JP2003077151A - 光ピックアップ及び光ディスク装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 本発明は、光ピックアップ及び光ディスク装
置に関し、例えばミニディスク装置、ＤＶＤの記録再生
装置等に適用して、回折格子の位置ずれによるトラッキ
ングエラー信号のオフセットを十分に抑圧することがで
きるようにする。 【解決手段】 本発明は、光学距離の異なる少なくとも
３つの領域ＡＲ１、ＡＲ２１及びＡＲ２２、ＡＲ３の繰
り返しにより回折格子１４を構成し、０次の回折光と、
±１次の回折光との位相差がほぼ０度又は１８０度とな
るように、これら３つの領域ＡＲ１、ＡＲ２１及びＡＲ
２２、ＡＲ３における光学距離、幅Ｗ１、Ｗ２１及びＷ
２２、Ｗ３を設定する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、光ピックアップ及
び光ディスク装置に関し、例えばミニディスク装置、Ｄ
ＶＤの記録再生装置等に適用することができる。本発明
は、光学距離の異なる少なくとも３つの領域の繰り返し
により回折格子を構成し、０次の回折光と、±１次の回
折光との位相差がほぼ０度又は１８０度となるように、
これら３つの領域における光学距離、幅を設定すること
により、回折格子の位置ずれによるトラッキングエラー
信号のオフセットを十分に抑圧することができるように
する。

【０００２】

【従来の技術】従来、光ディスク装置においては、いわ
ゆる３スポット法によりトラッキング制御するようにな
されたものがあり、このような光ディスク装置において
は、回折格子を用いてレーザービームより０次、±１次
の回折光を生成し、これら０次、±１次の回折光を光デ
ィスクに照射するようになされている。

【０００３】すなわち図９は、この種の光ディスク装置
に適用される光ピックアップを示す側面図である。この
光ピックアップ１において、半導体レーザー２は、所定
波長のレーザービームＬ１を出射し、続くコリメータレ
ンズ３は、このレーザービームＬ１を平行光線に変換す
る。続く回折格子４は、このコリメータレンズ３より出
射されるレーザービームを０次、±１次の回折光に変換
し、ビームスプリッタ５は、これら０次、±１次の回折
光によるレーザービームＬ１を透過して対物レンズ６に
出射する。

【０００４】対物レンズ６は、これら０次、±１次の回
折光によるレーザービームＬ１を光ディスク７の情報記
録面に集光に、その結果光ディスク７より得られる戻り
光を受光してビームスプリッタ５に導く。ビームスプリ
ッタ５は、この戻りを反射してコリメータレンズ８に出
射し、このコリメータレンズ８は、この戻り光を受光素
子９の受光面に集光する。

【０００５】光ピックアップ１では、このようにして光
ディスク７に照射される０次、±１次の回折光によるレ
ーザービームＬ１が、光ディスク７の半径方向に所定距
離だけオフセットしてビームスポットを形成するよう
に、またこれら０次、±１次の回折光による戻り光の光
量をそれぞれ検出できるように受光素子９の受光面が形
成され、また必要に応じて各受光面が分割されて形成さ
れ、これらによりいわゆる３スポット法によりトラック
エラー信号を生成できるようになされている。

【０００６】このようにして０次、±１次の回折光を生
成する回折格子４においては、図１０に示すように、透
明基板であるガラス基板４Ａ上に、所望する回折角に対
応する繰り返しピッチＰにより選択的に誘電体層４Ｂを
積層して形成される。従来の光ディスク装置において
は、この繰り返し方向における誘電体層４Ｂの幅Ｔが、
繰り返しピッチＰのほぼ１／２となるように設定され
る。

【０００７】また図１１に示すように、０次の回折光の
光強度に対して、±１次の回折光の光強度が、１０
〔％〕程度となるように、誘電体層４Ｂの厚みが制御さ
れるようになされている。

