JP2003105476A - 高熱伝導性基体 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】光半導体素子が作動時に発する熱を外部に効率
よく放出することができず、光半導体素子に熱破壊が発
生する。 【解決手段】平均粒径が５０μｍ乃至１００μｍで、粒
径２５μｍ以下の粒子を含有しないモリブデン粉末から
成る焼結多孔体に銅を含浸させて形成されているととも
にモリブデンから成る焼結多孔体が７５乃至９５重量
％、銅が５乃至２５重量％である高熱伝導性基体１であ
る。光半導体素子収納用パッケージに用いることによっ
て、光半導体素子４が作動時に多量の熱を発したとして
もその熱は基体１を介して外部に効率よく放散され、こ
れによって光半導体素子４は常に適温となり、光半導体
素子４を長期間にわたり安定かつ正常に作動させること
が可能となる。

Description

【発明の詳細な説明】 【０００１】 【発明の属する技術分野】本発明は光半導体素子を収容
するための光半導体素子収納用パッケージの基体に好適
な高熱伝導性基体に関するものである。 【０００２】 【従来の技術】従来、光半導体素子を収容するための光
半導体素子収納用パッケージは、一般に鉄−ニッケル−
コバルト合金や鉄−ニッケル合金等の金属材料からな
り、上面中央に光半導体素子が載置される載置部を有す
る基体と、前記光半導体素子載置部を囲繞するようにし
て基体上に銀ロウ等のロウ材を介して接合され、側部に
貫通孔及び切欠部を有する鉄−ニッケル−コバルト合金
や鉄−ニッケル合金等の金属材料から成る枠体と、前記
枠体の貫通孔もしくは貫通孔周辺の枠体に取着され、内
部に光信号が伝達される空間を有する鉄−ニッケル−コ
バルト合金等の金属材料から成る筒状の固定部材と、前
記筒状の固定部材に融点が２００〜４００℃の金−錫合
金等の低融点ロウ材を介して取着された固定部材の内部
を塞ぐ非品質ガラス等から成る透光性部材と、前記枠体
の切欠部に挿着され、酸化アルミニウム質焼結体等のセ
ラミックス絶縁体に光半導体素子の各電極がボンディン
グワイヤを介して電気的に接続される配線層を形成した
セラミック端子体と、前記枠体の上面に取着され、光半
導体素子を気密に封止する蓋部材とから構成されてお
り、基体の光半導体素子載置部に光半導体素子を載置固
定させるとともに該光半導体素子の各電極をボンディン
グワイヤを介してセラミック端子体の配線層に電気的に
接続し、しかる後、前記枠体の上面に蓋部材を接合さ
せ、基体と枠体と蓋部材とから成る容器内部に光半導体
素子を気密に収容するとともに筒状固定部材に光ファイ
バー部材を、例えば、ＹＡＧ溶接等により取着すること
によって製品としての光半導体装置となる。 【０００３】なお上述の光半導体素子収納用パッケージ
においては、内部に収容される半導体素子が高周波領域
で駆動し、外部ノイズの影響を受け易いものであるため
基体及び枠体を金属材料で形成し、容器内部をシールド
しておくことによって光半導体素子に外部ノイズが影響
しないようにしている。また基体及び枠体はセラミック
端子体や光半導体素子等の線熱膨張係数と合わすため一
般に鉄−ニッケル−コバルト合金や鉄−ニッケル合金等
が使用されている。 【０００４】しかしながら、この従来の光半導体素子収
納用パッケージにおいては、光半導体素子が載置固定さ
れる基体の熱伝導率が２０Ｗ／ｍ・Ｋ程度であり、熱を
効率良く伝達することができないことから光半導体素子
が作動時に熱を発した際、その熱を基体を介して外部に
十分放散させることができず、その結果、光半導体素子
は該光半導体素子自身の発する熱で高温となり、熱破壊
を起こしたり、特性に熱劣化を招来し、誤動作したりす
るという欠点を有していた。 【０００５】そこで上記欠点を解消するために基体を熱
