JP2003078917A - 撮像装置 - Google Patents

撮像装置

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JP2003078917A JP2001264128A JP2001264128A JP2003078917A JP 2003078917 A JP2003078917 A JP 2003078917A JP 2001264128 A JP2001264128 A JP 2001264128A JP 2001264128 A JP2001264128 A JP 2001264128A JP 2003078917 A JP2003078917 A JP 2003078917A
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 低価格で高品位な画像を提供することを課題
とする。 【解決手段】 複数の光電変換領域と、前記複数の光電
変換領域に含まれる第1の光電変換領域に対応して設け
られた光を透過する第1の透過部と、前記複数の光電変
換領域に含まれる第2の光電変換領域に対応して設けら
れた光を透過する第2の透過部とを含む光調整領域を有
し、前記光調整領域は、前記第2の透過部に入射する光
の一部を前記第1の透過部へ入射するように構成されて
いることを特徴とする撮像装置を提供する。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は被写体像を撮像する
撮像装置に関する。
【0002】
【従来の技術】従来、カラー画像の形成においては、R
(赤色)G(緑色)B(青色)の原色フィルターの何れ
かを備えた画素をモザイク状に配列した単一の撮像素子
で物体像を捉え、その後の信号処理で画素数に相当する
輝度情報と色情報を作り出す撮像技術が広く用いられて
いる。多くの場合、ここで用いられる撮像素子のカラー
フィルター配列はベイヤー配列である。
【0003】色分解用のビームスプリッターを用いて物
体像を予めRGBに分離し、それぞれに撮像素子を用意
して像を捉える3板式の撮像方法に比べて、画像の品位
をそれほど落とさずに大幅なコストの削減を実現するこ
とが出来る。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上述し
た従来の技術には、次のような問題点があった。
【0005】一般に良好な画像特性を得るための撮像
は、物体像を光学装置によって形成する第1のプロセ
ス、物体像の空間周波数特性の高周波成分を抑制するよ
うに調節する第2のプロセス、空間周波数特性が調節さ
れた物体像を光電変換する第3のプロセス、得られた電
気信号に対して空間周波数に応じてレスポンスを補正す
る第4のプロセスよりなる。この際、有限の画素数の撮
像素子で光学像のサンプリングを行うわけであるから、
良質な画像出力を得るためには、光学像の空間周波数特
性に撮像素子固有のナイキスト周波数以上の成分を少な
くする必要がある。ここでナイキスト周波数とは画素ピ
ッチで決まるサンプリング周波数の1/2の周波数であ
る。したがって、最適化された一連のプロセスは、サン
プリングされる光学像を撮像素子固有のナイキスト周波
数に応じた特性の光学像に調節することで、折り返し歪
みが目立たない、すなわちモワレの目立たない良質な画
像を得るものである。
【0006】画像の空間周波数伝達特性であるMTF
(Modulation Transfer Function)はデジタルスティル
カメラやビデオカメラなどの鮮鋭度に関する特性をよく
表現できる評価量である。このMTFに影響を与える具
体的要素は、光学装置である結像光学系、物体像の帯域
制限のための光学ローパスフィルター、撮像素子の光電
変換領域の開口形状、デジタルアパーチャ補正等であ
り、最終の画像特性を表す全体のMTFは各要素のMT
Fの積として与えられる。すなわち、上記の第1のプロ
セスから第4のプロセスまでのMTFをそれぞれ求め、
その積を計算すればよい。
【0007】ただし、第4のプロセスであるデジタルフ
ィルター処理は、撮像素子によって既にサンプリングさ
れた画像出力に対して行われるので、ナイキスト周波数
を超える高周波について考慮する必要はない。
【0008】したがって、光学像の空間周波数特性に撮
像素子固有のナイキスト周波数以上の成分を少なくする
構成とは、第4のプロセスを除き、第1のプロセスのM
TF、第2のプロセスのMTFおよび第3のプロセスの
MTFの積においてナイキスト周波数以上の成分が小さ
いということである。ここで、デジタルスティルカメラ
のように静止画の鑑賞を前提とする場合、ナイキスト周
波数を超える高周波がゼロではなく、多少残っていて
も、ナイキスト周波数をやや下回る周波数におけるレス
ポンスが高い方が、解像感のある画像となりやすいこと
を考慮する必要がある。
【0009】第1のプロセスである結像光学系による物
体像の形成において、一般に画面の中央は周辺に比べて
光学収差を補正しやすい。画面の周辺で良好な画像を得
ようとすると、画面の中央では結像レンズのFナンバー
で決定される回折限界MTFに近い極めて良好な特性を
得る必要がある。近年、撮像素子の小ピクセル化が進ん
でおり、この必要性はますます高まっている。したがっ
て、結像光学系については無収差の理想レンズと仮定し
てMTFを考えると良い。
【0010】また、幅dの受光開口が隙間なく敷きつめ
られた撮像素子においては、受光開口の幅が画素ピッチ
と一致するので、ナイキスト周波数u=1/2dにおけ
る第3のプロセスのレスポンス値はかなり高い。この理
由から、ナイキスト周波数付近の総合MTFを下げるた
めに第2のプロセスにおいてナイキスト周波数付近をト
ラップするのが一般的である。
【0011】第2のプロセスにおいては、通常、光学ロ
ーパスフィルターが用いられる。光学ローパスフィルタ
ーには水晶等の複屈折特性を有する物質を利用する。ま
た、特開2000−066141号公報にあるような位
相型の回折格子を利用しても良い。
【0012】光学装置の光路中に複屈折板を介在させ、
その光学軸を結像面の水平方向と並行するように傾けて
配置すると、常光線による物体像と異常光線による物体
像は所定量だけ水平方向にずれて形成される。複屈折板
によって特定の空間周波数をトラップするということ
は、その空間周波数の縞の明部と暗部とが重なるように
ずらすということである。光学ローパスフィルターによ
るMTFは式(1)で表される。
【0013】 R(u)=|cos(π・u・ω)| ・・・(1) R(u):レスポンス u :光学像の空間周波数 ω :物体像分離幅 複屈折版の厚さを適当に選択すれば、撮像素子のナイキ
スト周波数においてレスポンスをゼロとすることが可能
である。回折格子を利用する場合には、回折によって光
学像を所定の位置関係の複数の像に分離し重畳させるこ
とで、同様の効果を得ることが出来る。
【0014】しかしながら、複屈折板を作製するには水
晶やニオブ酸リチウムなどの結晶を成長させてから薄く