【０００８】因みに、これらにより例えばミニディスク
に適用する場合には、回折格子４は、繰り返しピッチＰ
が１４〔μｍ〕、誘電体層４Ｂの幅Ｔが７．０〔μｍ〕
に設定され、誘電体層４Ｂが屈折率１．５の誘電体によ
り、厚さ２５０〔ｎｍ〕で形成されて、波長７９０〔ｎ
ｍ〕のレーザービームが使用されるようになされてい
る。

【０００９】

【発明が解決しようとする課題】ところで従来の光ディ
スク装置においては、格子を横切る方向に回折格子４が
位置ずれすると、トラッキングエラー信号にオフセット
が発生する問題があり、光ディスク装置においては、こ
のオフセットによりトラッキング制御の精度が低下す
る。

【００１０】このような位置ずれによるトラッキングエ
ラー信号のオフセットの発生を十分に抑圧することがで
きれば、その分、光ピックアップの組み立て作業におけ
る許容度を拡大することができ、光ピックアップの生産
性を向上することができ、さらには設計作業も簡略化す
ることができると考えられる。また受光素子のばらつき
等についても、許容範囲が拡大し、これによっても生産
性を向上できると考えられる。

【００１１】本発明は以上の点を考慮してなされたもの
で、回折格子の位置ずれによるトラッキングエラー信号
のオフセットを十分に抑圧することができる光ピックア
ップ及び光ディスク装置提案しようとするものである。

【００１２】

【課題を解決するための手段】かかる課題を解決するた
め請求項１の発明においては、光ピックアップに適用し
て、回折格子が、少なくとも光学距離の異なる第１、第
２、第３の領域が、順次循環的に繰り返されて形成さ
れ、０次の回折光と、±１次の回折光との位相差がほぼ
０度又は１８０度となるように、第１、第２、第３の領
域の光学距離、繰り返し方向の第１、第２、第３の領域
の幅が設定されてなるようにする。

【００１３】また請求項６の発明においては、光ディス
ク装置に適用して、光ピックアップの回折格子は、少な
くとも光学距離の異なる第１、第２、第３の領域が、順
次循環的に繰り返され、０次の回折光と、±１次の回折
光との位相差がほぼ０度又は１８０度となるように、第
１、第２、第３の領域の光学距離、繰り返し方向の第
１、第２、第３の領域の幅が設定されてなるようにす
る。

【００１４】請求項１の構成によれば、光ピックアップ
に適用して、回折格子が、少なくとも光学距離の異なる
第１、第２、第３の領域が、順次循環的に繰り返されて
形成され、０次の回折光と、±１次の回折光との位相差
がほぼ０度又は１８０度となるように、第１、第２、第
３の領域の光学距離、繰り返し方向の第１、第２、第３
の領域の幅が設定されてなることにより、回折格子が格
子を横切る方向に変位した場合に、１次回折光及び−１
次回折光の集光位置に対して０次回折光が同じように影
響を与えることになる。すなわち１次回折光の集光位置
で光強度が増大した場合には、−１次回折光の集光位置
でも光強度が増大させることができ、これにより回折格
子の位置ずれによる１次回折光及び−１次回折光の集光
位置における光強度差の相違を小さくすることができ
る。これに対して従来構成による回折格子においては、
回折格子が格子を横切る方向に変位した場合に、１次回
折光と−１次回折光とに対して０次回折光が異なる影響
を与えることが判った。これにより請求項１の構成によ
れば、このような１次回折光の集光位置における光強度
と−１次回折光の集光位置における光強度とが、回折格
子の位置ずれによっては異ならないようにすることがで
き、この光強度の相違によるトラッキングエラー信号の
オフセットの発生を十分に抑圧することができる。

【００１５】これにより請求項６の構成によれば、回折
格子の位置ずれによるトラッキングエラー信号のオフセ
ットを十分に抑圧することができる光ディスク装置を提
供することができる。

【００１６】

【発明の実施の形態】以下、適宜図面を参照しながら本
発明の実施の形態を詳述する。

【００１７】（１）第１の実施の形態 （１−１）第１の実施の形態の構成 図１は、本発明の第１の実施の形態に係る光ディスク装
置に適用される光ピックアップの回折格子を示す断面図
である。この実施の形態に係る光ディスク装置の光ピッ
クアップには、この回折格子１４が適用される点を除い
て、図９の光ピックアップと同一に構成される。

