このタイプのディスプレイは、ＣＲＴのディスプレ
イに比べて低消費電力で省スペースである。したがっ
て、このようなディスプレイの利点を活かし、より低消
費電力で、より省スペースのディスプレイを製造するこ
とが重要となる。
【０００３】また、このようなタイプの表示装置に、液
晶ではなく電流駆動型発光素子を用いて表示を行うもの
がある。この電流駆動型発光素子は、液晶とは異なり、
電流が供給されることにより発光する自発光素子である
ため、バックライトが不要であり、低電力化という市場
の要求に対応することができる。さらに高い視野角、高
いコントラスト比等の面で優れた表示性能を有してい
る。このような電流駆動型発光素子の中でもエレクトロ
ルミネッセンス素子（Electroluminescent devices）
は、大面積化、高精細化、フルカラー化を図ることがで
きるので、ディスプレイには特に適している。
【０００４】このエレクトロルミネッセンス素子の中で
も、有機エレクトロルミネッセンス素子（Organic Elec
troluminescent devices）は、高い量子効率のため注目
されている。
【０００５】このような、有機エレクトロルミネッセン
ス素子を用いて表示を行う表示装置としては、例えば図
２１に示すような表示装置が提案されている。すなわ
ち、この表示装置は、データ線Ｘと走査線Ｙとの交点に
対応して画素回路が配置され、データドライバ５１によ
ってデータ線を駆動し、走査ドライバ５２によって走査
線Ｙを駆動するようになっている。
【０００６】前記画素回路５５は、図２２に示すよう
に、例えば、２つのトランジスタ６１，６２と、データ
保持用の容量素子６３と、有機エレクトロルミネッセン
ス素子６４とから構成されている。そして、走査線Ｙに
よってトランジスタ６１のスイッチング動作を行ってデ
ータ線Ｘから供給されたデータ信号を電荷として容量素
子６３に保持し、この容量素子６３で保持された電荷に
よりトランジスタ６２が導通状態となり、データ信号に
対応する電流量が有機エレクトロルミネッセンス素子６
４に供給され、有機エレクトロルミネッセンス素子６４
が発光する。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】ところで、例えば、有
機エレクトロルミネッセンス素子などのように電流駆動
型素子は電圧よりも電流で制御するほうがより容易であ
る。これは、有機エレクトロルミネッセンス素子は電流
量に対して輝度が決定されるので、データ信号として電
流を用いたほうがより制御が正確であるためである。
【０００８】そこで、本発明の重要な目的の一つは、デ
ータ信号に対する電流量をデータ線あるいは導通線に出
力することにより、電流駆動素子を流れる電流量が決定
される電子装置、電気光学装置及び電子機器を提供する
ことである。
【０００９】
【課題を解決するための手段】上記目標を達成するため
に、本発明の第１の電子装置は、通電線と、当該通電線
に接続された複数の単位回路と、前記通電線に接続され
且つ当該通電線に流れる電流の電流量に基づいてゲート
電圧が設定されるトランジスタと、を備えることを特徴
としている。係る電子装置の例として、例えば、ＭＲＡ
Ｍ（Magnetoresistive RAM）セル、有機エレクトロルミ
ネッセンス素子、またはレーザーダイオードを備えた電
子装置を挙げることができる。
【００１０】また、第２の電子装置は、請求項１記載の
電子装置において、前記トランジスタのゲート電極は、
当該トランジスタのソース端又はドレイン端と接続され
ていることを特徴としている。本明細書を通して、「前
記トランジスタのゲート電極とソース端又はドレイン端
が接続されている」とは、ソース端又はドレイン端とゲ
ート電極との間にトランジスタ、ダイオードなどの抵抗
素子などが接続されている場合をも含んでいる。
【００１１】本発明の第１及び第２の電子装置では、通
電線に接続されたトランジスタのゲート電圧は、この通
電線に流れる電流量に基づいて設定されることとなる。
また、本発明の第３の電子装置は、通電線と、当該通電
線に接続された複数の単位回路と、前記通電線に接続さ
れ且つ当該通電線に流れる電流の電流量に基づいてゲー
ト電圧が設定される第１のトランジスタと、を備えた電
子装置であって、前記単位回路は、前記第１のトランジ
スタとカレントミラーを構成する第２のトランジスタを
有することを特徴としている。
【００１２】また、本発明の第４の電子装置は、請求項
３記載の電子装置において、前記第１のトランジスタの
ゲート電極は、当該第１のトランジスタのソース端又は
ドレイン端と接続されていることを特徴としている。
【００１３】本発明の第３及び第４の電子装置では、通
電線に接続された第１のトランジスタのゲート電圧は、
この通電線に流れる電流量に基づいて設定され、第１の
トランジスタのゲート電圧に基づいて第２のトランジス
タに流れる電流量が設定される。
【００１４】本発明の第５の電子装置は、通電線と、当
該通電線に接続された複数の単位回路と、前記通電線に
接続され、且つ、当該通電線に流れる電流の電流量に基
づいてゲート電圧が設定される第１のトランジスタと、
を備えた電子装置であって、前記単位回路は、その導電
型がｐ型であって、前記第１のトランジスタとカレント
ミラーを構成する第２のトランジスタを有することを特
徴としている。これによれば、第２のトランジスタに電
子素子を接続した電子デバイスを形成するとき、その電
子デバイスの特性に基づいて、係る電子装置を容易に形
成することができる。
【００１５】また、本発明の第６の電子装置は、請求項
５記載の電子装置において、前記第１のトランジスタの
ゲート電極は当該第１のトランジスタのソース端又はド
レイン端と接続されていることを特徴としている。
【００１６】本発明の第７の電子装置は、通電線と、当
該通電線に接続された複数の単位回路と、前記通電線に
接続され、且つ、当該通電線に流れる電流の電流量に基
づいてゲート電圧が設定される第１のトランジスタと、
を備えた電子装置であって、前記単位回路は、前記第１
のトランジスタとカレントミラーを構成する第２のトラ
ンジスタを有し、前記第２のトランジスタは、その利得
係数を前記通電線に流れる電流の電流量より大きな電流
量を生成するように設定したことを特徴としている。こ
れによれば、第２のトランジスタにて生成される電流の
電流量を通電線に流れる電流の電流量より大きくするこ
とができる。
【００１７】また、本発明の第８の電子装置は、通電線
と、当該通電線に接続された複数の単位回路と、前記通
電線に接続され、且つ、当該通電線に流れる電流の電流
量に基づいてゲート電圧が設定される第１のトランジス
タと、を備えた電子装置であって、前記単位回路は、前
記第１のトランジスタとカレントミラーを構成する第２
のトランジスタを有し、前記第２のトランジスタは、そ
の利得係数を前記通電線に流れる電流の電流量より小さ
な電流量を生成するように設定したことを特徴としてい
る。これによれば、第２のトランジスタにて生成される
電流の電流量を通電線に流れる電流の電流量より小さく
することができる。
【００１８】また、本発明の第９の電子装置は、請求項
７又は８記載の電子装置において、前記第１のトランジ
スタのゲート電極は当該第１のトランジスタのソース端
又はドレイン端と接続されていることを特徴としてい
る。
【００１９】また、本発明の第１の電気光学装置は、デ
ータ線と、電気光学素子を有し且つ前記データ線に接続
される複数の単位回路と、前記データ線に接続され、当
該データ線に流れる電流の電流量によりゲート電圧が設
定されるトランジスタと、を備えることを特徴としてい
る。
【００２０】また、本発明の第２の電気光学装置は、請
求項１０に記載の電気光学装置おいて、走査線をさらに
備え、前記複数の単位回路のそれぞれは、前記電気光学
素子に電気的に接続された駆動トランジスタと、ゲート
電極が前記走査線に接続されたスイッチングトランジス
タ、と有し、前記データ線を介してデータ信号が前記複
数の単位回路に供給されることを特徴としている。
【００２１】また、本発明の第３の電気光学装置は、請
求項１１記載の電気光学装置において、前記スイッチン
グトランジスタのソース端又はドレイン端は、前記駆動
トランジスタのゲート電極に接続されていることを特徴
としている。
【００２２】また、本発明の第４の電気光学装置は、請
求項１１又は１２記載の電気光学装置において、前記デ
ータ信号は、デジタル−アナログ変換回路で生成された
アナログ量を有する電流であることを特徴としている。
【００２３】また、本発明の第５の電気光学装置は、請
求項１１乃至１３の何れかに記載の電気光学装置におい
て、前記トランジスタと前記駆動トランジスタとは、カ
レントミラーを構成することを特徴としている。
【００２４】また、本発明の第６の電気光学装置は、請
求項１１乃至１４の何れかに記載の電気光学装置におい
て、前記データ線に接続される第１の電源の電圧値と、
前記電気光学素子と前記駆動トランジスタを介して接続
される第２の電源の電圧値とは、所定の比率となるよう
に設定されることを特徴としている。
【００２５】また、本発明の第７の電気光学装置は、請
求項１３乃至１５の何れかに記載の電気光学装置におい
て、前記トランジスタは、前記デジタル−アナログ変換
回路と前記データ線との間に配置されていることを特徴
としている。
【００２６】また、本発明の第８の電気光学装置は、請
求項１３乃至１５の何れかに記載の電気光学装置におい
て、前記デジタル-アナログ変換回路と前記トランジス
タとの間に前記データ線が配置されていることを特徴と
している。
