JP2003124746A - 電圧制御型発振器、発振器用シールドケース、受信装置および通信装置 - Google Patents
電圧制御型発振器、発振器用シールドケース、受信装置および通信装置Info
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- JP2003124746A JP2003124746A JP2001315533A JP2001315533A JP2003124746A JP 2003124746 A JP2003124746 A JP 2003124746A JP 2001315533 A JP2001315533 A JP 2001315533A JP 2001315533 A JP2001315533 A JP 2001315533A JP 2003124746 A JP2003124746 A JP 2003124746A
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- Inductance-Capacitance Distribution Constants And Capacitance-Resistance Oscillators (AREA)
- Oscillators With Electromechanical Resonators (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 シールド効果を維持しつつ、放熱性を向上さ
せる。 【解決手段】 シールドケース１２の互いに対向する側
面に、矩形状の開口部１３ａ、１３ｂを形成するととも
に、その開口部１３ａ、１３ｂを増幅器２の近辺に配置
する。
せる。 【解決手段】 シールドケース１２の互いに対向する側
面に、矩形状の開口部１３ａ、１３ｂを形成するととも
に、その開口部１３ａ、１３ｂを増幅器２の近辺に配置
する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は電圧制御型発振器、
発振器用シールドケース、受信装置および通信装置に関
し、特に、高周波発振器に適用して好適なものである。
発振器用シールドケース、受信装置および通信装置に関
し、特に、高周波発振器に適用して好適なものである。
【０００２】
【従来の技術】従来の高周波発振器では、発振器内部で
発生するノイズが外部に放射されたり、外部で発生した
ノイズが発振器内部に入射したりすることを防止するた
め、シールドケースが用いられている。例えば、特開平
１０−２１５１１９号公報には、シールド効果を得るた
めに、電圧制御型発振器を構成する電子部品が実装され
た基板上に、導体からなる箱状のシールドケースを接合
する方法が開示されている。
発生するノイズが外部に放射されたり、外部で発生した
ノイズが発振器内部に入射したりすることを防止するた
め、シールドケースが用いられている。例えば、特開平
１０−２１５１１９号公報には、シールド効果を得るた
めに、電圧制御型発振器を構成する電子部品が実装され
た基板上に、導体からなる箱状のシールドケースを接合
する方法が開示されている。
【０００３】また、特開平１０−４１７０９号公報に
は、アルミダイキャストなどを材料とした箱状のシール
ドケースで電圧制御型発振器を密閉するように包み込む
方法が開示されている。
は、アルミダイキャストなどを材料とした箱状のシール
ドケースで電圧制御型発振器を密閉するように包み込む
方法が開示されている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来の
シールドケースでは、シールド効果を上げるために、密
閉構造が用いられている。この結果、シールドケース内
の通気性が悪化し、アンプなどの発熱部品がシールドケ
ース内にある場合には、シールドケース内の温度が上昇
する。
シールドケースでは、シールド効果を上げるために、密
閉構造が用いられている。この結果、シールドケース内
の通気性が悪化し、アンプなどの発熱部品がシールドケ
ース内にある場合には、シールドケース内の温度が上昇
する。
【０００５】このため、回路の電気的特性が変化し、特
に、発振器では発振周波数が変化するという問題があっ
た。また、変化の激しい温度サイクルが繰り返されるた
め、部品の劣化が激しくなり、製品の寿命が短くなると
いう問題もあった。そこで、本発明の目的は、シールド
効果を維持しつつ、放熱性を向上させることが可能な電
圧制御型発振器、発振器用シールドケース、受信装置お
よび通信装置を提供することである。
に、発振器では発振周波数が変化するという問題があっ
た。また、変化の激しい温度サイクルが繰り返されるた
め、部品の劣化が激しくなり、製品の寿命が短くなると
いう問題もあった。そこで、本発明の目的は、シールド
効果を維持しつつ、放熱性を向上させることが可能な電
圧制御型発振器、発振器用シールドケース、受信装置お
よび通信装置を提供することである。
【０００６】
【課題を解決するための手段】上述した課題を解決する
ために、請求項１記載の電圧制御型発振器によれば、増
幅器と、前記増幅器に対して帰還回路を構成する共振素
子と、前記増幅器および共振素子を覆うとともに、前記
増幅器で発生する熱を対流させる開口部が設けられたシ
ールドケースとを備えることを特徴とする。
ために、請求項１記載の電圧制御型発振器によれば、増
幅器と、前記増幅器に対して帰還回路を構成する共振素
子と、前記増幅器および共振素子を覆うとともに、前記
増幅器で発生する熱を対流させる開口部が設けられたシ
ールドケースとを備えることを特徴とする。
【０００７】これにより、シールドケースに局所的に開
口部を設けるだけで、シールドケース内部で発生した熱
を外部に放出させることが可能となり、シールド効果を
維持しつつ、放熱性を向上させることが可能となる。こ
のため、シールドケース内に増幅器が設けられている場
合においても、シールドケース内の温度の上昇を抑制す
ることが可能となり、発振器の発振周波数の変動を抑え
ることが可能となるとともに、部品の劣化を抑制して、
製品の寿命を向上させることが可能となる。
口部を設けるだけで、シールドケース内部で発生した熱
を外部に放出させることが可能となり、シールド効果を
維持しつつ、放熱性を向上させることが可能となる。こ
のため、シールドケース内に増幅器が設けられている場
合においても、シールドケース内の温度の上昇を抑制す
ることが可能となり、発振器の発振周波数の変動を抑え
ることが可能となるとともに、部品の劣化を抑制して、
製品の寿命を向上させることが可能となる。
【０００８】また、請求項２記載の電圧制御型発振器に
よれば、前記開口部は、前記シールドケースの互いに対
向する側面の少なくとも２個所に形成されていることを
特徴とする。これにより、シールドケースに開口部を形
成するだけで、増幅器で発生した熱がシールドケース内