【００１８】この回折格子１４は、光学距離の異なる第
１の領域ＡＲ１、第２の領域ＡＲ２１及びＡＲ２２、第
３の領域ＡＲ３が順次循環的に繰り返され、これら第１
〜第３の領域ＡＲ１〜ＡＲ３の光学距離、繰り返し方向
の幅Ｗ１、Ｗ２１、Ｗ２２、Ｗ３の設定により、この回
折格子１４を透過するレーザービームにおいて、０次の
回折光と、前記±１次の回折光との位相差がほぼ０度又
は１８０度に設定されるようになされている。

【００１９】具体的に、この実施の形態においては、回
折格子１４は、透明板材であるガラス基板１４Ａ上に誘
電体層１４Ｂの選択的な積層を繰り返すことにより、こ
れら第１〜第３の領域ＡＲ１〜ＡＲ３が形成される。回
折格子１４は、この誘電体層１４Ｂの屈折率が１．５に
設定され、これら第１〜第３の領域ＡＲ１〜ＡＲ３の繰
り返しピッチＰが１４．０〔μｍ〕に設定される。回折
格子１４は、第１の領域ＡＲ１が、厚みＴ１＝０．５２
〔μｍ〕、幅Ｗ１＝０．６〔μｍ〕により形成され、第
２の領域ＡＲ２１及びＡＲ２２が、厚みＴ２＝０．８
〔μｍ〕、幅Ｗ２１、Ｗ２２＝０．７〔μｍ〕により形
成される。また第３の領域ＡＲ３が、何らガラス基板１
４Ａ上に誘電体層１４Ｂを積層しないようにして、幅１
２．１〔μｍ〕により形成される。

【００２０】回折格子１４は、始めにガラス基板に、膜
厚０．５２〔μｍ〕により第１及び第２の領域が形成さ
れた後、さらにこの上層に選択的に誘電体が堆積され
て、第２の領域が形成されるようになされている。

【００２１】これにより回折格子１４は、第２領域ＡＲ
２１及びＡＲ２２が同一形状により、第１の領域ＡＲ１
の両側に形成され、これにより０次回折光を中心にして
−１次回折光側と＋１次回折光側とで対称形状に同一の
周期構造が繰り返されるようになされている。

【００２２】また回折格子１４は、これら第１〜第３の
領域ＡＲ１〜ＡＲ３の光学距離、繰り返し方向の幅Ｗ１
〜Ｗ３の設定により、０次の回折光の光強度が全ての回
折光の６０〔％〕以上となるように設定され、また０次
の回折光の光強度に対して、±１次の回折光の光強度が
８〜１５〔％〕となるように設定されるようになされて
いる。

【００２３】（１−２）第１の実施の形態の動作 以上の構成において、この実施の形態に係る光ピックア
ップにおいては、半導体レーザーより出射されたレーザ
ービームが回折格子１４により０次、±１次の回折光に
変換され、この０次、±１次の回折光によるレーザービ
ームが光ディスクに照射され、またその結果得られる０
次、±１次の回折光による戻り光が受光素子により受光
されて、３スポット法によりトラッキングエラー信号が
生成される。

【００２４】このようにして０次、±１次の回折光を生
成する回折格子１４においては、０次の回折光と、前記
±１次の回折光との位相差がほぼ０度又は１８０度とな
るように設定されていることにより、回折格子１４が格
子を横切る方向に位置ずれした場合に、１次回折光の集
光位置と−１次回折光の集光位置とに対して、０次回折
光が同じように影響を与えることになる。すなわち１次
回折光の集光位置で光強度が増大した場合には、−１次
回折光の集光位置でも光強度が増大させることができ、
これにより回折格子の位置ずれによる１次回折光及び−
１次回折光の集光位置における光強度の相違を、従来に
比して格段的に小さくすることができる。これにより光
ディスク装置では、回折格子の位置ずれによるトラッキ
ングエラー信号のオフセットを十分に抑圧することがで
きる。

