JP2003087001A - アンテナ切替回路の実装構造 - Google Patents
アンテナ切替回路の実装構造Info
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 スイッチダイオード自身が有する内部の浮遊
容量を極力小さくし、ローパスフィルタとの組み合わせ
における伝送特性で生ずる共振周波数を、受信に影響が
ない程度に高い方に移動させる。 【解決手段】 第一のスイッチダイオード４を第一の導
体パターン１ａと第二の導体パターン１ｂとの間に接続
し、インダクタンス素子５ａを第一の導体パターン１ａ
と第三の導体パターン１ｃとの間に接続すると共に、第
一の容量素子５ｃを第三の導体パターン１ｃと第四の導
体パターン１ｄとの間に接続し、第二のスイッチダイオ
ード８をベアチップ８ａで構成し、ベアチップ８ａを第
四の導体パターン１ｄ上に載置すると共にそのカソード
電極を第四の導体パターン１ｄに接続し、ベアチップ８
ａのアノード電極をボンデングワイヤ９によって第三の
導体パターン１ｃに接続した。
容量を極力小さくし、ローパスフィルタとの組み合わせ
における伝送特性で生ずる共振周波数を、受信に影響が
ない程度に高い方に移動させる。 【解決手段】 第一のスイッチダイオード４を第一の導
体パターン１ａと第二の導体パターン１ｂとの間に接続
し、インダクタンス素子５ａを第一の導体パターン１ａ
と第三の導体パターン１ｃとの間に接続すると共に、第
一の容量素子５ｃを第三の導体パターン１ｃと第四の導
体パターン１ｄとの間に接続し、第二のスイッチダイオ
ード８をベアチップ８ａで構成し、ベアチップ８ａを第
四の導体パターン１ｄ上に載置すると共にそのカソード
電極を第四の導体パターン１ｄに接続し、ベアチップ８
ａのアノード電極をボンデングワイヤ９によって第三の
導体パターン１ｃに接続した。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】この発明は、送受信器におけ
るアンテナ切替回路の実装構造に関する。
るアンテナ切替回路の実装構造に関する。
【０００２】
【従来の技術】送受信器におけるアンテナ切替回路は図
６に示すように、図示しないアンテナに接続される入出
力端３１と送信回路３２の出力端との間に接続された第
一のスイッチダイオード３３と、入出力端３１と受信回
路３４の入力端との間に設けられたπ型のローパスフィ
ルタ３５と、受信回路３４の入力端とグランドとの間に
接続された第二のスイッチダイオード３６とを有する。
ローパスフィルタ３５は受信回路３４の入力端とグラン
ドとの間に接続された第一の容量素子３５ａと、受信回
路３４の入力端と入出力端３１との間に介挿されたイン
ダクタンス素子３５ｂと、入出力端３１とグランドとの
間に接続された第二の容量素子３５ｃとから構成され
る。そして、第一のスイッチダイオード３３のカソード
はインダクタンス素子３５ｂを介して第二のスイッチダ
イオード３６のアノードに直流的に接続される。
６に示すように、図示しないアンテナに接続される入出
力端３１と送信回路３２の出力端との間に接続された第
一のスイッチダイオード３３と、入出力端３１と受信回
路３４の入力端との間に設けられたπ型のローパスフィ
ルタ３５と、受信回路３４の入力端とグランドとの間に
接続された第二のスイッチダイオード３６とを有する。
ローパスフィルタ３５は受信回路３４の入力端とグラン
ドとの間に接続された第一の容量素子３５ａと、受信回
路３４の入力端と入出力端３１との間に介挿されたイン
ダクタンス素子３５ｂと、入出力端３１とグランドとの
間に接続された第二の容量素子３５ｃとから構成され
る。そして、第一のスイッチダイオード３３のカソード
はインダクタンス素子３５ｂを介して第二のスイッチダ
イオード３６のアノードに直流的に接続される。
【０００３】以上の構成において、送信モードでは二つ
のスイッチダイオード３３、３６がオンとなり、第一の
容量素子３５ａの両端が第二のスイッチダイオード３６
によってショートされると共に、受信回路３４の入力端
がグランドにシャントされる。この結果、インダクタン
ス素子３５ｂと第二の容量素子３５ｃとによって並列共
振回路が構成されるが、この共振周波数は送信回路３２
から出力される送信信号の周波数にほぼ等しくなってい
る。そして、送信信号は第一のスイッチダイオード３３
を介して入出力端３１に出力される。この時、受信回路
３４の入力端がグランドにシャントされるので、送信信
号は受信回路３４には入力されない。
のスイッチダイオード３３、３６がオンとなり、第一の
容量素子３５ａの両端が第二のスイッチダイオード３６
によってショートされると共に、受信回路３４の入力端
がグランドにシャントされる。この結果、インダクタン
ス素子３５ｂと第二の容量素子３５ｃとによって並列共
振回路が構成されるが、この共振周波数は送信回路３２
から出力される送信信号の周波数にほぼ等しくなってい