に滞留することを防止して、増幅器で発生した熱を外部
に効率よく放出させることが可能となり、シールドケー
スの構成が複雑化することを防止しつつ、放熱性を向上
させることが可能となる。
よれば、前記開口部は、前記シールドケースの互いに対
向する側面の少なくとも２個所に形成されていることを
特徴とする。これにより、シールドケースに開口部を形
成するだけで、増幅器で発生した熱がシールドケース内
に滞留することを防止して、増幅器で発生した熱を外部
に効率よく放出させることが可能となり、シールドケー
スの構成が複雑化することを防止しつつ、放熱性を向上
させることが可能となる。
【０００９】また、請求項３記載の電圧制御型発振器に
よれば、前記開口部は円形状または矩形状であり、前記
円形状または矩形状の開口部の直径または長辺の長さ
は、発振周波数の波長の２０分の１以下であることを特
徴とする。これにより、シールドケースに開口部を形成
した場合においても、シールド効果を維持しつつ、シー
ルドケース内部で発生した熱を外部に放出させることが
可能となる。
よれば、前記開口部は円形状または矩形状であり、前記
円形状または矩形状の開口部の直径または長辺の長さ
は、発振周波数の波長の２０分の１以下であることを特
徴とする。これにより、シールドケースに開口部を形成
した場合においても、シールド効果を維持しつつ、シー
ルドケース内部で発生した熱を外部に放出させることが
可能となる。
【００１０】また、請求項４記載の電圧制御型発振器に
よれば、発振周波数を調整するレーザトリミング素子を
さらに備え、前記開口部は、前記レーザトリミング素子
の上方に形成されていることを特徴とする。これによ
り、シールドケース内部で発生した熱を外部に放出させ
ることを可能として、放熱性を向上させることが可能と
なるとともに、シールドケースの実装後に、発振周波数
を調整することが可能となり、量産性を向上させること
が可能となる。
よれば、発振周波数を調整するレーザトリミング素子を
さらに備え、前記開口部は、前記レーザトリミング素子
の上方に形成されていることを特徴とする。これによ
り、シールドケース内部で発生した熱を外部に放出させ
ることを可能として、放熱性を向上させることが可能と
なるとともに、シールドケースの実装後に、発振周波数
を調整することが可能となり、量産性を向上させること
が可能となる。
【００１１】また、請求項５記載の電圧制御型発振器に
よれば、前記シールドケースの上面に最も近い部品導体
部との距離は、１．８ｍｍ以上であることを特徴とす
る。これにより、実装部品上にシールドケースを設けた
場合においても、実装部品とシールドケースとの間の電
磁干渉により発生する損失を抑制することが可能とな
り、シールド効果を維持しつつ、発振器特性への悪影響
を抑えることができる。
よれば、前記シールドケースの上面に最も近い部品導体
部との距離は、１．８ｍｍ以上であることを特徴とす
る。これにより、実装部品上にシールドケースを設けた
場合においても、実装部品とシールドケースとの間の電
磁干渉により発生する損失を抑制することが可能とな
り、シールド効果を維持しつつ、発振器特性への悪影響
を抑えることができる。
【００１２】また、請求項６記載の電圧制御型発振器に
よれば、増幅器と、前記増幅器に対して帰還回路を構成
する共振素子と、前記増幅器および共振素子が配置され
た基板と、前記基板上に設けられ、前記増幅器および共
振素子の周囲に配置された第１グランド層と、前記基板
の裏面に設けられた第２グランド層と、前記第１グラン
ド層と前記第２グランド層とを接続するビアと、前記増
幅器および共振素子を覆うとともに、前記第１グランド
層に接合するシールドケースと、前記シールドケースに
設けられ、前記増幅器で発生する熱を対流させる開口部
とを備えることを特徴とする。
よれば、増幅器と、前記増幅器に対して帰還回路を構成
する共振素子と、前記増幅器および共振素子が配置され
た基板と、前記基板上に設けられ、前記増幅器および共
振素子の周囲に配置された第１グランド層と、前記基板
の裏面に設けられた第２グランド層と、前記第１グラン
ド層と前記第２グランド層とを接続するビアと、前記増
幅器および共振素子を覆うとともに、前記第１グランド
層に接合するシールドケースと、前記シールドケースに
設けられ、前記増幅器で発生する熱を対流させる開口部
とを備えることを特徴とする。
【００１３】これにより、電圧制御型発振器をマイクロ
ストリップライン構成とした場合においても、基板上に
シールドケースをかぶせるだけで、シールド効果を維持
しつつ、放熱性を向上させることが可能となり、シール
ドケースの構成を複雑化することなく、電圧制御型発振
器を安定して動作させることが可能となるとともに、電
圧制御型発振器のコンパクト化を図ることが可能とな
る。
ストリップライン構成とした場合においても、基板上に
シールドケースをかぶせるだけで、シールド効果を維持
しつつ、放熱性を向上させることが可能となり、シール
ドケースの構成を複雑化することなく、電圧制御型発振
器を安定して動作させることが可能となるとともに、電
圧制御型発振器のコンパクト化を図ることが可能とな
る。
【００１４】また、請求項７記載の発振器用シールドケ
ースによれば、内部に設けられた発熱体から発生する熱
を対流させる開口部が形成されていることを特徴とす
る。これにより、シールドケースに局所的に開口部を設
けるだけで、シールドケース内部で発生した熱を外部に
放出させることが可能となり、シールド効果を維持しつ
つ、放熱性を向上させることが可能となる。
ースによれば、内部に設けられた発熱体から発生する熱
を対流させる開口部が形成されていることを特徴とす
る。これにより、シールドケースに局所的に開口部を設
けるだけで、シールドケース内部で発生した熱を外部に
放出させることが可能となり、シールド効果を維持しつ
つ、放熱性を向上させることが可能となる。
【００１５】また、請求項８記載の発振器用シールドケ
ースによれば、前記開口部は、前記シールドケースの互
いに対向する側面の少なくとも２個所に形成されている
ことを特徴とする。これにより、シールドケースに開口
部を形成するだけで、発熱体から発生した熱を外部に効
率よく放出させることが可能となり、シールドケースの
構成が複雑化することを防止しつつ、放熱性を向上させ
ることが可能となる。
ースによれば、前記開口部は、前記シールドケースの互
いに対向する側面の少なくとも２個所に形成されている
ことを特徴とする。これにより、シールドケースに開口
部を形成するだけで、発熱体から発生した熱を外部に効
率よく放出させることが可能となり、シールドケースの
構成が複雑化することを防止しつつ、放熱性を向上させ
ることが可能となる。
【００１６】また、請求項９記載の発振器用シールドケ
ースによれば、前記開口部は円形状または矩形状であ
り、前記円形状または矩形状の開口部の直径または長辺
の長さは、発振周波数の波長の２０分の１以下であるこ