伝導率が高く、かつ線熱膨張係数がセラミック端子体の
線熱膨張係数に近似する銅−モリブデン合金で形成して
おくことが考えられる。 【０００６】かかる銅−モリブデン合金は一般に平均粒
径が１μｍ乃至４０μｍのモリブデン粉末を焼成して焼
結多孔体を得、次に前記モリブデンから成る焼結多孔体
の空孔内に溶融させた銅を含浸させることによって製造
されている（特公平５−３８４５７号公報参照）。 【０００７】 【発明が解決しようとする課題】しかしながら、この従
来一般に製造されている銅−モリブデン合金は平均粒径
１μｍ乃至４０μｍのモリブデン粉末を焼成して焼結多
孔体を得るとともに該焼結多孔体の空孔内に溶融させた
銅を含浸させることによって形成されており、平均粒径
の１／２以下の粒径の粒子が１０％程度含まれているた
めにこの粒径の小さな粉末が粒径の大きな粉末間に入り
込んで得られるモリブデンから成る焼結多孔体の空孔は
細く狭いものとなり、その結果、空孔内に含浸される熱
伝導が良好な銅もその線幅が細く狭いものとなって銅−
モリブデン合金の熱伝導率は線熱膨張係数が約６ｐｐｍ
／℃のもの（銅：５重量％、モリブデン：９５重量％）
で約１８０Ｗ／ｍ・Ｋ）、線熱膨張係数が約７．５ｐｐ
ｍ／℃のもの（銅：２０重量％、モリブデン：８０重量
％）で約２５５Ｗ／ｍ・Ｋ程度であった。 【０００８】そのためこの従来一般に製造されている銅
−モリブデン合金を基体として用いた光半導体素子収納
用パッケージは鉄−ニッケル−コバルト合金等を基体と
して用いた光半導体素子収納用パッケージよりも熱放散
性に優れているものの近時の発光出力が高く作動時に従
来に比し多量の熱を発する光半導体素子を収容した場
合、光半導体素子が発する熱を基体を介して外部に完全
に放出させることができなくなり、その結果、光半導体
素子が該素子自身の発する熱によって高温となり、半導
体素子に熱破壊を招来させたり、特性にばらつきを生じ
安定に作動させることができないという欠点を有してい
た。 【０００９】本発明者等は上記欠点に鑑み種々の実験検
討を重ねた結果、銅−モリブデン合金のモリブデン粉末
の粒径を制御すれば銅−モリブデン合金からなる基体の
熱伝導率を従来品に対し１５％以上改善できることを知
見した。 【００１０】本発明は上記知見に基づき案出されたもの
で、その目的は発光出力が高く作動時に多量の熱を発す
る光半導体素子を常に適温に保持し、光半導体素子を長
期間にわたり安定に機能させることができる光半導体素
子収納用パッケージの基体に好適な高熱伝導性基体を提
案することにある。 【００１１】 【課題を解決するための手段】本発明の高熱伝導性基体
は、平均粒径が５０μｍ乃至１００μｍで、２５μｍ以
下の粒子を含有しないモリブデン粉末から成る焼結多孔
体に銅を含浸させて形成されているとともにモリブデン
から成る焼結多孔体が７５乃至９５重量％、銅が５乃至
２５重量％であることを特徴とするものである。 【００１２】本発明の高熱伝導性基体によれば、基体を
平均粒径が５０μｍ乃至１００μｍで、２５μｍ以下の
粒子を含有しないモリブデン粉末を焼成して焼結多孔体
を得るとともに該モリブデンから成る焼結多孔体の空孔
内に銅を含浸させて製作したことから、基体の熱伝導率
を従来品に比ベ１５％以上改善した高いものとなすこと
ができ、その結果、この基体を光半導体素子収納用パッ
ケージに用いることによって、基体上に載置される光半
導体素子が作動時に多量の熱を発したとしてもその熱は
基体を介して外部に効率よく放散され、これによって光
半導体素子は常に適温となり、光半導体素子を長期間に
わたり安定かつ正常に作動させることが可能となる。 【００１３】また本発明の高熱伝導性基体によれば、基
体を構成するモリブデンから成る焼結多孔体を７５乃至