る。そして、送信信号は第一のスイッチダイオード３３
を介して入出力端３１に出力される。この時、受信回路
３４の入力端がグランドにシャントされるので、送信信
号は受信回路３４には入力されない。
【０００４】また、受信モードでは二つのスイッチダイ
オード３３、３６がオフとなるので、入出力端３１に入
力された受信信号はローパスフィルタ３５を介して受信
回路３４に入力される。受信信号は第一のスイッチダイ
オード３３がオフなので送信回路３２には入力されな
い。
オード３３、３６がオフとなるので、入出力端３１に入
力された受信信号はローパスフィルタ３５を介して受信
回路３４に入力される。受信信号は第一のスイッチダイ
オード３３がオフなので送信回路３２には入力されな
い。
【０００５】以上の構成を有するアンテナ切替回路の従
来の実装構造を図７に示す。前述した受信回路３２及び
送信回路３５が設けられた絶縁基板４１上には、入出力
端３１となる島状の第一の導体パターン４１ａと、送信
回路３２の出力端に接続された島状の第二の導体パター
ン４１ｂと、受信回路３４の入力端に接続された島状の
第三の導体パターン４１ｃと、第一の導体パターン４１
ａと第三の導体パターン４１ｃとに対向して近接すると
共に、接地された金属ケース（図示せず）に接続された
第四の導体パターン４１ｄとが設けられる。これらの導
体パターンは絶縁基板４１上に被着された銅箔をエッチ
ング等することによって形成される。
来の実装構造を図７に示す。前述した受信回路３２及び
送信回路３５が設けられた絶縁基板４１上には、入出力
端３１となる島状の第一の導体パターン４１ａと、送信
回路３２の出力端に接続された島状の第二の導体パター
ン４１ｂと、受信回路３４の入力端に接続された島状の
第三の導体パターン４１ｃと、第一の導体パターン４１
ａと第三の導体パターン４１ｃとに対向して近接すると
共に、接地された金属ケース（図示せず）に接続された
第四の導体パターン４１ｄとが設けられる。これらの導
体パターンは絶縁基板４１上に被着された銅箔をエッチ
ング等することによって形成される。
【０００６】そして、第一の導体パターン４１ａと第二
の導体パターン４１ｂとの間に第一のスイッチダイオー
ド３３が接続され、第一の導体パターン４１ａと第三の
導体パターン４１ｃとの間にインダクタンス素子３５ｂ
が接続され、第三の導体パターン４１ｃと第四の導体パ
ターン４１ｄとの間に第一の容量素子３５ａと第二のス
イッチダイオード３６とが接続され、第一の導体パター
ン４１ａと第四の導体パターン４１ｄとの間に第二の容
量素子３５ｃが接続される。
の導体パターン４１ｂとの間に第一のスイッチダイオー
ド３３が接続され、第一の導体パターン４１ａと第三の
導体パターン４１ｃとの間にインダクタンス素子３５ｂ
が接続され、第三の導体パターン４１ｃと第四の導体パ
ターン４１ｄとの間に第一の容量素子３５ａと第二のス
イッチダイオード３６とが接続され、第一の導体パター
ン４１ａと第四の導体パターン４１ｄとの間に第二の容
量素子３５ｃが接続される。
【０００７】第一及び第二の容量素子３５ａ、３５ｃと
インダクタンス素子３５ｂとはそれぞれ両端に接続用の
電極を有するいわゆるチップ部品の形状を有している。
また、第一及び第二のスイッチダイオード３３、３６は
両端に接続用の端子が突出した樹脂モールド部品の形状
を有する。そして、各容量素子３５ａ、３５ｃ及びイン
ダクタンス素子３５ｂの電極と各スイッチダイオード３
３、３６の端子とがそれぞれ導体パターン４１ａ乃至４
１ｄに接続されてアンテナ切替回路の実装構造が構成さ
れる。
インダクタンス素子３５ｂとはそれぞれ両端に接続用の
電極を有するいわゆるチップ部品の形状を有している。
また、第一及び第二のスイッチダイオード３３、３６は
両端に接続用の端子が突出した樹脂モールド部品の形状
を有する。そして、各容量素子３５ａ、３５ｃ及びイン
ダクタンス素子３５ｂの電極と各スイッチダイオード３
３、３６の端子とがそれぞれ導体パターン４１ａ乃至４
１ｄに接続されてアンテナ切替回路の実装構造が構成さ
れる。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】以上の構成において、
受信モードでは第二のスイッチダイオード３６がオフと
なるが、オフ状態の第二のスイッチダイオード３６は図
８に示すような等価回路となる。図８において、Ｃｊは
ＰＮ接合間の等価容量であり、ＬｗはＰ層あるいはＮ層
と接続用端子とを接続するボンデングワイヤの等価イン
ダクタンスであり、Ｌｌは接続用端子の等価インダクタ
ンスである。接続用端子の等価インダクタンスＬｌはボ
ンデングワイヤの等価インダクタンスＬｗよりも格段に
大きい。また、Ｃｓは内部の等価浮遊容量であり、これ
は接合間等価容量Ｃｊとボンデングワイヤの等価インダ
クタンスＬｗとの直列回路に対して並列に接続される形
となる。