研磨する必要があって、極めて高価になるという問題点
がある。また、回折格子にしても高度に精密な微細構造
が求められるため、やはり高価であることに変わりはな
い。
【0015】これに対し、特開2001−078213
号公報には複眼レンズを用いることで、単板式の撮像系
でありながら、画素ピッチよりも実効的な受光開口を大
きくしてナイキスト周波数以上の画素のMTFを抑制す
る技術が開示されている。しかしながら、複眼であるこ
とに起因する物体距離依存の像シフトがあって、基準の
物体距離以外では物体像のサンプリングピッチが不等間
隔になってしまう、すなわちレジストレーションずれが
生じるといった問題点がある。したがって、どんな物体
条件であっても所定の画像性能が得られるというわけで
はない。
【0016】さらには、特公平01−014749号公
報(第5図)に開示されているように、画素の光電変換
領域を隣接する画素との関係として入り組んだ形状とす
ることで、高い空間周波数に対するレスポンスを抑制す
る試みも為されている。しかし、画素の形状が複雑にな
るため、極めて微細な構造が必要であるとか、各画素が
平面を分割していることから、画素に投影される物体像
がその分割線に沿った、例えば、斜めの線を持っていた
場合には効果が出にくい、といった弱点がある。
【0017】また、カラー撮像素子の各画素では入射す
る光束のうち所定の光学フィルターを透過した光のみを
光電変換し、電気信号として出力するので、その光学フ
ィルターを透過できなかった光は熱などとして捨てられ
ることとなる。
【0018】図26は撮像素子上の光電変換領域901
の配列である。この一つ一つには図27に示すように開
口面積を拡大するためのマイクロレンズ902が設けら
れている。図28はマイクロレンズ902の斜視図であ
る。このようにマイクロレンズ902は正のパワーを有
するレンズであって、レンズが受光した光束を撮像素子
の光電変換領域901に収斂させる働きを持つ。
【0019】例えば、色再現性が良いとされる原色フィ
ルター付きの画素をモザイク状に配置したCCD撮像素
子では、R(赤色)G(緑色)B(青色)の光学フィル
ターがマイクロレンズ902と光電変換領域901の間
に一つずつ配置される。
【0020】このとき、Rの光学フィルターを配した画
素では赤色光のみが光電変換され青色光や緑色光は光学
フィルターで吸収されて熱となる。Gの光学フィルター
を配した画素では同様に青色光と赤色光が光電変換され
ずに熱となり、Bの光学フィルターを配した画素では同
様に緑色光と赤色光が光電変換されずに熱となる。
【0021】図25は撮像素子内のRGBのカラーフィ
ルターの分光透過率特性である。赤外線の透過率が高い
ので、さらに650nm以上の波長を遮断する赤外線カ
ットフィルターを重ねて用いられる。これより分かるよ
うに、1画素の中では可視光の内のおよそ1/3だけが
有効に用いられる。
【0022】さらに詳しくRGBの色別に利用効率を考
えれば、例えば図29に示すベイヤー配列のカラー撮像
素子のRGB画素面積比率は、規則的配列を構成する1
単位の面積を1としたとき、1/4:2/4:1/4で
あるので、全体の光量を1とした時の緑色光の利用割合
は波長選択性の項と面積比率の項の積として1/3×2
/4=1/6、赤色光と青色光が1/3×1/4=1/
12、合計すれば1/6+1/12+1/12=1/3
で、やはり利用効率1/3ということになる。逆に、全
体の光量を1とした時に、そのうち緑色光で2/3×2
/4=1/3が、赤色光や青色光で2/3×1/4=1
/6が有効に利用されないことになる。
【0023】以上は、原色系のカラーフィルターを用い
た撮像素子で説明を行ったが、補色フィルターを用いた
撮像素子では、可視光のうちのおよそ1/3が光電変換
されず、有効に利用されない。このように、原色系・補
色系のいずれにしても従来型の単板式撮像素子ではカラ
ーフィルターで撮像面を分割していることが起因して光
利用効率は悪い。
【0024】これに対して、特開平08−182006
号公報はこのような光量の無駄を省いた撮像素子の構造
を開示している。空間画素ごとにプリズムを配置し、プ
リズムによって色分解した物体光を3つのRGB色画素
で受光するものである。しかしながら、空間画素に対し
て色画素は1/3程度の大きさしかなく、小さい画素ピ
ッチのセンサを作ろうとすると、色画素には極めて微細
な構造が必要であって、画素ピッチを小さくするには限
界があるという大きな問題点を有する。
【0025】本発明は、このような従来の問題点に着眼
してなされたもので、その第1の目的は、高価な光学ロ
ーパスフィルターを必要とせずに、モワレの少ない高品
位な画像を得る撮像素子を実現することである。
【0026】第2の目的は、入射光の利用効率を高めた
撮像素子を実現することである。
【0027】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
に、複数の光電変換領域と、前記複数の光電変換領域に
含まれる第1の光電変換領域に対応して設けられた光を
透過する第1の透過部と、前記複数の光電変換領域に含
まれる第2の光電変換領域に対応して設けられた光を透
過する第2の透過部とを含む光調整領域を有し、前記光
調整領域は、前記第2の透過部に入射する光の一部を前
記第1の透過部へ入射するように構成されていることを
特徴とする撮像装置を提供する。
【0028】また、複数の光電変換領域と、前記複数の
光電変換領域に含まれる第1の光電変換領域に対応して
設けられた主として第1の波長領域の光を透過する第1
の透過部と、前記複数の光電変換領域に含まれる第2の
光電変換領域に対応して設けられた主として前記第1の
波長領域と異なる第2の波長領域の光を透過する第2の
透過部と、前記第1及び第2の透過部よりも被写体側に
設けられるとともに前記被写体側へ向かう光を反射させ
るための反射領域とを有し、前記第2の透過部は、前記
第1の波長領域の光を反射する部材を有するとともに、
中央領域から周辺領域へ傾斜を持った構成であることを
特徴とする撮像装置を提供する。
【0029】
【発明の実施の形態】(第1の実施の形態)図1から図
14は本発明による第1の実施の形態を説明するための
図である。まず、図1は撮像素子の断面図、図2は撮像
素子の拡大断面図であって、ベイヤー配列などのように
異なる分光感度特性を持つG画素とR画素が交互に並ん
だ画素列に対して図の上方から物体光が入射し光電変換
領域に達する様子を表している。なお、ベイヤー配列で
は、2×2のRGGBの画素列が1単位となって、規則
的に配列している。
【0030】図1、2において、101はシリコン基
板、102は光電変換領域、103、105、107、
110、112は低屈折物質層、104、106、10
8はアルミニウムなどの金属配線層、109、111は
高屈折率物質層である。低屈折物質層を形成する物質と
しては屈折率1.45である酸化シリコン(SiO
が、高屈折率物質層を形成する物質としては屈折率2.