【００２７】また、本発明の第９の電気光学装置は、請
求項１６又は１７記載の電気光学装置において、前記ト
ランジスタと前記デジタル-アナログ変換回路と前記デ
ータ線とは同一基体上に形成されていることを特徴とし
ている。
【００２８】また、本発明の第１０の電気光学装置は、
請求項１６又は１７記載の電気光学装置において、前記
データ線と前記デジタル-アナログ変換回路とは同一基
体上に形成されていることを特徴としている。
【００２９】また、本発明の第１１の電気光学装置は、
請求項１６又は１７記載の電気光学装置において、前記
データ線と前記トランジスタとは同一基体上に形成され
ていることを特徴としている。
【００３０】また、本発明の第１２の電気光学装置は、
請求項１６又は１７記載の電気光学装置において、前記
デジタル-アナログ変換回路と前記トランジスタとは同
一基体上に形成されていることを特徴としている。
【００３１】上記の本発明の第１８乃至２１の電気光学
装置において「基体」の例としては、ガラス基板、石英
基板、またはシリコン基板などを挙げることができる。
また、本発明の第１３の電気光学装置は、請求項１１乃
至２１の何れかに記載の電気光学装置において、前記ト
ランジスタと前記単位回路に含まれるトランジスタと、
は薄膜トランジスタで構成されていることを特徴として
いる。
【００３２】上記の本発明の第１３の電気光学装置にお
いては前記単位回路に含まれるトランジスタが薄膜トラ
ンジスタである場合は、ガラス基板など基体上に、前記
トランジスタと、前記単位回路に含まれるトランジスタ
が薄膜トランジスタと、を一体形成することができる。
【００３３】また、本発明の第１４の電気光学装置は、
請求項１０乃至２１の何れかに記載の電気光学装置にお
いて、前記トランジスタは、シリコンベースのＭＯＳト
ランジスタで構成されていることを特徴としている。薄
膜トランジスタに比べて、シリコンベースのＭＯＳトラ
ンジスタは、そのトランジスタ特性の制御が容易であ
り、トランジスタ特性のバラツキを低減することができ
る。前記トランジスタがシリコンベースのＭＯＳトラン
ジスタであり、前記単位回路が薄膜トランジスタにより
構成されている場合は、外付のデータ線ＩＣドライバ内
に配置することが可能であるが、前記トランジスタをウ
ェハ上で作製し、前記トランジスタを前記単位回路を載
置する基体上に再配置することも可能である。
【００３４】なお、駆動トランジスタは電気光学素子に
電気的に接続されていればよく、例えばこれらの間に他
のトランジスタが接続されていてもよい。また、本発明
の第１５の電気光学装置は、請求項１０乃至２３の何れ
かに記載の電気光学装置において、前記電気光学素子に
供給される電流量を設定するための、前記データ線を流
れる電流量は、前記電気光学素子に供給される電流量以
上であることを特徴とする。電気光学素子に供給するた
めの電流量が低い場合、それに対応する電流をデータ線
に出力して前記トランジスタのゲート電圧を設定するの
に時間を要するが、電気光学素子に供給する電流量以上
の電流量をデータ線に流すことにより、前記トランジス
タのゲート電圧を設定する時間を速くすることができ
る。
【００３５】また、本発明の第１６の電気光学装置は、
請求項１０乃至２３の何れかに記載の電気光学装置にお
いて、前記電気光学素子に供給される電流量を設定する
ための、前記データ線を流れる電流量は、前記電気光学
素子に供給される電流量以下であることを特徴とする。
【００３６】前記電気光学素子に供給される電流量を設
定するために、前記データ線に出力する電流量を、前記
電気光学素子に供給される電流量以下にすることにより
消費電力を低減することができる。
【００３７】本発明の第１７の電気光学装置は、データ
線と、前記データ線と接続され、当該データ線に流れる
データ信号の電流量によりゲート電圧が設定される変換
トランジスタと、電気光学素子と、当該電気光学素子と
電気的に接続され且つその導電型がｐ型である駆動トラ
ンジスタと、を有する単位回路とを備えたことを特徴と
している。
【００３８】本発明の第１７の電気光学装置では、新た
な電源追加を伴わずに変換トランジスタ及び駆動トラン
ジスタを十分にオンすることが可能となる。また、本発
明の第１８の電気光学装置は、走査線をさらに備え、前
記各単位回路のそれぞれは、ゲート電極が前記走査線に
接続されたスイッチングトランジスタを有し、前記デー
タ線を介してデータ信号が前記複数の単位回路に供給さ
れることを特徴としている。
【００３９】また、本発明の第１９の電気光学装置は、
請求項２６記載の電気光学装置において、前記スイッチ
ングトランジスタのソース端又はドレイン端は、前記駆
動トランジスタのゲート電極に接続されていることを特
徴としている。
【００４０】また、本発明の第２０の電気光学装置は、
請求項２７記載の電気光学装置において、前記データ信
号は、デジタル−アナログ変換回路で生成されたアナロ
グ量を有する電流であることを特徴としている。
【００４１】また、本発明の第２１の電気光学装置は、
請求項２６乃至２９の何れかに記載の電気光学装置にお
いて、前記変換トランジスタと前記駆動トランジスタと
は、カレントミラーを構成することを特徴としている。
【００４２】また、本発明の第２２の電気光学装置は、
請求項２９又は３０記載の電気光学装置において、前記
変換トランジスタは、前記デジタル−アナログ変換回路
と前記データ線との間に配置されていることを特徴とし
ている。
【００４３】また、本発明の第２３の電気光学装置は、
請求項２９又は３０に記載の電気光学装置において、前
記デジタル-アナログ変換回路と前記変換トランジスタ
との間に前記データ線が配置されていることを特徴とし
ている。
【００４４】また、本発明の第２４の電気光学装置は、
請求項２９乃至３２の何れかに記載の電気光学装置にお
いて、前記変換トランジスタと前記デジタル-アナログ
変換回路と前記データ線とは同一基体上に形成されてい
ることを特徴としている。
【００４５】また、本発明の第２５の電気光学装置は、
請求項３２に記載の電気光学装置において、前記データ
線と前記デジタル-アナログ変換回路とは同一基体上に
形成されていることを特徴としている。
【００４６】また、本発明の第２６の電気光学装置は、
請求項３１又は３２記載の電気光学装置において、前記
データ線と前記変換トランジスタとは同一基体上に形成
されていることを特徴としている。
【００４７】また、本発明の第２７の電気光学装置は、
請求項３１記載の電気光学装置において、前記デジタル
-アナログ変換回路と前記変換トランジスタとは同一基
体上に形成されていることを特徴としている。
【００４８】上記の本発明の第２４乃至２７の電気光学
装置において、「基体」の例としては、ガラス基板、石
英基板、またはシリコン基板などを挙げることができ
る。また、本発明の第２８の電気光学装置は、請求項２
７乃至３６の何れかに記載の電気光学装置において、前
記変換トランジスタと、前記単位回路に含まれる前記ス
イッチングトランジスタ及び前記駆動トランジスタと
は、薄膜トランジスタで構成されていることを特徴とし
ている。
【００４９】また、本発明の第２９の電気光学装置は、
請求項２６乃至３６記載の何れかに記載の電気光学装置
において、前記変換トランジスタは、シリコンベースの
ＭＯＳトランジスタで構成されていることを特徴として
いる。薄膜トランジスタに比べて、シリコンベースのＭ
ＯＳトランジスタは、そのトランジスタ特性の制御が容
易であり、トランジスタ特性のバラツキを低減すること
ができる。前記変換トランジスタがシリコンベースのＭ
ＯＳトランジスタであり、前記単位回路が薄膜トランジ
スタにより構成されている場合は、外付のデータ線ＩＣ
ドライバ内に配置することが可能であるが、前記変換ト
ランジスタをウェハ上で作製し、前記変換トランジスタ
を前記単位回路を載置する基体上に再配置することも可
能である。
【００５０】なお、駆動トランジスタは電気光学素子に
電気的に接続されていればよく、例えばこれらの間に他
のトランジスタが接続されていてもよい。本発明の第３
０の電気光学装置は、データ線と、前記データ線と接続
され、当該データ線に流れるデータ信号の電流量により
ゲート電圧が設定される変換トランジスタと、前記変換
トランジスタとカレントミラー回路を構成し、前記デー
タ線に流れるデータ信号の電流量により大きな電流量を
生成するようにその利得係数が設定された駆動トランジ
スタと、前記駆動トランジスタと電気的に接続された電
気光学素子と、を有する単位回路とを備えたことを特徴
としている。
【００５１】本発明の第３０の電気光学装置では、電気
光学素子に供給するための電流量が低い場合、それに対
応する電流をデータ線に出力して前記変換トランジスタ
のゲート電圧を設定するのに時間を要するが、電気光学
素子に供給する電流量以上の電流量をデータ線に流すこ
とにより、前記変換トランジスタのゲート電圧を設定す
る時間を速くすることができる。
【００５２】本発明の第３１の電気光学装置は、データ
線と、前記データ線と接続され、当該データ線に流れる
データ信号の電流量によりゲート電圧が設定される変換
トランジスタと、前記変換トランジスタとカレントミラ
ー回路を構成し、前記データ線に流れるデータ信号の電
流量により小さな電流量を生成するようにその利得係数
が設定された駆動トランジスタと、前記駆動トランジス
タと電気的に接続された電気光学素子と、を有する単位
回路とを備えたことを特徴としている。
【００５３】本発明の第３１の電気光学装置では、前記
電気光学素子に供給される電流量を設定するために、前
記データ線に出力する電流量を、前記電気光学素子に供