とを特徴とする。これにより、シールドケースに開口部
を形成した場合においても、シールド効果の低減を抑制
しつつ、シールドケース内部で発生した熱を外部に放出
させることが可能となる。
ースによれば、前記開口部は円形状または矩形状であ
り、前記円形状または矩形状の開口部の直径または長辺
の長さは、発振周波数の波長の２０分の１以下であるこ
とを特徴とする。これにより、シールドケースに開口部
を形成した場合においても、シールド効果の低減を抑制
しつつ、シールドケース内部で発生した熱を外部に放出
させることが可能となる。
【００１７】また、請求項１０記載の発振器用シールド
ケースによれば、前記開口部は、レーザトリミング素子
の配置位置に対応して形成されていることを特徴とす
る。これにより、シールドケース内部で発生した熱を外
部に放出させることを可能として、放熱性を向上させる
ことが可能となるとともに、発振器の組み立て実装後
に、発振周波数を調整することが可能となり、量産性を
向上させることが可能となる。
ケースによれば、前記開口部は、レーザトリミング素子
の配置位置に対応して形成されていることを特徴とす
る。これにより、シールドケース内部で発生した熱を外
部に放出させることを可能として、放熱性を向上させる
ことが可能となるとともに、発振器の組み立て実装後
に、発振周波数を調整することが可能となり、量産性を
向上させることが可能となる。
【００１８】また、請求項１１記載の発振器用シールド
ケースによれば、前記シールドケースの上面に最も近い
部品導体部との距離が１．８ｍｍ以上になるように、前
記シールドケースの高さが設定されていることを特徴と
する。これにより、実装部品上にシールドケースを設け
た場合においても、実装部品とシールドケースとの間の
電磁干渉により発生する損失を抑制することが可能とな
り、シールド効果を維持しつつ、発振器特性への悪影響
を抑えることができる。
ケースによれば、前記シールドケースの上面に最も近い
部品導体部との距離が１．８ｍｍ以上になるように、前
記シールドケースの高さが設定されていることを特徴と
する。これにより、実装部品上にシールドケースを設け
た場合においても、実装部品とシールドケースとの間の
電磁干渉により発生する損失を抑制することが可能とな
り、シールド効果を維持しつつ、発振器特性への悪影響
を抑えることができる。
【００１９】また、請求項１２記載の受信装置によれ
ば、光信号を電気信号に変換するフォトダイオードと、
前記電気信号からデータおよび同期信号を抽出するクロ
ックデータリカバリと、前記クロックデータリカバリを
動作させるための信号を供給する電圧制御発振器と、前
記クロックデータリカバリにより抽出されたシリアルデ
ータをパラレルデータに変換するデシリアライザと、前
記パラレルデータを復号する復号器とを備え、前記電圧
制御発振器は、増幅器と、前記増幅器に対して帰還回路
を構成する共振素子と、前記増幅器および共振素子を覆
うとともに、前記増幅器で発生する熱を対流させる開口
部が設けられたシールドケースとを備えることを特徴と
する。
ば、光信号を電気信号に変換するフォトダイオードと、
前記電気信号からデータおよび同期信号を抽出するクロ
ックデータリカバリと、前記クロックデータリカバリを
動作させるための信号を供給する電圧制御発振器と、前
記クロックデータリカバリにより抽出されたシリアルデ
ータをパラレルデータに変換するデシリアライザと、前
記パラレルデータを復号する復号器とを備え、前記電圧
制御発振器は、増幅器と、前記増幅器に対して帰還回路
を構成する共振素子と、前記増幅器および共振素子を覆
うとともに、前記増幅器で発生する熱を対流させる開口
部が設けられたシールドケースとを備えることを特徴と
する。
【００２０】これにより、電圧制御発振器の構成が複雑
化することを抑制しつつ、データ伝送速度が数ギガビッ
ト／秒から数１０ギガビット／秒のデータ処理を安定し
て行なわせることが可能となるとともに、受信装置の寿
命を向上させることが可能となる。また、請求項１３記
載の通信装置によれば、データのアクセス制御を行なう
アクセス制御部と、同期クロックを生成する発振器と、
前記発振器からの出力をもとに周波数制御を行なうＰＬ
Ｌ制御部と、前記アクセス制御部から出力されたパラレ
ルデータと前記同期クロックとを合成し、符号化する符
号器と、前記前記同期クロックと合成されたパラレルデ
ータをシリアルデータに変換するシリアライザと、前記
シリアルデータを光信号に変換する半導体レーザと、前
記光信号を電気信号に変換するフォトダイオードと、前
記電気信号からデータおよび同期信号を抽出するクロッ
クデータリカバリと、前記クロックデータリカバリを動
作させるための信号を供給する電圧制御発振器と、前記
クロックデータリカバリにより抽出されたシリアルデー
タをパラレルデータに変換するデシリアライザと、前記
パラレルデータを復号し、前記アクセス制御部に出力す
る復号器とを備え、前記電圧制御発振器は、増幅器と、
前記増幅器に対して帰還回路を構成する共振素子と、前
記増幅器および共振素子を覆うとともに、前記増幅器で
発生する熱を対流させる開口部が設けられたシールドケ
ースとを備えることを特徴とする。
化することを抑制しつつ、データ伝送速度が数ギガビッ
ト／秒から数１０ギガビット／秒のデータ処理を安定し
て行なわせることが可能となるとともに、受信装置の寿
命を向上させることが可能となる。また、請求項１３記
載の通信装置によれば、データのアクセス制御を行なう
アクセス制御部と、同期クロックを生成する発振器と、
前記発振器からの出力をもとに周波数制御を行なうＰＬ
Ｌ制御部と、前記アクセス制御部から出力されたパラレ
ルデータと前記同期クロックとを合成し、符号化する符
号器と、前記前記同期クロックと合成されたパラレルデ
ータをシリアルデータに変換するシリアライザと、前記
シリアルデータを光信号に変換する半導体レーザと、前
記光信号を電気信号に変換するフォトダイオードと、前
記電気信号からデータおよび同期信号を抽出するクロッ
クデータリカバリと、前記クロックデータリカバリを動
作させるための信号を供給する電圧制御発振器と、前記
クロックデータリカバリにより抽出されたシリアルデー
タをパラレルデータに変換するデシリアライザと、前記
パラレルデータを復号し、前記アクセス制御部に出力す
る復号器とを備え、前記電圧制御発振器は、増幅器と、
前記増幅器に対して帰還回路を構成する共振素子と、前
記増幅器および共振素子を覆うとともに、前記増幅器で
発生する熱を対流させる開口部が設けられたシールドケ
ースとを備えることを特徴とする。
【００２１】これにより、寿命が長く、安定して動作す
るギガビットネットワークシステムをコンパクトに構築
することが可能となる。
るギガビットネットワークシステムをコンパクトに構築
することが可能となる。
【００２２】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施形態に係る電
