JP2003092256A - Substrate-treatment device and substrate-treatment method - Google Patents
Substrate-treatment device and substrate-treatment methodInfo
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Abstract
Description
【０００１】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は、塗布液が塗布され
た基板の処理に関し、例えば、半導体製造工程におい
て、レジスト液が塗布されたガラス基板の処理に関す
る。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to the treatment of a substrate coated with a coating liquid, for example, the treatment of a glass substrate coated with a resist liquid in a semiconductor manufacturing process.
【０００２】[0002]
【従来の技術】半導体や電子部品の製造工程において
は、ガラス基板、シリコンウエハ、プリント基板等の各
種基板上に、レジスト液やコーティング液等といった塗
布液が塗布される。2. Description of the Related Art In a manufacturing process of semiconductors and electronic parts, a coating liquid such as a resist liquid or a coating liquid is applied onto various substrates such as a glass substrate, a silicon wafer and a printed circuit board.
【０００３】ここで、基板上に塗布される塗布液の塗膜
は、略均一の膜厚に平坦化することが要求される。従
来、基板上へ塗布液を塗布する手法としては、例えば、
スピンコータと呼ばれる塗布装置を用いた手法が提案さ
れている。この塗布装置は、基板上に塗布液を導入し、
基板を水平に高速回転することで、遠心力を利用して塗
布液を基板上で流動させ、塗布液の塗布及び塗膜の平坦
化を実現するものである。Here, the coating film of the coating liquid applied on the substrate is required to be flattened to a substantially uniform film thickness. Conventionally, as a method of applying the coating liquid onto the substrate, for example,
A method using a coating device called a spin coater has been proposed. This coating device introduces the coating liquid onto the substrate,
By rotating the substrate horizontally at a high speed, the coating liquid is caused to flow on the substrate by utilizing the centrifugal force, and the coating of the coating liquid and the flattening of the coating film are realized.
【０００４】一方、スピンコータを用いた場合、約７０
％以上の塗布液が余剰液として排出され、一般に高価な
塗布液の浪費が激しいという問題もある。そこで、基板
上へ塗布液を塗布する他の手法として、いわゆるスロッ
トコータと呼ばれる布装置を用いた手法が普及しつつあ
る。この塗布装置は、塗布液を吐出するヘッド内に、吐
出される塗布液を一定の膜厚に整えるスロットを有して
おり、これにより塗膜の膜厚を調整しつつ基板上へ塗布
液を吐出する装置である。On the other hand, when a spin coater is used, it is about 70
% Or more of the coating liquid is discharged as an excess liquid, and there is also a problem that the expensive coating liquid is wasted in general. Therefore, as another method of applying the coating liquid onto the substrate, a method using a cloth device called a so-called slot coater is becoming widespread. This coating apparatus has a slot for adjusting the thickness of the coating liquid to be ejected in a head for ejecting the coating liquid, which allows the coating liquid to be applied onto the substrate while adjusting the thickness of the coating film. It is a device for discharging.
【０００５】[0005]
【発明が解決しようとする課題】しかし、スロットコー
タを用いた場合には、スピンコータを用いた場合よりも
塗膜のムラが生じやく、塗膜の平坦化を十分に実現して
いない場合も生じ得る。また、スピンコータを用いた場
合は、スロットコータを用いた場合よりも塗膜の平坦化
を図れる傾向にあるが、限界がある。However, when the slot coater is used, unevenness of the coating film is more likely to occur than when the spin coater is used, and the flattening of the coating film may not be sufficiently achieved. obtain. Further, when the spin coater is used, the coating film tends to be flattened more than when the slot coater is used, but there is a limit.
【０００６】そこで、本発明の主たる目的は、基板上の
塗膜の平坦化をより向上することにある。Therefore, the main object of the present invention is to further improve the planarization of the coating film on the substrate.
【０００７】[0007]
【課題を解決するための手段】本発明によれば、塗布液
が塗布された基板を収容する略気密なチャンバと、前記
チャンバ内に気体を供給する供給手段と、前記基板に塗
布された前記塗布液を加熱する加熱手段と、を備えたこ
とを特徴とする基板処理装置が提供される。According to the present invention, a substantially airtight chamber for containing a substrate coated with a coating liquid, a supply means for supplying a gas into the chamber, and the above-mentioned substrate coated on the substrate are provided. A substrate processing apparatus comprising: a heating unit that heats a coating liquid.
【０００８】また、本発明によれば、塗布液が塗布され
た基板に対して、塗膜の平坦化処理と塗膜の乾燥処理と
を実行する基板処理装置であって、前記基板を収容する
略気密なチャンバと、前記チャンバ内に気体を供給する
供給手段と、前記基板に塗布された前記塗布液を加熱す
る加熱手段と、前記チャンバ内を減圧する減圧手段と、
を備え、前記供給手段は、少なくとも前記平坦化処理時
に前記チャンバ内に気体を供給し、前記減圧手段は、前
記乾燥処理時に前記チャンバ内を減圧することを特徴と
する基板処理装置が提供される。Further, according to the present invention, there is provided a substrate processing apparatus for performing a flattening process of a coating film and a drying process of the coating film on a substrate coated with the coating liquid, the substrate containing the substrate. A substantially airtight chamber, a supply unit that supplies gas into the chamber, a heating unit that heats the coating liquid applied to the substrate, and a decompression unit that depressurizes the chamber.
