JP2003086888A - 半導体レーザ制御装置 - Google Patents

半導体レーザ制御装置

Info

Publication number
JP2003086888A
JP2003086888A JP2001279903A JP2001279903A JP2003086888A JP 2003086888 A JP2003086888 A JP 2003086888A JP 2001279903 A JP2001279903 A JP 2001279903A JP 2001279903 A JP2001279903 A JP 2001279903A JP 2003086888 A JP2003086888 A JP 2003086888A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
current
semiconductor laser
optical
drive
error
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2001279903A
Other languages
English (en)
Inventor
Takeshi Yuwaki
武志 湯脇
Katsunori Sato
勝則 佐藤
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Sony Corp
Original Assignee
Sony Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Sony Corp filed Critical Sony Corp
Priority to JP2001279903A priority Critical patent/JP2003086888A/ja
Publication of JP2003086888A publication Critical patent/JP2003086888A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Landscapes

  • Semiconductor Lasers (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【課題】 光学系の調整を容易に行うことができ、光学
調整精度を向上できる半導体レーザ制御装置を提供す
る。 【解決手段】 半導体レーザ21と、半導体レーザ21
に駆動電流を供給する半導体レーザ駆動回路16と、半
導体レーザ21からの光出力を対象物に指向させるとと
もに当該光出力の一部を取り出す光学系素子22〜24
と、取り出された光出力の一部を受光する受光素子25
と、基準電流値と検出電流値との誤差を増幅して半導体
レーザ駆動回路16に供給する誤差増幅器14(19)
と、半導体レーザ駆動回路16に設けられ、レーザ駆動
電流に対して1/Nの電流を発生させる1/N電流発生
手段161とを備えた半導体レーザ制御装置であり、ス
イッチSW1,2により、受光素子25からの検出電流
値を負帰還する自動出力制御動作モードと、1/N電流
発生手段からの検出電流値を負帰還する光学系調整時の
定電流駆動モードとを切り替える。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、光ディスク、光通
信装置等における半導体レーザ光の出力を制御する半導
体レーザ制御装置に関する。
【0002】
【従来の技術】半導体レーザは極めて小型で、かつ駆動
電流に高速に応答するため、光ディスク装置、光通信装
置、レーザプリンタ等の光源として広く使用されてい
る。書き換え可能な光ディスクとしては、相変化光ディ
スク、光磁気ディスクが広く知られているが、いずれも
記録、再生、消去する際に照射されるレーザ光の出力が
異なる。すなわち、記録時は光ディスクにピットと呼ば
れる孔を開けるためにレーザビームの出力を高くする
(例えば50mW以上)が、再生時は記録されたピット
を破壊しないで情報の読み出しを行うことができるよう
に、記録時よりも弱い出力(例えば5mW)のレーザビ
ームを光ディスクに照射するようにしている。
【0003】近年の高密度、高転送レートの光ディスク
において、記録再生が可能なエラーレートを得るために
は、記録、再生、消去する際に、これらのレーザビーム
の強度を正確に制御することが必要とされている。しか
し、レーザビームの発生源となる半導体レーザは駆動電
流・光出力特性の温度依存性が大きい。そこで、半導体
レーザの光出力を所望の強度に設定するために、自動出
力制御回路、いわゆるAPC(Automatic Power Contro
l)回路が使われている。そのAPC回路の代表的な構
成を図4に示す。
【0004】図4はビームスプリッタの分割光を利用し
てAPCを行う例を示している。同図において、半導体
レーザ制御装置は電気系10と光学系装置20とに分か
れている。電気系10は、基準電流源11で生成される