受信モードでは第二のスイッチダイオード３６がオフと
なるが、オフ状態の第二のスイッチダイオード３６は図
８に示すような等価回路となる。図８において、Ｃｊは
ＰＮ接合間の等価容量であり、ＬｗはＰ層あるいはＮ層
と接続用端子とを接続するボンデングワイヤの等価イン
ダクタンスであり、Ｌｌは接続用端子の等価インダクタ
ンスである。接続用端子の等価インダクタンスＬｌはボ
ンデングワイヤの等価インダクタンスＬｗよりも格段に
大きい。また、Ｃｓは内部の等価浮遊容量であり、これ
は接合間等価容量Ｃｊとボンデングワイヤの等価インダ
クタンスＬｗとの直列回路に対して並列に接続される形
となる。
【０００９】上記の等価回路では、ローパスフィルタ３
５のカットオフ周波数Ｆｃ（ほぼ２８００ＭＨｚ）より
も高くなると、浮遊容量Ｃｓの存在によって直列共振周
波数とそれよりも高い並列共振周波数とが現れる。そし
て、それぞれの共振周波数は接続用端子の等価インダク
タンスＬｌと第一の容量素子３５ａの容量とによって低
い方に移動する。そのため、ローパスフィルタ３５とオ
フ状態のスイッチダイオード３６とを含めた全体の伝送
特性は、図９に示すように、直列共振周波数Ｆｓで減衰
し、並列共振周波数Ｆｐでピークとなる。並列共振周波
数Ｆｐは、オフ状態における第二のスイッチダイオード
３６の等価回路の各常数を用いて計算すると受信周波数
の二倍程度（ほぼ４８００ＭＨｚ）となる。このため、
この付近に存在する信号が受信回路に入力され、受信妨
害を引き起こすという問題があった。
５のカットオフ周波数Ｆｃ（ほぼ２８００ＭＨｚ）より
も高くなると、浮遊容量Ｃｓの存在によって直列共振周
波数とそれよりも高い並列共振周波数とが現れる。そし
て、それぞれの共振周波数は接続用端子の等価インダク
タンスＬｌと第一の容量素子３５ａの容量とによって低
い方に移動する。そのため、ローパスフィルタ３５とオ
フ状態のスイッチダイオード３６とを含めた全体の伝送
特性は、図９に示すように、直列共振周波数Ｆｓで減衰
し、並列共振周波数Ｆｐでピークとなる。並列共振周波
数Ｆｐは、オフ状態における第二のスイッチダイオード
３６の等価回路の各常数を用いて計算すると受信周波数
の二倍程度（ほぼ４８００ＭＨｚ）となる。このため、
この付近に存在する信号が受信回路に入力され、受信妨
害を引き起こすという問題があった。
【００１０】そこで、本発明では、スイッチダイオード
自身が有する内部の浮遊容量を極力小さくし、ローパス
フィルタとの組み合わせにおける伝送特性で生ずる共振
周波数を、受信に影響がない程度に高い方に移動させる
ことを目的とする。
自身が有する内部の浮遊容量を極力小さくし、ローパス
フィルタとの組み合わせにおける伝送特性で生ずる共振
周波数を、受信に影響がない程度に高い方に移動させる
ことを目的とする。
【００１１】
【課題を解決するための手段】以上の課題を解決するた
め、送信回路と受信回路とアンテナ切替回路とが設けら
れた絶縁基板を備え、前記絶縁基板上にはアンテナに接
続された第一の導体パターンと前記送信回路の出力端に
接続された第二の導体パターンと前記受信回路の入力端
に接続された第三の導体パターンと前記第三の導体パタ
ーンに近接すると共に接地された第四の導体パターンと
を形成し、前記アンテナ切替回路は前記第一の導体パタ
ーンと前記第二の導体パターン間に接続された第一のス
イッチダイオードと、少なくとも前記第一の導体パター
ンと前記第三の導体パターンとの間に接続されたインダ
クタンス素子と前記第三の導体パターンと前記第四の導
体パターンとの間に接続された容量素子とを有するロー
パスフィルタと、前記第三の導体パターンと前記第四の
導体パターンとの間に接続され、前記第一のスイッチダ
イオードに連動して共にオン又はオフに切り替えられる
第二のスイッチダイオードとを有し、前記第二のスイッ
チダイオードをベアチップで構成し、前記ベアチップを
前記第四の導体パターン上に載置すると共にその下面の
電極を前記第四の導体パターンに接続し、上面の電極を
ボンデングワイヤによって前記第三の導体パターンに接
続した。
め、送信回路と受信回路とアンテナ切替回路とが設けら
れた絶縁基板を備え、前記絶縁基板上にはアンテナに接
続された第一の導体パターンと前記送信回路の出力端に
接続された第二の導体パターンと前記受信回路の入力端
に接続された第三の導体パターンと前記第三の導体パタ
ーンに近接すると共に接地された第四の導体パターンと
を形成し、前記アンテナ切替回路は前記第一の導体パタ
ーンと前記第二の導体パターン間に接続された第一のス
イッチダイオードと、少なくとも前記第一の導体パター
ンと前記第三の導体パターンとの間に接続されたインダ
クタンス素子と前記第三の導体パターンと前記第四の導
体パターンとの間に接続された容量素子とを有するロー
パスフィルタと、前記第三の導体パターンと前記第四の
導体パターンとの間に接続され、前記第一のスイッチダ
イオードに連動して共にオン又はオフに切り替えられる
