JP2006324559A - Substrate dryer and substrate drying method - Google Patents

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Takashi Kakimura
崇 柿村
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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a substrate dryer and a substrate drying method, with which the occurrence of uneven drying can be prevented by uniformly drying a substrate. <P>SOLUTION: The substrate dryer dries a thin film comprising a solvent component, which is formed on a surface of the substrate W under reduced pressure. The dryer includes a chamber 10 for covering a periphery of the substrate W, support pins 15 for supporting the substrate W in the chamber 10 from a lower face, a vacuum pump 34 for exhausting an inner part of the chamber 10 and a solvent supply pipe 41 for supplying solvent to the support pins 15. <P>COPYRIGHT: (C)2007,JPO&INPIT

Description

この発明は、基板乾燥装置および基板乾燥方法に関する。   The present invention relates to a substrate drying apparatus and a substrate drying method.

例えば、半導体ウエハや液晶表示パネル用ガラス基板あるいは半導体製造装置用マスク基板等の基板に塗布されたフォトレジスト等の薄膜を減圧乾燥する基板乾燥装置は、特許文献１に開示されている。この特許文献１に記載の基板乾燥装置においては、基板を搬入したチャンバー内を真空ポンプにより減圧することで、レジスト液の成分の中心である溶剤の蒸発を促進し、フォトレジストを迅速に乾燥させるようにしている。このような基板乾燥装置を使用してフォトレジストを乾燥させた場合には、風や熱等の外的要因の影響を防止して、フォトレジストをムラなく乾燥させることが可能となる。
特開平７−２８３１０８号公報 For example, Patent Document 1 discloses a substrate drying apparatus for drying a thin film such as a photoresist applied to a substrate such as a semiconductor wafer, a glass substrate for a liquid crystal display panel, or a mask substrate for a semiconductor manufacturing apparatus under reduced pressure. In the substrate drying apparatus described in Patent Document 1, the inside of the chamber into which the substrate is carried is decompressed by a vacuum pump, thereby promoting the evaporation of the solvent, which is the center of the resist solution component, and quickly drying the photoresist. I am doing so. When the photoresist is dried using such a substrate drying apparatus, the influence of external factors such as wind and heat can be prevented and the photoresist can be dried evenly.
JP-A-7-283108

基板の減圧乾燥時には、フォトレジストから溶剤が気化するときに生じる気化熱により基板の温度が低下する。近年、塗布性能を向上させるために低粘度のフォトレジストが使用されているが、このように低粘度で溶剤の量が多いフォトレジスト程、気化熱量が増加し、基板の温度は減圧乾燥中に数度乃至十数度も低下する。   When the substrate is dried under reduced pressure, the temperature of the substrate is lowered by the heat of vaporization generated when the solvent is evaporated from the photoresist. In recent years, low-viscosity photoresists have been used to improve coating performance, but the lower the viscosity and the greater the amount of solvent, the greater the heat of vaporization and the substrate temperature during drying under reduced pressure. It decreases by a few degrees to a few dozen degrees.

一方、減圧乾燥時に基板を支持する支持ピンは、熱容量の大きなチャンバー等に連結されていることから、その温度はほとんど変化しない。また、支持ピンの先端部は、基板に対して傷や静電気を付与しないように、ポリイミド系樹脂等の熱容量の大きな樹脂で構成されていることから、温度変化はほとんど生じない。   On the other hand, since the support pins that support the substrate during drying under reduced pressure are connected to a chamber having a large heat capacity, the temperature hardly changes. Further, the tip of the support pin is made of a resin having a large heat capacity such as a polyimide resin so as not to give scratches or static electricity to the substrate, so that the temperature hardly changes.

このため、基板における支持ピンと当接する領域とそれ以外の領域とで温度差が生じることになり、この温度差により乾燥状態が変化しムラが発生するいう問題が生ずる。近年の基板サイズの増大に伴い、支持ピンの本数も増加していることから、このような乾燥状態の変化により生ずるムラの発生が、大きな問題となっている。   For this reason, a temperature difference is generated between the region in contact with the support pins on the substrate and the other region, and this temperature difference causes a problem that the dry state changes and unevenness occurs. With the recent increase in substrate size, the number of support pins has also increased, so the occurrence of unevenness due to such changes in the dry state has become a major problem.