The substrate processing apparatus is characterized in that the supply means supplies gas into the chamber at least during the planarization processing, and the decompression means decompresses the inside of the chamber during the drying processing. .
【０００９】また、本発明によれば、塗布液が塗布され
た基板を収容する略気密なチャンバと、前記チャンバ内
に気体を供給する供給手段と、前記基板に塗布された前
記塗布液を加熱する加熱手段と、前記チャンバ内を減圧
する減圧手段と、を備え、前記供給手段により前記チャ
ンバ内に気体を供給した後、前記減圧手段により前記チ
ャンバ内を減圧することを特徴とする基板処理装置が提
供される。Further, according to the present invention, a substantially airtight chamber for accommodating the substrate coated with the coating liquid, a supply means for supplying a gas into the chamber, and the coating liquid coated on the substrate are heated. A substrate processing apparatus comprising: a heating unit for reducing the pressure in the chamber; and a pressure reducing unit for reducing the pressure in the chamber, wherein the pressure reducing unit reduces the pressure in the chamber after the gas is supplied into the chamber by the supply unit. Will be provided.
【００１０】また、本発明によれば、塗布液が塗布され
た基板を略気密なチャンバ内に配置し、前記チャンバ内
に気体を供給し、前記基板に塗布された前記塗布液を加
熱することを特徴とする基板処理方法が提供される。According to the present invention, the substrate coated with the coating liquid is placed in a substantially airtight chamber, gas is supplied into the chamber, and the coating liquid coated on the substrate is heated. A substrate processing method is provided.
【００１１】[0011]
【発明の実施の形態】以下、図面を参照して本発明の好
適な実施の形態について説明する。図１は、本発明の一
実施形態に係る基板処理装置１００の構造を示す概略図
（一部断面図）である。BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION Preferred embodiments of the present invention will be described below with reference to the drawings. FIG. 1 is a schematic view (partially sectional view) showing a structure of a substrate processing apparatus 100 according to an embodiment of the present invention.
【００１２】この基板処理装置１００は、例えば、半導
体の製造工程に用いることができ、スピンコータやスロ
ットコータ等により、基板上に塗布液が塗布された後、
その塗布液を平坦化し、また、乾燥するために用いるこ
とができる。The substrate processing apparatus 100 can be used, for example, in a semiconductor manufacturing process. After the coating liquid is applied on the substrate by a spin coater, a slot coater or the like,
It can be used for flattening and drying the coating solution.
【００１３】このような半導体の製造工程において用い
る場合、揮発性を有する塗布液、例えば、レジスト液が
基板上に塗布される。本実施形態では、そのような基板
上に塗布された塗布液の膜厚を均一となるように塗膜を
平坦化し、更に、これを乾燥することができる。本実施
形態の基板処理装置１００は、特にスロットコータによ
り塗布液が塗布された基板の処理について有効である
が、勿論スピンコータにより塗布液が塗布された基板の
処理についても適用可能である。When used in such a semiconductor manufacturing process, a volatile coating liquid, for example, a resist liquid is coated on a substrate. In the present embodiment, the coating film can be flattened so that the coating liquid applied on such a substrate has a uniform film thickness, and then the coating liquid can be dried. The substrate processing apparatus 100 of the present embodiment is particularly effective for processing a substrate coated with a coating liquid by a slot coater, but of course is applicable to processing a substrate coated with a coating liquid by a spin coater.
【００１４】基板処理装置１００は、処理対象である基
板１０１が収容されるチャンバ１を備える。チャンバ１
は、蓋部１ａと、側部１ｂと、底部１ｃと、から構成さ
れており、これらは略気密な空間１ｄを形成するように
気密に接続されている。蓋部１ａは、側部１ｂから取り
外し自在に構成されており、これを取り外すことによ
り、チャンバ１の上部が開口し、基板１０１を空間１ｄ
に搬入又は搬出することができる。The substrate processing apparatus 100 includes a chamber 1 in which a substrate 101 to be processed is accommodated. Chamber 1
Is composed of a lid portion 1a, a side portion 1b, and a bottom portion 1c, which are airtightly connected to each other so as to form a substantially airtight space 1d. The lid portion 1a is configured to be detachable from the side portion 1b. By removing the lid portion 1a, the upper portion of the chamber 1 is opened and the substrate 101 is opened in the space 1d.
Can be carried in or out.
【００１５】底部１ｃの上面には、ホットプレート２が
埋め込まれており、この上に基板１０１が載置される。
ホットプレート２は、基板１０１の上面に塗布された塗
布液１０１ａを加熱するものであり、例えば、電力を供
給することにより熱を発生するデバイスである。このよ
うな塗布液１０１ａを加熱するデバイスは、例えば、チ
ャンバ１の蓋部１ａの下面に取り付ける等、別の配置を
採用することもできる。また、ホットプレート２に限ら
れず他のデバイスを採用することもできる。A hot plate 2 is embedded in the upper surface of the bottom portion 1c, and the substrate 101 is placed thereon.