給される電流量以下にすることにより消費電力を低減す
ることができる。
【００５４】本発明の第３２の電気光学装置は、請求項
３９又は４０記載の電気光学装置において、走査線をさ
らに備え、前記複数の単位回路のそれぞれは、ゲート電
極が前記走査線に接続されたスイッチングトランジスタ
を有し、前記データ線を介してデータ信号が前記複数の
単位回路に供給されることを特徴としている。
【００５５】本発明の第３３の電気光学装置は、請求項
４１記載の電気光学装置において、前記スイッチングト
ランジスタのソース端又はドレイン端は、前記駆動トラ
ンジスタのゲート電極に接続されていることを特徴とし
ている。
【００５６】また、本発明の第３４の電気光学装置は、
請求項３９乃至４２の何れかに記載の電気光学装置にお
いて、前記データ信号は、デジタル−アナログ変換回路
で生成されたアナログ量を有する電流であることを特徴
としている。
【００５７】また、本発明の第３５の電気光学装置は、
請求項３９乃至４３の何れかに記載の電気光学装置にお
いて、前記変換トランジスタと前記駆動トランジスタと
は、カレントミラーを構成することを特徴としている。
【００５８】また、本発明の第３６の電気光学装置は、
請求項４３又は４４記載の電気光学装置において、前記
変換トランジスタは、前記デジタル−アナログ変換回路
と前記データ線との間に配置されていることを特徴とし
ている。
【００５９】また、本発明の第３７の電気光学装置は、
請求項４３又は４４記載の電気光学装置において、前記
デジタル-アナログ変換回路と前記変換トランジスタと
の間に前記データ線が配置されていることを特徴として
いる。
【００６０】また、本発明の第３８の電気光学装置は、
請求項４３乃至４６の何れかに記載の電気光学装置にお
いて、前記変換トランジスタと前記デジタル-アナログ
変換回路と前記データ線とは同一基体上に形成されてい
る。
【００６１】また、本発明の第３９の電気光学装置は、
請求項４６に記載の電気光学装置において、前記データ
線と前記デジタル-アナログ変換回路とは同一基体上に
形成されていることを特徴としている。
【００６２】また、本発明の第４０の電気光学装置は、
請求項４５又は４６記載の電気光学装置において、前記
データ線と前記変換トランジスタとは同一基体上に形成
されていることを特徴としている。
【００６３】また、本発明の第４１の電気光学装置は、
請求項４５記載の電気光学装置において、前記デジタル
-アナログ変換回路と前記変換トランジスタとは同一基
体上に形成されていることを特徴としている。
【００６４】また、本発明の第４２の電気光学装置は、
請求項４１乃至５０の何れかに記載の電気光学装置にお
いて、前記変換トランジスタと、前記単位回路に含まれ
る前記スイッチングトランジスタ及び前記駆動トランジ
スタとは、薄膜トランジスタで構成されていることを特
徴としている。
【００６５】また、本発明の第４３の電気光学装置は、
請求項３９乃至５０の何れかに記載の電気光学装置にお
いて、前記変換トランジスタは、シリコンベースのＭＯ
Ｓトランジスタで構成されていることを特徴としてい
る。
【００６６】本発明の第４４の電気光学装置は、データ
信号を供給する複数のデータ線と、前記データ信号の電
流量に対してその駆動レンジが異なる電気光学素子をそ
れぞれ備えた複数の単位回路とを備えた電気光学装置に
おいて、前記データ線に接続され、前記電気光学素子の
駆動レンジに応じた利得係数を有する変換トランジスタ
と、前記単位回路に設けられ、前記変換トランジスタと
カレントミラーを構成する駆動トランジスタとを備えて
いることを特徴としている。電気光学装置の回路構成
を、駆動レンジが異なる電気光学素子の特性に合わせて
形成をする必要はなく、全て同じ特性の回路で構成する
ことができる。
【００６７】また、本発明の第４５の電気光学装置は、
請求項５３記載の電気光学装置において、前記電気光学
素子は、それぞれ、赤、緑及び青色を発光する有機材料
で形成された発光層を有する有機エレクトロルミネッセ
ンス素子であることを特徴としている。
【００６８】また、本発明の第４６の電気光学装置は、
請求項５３又は５４記載の電気光学装置において、走査
線をさらに備え、前記複数の単位回路のそれぞれは、ゲ
ート電極が前記走査線に接続されていたスイッチングト
ランジスタを有することを特徴としている。
【００６９】また、本発明の第４７の電気光学装置は、
請求項５３又は５５記載の電気光学装置において、前記
データ信号は、デジタル−アナログ変換回路で生成され
たアナログ量を有する電流であることを特徴としてい
る。
【００７０】本発明の第４８の電気光学装置は、請求項
５３乃至５６の何れかに記載の電気光学装置において、
前記変換トランジスタは、前記デジタル−アナログ変換
回路と前記データ線との間に配置されていることを特徴
としている。
【００７１】本発明の第４９の電気光学装置は、請求項
５３乃至５６記載の電気光学装置において、前記デジタ
ル-アナログ変換回路と前記変換トランジスタとの間に
前記データ線が配置されていることを特徴としている。
【００７２】本発明の第５０の電気光学装置は、請求項
５３乃至５８の何れかに記載の電気光学装置において、
前記変換トランジスタと前記デジタル-アナログ変換回
路と前記データ線とは同一基体上に形成されていること
を特徴としている。
【００７３】本発明の第５１の電気光学装置は、請求項
５６乃至５８の何れかに記載の電気光学装置において、
前記データ線と前記デジタル-アナログ変換回路とは同
一基体上に形成されていることを特徴としている。
【００７４】本発明の第５２の電気光学装置は、請求項
５６乃至５８の何れかに記載の電気光学装置において、
前記データ線と前記変換トランジスタとは同一基体上に
形成されていることを特徴としている。
【００７５】本発明の第５３の電気光学装置は、請求項
５６又は５７記載の電気光学装置において、前記デジタ
ル-アナログ変換回路と前記変換トランジスタとは同一
基体上に形成されていることを特徴としている。
【００７６】本発明の第５４の電気光学装置は、請求項
５５乃至６２の何れかに記載の電気光学装置において、
前記変換トランジスタと、前記単位回路に含まれる前記
スイッチングトランジスタ及び前記駆動トランジスタと
は、薄膜トランジスタで構成されていることを特徴とし
ている。
【００７７】本発明の第５５の電気光学装置は、請求項
５３乃至６３の何れかに記載の電気光学装置において、
前記変換トランジスタは、シリコンベースのＭＯＳトラ
ンジスタで構成されていることを特徴としている。
【００７８】また、本発明の第５６の電気光学装置は、
請求項９乃至６３の何れかに記載の電気光学装置におい
て、前記電気光学素子は有機エレクトロルミネッセンス
素子であることを特徴としている。
【００７９】さらに、本発明の電子機器は、請求項９乃
至６３の何れかに記載の電気光学装置を、表示部として
利用したことを特徴としている。
【００８０】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態を図面
に基づいて説明する。まず、第１の実施の形態を説明す
る。
【００８１】図１は、第１の実施の形態における電気光
学装置を適用した表示装置の概略構成を示すブロック図
である。この表示装置は、ディスプレイに表示するデー
タや、表示に関するデータを生成するコントローラ１を
有し、このコントローラ１は、表示パネル２に含まれる
トランジスタのゲート電極に接続された走査線を駆動す
る走査ドライバ３と、表示パネル２に含まれるトランジ
スタのソースまたはドレインに接続されたデータ線を駆
動するデータドライバ４と、を制御する。
【００８２】コントローラ１は、また、走査線とデータ
線との駆動タイミングのタイミング制御を行う。表示パ
ネル２は、図２に示すように、走査ドライバ３によって
駆動される複数の走査線Ｙｎと、データドライバ４によ
って駆動される複数のデータ線Ｘｍが直交して配線さ
れ、これらの交点に対応して、画素回路１０が設けられ
ている。
【００８３】図２に示すように、各データ線Ｘｍを駆動
するドライバ４ａとは逆側の端部に電源Ｖｘが配置さ
れ、電源Ｖｘとデータ線Ｘｍとの間に変換トランジスタ
１２が接続されている。変換トランジスタ１２はダイオ
ード接続されたｐ型トランジスタである。変換トランジ
スタ１２のゲート電圧はドライバ４ａを介してデータ信
号に応じてデータ線Ｘｍに出力された電流量に基づいて
設定される。
【００８４】そして、前記画素回路１０は、図３に示す
ように、電気光学素子としての有機エレクトロルミネッ
センス素子１４と、有機エレクトロルミネッセンス素子
１４を駆動するための駆動用トランジスタＴｒ１と、前
記駆動用トランジスタＴｒ１を駆動するための制御用ト
ランジスタＴｒ２と、データ線Ｘｍのデータを保持する
ための容量素子Ｃとから構成されている。
【００８５】本実施形態では、前記各トランジスタＴｒ
１及びＴｒ２、及び変換トランジスタ１２は、ＴＦＴ
（薄膜トランジスタ：Ｔｈｉｎ Ｆｉｌｍ Ｔｒａｎｓ
ｉｓｔｏｒ）であり、これら各画素回路１０、データ線
Ｘｍ、走査線Ｙｎ及び変換トランジスタ１２は、絶縁基
板上に一体に形成されている。
【００８６】また、駆動用トランジスタＴｒ１は、例え
ばｐチャネル型トランジスタであり、駆動用トランジス
タＴｒ１の一端は電源Ｖｄｄが接続され、他端は有機エ
レクトロルミネッセンス素子１４が接続され、有機エレ
クトロルミネッセンス素子１４の他端は接地電位Ｖｓｓ
に接続されている。さらに、この駆動用トランジスタＴ
ｒ１は、変換トランジスタ１２と駆動用トランジスタＴ
ｒ１とはカレントミラーを構成している。