この発明は上記課題を解決するためになされたものであり、基板を均一に乾燥処理することにより、乾燥ムラの発生を防止することが可能な基板乾燥装置および基板乾燥方法を提供することを目的とする。   The present invention has been made to solve the above problems, and an object of the present invention is to provide a substrate drying apparatus and a substrate drying method capable of preventing the occurrence of uneven drying by uniformly drying a substrate. And

請求項１に記載の発明は、基板の表面に形成された溶剤成分を含有する薄膜を減圧乾燥する基板乾燥装置において、基板の周囲を覆うチャンバーと、前記チャンバー内において基板をその下面から支持する支持ピンと、前記チャンバー内を排気する排気手段と、前記支持ピンに前記溶剤を供給する溶剤供給手段とを備えたことを特徴とする。   The invention according to claim 1 is a substrate drying apparatus for drying a thin film containing a solvent component formed on a surface of a substrate under reduced pressure, and a chamber covering the periphery of the substrate, and the substrate is supported from the lower surface in the chamber. It is characterized by comprising a support pin, an exhaust means for exhausting the inside of the chamber, and a solvent supply means for supplying the solvent to the support pin.

請求項２に記載の発明は、前記溶剤供給手段は、前記支持ピンに溶剤を供給するための溶剤供給路と、前記溶剤供給路中に前記溶剤を流入させ得るための溶剤流入機構と、前記溶剤供給路中に不活性ガスを流入させる不活性ガス流入機構とを備える。   According to a second aspect of the present invention, the solvent supply means includes a solvent supply path for supplying a solvent to the support pin, a solvent inflow mechanism for allowing the solvent to flow into the solvent supply path, An inert gas inflow mechanism for allowing an inert gas to flow into the solvent supply path.

請求項３に記載の発明は、基板の表面に形成された溶剤成分を含有する薄膜を乾燥する基板乾燥装置において、基板をその下面から支持する支持ピンと、前記支持ピンに前記溶剤を供給する溶剤供給手段とを備えたことを特徴とする。   According to a third aspect of the present invention, there is provided a substrate drying apparatus for drying a thin film containing a solvent component formed on a surface of a substrate, a support pin for supporting the substrate from its lower surface, and a solvent for supplying the solvent to the support pin And a supply means.

請求項４に記載の発明は、基板の表面に形成された溶剤成分を含有する薄膜を減圧乾燥する基板乾燥方法において、チャンバー内に立設された支持ピンに前記溶剤を供給する溶剤供給工程と、前記支持ピン上に基板を載置する基板搬入工程と、前記チャンバー内を排気して前記薄膜を減圧乾燥する乾燥工程とを備えたことを特徴とする。   According to a fourth aspect of the present invention, there is provided a substrate drying method in which a thin film containing a solvent component formed on a surface of a substrate is dried under reduced pressure, and a solvent supply step of supplying the solvent to a support pin standing in a chamber; And a substrate carrying-in step of placing the substrate on the support pins, and a drying step of evacuating the chamber and drying the thin film under reduced pressure.

請求項１乃至請求項４に記載の発明によれば、基板を均一に乾燥処理することにより、乾燥ムラの発生を防止することが可能となる。   According to the first to fourth aspects of the present invention, it is possible to prevent drying unevenness by uniformly drying the substrate.

特に、請求項２に記載の発明によれば、溶剤供給路中またはその付近に残留する溶剤を除去することが可能となる。   In particular, according to the invention described in claim 2, it is possible to remove the solvent remaining in or near the solvent supply path.

以下、この発明の実施の形態を図面に基づいて説明する。図１および図２は、この発明の第１実施形態に係る基板乾燥装置の概要図である。   Hereinafter, embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings. 1 and 2 are schematic views of a substrate drying apparatus according to the first embodiment of the present invention.

この基板乾燥装置は、蓋部１１と、パッキング１２と、基部１３とから成るチャンバー１０と、このチャンバー１０における基部１３に立設された複数の支持ピン１５と、複数の昇降ピン２１が立設された支持板２２とを備える。基板Ｗは、チャンバー１０内において、薄膜が形成されたその主面を上方に向けた水平姿勢で支持ピン１５または昇降ピン２１により支持される。   The substrate drying apparatus includes a chamber 10 including a lid portion 11, a packing 12, and a base portion 13, a plurality of support pins 15 erected on the base portion 13 in the chamber 10, and a plurality of elevating pins 21. The support plate 22 is provided. The substrate W is supported in the chamber 10 by the support pins 15 or the lift pins 21 in a horizontal posture with the main surface on which the thin film is formed facing upward.