0である窒化シリコン(Si)が、何れも可視光
の透過率が高く好適である。高屈折率物質層111は上
面と下面を低屈折物質層110と112で挟まれ、両側
に凸の回転対称な面形状をしているので、正のパワーを
有するマイクロレンズとして機能する。これは比較的小
さい光電変換領域102に物体からの光を集め撮像素子
の感度を高める役割をしている。
【0031】113Gは有機色素を用いたGカラーフィ
ルターであって、緑色光を透過し、赤色光と青色光は吸
収する。隣接する113Rは同じくRカラーフィルター
であって、赤色光を透過し、青色光と緑色光は吸収す
る。114と116は樹脂層である。カラーフィルター
層と樹脂層は何れも1.50程度の屈折率を有する。
【0032】115Gは光分割を行う干渉フィルター層
であって、緑色光を透過し、赤色光と青色光は反射す
る。隣接する115Rは同じく干渉フィルター層であっ
て、赤色光を透過し、青色光と緑色光は反射する。これ
らの干渉フィルター層は、図14に示す如く各画素の中
央部に頂点を持つ四角すいの斜面上に形成されている。
【0033】不図示の結像レンズがマイクロレンズであ
るところの高屈折率物質層111が並んだ面上に物体像
を形成すると、撮像素子の出力としてピントが合った画
像となる。
【0034】なお、理解を容易にするために、画素の大
きさに対して十分に遠い位置にある結像レンズの瞳中心
から出た光線117のみを描いてある。瞳の周辺から出
た光線は光線117に対して角度を持って撮像素子に入
射する。そうするとそれらの光線は光電変換領域102
内の周辺部に達し、そこで光電変換されることになる。
【0035】さて、図2を用いて、光線の波長毎の挙動
について説明する。緑色光を受光する画素120へは不
図示の赤外線カットフィルターを通過した物体光118
が図の上方から来て、まず、樹脂層116に入射する。
次に干渉フィルター層115Gに入射し、ここでは緑色
成分のみが干渉フィルター層115Gを透過することが
できて、樹脂層114からGカラーフィルター113G
に至る。干渉フィルター層115Gで反射した青色成分
と緑色成分は隣接する画素へ導かれるのであるが、この
挙動は隣接する画素121から画素120に入ってくる
光線と同様であるので、画素121の説明で代用するこ
ととする。
【0036】Gカラーフィルター113Gでは、そこに
達したのが干渉フィルター層115Gを透過できた光で
あるので、そのほとんどが透過し、次の低屈折率物質層
112を経てマイクロレンズである高屈折率物質層11
1に達する。ここでは収斂作用を受けて、低屈折率物質
層110へ射出し、さらに高屈折率物質層109を通っ
て光電変換領域102に入射する。光電変換領域102
からの出力は、緑色光成分として後述する信号処理回路
に入力される。
【0037】隣接する画素121は、赤色光を受光する
画素である。画素121へは不図示の赤外線カットフィ
ルターを通過した物体光119が図の上方から来て、ま
ず、樹脂層116に入射する。次に干渉フィルター層1
15Rに入射し、ここでは赤色成分のみが干渉フィルタ
ー層115Rを透過することができて、樹脂層114か
らRカラーフィルター113Rに至る。この後の赤色光
の挙動は先に説明した画素120での緑色光と同じであ
る。
【0038】干渉フィルター層115Rで反射した青色
光と緑色光は樹脂層116と空気との界面に向かって進
み、干渉フィルター層115Rに設定されていた傾斜の
作用で、界面への入射角が臨界角以下となるため今度は
全反射する。全反射で撮像素子の内部の方向に戻された
青色光と緑色光は、干渉フィルター層115Gに入射す
る。干渉フィルター層115Gはもともと緑色光を受光
する画素120に設けられたフィルターであるので、こ
のうちの緑色光成分は透過し、青色光成分は反射する。
反射した青色光は撮像素子の外部へと逃げていくので、
ここでは図示していない。
【0039】上記のように、干渉フィルタ層115R、
115Gと樹脂層116とを含む光調整領域では、干渉
フィルタ層115Rに入射した緑色光は、干渉フィルタ
115Gへ入射し、そして透過するように構成されてい
る。
【0040】干渉フィルター層115Gを透過した緑色
光成分は、樹脂層114を経てGカラーフィルター11
3Gに至る。Gカラーフィルター113Gでは、そこに
達したのが干渉フィルター層115Gを透過できた光で
あるので、そのほとんどは透過でき、次の低屈折率物質
層112を経て多くはマイクロレンズである高屈折率物
質層111に達する。
【0041】高屈折率物質層111内で光線は斜めに進
み、低屈折率物質層110への射出と前後して金属配線
層108の側面で反射する。また、高屈折率物質層11
1へ入射するよりも前に金属配線層108の側面で反射
する光線もある。
【0042】隣接する画素121から来た光線の角度が
倒れているので、高屈折率物質層109を通って直接的
に光電変換領域102に入射することはできず、必ず金
属配線層106、104の側面か高屈折率物質層109
と低屈折率物質層107、105、103の界面で全反
射しながら光電変換領域102に達する。
【0043】光電変換領域102では物体光118の緑
色成分と一緒に光電変換されて、画素120の出力とし
て信号処理回路に入力される。
【0044】ここでは、画素120と画素121との関
係に於いて説明を行ったが、ベイヤー配列のように隣接
する画素が同色でない場合であれば、どの画素について
も不要な波長成分を隣接する画素に分割することで、隣
接する画素で有効な波長成分として光電変換することが
でき、光の利用効率を大幅に向上することが可能であ
る。
【0045】RGBの色別に利用効率を考えれば、ベイ
ヤー配列のカラー撮像素子のRGB画素面積比率が、規
則的配列を構成する1単位の面積を1としたとき、1/
4×2:2/4×2:1/4×2に増加したのと等価で
ある。したがって、全体の光量を1とした時の緑色光の
利用割合は波長選択性の項と面積比率の項の積として1
/3×4/4=1/3、赤色光と青色光が1/3×2/
4=1/6、合計すれば1/3+1/6+1/6=2/
3で、利用効率は従来の2倍の2/3ということにな
る。したがって、撮像素子の感度を2倍に上げることが
できた。
