JP2003080375A - 半導体ウェハー支持部材接合体の製造方法および半導体ウェハー支持部材接合体 - Google Patents
半導体ウェハー支持部材接合体の製造方法および半導体ウェハー支持部材接合体Info
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Abstract
属部材および接合層を備える接合体において、接合面の
気密性の信頼性を向上させるのと共に、半導体ウェハー
支持部材の支持面の平坦度が接合時に低下するのを抑制
する。 【解決手段】半導体ウェハー支持部材10の接合面10
bに第一の金属膜1Aを形成する。金属部材12の接合
面12aに第二の金属膜1Bを形成する。第一の金属膜
10bと第二の金属膜12aとの間に金属接合材2を介
在させる。支持部材10、金属部材12および金属接合
材2を含む積層体13を等方加圧しながら、金属接合材
2の融点以下の温度で加熱し、半導体ウェハー支持部材
10と金属部材12とを拡散接合する。
Description
持部材接合体の製造方法および半導体ウェハー支持部材
接合体に関するものである。
グ法等の半導体プロセスにおいては、いわゆるサセプタ
ーの上に半導体ウエハーを設置し、このサセプターを加
熱して半導体ウエハーを加熱している。この際、最近
は、セラミックス製の静電チャックをサセプターとして
使用し、半導体ウエハーをサセプターに対して吸着しな
がら加熱処理を行うことが開示されている(特開昭59
−124140号公報)。また、セラミックスヒーター
をサセプターとして使用し、このセラミックスヒーター
の上に半導体ウエハーを設置し、これを直接加熱するこ
とが知られている。しかし、半導体ウエハーの生産量を
向上させるためには、サセプター上の半導体ウエハーの
着脱サイクルにおける温度変化を抑制するために、加熱
と冷却とを応答性良く行うことが必要であり、このため
にはサセプターに対して冷却装置を結合する必要があ
る。
て金属ボンディングによって結合する技術が提案されて
いる(特開平3−3249号公報)。この技術において
は、アルミナからなる静電チャックとアルミニウム製の
水冷冷却板とをインジウムで結合している。
接合材として用い、セラミックス製静電チャックと金属
製の水冷フランジとを接合する際には、接合時の圧力が
小さいと、接合欠陥が生じ、接合層の気密性の信頼性が
低下する。静電チャックと水冷フランジとの界面の気密
性が損なわれると、接合界面から装置内の腐食性ガスが
外部へと漏洩する懸念がある。また、半導体ウエハーの
裏面側にバックサイドガスを流す場合には、静電チャッ
クと水冷フランジとの接合界面からバックサイドガスが
漏洩することが懸念される。従って、静電チャックと水
冷フランジとの接合界面の気密性については、高い信頼
性を確保する必要がある。また、静電チャックと金属と
の熱膨張差によって、接合後に、静電チャックの半導体
ウエハー吸着面の平坦度が低下することがあった。ウエ
ハー処理時には、ウエハーが吸着面に対して吸着するの
で、吸着面の平坦度が低下すると使用できなくなり、歩
留り低下の原因となる。
ウェハー支持部材、金属部材、および半導体ウェハー支
持部材と金属部材とを接合する接合層を備えている接合
体において、接合面の気密性の信頼性を向上させるのと
共に、半導体ウェハー支持部材の支持面の平坦度が接合
時に低下するのを抑制することである。
するセラミックス製の半導体ウェハー支持部材、金属部
材、および支持部材と金属部材とを接合する接合層を備
えている接合体を製造する方法であって、支持部材の接
合面に第一の金属膜を形成し、金属部材の接合面に第二
の金属膜を形成し、第一の金属膜と第二の金属膜との間
に金属接合材を介在させることによって積層体を得、こ
の積層体を等方加圧しながら金属接合材の融点以下の温
度で加熱することによって、半導体ウェハー支持部材と
金属部材とを拡散接合することを特徴とする。
れたことを特徴とする、半導体ウェハー支持部材接合体
に係るものである。
よび金属接合材を含む積層体を等方加圧しながら金属接
合材の融点以下の最高温度で加熱し、金属接合材と第一
の金属膜および金属接合材と第二の金属膜とを拡散接合
することで、接合面の気密性を高く保持でき、かつ半導
体ウェハー支持部材の支持面の平坦度が接合工程後に劣
化しないことを見いだし、本発明に到達した。
に説明する。図1は、本発明の一実施形態に係る接合体
を模式的に示す図である。本接合体25は、静電チャッ
ク10、冷却フランジ12および接合層14からなる。
静電チャック10内には静電チャック電極18が埋設さ
れている。電極18には端子20が接続されている。静
電チャック10の吸着面に半導体ウエハー16を支持
し、吸着する。本例においては、冷却フランジ12およ