圧制御型発振器について図面を参照しながら説明する。
図１は、本発明の一実施形態に係る電圧制御型発振器の
構成を示すブロック図である。
圧制御型発振器について図面を参照しながら説明する。
図１は、本発明の一実施形態に係る電圧制御型発振器の
構成を示すブロック図である。
【００２３】図１において、発振用の増幅器２の出力側
および入力側の帰還回路として、弾性表面波素子１と、
外部から制御電圧Ｖｃを入力して発振ループ内の位相を
可変させる移相器３と、発振ループ内の位相を微調整す
る位相調整回路４と、発振ループ内の電力を等分配して
発振ループ外に出力する等分配器５が直列に介挿され、
これら各ブロックは一定の特性インピーダンス、例え
ば、５０Ωに全て整合接続されている。
および入力側の帰還回路として、弾性表面波素子１と、
外部から制御電圧Ｖｃを入力して発振ループ内の位相を
可変させる移相器３と、発振ループ内の位相を微調整す
る位相調整回路４と、発振ループ内の電力を等分配して
発振ループ外に出力する等分配器５が直列に介挿され、
これら各ブロックは一定の特性インピーダンス、例え
ば、５０Ωに全て整合接続されている。
【００２４】そして、移相器３によって帰還回路の位相
を変化させることにより、発振周波数を変化させること
ができる。ここで、移相器３として、−３ｄＢ９０°ハ
イブリッドカプラとそれに付随したリアクタンス可変回
路を用いることにより、低挿入損失・低リターンロスで
大きな位相変化をもたらすことができる。
を変化させることにより、発振周波数を変化させること
ができる。ここで、移相器３として、−３ｄＢ９０°ハ
イブリッドカプラとそれに付随したリアクタンス可変回
路を用いることにより、低挿入損失・低リターンロスで
大きな位相変化をもたらすことができる。
【００２５】その結果、電圧制御型発振器の周波数可変
幅を大きく取ることができ、制御電圧Ｖｃに対し、良好
な周波数可変特性を得ることが可能になり、数ギガビッ
ト／秒の伝送速度を上回る通信ネットワーク系の基準発
振器として用いることが可能となる。また、低挿入損失
・低リターンロスであることから、回路損失も最小限に
抑えることができ、出力変動が少なく、効率のよい電圧
制御型発振器を実現することができる。
幅を大きく取ることができ、制御電圧Ｖｃに対し、良好
な周波数可変特性を得ることが可能になり、数ギガビッ
ト／秒の伝送速度を上回る通信ネットワーク系の基準発
振器として用いることが可能となる。また、低挿入損失
・低リターンロスであることから、回路損失も最小限に
抑えることができ、出力変動が少なく、効率のよい電圧
制御型発振器を実現することができる。
【００２６】さらに、等分配器５によって発振ループ内
のインピーダンスを乱すことなく、電力を等分配して発
振ループ外に出力することができるため、負荷に対して
より安定的な回路動作をさせることができる。また、弾
性表面波素子１、増幅器２、移相器３、位相調整回路４
および等分配器５をシールドケースで覆うとともに、増
幅器２近辺のシールドケースの互いに対向する側面の少
なくとも２個所に開口部を設けることにより、シールド
効果を維持しつつ、増幅器２で発した熱を開口部を介し
て外部に効率よく放出させることが可能となる。
のインピーダンスを乱すことなく、電力を等分配して発
振ループ外に出力することができるため、負荷に対して
より安定的な回路動作をさせることができる。また、弾
性表面波素子１、増幅器２、移相器３、位相調整回路４
および等分配器５をシールドケースで覆うとともに、増
幅器２近辺のシールドケースの互いに対向する側面の少
なくとも２個所に開口部を設けることにより、シールド
効果を維持しつつ、増幅器２で発した熱を開口部を介し
て外部に効率よく放出させることが可能となる。
【００２７】このため、増幅器２で発した熱に弾性表面
波素子１が晒されることを抑制して、弾性表面波素子１
の温度上昇を抑えることが可能となり、発振周波数の変
動を抑制して、電圧制御型発振器を安定して動作させる
ことが可能となる。図２（ａ）は、本発明の第１実施形
態に係る発振器用シールドケースの構成を示す斜視図、
図２（ｂ）は、図２（ａ）の発振器用シールドケースを
透視した場合の電圧制御型発振器の構成を示す斜視図、
図３（ａ）は、図２（ｂ）のＡ−Ａ線で切断した断面
図、図３（ｂ）は、図２（ｂ）のＢ−Ｂ線で切断した断
面図である。
波素子１が晒されることを抑制して、弾性表面波素子１
の温度上昇を抑えることが可能となり、発振周波数の変
動を抑制して、電圧制御型発振器を安定して動作させる
ことが可能となる。図２（ａ）は、本発明の第１実施形
態に係る発振器用シールドケースの構成を示す斜視図、
図２（ｂ）は、図２（ａ）の発振器用シールドケースを
透視した場合の電圧制御型発振器の構成を示す斜視図、
図３（ａ）は、図２（ｂ）のＡ−Ａ線で切断した断面
図、図３（ｂ）は、図２（ｂ）のＢ−Ｂ線で切断した断
面図である。
【００２８】図２、３において、多層基板１１は、例え
ば、４層配線基板から構成され、この４層配線基板に
は、絶縁層Ｚ１〜Ｚ３を介して第１〜第４配線層が設け
られている。ここで、第２配線層にはグランド層Ｇ２が
設けられるとともに、第４配線層にはグランド層Ｇ３が
設けられ、第３配線層にはストリップラインＳＬが形成
されている。
ば、４層配線基板から構成され、この４層配線基板に
は、絶縁層Ｚ１〜Ｚ３を介して第１〜第４配線層が設け
られている。ここで、第２配線層にはグランド層Ｇ２が
設けられるとともに、第４配線層にはグランド層Ｇ３が
設けられ、第３配線層にはストリップラインＳＬが形成
されている。
【００２９】そして、このストリップラインＳＬによ
り、−３ｄＢ９０°ハイブリッドカプラや等分配器５を
分布定数回路で形成することができ、実装基板のコンパ
クト化を図ることができる。また、基板中に内蔵できな
い弾性表面波素子１、増幅器２およびチップ部品Ｐは第
１配線層上に搭載されるとともに、第１配線層には、こ
れらの部品を取り囲むようにしてグランド層Ｇ１が形成
されている。
り、−３ｄＢ９０°ハイブリッドカプラや等分配器５を
分布定数回路で形成することができ、実装基板のコンパ
クト化を図ることができる。また、基板中に内蔵できな
い弾性表面波素子１、増幅器２およびチップ部品Ｐは第
１配線層上に搭載されるとともに、第１配線層には、こ
れらの部品を取り囲むようにしてグランド層Ｇ１が形成
されている。
【００３０】そして、絶縁層Ｚ１〜Ｚ３には、これらの
グランド層Ｇ１〜Ｇ３を互いに接続するためのビアホー
ルＢ１〜Ｂ４が形成されている。また、多層基板１１上
にはシールドケース１２が配置され、シールドケース１
２は、例えば、半田付けにより多層基板１１のグランド
層Ｇ１と接合される。これにより、多層基板１１上にシ
ールドケース１２をかぶせるだけで、弾性表面波素子１
や増幅器２などの部品をグランド層で取り囲むことが可