第二のスイッチダイオードとを有し、前記第二のスイッ
チダイオードをベアチップで構成し、前記ベアチップを
前記第四の導体パターン上に載置すると共にその下面の
電極を前記第四の導体パターンに接続し、上面の電極を
ボンデングワイヤによって前記第三の導体パターンに接
続した。
【００１２】また、前記容量素子を前記第三の導体パタ
ーンと、前記第三の導体パターン上に膜状に形成された
誘電体層と、前記誘電体層上に膜状に形成された導体層
とから構成し、前記導体層を前記第四の導体パターンに
接続し、前記ボンデングワイヤを前記導体層の上方に位
置させた。
ーンと、前記第三の導体パターン上に膜状に形成された
誘電体層と、前記誘電体層上に膜状に形成された導体層
とから構成し、前記導体層を前記第四の導体パターンに
接続し、前記ボンデングワイヤを前記導体層の上方に位
置させた。
【００１３】また、前記誘電体層と前記導体層とを厚膜
印刷手段または薄膜蒸着手段によって形成した。
印刷手段または薄膜蒸着手段によって形成した。
【００１４】
【発明の実施の形態】本発明のアンテナ切替回路の実装
構造を図１及び図２に示す。図１は平面図であり、図２
は図１における２−２線の断面図である。図１、図２に
おいて、絶縁基板１上には図示しないアンテナに接続さ
れると共に、入出力端となる島状の第一の導体パターン
１ａと、送信回路２（図３参照）の出力端に接続された
島状の第二の導体パターン１ｂと、受信回路３（図３参
照）の入力端に接続された島状の第三の導体パターン１
ｃと、第一の導体パターン１ａと第三の導体パターン１
ｃとに対向して近接すると共に、接地された金属ケース
（図示せず）に接続された第四の導体パターン１ｄが設
けられる。これらの導体は絶縁基板１上に被着された銅
箔をエッチング等の手段によって形成される。
構造を図１及び図２に示す。図１は平面図であり、図２
は図１における２−２線の断面図である。図１、図２に
おいて、絶縁基板１上には図示しないアンテナに接続さ
れると共に、入出力端となる島状の第一の導体パターン
１ａと、送信回路２（図３参照）の出力端に接続された
島状の第二の導体パターン１ｂと、受信回路３（図３参
照）の入力端に接続された島状の第三の導体パターン１
ｃと、第一の導体パターン１ａと第三の導体パターン１
ｃとに対向して近接すると共に、接地された金属ケース
（図示せず）に接続された第四の導体パターン１ｄが設
けられる。これらの導体は絶縁基板１上に被着された銅
箔をエッチング等の手段によって形成される。
【００１５】そして、第一の導体パターン１ａと第二の
導体パターン１ｂとの間には第一のスイッチダイオード
４が設けられる。第一のスイッチダイオード４は両端に
突出する接続用のアノード端子４ａ、カソード端子４ｂ
を有し、アノード端子４ａが第二の導体パターン１ｂに
接続され、カソード端子４ｂが第一の導体パターン１ａ
に接続される。また、第一の導体パターン１ａと第三の
導体パターン１ｃとの間にはチップ部品状のインダクタ
ンス素子５ａが設けられ、各端部の電極が第一の導体パ
ターン１ａと第三の導体パターン１ｃに接続される。さ
らに、第一の導体パターン１ａと第四の導体パターン１
ｄとの間にはチップ部品状の第二の容量素子５ｂが設け
られ、各端部の電極が第一の導体パターン１ａと第四の
導体パターン１ｄとに接続される。
導体パターン１ｂとの間には第一のスイッチダイオード
４が設けられる。第一のスイッチダイオード４は両端に
突出する接続用のアノード端子４ａ、カソード端子４ｂ
を有し、アノード端子４ａが第二の導体パターン１ｂに
接続され、カソード端子４ｂが第一の導体パターン１ａ
に接続される。また、第一の導体パターン１ａと第三の
導体パターン１ｃとの間にはチップ部品状のインダクタ
ンス素子５ａが設けられ、各端部の電極が第一の導体パ
ターン１ａと第三の導体パターン１ｃに接続される。さ
らに、第一の導体パターン１ａと第四の導体パターン１
ｄとの間にはチップ部品状の第二の容量素子５ｂが設け
られ、各端部の電極が第一の導体パターン１ａと第四の
導体パターン１ｄとに接続される。
【００１６】また、図２に示すように、第三の導体パタ
ーン１ｃ上には厚膜印刷あるいは薄膜蒸着によって誘電
体層６が形成され、誘電体層６の上には膜印刷あるいは
薄膜蒸着によって導体層７が形成される。そして、導体
層７は第四の導体パターン１ｄに接続される。この結
果、第三の導体パターン１ｃと誘電体層６と導体層７に
よって第一の容量素子５ｃが構成される。
ーン１ｃ上には厚膜印刷あるいは薄膜蒸着によって誘電
体層６が形成され、誘電体層６の上には膜印刷あるいは
薄膜蒸着によって導体層７が形成される。そして、導体
層７は第四の導体パターン１ｄに接続される。この結
果、第三の導体パターン１ｃと誘電体層６と導体層７に
よって第一の容量素子５ｃが構成される。
【００１７】さらに、第四の導体パターン１ｄ上には第
三の導体パターン１ｃに対向した位置に第二のスイッチ