チャンバー１０における基部１３には、排気口３１が形成されている。この排気口３１は、管路３２により、真空ポンプ３４と接続されている。そして、排気口３１と真空ポンプ３４の間には、開閉弁３３が配設されている。なお、真空ポンプ３４に変えて排気ファン等を使用してもよい。   An exhaust port 31 is formed in the base portion 13 of the chamber 10. The exhaust port 31 is connected to a vacuum pump 34 by a pipe line 32. An opening / closing valve 33 is disposed between the exhaust port 31 and the vacuum pump 34. An exhaust fan or the like may be used instead of the vacuum pump 34.

また、支持板２２は、支持棒２４を介して昇降機構２５と連結されている。昇降ピン２１は支持板２２とともに、昇降機構２５の作用により、図示しない搬送アームとの間で基板Ｗを受け渡す基板Ｗの受け渡し位置と、乾燥位置との間を昇降可能となっている。   The support plate 22 is connected to the lifting mechanism 25 via a support bar 24. The lift pins 21 can be moved up and down between the transfer position of the substrate W for transferring the substrate W to and from the transfer arm (not shown) and the drying position by the action of the lift mechanism 25 together with the support plate 22.

支持ピン１５の側方には、この支持ピン１５に溶剤を供給するための溶剤供給管４１が配設されている。この溶剤供給管４１は、支持ピン１５に溶剤を供給するための溶剤供給手段の一部を構成する。なお、この溶剤とは、基板Ｗの表面に形成された薄膜に含有される溶剤成分を構成する溶剤である。   A solvent supply pipe 41 for supplying a solvent to the support pin 15 is disposed on the side of the support pin 15. The solvent supply pipe 41 constitutes a part of a solvent supply means for supplying a solvent to the support pin 15. The solvent is a solvent that constitutes a solvent component contained in the thin film formed on the surface of the substrate W.

図３は、溶剤供給手段の概要図である。なお、この基板乾燥装置は、複数の支持ピン１５を備えるが、図３においては単一の支持ピンのみを図示している。   FIG. 3 is a schematic diagram of the solvent supply means. This substrate drying apparatus includes a plurality of support pins 15, but only a single support pin is shown in FIG.

この溶剤供給手段は、溶剤供給部４２と、電磁開閉弁４４と、溶剤供給路４６と、上述した溶剤供給管４１とを備える。溶剤供給部４２に貯留された溶剤は、電磁開閉弁４４が開放されることにより、溶剤供給路４６を介して溶剤供給管４１に流入し、この溶剤は、溶剤供給管４１から支持ピン１５の外周面に供給される。   The solvent supply means includes a solvent supply unit 42, an electromagnetic on-off valve 44, a solvent supply path 46, and the solvent supply pipe 41 described above. The solvent stored in the solvent supply section 42 flows into the solvent supply pipe 41 through the solvent supply path 46 when the electromagnetic on-off valve 44 is opened, and this solvent is supplied from the solvent supply pipe 41 to the support pin 15. Supplied to the outer peripheral surface.

また、この溶剤供給手段は、窒素ガス供給部４３と、電磁開閉弁４５とを備える。電磁開閉弁４５が開放された場合には、窒素ガスが溶剤供給路４６を介して溶剤供給管４１に流入し、溶剤供給路４６および溶剤供給管４１に残留する溶剤を吹き飛ばすことが可能となる。   The solvent supply means includes a nitrogen gas supply unit 43 and an electromagnetic opening / closing valve 45. When the electromagnetic on-off valve 45 is opened, nitrogen gas flows into the solvent supply pipe 41 via the solvent supply path 46, and the solvent remaining in the solvent supply path 46 and the solvent supply pipe 41 can be blown off. .

次に、この基板乾燥装置により基板の主面に形成された薄膜を乾燥する乾燥動作について説明する。図４および図５は、上述した基板乾燥装置による乾燥動作を示すフローチャートである。   Next, a drying operation for drying the thin film formed on the main surface of the substrate by the substrate drying apparatus will be described. 4 and 5 are flowcharts showing a drying operation by the substrate drying apparatus described above.

基板Ｗの主面に形成された薄膜を乾燥する場合には、最初に、支持ピン１５に溶剤を供給する（ステップＳ１１）。   When drying the thin film formed on the main surface of the substrate W, first, a solvent is supplied to the support pins 15 (step S11).

