KR20140030218A - Method for treating substrate, device for treating substrate and storage medium - Google Patents

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다카유키 도시마
히데카즈 하야시
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Abstract

[과제] 기판의 패턴내에 들어간 건조 방지용의 액체를 비교적 짧은 시간에 제거할 수 있는 기판 처리 방법 등을 제공한다. [해결수단] 표면에 요철 패턴이 형성되고, 그 오목부내에 들어가도록 상기 패턴을 덮는 건조 방지용의 액체가 부착된 기판(W)을 처리 용기(31)내에 반입하며, 이어서, 기판(W)을 가열하고, 가압용의 기체 또는 고압 상태의 유체를 처리 용기(31)내에 공급하여, 패턴 붕괴를 야기하는 정도까지 건조 방지용의 액체가 기화하기 전에 이 처리 용기(31)내에 고압 분위기를 형성하며, 상기 패턴의 오목부내에 들어간 상태 그대로 건조 방지용의 액체를 고압 상태로 한 후, 처리 용기(31)내의 유체를 고압 상태 또는 기체 상태로 배출한다.[PROBLEMS] To provide a substrate treating method and the like capable of removing a liquid for preventing drying that has entered a pattern of a substrate in a relatively short time. [Solution] An uneven pattern is formed on the surface, and the substrate W with the liquid for prevention of drying covering the pattern is brought into the processing container 31 so as to enter the recessed portion, and then the substrate W is loaded. Heating and supplying a pressurized gas or a high-pressure fluid into the processing vessel 31 to form a high-pressure atmosphere in the processing vessel 31 before the liquid for drying prevention evaporates to a degree that causes pattern collapse, After the liquid for prevention of drying is put into a high pressure state as it entered into the recessed part of the said pattern, the fluid in the process container 31 is discharged in a high pressure state or a gas state.

Description

기판 처리 방법, 기판 처리 장치 및 기억 매체{METHOD FOR TREATING SUBSTRATE, DEVICE FOR TREATING SUBSTRATE AND STORAGE MEDIUM}Substrate processing method, substrate processing apparatus and storage medium {METHOD FOR TREATING SUBSTRATE, DEVICE FOR TREATING SUBSTRATE AND STORAGE MEDIUM}

본 발명은, 초임계 상태 또는 아임계 상태의 유체를 이용하여 기판의 표면에 부착된 액체를 제거하는 기술에 관한 것이다. TECHNICAL FIELD This invention relates to the technique of removing the liquid adhering to the surface of a board | substrate using the fluid of a supercritical state or a subcritical state.

기판인 반도체 웨이퍼(이하, 웨이퍼라고 함) 등의 표면에 집적 회로의 적층 구조를 형성하는 반도체 장치의 제조 공정에서는, 약액 등의 세정액에 의해 웨이퍼 표면의 미소한 티끌이나 자연 산화막을 제거하는 등, 액체를 이용하여 웨이퍼 표면을 처리하는 액처리 공정이 마련되어 있다. In the manufacturing process of a semiconductor device in which a stacked structure of an integrated circuit is formed on a surface of a semiconductor wafer (hereinafter referred to as a wafer), which is a substrate, fine particles and natural oxide films on the surface of the wafer are removed by a cleaning liquid such as a chemical liquid. There is provided a liquid treatment step of treating a wafer surface using a liquid.

그런데 반도체 장치의 고집적화에 따라, 이러한 액처리 공정에서 웨이퍼의 표면에 부착된 액체 등을 제거할 때에, 소위 패턴 붕괴로 불리는 현상이 문제로 되어 있다. 패턴 붕괴는, 예컨대 웨이퍼 표면에 남은 액체를 건조시킬 때에, 패턴을 형성하는 요철의, 예컨대 볼록부의 좌우(바꿔 말하면 오목부내)에 남아 있는 액체가 불균일하게 건조하는 것에 의해, 이 볼록부를 좌우로 인장하는 표면 장력의 밸런스가 무너져 액체가 많이 남아 있는 방향으로 볼록부가 쓰러지는 현상이다. However, with the high integration of semiconductor devices, a phenomenon called so-called pattern collapse is a problem when removing the liquid or the like adhering to the surface of the wafer in such a liquid processing step. Pattern collapse is, for example, when drying the liquid remaining on the wafer surface, the liquid remaining on the right and left sides (in other words, in the concave portion) of the unevenness forming the pattern, for example, is unevenly dried, thereby stretching the convex portion from side to side. This is a phenomenon in which the balance of the surface tension is collapsed and the convex portions fall in the direction in which much liquid remains.

이러한 패턴 붕괴의 발생을 억제하면서 웨이퍼 표면에 부착된 액체를 제거하는 방법으로서, 초임계 상태나 아임계 상태(이하, 이들을 정리하여 고압 상태라고 함)의 유체를 이용하는 방법이 알려져 있다. 고압 상태의 유체(고압 유체)는, 액체와 비교하여 점도가 작고, 또한 액체를 추출할 능력도 높은 것에 더하여, 고압 유체와 평형 상태에 있는 액체나 기체 사이에서 계면이 존재하지 않는다. 그래서, 웨이퍼 표면에 부착된 액체를 고압 유체로 치환하고, 그 후, 고압 유체를 기체로 상태 변화시키면, 표면 장력의 영향을 받지 않고 액체를 건조시킬 수 있다. As a method of removing the liquid adhering to the wafer surface while suppressing the occurrence of such pattern collapse, a method of using a fluid in a supercritical state or a subcritical state (hereinafter collectively referred to as a high pressure state) is known. The high pressure fluid (high pressure fluid) has a lower viscosity than the liquid and also has a high ability to extract the liquid, and there is no interface between the high pressure fluid and the liquid or gas in equilibrium. Thus, if the liquid adhered to the wafer surface is replaced with a high pressure fluid and then the high pressure fluid is changed into a gas, the liquid can be dried without being affected by the surface tension.

발명자는, 이러한 고압 유체를 이용하여 웨이퍼 표면의 액체를 제거하는 기술의 실용화 개발을 행하고 있지만, 패턴의 아스펙트비가 커짐에 따라 패턴의 오목부내에 들어간 액체의 제거가 곤란하게 되는 경우가 있다는 것을 파악하고 있다. 이 때문에, 패턴의 오목부내의 액체를 고압 유체로 추출하고, 이 오목부내를 고압 유체로 치환하는 처리에 장시간을 요하여, 고압 유체를 이용한 액체 제거 기술을 실용화하는 데에 있어서의 큰 과제로 되어 있다. Although the inventors have made practical use of the technique of removing the liquid on the wafer surface using such a high pressure fluid, it is understood that the liquid entering into the recess of the pattern may become difficult as the aspect ratio of the pattern increases. Doing. For this reason, it takes a long time for the process of extracting the liquid in the recessed part of a pattern to a high pressure fluid, and replacing this recessed part with a high pressure fluid, and it becomes a big subject in putting the liquid removal technique using a high pressure fluid into practical use. have.

여기서 특허문헌 1에는, 린스액이 부착된 기판을 정해진 조건으로 초임계 상태가 되는 초임계 물질에 침지하고, 이들 린스액과 초임계 물질의 혼합물이 모두 초임계 상태가 되는 공임계 상태로 하는 것에 의해 린스액을 제거하는 기술이 기재되어 있다. 그러나 본 기술은, 린스액과 초임계 물질을 혼합한 후 공임계 상태로 하는 것이 전제로 되어 있지만, 우리의 실험에서, 린스액의 임계 온도 이하가 되는 공임계 온도 부근에서는 패턴 붕괴가 발생하는 것을 알 수 있었다. 즉, 웨이퍼 표면에 있는 린스액을 초임계 상태로 하여 린스액을 제거시키기 위해서는, 린스액의 임계 온도 이상에서 처리하는 것이 필요하다는 것을 우리의 실험에서 알 수 있었다. 또한, 도 14는 웨이퍼상의 린스액에, 액체 CO2, 초임계 CO2, 기체 CO2를 각각 혼합한 경우의 웨이퍼상의 파티클 수를 도시하고 있고, 또한 린스액과 초임계 물질을 혼합한 경우, 예컨대 CO2의 초임계 유체를 사용한 경우, 기체 상태의 CO2와 비교하여, 웨이퍼상에 부착되는 파티클이 많다는 것을 우리의 실험에서 알 수 있었다. 이것은 고밀도인 초임계 물질에 의해 파티클이 수송되기 때문이며, 이 점에서 린스액과 혼합하는 물질은 기체 상태인 것이 바람직하고, 린스액이 초임계 상태가 되는 압력 이상이면 패턴 도괴를 억제하며, 파티클 저감이 가능하다. 또한 본 기술에서는, 아스펙트비가 높은 패턴의 오목부에 들어가 있는 린스액을 단시간에 초임계 상태로 하여 제거하는 것은 곤란하고, 생산성을 확보하기 위해서는, 보다 단시간에 패턴의 오목부내에 들어간 린스액을 제거해야 한다. Patent Literature 1 discloses that a substrate with a rinse liquid is immersed in a supercritical material that is in a supercritical state under predetermined conditions, and a mixture of these rinsing liquids and the supercritical material is in a supercritical state. The technique of removing a rinse liquid by this is described. However, the present technology is based on the premise that the rinse liquid and the supercritical material are mixed and then placed in the co-critical state. However, in our experiment, it is observed that the pattern collapse occurs near the critical temperature below the critical temperature of the rinse liquid. Could know. In other words, in order to remove the rinse liquid by making the rinse liquid on the wafer surface into the supercritical state, it has been found in our experiment that it is necessary to treat the rinse liquid above the critical temperature of the rinse liquid. 14 shows the number of particles on the wafer when the liquid CO 2 , the supercritical CO 2 , and the gas CO 2 are mixed with the rinse liquid on the wafer, respectively, and when the rinse liquid and the supercritical material are mixed, for example, when using supercritical fluid CO 2, as compared with the gas-phase CO 2, it was found that there are many particles being deposited on the wafer in our experiments. This is because particles are transported by a high-density supercritical material. In this respect, the material to be mixed with the rinse liquid is preferably in a gaseous state. This is possible. In addition, in this technique, it is difficult to remove the rinse liquid contained in the recess of the pattern having a high aspect ratio in a supercritical state in a short time, and in order to ensure productivity, Should be removed.

특허문헌 1: 일본 특허 공개 제2005-101074호 공보: 청구항 1, 3, 단락 0024∼0027, 0038, 도 1, 3Patent document 1: Unexamined-Japanese-Patent No. 2005-101074: Claim 1, 3, Paragraph 0024-0027, 0038, FIG. 1, 3

본 발명은 이러한 배경 하에 이루어진 것이며, 기판의 패턴내에 들어간 건조 방지용의 액체를 단시간에 제거할 수 있는 기판 처리 방법, 기판 처리 장치 및, 상기 방법을 기억한 기억 매체를 제공하는 것을 목적으로 한다. The present invention has been made under such a background, and an object of the present invention is to provide a substrate processing method, a substrate processing apparatus, and a storage medium storing the method, which can remove a drying preventing liquid that has entered a pattern of a substrate in a short time.

본 발명은, 표면에 요철 패턴이 형성되고, 그 오목부내에 들어가도록 상기 패턴을 덮는 건조 방지용의 액체가 부착된 기판을 처리 용기내에 반입하는 공정과, The present invention is a step of bringing into the processing container a substrate with an anti-drying liquid that covers the pattern so that the concave-convex pattern is formed on the surface and enters the concave portion;

기판을 가열하고, 가압용의 기체 또는 고압 상태의 유체를 상기 처리 용기내에 공급하여, 패턴 붕괴를 야기하는 정도까지 건조 방지용의 액체가 기화하기 전에 이 처리 용기내에 고압 분위기를 형성하고, 상기 패턴의 오목부내에 들어간 상태 그대로 건조 방지용의 액체를 고압 상태로 하는 공정과, The substrate is heated, a pressurized gas or a high-pressure fluid is supplied into the processing container to form a high-pressure atmosphere in the processing container before the liquid for drying prevention evaporates to a degree that causes the pattern to collapse. The process of making the liquid for prevention of drying into a high pressure state as it was in the recessed part,

그 후, 상기 처리 용기내의 유체를 고압 상태 또는 기체 상태로 배출하는 공정을 포함하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 방법이다. Then, the substrate processing method characterized by including the process of discharging the fluid in the said processing container to a high pressure state or a gaseous state.

본 발명은, 상기 기판을 처리 용기내에 반입하는 공정에서는, 예열된 처리 용기내에 기판이 반입되는 것을 특징으로 하는 기판 처리 방법이다. This invention is a substrate processing method characterized by carrying in a board | substrate to a preheated process container in the process of carrying in the said board | substrate in a process container.

본 발명은, 상기 처리 용기내의 예열 온도는, 상기 건조 방지용의 액체의 임계 온도 이상인 것을 특징으로 하는 기판 처리 방법이다. This invention is the substrate processing method characterized by the preheating temperature in the said processing container being more than the threshold temperature of the said liquid for drying prevention.

본 발명은, 상기 가압용의 기체 또는 고압 상태의 유체는, 상기 건조 방지용의 액체의 임계 압력 이상으로 가압된 상태로 상기 처리 용기에 공급되는 것을 특징으로 하는 기판 처리 방법이다. The present invention is the substrate treating method, wherein the pressurized gas or the high-pressure fluid is supplied to the processing container in a pressurized state at or above a critical pressure of the liquid for preventing drying.

본 발명은, 상기 건조 방지용의 액체의 임계 압력 이상으로 가압되고, 상기 건조 방지용의 액체가 초임계 상태가 되었을 때에, 상기 가압용의 유체가 기체 상태인 것을 특징으로 하는 기판 처리 방법이다. The present invention is a substrate processing method characterized in that the pressurized fluid is in a gaseous state when it is pressurized above the critical pressure of the liquid for drying prevention and the liquid for drying prevention becomes a supercritical state.

본 발명은, 상기 건조 방지용의 액체의 임계 압력 이상으로 가압되고, 상기 건조 방지용의 액체가 초임계 상태가 되었을 때에, 상기 가압용의 유체가 고압 상태(초임계 상태 또는 아임계 상태)인 것을 특징으로 하는 기판 처리 방법이다. The present invention is characterized in that the pressurized fluid is in a high pressure state (supercritical state or subcritical state) when it is pressurized above the critical pressure of the liquid for drying prevention and the liquid for drying prevention becomes a supercritical state. It is a substrate processing method.

본 발명은, 기판은, 건조 방지용의 액체가 융기된 상태로 상기 처리 용기내에 반입되는 것을 특징으로 하는 기판 처리 방법이다. This invention is a board | substrate processing method characterized by carrying in the said process container in the state in which the liquid for prevention of drying was raised.

본 발명은, 상기 건조 방지용의 액체는 가연성 또는 불연성이며, 이 액체가 부착된 기판을 반입하기 전에, 상기 처리 용기내에 불활성 가스를 공급하는 공정을 포함하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 방법이다. This invention is a substrate processing method characterized by including the process of supplying an inert gas into the said processing container, before the said liquid for drying prevention is flammable or nonflammable, and carrying in the board | substrate with this liquid.

본 발명은, 표면에 요철 패턴이 형성된 기판으로부터, 그 오목부내에 들어가, 상기 패턴을 덮도록 부착된 건조 방지용의 액체의 제거가 행해지는 처리 용기와, The present invention relates to a processing container in which a liquid for preventing drying, which enters into a recess and covers the pattern, is removed from a substrate having an uneven pattern formed on its surface;

이 처리 용기와 외부 사이에서 기판의 반입반출을 행하기 위한 반입반출부와, An import / export unit for carrying in / out of the substrate between the processing container and the outside;

상기 처리 용기내에 반입된 기판을 가열하기 위한 가열부와, A heating unit for heating the substrate carried in the processing container;

가압용의 기체 또는 고압 상태의 유체를 상기 처리 용기내에 공급하기 위한 가압 유체 공급 라인과, A pressurized fluid supply line for supplying a pressurized gas or a high pressure fluid into the processing container;

상기 처리 용기내의 유체를 배출하기 위한 배출 라인과, A discharge line for discharging the fluid in the processing container;

건조 방지용의 액체가 부착된 기판을 상기 처리 용기에 반입하고, 이어서, 기판을 가열하고, 상기 가압용의 기체 또는 고압 상태의 유체를 공급하여, 패턴 붕괴를 야기하는 정도까지 이 건조 방지용의 액체가 기화하기 전에 이 처리 용기내에 고압 분위기를 형성하며, 상기 패턴의 오목부내에 들어간 상태 그대로 건조 방지용의 액체를 고압 상태로 하고, 그 후, 상기 처리 용기내의 유체를 고압 상태 또는 기체 상태로 배출하도록 제어 신호를 출력하며, 상기 반입반출부, 상기 가열부, 상기 가압 유체 공급 라인, 상기 배출 라인을 제어하는 제어부를 구비한 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치이다. The substrate with the liquid for prevention of drying is brought into the processing container, and then the substrate is heated, the gas for pressure or the fluid under high pressure is supplied, and the liquid for prevention of drying to the extent that causes the pattern collapse. A high pressure atmosphere is formed in this processing container before vaporization, and the liquid for prevention of drying is put into a high pressure state as it is in the recessed part of the pattern, and thereafter, the fluid in the processing container is discharged in a high pressure state or a gas state. And a control unit for outputting a signal and controlling the carry-in / out unit, the heating unit, the pressurized fluid supply line, and the discharge line.

본 발명은, 상기 가열부는, 상기 처리 용기의 내부 분위기를 가열하는 것에 의해 기판을 가열하고, 상기 기판은, 예열된 처리 용기내에 반입되는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치이다. This invention heats a board | substrate by heating the internal atmosphere of the said processing container, The said board | substrate is a board | substrate processing apparatus characterized by the above-mentioned.

본 발명은, 상기 처리 용기내의 예열 온도가, 상기 건조 방지용의 액체의 임계 온도 이상인 것을 특징으로 하는 기판 처리 방법이다. This invention is the substrate processing method characterized by the preheating temperature in the said processing container being more than the critical temperature of the said liquid for drying prevention.

본 발명은, 상기 가압용의 기체 또는 고압 상태의 유체는, 상기 건조 방지용의 액체의 임계 압력 이상으로 가압된 상태로 상기 처리 용기에 공급되는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치이다. The present invention is the substrate processing apparatus, wherein the pressurized gas or the high-pressure fluid is supplied to the processing container in a pressurized state at or above a critical pressure of the liquid for preventing drying.

본 발명은, 상기 건조 방지용의 액체의 임계 압력 이상으로 가압되고, 상기 건조 방지용의 액체가 초임계 상태가 되었을 때에, 상기 가압용의 유체가 기체 상태인 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치이다. This invention is the substrate processing apparatus characterized by the pressurized fluid being gas state, when it pressurizes more than the threshold pressure of the said liquid for drying prevention, and the said liquid for drying prevention becomes a supercritical state.