び静電チャック10を貫通する貫通孔24が設けられて
おり、貫通孔24から矢印22のようにバックサイドガ
ス、例えばアルゴンガスや窒素ガスを供給可能となって
いる。また、冷却フランジ12および静電チャック10
には、半導体ウエハーを持ち上げるためのリフトピン用
の貫通孔を形成する(図示せず)。
合体の製法について述べる。ただし、図2、図3におい
ては、本発明の製法を一般的に説明するという目的か
ら、図1に示すような静電チャックや冷却フランジの内
部構造は図示しない。
エハーを設置するサセプターであればよく、種々の機能
を有していてよい。例えば、基材の内部に静電チャック
電極を設けた場合には、この半導体ウェハー支持部材は
静電チャックとして使用できる。また、基材の内部に抵
抗発熱体を設けた場合には、この保持部材をセラミック
スヒーターとして使用できる。更に、基材中にプラズマ
発生用の電極を設けた場合には、この保持部材をプラズ
マ発生用電極として使用できる。好適な実施形態では半
導体ウェハー支持部材が静電チャックである。
するセラミックスとしては、アルミナのような酸化物系
セラミックス、チタン酸カルシウム、チタン酸バリウ
ム、窒化物セラミックスを例示できる。窒化物セラミッ
クスとしては、窒化珪素およびサイアロンが、耐熱衝撃
性の点で好ましい。また、窒化アルミニウムは、フッ素
系腐食性ガスに対する耐蝕性、および熱伝導性の点で好
ましい。
好適な実施形態においては、金属部材が、冷却機構を備
えた金属部材である。金属部材の材質は特に制限はない
が、ハロゲン系腐食性ガスに対して冷却装置がさらされ
る場合には、アルミニウム、銅、ステンレス鋼、ニッケ
ルまたはこれらの金属の合金を使用することが好まし
い。
は、水、シリコンオイル等の液体であってよく、また空
気、不活性ガス等の気体であってもよい。
支持部材10の接合面10bに第一の金属膜1Aを設
け、金属部材12の接合面12aに第二の金属膜1Bを
設ける。これらの金属膜の形成方法は特に限定されず、
イオンプレーティング法、化学的気相成長法、物理的気
相成長法、有機金属化学的気相成長法、蒸着法、スパッ
タリング法、メッキ法を例示できる。
性の向上という観点からは、0.5μm以上であること
が好ましく、1.0μm以上であることが更に好まし
い。また、生産性の観点からは、金属膜1A、1Bの厚
さは3.0μm以下であることが好ましい。
相互拡散可能である限りは特に限定されない。しかし、
半導体の汚染を抑制するという観点からは、インジウ
ム、金、ニッケル、銅およびチタンからなる群より選ば
れた少なくとも一種の金属を含むことが好ましい。ここ
で、少なくとも一種の金属を含むとは、実質的にこの金
属のみからなる純金属の場合と、選択された金属の合金
との両者を含む。ただし、これらの金属、合金は、不純
物金属を許容する。合金の場合には、合金を構成する実
質的にすべての金属を、インジウム、金、ニッケル、
銅、チタンの中から選択することが特に好ましい。
10bと12aとの間に、金属接合材からなるシート2
を挟む。金属接合材2の材質は、金属膜1A、1Bと相
互拡散可能な材質である。具体的には、インジウム、
金、銅が好ましい。
属またはインジウムの合金であることが好ましい。イン
ジウムの純金属には、不可避的不純物が含有されていて
よい。インジウムと合金化される金属としては、金、
銀、スズを例示できる。また、インジウムと合金化され
る金属の割合は、10重量%以下とすることが好まし
い。
されない。接合界面の気密性を向上させるという観点か
らは、シート2の厚さを10μm以上とすることが好ま
しい。また、厚さ寸法公差の管理という観点からは、シ
ート2の厚さを1mm以下とすることが好ましい。
熱する。ここで、積層体13の等方加圧方法や加熱方法
は特に限定されない。典型的には、図2(b)に示すよ
うに、積層体13を被膜3内に真空パックし、不活性雰
囲気の充填された密閉容器内に収容し、この密閉容器内
で不活性雰囲気によって積層体を等方加圧する。しか
し、液体によって積層体を等方加圧することも可能であ
る。
耐熱性を有する限り、特に限定されない。不活性気体と
しては、窒素、アルゴン、窒素とアルゴンとの混合気体
を例示できる。また、不活性気体の圧力は、接合体にお
いて充分な気密性が得られる程度の圧力であれば良い。
一般的に、接合体の気密性を向上させるという観点から
は、気体圧力を5atm以上とすることが好ましい。気
体圧力の上限は特にないが、実用的には10atm以下
が好ましく、20atm以下が更に好ましい。
A、1Bと金属接合材2との間での相互拡散が生ずるよ
うな温度領域であれば、特に限定されない。好適な実施
形態においては、金属接合材2の融点をT(℃)とした
とき、拡散は金属接合材の融点の絶対温度と相関があ