The hot plate 2 heats the coating liquid 101a applied on the upper surface of the substrate 101, and is a device that generates heat by supplying electric power, for example. Such a device for heating the coating liquid 101a may be arranged in another way, for example, attached to the lower surface of the lid 1a of the chamber 1. Further, not only the hot plate 2 but also other devices can be adopted.
【００１６】チャンバ１の側部１ｂには、左右それぞれ
管３ａ及び３ｂが貫通して設けられている。この管３ａ
及び３ｂは、その一端が空間１ｄへ開口しており、他端
がそれぞれ電磁弁４ａ及び４ｂに接続されている。電磁
弁４ａ又は４ｂを開くと、管３ａ及び３ｂを介して、チ
ャンバ１内の空間１ｄと、チャンバ１の外部との間での
気体の流通が可能となる。一方、電磁弁４ａ及び４ｂを
閉じると、チャンバ１内の空間１ｄと、チャンバ１の外
部とが遮断される。The side portion 1b of the chamber 1 is provided with right and left pipes 3a and 3b, respectively. This tube 3a
And 3b have one end open to the space 1d and the other end connected to the solenoid valves 4a and 4b, respectively. When the solenoid valve 4a or 4b is opened, the gas can flow between the space 1d in the chamber 1 and the outside of the chamber 1 via the pipes 3a and 3b. On the other hand, when the solenoid valves 4a and 4b are closed, the space 1d in the chamber 1 and the outside of the chamber 1 are shut off.
【００１７】電磁弁４ａには、管３ｃの一端が接続され
ており、管３ｃの他端は、バブリングタンク５内へ開口
している。バブリングタンク５内には、液体の溶剤が収
容されている。溶剤は、塗布液１０１ａの種類により異
なるが、例えば、アセトンや水等であり、沸点が低いも
のが好ましい。バブリングタンク５内の溶剤には、管３
ｄを介して窒素ガスが供給される。この溶剤に窒素ガス
を供給することにより、気化した溶剤を含有する気体が
バブリングタンク５内に発生する。電磁弁４ａを開く
と、バブリングタンク５内に発生した気体が、管３ｃ及
び管３ａを通ってチャンバ１内の空間１ｄに供給される
こととなる。One end of a pipe 3c is connected to the solenoid valve 4a, and the other end of the pipe 3c opens into the bubbling tank 5. The bubbling tank 5 contains a liquid solvent. The solvent varies depending on the type of the coating liquid 101a, but is, for example, acetone or water, and preferably has a low boiling point. For the solvent in the bubbling tank 5, use the pipe 3
Nitrogen gas is supplied via d. By supplying nitrogen gas to this solvent, a gas containing the vaporized solvent is generated in the bubbling tank 5. When the solenoid valve 4a is opened, the gas generated in the bubbling tank 5 is supplied to the space 1d in the chamber 1 through the pipe 3c and the pipe 3a.
【００１８】一方、電磁弁４ｂには、真空ポンプ６が接
続されている。電磁弁４ｂを開くと、チャンバ１の空間
１ｄ内の気体が管３ｂを通ってチャンバ１外部に排出さ
れ、チャンバ１内が減圧されることとなる。On the other hand, a vacuum pump 6 is connected to the solenoid valve 4b. When the solenoid valve 4b is opened, the gas in the space 1d of the chamber 1 is discharged to the outside of the chamber 1 through the pipe 3b, and the pressure inside the chamber 1 is reduced.
【００１９】制御装置７は、電磁弁４ａ及び４ｂの開閉
を切り換えるための信号の送出や、ホットプレート２に
電力の供給を行う装置であり、例えば、プログラマブル
コントローラである。The control device 7 is a device that sends a signal for switching the opening and closing of the solenoid valves 4a and 4b and supplies electric power to the hot plate 2, and is, for example, a programmable controller.
【００２０】次に、基板処理装置１００を用いた基板の
処理について説明する。図４は、該処理を示すフローチ
ャートである。Next, the processing of the substrate using the substrate processing apparatus 100 will be described. FIG. 4 is a flowchart showing the processing.
【００２１】Ｓ４０１では、塗布液１０１ａが塗布され
た基板１０１を、基板処理装置１００内のチャンバ１内
に搬入、配置する。本実施形態の基板処理装置１００
を、半導体製造におけるレジスト液塗膜の平坦化、乾燥
に用いる場合、例えば、スピンコータやスロットコータ
といった塗布装置においてレジスト液が塗布された基板
１０１を、搬入することとなろう。なお、基板処理装置
１００自体に塗布液の塗布機能を付与する構成も採用し
得る。In step S401, the substrate 101 coated with the coating liquid 101a is loaded and placed in the chamber 1 in the substrate processing apparatus 100. The substrate processing apparatus 100 of this embodiment
When is used for flattening and drying a resist solution coating film in semiconductor manufacturing, for example, the substrate 101 coated with the resist solution in a coating apparatus such as a spin coater or a slot coater will be carried in. Note that the substrate processing apparatus 100 itself may be configured to have a coating liquid coating function.