【００８７】一方、制御用トランジスタＴｒ２は、例え
ばｎチャネル型トランジスタで構成され、その一端はデ
ータ線Ｘｍに接続され、他端は駆動用トランジスタＴｒ
１のゲート電極及び容量素子Ｃに接続されている。ま
た、制御用トランジスタＴｒ２のゲート電極は、走査線
Ｙｎと接続されている。
【００８８】容量素子Ｃの一端は電源Ｖｃに接続されて
いる。この電源Ｖｃは、例えば，駆動電源Ｖｄｄの電
位、或いは接地電位Ｖｓｓ或いは任意の電位に設定され
る。このような構成にすることによって、走査線駆動信
号によって制御用トランジスタＴｒ２が導通状態となっ
たとき、データ線Ｘｍの電位に応じた電荷が容量素子Ｃ
に蓄えられ、この電荷によって駆動用トランジスタＴｒ
１が導通状態となり、容量素子Ｃに蓄えられた電荷量に
応じた電流量が有機エレクトロルミネッセンス素子１４
に供給される。
【００８９】本実施形態のデータ線Ｘｍ、画素回路１
０、変換トランジスタ１２、駆動用トランジスタＴｒ
１、制御用トランジスタＴｒ２、電源Ｖｘ、及び電源Ｖ
ｄｄは、それぞれ特許請求の範囲における通電線及びデ
ータ線、単位回路、トランジスタまたは第１のトランジ
スタ、第２のトランジスタまたは駆動トランジスタ、ス
イッチングトランジスタ、第１の電源、及び第２の電源
に対応している。なお、特許請求の範囲におけるデジタ
ル−アナログ変換回路はデータドライバ４に含まれてい
る。
【００９０】変換トランジスタ１２と駆動用トランジス
タＴｒ１との特性比または電源Ｖｄｄの電位などを任意
に設定することによって、データ線Ｘｍに出力される電
流量を制御することができる。すなわち、Ｖｄｄ＝Ｖｘ
とした場合、変換トランジスタ１２の利得係数を駆動用
トランジスタＴｒ１の利得係数より高く設定すれば、デ
ータ線Ｘｍに出力する電流量を高くすることができるた
め、容量素子Ｃに高速で電荷を蓄積することができる。
一方、変換トランジスタ１２の利得係数を駆動用トラン
ジスタＴｒ１の利得係数より低く設定すれば、データ線
Ｘｍに出力する電流量を低くすることができるため、消
費電力を低減することができる。
【００９１】例えば、駆動用トランジスタＴｒ１の変換
トランジスタ１２に対する特性比が画素領域２で均一で
あれば、データ線Ｘｍに出力される電流量に対して所定
の電流量が有機エレクトロルミネッセンス素子１４に供
給されることになる。その結果、面内輝度を均一に制御
することができ、表示品位を向上させることができる。
【００９２】また、変換トランジスタ１２は同一データ
線に接続される各画素回路１０に対して共通であり、各
画素回路１０の駆動用トランジスタＴｒ１と共通の変換
トランジスタ１２とがカレントミラー回路をなしている
ので、各画素回路１０毎に変換トランジスタ１２を設け
る必要がなく、画素回路１０を構成する素子数を削減す
ることができる。
【００９３】なお、上記第１の実施の形態においては、
画素回路１０において制御用トランジスタＴｒ２を、そ
の導電型がｎ型であるｎチャネル型トランジスタで構成
した場合について説明したが、これに限らず、その導電
型がｐ型であるｐチャネル型トランジスタで構成しても
よいことはいうまでもない。
【００９４】また、上記第１の実施の形態において、変
換トランジスタ１２及び駆動用トランジスタＴｒ１をそ
れぞれ、ｐチャネル型トランジスタで構成した。ここ
で、変換トランジスタ１２及び駆動用トランジスタＴｒ
１のソースはそれぞれ電源Ｖｘ、電源Ｖｄｄに接続され
ている。変換トランジスタ１２及び駆動用トランジスタ
Ｔｒ１のしきい値電圧が等しくＶｔｈであるとき、電源
Ｖｘ、電源Ｖｄｄの電圧値がＶｔｈ以上であれば変換ト
ランジスタ１２及び駆動用トランジスタＴｒ１を十分に
オンさせるためには、両トランジスタのドレインがとり
うる電圧値以下にゲート電圧を設定すれば良いことにな
る。両トランジスタのドレインがとりうる電圧値とはす
なわち接地電位Ｖｓｓであるので、両トランジスタのゲ
ート電圧にＶｓｓ相当の電圧値を印可すれば、十分なオ
ン状態が得られることになる。仮に変換トランジスタ１
２及び駆動用トランジスタＴｒ１をｎチャネル型トラン
ジスタで構成した場合には、両トランジスタを十分にオ
ンするためにはゲート電圧としてＶｘ＋Ｖｔｈ及びＶｄ
ｄ＋Ｖｔｈを印可する必要がある。このことは新たな電
源の追加を意味し、表示装置のコスト増をまねく。
【００９５】また、上記第１の実施の形態において、走
査ドライバ３及びデータドライバ４は、薄膜トランジス
タ或いはシリコンベースもＭＯＳトランジスタの何れで
構成されていても良い。走査ドライバ３及びデータドラ
イバ４が、薄膜トランジスタである場合、これらのドラ
イバをガラス基板などの絶縁基板上に一体に形成するこ
とができる。走査ドライバ３及びデータドライバ４が、
シリコンベースＭＯＳトランジスタで構成されている場
合は、通常、これらのトランジスタは外付のＩＣドライ
バとなるが、絶縁基板上にこれらのドライバを再配置す
ることも可能である。
【００９６】次に、本発明の第２の実施の形態を説明す
る。この第２の実施の形態は、上記第１の実施の形態に
おいて、画素領域２の構成が異なる以外は、上記第１の
実施の形態と同様であるので、同一部には同一符号を付
与しその詳細な説明は省略する。
【００９７】図４に示すように、変換トランジスタ１２
が各データ線Ｘｍのデータドライバ４側に配置されてい
る。そして、変換トランジスタ１２は上記第１の実施の
形態と同様にダイオード接続され、そのゲート電極とド
レイン電極とがデータ線Ｘｍに接続され、ソース電極は
電源ＶＤに接続されている。
【００９８】データドライバ４により各データ線Ｘｍに
出力された電流量に基づいて変換トランジスタ１２のゲ
ート電圧が設定される。このゲート電圧に基づいて有機
エレクトロルミネッセンス素子１４に供給される電流量
が決定される。第２の実施の形態の場合も上記第１の実
施の形態と同様の作用効果を得ることができる。
【００９９】なお、データドライバ４は薄膜トランジス
タで構成しても良いが、シリコンベースのＭＯＳトラン
ジスタで構成しても良い。変換トランジスタ１２は薄膜
トランジスタであっても良いし、シリコンベースのＭＯ
Ｓトランジスタであっても良い。変換トランジスタ１２
がシリコンベースのＭＯＳトランジスタである場合は、
変換トランジスタ１２とデータドライバ４とをＩＣドラ
イバとして一体化することも可能である。変換トランジ
スタ１２がシリコンベースのＭＯＳトランジスタである
場合は、変換トランジスタ１２毎のトランジスタ特性を
均一化することもできるので、有機エレクトロルミネッ
センス素子１４に供給する電流量をより精密に制御する
ことが可能である。
【０１００】次に第３の実施の形態を説明する。この第
３の実施の形態は、上記第１の実施の形態において、画
素領域２の構成が異なる以外は上記第１の実施の形態と
同様であるので、同一部には同一符号を付与しその詳細
な説明は省略する。
【０１０１】この第３の実施の形態における画素領域２
Ｂは、図５に示すように、電源Ｖｘ側にデータドライバ
４が設けられ、データ線Ｘｍのデータドライバ４と逆側
の端部に、変換トランジスタ１２が配置されている。こ
の変換トランジスタ１２は、ｎチャネル型トランジスタ
である。
【０１０２】そして、第３の実施の形態における画素回
路１０Ａは、図６に示すように構成されている。すなわ
ち、第３の実施の形態における駆動用トランジスタＴｒ
１Ａは、ｎチャネル型トランジスタで構成され、電源Ｖ
ｄｄと駆動用トランジスタＴｒ１Ａとの間に、有機エレ
クトロルミネッセンス素子１４が配置されている。そし
て、駆動用トランジスタＴｒ１Ａのゲート電極と、制御
用トランジスタＴｒ２の一端とが接続されている。
【０１０３】なお、この場合も、電源Ｖｃは、電源Ｖｄ
ｄの電位、或いは接地電位Ｖｓｓ或いは任意の電位に設
定されている。そして、データドライバ４を介して各デ
ータ線Ｘｍに出力された、データ信号に応じた電流量に
基づいて、変換トランジスタ１２のゲート電圧が設定さ
れる。そして、このゲート電圧に対応した電荷量が容量
素子Ｃに蓄積される。この電荷量に基づいて駆動用トラ
ンジスタＴｒ１Ａが導通状態となり、有機エレクトロル
ミネッセンス素子１４に電流が供給される。
【０１０４】したがって、この場合も上記第１の実施の
形態と同様な作用効果を得ることができる。なお、この
場合も、上記第１の実施の形態と同様に、走査ドライバ
３及びデータドライバ４は、薄膜トランジスタで構成さ
れていても良いし、シリコンベースのＭＯＳトランジス
タで構成されていても良い。
【０１０５】また、画素回路１０Ａを構成する制御用ト
ランジスタＴｒ２は、ｎチャネル型及びｐチャネル型の
何れのトランジスタを用いてもよい。次に、第４の実施
の形態を説明する。
【０１０６】この第４の実施の形態は、上記第３の実施
の形態において、画素領域２の構成が異なる以外は、上
記第３の実施の形態と同様であるので、同一部には同一
符号を付与し、その詳細な説明は省略する。
【０１０７】すなわち、この第４の実施の形態における
画素領域２Ｃは、図７に示すように、データ線Ｘｍ及び
走査線Ｙｎの交点に対応して画素回路１０Ａが設けら
れ、変換トランジスタ１２は、各データ線Ｘｍのデータ
ドライバ４側に設けられ、データドライバ４と隣接して
配置されている。
【０１０８】そして、変換トランジスタ１２は上記第３
の実施の形態と同様にダイオード接続されている。走査
ドライバ３において走査線Ｙ１を駆動し、データドライ
バ４によりデータ線Ｘｍに出力された、データ信号に対
応した電流量に基づいて変換トランジスタ１２のゲート
電圧が設定され、このゲート電圧に対応した電荷量が容
量素子に蓄積される。この蓄積された電荷量に基づい
