JP2003086578A - 枚葉式インライン真空処理装置の運転方法 - Google Patents

枚葉式インライン真空処理装置の運転方法

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JP2003086578A JP2001278785A JP2001278785A JP2003086578A JP 2003086578 A JP2003086578 A JP 2003086578A JP 2001278785 A JP2001278785 A JP 2001278785A JP 2001278785 A JP2001278785 A JP 2001278785A JP 2003086578 A JP2003086578 A JP 2003086578A
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load lock
lock chamber
wafer
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 処理時間を短縮できるようにする。 【解決手段】 この運転方法は、ウエハをロードロック
室に搬入してロードロック室を真空排気する(ステップ
101)。その後、ゲートバルブを開いてウエハを処理
室に搬入した後(ステップ102、103)、ゲートバ
ルブを閉じて処理室に処理ガスを導入する(ステップ1
04)。処理室の圧力が安定したならば、ウエハの放電
処理を行なう(ステップ105)。処理が終了したなら
ば、処理室に処理ガスを導入した状態で処理室を真空排
気し(ステップ106)、さらに処理室に処理ガスを導
入した状態でウエハの交換を行なう(ステップ107〜
109)。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、枚葉式インライン
真空処理装置の運転方法に係り、特に、ロードロック室
と処理室とがゲートバルブで区切られた構造の枚葉式イ
ンライン真空処理装置の運転方法に関する。
【0002】
【従来の技術】従来、枚葉式インライン真空処理装置
は、一般にロードロック室と処理室とがゲートバルブで
区切られた構造をしている。また、この種の枚葉式イン
ライン真空処理装置にあっては、ロードロック室と処理
室とが真空排気装置に連通されており、真空排気装置を
運転することによりロードロック室と処理室との排気を
行えるようになっている。そして、この種の枚葉式イン
ライン真空処理装置にあっては、通常、クリーニング時
以外には処理室を大気に晒さず、ロードロック室が大気
と真空との間を繰り返すことになる。また、この種の枚
葉式インライン真空処理装置では、処理ガスを処理室に
導入する際には、ガス供給源からマスフローコントロー
ラ、電磁弁を介して処理室に処理ガスを導入していた。
【0003】この枚葉式インライン真空処理装置におい
ては、半導体ウエハなどのワークを真空プラズマによっ
て処理する場合、次のような運転方法が行なわれてい
た。 (1)まず、ウエハが所定枚数入ったカセットをロード
ロック室に搬入、セットした後、当該ロードロック室を
真空排気する。 (2)ロードロック室と処理室との間を区切るゲートバ
ルブ(シャッター)を開く。 (3)ロードロック室内のカセットからウエハを1枚取
り出して処理室に移動し、ゲートバルブ(シャッター)
を閉じる。 (4)電磁弁を開放しマスフローコントローラを介して
処理ガスを処理室に定量を流し、所望の圧力(例えば
0.1Pa〜10Pa)になるまで待つ。この間の時間
は、一般に30秒〜1分である。 (5)処理室が所望の圧力に達して定常状態となったと
ころで、真空放電により処理ガスをプラズマ化して放電
処理を行なう。ここで、放電処理は、処理ガスにアルゴ
ンガスを用いたスパッタ、モノシランなどのシリコン系
ガスを使用したプラズマCVD(Chemical Vapor Depos
ition)などの成膜処理、エッチングガス、アッシング
ガスなどを用いた除去処理などであったり、酸化、窒化
を目的とした表面処理である。 (6)所定の時間、あるいは、検出信号によりプラズマ
処理を終了する。 (7)その後、電磁弁を閉じ、真空排気装置を運転し、
処理室内の残留活性物質を真空排気する。この真空排気
に要する時間は、30秒ないし1分である。
【0004】従来の枚葉式インライン真空処理装置の運
転方法では、上述した(2)から(7)の工程を、カセ
ット内のウエハの処理がすべて終了するまで繰り返す。
カセット内のウエハの処理がすべて終了したところで、
ロードロック室を大気に開放し、ウエハを入れたカセッ
トを交換し、再び、(1)の工程から開始させるもので
ある。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】上述した従来の枚葉式
インライン真空処理装置の運転方法によれば、ウエハ1
枚を処理する都度、処理ガスを導入しなければならず、
マスフローコントローラの動作が安定して処理室内の処