【００２２】Ｓ４０２では、基板処理装置１００によっ
て、塗布液１０１ａの塗膜を平坦化し、膜厚の均一化を
図る。概説すると、本実施形態では、この塗膜の平坦化
処理において、チャンバ１の空間１ｄ内を、塗布液１０
１ａの蒸発を抑制する雰囲気にする。In S402, the substrate processing apparatus 100 flattens the coating film of the coating liquid 101a to make the film thickness uniform. In summary, in the present embodiment, in the flattening process of the coating film, the coating liquid 10 is filled in the space 1d of the chamber 1.
The atmosphere is set to suppress evaporation of 1a.
【００２３】詳細には、空間１ｄ内に気体を供給して塗
布液１０１ａの蒸発を抑制し、塗布液１０１ａの固化を
妨げる。気体の供給により空間１ｄは加圧され、空間１
ｄ内は、例えば、０．２ＭＰａ程度まで加圧された加圧
状態となる。併せて、塗布液１０１ａを加熱し、塗布液
１０１ａを軟化させ、基板１０１上で流動させる。これ
により、塗布液１０１ａの塗膜のムラが解消され、膜厚
が略均一となるように塗膜が平坦化される。More specifically, gas is supplied into the space 1d to suppress evaporation of the coating liquid 101a and prevent solidification of the coating liquid 101a. The space 1d is pressurized by the supply of gas, and the space 1
The inside of d is in a pressurized state where it is pressurized to, for example, about 0.2 MPa. At the same time, the coating liquid 101a is heated to soften the coating liquid 101a and cause it to flow on the substrate 101. As a result, the unevenness of the coating film of the coating liquid 101a is eliminated, and the coating film is flattened so that the film thickness becomes substantially uniform.
【００２４】特に、本実施形態ではチャンバ１の空間１
ｄ内に気化した溶剤を含有する気体を供給する。これに
より、より一層塗布液１０１ａを軟化させ、塗膜の平坦
化が促進される。Particularly, in this embodiment, the space 1 of the chamber 1 is
A gas containing the vaporized solvent is supplied into d. This further softens the coating liquid 101a and promotes the flatness of the coating film.
【００２５】次いで、Ｓ４０３では、基板処理装置１０
０によって、塗布液１０１ａの乾燥処理を行う。概説す
ると、本実施形態では、この乾燥処理において、チャン
バ１の空間１ｄ内を、塗布液１０１ａの蒸発を促進する
雰囲気にする。Next, in S403, the substrate processing apparatus 10
0, the coating liquid 101a is dried. In summary, in this embodiment, in this drying process, the space 1d of the chamber 1 is set to an atmosphere that promotes evaporation of the coating liquid 101a.
【００２６】詳細には、空間１ｄ内の気体を排出して気
圧を減圧し、塗布液１０１ａの蒸発を促進し、塗布液１
０１ａの乾燥をする。この場合、空間１ｄ内の気圧は、
例えば、−９７ＭＰａ程度まで減圧することが好適であ
る。More specifically, the gas in the space 1d is discharged to reduce the atmospheric pressure to accelerate the evaporation of the coating liquid 101a, and the coating liquid 1
Dry 01a. In this case, the atmospheric pressure in the space 1d is
For example, it is preferable to reduce the pressure to about -97 MPa.
【００２７】その後、Ｓ４０４へ進み、処理済の基板１
０１をチャンバ１から搬出して終了する。After that, the process proceeds to S404 and the processed substrate 1 is processed.
01 is carried out from the chamber 1 and the process is completed.
【００２８】次に、塗膜平坦化処理及び塗膜乾燥処理時
の基板処理装置１００の作用について説明する。図５
は、塗膜平坦化処理及び塗膜乾燥処理時の制御装置７の
処理を示すフローチャートである。制御装置７は、ホッ
トプレート２を発熱させ、以下の処理を行う。Next, the operation of the substrate processing apparatus 100 during the film flattening process and the film drying process will be described. Figure 5
4 is a flowchart showing the processing of the control device 7 during the coating film flattening process and the coating film drying process. The controller 7 causes the hot plate 2 to generate heat and performs the following processing.
【００２９】Ｓ５０１及びＳ５０２は、塗膜平坦化処理
のための処理であり、チャンバ１の空間１ｄ内を、塗布
液１０１ａの蒸発を抑制する雰囲気に調整する。Steps S501 and S502 are processes for flattening the coating film, and the space 1d of the chamber 1 is adjusted to an atmosphere that suppresses evaporation of the coating liquid 101a.
【００３０】Ｓ５０１では、給気側の電磁弁４ａを開い
た状態にし、排気側の電磁弁４ｂを閉じた状態にする。
すると、バブリングタンク５内に発生した気体が管３ｃ
及び３ａを通ってチャンバ１内の空間１ｄに供給され、
充満する。図２は、この場合の基板処理装置１００の態
様を示した図である。そのような気体の供給により、空
間１ｄ内の気体の密度が高くなる。In step S501, the solenoid valve 4a on the air supply side is opened and the solenoid valve 4b on the exhaust side is closed.
Then, the gas generated in the bubbling tank 5 is connected to the pipe 3c.
And 3a to be supplied to the space 1d in the chamber 1,
Fill up. FIG. 2 is a diagram showing an aspect of the substrate processing apparatus 100 in this case. By supplying such a gas, the density of the gas in the space 1d increases.