基準電流IexとPD端子から入力される受光素子からの
検出電流Ipdをそれぞれ電圧値に変換するI/V変換器
12,13と、これらのI/V変換器12,13により
変換された基準電流Iexと検出電流Ipdとの誤差を増幅
する誤差電圧増幅器14と、その増幅された誤差電圧を
電流値に変換するV/I変換器15と、その電流値に応
じた電流を半導体レーザの駆動電流に変換してLD端子
から出力するドライバ16とからなる。
【0005】一方、光学系装置20は、電気系10で生
成された駆動電流ILDで駆動されるレーザダイオード等
の半導体レーザ21と、この半導体レーザ21からの光
出力の一部を透過し、一部を別方向に反射させるビーム
スプリッタ22と、ビームスプリッタ22を透過したレ
ーザ光を平行光にするコリメータレンズ23と、光ディ
スク30の盤面にレーザビームを集光する対物レンズ2
4と、前記のビームスプリッタ22で反射されたレーザ
ビームの一部を受光するフォトダイオード等の受光素子
25から構成されている。
【0006】受光素子25に発生する受光電流Ipdは半
導体レーザ21の光出力に比例したものであり、この電
流IpdをPD端子から電気系10に戻す。電気系10で
は、半導体レーザ21からの光出力に比例した電流Ipd
をI/V変換した電圧と、基準電流IexをI/V変換し
た基準電圧との誤差を誤差電圧増幅器14で増幅し、そ
の増幅された誤差電圧をV/I変換器15で電流に変換
し、その電流をドライバ16で半導体レーザ21の駆動
電流として出力する。そして、半導体レーザ21が、基
準電流Iexの値に対応した光強度となるように発光させ
る。
【0007】このように、APC回路では、電気系10
と光学系装置20との間に、受光素子25で検出した戻
り光量に対応する検出電流Ipdと電気系10の基準電流
Iexが等しくなるように光・電気負帰還ループを形成す
ることで、半導体レーザ21の駆動電流を制御し、半導
体レーザ21の光出力の強度が一定となるようにしてい
る。
【0008】このようなAPC回路において、光・電気
負帰還ループによるレーザ出力制御が正確に行われるの
は、半導体レーザ21から光学系を通して光ディスク3
0に照射されるレーザビームの光量と受光素子25で検
出する戻り光量の割合が一定である場合である。
【0009】しかし、現実には、半導体レーザ21から
出力されるレーザビームの光軸とビームスプリッタ2
2、コリメータレンズ23、対物レンズ24からなる光
学系の光軸のずれ、あるいはビームスプリッタ22の取
付角度などによって、受光素子25への戻り光量と光デ
ィスク30に照射されるレーザビームの光量の割合が予
め設定した値に対して変動することがある。受光素子2
5への戻り光量が変動すると、受光素子25の検出電流
Ipdの値も変動するため、電気系10は、戻り光量の変
動に応じて半導体レーザ21の駆動電流を変動させるよ
うに制御を働かせる。そうすると、半導体レーザ21の
光出力が規定値に対して変動し、光ディスク30に対す
る記録ピットの形成が正確にできなくなってしまう。特
に戻り光量が減少する方向に変動すると、その減少を補
うために、結果として負帰還ループのゲインが増加する
ことになり、位相余裕およびゲイン余裕がなくなり、系
全体が発振するか、もしくは安定に制御できなくなる可
能性がある。したがって、光ディスク装置では光学系素
子であるコリメータレンズや対物レンズ、ビームスプリ
ッタ等の位置調整が重要である。
【0010】このような観点から、従来においては、図
5に示すような光学系の調整を行っていた。この光学系
の調整に際しては、負帰還ループをオープンにすること
が必要である。負帰還ループを形成したままで半導体レ
ーザ21を発光させると、受光素子25へ照射される戻
り光量が正常な割合でない場合、上述した理由により、
過大な駆動電流が半導体レーザ21に供給され、レーザ
を破壊するおそれがあるからである。
【0011】よって負帰還ループを構成せず、定電流に
てレーザを発光させるようにするために、誤差電圧増幅
器14とドライバ16前段のV/I変換器15を切り離
し、そこに外部より直流電圧9を与えることでドライバ
16に定電流を流し、半導体レーザ21を定電流にて発
光させる。そして、受光素子25への戻り電流量と対物
レンズ24の出力光を戻り電流観測用電流計26とパワ
ーメータ27でそれぞれ測定し、最適値になるようにコ
リメータレンズ24、対物レンズ24、ビームスプリッ
タ22等の光学系の位置調整を行う。
【0012】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、このよ
うな従来の調整方法の場合、ドライバ16前段のV/I
変換器15と誤差電圧増幅器14を切り離し、その切り
離し点に外部より直流電圧9を接続して半導体レーザ2
1を定電流駆動する必要があるため、その作業が繁雑で
ある。さらに、従来の調整方法の場合では、V/I変換
器15からの入力電圧とドライバ16の出力電流である
入力電圧対駆動電流比の精度がよくない。その理由を図
6に基づいて説明する。