理ガスが安定した圧力に達するまでに30秒〜1分の時
間を必要とし、カセット内のウエハの数に応じて、この
処理ガスの導入に要する時間がかかり、処理時間が長く
なるという欠点があった。本発明は、上述した欠点を解
消し、処理室における活性なガスによる処理時間を短縮
化すること及びこれによるエネルギー削減を目的として
いる。
【0006】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、本発明に係る枚葉式インライン真空処理装置の運転
方法は、ロードロック室と処理室とがゲートバルブで区
切られた構造の枚葉式インライン真空処理装置によりワ
ークを処理する際の運転方法において、複数のワークを
ロードロック室に搬入した後、当該ロードロック室を真
空排気する前処理工程と、前記ゲートバルブを開き、予
め真空排気された前記処理室と前記ロードロック室とを
連通する第1の工程と、前記ロードロック室内からワー
クの1つを前記処理室に導入する第2の工程と、前記ゲ
ートバルブを閉じて前記処理室に処理ガスを導入しつつ
処理ガスを活性化してワークを処理する第3の工程と、
当該処理が完了した後、前記処理室に前記処理ガスを導
入しつつ所定時間真空排気する第4の工程と、その後、
前記処理室に前記処理ガスを導入しつつ前記ゲートバル
ブを開いてワークを前記ロードロック室に戻す第5の工
程とを備え、前記ロードロック室内のすべてのワークに
ついての処理が終了するまで第2の工程から第4の工程
を繰り返すことを特徴とする。
【0007】このように構成した本発明においては、放
電処理するワークを交換するときにも、処理室に処理ガ
スが導入されているので、マスフローコントローラの動
作が安定しており、ガスの流れが安定するまでの時間を
必要とせず、処理室内の処理ガスの圧力が所定の圧力に
保持され、従来のように処理ガスが所定の圧力に達する
まで待つ必要がないことから、処理時間を短縮すること
ができて処理効率が向上する。
【0008】未処理のワークを配置する第1のロードロ
ック室と、処理したワークを配置する第2のロードロッ
ク室とが処理室に隣接して設けてある場合、本発明に係
る枚葉式インライン真空処理装置の運転方法は、ロード
ロック室と処理室とがゲートバルブで区切られた構造の
枚葉式インライン真空処理装置によりワークを処理する
際の運転方法において、複数のワークを第1のロードロ
ック室に搬入した後、当該第1のロードロック室を真空
排気する前処理工程と、前記第1のロードロック室と前
記処理室を区切る第1のゲートバルブを開き、予め真空
排気された前記処理室に前記第1のロードロック室内か
らワークの1つを導入する第1の工程と、前記第1のゲ
ートバルブを閉じて前記処理室に処理ガスを導入しつつ
処理ガスを活性化してワークを処理する第2の工程と、
当該処理が完了した後、前記処理室に前記処理ガスを導
入しつつ所定時間真空排気する第3工程と、その後、前
記処理室に前記処理ガスを導入しつつ予め真空排気され
た第2のロードロック室と前記処理室とを区切る第2の
ゲートバルブを開き、前記処理したワークを第2のロー
ドロック室に搬入する第4の工程とを備え、前記第1の
ロードロック室内のすべてのワークについての処理が終
了するまで第1工程から第4工程を繰り返すことを特徴
としている。
【0009】この場合においても、ワークの交換時に処
理室に処理ガスが供給されているため、前記と同様に、
処理時間を短縮でき、処理効率を向上することができ
る。
【0010】
【発明の実施の形態】本発明に係る枚葉式インライン真
空処理装置の運転方法の好ましい実施の形態を、添付図
面に従って説明する。図1は、本発明の第1の実施形態
に係る枚葉式インライン真空処理装置の運転方法を実現
する枚葉式インライン真空処理装置を示す構成図であ
る。
【0011】図1において、本発明に係る運転方法が適
用される枚葉式インライン真空処理装置1は、ロードロ
ック室3と、各種放電処理を行なわせる処理室5と、前
記ロードロック室3と前記処理室5とを区切るゲートバ
ルブ7と、前記処理室5に処理ガスを導入する処理ガス
導入系統9と、前記処理室5の内部を真空排気する真空
排気装置11とからなる。
【0012】なお、図示しないが、ロードロック室3を
真空排気する真空排気装置が設けられている。また、枚
葉式インライン真空処理装置1は、枚葉式インライン真
空処理装置1を運転制御する図示しない制御装置も設け
られており、この制御装置の制御下に運転制御されるこ
とになる。
【0013】ここで、処理ガス導入系統9は、真空放電
させて活性化する処理ガスを処理室5に導入する際に使
用されるものであり、ガス供給源91からマスフローコ
ントローラ92、電磁弁93を介して処理室5に処理ガ
スを導入できるようになっている。また、枚葉式インラ
イン真空処理装置1の処理室5は、真空排気装置11に
連通されており、真空排気装置11を運転することによ
り前記処理室5内の残留活性物質(処理ガスの活性種)
の排気を行えるようになっている。
【0014】また、枚葉式インライン真空処理装置1