【００３１】この結果、基板１０１上に塗布された塗布
液１０１ａの蒸発が抑制されるところ、ホットプレート
２によって塗布液１０１ａを加熱することにより、塗布
液１０１ａが軟化する。塗布液がレジスト液の場合、ホ
ットプレート２を摂氏７０度程度に加熱することが好適
である。As a result, when the evaporation of the coating liquid 101a coated on the substrate 101 is suppressed, the coating liquid 101a is softened by heating the coating liquid 101a by the hot plate 2. When the coating liquid is a resist liquid, it is preferable to heat the hot plate 2 to about 70 degrees Celsius.
【００３２】このため、塗布液１０１ａは基板１０１上
で流動し、表面が平坦化することとなる。しかも、空間
１ｄ内に供給される気体は、気化した溶剤を含有する気
体なので、蒸発が抑制されるのみならず逆に塗布液１０
１ａは一層流動し易くなり、より表面が平坦化すること
となる。Therefore, the coating liquid 101a flows on the substrate 101 and the surface is flattened. Moreover, since the gas supplied into the space 1d is a gas containing a vaporized solvent, not only evaporation is suppressed but also the coating liquid 10
1a becomes easier to flow, and the surface becomes flatter.
【００３３】Ｓ５０２では、所定の時間が経過したか否
かを判定し、所定の時間が経過した場合は、塗布液１０
１ａの塗膜の平坦化が終了したとして、Ｓ５０３へ進
む。所定の時間としては、たとえば、レジスト液の場
合、１８０秒程度が好ましい。In S502, it is determined whether or not a predetermined time has passed. If the predetermined time has passed, the coating liquid 10
Assuming that the flattening of the coating film of 1a is completed, the process proceeds to S503. For example, in the case of a resist solution, the predetermined time is preferably about 180 seconds.
【００３４】Ｓ５０３及びＳ５０４は、塗膜乾燥処理の
ための処理であり、チャンバ１の空間１ｄ内を、塗布液
１０１ａの蒸発を促進する雰囲気に減圧調整する。Steps S503 and S504 are processes for drying the coating film, and the pressure in the space 1d of the chamber 1 is adjusted to an atmosphere that promotes evaporation of the coating liquid 101a.
【００３５】Ｓ５０３では、給気側の電磁弁４ａを閉じ
た状態にし、排気側の電磁弁４ｂを開いた状態にする。
すると、真空ポンプ６によってチャンバ１の空間１ｄ内
の気体が管３ｂを通って外部へ排出され、空間１ｄ内の
気圧が減圧され、気体の密度が低くなる。図３は、この
場合の基板処理装置１００の態様を示した図である。At S503, the solenoid valve 4a on the air supply side is closed and the solenoid valve 4b on the exhaust side is opened.
Then, the gas in the space 1d of the chamber 1 is discharged to the outside through the pipe 3b by the vacuum pump 6, the atmospheric pressure in the space 1d is reduced, and the density of the gas is lowered. FIG. 3 is a diagram showing an aspect of the substrate processing apparatus 100 in this case.
【００３６】この結果、基板１０１上に塗布された塗布
液１０１ａの蒸発が促進され、乾燥することとなる。な
お、この乾燥処理の間もホットプレート２によって塗布
液１０１ａを加熱することにより、より乾燥が促進され
よう。As a result, the evaporation of the coating liquid 101a applied on the substrate 101 is promoted and the substrate 101 is dried. During the drying process, heating the coating liquid 101a with the hot plate 2 will accelerate the drying.
【００３７】Ｓ５０４では、所定の時間が経過したか否
かを判定し、所定の時間が経過した場合は、塗布液１０
１ａの塗膜の乾燥が終了したとして、処理が終了する。
所定の時間としては、例えば、レジスト液の場合、１８
０秒程度が好ましい。In S504, it is determined whether or not a predetermined time has passed. If the predetermined time has passed, the coating liquid 10
The process ends assuming that the coating film of 1a has been dried.
The predetermined time is, for example, 18 times for the resist solution.
About 0 seconds is preferable.
【００３８】以上説明したように、基板処理装置１００
は、チャンバ１内を塗布液１０１ａの蒸発を抑制する雰
囲気にして塗布液１０１ａを加熱することにより、塗膜
の平坦化を図ることができる。また、基板処理装置１０
０は、塗膜の平坦化のみならず、塗膜の乾燥も一つの装
置で行うことができるという利点がある。As described above, the substrate processing apparatus 100
In order to flatten the coating film, the coating liquid 101a is heated by setting the chamber 1 in an atmosphere that suppresses the evaporation of the coating liquid 101a. In addition, the substrate processing apparatus 10
0 has an advantage that not only the flattening of the coating film but also the drying of the coating film can be performed by one device.
【００３９】また、基板処理装置１００は、基板１００
に対する塗布液１０１ａの塗布について、スピンコータ
よりもスロットコータを用いた場合に有益である。Further, the substrate processing apparatus 100 includes the substrate 100
It is useful to apply the coating liquid 101a to the case using a slot coater rather than a spin coater.
【００４０】＜他の実施形態＞上記実施形態では、制御
装置７により、自動制御を行ったが、手動により制御し
てもよい。この場合、例えば、電磁弁４ａ及び４ｂを手
動で切り換えるようにすることが挙げられる。<Other Embodiments> In the above embodiment, the control device 7 performs automatic control, but it may also be controlled manually. In this case, for example, the solenoid valves 4a and 4b may be manually switched.