【0013】図6に示すように、ドライバ16には、通
常、NPNもしくはPNPのトランジスタ(図示の例で
はPNPトランジスタ)Q1、Q2によるカレントミラー
回路が使用されるが、カレントミラー回路ではそれぞれ
のトランジスタQ1、Q2のベース電流が入力側のトラン
ジスタQ1のコレクタ側に流れるため、制御側電流Iと
被制御側電流ILDとの間に、どうしてもベース電流分の
誤差2Ibが生じてしまう。同様に、そのベース電流の
誤差により、V/I変換器15からドライバ電流ILD
での増幅に、電流の誤差を発生させる要因が存在するた
め、電流精度がよくない。この精度がよくないと、結果
として光学調整が正確に行えないことになる。
【0014】このように、従来の光学調整の手法におい
ては、光ディスク装置等で光学調整を行ってレーザに任
意の定電流を流す際、 (1)既にAPC回路が組み込まれている半導体レーザ
制御回路に対して半導体レーザに光学系の調整を行うた
めの定電流を流すのは非常に煩雑である。 (2)ドライバの入力電圧を固定にしてカレントミラー
回路を用いてレーザに定電流を流す方法では、電流精度
がよくないため光学調整精度が落ちる。という問題があ
った。
【0015】本発明が解決しようとする課題は、光学系
の調整を容易に行うことができ、また半導体レーザ駆動
回路(ドライバ)を構成するカレントミラー回路の電流
誤差の影響を受けにくくして光学調整精度を向上できる
半導体レーザ制御装置を提供することにある。
【0016】
【課題を解決するための手段】前記課題を解決するた
め、本発明の半導体レーザ制御装置は、半導体レーザ
と、前記半導体レーザに駆動電流を供給する半導体レー
ザ駆動回路と、前記半導体レーザからの光出力を対象物
に指向させるとともに当該光出力の一部を取り出す光学
系素子と、前記光学系素子によって取り出された光出力
の一部を受光する受光素子と、基準電流値と検出電流値
との誤差を増幅して前記半導体レーザ駆動回路に供給す
る誤差増幅器と、前記半導体レーザ駆動回路に設けら
れ、レーザ駆動電流に対して1/Nの電流を発生させる
1/N電流発生手段と、自動出力制御動作モードでは前
記誤差増幅器に前記受光素子により検出された検出電流
値と所定の基準電流値に応じた入力信号を供給し、光学
系調整時の定電流駆動モードでは前記誤差増幅器に前記
1/N電流発生手段からの検出電流値と所定の基準電流
値に応じた入力信号を供給して前記半導体レーザに所定
の駆動電流を供給する制御回路とを備えたものである。
【0017】本発明においては、半導体レーザを所定の
光出力となるようにAPC制御する場合は、光学系素子
によって取り出された光出力の一部が受光素子で検出さ
れ、その検出電流値と基準電流値との誤差に応じた駆動
電流が半導体レーザに流されて負帰還ループによるAP
Cが行われる。一方、光学系の位置調整を行うときに
は、半導体レーザ駆動回路の1/N電流発生手段から生
成された半導体レーザ駆動電流に比例した電流値と所定
の基準電流との誤差に応じた駆動電流が半導体レーザに
流されて半導体レーザを定電流駆動する制御が行われ
る。これにより、従来同様の半導体レーザの自動出力制
御自動機能に加えて、レーザ駆動電流を定電流制御する
機能が制御回路自体に新たに備わるため、光学系の調整
を容易に行うことができ、また半導体レーザ駆動回路を
構成するカレントミラー回路の電流誤差の影響を受けに
くくなり、光学調整精度を向上することができる。
【0018】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態につい
て、図1から図3を参照して説明する。 (第1実施形態)図1に本発明の第1実施形態の概略図
を示す。図1において、半導体レーザ制御装置は電気系
10aと光学系装置20とに分かれている。電気系10
aは、基準電流源11で生成される基準電流IexとPD
端子から入力される受光素子25からの検出電流Ipdを
それぞれ電圧値に変換するI/V変換器12,13と、
これらのI/V変換器12,13により変換された基準
電流値Iexと検出電流値Ipdとの誤差を増幅する誤差電
圧増幅器14と、その増幅された誤差電圧を電流値に変
換するV/I変換器15と、その電流値に応じた電流を
半導体レーザの駆動電流に変換してLD端子から出力す
るドライバ(半導体レーザ駆動回路)16と、ドライバ
16にレーザ駆動電流に対して1/Nの電流を発生させ
る1/N電流発生手段161と、この1/N電流発生手
段161で生成された電流を電圧に変換するI/V変換
器17と、このI/V変換器17によって変換された検
出電流と基準電流源11からの基準電流Iexを電圧に変
換するI/V変換器18の出力電圧との誤差を増幅する
第2の誤差電圧増幅器19と、誤差電圧増幅器14と第
2の誤差増幅器19の出力を切り替えるためのスイッチ
SW1と、基準電流源11の出力を1/V変換器12,
18のいずれかに切り替えて出力するスイッチSW2と
を設けている。
【0019】一方、光学系装置20は、従来と同様に、
電気系10aで生成された駆動電流ILDで駆動されるレ
