JP3288922B2 - 接合体およびその製造方法 - Google Patents

接合体およびその製造方法

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JP3288922B2
JP3288922B2 JP8446796A JP8446796A JP3288922B2 JP 3288922 B2 JP3288922 B2 JP 3288922B2 JP 8446796 A JP8446796 A JP 8446796A JP 8446796 A JP8446796 A JP 8446796A JP 3288922 B2 JP3288922 B2 JP 3288922B2
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Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、窒化アルミニウム部材
と金属部材との接合体、この接合体を利用した半導体保
持装置、および接合体の製造方法に関するものである。
【0002】
【従来の技術】窒化アルミニウムは、高熱伝導性、高電
気絶縁性、低熱膨張性、低誘電率特性等の特性を有して
いることから、高出力半導体素子用基板材料といった種
々の用途に使用されている。従来、セラミックス部材を
金属部材に対して接合する方法としては、セラミックス
部材と金属部材との間にろう材を介在させ、ろう材を加
熱して溶融させることで、接合させることが知られてい
る。
【0003】窒化アルミニウム部材を金属部材に対して
接合するためのろう材としては、ろう材の濡れ性を改善
するために、チタン、ジルコニウム等の活性金属を含有
するろう材が使用されている。例えば、「窒化アルミニ
ウムと金属の接合」(中尾 嘉邦、「軽金属溶接」Vo
l.31 1993年 No.8 第359頁〜365
頁)によれば、窒化アルミニウムを銅と接合するための
ろう材として、Ag−Cu系合金、Ag−Cu−Ti系
合金といった各種の合金が試験されてきており、これら
の合金からなるろう材の中に、活性金属として、チタ
ン、ジルコニウム、ニオブ、ハフニウム、バナジウムを
含有させることが知られている。これらの活性金属は、
窒化アルミニウム部材の表面付近に偏在し、厚さ数μm
のオーダーの反応層を形成する。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】しかし、特に半導体製
造装置内に接合体を設置する用途においては、ハロゲン
系腐食性ガスの雰囲気、特にこのプラズマの雰囲気中に
この窒化アルミニウム部材の接合体を設置し、さらす必
要がある。しかし、この際に、ろう付け部から腐食性雰
囲気が内部に侵入し、接合層が劣化し、この結果として
窒化アルミニウム接合体の接合強度の低下が生じた。
【0005】この問題を解決するために、本出願人は、
特願平7−21657号明細書において、アルミニウ
ム、ニッケルまたは銅の合金ろうを使用し、同時にこの
ろうの中にチタン、ハフニウム等の活性成分を含有させ
ることを提案した。
【0006】本発明者は、盤状の窒化アルミニウム部材
と盤状の金属部材(例えばモリブデンやタングステン−
モリブデン合金からなる)との間にこれらのろう材を配
し、ろう材を加熱することによって、両部材を接合する
ことを試みた。従来は、こうした大面積の部材同士は、
機械的な結合方法によっていた。しかし、後述する理由
から、大面積の部材同士を、接合面の全体にわたって隙
間無く密着させる必要があり、機械的な結合方法ではこ
うした隙間のない密着は実現できなかったので、ろう材
等の接合材を使用した方法を検討した。
【0007】この場合には、例えば8インチウエハーや
12インチウエハーに対応するために、窒化アルミニウ
ム部材や金属部材の接合面の寸法は、これらのウエハー
と同等以上の大きな面積とする必要がある。この結果、
特にこうした盤状の窒化アルミニウム部材と金属部材と
を直接ろう付けする場合には、溶融後の冷却時にろう材
が大きく収縮し、いわゆる引け巣が発生するため、全接
合面の面積に対する接合部分の面積の比率が非常に小さ
くなることが判明した。
【0008】本発明の課題は、窒化アルミニウム部材と
金属部材とをアルミニウム合金ろうを使用して強固に接
合することであり、特に窒化アルミニウム部材と金属部
材との接合界面におけるアルミニウム合金ろうの収縮を
防止し、接合界面の全面積に対する接合部分の面積の比
率を向上させることである。
【0009】
【課題を解決するための手段】本発明は、窒化アルミニ
ウム部材と金属部材との接合体であって、窒化アルミニ
ウム部材、金属部材、および、窒化アルミニウム部材の
接合面と金属部材の接合面との間に介在しているアルミ
ニウム合金ろうのシートを含む積層体を、接合面に略垂
直な方向に向かって積層体に加圧力を加えながら、アル
ミニウム合金ろうの液相線温度以下、固相線温度以上の
温度で加熱することによって得られ、窒化アルミニウム
部材と金属部材との間にアルミニウム合金ろうの成分か