り、(T+273×0.9)℃以上、T℃未満である。
は、加熱時の最高温度は、113−155℃とすること
が好ましく、140−155℃がさらに好ましい。
施形態においてはオートクレーブである。
うに、オートクレーブ4内に、真空パックされた積層体
13を収容し、加熱および加圧する。ここで、オートク
レーブ4内にはガス流路5を介してガス供給源6が接続
されている。また、オートクレーブ4内にはヒーター7
が収容されており、ヒーター7の発熱量を電源コントロ
ーラー8によって制御する。またヒーター7の前面には
ファン9があり、炉内を均熱化している。
最高温度時に等方加圧を行っている必要がある。即ち、
図4に示すように、加熱時の最高温度(T1)時(時間
t2からt3の間)には、圧力が所定圧力P1に達して
いる必要がある。
からの降温時(t3以降)にも等方加圧を継続する。特
に好適な実施形態においては、室温TRへの温度降下時
(t4)まで等方加圧を継続する。これによって、接合
後の半導体支持部材の支持面の平坦度が一層向上するこ
とを見いだした。
支持部材の支持面の平坦度は、好ましくは 30μm以
下であり、更に好ましくは10μm以下である。
た。具体的には、図2(a)に示すように、静電チャッ
ク10と水冷フランジ12とを準備した。静電チャック
10の基材は、直径φ300mm、厚さ10mmの円板
形状をしている。静電チャックの基材は窒化アルミニウ
ムであり、基材の内部にモリブデン製の金網からなる電
極が埋設されている。水冷フランジ12はアルミニウム
合金製であり、寸法φ300mm、厚さ30mmの円板
形状をしている。水冷フランジ12の内部には水冷溝が
形成されており、かつ端子用の孔、リフトピン用の貫通
孔、バックサイドガス用の貫通孔が設けられている。静
電チャック10の吸着面10aの平坦度は10μmであ
る。接合面10b、12aの平坦度は30μm以下であ
る。
ジウムをイオンプレーティングによって成膜した(厚さ
3μm)。接合面10bと12aとの間にインジウム箔
を挟んだ。インジウム箔の材質は、純度99.9%の純
インジウムであり、箔の形状は円板状であり、寸法は直
径φ300mm、厚さ0.2mm(厚さの公差±10
%)であった。次いで、積層体13を真空パックし、真
空状態に保持されたオートクレーブ4内に収容した。
加熱および等方加圧を行った。即ち、圧力を14atm
まで上昇させ(t1)、次いで温度を室温から154℃
まで上昇させた。そして、5時間にわたって、154℃
および14atmを維持し、次いで圧力を14atmに
維持しつつ、温度を室温にまで降下させた。最後に圧力
を1atmに下げ、オートクレーブから接合体を取り出
した。
し、端子用の孔、リフトピン用の貫通孔、バックサイド
ガス用の貫通孔について、それぞれヘリウムリーク試験
を行った。この結果、いずれの孔についても、リーク量
は1×10−10Pam3/s台であった。
定した。この測定方法を説明する。定盤の上に静電チャ
ック10あるいは接合体を設置する。この際、吸着面が
上向きになるようにする。そして、吸着面の各測定点の
高さをハイトゲージによって測定する。静電チャックの
吸着面の中心点を測定するのと共に、中心点からX軸方
向に沿って8点選択して測定し、中心点からY軸方向に
沿って8点選択して測定する。合計17点についての高
さの測定値を得た後、最高高さと最低高さとの差を算出
し、平坦度とする。
吸着面の平坦度は10μmであり、接合前に比べて変化
しなかった。
造し、支持面の平坦度とヘリウムガスリーク量とを測定
した。ただし、静電チャックの代わりに、窒化アルミニ
ウムのホットプレス焼結体からなる角形板10を使用
し、板10の内部には電極は埋設していない。この板1
0の寸法は、縦50mm、横50mm、厚さ5mmとし
た。板10の中央部分に直径φ5mmの貫通孔を設け
た。板10の支持面10aの平坦度は10μmである。
ミニウム A6061合金製の角板を準備した。ただ
し、この板12の寸法は、縦50mm×横50mm×厚
さ5mmであり、中央部に直径φ5mmの貫通孔を形成
した。接合面10b、12aの平坦度は30μm以下で
ある。
純インジウムであり、箔の形状は角板状であり、寸法
は、縦50mm、横50mm、厚さ0.2mm(厚さの
公差±10%)であった。
によって形成した。金属膜1A、1Bの材質および厚さ
は、表1に示すように変更した。また、接合工程におけ
る最高温度T1および圧力P1を、表1に示すように変
更した。得られた各試料について、ヘリウムリーク量と
支持面10aの平坦度とを測定し、結果を表1に示し
た。なお、表1において、ヘリウムリーク量の数値は略
記法で示した。例えば、「2.50E−10」は、
「2.50×10−10」を意味する。
ずれもヘリウムリーク量が小さかった。特に、金属膜の