すなわち、開閉弁４４を開放して、溶剤供給部４２に貯留された溶剤を溶剤供給路４６を介して溶剤供給管４１に流入させ、この溶剤を溶剤供給管４１から支持ピン１５の外周面に供給する。これにより、支持ピン１５は、溶剤の気化熱により冷却される。溶剤の供給後には、電磁開閉弁４５を開放して、窒素ガスを溶剤供給路４６を介して溶剤供給管４１に流入させ、溶剤供給路４６および溶剤供給管４１に残留する溶剤を吹き飛ばす。   That is, the on-off valve 44 is opened, and the solvent stored in the solvent supply section 42 is caused to flow into the solvent supply pipe 41 via the solvent supply path 46, and this solvent is supplied from the solvent supply pipe 41 to the outer peripheral surface of the support pin 15. Supply. Thereby, the support pin 15 is cooled by the heat of vaporization of the solvent. After supplying the solvent, the electromagnetic on-off valve 45 is opened, nitrogen gas is introduced into the solvent supply pipe 41 via the solvent supply path 46, and the solvent remaining in the solvent supply path 46 and the solvent supply pipe 41 is blown off.

なお、溶剤の供給は、後述するチャンバー１０の開放工程（ステップＳ１２）の後に行ってもよい。溶剤の供給は、基板Ｗを支持ピン１５に受け渡す、数秒乃至十数秒前に実行すればよい。   The supply of the solvent may be performed after the chamber 10 opening step (step S12) described later. The supply of the solvent may be performed a few seconds to a few dozen seconds before the substrate W is transferred to the support pins 15.

この状態において、図１に示すように、チャンバー１０における蓋部１１を図示しない昇降機構により上昇させて、チャンバー１０を開放する（ステップＳ１２）。次に、基板Ｗを支持した図示しない搬送アームがチャンバー１０内に進入する（ステップＳ１３）。そして、昇降機構２５の駆動により、昇降ピン２１が支持板２２とともに図１に示す基板Ｗの受け渡し位置まで上昇する（ステップＳ１４）。これにより、搬送アームに支持されていた基板Ｗが、昇降ピン２１により支持される。そして、搬送アームがチャンバー１０内より退出する（ステップＳ１５）。   In this state, as shown in FIG. 1, the lid portion 11 in the chamber 10 is raised by an elevator mechanism (not shown) to open the chamber 10 (step S12). Next, a transfer arm (not shown) that supports the substrate W enters the chamber 10 (step S13). And by the drive of the raising / lowering mechanism 25, the raising / lowering pin 21 raises to the delivery position of the board | substrate W shown in FIG. 1 with the support plate 22 (step S14). As a result, the substrate W supported by the transport arm is supported by the lift pins 21. Then, the transfer arm exits from the chamber 10 (step S15).

次に、昇降機構２５の駆動により、昇降ピン２１が支持板２２とともに図２に示す位置まで下降する（ステップＳ１６）。これにより、昇降ピン２１にその下面を支持されていた基板Ｗが支持ピン１５に移載される。そして、図２に示すように、チャンバー１０における蓋部１１を図示しない昇降機構により下降させて、チャンバー１０を閉止する（ステップＳ１７）。   Next, by the drive of the elevating mechanism 25, the elevating pin 21 is lowered to the position shown in FIG. 2 together with the support plate 22 (step S16). As a result, the substrate W whose lower surface is supported by the lift pins 21 is transferred to the support pins 15. Then, as shown in FIG. 2, the lid portion 11 in the chamber 10 is lowered by an elevator mechanism (not shown), and the chamber 10 is closed (step S17).

この状態において、開閉弁３３を開放するとともに（ステップＳ１８）、真空ポンプ３４の作用により少量の排気を行う（ステップＳ１９）。   In this state, the on-off valve 33 is opened (step S18), and a small amount of air is exhausted by the action of the vacuum pump 34 (step S19).

一般に、減圧乾燥処理を開始した直後に突沸と呼ばれる現象が発生する場合がある。これは、基板表面に塗布されたフォトレジスト（薄膜）中の溶剤成分が急激に蒸発して突然沸騰することにより生ずる現象である。このような突沸が発生した場合には、脱泡と呼ばれるフォトレジストの表面に小さな泡が形成される現象が生じ、その基板の使用が不可能となる。   In general, a phenomenon called bumping may occur immediately after the vacuum drying process is started. This is a phenomenon that occurs when the solvent component in the photoresist (thin film) applied to the substrate surface suddenly evaporates and suddenly boils. When such bumping occurs, a phenomenon called small bubbles is formed on the surface of the photoresist called defoaming, and the substrate cannot be used.