【００２５】すなわち回折格子に入射するレーザービー
ムにおいては、ガウシアン分布により代表される一様な
強度分布をもっており、光ディスクの情報記録面に集光
される各ｎ次の回折光においても、同様の強度分布によ
り情報記録面に集光されることになる。これにより各回
折光の集光位置における光強度においては、隣接、隣々
接する回折光の影響を受けることになる。

【００２６】図１０について上述した従来構成による回
折格子４においては、図１１に示すように、偶数次の回
折光が十分に抑圧されていることにより、±１次回折光
の集光位置における光振幅は、それぞれ±１次回折光と
０次回折光の振幅を合成したもので近似することができ
る。

【００２７】従来構成による回折格子４においては、±
１次回折光と０次回折光の複素振幅による位相差が９０
度であり、これにより回折格子４が格子方向に位置ずれ
した場合には、＋１次回折光と−１次回折光とに０次回
折光が異なる影響を与える。これにより＋１次回折光の
集光位置と−１次回折光の集光位置とで、光強度が相違
し、トラッキングエラー信号にオフセットが発生するこ
とが判った。

【００２８】ここで＋１次回折光及び−１次回折光の集
光位置における光強度の差分値の絶対値を、これら光強
度の加算値により割り算し、この割り算して得られる値
を百分率により表して強度バランスを定義する。図２
は、±１次回折光と０次回折光との位相差を順次変化さ
せて、この強度バランスを計算した結果を示す特性曲線
図であり、従来構成による±１次回折光と０次回折光の
位相差が９０度の場合にあっては、最大で０．５９
〔％〕の強度バランスを生じることが判った。なおこの
シュミレーションでは、±１次回折光と０次回折光の振
幅は、絶対値が一定なものとして処理した。これによ
り、従来構成による回折格子は、格子を横切る方向への
位置ずれによる影響を最も受けやすい構造になってお
り、±１次回折光と０次回折光との位相差をほぼ０度又
は１８０度に設定すれば、強度バランスが最も小さくな
ることが判る。

【００２９】かくするにつき、実用上の観点から、好ま
しくは強度バランスを０．３以下、より好ましくは強度
バランスを０．１５以下に設定して、十分にトラッキン
グエラー信号のオフセットを小さくすることができ、こ
の強度バランスを確保するために、±１次回折光と０次
回折光との位相差を０度±３０度又は１８０度±３０度
の範囲に設定して、回折格子の位置ずれによるトラッキ
ングエラー信号のオフセットを十分に小さくすることが
できる。

【００３０】図３は、この実施の形態に係る回折格子１
４について、位置ずれに対する強度バランスの変化を示
す特性曲線図である。この回折格子１４の場合、±１次
回折光と０次回折光との複素振幅位相差は、１６９度で
あり、格子を横切る方向に回折格子１４が位置ずれした
とき、強度バランスは、最大で０．１４〔％〕に抑圧す
ることができ、これにより回折格子の位置ずれによるト
ラッキングのオフセットの発生を従来に比して格段的に
小さくすることができた。

【００３１】また０次回折光強度の全体強度に対する割
合を、６２．０〔％〕、０次回折の光強度に対する±１
次回折光の集光位置における光強度を、１０．０〔％〕
に設定することができ、これにより従来構成による回折
格子とほぼ同一の実用的な光量分布を確保することがで
き、従来構成による回折格子をこの実施の形態に係る回
折格子に置き換えて、格段的にトラッキング制御の精度
を向上し、さらには生産性を向上することができる。

【００３２】なお、回折格子１４においては、第２領域
ＡＲ２１及びＡＲ２２が同一形状により、第１の領域Ａ
Ｒ１の両側に形成されて、０次回折光を中心にして−１
次回折光側と＋１次回折光側とで対称形状に同一の周期
構造が繰り返されていることにより、このような光学距
離の異なる３種類の領域の周期構造により０次、±１次
の回折光を作成するようにして、±１次の回折光におけ
る特性の相違を小さくすることができる。