본 발명은, 상기 건조 방지용의 액체의 임계 압력 이상으로 가압되고, 상기 건조 방지용의 액체가 초임계 상태가 되었을 때에, 상기 가압용의 유체가 고압 상태(초임계 상태 또는 아임계 상태)인 것을 특징으로 하는 기판 처리 방법이다. The present invention is characterized in that the pressurized fluid is in a high pressure state (supercritical state or subcritical state) when it is pressurized above the critical pressure of the liquid for drying prevention and the liquid for drying prevention becomes a supercritical state. It is a substrate processing method.

본 발명은, 상기 처리 용기에는, 건조 방지용의 액체가 융기된 상태의 기판이 반입되는 것을 특징으로 하는 기판 처리 방법이다. This invention is a substrate processing method characterized by carrying in the board | substrate of the state in which the liquid for prevention of drying was raised to the said processing container.

본 발명은, 상기 건조 방지용의 액체가 가연성 또는 불연성이며, 이 액체가 부착된 기판을 반입하기 전에, 상기 처리 용기내에 불활성 가스가 공급되는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치이다. The present invention is a substrate processing apparatus, wherein the liquid for preventing drying is flammable or nonflammable, and an inert gas is supplied into the processing container before carrying in the substrate with the liquid attached thereto.

본 발명은, 표면에 요철 패턴이 형성된 기판으로부터, 그 오목부내에 들어가, 상기 패턴을 덮도록 부착된 건조 방지용의 액체를 제거하는 기판 처리 장치에 이용되는 컴퓨터 프로그램을 저장한 기억 매체로서, The present invention provides a storage medium for storing a computer program for use in a substrate processing apparatus for removing a liquid for preventing drying adhering into a recess and covering the pattern from a substrate having an uneven pattern formed on its surface.

상기 프로그램은 상기 기재의 기판 처리 방법을 실행하기 위해 스텝이 짜여져 있는 것을 특징으로 하는 기억 매체이다. The program is a storage medium characterized in that steps are arranged to execute the substrate processing method described above.

본 발명은, 표면에 요철 패턴이 형성되고, 그 오목부내에 들어가도록 상기 패턴을 덮는 건조 방지용의 액체가 부착된 기판을 처리 용기내에 반입하는 공정과, The present invention is a step of bringing into the processing container a substrate with an anti-drying liquid that covers the pattern so that the concave-convex pattern is formed on the surface and enters the concave portion;

상기 기판상의 건조 방지용의 액체의 온도-압력 상태가, 상기 건조 방지용의 액체의 증기압 곡선 또는 이 증기압 곡선보다 액상측의 영역을 통하여 변화하고, 초임계 상태 또는 아임계 상태인 고압 상태에 도달하도록, 이 처리 용기내를 가압하면서 기판을 가열하며, 상기 패턴의 오목부내에 들어간 상태 그대로 상기 건조 방지용의 액체를 고압 상태로 하는 공정과, So that the temperature-pressure state of the anti-drying liquid on the substrate changes through the vapor pressure curve of the liquid for drying prevention or the region on the liquid side side than the vapor pressure curve, and reaches a high-pressure state that is a supercritical state or a subcritical state, Heating the substrate while pressurizing the inside of the processing container, and putting the drying preventing liquid into a high pressure state as it is in the recess of the pattern;

그 후, 상기 처리 용기내의 유체를 고압 상태 또는 기체 상태로 배출하는 공정을 포함하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 방법이다. Then, the substrate processing method characterized by including the process of discharging the fluid in the said processing container to a high pressure state or a gaseous state.

본 발명은, 상기 처리 용기내의 가압은, 이 처리 용기에 가압용의 기체 또는 고압 상태의 유체를 공급하는 것에 의해 행해지는 것을 특징으로 하는 기판 처리 방법이다. This invention is pressurization in the said processing container is a substrate processing method characterized by supplying the gas for pressurization or the fluid of a high pressure state to this processing container.

본 발명은, 상기 건조 방지용의 액체의 임계 압력 이상으로 가압되고, 상기 건조 방지용의 액체가 초임계 상태가 되었을 때에, 상기 가압용의 유체가 기체 상태인 것을 특징으로 하는 기판 처리 방법이다. The present invention is a substrate processing method characterized in that the pressurized fluid is in a gaseous state when it is pressurized above the critical pressure of the liquid for drying prevention and the liquid for drying prevention becomes a supercritical state.

본 발명은, 상기 건조 방지용의 액체의 임계 압력 이상으로 가압되고, 상기 건조 방지용의 액체가 초임계 상태가 되었을 때에, 상기 가압용의 유체가 고압 상태(초임계 상태 또는 아임계 상태)인 것을 특징으로 하는 기판 처리 방법이다. The present invention is characterized in that the pressurized fluid is in a high pressure state (supercritical state or subcritical state) when it is pressurized above the critical pressure of the liquid for drying prevention and the liquid for drying prevention becomes a supercritical state. It is a substrate processing method.

본 발명은, 상기 처리 용기내에서, 기판은 건조 방지용의 액체에 침지된 상태로 가열되는 것을 특징으로 하는 기판 처리 방법이다. This invention is a substrate processing method in the said processing container in which the board | substrate is heated in the state immersed in the liquid for prevention of drying.

본 발명은, 기판은, 건조 방지용의 액체가 융기된 상태로 상기 처리 용기에 반입되는 것을 특징으로 하는 기판 처리 방법이다. This invention is a board | substrate processing method characterized by carrying in a board | substrate to the said processing container in the state which the liquid for drying prevention protruded.

본 발명은, 상기 건조 방지용의 액체가 가연성 또는 불연성이고, 이 액체가 부착된 기판을 반입하기 전에, 상기 처리 용기내에 불활성 가스를 공급하는 공정을 포함하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 방법이다. The present invention is a substrate treating method comprising a step of supplying an inert gas into the processing container before the liquid for preventing drying is flammable or nonflammable and carrying in the substrate with the liquid attached thereto.

본 발명은, 표면에 요철 패턴이 형성된 기판으로부터, 그 오목부내에 들어가, 상기 패턴을 덮도록 부착된 건조 방지용의 액체가 제거되는 처리 용기와, The present invention provides a processing container in which a liquid for preventing drying, which enters into the recess and is attached to cover the pattern, is removed from a substrate having an uneven pattern formed on a surface thereof;

이 처리 용기와 외부 사이에서 기판의 반입반출을 행하기 위한 반입반출부와, An import / export unit for carrying in / out of the substrate between the processing container and the outside;

상기 처리 용기의 내부를 가압하기 위한 가압부와, A pressurizing unit for pressurizing the inside of the processing container;

상기 처리 용기내의 기판을 가열하기 위한 가열부와, A heating unit for heating the substrate in the processing container;

상기 처리 용기내의 유체를 배출하기 위한 배출 라인과, A discharge line for discharging the fluid in the processing container;

건조 방지용의 액체가 부착된 기판을 상기 처리 용기에 반입하고, 이어서, 상기 기판상의 건조 방지용의 액체의 온도-압력 상태가, 상기 건조 방지용의 액체의 증기압 곡선 또는 이 증기압 곡선보다 액상측의 영역을 통해 변화하며, 초임계 상태 또는 아임계 상태인 고압 상태에 도달하도록, 상기 처리 용기내를 가압하면서 기판을 가열하고, 상기 패턴의 오목부내에 들어간 상태 그대로 상기 건조 방지용의 액체를 고압 상태로 하며, 그 후, 상기 처리 용기내의 유체를 고압 상태 또는 기체 상태로 배출하도록 제어 신호를 출력하고, 상기 반입반출부, 상기 가압부, 상기 가열부, 상기 배출 라인을 제어하는 제어부를 구비한 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치이다. The substrate with the liquid for prevention of drying is brought into the processing container, and then the temperature-pressure state of the liquid for prevention of drying on the substrate is determined by the vapor pressure curve of the liquid for prevention of drying or the region on the liquid side side of the vapor pressure curve. The substrate is heated while pressurizing the inside of the processing container to reach a high pressure state which is a supercritical state or a subcritical state, and the liquid for preventing drying is placed at a high pressure state as it enters into the recess of the pattern, Thereafter, a control signal is output so as to discharge the fluid in the processing container in a high pressure state or a gas state, and a control unit for controlling the carry-in / out unit, the pressurizing unit, the heating unit, and the discharge line is provided. It is a substrate processing apparatus.

본 발명은, 상기 가압부는, 가압용의 기체 또는 고압 상태의 유체를 공급하는 것에 의해 상기 처리 용기내를 가압하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치이다. The present invention is a substrate processing apparatus, wherein the pressurizing portion pressurizes the inside of the processing container by supplying a gas for pressurization or a fluid in a high pressure state.

본 발명은, 상기 건조 방지용의 액체의 임계 압력 이상으로 가압되고, 상기 건조 방지용의 액체가 초임계 상태가 되었을 때에, 상기 가압용의 유체가 기체 상태인 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치이다. This invention is the substrate processing apparatus characterized by the pressurized fluid being gas state, when it pressurizes more than the threshold pressure of the said liquid for drying prevention, and the said liquid for drying prevention becomes a supercritical state.

본 발명은, 상기 건조 방지용의 액체의 임계 압력 이상으로 가압되고, 상기 건조 방지용의 액체가 초임계 상태가 되었을 때에, 상기 가압용의 유체가 고압 상태(초임계 상태 또는 아임계 상태)인 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치이다. The present invention is characterized in that the pressurized fluid is in a high pressure state (supercritical state or subcritical state) when it is pressurized above the critical pressure of the liquid for drying prevention and the liquid for drying prevention becomes a supercritical state. It is a substrate processing apparatus.

본 발명은, 상기 처리 용기내에서, 기판은 건조 방지용의 액체에 침지된 상태로 가열되는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치이다. The present invention is the substrate treating apparatus, wherein the substrate is heated in a state of being immersed in a liquid for preventing drying.

본 발명은, 기판은, 건조 방지용의 액체가 융기된 상태로 상기 처리 용기에 반입되는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치이다. This invention is a board | substrate processing apparatus characterized by carrying in a board | substrate to the said processing container in the state which the liquid for drying prevention protruded.

본 발명은, 상기 건조 방지용의 액체가 가연성 또는 불연성이며, 이 액체가 부착된 기판을 반입하기 전에, 상기 처리 용기내에 불활성 가스가 공급되는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치이다. The present invention is a substrate processing apparatus, wherein the liquid for preventing drying is flammable or nonflammable, and an inert gas is supplied into the processing container before carrying in the substrate with the liquid attached thereto.

본 발명은, 표면에 요철 패턴이 형성된 기판으로부터, 그 오목부내에 들어가, 상기 패턴을 덮도록 부착된 건조 방지용의 액체를 제거하는 기판 처리 장치에 이용되는 컴퓨터 프로그램을 저장한 기억 매체로서, The present invention provides a storage medium for storing a computer program for use in a substrate processing apparatus for removing a liquid for preventing drying adhering into a recess and covering the pattern from a substrate having an uneven pattern formed on its surface.

상기 프로그램은 상기 기재의 기판 처리 방법을 실행하기 위해 스텝이 짜여져 있는 것을 특징으로 하는 기억 매체이다. The program is a storage medium characterized in that steps are arranged to execute the substrate processing method described above.

본 발명은, 가압용의 기체 또는 고압 상태(초임계 상태 또는 아임계 상태)의 유체를 처리 용기내에 공급하여 고압 분위기를 형성하면서, 건조 방지용의 액체가 부착된 기판을 가열하고, 요철 패턴의 오목부내에 들어간 상태 그대로 상기 액체를 고압 상태의 유체로 변화시킨다. 이것에 의해, 패턴 붕괴의 발생을 억제하면서 비교적 짧은 시간에 기판에 부착된 액체를 제거할 수 있다. The present invention provides a high pressure atmosphere by supplying a gas for pressurization or a fluid in a high pressure state (supercritical state or subcritical state) to form a high pressure atmosphere, while heating the substrate to which the liquid for drying prevention is adhered, and concave-convex pattern The liquid is changed to a high pressure fluid as it is in the container. Thereby, the liquid adhering to the board | substrate can be removed in a comparatively short time, suppressing generation | occurrence | production of a pattern collapse.

본 발명은, 처리 용기내의 온도-압력 상태가, 기판에 부착된 건조 방지용의 액체의 증기압 곡선보다 액상측의 영역을 통하거나, 또는 이 증기압 곡선상을 통해 변화하고, 초임계 상태 또는 아임계 상태인 고압 상태에 도달하도록, 처리 용기내를 가압하면서 기판을 가열한다. 이것에 의해, 이 액체의 비등을 피하면서, 상기 패턴의 오목부내에 들어간 상태 그대로, 이 액체를 고압 상태의 유체로 변화시킬 수 있기 때문에, 패턴 붕괴의 발생을 억제하면서 기판에 부착된 액체를 제거할 수 있다. In the present invention, the temperature-pressure state in the processing vessel changes through the region on the liquid side than the vapor pressure curve of the anti-drying liquid attached to the substrate, or changes through the vapor pressure curve, and is in a supercritical state or a subcritical state. The substrate is heated while pressurizing the inside of the processing vessel to reach a high pressure state. As a result, the liquid can be changed to a high-pressure fluid as it is in the recess of the pattern while avoiding boiling of the liquid, so that the liquid attached to the substrate is removed while suppressing the occurrence of pattern collapse. can do.

도 1은 제1 실시형태에 관한 세정 처리 시스템의 횡단 평면도이다.
도 2는 상기 세정 처리 시스템의 외관 사시도이다.
도 3은 상기 세정 처리 시스템에 설치되어 있는 세정 장치의 종단 측면도이다.
도 4는 실시형태에 관한 초임계 처리 장치의 구성도이다.
도 5는 상기 초임계 처리 장치의 처리 용기의 외관 사시도이다.
도 6은 상기 초임계 처리 장치의 작용을 도시하는 제1 설명도이다.
도 7은 상기 초임계 처리 장치의 작용을 도시하는 제2 설명도이다.
도 8은 상기 초임계 처리 장치의 작용을 도시하는 제3 설명도이다.
도 9는 상기 초임계 처리 장치의 작용을 도시하는 제4 설명도이다.
도 10은 상기 초임계 처리 장치내의 웨이퍼의 처리 상태를 도시하는 제1 모식도이다.
도 11은 상기 웨이퍼의 처리 상태를 도시하는 제2 모식도이다.
도 12는 상기 웨이퍼의 처리 상태를 도시하는 제3 모식도이다.
도 13은 상기 웨이퍼의 처리 상태를 도시하는 제4 모식도이다.
도 14는 웨이퍼상의 린스액을 액체 상태 CO2, 초임계 상태의 CO2, 기체 상태의 CO2와 혼합한 경우의 웨이퍼상에 잔류하는 파티클 수를 도시하는 그래프이다.
도 15는 제2 실시형태에 관한 초임계 처리 장치의 구성도이다.
도 16은 상기 초임계 처리 장치의 처리 용기의 외관 사시도이다.
도 17은 상기 초임계 처리 장치의 작용을 도시하는 제1 설명도이다.
도 18은 상기 초임계 처리 장치의 작용을 도시하는 제2 설명도이다.
도 19는 상기 초임계 처리 장치의 작용을 도시하는 제3 설명도이다.
도 20은 상기 초임계 처리 장치의 작용을 도시하는 제4 설명도이다.
도 21은 상기 초임계 처리 장치의 처리 용기내의 온도-압력 상태를 도시하는 설명도이다.
도 22는 다른 실시형태에 관한 초임계 처리 장치의 구성도이다.
도 23은 상기 다른 초임계 처리 장치의 처리 용기내에서의 웨이퍼의 온도 변화를 도시하는 설명도이다.
도 24는 상기 다른 초임계 처리 장치의 처리 용기내의 온도-압력 상태를 도시하는 설명도이다.
도 25는 상기 다른 초임계 처리 장치에서의 웨이퍼의 처리 상태를 도시하는 제1 설명도이다.
도 26은 상기 웨이퍼의 처리 상태를 도시하는 제2 설명도이다.
도 27은 상기 웨이퍼의 처리 상태를 도시하는 제3 설명도이다.
도 28은 상기 웨이퍼의 처리 상태를 도시하는 제4 설명도이다. 1 is a cross-sectional plan view of a cleaning processing system according to a first embodiment.
2 is an external perspective view of the cleaning treatment system.
3 is a longitudinal side view of the cleaning apparatus provided in the cleaning processing system.
4 is a configuration diagram of a supercritical processing device according to the embodiment.
5 is an external perspective view of a processing container of the supercritical processing device.
6 is a first explanatory diagram showing the action of the supercritical processing device.
7 is a second explanatory diagram showing the action of the supercritical processing device.
8 is a third explanatory diagram showing the action of the supercritical processing device.
9 is a fourth explanatory diagram showing the action of the supercritical processing device.
FIG. 10 is a first schematic diagram showing a processing state of a wafer in the supercritical processing device. FIG.
11 is a second schematic diagram illustrating a processing state of the wafer.
12 is a third schematic diagram illustrating a processing state of the wafer.
It is a 4th schematic diagram which shows the processing state of the said wafer.
FIG. 14 is a graph showing the number of particles remaining on a wafer when the rinse liquid on the wafer is mixed with the liquid CO 2 , the supercritical CO 2 , and the gaseous CO 2 .
It is a block diagram of the supercritical processing apparatus which concerns on 2nd Embodiment.
It is an external appearance perspective view of the processing container of the said supercritical processing apparatus.
17 is a first explanatory diagram showing the action of the supercritical processing device.
18 is a second explanatory diagram showing the action of the supercritical processing device.
19 is a third explanatory diagram showing the action of the supercritical processing device.
20 is a fourth explanatory diagram showing the action of the supercritical processing device.
It is explanatory drawing which shows the temperature-pressure state in the processing container of the said supercritical processing apparatus.
22 is a configuration diagram of a supercritical processing device according to another embodiment.
It is explanatory drawing which shows the temperature change of the wafer in the processing container of the said other supercritical processing apparatus.
It is explanatory drawing which shows the temperature-pressure state in the processing container of the said other supercritical processing apparatus.
FIG. 25 is a first explanatory diagram showing a processing state of a wafer in the another supercritical processing device. FIG.
It is a 2nd explanatory drawing which shows the process state of the said wafer.
27 is a third explanatory diagram showing a process state of the wafer.
28 is a fourth explanatory diagram showing a process state of the wafer.

제1 실시형태First Embodiment

본 발명의 제1 실시형태에 대해서 도 1 내지 도 14에 의해 설명한다. EMBODIMENT OF THE INVENTION The 1st Embodiment of this invention is described with reference to FIGS.