らなる接合層が形成されていることを特徴とする、接合
体に係るものである。
【0010】また、本発明は、窒化アルミニウム部材と
金属部材との接合体を製造する方法であって、窒化アル
ミニウム部材、金属部材、および、両者の間に介在して
いるアルミニウム合金ろうのシートを含む積層体を、接
合面に略垂直方向に向かって積層体に対して加圧力を加
えながら、アルミニウム合金ろうの液相線温度以下、固
相線温度以上の温度で加熱することによって、窒化アル
ミニウム部材と金属部材とを接合することを特徴とす
る、接合体の製造方法に係るものである。
【0011】本発明者は、大面積の平板状ないし盤状の
窒化アルミニウム部材を金属部材に対して接合する実験
を行ってきており、アルミニウム合金を使用し、固相接
合法を検討したが、窒化アルミニウム部材と金属部材と
の接合面のうちの一部分しか実質的に接合させることは
できなかった。
【0012】このため、本発明者は、更にアルミニウム
合金ろうからなるシートを窒化アルミニウム部材と金属
部材との間に挟み、10kgf/cmといった圧力を
加えながらろう付けを行うことも試みた。しかし、ろう
付け時に加圧すると、冷却時には、いったん溶融したろ
う材が一層収縮し易くなり、非接合部分が一層拡大する
ことが判明してきた。
【0013】しかし、最終的に、本発明者は、窒化アル
ミニウム部材と金属部材との間に、アルミニウム合金ろ
うからなるシートを介在させ、接合面に対して略垂直の
方向へと向かって所定の圧力を加えながら、アルミニウ
ム合金ろうを液相線温度以下、固相線温度以上の温度に
保持し続けることによって、窒化アルミニウム部材と金
属部材との接合界面の全体にわたってろう材による接合
が行われ、非接合部分が著しく減少することを発見し、
本発明に到達した。
【0014】こうした作用効果が得られた理由は明確で
はないが、おそらくは、アルミニウム合金ろうを固液共
存状態に保持した状態で加圧することによって、接合面
の各部分における濡れ性が高くなってろう材が窒化アル
ミニウムに対して隙間無く密着するのと共に、加熱時の
ろう材の流動性が少ないかまたは非流動状態であるの
で、冷却時の窒化アルミニウム部材表面でのろう材の収
縮が抑制されるためと考えられる。
【0015】そして、アルミニウム合金ろうによる接合
体は、ハロゲン系腐食性ガスに対する耐蝕性も高いこと
が判った。
【0016】アルミニウム合金ろうの主成分はアルミニ
ウムである。ろう材の主成分をアルミニウムとすること
によって、ハロゲン系腐食性ガスに対する耐蝕性、にそ
のプラズマに対する耐蝕性が著しく向上し、接合界面の
浸食を抑制できる。しかし、アルミニウム単独では、窒
化アルミニウム部材に対する濡れ性が悪いが、アルミニ
ウムに、添加成分として、マグネシウム、チタン、ジル
コニウムまたはハフニウムからなる群より選ばれた一種
以上の金属(合金を含む)を添加することによって、ろ
う材の窒化アルミニウムに対する濡れ性が顕著に向上し
た。
【0017】ここで、これらの活性金属の割合を0.3
重量%以上とすることによって、窒化アルミニウム部材
の濡れ性が著しく改善されることが判った。これを1.
0重量%以上とすることによって、前記の濡れ性が一層
向上した。一方、これらの活性金属の割合を10重量%
以下とすることによって、ろう材のハロゲン系腐食性ガ
スに対する耐蝕性が顕著に向上した。この観点からは、
5.0重量%以下とすることが一層好ましい。
【0018】アルミニウム合金ろう中には、活性金属以
外の添加成分を含有させることができ、珪素またはホウ
素を用いることが、アルミニウムに影響を与えない点か
ら好ましい。こうした活性金属以外の添加成分の作用
は、液相線温度の降下であり、この観点から1重量%以
上添加することが好ましい。活性金属以外の添加成分の
含有割合が20重量%を越えると、接合層の耐食性が悪
くなるため、20重量%以下とすることが好ましい。活
性金属以外の添加成分の含有割合は、1〜12重量%と
することが、一層好ましい。
【0019】アルミニウムの含有割合は、ろう材の全含
有量を100重量%とした場合に、活性成分および活性
成分以外の添加成分の含有割合を100重量%から差し
引いた残部である。しかし、アルミニウムが主成分であ
るため、アルミニウムは70重量%以上含有されている
必要がある。
【0020】アルミニウム合金ろうは、マグネシウムを
1〜2重量%含有しており、かつ珪素を9〜12重量%
含有していることが、濡れ性の向上の観点から最も好ま
しい。
【0021】特に好適な態様においては、アルミニウム
に対してマグネシウムが固溶しており、かつ珪素からな
る粒子がこの中に分散している。
【0022】ここで、本発明者は、本発明の製造方法に
よって得られた接合体の接合相の微構造について更に検
討した。この結果、接合層中に、珪素等の添加成分から
なる粒状の結晶相が分散されていることが判明した。
【0023】こうした微構造が生成した理由は、おそら
く、固液共存状態のろう材に対して、接合面に略垂直方
向に圧力を加える方法なので、ろう付け時のろう材の流