能となり、電圧制御型発振器のコンパクト化を図りつ
つ、シールド効果を得ることが可能となる。
グランド層Ｇ１〜Ｇ３を互いに接続するためのビアホー
ルＢ１〜Ｂ４が形成されている。また、多層基板１１上
にはシールドケース１２が配置され、シールドケース１
２は、例えば、半田付けにより多層基板１１のグランド
層Ｇ１と接合される。これにより、多層基板１１上にシ
ールドケース１２をかぶせるだけで、弾性表面波素子１
や増幅器２などの部品をグランド層で取り囲むことが可
能となり、電圧制御型発振器のコンパクト化を図りつ
つ、シールド効果を得ることが可能となる。
【００３１】また、シールドケース１２の互いに対向す
る側面には、矩形状の開口部１３ａ、１３ｂが形成さ
れ、その開口部１３ａ、１３ｂは増幅器２の近辺に配置
されている。これにより、開口部１３ａ、１３ｂを通し
て増幅器２上を通過する気流の通り道を形成することが
可能となり、増幅器２で発生する熱をこの気流に乗せて
外部に逃がすことが可能となる。
る側面には、矩形状の開口部１３ａ、１３ｂが形成さ
れ、その開口部１３ａ、１３ｂは増幅器２の近辺に配置
されている。これにより、開口部１３ａ、１３ｂを通し
て増幅器２上を通過する気流の通り道を形成することが
可能となり、増幅器２で発生する熱をこの気流に乗せて
外部に逃がすことが可能となる。
【００３２】このため、弾性表面波素子１が増幅器２で
発生する熱に晒されることを防止することが可能とな
り、弾性表面波素子１の温度上昇を抑制して、発振周波
数が狂うことを防止することが可能となる。ここで、矩
形状の開口部１３ａ、１３ｂの長辺の長さは、発振周波
数の波長の２０分の１以下であることが好ましい。
発生する熱に晒されることを防止することが可能とな
り、弾性表面波素子１の温度上昇を抑制して、発振周波
数が狂うことを防止することが可能となる。ここで、矩
形状の開口部１３ａ、１３ｂの長辺の長さは、発振周波
数の波長の２０分の１以下であることが好ましい。
【００３３】これにより、シールドケース１２に開口部
１３ａ、１３ｂを設けた場合においても、開口部１３
ａ、１３ｂから電磁波が漏れることを防止して、シール
ド効果を維持することが可能となる。なお、開口部１３
ａ、１３ｂの形状は矩形状以外にも、円形状またはそれ
以外の形状でもよい。
１３ａ、１３ｂを設けた場合においても、開口部１３
ａ、１３ｂから電磁波が漏れることを防止して、シール
ド効果を維持することが可能となる。なお、開口部１３
ａ、１３ｂの形状は矩形状以外にも、円形状またはそれ
以外の形状でもよい。
【００３４】また、開口部１３ａ、１３ｂは打ち抜きな
どにより形成することができ、シールドケース１２の構
成を複雑化することなく、シールドケース１２内部の放
熱性を向上させることができる。ここで、実装された部
品の中で高さの一番高い導体部と、シールドケース１２
上面との距離をＨとした場合、この距離Ｈが小さいと、
シールドケース１２の高さ方向のサイズを小さくするこ
とができ、発振器のより一層のコンパクト化が可能とな
る。
どにより形成することができ、シールドケース１２の構
成を複雑化することなく、シールドケース１２内部の放
熱性を向上させることができる。ここで、実装された部
品の中で高さの一番高い導体部と、シールドケース１２
上面との距離をＨとした場合、この距離Ｈが小さいと、
シールドケース１２の高さ方向のサイズを小さくするこ
とができ、発振器のより一層のコンパクト化が可能とな
る。
【００３５】しかし、この距離Ｈが小さすぎると、金属
導体であるシールドケース１２との間で電磁干渉が発生
し、発振器特性に悪影響を与える。図４（ａ）は、本発
明の一実施形態に係る電圧制御型発振器の距離Ｈと定在
波比（ＳＷＲ）との関係を示す図である。なお、横軸
は、実装部品とシールドケース１２上面との距離Ｈ、縦
軸は、定在波比（ＳＷＲ）で示した影響度合いであり、
定在波比の値が１に近いほど、電磁干渉の影響が小さい
ことを示す。
導体であるシールドケース１２との間で電磁干渉が発生
し、発振器特性に悪影響を与える。図４（ａ）は、本発
明の一実施形態に係る電圧制御型発振器の距離Ｈと定在
波比（ＳＷＲ）との関係を示す図である。なお、横軸
は、実装部品とシールドケース１２上面との距離Ｈ、縦
軸は、定在波比（ＳＷＲ）で示した影響度合いであり、
定在波比の値が１に近いほど、電磁干渉の影響が小さい
ことを示す。
【００３６】図４（ａ）において、距離Ｈが小さくなる
と、定在波比は大きくなり、特に、距離Ｈが１ｍｍより
小さくなると、定在波比は急激に大きくなる。図４
（ｂ）は本発明の一実施形態に係る電圧制御型発振器の
距離Ｈと損失との関係を示す図である。なお、横軸は、
実装部品とシールドケース１２上面との距離Ｈ、縦軸
は、実装部品とシールドケース１２との間の電磁干渉に
より発生する損失を示す。
と、定在波比は大きくなり、特に、距離Ｈが１ｍｍより
小さくなると、定在波比は急激に大きくなる。図４
（ｂ）は本発明の一実施形態に係る電圧制御型発振器の
距離Ｈと損失との関係を示す図である。なお、横軸は、
実装部品とシールドケース１２上面との距離Ｈ、縦軸
は、実装部品とシールドケース１２との間の電磁干渉に
より発生する損失を示す。
【００３７】図４（ｂ）において、距離Ｈが小さくなる
と、損失は大きくなり、特に、距離Ｈが１ｍｍより小さ
くなると、損失は急激に大きくなる。一方、距離Ｈがあ
る程度以上になると、損失はほぼ一定になり、距離Ｈを
それ以上大きくしても、損失がほとんど減らない。この
ため、距離Ｈによる電磁干渉の影響および損失は、使用
周波数に依存するものの、概ね数ＧＨｚ程度の範囲内で
あれば、距離Ｈ＝１．８ｍｍ以上とすればよい。
と、損失は大きくなり、特に、距離Ｈが１ｍｍより小さ
くなると、損失は急激に大きくなる。一方、距離Ｈがあ
る程度以上になると、損失はほぼ一定になり、距離Ｈを
それ以上大きくしても、損失がほとんど減らない。この
ため、距離Ｈによる電磁干渉の影響および損失は、使用
周波数に依存するものの、概ね数ＧＨｚ程度の範囲内で
あれば、距離Ｈ＝１．８ｍｍ以上とすればよい。
【００３８】これにより、電磁干渉の影響が顕著になら
ない範囲で、シールドケース１２の高さを低くすること
が可能となり、電圧制御型発振器の基本特性を満足させ
つつ、電圧制御型発振器のコンパクト化を図ることが可
能となる。なお、上述した実施形態によれば、共振素子
として弾性表面波素子１を用いた場合について説明した
が、誘電体共振子やマイクロストリップラインなどを共
振素子として用いるようにしてもよい。
ない範囲で、シールドケース１２の高さを低くすること
が可能となり、電圧制御型発振器の基本特性を満足させ
つつ、電圧制御型発振器のコンパクト化を図ることが可
能となる。なお、上述した実施形態によれば、共振素子
として弾性表面波素子１を用いた場合について説明した
が、誘電体共振子やマイクロストリップラインなどを共
振素子として用いるようにしてもよい。
【００３９】また、上述した実施形態では、弾性表面波