【0046】また、本実施の形態による撮像素子では、
実質的な受光開口が各画素よりも大きくなる。分かりや
すくするために、RGBの色毎に先に図29に示したベ
イヤー配列の従来の撮像素子と比較すると、まず、従来
のG画素の開口は図3に示すようにマイクロレンズ90
2の大きさであったが、本実施の形態による撮像素子で
は図4に示す如く各画素よりも大きい。図において、1
30はマイクロレンズ、131が隣接する画素から緑色
光成分を分けてもらうことを含めた実質的な受光開口で
ある。同様にB画素では、開口は図5に示す大きさであ
ったが、本実施の形態による撮像素子では、図6に示す
如く大きくなる。図において、132はマイクロレン
ズ、133が隣接する画素から青色光成分を分けてもら
うことを含めた実効的な受光開口である。R画素はB画
素と同等である。したがって、図4と図6を重ねて全て
の画素について考えると、実効的に互いにオーバーラッ
プした受光開口を有することがわかる。
【0047】このように実質的な受光開口が各画素より
も大きくなると、通常の単板式の撮像装置では考えられ
なかったMTF特性を得ることができる。この結果、光
学ローパスフィルターを省略しても画像の品位を損なわ
ない。すなわち、前述した物体像の空間周波数特性の高
周波成分を抑制するように調節する第2のプロセスを省
き、物体像を光電変換する第3のプロセスだけで、折り
返し歪みが目立たない良質な画像を得ることが可能であ
る。
【0048】図7から図13はその説明図である。
【0049】まず、図7は本実施の形態による撮像素子
の画素120についての水平方向の空間周波数成分に対
するMTF特性である。また、図8は通常型の矩形開口
を有する画素のMTF特性である。何れも1画素の大き
さを□3μmとし、マイクロレンズは1画素分の大きさ
を有しているとした。さらに、本実施の形態の画素につ
いては隣接画素の中央部にまで伸びた開口を有するもの
としてある。
【0050】図8に示した従来型の矩形開口画素のレス
ポンスについては簡単に式(2)のようなSINC関数
で表すことができる。
【0051】
【外1】
【0052】R(u):レスポンス d :撮像素子の受光開口の幅 式(2)の最初のゼロ点(カットオフ周波数)は、u=
1/dの位置である。すなわち、受光開口の幅に一致し
た波長においてレスポンスがゼロになる。受光開口が隙
間なく敷きつめられた撮像素子においては、受光開口の
幅が画素ピッチと一致するので、ナイキスト周波数u=
1/2dにおける式(2)のレスポンス値は0.636
であってかなり高い。したがって、従来の矩形開口画素
には図9に示したMTF特性の光学ローパスフィルター
を併せて使用する必要がある。
【0053】これに対して、本実施の形態による画素1
20は図4に示したような菱形様の開口に起因して、高
周波側までレスポンスが伸びる。これは式(2)でMT
F特性を表せる無限に細い短冊状の矩形開口が集まった
と考えれば良い。全体を積分した結果は図7のようにな
って、画素ピッチを3μmとしたときのナイキスト周波
数167本/mmにおいては画素120の方がかなり低
いレスポンスを有していることが分かる。
【0054】次に、図10はFナンバーを4.0、物体
像の波長を550nmと仮定したときの無収差レンズの
MTF特性である。幾何光学的に収差がない理想レンズ
では、そのMTFは光の回折によって決定される。回折
限界MTFはFナンバーによって決まり、式(3)で表
される。
【0055】
【外2】
【0056】β=cos−1(u・F・λ) u :光学像の空間周波数 F :光学系のFナンバー λ :光学像の波長 この結像レンズのカットオフ周波数は455本/mmで
ある。
【0057】さて、これで物体像を光学装置によって形
成する第1のプロセス、(物体像の空間周波数特性の高
周波成分を抑制するように調節する第2のプロセス、)
空間周波数特性が調節された物体像を光電変換する第3
のプロセスの総合MTFを知る材料が揃った。
【0058】図11は画素120を用いたときの結像レ
ンズと撮像素子の画素の総合MTFである。一方、図1
2は従来の画素を用いたときの結像レンズと光学ローパ
スフィルターと撮像素子の画素の総合MTFである。両
者はナイキスト周波数167本/mmにおいてほぼ同等
のレスポンスを有し、全体としてよく似た特性となって
いる。一方、従来の画素で光学ローパスフィルターを用
いないと図13のようにナイキスト周波数でのレスポン
スが高くなりすぎてしまう。このように、画素120を
用いれば、光学ローパスフィルターを省略できることが
分かる。
【0059】(第2の実施の形態)図15および図16
は本発明による第2の実施の形態を説明するための図で
あって、図15は画素の配列とマイクロレンズの形状を
表す平面図、図16は各画素の実効受光開口を表す平面
図である。
【0060】これらの図において201はマイクロレン
ズ、202は実効的な受光開口である。画素の配列はベ
イヤー配列を45度回転させたものとなっている。した
がって、2×2のRGGBの画素列が1単位である。特
開2000−184386号公報に開示されているよう
に、このような配列の撮像素子は画素数の増加を抑えな
がら、より高解像度の画像を得るのに好適である。
【0061】図15に示すとおり、マイクロレンズ20
1で構成される画素開口のそれぞれは45度方向に傾い
た4辺を有する正方形であって、隣接する画素と接しな
がら密に並んでいる。この撮像素子も、第1の実施の形
態と同様に図2に示す構造を有する。なお、この場合
は、図2に表れる断面は図15の画素を斜め45度方向
に切ったときの物となる。
【0062】こういった撮像素子の実効的な受光開口2
02は図4や図6を45度傾けたものと同等であって、
今度は垂直・水平方向の4辺を有する正方形となる。し
たがって、水平方向の空間周波数成分に対するMTF特
性を調べるには式(2)がそのまま適用でき、その特性
は図17のようになる。SINC関数の性質のとおり、
山型のレスポンスカーブが、高周波になるにしたがって
低くなりながら連なる。最初のゼロ点は水平方向の画素
ピッチで決まるナイキスト周波数の近くに位置する。
【0063】さらに、図10に示したFナンバーを4.