動が少なく、珪素粒子がろう材のマトリックス中に微小
な粒子として分散された微構造が、ろう付け後に保持さ
れるものと考えられる。これに対して、アルミニウム合
金ろうの液相線温度を越える温度でろう付けを行った場
合には、後述するように針状の粗大な珪素粒子が生成
し、かつ金属部材との接合界面付近に針状の珪素粒子が
偏析していた。これは、ろう材の溶融によって珪素粒子
が接合界面の方へと向かって流動し、再結晶するためと
考えられる。
【0024】こうした微構造を有する接合層は、特に耐
蝕性が高く、ハロゲン系腐食性ガスによって腐食されに
くいことが判った。これに対して、針状の珪素粒子が接
合界面の方へと向かって偏析しているような微構造を有
する接合層の場合には、この珪素粒子がハロゲン系腐食
性ガスによって腐食され易く、しかも針状の珪素粒子を
伝わって腐食が進行していくために、本発明の微構造よ
りも腐食が進行し易かった。
【0025】積層体の加熱温度が固相線温度未満になる
と、圧力をくわえても接合面積は小さかった。ここで、
窒化アルミニウム部材と金属部材とを確実に接合するた
めには、加熱温度を固相線温度+5℃以上とすることが
一層好ましい。また、加熱温度を液相線温度−5℃以下
とすることによって、窒化アルミニウム部材と金属部材
との間の全面積に対する接合面積の割合が一層向上す
る。
【0026】積層体を加熱する際には、アルミニウム合
金ろうを固液共存状態に保持することが好ましく、液化
が完全に進行しないようにする必要がある。
【0027】また、窒化アルミニウム部材と金属部材と
を強固に接合するためには、10kgf/cm以上の
圧力を加えることが好ましく、30kgf/cm以上
が更に好ましい。また、実用上は、300kgf/cm
以下の圧力が好ましく、200kgf/cm以下が
更に好ましい。
【0028】本発明においては、窒化アルミニウム部材
の形状、金属部材の形状は特に限定されないが、接合面
に対して略垂直な方向に圧力を加える必要がある。ここ
で、「略垂直な方向に圧力を加える」とは、加圧方向の
ずれや偏差は許容する趣旨であり、この許容範囲は通常
は5度以下である。また、他の方向にも若干の圧力が加
わってもよい。また、窒化アルミニウム部材や金属部材
が平板形状または盤状である場合に、本発明は特に有効
である。
【0029】例えば、図1に示すように、窒化アルミニ
ウム部材1の表面1aと1bとは互いに略平行であり、
金属部材3の表面3aと3bとは互いに略平行であるも
のとする。接合面1bと3aとの間に、アルミニウム合
金ろうからなるシート2を介在させて積層体22を作製
し、接合面に対して略垂直な方向(矢印A)に向かって
圧力を加える。
【0030】金属部材の好適例は、その用途によって異
なる。特に熱伝導性を要求される用途においては、金属
部材は、モリブデン、銅およびタングステンからなる群
より選ばれた一種以上の金属(合金を含む)からなるこ
とが好ましい。また、ハロゲン系腐食性ガスに対して耐
蝕性を要求される用途においては、金属部材は、ニッケ
ル、銅、アルミニウムおよびこれらの合金からなる群よ
り選ばれた金属が好ましい。
【0031】また、接合にあたり、窒化アルミニウム部
材の表面に、または窒化アルミニウム部材に接合される
シートの表面に、銅およびアルミニウムからなる群より
選ばれた一種以上の金属からなる膜を、スパッタ、蒸
着、摩擦圧接、メッキ等の方法により設けることができ
る。これらの金属膜の膜厚は、0.1〜20μmとする
ことが好ましい。ただし、ニッケル膜を形成すると、液
相線温度以下の温度で加熱を行っても、ニッケルとアル
ミニウムとの反応による発熱によって、ろう材の一部が
局所的に溶融するために、接合面積が小さくなることが
判明した。
【0032】ハロゲン系腐食性ガスとしては、CF
NF、ClF、HF、HCl、HBrを例示でき
る。CF、NF、ClFの中で、ClFが特に
Fラジカルの解離度が高く、同じ温度およびプラズマ出
力下で比較すると、最も強い腐食性を有している。接合
層の厚さは、1μm以上とすることが好ましく、500
μm以下とすることが好ましい。
【0033】窒化アルミニウム部材は、窒化アルミニウ
ムに他の添加物を加えたものを含む。また窒化アルミニ
ウムの相対密度は特に限定されないが、半導体製造用途
においては95%以上であることが好ましい。
【0034】本発明の好適な態様では、窒化アルミニウ
ム部材が、半導体ウエハーを設置するための設置面を備
えた半導体保持部材であり、金属部材が、半導体保持部
材と外部との間で熱量の伝達を行うための熱伝達部材で
ある。この場合には、半導体保持部材としては、窒化ア
ルミニウム基体中に抵抗発熱体を埋設したセラミックス
ヒーター、窒化アルミニウム基体中に静電チャック用電
極を埋設したセラミックス静電チャック、窒化アルミニ
ウム基体中に抵抗発熱体と静電チャック用電極とを埋設
した静電チャック付きヒーター、窒化アルミニウム基体
中にプラズマ発生用電極を埋設した高周波発生用電極装
置のような能動型装置を例示することができる。また、