は、通常、クリーニング時以外には前記処理室5を大気
に晒すことはなく、一方、ロードロック室3はワークで
あるウエハ13,13,…が所定枚数入ったカセット1
5を入れ換える都度、大気と真空との間を繰り返される
ことになる。
【0015】この枚葉式インライン真空処理装置1によ
りウエハ13を処理するときの運転方法について、図1
を基に図2および図3を参照して説明する。図2は、実
施形態に係る枚葉式インライン真空処理装置1の運転方
法を説明するためのフローチャートである。図3は、実
施形態に係る枚葉式インライン真空処理装置の運転方法
を説明するためのタイミングチャートである。
【0016】まず、前処理工程として、ワークであるウ
エハ13が所定枚数入ったカセット15を、搬送ロボッ
ト(図示せず)によってロードロック室3に搬入して所
定位置にセットし(図3の時刻t1〜t2)、その後、
ロードロック室3の扉を閉じてロードロック室3内を真
空排気する(図2のステップ101、図3の時刻t2〜
t3)。
【0017】ロードロック室3が予め真空排気してある
処理室5と同じ真空度に達したならば、第1の工程とし
て、ロードロック室3と処理室5との間を区切っている
ゲートバルブ7を開き、ロードロック室3と処理室5と
を連通する(図2のステップ102、図3の時刻t3〜
t4)。
【0018】その後、第2の工程として、図示しない移
載装置によって、ロードロック室3のカセット15から
ウエハ13を1枚取り出し、処理室5に移動して処理ス
テージ(図示せず)に配置する(図2のステップ10
3、図3の時刻t4〜t5)。
【0019】次に、第3の工程として、ゲートバルブ7
を閉じるとともに(図2のステップ104、図3の時刻
t5〜t6)、処理ガス導入系統9の電磁弁93を開放
し、真空排気装置11による排気を行ないながら、マス
フローコントローラ92を介してガス供給源91から処
理ガスを処理室5に所定の流量で導入し、処理室5が所
望の圧力(例えば0.1Pa〜10Pa)になるまで待
つ(図2のステップ104、図3の時刻t6〜t7)。
この間の時間は、例えば30秒〜1分である。
【0020】さらに第3の工程においては、処理室5が
所望の圧力に達したところで、処理ガス導入系統9によ
り処理ガスを処理室5に導入しつつ放電処理を開始する
(図2のステップ105、図3の時刻t7)。すなわ
ち、処理室5の内部に設けた放電電極(図示せず)に高
周波電圧を印加して処理ガスを介した真空放電を発生さ
せ、処理ガスをプラズマ化して活性化し、処理ガスの活
性種をウエハに照射する。
【0021】なお、ここで行なう放電処理は、処理ガス
にアルゴンガスを用いたスパッタ、モノシランなどのシ
リコン系ガスを使用したプラズマCVDなどによるシリ
コン酸化膜の成膜処理、エッチングガス、アッシングガ
スなどを用いた無機膜、有機膜の除去処理などであった
り、酸化、窒化を目的とした表面処理である。
【0022】そして、所定の処理時間の経過、あるいは
検出信号により、真空放電を停止して放電処理を終了す
る(図2のステップ105、図3の時刻t8)。その
後、第4の工程として、処理ガス導入系統9から処理ガ
スを処理室5に導入しつつ真空排気装置11の運転を継
続し、処理室5内に残留するイオンや単原子などの活性
物質を真空排気する(図2のステップ106、図3の時
刻t8〜t9)。この真空排気に要する時間は、通常、
30秒ないし1分である。
【0023】この第4の工程が終了すると、第5の工程
に入り、ゲートバルブ7を開放し(図3の時刻t9〜t
10)、処理室5内の放電処理が終了したウエハ13を
ロードロック室3に配置してあるカセット15に収納す
る(図2のステップ107、図3の時刻t10〜t1
1)。そして、カセット15内のウエハ13をすべて放
電処理したかを判断する(図2のステップ108)。
【0024】カセット15内のすべてのウエハ13につ
いて処理が完了していないときには(図2のステップ1
08;NO)、カセット15内の新しい未処理のウエハ
を1枚取り出して処理室5に移送して(図2のステップ
109、図3の時刻t10〜t11)、さらにゲートバ
ルブ7を閉じた後(図3の時刻t11〜t12)、ステ
ップ105に戻って放電処理を行なう(図3の時刻t1
2〜t13)。このとき、処理室5には、ウエハ13の
交換中も処理ガスが供給されているため、マスフローコ
ントローラ92の動作が安定しており、ゲートバルブ7
を閉じるとすぐに放電処理を開始することができる。し
たがって、放電処理の時間を短縮でき、放電処理の効率
を向上することができる。
【0025】そして、放電処理が終了したところで、処
理室5内に処理ガスを導入しつつ真空排気する(図2の
ステップ106、図3の時刻t13〜t14)。その後
は、前記したようにロードロック室3と処理室5との間
を区切るゲートバルブ7を開き(図3の時刻t9〜t1
0)、処理したウエハ13をロードロック室3のカセッ
ト15に戻す(図2のステップ107、図3の時刻t1
0〜13)。また、すべての上は13の処理が完了した
かを判断し(図2のステップ108)、処理が完了して