0、物体像の波長を550nmと仮定したときの無収差
レンズのMTF特性を乗じれば、図18に示すように結
像レンズと撮像素子の画素の総合MTFが得られる。
【0064】先に図12に示した従来の画素を用いたと
きの結像レンズと光学ローパスフィルターと撮像素子の
画素の総合MTFと比べると、両者はナイキスト周波数
167本/mmにおいてほぼ同等のレスポンスを有し、
全体としてよく似た特性となっている。このように、光
学ローパスフィルターを省略できることが分かる。
【0065】(第3の実施の形態)図19から図21は
本発明による第3の実施の形態を説明するための図であ
って、図19はRGBストライプフィルターを有する撮
像素子の平面図、図20は干渉フィルター層の斜視図、
図21は各画素の実効受光開口を表す平面図である。
【0066】RGBストライプフィルターを有する撮像
素子はRフィルターを有する縦方向画素列、Gフィルタ
ーを有する縦方向画素列、およびBフィルターを有する
縦方向画素列を横方向に繰り返し有する物である。つま
り、1×3のRGBの画素が規則的配列を構成する1単
位であって、隣接する4つの画素のうち上下方向は同一
フィルターの画素、左右方向は異なるフィルターの画素
となる。
【0067】このような構造においても、第1の実施の
形態に示した画素構造は画素のMTFを調節する意味で
有効ではあるが、光の利用効率を高める意味では隣接す
る異なるフィルターの画素間で光電変換されなかった光
を交換するように構造を最適化すると良い。
【0068】図20に示す302がこのための干渉フィ
ルター層であり、光分割を行う。ここで、干渉フィルタ
以外の構成については、第1の実施の形態と同じであ
る。
【0069】複数ストライプ状の屋根型斜面を持つ干渉
フィルターが並んでおり、稜線を挟んだ二つの斜面の干
渉フィルターは同種のものである。さらに、Rフィルタ
ーを有する縦方向画素列用には、赤色光を透過し青色光
と緑色光を反射するフィルターが、Gフィルターを有す
る縦方向画素列用には、緑色光を透過し青色光と赤色光
を反射するフィルターが、Bフィルターを有する縦方向
画素列用には、青色光を透過し緑色光と赤色光を反射す
るフィルターがそれぞれ設けられている。
【0070】RGB画素の並び方向での断面で見る干渉
フィルター層302の作用は、第1の実施の形態中の図
2に示した撮像素子と同様である。ただし、第1の実施
の形態では四角すい型の干渉フィルターの作用で紙面手
前と奥方向にも光を分割していたが、本実施例では図2
の紙面方向だけに光を分割する。これは異なるフィルタ
ーを有した隣接画素の方向ということである。
【0071】この結果、実効的な受光開口は図21に示
すようになる。分かりやすくするために、一列置きに画
素列を抜き出して示した。図21において303が実効
受光開口である。異なるフィルターを有する画素間で、
互いに光電変換されなかった光を交換するので、各画素
の開口は図のように横に伸びて隣接する画素にオーバー
ラップする。
【0072】したがって、この場合も光の利用効率が2
倍に向上し、2倍の感度アップが図れる。
【0073】(第4の実施の形態)図22は本発明によ
る第4の実施の形態を説明するための図であって、撮像
素子の拡大断面図である。ベイヤー配列などのようにG
画素とR画素が交互に並んだ画素列に対して図の上方か
ら物体光が入射し光電変換領域に達する様子を表してい
る。
【0074】図22において、401はシリコン基板、
402は光電変換領域、403、405、410、42
2G、422Rは低屈折物質層、404、406はアル
ミニウムなどの金属配線層、411、422G、422
Rは高屈折率物質層である。低屈折物質層を形成する物
質としては屈折率1.45である酸化シリコン(SiO
)が、高屈折率物質層を形成する物質としては屈折率
2.0である窒化シリコン(Si)が、何れも可
視光の透過率が高く好適である。高屈折率物質層411
は上面を空気、下面を低屈折物質層410で挟まれ、光
線入射側に平、光線射出側に凸の軸対称な面形状をして
いるので、正のパワーを有するマイクロレンズとして機
能する。これは比較的小さい光電変換領域402に物体
からの光を集め撮像素子の感度を高める役割をしてい
る。図示してはいないが高屈折率物質層411の光入射
面には反射防止膜をつけると良い。
【0075】また、430Gと430Rは光分割を行う
干渉フィルター層である。干渉フィルター層430G
は、緑色光を透過し、赤色光と青色光を反射する。隣接
する画素の430Rは、赤色光を透過し、青色光と緑色
光を反射する特性を有する。これらは、図14に示した
第1の実施の形態での干渉フィルターと同様に各画素の
中央部に頂点を持つ四角すいの斜面上に形成されてい
る。
【0076】なお、理解を容易にするために、画素の大
きさに対して十分に遠い位置にある結像レンズの瞳中心
から出た光線418、419のみを描いてある。瞳の周
辺から出た光線は光線418、419に対して角度を持
って撮像素子に入射する。そうするとそれらの光線は光
電変換領域402内の周辺部に達し、そこで光電変換さ
れることになる。
【0077】さて次に、光線の波長毎の挙動について説
明する。緑色光を受光する画素420へは不図示の赤外
線カットフィルターを通過した物体光418が図22の
上方から来て、まず、マイクロレンズである高屈折率物
質層411に入射する。ここでは収斂作用を受けて、低
屈折率物質層410へ射出し、干渉フィルター層430
Gに入射する。さらに緑色成分のみが干渉フィルター層
430Gを透過することができて、高屈折率物質層42
2Gに至る。
【0078】干渉フィルター層430Gで反射した青色
成分と緑色成分は隣接する画素へ導かれるのであるが、
この挙動は隣接する画素421から画素420に入って
くる光線と同様であるので、画素421の説明で代用す
ることとする。
【0079】Gカラーフィルター422Gでは、そこに
達したのが干渉フィルター層430Gを透過できた光で
あるので、そのほとんどが透過し、光電変換領域102
に入射する。
【0080】光電変換領域402からの出力は、緑色光
成分として信号処理回路に入力される。
【0081】隣接する画素421は、赤色光を受光する
画素である。画素421へは不図示の赤外線カットフィ
ルターを通過した物体光419が図の上方から来て、ま
ず、マイクロレンズである高屈折率物質層411に入射
する。ここでは収斂作用を受けて、低屈折率物質層41
0へ射出し、干渉フィルター層430Rに入射する。赤
色成分のみが干渉フィルター層430Rを透過すること
ができて、この後の赤色光の挙動は先に説明した画素4
20での緑色光と同じである。
【0082】干渉フィルター層430Rで反射した青色
成分と緑色成分は隣接する画素の高屈折率物質層411