窒化アルミニウム基体からなる受動型のサセプターでも
良い。
【0035】本発明のこの態様について、更に詳細に説
明する。半導体製造用の静電チャックの分野では、特開
平4─287344号公報において、セラミック製静電
チャック部材とベース部材とをシリコーン樹脂で接合す
ることが開示されている。しかし、この装置では、シリ
コーン樹脂の耐熱性が低いことから、−100℃〜20
0℃の温度範囲でしか使用することができないと記載さ
れており、シリコーン樹脂の耐熱性、耐寒性から見て実
際には一層狭い温度範囲でしか安定して使用することは
できない。
【0036】一方、半導体製造装置では、200℃以上
の温度範囲でサセプターを使用する要請が強く、この使
用温度範囲は、200℃〜600℃ないし1100℃に
達する。このため、こうした200℃以上の温度範囲で
安定して使用できるような温度調節機構付きのサセプタ
ーが必要である。
【0037】特に、最近、プラズマの高密度化が進行し
つつあるが、高密度プラズマを使用すると、半導体保持
部材の表面に対するプラズマの衝突によって局所的に著
しい温度上昇が起こり、このために半導体膜の膜厚が変
動することがあり、解決が要望されている。
【0038】この観点から、本発明者は、半導体保持部
材の背面側に熱伝達部材を、本発明の方法によって接合
することを想到した。こうして得られた半導体保持装置
は、200℃以上の高温領域においても安定して良好に
使用することができるし、高密度プラズマを使用した場
合に熱を迅速に熱伝達部材へと逃がすことができる。そ
して、半導体保持部材と熱伝達部材との間の非接合部分
を著しく減少させることによって、保持部材の半導体設
置面における温度の均一性を向上させることができる。
【0039】窒化アルミニウム基体の内部に抵抗発熱体
や電極を埋設する場合には、この内部の抵抗発熱体等の
腐食を防止し、かつこれらの金属が半導体を汚染する可
能性をなくするために、窒化アルミニウムの相対密度を
99%以上とすることが好ましい。しかし、窒化アルミ
ニウムは、特に焼結しにくい材料である。このため、従
来の常圧焼結方法では、高い相対密度を有する焼結体を
得ることは困難である。従って、従来は、窒化アルミニ
ウム粉末中に多量の焼結助剤を含有させてその焼結を促
進することが行われていた。
【0040】しかし、窒化アルミニウム粉末をホットプ
レス焼結することにより、窒化アルミニウム粉末におけ
る焼結助剤の含有量が5%以下である場合においても、
99%を越える極めて高い相対密度を有する基体を製造
することができる。従って、本発明においては、99%
以上の相対密度を有した、常圧焼結、ホットプレス焼成
又は熱CVDによって製造した、高純度の緻密な窒化ア
ルミニウムを使用することが好ましい。
【0041】基体中に埋設されるべき電極や抵抗発熱体
は、最高600℃以上の高温にまで温度が上昇する用途
においては、高融点金属で形成することが好ましい。こ
うした高融点金属としては、タンタル、タングステン、
モリブデン、白金、レニウム、ハフニウム及びこれらの
合金を例示できる。半導体汚染防止の観点から、更に、
タンタル、タングステン、モリブデン、白金及びこれら
の合金が好ましい。電極の形態は、薄板からなる面状の
電極の他、多数の小孔を有する板状体からなる面状の電
極も含む。電極が、多数の小孔を有する板状体である場
合には、これらの多数の小孔にセラミックス粉末が流動
して回り込むので、板状体の両側におけるセラミックス
の接合力が大きくなり、基体の強度が向上する。こうし
た板状体としては、パンチングメタル、金網を例示でき
る。
【0042】ただし、電極が高融点金属からなり、かつ
パンチングメタルである場合には、金属の硬度が高いの
で、高融点金属からなる板に多数の小孔をパンチによっ
て開けることは困難であり、加工コストも非常に高くな
る。この点、電極が金網である場合には、高融点金属か
らなる線材が容易に入手できるので、この線材を編組す
れば金網を製造できる。従って、電極の製造が容易であ
る。また、電極の形態が薄板である場合には、電極と基
体との熱膨張係数の差によって、電極の周縁部分に特に
大きな応力が加わり、この応力のために基体が破損する
ことがあった。しかし、電極が、多数の小孔を有する板
状体である場合には、この応力が多数の小孔によって分
散される。
【0043】熱伝達部材は、一体の厚いヒートシンクと
することができる。また、熱伝達部材に対して、別体の
熱授受部材を接合し、一体化することができる。この場
合には、熱授受部材中に熱を授受するための流体の流通
孔を設ける。この態様においては、熱伝達部材と熱授受
部材とを直接接合することができ、また、熱伝達部材と
熱授受部材との間に、軟質金属部材を介在させることが
できる。軟質金属部材は、熱授受部材と熱伝達部材との
間の熱膨張差による熱変形を吸収し、窒化アルミニウム
基体の反りやクラックを防止してその信頼性を高める上
で、有効である。こうした軟質金属部材の材質として
は、Cu、Al、Zn、Ti、Pb、Pt、Au、A
g、Mg、Siおよびそれらの合金が好ましい。