【００３３】（１−３）第１の実施の形態の効果 以上の構成によれば、光学距離の異なる３つの領域ＡＲ
１、ＡＲ２１及びＡＲ２２、ＡＲ３の繰り返しにより回
折格子１４を構成し、０次の回折光と、±１次の回折光
との位相差がほぼ０度又は１８０度となるように、これ
ら３つの領域ＡＲ１、ＡＲ２１及びＡＲ２２、ＡＲ３に
おける光学距離、幅を設定することにより、回折格子の
位置ずれによるトラッキングエラー信号のオフセットを
十分に抑圧することができる。

【００３４】また０次の回折光の光強度に対して、±１
次の回折光の光強度が、８〜１５〔％〕に設定され、さ
らには０次の回折光の光強度が、全ての回折光の６０
〔％〕以上に設定されていることにより、従来構成によ
る回折格子と互換性を維持しつつ、回折格子の位置ずれ
によるトラッキングエラー信号のオフセットを十分に抑
圧することができる。

【００３５】（２）第２の実施の形態 図４は、本発明の第２の実施の形態に係る光ディスク装
置に適用される回折格子を示す断面図である。この回折
格子２４は、図１について上述した回折格子１４に代え
て適用される。この図４に示す構成において、回折格子
１４と同一の構成は、対応する符号を付して示し、重複
した説明は省略する。

【００３６】この回折格子２４は、回折格子１４と同様
に、光学距離の異なる第１〜第３の領域ＡＲ１、ＡＲ２
１及びＡＲ２２、ＡＲ３が、順次循環的に繰り返されて
形成され、０次の回折光と、±１次の回折光との位相差
がほぼ０度又は１８０度となるように、これら第１〜第
３の領域ＡＲ１、ＡＲ２１及びＡＲ２２、ＡＲ３の光学
距離、繰り返し方向の幅Ｗ１、Ｗ２１及びＷ２２、Ｗ３
が設定されるようになされている。

【００３７】またこれら第１〜第３の領域ＡＲ１〜ＡＲ
３の光学距離、繰り返し方向の幅Ｗ１〜Ｗ３の設定によ
り、０次の回折光の光強度が全ての回折光の６０〔％〕
以上となるように設定され、また０次の回折光の光強度
に対して、±１次の回折光の光強度が８〜１５〔％〕と
なるように設定されるようになされている。

【００３８】具体的に、回折格子２４は、第１の実施の
形態に係る回折格子１４と同様に、ガラス基板１４Ａに
対して、誘電体層の選択的な堆積を繰り返して形成さ
れ、この実施の形態では、屈折率１．５の誘電体層が適
用され、繰り返しピッチＰが１４．０〔μｍ〕に設定さ
れるようになされている。また第１の領域ＡＲ１が膜厚
Ｔ１＝１．４〔μｍ〕、幅Ｗ１＝１１．３〔μｍ〕によ
り形成され、第２の領域ＡＲ２１及びＡＲ２２が、第１
の領域ＡＲ１の両側に、それぞれ膜厚Ｔ２＝０．６８
〔μｍ〕、幅Ｗ２１＝Ｗ２２＝０．８５〔μｍ〕により
形成されるようになされている。また第３の領域ＡＲ３
が、ガラス基板１４Ａに何ら誘電体層を形成しないよう
にして作成されるようになされている。

【００３９】図５は、この回折格子２４による特性を示
す特性曲線図であり、この回折格子２４では、０次回折
光と±１次回折光との複素振幅位相差が１１度となり、
回折格子２４が格子を横切るようにシフトして、強度バ
ランスが最大で０．０６６〔％〕に変化した。また全体
強度に対して０次回折光強度を６０．１〔％〕に設定す
ることができ、０次回折光強度に対して±１次回折光位
置の強度を９．０〔％〕に設定することができた。