【００４１】また、上記実施形態では、基板処理装置１
００により塗膜の平坦化と塗膜の乾燥とを行ったが、基
板処理装置１００を塗膜の平坦化のみを行う装置として
構成することもできる。Further, in the above embodiment, the substrate processing apparatus 1
Although the flattening of the coating film and the drying of the coating film were performed by using No. 00, the substrate processing apparatus 100 may be configured as an apparatus that only flattens the coating film.
【００４２】また、上記実施形態では、真空ポンプ６に
よってチャンバ１内の気体を排出することで、チャンバ
１内を減圧することとしたが、チャンバ１内を減圧する
ためには、例えば、チャンバ１内の温度を下げるという
手法も採用することができる。In the above embodiment, the pressure inside the chamber 1 is reduced by discharging the gas inside the chamber 1 by the vacuum pump 6. However, to reduce the pressure inside the chamber 1, for example, the chamber 1 A method of lowering the internal temperature can also be adopted.
【００４３】また、上記実施形態では、気体供給用の電
磁弁４ａと気体排出用の電磁弁４ｂという２つの弁を採
用したが、これに代えて２入力１出力の弁であって、入
力を切り換え可能な１つの弁を用いることもできる。Further, in the above-mentioned embodiment, two valves, that is, the solenoid valve 4a for supplying gas and the solenoid valve 4b for discharging gas are adopted. It is also possible to use one switchable valve.
【００４４】また、上記実施形態では、塗膜の平坦化の
ために、溶剤を含有した気体をチャンバ１内に供給した
が、溶剤を含有しない気体をチャンバ１内に供給して
も、塗膜の平坦化を図ることができる。また、溶剤を含
有する気体を供給する場合、溶剤を含有した気体と、溶
剤を含有しない気体と、を別々に供給するようにしても
よい。更に、溶剤を含有しない気体を外部から供給する
一方、チャンバ１の空間１ｄ内に溶剤を含有した気体を
発生する装置を配置することもできる。Further, in the above embodiment, the gas containing the solvent was supplied into the chamber 1 for the flattening of the coating film. However, even if the gas containing no solvent is supplied into the chamber 1, the coating film is not formed. Can be flattened. Moreover, when supplying the gas containing the solvent, the gas containing the solvent and the gas not containing the solvent may be supplied separately. Further, it is also possible to dispose a device that generates a solvent-containing gas in the space 1d of the chamber 1 while supplying a solvent-free gas from the outside.
【００４５】また、上述した塗膜の平坦化処理におい
て、塗布液１０１ａの流動化を促進するため、例えば、
空間１ｄ内に溶剤を滴下したり、或いは、溶剤をチャン
バ１の底部１ｃの上面に垂らすようにしてもよい。前者
の場合、例えば、蓋部１ａの下面に溶剤を噴出するノズ
ルを設けることもできる。In order to accelerate the fluidization of the coating liquid 101a in the above-mentioned flattening treatment of the coating film, for example,
The solvent may be dropped in the space 1d, or the solvent may be dropped on the upper surface of the bottom 1c of the chamber 1. In the former case, for example, a nozzle for ejecting the solvent may be provided on the lower surface of the lid 1a.
【００４６】また、上述した塗膜の平坦化処理におい
て、塗布液１０１ａの流動化を促進するため、チャンバ
１内に溶剤を収容した容器を配置し、その容器内の溶剤
を加熱して気化することでチャンバ１内の溶剤の濃度を
上げるようにしてもよい。図６は、その一例を示した図
である。In the flattening process of the coating film described above, in order to promote fluidization of the coating liquid 101a, a container containing a solvent is arranged in the chamber 1, and the solvent in the container is heated and vaporized. Therefore, the concentration of the solvent in the chamber 1 may be increased. FIG. 6 is a diagram showing an example thereof.
【００４７】図６において、チャンバ１内のホットプレ
ート２上には、液体の溶剤を収容した容器１０が配置さ
れている。容器１０は、熱伝導性の良好な材料から構成
され、ホットプレート２を発熱すると、容器１０が加熱
され、これに収容される溶剤も加熱される。加熱により
溶剤は気化し、チャンバ１内の空間１ｄに充満すること
となる。この結果、空間１ｄ内が溶剤による飽和状態と
なり、塗布液１０１ａの乾燥を抑制すると共にその流動
化を促進することが可能となる。In FIG. 6, on the hot plate 2 in the chamber 1, a container 10 containing a liquid solvent is arranged. The container 10 is made of a material having good thermal conductivity, and when the hot plate 2 generates heat, the container 10 is heated and the solvent contained therein is also heated. The solvent is vaporized by heating and fills the space 1d in the chamber 1. As a result, the inside of the space 1d becomes saturated with the solvent, and it becomes possible to suppress the drying of the coating liquid 101a and promote its fluidization.
【００４８】なお、図６の例では、容器１０内の溶剤を
加熱するためにホットプレート２を併用することとした
が、これを加熱するための別の加熱デバイスを設けてい
もよいことはいうまでもない。In the example of FIG. 6, the hot plate 2 is used together to heat the solvent in the container 10, but it is also possible to provide another heating device for heating this. There is no end.