に向かって進み、干渉フィルター層430Rに設定され
ていた傾斜の作用で、空気との界面への入射角が臨界角
以下となるため今度は全反射する。全反射で撮像素子の
内部の方向に戻された青色光と緑色光は、干渉フィルタ
ー430Gに入射する。干渉フィルター430Gはもと
もと緑色光を受光する画素420に設けられたフィルタ
ーであるので、このうちの緑色光成分は透過し、青色光
成分は反射する。反射した青色光は撮像素子の外部へと
逃げていくので、ここでは図示していない。
【0083】上記のように、干渉フィルタ層430R、
430Gと高屈折物質層116とを含む光調整領域で
は、干渉フィルタ層115Rに入射した緑色光は、干渉
フィルタ115Gへ入射し、そして透過するように構成
されている。
【0084】干渉フィルター430Gを透過した緑色光
成分は、干渉フィルター層430Gへの入射と前後して
金属配線層406の側面で反射し、高屈折率物質層42
2Gを経て光電変換領域402に達する。つまり、隣接
する画素421から来た光線の角度が倒れているので、
高屈折率物質層411から直接的に光電変換領域402
に入射することはできず、金属配線層406、404の
側面か高屈折率物質層422Gと低屈折率物質層40
5、403の界面で全反射しながら光電変換領域402
に達する。
【0085】光電変換領域402では物体光418の緑
色成分と一緒に光電変換されて、画素420の出力とし
て信号処理回路に入力される。
【0086】ここでは、画素420と画素421との関
係に於いて説明を行ったが、ベイヤー配列のように隣接
する画素が同色でない場合であれば、どの画素について
も不要な波長成分を隣接する画素に分割することで、隣
接する画素で有効な波長成分として光電変換することが
でき、光の利用効率を2倍に向上することが可能であ
る。したがって、撮像素子の感度を2倍に上げることが
できた。
【0087】(第5の実施の形態)図23は本発明によ
る第5の実施の形態を説明するための撮像素子の拡大断
面図であって、第4の実施の形態の干渉フィルターをマ
イクロレンズの曲面に沿って配置した変形例である。
【0088】図23において、501はシリコン基板、
502は光電変換領域、503、505、510、52
2G、522Rは低屈折物質層、504、506はアル
ミニウムなどの金属配線層、511、522G、522
Rは高屈折率物質層、530G、530Rはカラーフィ
ルター層である。高屈折率物質層511は上面を空気、
下面を低屈折物質層410で挟まれ、光線入射側に平、
光線射出側に凸の面形状をしているので、正のパワーを
有するマイクロレンズとして機能する。これは比較的小
さい光電変換領域502に物体からの光を集め撮像素子
の感度を高める役割をしている。図示してはいないが高
屈折率物質層511の光入射面には反射防止膜をつける
と良い。
【0089】また、509Gと509Rは光分割を行う
干渉フィルター層である。干渉フィルター層509G
は、緑色光を透過し、赤色光と青色光を反射する。隣接
する画素の509Rは、赤色光を透過し、青色光と緑色
光を反射する特性を有する。これらは、高屈折率物質層
511の曲面に沿って形成されている。
【0090】なお、理解を容易にするために、画素の大
きさに対して十分に遠い位置にある結像レンズの瞳中心
から出た光線518、519のみを描いてある。瞳の周
辺から出た光線は光線518、519に対して角度を持
って撮像素子に入射すし、そうするとそれらの光線は光
電変換領域502内の周辺部に達し、そこで光電変換さ
れることになる。
【0091】さて次に、光線の波長毎の挙動について説
明する。緑色光を受光する画素520へは不図示の赤外
線カットフィルターを通過した物体光518が図の上方
から来て、まず、マイクロレンズである高屈折率物質層
511に入射する。ここでは収斂作用を受けて、干渉フ
ィルター層530Gを経て、低屈折率物質層510へ射
出する。フィルター層530Gでは緑色成分のみが透過
することができて、光電変換領域502に至る。
【0092】干渉フィルター層530Gで反射した青色
成分と緑色成分は隣接する画素へ導かれるのであるが、
この挙動は隣接する画素521から画素520に入って
くる光線と同様であるので、画素521の説明で代用す
ることとする。
【0093】光電変換領域502からの出力は、緑色光
成分として信号処理回路に入力される。
【0094】隣接する画素521は、赤色光を受光する
画素である。画素521へは不図示の赤外線カットフィ
ルターを通過した物体光519が図の上方から来て、ま
ず、マイクロレンズである高屈折率物質層511に入射
する。ここでは収斂作用を受けて、干渉フィルター層5
30R経て、低屈折率物質層510へ射出する。ここで
は赤色成分のみが干渉フィルター層530Rを透過する
ことができて、この後の赤色光の挙動は先に説明した画
素520での緑色光と同じである。
【0095】干渉フィルター層530Rで反射した青色
成分と緑色成分は隣接する画素の高屈折率物質層511
に向かって進み、干渉フィルター層530Rの曲率の作
用で、空気との界面への入射角が臨界角以下となるため
今度は全反射する。全反射で撮像素子の内部の方向に戻
された青色光と緑色光は、干渉フィルター530Gに入
射する。干渉フィルター530Gはもともと緑色光を受
光する画素520に設けられたフィルターであるので、
このうちの緑色光成分は透過し、青色光成分は反射す
る。反射した青色光は撮像素子の外部へと逃げていくの
で、ここでは図示していない。
【0096】上記のように、干渉フィルタ層509R、
509Gと高屈折物質層511とを含む光調整領域で
は、干渉フィルタ層509Rに入射した緑色光は、干渉
フィルタ509Gへ入射し、そして透過するように構成
されている。
【0097】干渉フィルター530Gを透過した緑色光
成分は、干渉フィルター層530Gへの入射と前後して
金属配線層506の側面で反射し、カラーフィルター層
530Gを経て光電変換領域502に達する。光電変換
領域502では物体光518の緑色成分と一緒に光電変
換されて、画素520の出力として信号処理回路に入力
される。
【0098】このように、隣接する画素で有効な波長成
分として光電変換することができ、光の利用効率を向上
させることが可能である。
【0099】上記で説明した第1から5の実施の形態の
干渉フィルタ層115R、G、302、430R、G、
509R、Gは、以下のような構成をしている。
【0100】色分解のために干渉フィルター層を撮像素
子内に組み込んだ例は、特公昭63−269567号公
報や特開平09−219505号公報に示されており、
誘電体としての高屈折物質として窒化シリコン(Si
)を、低屈折率物質として酸化シリコン(Si
)を交互に積層してなる。高屈折物質として酸化タ