본 발명의 기판 처리 장치를 구비한 기판 처리 시스템의 일례로서, 피처리 기판인 웨이퍼(W)에 세정액을 공급하여 세정 처리를 행하는 세정 장치(2)와, 세정 처리 후의 웨이퍼(W)에 부착되어 있는 건조 방지용의 액체를 초임계 상태(고압 상태)로 하여 제거하는 초임계 처리 장치(3)를 구비한 세정 처리 시스템(1)에 대해서 설명한다. As an example of the substrate processing system provided with the substrate processing apparatus of this invention, it attaches to the washing | cleaning apparatus 2 which supplies a washing | cleaning liquid to the wafer W which is a to-be-processed substrate, and performs a cleaning process, and the wafer W after a cleaning process, The cleaning processing system 1 provided with the supercritical processing apparatus 3 which removes the drying prevention liquid in a supercritical state (high pressure state) is demonstrated.

도 1은 세정 처리 시스템(1)의 전체 구성을 도시하는 횡단 평면도, 도 2는 그 외관 사시도이며, 이들 도면을 향해 좌측을 전방으로 한다. 세정 처리 시스템(1)에서는, 배치부(11)에 FOUP(100)가 배치되고, 이 FOUP(100)에 수납된, 예컨대 직경 300 ㎜의 복수매의 웨이퍼(W)가, 반입반출부(12) 및 전달부(13)를 통해 후단의 세정 처리부(14), 초임계 처리부(15) 사이에서 전달되어, 세정 장치(2), 초임계 처리 장치(3)내에 순서대로 반입되어 세정 처리나 건조 방지용의 액체를 제거하는 처리가 행해진다. 도면 중, 121은 FOUP(100)와 전달부(13) 사이에서 웨이퍼(W)를 반송하는 제1 반송 기구, 131은 반입반출부(12)와 세정 처리부(14), 초임계 처리부(15) 사이에서 반송되는 웨이퍼(W)가 일시적으로 배치되는 버퍼로서의 역할을 다하는 전달 선반이다. 1 is a cross-sectional plan view showing the overall configuration of the cleaning processing system 1, and FIG. 2 is an external perspective view thereof, with the left side facing forward toward these drawings. In the cleaning processing system 1, the FOUP 100 is disposed in the placement unit 11, and a plurality of wafers W having a diameter of 300 mm, which is accommodated in the FOUP 100, for example, is carried in and out of the carry-out unit 12. And the transfer unit 13 are transferred between the rear processing unit 14 and the supercritical processing unit 15, and are carried in the cleaning apparatus 2 and the supercritical processing unit 3 in order to be washed or dried. The process of removing the liquid for prevention is performed. In the figure, 121 is a 1st conveyance mechanism which conveys the wafer W between the FOUP 100 and the delivery part 13, 131 is the carry-in / out part 12, the washing | cleaning process part 14, and the supercritical process part 15 It is a transfer shelf which serves as a buffer in which the wafers W conveyed between are temporarily arranged.

세정 처리부(14) 및 초임계 처리부(15)는, 전달부(13)와의 사이의 개구부로부터 전후 방향을 향해 연장하는 웨이퍼 반송로(162)를 따라 전방으로부터 이 순번으로 설치되어 있다. 세정 처리부(14)에는, 이 웨이퍼 반송로(162)를 사이에 두고 세정 장치(2)가 1대씩 배치되어 있는 한편, 초임계 처리부(15)에는, 본 실시형태의 기판 처리 장치인 초임계 처리 장치(3)가, 웨이퍼 반송로(162)를 사이에 두고 3대씩, 합계 6대 배치되어 있다. The cleaning processing part 14 and the supercritical processing part 15 are provided in this order from the front along the wafer conveyance path 162 which extends toward the front-back direction from the opening part with the delivery part 13. In the cleaning processing unit 14, the cleaning apparatuses 2 are arranged one by one with the wafer transfer path 162 interposed therebetween, while the supercritical processing unit 15 is a supercritical processing which is the substrate processing apparatus of the present embodiment. The apparatus 3 is arrange | positioned in total of six pieces by three with the wafer conveyance path 162 interposed.

웨이퍼(W)는, 웨이퍼 반송로(162)에 배치된 제2 반송 기구(161)에 의해 이들 각 세정 장치(2), 초임계 처리 장치(3) 및 전달부(13) 사이를 반송된다. 여기서 세정 처리부(14)나 초임계 처리부(15)에 배치되는 세정 장치(2)나 초임계 처리 장치(3)의 개수는, 단위 시간당의 웨이퍼(W)의 처리 매수나, 세정 장치(2), 초임계 처리 장치(3)에서의 처리 시간의 차이 등에 의해 적절하게 선택되고, 이들 세정 장치(2)나 초임계 처리 장치(3)의 배치 수 등에 따라 최적의 레이아웃이 선택된다. The wafer W is conveyed between these cleaning apparatuses 2, the supercritical processing apparatus 3, and the delivery unit 13 by the second transfer mechanism 161 arranged on the wafer transfer path 162. Here, the number of the cleaning apparatus 2 and the supercritical processing apparatus 3 arranged in the cleaning processing unit 14 or the supercritical processing unit 15 is the number of sheets of wafer W per unit time or the cleaning apparatus 2. And appropriately selected by the difference in the processing time in the supercritical processing apparatus 3, and the optimum layout is selected according to the number of arrangements of the cleaning apparatus 2 and the supercritical processing apparatus 3, and the like.

세정 장치(2)는, 예컨대 스핀 세정에 의해 웨이퍼(W)를 1장씩 세정하는 매엽식의 세정 장치(2)로서 구성되고, 예컨대 도 3의 종단 측면도에 도시하는 바와 같이, 처리 공간을 형성하는 외측 챔버(21)내에 배치된 웨이퍼 유지 기구(23)로써 웨이퍼(W)를 대략 수평으로 유지하며, 이 웨이퍼 유지 기구(23)를 연직축 둘레로 회전시키는 것에 의해 웨이퍼(W)를 회전시킨다. 그리고 회전하는 웨이퍼(W)의 위쪽에 노즐 아암(24)을 진입시키고, 그 선단부에 설치된 약액 노즐(241)로부터 약액 및 린스액을 미리 정해진 순으로 공급하는 것에 의해, 웨이퍼의 면의 세정 처리가 행해진다. 또한, 웨이퍼 유지 기구(23)의 내부에도 약액 공급로(231)가 형성되어 있고, 여기에서 공급된 약액 및 린스액에 의해 웨이퍼(W)의 이면 세정이 행해진다. The cleaning device 2 is configured as a single wafer type cleaning device 2 that cleans the wafer W one by one, for example, by spin cleaning, and forms a processing space, for example, as shown in the longitudinal side view of FIG. The wafer W is held approximately horizontal by the wafer holding mechanism 23 disposed in the outer chamber 21, and the wafer W is rotated by rotating the wafer holding mechanism 23 around the vertical axis. Then, the nozzle arm 24 enters the upper side of the rotating wafer W, and the chemical liquid and the rinse liquid are supplied in a predetermined order from the chemical liquid nozzle 241 provided at the distal end thereof, thereby cleaning the surface of the wafer. Is done. In addition, a chemical liquid supply path 231 is formed inside the wafer holding mechanism 23, and the back surface of the wafer W is cleaned by the chemical liquid and the rinse liquid supplied therein.

세정 처리는, 예컨대 알칼리성의 약액인 SC1액(암모니아와 과산화수소수의 혼합액)에 의한 파티클이나 유기성의 오염 물질의 제거→린스액인 탈이온수(DeIonized Water: DIW)에 의한 린스 세정→산성 약액인 희불산 수용액[이하, DHF(Diluted HydroFluoric acid)]에 의한 자연 산화막의 제거→DIW에 의한 린스 세정이 행해진다. 이들의 약액은 외측 챔버(21)내에 배치된 내측 컵(22)이나 외측 챔버(21)에 수용되고, 배액구(221, 211)로부터 배출된다. 또한 외측 챔버(21)내의 분위기는 배기구(212)로부터 배기되어 있다. The washing treatment is, for example, removal of particles or organic contaminants by SC1 liquid (a mixture of ammonia and hydrogen peroxide water), which is an alkaline chemical liquid, followed by rinse washing → acidic chemical liquid by deionized water (DIW), which is a rinse liquid. Removal of the native oxide film by hydrofluoric acid aqueous solution (hereinafter referred to as DHF (Diluted HydroFluoric acid)) is performed by rinse cleaning by DIW. These chemical liquids are accommodated in the inner cup 22 and the outer chamber 21 disposed in the outer chamber 21 and are discharged from the drainage ports 221 and 211. In addition, the atmosphere in the outer chamber 21 is exhausted from the exhaust port 212.

약액에 의한 세정 처리를 마쳤다면, 웨이퍼 유지 기구(23)의 회전을 정지한 후, 이 표면에 건조 방지용의 IPA(IsoPropyl Alcohol)를 공급하여, 웨이퍼(W)의 표면 및 이면에 잔존하고 있는 DIW와 치환한다. 이렇게 하여 세정 처리를 마친 후 웨이퍼(W)는, 그 표면에 IPA가 융기된 상태[웨이퍼(W) 표면에 IPA의 액막이 형성된 상태] 그대로, 예컨대 웨이퍼 유지 기구(23)에 설치된 도시하지 않는 전달 기구에 의해 제2 반송 기구(161)에 전달되고, 세정 장치(2)로부터 반출된다. When the cleaning process with the chemical liquid is finished, the rotation of the wafer holding mechanism 23 is stopped, and then IPA (IsoPropyl Alcohol) for drying prevention is supplied to this surface, and the DIW remaining on the front and rear surfaces of the wafer W is retained. Replace with. In this way, after the cleaning process is completed, the wafer W is provided with an IPA raised on its surface (a state in which a liquid film of IPA is formed on the surface of the wafer W), for example, a transfer mechanism not shown provided in the wafer holding mechanism 23. It transfers to the 2nd conveyance mechanism 161 by this, and is carried out from the washing | cleaning apparatus 2.

세정 장치(2)에서 웨이퍼(W) 표면에 융기된 IPA는, 세정 장치(2)로부터 초임계 처리 장치(3)에의 웨이퍼(W)의 반송중이나, 초임계 처리 장치(3)에의 반입 동작중에 이 IPA가 증발(기화)하는 것에 의해 패턴 붕괴가 발생하는 것을 막는 건조 방지용의 액체로서의 역할을 다하고 있다. The IPA raised on the surface of the wafer W in the cleaning apparatus 2 is during the conveyance of the wafer W from the cleaning apparatus 2 to the supercritical processing apparatus 3 or during the carrying-in operation to the supercritical processing apparatus 3. This IPA evaporates (vaporizes) and plays a role as a liquid for drying prevention that prevents pattern collapse from occurring.

세정 장치(2)에서의 세정 처리를 마치고, 표면에 건조 방지용의 IPA가 융기된 웨이퍼(W)는, 초임계 처리 장치(3)에 반송되고, 이 IPA를 고압 상태로 하여 제거하고, 웨이퍼(W)를 건조하는 처리가 행해진다. 이하, 본 실시형태에 따른 초임계 처리 장치(3)의 구성에 대해서 도 4, 도 5를 참조하면서 설명한다. 초임계 처리 장치(3)는, 웨이퍼(W) 표면에 부착된 건조 방지용의 액체인 IPA를 제거하는 처리가 행해지는 처리 용기(31)와, 이 처리 용기(31)에 가압 유체를 공급하는 가압 유체 탱크(35)와, 승압 펌프(36)를 통해 가압 유체 탱크(35)에 가압 유체의 원료인 이산화탄소 가스(CO2)를 공급하는 CO2 공급부(37)를 구비하고 있다. After the cleaning treatment in the cleaning apparatus 2, the wafer W on which the IPA for drying prevention is raised on the surface is conveyed to the supercritical processing apparatus 3, and the IPA is removed at a high pressure and the wafer ( The process of drying W) is performed. Hereinafter, the structure of the supercritical processing apparatus 3 which concerns on this embodiment is demonstrated, referring FIGS. 4 and 5. FIG. The supercritical processing apparatus 3 is a processing container 31 in which a process for removing IPA, which is a liquid for drying prevention adhered to the surface of the wafer W, is performed, and a pressurization for supplying a pressurized fluid to the processing container 31. and a fluid tank 35, and a booster pump 36, a CO 2 supply unit 37 for supplying a pressurized fluid tank 35, a carbon dioxide gas (CO 2) the raw materials of the pressurized fluid through the.

도 5에 도시하는 바와 같이 처리 용기(31)는, 웨이퍼(W)의 반입반출용의 개구부(312)가 형성된 하우징형의 용기 본체(311)와, 처리 대상의 웨이퍼(W)를 횡방향으로 유지하는 유지판(331)과, 이 유지판(331)을 지지하고, 웨이퍼(W)를 용기 본체(311)내에 반입했을 때 상기 개구부(312)를 밀폐하는 덮개 부재(332)를 구비하고 있다. As shown in FIG. 5, the processing container 31 has a housing-shaped container body 311 in which an opening 312 for carrying in and out of the wafer W is formed, and the wafer W to be processed in the transverse direction. The holding plate 331 to hold | maintain, and the cover member 332 which supports this holding plate 331 and seals the said opening part 312 when the wafer W is carried in into the container main body 311 are provided. .

용기 본체(311)는, 예컨대 직경 300 ㎜의 웨이퍼(W)를 수용할 수 있는 200 ㎤ 내지 10000 ㎤정도의 처리 공간이 형성된 용기이고, 그 벽부에는, 처리 용기(31)내에 가압 유체를 공급하기 위한 가압 유체 공급 라인(351)과, 처리 용기(31)내의 유체를 배출하기 위한 배출 라인(341)이 접속되어 있다. 또한, 처리 용기(31)에는 처리 공간내에 공급된 고압 상태의 처리 유체로부터 받는 내압에 대항하여, 용기 본체(311)를 향해 덮개 부재(332)를 압박하여, 처리 공간을 밀폐하기 위한 도시하지 않는 압박 기구가 설치되어 있다. The container body 311 is, for example, a container in which a processing space of about 200 cm 3 to 10000 cm 3 is formed that can accommodate a wafer W having a diameter of 300 mm, and supplies a pressurized fluid into the processing container 31 to the wall portion thereof. A pressurized fluid supply line 351 for connection and a discharge line 341 for discharging the fluid in the processing container 31 are connected. Moreover, the processing container 31 presses the cover member 332 toward the container main body 311 against the internal pressure received from the processing fluid of the high pressure state supplied in the processing space, and is not shown in order to seal the processing space. A compression mechanism is installed.

용기 본체(311)에는, 예컨대 저항 발열체 등을 포함하는 가열부인 히터(322)가 설치되어 있어, 용기 본체(311)를 가열하는 것에 의해, 처리 용기(31)내의 웨이퍼(W)의 온도를 미리 설정된 온도로 가열할 수 있다. 히터(322)는, 급전부(321)로부터 공급되는 전력에 의해, 발열량을 변화시킬 수 있고, 도시하지 않는 온도 검출부로부터 취득한 온도 검출 결과에 기초하여, 처리 용기(31)내의 온도를 IPA의 임계 온도(235℃)보다 높은, 예컨대 250℃로 조절한다. The container main body 311 is provided with the heater 322 which is a heating part containing a resistive heating element etc., for example, and heats the container main body 311, and measures the temperature of the wafer W in the processing container 31 beforehand. Can be heated to a set temperature. The heater 322 can change the amount of heat generated by the power supplied from the power supply unit 321, and based on the temperature detection result obtained from a temperature detection unit (not shown), the heater 322 sets the temperature in the processing container 31 to the threshold of IPA. Adjust to higher than temperature (235 ° C), for example 250 ° C.

처리 용기(31)에 접속된 가압 유체 공급 라인(351)은, 처리 용기(31)에의 가압유체의 공급, 정지에 맞춰 개폐하는 개폐 밸브(352)를 통해 가압 유체 탱크(35)에 접속되어 있다. 가압 유체 탱크(35)내의 CO2는, 250℃로 가열된 처리 용기(31)내의 분위기를 IPA의 증기압 이상으로 가압함으로써, IPA의 기화를 막고 패턴 붕괴의 발생을 방지하는 역할을 다한다. 가압 유체 탱크(35)는, 내부의 CO2를 임계 온도 이상으로 유지하는 히터를 설치하거나, 보온재로 덮거나 해도 좋다. The pressurized fluid supply line 351 connected to the processing container 31 is connected to the pressurized fluid tank 35 via an opening / closing valve 352 that opens and closes in accordance with the supply and stop of the pressurized fluid to the processing container 31. . The CO 2 in the pressurized fluid tank 35 plays a role of preventing vaporization of the IPA and occurrence of pattern collapse by pressurizing the atmosphere in the processing vessel 31 heated to 250 ° C. or higher above the vapor pressure of the IPA. The pressurized fluid tank 35 may be provided with a heater that maintains the internal CO 2 at a critical temperature or higher, or may be covered with a heat insulating material.

승압 펌프(36)는, CO2 공급부(37)내에, 예컨대 액체의 상태로 유지되어 있는 CO2를 단열 압축하여, 초임계 상태로서 가압 유체 탱크(35)에 보내는 역할을 다하고, 예컨대 시린지 펌프나 다이어프램 펌프 등이 채용된다. 도 4중, 361은 승압 펌프(36)의 토출 라인, 371은 CO2 공급부(37)로부터 승압 펌프(36)에 CO2를 공급하는 CO2 공급 라인, 372은 그 개폐 밸브이다. The boost pump 36 is CO 2 In the supply part 37, for example, CO 2 held in a liquid state is adiabaticly compressed, and serves as a supercritical state to the pressurized fluid tank 35. For example, a syringe pump, a diaphragm pump, or the like is employed. In FIG. 4, 361 is a discharge line of the boost pump 36, 371 is a CO 2 supply line for supplying CO 2 to the boost pump 36 from the CO 2 supply portion 37, and 372 is an open / close valve thereof.

이상에 설명한 구성을 구비한 세정 처리 시스템(1)이나 세정 장치(2), 초임계 처리 장치(3)는 도 1, 도 4에 도시하는 바와 같이 제어부(4)에 접속되어 있다. 제어부(4)는 도시하지 않는 CPU와 기억부를 구비한 컴퓨터를 포함하고, 기억부에는 이들 세정 처리 시스템(1)이나 세정 장치(2), 초임계 처리 장치(3)의 작용, 즉 FOUP(100)로부터 웨이퍼(W)를 취출하여 세정 장치(2)로써 세정 처리를 행하고, 이어서 초임계 처리 장치(3)로써 웨이퍼(W)를 건조하는 처리를 행한 후 FOUP(100)내에 웨이퍼(W)를 반입할 때까지의 동작에 관계되는 제어에 대한 스텝(명령)군이 짜여진 프로그램이 기록되어 있다. 이 프로그램은, 예컨대 하드디스크, 콤팩트 디스크, 마그넷 광디스크, 메모리 카드 등의 기억 매체(4a)에 저장되고, 거기에서 컴퓨터에 인스톨된다. The cleaning processing system 1, the cleaning device 2, and the supercritical processing device 3 having the above-described configuration are connected to the control unit 4 as shown in FIGS. 1 and 4. The control unit 4 includes a computer having a CPU (not shown) and a storage unit, and the storage unit has an action of the cleaning processing system 1, the cleaning unit 2, and the supercritical processing unit 3, that is, the FOUP 100. ), The wafer W is taken out, and the cleaning process is performed by the cleaning apparatus 2, and then the wafer W is dried by the supercritical processing apparatus 3, and then the wafer W is placed in the FOUP 100. A program in which a group of steps (command) for control related to the operation until import is written is recorded. This program is stored in a storage medium 4a such as a hard disk, a compact disk, a magnet optical disk, a memory card, or the like, and is installed in the computer therefrom.