ーザダイオード等の半導体レーザ21と、この半導体レ
ーザ21からの光出力の一部を透過し、一部を別方向に
反射させるビームスプリッタ22と、ビームスプリッタ
22を透過したレーザ光を平行光にするコリメータレン
ズ23と、光ディスク30の盤面にレーザビームを集光
する対物レンズ24と、前記のビームスプリッタ22で
反射されたレーザビームの一部を受光するフォトダイオ
ード等の受光素子25から構成されている。受光素子2
5に発生する受光電流Ipdは半導体レーザ21の光出力
に比例したものであり、この電流IpdをPD端子から電
気系10aに戻す。
【0020】前記の1/N電流発生手段161は、ドラ
イバ16の出力段を構成するカレントミラー回路の出力
側のトランジスタに、エミッタのセルサイズが1/Nの
トランジスタを追加することで実現できる。
【0021】次に、第1実施形態の制御装置の動作につ
いて説明する。 (1)APC(自動出力制御)動作モード時 半導体レーザ21をAPC(自動光出力制御)動作モー
ドで制御する場合は、スイッチSW1,SW2を図1に
示すように誤差電圧増幅器14側と、I/V変換器12
側に接続し、基準電流源11の基準電流IexがI/V変
換器12を介して誤差電圧増幅器14に入力されるよう
にし、ドライバ16の前段のV/I変換器15が誤差電
圧増幅器14に接続されるようにする。電気系10aで
は、半導体レーザ21からの光出力に比例した電流Ipd
をI/V変換した電圧と、基準電流IexをI/V変換し
た基準電圧との誤差を誤差電圧増幅器14で増幅し、そ
の増幅された誤差電圧をV/I変換器15で電流に変換
し、その電流をドライバ16で半導体レーザ21の駆動
電流として出力する。そして、半導体レーザ21が、基
準電流Iexの値に対応した光強度となるように発光パワ
ーを制御する。
【0022】このように、APC動作モードでは、電気
系10aと光学系装置20との間に光・電気負帰還ルー
プを形成することで、半導体レーザ21の駆動電流が制
御され、半導体レーザ21の光出力の強度が一定に制御
される。
【0023】(2)定電流駆動モード時 光学系の調整等を行うために半導体レーザ21を定電流
駆動するときは、スイッチSW1,SW2を図1とは逆
の方向に切り替える。すなわち、V/I変換器15の入
力側が第2の誤差電圧増幅器19の出力側に接続される
ようにスイッチSW1を切り替え、また第2の誤差電圧
増幅器19の前段のI/V変換器18が基準電流源11
に接続されるようにSW2を切り替える。第2の誤差電
圧増幅器19の負入力側に接続されているI/V変換器
17は、1/N電流発生手段161に接続されており、
レーザ駆動電流ILDの1/N倍の電流に対応する電圧が
第2の誤差電圧増幅器19の負入力端子に加えられる。
【0024】この定電流駆動モードにおいて、電気系1
0aでは、1/N電流発生手段161により生成された
半導体レーザ21の駆動電流ILDの1/Nの電流をI/
V変換器17で電圧に変換し、第2の誤差電圧増幅器1
9の負入力とする。第2の誤差電圧増幅器19の正入力
端子には基準電流源11で生成された電流値Iexが入力
されている。第2の誤差電圧増幅器19では、基準電流
Iexと半導体レーザ21の駆動電流ILDの1/Nの電流
との誤差を増幅し、V/I変換器15により電流値に変
換してドライバ16への入力電流とし、レーザ駆動電流
LD=N×基準電流Iexという関係になるように駆動電
流ILDを制御する。
【0025】このように、ドライバ16の出力段トラン
ジスタのセルサイズにより1/Nの電流を作ることによ
り、その電流が基準電流と等しくなるように帰還がかか
るため、基準電流を精度よく作れば、結果として半導体
レーザ駆動電流も精度よく設定可能となり、V/I変換
器18,19やドライバ16での電流誤差、温度ドリフ
トなどを考慮する必要がなくなる。
【0026】図1の回路において、例えば、ドライバ1
6の出力段のトランジスタのセルサイズと第2の誤差電
圧増幅器19への帰還電流用トランジスタのセルサイズ
の比を400:1にし、基準電流源11の基準電流Iex
の可変幅を0〜250μAとすると、図2に示すよう
に、レーザ駆動電流ILDを0〜100mAまで任意に設
定可能となる。以上のように、第1実施形態において
は、スイッチSW1,2を制御することにより、通常の
APC駆動モードと定電流駆動モードの切り替えが可能
となる。このスイッチSW1,2によって、図5に示し
た従来例のようにドライバ16の前段を切り離してそこ
に電圧を印加して定電流を流すような煩雑な操作が不要
となり、電気系10aを搭載したICの中に組み込んだ
SW1,2を連動して切り替えるだけでAPCモードと
定電流モードの切り替えを実現でき、光学調整を容易に
行うことができる。このスイッチSW1,2は、ディッ
プスイッチのような機構的なスイッチ手段のほか、電子
スイッチのような電子的なスイッチ手段を用いることが
できる。
【0027】なお、基準電流IexをD/A変換器を用い
てデジタルで設定する場合、そのD/A変換器を兼用す