ダイオード８となるベアチップ８ａが載置され、その下
面の電極（カソード電極）が第四の導体パターン１ｄに
接続されると共に、上面の電極（アノード電極）がボン
デングワイヤ９によって第三の導体パターン１ｃに接続
される。ボンデングワイヤ９は導体層７の上方に位置さ
せている。此によってボンデングワイヤ９と第一の容量
素子５ｃを構成する一方の電極となる第三の導体パター
ン１ｃとの間の浮遊容量を少なくしている。
三の導体パターン１ｃに対向した位置に第二のスイッチ
ダイオード８となるベアチップ８ａが載置され、その下
面の電極（カソード電極）が第四の導体パターン１ｄに
接続されると共に、上面の電極（アノード電極）がボン
デングワイヤ９によって第三の導体パターン１ｃに接続
される。ボンデングワイヤ９は導体層７の上方に位置さ
せている。此によってボンデングワイヤ９と第一の容量
素子５ｃを構成する一方の電極となる第三の導体パター
ン１ｃとの間の浮遊容量を少なくしている。
【００１８】以上の実装構造によって図３に示す送受信
回路が構成され、インダクタンス素子５ａと第二の容量
素子５ｂと第一の容量素子５ｃとによってローパスフィ
ルタ５が形成される。また、第一のスイッチダイオード
４のカソードはインダクタンス素子５ａ、ボンデングワ
イヤ９を介して第二のスイッチダイオード８のアノード
に接続されるので、二つのスイッチダイオード４、８を
共にオン又はオフとすることが容易となる。
回路が構成され、インダクタンス素子５ａと第二の容量
素子５ｂと第一の容量素子５ｃとによってローパスフィ
ルタ５が形成される。また、第一のスイッチダイオード
４のカソードはインダクタンス素子５ａ、ボンデングワ
イヤ９を介して第二のスイッチダイオード８のアノード
に接続されるので、二つのスイッチダイオード４、８を
共にオン又はオフとすることが容易となる。
【００１９】以上の構成で、送信モードでは第一及び第
二のスイッチダイオード４、８がオンとされ、第一の容
量素子５ｃの両端が第二のスイッチダイオード８によっ
てショートされると共に、受信回路３の入力端がグラン
ドにシャントされる。この結果、インダクタンス素子５
ａと第二の容量素子５ｂとによって並列共振回路が構成
されるが、この共振周波数は送信回路２から出力される
送信信号の周波数にほぼ等しくなっている。そして、送
信信号は第一のスイッチダイオード４を介して第一の導
体パターン１ａに出力される。この時、受信回路３の入
力端がグランドにシャントされるので、送信信号は受信
回路３には入力されない。
二のスイッチダイオード４、８がオンとされ、第一の容
量素子５ｃの両端が第二のスイッチダイオード８によっ
てショートされると共に、受信回路３の入力端がグラン
ドにシャントされる。この結果、インダクタンス素子５
ａと第二の容量素子５ｂとによって並列共振回路が構成
されるが、この共振周波数は送信回路２から出力される
送信信号の周波数にほぼ等しくなっている。そして、送
信信号は第一のスイッチダイオード４を介して第一の導
体パターン１ａに出力される。この時、受信回路３の入
力端がグランドにシャントされるので、送信信号は受信
回路３には入力されない。
【００２０】また、受信モードでは二つのスイッチダイ
オード４、８がオフとなるので、第一の導体パターン１
ａに入力された受信信号はローパスフィルタ５を介して
受信回路３に入力される。受信信号は第一のスイッチダ
イオード４がオフなので送信回路２には入力されない。
オード４、８がオフとなるので、第一の導体パターン１
ａに入力された受信信号はローパスフィルタ５を介して
受信回路３に入力される。受信信号は第一のスイッチダ
イオード４がオフなので送信回路２には入力されない。
【００２１】また、上記の実装構造では、ボンデングワ
イヤ９の等価インダクタンスをＬｗ、ベアチップ８ａの
オフ時のＰＮ接合間の等価容量をＣｊとした場合、第三
の導体パターン１ｃと第四の導体パターン１ｄとの間に
構成される等価回路は図４に示すようになり、ベアチッ
プ８ａのアノード電極と第三の導体パターン１ｃとの間
に形成される浮遊容量Ｃｓは、それら間に存在する導体
層７のために無視し得る程度に極めて小さくなる。
イヤ９の等価インダクタンスをＬｗ、ベアチップ８ａの
オフ時のＰＮ接合間の等価容量をＣｊとした場合、第三
の導体パターン１ｃと第四の導体パターン１ｄとの間に
構成される等価回路は図４に示すようになり、ベアチッ
プ８ａのアノード電極と第三の導体パターン１ｃとの間
に形成される浮遊容量Ｃｓは、それら間に存在する導体
層７のために無視し得る程度に極めて小さくなる。
【００２２】従って、ボンデングワイヤ９の等価インダ
クタンスＬｗと、ベアチップ８ａのオフ時のＰＮ接合間
の等価容量Ｃｊと、浮遊容量Ｃｓとによる直列共振周波
数及び並列共振周波数は極めて高くなり、しかも、第二
のスイッチダイオード８には接続用の端子による等価イ
ンダクタンスも存在しないので、第一の容量素子５ｃを