いない場合に第2の工程の動作に入り、未処理の上は1
3を処理室5に搬入し、ゲートバルブ7を閉じた後(ス
テップ109)、ステップ105に戻って放電処理をす
る。以後、ロードロック室3に搬入したカセット13内
のすべての上は13に対する放電処理が終了するまでス
テップ105〜ステップ109が繰り返される。
【0026】カセット15内のウエハ13の処理がすべ
て終了したところで(図2のステップ110;YE
S)、ロードロック室3を大気に開放し、ウエハ13を
入れたカセット15を交換し、再び、ステップ101の
処理から開始する。
【0027】このように本実施の形態によれば、ウエハ
13の最初の一枚を処理するときに、処理ガスの導入時
にガスの流れた安定するまでの時間が必要となるが、以
後は、放電処理するウエハ13の交換時においても処理
ガスを処理室5に導入しているので、ガスの流れを安定
させるための時間が不要で、処理時間が短縮できて処理
効率が向上する。なお、上記実施の形態では、ワークが
ウエハ(半導体ウエハ)である場合について説明した
が、ワークはガラス基板などであってもよい。
【0028】図4は、第2実施形態に係る枚葉式インラ
イン真空処理装置の運転方法を説明するフローチャート
であって、未処理のウエハ(ワーク)を配置するロード
ロック室と、放電処理したウエハを配置するロードロッ
ク室とが別々に設けられた真空処理装置の運転方法を説
明するフローチャートである。
【0029】この第2実施形態においては、まず、図4
のステップ130に示したように、予備工程として、ウ
エハを収納したカセットを第1のロードロック室に搬入
した後、第1のロードロック室の扉を閉じて真空排気す
る。そして、第1のロードロック室が処理室と同程度の
真空度に達したならば、第1の工程に移り、第1のロー
ドロック室と処理室とを区切っている第1のゲートバル
ブを開き、第1のロードロック室内のカセットから1枚
のウエハを取り出して処理室に搬入し、処理ステージに
セットする(ステップ131)。
【0030】次に、第2の工程として、第1のゲートバ
ルブを閉じるとともに、処理室に処理ガスを導入し、所
定の圧力で安定するのを待つ(ステップ132)。さら
に、処理室が所定の圧力になったならば、処理ガスを介
した放電によって処理室内の処理ガスを活性化し、ウエ
ハを放電処理する(ステップ133)。
【0031】所定の処理時間の経過、または検出信号に
より放電処理を終了したならば、第3の工程として、処
理室に処理ガスを導入しつつ所定時間真空排気する(ス
テップ134)。続いて、第4の工程に入り、予め真空
排気してある第2のロードロック室と処理室とを区切っ
ている第2のゲートバルブを開放し、放電処理を終了し
たウエハを処理室から第2のロードロック室に搬入し、
第2のゲートバルブを閉じる(ステップ135)。
【0032】さらに、第1のロードロック室に未処理の
ウエハが残っているかを判断し(ステップ136)、第
1ロードロック室にウエハがのこっている場合(ステッ
プ136;NO)、ステップ137に示したように、第
1のゲートバルブを開いて未処理のウエハを第1ロード
ロック室から処理室に搬入し、第1のゲートバルブを閉
じ、ステップ133に戻ってウエハの放電処理をする。
そして、第1のロードロック室内のウエハがなくなるま
でステップ133〜ステップ137が繰り返される。
【0033】第1ロードロック室のウエハがすべて放電
処理されたときには(ステップ136;YES)、ステ
ップ138に進んで第1のロードロック室のカセットを
交換し、ステップ130に戻る。
【0034】
【発明の効果】以上説明したように本発明によれば、放
電処理するワークを交換するときにも、処理室に処理ガ
スが導入されているので、マスフローコントローラの動
作が安定しており、ガスの流れが安定するまでの時間を
必要とせず、処理室内の処理ガスの圧力が所定の圧力に
保持され、従来のように処理ガスが所定の圧力に達する
まで待つ必要がないことから、処理時間が短縮されるこ
とによりエネルギーを削減することができる。また、処
理効率が向上する。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明に係る枚葉式インライン真空処理装置の
運転方法を実現する枚葉式インライン真空処理装置を示
す構成図である。
【図2】本発明の第1実施形態に係る枚葉式インライン
真空処理装置の運転方法を説明するためのフローチャー
トである。
【図3】本発明の第1実施形態に係る枚葉式インライン
真空処理装置の運転方法を説明するためのタイミングチ
ャートである。
【図4】本発明の第2実施形態に係る係る枚葉式インラ
イン真空処理装置の運転方法を説明するためのフローチ
ャートである。
【符号の説明】
1………枚葉式インライン真空処理装置、3………ロー
ドロック室、5………処理室、7………ゲートバルブ、
9………処理ガス導入系統、11………真空排気装置、
13………ワーク(ウエハ)、15………カセット、9
1………ガス供給源、92………マスフローコントロー