ると、APC機能時のレーザ出力設定用と定電流モード
のレーザ駆動電流設定用に使用可能となる。当然、基準
電流源を別々に設けてそれぞれで設定することも可能で
ある。
【0028】(第2実施形態)図3に本発明の第2実施
形態の概略図を示す。この第2実施形態においては、第
1実施形態と同様の機能を、より簡単な回路構成で実現
するようにしたものである。
【0029】すなわち、電気系10bは、基準電流源1
1で生成される基準電流IexとPD端子から入力される
受光素子25からの検出電流Ipdをそれぞれ電圧値に変
換するI/V変換器12,13と、これらのI/V変換
器12,13により変換された基準電流値Iexと検出電
流値Ipdとの誤差を増幅する誤差電圧増幅器14と、そ
の増幅された誤差電圧を電流値に変換するV/I変換器
15と、その電流値に応じた電流を半導体レーザの駆動
電流に変換してLD端子から出力するドライバ(半導体
レーザ駆動回路)16と、ドライバ16にレーザ駆動電
流に対して1/Nの電流を発生させる1/N電流発生手
段161と、I/V変換器13の入力段に、PD端子か
らの検出電流入力と1/N電流発生手段161からの検
出電流入力を切り替えるSW3とを有する。1/N電流
発生手段161の構成は第1実施形態と同様である。
【0030】本実施形態においては、APC駆動モード
時はSW3を図示のようにPD端子側に接続し、受光素
子25からの電流IpdをI/V変換器13に入力する。
これにより、検出電流値Ipdが基準電流源11からの基
準電流値Iexと等しくなるように半導体レーザ21の光
出力が制御される。その結果、レーザ発光パワーを一定
に制御可能となる。一方、定電流駆動モード時は、SW
3を図示とは逆の方向に切り替えて1/N電流発生手段
161からの電流をI/V変換器13を通して誤差電圧
増幅器14に入力し、半導体レーザ駆動電流が基準電流
Iexの1/Nと等しくなるように半導体レーザ21の駆
動電流が制御される。その結果、レーザ駆動電流を一定
に制御可能となる。
【0031】その他の動作については第1実施形態と同
様であるので、説明を省略する。以上のように本第2実
施形態では、第1実施形態の効果に加え、レーザ定電流
駆動機能を、APC駆動モード単独の回路に対して少な
い素子追加で容易に実現することができる。
【0032】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
半導体レーザ駆動回路に、レーザ駆動電流に対して1/
Nの電流を発生させる1/N電流発生手段を備え、自動
出力制御動作モードでは誤差増幅器に受光素子により検
出された検出電流値と所定の基準電流値に応じた入力信
号を供給し、光学系調整時の定電流駆動モードでは誤差
増幅器に1/N電流発生手段からの検出電流値と基準電
流値に応じた入力信号を供給して半導体レーザに所定の
駆動電流を供給する制御回路を備えたので、受光素子に
よる検出電流値と基準電流値との誤差に応じた半導体レ
ーザの自動出力制御のほかに、半導体レーザ駆動回路の
1/N電流発生手段から生成された半導体レーザ駆動電
流に比例した電流値と所定の基準電流との誤差に応じて
半導体レーザを定電流駆動する制御を所定の回路の追加
により行うことができる。また1/N電流発生手段を半
導体レーザ駆動回路に設けたことにより、半導体レーザ
駆動回路を構成するカレントミラー回路の電流誤差の影
響を受けにくく、誤差やドリフトの少ない定電流駆動が
可能となる。これにより精度よく電流を制御でき、その
結果光学調整の精度が上がる。さらに基準電流がレーザ
駆動電流の1/Nとなることから、基準電流回路部のI
Cチップ内面積を小さくすることが可能となる。
【0033】また、自動出力制御動作モードでの受光素
子の検出電流値と、光学系調整時の定電流駆動モードで
の1/N電流発生手段からの検出電流値を切り替える電
子スイッチを設けることにより、光学系の調整を、回路
の一部を切り離す煩雑な作業を行うことなく容易に行う
ことができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】 本発明の第1実施形態の構成を示す概略図で
ある。
【図2】 第1実施形態における基準電流の調整によっ
て変化するレーザ駆動電流の変化を示すグラフである。
【図3】 本発明の第2実施形態の構成を示す概略図で
ある。
【図4】 従来の半導体レーザの自動出力制御装置の構
成を示す概略図である。
【図5】 従来における光学系調整時の電気系の接続状
態を示す概略図である。
【図6】 従来のドライバの構成を示す回路図である。
【符号の説明】
10a,10b 電気系 11 基準電流源 12,13 I/V変換器 14 誤差電圧増幅器 15 V/I変換器 16 ドライバ(半導体レーザ駆動回路) 161 1/N電流発生手段 17,18 I/V変換器 19 第2の誤差電圧増幅器 20 光学系装置 21 半導体レーザ 22 ビームスプリッタ 23 コリメータレンズ 24 対物レンズ 25 受光素子 30 光ディスク SW1,SW2,SW3 スイッチ