含めた直列共振周波数、並列共振回路も従来よりは格段
に高くなり、図５に示すように、直列共振周波数Ｆｓが
ほぼ９００ＭＨｚ、並列共振周波数Ｆｐがほぼ１５００
ＭＨｚとなる。そして、この並列共振周波数Ｆｐにおけ
るレベルは、周波数が高いので従来よりも格段に低くな
り、この周波数付近に存在する他の信号による受信妨害
が回避される。
クタンスＬｗと、ベアチップ８ａのオフ時のＰＮ接合間
の等価容量Ｃｊと、浮遊容量Ｃｓとによる直列共振周波
数及び並列共振周波数は極めて高くなり、しかも、第二
のスイッチダイオード８には接続用の端子による等価イ
ンダクタンスも存在しないので、第一の容量素子５ｃを
含めた直列共振周波数、並列共振回路も従来よりは格段
に高くなり、図５に示すように、直列共振周波数Ｆｓが
ほぼ９００ＭＨｚ、並列共振周波数Ｆｐがほぼ１５００
ＭＨｚとなる。そして、この並列共振周波数Ｆｐにおけ
るレベルは、周波数が高いので従来よりも格段に低くな
り、この周波数付近に存在する他の信号による受信妨害
が回避される。
【００２３】
【発明の効果】以上説明したように、本発明では、アン
テナ切替回路は第一の導体パターンと第二の導体パター
ン間に接続された第一のスイッチダイオードと、少なく
とも第一の導体パターンと第三の導体パターンとの間に
接続されたインダクタンス素子と第三の導体パターンと
第四の導体パターンとの間に接続された容量素子とを有
するローパスフィルタと、第三の導体パターンと第四の
導体パターンとの間に接続され、第一のスイッチダイオ
ードに連動して共にオン又はオフに切り替えられる第二
のスイッチダイオードとを有し、第二のスイッチダイオ
ードをベアチップで構成し、ベアチップを第四の導体パ
ターン上に載置すると共にその下面の電極を第四の導体
パターンに接続し、上面の電極をボンデングワイヤによ
って第三の導体パターンに接続したので、第二のスイッ
チダイオードが有する浮遊容量が小さくなり、浮遊容量
に起因する共振周波数が高くなり、受信妨害が少なくな
る。また、第二のスイッチダイオードを第四の導体パタ
ーン上に構成するので、絶縁基板の面積を少なくでき
る。
テナ切替回路は第一の導体パターンと第二の導体パター
ン間に接続された第一のスイッチダイオードと、少なく
とも第一の導体パターンと第三の導体パターンとの間に
接続されたインダクタンス素子と第三の導体パターンと
第四の導体パターンとの間に接続された容量素子とを有
するローパスフィルタと、第三の導体パターンと第四の
導体パターンとの間に接続され、第一のスイッチダイオ
ードに連動して共にオン又はオフに切り替えられる第二
のスイッチダイオードとを有し、第二のスイッチダイオ
ードをベアチップで構成し、ベアチップを第四の導体パ
ターン上に載置すると共にその下面の電極を第四の導体
パターンに接続し、上面の電極をボンデングワイヤによ
って第三の導体パターンに接続したので、第二のスイッ
チダイオードが有する浮遊容量が小さくなり、浮遊容量
に起因する共振周波数が高くなり、受信妨害が少なくな
る。また、第二のスイッチダイオードを第四の導体パタ
ーン上に構成するので、絶縁基板の面積を少なくでき
る。
【００２４】また、容量素子を第三の導体パターンと、
第三の導体パターン上に膜状に形成された誘電体層と、
誘電体層上に膜状に形成された導体層とから構成し、導
体層を第四の導体パターンに接続し、ボンデングワイヤ
を導体層の上方に位置させたので、浮遊容量が一層小さ
くなる。また、容量素子は第三の導体パターン上に構成
できるので絶縁基板を小さくできる。
第三の導体パターン上に膜状に形成された誘電体層と、
誘電体層上に膜状に形成された導体層とから構成し、導
体層を第四の導体パターンに接続し、ボンデングワイヤ
を導体層の上方に位置させたので、浮遊容量が一層小さ
くなる。また、容量素子は第三の導体パターン上に構成
できるので絶縁基板を小さくできる。
【００２５】また、誘電体層と導体層とを厚膜印刷手段
または薄膜蒸着手段によって形成したので、第二の容量
素子はインダクタンス成分がなくなり、不要な自己共振
を発生しない。
または薄膜蒸着手段によって形成したので、第二の容量
素子はインダクタンス成分がなくなり、不要な自己共振
を発生しない。
【図１】本発明のアンテナ切替回路の実装構造を示す平
面図である。
面図である。
【図２】本発明のアンテナ切替回路の実装構造を示す要
部断面図である。
部断面図である。
【図３】本発明のアンテナ切替回路の構成を示す回路図
である。
である。
【図４】本発明のアンテナ切替回路の要部の等価回路図
である。
である。
【図５】本発明のアンテナ切替回路の伝送特性図であ
る。
る。
【図６】従来のアンテナ切替回路の構成を示す回路図で
ある。
ある。
【図７】従来のアンテナ切替回路の実装構造を示す平面
図である。
図である。
【図８】従来のアンテナ切替回路の要部の等価回路図で
ある。
ある。