素子１や増幅器２などを多層基板１１に実装する方法に
ついて説明したが、単層基板や両面基板に実装するよう
にしてもよい。図５は、本発明の第２実施形態に係る発
振器用シールドケースの構成を示す斜視図である。
素子１や増幅器２などを多層基板１１に実装する方法に
ついて説明したが、単層基板や両面基板に実装するよう
にしてもよい。図５は、本発明の第２実施形態に係る発
振器用シールドケースの構成を示す斜視図である。
【００４０】図５において、多層基板２１は、例えば、
４層配線基板から構成され、この４層配線基板には、絶
縁層Ｚ１１〜Ｚ１３を介して第１〜第４配線層が設けら
れている。ここで、第２配線層および第４配線層にはグ
ランド層が設けられ、第３配線層にはストリップライン
が形成されている。
４層配線基板から構成され、この４層配線基板には、絶
縁層Ｚ１１〜Ｚ１３を介して第１〜第４配線層が設けら
れている。ここで、第２配線層および第４配線層にはグ
ランド層が設けられ、第３配線層にはストリップライン
が形成されている。
【００４１】また、基板中に内蔵できない弾性表面波素
子、増幅器および位相調整回路などは第１配線層上に搭
載されるとともに、第１配線層には、これらの部品を取
り囲むようにしてグランド層Ｇ１１が形成されている。
そして、絶縁層Ｚ１１〜Ｚ１３には、これらのグランド
層を接続するためのビアホールＢ１１、Ｂ１２が形成さ
れている。
子、増幅器および位相調整回路などは第１配線層上に搭
載されるとともに、第１配線層には、これらの部品を取
り囲むようにしてグランド層Ｇ１１が形成されている。
そして、絶縁層Ｚ１１〜Ｚ１３には、これらのグランド
層を接続するためのビアホールＢ１１、Ｂ１２が形成さ
れている。
【００４２】多層基板２１上にはシールドケース２２が
配置され、シールドケース２２は、例えば、半田付けに
より多層基板２１のグランド層Ｇ１１と接合される。こ
こで、シールドケース２２の上面には円形状の開口部２
３が形成され、この開口部２３は位相調整回路に対応す
る位置に対置されている。これにより、シールドケース
２２内部の増幅器で発生した熱を外部に放出させること
を可能として、放熱性を向上させることが可能となると
ともに、シールドケース２２の実装後に、位相調整回路
をレーザトリミングして発振周波数を調整することが可
能となる。
配置され、シールドケース２２は、例えば、半田付けに
より多層基板２１のグランド層Ｇ１１と接合される。こ
こで、シールドケース２２の上面には円形状の開口部２
３が形成され、この開口部２３は位相調整回路に対応す
る位置に対置されている。これにより、シールドケース
２２内部の増幅器で発生した熱を外部に放出させること
を可能として、放熱性を向上させることが可能となると
ともに、シールドケース２２の実装後に、位相調整回路
をレーザトリミングして発振周波数を調整することが可
能となる。
【００４３】ここで、開口部２３の形状は円形状以外に
も、矩形状でもよく、円形状の開口部２３の直径は、発
振周波数の波長の２０分の１以下であることが好まし
い。これにより、シールドケース２２に開口部２３を設
けた場合においても、開口部２３から電磁波が漏れるこ
とを防止して、シールド効果を維持することが可能とな
る。
も、矩形状でもよく、円形状の開口部２３の直径は、発
振周波数の波長の２０分の１以下であることが好まし
い。これにより、シールドケース２２に開口部２３を設
けた場合においても、開口部２３から電磁波が漏れるこ
とを防止して、シールド効果を維持することが可能とな
る。
【００４４】また、位相調整回路として、例えば、オー
プンスタブが接続されたチップインダクタを、発振回路
の帰還ループに直列に挿入するようにしてもよい。そし
て、電圧制御型発振器の発振周波数を調整する場合、開
口部２３を介してオープンスタブをレーザトリミングす
ることにより、オープンスタブの長さを１／４波長以内
の範囲で調整する。
プンスタブが接続されたチップインダクタを、発振回路
の帰還ループに直列に挿入するようにしてもよい。そし
て、電圧制御型発振器の発振周波数を調整する場合、開
口部２３を介してオープンスタブをレーザトリミングす
ることにより、オープンスタブの長さを１／４波長以内
の範囲で調整する。
【００４５】また、位相調整回路として、ショートスタ
ブが接続されたチップコンデンサを、発振回路の帰還ル
ープに直列に挿入するようにしてもよい。そして、ショ
ートスタブの長さを１／４波長以内の範囲に設定し、等
価的にインダクタとして機能させるとともに、開口部２
３を介してチップコンデンサをレーザトリミングするこ
とにより、チップコンデンサの値を調整する。
ブが接続されたチップコンデンサを、発振回路の帰還ル
ープに直列に挿入するようにしてもよい。そして、ショ
ートスタブの長さを１／４波長以内の範囲に設定し、等
価的にインダクタとして機能させるとともに、開口部２
３を介してチップコンデンサをレーザトリミングするこ
とにより、チップコンデンサの値を調整する。
【００４６】これにより、位相調整回路のコンパクト化
を図りつつ、シールドケース２２を多層基板２１上に実
装した後に、電圧制御型発振器の発振周波数を調整する
ことができる。図６は、本発明の一実施形態に係る通信
装置の構成を示すブロック図である。なお、この実施形
態では、図２の電圧制御型発振器が使用されるギガビッ
トネットワークシステムの一例を示す。
を図りつつ、シールドケース２２を多層基板２１上に実
装した後に、電圧制御型発振器の発振周波数を調整する
ことができる。図６は、本発明の一実施形態に係る通信
装置の構成を示すブロック図である。なお、この実施形
態では、図２の電圧制御型発振器が使用されるギガビッ
トネットワークシステムの一例を示す。
【００４７】ギガビットネットワークシステムでは、イ
ンターネットの普及によって音声や静止画像データだけ
でなく、動画像データも取り扱われる。動画像データの
場合、静止画像データに比べそのデータ量は莫大であ
り、例えば、数１００メガバイトから数ギガバイトにも
及ぶ。この莫大なデータをコンピュータ間でスムーズに
取り扱うには、コンピュータ間を結ぶネットワークシス
テムを高速化する必要があり、このネットワークシステ
ムのデータ伝送速度は、１秒間当たり数ギガビットから
数１０ギガビットになる。
ンターネットの普及によって音声や静止画像データだけ
でなく、動画像データも取り扱われる。動画像データの
場合、静止画像データに比べそのデータ量は莫大であ
り、例えば、数１００メガバイトから数ギガバイトにも
及ぶ。この莫大なデータをコンピュータ間でスムーズに
取り扱うには、コンピュータ間を結ぶネットワークシス
テムを高速化する必要があり、このネットワークシステ
ムのデータ伝送速度は、１秒間当たり数ギガビットから
数１０ギガビットになる。
【００４８】図６において、データアクセス制御部１０
１は、送信部１０２および受信部１０３に接続され、送