材質をインジウム、金、ニッケルとすることが好まし
く、金属膜の材質をインジウムとすることが最も好まし
いことが分かる。本発明外の番号7においては、金属膜
を形成していないため、ヘリウムリーク量が大きい。本
発明外の番号8においては、加熱時の最高温度が100
℃と低く、金属膜と金属接合材との間で相互拡散が生じ
ず、接合プロセスが進行していない。本発明例の番号9
においては、接合は形成されているが、下地膜の厚さが
0.3μmと薄いために、気密性が若干劣っていた。本
発明例の番号10においては、窒素圧力が3atmと低
いために、気密性が若干劣っていた。
ラミックス製の半導体ウェハー支持部材、金属部材、お
よび半導体ウェハー支持部材と金属部材とを接合する接
合層を備えている接合体において、接合面の気密性の信
頼性を向上させるのと共に、半導体ウェハー支持部材の
支持面の平坦度が接合時に低下するのを抑制することが
できる。
に示す図である。
部材12との間に金属接合材からなるシート2を介在さ
せた状態を示し、(b)は、積層体13を被膜3によっ
て真空パックした状態を示す。
4内に収容している状態を模式的に示す図である。
ジュール例を示す。
2 金属接合材からなるシート 6 ガス供給
源 7 ヒーター 10 半導体ウェハー支持部材 10a 半導体
ウェハー支持部材10の支持面 10b 半導体
ウェハー支持部材10の接合面 12 金属部材
12a 金属部材12の接合面 13
積層体
Claims (7)
- 【請求項1】半導体ウェハーを支持するセラミックス製
の半導体ウェハー支持部材、金属部材、および前記半導
体ウェハー支持部材と前記金属部材とを接合する接合層
を備えている接合体を製造する方法であって、 前記半導体ウェハー支持部材の接合面に第一の金属膜を
形成し、前記金属部材の接合面に第二の金属膜を形成
し、前記第一の金属膜と前記第二の金属膜との間に金属
接合材を介在させて積層体を得、この積層体を等方加圧
しながら前記金属接合材の融点以下の温度で加熱するこ
とによって、前記半導体ウェハー支持部材と前記金属部
材とを拡散接合することを特徴とする、半導体ウェハー
支持部材接合体の製造方法。 - 【請求項2】前記積層体を真空パックし、不活性雰囲気
の充填された密閉容器内に収容し、この密閉容器内で前
記不活性雰囲気によって前記積層体を等方加圧すること
を特徴とする、請求項1記載の方法。 - 【請求項3】前記金属接合材が、少なくともインジウム
を含む金属からなることを特徴とする、請求項1または
2記載の方法。 - 【請求項4】前記第一の金属膜と前記第二の金属膜との
少なくとも一方が、インジウム、金、ニッケル、銅およ
びチタンからなる群より選ばれた金属を含むことを特徴
とする、請求項1〜3のいずれか一つの請求項に記載の
方法。 - 【請求項5】前記加熱後に前記積層体の温度を室温へと
降下させる間、前記積層体の等方加圧を継続することを
特徴とする、請求項1〜4のいずれか一つの請求項に記
載の方法。 - 【請求項6】前記半導体ウェハー支持部材が静電チャッ
クであり、前記金属部材が冷却用フランジであることを
特徴とする、請求項1〜5のいずれか一つの請求項に記
載の方法。 - 【請求項7】請求項1〜6のいずれか一つの請求項に記
載の方法によって得られたことを特徴とする、半導体ウ
ェハー支持部材接合体。
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Cited By (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7067200B2 (en) * | 2002-07-23 | 2006-06-27 | Ngk Insulators, Ltd. | Joined bodies and a method of producing the same |
US7381673B2 (en) | 2003-10-27 | 2008-06-03 | Kyocera Corporation | Composite material, wafer holding member and method for manufacturing the same |
WO2009107701A1 (ja) * | 2008-02-26 | 2009-09-03 | 京セラ株式会社 | ウェハ支持部材とその製造方法、及びこれを用いた静電チャック |
JP2009255131A (ja) * | 2008-04-17 | 2009-11-05 | Kuroki Kogyosho:Kk | 内部に空間を有する構造体のhip法による製造法 |
JP2009291793A (ja) * | 2008-06-02 | 2009-12-17 | Kuroki Kogyosho:Kk | 構造体の製造法 |