【図９】従来のアンテナ切替回路の伝送特性図である。
１ 絶縁基板
１ａ 第一の導体パターン
１ｂ 第二の導体パターン
１ｃ 第三の導体パターン
１ｄ 第四の導体パターン
２ 送信回路
３ 受信回路
４ 第一のスイッチダイオード
５ ローパスフィルタ
５ａ インダクタンス素子
５ｂ 第二の容量素子
５ｃ 第一の容量素子
６ 誘電体層
７ 導体層
８ 第二のスイッチダイオード
８ａ ベアチップ
９ ボンデングワイヤ
Claims (3)
- 【請求項１】 送信回路と受信回路とアンテナ切替回路
とが設けられた絶縁基板を備え、前記絶縁基板上にはア
ンテナに接続された第一の導体パターンと前記送信回路
の出力端に接続された第二の導体パターンと前記受信回
路の入力端に接続された第三の導体パターンと前記第三
の導体パターンに近接すると共に接地された第四の導体
パターンとを形成し、前記アンテナ切替回路は前記第一
の導体パターンと前記第二の導体パターン間に接続され
た第一のスイッチダイオードと、少なくとも前記第一の
導体パターンと前記第三の導体パターンとの間に接続さ
れたインダクタンス素子と前記第三の導体パターンと前
記第四の導体パターンとの間に接続された容量素子とを
有するローパスフィルタと、前記第三の導体パターンと
前記第四の導体パターンとの間に接続され、前記第一の
スイッチダイオードに連動して共にオン又はオフに切り
替えられる第二のスイッチダイオードとを有し、前記第
二のスイッチダイオードをベアチップで構成し、前記ベ
アチップを前記第四の導体パターン上に載置すると共に
その下面の電極を前記第四の導体パターンに接続し、上
面の電極をボンデングワイヤによって前記第三の導体パ
ターンに接続したことを特徴とするアンテナ切替回路の
実装構造。 - 【請求項２】 前記容量素子を前記第三の導体パターン
と、前記第三の導体パターン上に膜状に形成された誘電
体層と、前記誘電体層上に膜状に形成された導体層とか
ら構成し、前記導体層を前記第四の導体パターンに接続
し、前記ボンデングワイヤを前記導体層の上方に位置さ
せたことを特徴とする請求項１に記載のアンテナ切替回
路の実装構造。 - 【請求項３】 前記誘電体層と前記導体層とを厚膜印刷
手段または薄膜蒸着手段によって形成したことを特徴と
する請求項２に記載のアンテナ切替回路の実装構造。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001270478A JP3811035B2 (ja) | 2001-09-06 | 2001-09-06 | アンテナ切替回路の実装構造 |
| TW091117481A TW569559B (en) | 2001-09-06 | 2002-08-02 | Installation structure of antenna switching circuit |
| US10/235,774 US6901250B2 (en) | 2001-09-06 | 2002-09-05 | Mounting structure of antenna switching circuit in which reception interference is suppressed |
| KR1020020053396A KR20030022041A (ko) | 2001-09-06 | 2002-09-05 | 안테나 전환회로의 설치구조 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001270478A JP3811035B2 (ja) | 2001-09-06 | 2001-09-06 | アンテナ切替回路の実装構造 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2003087001A true JP2003087001A (ja) | 2003-03-20 |
| JP3811035B2 JP3811035B2 (ja) | 2006-08-16 |
Family
ID=19096130
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2001270478A Expired - Fee Related JP3811035B2 (ja) | 2001-09-06 | 2001-09-06 | アンテナ切替回路の実装構造 |
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|---|---|
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| JP (1) | JP3811035B2 (ja) |
| KR (1) | KR20030022041A (ja) |
