JP2003124574A5 - - Google Patents

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Description

【００１１】
【課題を解決するための手段】
上記目的は、複数の量子ドットを有する光半導体装置であって、前記複数の量子ドットの大きさが不均一であり、前記複数の量子ドットは、Ｓ−Ｋモードにより自己形成された３次元成長島より成ることを特徴とする光半導体装置により達成される。
また、上記目的は、半導体基板上に、不均一な大きさの複数の量子ドットを形成する工程を有し、前記量子ドットを形成する工程では、Ｓ−Ｋモードにより３次元成長島より成る前記複数の量子ドットを自己形成することを特徴とする光半導体装置の製造方法により達成される。

Claims (9)

  1. 複数の量子ドットを有する光半導体装置であって、
    前記複数の量子ドットの大きさが不均一であり、
    前記複数の量子ドットは、Ｓ−Ｋモードにより自己形成された３次元成長島より成る
    ことを特徴とする光半導体装置。
  2. 請求項１記載の光半導体装置において、
    電流注入領域の面積をＡとし、前記電流注入領域内に形成された前記複数の量子ドットの面積の総和をＢとすると、前記複数の量子ドットの面積比率Ｂ／Ａが０．４以下である
    ことを特徴とする光半導体装置。
  3. 請求項１又は２記載の光半導体装置において、
    前記量子ドットは、ＳＣＨ層上に形成されており、
    前記量子ドットの材料の格子定数が、前記ＳＣＨ層の材料の格子定数より大きい
    ことを特徴とする光半導体装置。
  4. 請求項１乃至３のいずれか１項に記載の光半導体装置において、
    前記量子ドットは、ＩｎＡｓより成り、
    前記ＳＣＨ層は、ＧａＡｓより成る
    ことを特徴とする光半導体装置。
  5. 請求項１乃至４のいずれか１項に記載の光半導体装置において、
    前記量子ドットは、半導体増幅器の活性層である
    ことを特徴とする光半導体装置。
  6. 請求項１乃至４のいずれか１項に記載の光半導体装置において、
    前記量子ドットは、半導体レーザの活性層である
    ことを特徴とする光半導体装置。
  7. 半導体基板上に、不均一な大きさの複数の量子ドットを形成する工程を有し、
    前記量子ドットを形成する工程では、Ｓ−Ｋモードにより３次元成長島より成る前記複数の量子ドットを自己形成する
    ことを特徴とする光半導体装置の製造方法。
  8. 請求項７記載の光半導体装置の製造方法において、
    前記量子ドットを形成する工程では、電流注入領域の面積をＡとし、前記電流注入領域内に形成された前記複数の量子ドットの面積の総和をＢとすると、前記複数の量子ドットの面積比率Ｂ／Ａが０．４以下になるように、前記複数の量子ドットを形成する
    ことを特徴とする光半導体装置の製造方法。
  9. 請求項７又は８記載の光半導体装置の製造方法において、
    前記量子ドットを形成する工程の前に、前記半導体基板上に、前記量子ドットより格子定数の小さい材料より成るＳＣＨ層を形成する工程を更に有する
    ことを特徴とする光半導体装置の製造方法。
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