특히 초임계 처리 장치(3)에 대해서 제어부(4)는, 처리 용기(31)에 반입된 웨이퍼(W)에 융기되어 있는 IPA[임계 온도 235℃, 임계 압력 4.8 MPa(절대압)]가 기화하여 패턴 붕괴를 야기하기 전에, 이 처리 용기(31)에 가압용의 유체인 초임계 상태의 CO2를 공급하여, 웨이퍼(W)상의 IPA를 직접, 초임계 상태(고압 상태)로 변화시키도록 제어 신호를 출력한다. In particular, with respect to the supercritical processing apparatus 3, the control unit 4 vaporizes IPA (critical temperature 235 ° C., critical pressure of 4.8 MPa (absolute pressure)) raised on the wafer W carried in the processing vessel 31. Before causing the pattern collapse, the processing vessel 31 is supplied with CO 2 in a supercritical state, which is a pressurizing fluid, so as to change the IPA on the wafer W directly into a supercritical state (high pressure state). Output the signal.

이상에 설명한 구성을 구비한 초임계 처리 장치(3)의 작용에 대해서 도 6 내지 도 9의 작용도, 및 이 때의 웨이퍼(W)의 처리 상태를 모식적으로 도시한 도 10 내지 도 13을 참조하면서 설명한다. 도 6 내지 도 9에서 각 밸브에 붙인 「S」의 부호는, 그 개폐 밸브가 폐쇄 상태로 되어 있는 것을 나타내고, 「O」의 부호는 개방 상태로 되어 있는 것을 나타내고 있다. 6 to 9 show the operation of the supercritical processing apparatus 3 having the above-described configuration, and FIGS. 10 to 13 schematically showing the processing state of the wafer W at this time. Explain while referring. 6-9, the code | symbol of "S" attached to each valve has shown that the on-off valve is in the closed state, and the code | symbol of "O" has shown that it is in the open state.

이미 기술한 바와 같이 세정 장치(2)에서의 세정 처리를 마치고, 건조 방지용의 IPA를 융기시킨 웨이퍼(W)가 제2 반송 기구(161)에 전달되면, 제2 반송 기구(161)는, 웨이퍼(W)를 수용할 수 있는 초임계 처리 장치(3)가 배치되어 있는 하우징내에 진입한다. As described above, when the cleaning process at the cleaning device 2 is finished and the wafer W having the IPA for drying prevention is raised is transferred to the second transport mechanism 161, the second transport mechanism 161 is the wafer. It enters into the housing in which the supercritical processing apparatus 3 which can accommodate (W) is arrange | positioned.

이 때 웨이퍼(W)의 반입이 행해지기 전의 초임계 처리 장치(3)는, 도 6에 도시하는 바와 같이, 히터(322)의 급전부(321)를 온의 상태로 하여, 용기 본체(311)의 내부를 IPA의 임계 온도 이상의, 예컨대 250℃의 온도 상태, 대기압의 압력 상태로 대기하고 있다. 이 때, N2 가스 등의 불활성 가스로 퍼지하여 처리 용기(31)내를 저산소 분위기로 해두고, 가연성의 IPA가 고온 분위기하에서 비교적 높은 농도의 산소와 접촉하지 않도록 하면 좋다. 한편, 가압 유체 탱크(35)는 가압 유체 공급 라인(351)의 개폐 밸브(352)를 폐쇄한 상태로 되어 있고, 승압 펌프(36)에 의해 승압되어 기체 상태가 된 CO2를 CO2 공급부(37)로부터 수용하고 있다.At this time, the supercritical processing apparatus 3 before carrying in the wafer W is made into the container main body 311 with the power supply part 321 of the heater 322 turned on as shown in FIG. ) Is waiting at a temperature above 250 ° C., for example, at a temperature of 250 ° C., and at atmospheric pressure. At this time, In the meantime, in N 2 purged with an inert gas process vessel (31) of the gas or the like in low oxygen atmosphere, when any of the combustible IPA to prevent them from coming into contact with oxygen in a relatively high concentration at a high temperature atmosphere. On the other hand, the pressurized fluid tank 35 has a pressurized fluid supply line (351), CO 2 supply an on-off valve 352 is boosted by one, and is the state, the step-up pump 36 is closed with a gaseous CO 2 of ( 37).

이와 같이 처리의 준비가 갖춰진 초임계 처리 장치(3)에 웨이퍼(W)가 반입되었다면, 도 5에 도시하는 바와 같이 용기 본체(311) 밖으로 유지판(331)을 이동시켜, 도시하지 않는 지지핀을 통해 제2 반송 기구(161)의 반송 아암으로부터 유지판(331)에 웨이퍼(W)를 전달한다. 그리고, 유지판(331)을 이동시켜 개구부(312)를 통해 웨이퍼(W)를 용기 본체(311)의 내부에 반입하고, 덮개 부재(332)로써 개구부(312)를 폐쇄하여 처리 용기(31)내를 밀폐한다(도 7). 여기서, 유지판(331)에 웨이퍼(W)를 전달하기 전에, 재차, 웨이퍼(W)의 표면에 액체의 IPA를 공급하여도 좋다. If the wafer W has been loaded into the supercritical processing apparatus 3 prepared for processing in this way, as shown in FIG. 5, the holding plate 331 is moved out of the container body 311 to support pins not shown. The wafer W is transferred from the transfer arm of the second transfer mechanism 161 to the holding plate 331. Then, the holding plate 331 is moved to bring the wafer W into the interior of the container body 311 through the opening 312, and the opening 312 is closed by the lid member 332 to process the container 31. The inside is sealed (Fig. 7). Here, before delivering the wafer W to the holding plate 331, the liquid IPA may be supplied to the surface of the wafer W again.

이 때, 이미 기술한 바와 같이 처리 용기(31)의 내부는 미리 250℃로 가열되고, 유지판(331)도 고온으로 되어 있기 때문에, 유지판(331)에 웨이퍼(W)를 전달하여 처리 용기(31)내에 반입하는 동작 사이에 웨이퍼(W)나 IPA가 가열되고, IPA는 기화해 간다. 그 결과, 도 10에 모식적으로 도시하는 바와 같이, 웨이퍼(W) 표면에 융기되어 있던 액체 IPA(61)가 감소하고, 또한 패턴(51)의 오목부에 들어가 있는 액체 IPA(61)가 기화하기 시작하면 패턴 붕괴가 발생할 우려가 높아진다. At this time, since the inside of the processing container 31 is previously heated to 250 ° C and the holding plate 331 is also at a high temperature as described above, the wafer W is transferred to the holding plate 331 to process the container. Between the operations carried in 31, the wafer W and the IPA are heated, and the IPA vaporizes. As a result, as shown schematically in FIG. 10, the liquid IPA 61 raised on the surface of the wafer W is reduced, and the liquid IPA 61 entering the recessed portion of the pattern 51 is vaporized. If you do, there is a high risk of pattern collapse.

그래서 본 실시형태에 관한 초임계 처리 장치(3)는, IPA가 기화하여 패턴 붕괴를 야기하기 전에, 도 8에 도시하는 바와 같이 가압 유체 공급 라인(351)의 개폐 밸브(352)를 개방하여, 처리 용기(31)내를 가압하는 유체로서 기체의 CO2를 도입한다. 도 8에 도시한 예에서는, 개폐 밸브(352) 개방 후의 처리 용기(31)내의 압력은 IPA의 임계 압력 이상이며 CO2의 임계 압력 이하인 6 MPa로 되어 있고, IPA의 임계 압력보다 고압의 분위기가 형성된다. 본 실시형태에서의 가압하는 유체로서는, 초임계 상태나 아임계 상태(고압 상태)의 CO2를 도입하여도 좋다. Thus, the supercritical processing device 3 according to the present embodiment opens the on / off valve 352 of the pressurized fluid supply line 351 as shown in FIG. 8 before the IPA vaporizes and causes the pattern to collapse. Gas CO 2 is introduced as a fluid to pressurize the processing vessel 31. In the example shown in FIG. 8, the pressure in the processing container 31 after opening / closing the valve 352 is 6 MPa which is equal to or higher than the critical pressure of IPA and equal to or lower than the critical pressure of CO 2 . Is formed. As the fluid pressure in this embodiment, it may be introduced into the CO 2 in the supercritical state or subcritical state (high voltage state).

이 때 웨이퍼(W)의 표면은, 도 11에 도시하는 바와 같이 패턴(51)의 오목부내에 들어간 액체 IPA(61)의 주위를 CO2 가스(62)가 둘러싼 상태가 된다. 그리고, 이미 기술한 바와 같이 CO2 가스의 압력에 의해, 가열되어 있는 액체 IPA(61) 주위에는, 이 온도에서의 액체 IPA(61)의 증기압보다 고압의 분위기가 단시간에 형성되게 된다. 액체 IPA(61)를 초임계 CO2와 접촉시킨 상태 그대로 장시간 방치하면, 오목부내의 액체 IPA(61)가 서서히 초임계 CO2에 용해되어, 오목부내의 유체는 차츰 초임계 CO2로 치환되어 가는 것이 알려져 있다. 그러나 본 예의 초임계 처리 장치(3)에서는, 처리 용기(31)내가 IPA의 임계 온도보다 높은 온도로 예열되어 있기 때문에, 웨이퍼(W) 표면의 액체 IPA(61)는, 고압 분위기하에서 액상의 상태를 유지한 채 가열되어, 이윽고 임계 온도 이상이 된다. 이 결과, 오목부내의 액체 IPA(61)는, 초임계 CO2로 치환되어 버리기 전에, 상기 오목부에 들어간 상태 그대로 초임계 상태가 된다(도 12). At this time, the surface of the wafer (W) is, and the status surrounding the CO 2 gas 62 around the liquid IPA (61) into the recess of the pattern 51 as shown in Fig. As described above, due to the pressure of the CO 2 gas, an atmosphere of a higher pressure than the vapor pressure of the liquid IPA 61 at this temperature is formed in a short time around the heated liquid IPA 61. When the liquid IPA 61 is left in contact with the supercritical CO 2 for a long time, the liquid IPA 61 in the recess gradually dissolves in the supercritical CO 2 , and the fluid in the recess gradually replaces the supercritical CO 2 . It is known to go. However, in the supercritical processing apparatus 3 of the present example, since the inside of the processing container 31 is preheated to a temperature higher than the critical temperature of the IPA, the liquid IPA 61 on the surface of the wafer W is in a liquid state under a high pressure atmosphere. The heating is continued while maintaining the temperature above the critical temperature. As a result, the liquid IPA 61 in the recess is in a supercritical state as it is in the recess before being replaced with supercritical CO 2 (FIG. 12).

여기서 발명자는, 예컨대 300 ㎜의 웨이퍼(W) 표면에, 5 ㏄ 내지 50 ㏄ 정도의 IPA를 융기시키면, 유지판(331)에 웨이퍼(W)를 전달한 시점을 기점으로 하여, 처리 용기(31)내에 반입 후, 10초 정도에서 융기한 IPA가 모두 기화되어 버리는 것을 파악하고 있다. 그래서, 웨이퍼(W)가 처리 용기(31)내에 반입되고, 덮개 부재(332)가 고정되었다면, 0.5초 내지 5초 정도의 시간내에 개폐 밸브(352)을 개방하여, 즉시 처리 용기(31)내를 승압한다. 처리 용기(31)의 내부 공간이, 이미 기술한 바와 같이 200 ㎤ 내지 10000 ㎤정도이면, 1초 내지 60초 정도에서 대기압으로부터 8 MPa까지 처리 용기(31)내의 압력을 승압할 수 있어, 패턴 붕괴가 야기되기 전에 웨이퍼(W) 주위의 분위기를 고압 분위기로 할 수 있다. Here, when the inventor raises IPA of about 5 GPa to 50 GPa on the surface of the wafer W of 300 mm, for example, the processing container 31 starts from the point of time when the wafer W is transferred to the holding plate 331. It is grasped that all the raised IPAs vaporize in about 10 second after bringing in inside. Thus, if the wafer W is loaded into the processing container 31 and the lid member 332 is fixed, the opening / closing valve 352 is opened within a time of about 0.5 seconds to about 5 seconds, and immediately within the processing container 31. Boost up. If the internal space of the processing container 31 is about 200 cm 3 to 10000 cm 3 as described above, the pressure in the processing container 31 can be increased from atmospheric pressure to 8 MPa for about 1 second to 60 seconds, thereby causing the pattern to collapse. The atmosphere around the wafer W can be a high-pressure atmosphere before is caused.

이 때, 급격히 기체 상태의 CO2를 공급하는 것에 의해, 웨이퍼(W)의 표면을 덮고 있는 액체 IPA(61)가 날아 갔다고 해도, 액체 IPA(61)가 기체 상태의 CO2(62)로 덮이는 도 11에 도시하는 상태를 단시간에 형성하는 것에 의해, 패턴 붕괴 발생의 방지에 기여하게 된다.At this time, even if the liquid IPA 61 covering the surface of the wafer W has flown by supplying the gaseous CO 2 rapidly, the liquid IPA 61 is covered with the gaseous CO 2 62. This contributes to the prevention of pattern collapse by forming the state shown in FIG. 11 in a short time.

그리고, 액체 IPA(61)를 직접, 초임계 IPA(63)로 변화시키는 것에 의해, 배경 기술로써 예시한 초임계 CO2로 액체 IPA(61)를 치환하는 방법에 비해, 단시간에 패턴(51)내에 들어간 액체 IPA(61)가 초임계 IPA(63)가 된다. 또한 가압용의 유체가 기체 상태의 CO2이기 때문에, 초임계 상태의 CO2에 비해 파티클 저감이 가능하다. By changing the liquid IPA 61 directly to the supercritical IPA 63, the pattern 51 can be replaced in a short time compared to the method of replacing the liquid IPA 61 with the supercritical CO 2 illustrated as a background art. The liquid IPA 61 entered into becomes the supercritical IPA 63. In addition, since the fluid for pressurization is CO 2 in the gaseous state, particles can be reduced as compared with CO 2 in the supercritical state.

이렇게 하여 처리 용기(31)내에 기체의 CO2를 공급하고, 웨이퍼(W)의 패턴(51)내의 액체 IPA(61)가 초임계 IPA(63)가 되는 데 충분한 시간이 경과했다면, 도 9에 도시하는 바와 같이 가압 유체 공급 라인(351)의 개폐 밸브(352)를 폐쇄하는 한편, 배출 라인(341)의 감압 밸브(342)를 개방하여 처리 용기(31)내의 유체를 배출한다. 이 때, 처리 용기(31)는 IPA의 비점(82.4℃)보다 고온의 250℃로 조정되어 있기 때문에, 처리 용기(31)로부터는 CO2 가스 및 IPA가 초임계 상태, 또는 기체 상태로 배출되게 된다. In this manner, if sufficient time has elapsed to supply the CO 2 of the gas into the processing container 31 and the liquid IPA 61 in the pattern 51 of the wafer W to become the supercritical IPA 63, FIG. 9. As shown in the figure, the opening / closing valve 352 of the pressurized fluid supply line 351 is closed, while the pressure reducing valve 342 of the discharge line 341 is opened to discharge the fluid in the processing container 31. At this time, since the processing container 31 is adjusted to 250 ° C higher than the boiling point (82.4 ° C) of the IPA, the CO 2 gas and IPA are discharged from the processing container 31 in a supercritical state or a gaseous state. do.

이 결과, 대기압까지 강압된 처리 용기(31)의 내부에서는, 도 13에 도시하는 바와 같이 패턴(51)내로부터 액체 IPA(61)가 제거되어, 건조한 상태가 된 웨이퍼(W)를 얻을 수 있다. As a result, in the inside of the processing container 31 stepped down to atmospheric pressure, as shown in FIG. 13, the liquid IPA 61 is removed from the inside of the pattern 51, and the wafer W which became a dry state can be obtained. .

이렇게 하여 액체 IPA(61)가 제거되어, 웨이퍼(W)가 건조한 상태가 되었다면, 유지판(331)을 이동시켜 처리 용기(31)로부터 웨이퍼(W)를 반출하고, 제2 반송 기구(161)의 반송 아암에 웨이퍼(W)를 전달한다. 그 후, 웨이퍼(W)는 반출 선반(131)을 통해 제1 반송 기구(121)에 전달되고, 반입시와는 반대의 경로를 통해 FOUP(100)내에 수납되고, 웨이퍼(W)에 대한 일련의 동작이 완료한다. In this way, when the liquid IPA 61 is removed and the wafer W is in a dry state, the holding plate 331 is moved to carry out the wafer W from the processing container 31, and the second transfer mechanism 161 is removed. The wafer W is transferred to the transfer arm of. Thereafter, the wafer W is transferred to the first conveyance mechanism 121 through the carrying-out shelf 131, received in the FOUP 100 via a path opposite to that of the carrying-in, and connected to the wafer W. The operation of is completed.

이 때 세정 시스템(1)내에, 청정 공기의 기류와 접촉하는 분위기하 등에서 웨이퍼(W)를 유지하고, 처리 용기(31)내에서 가열된 웨이퍼(W)를 냉각하는 냉각 장치를 설치하며, 초임계 처리 장치(3)로부터 취출한 웨이퍼(W)를 일단, 이 냉각 장치로 냉각한 후 FOUP(100)에 수납하도록 하여도 좋다. At this time, in the cleaning system 1, a cooling device is provided which holds the wafer W in an atmosphere in contact with the air stream of clean air, and cools the wafer W heated in the processing container 31. The wafer W taken out from the critical processing device 3 may be once stored in the FOUP 100 after cooling by the cooling device.