て、駆動用トランジスタＴｒ１Ａが導通状態となり、有
機エレクトロルミネッセンス素子１４に電流が供給され
る。
【０１０９】なお、この場合も、データドライバ４は薄
膜トランジスタにより構成されていても良いし、また、
シリコンベースのＭＯＳトランジスタにより構成されて
も良いが、シリコンベースのＭＯＳトランジスタの方が
より高い精度で電流量を制御するには適している場合が
ある。
【０１１０】次に第５の実施の形態を説明する。この第
５の実施の形態は、上記第２の実施の形態において、デ
ータ線Ｘｍに出力される電流量と、画素回路１０の有機
エレクトロルミネッセンス素子１４に供給する電流量の
比を変化させるようにしたものである。
【０１１１】画素領域２Ａとデータドライバ４との間に
電流電圧変換回路５が介挿されている。この電流電圧変
換回路５は、図８に示すように、データ線Ｘｍにドレイ
ン端、ソース端に駆動電源ＶＤが接続された変換トラン
ジスタ１２と、データ線Ｘｍとドレイン端との接続点
と、ドライバ４ａとの間に介挿された抵抗１３と、から
構成され、抵抗１３とドライバ４ａとの間の電位が変換
トランジスタ１２のゲート電極に接続されている。
【０１１２】ここで、例えば、駆動電源ＶＤ＝駆動電源
Ｖｄｄであるとすると、各画素回路１０及び電流電圧変
換回路５は、図９のように表すことができる。前記変換
トランジスタ１２のしきい値電圧と駆動用トランジスタ
Ｔｒ１のしきい値電圧とが等しく、各トランジスタがそ
れぞれ飽和領域で動作しているとき、これらの間には次
式（１）〜（３）が成り立つ。
【０１１３】なお、式中の、Ｉｄａｔａはドライバ４ａ
の出力電流量、βはトランジスタの電流供給能力を示す
係数（利得係数）、ＶＧ１は抵抗１３とドライバ４ａと
の間の電位、ＶＴＨは変換トランジスタ１２及び駆動用
トランジスタＴｒ１のしきい値電圧、ＩＯＥＬは有機エ
レクトロルミネッセンス素子１４に供給される電流値、
ｋはＩｄａｔａとＩＯＥＬとの電流比を表す定数、ＶＧ
２は変換トランジスタ１２と抵抗１３との間の電位、Ｒ
は抵抗１３の抵抗値である。
【０１１４】 Ｉｄａｔａ＝（１／２）・β・（Ｖｄｄ−ＶＧ１−ＶＴＨ）２・・・（１） ＩＯＥＬ＝（１／２）・ｋβ・（Ｖｄｄ−ＶＧ２−ＶＴＨ）２・・・（２） ＶＧ２−ＶＧ１＝Ｒ・Ｉｄａｔａ・・・（３） これら（１）〜（３）式から、次式（４）を得ることが
できる。
【０１１５】
【数１】 したがって、（４）式から、ＩｄａｔａとＩＯＥＬとの
関係を、図１０の特性図ように設定することができるの
で、図１０において、例えば、１／（２Ｒ２・β）≦Ｉ
ｄａｔａ≦２／（Ｒ２・β）の範囲を用いるようにすれ
ば、Ｉｄａｔａの変化とＩＯＥＬの変化とを逆向きに設
定することができる。
【０１１６】なお、この場合も、走査ドライバ３、デー
タドライバ４及び電流電圧変換回路５を薄膜トランジス
タまたはシリコンベースのＭＯＳトランジスタの何れで
構成されていてもよく、また、データドライバ４と電流
電圧変換回路５とを一体に形成するようにしてもよい。
【０１１７】次に、本発明の第６の実施の形態を説明す
る。この第６の実施の形態は、図１１に示すように、電
源Ｖｘと画素領域２Ｃとの間に、データドライバ４及び
電流電圧変換回路５Ａが介挿されている。
【０１１８】前記画素領域２Ｃは、データ線Ｘｍ及び走
査線Ｙｎの交点に対応して画素回路１０Ａが配置されて
構成されている。前記電流電圧変換回路５Ａは、図１１
に示すように、ｎチャネル型の変換トランジスタ１２と
抵抗１３とから構成され、変換トランジスタ１２のソー
ス端は電源Ｖｓに接続され、ドレイン端はデータ線Ｘｍ
に接続されている。そして、データ線Ｘｍとドレイン端
との接続点と、ドライバ４ａとの間に変換トランジスタ
１２のゲート電極が接続されている。さらに、データ線
Ｘｍのゲート電極の接続点とドレイン電極の接続点との
間に抵抗１３が介挿されている。
【０１１９】したがって、この場合も、上記第５の実施
の形態と同様の動作となり、第５の実施の同様の作用効
果を得ることができる。次に、本発明の第７の実施の形
態を説明する。
【０１２０】この第７の実施の形態は、図１２に示すよ
うに、画素領域２Ａとデータドライバ４との間に電流電
圧変換回路５Ｂが介挿されている。前記画素領域２Ａ
は、データ線Ｘｍ及び走査線Ｙｎの交点に対応して配置
された画素回路１０により構成されている。
【０１２１】電流電圧変換回路５Ｂは、図１２に示すよ
うに、ｐチャネル型の変換トランジスタ１２と、抵抗１
３とから構成され、変換トランジスタ１２のソース端と
データ線Ｘｍとが接続され、そのドレイン電極と駆動電
源ＶＤとの間に抵抗１３が介挿されている。そして、デ
ータ線Ｘｍのソース端の接続点と、ドライバ４ａとの間
に変換トランジスタ１２のゲート電極が接続されてい
る。
【０１２２】ここで、例えば、電源ＶＤ＝電源Ｖｄｄで
あるとすると、各画素回路１０及び電流電圧変換回路５
は、図１３のように表すことができる。そして、前記変
換トランジスタ１２のしきい値電圧と駆動用トランジス
タＴｒ１のしきい値電圧とが等しく、各トランジスタが
それぞれ飽和領域で動作しているとき、これらの間には
次式（５）〜（７）が成り立つ。
【０１２３】なお、式中の、Ｉｄａｔａはドライバ４ａ
の出力電流量、βはトランジスタの電流供給能力を示す
係数（利得係数）、ＶＳ１は抵抗１３とドライバ４ａと
の間の電位、ＶＴＨは変換トランジスタ１２及び駆動用
トランジスタＴｒ１のしきい値電圧、ＩＯＥＬは有機エ
レクトロルミネッセンス素子１４に供給される電流値、
ｋはＩｄａｔａとＩＯＥＬとの電流比を表す定数、Ｒは
抵抗１３の抵抗値である。
【０１２４】 Ｉｄａｔａ＝（１／２）・β・（ＶＳ１−ＶＧ−ＶＴＨ）２・・・（５） ＩＯＥＬ＝（１／２）・ｋβ・（Ｖｄｄ−ＶＧ−ＶＴＨ）２・・・（６） Ｖｄｄ−ＶＳ１＝Ｒ・Ｉｄａｔａ・・・（７） これら（５）〜（７）式から、次式（８）を得ることが
できる。
【０１２５】
【数２】 したがって（８）式から、ＩｄａｔａとＩＯＥＬとの関
係は、図１４の特性図のように表すことができる。よっ
て、ΔＩｄａｔａとΔＩＯＥＬとの間に、非線形関係を
もたせることができ、出力電流量Ｉｄａｔａの変化に対
してΔＩＯＥＬをより大きく変化させることができる。
【０１２６】次に、本発明の第８の実施の形態を説明す
る。この第８の実施の形態は、図１５に示すように、デ
ータドライバ４と画素領域２Ｃとの間に、電流電圧変換
回路５Ｃが介挿されている。
【０１２７】前記画素領域２Ｃは、データ線Ｘｍと走査
線Ｙｎとの交点に対応して配置された画素回路１０Ａに
より構成されている。電流電圧変換回路５Ｃは、図１５
に示すように、ｎチャネル型の変換トランジスタ１２と
抵抗１３とから構成され、変換トランジスタ１２のドレ
イン端は、データ線Ｘｍに接続され、そのソースと電源
Ｖｓとの間に抵抗１３が介挿されている。また、データ
線Ｘｍの変換トランジスタ１２のドレイン端との接続点
と、ドライバ４ａとの間に変換トランジスタ１２のゲー
ト電極が接続されている。
【０１２８】したがって、この場合も、上記第７の実施
の形態と同様であって、ドライバ４ａの出力電流量に対
し、画素回路１０Ａの駆動用トランジスタＴｒ１Ａを流
れる電流量は大きくなるから、第７の実施の形態と同様
な作用効果を得ることができる。
【０１２９】なお、前記第５乃至第８の実施の形態にお
いて、電流電圧変換回路５は、薄膜トランジスタにより
構成されても良く、また、シリコンベースのＭＯＳトラ
ンジスタにより構成されていても良い。また、データド
ライバ４と電流電圧変換回路５とを一体に形成するよう
にしても良い。
【０１３０】次に、本発明の第９の実施の形態を説明す
る。この第９の実施の形態は、本発明に係る電気光学装
置をフルカラーのディスプレイに適用した場合である。
尚、この第９の実施の形態では、上記第１の実施の形態
において、画素領域２の構成が異なる以外は上記第１の
実施の形態と同様であるので、同一部または同一符号を
付し、その詳細な説明は省略する。
【０１３１】図１６は、第９の実施の形態における表示
装置の要部の概略構成を示すブロック図である。図１６
に示すように、画素領域２Ｄは、走査線Ｙｎに沿って、
赤色、緑色及び青色の光を発光する有機材料で構成され
た発光層を有する各色用有機エレクトロルミネッセンス
素子１４Ｒ，１４Ｇ，１４Ｂを有する赤、緑色及び青色
用画素回路１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂが、順次繰り返され
て設けられている。また、前記画素領域２Ｄは、各デー
タ線Ｘｍに沿って同色の画素回路１０Ｒ，１０Ｇ，１０
Ｂがそれぞれ設けられている。つまり、赤色用画素回路
１０Ｒは、データ線Ｘ１，Ｘ４，Ｘ７，・・・と接続さ
れている。緑色用画素回路１０Ｇは、データ線Ｘ２，Ｘ
５，Ｘ８，・・・と接続されている。青色用画素回路１
０Ｂは、青用データ線Ｘ３，Ｘ６，Ｘ９，・・・と接続
されている。
【０１３２】そして、赤色用画素回路１０Ｒと接続され
た前記データ線Ｘ１，Ｘ４，Ｘ７，・・・は、赤色用変
換トランジスタ１２Ｒと接続されている。赤色用変換ト
ランジスタ１２Ｒは、前記赤色用の有機エレクトロルミ
ネッセンス素子１４Ｒが発光する駆動レンジとしての電
流レンジを生成するようにその利得係数が設定されてい
る。赤色用変換トランジスタ１２Ｒは、同赤色用変換ト
ランジスタ１２Ｒを駆動させるための電圧を供給する赤
色用電源ＶｘＲに接続されている。また、各赤色用画素
回路１０Ｒと接続された前記データ線Ｘ１，Ｘ４，Ｘ
７，・・・は、前記赤色用電源ＶｘＲとは逆側の端部に
配置された、同データ線Ｘ１，Ｘ４，Ｘ７，・・・を駆
動する赤色用ドライバ４ａＲにそれぞれ接続されてい