【００４０】図４に示す構成によっても、第１の実施の
形態と同様の効果を得ることができる。

【００４１】（３）第３の実施の形態 図６は、本発明の第３の実施の形態に係る光ディスク装
置に適用される回折格子を示す断面図である。この回折
格子３４は、図１について上述した回折格子１４に代え
て適用される。この図６に示す構成において、回折格子
１４と同一の構成は、対応する符号を付して示し、重複
した説明は省略する。

【００４２】この回折格子３４は、回折格子１４と同様
に、光学距離の異なる第１〜第３の領域ＡＲ１、ＡＲ２
１及びＡＲ２２、ＡＲ３１及び３２が、順次循環的に繰
り返されて形成され、０次の回折光と、±１次の回折光
との位相差がほぼ０度又は１８０度となるように、これ
ら第１〜第３の領域ＡＲ１、ＡＲ２１及びＡＲ２２、Ａ
Ｒ３１及びＡＲ３２の光学距離、繰り返し方向の幅Ｗ
１、Ｗ２１及びＷ２２、Ｗ３１及びＷ３２が設定される
ようになされている。

【００４３】またこの回折格子３４では、屈折率１．５
の誘電体層により第１の領域ＡＲ１が、膜厚Ｔ１＝０．
８〔μｍ〕、幅Ｗ１＝１．８〔μｍ〕により形成され、
何ら誘電体層を作成していない第３の領域ＡＲ３１及び
ＡＲ３２が、この第１の領域ＡＲ１の両側に幅Ｗ３１＝
Ｗ３２＝５．２〔μｍ〕により形成され、さらにこの第
３の領域ＡＲ３１及びＡＲ３２の外側に、それぞれ第２
の領域ＡＲ２１及びＡＲ２２が、膜厚Ｔ２＝１．５２
〔μｍ〕、幅Ｗ２１＝Ｗ２２＝０．９〔μｍ〕により形
成されるようになされている。なおこれら領域の繰り返
しピッチＰにおいては、１４〔μｍ〕である。

【００４４】またこれらにより回折格子３４は、０次の
回折光の光強度が全ての回折光の６０〔％〕以上となる
ように設定され、また０次の回折光の光強度に対して、
±１次の回折光の光強度が８〜１５〔％〕となるように
設定されるようになされている。

【００４５】図７は、この回折格子３４による特性を示
す特性曲線図であり、この回折格子３４では、０次回折
光と±１次回折光との複素振幅位相差が１７３度とな
り、回折格子３４が格子を横切るようにシフトして、強
度バランスが最大で０．０３３〔％〕に変化した。また
全体強度に対して０次回折光強度を６０．０〔％〕に設
定することができ、０次回折光強度に対して±１次回折
光位置の強度を１４．２〔％〕に設定することができ
た。

【００４６】図６に示す構成によっても、第１の実施の
形態と同様の効果を得ることができる。

【００４７】（４）他の実施の形態 なお上述の実施の形態においては、誘電体層の膜厚の制
御により光路距離の異なる第１〜第３の領域を作成する
場合について述べたが、本発明はこれに限らず、図８に
示すように、屈折率ｎ１、ｎ２の異なる誘電体膜を堆積
させて光路距離の異なる領域を作成するようにしてもよ
い。

【００４８】また上述の実施の形態においては、光路距
離の異なる第１〜第３の領域により回折格子を作成する
場合について述べたが、本発明はこれに限らず、４種類
以上の領域により回折格子を作成するようにしてもよ
い。

【００４９】また上述の実施の形態においては、ガラス
基板上に誘電体を堆積させて回折格子を作成する場合に
ついて述べたが、本発明はこれに限らず、ガラス基板に
代えて種々の透明基板を広く適用することができる。

【００５０】

【発明の効果】上述のように本発明によれば、光学距離
の異なる少なくとも３つの領域の繰り返しにより回折格
子を構成し、０次の回折光と、±１次の回折光との位相
差がほぼ０度又は１８０度となるように、これら３つの
領域における光学距離、幅を設定することにより、回折
格子の位置ずれによるトラッキングエラー信号のオフセ
ットを十分に抑圧することができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の第１の実施の形態に係る光ディスク装
置の光ピックアップに適用される回折格子を示す断面図
である。