【0044】熱伝達部材と軟質金属部材との接合、軟質
金属部材と熱授受部材との接合については、いずれも使
用温度範囲で安定な接合材を使用する必要がある。こう
した接合材は、使用温度範囲の上限値によって変更する
べきである。一般的には、接合材として金属ろうを使用
する。接合材としてアルミニウムまたはアルミニウムろ
うを使用した場合には、室温から500℃の温度範囲内
で安定して使用できる。また、銀ろう等の貴金属ろうを
使用した場合には、室温から700℃の温度範囲内で安
定して使用できる。
【0045】熱伝達部材は、タングステン、モリブデ
ン、銅、またはこれらの合金によって形成する。タング
ステン−モリブデン合金を使用した場合には、モリブデ
ンの比率を40〜70原子%とすることが、半導体ウエ
ハーの設置面における反りを防止するという観点から、
一層好ましい。
【0046】図2は、本態様に係る半導体ウエハー保持
装置を概略的に示す断面図であり、図3は、半導体ウエ
ハー保持部材4と熱伝達部材8とを接合する直前の状態
を示す断面図である。緻密質の窒化アルミニウムからな
る基体5の内部に平板状の電極6が埋設されている。図
2に示すように、保持部材4の背面4bに対して、平板
形状の熱伝達部材8の接合面8aを対向させ、背面(接
合面)4bと接合面8aとの間にアルミニウム合金ろう
のシート7を介在させ、積層体23を作製する。次い
で、前記した本発明の方法に従って保持部材4と熱伝達
部材8とを接合する。図において、12は接合層であ
る。
【0047】図2に示すように、保持部材4の設置面4
aに半導体ウエハー9が設置されており、ウエハー1に
は電線10Bが接触している。熱伝達部材8の他方の主
面8bに対して、熱授受部材11の主面11aが接合さ
れている。熱授受部材11の内部には、温度調節用の媒
体の流通孔11dが形成されており、流通孔11dが、
主面11aとは反対側の背面11b側に2箇所に開口し
ている。供給管20Aから矢印Cで示すように媒体を流
し、開口を通して流通孔11d内に媒体を供給し、排出
管20Bから媒体を矢印Dのように流しだす。熱授受部
材の背面11b側には、保持装置のフランジ部11cが
形成されており、このフランジ部11cを、半導体製造
装置内の所定箇所に取り付けることができる。
【0048】保持部材4内に埋設された電極6に対して
電線10Aが接続されており、この電線10Aが、熱授
受部材11の背面11b側から保持装置の外部へと引き
出されている。各電線10Aと10Bとを、図示しない
所定の静電チャック用の直流電源に接続することによっ
て、半導体ウエハー9をチャックすることができる。
【0049】設置面4aの各部分の温度をリアルタイム
で計測し、この測定温度が目的値よりも上昇したときに
は冷却用の媒体の流量を増やし、保持部材4から熱量を
排出させる。この媒体としては、水を使用するが、その
他の気体や液体を使用することもできる。
【0050】また、保持部材4において、窒化アルミニ
ウム基体のうち電極6と熱伝達部材8との間の領域に、
抵抗発熱体を埋設し、この抵抗発熱体に対して電力を供
給して抵抗発熱体を発熱させ、これによって設置面4a
上の半導体ウエハー9を加熱することができる。
【0051】図4は、本態様の他の実施例に係る保持装
置を概略的に示す断面図である。本実施例の保持部材1
5においては、緻密質の窒化アルミニウムからなる基体
24の内部に、高融点金属からなる抵抗発熱体16が埋
設されている。この抵抗発熱体16は、好ましくは、螺
旋状に巻回されたコイルスプリング形状の巻回体からな
り、かつ円盤状の基体24を平面的にみると、抵抗発熱
体16は、渦巻形をなすように設置されている。抵抗発
熱体16の両端部には、それぞれ図示しない端子を介し
て電線10D、10Eが電気的に接続されており、各電
線10D、10Eは、それぞれヒーター電源に対して接
続されている。
【0052】基体24の内部においては、更に抵抗発熱
体16の上側に、即ち、設置面15a側に、例えば円盤
形状のプラズマ発生用電極25が埋設されている。この
プラズマ発生用電極25には、高周波供給用の端子を介
して、電線10Cが接続されている。ただし、図4にお
いては電線10Cを一本示したが、この電線の本数は、
供給する高周波信号に応じた必要な本数とすることがで
きる。
【0053】本実施例における保持部材15は、プラズ
マを発生させるための電極装置として機能する。従っ
て、この保持部材15を、デポジション用ガス等に曝露
されるチャンバーに設置し、保持部材の設置面15a側
に半導体ウエハー9を設置する。この状態で、チャンバ
ー内において、保持部材15に対向する位置に他方の高
周波電極を設置し、半導体ウエハー9上にプラズマを発
生させる。
【0054】熱授受部材19の内部にも、温度調節用の
媒体の流通孔19dが形成されており、流通孔19d
が、背面19b側に2箇所に開口している。供給管20
Aから矢印Cで示すように開口を通して媒体を流し、流
通孔19d内に媒体を供給し、排出管20Bから媒体を