そこで、上述のように、最初に、少量の排気量により減圧乾燥を行うことによって、基板Ｗの主面における中央から端縁に向かう緩やかな空気流により、突沸による脱泡を防止した状態で、適切な減圧乾燥を実行することが可能となる。なお、このときには、基板Ｗの表面とチャンバー１０における蓋部１１の下面との距離が小さくなるように設定してもよい。   Therefore, as described above, by performing vacuum drying with a small amount of exhaust gas at first, a gentle air flow from the center to the edge of the main surface of the substrate W prevents defoaming due to bumping, Appropriate vacuum drying can be performed. At this time, the distance between the surface of the substrate W and the lower surface of the lid portion 11 in the chamber 10 may be set to be small.

乾燥を開始して一定の時間が経過すれば（ステップＳ２０）、真空ポンプ３４の作用により大量の排気を行う（ステップＳ２１）。このときには、基板Ｗの主面において、その中央から端縁に向かう比較的大きな空気流が発生する。このように大きな排気量により減圧乾燥を行った場合には、基板Ｗの主面全域にわたり、迅速に乾燥が行われる。このような大量排気を行っても、上述した最初の乾燥工程において薄膜はある程度乾燥していることから、突沸による脱泡が発生することはない。   If a certain time has elapsed since the start of drying (step S20), a large amount of exhaust is performed by the action of the vacuum pump 34 (step S21). At this time, a relatively large air flow is generated on the main surface of the substrate W from the center toward the edge. When vacuum drying is performed with such a large displacement, drying is performed quickly over the entire main surface of the substrate W. Even if such a large amount of exhaust is performed, since the thin film is dried to some extent in the first drying step described above, defoaming due to bumping does not occur.

また、このときには、基板Ｗの主面に形成されたフォトレジストの薄膜からは、多量の溶剤が蒸発し、その気化熱により基板Ｗの温度が急激に低下する。このときに基板Ｗを支持する支持ピン１５は、その外周部に供給された溶剤の気化熱により予め冷却され、あるいは、さらに冷却されることから、支持ピン１５と当接する領域とそれ以外の領域とで温度差が生じることはなく、基板Ｗを均一に減圧乾燥処理して乾燥ムラの発生を防止することが可能となる。   Also, at this time, a large amount of solvent evaporates from the photoresist thin film formed on the main surface of the substrate W, and the temperature of the substrate W rapidly decreases due to the heat of vaporization. At this time, the support pins 15 that support the substrate W are preliminarily cooled or further cooled by the heat of vaporization of the solvent supplied to the outer peripheral portion thereof, so that they are in contact with the support pins 15 and other regions. Thus, the temperature difference does not occur, and the substrate W can be uniformly dried under reduced pressure to prevent drying unevenness.

上述のステップ２１の状態で、図示しないセンサによりチャンバー１０内の真空度が予め設定した値に到達したことを検知すれば（ステップＳ２２）、開閉弁３３を閉止する（ステップＳ２３）。そして、チャンバー内に窒素ガスをパージする（ステップＳ２４）。   In the state of step 21 described above, if it is detected by a sensor (not shown) that the degree of vacuum in the chamber 10 has reached a preset value (step S22), the on-off valve 33 is closed (step S23). Then, nitrogen gas is purged into the chamber (step S24).

チャンバー１０内が大気圧となれば、チャンバー１０における蓋部１１を図示しない昇降機構により上昇させて、チャンバー１０を開放する（ステップＳ２５）。次に、昇降機構２５の駆動により、昇降ピン２１が支持板２２とともに図１に示す基板Ｗの受け渡し位置まで上昇する（ステップＳ２６）。   When the inside of the chamber 10 becomes atmospheric pressure, the lid portion 11 in the chamber 10 is raised by an elevator mechanism (not shown) to open the chamber 10 (step S25). Next, by the driving of the elevating mechanism 25, the elevating pins 21 are raised together with the support plate 22 to the delivery position of the substrate W shown in FIG. 1 (step S26).