【００４９】次に、平坦化処理から乾燥処理に移行する
際に、チャンバ１の空間１ｄ内が急激に減圧されること
による結露を防止するために、乾燥した気体をチャンバ
１の空間１ｄ内に供給するようにしてもよい。Next, when shifting from the flattening process to the drying process, dry gas is introduced into the space 1d of the chamber 1 in order to prevent dew condensation due to a sudden pressure reduction in the space 1d of the chamber 1. It may be supplied.
【００５０】このためには、例えば、上述した乾燥処理
において、電磁弁４ａを直ちに閉じず、電磁弁４ａと電
磁弁４ｂとを共に開いた状態にする。そして、電磁弁４
ａ側からは気化した溶剤を含有した気体をチャンバ１の
空間１ｄ内に供給するのではなく、これに代えて乾燥し
た気体を供給する。そして、チャンバ１の空間１ｄ内が
乾燥した気体により入れ替わった頃に電磁弁４ａを閉じ
るようにすることができる。To this end, for example, in the above-mentioned drying process, the solenoid valve 4a is not immediately closed, but both the solenoid valve 4a and the solenoid valve 4b are opened. And solenoid valve 4
From the a side, the gas containing the vaporized solvent is not supplied into the space 1d of the chamber 1, but instead, a dry gas is supplied. Then, the solenoid valve 4a can be closed when the space 1d of the chamber 1 is replaced by the dry gas.
【００５１】或いは、例えば、チャンバ１の空間１ｄに
開閉可能に開口する穴を設けておき、上述した乾燥処理
において、電磁弁４ａを閉じる一方で、該穴を開いて外
気を空間１ｄ内に導入しつつ、電磁弁４ｂを開いて空間
１ｄ内の気体を排気し、空間１ｄ内の気体が入れ替わっ
た頃に、該穴を閉じるようにしてもよい。Alternatively, for example, a hole that can be opened and closed is provided in the space 1d of the chamber 1, and the solenoid valve 4a is closed while the hole is opened to introduce outside air into the space 1d in the above-described drying process. Alternatively, the solenoid valve 4b may be opened to exhaust the gas in the space 1d, and the hole may be closed when the gas in the space 1d is replaced.
【００５２】[0052]
【発明の効果】以上述べてきたとおり、本発明によれ
ば、基板上の塗膜の平坦化をより向上することができ
る。As described above, according to the present invention, the flatness of the coating film on the substrate can be further improved.
【図１】本発明の一実施形態に係る基板処理装置１００
の構造を示す概略図である。FIG. 1 is a substrate processing apparatus 100 according to an embodiment of the present invention.
It is a schematic diagram showing the structure of.
【図２】塗膜平坦化処理時の基板処理装置１００の態様
を示す図である。FIG. 2 is a diagram showing an aspect of a substrate processing apparatus 100 during coating film flattening processing.
【図３】塗膜乾燥処理時の基板処理装置１００の態様を
示す図である。FIG. 3 is a diagram showing an aspect of a substrate processing apparatus 100 during coating film drying processing.
【図４】基板処理装置１００を用いた基板の処理を示す
フローチャートである。FIG. 4 is a flowchart showing processing of a substrate using the substrate processing apparatus 100.
【図５】塗膜平坦化処理及び塗膜乾燥処理時の制御装置
７の処理を示すフローチャートである。FIG. 5 is a flowchart showing the processing of the control device 7 at the time of flattening the coating film and drying the coating film.
【図６】溶剤を収容した容器１０を設けた場合の基板処
理装置１００の構造を示す概略図である。FIG. 6 is a schematic diagram showing the structure of a substrate processing apparatus 100 when a container 10 containing a solvent is provided.
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｇ０３Ｆ 7/38 ５０１ Ｈ０１Ｌ 21/30 ５６５ ５６７ (72)発明者 月田 博史 東京都品川区戸越３丁目９番20号 平田機 工株式会社内 (72)発明者 高本 徳男 東京都品川区戸越３丁目９番20号 平田機 工株式会社内 (72)発明者 山本 雄二 東京都品川区戸越３丁目９番20号 平田機 工株式会社内 Ｆターム(参考） 2H096 AA25 AA26 AA27 CA12 DA01 GB03 4D075 BB21Z CA48 DA06 DB13 DC22 EA45 4F042 AA07 AB00 DB01 DD38 DE01 DE06 DE09 5F046 KA04 KA10 ─────────────────────────────────────────────────── ─── Continuation of front page (51) Int.Cl. 7 Identification code FI theme code (reference) G03F 7/38 501 H01L 21/30 565 567 (72) Inventor Hiroshi Tsukita 3-9 Togoshi, Shinagawa-ku, Tokyo No. 20 Hirata Kiko Co., Ltd. (72) Inventor Tokio Takamoto 3-9-9 Togoshi, Shinagawa-ku, Tokyo No. 20 Hirata Kiko Co., Ltd. (72) Yuji Yamamoto 3-9 Togoshi, Shinagawa-ku, Tokyo No. 20 H-Rita Kiko Co., Ltd. F-term (reference) 2H096 AA25 AA26 AA27 CA12 DA01 GB03 4D075 BB21Z CA48 DA06 DB13 DC22 EA45 4F042 AA07 AB00 DB01 DD38 DE01 DE06 DE09 5F046 KA04 KA10
Claims (10)
密なチャンバと、 前記チャンバ内に気体を供給する供給手段と、 前記基板に塗布された前記塗布液を加熱する加熱手段
と、を備えたことを特徴とする基板処理装置。1. A substantially airtight chamber for accommodating a substrate coated with a coating liquid, a supply unit for supplying gas into the chamber, and a heating unit for heating the coating liquid coated on the substrate. A substrate processing apparatus comprising:
気化した溶剤を含有する気体が含まれることを特徴とす
る請求項１に記載の基板処理装置。2. The gas supplied into the chamber includes:
The substrate processing apparatus according to claim 1, further comprising a gas containing a vaporized solvent.