９５重量％、銅を５乃至２５重量％の範囲としたことか
ら、基体の線熱膨張係数を光半導体素子収納用パッケー
ジを構成する鉄−ニッケル−コバルト合金や鉄−ニッケ
ル合金から成る枠体あるいは酸化アルミニウム質焼結体
やガラスセラミック焼結体等のセラミックス絶縁体から
成るセラミック端子体の線熱膨張係数に近似させること
ができ、その結果、この基体を光半導体素子収納用パッ
ケージに用いることによって、基体上に枠体やセラミッ
ク端子体を取着させる際や光半導体素子が作動した際等
において基体と枠体やセラミック端子体に熱が作用した
としても基体と枠体やセラミック端子体との間には両者
の線熱膨張係数の相違に起因する大きな熱応力が発生す
ることはなく、これによって光半導体素子を収容する空
所の気密封止が常に完全となり、光半導体素子を安定か
つ正常に作動させることが可能となる。 【００１４】 【発明の実施の形態】次に、本発明を添付図面に示す実
施例に基づき詳細に説明する。 【００１５】図１及び図２は、本発明の高熱伝導性基体
を用いた光半導体素子収納用パッケージについての実施
の形態の一例を示す断面図及び平面図であり、１は基体
（高熱伝導性基体）、２は枠体、３は蓋部材である。こ
の基体１と枠体２と蓋部材３とにより内部に光半導体素
子４を気密に収容する容器５が構成される。 【００１６】前記基体１はその上面に半導体素子４が載
置される載置部１ａを有しており、該載置部１ａには光
半導体素子４が取着されている。 【００１７】前記基体１は光半導体素子４を支持する支
持部材として作用するとともに光半導体素子４が作動時
に発する熱を良好に吸収し、かつ大気中に効率よく放散
させて光半導体素子４を常に適温とする作用をなす。 【００１８】なお前記基体１はモリブデンと銅とから成
り、モリブデン粉末を焼成して得られる焼結多孔体の空
孔内に溶融させた銅を含浸させることによって製作され
ている。 【００１９】また前記基体１の上面外周部には該基体１
の上面に設けた光半導体素子４が載置される載置部１ａ
を囲繞するようにして枠体２がロウ材やガラス、樹脂等
の接着剤を介して取着されており、該枠体２の内側に光
半導体素子４を収容するための空所が形成されている。 【００２０】前記枠体２は鉄−ニッケル−コバルト合金
や鉄−ニッケル合金で形成されており、例えば、鉄−ニ
ッケル−コバルト合金等のインゴット（塊）をプレス加
工により枠状とすることによって形成され、基体１への
取着は基体１上面と枠体２の下面とを銀ロウ材を介しロ
ウ付けすることによって行われている。 【００２１】前記枠体２はその側部に貫通孔２ａが設け
てあり、該貫通孔２ａの内壁面には筒状の固定部材６が
取着され、更に筒状の固定部材６の内側の一端には、例
えば、透光性部材７が取着されている。 【００２２】前記枠体２の側部に形成されている貫通孔
２ａは固定部材６を枠体２に取着するための取着孔とし
て作用し、枠体２の側部に従来周知のドリル孔あけ加工
を施すことによって所定形状に形成される。 【００２３】前記枠体２の貫通孔２ａに取着されている
固定部材６は光ファイバー部材８を枠体２に固定する際
の下地固定部材として作用するとともに光半導体素子４
が励起した光を光ファイバー部材８に伝達させる作用を
なし、その内側の一端には、例えば、透光性部材７が取
着され、また外側の一端には光ファイバー部材８が取着
される。 【００２４】前記筒状の固定部材６は鉄−ニッケル−コ
バルト合金や鉄−ニッケル合金等の金属材料からなり、
例えば、鉄−ニッケル−コバルト合金等のインゴット
（塊）をプレス加工により筒状とすることによって形成
されている。 【００２５】更に前記固定部材６はその内側の一端に、
例えば、透光性部材７が取着されており、該透光性部材
７は固定部材６の内部空間を塞ぎ、基体１と枠体２と蓋