본 실시형태에 관한 초임계 처리 장치(3)에 의하면 이하의 효과가 있다. 가압용의 기체 상태의 CO2 또는 초임계 상태의 CO2(고압 상태의 유체)를 처리 용기(31)내에 공급하여 고압 분위기를 형성하면서, 건조 방지용의 액체 IPA(61)가 부착된 웨이퍼(W)를 가열하고, 요철 패턴(51)의 오목부내에 들어간 상태 그대로 상기 액체 IPA(61)를 직접, 초임계 IPA(63)로 변화시킨다. 이것에 의해, 액체 IPA(61)에 초임계 CO2를 접촉시켜 패턴(51)내를 초임계 CO2로 치환하는 방법에 비해, 패턴 붕괴나 파티클의 발생을 억제하면서, 단시간에 웨이퍼(W)에 부착된 액체 IPA(61)를 제거할 수 있다. 이와 같이, 패턴(51)내에 진입한 액체 IPA(61)를, 직접, 초임계 IPA(63)로 변화시켜 제거하는 방법은, 패턴(51)의 아스펙트비가 10 이상 정도로, 고아스펙트비가 되었을 때, 및 디자인 룰이 20 ㎚ 이하로, IPA와 CO2가 접하는 개구 면적이 작아졌을 때에 특히 유효하다. According to the supercritical processing apparatus 3 which concerns on this embodiment, there exist the following effects. Gaseous CO 2 for pressurization Alternatively, the wafer W having the liquid IPA 61 for drying prevention is heated while supplying supercritical CO 2 (fluid in a high pressure state) into the processing vessel 31 to form a high pressure atmosphere, thereby heating the uneven pattern ( The liquid IPA 61 is directly changed to the supercritical IPA 63 as it is in the recessed portion of 51). Thereby, compared with the method of contacting supercritical CO 2 to the liquid IPA 61 and replacing the inside of the pattern 51 with supercritical CO 2 , the wafer W is suppressed in a short time while suppressing pattern collapse and generation of particles. The liquid IPA 61 attached to it can be removed. In this way, the method of removing the liquid IPA 61 that has entered the pattern 51 by directly changing it to the supercritical IPA 63 is performed when the aspect ratio of the pattern 51 is about 10 or more and becomes an orphan aspect ratio. , and is particularly effective when the design rule is turned to less than 20 ㎚, IPA and the CO 2 is in contact with the opening area decreases.

처리 용기(31)에 공급되는 가압용의 유체는, 기체 상태의 CO2나 초임계 상태의 CO2에 한정되는 것이 아니다. 예컨대 아임계 상태의 CO2를 공급하여도 좋고, IPA의 임계압 이상의, 예컨대 5 MPa로 가압된 초임계 상태의 질소(N2)를 공급하여도 좋으며, 아르곤 등의 불활성 유체(기체, 초임계 유체 또는 아임계 유체), 또는 초임계 IPA, 아임계 IPA를 공급하여도 좋다. 패턴 붕괴의 방지라는 관점에서, 가압용의 유체는, 건조 방지용의 액체(IPA 등)가 고압 상태(초임계 상태 또는 아임계 상태)일 때에 액체가 되지 않는다고 하는 특징을 갖추고 있으면 좋다. Fluid for pressure to be supplied to the processing container 31 is not limited to the CO 2 in the CO 2 or supercritical state in the gas phase. For example, subcritical CO 2 may be supplied, supercritical nitrogen (N 2 ) pressurized to, for example, 5 MPa or more above a critical pressure of IPA, or an inert fluid (gas, supercritical), such as argon, may be supplied. Fluid or subcritical fluid), or supercritical IPA or subcritical IPA. In view of prevention of pattern collapse, the pressurized fluid may be characterized as not becoming a liquid when the liquid for drying prevention (IPA or the like) is a high pressure state (supercritical state or subcritical state).

이 외, 처리 용기(31)내의 온도는, 건조 방지용의 액체의 임계 온도 이상으로 예열되어 있는 경우에 한하지 않고, 이보다도 낮은 온도여도 좋다. 이미 기술한 바와 같이 단시간에 처리 용기(31)내에 고압 분위기를 형성하는 것에 의해, 이 액체의 기화가 억제되기 때문에, 그 후, 처리 용기(31)내를 승온하여 건조 방지용의 액체를 초임계화하는 분위기를 형성하여도 좋다. In addition, the temperature in the processing container 31 is not limited to the case where it is preheated above the critical temperature of the liquid for drying prevention, and temperature lower than this may be sufficient. As described above, since the vaporization of this liquid is suppressed by forming a high pressure atmosphere in the processing container 31 in a short time, the temperature of the processing container 31 is then raised to supercritically dry the liquid for prevention of drying. You may form an atmosphere.

또한, 건조 방지용의 유체도 IPA에 한정되는 것이 아니라, 메탄올이나 에탄올 등의 알코올, 각종 불소계 용매(불화알코올, 하이드로플루오로에테르 등), 아세톤 등을 이용하여도 좋다. 이 외, 예컨대 건조 방지용의 액체가 불연성인 경우라도, 건조 방지용의 액체가 고압 상태가 된 후의 변질 방지 등을 목적으로 하여, 불활성 가스에 의한 처리 용기(31)내의 퍼지를 행한 후, 불연성의 액체로 덮인 웨이퍼(W)를 진입시켜도 좋다. In addition, the fluid for preventing drying is not limited to IPA, but alcohols such as methanol and ethanol, various fluorine-based solvents (such as fluorinated alcohols and hydrofluoroethers) and acetone may be used. In addition, even if the liquid for prevention of drying is nonflammable, for example, after purging in the processing container 31 by an inert gas for the purpose of prevention of alteration after the liquid for prevention of drying becomes high pressure, it is a nonflammable liquid. The covered wafer W may be made to enter.

이 때 건조 방지용의 액체는, 웨이퍼(W) 표면에 융기되도록 공급되는 경우에 한정되지 않는다. 예컨대 상면이 개구된 접시형의 용기내에 웨이퍼(W)를 수용하고, 이 용기내에 채운 건조 방지용의 액체 중에 웨이퍼(W)를 침지한 상태로 처리 용기(31)내에 배치하고, 가압용의 유체로 가압된 분위기하에서 이 액체를 고압 상태로 변화시켜도 좋다. At this time, the liquid for prevention of drying is not limited to the case where it is supplied so that it may be raised to the surface of the wafer W. As shown in FIG. For example, the wafer W is accommodated in a dish-shaped container having an upper surface opened, and the wafer W is placed in the processing container 31 in a state in which the wafer W is immersed in the drying preventing liquid filled in the container, and the pressurized fluid is used as a pressurized fluid. The liquid may be changed to a high pressure state under a pressurized atmosphere.

그리고, 웨이퍼(W)에 부착된 건조 방지용의 액체는, 초임계 상태로 변화시켜 제거하는 경우에 한정되지 않고, 아임계 상태로 변화시켜도 되는 것은 물론이다. 이 경우에는, 특허청구 범위의 「건조 방지용의 액체의 임계 온도 이상」의 예열 온도란, 「건조 방지용의 액체가 아임계 상태가 되는 온도 이상」을 의미한다. 또한, 특허청구의 범위의 「건조 방지용의 액체의 임계 압력 이상으로 가압된 상태」란, 「건조 방지용의 액체가 아임계 상태가 되는 압력 이상으로 가압된 상태」를 의미한다. The liquid for preventing drying adhering to the wafer W is not limited to the case where the liquid is removed in a supercritical state and may be changed to a subcritical state. In this case, the preheating temperature of "at least the critical temperature of the liquid for drying prevention" of a claim means "at least the temperature at which the liquid for drying prevention becomes a subcritical state." In addition, the "state pressurized more than the threshold pressure of the liquid for drying prevention" of a claim means the "state pressurized above the pressure which becomes the subcritical state."

또한, 처리 용기(31)의 구조는, 도 5에 도시한 바와 같이 내압성을 구비한 용기 전체를 가열하는 경우에 한정되지 않는다. 예컨대 스테인리스 스틸이나 탄소강, 티탄, 하스텔로이(등록상표), 인코넬 등, 내압성이 높은 한편, 비교적 열전도율이 낮은 재료로 이루어지는 내압 용기의 내측에, 알루미늄, 구리, 질화알루미늄, 탄화규소 등을 포함하는, 내압 용기보다 열전도율이 높은 재료로 이루어지는 내부 용기를 상자 구조로 하여 설치하고, 이 내부 용기를 히터(322) 등으로 가열하여도 좋다. 이 때, 이들 내압 용기와 내부 용기 사이에 석영이나 알루미나 등으로 이루어지는 단열층을 설치하고, 내부 용기만을 가열하는 것에 의해, 처리 용기(31)의 열응답성이 향상되고, 에너지 소비량도 저감할 수 있다. In addition, the structure of the processing container 31 is not limited to heating the whole container provided with pressure resistance, as shown in FIG. Stainless steel, carbon steel, titanium, Hastelloy®, Inconel, etc., containing aluminum, copper, aluminum nitride, silicon carbide, etc., inside a pressure-resistant container made of a material having high pressure resistance and relatively low thermal conductivity, An inner container made of a material having a higher thermal conductivity than the pressure resistant container may be provided in a box structure, and the inner container may be heated by a heater 322 or the like. At this time, by providing a heat insulating layer made of quartz, alumina, or the like between these pressure-resistant containers and the inner container, and heating only the inner container, the thermal response of the processing container 31 can be improved and the energy consumption can be reduced. .

제2 실시형태Second Embodiment

다음에 본 발명의 제2 실시형태에 대해서, 도 15 내지 도 28에 의해 설명한다. 또한, 제2 실시형태에서, 도 1 내지 도 14에 도시하는 제1 실시형태와 동일 부분에는 동일 부호를 붙이고 상세한 설명은 생략한다. Next, a second embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS. 15 to 28. In addition, in 2nd Embodiment, the same code | symbol is attached | subjected to the same part as 1st Embodiment shown in FIGS. 1-14, and detailed description is abbreviate | omitted.

세정 장치(2)에서의 세정 처리를 마치고, 표면에 건조 방지용의 IPA가 융기된 웨이퍼(W)는, 초임계 처리 장치(3)에 반송되며, 이 IPA를 고압 상태로 하여 제거하고, 웨이퍼(W)를 건조하는 처리가 행해진다(도 1 참조). 이하, 본 실시형태에 따른 초임계 처리 장치(3)의 구성에 대해서 도 15, 도 16을 참조하면서 설명한다. 초임계 처리 장치(3)는, 웨이퍼(W) 표면에 부착된 건조 방지용의 액체인 IPA를 제거하는 처리가 행해지는 처리 용기(31A)와, 이 처리 용기(31A)내를 가압하기 위한 가스를 공급하는 가압 유체 공급부(36A)를 구비하고 있다. After the cleaning treatment in the cleaning apparatus 2, the wafer W on which the IPA for drying prevention is raised on the surface is conveyed to the supercritical processing apparatus 3, and the IPA is removed at a high pressure and the wafer ( The process of drying W) is performed (refer FIG. 1). Hereinafter, the structure of the supercritical processing apparatus 3 which concerns on this embodiment is demonstrated, referring FIGS. 15 and 16. FIG. The supercritical processing apparatus 3 is a processing container 31A in which a process for removing IPA, which is a liquid for drying prevention adhered to the wafer W surface, is performed, and a gas for pressurizing the inside of the processing container 31A. The pressurized fluid supply part 36A to supply is provided.

도 16에 도시하는 바와 같이 처리 용기(31A)는, 웨이퍼(W)의 반입반출용의 개구부(312A)가 형성된 하우징형의 용기 본체(311A)와, 처리 대상의 웨이퍼(W)를 액체 IPA에 침지한 상태에서 횡방향으로 유지할 수 있는 웨이퍼 트레이(331A)와, 이 웨이퍼 트레이(331A)를 지지하고, 웨이퍼(W)를 용기 본체(311A)내에 반입했을 때 상기 개구부(312A)를 밀폐하는 덮개 부재(332A)를 구비하고 있다. As shown in Fig. 16, the processing container 31A includes a housing-shaped container body 311A in which an opening 312A for carrying in and out of the wafer W is formed, and the wafer W to be processed is transferred to the liquid IPA. A cover for supporting the wafer tray 331A that can be held laterally in the immersed state, the wafer tray 331A, and sealing the opening 312A when the wafer W is brought into the container body 311A. The member 332A is provided.

용기 본체(311A)는, 예컨대 직경 300 ㎜의 웨이퍼(W)를 수용할 수 있는, 200 ㎤ 내지 10000 ㎤ 정도의 처리 공간이 형성된 용기이고, 그 상면에는, 처리 용기(31A)내에 가압 유체를 공급하기 위한 가압 유체 공급 라인(351A)과, 처리 용기(31A)내의 유체를 배출하기 위한 배출 라인(341A)이 접속되어 있다. 또한, 처리 용기(31A)에는 처리 공간내에 공급된 고압 상태의 처리 유체로부터 받는 내압에 대항하여, 용기 본체(311A)를 향해 덮개 부재(332A)를 압박하고, 처리 공간을 밀폐하기 위한 도시하지 않는 압박 기구가 설치되어 있다. The container main body 311A is a container in which a processing space of about 200 cm 3 to 10000 cm 3 is formed, which can accommodate, for example, a wafer W having a diameter of 300 mm, and a pressurized fluid is supplied to the processing container 31A on its upper surface. A pressurized fluid supply line 351A for connection and a discharge line 341A for discharging the fluid in the processing container 31A are connected. In addition, the processing container 31A is not shown for pressing the lid member 332A toward the container main body 311A against the internal pressure received from the high-pressure processing fluid supplied into the processing space and sealing the processing space. A compression mechanism is installed.

용기 본체(311A)에는, 예컨대 저항 발열체 등을 포함하는 가열부인 히터(322A)와, 처리 용기(31A)내의 온도를 검출하기 위한 열전대 등을 구비한 온도 검출부(323A)가 설치되어 있어, 용기 본체(311A)를 가열하는 것에 의해, 처리 용기(31A)내의 온도를 미리 설정된 온도로 가열하고, 이것에 의해 내부의 웨이퍼(W)를 가열할 수 있다. 히터(322A)는, 급전부(321A)로부터 공급되는 전력에 의해, 발열량을 변화시킬 수 있고, 온도 검출부(323A)로부터 취득한 온도 검출 결과에 기초하여, 처리 용기(31A)내의 온도를 미리 정해진 승온 스케줄에 기초하여 승온해 간다. The container main body 311A is provided with a heater 322A, which is a heating unit including a resistance heating element, for example, and a temperature detection unit 323A including a thermocouple for detecting a temperature in the processing container 31A. By heating 311A, the temperature in the processing container 31A can be heated to a preset temperature, whereby the internal wafer W can be heated. The heater 322A can change the calorific value by the electric power supplied from the power feeding part 321A, and based on the temperature detection result acquired from the temperature detection part 323A, raises the temperature in the process container 31A predetermined temperature. I heat up based on a schedule.

가압 유체 공급부(36A)에는, 처리 용기(31A)내의 압력을 대기압보다 높은 0.1 MPa 내지 6 MPa 정도로 가압하기 위한 고압 가스(본 예에서는 질소 가스)가 유지되어 있다. 도 15 중, 351A는 가압 유체 공급부(36A)로부터 처리 용기(31A)에 가압 유체를 공급하기 위한 가압 유체 공급 라인, 352A는 처리 용기(31A)에 설치된 압력 검출부(313A)의 검출 결과에 기초하여, 처리 용기(31A)내가 상기 압력으로 조정되도록 가압 유체의 공급량을 조절하는 감압 밸브이다. The pressurized fluid supply part 36A holds a high pressure gas (nitrogen gas in this example) for pressurizing the pressure in the processing container 31A to about 0.1 MPa to 6 MPa higher than atmospheric pressure. In FIG. 15, 351A is a pressurized fluid supply line for supplying pressurized fluid from the pressurized fluid supply part 36A to the processing container 31A, and 352A is based on the detection result of the pressure detection part 313A provided in the processing container 31A. It is a pressure reducing valve which regulates the supply amount of pressurized fluid so that the process container 31A may be adjusted to the said pressure.

이상에 설명한 구성을 구비한 세정 처리 시스템(1)이나 세정 장치(2), 초임계 처리 장치(3)는 도 1, 도 15에 도시하는 바와 같이 제어부(4A)에 접속되어 있다. 제어부(4A)는 도시하지 않는 CPU와 기억부를 구비한 컴퓨터를 포함하고, 기억부에는 이들 세정 처리 시스템(1)이나 세정 장치(2), 초임계 처리 장치(3)의 작용, 즉 FOUP(100)로부터 웨이퍼(W)를 취출하여 세정 장치(2)로써 세정 처리를 행하고, 이어서 초임계 처리 장치(3)로써 웨이퍼(W)를 건조하는 처리를 행한 후 FOUP(100)내에 웨이퍼(W)를 반입할 때까지의 동작에 관계되는 제어에 대한 스텝(명령)군이 짜여진 프로그램이 기록되어 있다. 이 프로그램은, 예컨대 하드 디스크, 콤팩트 디스크, 마그넷 광디스크, 메모리 카드 등의 기억 매체(4a)에 저장되고, 거기에서 컴퓨터에 인스톨된다. The cleaning processing system 1, the cleaning apparatus 2, and the supercritical processing apparatus 3 equipped with the structure described above are connected to the control part 4A as shown to FIG. 1, FIG. The control unit 4A includes a computer having a CPU (not shown) and a storage unit, and the storage unit has an action of the cleaning processing system 1, the cleaning device 2, and the supercritical processing device 3, that is, the FOUP 100. ), The wafer W is taken out, and the cleaning process is performed by the cleaning apparatus 2, and then the wafer W is dried by the supercritical processing apparatus 3, and then the wafer W is placed in the FOUP 100. A program in which a group of steps (command) for control related to the operation until import is written is recorded. This program is stored in, for example, a storage medium 4a such as a hard disk, a compact disk, a magnet optical disk, a memory card, and installed in a computer there.

특히 초임계 처리 장치(3)에 대해서 제어부(4A)는, 웨이퍼(W)를 침지한 상태로 되어 있는 처리 용기(31A)[웨이퍼 트레이(331A)]내의 액체 IPA를 가압된 분위기하에서 가열하고, 이 IPA를 비등시키지 않도록 하면서 초임계 상태(고압 상태)로 변화시키는 것에 의해, 패턴 붕괴를 발생시키지 않고 이 액체를 제거하도록 제어 신호를 출력한다. In particular, with respect to the supercritical processing device 3, the control unit 4A heats the liquid IPA in the processing container 31A (wafer tray 331A) in which the wafer W is immersed in a pressurized atmosphere, By changing the IPA to a supercritical state (high pressure state) without causing the IPA to boil, a control signal is output to remove this liquid without causing pattern collapse.

이상에 설명한 구성을 구비한 초임계 처리 장치(3)의 작용에 대해서 도 17 내지 도 20의 작용도, 및 웨이퍼(W)를 처리하고 있는 기간 동안의 처리 용기(31A)내의 온도-압력 상태를 도시한 도 21을 참조하면서 설명한다. 여기서 처리 용기(31A)내의 IPA의 기액 평형이 유지되는 속도로 IPA를 가열하는 경우나, 웨이퍼(W) 표면의 IPA의 액막이 충분히 얇고, 이 IPA를 승온할 때의 응답 속도가 충분히 빠른 경우 등에서는, IPA의 온도-압력 상태는, 처리 용기(31A)내의 온도-압력에 대략 같다고 간주하여도 좋다. 따라서 이하의 설명에서는, 특별히 언급이 없는 한, 처리 용기(31A)내의 온도-압력의 설명으로써, 웨이퍼(W) 표면의 IPA의 온도-압력 상태를 나타내고 있다. 도 17 내지 도 20에서 각 밸브에 붙인 「S」의 부호는, 그 개폐 밸브가 폐쇄 상태로 되어 있는 것을 나타내고, 「O」의 부호는 개방 상태로 되어 있는 것을 나타내고 있다. The operation of the supercritical processing device 3 having the above-described configuration will be described with reference to the operation of FIGS. 17 to 20 and the temperature-pressure state in the processing container 31A during the processing period of the wafer W. FIG. A description with reference to FIG. 21 is shown. In the case where the IPA is heated at a speed at which the gas-liquid equilibrium of the IPA in the processing vessel 31A is maintained, or when the liquid film of the IPA on the surface of the wafer W is sufficiently thin and the response speed when the IPA is heated up is sufficiently high, or the like. The temperature-pressure state of IPA may be regarded as approximately equal to the temperature-pressure in the processing container 31A. Therefore, in the following description, unless otherwise indicated, the temperature-pressure state of IPA of the surface of the wafer W is shown by description of the temperature-pressure in the processing container 31A. 17-20, the code | symbol "S" attached to each valve has shown that the on-off valve is in the closed state, and the code | symbol of "O" has shown that it is in the open state.