ラ、93………電磁弁
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き Fターム(参考) 5F004 BA04 BB18 BC05 BD01 BD04 BD05 CA01 5F031 CA02 CA05 DA01 FA01 FA07 FA11 FA12 MA11 MA28 MA29 MA32 NA01 NA05 NA07 PA02 PA23 5F045 AA08 BB08 DP04 DQ10 EE18

Claims (2)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 ロードロック室と処理室とがゲートバル
    ブで区切られた構造の枚葉式インライン真空処理装置に
    よりワークを処理する際の運転方法において、 複数のワークをロードロック室に搬入した後、当該ロー
    ドロック室を真空排気する前処理工程と、 前記ゲートバルブを開き、予め真空排気された前記処理
    室と前記ロードロック室とを連通する第1の工程と、 前記ロードロック室内からワークの1つを前記処理室に
    導入する第2の工程と、 前記ゲートバルブを閉じて前記処理室に処理ガスを導入
    しつつ処理ガスを活性化してワークを処理する第3の工
    程と、 当該処理が完了した後、前記処理室に前記処理ガスを導
    入しつつ所定時間真空排気する第4の工程と、 その後、前記処理室に前記処理ガスを導入しつつ前記ゲ
    ートバルブを開いてワークを前記ロードロック室に戻す
    第5の工程とを備え、 前記ロードロック室内のすべてのワークについての処理
    が終了するまで第2の工程から第4の工程を繰り返すこ
    とを特徴とする枚葉式インライン真空処理装置の運転方
    法。
  2. 【請求項2】 ロードロック室と処理室とがゲートバル
    ブで区切られた構造の枚葉式インライン真空処理装置に
    よりワークを処理する際の運転方法において、 複数のワークを第1のロードロック室に搬入した後、当
    該第1のロードロック室を真空排気する前処理工程と、 前記第1のロードロック室と前記処理室を区切る第1の
    ゲートバルブを開き、予め真空排気された前記処理室に
    前記第1のロードロック室内からワークの1つを導入す
    る第1の工程と、 前記第1のゲートバルブを閉じて前記処理室に処理ガス
    を導入しつつ処理ガスを活性化してワークを処理する第
    2の工程と、 当該処理が完了した後、前記処理室に前記処理ガスを導
    入しつつ所定時間真空排気する第3工程と、 その後、前記処理室に前記処理ガスを導入しつつ予め真
    空排気された第2のロードロック室と前記処理室とを区
    切る第2のゲートバルブを開き、前記処理したワークを
    第2のロードロック室に搬入する第4の工程とを備え、 前記第1のロードロック室内のすべてのワークについて
    の処理が終了するまで第1工程から第4工程を繰り返す
    ことを特徴とする枚葉式インライン真空処理装置の運転
    方法。
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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US7756599B2 (en) 2004-10-28 2010-07-13 Tokyo Electron Limited Substrate processing apparatus, program for performing operation and control method thereof, and computer readable storage medium storing the program

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US7756599B2 (en) 2004-10-28 2010-07-13 Tokyo Electron Limited Substrate processing apparatus, program for performing operation and control method thereof, and computer readable storage medium storing the program
US8172949B2 (en) 2004-10-28 2012-05-08 Tokyo Electron Limited Substrate processing apparatus, program for performing operation and control method thereof, and computer readable storage medium storing the program

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