部材３とからなる容器５の気密封止を保持させるととも
に固定部材６の内部空間を伝達する光半導体素子４の励
起した光をそのまま固定部材６に取着した光ファイバー
部材８に伝達させる作用をなす。 【００２６】前記透光性部材７は例えば、酸化珪素、酸
化鉛を主成分とした鉛系及びホウ酸、ケイ砂を主成分と
したホウケイ酸系の非晶質ガラスで形成されており、該
非晶質ガラスは結晶軸が存在しないことから、光半導体
素子４の励起する光を透光性部材７を通過させて光ファ
イバー部材８に授受させる場合、光半導体素子４の励起
した光は透光性部材７で複屈折を起こすことはなくその
まま光ファイバー部材８に授受されることとなり、その
結果、光半導体素子４が励起した光の光ファイバー部材
８への授受が高効率となって光信号の伝送効率を高いも
のとなすことができる。 【００２７】なお、前記透光性部材７の固定部材６への
取着は、例えば、透光性部材７の外周部に予め金属層を
被着させておき、該金属層と固定部材６とを金−錫合金
等のロウ材を介しロウ付けすることによって行われる。 【００２８】更に前記枠体２はその側部に切欠部２ｂが
形成されており、該切欠部２ｂにはセラミック端子体９
が挿着されている。 【００２９】前記セラミック端子体９はセラミックス絶
縁体１０と複数個の配線層１１とから成り、配線層１１
を枠体２に対し電気的絶縁をもって枠体２の内側から外
側にかけて配設する作用をなし、セラミックス絶縁体１
０の側面に予め金属層を被着させておくとともに該金属
層を枠体２の切欠部２ｂ内壁面に銀ロウ等のロウ材を介
し取着することによって枠体２の切欠部２ｂに挿着され
る。 【００３０】前記セラミック端子体９のセラミックス絶
縁体１０は酸化アルミニウム質焼結体やガラスセラミッ
クス焼結体等から成り、例えば、酸化アルミニウム質焼
結体から成る場合には、酸化アルミニウム、酸化珪素、
酸化マグネシウム、酸化カルシウム等の原料粉末に適当
な有機バインダー、可塑剤、溶剤を添加混合して泥漿状
となすとともに該泥漿物を従来周知のドクターブレード
法やカレンダーロール法を採用することによってセラミ
ックグリーンシート（セラミック生シート）を形成し、
次に前記セラミックグリーンシートに適当な打ち抜き加
工を施し、所定形状となすとともに必要に応じて複数枚
を積層して成形体となし、しかる後、これを１６００℃
の温度で焼成することによって製作される。 【００３１】また前記セラミック端子体９には枠体２の
内側から外側にかけて導出する複数個の配線層１１が埋
設されており、該配線層１１の枠体２の内側に位置する
領域には光半導体素子４の各電極がボンディングワイヤ
１２を介して電気的に接続され、また枠体２の外側に位
置する領域には外部電気回路と接続される外部リード端
子１３が銀ロウ等のロウ材を介してロウ付け取着されて
いる。 【００３２】前記配線層１１は光半導体素子４の各電極
を外部電気回路に接続する際の導電路として作用し、タ
ングステン、モリブデン、マンガン、銅、銀等の金属粉
末により形成されている。 【００３３】前記配線層１１はタングステン、モリブデ
ン、マンガン、銅、銀等の金属粉末に適当な有機バイン
ダー、溶剤等を添加混合して得られた金属ペーストをセ
ラミックス絶縁体１０となるセラミックグリーンシート
に予め従来周知のスクリーン印刷法等の印刷法を用いる
ことにより所定パターンに印刷塗布しておくことによっ
てセラミックス絶縁体１０に形成される。 【００３４】なお前記配線層１１は、その露出する表面
にニッケル、金等の耐蝕性に優れ、かつロウ材との濡れ
性に優れる金属を１μｍ〜２０μｍの厚みにメッキ法に
より被着させておくと、配線層１１の酸化腐蝕を有効に
防止することができるとともに配線層１１への外部リー
ド端子１３のロウ付けを強固となすことができる。従っ