이미 기술한 바와 같이 세정 장치(2)에서의 세정 처리를 마치고, 건조 방지용의 IPA가 융기된 웨이퍼(W)가 제2 반송 기구(161)에 전달되면, 제2 반송 기구(161)는, 웨이퍼(W)를 수용할 수 있는 초임계 처리 장치(3)가 배치되어 있는 하우징내에 진입한다(도 1 참조). 이 때 웨이퍼(W)의 반입이 행해지기 전의 초임계 처리 장치(3)는, 히터(322A)의 급전부(321A)를 오프로 하여 IPA의 임계 온도(235℃) 이하의 온도, 대기압의 상태로 대기하고 있다. 이 때, N2 가스 등의 불활성 가스로 퍼지하여 처리 용기(31A)내를 저산소 분위기로 해두고, 히터(322A)로 처리 용기(31A)내의 가열을 시작한 후, 가연성의 IPA가 고온 분위기하에서 비교적 높은 농도의 산소와 접촉하지 않도록 하면 좋다. As described above, when the cleaning process in the cleaning device 2 is finished and the wafer W on which the IPA for drying prevention is raised is transferred to the second transfer mechanism 161, the second transfer mechanism 161 transfers the wafer. It enters into the housing in which the supercritical processing apparatus 3 which can accommodate (W) is arrange | positioned (refer FIG. 1). At this time, the supercritical processing apparatus 3 before carrying in the wafer W is turned off and the power supply part 321A of the heater 322A is turned off, and the temperature below the critical temperature (235 ° C) of IPA and the atmospheric pressure I am waiting. At this time, after purging with an inert gas such as N 2 gas to keep the interior of the processing container 31A in a low oxygen atmosphere and starting heating in the processing container 31A with the heater 322A, the combustible IPA is relatively in a high temperature atmosphere. Avoid contact with high concentrations of oxygen.

처리를 실행할 수 있는 초임계 처리 장치(3)에 웨이퍼(W)가 반입되었다면, 도 16에 도시하는 바와 같이 용기 본체(311A) 밖으로 웨이퍼 트레이(331A)를 이동시켜, 도시하지 않는 지지핀을 통해 제2 반송 기구(161)의 반송 아암으로부터 웨이퍼 트레이(331A)에 웨이퍼(W)를 전달한다. 그리고, 도시하지 않는 IPA 공급 노즐로부터 웨이퍼 트레이(331A)내에 액체 IPA를 공급하여, 웨이퍼(W)가 액체 IPA에 침지된 상태로 한다. 이어서, 웨이퍼 트레이(331A)를 이동시켜 개구부(312A)를 통해 웨이퍼(W)를 용기 본체(311A)의 내부에 반입하고, 덮개 부재(332A)로 개구부(312A)를 폐쇄하여 처리 용기(31A)내를 밀폐한다(도 17). If the wafer W is loaded into the supercritical processing device 3 capable of carrying out the process, the wafer tray 331A is moved out of the container body 311A as shown in FIG. The wafer W is transferred from the transfer arm of the second transfer mechanism 161 to the wafer tray 331A. Then, liquid IPA is supplied into the wafer tray 331A from the IPA supply nozzle (not shown), and the wafer W is immersed in the liquid IPA. Subsequently, the wafer tray 331A is moved to bring the wafer W into the inside of the container body 311A through the opening 312A, and the opening 312A is closed with the lid member 332A to close the processing container 31A. The inside is sealed (Fig. 17).

웨이퍼(W)의 반입을 마치면, IPA는 좁은 처리 용기(31A)내에서 휘발하기 때문에, 처리 용기(31A)내의 온도-압력은 도 21에 일점쇄선으로 도시한 IPA의 증기압 곡선의 좌단에 흰 원으로 표시한 A점 부근의 상태가 된다. 이 상태로 처리 용기(31A)내의 웨이퍼(W)를 급격히 가열하면, 웨이퍼(W) 표면의 IPA가 비등하여 패턴내에서 기포를 발생하여, 패턴 붕괴를 야기하는 요인이 된다. 한편, IPA가 비등하지 않도록 처리 용기(31A)내의 온도-압력 상태가 IPA의 증기압 곡선형을 이동하도록 천천히 가열을 행하여, 액체 IPA를 초임계 상태로 변화시키면, 패턴 붕괴를 야기하지 않고, 웨이퍼(W) 표면으로부터 액체 IPA를 제거할 수 있지만, 웨이퍼(W)의 처리에 장시간을 요한다. When the wafer W is finished loading, the IPA volatilizes in the narrow processing container 31A, so that the temperature-pressure in the processing container 31A is a white circle at the left end of the vapor pressure curve of the IPA shown in dashed lines in FIG. It becomes the state of the point A vicinity shown by. If the wafer W in the processing container 31A is rapidly heated in this state, the IPA on the surface of the wafer W boils and bubbles are generated in the pattern, causing a pattern collapse. On the other hand, when the temperature-pressure state in the processing vessel 31A is slowly heated so as to move the vapor pressure curve of the IPA so that the IPA does not boil, and the liquid IPA is changed to the supercritical state, the wafer W is not caused to collapse. The liquid IPA can be removed from the surface, but it takes a long time to process the wafer W.

그래서 본 예의 초임계 처리 장치(3)는, 처리 용기(31A)내에 가압 유체를 공급하여 가압하고, 도 21에 검은 원인 B점으로 표시하는 바와 같이, 처리 용기(31A)내의 온도-압력을 IPA의 증기압 곡선으로부터 떨어진 상태로 하는 것에 의해, 급속한 가열을 행하여도 IPA가 비등하기 어려운 상태를 만들어낸다. 구체적으로는, 도 18에 도시하는 바와 같이 가압 유체 공급 라인(351A)의 감압 밸브(352A)를 개방하고, 그 개방도를 조절하여 처리 용기(31A)내의 압력이 0.1 MPa 내지 6 MPa의 범위내의, 예컨대 0.5 MPa가 되도록 조정한다. Therefore, the supercritical processing apparatus 3 of this example supplies and pressurizes the pressurized fluid in the processing container 31A, and shows the temperature-pressure in the processing container 31A as the black cause B point in FIG. By setting it apart from the vapor pressure curve of, IPA is hard to boil even when rapid heating is performed. Specifically, as shown in FIG. 18, the pressure reducing valve 352A of the pressurized fluid supply line 351A is opened, and the opening degree thereof is adjusted so that the pressure in the processing vessel 31A is within a range of 0.1 MPa to 6 MPa. For example, it adjusts to 0.5 MPa.

그 후, 급전부(321A)로부터 히터(322A)에의 전력 공급을 시작하여, 처리 용기(31A)내의 IPA를 가열한다. 이 때, 처리 용기(31A)내는 가압되어 있기 때문에 IPA는 도 21중에 화살표의 실선으로 도시하는 바와 같이 액체 상태를 유지한 채, 증기압 곡선보다 액상측의 온도-압력 영역을 통해 가열된다. 또한, IPA의 일부는 증발하여 처리 용기(31A)내의 압력이 상승한다. 이렇게 하여, 처리 용기(31A)내의 온도-압력 상태가 IPA의 증기압 곡선에 근접하면(도 21의 C점), 가열 스피드를 내려, IPA를 비등시키지 않도록 가열을 계속한다. Thereafter, electric power supply from the power supply part 321A to the heater 322A is started to heat the IPA in the processing container 31A. At this time, since the processing container 31A is pressurized, the IPA is heated through the temperature-pressure region on the liquid side rather than the vapor pressure curve while maintaining the liquid state as shown by the solid line of the arrow in FIG. In addition, part of the IPA is evaporated to increase the pressure in the processing vessel 31A. In this way, when the temperature-pressure state in the processing container 31A is close to the vapor pressure curve of the IPA (point C in Fig. 21), the heating speed is lowered and heating is continued so as not to boil the IPA.

그리고, 처리 용기(31A)의 온도-압력 상태가 IPA의 임계점[초임계 온도 235℃, 임계 압력 4.8 MPa(절대압)]을 초과하면, 도 19에 도시하는 바와 같이 처리 용기(31A)내 전체가 초임계 유체가 된다. 이 결과, 웨이퍼(W) 패턴의 오목부내에 들어가 있는 액체 IPA도 주위의 IPA와 함께, 이 오목부내에서 초임계 유체가 되어, 패턴 붕괴를 발생시키지 않고 웨이퍼(W)의 표면으로부터 액체 IPA를 제거할 수 있다. 또한 실제로는 처리 용기(31A)내의 분위기는, IPA나 가압 유체인 질소, 웨이퍼(W)의 반입반출시에 외부로부터 진입한 산소 등의 유체가 혼합된 상태이지만, IPA가 초임계 상태일 때에는, 질소나 산소는 기체 또는 초임계 유체의 상태로 되어 있고, 그 외에 액체는 존재하지 않는다. 따라서 IPA를 초임계 상태로 하면, 패턴 붕괴를 발생시키지 않고 웨이퍼(W) 표면의 액체를 제거할 수 있다. And when the temperature-pressure state of the processing container 31A exceeds the threshold point (supercritical temperature 235 degreeC, critical pressure 4.8 MPa (absolute pressure)) of IPA, as shown in FIG. 19, the whole process container 31A will be closed. Becomes a supercritical fluid As a result, the liquid IPA contained in the recess of the wafer W pattern also becomes a supercritical fluid in the recess along with the surrounding IPA, thereby removing the liquid IPA from the surface of the wafer W without causing pattern collapse. can do. In reality, the atmosphere in the processing container 31A is a state in which a fluid such as IPA, nitrogen, which is a pressurized fluid, or oxygen, which enters from the outside when the wafer W is taken in and out, is mixed, but when the IPA is in a supercritical state, Nitrogen and oxygen are in the state of gas or supercritical fluid, and no liquid is present. Therefore, when the IPA is in the supercritical state, the liquid on the surface of the wafer W can be removed without causing pattern collapse.

이렇게 하여 처리 용기(31A)내의 액체 IPA가 모두 초임계 상태가 되는 데 충분한 시간이 경과했다면, 도 20에 도시하는 바와 같이 가압 유체 공급 라인(351A)의 감압 밸브(352A)를 폐쇄하는 한편, 배출 라인(341A)의 감압 밸브(342A)를 개방하여 처리 용기(31A)내의 유체를 배출한다. 이 때, 처리 용기(31A)는 IPA의 비점(82.4℃)보다 고온(예컨대 250℃)으로 조정되어 있고, 처리 용기(31A)로부터 CO2 및 IPA가 초임계 상태, 또는 기체 상태로 배출되게 된다. 이 결과, 대기압까지 강압된 처리 용기(31A)의 내부에서는, 패턴(51A)내로부터 액체 IPA(61A)가 제거되어, 건조한 상태가 된 웨이퍼(W)를 얻을 수 있다. 이와 같이, 패턴내에 진입한 액체 IPA를, 직접, 초임계 IPA로 변화시켜 제거하는 방법은, 패턴의 아스펙트비가 10 이상 정도로, 고아스펙트비가 되었을 때, 및 디자인 룰이 20 ㎚ 이하로, IPA와 CO2가 접하는 개구 면적이 작아졌을 때에 특히 유효하다. In this way, if sufficient time has elapsed for all of the liquid IPA in the processing container 31A to become a supercritical state, as shown in FIG. 20, the pressure reducing valve 352A of the pressurized fluid supply line 351A is closed, and the discharge is performed. The pressure reducing valve 342A of the line 341A is opened to discharge the fluid in the processing vessel 31A. At this time, the processing vessel 31A is adjusted to a higher temperature (for example, 250 ° C) than the boiling point (82.4 ° C) of the IPA, and CO 2 and IPA are discharged from the processing vessel 31A in a supercritical state or a gaseous state. . As a result, the liquid IPA 61A is removed from the inside of the pattern 51A in the processing container 31A that has been forced down to atmospheric pressure, thereby obtaining a wafer W that has become a dry state. As described above, the method of directly removing the liquid IPA entering the pattern by removing the liquid IPA into the supercritical IPA is performed when the aspect ratio of the pattern is about 10 or more, the high aspect ratio, and the design rule is 20 nm or less. it is particularly effective when the CO 2 been in contact with the smaller opening area.

액체 IPA(61A)가 제거되어, 웨이퍼(W)가 건조한 상태가 되었다면, 웨이퍼 트레이(331A)를 이동시켜 처리 용기(31A)로부터 웨이퍼(W)를 반출하고, 제2 반송 기구(161)의 반송 아암에 웨이퍼(W)를 전달한다. 그 후, 웨이퍼(W)는 반출 선반(131)을 통해 제1 반송 기구(121)에 전달되고, 반입시와는 반대의 경로를 통해 FOUP(100)내에 수납되고, 웨이퍼(W)에 대한 일련의 동작이 완료한다. When the liquid IPA 61A is removed and the wafer W is in a dry state, the wafer tray 331A is moved to take out the wafer W from the processing container 31A, and the second conveyance mechanism 161 is conveyed. The wafer W is transferred to the arm. Thereafter, the wafer W is transferred to the first conveyance mechanism 121 through the carrying-out shelf 131, received in the FOUP 100 via a path opposite to that of the carrying-in, and connected to the wafer W. The operation of is completed.

이 때 세정 시스템(1)내에, 청정 공기의 기류와 접촉하는 분위기하 등에서는 웨이퍼(W)를 유지하고, 처리 용기(31A)내에서 가열된 웨이퍼(W)를 냉각하는 냉각 장치를 설치하며, 초임계 처리 장치(3)로부터 취출한 웨이퍼(W)를 일단, 이 냉각 장치로 냉각한 후 FOUP(100)에 수납하도록 하여도 좋다. At this time, in the cleaning system 1, in the atmosphere which contacts the air stream of clean air, etc., the wafer W is hold | maintained, and the cooling apparatus which cools the wafer W heated in the processing container 31A is provided, The wafer W taken out from the supercritical processing device 3 may be once stored in the FOUP 100 after cooling by the cooling device.

본 실시형태에 관한 초임계 처리 장치(3)에 의하면 이하의 효과가 있다. 처리 용기(31A)내의 온도-압력 상태가, 웨이퍼(W)에 부착된 건조 방지용의 액체 IPA의 증기압 곡선보다 액상측의 영역을 통하거나, 또는 이 증기압 곡선상을 통해 변화하여, 초임계 상태에 도달하도록, 처리 용기(31A)내를 가압하면서 웨이퍼(W)를 가열한다. 이것에 의해, 액체 IPA의 비등을 피하면서, 상기 패턴(51A)의 오목부내에 들어간 상태 그대로, 이 액체 IPA를 초임계 상태로 변화시킬 수 있기 때문에, 패턴 붕괴의 발생을 억제하면서 웨이퍼(W)에 부착된 액체 IPA를 제거할 수 있다. According to the supercritical processing apparatus 3 which concerns on this embodiment, there exist the following effects. The temperature-pressure state in the processing vessel 31A changes through the region on the liquid side than the vapor pressure curve of the liquid IPA for drying prevention adhered to the wafer W, or changes through this vapor pressure curve to give a supercritical state. The wafer W is heated while pressurizing the inside of the processing container 31A so as to arrive. As a result, since the liquid IPA can be changed to the supercritical state as it is in the recessed portion of the pattern 51A while avoiding boiling of the liquid IPA, the wafer W is suppressed while the occurrence of pattern collapse is suppressed. The liquid IPA attached to it can be removed.

여기서 액체 IPA를 비등시키지 않도록 웨이퍼(W)상의 액체 IPA의 온도-압력 상태[처리 용기(31A)내의 온도-압력 상태]를 조정하면서 액체 IPA를 초임계 상태로 변화시킨다고 하는 방법은, 액체 IPA에 침지된 상태의 웨이퍼(W)로부터 이 IPA를 제거하는 예에 적용하는 경우에 한정되는 것이 아니다. 예컨대 패턴이 형성된 웨이퍼(W) 표면에 융기된 액체 IPA를 제거하는 경우에도 본 법은 적용할 수 있다. Here, the method of changing the liquid IPA to the supercritical state by adjusting the temperature-pressure state (temperature-pressure state in the processing vessel 31A) of the liquid IPA on the wafer W so as not to boil the liquid IPA is performed on the liquid IPA. It is not limited to the case where it applies to the example which removes this IPA from the wafer W of the immersion state. For example, this method can also be applied to the case where the liquid IPA raised on the surface of the patterned wafer W is removed.

도 22는, 웨이퍼(W) 표면에 융기된 액체 IPA를 제거하는 초임계 처리 장치(3)의 구성예를 도시하고 있다. 웨이퍼(W) 표면에 융기된 액체 IPA의 양은, 웨이퍼(W) 전체를 침지할 수 있는 양만큼 웨이퍼 트레이(331A)에 공급된 액체 IPA의 양보다 적은 경우가 많다. 이 때문에, 가압 유체로 처리 용기(31A)내를 가압한 후, 액체 IPA의 전량을 증발시켜도, IPA가 초임계 상태가 되는 압력이 될 때까지 처리 용기(31A)내를 승압할 수 없을 우려가 있다. FIG. 22 shows an example of the configuration of the supercritical processing apparatus 3 for removing the liquid IPA raised on the wafer W surface. The amount of the liquid IPA raised on the surface of the wafer W is often less than the amount of the liquid IPA supplied to the wafer tray 331A by an amount capable of immersing the entire wafer W. For this reason, even after pressurizing the inside of the processing container 31A with a pressurized fluid, even if the entire amount of the liquid IPA is evaporated, there is a fear that the inside of the processing container 31A cannot be pressurized until the IPA becomes a pressure that becomes a supercritical state. have.