る。すなわち、赤色用ドライバ４ａＲと赤色用変換トラ
ンジスタ１２Ｒとの間に前記データ線Ｘ１，Ｘ４，Ｘ
７，・・・が配置されている。
【０１３３】緑色用画素回路１０Ｇと接続された前記デ
ータ線Ｘ２，Ｘ５，Ｘ８，・・・は、緑色用変換トラン
ジスタ１２Ｇと接続されている。緑色用変換トランジス
タ１２Ｇは、前記緑色用の有機エレクトロルミネッセン
ス素子１４Ｇが発光する駆動レンジとしての電流レンジ
を生成するようにその利得係数が設定されている。緑色
用変換トランジスタ１２Ｇは、同緑色用変換トランジス
タ１２Ｇを駆動させるための電圧を供給する緑色用電源
ＶｘＧに接続されている。また、各緑色用画素回路１０
Ｇと接続された前記データ線Ｘ２，Ｘ５，Ｘ８，・・・
は、前記緑色用電源ＶｘＧとは逆側の端部に配置され
た、同前記データ線Ｘ２，Ｘ５，Ｘ８，・・・を駆動す
る緑色用ドライバ４ａＧにそれぞれ接続されている。す
なわち、緑色用ドライバ４ａＧと緑色用変換トランジス
タ１２Ｇとの間に前記データ線Ｘ２，Ｘ５，Ｘ８，・・
・が配置されている。
【０１３４】青色用画素回路１０Ｂと接続された前記デ
ータ線Ｘ３，Ｘ６，Ｘ９，・・・は、青色用変換トラン
ジスタ１２Ｂと接続されている。青色用変換トランジス
タ１２Ｂは、前記青色用の有機エレクトロルミネッセン
ス素子１４Ｂが発光する駆動レンジとしての電流レンジ
を生成するようにその利得係数が設定されている。青色
用変換トランジスタ１２Ｂは、同青色用変換トランジス
タ１２Ｂを駆動させるための電圧を供給する青色用電源
ＶｘＢに接続されている。また、各青色用画素回路１０
Ｂと接続された前記データ線Ｘ３，Ｘ６，Ｘ９，・・・
は、前記青色用電源ＶｘＢとは逆側の端部に配置され
た、同前記データ線Ｘ３，Ｘ６，Ｘ９，・・・を駆動す
る青色用ドライバ４ａＢにそれぞれ接続されている。す
なわち、青色用ドライバ４ａＢと青色用変換トランジス
タ１２Ｂとの間に前記データ線Ｘ３，Ｘ６，Ｘ９，・・
・が配置されている。
【０１３５】尚、前記赤、緑及び青色用変換トランジス
タ１２Ｒ，１２Ｇ，１２Ｂは、それぞれ、ｐチャネル型
トランジスタである。そして、このように構成された画
素領域２Ｄを有する電気光学装置においては、前記した
ように、各色用変換トランジスタ１２Ｒ，１２Ｇ，１２
Ｂのそれぞれの利得係数を調整することによって、各色
用の有機エレクトロルミネッセンス素子１４Ｒ，１４
Ｇ，１４Ｂを発光させる電流レンジを調整することがで
きる。
【０１３６】従って、各色用ドライバ４ａＲ，４ａＧ，
４ａＢは、各色用の有機エレクトロルミネッセンス素子
１４Ｒ，１４Ｇ，１４Ｂの特性に合わせてそれぞれの特
性の異なる回路形成をする必要はなく、全て同じ特性の
回路で構成することができる。ここで、図１５における
変換トランジスタ１２Ｒ，１２Ｇ，１２Ｂの配置場所に
ついては、本実施形態で示した場所に限定されるもので
はなく、例えば、第２〜第８の実施の形態で示した配置
を適用することも可能である。
【０１３７】なお、上記各実施の形態においては、走査
ドライバ３及びデータドライバ４を薄膜トランジスタに
より構成されていても良く、またシリコンベースのＭＯ
Ｓトランジスタにより構成されていても良い。
【０１３８】また、上記各実施の形態において、画素回
路１０又は１０Ａをマトリクス状に配置した表示装置に
適用した場合について説明したが、どのような形状に配
置した場合であっても適用することができる。
【０１３９】また、上記各実施の形態においては、有機
エレクトロルミネッセンス素子を用いた場合について説
明したが、これに限るものではなく、例えば発光ダイオ
ード（ＬＥＤ）、レーザーダイオード（ＬＤ）、ＦＥ
（Ｆｉｅｌｄ ｅｍｉｓｓｉｏｎ）素子等の電流駆動に
より発光する素子を備えた電子装置に対しても、本発明
に係る回路構成は適用することができる。これ以外に磁
気抵抗ＲＡＭ（Magnetoresistive RAM）などの非発光型
の電流駆動素子を備えた電子装置に対しても本発明に係
る回路構成にも適用することができる。
【０１４０】磁気抵抗ＲＡＭは、例えば、図１７に示す
ように、強磁性金属層からなる２つの電極２１及び２２
間に、絶縁体からなる障壁層２３が介挿されて構成され
ている。そして、前記電極２１及び２２巻に、前記障壁
層２３を介してトンネル電流を流したときに、このトン
ネル電流の大きさが上下の強磁性金属の磁化の向きによ
って変化することを利用して、記憶を行うようにしたも
のである。つまり、一方の電極２２を基準層としてその
磁化の向きを固定し、他方の電極２１をデータ記録層と
する。そして、書き込み電極２４に電流を流し、これに
よって発生する磁界により、データ記録層としての電極
２１の磁化の向きを変えることによって情報の記録を行
う。そして、記録情報の読み出しを行う場合には、書き
込み電極２４に逆方向の電流を流し、このときのトンネ
ル抵抗の変化を電気的に読み出すことによって行ってい
る。
【０１４１】また、前記有機エレクトロルミネッセンス
装置としては、例えば、モバイル型のパーソナルコンピ
ュータ、携帯電話、ディジタルスチルカメラ等に適用す
ることができる。
【０１４２】図１８は、モバイル型のパーソナルコンピ
ュータの構成を示す斜視図である。図１８において、パ
ーソナルコンピュータ１００は、キーボード１０２を備
えた本体部１０４と、前述の電気光学装置が適用された
有機エレクトロルミネッセンス装置からなる表示ユニッ
ト１０６とから構成されている。
【０１４３】図１９は、携帯電話の斜視図である。図１
９において、携帯電話２００は、複数の操作ボタン２０
２の他、受話口２０４、送話口２０６と共に、前述の電
気光学装置が適用された有機エレクトロルミネッセンス
装置からなる表示パネル２０８を備えている。
【０１４４】図２０は、ディジタルスチルカメラ３００
の構成を示す斜視図である。なお、外部機器との接続に
ついても簡易的に示している。通常のカメラは、被写体
の光像によってフィルムを感光するのに対してディジタ
ルスチルカメラ３００は被写体の光像をＣＣＤ（Charge
coupled device）等の撮像素子により光電変換して撮
像信号を生成するものである。ここで、ディジタルスチ
ルカメラ３００におけるケース３０２の背面には、上述
した電気光学装置が適用された有機エレクトロルミネッ
センス装置からなる表示パネル３０４が設けられ、ＣＣ
Ｄによる撮像信号に基づいて、表示を行う構成となって
いる。このため、表示パネル３０４は、被写体を表示す
るファインダとして機能する。また、ケース３０２の観
察側（図においては裏面側）には、光学レンズやＣＣＤ
等を含んだ受光ユニット３０６が設けられている。
【０１４５】ここで、撮像者が表示パネル３０４に表示
された被写体像を確認して、シャッタボタン３０８を押
下すると、その時点におけるＣＣＤの撮像信号が、回路
基板３１０のメモリに転送・格納される。また、このデ
ィジタルスチルカメラ３００にあっては、ケース３０２
の側面にビデオ信号出力端子３１２と、データ通信用の
入出力端子３１４とが設けられている。そして、図に示
されるように、前者のビデオ信号出力端子３１２には、
テレビモニタ４３０が、また、後者のデータ通信用の入
出力端子３１４にはパーソナルコンピュータ４４０が、
それぞれ必要に応じて接続される。さらに、所定の操作
によって、回路基板３１０のメモリに格納された撮像信
号が、テレビモニタ４３０や、パーソナルコンピュータ
４４０に出力される構成となっている。
【０１４６】なお、電子機器としては、図１８のパーソ
ナルコンピュータや、図１９の携帯電話、図２０のディ
ジタルスチルカメラの他にも、テレビ、ビューファイン
ダ型及びモニタ直視型のビデオテープレコーダ、カーナ
ビゲーション装置、ページャ、電子手帳、電卓、ワード
プロセッサ、ワークステーション、テレビ電話、ＰＯＳ
端末、タッチパネルを備えた機器等を挙げることができ
る。そして、これらの各種電子機器に表示部として、上
述した電気光学装置からなる表示装置が適用可能なのは
いうまでもない。
【０１４７】
【発明の効果】請求項１〜６６に記載の発明によれば、
電流駆動による電気光学素子の駆動制御をより高精度に
行い且つ構成素子数の低減を図ることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明を適用した表示装置の概略構成を示すブ
ロック図である。
【図２】本発明の第１の実施の形態における表示装置の
要部の概略構成を示すブロック図である。
【図３】第１の実施の形態における画素回路の一例を示
す回路図である。
【図４】第２の実施の形態における表示装置の要部の概
略構成を示すブロック図である。
【図５】第３の実施の形態における表示装置の要部の概
略構成を示すブロック図である。
【図６】第３の実施の形態における画素回路の一例を示
す回路図である。
【図７】第４の実施の形態における表示装置の要部の概
略構成を示すブロック図である。
【図８】第５の実施の形態における表示装置の要部の概
略構成を示すブロック図である。
【図９】第５の実施の形態の動作説明に供する回路図で
ある。
【図１０】第５の実施の形態の動作説明に供する説明図
である。
【図１１】第６の実施の形態における表示装置の要部の
概略構成を示すブロック図である。
【図１２】第７の実施の形態における表示装置の要部の
概略構成を示すブロック図である。
【図１３】第７の実施の形態の動作説明に供する回路図
である。
【図１４】第７の実施の形態の動作説明に供する説明図
である。
【図１５】第８の実施の形態における表示装置の要部の
概略構成を示すブロック図である。
【図１６】第９の実施の形態における表示装置の要部の