て、前記配線層１１はその露出する表面にニッケル、金
等の耐蝕性に優れ、かつロウ材との濡れ性に優れる金属
を１μｍ〜２０μｍの厚みに被着させておくことが好ま
しい。 【００３５】また前記配線層１１には外部リード端子１
３が銀ロウ等のロウ材を介してロウ付け取着されてお
り、該外部リード端子１３は容器５内部に収容する光半
導体素子４の各電極を外部電気回路に電気的に接続する
作用をなし、外部リード端子１３を外部電気回路に接続
することによって容器５内部に収容される光半導体素子
４は配線層１１および外部リード端子１３を介して外部
電気回路に電気的に接続されることとなる。 【００３６】前記外部リード端子１３は鉄−ニッケル−
コバルト合金や鉄−ニッケル合金等の金属材料から成
り、例えば、鉄−ニッケル−コバルト合金等の金属から
成るインゴット（塊）に圧延加工法や打ち抜き加工法
等、従来周知の金属加工法を施すことによって所定形状
に形成される。 【００３７】更に前記枠体２はその上面に、例えば、鉄
−ニッケル−コバルト合金や鉄−ニッケル合金等の金属
材料から成る蓋部材３が接合され、これによって基体１
と枠体２と蓋部材３とからなる容器５の内部に光半導体
素子４が気密に封止されることとなる。 【００３８】前記蓋部材３の枠体２上面への接合は、例
えば、シームウェルド法等の溶接によって行われる。 【００３９】本発明においては、基体１を平均粒径が５
０μｍ乃至１００μｍで、粒径２５μｍ以下の粒子を含
有しないモリブデン粉末を焼成して得られる焼結多孔体
の空孔内に溶融させた銅を含浸させることによって製作
しておくことが重要である。 【００４０】このように平均粒径が５０μｍ乃至１００
μｍで、粒径２５μｍ以下の粒子を含有しないモリブデ
ン粉末を焼成して得られる焼結多孔体は、粒径の小さい
粉末が粒怪の大きな粉末間に入り込んで空孔を小さくす
ることはなく、その結果、モリブデンから成る焼結多孔
体の空孔を大きなものとするとともに該空孔内に含浸さ
れる熱伝導が良好な銅の線幅も広いものとなり、これに
よって基体１の熱伝導率を極めて高い値となすことが可
能となる。 【００４１】なお、前記モリブデン粉末を焼成して得ら
れる焼結多孔体は、モリブデン粉末の平均粒径が５０μ
ｍ未満となると、形成される空孔が細く、狭いものとな
って基体１の熱伝導率を大幅に向上させることができ
ず、また１００μｍを超えると、基体１の表面に大きな
凹凸が形成され光半導体素子４を基体１の載置部１ａに
強固に取着固定することができなくなってしまう。従っ
て、前記モリブデンから成る焼結多孔体は、平均粒径が
５０μｍ乃至１００μｍのモリブデン粉末を焼成するこ
とによって形成されたものに限定される。 【００４２】また前記平均粒径が５０μｍ乃至１００μ
ｍのモリブデン粉末を焼成して得られる焼成多孔体は、
粒径が２５μｍ以下のものが含有されていると、この粒
径の小さなモリブデン粉末が粒径の大きなモリブデン粉
末間に入り込んで空孔を細く狭いものにしてしまい基体
１の熱伝導率を小さいものとなしてしまう。従って、前
記モリブデンから成る焼結多孔体は、平均粒径が５０μ
ｍ乃至１００μｍのモリブデン粉末を焼成して形成する
際、その中に含まれている粒径２５μｍ以下の粉末を除
去しておく必要がある。この粒径２５μｍ以下の粉末が
含有されないようにするには、モリブデン粉末を粗さの
異なる複数のメッシュを用いて調整し、粒径２５μｍ以
下のものを除去することによって行われる。 【００４３】更に本発明においては、基体１を構成する
モリブデンから成る焼結多孔体を７５乃至９５重量％、
銅を５乃至２５重量％の範囲としておくことが重要であ
る。 【００４４】前記モリブデンから成る焼結多孔体を７５
乃至９５重量％、銅を５乃至２５重量％の範囲としてお
くと、基体１の線熱膨張係数を６ｐｐｍ／℃乃至８．５