그래서, 도 22에 도시하는 초임계 처리 장치(3)는, 액체 IPA를 가열하여 증발시킨 증기에 의해 처리 용기(31A)내를 승압시키는 방법으로 바꿔, 외부로부터 처리 용기(31A)내에 가스나 고압 유체를 공급하여, 처리 용기(31A)내에 IPA의 임계 압력보다 고압의 분위기를 형성하는 것에 의해, IPA를 비등시키지 않도록 하면서 초임계 상태로 변화시키는 점이 제1 실시형태와 상이하다. 도 22중, 도 15에 도시한 실시형태에 관한 초임계 처리 장치(3)와 같은 구성 요소에는, 도 15에 도시한 것과 같은 부호를 붙이고 있다.Therefore, the supercritical processing apparatus 3 shown in FIG. 22 switches to the method of pressurizing the inside of the processing container 31A with the vapor | vapor vaporized by heating and evaporating liquid IPA, and the gas and high pressure in the processing container 31A from the outside. By supplying a fluid and forming an atmosphere of a higher pressure than the critical pressure of IPA in the processing container 31A, the point of changing to a supercritical state while preventing IPA from boiling is different from the first embodiment. In FIG. 22, the same code | symbol as shown in FIG. 15 is attached | subjected to the component similar to the supercritical processing apparatus 3 which concerns on embodiment shown in FIG.

도 22에 도시한 초임계 처리 장치(3)는, 가압 유체 공급부(36A)에, 예컨대 CO2가 액체의 상태로 저장되어 있고, 가압 유체 공급 라인(351A)과 가압 유체 공급부(36A) 사이에, 이 CO2의 공급 압력을 조정하기 위한, 예컨대 시린지 펌프나 다이어프램 펌프 등을 포함하는 승압 펌프(362A)와, 압력 조정된 기체 CO2를 유지하는 가압 유체 탱크(363A)가 설치되어 있는 점이, 도 15에 도시하는 초임계 처리 장치(3)와는 상이하다. 가압 유체 탱크(363A)에는, 처리 용기(31A)내의 압력을 IPA의 임계압보다 높은 압력까지 승압시킬 수 있는 충분한 양의 기체 CO2가 유지되어 있다. 도면 중, 361A는 가압 유체 탱크(363A)에 CO2를 공급하는 CO2 공급 라인이다. The supercritical processing device 3 shown in FIG. 22 is stored in the pressurized fluid supply part 36A, for example, in the state of CO 2 in a liquid state, and is connected between the pressurized fluid supply line 351A and the pressurized fluid supply part 36A. point is, the step-up pump (362A) and a pressurized fluid tank (363A) for holding the pressure regulating the gas CO 2, including for adjusting the supply pressure of the CO 2, for example, a syringe pump or a diaphragm pump or the like is installed, It differs from the supercritical processing apparatus 3 shown in FIG. In the pressurized fluid tank 363A, a sufficient amount of gas CO 2 is maintained to raise the pressure in the processing vessel 31A to a pressure higher than the critical pressure of the IPA. In the figure, 361A is a CO 2 supply line for supplying CO 2 to the pressurized fluid tank 363A.

또한, 제어부(4A)에는, 온도 검출부(323A)의 온도 검출값과 압력 검출부(313A)의 압력 검출값의 쌍방이 입력되어, 처리 용기(31A)내의 온도, 압력을 감시하면서, 히터(322A)에의 급전량이나, 가압 유체 공급 라인(351A)의 감압 밸브(352A)의 개방도를 조절할 수 있다. Further, both the temperature detection value of the temperature detection unit 323A and the pressure detection value of the pressure detection unit 313A are input to the control unit 4A, and the heater 322A is monitored while monitoring the temperature and pressure in the processing container 31A. The amount of power supplied to and the opening of the pressure reducing valve 352A of the pressurized fluid supply line 351A can be adjusted.

그리고 예컨대 예비 실험 등에 의해 처리 용기(31A)를 가열했을 때의 처리 용기(31A)의 온도와, 액체 IPA가 융기된 웨이퍼(W)의 온도와의 대응 관계를 파악해 두면, 도 23에 도시하는 바와 같이, 미리 설정된 스케줄에 기초하여 처리 용기(31A)의 온도를 상승시켰을 때의 웨이퍼(W) 온도의 시간 경과에 따른 변화를 파악할 수 있다. 그리고, 웨이퍼(W) 표면에 융기된 액체 IPA의 온도가 웨이퍼(W)의 온도와 같은 시간의 경과에 따른 변화를 나타내고자 하면, 어느 시각에서의 IPA의 온도의 증기압보다 처리 용기(31A)내의 압력을 고압으로 유지하는 것에 의해, 액체 IPA의 비등을 막으면서, 이 액체 IPA를 초임계 상태로 변화시킬 수 있다. For example, when the correspondence relationship between the temperature of the processing container 31A when the processing container 31A is heated by preliminary experiments and the temperature of the wafer W on which the liquid IPA is raised is shown, it is shown in FIG. 23. In the same manner, it is possible to grasp the change over time of the temperature of the wafer W when the temperature of the processing container 31A is raised based on the preset schedule. Then, if the temperature of the liquid IPA raised on the surface of the wafer W is to indicate a change over time, such as the temperature of the wafer W, the vapor pressure of the temperature of the IPA at a certain time is higher than the vapor pressure of the temperature of the IPA at any point in time. By maintaining the pressure at a high pressure, the liquid IPA can be changed to a supercritical state while preventing the boiling of the liquid IPA.

그래서, 본 예의 초임계 처리 장치(3)는, 도 24에 도시하는 바와 같이, 웨이퍼(W) 표면에 융기된 IPA가 액체인 상태를 유지하면서 승온되도록, 감압 밸브(352A)의 개방도나 히터(322A)의 출력을 조정하여, 액체 IPA를 초임계 상태로 변화시킨다. Therefore, as shown in FIG. 24, the supercritical processing apparatus 3 of the present example has the opening degree of the pressure reducing valve 352A and the heater (so that the IPA raised on the surface of the wafer W is heated up while maintaining the liquid state). The output of 322A) is adjusted to change the liquid IPA to a supercritical state.

구체예를 들어 설명하면, IPA가 융기된 웨이퍼(W)를 처리 용기(31A)내에 반입하면, 액체 IPA가 기화하고, 처리 용기(31A)내의 온도 압력 상태는 도 24의 A'점 부근의 상태가 된다. 이 때, 도 25에 모식적으로 도시하는 바와 같이, 웨이퍼(W) 표면에 융기되어 있던 액체 IPA(61A)가 기화하고, 또한 패턴(51A)의 오목부에 들어가 있는 액체 IPA(61A)가 기화하기 시작하면, 패턴 붕괴가 발생할 우려가 높아진다. For example, when the wafer W in which IPA was raised is carried into the processing container 31A, the liquid IPA vaporizes, and the temperature-pressure state in the processing container 31A is near the point A 'of FIG. Becomes At this time, as shown typically in FIG. 25, the liquid IPA 61A which was raised on the surface of the wafer W vaporizes, and the liquid IPA 61A which enters into the recessed part of the pattern 51A vaporizes. If it starts, there is a high possibility that pattern collapse will occur.

그래서 이러한 상태가 되기 전에, 도 22에 도시하는 가압 유체 공급 라인(351A)의 감압 밸브(352A)를 서서히 개방하여, 가압 유체 탱크(363A)로부터 기체 CO2를 공급하여 처리 용기(31A)내의 압력을 상승시킨다(도 24 중 B'점). 그 후, 정해진 승온 스케줄에 기초하여 처리 용기(31A)의 승온을 시작하여, 웨이퍼(W)를 가열하고 감압 밸브(352A)를 더 개방하여, 웨이퍼(W)상의 IPA가 액체로 존재할 수 있도록, 처리 용기(31A)내의 온도-압력 상태를 조정한다. Therefore, before this state, the pressure reducing valve 352A of the pressurized fluid supply line 351A shown in FIG. 22 is gradually opened to supply gas CO 2 from the pressurized fluid tank 363A to supply the pressure in the processing container 31A. (B 'point in FIG. 24). Then, the temperature rise of the processing container 31A is started based on the predetermined temperature raising schedule, the wafer W is heated and the pressure reducing valve 352A is further opened, so that the IPA on the wafer W can exist as a liquid. The temperature-pressure state in the processing container 31A is adjusted.

이 때 처리 용기(31A)내에서는, CO2의 도입 당초의 온도-압력 상태에서는, 도 26에 도시하는 바와 같이 웨이퍼(W)의 주위는 기체 CO2(64A)의 고압 분위기로 되어있는 한편, 액체 IPA(61A)는 웨이퍼(W)의 패턴(51A)의 오목부내에 들어간 상태로 존재하고 있다. 이 상태로, 도 24에 도시한 화살표의 실선을 따라 처리 용기(31A)의 온도, 압력을 올려가, IPA의 임계 압력 이상이며 CO2의 임계 압력 이하인 6 MPa까지 승압한다. 또한, 본 실시형태에서는, CO2를 초임계 상태나 아임계 상태(고압 상태)까지 가압하여도 좋다. At this time, in the processing container 31A, in the temperature-pressure state at the beginning of introduction of CO 2 , the periphery of the wafer W is in a high pressure atmosphere of the gas CO 2 64A, as shown in FIG. 26. The liquid IPA 61A exists in the recessed part of the pattern 51A of the wafer W. As shown in FIG. In this state, the temperature and pressure of the processing vessel 31A are raised along the solid line of the arrow shown in FIG. 24, and the pressure is increased to 6 MPa that is equal to or higher than the critical pressure of IPA and equal to or lower than the critical pressure of CO 2 . In the present embodiment, or it may be pressurized to a CO 2 supercritical state or subcritical state (high voltage state).

이와 같이, CO2의 임계 압력보다도 낮고, IPA의 임계 압력보다 높은 분위기를 형성하는 것에 의해, 가열되고 있는 액체 IPA(61A)의 주위에는, 이 온도에서의 액체 IPA(61A)의 증기압보다 고압의 분위기가 형성된다. 이 결과, 웨이퍼(W) 표면의 액체 IPA(61A)는 액상의 상태를 유지한 채(비등하지 않고) 고압 분위기하에서 가열된다. 이윽고 처리 용기(31A)내의 온도가 IPA의 임계 온도 이상이 되면, 액체 IPA(61A)가, 패턴(51A)의 오목부내에 들어간 상태 그대로 초임계 IPA(63A)가 된다(도 27). Thus, by forming an atmosphere that is lower than the critical pressure of CO 2 and higher than the critical pressure of IPA, the pressure around the liquid IPA 61A that is being heated is higher than the vapor pressure of the liquid IPA 61A at this temperature. An atmosphere is formed. As a result, the liquid IPA 61A on the surface of the wafer W is heated under a high pressure atmosphere while maintaining a liquid state (not boiling). Then, when the temperature in the processing container 31A becomes more than the critical temperature of IPA, the liquid IPA 61A becomes the supercritical IPA 63A as it entered the recessed part of the pattern 51A (FIG. 27).

이와 같이 액체 IPA(61A)를 고압의 기체 CO2(64A)와 접촉시킨 상태 그대로 처리 용기(30A)내를 승온하는 것에 의해, 상기 오목부내의 액체 IPA(61A)를 직접, 초임계 IPA(63A)로 할 수 있다. 또한 가압용의 유체가 기체 상태의 CO2이기 때문에, 초임계 상태의 CO2에 비해 파티클 저감이 가능하다(도 14 참조). In this way, the liquid IPA 61A in the recess is directly heated by raising the temperature in the processing vessel 30A as it is in contact with the liquid IPA 61A in contact with the high-pressure gas CO 2 64A. I can do it. In addition, since the fluid for pressurization is CO 2 in the gaseous state, particles can be reduced as compared with CO 2 in the supercritical state (see FIG. 14).

이렇게 하여 처리 용기(31A)내에 기체 CO2(64A)를 공급하고, 웨이퍼(W)를 가열하여, 웨이퍼(W)의 패턴(51A)내의 액체 IPA(61A)가 초임계 IPA(63A)가 되는 데 충분한 시간이 경과했다면, 가압 유체 공급 라인(351A)의 감압 밸브(352A)를 폐쇄하는 한편, 배출 라인(341A)의 감압 밸브(342A)를 개방하여 처리 용기(31A)내의 유체를 배출하여, 처리 용기(31A)로부터 CO2 가스 및 IPA를 초임계 상태, 또는 기체 상태로 배출함으로써, 액체 IPA가 제거되어 건조한 웨이퍼(W)를 얻을 수 있다(도 28). In this way, the gaseous CO 2 64A is supplied into the processing container 31A, the wafer W is heated, and the liquid IPA 61A in the pattern 51A of the wafer W becomes the supercritical IPA 63A. If enough time has elapsed, the pressure reducing valve 352A of the pressurized fluid supply line 351A is closed, while the pressure reducing valve 342A of the discharge line 341A is opened to discharge the fluid in the processing container 31A, By discharging the CO 2 gas and the IPA from the processing vessel 31A in a supercritical state or a gaseous state, the liquid IPA can be removed to obtain a dry wafer W (FIG. 28).

이상에 설명한 바와 같이, 외부로부터 고압 유체를 공급하는 것에 의해 처리 용기(31A)내의 압력을 조정하고, 액체 IPA의 비등을 피하면서 이 IPA를 초임계 상태로 변화시켜 웨이퍼(W)로부터 제거하는 기술은, 웨이퍼(W) 표면에 융기된 IPA를 제거하는 예 이외에도 적용할 수 있다. 도 16에 도시하는 바와 같이, 웨이퍼 트레이(331A)내에 배치된 웨이퍼(W)를 침지한 IPA를 제거하는 경우에도, 본 기술을 적용하여도 좋다. As described above, the technique of adjusting the pressure in the processing vessel 31A by supplying a high pressure fluid from the outside, changing the IPA into a supercritical state and removing it from the wafer W while avoiding boiling of the liquid IPA Silver can be applied in addition to the example of removing the IPA raised on the wafer W surface. As shown in Fig. 16, the present technique may be applied even when the IPA immersed in the wafer W disposed in the wafer tray 331A is removed.

또한, 처리 용기(31A)내를 가압하는 방법은, 고압 가스나 초임계 유체를 공급하는 경우에 한정되는 것이 아니다. N2나 CO2의 아임계 유체를 공급하여 가압하여도 좋다. 이 외, 유체를 공급하여 처리 용기(31A)내를 가압하는 방법으로 바꿔, 예컨대 처리 용기(31A)를 피스톤 구조로 하고, 웨이퍼(W)를 수용한 처리 용기(31A)내의 공간을 압축하는 것에 의해 가압을 행하여도 좋다. In addition, the method of pressurizing the inside of processing container 31A is not limited to supplying a high pressure gas or a supercritical fluid. The subcritical fluid of N 2 or CO 2 may be supplied and pressurized. In addition, a method of supplying a fluid to pressurize the interior of the processing container 31A, for example, to make the processing container 31A a piston structure and to compress the space in the processing container 31A containing the wafer W, Pressurization may be performed.

또한, 건조 방지용의 유체도 IPA에 한정되는 것이 아니라, 메탄올이나 에탄올 등의 알코올, 각종 불소계 용매(불화알코올, 하이드로플루오로에테르 등), 아세톤 등을 이용하여도 좋고, 이들 건조 방지용의 액체를 아임계 상태로 하여 웨이퍼(W) 표면으로부터 제거하는 경우도 본 발명에 포함된다. 이 외, 예컨대 건조 방지용의 액체가 불연성인 경우라도, 건조 방지용의 액체가 고압 상태가 된 후의 변질 방지 등을 목적으로서, 불활성 가스에 의한 처리 용기(31A)내의 퍼지를 행한 후 불연성의 액체로 덮인 웨이퍼(W)를 진입시켜도 좋다. In addition, the fluid for drying prevention is not limited to IPA, but alcohols such as methanol and ethanol, various fluorine-based solvents (fluorinated alcohols, hydrofluoroethers, etc.), acetone, and the like may be used. The case of removing from the wafer W surface in a critical state is also included in the present invention. In addition, even if the liquid for preventing drying is incombustible, for example, the purging in the processing container 31A by an inert gas is performed after the purge in the processing container 31A by an inert gas for the purpose of preventing the alteration after the liquid for preventing drying becomes high pressure. The wafer W may be made to enter.

또한, 처리 용기(31A)의 구조는, 도 16에 도시한 바와 같이 내압성을 구비한 용기 전체를 가열하는 경우에 한정되지 않는다. 예컨대 스테인리스 스틸이나 탄소강, 티탄, 하스텔로이(등록 상표), 인코넬(등록 상표) 등, 내압성이 높은 한편, 비교적 열전도율이 낮은 재료로 이루어지는 내압 용기의 내측에, 알루미늄, 구리, 질화알루미늄, 탄화규소 등을 포함하는, 내압 용기보다 열전도율이 높은 재료로 이루어지는 내부 용기를 상자 구조로 하여 설치하고, 이 내부 용기를 히터(322A) 등으로 가열하여도 좋다. 이 때, 이들 내압 용기와 내부 용기 사이에 석영이나 알루미나 등으로 이루어지는 단열층을 설치하고, 내부 용기만을 가열하는 것에 의해, 처리 용기(31A)의 열응답성이 향상되고, 에너지 소비량도 저감할 수 있다.In addition, the structure of the processing container 31A is not limited to the case where the whole container with pressure resistance is heated as shown in FIG. For example, stainless steel, carbon steel, titanium, Hastelloy (registered trademark), and Inconel (registered trademark), such as aluminum, copper, aluminum nitride, silicon carbide, etc., are formed inside a pressure-resistant container made of a material having high pressure resistance and relatively low thermal conductivity. An inner container made of a material having a higher thermal conductivity than that of the pressure-resistant container having a box structure may be provided, and the inner container may be heated by a heater 322A or the like. At this time, by providing a heat insulating layer made of quartz, alumina, or the like between these pressure-resistant containers and the inner container, and heating only the inner container, the thermal response of the processing container 31A can be improved, and the energy consumption can be reduced. .