ンタルや酸化ジルコニウムを、低屈折率物質としてフッ
化マグネシウムなどを用いることも出来る。
【0101】ここでは、高屈折物質として窒化シリコン
(Si)を、低屈折率物質として酸化シリコン
(SiO)を用い、λ/4を基本光学厚として(λ
は基準波長)、11層を積層し、所定の基準波長で約
90%の反射率を得ている。基準波長はR画素では62
0nm、G画素では550nm、B画素では460nm
である。窒化シリコン(Si)と酸化シリコンの
形成はCVD(chemicalvapor deposition)か、電子ビ
ーム蒸着などの方法で行えば良い。
【0102】次に、上記で説明した第1から5の実施の
形態のカラーフィルタ113R、G、422R、G、5
30R、Gは、以下のような構成をしている。
【0103】カラーフィルタにはRGB光の中間の波長
を遮断する希土類の金属イオンを拡散させてある。これ
は干渉フィルター層への光線の入射角度の変化によっ
て、分割する波長域がシフトするためである。したがっ
て、カラーフィルタを経て光電変換領域に達する波長域
は干渉フィルターの透過波長域よりも若干狭い透過波長
域となる。
【0104】希土類の金属イオンとしては、ネオジムイ
オン、プラセオジムイオン、エルビウムイオン、ホルミ
ウムイオン等の1種または2種以上が挙げられるが、少
なくとも、ネオジムイオンを必須イオンとして使用する
のが好ましい。なお、これらのイオンとしては、通常3
価のイオンが使用される。
【0105】また、干渉フィルター層をフォトニック結
晶層とし、カラフィルターと同様の特性をもたせること
も出来る。この場合にはPBG(フォトニックバンドギ
ャップ)現象が生じるようにフォトニックバンドギャッ
プ構造とすれば、光の入射角度に依存して透過帯域がシ
フトすることがない。フォトニック結晶の製造には特開
平10−175960号公報に開示されている技術が応
用できる。この場合には、カラーフィルタにはRGB光
の中間の波長を遮断する希土類の金属イオンを拡散させ
る必要もなくなる。
【0106】なお、以上の説明においては光分割の方法
として反射を用いたが、屈折を用いても良い。近年、フ
ォトニック結晶における波長分散性を利用して、屈折角
が光の波長に対して極めて敏感に変化する「スーパープ
リズム効果」が報告されている(H.Kosaka e
t al.,“Superprism phenome
nain photonic crystals”,P
hysical ReviewB,vol.58,n
o.16,p.R10096,1998)。屈折率の異
なる材料を周期的に配列したフォトニック結晶の内部か
ら外部へ、あるいは逆方向へ光のビームあるいは波束が
境界と交叉する時の折れ曲がり角が著しい波長依存性を
持つ効果をスーパープリズム効果と呼び、これを利用す
れば特定の波長成分を隣接する画素の方向に偏向するこ
とが可能である。なお、半導体フォトニック結晶の製造
には特開2000−232258号公報に開示されてい
る方法を用いることが出来る。
【0107】ここで、第1から5の実施の形態におい
て、画質の品質が上記の場合と比べると劣るが、カラー
フィルタを設けない構成であってもよい。
【0108】また、第1から5の実施の形態の撮像素子
は、CCD型の撮像素子であってもよいし、CMOSイ
メージセンサ等のXYアドレス型の撮像素子であっても
よい。
【0109】(第6の実施の形態)図24に基づいて、
第1から5の実施の形態のいずれかの撮像素子を撮像装
置(スチルカメラ)に適用した場合の一実施例について
詳述する。
【0110】図24において、1はレンズのプロテクト
とメインスイッチを兼ねるバリア、2は被写体の光学像
を撮像素子4に結像させるレンズ、3はレンズ2を通っ
た光量を可変するための絞り、4はレンズ2で結像され
た被写体を画像信号として取り込むための撮像素子、6
は撮像素子4より出力される画像信号のアナログーディ
ジタル変換を行うA/D変換器、7はA/D変換器6よ
り出力された画像データに各種の補正を行ったりデータ
を圧縮する信号処理回路、8は撮像素子4、撮像信号処
理回路5、A/D変換器6、信号処理回路7に、各種タ
イミング信号を出力するタイミング発生部、9は各種演
算とスチルビデオカメラ全体を制御する全体制御・演算
部、10は画像データを一時的に記憶する為のメモリ
部、11は記録媒体に記録または読み出しを行うための
インターフェース部、12は画像データの記録または読
み出しを行う為の半導体メモリ等の着脱可能な記録媒
体、13は外部コンピュータ等と通信する為のインター
フェース部である。
【0111】次に、前述の構成における撮影時の撮像装
置の動作について説明する。
【0112】バリア1がオープンされるとメイン電源が
オンされ、次にコントロール系の電源がオンし、更にA
/D変換器6などの撮像系回路の電源がオンされる。
【0113】それから、露光量を制御する為に、全体制
御・演算部9は絞り3を開放にし、固体撮像素子4から
出力された信号はA/D変換器6で変換された後、信号
処理部7に入力される。
【0114】そのデータを基に露出の演算を全体制御・
演算部9で行う。
【0115】この測光を行った結果により明るさを判断
し、その結果に応じて全体制御・演算部9は絞りを制御
する。
【0116】次に、撮像素子4から出力された信号をも
とに、高周波成分を取り出し被写体までの距離の演算を
全体制御・演算部9で行う。その後、レンズを駆動して
合焦か否かを判断し、合焦していないと判断した時は、
再びレンズを駆動し測距を行う。
【0117】そして、合焦が確認された後に本露光が始
まる。
【0118】露光が終了すると、撮像素子4から出力さ
れた画像信号はA/D変換器6でA/D変換され、信号
処理回路7を通り全体制御・演算部9によりメモリ部に
書き込まれる。
【0119】その後、メモリ部10に蓄積されたデータ
は、全体制御・演算部9の制御により記録媒体制御I/
F部を通り半導体メモリ等の着脱可能な記録媒体12に
記録される。
【0120】また、外部I/F部13を通り直接コンピ
ュータ等に入力して画像の加工を行ってもよい。
【0121】以上説明したように、複数の画素を規則的
に配列してなる撮像素子において、該規則的配列を構成
する1単位のうちの少なくとも二つの画素は、実効的に
互いにオーバーラップした受光開口を形成するための光
分割手段をそれぞれ有する用に構成したので、高価な光
学ローパスフィルターを必要とせずに、モワレの少ない
高品位な画像を得る撮像素子を実現することができた。
【0122】また、前記撮像素子は、異なる分光感度特
性を有した複数の画素を規則的に配列したことで、入射
光の利用効率を高め、撮像素子の感度を上げることがで
きた。この結果、より暗い物体を容易に撮像することが
出来るようになった。