この状態において、図示しない搬送アームがチャンバー１０内に進入する（ステップＳ２７）。そして、昇降機構２５の駆動により、昇降ピン２１が支持板２２とともに下降する（ステップＳ２８）。これにより、昇降ピン２１に支持されていた基板Ｗが搬送アームにより支持される。そして、基板Ｗを支持した搬送アームがチャンバー１０内より退出する（ステップＳ２９）。   In this state, a transfer arm (not shown) enters the chamber 10 (step S27). And by the drive of the raising / lowering mechanism 25, the raising / lowering pin 21 falls with the support plate 22 (step S28). Thereby, the board | substrate W currently supported by the raising / lowering pin 21 is supported by the conveyance arm. Then, the transfer arm that supports the substrate W leaves the chamber 10 (step S29).

次に、上述した溶剤供給手段の他の実施形態について説明する。図６は、他の実施形態に係る溶剤供給手段の概要図である。なお、上述した実施形態と同様の部材については、同一の符号を付して詳細な説明を省略する。   Next, another embodiment of the solvent supply means described above will be described. FIG. 6 is a schematic view of a solvent supply unit according to another embodiment. In addition, about the member similar to embodiment mentioned above, the same code | symbol is attached | subjected and detailed description is abbreviate | omitted.

上述した実施形態においては、支持ピン１５の側方に、支持ピン１５の外周部に溶剤を供給するための溶剤供給管４１を配設している。これに対し、この実施形態においては、支持ピン１５を溶剤供給管５１で取り囲む構成となっている。なお、支持ピン１５は、溶剤供給管５１ないに付設された支持部５２により支持されている。   In the embodiment described above, the solvent supply pipe 41 for supplying the solvent to the outer peripheral portion of the support pin 15 is disposed on the side of the support pin 15. On the other hand, in this embodiment, the support pin 15 is surrounded by the solvent supply pipe 51. The support pin 15 is supported by a support portion 52 attached to the solvent supply pipe 51.

次に、上述した溶剤供給手段のさらに他の実施形態について説明する。図７は、さらに他の実施形態に係る溶剤供給手段の概要図である。なお、上述した実施形態と同様の部材については、同一の符号を付して詳細な説明を省略する。   Next, still another embodiment of the solvent supply means described above will be described. FIG. 7 is a schematic view of a solvent supply unit according to still another embodiment. In addition, about the member similar to embodiment mentioned above, the same code | symbol is attached | subjected and detailed description is abbreviate | omitted.

上述した実施形態においては、支持ピン１５とは別に設けた溶剤供給管４１、５１により支持ピン１５の外周部に溶剤を供給している。これに対し、この実施形態においては、その内部に溶剤の通路５４を形成した支持ピン５５を使用している。溶剤の通路５４は、チャンバー１０の基部１３内に配設された管５３を介して溶剤供給路４６と連結されている。この実施形態においては、溶剤は支持ピン５１の内部を通過した後、その外周部に供給される。   In the embodiment described above, the solvent is supplied to the outer peripheral portion of the support pin 15 by the solvent supply pipes 41 and 51 provided separately from the support pin 15. In contrast, in this embodiment, a support pin 55 having a solvent passage 54 formed therein is used. The solvent passage 54 is connected to the solvent supply passage 46 through a pipe 53 disposed in the base 13 of the chamber 10. In this embodiment, after passing through the inside of the support pin 51, the solvent is supplied to the outer peripheral portion thereof.

なお、上述した実施形態においては、基板Ｗを減圧乾燥する基板乾燥装置にこの発明を適用した場合について述べたが、基板を大気圧の雰囲気下で乾燥する基板乾燥装置にこの発明を適用してもよい。また、基板を支持ピンにより支持して搬送しながら乾燥する搬送装置兼用の基板乾燥装置にこの発明を適用してもよい。   In the above-described embodiment, the case where the present invention is applied to the substrate drying apparatus that dries the substrate W under reduced pressure has been described. However, the present invention is applied to the substrate drying apparatus that dries the substrate under an atmospheric pressure atmosphere. Also good. In addition, the present invention may be applied to a substrate drying apparatus that also serves as a transport device for drying while supporting and transporting the substrate with support pins.