Claims (2)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 半導体レーザと、 前記半導体レーザに駆動電流を供給する半導体レーザ駆
    動回路と、 前記半導体レーザからの光出力を対象物に指向させると
    ともに当該光出力の一部を取り出す光学系素子と、 前記光学系素子によって取り出された光出力の一部を受
    光する受光素子と、 基準電流値と検出電流値との誤差を増幅して前記半導体
    レーザ駆動回路に供給する誤差増幅器と、 前記半導体レーザ駆動回路に設けられ、レーザ駆動電流
    に対して1/Nの電流を発生させる1/N電流発生手段
    と、 自動出力制御動作モードでは前記誤差増幅器に前記受光
    素子により検出された検出電流値と所定の基準電流値に
    応じた入力信号を供給し、光学系調整時の定電流駆動モ
    ードでは前記誤差増幅器に前記1/N電流発生手段から
    の検出電流値と所定の基準電流値に応じた入力信号を供
    給して前記半導体レーザに所定の駆動電流を供給する制
    御回路とを備えた半導体レーザ制御装置。
  2. 【請求項2】 自動出力制御動作モードでの受光素子の
    検出電流値と、光学系調整時の定電流駆動モードでの1
    /N電流発生手段からの検出電流値とを切り替える電子
    スイッチを設けた請求項1記載の半導体レーザ制御装
    置。
JP2001279903A 2001-09-14 2001-09-14 半導体レーザ制御装置 Pending JP2003086888A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2001279903A JP2003086888A (ja) 2001-09-14 2001-09-14 半導体レーザ制御装置