信部１０２から送出された光信号は光ファイバ１０４を
介して受信部１０３に送られる。送信部１０２には、発
振器１１１、ＰＬＬ制御部１１２、符号器１１３、シリ
アライザ１１４および半導体レーザ１１５が設けられて
いる。
１は、送信部１０２および受信部１０３に接続され、送
信部１０２から送出された光信号は光ファイバ１０４を
介して受信部１０３に送られる。送信部１０２には、発
振器１１１、ＰＬＬ制御部１１２、符号器１１３、シリ
アライザ１１４および半導体レーザ１１５が設けられて
いる。
【００４９】また、受信部１０３には、フォトダイオー
ド１２１、電圧制御発振器１２２、クロックデータリカ
バリ１２３、デシリアライザ１２４および復号器１２５
が設けられている。データアクセス制御部１０１から
は、オリジナルのパラレルデータが送信部１０２に出力
される。送信部１０２では、このパラレルデータを受信
すると、符号器１１３により符号化され、発振器１１１
およびＰＬＬ制御部１１２で生成された同期クロックと
合成される。
ド１２１、電圧制御発振器１２２、クロックデータリカ
バリ１２３、デシリアライザ１２４および復号器１２５
が設けられている。データアクセス制御部１０１から
は、オリジナルのパラレルデータが送信部１０２に出力
される。送信部１０２では、このパラレルデータを受信
すると、符号器１１３により符号化され、発振器１１１
およびＰＬＬ制御部１１２で生成された同期クロックと
合成される。
【００５０】合成されたパラレルデータは、シリアライ
ザ１１４でシリアルデータに変換され、半導体レーザ１
１５からのレーザ光をこのシリアルデータにより変調さ
せる。そして、この変調されたレーザ光は、光ファイバ
１０４を介して伝送される。光ファイバ１０４により伝
送された変調光は、受信部１０３に入力される。受信部
１０３に入力された変調光は、フォトダイオード１２１
で受光され、光信号が電気信号に変換される。
ザ１１４でシリアルデータに変換され、半導体レーザ１
１５からのレーザ光をこのシリアルデータにより変調さ
せる。そして、この変調されたレーザ光は、光ファイバ
１０４を介して伝送される。光ファイバ１０４により伝
送された変調光は、受信部１０３に入力される。受信部
１０３に入力された変調光は、フォトダイオード１２１
で受光され、光信号が電気信号に変換される。
【００５１】ここで、この電気信号の中には、データと
共に同期クロックも含まれているため、クロックデータ
リカバリ１２３によって、データと同期クロックとを抽
出・再生する。この際、クロックデータリカバリ１２３
は、電圧制御型発振器１２２から出力される信号により
機能し、電圧制御型発振器１２２としては、例えば、図
２の構成を用いることができる。
共に同期クロックも含まれているため、クロックデータ
リカバリ１２３によって、データと同期クロックとを抽
出・再生する。この際、クロックデータリカバリ１２３
は、電圧制御型発振器１２２から出力される信号により
機能し、電圧制御型発振器１２２としては、例えば、図
２の構成を用いることができる。
【００５２】クロックデータリカバリ１２３により再生
されたシリアルデータは、デシリアライザ１２４により
パラレルデータに変換される。そして、デシリアライザ
１２４から出力されたパラレルデータは復号器１２５に
よって復号化され、オリジナルのパラレルデータが再生
受信され、データアクセス制御部１０１に出力される。
されたシリアルデータは、デシリアライザ１２４により
パラレルデータに変換される。そして、デシリアライザ
１２４から出力されたパラレルデータは復号器１２５に
よって復号化され、オリジナルのパラレルデータが再生
受信され、データアクセス制御部１０１に出力される。
【００５３】このように、電圧制御型発振器１２２とし
て、図２の構成を用いることにより、受信装置１０３の
基本特性を満足させつつ、受信装置１０３のコンパクト
化を図ることが可能となるとともに、受信装置１０３の
高寿命化を図ることが可能となる。
て、図２の構成を用いることにより、受信装置１０３の
基本特性を満足させつつ、受信装置１０３のコンパクト
化を図ることが可能となるとともに、受信装置１０３の
高寿命化を図ることが可能となる。
【００５４】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
シールドケースに開口部を設けることにより、シールド
効果を維持しつつ、放熱性を向上させることが可能とな
り、シールドケース内に発熱体が設けられている場合に
おいても、シールドケース内の温度の上昇を抑制するこ
とが可能となるとともに、部品の劣化を抑制して、製品
の寿命を向上させることが可能となる。
シールドケースに開口部を設けることにより、シールド
効果を維持しつつ、放熱性を向上させることが可能とな
り、シールドケース内に発熱体が設けられている場合に
おいても、シールドケース内の温度の上昇を抑制するこ
とが可能となるとともに、部品の劣化を抑制して、製品
の寿命を向上させることが可能となる。
【図１】本発明の一実施形態に係る電圧制御型発振器の
構成を示すブロック図である。
構成を示すブロック図である。
【図２】図２（ａ）は、本発明の第１実施形態に係る発
振器用シールドケースの構成を示す斜視図、図２（ｂ）
は、図２（ａ）の発振器用シールドケースを透視した場
合の電圧制御型発振器の構成を示す斜視図である。
振器用シールドケースの構成を示す斜視図、図２（ｂ）
は、図２（ａ）の発振器用シールドケースを透視した場
合の電圧制御型発振器の構成を示す斜視図である。
【図３】図３（ａ）は、図２（ｂ）のＡ−Ａ線で切断し
た断面図、図３（ｂ）は、図２（ｂ）のＢ−Ｂ線で切断
した断面図である。
た断面図、図３（ｂ）は、図２（ｂ）のＢ−Ｂ線で切断
した断面図である。
【図４】図４（ａ）は、本発明の一実施形態に係る電圧
制御型発振器の距離Ｈと定在波比（ＳＷＲ）との関係を
示す図、図４（ｂ）は本発明の一実施形態に係る電圧制
御型発振器の距離Ｈと損失との関係を示す図である。
制御型発振器の距離Ｈと定在波比（ＳＷＲ）との関係を
示す図、図４（ｂ）は本発明の一実施形態に係る電圧制
御型発振器の距離Ｈと損失との関係を示す図である。
【図５】本発明の第２実施形態に係る発振器用シールド
ケースの構成を示す斜視図である。
ケースの構成を示す斜視図である。
【図６】本発明の一実施形態に係る通信装置の構成を示
すブロック図である。
すブロック図である。
１ 弾性表面波素子
２ 増幅器
３ 移相器
４ 位相調整回路
５ 等分配器
１１、２１ 多層基板
１２、２２ シールドケース
１３ａ、１３ｂ、２３ 開口部
Ｂ１〜Ｂ４、Ｂ１１、Ｂ１２ ビア
Ｚ１〜Ｚ３ 絶縁層
Ｇ１〜Ｇ３、Ｇ１１ ＧＮＤ層
ＳＬ ストリップライン
１０１ データアクセス制御部
１０２ 送信部
１０３ 受信部
１０４ 光ファイバ
１１１ 発振器
１１２ ＰＬＬ制御部
１１３ 符号器
１１４ シリアライザ
１１５ 半導体レーザ