この発明の第１実施形態に係る基板乾燥装置の概要図である。1 is a schematic diagram of a substrate drying apparatus according to a first embodiment of the present invention. この発明の第１実施形態に係る基板乾燥装置の概要図である。1 is a schematic diagram of a substrate drying apparatus according to a first embodiment of the present invention. 溶剤供給手段の概要図である。It is a schematic diagram of a solvent supply means. 基板乾燥装置による乾燥動作を示すフローチャートである。It is a flowchart which shows the drying operation by a board | substrate drying apparatus. 基板乾燥装置による乾燥動作を示すフローチャートである。It is a flowchart which shows the drying operation by a board | substrate drying apparatus. 他の実施形態に係る溶剤供給手段の概要図である。It is a schematic diagram of the solvent supply means which concerns on other embodiment. さらに他の実施形態に係る溶剤供給手段の概要図である。It is a schematic diagram of the solvent supply means which concerns on other embodiment.

符号の説明Explanation of symbols

１０ チャンバー
１１ 蓋部
１２ パッキング
１３ 基部
１５ 支持ピン
２１ 昇降ピン
２２ 支持板
２３ 支持棒
２５ 昇降機構
３１ 排気口
３２ 管路
３３ 開閉弁
３４ 真空ポンプ
４１ 溶剤供給管
４２ 溶剤供給部
４３ 窒素ガス供給部
４４ 電磁開閉弁
４５ 電磁開閉弁
４６ 溶剤供給路
５１ 溶剤供給管
５３ 管
５４ 通路
５５ 支持ピン
Ｗ 基板
DESCRIPTION OF SYMBOLS 10 Chamber 11 Cover part 12 Packing 13 Base 15 Support pin 21 Lifting pin 22 Support plate 23 Support rod 25 Lifting mechanism 31 Exhaust port 32 Pipe line 33 On-off valve 34 Vacuum pump 41 Solvent supply pipe 42 Solvent supply part 43 Nitrogen gas supply part 44 Solenoid open / close valve 45 Solenoid open / close valve 46 Solvent supply path 51 Solvent supply pipe 53 Pipe 54 Passage 55 Support pin W Substrate

Claims (4)

基板の表面に形成された溶剤成分を含有する薄膜を減圧乾燥する基板乾燥装置において、
基板の周囲を覆うチャンバーと、
前記チャンバー内において基板をその下面から支持する支持ピンと、
前記チャンバー内を排気する排気手段と、
前記支持ピンに前記溶剤を供給する溶剤供給手段と、
を備えたことを特徴とする基板乾燥装置。 In the substrate drying apparatus for drying the thin film containing the solvent component formed on the surface of the substrate under reduced pressure,
A chamber covering the periphery of the substrate;
A support pin for supporting the substrate from its lower surface in the chamber;
Exhaust means for exhausting the chamber;
Solvent supply means for supplying the solvent to the support pins;
A substrate drying apparatus comprising: 前記溶剤供給手段は、
前記支持ピンに溶剤を供給するための溶剤供給路と、
前記溶剤供給路中に前記溶剤を流入させ得るための溶剤流入機構と、
前記溶剤供給路中に不活性ガスを流入させる不活性ガス流入機構と、
を備える基板乾燥装置。 The solvent supply means includes
A solvent supply path for supplying a solvent to the support pins;
A solvent inflow mechanism for allowing the solvent to flow into the solvent supply path;
An inert gas inflow mechanism for allowing an inert gas to flow into the solvent supply path;
A substrate drying apparatus comprising: 基板の表面に形成された溶剤成分を含有する薄膜を乾燥する基板乾燥装置において、
基板をその下面から支持する支持ピンと、
前記支持ピンに前記溶剤を供給する溶剤供給手段と、
を備えたことを特徴とする基板乾燥装置。 In a substrate drying apparatus for drying a thin film containing a solvent component formed on the surface of a substrate,
A support pin for supporting the substrate from its lower surface;
Solvent supply means for supplying the solvent to the support pins;
A substrate drying apparatus comprising: 基板の表面に形成された溶剤成分を含有する薄膜を減圧乾燥する基板乾燥方法において、
チャンバー内に立設された支持ピンに前記溶剤を供給する溶剤供給工程と、
前記支持ピン上に基板を載置する基板搬入工程と、
前記チャンバー内を排気して前記薄膜を減圧乾燥する乾燥工程と、
を備えたことを特徴とする基板乾燥方法。
In the substrate drying method of drying the thin film containing the solvent component formed on the surface of the substrate under reduced pressure,
A solvent supply step of supplying the solvent to a support pin erected in the chamber;
A substrate carrying-in step of placing the substrate on the support pins;
A drying step of evacuating the chamber and drying the thin film under reduced pressure;
A substrate drying method comprising:
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