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2001279903A JP2003086888A (ja) 2001-09-14 2001-09-14 半導体レーザ制御装置

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP2003086888A true JP2003086888A (ja) 2003-03-20

Family

ID=19103997

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2001279903A Pending JP2003086888A (ja) 2001-09-14 2001-09-14 半導体レーザ制御装置

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP2003086888A (ja)

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2006005212A (ja) * 2004-06-18 2006-01-05 Miyachi Technos Corp 励起用半導体レーザ装置
CN100385756C (zh) * 2006-05-19 2008-04-30 北京航空航天大学 一种全光纤结构的稳定光源光功率输出装置
WO2011059049A1 (ja) * 2009-11-16 2011-05-19 オムロン株式会社 レーザ加工装置およびレーザ加工方法

Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6263483A (ja) * 1985-09-13 1987-03-20 Sanyo Electric Co Ltd 発光素子の駆動回路
JPH01237938A (ja) * 1988-03-18 1989-09-22 Hitachi Ltd 半導体レーザパワー制御回路
JPH03180088A (ja) * 1989-12-08 1991-08-06 Nec Corp 半導体レーザ用自動光出力設定装置
JPH0883948A (ja) * 1994-07-15 1996-03-26 Toshiba Corp 半導体レーザ装置、情報記録再生装置及び画像記録装置
JPH0963093A (ja) * 1995-08-25 1997-03-07 Sony Corp レーザ光出力制御回路
JP2000223770A (ja) * 1999-01-29 2000-08-11 Toshiba Corp レーザ駆動回路
JP2000349390A (ja) * 1999-06-02 2000-12-15 Fuji Photo Film Co Ltd 半導体レーザ駆動制御方法および装置