とする請求項１に記載の基板処理装置。3. The substrate processing apparatus according to claim 1, further comprising decompression means for decompressing the inside of the chamber.
の平坦化処理と塗膜の乾燥処理とを実行する基板処理装
置であって、 前記基板を収容する略気密なチャンバと、 前記チャンバ内に気体を供給する供給手段と、 前記基板に塗布された前記塗布液を加熱する加熱手段
と、 前記チャンバ内を減圧する減圧手段と、を備え、 前記供給手段は、少なくとも前記平坦化処理時に前記チ
ャンバ内に気体を供給し、 前記減圧手段は、前記乾燥処理時に前記チャンバ内を減
圧することを特徴とする基板処理装置。4. A substrate processing apparatus for performing a flattening process of a coating film and a drying process of a coating film on a substrate coated with a coating liquid, which is a substantially airtight chamber for housing the substrate. A supply means for supplying gas into the chamber; a heating means for heating the coating liquid applied to the substrate; and a decompression means for decompressing the chamber, wherein the supply means includes at least the planarization. A substrate processing apparatus, wherein a gas is supplied into the chamber during processing, and the decompression unit decompresses the inside of the chamber during the drying processing.
制するように前記チャンバ内に気体を供給し、 前記減圧手段は、前記塗布液の蒸発を促進するように前
記チャンバ内を減圧するすることを特徴とする請求項４
に記載の基板処理装置。5. The supply unit supplies gas into the chamber so as to suppress evaporation of the coating liquid, and the depressurizing unit depressurizes the chamber so as to promote evaporation of the coating liquid. 5. The method according to claim 4, wherein
The substrate processing apparatus according to.
密なチャンバと、 前記チャンバ内に気体を供給する供給手段と、 前記基板に塗布された前記塗布液を加熱する加熱手段
と、 前記チャンバ内を減圧する減圧手段と、を備え、 前記供給手段により前記チャンバ内に気体を供給した
後、前記減圧手段により前記チャンバ内を減圧すること
を特徴とする基板処理装置。6. A substantially airtight chamber for accommodating a substrate coated with a coating liquid, a supply unit for supplying gas into the chamber, a heating unit for heating the coating liquid coated on the substrate, A substrate processing apparatus, comprising: a decompression means for decompressing the inside of the chamber, wherein the gas is supplied into the chamber by the supply means, and then the inside of the chamber is decompressed by the decompression means.
ンバ内に配置し、 前記チャンバ内に気体を供給し、 前記基板に塗布された前記塗布液を加熱することを特徴
とする基板処理方法。7. A substrate processing method, comprising: placing a substrate coated with a coating liquid in a substantially airtight chamber, supplying gas into the chamber, and heating the coating liquid coated on the substrate. Method.
記チャンバ内を減圧することを特徴とする請求項７に記
載の基板処理方法。8. The substrate processing method according to claim 7, wherein after the gas is supplied into the chamber, the pressure inside the chamber is reduced.
と、 前記溶剤を気化するように前記容器内の溶剤を加熱する
手段と、を備えたことを特徴とする請求項１、４又は６
のいずれかに記載の基板処理装置。9. The container further comprises a container provided in the chamber for containing a liquid solvent, and a means for heating the solvent in the container so as to vaporize the solvent. Item 1, 4 or 6
The substrate processing apparatus according to any one of 1.
剤を、加熱して気化することを特徴とする請求項７に記
載の基板処理方法。10. The substrate processing method according to claim 7, further comprising heating a liquid solvent contained in a container provided in the chamber to vaporize the solvent.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001364843A JP2003092256A (en) | 2001-07-12 | 2001-11-29 | Substrate-treatment device and substrate-treatment method |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001212642 | 2001-07-12 | ||
| JP2001-212642 | 2001-07-12 | ||
| JP2001364843A JP2003092256A (en) | 2001-07-12 | 2001-11-29 | Substrate-treatment device and substrate-treatment method |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2003092256A true JP2003092256A (en) | 2003-03-28 |
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| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2001364843A Withdrawn JP2003092256A (en) | 2001-07-12 | 2001-11-29 | Substrate-treatment device and substrate-treatment method |
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| JP (1) | JP2003092256A (en) |
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2001
- 2001-11-29 JP JP2001364843A patent/JP2003092256A/en not_active Withdrawn
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