１２１ フォトダイオード
１２２ 電圧制御発振器
１２３ クロックデータリカバリ
１２４ デシリアライザ
１２５ 復号器
Claims (13)
- 【請求項１】 増幅器と、 前記増幅器に対して帰還回路を構成する共振素子と、 前記増幅器および共振素子を覆うとともに、前記増幅器
で発生する熱を対流させる開口部が設けられたシールド
ケースとを備えることを特徴とする電圧制御型発振器。 - 【請求項２】 前記開口部は、前記シールドケースの互
いに対向する側面の少なくとも２個所に形成されている
ことを特徴とする請求項１記載の電圧制御型発振器。 - 【請求項３】 前記開口部は円形状または矩形状であ
り、前記円形状または矩形状の開口部の直径または長辺
の長さは、発振周波数の波長の２０分の１以下であるこ
とを特徴とする請求項２記載の電圧制御型発振器。 - 【請求項４】 発振周波数を調整するレーザトリミング
素子をさらに備え、 前記開口部は、前記レーザトリミング素子の上方に形成
されていることを特徴とする請求項１〜３のいずれか１
項記載の電圧制御型発振器。 - 【請求項５】 前記シールドケースの上面に最も近い部
品導体部との距離は、１．８ｍｍ以上であることを特徴
とする請求項１〜４のいずれか１項記載の電圧制御型発
振器。 - 【請求項６】 増幅器と、 前記増幅器に対して帰還回路を構成する共振素子と、 前記増幅器および共振素子が配置された基板と、 前記基板上に設けられ、前記増幅器および共振素子の周
囲に配置された第１グランド層と、 前記基板の裏面に設けられた第２グランド層と、 前記第１グランド層と前記第２グランド層とを接続する
ビアと、 前記増幅器および共振素子を覆うとともに、前記第１グ
ランド層に接合するシールドケースと、 前記シールドケースに設けられ、前記増幅器で発生する
熱を対流させる開口部とを備えることを特徴とする電圧
制御型発振器。 - 【請求項７】 内部に設けられた発熱体から発生する熱
を対流させる開口部が形成されていることを特徴とする
発振器用シールドケース。 - 【請求項８】 前記開口部は、前記シールドケースの互
いに対向する側面の少なくとも２個所に形成されている
ことを特徴とする請求項７記載の発振器用シールドケー
ス。 - 【請求項９】 前記開口部は円形状または矩形状であ
り、前記円形状または矩形状の開口部の直径または長辺
の長さは、発振周波数の波長の２０分の１以下であるこ
とを特徴とする請求項８記載の発振器用シールドケー
ス。 - 【請求項１０】 前記開口部は、レーザトリミング素子
の配置位置に対応して形成されていることを特徴とする
請求項７〜９のいずれか１項記載の発振器用シールドケ
ース。 - 【請求項１１】 前記シールドケースの上面に最も近い
部品導体部との距離が１．８ｍｍ以上になるように、前
記シールドケースの高さが設定されていることを特徴と
する請求項７〜１０のいずれか１項記載の発振器用シー
ルドケース。 - 【請求項１２】 光信号を電気信号に変換するフォトダ
イオードと、 前記電気信号からデータおよび同期信号を抽出するクロ
ックデータリカバリと、 前記クロックデータリカバリを動作させるための信号を
供給する電圧制御発振器と、 前記クロックデータリカバリにより抽出されたシリアル
データをパラレルデータに変換するデシリアライザと、 前記パラレルデータを復号する復号器とを備え、 前記電圧制御発振器は、 増幅器と、 前記増幅器に対して帰還回路を構成する共振素子と、 前記増幅器および共振素子を覆うとともに、前記増幅器
で発生する熱を対流させる開口部が設けられたシールド
ケースとを備えることを特徴とする受信装置。 - 【請求項１３】 データのアクセス制御を行なうアクセ
ス制御部と、 同期クロックを生成する発振器と、 前記発振器からの出力をもとに周波数制御を行なうＰＬ
Ｌ制御部と、 前記アクセス制御部から出力されたパラレルデータと前
記同期クロックとを合成し、符号化する符号器と、 前記前記同期クロックと合成されたパラレルデータをシ
リアルデータに変換するシリアライザと、 前記シリアルデータを光信号に変換する半導体レーザ
と、 前記光信号を電気信号に変換するフォトダイオードと、 前記電気信号からデータおよび同期信号を抽出するクロ
ックデータリカバリと、 前記クロックデータリカバリを動作させるための信号を
供給する電圧制御発振器と、 前記クロックデータリカバリにより抽出されたシリアル
データをパラレルデータに変換するデシリアライザと、 前記パラレルデータを復号し、前記アクセス制御部に出
力する復号器とを備え、 前記電圧制御発振器は、 増幅器と、 前記増幅器に対して帰還回路を構成する共振素子と、 前記増幅器および共振素子を覆うとともに、前記増幅器
で発生する熱を対流させる開口部が設けられたシールド
ケースとを備えることを特徴とする通信装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001315533A JP2003124746A (ja) | 2001-10-12 | 2001-10-12 | 電圧制御型発振器、発振器用シールドケース、受信装置および通信装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001315533A JP2003124746A (ja) | 2001-10-12 | 2001-10-12 | 電圧制御型発振器、発振器用シールドケース、受信装置および通信装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2003124746A true JP2003124746A (ja) | 2003-04-25 |
Family
ID=19133685
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2001315533A Pending JP2003124746A (ja) | 2001-10-12 | 2001-10-12 | 電圧制御型発振器、発振器用シールドケース、受信装置および通信装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2003124746A (ja) |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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2001
- 2001-10-12 JP JP2001315533A patent/JP2003124746A/ja active Pending
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|---|---|---|---|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20040323 |