W: 웨이퍼, 1: 세정 시스템, 2: 세정 장치, 3: 초임계 처리 장치, 31, 31A: 처리 용기, 322, 322A: 히터, 341, 341A: 배출 라인, 35, 35A: 가압 유체 탱크, 351, 351A: 가압 유체 공급 라인, 4, 4A: 제어부W: wafer, 1: cleaning system, 2: cleaning device, 3: supercritical processing device, 31, 31A: processing vessel, 322, 322A: heater, 341, 341A: discharge line, 35, 35A: pressurized fluid tank, 351 , 351A: pressurized fluid supply line, 4, 4A: control unit

Claims (32)

표면에 요철 패턴이 형성되고, 그 오목부내에 들어가도록 상기 패턴을 덮는 건조 방지용의 액체가 부착된 기판을 처리 용기내에 반입하는 공정과,
기판을 가열하고, 가압용의 기체 또는 고압 상태의 유체를 상기 처리 용기내에 공급하여, 패턴 붕괴를 야기하는 정도까지 건조 방지용의 액체가 기화하기 전에 그 처리 용기내에 고압 분위기를 형성하고, 상기 패턴의 오목부내에 들어간 상태 그대로 건조 방지용의 액체를 고압 상태로 하는 공정과,
그 후, 상기 처리 용기내의 유체를 고압 상태 또는 기체 상태로 배출하는 공정
을 포함하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 방법. A step of bringing into the processing container a substrate having an anti-drying liquid that covers the pattern so that the uneven pattern is formed on the surface and enters the recess;
The substrate is heated, a pressurized gas or a high-pressure fluid is supplied into the processing container to form a high-pressure atmosphere in the processing container before the liquid for drying prevention evaporates to a degree that causes the pattern to collapse. The process of making the liquid for prevention of drying into a high pressure state as it was in the recessed part,
Thereafter, the process of discharging the fluid in the processing container in a high pressure state or a gas state
Substrate processing method comprising a. 제1항에 있어서, 상기 기판을 처리 용기내에 반입하는 공정에서는, 예열된 처리 용기내에 기판이 반입되는 것을 특징으로 하는 기판 처리 방법. The substrate processing method according to claim 1, wherein the substrate is loaded into a preheated processing container in the step of bringing the substrate into the processing container. 제2항에 있어서, 상기 처리 용기내의 예열 온도는, 상기 건조 방지용의 액체의 임계 온도 이상인 것을 특징으로 하는 기판 처리 방법. The substrate preheating method according to claim 2, wherein the preheating temperature in the processing container is equal to or more than a critical temperature of the liquid for preventing drying. 제1항에 있어서, 상기 가압용의 기체 또는 고압 상태의 유체는, 상기 건조 방지용의 액체의 임계 압력 이상으로 가압된 상태로 상기 처리 용기에 공급되는 것을 특징으로 하는 기판 처리 방법. The substrate processing method according to claim 1, wherein the pressurized gas or the high-pressure fluid is supplied to the processing container in a pressurized state at or above a critical pressure of the liquid for preventing drying. 제1항에 있어서, 상기 건조 방지용의 액체의 임계 압력 이상으로 가압되고, 상기 건조 방지용의 액체가 초임계 상태가 되었을 때에, 상기 가압용의 유체가 기체 상태인 것을 특징으로 하는 기판 처리 방법. The substrate processing method according to claim 1, wherein the pressurized fluid is in a gaseous state when pressurized above a critical pressure of the liquid for preventing drying and the liquid for preventing drying becomes a supercritical state. 제1항에 있어서, 상기 건조 방지용의 액체의 임계 압력 이상으로 가압되고, 상기 건조 방지용의 액체가 초임계 상태가 되었을 때에, 상기 가압용의 유체가 고압 상태(초임계 상태 또는 아임계 상태)인 것을 특징으로 하는 기판 처리 방법. The pressurized fluid is a high pressure state (supercritical state or subcritical state) according to claim 1, wherein the pressurized fluid is a high pressure state (supercritical state or subcritical state) when pressurized above a critical pressure of the anti-drying liquid and the dry-preventing liquid is in a supercritical state. The substrate processing method characterized by the above-mentioned. 제1항에 있어서, 기판은, 건조 방지용의 액체가 융기된 상태로 상기 처리 용기내에 반입되는 것을 특징으로 하는 기판 처리 방법. The substrate processing method according to claim 1, wherein the substrate is loaded into the processing container in a state where the liquid for preventing drying is raised. 제1항에 있어서, 상기 건조 방지용의 액체는 가연성 또는 불연성이며, 이 액체가 부착된 기판을 반입하기 전에, 상기 처리 용기내에 불활성 가스를 공급하는 공정을 포함하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 방법. 2. The substrate processing method according to claim 1, wherein the liquid for preventing drying is flammable or incombustible, and a step of supplying an inert gas into the processing container before carrying in the substrate with the liquid attached thereto. 표면에 요철 패턴이 형성된 기판으로부터, 그 오목부내에 들어가고, 상기 패턴을 덮도록 부착된 건조 방지용의 액체의 제거가 행해지는 처리 용기와,
이 처리 용기와 외부 사이에서 기판의 반입반출을 행하기 위한 반입반출부와,
상기 처리 용기내에 반입된 기판을 가열하기 위한 가열부와,
가압용의 기체 또는 고압 상태의 유체를 상기 처리 용기내에 공급하기 위한 가압 유체 공급 라인과,
상기 처리 용기내의 유체를 배출하기 위한 배출 라인과,
건조 방지용의 액체가 부착된 기판을 상기 처리 용기에 반입하고, 이어서, 기판을 가열하고, 상기 가압용의 기체 또는 고압 상태의 유체를 공급하여, 패턴 붕괴를 야기하는 정도까지 그 건조 방지용의 액체가 기화하기 전에 이 처리 용기내에 고압 분위기를 형성하며, 상기 패턴의 오목부내에 들어간 상태 그대로 건조 방지용의 액체를 고압 상태로 하고, 그 후, 상기 처리 용기내의 유체를 고압 상태 또는 기체 상태로 배출하도록 제어 신호를 출력하며, 상기 반입반출부, 상기 가열부, 상기 가압 유체 공급 라인, 상기 배출 라인을 제어하는 제어부
를 구비한 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치. A processing container which enters into the concave portion from the substrate on which the uneven pattern is formed on the surface and removes the liquid for preventing drying attached to cover the pattern;
An import / export unit for carrying in / out of the substrate between the processing container and the outside;
A heating unit for heating the substrate carried in the processing container;
A pressurized fluid supply line for supplying a pressurized gas or a high pressure fluid into the processing container;
A discharge line for discharging the fluid in the processing container;
The substrate with the anti-drying liquid is brought into the processing container, and then the substrate is heated, and the anti-drying liquid is supplied to a degree that causes the collapse of the pattern by supplying the pressurized gas or the fluid under high pressure. A high pressure atmosphere is formed in this processing container before vaporization, and the liquid for prevention of drying is put into a high pressure state as it is in the recessed part of the pattern, and thereafter, the fluid in the processing container is discharged in a high pressure state or a gas state. A control unit which outputs a signal and controls the carry-in / out unit, the heating unit, the pressurized fluid supply line, and the discharge line
Wherein the substrate processing apparatus further comprises: 제9항에 있어서, 상기 가열부는, 상기 처리 용기의 내부 분위기를 가열하는 것에 의해 기판을 가열하고, 상기 기판은, 예열된 처리 용기내에 반입되는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치. The substrate processing apparatus of claim 9, wherein the heating unit heats the substrate by heating an internal atmosphere of the processing container, and the substrate is loaded into a preheated processing container. 제10항에 있어서, 상기 처리 용기내의 예열 온도는, 상기 건조 방지용의 액체의 임계 온도 이상인 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치. The preheating temperature in the said processing container is more than the threshold temperature of the said liquid for drying prevention, The substrate processing apparatus of Claim 10 characterized by the above-mentioned. 제9항에 있어서, 상기 가압용의 기체 또는 고압 상태의 유체는, 상기 건조 방지용의 액체의 임계 압력 이상으로 가압된 상태로 상기 처리 용기에 공급되는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치. 10. The substrate processing apparatus of claim 9, wherein the pressurized gas or the high-pressure fluid is supplied to the processing container in a pressurized state at or above a critical pressure of the liquid for preventing drying. 제9항에 있어서, 상기 건조 방지용의 액체의 임계 압력 이상으로 가압되고, 상기 건조 방지용의 액체가 초임계 상태가 되었을 때에, 상기 가압용의 유체가 기체 상태인 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치. The substrate processing apparatus according to claim 9, wherein the pressurized fluid is in a gaseous state when it is pressurized above a critical pressure of the liquid for preventing drying and the liquid for preventing drying becomes a supercritical state. 제9항에 있어서, 상기 건조 방지용의 액체의 임계 압력 이상으로 가압되고, 상기 건조 방지용의 액체가 초임계 상태가 되었을 때에, 상기 가압용의 유체가 고압 상태(초임계 상태 또는 아임계 상태)인 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.10. The pressurized fluid is a high pressure state (supercritical state or subcritical state) according to claim 9, wherein the pressurized fluid is in a high pressure state when pressurized above a critical pressure of the liquid for preventing drying and the liquid for preventing drying becomes a supercritical state. Substrate processing apparatus, characterized in that. 제9항에 있어서, 상기 처리 용기에는, 건조 방지용의 액체가 융기된 상태의 기판이 반입되는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.The substrate processing apparatus of Claim 9 in which the board | substrate of the state in which the liquid for prevention of drying was raised is carried in the said processing container. 제9항에 있어서, 상기 건조 방지용의 액체는 가연성 또는 불연성이며, 이 액체가 부착된 기판을 반입하기 전에, 상기 처리 용기내에 불활성 가스가 공급되는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치. 10. The substrate treating apparatus of claim 9, wherein the liquid for preventing drying is flammable or nonflammable, and an inert gas is supplied into the processing container before carrying in the substrate with the liquid attached thereto. 표면에 요철 패턴이 형성된 기판으로부터, 그 오목부내에 들어가고, 상기 패턴을 덮도록 부착된 건조 방지용의 액체를 제거하는 기판 처리 장치에 이용되는 컴퓨터 프로그램을 저장한 컴퓨터 판독 가능한 기억 매체로서,
상기 프로그램은 제1항에 기재된 기판 처리 방법을 실행하기 위해 스텝이 짜여져 있는 것을 특징으로 하는 컴퓨터 판독 가능한 기억 매체. A computer-readable storage medium storing a computer program for use in a substrate processing apparatus that enters into a recess of a surface having a concave-convex pattern formed on its surface and removes a liquid for prevention of drying attached to cover the pattern.
The program is a computer-readable storage medium in which steps are arranged to execute the substrate processing method according to claim 1. 표면에 요철 패턴이 형성되고, 그 오목부내에 들어가도록 상기 패턴을 덮는 건조 방지용의 액체가 부착된 기판을 처리 용기내에 반입하는 공정과,
상기 기판상의 건조 방지용의 액체의 온도-압력 상태가, 상기 건조 방지용의 액체의 증기압 곡선 또는 이 증기압 곡선보다 액상측의 영역을 통해 변화하여, 초임계 상태 또는 아임계 상태인 고압 상태에 도달하도록, 그 처리 용기내를 가압하면서 기판을 가열하며, 상기 패턴의 오목부내에 들어간 상태 그대로 상기 건조 방지용의 액체를 고압 상태로 하는 공정과,
그 후, 상기 처리 용기내의 유체를 고압 상태 또는 기체 상태로 배출하는 공정
을 포함하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 방법. A step of bringing into the processing container a substrate having an anti-drying liquid that covers the pattern so that the uneven pattern is formed on the surface and enters the recess;
So that the temperature-pressure state of the anti-drying liquid on the substrate changes through the vapor pressure curve of the anti-drying liquid or the region on the liquid side side than the vapor pressure curve, so as to reach a supercritical state or a high-pressure state which is a subcritical state, Heating the substrate while pressurizing the inside of the processing container, and putting the drying preventing liquid into a high pressure state as it is in the recess of the pattern;
Thereafter, the process of discharging the fluid in the processing container in a high pressure state or a gas state
Substrate processing method comprising a. 제18항에 있어서, 상기 처리 용기내의 가압은, 그 처리 용기에 가압용의 기체 또는 고압 상태의 유체를 공급하는 것에 의해 행해지는 것을 특징으로 하는 기판 처리 방법. The substrate processing method according to claim 18, wherein the pressurization in the processing container is performed by supplying a pressurizing gas or a high pressure fluid to the processing container. 제18항에 있어서, 상기 건조 방지용의 액체의 임계 압력 이상으로 가압되고, 상기 건조 방지용의 액체가 초임계 상태가 되었을 때에, 상기 가압용의 유체가 기체 상태인 것을 특징으로 하는 기판 처리 방법. 19. The substrate processing method according to claim 18, wherein the pressurized fluid is in a gaseous state when pressurized above a critical pressure of the liquid for preventing drying and the liquid for preventing drying becomes a supercritical state. 제18항에 있어서, 상기 건조 방지용의 액체의 임계 압력 이상으로 가압되고, 상기 건조 방지용의 액체가 초임계 상태가 되었을 때에, 상기 가압용의 유체가 고압 상태(초임계 상태 또는 아임계 상태)인 것을 특징으로 하는 기판 처리 방법. 19. The pressurized fluid is a high pressure state (supercritical state or subcritical state) according to claim 18, wherein the pressurized fluid is in a high pressure state (supercritical state or subcritical state) when pressurized above a critical pressure of the liquid for drying prevention and when the liquid for drying prevention becomes a supercritical state. The substrate processing method characterized by the above-mentioned. 제18항에 있어서, 상기 처리 용기내에서, 기판은 건조 방지용의 액체에 침지된 상태로 가열되는 것을 특징으로 하는 기판 처리 방법. The substrate processing method according to claim 18, wherein in the processing container, the substrate is heated while being immersed in a liquid for preventing drying. 제18항에 있어서, 기판은, 건조 방지용의 액체가 융기된 상태로 상기 처리 용기에 반입되는 것을 특징으로 하는 기판 처리 방법. The substrate processing method according to claim 18, wherein the substrate is loaded into the processing container in a state where the liquid for preventing drying is raised. 제18항에 있어서, 상기 건조 방지용의 액체가 가연성 또는 불연성이고, 이 액체가 부착된 기판을 반입하기 전에, 상기 처리 용기내에 불활성 가스를 공급하는 공정을 포함하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 방법. 19. The substrate processing method according to claim 18, wherein the liquid for preventing drying is flammable or incombustible, and a step of supplying an inert gas into the processing container before carrying in the substrate with the liquid attached thereto. 표면에 요철 패턴이 형성된 기판으로부터, 그 오목부내에 들어가고, 상기 패턴을 덮도록 부착된 건조 방지용의 액체의 제거가 행해지는 처리 용기와,
이 처리 용기와 외부 사이에서 기판의 반입반출을 행하기 위한 반입반출부와,
상기 처리 용기의 내부를 가압하기 위한 가압부와,
상기 처리 용기내의 기판을 가열하기 위한 가열부와,
상기 처리 용기내의 유체를 배출하기 위한 배출 라인과,
건조 방지용의 액체가 부착된 기판을 상기 처리 용기에 반입하고, 이어서, 상기 기판상의 건조 방지용의 액체의 온도-압력 상태가, 상기 건조 방지용의 액체의 증기압 곡선 또는 이 증기압 곡선보다 액상측의 영역을 통해 변화하며, 초임계 상태 또는 아임계 상태인 고압 상태에 도달하도록, 상기 처리 용기내를 가압하면서 기판을 가열하고, 상기 패턴의 오목부내에 들어간 상태 그대로 상기 건조 방지용의 액체를 고압 상태로 하며, 그 후, 상기 처리 용기내의 유체를 고압 상태 또는 기체 상태로 배출하도록 제어 신호를 출력하고, 상기 반입반출부, 상기 가압부, 상기 가열부, 상기 배출 라인을 제어하는 제어부
를 구비한 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치. A processing container which enters into the concave portion from the substrate on which the uneven pattern is formed on the surface and removes the liquid for preventing drying attached to cover the pattern;
An import / export unit for carrying in / out of the substrate between the processing container and the outside;
A pressurizing unit for pressurizing the inside of the processing container;
A heating unit for heating the substrate in the processing container;
A discharge line for discharging the fluid in the processing container;
The substrate with the liquid for prevention of drying is brought into the processing container, and then the temperature-pressure state of the liquid for prevention of drying on the substrate is determined by the vapor pressure curve of the liquid for prevention of drying or the region on the liquid side side of the vapor pressure curve. The substrate is heated while pressurizing the inside of the processing container to reach a high pressure state which is a supercritical state or a subcritical state, and the liquid for preventing drying is placed at a high pressure state as it enters into the recess of the pattern, Thereafter, a control unit outputs a control signal to discharge the fluid in the processing container in a high pressure state or a gas state, and controls the carry-in / out unit, the pressurizing unit, the heating unit, and the discharge line.
Wherein the substrate processing apparatus further comprises: 제25항에 있어서, 상기 가압부는, 가압용의 기체 또는 고압 상태의 유체를 공급하는 것에 의해 상기 처리 용기내를 가압하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치. The substrate processing apparatus according to claim 25, wherein the pressurizing unit pressurizes the inside of the processing container by supplying a pressurizing gas or a fluid in a high pressure state. 제25항에 있어서, 상기 건조 방지용의 액체의 임계 압력 이상으로 가압되어, 상기 건조 방지용의 액체가 초임계 상태가 되었을 때에, 상기 가압용의 유체는 기체 상태인 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치. The substrate processing apparatus according to claim 25, wherein the pressurizing fluid is in a gaseous state when it is pressurized above a critical pressure of the liquid for preventing drying and the liquid for preventing drying becomes a supercritical state. 제25항에 있어서, 상기 건조 방지용의 액체의 임계 압력 이상으로 가압되어, 상기 건조 방지용의 액체가 초임계 상태가 되었을 때에, 상기 가압용의 유체는 고압 상태(초임계 상태 또는 아임계 상태)인 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치. The pressurized fluid is a high pressure state (supercritical state or subcritical state) according to claim 25, wherein the pressurized fluid is in a high pressure state (supercritical state or subcritical state) when it is pressurized above a critical pressure of the liquid for preventing drying and the liquid for preventing drying becomes a supercritical state. Substrate processing apparatus, characterized in that. 제25항에 있어서, 상기 처리 용기내에서, 기판은 건조 방지용의 액체에 침지된 상태로 가열되는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치. The substrate processing apparatus according to claim 25, wherein, in the processing container, the substrate is heated while being immersed in a liquid for preventing drying. 제25항에 있어서, 기판은, 건조 방지용의 액체가 융기된 상태로 상기 처리 용기에 반입되는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치. The substrate processing apparatus according to claim 25, wherein the substrate is loaded into the processing container in a state where the liquid for preventing drying is raised. 제25항에 있어서, 상기 건조 방지용의 액체는 가연성 또는 불연성이며, 이 액체가 부착된 기판을 반입하기 전에, 상기 처리 용기내에 불활성 가스가 공급되는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치. 27. The substrate processing apparatus of claim 25, wherein the liquid for preventing drying is flammable or nonflammable, and an inert gas is supplied into the processing container before carrying in the substrate to which the liquid is attached. 표면에 요철 패턴이 형성된 기판으로부터, 그 오목부내에 들어가고, 상기 패턴을 덮도록 부착된 건조 방지용의 액체를 제거하는 기판 처리 장치에 이용되는 컴퓨터 프로그램을 저장한 컴퓨터 판독 가능한 기억 매체로서,
상기 프로그램은 제18항에 기재된 기판 처리 방법을 실행하기 위해 스텝이 짜여져 있는 것을 특징으로 하는 컴퓨터 판독 가능한 기억 매체.A computer-readable storage medium storing a computer program for use in a substrate processing apparatus that enters into a concave portion of a substrate having an uneven pattern formed on a surface thereof and removes a liquid for preventing drying attached to cover the pattern.
The program is a computer-readable storage medium in which steps are arranged to execute the substrate processing method of claim 18.
KR1020137031389A 2011-05-30 2012-05-28 Method for treating substrate, device for treating substrate and storage medium KR101572746B1 (en)

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