概略構成を示すブロック図である。
【図１７】本発明に係る電気光学装置を適用した磁気抵
抗ＲＡＭの概略構成を示す構成図である。
【図１８】本発明に係る電気光学装置を適用した電子機
器の一例たるパーソナルコンピュータの構成を示す斜視
図である。
【図１９】本発明に係る電気光学装置を適用した電子機
器の一例たる携帯電話の構成を示す斜視図である。
【図２０】本発明に係る電気光学装置を適用した電子機
器の一例たるディジタルスチルカメラの背面側の構成を
示す斜視図である。
【図２１】従来の表示装置の一例を示すブロック図であ
る。
【図２２】従来の画素回路の一例を示す回路図である。
【符号の説明】
１ コントローラ ２、２Ａ、２Ｂ、２Ｃ、２Ｄ 画素領域 ３ 走査ドライバ ４ データドライバ ４ａ ドライバ ５、５Ａ、５Ｂ、５Ｃ 電流電圧変換回路 １０、１０Ａ 画素回路 １２ 変換トランジスタ １３ 抵抗 １４ 有機エレクトロルミネッセンス素子

Claims (66)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 通電線と、 当該通電線に接続された複数の単位回路と、 前記通電線に接続され且つ当該通電線に流れる電流の電
    流量に基づいてゲート電圧が設定されるトランジスタ
    と、を備えた電子装置。
  2. 【請求項２】 前記トランジスタのゲート電極は、当該
    トランジスタのソース端又はドレイン端と接続されてい
    ることを特徴とする請求項１記載の電子装置。
  3. 【請求項３】 通電線と、 当該通電線に接続された複数の単位回路と、 前記通電線に接続され且つ当該通電線に流れる電流の電
    流量に基づいてゲート電圧が設定される第１のトランジ
    スタと、を備えた電子装置であって、 前記単位回路は、前記第１のトランジスタとカレントミ
    ラーを構成する第２のトランジスタを有することを特徴
    とする電子装置。
  4. 【請求項４】 前記第１のトランジスタのゲート電極
    は、当該第１のトランジスタのソース端又はドレイン端
    と接続されていることを特徴とする請求項３記載の電子
    装置。
  5. 【請求項５】 通電線と、 当該通電線に接続された複数の単位回路と、 前記通電線に接続され、且つ、当該通電線に流れる電流
    の電流量に基づいてゲート電圧が設定される第１のトラ
    ンジスタと、を備えた電子装置であって、 前記単位回路は、その導電型がｐ型であって、前記第１
    のトランジスタとカレントミラーを構成する第２のトラ
    ンジスタを有することを特徴とする電子装置。
  6. 【請求項６】 前記第１のトランジスタのゲート電極は
    当該第１のトランジスタのソース端又はドレイン端と接
    続されていることを特徴とする請求項５記載の電子装
    置。
  7. 【請求項７】 通電線と、 当該通電線に接続された複数の単位回路と、 前記通電線に接続され、且つ、当該通電線に流れる電流
    の電流量に基づいてゲート電圧が設定される第１のトラ
    ンジスタと、を備えた電子装置であって、 前記単位回路は、前記第１のトランジスタとカレントミ
    ラーを構成する第２のトランジスタを有し、 前記第２のトランジスタは、その利得係数を前記通電線
    に流れる電流の電流量より大きな電流量を生成するよう
    に設定したことを特徴とする電子装置。
  8. 【請求項８】 通電線と、 当該通電線に接続された複数の単位回路と、 前記通電線に接続され、且つ、当該通電線に流れる電流
    の電流量に基づいてゲート電圧が設定される第１のトラ
    ンジスタと、を備えた電子装置であって、 前記単位回路は、前記第１のトランジスタとカレントミ
    ラーを構成する第２のトランジスタを有し、 前記第２のトランジスタは、その利得係数を前記通電線
    に流れる電流の電流量より小さな電流量を生成するよう
    に設定したことを特徴とする電子装置。
  9. 【請求項９】 前記第１のトランジスタのゲート電極は
    当該第１のトランジスタのソース端又はドレイン端と接
    続されていることを特徴とする請求項７又は８記載の電
    子装置。
  10. 【請求項１０】 データ線と、 電気光学素子を有し且つ前記データ線に接続される複数
    の単位回路と、 前記データ線に接続され、当該データ線に流れる電流の
    電流量によりゲート電圧が設定されるトランジスタと、
    を備えることを特徴とする電気光学装置。
  11. 【請求項１１】 走査線をさらに備え、 前記複数の単位回路のそれぞれは、前記電気光学素子に
    電気的に接続された駆動トランジスタと、ゲート電極が
    前記走査線に接続されたスイッチングトランジスタ、と
    有し、前記データ線を介してデータ信号が前記複数の単
    位回路に供給されることを特徴とする請求項１０記載の
    電気光学装置。
  12. 【請求項１２】 前記スイッチングトランジスタのソー
    ス端又はドレイン端は、前記駆動トランジスタのゲート
    電極に接続されていることを特徴とする請求項１１記載
    の電気光学装置。
  13. 【請求項１３】 前記データ信号は、デジタル−アナロ
    グ変換回路で生成されたアナログ量を有する電流である
    ことを特徴とする請求項１１又は１２記載の電気光学装
    置。
  14. 【請求項１４】 前記トランジスタと前記駆動トランジ
    スタとは、カレントミラーを構成することを特徴とする
    請求項１１乃至１３の何れかに記載の電気光学装置。
  15. 【請求項１５】 前記データ線に接続される第１の電源
    の電圧値と、前記電気光学素子と前記駆動トランジスタ
    を介して接続される第２の電源の電圧値とは、所定の比
    率となるように設定されることを特徴とする請求項１３
    又は１４記載の電気光学装置。
  16. 【請求項１６】 前記トランジスタは、前記デジタル−
    アナログ変換回路を前記データ線との間に配置されてい
    ることを特徴とする請求項１３乃至１５の何れかに記載
    の電気光学装置。
  17. 【請求項１７】 前記デジタル-アナログ変換回路と前
    記トランジスタとの間に前記データ線が配置されている
    ことを特徴とする請求項１３乃至１５の何れかに記載の
    電気光学装置。
  18. 【請求項１８】 前記トランジスタと前記デジタル-ア
    ナログ変換回路と前記データ線とは同一基体上に形成さ
    れていることを特徴とする請求項１６又は１７記載の電
    気光学装置。
  19. 【請求項１９】 前記データ線と前記デジタル-アナロ
    グ変換回路とは同一基体上に形成されていることを特徴
    とする請求項１６又は１７記載の電気光学装置。
  20. 【請求項２０】 前記データ線と前記トランジスタとは
    同一基体上に形成されていることを特徴とする請求項１
    ６又は１７記載の電気光学装置。
  21. 【請求項２１】 前記デジタル-アナログ変換回路と前
    記トランジスタとは同一基体上に形成されていることを
    特徴とする請求項１６又は１７記載の電気光学装置。
  22. 【請求項２２】 前記トランジスタと前記単位回路に含
    まれるトランジスタとは、薄膜トランジスタで構成され
    ていることを特徴とする請求項１１乃至２１記載の何れ
    かに記載の電気光学装置。
  23. 【請求項２３】 前記トランジスタは、シリコンベース
    のＭＯＳトランジスタで構成されていることを特徴とす
    る請求項１０乃至２１の何れかに記載の電気光学装置。
  24. 【請求項２４】 前記電気光学素子に供給される電流量
    を設定するための、前記データ線を流れる電流量は、前
    記電気光学素子に供給される電流量以上であることを特
    徴とする請求項１０乃至２３の何れかに記載の電気光学
    装置。
  25. 【請求項２５】 前記電気光学素子に供給される電流量
    を設定するための、前記データ線を流れる電流量は、前
    記電気光学素子に供給される電流量以下であることを特
    徴とする請求項１０乃至２３の何れかに記載の電気光学
    装置。
  26. 【請求項２６】 データ線と、 前記データ線と接続され、当該データ線に流れるデータ
    信号の電流量によりゲート電圧が設定される変換トラン
    ジスタと、 電気光学素子と、当該電気光学素子と電気的に接続され
    且つその導電型がｐ型である駆動トランジスタとを有す
    る単位回路とを備えたことを特徴とする電気光学装置。
  27. 【請求項２７】 走査線をさらに備え、 前記複数の単位回路のそれぞれは、ゲート電極が前記走
    査線に接続されたスイッチングトランジスタを有し、 前記データ線を介してデータ信号が前記各単位回路に供
    給されることを特徴とする請求項２６記載の電気光学装
    置。
  28. 【請求項２８】 前記スイッチングトランジスタのソー
    ス端又はドレイン端は、前記駆動トランジスタのゲート
    電極に接続されていることを特徴とする請求項２７記載
    の電気光学装置。
  29. 【請求項２９】 前記データ信号は、デジタル−アナロ
    グ変換回路で生成されたアナログ量を有する電流である
    ことを特徴とする請求項２６乃至２８の何れかに記載の
    電気光学装置。
  30. 【請求項３０】 前記変換トランジスタと前記駆動トラ
    ンジスタとは、カレントミラーを構成することを特徴と