矢印Dのように流しだす。熱授受部材の背面19b側に
は、保持装置のフランジ部19cが形成されており、こ
のフランジ部19cを、半導体製造装置内の所定箇所に
取り付けることができる。
【0055】保持部材15の背面15bに対して、熱伝
達部材の主面17aが、本発明に従って接合されてい
る。12は接合層である。軟質金属部材18の一方の端
面18aが熱伝達部材17の主面17bに対して接合さ
れており、他方の端面18bが熱授受部材19の主面1
9aに対して接合されている。軟質金属部材18を介在
させることによって、熱授受部材19と熱伝達部材17
との熱膨張差、熱収縮差による応力を吸収できる。
【0056】この保持装置を作動させる際には、抵抗発
熱体16に対して電力を供給して抵抗発熱体を発熱さ
せ、冷却用媒体を流通孔19dに流して保持部材15か
ら熱量を排出させながら、設置面15a上の半導体ウエ
ハー9を予熱する。そして、高周波電極25に対して電
力を供給し、半導体ウエハー上にプラズマを生成させ
る。この際、プラズマから熱が供給されるため、半導体
ウエハーの温度を測定しながら、その温度が一定に保持
されるように、抵抗発熱体16への供給電力を調節す
る。
【0057】図4の実施例において、電極25を、半導
体ウエハー9を静電気力によりチャックするための静電
チャック電極としても働かせることができる。電極25
に対して、静電気力を発生させるための直流電圧を印加
すると同時に、絶縁トランスを介して高周波信号を供給
すれば、半導体ウエハー9を保持部材15の設置面15
aに吸着するのと同時に、半導体ウエハー9の上にプラ
ズマを発生させることができる。
【0058】ただし、電極25に対して高周波信号を供
給する際には、電力供給用の電線としては、抵抗値が1
Ω以下の電線が必要であり、この電線がタングステン製
の電線である場合には、直径10mm以上の電線が4本
必要となる。この一方、電極25を仮に静電チャック電
極のみとして使用する場合には、電線の抵抗値は数10
0Ωであれば良く、従って直径0.1mm程度の電線で
も十分に使用できる。
【0059】
【実施例】以下、更に具体的な実験結果について述べ
る。 (実験A) 図1に示すように、直径20mm×厚さ10mmの緻密
質窒化アルミニウム製の円盤1とモリブデン製の円盤3
とを準備した。ろう材の組成は、アルミニウム88.5
重量%、珪素10重量%およびマグネシウム1.5重量
%とした。この固相線温度は559℃であり、液相線温
度は591℃である。ろう材からなるシート2の寸法
は、直径20mm×厚さ150μmの円盤形状とした。
この積層体22を5℃/分の昇温速度で600℃まで加
熱し、600℃で30分間保持し、室温まで冷却し、比
較例の接合体を得た。
【0060】この接合体について超音波探傷試験を行
い、接合している部分と非接合部分とを探索した。接合
面の全面積に対する接合部分の面積の比率(以下、接合
面積率と呼ぶ)は、40%であった。また、この接合層
の走査型電子顕微鏡写真を、図5に示す。図5におい
て、上側はモリブデンであり、研磨傷が斜めの線として
見える。下側は窒化アルミニウムである。モリブデンと
窒化アルミニウムとの間にある接合層では、珪素が針状
の結晶相として偏析していることが判る。
【0061】(実験B) 実験Aと同じように、緻密質窒化アルミニウム製の円盤
1、モリブデン製の円盤3およびシート2を準備し、前
記した方法に従って接合体を製造した。ただし、接合温
度および加圧力を、表1に示すように変更した。実験番
号1〜6、8、9においては、各接合温度で30分間加
圧しながら保持した。実験番号7では、更に室温まで冷
却するまで加圧を維持した。
【0062】実験番号5においては、ろう付けに先立っ
て窒化アルミニウム部材の接合面に厚さ10μmのニッ
ケル層をメッキ法によって形成し、実験番号6において
は、ろう付けに先立って窒化アルミニウムの部材の接合
面に厚さ5μmのアルミニウム層をスパッタリング法に
よって形成した。実験番号8では、ブレージングシート
を使用した。超音波探傷によって測定した接合面積率
を、表1に示す。
【0063】
【表1】
【0064】実験番号1、2(いずれも比較例)から判
るように、100kgf/cmもの加圧力を加えて
も、接合面積率は75%であった。一方、接合温度を5
75℃とし、加圧力を10kgf/cm以上とした実
験番号3、4においては、97%または100%の接合
面積率が得られることが判った。実験番号3において
は、エッジの部分が僅かに接合しないままになっていた
が、この非接合部分は、30kgf/cm以上に加圧
力を上げると、消滅した。実験番号5においては、窒化
アルミニウム部材の接合面にニッケルメッキを施した
が、アルミニウムとニッケルとの反応熱によってろう材
が溶融し、引け巣が生じた。
【0065】実験番号6、7でも100%の接合面積率
が得られた。実験番号8(比較例)では、ブレージング
シートを使用したが、接合面積は小さかった。実験番号
9でも100%の接合面積率が得られた。
【0066】実験番号4によって得られた本発明例の接