【図２】図１の回折格子の動作の説明に供する特性曲線
図である。

【図３】図１の回折格子の特性を示す特性曲線図であ
る。

【図４】本発明の第２の実施の形態に係る光ディスク装
置の光ピックアップに適用される回折格子を示す断面図
である。

【図５】図４の回折格子の特性を示す特性曲線図であ
る。

【図６】本発明の第３の実施の形態に係る光ディスク装
置の光ピックアップに適用される回折格子を示す断面図
である。

【図７】図６の回折格子の特性を示す特性曲線図であ
る。

【図８】他の実施の形態に係る光ディスク装置の光ピッ
クアップに適用される回折格子を示す断面図である。

【図９】光ピックアップを示す側面図である。

【図１０】従来の光ピックアップに適用される回折格子
を示す断面図である。

【図１１】従来の回折格子の特性を示す特性曲線図であ
る。

【符号の説明】

１……光ピックアップ、４、１４、２４、３４……回折
格子、４Ａ、１４……ガラス基板、４Ｂ、１４Ｂ……誘
電体層

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き Ｆターム(参考） 5D118 AA07 AA18 BA01 CD03 CF16 CG24 CG33 CG44 5D119 AA29 AA39 BA01 EA02 EB14 EC41 JA22 5D789 AA29 AA39 BA01 EA02 EB14 EC41 JA22

Claims (6)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】レーザー光源より出射されるレーザービー
   ムを回折格子に入射し、少なくとも０次、±１次の回折
   光を生成し、前記０次、±１次の回折光による前記レー
   ザービームを光ディスクに照射して前記光ディスクをア
   クセスする光ピックアップにおいて、 前記回折格子は、 少なくとも光学距離の異なる第１、第２、第３の領域
   が、順次循環的に繰り返され、 前記０次の回折光と、前記±１次の回折光との位相差が
   ほぼ０度又は１８０度となるように、前記第１、第２、
   第３の領域の前記光学距離、前記繰り返し方向の前記第
   １、第２、第３の領域の幅が設定されたことを特徴とす
   る光ピックアップ。
2. 【請求項２】前記０次の回折光と、前記±１次の回折光
   との位相差が、０度±３０度又は１８０度±３０度の範
   囲であることを特徴とする請求項１に記載の光ピックア
   ップ。
3. 【請求項３】前記０次の回折光の光強度に対して、前記
   ±１次の回折光の光強度が、８〜１５〔％〕であること
   を特徴とする請求項１に記載の光ピックアップ。
4. 【請求項４】前記０次の回折光の光強度が、全ての回折
   光の光強度の６０〔％〕以上であることを特徴とする請
   求項１に記載の光ピックアップ。
5. 【請求項５】前記回折格子は、 透明基板上に、誘電体を選択的に積層して形成され、前
   記第１の領域が、前記透明基板上に何ら前記誘電体を積
   層しない領域であり、 前記第２及び第３の領域が、異なる厚みにより、前記透
   明基板上に前記誘電体を積層した領域であることを特徴
   とする請求項１に記載の光ピックアップ。
6. 【請求項６】光ピックアップより出射されるレーザービ
   ームを光ディスクに照射して前記光ディスクをアクセス
   する光ディスク装置において、 前記光ピックアップは、 レーザー光源より出射される前記レーザービームを回折
   格子に入射し、少なくとも０次、±１次の回折光を生成
   し、前記０次、±１次の回折光による前記レーザービー
   ムを出射し、 前記回折格子は、 少なくとも光学距離の異なる第１、第２、第３の領域
   が、順次循環的に繰り返され、 前記０次の回折光と、前記±１次の回折光との位相差が
   ほぼ０度又は１８０度となるように、前記第１、第２、
   第３の領域の前記光学距離、前記繰り返し方向の前記第
   １、第２、第３の領域の幅が設定されたことを特徴とす
   る光ディスク装置。