JP2010219363A (ja) * | 2009-03-18 | 2010-09-30 | Tokyo Electron Ltd | 基板熱処理装置 |
US9370920B2 (en) | 2013-08-08 | 2016-06-21 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Electrostatic chuck, mount plate support, and manufacturing method of electrostatic chuck |
Families Citing this family (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7252872B2 (en) * | 2003-01-29 | 2007-08-07 | Ngk Insulators, Ltd. | Joined structures of ceramics |
DE102006041054A1 (de) * | 2006-09-01 | 2008-04-03 | Epcos Ag | Heizelement |
US8142074B2 (en) * | 2007-11-26 | 2012-03-27 | Schmulenson Harold K | Radiation sensing device and holder |
US8333507B2 (en) * | 2008-12-29 | 2012-12-18 | Schmulenson Harold K | Holder for radiation sensing device |
US20150004400A1 (en) * | 2013-06-28 | 2015-01-01 | Watlow Electric Manufacturing Company | Support assembly for use in semiconductor manufacturing tools with a fusible bond |
WO2016062359A1 (en) * | 2014-10-24 | 2016-04-28 | Hewlett-Packard Indigo B.V. | Electrophotographic varnish |
JP6741548B2 (ja) * | 2016-10-14 | 2020-08-19 | 日本碍子株式会社 | 半導体製造装置用部材及びその製法 |
Family Cites Families (16)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS59124140A (ja) | 1982-12-29 | 1984-07-18 | Fujitsu Ltd | 静電吸着装置 |
JPS60131874A (ja) * | 1983-12-19 | 1985-07-13 | 三菱重工業株式会社 | セラミツクと金属との接合方法 |
US4629662A (en) * | 1984-11-19 | 1986-12-16 | International Business Machines Corporation | Bonding metal to ceramic like materials |
JP2694668B2 (ja) | 1989-05-30 | 1997-12-24 | 日本真空技術株式会社 | 基板保持装置 |
EP0493089B1 (en) * | 1990-12-25 | 1998-09-16 | Ngk Insulators, Ltd. | Wafer heating apparatus and method for producing the same |
JP3003249B2 (ja) | 1991-03-26 | 2000-01-24 | 松下電工株式会社 | クッション材 |
US5372298A (en) * | 1992-01-07 | 1994-12-13 | The Regents Of The University Of California | Transient liquid phase ceramic bonding |
US5729423A (en) * | 1994-01-31 | 1998-03-17 | Applied Materials, Inc. | Puncture resistant electrostatic chuck |
JP3866320B2 (ja) * | 1995-02-09 | 2007-01-10 | 日本碍子株式会社 | 接合体、および接合体の製造方法 |