| TW (1) | TW569559B (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN112910494A (zh) * | 2021-02-01 | 2021-06-04 | 维沃移动通信有限公司 | 一种信号监测电路、方法及电子设备 |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE10321467A1 (de) * | 2003-05-13 | 2004-12-09 | Infineon Technologies Ag | Prüfverfahren, Schaltkreisanordnung und Prüfanordnung für Ausgangsschaltkreise von Hochgeschwindigkeits-Halbleiterspeichereinrichtungen |
Family Cites Families (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH04223621A (ja) * | 1990-12-25 | 1992-08-13 | Fujitsu Ten Ltd | アンテナ切替回路 |
| JP2874496B2 (ja) | 1992-12-26 | 1999-03-24 | 株式会社村田製作所 | 高周波スイッチ |
| FI102121B1 (fi) * | 1995-04-07 | 1998-10-15 | Lk Products Oy | Radiotietoliikenteen lähetin/vastaanotin |
| JPH08307101A (ja) | 1995-05-02 | 1996-11-22 | Murata Mfg Co Ltd | アンテナ切換用ｒｆスイッチ |
| DE69627463T2 (de) * | 1995-07-19 | 2004-03-11 | Tdk Corp. | Antennenschalter |
| DE19842706A1 (de) * | 1998-09-17 | 2000-03-23 | Siemens Ag | Mehrband-Antennenschalter |
| JP3389886B2 (ja) * | 1999-06-09 | 2003-03-24 | 株式会社村田製作所 | 高周波回路装置及び通信機装置 |
| JP2001044702A (ja) * | 1999-07-30 | 2001-02-16 | Kyocera Corp | 高周波スイッチ回路 |
| JP2002016401A (ja) * | 2000-06-29 | 2002-01-18 | Kyocera Corp | 高周波スイッチ回路 |
| JP2002246945A (ja) * | 2001-02-14 | 2002-08-30 | Hitachi Metals Ltd | アンテナスイッチ |
-
2001
- 2001-09-06 JP JP2001270478A patent/JP3811035B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2002
- 2002-08-02 TW TW091117481A patent/TW569559B/zh not_active IP Right Cessation
- 2002-09-05 KR KR1020020053396A patent/KR20030022041A/ko active IP Right Grant
- 2002-09-05 US US10/235,774 patent/US6901250B2/en not_active Expired - Fee Related
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN112910494A (zh) * | 2021-02-01 | 2021-06-04 | 维沃移动通信有限公司 | 一种信号监测电路、方法及电子设备 |
| CN112910494B (zh) * | 2021-02-01 | 2022-08-02 | 维沃移动通信有限公司 | 一种信号监测电路、方法及电子设备 |
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| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3811035B2 (ja) | 2006-08-16 |
| TW569559B (en) | 2004-01-01 |
| US6901250B2 (en) | 2005-05-31 |
| KR20030022041A (ko) | 2003-03-15 |
| US20030058185A1 (en) | 2003-03-27 |
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