    する請求項２６乃至２９の何れかに記載の電気光学装
    置。
  31. 【請求項３１】 前記変換トランジスタは、前記デジタ
    ル−アナログ変換回路と前記データ線との間に配置され
    ていることを特徴とする請求項２９又は３０記載の電気
    光学装置。
  32. 【請求項３２】 前記デジタル-アナログ変換回路と前
    記変換トランジスタとの間に前記データ線が配置されて
    いることを特徴とする請求項２９又は３０に記載の電気
    光学装置。
  33. 【請求項３３】 前記変換トランジスタと前記デジタル
    -アナログ変換回路と前記データ線とは同一基体上に形
    成されていることを特徴とする請求項２９乃至３２の何
    れかに記載の電気光学装置。
  34. 【請求項３４】 前記データ線と前記デジタル-アナロ
    グ変換回路とは同一基体上に形成されていることを特徴
    とする請求項３２に記載の電気光学装置。
  35. 【請求項３５】 前記データ線と前記変換トランジスタ
    とは同一基体上に形成されていることを特徴とする請求
    項３１又は３２記載の電気光学装置。
  36. 【請求項３６】 前記デジタル-アナログ変換回路と前
    記変換トランジスタとは同一基体上に形成されているこ
    とを特徴とする請求項３１記載の電気光学装置。
  37. 【請求項３７】 前記変換トランジスタと、前記単位回
    路に含まれる前記スイッチングトランジスタ及び前記駆
    動トランジスタとは、薄膜トランジスタで構成されてい
    ることを特徴とする請求項２７乃至３６の何れかに記載
    の電気光学装置。
  38. 【請求項３８】 前記変換トランジスタは、シリコンベ
    ースのＭＯＳトランジスタで構成されていることを特徴
    とする請求項２６乃至３６記載の何れかに記載の電気光
    学装置。
  39. 【請求項３９】 データ線と、 前記データ線と接続され、当該データ線に流れるデータ
    信号の電流量によりゲート電圧が設定される変換トラン
    ジスタと、 前記変換トランジスタとカレントミラー回路を構成し、
    前記データ線に流れるデータ信号の電流量により大きな
    電流量を生成するようにその利得係数が設定された駆動
    トランジスタと、 前記駆動トランジスタと電気的に接続された電気光学素
    子と、を有する単位回路とを備えたことを特徴とする電
    気光学装置。
  40. 【請求項４０】 データ線と、 前記データ線と接続され、当該データ線に流れるデータ
    信号の電流量によりゲート電圧が設定される変換トラン
    ジスタと、 前記変換トランジスタとカレントミラー回路を構成し、
    前記データ線に流れるデータ信号の電流量により小さな
    電流量を生成するようにその利得係数が設定された駆動
    トランジスタと、 前記駆動トランジスタと電気的に接続された電気光学素
    子と、を有する単位回路とを備えたことを特徴とする電
    気光学装置。
  41. 【請求項４１】 走査線をさらに備え、 前記複数の単位回路のそれぞれは、ゲート電極が前記走
    査線に接続されたスイッチングトランジスタを有し、 前記データ線を介してデータ信号が前記複数の単位回路
    に供給されることを特徴とする請求項３９又は４０記載
    の電気光学装置。
  42. 【請求項４２】 前記スイッチングトランジスタのソー
    ス端又はドレイン端は、前記駆動トランジスタのゲート
    電極に接続されていることを特徴とする請求項４１記載
    の電気光学装置。
  43. 【請求項４３】 前記データ信号は、デジタル−アナロ
    グ変換回路で生成されたアナログ量を有する電流である
    ことを特徴とする請求項３９乃至４２の何れかに記載の
    電気光学装置。
  44. 【請求項４４】 前記変換トランジスタと前記駆動トラ
    ンジスタとは、カレントミラーを構成することを特徴と
    する請求項３９乃至４３の何れかに記載の電気光学装
    置。
  45. 【請求項４５】 前記変換トランジスタは、前記デジタ
    ル−アナログ変換回路と前記データ線との間に配置され
    ていることを特徴とする請求項４３又は４４記載の電気
    光学装置。
  46. 【請求項４６】 前記デジタル-アナログ変換回路と前
    記変換トランジスタとの間に前記データ線が配置されて
    いることを特徴とする請求項４３又は４４記載の電気光
    学装置。
  47. 【請求項４７】 前記変換トランジスタと前記デジタル
    -アナログ変換回路と前記データ線とは同一基体上に形
    成されていることを特徴とする請求項４３乃至４６の何
    れかに記載の電気光学装置。
  48. 【請求項４８】 前記データ線と前記デジタル-アナロ
    グ変換回路とは同一基体上に形成されていることを特徴
    とする請求項４６に記載の電気光学装置。
  49. 【請求項４９】 前記データ線と前記変換トランジスタ
    とは同一基体上に形成されていることを特徴とする請求
    項４５又は４６記載の電気光学装置。
  50. 【請求項５０】 前記デジタル-アナログ変換回路と前
    記変換トランジスタとは同一基体上に形成されているこ
    とを特徴とする請求項４５記載の電気光学装置。
  51. 【請求項５１】 前記変換トランジスタと、前記単位回
    路に含まれる前記スイッチングトランジスタ及び前記駆
    動トランジスタとは、薄膜トランジスタで構成されてい
    ることを特徴とする請求項４１乃至５０の何れかに記載
    の電気光学装置。
  52. 【請求項５２】 前記変換トランジスタは、シリコンベ
    ースのＭＯＳトランジスタで構成されていることを特徴
    とする請求項３９乃至５０の何れかに記載の電気光学装
    置。
  53. 【請求項５３】 データ信号を供給する複数のデータ線
    と、 前記データ信号の電流量に対してその駆動レンジが異な
    る電気光学素子をそれぞれ備えた複数の単位回路とを備
    えた電気光学装置において、 前記データ線に接続され、前記電気光学素子の駆動レン
    ジに応じた利得係数を有する変換トランジスタと、 前記単位回路の各々に設けられ、前記変換トランジスタ
    とカレントミラーを構成する駆動トランジスタとを備え
    たことを特徴とする電気光学装置。
  54. 【請求項５４】 前記電気光学素子は、それぞれ、赤、
    緑及び青色を発光する有機材料で形成された発光層を有
    する有機エレクトロルミネッセンス素子であることを特
    徴とする請求項５３記載の電気光学装置。
  55. 【請求項５５】 走査線をさらに備え、 前記複数の単位回路のそれぞれは、ゲート電極が前記走
    査線に接続されていたスイッチングトランジスタを有す
    ることを特徴とする請求項５３又は５４記載の電気光学
    装置。
  56. 【請求項５６】 前記データ信号は、デジタル−アナロ
    グ変換回路で生成されたアナログ量を有する電流である
    ことを特徴とする請求項５３乃至５５の何れかに記載の
    電気光学装置。
  57. 【請求項５７】 前記変換トランジスタは、前記デジタ
    ル−アナログ変換回路と前記データ線との間に配置され
    ていることを特徴とする請求項５３乃至５６の何れかに
    記載の電気光学装置。
  58. 【請求項５８】 前記デジタル-アナログ変換回路と前
    記変換トランジスタとの間に前記データ線が配置されて
    いることを特徴とする請求項５３乃至５６記載の電気光
    学装置。
  59. 【請求項５９】 前記変換トランジスタと前記デジタル
    -アナログ変換回路と前記データ線とは同一基体上に形
    成されていることを特徴とする請求項５３乃至５８の何
    れかに記載の電気光学装置。
  60. 【請求項６０】 前記データ線と前記デジタル-アナロ
    グ変換回路とは同一基体上に形成されていることを特徴
    とする請求項５６乃至５８の何れかに記載の電気光学装
    置。
  61. 【請求項６１】 前記データ線と前記変換トランジスタ
    とは同一基体上に形成されていることを特徴とする請求
    項５６乃至５８の何れかに記載の電気光学装置。
  62. 【請求項６２】 前記デジタル-アナログ変換回路と前
    記変換トランジスタとは同一基体上に形成されているこ
    とを特徴とする請求項５６又は５７記載の電気光学装
    置。
  63. 【請求項６３】 前記変換トランジスタと、前記単位回
    路に含まれる前記スイッチングトランジスタ及び前記駆
    動トランジスタとは、薄膜トランジスタで構成されてい
    ることを特徴とする請求項５５乃至６２の何れかに記載
    の電気光学装置。
  64. 【請求項６４】 前記変換トランジスタは、シリコンベ
    ースのＭＯＳトランジスタで構成されていることを特徴
    とする請求項５３乃至６３の何れかに記載の電気光学装
    置。
  65. 【請求項６５】 前記電気光学素子は有機エレクトロル
    ミネッセンス素子であることを特徴とする請求項１０乃
    至５３の何れかに記載の電気光学装置。
  66. 【請求項６６】 請求項１０乃至６５の何れかに記載の
    電気光学装置を、表示部として利用したことを特徴とす
    る電子機器。
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