Patent Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6263483A (ja) * 1985-09-13 1987-03-20 Sanyo Electric Co Ltd 発光素子の駆動回路
JPH067609B2 (ja) * 1985-09-13 1994-01-26 三洋電機株式会社 発光素子の駆動回路
JPH01237938A (ja) * 1988-03-18 1989-09-22 Hitachi Ltd 半導体レーザパワー制御回路
JPH03180088A (ja) * 1989-12-08 1991-08-06 Nec Corp 半導体レーザ用自動光出力設定装置
JPH0883948A (ja) * 1994-07-15 1996-03-26 Toshiba Corp 半導体レーザ装置、情報記録再生装置及び画像記録装置
JPH0963093A (ja) * 1995-08-25 1997-03-07 Sony Corp レーザ光出力制御回路
JP2000223770A (ja) * 1999-01-29 2000-08-11 Toshiba Corp レーザ駆動回路
JP2000349390A (ja) * 1999-06-02 2000-12-15 Fuji Photo Film Co Ltd 半導体レーザ駆動制御方法および装置

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2006005212A (ja) * 2004-06-18 2006-01-05 Miyachi Technos Corp 励起用半導体レーザ装置
CN100385756C (zh) * 2006-05-19 2008-04-30 北京航空航天大学 一种全光纤结构的稳定光源光功率输出装置
WO2011059049A1 (ja) * 2009-11-16 2011-05-19 オムロン株式会社 レーザ加工装置およびレーザ加工方法
JP2011108772A (ja) * 2009-11-16 2011-06-02 Omron Corp レーザ加工装置およびレーザ加工方法
CN102474064A (zh) * 2009-11-16 2012-05-23 欧姆龙株式会社 激光加工装置及激光加工方法

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP4449260B2 (ja) 光ディスク記録再生装置のレーザダイオード駆動回路
KR100440834B1 (ko) 레이저 제어 장치
JP2000216470A (ja) レ―ザ駆動装置および光ディスク記録再生装置
JP2756820B2 (ja) 半導体レーザ駆動回路
JP2945042B2 (ja) レーザダイオード駆動装置
US6339579B1 (en) Semiconductor laser diode driving device and driving method
JP4732243B2 (ja) レーザ駆動回路、光ピックアップおよび記録再生装置
US7031358B2 (en) Semiconductor laser driving apparatus
JP2687544B2 (ja) 光学的記録再生装置
JP2003086888A (ja) 半導体レーザ制御装置
US6990130B2 (en) Semiconductor laser optical output control circuit and optical device
US4912717A (en) Apparatus for controlling the amount of laser light and laser light monitoring method
US20120155237A1 (en) Optical Information Record/Playback Device
JPH0963093A (ja) レーザ光出力制御回路
JPS60239925A (ja) 半導体レ−ザ駆動回路
KR20070027936A (ko) 레이저 다이오드 구동회로 및 그 제어방법과 레이저다이오드 구동용 반도체 집적회로
US7636377B2 (en) Optical disc recorder laser power control
JPH08235629A (ja) 半導体レーザ制御装置
KR20040063378A (ko) 레이저 파워 모니터 장치와 그를 포함하는 광픽업 장치 및광 기록 재생 기기
JPH09115167A (ja) レーザ光出力制御回路
JPH0689453A (ja) 光ディスク記録装置
JPH04168633A (ja) イレーズ専用ビームのレーザダイオード制御方式
JPH0233736A (ja) 半導体レーザ出力制御装置
JP2003132571A (ja) 光源駆動装置
JP4641000B2 (ja) 受光アンプ回路および光ピックアップ

Legal Events

Date Code Title Description
RD04 Notification of resignation of power of attorney

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7424

Effective date: 20040817

A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20080716

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20101207

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20111101

A521 Written amendment

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20111227

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20120207

A02 Decision of refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02

Effective date: 20120605