ｐｐｍ／℃（室温〜８００℃）の任意の値として、酸化
アルミニウム質焼結体やガラスセラミックス焼結体等を
使用したセラミック端子体９、及び鉄−ニッケル−コバ
ルト合金や鉄−ニッケル合金から成る枠体２の各々の線
熱膨張係数（６ｐｐｍ／℃〜８ｐｐｍ／℃）に近似させ
ることが可能となり、その結果、基体１上に枠体２やセ
ラミック端子体９等を取着させる際、或いは光半導体素
子４が作動した際等において基体１と枠体２とセラミッ
ク端子体９に熱が作用したとしても基体１と枠体２とセ
ラミック端子体９との間には各々の線熱膨張係数の差に
起因する大きな熱応力が発生することはなく、これによ
って光半導体素子４を収容する容器５の気密封止が常に
完全となり、光半導体素子４を安定かつ正常に作動させ
ることが可能となる。 【００４５】なお前記基体１は、モリブデンから成る焼
結多孔体が７５重量％未満であり、銅が２５重量％を超
えた場合、或いはモリブデンから成る焼結多孔体が９５
重量％を超え、銅が５重量％未満である場合、基体１の
線熱膨張係数が枠体２やセラミック端子体９の線熱膨張
係数に対して相違することとなり、その結果、基体１に
枠体２やセラミック端子体９を強固に取着させておくこ
とができなくなってしまう。従って、前記基体１は、そ
れを形成するモリブデンから成る焼結多孔体の量は７５
乃至９５重量％の範囲に、銅は５乃至２５重量％の範囲
にそれぞれ特定される。 【００４６】かくして上述の光半導体素子収納用パッケ
ージによれば、基体１の光半導体素子載置部１ａ上に光
半導体素子４を固定するとともに該光半導体素子４の各
電極をボンディングワイヤ１２を介して所定の配線層１
１に接続させ、次に枠体２の上面に蓋部材３を接合さ
せ、基体１と枠体２と蓋部材３とからなる容器５内部に
光半導体素子４を収容し、最後に枠体２に取着させた筒
状の固定部材６に光ファイバー部材８を取着させること
によって最終製品としての光半導体装置となる。 【００４７】次に本発明の作用効果を下記に示す実験例
に基づき説明する。 ［実験例］まず、銅と、平均粒径が５０μｍ、７５μ
ｍ、１００μｍで２５μｍ以下のものを含有しないモリ
ブデン粉末と、平均粒径が５μｍで２．５μｍ以下の粒
子を１０重量％含有するモリブデン粉末とを準備する。 【００４８】次に上記銅およびモリブデン粉末を表１に
示す値に秤量するとともに１ｔ／ｃｍ³の圧力で成形
し、該成形体を１５００℃の温度で焼成して各種の焼結
多孔体を得る。 【００４９】次に前記モリブデンから成る各種の焼結多
孔体の空孔内に１２００℃の温度で溶融させた銅を含浸
させ、これによって銅−モリブデン合金から成る評価用
基体を製作する。 【００５０】最後に前記各種の評価用基体をＪＩＳ Ｒ
１６１１に規定のファインセラミックスのレーザフラッ
シュ法による熱拡散率・比熱容量・熱伝導率試験方法に
基づき評価用基体の熱拡散率と熱容量を求め、これらの
値に評価用基体の密度を積算することによって熱伝導率
（Ｗ／ｍ・Ｋ）を、またＴＭＡ法（Ｔｈｅｒｍｏｍｅｃ
ｈａｎｉｃａｌ Ａｎａｌｙｓｉｓ）により評価用基体
を昇温させながら各温度に対する評価用基体の伸び量を
測定し、その値を温度上昇幅値で除算することによって
線熱膨張係数（ｐｐｍ／℃）を測定する。 【００５１】その結果を表１および図３に示す。 【００５２】 【表１】【００５３】表１および図３から判るように、いずれの
評価用基体においても銅とモリブデンの比率が同じもの
は線熱膨張係数が略同じ値を示しているのに対し、熱伝
導率は平均粒径が５０μｍ、７５μｍ、１００μｍで２
５μｍ以下のものを含有しないモリブデン粉末を用いた
評価用基体（試料No.１〜１５：本発明品）のものは、
平均粒径が５μｍで２．５μｍ以下の粒子を１０重量％
含有するモリブデン粉末を用いた評価用基体（試料No.