【0123】この撮像素子をデジタルカメラなどに応用
した時には、速いシャッタースピードを選択することが
出来るので、手ぶれによる撮影の失敗を減ずることが出
来た。
【0124】
【発明の効果】本発明によれば、低価格で高品位な画像
を得ることが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【図1】撮像素子の断面図である。
【図2】撮像素子の断面図である。
【図3】従来のG画素の開口を示す平面図である。
【図4】撮像素子における、G画素の開口を示す平面図
である。
【図5】従来のB画素の開口を示す平面図である。
【図6】撮像素子における、B画素の開口を示す平面図
である。
【図7】画素120についての水平方向の空間周波数成
分に対するMTF特性である。
【図8】矩形開口画素のMTFである。
【図9】光学ローパスフィルターのMTFである。
【図10】Fナンバーを4.0、物体像の波長を550
nmと仮定したときの無収差レンズのMTF特性であ
る。
【図11】画素120を用いたときの結像レンズと撮像
素子の画素の総合MTFである。
【図12】従来の画素を用いたときの結像レンズと光学
ローパスフィルターと撮像素子の画素の総合MTFであ
る。
【図13】従来の画素で光学ローパスフィルターを用い
ないときの総合MTFである。
【図14】干渉フィルター層の斜視図である。
【図15】画素の配列とマイクロレンズの形状を表す平
面図である。
【図16】各画素の実効受光開口を表す平面図である。
【図17】水平方向の空間周波数成分に対する受光開口
のMTF特性である。
【図18】結像レンズと撮像素子の画素の総合MTFで
ある。
【図19】RGBストライプフィルターを有する撮像素
子の平面図である。
【図20】干渉フィルター層の斜視図である。
【図21】画素の実効受光開口を表す平面図である。
【図22】撮像素子の断面図である。
【図23】撮像素子の断面図である。
【図24】撮像装置を表す図である。
【図25】RGBのカラーフィルターの分光透過率特性
である。
【図26】撮像素子上の光電変換領域の配列を示す平面
図である。
【図27】撮像素子上のマイクロレンズの配列を示す平
面図である。
【図28】マイクロレンズ902の斜視図である。
【図29】ベイヤー配列のカラー撮像素子の平面図であ
る。
【符号の説明】
115R、G、302、430R、G、509R、G
干渉フィルタ層 113R、G、422R、G、530R、G カラーフ
ィルタ 102、402、502 光電変換領域
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き Fターム(参考) 4M118 AB01 BA06 CA02 GC07 GC14 GD04 GD07 5C024 CX37 CX41 EX43 EX52 GX02 GZ36 HX23 HX57 5C065 AA01 BB13 BB30 CC01 DD01 EE03 EE11 GG18 GG26

Claims (10)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 複数の光電変換領域と、 前記複数の光電変換領域に含まれる第1の光電変換領域
    に対応して設けられた光を透過する第1の透過部と、前
    記複数の光電変換領域に含まれる第2の光電変換領域に
    対応して設けられた光を透過する第2の透過部とを含む
    光調整領域を有し、 前記光調整領域は、前記第2の透過部に入射する光の一
    部を前記第1の透過部へ入射するように構成されている
    ことを特徴とする撮像装置。
  2. 【請求項2】 請求項1に記載の撮像装置において、前
    記第1の透過部は、主として第1の波長範囲の光を透過
    し、前記第2の透過部は、主として前記第1の波長領域
    と異なる第2の波長領域の光を透過し、前記光調整領域
    は、前記第2の透過部に入射する前記第1の波長範囲の
    光を前記第1の透過部へ入射するように構成されている
    ことを特徴とする撮像装置。
  3. 【請求項3】 請求項1乃至2に記載の撮像装置におい
    て、前記光調整領域は、反射領域を含み、前記反射領域
    は、前記第1及び第2の透過部よりも被写体側に設けら
    れるとともに前記被写体側へ向かう光を反射させること
    を特徴とする撮像装置。
  4. 【請求項4】 請求項1乃至3のいずれか1項に記載の
    撮像装置において、前記第2の透過部は、中央領域から
    周辺領域へ傾斜を持った形状を含むことを特徴とする撮
    像装置。
  5. 【請求項5】 請求項4に記載の撮像装置において、前
    記第2の透過部は、四角すいの形状を含むことを特徴と
    する撮像装置。
  6. 【請求項6】 請求項4に記載の撮像装置において、前
    記第2の透過部は、凹型の形状を含むことを特徴とする
    撮像装置。
  7. 【請求項7】 請求項1乃至6のいずれか1項に記載の
    撮像装置において、前記第2の透過部は、前記第1の波
    長領域の光を反射することを特徴とする撮像装置。
  8. 【請求項8】 請求項7に記載の撮像装置において、前
    記第2の透過部と前記光電変換領域の間に、前記第1の
    波長領域の光を吸収するとともに、前記第2の波長領域
    の光を透過する第3の透過部を有することを特徴とする
    撮像装置。
  9. 【請求項9】 複数の光電変換領域と、 前記複数の光電変換領域に含まれる第1の光電変換領域
    に対応して設けられた主として第1の波長領域の光を透
    過する第1の透過部と、 前記複数の光電変換領域に含まれる第2の光電変換領域
    に対応して設けられた主として前記第1の波長領域と異
    なる第2の波長領域の光を透過する第2の透過部と、 前記第1及び第2の透過部よりも被写体側に設けられる
    とともに前記被写体側へ向かう光を反射させるための反
    射領域とを有し、 前記第2の透過部は、前記第1の波長領域の光を反射す
    るとともに、中央領域から周辺領域へ傾斜を持った構成
    であることを特徴とする撮像装置。
  10. 【請求項10】 請求項1乃至9のいずれか1項に記載
    の撮像装置において、前記複数の光電変換領域からの信
    号をディジタル信号に変換するアナログ・ディジタル変
    換回路と、前記アナログ・ディジタル変換回路からの信
    号を処理する信号処理回路と、前記信号処理回路で処理
    された信号を記憶する記憶回路とを有することを特徴と
    する撮像装置。
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