JP3485390B2 (ja) * | 1995-07-28 | 2004-01-13 | 京セラ株式会社 | 静電チャック |
EP0753494B1 (en) * | 1995-07-14 | 2002-03-20 | Ngk Insulators, Ltd. | Method of joining ceramics |
JP4029473B2 (ja) * | 1997-12-15 | 2008-01-09 | セイコーエプソン株式会社 | 固体接合方法およびその装置、導体接合方法、パッケージ方法 |
US6280584B1 (en) * | 1998-07-29 | 2001-08-28 | Applied Materials, Inc. | Compliant bond structure for joining ceramic to metal |
US6761904B2 (en) * | 2000-03-31 | 2004-07-13 | Nycomed Austria Gmbh | Pharmaceutical kit comprising midodrine as active drug substance |
JP4311600B2 (ja) * | 2001-01-30 | 2009-08-12 | 日本碍子株式会社 | 静電チャック用接合構造体及びその製造方法 |
JP2002293655A (ja) * | 2001-03-29 | 2002-10-09 | Ngk Insulators Ltd | 金属端子とセラミック部材との接合構造、金属部材とセラミック部材との接合構造および金属端子とセラミック部材との接合材 |
-
2001
- 2001-09-05 JP JP2001268899A patent/JP4252231B2/ja not_active Expired - Lifetime
-
2002
- 2002-09-03 US US10/233,463 patent/US6820795B2/en not_active Expired - Lifetime
Cited By (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7067200B2 (en) * | 2002-07-23 | 2006-06-27 | Ngk Insulators, Ltd. | Joined bodies and a method of producing the same |
US7381673B2 (en) | 2003-10-27 | 2008-06-03 | Kyocera Corporation | Composite material, wafer holding member and method for manufacturing the same |
WO2009107701A1 (ja) * | 2008-02-26 | 2009-09-03 | 京セラ株式会社 | ウェハ支持部材とその製造方法、及びこれを用いた静電チャック |
JP5108933B2 (ja) * | 2008-02-26 | 2012-12-26 | 京セラ株式会社 | 静電チャック |
US8503155B2 (en) | 2008-02-26 | 2013-08-06 | Kyocera Corporation | Wafer support member, method for manufacturing the same and electrostatic chuck using the same |
JP2009255131A (ja) * | 2008-04-17 | 2009-11-05 | Kuroki Kogyosho:Kk | 内部に空間を有する構造体のhip法による製造法 |
JP2009291793A (ja) * | 2008-06-02 | 2009-12-17 | Kuroki Kogyosho:Kk | 構造体の製造法 |
JP2010219363A (ja) * | 2009-03-18 | 2010-09-30 | Tokyo Electron Ltd | 基板熱処理装置 |
US9370920B2 (en) | 2013-08-08 | 2016-06-21 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Electrostatic chuck, mount plate support, and manufacturing method of electrostatic chuck |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
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