合体について、接合層の走査型電子顕微鏡写真を図6に
示す。図6において、上側はモリブデンであり、下側は
窒化アルミニウムである。モリブデンと窒化アルミニウ
ムとの間にある接合層では、珪素が微細な球状の結晶粒
子としてアルミニウムマトリックス中に均一に分散され
ていることが判る。
【0067】(実験C) 図2および図3を参照しつつ説明した方法に従って、半
導体ウエハー保持部材4とモリブデン部材8との接合体
を製造した。保持部材4、モリブデン部材8およびシー
ト7の各平面的寸法は、8インチウエハーを保持するた
めに、いずれも直径200mmとした。ろう材の組成
は、アルミニウム88.5重量%、珪素10重量%およ
びマグネシウム1.5重量%とした。この積層体を5℃
/分の昇温速度で600℃まで加熱し、600℃で10
0kgf/mmの圧力を加えながら30分間保持し、
室温まで冷却した。
【0068】この接合面を超音波探傷によって測定した
結果、100%の接合面積率が得られた。
【0069】(実験D) 本発明者は、図4に示す保持装置を試作した。この際、
基体24は、相対密度99.9%の窒化アルミニウム焼
結体によって形成し、基体24の平面的寸法は、8イン
チの半導体ウエハーを設置できる大きさとした。抵抗発
熱体16としては、モリブデン製のメッシュを使用し、
このメッシュを平面的に見て渦巻き形状に基体内に埋設
した。電極25としては、モリブデン製のバルク状の電
極を使用した。熱授受部材19をアルミニウムによって
形成し、熱伝達部材17をモリブデン50原子%のタン
グステン−モリブデン合金によって形成し、軟質金属部
材18を銅によって形成した。基体24と熱伝達部材1
7とを、実験Cと同じ方法で接合した。
【0070】媒体として水を使用した。抵抗発熱体に対
して電力を供給して発熱させ、設置面の温度を100℃
まで上昇させ、100℃で保持し、次いで再び室温まで
下降させた。この結果、基体にはクラック等の欠陥は発
生しなかった。また設置面の温度分布は±5℃であっ
た。
【0071】
【発明の効果】以上述べたように、本発明によれば、窒
化アルミニウム部材と金属部材とを強固に接合すること
ができ、特に窒化アルミニウム部材と金属部材との接合
界面におけるアルミニウム合金ろうの収縮を防止し、接
合界面の全面積に対する接合部分の面積の比率を向上さ
せることができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】窒化アルミニウム部材1と金属部材3との接合
前の状態を示す正面図である。
【図2】本発明の実施例に係る半導体ウエハー保持装置
を概略的に示す断面図である。
【図3】半導体ウエハー保持部材4と熱伝達部材8との
接合前の状態を示す断面図である。
【図4】本発明の他の実施例に係る半導体ウエハー保持
装置を概略的に示す断面図である。
【図5】比較例における接合層のセラミックス組織およ
び金属組織の走査型電子顕微鏡写真である。
【図6】本発明の実施例における接合層のセラミックス
組織および金属組織の走査型電子顕微鏡写真である。
【符号の説明】
4 半導体ウエハー保持部材 4b 半導体ウエハー
保持部材の接合面 5 基体 6 平板状の電極
7 アルミニウム合金ろうのシート 8 熱伝達部
材 8a 熱伝達部材8の接合面 9 半導体ウエ
ハー 11 熱授受部材 15 保持部材 16
抵抗発熱体 24 緻密質の窒化アルミニウムから
なる基体 25 プラズマ発生用電極
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 FI H01L 21/68 H01L 21/68 N (72)発明者 藤井 知之 愛知県名古屋市瑞穂区須田町2番56号 日本碍子株式会社内 (56)参考文献 特開 昭56−26779(JP,A) 特開 平6−115009(JP,A) (58)調査した分野(Int.Cl.7,DB名) C04B 37/02

Claims (7)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】窒化アルミニウム部材と金属部材との接合
    体であって、前記窒化アルミニウム部材、前記金属部材
    および前記窒化アルミニウム部材の接合面と前記金属部
    材の接合面との間に介在しているアルミニウム合金ろう
    のシートを含む積層体を、前記接合面に略垂直な方向に
    向かって前記積層体に加圧力を加えながら、前記アルミ
    ニウム合金ろうの液相線温度以下、固相線温度以上の温
    度で加熱することによって得られ、前記接合体において
    前記窒化アルミニウム部材と前記金属部材との間に前記
    アルミニウム合金ろうの成分からなる接合層が形成され
    ていることを特徴とする、接合体。
  2. 【請求項2】前記窒化アルミニウム部材が、半導体ウエ
    ハーを設置するための設置面を備えた半導体保持部材で
    あり、前記金属部材が、前記半導体保持部材と外部との
    間で熱量の伝達を行うための熱伝達部材であり、前記接