１６〜２１：従来品）よりも１５％以上高い値を示し、
熱伝導率が大きく改善されていることが判る。 【００５４】よって本発明品を用いた光半導体素子収納
用パッケージでは、光半導体素子が作動時に多量の熱を
発した際、その熱を基体を介して外部に効率よく放散さ
せることができ、光半導体素子を常に適温として長期間
にわたり安定かつ正常に作動させることが可能となる。 【００５５】なお、本発明は上述の実施の形態の例、実
験例に限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱し
ない範囲であれば種々の変更は可能であり、例えば、上
述の実施の形態の例では基体１の載置部１ａに光半導体
素子４を直接載置固定したが、間にペルチェ素子等の電
子冷却素子を挟んで載置固定してもよい。 【００５６】 【発明の効果】本発明の高熱伝導性基体によれば、基体
を平均粒径が５０μｍ乃至１００μｍで、粒径２５μｍ
以下の粒子を含有しないモリブデン粉末を焼成して焼結
多孔体を得るとともに該モリブデンから成る焼結多孔体
の空孔内に銅を含浸させて製作したことから、基体の熱
伝導率を従来品に比ベ１５％以上改善した高いものとな
すことができ、その結果、この基体を光半導体素子収納
用パッケージに用いることによって、基体上に載置され
る光半導体素子が作動時に多量の熱を発したとしてもそ
の熱は基体を介して外部に効率よく放散され、これによ
って光半導体素子は常に適温となり、光半導体素子を長
期間にわたり安定かつ正常に作動させることが可能とな
る。 【００５７】また本発明の高熱伝導性基体によれば、基
体を構成するモリブデンから成る焼結多孔体を７５乃至
９５重量％、銅を５乃至２５重量％の範囲としたことか
ら、基体の線熱膨張係数を光半導体素子収納用パッケー
ジを構成する鉄−ニッケル−コバルト合金や鉄−ニッケ
ル合金から成る枠体あるいは酸化アルミニウム質焼結体
やガラスセラミックス焼結体等のセラミックス絶縁体か
ら成るセラミック端子体の線熱膨張係数に近似させるこ
とができ、その結果、この基体を光半導体素子収納用パ
ッケージに用いることによって、基体上に枠体やセラミ
ック端子体を取着させる際や光半導体素子が作動した際
等において基体と枠体やセラミック端子体に熱が作用し
たとしても基体と枠体やセラミック端子体との間には両
者の線熱膨張係数の相違に起因する大きな熱応力が発生
することはなく、これによって光半導体素子を収容する
空所の気密封止が常に完全となり、光半導体素子を安定
かつ正常に作動させることが可能となる。

【図面の簡単な説明】 【図１】本発明の高熱伝導性基体を用いた光半導体素子
収納用パッケージについての実施の形態の一例を示す断
面図である。 【図２】図１に示す光半導体素子収納用パッケージの蓋
部材を除いた平面図である。 【図３】本発明の高熱伝導性基体の特性図である。 【符号の説明】 １・・・・基体（高熱伝導性基体） １ａ・・・載置部 ２・・・・枠体 ２ａ・・・貫通孔 ２ｂ・・・切欠部 ３・・・・蓋部材 ４・・・・光半導体素子 ５・・・・容器 ６・・・・固定部材 ７・・・・透光性部材 ８・・・・光ファイバー部材 ９・・・・セラミック端子体 １０・・・セラミックス絶縁体 １１・・・配線層

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 【請求項１】平均粒径が５０μｍ乃至１００μｍで、２
   ５μｍ以下の粒子を含有しないモリブデン粉末から成る
   焼結多孔体に銅を含浸させて形成されているとともにモ
   リブデンから成る焼結多孔体が７５乃至９５重量％、銅
   が５乃至２５重量％であることを特徴とする高熱伝導性
   基体。