    合体が、前記半導体保持部材と前記熱伝達部材との接合
    体であることを特徴とする、請求項1記載の接合体。
  3. 【請求項3】窒化アルミニウム部材と金属部材との接合
    体を製造する方法であって、前記窒化アルミニウム部
    材、前記金属部材および前記窒化アルミニウム部材の接
    合面と前記金属部材の接合面との間に介在しているアル
    ミニウム合金ろうのシートを含む積層体を、前記接合面
    に略垂直方向に向かって前記積層体に対して加圧力を加
    えながら、前記アルミニウム合金ろうの液相線温度以
    下、固相線温度以上の温度で加熱することによって、前
    記窒化アルミニウム部材と前記金属部材とを接合するこ
    とを特徴とする、接合体の製造方法。
  4. 【請求項4】前記積層体を、前記液相線温度−5℃以
    下、前記固相線温度+5℃以上の温度で加熱することを
    特徴とする、請求項3記載の接合体の製造方法。
  5. 【請求項5】前記積層体を加熱する間、前記アルミニウ
    ム合金ろうを固液共存状態に保持することを特徴とす
    る、請求項5または6記載の接合体の製造方法。
  6. 【請求項6】前記積層体を、10kgf/cm以上、
    300kgf/cm以下の圧力で加圧することを特徴
    とする、請求項3〜5のいずれか一つの請求項に記載の
    接合体の製造方法。
  7. 【請求項7】前記金属部材がモリブデン、銅およびタン
    グステンからなる群より選ばれた一種以上の金属からな
    ることを特徴とする、請求項3〜6のいずれか一つの請
    求項に記載の接合体の製造方法。
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2003224180A (ja) * 2002-01-28 2003-08-08 Kyocera Corp ウエハ支持部材
JP4148180B2 (ja) * 2004-04-23 2008-09-10 住友電気工業株式会社 半導体製造装置用ウェハ保持体
JP5061500B2 (ja) * 2006-05-08 2012-10-31 住友電気工業株式会社 半導体あるいは液晶製造装置用保持体およびそれを搭載した半導体あるいは液晶製造装置
JP5117146B2 (ja) * 2006-12-15 2013-01-09 日本碍子株式会社 加熱装置
US7763831B2 (en) 2006-12-15 2010-07-27 Ngk Insulators, Ltd. Heating device
TWI459851B (zh) * 2007-09-10 2014-11-01 Ngk Insulators Ltd heating equipment
JP2010062195A (ja) * 2008-09-01 2010-03-18 Hitachi High-Technologies Corp プラズマ処理装置及び試料載置電極
JP5288995B2 (ja) * 2008-10-30 2013-09-11 古河スカイ株式会社 アルミニウム合金製熱交換器ろう付方法
JP2010186765A (ja) * 2009-02-10 2010-08-26 Sumitomo Electric Ind Ltd ウエハプローバ用ウエハ保持体及びそれを搭載したウエハプローバ
US9624137B2 (en) * 2011-11-30 2017-04-18 Component Re-Engineering Company, Inc. Low temperature method for hermetically joining non-diffusing ceramic materials
US8684256B2 (en) * 2011-11-30 2014-04-01 Component Re-Engineering Company, Inc. Method for hermetically joining plate and shaft devices including ceramic materials used in semiconductor processing
JP6085090B2 (ja) * 2012-01-31 2017-02-22 日本特殊陶業株式会社 ヒータ付き静電チャック
JP6084915B2 (ja) * 2012-11-06 2017-02-22 日本碍子株式会社 セラミックス部材と金属部材との接合体及びその製法
JP2014138164A (ja) * 2013-01-18 2014-07-28 Sumitomo Osaka Cement Co Ltd 静電チャック装置
WO2020044594A1 (ja) * 2018-08-28 2020-03-05 三菱マテリアル株式会社 銅/セラミックス接合体、絶縁回路基板、及び、銅/セラミックス接合体の製造方法、及び、絶縁回路基板の製造方法

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